本發(fā)明涉及改進(jìn)一多讀取器的一導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)的電氣特性，該多讀取器安裝在例如一硬盤驅(qū)動(dòng)器上。

背景技術(shù)：

隨著硬盤驅(qū)動(dòng)器容量的增加而它們的尺寸不斷縮小，需要對(duì)一磁盤的記錄密度進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)。為了實(shí)現(xiàn)上述需求，需要對(duì)除磁盤的線性密度以外的磁道密度進(jìn)行改進(jìn)。但是，縮小磁道寬度會(huì)導(dǎo)致磁盤中記錄數(shù)據(jù)以及磁頭的再生裝置的偏移問(wèn)題。

對(duì)于此問(wèn)題，如公開(kāi)號(hào)為JPH06-215322 A的專利文獻(xiàn)(專利文獻(xiàn)1)公開(kāi)的內(nèi)容，提出了一種方法，用于同時(shí)再生記錄數(shù)據(jù)和一偏移信號(hào)并通過(guò)在一磁頭內(nèi)提供兩個(gè)再生裝置(一多讀取器)進(jìn)行校正。進(jìn)一步地，隨著上述方法的發(fā)展形勢(shì)，如公開(kāi)號(hào)為JP 2011-134372 A的專利文獻(xiàn)(專利文獻(xiàn)2)公開(kāi)的內(nèi)容，提出了一種方法，用于通過(guò)多個(gè)再生裝置再生二維磁記錄(TDMR)。一彎曲結(jié)構(gòu)，用于安裝一磁頭，該磁頭包括設(shè)置于該磁頭上的多個(gè)再生裝置，該彎曲結(jié)構(gòu)在下文中稱作針對(duì)一多讀取器的一導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)。在該針對(duì)一多讀取器的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)中，分別提供了與再生裝置相對(duì)的讀取磁道對(duì)。

優(yōu)選地，應(yīng)該降低每對(duì)讀取磁道的阻抗，以使得讀取磁道對(duì)的阻抗與再生裝置等部件的阻抗相匹配，且還為了降低能耗。在包括一對(duì)讀取磁道的一般的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)中，一窗口部分通過(guò)在一區(qū)域的一金屬基體上刻蝕形成，該區(qū)域中設(shè)置有一對(duì)讀取磁道(讀取磁道對(duì))，從而調(diào)節(jié)阻抗值。在針對(duì)一多讀取器的一導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)中還包括多個(gè)讀取磁道對(duì)，為每個(gè)讀取磁道對(duì)形成一窗口部分。

但是，由于可以由柔性制造中的常規(guī)化學(xué)刻蝕形成的金屬基體的最小寬度受到限制，如果一互聯(lián)部分由于彎曲的微型化繼續(xù)變得越來(lái)越密集，則在每個(gè)讀取磁道對(duì)中形成一獨(dú)立的窗口部分會(huì)變得困難。因此，為了縮小針對(duì)一多讀取器的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)的尺寸，可以通過(guò)形成對(duì)應(yīng)于多對(duì)讀取磁道的一共用窗口部分來(lái)實(shí)現(xiàn)。

但是，如果形成了這樣一窗口部分，形成一對(duì)讀取磁道的正(正相位信號(hào))讀取磁道和負(fù)(負(fù)相位信號(hào))讀取磁道之間的位置關(guān)系和窗口部分(地面的外部形勢(shì))變得不平衡。如果正相和負(fù)相之間的讀取磁道的電容值變得不平衡，則讀取磁道通過(guò)成對(duì)傳輸一差動(dòng)信號(hào)消除噪聲的能力降低。在這種情況下，讀取磁道對(duì)可能受到來(lái)自一寫入磁道對(duì)的串?dāng)_(噪聲)的影響。

時(shí)至今日，對(duì)于一單一讀取器的一般的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)，提出了針對(duì)抑制傳輸一差動(dòng)信號(hào)的一對(duì)讀取磁道中的串?dāng)_的各種技術(shù)。同時(shí)，用于抑制針對(duì)一多讀取器的一導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)中成對(duì)的讀取磁道串?dāng)_的技術(shù)鮮為人知。舉個(gè)例子，即使如公開(kāi)號(hào)JP 2006-48800 A(專利文獻(xiàn)3)或公開(kāi)號(hào)JP 2006-331485 A(專利文獻(xiàn)4)公開(kāi)的用于針對(duì)一單一讀取器的一導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)的一串?dāng)_抑制技術(shù)被應(yīng)用于一多讀取器的一導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)，所應(yīng)用的技術(shù)不將帶來(lái)任何優(yōu)勢(shì)或相反地將引起不良反應(yīng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種彎曲結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種用于一多讀取器的一導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)，用于安裝一磁頭，所述磁頭上包括多個(gè)再生裝置，所述再生裝置能夠同時(shí)滿足節(jié)省空間和良好電氣特性的要求。

根據(jù)一實(shí)施例的一種彎曲結(jié)構(gòu)，用于在上面安裝一記錄裝置和多個(gè)再生裝置，且包括一金屬基體和形成于所述金屬基體上的一互聯(lián)部分。金屬基體包括向所述金屬基體的縱向延伸的一第一區(qū)域，以及沿著內(nèi)部形成有一窗口部分的所述第一區(qū)域延伸的一第二區(qū)域。所述互聯(lián)部分包括：一絕緣層，所述絕緣層包括覆蓋所述第一區(qū)域的一第一通道，以及覆蓋所述窗口部分和所述第二區(qū)域的一第二通道；一寫入磁道對(duì)，由形成一對(duì)并傳輸一差動(dòng)信號(hào)的一第一寫入磁道和一第二寫入磁道構(gòu)成；讀取磁道對(duì)組，每個(gè)所述讀取磁道對(duì)由形成一對(duì)并傳輸一差動(dòng)信號(hào)的一第一讀取磁道和一第二讀取磁道構(gòu)成；以及一接地(GND)磁道，包括一第一端部和一第二端部，且在所述第一端部和所述第二端部位置設(shè)置有接地點(diǎn)。所述寫入磁道對(duì)設(shè)置于所述第一通道上并與所述記錄裝置連接。所述讀取磁道對(duì)組設(shè)置于所述第二通道上以在所述金屬基體的厚度方向上面對(duì)所述窗口部分，并分別與所述再生裝置連接。所述接地磁道設(shè)置于兩個(gè)鄰近的讀取磁道對(duì)之間。

在這個(gè)實(shí)施例中，可以設(shè)置所述第一讀取磁道和所述第二讀取磁道使得所述第一讀取磁道和所述接地磁道之間的距離與所述第二讀取磁道和所述窗口部分的一邊的距離大致相等。而且，當(dāng)所述讀取磁道對(duì)包括最接近于一第二讀取磁道對(duì)的一第一讀取磁道對(duì)，且包括靠近所述第一讀取磁道對(duì)旁邊的所述寫入磁道對(duì)的一第二讀取磁道對(duì)時(shí)，所述接地磁道可以設(shè)置在所述第一讀取磁道對(duì)和所述第二讀取磁道對(duì)之間。可選的，所述接地磁道設(shè)置于所有鄰近的讀取磁道對(duì)之間。進(jìn)一步地，所述接地磁道可以包括一額外的接地點(diǎn)，所述接地點(diǎn)進(jìn)一步設(shè)置于所述接地磁道的第一端部和第二端部之間。所述接地磁道、所述第一讀取磁道和所述第二讀取磁道三者的寬度可以大致相等。所述互聯(lián)部分可以包括設(shè)置于除了所述第二通道上 方的其他部分的一額外導(dǎo)線。所述接地磁道可以包括一延伸部分，所述延伸部分從所述第一端部和/或所述第二端部延伸出來(lái)。

本發(fā)明額外的目的和優(yōu)勢(shì)將在下面的說(shuō)明書(shū)中進(jìn)行陳述，且其中的一部分在說(shuō)明書(shū)中是明顯的，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐得到。本發(fā)明的目的和優(yōu)勢(shì)可以通過(guò)尤其是下文指出的手段和組合的方法實(shí)現(xiàn)和取得。

附圖說(shuō)明

此處結(jié)合的附圖構(gòu)成了說(shuō)明書(shū)的一部分，解釋了本發(fā)明的實(shí)施例，且連同上面給出的整個(gè)描述和下面給出的實(shí)施例的詳細(xì)描述，幫助解釋本發(fā)明的原理。

圖1顯示的是一磁頭萬(wàn)向組件的實(shí)例的一透視圖。

圖2根據(jù)一第一實(shí)施例示意性地描繪了一互聯(lián)部分。

圖3是沿圖2的線F3-F3剖視的互聯(lián)部分的一剖視圖。

圖4根據(jù)一第二實(shí)施例圖示性地描繪了一互聯(lián)部分。

圖5是沿圖4的線F5-F5剖開(kāi)的互聯(lián)部分的一剖視圖。

圖6根據(jù)一第三實(shí)施例圖示性地描繪了一互聯(lián)部分。

圖7是沿圖6的線F7-F7剖開(kāi)的互聯(lián)部分的一剖視圖。

圖8是一原理圖，展示了每個(gè)實(shí)施例中的互聯(lián)部分的一串?dāng)_解析模型。

圖9是一特征圖，顯示了通過(guò)圖8的解析模型計(jì)算出的根據(jù)第三實(shí)施例的影響第一讀取磁道對(duì)和第二讀取磁道對(duì)的串?dāng)_。

圖10是一特征圖，顯示了通過(guò)圖8的解析模型計(jì)算出的根據(jù)第四至第十實(shí)施例的影響第一讀取磁道對(duì)和第二讀取磁道對(duì)的串?dāng)_的。

圖11根據(jù)一第十一實(shí)施例圖示性地描繪了一互聯(lián)部分。

圖12是根據(jù)一第十三實(shí)施例的一互聯(lián)部分的一剖視圖。

圖13根據(jù)一第十四實(shí)施例圖示性地描繪了一互聯(lián)部分。

具體實(shí)施方式

首先，參考圖1描述各實(shí)施例中常見(jiàn)的一結(jié)構(gòu)。圖1顯示了一磁頭萬(wàn)向組件(HGA)，包括構(gòu)成一磁頭2的一滑動(dòng)器8，形成的一載荷架6形如一板簧，針對(duì)一多讀取器的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)10(在下文中僅稱作一完全10)固定至載荷架6上，且滑動(dòng)器8鄰近于它的末端安裝在其上，等。磁頭2包括一記錄裝置3和多個(gè)(例如兩個(gè))再生裝置4a和4b。

彎曲結(jié)構(gòu)10包括通過(guò)刻蝕奧氏體不銹鋼的一金屬箔得到的一金屬基體20，以及例如沿著金屬基體20形成的一互聯(lián)部分30。

金屬基體20的厚度小于載荷架6的厚度。載荷架6的厚度是，例如，30至62μm，以及金屬基體20的厚度是，例如，18μm(12至25μm)。金屬基體20通過(guò)，例如，激光焊接形成的多個(gè)焊接條固定至載荷架6上。通過(guò)圖1中的箭頭X指示的方向是金屬基體20(彎曲結(jié)構(gòu)10)的縱向方向。

【第一實(shí)施例】

參考圖2和圖3，根據(jù)第一實(shí)施例描述彎曲結(jié)構(gòu)10。圖2根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例圖示性地描繪了互聯(lián)部分。彎曲結(jié)構(gòu)10的金屬基體20包括在縱向X方向延伸的一第一區(qū)域21，以及沿著第一區(qū)域21延伸的一第二區(qū)域22。

在第一區(qū)域21內(nèi)，設(shè)置于縱向X線上的多個(gè)長(zhǎng)孔(開(kāi)口)23形成了一窗口部分24。在第二區(qū)域22內(nèi)，設(shè)置于縱向X線上的多個(gè)長(zhǎng)孔組(開(kāi)口組)25形成了一窗口部分26。每個(gè)長(zhǎng)孔23和25在厚度方向Y(即圖3中箭頭Y顯示的方向)上穿過(guò)金屬基體20?？蛇x地，窗口部分26可以由通過(guò)互相連接構(gòu)成窗口部分26的長(zhǎng)孔組25所構(gòu)建的一長(zhǎng)孔(開(kāi)口)形成。

圖3是沿圖2的線F3-F3剖視的互聯(lián)部分的一剖視圖?；ヂ?lián)部分30包括一絕緣層31，由銅制成的形成于絕緣層31上的多個(gè)導(dǎo)線32，及一覆蓋層33(圖1)。請(qǐng)注意，出于解釋的目的，圖2至13中顯示的彎曲結(jié)構(gòu)10中省略了覆蓋層33。每個(gè)絕緣層31和覆蓋層33由比如聚酰亞胺的一電氣絕緣材料形成。絕緣層31的厚度是，例如，10μm(3至18μm)。導(dǎo)線32的厚度是，例如，9μm(3至18μm)。覆蓋層33的厚度是，例如，4μm(1至10μm)。

絕緣層31包括一第一通道35及一第二通道36。第一通道35覆蓋金屬基體20的窗口部分24，也覆蓋第一區(qū)域21。第二通道36覆蓋金屬基體20的窗口部分26，也覆蓋第二區(qū)域22。第一通道35和第二通道36可以相互隔開(kāi)，或如實(shí)例中顯示的沒(méi)有間隔。

多個(gè)導(dǎo)線32包括設(shè)置于第一通道35上的一寫入磁道對(duì)40、設(shè)置于第二通道36上的一第一讀取磁道對(duì)51和一第二讀取磁道對(duì)52、一接地磁道71等。第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52是本發(fā)明的讀取磁道對(duì)的一個(gè)例子，可以簡(jiǎn)單稱作讀取磁道對(duì)51和讀取磁道對(duì)52。另外，多個(gè)讀取磁道對(duì)可以被統(tǒng)稱作一讀取磁道結(jié)構(gòu)50。

如圖2中顯示的，寫入磁道對(duì)40由一正寫入磁道41和一負(fù)寫入磁道42構(gòu)成，形成了一對(duì)并傳輸一差動(dòng)信號(hào)，寫入磁道對(duì)40連接于記錄裝置3。正(正相位信號(hào))寫入磁道41傳輸一信號(hào)，該信號(hào)在高電平和低電平二進(jìn)制值之間波動(dòng)。負(fù)(負(fù)相位信號(hào))寫入磁道42傳輸一信號(hào)，該信號(hào)在相對(duì)于正寫入磁道41的信號(hào)的反相位處的二進(jìn)制值之間波動(dòng)。正寫入磁道 41是本發(fā)明成對(duì)的寫入磁道中的一個(gè)寫入磁道(也作為一第一寫入磁道參考)的一個(gè)例子，并分叉成一第一交叉線411和一第二交叉線412。負(fù)寫入磁道42是本發(fā)明成對(duì)的寫入磁道中的另一個(gè)寫入磁道的一個(gè)例子(也作為一第二寫入磁道參考)，并分叉成一第一交叉線421和一第二交叉線422。

寫入磁道對(duì)40(第一交叉線411，421及第二交叉線412，422及正寫入磁道41及負(fù)寫入磁道42)設(shè)置于第一通道35上使得它在厚度方向Y上面對(duì)金屬基體20的第一區(qū)域21的窗口部分24。

第一寫入磁道對(duì)51由一正寫入磁道51a和一負(fù)寫入磁道51b構(gòu)成，組成了一對(duì)并用于傳輸一差動(dòng)信號(hào)，并連接于再生裝置4a。正(正相位信號(hào))讀取磁道51a傳輸一信號(hào)，該信號(hào)在高電平和低電平二進(jìn)制值之間波動(dòng)。負(fù)(負(fù)相位信號(hào))讀取磁道51b傳輸一信號(hào)，該信號(hào)在相對(duì)于正讀取磁道51a的信號(hào)的反相位處的二進(jìn)制值之間波動(dòng)。

第二讀取磁道對(duì)52由一正寫入磁道52a和一負(fù)寫入磁道52b構(gòu)成，組成了一對(duì)并用于傳輸一差動(dòng)信號(hào)，并連接于再生裝置4b。正(正相位信號(hào))讀取磁道52a傳輸一信號(hào)，該信號(hào)在高電平和低電平二進(jìn)制值之間波動(dòng)。負(fù)(負(fù)相位信號(hào))讀取磁道52b傳輸一信號(hào)，該信號(hào)在相對(duì)于正讀取磁道52a的信號(hào)的反相位處的二進(jìn)制值之間波動(dòng)。正讀取磁道51a和52a中的每個(gè)都是本發(fā)明成對(duì)的讀取磁道中的一讀取磁道的一個(gè)例子(可以作為一第一讀取磁道參考)。負(fù)讀取磁道51b和52b中的每個(gè)都是本發(fā)明成對(duì)的讀取磁道中的另一讀取磁道的一個(gè)例子(可以作為一第二讀取磁道參考)。進(jìn)一步地，正寫入磁道41、負(fù)寫入磁道42、正讀取磁道51a、正讀取磁道52a、負(fù)讀取磁道51b、負(fù)讀取磁道52b中的每個(gè)可以作為一信號(hào)線參考。請(qǐng)注意，用于信號(hào)線的術(shù)語(yǔ)“正”和“負(fù)”不能限制信號(hào)的極性(即電位是否為正或負(fù))。那就是說(shuō)，在高電平和低電平二進(jìn)制值之間波動(dòng)的一信號(hào)可以處于正電位或負(fù)電位。

第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52(正讀取磁道51a，52a和負(fù)讀取磁道51b和52b)設(shè)置于第二通道36上，使得它們?cè)诤穸确较験上面對(duì)金屬基體20的第二區(qū)域22的窗口部分26。

接地磁道71設(shè)置于第二通道36上，使得它在厚度方向Y上面對(duì)第二區(qū)域22的窗口部分26，且被設(shè)置于第一讀取磁道對(duì)和第二讀取磁道對(duì)之間。接地磁道71的最小寬度與正讀取磁道51a、正讀取磁道52a、負(fù)讀取磁道51b、負(fù)讀取磁道52b中的每一個(gè)的寬度相等，例如，12μm。接地磁道71、正讀取磁道51a、正讀取磁道52a、負(fù)讀取磁道51b、負(fù)讀取磁道52b都具有相同的寬度(例如，最小寬度)。接地磁道71包括一第一端部71a，以及處于第一端部71a相對(duì)側(cè)的一第二端部71b。進(jìn)一步地，在圖1的例子中，第一端部71a設(shè)置于彎曲結(jié) 構(gòu)10的一遠(yuǎn)端附近，且第二端部71b設(shè)置于彎曲結(jié)構(gòu)10的一近端部分上。在本說(shuō)明書(shū)中，第一端部和第二端部指的不僅是接地磁道71的尾端表面，還有接地磁道71的尾端表面附近的部分，該部分在縱向上具有一定長(zhǎng)度。

在接地磁道71內(nèi)，接地點(diǎn)分別設(shè)置于第一端部71a和第二端部72b(兩端)之間。在接地點(diǎn)內(nèi)，穿透絕緣層31形成一孔，并在該孔中填充鍍鎳或鍍銅。接地磁道71電(地)連接至第一步端部71a和第二端部71b處的金屬基體20。

而且，導(dǎo)線32(寫入磁道對(duì)40、第一讀取磁道51、第二讀取磁道52和接地磁道71)包括一重疊部分37和一非重疊部分38。重疊部分37處不具有金屬基體20的窗口部分24和26(長(zhǎng)孔23和25)的一個(gè)部分在厚度方向Y上與導(dǎo)線32重疊。非重疊部分38處窗口部分24和26在厚度方向Y上與導(dǎo)線32重疊。

導(dǎo)線32的重疊部分37包括寫入磁道對(duì)40的一重疊部分47，第一讀取磁道對(duì)51的一重疊部分571，第二讀取磁道對(duì)52的一重疊部分572，及接地磁道71的一重疊部分77。導(dǎo)線32的非重疊部分38包括寫入磁道對(duì)40的一非重疊部分48，第一讀取磁道對(duì)51的一非重疊部分581，第二讀取磁道對(duì)52的一非重疊部分582，及接地磁道71的一非重疊部分78。接地磁道71的接地點(diǎn)設(shè)置在重疊部分77內(nèi)。

在該實(shí)施例中，如圖3所示，在第一讀取磁道對(duì)51內(nèi)，正讀取磁道51a和接地磁道71之間的距離A1與負(fù)讀取磁道51b和窗口部分26的一邊緣之間的距離A2大致相等。在第二讀取磁道對(duì)52內(nèi)，正讀取磁道52a和接地磁道71之間的距離A3與負(fù)讀取磁道51b和窗口部分26的一邊緣之間的距離A4大致相等。請(qǐng)注意，本說(shuō)明書(shū)中的窗口部分26的邊緣所指的，是沿著如圖2所示的長(zhǎng)孔25的一邊緣部分的縱向X與長(zhǎng)邊25a和25b相對(duì)的邊緣。

根據(jù)上面描述的結(jié)構(gòu)，在一多讀取器的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)10中，第一讀取磁道51和第二讀取磁道52的阻抗值可以通過(guò)窗口部分26來(lái)調(diào)節(jié)。此處，在構(gòu)成第一讀取磁道對(duì)51的正讀取磁道51a和負(fù)讀取磁道51b內(nèi)，距離A1與距離A2相等，且在構(gòu)成第二讀取磁道對(duì)52的正讀取磁道52a和負(fù)讀取磁道52b內(nèi)，距離A3與距離A4相等。因此，在一成對(duì)的正讀取磁道51a和負(fù)讀取磁道51b內(nèi)，以及一成對(duì)的正讀取磁道52a和負(fù)讀取磁道52b內(nèi)，所形成的電容不平衡。結(jié)果，寫入磁道對(duì)40產(chǎn)生的影響第一讀取磁道51和第二讀取磁道52的串?dāng)_能夠受到抑制。

進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，省略了一框架部分29(圖4)。本實(shí)施例可以同時(shí)滿足節(jié)省空間和改善電氣特性的要求。以下將與其他實(shí)施例對(duì)上述特征進(jìn)行比較詳細(xì)地描述。

接下來(lái)，參考圖4至圖13，將根據(jù)第二至十四實(shí)施例中的每個(gè)實(shí)施例描述一彎曲結(jié)構(gòu)10。 請(qǐng)注意，每個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于具有與第一實(shí)施例一相同功能的一結(jié)構(gòu)，添加相同的參考數(shù)字。第一實(shí)施例的說(shuō)明應(yīng)是指根據(jù)對(duì)應(yīng)于各自的參考數(shù)字的各裝置的詳細(xì)解釋。

【第二實(shí)施例】

參考圖4和圖5，根據(jù)第二實(shí)施例描述一彎曲結(jié)構(gòu)10。需要注意的是，第二實(shí)施例也可以視為是一第一參考例子。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，形成有兩個(gè)獨(dú)立窗口部分26a和26b而不是窗口部分26，也在于未設(shè)置有接地磁道71。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

圖4圖示性地描繪了根據(jù)第二實(shí)施例的一互聯(lián)部分30。在一第二區(qū)域22中，形成有兩個(gè)窗口部分26a和26b。窗口部分26a由成行布設(shè)于縱向X上的多個(gè)長(zhǎng)孔(開(kāi)口)25a形成。窗口部分26b由成行布設(shè)于縱向X上的多個(gè)長(zhǎng)孔(開(kāi)口)25b形成。長(zhǎng)孔25a和25b都在厚度方向Y(即圖3中箭頭Y指示的方向)上穿過(guò)金屬基體20。窗口部分26a和26b之間的一區(qū)域形成為框架部分29，其中留下的金屬基體20類似一條帶。在金屬基體厚度為18μm的情況下，可以由一般刻蝕形成的框架部分29的最小寬度為，例如，40μm。

一第一讀取磁道對(duì)51(正讀取磁道51a和負(fù)讀取磁道51b)設(shè)置于一第二通道36上，使得它在厚度方向Y上面對(duì)金屬基體20的第二區(qū)域22的窗口部分26a。一第二讀取磁道對(duì)52(正讀取磁道52a和負(fù)讀取磁道52b)設(shè)置于第二通道36上，使得它在厚度方向Y上面對(duì)窗口部分26a。

第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52包括一重疊部分57和一非重疊部分58。重疊部分57處不具有金屬基體20的窗口部分24和26(長(zhǎng)孔25a和25b)的一個(gè)部分在厚度方向Y上與第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52重疊。非重疊部分58處的窗口部分26a和26b在厚度方向Y上與第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52重疊。

在第二實(shí)施例中，如圖5所示，在第一讀取磁道對(duì)51內(nèi)，正讀取磁道51a和26a(框架部分29)的一邊緣之間的距離B1與負(fù)讀取磁道51b和窗口部分26a的一邊緣之間的距離B2大致相等。在第二讀取磁道對(duì)52內(nèi)，正讀取磁道52a和26b(框架部分29)的一邊緣之間的距離B3與負(fù)讀取磁道52b和窗口部分26b的一邊緣之間的距離B4大致相等。

根據(jù)第二實(shí)施例，在一多讀取器的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)10中，第一讀取磁道51和第二讀取磁道52的阻抗值可以通過(guò)窗口部分26a和26b來(lái)調(diào)節(jié)。此處，在構(gòu)成第一讀取磁道對(duì)51的正讀取磁道51a和負(fù)讀取磁道51b內(nèi)，與窗口部分26a邊緣的距離B1與距離B2相等，且在構(gòu)成第二讀取磁道對(duì)52的正讀取磁道52a和負(fù)讀取磁道52b內(nèi)，與窗口部分26b邊緣的距離B3與距離B4相等。因此，在一成對(duì)的正讀取磁道51a和負(fù)讀取磁道51b內(nèi)，以及一成對(duì)的 正讀取磁道52a和負(fù)讀取磁道52b內(nèi)，所形成的電容不平衡。結(jié)果，寫入磁道對(duì)40產(chǎn)生的影響第一讀取磁道51和第二讀取磁道52的串?dāng)_能夠受到抑制。

【第三實(shí)施例】

根據(jù)第三實(shí)施例參考圖6和圖7描述了一彎曲結(jié)構(gòu)10。需要注意的是，第三實(shí)施例也可以作為第二參考例子而被參考。圖6圖示性地描繪了根據(jù)第三實(shí)施例的一互聯(lián)部分30。第三實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，一接地磁道71未設(shè)置在第一讀取磁道對(duì)和第二讀取磁道對(duì)之間。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

在第三實(shí)施例中，如圖7所示，在第一讀取磁道對(duì)51內(nèi)，正讀取磁道51a和一窗口部分26的一邊緣之間的距離C1與負(fù)讀取磁道51b和窗口部分26的邊緣之間的距離C2不相等。在第二讀取磁道對(duì)52內(nèi)，正讀取磁道52a和窗口部分26的一邊緣之間的距離C3與負(fù)讀取磁道51b和窗口部分26的邊緣之間的距離C4不相等。因此，在一成對(duì)的正讀取磁道51a和負(fù)讀取磁道51b內(nèi)，以及一成對(duì)的正讀取磁道52a和負(fù)讀取磁道52b內(nèi)，所形成的電容平衡。

根據(jù)第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，在一多讀取器的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)10中，第一讀取磁道51和第二讀取磁道52的阻抗值可以通過(guò)窗口部分26來(lái)調(diào)節(jié)。而且，在第三實(shí)施例中，省略了第二實(shí)施例中描述的一框架部分29(圖4)。由于沒(méi)有形成框架部分29，節(jié)省了金屬基體20的空間。結(jié)果，設(shè)計(jì)彎曲結(jié)構(gòu)10的設(shè)計(jì)自由程度得到改善，且可以使一硬盤驅(qū)動(dòng)器變得密集。

參考圖8和圖9，根據(jù)第一至第三實(shí)施例比較導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)10。圖8是根據(jù)每個(gè)實(shí)施例的用于模擬影響互聯(lián)部分30的一解析模型。相對(duì)于長(zhǎng)度為30mm的實(shí)施例中的互聯(lián)部分30，該解析模型通過(guò)連接三十個(gè)1-mm模型(M1至M30)設(shè)置，這些1-mm模型通過(guò)將互聯(lián)部分30分成1mm段的網(wǎng)格獲得。圖9是一特征圖，顯示了通過(guò)關(guān)于第一至第三實(shí)施例的串?dāng)_的一電路模擬器計(jì)算圖8中解析模型的計(jì)算結(jié)果。該圖的縱軸代表寫入磁道對(duì)40產(chǎn)生的影響第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52的串?dāng)_。

在第三實(shí)施例與第一實(shí)施例比較中，在第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道52的解析結(jié)果中，第一實(shí)施例中的串?dāng)_比第三實(shí)施例中減少更多。

在第二實(shí)施例與第一實(shí)施例比較中，當(dāng)?shù)谝粚?shí)施例和第二實(shí)施例在第二讀取磁道對(duì)52的解析結(jié)果上差別不大時(shí)，在第一讀取磁道對(duì)51的解析結(jié)果上，第一實(shí)施例中的串?dāng)_比第二實(shí)施例減少更多。

而且，在第一實(shí)施例中，省略了第二實(shí)施例中的一框架部分29(圖4)。因?yàn)楦鶕?jù)第一實(shí)施例的接地磁道71的最小寬度(12μm)小于根據(jù)第二實(shí)施例的框架部分29的最小寬度(40μm)，實(shí)現(xiàn)了金屬基體20的空間節(jié)省。結(jié)果，設(shè)計(jì)彎曲結(jié)構(gòu)10的設(shè)計(jì)自由程度得到改 善，且可以使一硬盤驅(qū)動(dòng)器變得密集。

第一實(shí)施例同時(shí)使得節(jié)省空間和良好電氣特性的要求在一多讀取器的一導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)中得以滿足。

【第四和第五實(shí)施例】

接下來(lái)，將參考圖8和圖10描述第四和第五實(shí)施例。需要注意的是，第四和第五實(shí)施例也可以分別作為第三和第四參考例子而被參考。

第四實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，在一接地磁道71的一第一端部71a和一第二端部71b中未設(shè)置有接地點(diǎn)。那就是說(shuō)，當(dāng)設(shè)置了接地磁道71時(shí)，沒(méi)有端部接地。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

第五實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，僅在一接地磁道71的一第一端部71a和一第二端部71b中的一者內(nèi)設(shè)置有一接地點(diǎn)。那就是說(shuō)，當(dāng)設(shè)置了接地磁道71時(shí)，僅有一個(gè)端部接地。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

圖10是一特征圖，顯示了通過(guò)關(guān)于第四至第五實(shí)施例的串?dāng)_的一電路模擬器計(jì)算圖8中顯示的解析模型的一結(jié)果。該圖的縱軸代表由一寫入磁道對(duì)40產(chǎn)生的影響第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52的串?dāng)_。如附圖中顯示的那樣，與第一實(shí)施例相比，第四和第五實(shí)施例中的串?dāng)_的減少?zèng)]有那么多。相反，由于寫入磁道對(duì)40的一信號(hào)是通過(guò)接地磁道71輸送的，由寫入磁道對(duì)40產(chǎn)生的影響第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52的串?dāng)_得到增強(qiáng)。

【第六至第十實(shí)施例】

接下來(lái)，將參考圖8和圖10描述第六至第十實(shí)施例。第六實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之間的長(zhǎng)度平分的一位置(一中點(diǎn)71c)處，進(jìn)一步設(shè)置有一接地點(diǎn)(換句話說(shuō)，設(shè)置有一額外的接地點(diǎn))。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

第七實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之間的長(zhǎng)度大致四等分的三個(gè)位置(即在1-mm模型M7和M8之間、M15和M16之間【一中點(diǎn)71c】、M23和M24之間的位置)處，進(jìn)一步設(shè)置有一接地點(diǎn)(換句話說(shuō)，設(shè)置有三個(gè)額外的接地點(diǎn))。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

第八實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之間的長(zhǎng)度大致八等分的七個(gè)位置(即在1-mm模型M3和M4之間、M7和M8之間、M11和M12之間、M15和M16之間、M19和M20之間、M23和M24之間、M27和M28之間的位置)處，進(jìn)一步設(shè)置有接地點(diǎn)(換句話說(shuō)，設(shè)置有七個(gè)額外的接 地點(diǎn))。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

第九實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之間的長(zhǎng)度間隔為2mm的十五等分的十四個(gè)位置處，進(jìn)一步設(shè)置有接地點(diǎn)(換句話說(shuō)，設(shè)置有十四個(gè)額外的接地點(diǎn))。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

第十實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之間的長(zhǎng)度間隔為1mm的30等分的二十九個(gè)位置處，進(jìn)一步設(shè)置有接地點(diǎn)(換句話說(shuō)，設(shè)置有二十九個(gè)額外的接地點(diǎn))。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

對(duì)于各個(gè)實(shí)施例，對(duì)圖10的解析結(jié)果進(jìn)行比較。將第一和第六實(shí)施例與第四和第五實(shí)施例相比較，與兩個(gè)端部未設(shè)置有接地點(diǎn)的實(shí)施例(即，第四和第五實(shí)施例)相比，接地點(diǎn)設(shè)置于兩端的這些實(shí)施例(即，第一實(shí)施例和第六至第十實(shí)施例)中的影響第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52的串?dāng)_大大減少。

同時(shí)，將第六至第十實(shí)施例與第一實(shí)施例比較，可以理解，即使實(shí)施例一中設(shè)置有額外的接地點(diǎn)，所顯示的串?dāng)_也沒(méi)有改善。相反，由于限制于第一讀取磁道對(duì)51，第六至第十實(shí)施例中的串?dāng)_相較于第一實(shí)施例略有增加。

【第十一實(shí)施例】

參考圖11，描述了第十一實(shí)施例。第十一實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，進(jìn)一步提供了一再生裝置4c、一第三讀取磁道對(duì)53和一第二接地磁道72。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。

第三讀取磁道對(duì)53由一正寫入磁道53a和一負(fù)寫入磁道53b構(gòu)成，組成了一對(duì)并用于傳輸一差動(dòng)信號(hào)。正讀取磁道53a和負(fù)讀取磁道53b與未顯示的再生裝置4c連接。正(正相位信號(hào))讀取磁道53a傳輸一信號(hào)，該信號(hào)在高電平和低電平二進(jìn)制值之間波動(dòng)。負(fù)(負(fù)相位信號(hào))讀取磁道53b傳輸一信號(hào)，該信號(hào)在相對(duì)于正讀取磁道53a的信號(hào)的反相位處的二進(jìn)制值之間波動(dòng)。正讀取磁道53a和負(fù)讀取磁道53b分別是本發(fā)明的一對(duì)讀取磁道的例子。第三讀取磁道對(duì)53是本發(fā)明的讀取磁道對(duì)的一個(gè)例子，且可以簡(jiǎn)單作為讀取磁道對(duì)53被參考。第三讀取磁道對(duì)53設(shè)置于與第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52相比距離一寫入磁道對(duì)40更遠(yuǎn)的地方，且設(shè)置于一第二通道36上，使得它在厚度方向Y上面對(duì)一金屬基體20的一第二區(qū)域22的一窗口部分26。第二接地磁道72設(shè)置于第二讀取磁道對(duì)和第三讀取磁道對(duì)之間，且包括一第一端部72a，以及處于第一端部72a相對(duì)側(cè)的一第二端部72b。第二接地磁道 72在第一端部72a和第二端部72b(兩端)處分別設(shè)置有接地點(diǎn)，且與金屬基體20電(地)連接。第二讀取磁道對(duì)72是本發(fā)明的接地磁道的一個(gè)例子，且可以簡(jiǎn)單稱作接地磁道72。另外，多個(gè)接地磁道可以統(tǒng)稱作一接地磁道結(jié)構(gòu)70。在第十一實(shí)施例中，所有相鄰對(duì)讀取磁道之間都設(shè)置有一接地磁道。從另一個(gè)觀點(diǎn)來(lái)看，它可以稱為讀取磁道對(duì)(一對(duì)正讀取磁道和負(fù)讀取磁道)，可選地設(shè)置有接地磁道。當(dāng)設(shè)置有四對(duì)或多對(duì)讀取磁道(即，成對(duì)的讀取磁道之間的間隔數(shù)量為三個(gè)或更多)時(shí)，采用上面的叫法。

在第十一實(shí)施例中，調(diào)節(jié)所有讀取磁道對(duì)51，52和53的容量和抑制來(lái)自寫入磁道對(duì)40的串?dāng)_是可能的。

【第十二實(shí)施例】

將描述一第十二實(shí)施例。第十二實(shí)施例是第十一實(shí)施例的一改進(jìn)。第十二實(shí)施例與第十一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，在相互鄰近的多對(duì)讀取磁道中，僅在一第一讀取磁道對(duì)51和一第二讀取磁道對(duì)52之間設(shè)置一接地磁道71。其他結(jié)構(gòu)與第十一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。當(dāng)設(shè)置有四對(duì)或多對(duì)讀取磁道(即，成對(duì)的讀取磁道之間的間隔數(shù)量為三個(gè)或更多)時(shí)，采用上面的叫法。

在第十二實(shí)施例中，當(dāng)一接地磁道因?yàn)榭臻g不足等原因不能設(shè)置于所有對(duì)的讀取磁道之間時(shí)，接地磁道優(yōu)選地設(shè)置于最可能受到串?dāng)_影響的第一讀取磁道對(duì)51上，從而調(diào)節(jié)電容。結(jié)果，即使一彎曲結(jié)構(gòu)10僅有一最小需要數(shù)量的接地磁道71，可以將來(lái)自寫入磁道對(duì)的整個(gè)串?dāng)_抑制在彎曲結(jié)構(gòu)10中。

【第十三實(shí)施例】

參考圖12，將描述第十三實(shí)施例。第十三實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，提供了一額外導(dǎo)線39。其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同。額外導(dǎo)線39的一個(gè)例子是給一加熱裝置導(dǎo)電的一加熱線，用于調(diào)節(jié)一滑動(dòng)器8的飛行高度。額外導(dǎo)線39設(shè)置于一絕緣層31的一第一通道35上。換句話說(shuō)，額外導(dǎo)線39不設(shè)置在一第二通道36上。

如果額外導(dǎo)線39設(shè)置于第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52之間，可以改變第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52的阻抗值。進(jìn)一步地，通過(guò)額外導(dǎo)線39轉(zhuǎn)發(fā)的來(lái)自一寫入磁道對(duì)40的串?dāng)_，可以反過(guò)來(lái)影響第一讀取磁道51和第二讀取磁道52。在第十三實(shí)施例中，由于額外導(dǎo)線39設(shè)置于除了第二通道36的部分內(nèi)(即，第一通道35)，額外導(dǎo)線39沒(méi)有設(shè)置于第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道對(duì)52之間。由于設(shè)置于對(duì)噪音敏感的讀取磁道對(duì)51和52之間一導(dǎo)線32僅是一個(gè)接地磁道71，可以抑制來(lái)自寫入磁道對(duì)40的串?dāng)_的影響。

【第十四實(shí)施例】

參考圖13，將描述一第十四實(shí)施例。第十四實(shí)施例與第一實(shí)施例不同點(diǎn)在于，一接地磁道71包括從一第二端部71b延伸的一延伸部分79。那就是說(shuō)，在接地磁道71的一裝置端部(延伸部分79)未設(shè)置接地點(diǎn)。在比延伸部分79更為朝向內(nèi)部(即，在第一端部71a和第二端部71b之間的一部分)的一側(cè)部，設(shè)置有接地點(diǎn)。

在第十四實(shí)施例中，可以調(diào)節(jié)位于從第一端部71a至第二端部71b的區(qū)域上方的第一讀取磁道對(duì)51和第二讀取磁道52對(duì)的電容，兩者分別設(shè)置有接地點(diǎn)，并對(duì)來(lái)自于一寫入磁道對(duì)40的串?dāng)_進(jìn)行抑制。

另外的優(yōu)勢(shì)和改進(jìn)將準(zhǔn)備呈現(xiàn)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。所以，在更廣的方面，本發(fā)明并未限制于本文描述和顯示的特有的細(xì)節(jié)和代表性實(shí)施例。相應(yīng)地，在不脫離所附權(quán)利要求和其相等物所定義的一般發(fā)明概念的精神和范圍的情況下，可作出各種變形。

一多讀取器的導(dǎo)線彎曲結(jié)構(gòu)包括各種改進(jìn)，其中一接地磁道設(shè)置于相互鄰近的成對(duì)讀取磁道之間的至少兩個(gè)接地點(diǎn)之間，且接地點(diǎn)設(shè)置于期望具有良好電氣特性的一部分的至少兩端附近。