本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域的存儲技術(shù)，尤其涉及一種信息處理方法及存儲設(shè)備。

背景技術(shù)：

閃存Nand Flash是一種非易失存儲媒介，其特點是讀取/寫入(R/W)速度較機械硬盤快很多，但數(shù)據(jù)在R/W、保存過程中容易產(chǎn)生錯誤，需要使用較復雜的糾錯碼以及其它配套機制對用戶數(shù)據(jù)進行處理，以保證Nand Flash中數(shù)據(jù)的可靠性。

Nand Flash中存儲數(shù)據(jù)的最小存儲單位是cell，一個cell可以用于表示多個符號，如在多層單元閃存(Multi-Level Cell，MLC)閃存中，一個cell可以呈現(xiàn)四種狀態(tài)，分別用于表示2-bit數(shù)據(jù)的00 01 10 11)。在向cell寫入數(shù)據(jù)時，控制器對cell進行編程，使其具有一個特定的電壓閾值(Threshold Voltage，Vth)；在讀取數(shù)據(jù)時，使用一個或多個參考電壓Vref與存儲電壓亦稱閾值電壓Vth進行比較，確定Vth的電壓范圍，并轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的符號。

數(shù)據(jù)的可靠性由編程時和讀取時的Vth之間的差異程度決定。具體的，首先需約定一個默認的Vth電壓，在編程時作為編程的目標，并在讀取時與一組Vref比較。但是往往在數(shù)據(jù)讀取的過程中，發(fā)現(xiàn)有很高的錯誤，進而導致存儲可靠性低等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例期望提供一種信息處理方法及存儲設(shè)備，至少部分解決存儲可靠性低的問題。

為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

本發(fā)明實施例第一方面提供一種信息處理方法，包括：

基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

基于上述方案，所述根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理，包括：

當所述錯誤成因表示導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的是不可恢復錯誤時，將所述存儲數(shù)據(jù)遷移到第二存儲區(qū)域并將所述第一存儲區(qū)域設(shè)置為禁用存儲區(qū)域；其中，所述第二存儲區(qū)域不同于所述第一存儲區(qū)域。

基于上述方案，所述根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理，包括：

當所述錯誤成因表示導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的是可恢復錯誤時，對所述第一存儲區(qū)域執(zhí)行預(yù)設(shè)恢復操作。

基于上述方案，所述方法還包括：

當所述第二參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)時，提取所述存儲數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一存儲電壓；

根據(jù)所述第一存儲電壓在所述第一存儲區(qū)域的第一分布特征，確定出能夠正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第三參考電壓；

將所述第三參考電壓與各所述第二參考電壓進行比較；

利用與所述第三參考電壓最接近的所述第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因。

基于上述方案，所述根據(jù)所述第一存儲電壓在所述第一存儲區(qū)域的第一分布特征，確定出能夠正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第三參考電壓，包括：

獲取第一均值電壓；其中，所述第一均值電壓為同一符號對應(yīng)的至少兩個所述第一存儲電壓的均值電壓；

獲取不同符號對應(yīng)的第一均值電壓的高斯分布曲線；

將不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓，作為所述第三參考電壓。

基于上述方案，所述方法還包括：

預(yù)先獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與各所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

基于上述方案，所述獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與各所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因，包括：

以知曉錯誤成因的第三存儲區(qū)域為分析對象，提取出所述第三存儲區(qū)域的第二存儲電壓；

分析所述第二存儲電壓的第二分布特征，確定出區(qū)分不同符號的所述第二參考電壓；

記錄所述第二參考電壓形成所述重讀電壓序列；

對應(yīng)記錄與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

基于上述方案，所述分析所述第二存儲電壓的第二分布特征，確定出區(qū)分不同符號的所述第二參考電壓，包括：

獲取第二均值電壓；其中，所述第二均值電壓為同一錯誤成因且同一符號對應(yīng)的至少兩個所述第二存儲電壓的均值電壓；

獲取不同符號對應(yīng)的第二均值電壓的高斯分布曲線；

將不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓，作為所述第二參考電壓。

本發(fā)明實施例第二方面提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)和與所述存儲介質(zhì)連接的處理器；

所述存儲介質(zhì)至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

基于上述方案，所述存儲介質(zhì)還包括第二存儲區(qū)域；

所述處理器，具體用于當所述錯誤成因表示導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的是不可恢復錯誤時，將所述存儲數(shù)據(jù)遷移到所述第二存儲區(qū)域并將所述第一存儲區(qū)域設(shè)置為禁用存儲區(qū)域；其中，所述第二存儲區(qū)域不同于所述第一存儲區(qū)域。

基于上述方案，所述處理器，具體用于當所述錯誤成因表示導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的是可恢復錯誤時，對所述第一存儲區(qū)域執(zhí)行預(yù)設(shè)恢復操作。

基于上述方案，所述處理器，還用于當所述第二參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)時，提取所述存儲數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一存儲電壓；根據(jù)所述第一存儲電壓在所述第一存儲區(qū)域的第一分布特征，確定出能夠正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第三參考電壓；將所述第三參考電壓與各所述第二參考電壓進行比較；利用與所述第三參考電壓最接近的所述第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因。

基于上述方案，所述處理器，具體用于獲取第一均值電壓；其中，所述第一均值電壓為同一符號對應(yīng)的至少兩個所述第一存儲電壓的均值電壓；獲取不同符號對應(yīng)的第一均值電壓的高斯分布曲線；將不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓，作為所述第三參考電壓。

基于上述方案，所述處理器，還用于預(yù)先獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

基于上述方案，所述處理器，還用于以知曉錯誤成因的第三存儲區(qū)域為分析對象，提取出所述第三存儲區(qū)域的第二存儲電壓；分析所述第二存儲電壓的第二分布特征，確定出區(qū)分不同符號的所述第二參考電壓；記錄所述第二參考電壓形成所述重讀電壓序列；對應(yīng)記錄與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

基于上述方案，所述處理器，具體用于獲取第二均值電壓；其中，所述第二均值電壓為同一錯誤成因且同一符號對應(yīng)的至少兩個所述第二存儲電壓的均值電壓；獲取不同符號對應(yīng)的第二均值電壓的高斯分布曲線；將不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓，作為所述第二參考電壓。

本發(fā)明實施例提供的信息處理方法及存儲設(shè)備，當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼存儲數(shù)據(jù)時，將利用第二參考電壓來解碼存儲數(shù)據(jù)，并會根據(jù)解碼正確的第二參考電壓，確定出錯誤成因，一旦確定出錯誤成因就執(zhí)行相應(yīng)的預(yù)設(shè)處理，這樣就可以減少存儲區(qū)域出現(xiàn)了錯誤，不能及時發(fā)現(xiàn)導致的存儲可靠性低，以及存儲區(qū)域的錯誤不能及時恢復或不可用的存儲區(qū)域并沒有及時禁用導致的存儲可靠性低的問題。這樣在存儲區(qū)域使用的過程中，存儲了默認的i第一參考電壓無法正確解碼時，及時利用錯誤成因分析的第二參考電壓進行錯誤成因定位及預(yù)設(shè)處理，可確保使用中存儲區(qū)域處于錯誤狀態(tài)的概率低，顯然可以提升存儲可靠性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的第一種信息處理方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的第二種信息處理方法的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的第三種信息處理方法的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的存儲設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種不同符號存儲電壓的分布示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種不同符號存儲電壓的分布示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合說明書附圖及具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細闡述。

實施例一：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

步驟S120：當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

步驟S130：根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

步驟S140：根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

在本實施例信息處理方法為應(yīng)用于存儲設(shè)備中的信息處理方法。首先利用第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)。在本實施例中所述第一參考電壓可為默認參考電壓。通常情況下，若所述第一存儲區(qū)域未發(fā)生故障，則所述第一參考電壓均可正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)。

當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域存儲的存儲數(shù)據(jù)時，在本實施例中利用第二參考電壓來解碼所述存儲數(shù)據(jù)。在本實施例中所述第二參考電壓可為錯位成因分析的參考電壓。

在步驟S130中，若第二參考電壓正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)，則根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析錯誤成因。通常情況下，所述第二參考電壓與錯誤成因具有映射關(guān)系。例如，第二參考電壓A與錯誤成因A具有對應(yīng)關(guān)系，若利用第二參考電壓A正確解碼了第一參考電壓無法正確解碼的存儲數(shù)據(jù)，則可認為所述第一存儲區(qū)域因所述錯誤成因A導致第一參考電壓無法正確解碼存儲數(shù)據(jù)。

最后，根據(jù)分析出的錯誤成因，采用相應(yīng)的預(yù)設(shè)處理對第一存儲區(qū)域進行處理，避免第一存儲區(qū)域的故障沒有解除，導致存儲錯誤以及讀取錯誤，進而導致的存儲可靠性低的原因。

在本實施例中在存儲介質(zhì)的存儲數(shù)據(jù)解碼過程中，及時的利用第二參考電壓來定位錯誤成因，并通過采取對應(yīng)的錯誤進行預(yù)設(shè)處理，可以提升存儲介質(zhì)存儲的可靠性。

實施例二：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

步驟S120：當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

步驟S130：根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

步驟S140：根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述步驟S140可包括：

當所述錯誤成因表示導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的是不可恢復錯誤時，將所述存儲數(shù)據(jù)遷移到第二存儲區(qū)域并將所述第一存儲區(qū)域設(shè)置為禁用存儲區(qū)域；其中，所述第二存儲區(qū)域不同于所述第一存儲區(qū)域。

在本實施例中所述第一存儲區(qū)域的存儲錯誤可包括可恢復錯誤和不可恢復存儲錯誤。在本實施例中所述不可恢復錯誤可包括存儲介質(zhì)長期保持數(shù)據(jù)導致的不可恢復錯誤。

在本實施例中若根據(jù)第二參考電壓，確定了第一存儲區(qū)域發(fā)生了不可恢復錯誤時，將存儲數(shù)據(jù)遷移到第二存儲區(qū)域。所述第二存儲區(qū)域為目前確定未法傷錯誤的存儲區(qū)域，一方面確保了存儲到第一存儲區(qū)域上的存儲數(shù)據(jù)的不丟失，另一方面同時將所述第一存儲區(qū)域設(shè)置為禁用存儲區(qū)域，這樣后續(xù)存儲設(shè)備在進行數(shù)據(jù)存儲時，再也不會將所述存儲到所述第一存儲區(qū)域，以避免再次存儲和讀取錯誤，提升存儲的可靠性。

實施例三：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

步驟S120：當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

步驟S130：根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

步驟S140：根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述步驟S140可包括：

當所述錯誤成因表示導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的是可恢復錯誤時，對所述第一存儲區(qū)域執(zhí)行預(yù)設(shè)恢復操作。

所述錯誤成因還可包括可恢復錯誤，例如，可以通過擦除重寫恢復的錯誤。例如，某一個存儲區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)因為讀取次數(shù)過多導致的錯誤。

在本實施例中當所述錯誤成因為可恢復錯誤是可通過一定的處理，使得對應(yīng)的存儲區(qū)域恢復到默認的存儲特性，再次存儲數(shù)據(jù)時，可以依然可以通過第一參考電壓進行數(shù)據(jù)的讀取。

在本實施例中若確定是可恢復錯誤，則進行恢復操作，避免第一存儲區(qū)域的錯誤繼續(xù)存在，導致后后續(xù)數(shù)據(jù)的讀取錯誤以及錯誤程度的繼續(xù)加深。

實施例四:

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

步驟S120：當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

步驟S130：根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

步驟S140：根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

如圖2所示，所述方法還包括：

步驟S150：當所述第二參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)時，提取所述存儲數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一存儲電壓；

步驟S160：根據(jù)所述第一存儲電壓在所述第一存儲區(qū)域的第一分布特征，確定出能夠正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第三參考電壓；

步驟S170：將所述第三參考電壓與各所述第二參考電壓進行比較；

步驟S180：利用與所述第三參考電壓最接近的所述第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因。

在一些情況下，可能第二參考電壓也不能直接正確解碼存儲數(shù)據(jù)，此時提取存儲數(shù)據(jù)的第一存儲電壓。所述第一存儲區(qū)域包括若干個存儲單元，每個存儲單元存儲的數(shù)據(jù)不同，存儲的數(shù)據(jù)不同則對應(yīng)的第一存儲電壓不同，在本實施例中將提取所述第一存儲區(qū)域中第一存儲電壓的分布特性，所述分布特性稱為第一分布特性。根據(jù)所述第一分布特性分析出，解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第三參考電壓。通過第三參考電壓解碼所述存儲數(shù)據(jù)，再利用校驗方法確定是否解碼正確，若第三參考電壓解碼的存儲數(shù)據(jù)通過校驗，則將該第三參考電壓與各個第二參考電壓進行比較，選擇出與所述第三參考電壓最接近的第二參考電壓?？烧J為該第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因，有非常大的可能是所述第一存儲區(qū)域當前所對應(yīng)的錯誤成因。

顯然本實施例提供的錯誤成因分析方法，不局限于第二參考電壓，這樣可以提高錯誤成因的分析成功率，方便對更多發(fā)生錯誤的存儲區(qū)域進行數(shù)據(jù)預(yù)設(shè)處理，提升存儲介質(zhì)的存儲可靠性。

實施例五：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

步驟S120：當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

步驟S130：根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

步驟S140：根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

如圖2所示，所述方法還包括：

步驟S150：當所述第二參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)時，提取所述存儲數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一存儲電壓；

步驟S160：根據(jù)所述第一存儲電壓在所述第一存儲區(qū)域的第一分布特征，確定出能夠正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第三參考電壓；

步驟S170：將所述第三參考電壓與各所述第二參考電壓進行比較；

步驟S180：利用與所述第三參考電壓最接近的所述第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因。

所述步驟S160可包括：

獲取第一均值電壓；其中，所述第一均值電壓為同一符號對應(yīng)的至少兩個所述第一存儲電壓的均值電壓；

獲取不同符號對應(yīng)的第一均值電壓的高斯分布曲線；

將不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓，作為所述第三參考電壓。

在本實施例中所述不同符號可包括表示“0”或“1”的符號。通常情況先，同一符號對應(yīng)的存儲電壓是呈高斯分布，在本實施例中將不同符號的高斯分布曲線搬移到同一圖示中，利用不同符號的高斯分布曲線的交叉點對應(yīng)的電壓叫做所述交纏點電壓；將所述交叉點電壓作為所述第三參考電壓，這樣得到的第三參考電壓是具有非常大概率能夠正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)，首先這樣相當于恢復了第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)，同時找到了第三參考電壓，通過第三參考電壓與第二參考電壓的比較，還方便分析錯誤成因，從而這種確定第三參考電壓的方法，具有多重優(yōu)點。

實施例六：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

步驟S120：當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

步驟S130：根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

步驟S140：根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述方法還包括：

預(yù)先獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與各所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

在本實施例中所述方法，在利用第二參考電壓解析第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)之前，獲取包括多組第二參考電壓的重讀電壓序列。以及每一個所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

在步驟S120中，分別利用錯誤成因中的一組或多組第二參考電壓解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)，直至找到正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓或所有第二組參考電壓都無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)才停止。

由于預(yù)先知道第二參考電壓與錯誤成因的對應(yīng)關(guān)系，故在步驟S130中，可以通過這種對應(yīng)關(guān)系，簡便的確診出所述錯誤成因。不同的錯落成因可能對應(yīng)不同的預(yù)設(shè)處理，在本實施例中一旦錯誤成因確定，就可以采用相應(yīng)的預(yù)設(shè)處理對第一存儲區(qū)域進行相應(yīng)處理，以提高存儲可靠性。

實施例七：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

步驟S120：當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

步驟S130：根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

步驟S140：根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述方法還包括：

預(yù)先獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與各所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

在本實施例中所述方法，在利用第二參考電壓解析第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)之前，獲取包括多組第二參考電壓的重讀電壓序列。以及每一個所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

如圖3所示，所述獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與各所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因，包括：

步驟S201：以知曉錯誤成因的第三存儲區(qū)域為分析對象，提取出所述第三存儲區(qū)域的第二存儲電壓；

步驟S202：分析所述第二存儲電壓的第二分布特征，確定出區(qū)分不同符號的所述第二參考電壓；

步驟S203：記錄所述第二參考電壓形成所述重讀電壓序列；

步驟S204：對應(yīng)記錄與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

在本實施例中以知曉錯位成因的第三存儲區(qū)域為分析對象，提取第三存儲區(qū)域的第二存儲電壓，再分析第二存儲電壓的第二分布特性，就可以知道該錯誤成因會導致存儲區(qū)域中不同符號的存儲電壓的分布特性，從而達到解碼的第二參考電壓。該第二參考電壓作為重讀電壓序列中的一組參考電壓，該錯誤成因?qū)⒆鳛椴襟ES140中與該第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。顯然，本實施例提供了一種如何獲取第二參考電壓及與該第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因的方法，具有實現(xiàn)簡便的特點。

例如，找到一個存儲區(qū)域確定是因為反復讀寫已出現(xiàn)了存儲錯誤，提取該存儲區(qū)域內(nèi)各個存儲單元cell的存儲電壓，分寫這些存儲電壓的分布特性，根據(jù)該分布特性，找到適合解碼的參考電壓。找到的該參考電壓作為第二參考電壓形成所述重讀電壓序列，并建立該第二參考電壓與反復讀寫錯誤成因的對應(yīng)關(guān)系。這樣后續(xù)若利用該第二參考電壓正確解碼了第一參考電壓無法正確解碼的存儲數(shù)據(jù)，則可認為對應(yīng)的存儲區(qū)域出現(xiàn)了反復讀寫的錯誤成因。

當然，確定第二參考電壓與錯誤成因之間的對應(yīng)關(guān)系的方法，不止上述一種，還可包括利用仿真確定所述第二參考電壓和所述錯誤成因之間的對應(yīng)關(guān)系等。

實施例八：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：基于第一參考電壓讀取第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；

步驟S120：當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；

步驟S130：根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；

步驟S140：根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述方法還包括：

預(yù)先獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與各所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

在本實施例中所述方法，在利用第二參考電壓解析第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)之前，獲取包括多組第二參考電壓的重讀電壓序列。以及每一個所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

如圖3所示，所述獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與各所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因，包括：

步驟S201：以知曉錯誤成因的第三存儲區(qū)域為分析對象，提取出所述第三存儲區(qū)域的第二存儲電壓；

步驟S202：分析所述第二存儲電壓的第二分布特征，確定出區(qū)分不同符號的所述第二參考電壓；

步驟S203：記錄所述第二參考電壓形成所述重讀電壓序列；

步驟S204：對應(yīng)記錄與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

所述步驟S202可包括：

獲取第二均值電壓；其中，所述第二均值電壓為同一錯誤成因且同一符號對應(yīng)的至少兩個所述第二存儲電壓的均值電壓；

獲取不同符號對應(yīng)的第二均值電壓的高斯分布曲線；

將不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓，作為所述第二參考電壓。

在本實施例中獲取第二均值電壓，同一錯誤成因不同符號的第二存儲電壓的均值電壓，獲取不同符號的第二均值電壓的高斯分布曲線，提取不同符號的高斯分布曲線的交叉點對應(yīng)的電壓(即所述交叉點電壓)為所述第二參考電壓。

實踐證明，這樣確定的所述第二參考電壓，具有正確解碼有發(fā)生錯誤的存儲區(qū)域的概率高的特點。

實施例九：

如圖4所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110和與所述存儲介質(zhì)110連接的處理器120；

所述存儲介質(zhì)110至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器120，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

本實施例所述的存儲介質(zhì)可為各種類型的存儲介質(zhì)，例如，F(xiàn)lash等存儲介質(zhì)，可選為非瞬間存儲介質(zhì)。

所述處理器120可為中央處理器、微處理器、數(shù)字信號處理器、可編程陣列或應(yīng)用處理器等。所述處理器120與所述存儲介質(zhì)110之間可以通過總線連接。所述總線可包括PCI總線或IIC總線等。所述處理器120通過所述總線可以與所述存儲介質(zhì)110進行各種數(shù)據(jù)的交互，例如，向所述存儲介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)，從所述存儲介質(zhì)110讀取數(shù)據(jù)等。

在本實施例中所述處理器120首先會利用第一參考電壓正常讀取第一存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)，若在讀取的過程中發(fā)現(xiàn)解碼不正確，則利用第二參考電壓讀取并解碼所述存儲數(shù)據(jù)，一旦找到一組所述第二參考電壓能夠正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)，則利用該第二參考電壓與錯誤成因的對應(yīng)關(guān)系，確定所述第一存儲區(qū)域的錯位成因，并根據(jù)錯誤成因施加預(yù)設(shè)處理，避免發(fā)生錯誤的第一存儲區(qū)域的錯誤繼續(xù)存儲，繼續(xù)影響存儲的可靠性。

實施例十：

如圖4所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110和與所述存儲介質(zhì)110連接的處理器120；

所述存儲介質(zhì)110至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器120，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述存儲介質(zhì)110還包括第二存儲區(qū)域；

所述處理器120，具體用于當所述錯誤成因表示導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的是不可恢復錯誤時，將所述存儲數(shù)據(jù)遷移到所述第二存儲區(qū)域并將所述第一存儲區(qū)域設(shè)置為禁用存儲區(qū)域；其中，所述第二存儲區(qū)域不同于所述第一存儲區(qū)域。

當確定出所述第一存儲區(qū)域發(fā)送了不可恢復錯誤，即出現(xiàn)了不可逆錯誤，例如，磨損過多，導致的第一存儲區(qū)域再也不能使用時，將利用第二參考電壓正確解碼的存儲數(shù)據(jù)，遷移到第二存儲區(qū)域繼續(xù)存儲，避免數(shù)據(jù)丟失；同時將該第一存儲區(qū)域設(shè)置為禁用存儲區(qū)域，以后處理器120就不會在向該第一存儲區(qū)域?qū)懭霐?shù)據(jù)了，提高了存儲的可靠性。

實施例十一：

如圖4所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110和與所述存儲介質(zhì)110連接的處理器120；

所述存儲介質(zhì)110至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器120，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述處理器120，具體用于當所述錯誤成因表示導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的是可恢復錯誤時，對所述第一存儲區(qū)域執(zhí)行預(yù)設(shè)恢復操作。

在本實施例中若來確定出錯誤成因是可恢復錯誤，則采用對應(yīng)的恢復操作恢復第一存儲區(qū)域的存儲狀態(tài)，這樣就可以避免第一存儲區(qū)域中錯誤繼續(xù)存在導致的存儲可靠性低的問題。

實施例十二：

如圖4所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110和與所述存儲介質(zhì)110連接的處理器120；

所述存儲介質(zhì)110至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器120，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述處理器120，還用于當所述第二參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)時，提取所述存儲數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一存儲電壓；根據(jù)所述第一存儲電壓在所述第一存儲區(qū)域的第一分布特征，確定出能夠正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第三參考電壓；將所述第三參考電壓與各所述第二參考電壓進行比較；利用與所述第三參考電壓最接近的所述第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因。

在本實施例中若各組第二參考電壓都無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)時，為了進一步恢復存儲數(shù)據(jù)和/或分析錯誤成因，在本時候死例中將提取各個存儲單元中存儲數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一存儲電壓。根據(jù)第一存儲電壓的電壓分布特性，即所述第一分布特新，確定出可正確解碼的第三參考電壓。并利用第三參考電壓與第二參考電壓，通過第二參考電壓及第三參考電壓的相似性，分析出錯誤成因，這樣提升了所述處理器分析錯誤成因的能力，還提升了所述處理器恢復數(shù)據(jù)的能力，進而能夠再次提升存儲的可靠性。

實施例十三：

如圖4所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110和與所述存儲介質(zhì)110連接的處理器120；

所述存儲介質(zhì)110至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器120，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述處理器120，還用于當所述第二參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)時，提取所述存儲數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一存儲電壓；根據(jù)所述第一存儲電壓在所述第一存儲區(qū)域的第一分布特征，確定出能夠正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第三參考電壓；將所述第三參考電壓與各所述第二參考電壓進行比較；利用與所述第三參考電壓最接近的所述第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因。

所述處理器120，具體用于獲取第一均值電壓；其中，所述第一均值電壓為同一符號對應(yīng)的至少兩個所述第一存儲電壓的均值電壓；獲取不同符號對應(yīng)的第一均值電壓的高斯分布曲線；將不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓，作為所述第三參考電壓。

在本實施例中所述處理器在獲取所述第三參考電壓時，是根據(jù)不同符號的第一均值電壓的高斯分布曲線來確定的。

在本實施例中所述交叉點電壓為不同符號的高斯分布曲線交叉位置對應(yīng)的電壓。例如，符號“0”和符號“1”的高斯分布曲線在電壓A處交叉，則電壓A即為所述交叉點電壓。

利用不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓作為第三參考電壓，具有解碼正確的概率高的特點。

實施例十四：

如圖4所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110和與所述存儲介質(zhì)110連接的處理器120；

所述存儲介質(zhì)110至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器120，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述處理器120，還用于獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

所述處理器120可從其他存儲設(shè)備獲取所述重讀電壓序列及錯誤成因，也可以自行分析或仿真獲得所述重讀電壓序列及錯誤成因，處理器120預(yù)先獲取了該錯誤成因和重讀電壓序列的對應(yīng)關(guān)系，這樣后續(xù)分析錯誤成因時就非常簡便。

實施例十五：

如圖4所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110和與所述存儲介質(zhì)110連接的處理器120；

所述存儲介質(zhì)110至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器120，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述處理器120，還用于獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

所述處理器120，還用于以知曉錯誤成因的第三存儲區(qū)域為分析對象，提取出所述第三存儲區(qū)域的第二存儲電壓；分析所述第二存儲電壓的第二分布特征，確定出區(qū)分不同符號的所述第二參考電壓；記錄所述第二參考電壓形成所述重讀電壓序列；對應(yīng)記錄與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

在本實施例中以知曉錯誤成因的第三存儲區(qū)域為分析對象，通過存儲電壓提取及分布特性分析等方法將獲取第二參考電壓，并與該已知曉的錯誤成因建立對應(yīng)關(guān)系，就形成了所述錯誤成因序列及所述對應(yīng)關(guān)系，方便后續(xù)對存儲介質(zhì)中其他存儲區(qū)域的錯誤成因的分析和預(yù)設(shè)處理。

實施例十六：

如圖4所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110和與所述存儲介質(zhì)110連接的處理器120；

所述存儲介質(zhì)110至少包括第一存儲區(qū)域；

所述處理器120，用于基于第一參考電壓讀取所述第一存儲區(qū)域中的存儲數(shù)據(jù)；當?shù)谝粎⒖茧妷簾o法正確解碼所述第一存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)時，利用第二參考電壓對所述存儲數(shù)據(jù)進行解碼；根據(jù)正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的第二參考電壓，分析導致所述第一參考電壓無法正確解碼所述存儲數(shù)據(jù)的錯誤成因；根據(jù)所述錯誤成因，采用錯誤處理策略對所述第一存儲區(qū)域進行預(yù)設(shè)處理。

所述處理器120，還用于獲取包括多組所述第二參考電壓的重讀電壓序列及與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

所述處理器120，還用于以知曉錯誤成因的第三存儲區(qū)域為分析對象，提取出所述第三存儲區(qū)域的第二存儲電壓；分析所述第二存儲電壓的第二分布特征，確定出區(qū)分不同符號的所述第二參考電壓；記錄所述第二參考電壓形成所述重讀電壓序列；對應(yīng)記錄與所述第二參考電壓對應(yīng)的錯誤成因。

所述處理器120，具體用于獲取第二均值電壓；其中，所述第二均值電壓為同一錯誤成因且同一符號對應(yīng)的至少兩個所述第二存儲電壓的均值電壓；獲取不同符號對應(yīng)的第二均值電壓的高斯分布曲線；將不同符號的高斯分布曲線的交叉點電壓，作為所述第二參考電壓。

所述處理器120，具體通過第二均值電壓的獲取及高斯分布曲線的繪制，獲得所述交叉點電壓作為第二參考電壓，這樣獲得的第二參考電壓具有解碼能力強的特點，且具有處理簡便的特點。

以下結(jié)合上述實施例提供一個具體示例：

步驟A：典型錯誤場景選?。哼M行大量模擬的真實場景測試，從其中發(fā)現(xiàn)使用默認參考電壓Vref無法正確解碼的應(yīng)用上下文(例如，在服務(wù)器應(yīng)用中，連續(xù)寫入大量數(shù)據(jù)后發(fā)生的數(shù)據(jù)錯誤，同一物理頁被多次反復讀取后發(fā)生錯誤，作為數(shù)據(jù)備份的儲存器在長時間未使用后再次讀取時發(fā)生的錯誤，等等)，將發(fā)生錯誤的物理頁做為分析對象。這里的默認參考電壓Vref即對應(yīng)于所述第一參考電壓。

步驟B：分析各場景下錯誤產(chǎn)生的直接原因。例如，由大量P/E造成的錯誤，由長期保持數(shù)據(jù)或累計讀取次數(shù)過多(read disturb)而導致的錯誤。前者不可通過擦除重寫恢復的硬盤磨損錯誤，后者可通過擦除重新恢復的錯誤。

步驟C：對各種錯誤場景造成的錯誤頁(不能解碼的物理頁)，進行存儲電壓Vth的掃描(在已知寫入數(shù)據(jù)內(nèi)容的情況下，獲取每個符號對應(yīng)的Vth的分布，如圖5，得到這些錯誤頁的最優(yōu)分辨Vref。依據(jù)b)中提及的直接原因?qū)th進行分類。例如：哪些Vref是高P/E的結(jié)果，哪些Vref是長保持的結(jié)果，哪些是混合作用的結(jié)果，等等。在圖5中Vref是不同符號對應(yīng)的高斯分布曲線的交叉點電壓。圖5顯示的一個cell中4個符號的高斯分布曲線示意圖。

步驟D：將得到的Vth分布樣本按錯誤原因分類，在類別中找到有代表性的Vref。例如，使用Vth的加權(quán)平均分布作為此類錯誤下的Vth分布，采用多個symbol高斯分布的交叉點作為對這類錯誤的重讀Vref(可參考圖5)。

步驟E：不同的錯誤原因?qū)th分布產(chǎn)生的影響也不同(例如：如圖6(a)所示，高P/E次數(shù)導致Vth的高斯分布方差加大，如圖6(c)及圖6(c)所示，長期保持導致電子流失，Vth分布的均值向低電壓方向移動。最優(yōu)辨別Vref相對于默認Vth的變化，能反映P/E次數(shù)的多寡或保持時間的長短?？梢赃M一步細分錯誤場景，豐富重讀Vref的選擇。

步驟F：重讀電壓序列包含多組Vref，可以在在使用默認電壓讀取的數(shù)據(jù)不能正確解碼時，依次代替默認電壓，對發(fā)生錯誤的物理頁進行重讀?？紤]錯誤場景發(fā)生的概率和先后順序，對錯誤場景的優(yōu)化電壓Vref進行排列，作為重讀電壓序列。例如，由單一的高P/E或Retention造成的錯誤出現(xiàn)的概率較高，可優(yōu)先使用應(yīng)付這種情況下的Vref進行重讀，高PE疊加retention的錯誤出現(xiàn)概率最低，將這應(yīng)付這種情況的Vref放在重試序列的靠后位置。

步驟G：如上所述，重讀Vref序列中的每組Vref都對應(yīng)于一種錯誤成因的假設(shè)。如果使用某個重讀電壓能正確解碼一個錯誤頁時，即可假設(shè)該頁錯誤的成因與導出該重試Vref的假設(shè)一致。也就可以推斷該錯誤是可以通過擦除重寫恢復的，還是不可恢復的。這一信息可用于對該錯誤頁進行管理。比如，對于可恢復的錯誤，應(yīng)立即擦除重寫，以防止錯誤惡化；對于不可恢復的錯誤，應(yīng)將數(shù)據(jù)搬移到其它位置，并不再使用當前頁存儲新數(shù)據(jù)。

步驟H：如果使用已知的重試電壓讀取的數(shù)據(jù)都無法解碼，則對錯誤頁進行一次Vth追蹤(tracking，即：只知道所有Vth的分布，但無法知道每個Vth對應(yīng)的符號是什么，如圖6，推測可能的最優(yōu)分辨電壓(如，用波谷做為Vref)，在重讀序列中找到與之最接近的Vref，使用相同的錯誤原因假設(shè)進行推測。

在本申請所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的設(shè)備和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。以上所描述的設(shè)備實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，如：多個單元或組件可以結(jié)合，或可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的各組成部分相互之間的耦合、或直接耦合、或通信連接可以是通過一些接口，設(shè)備或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性的、機械的或其它形式的。

上述作為分離部件說明的單元可以是、或也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是、或也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上；可以根據(jù)實際的需要選擇其中的部分或全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各實施例中的各功能單元可以全部集成在一個處理模塊中，也可以是各單元分別單獨作為一個單元，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中；上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括：移動存儲設(shè)備、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。