技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了電可編程熔絲單元、陣列以及存儲單元。電可編程熔絲單元包括：電可編程熔絲、第一二極管和第二二極管。電可編程熔絲包括：第一端和第二端。第一二極管的負極連接電可編程熔絲的第一端，第一二極管的正極連接寫操作位線。第二二極管的負極連接電可編程熔絲的第一端，第二二極管的正極連接讀操作位線。其中，電可編程熔絲的第二端連接至共享NMOSFET的漏極，該共享NMOSFET的柵極連接字線，該共享NMOSFET的源極接地。也可以將第一二極管和第二二極管合并成一個PNP型晶體管。由于每一行的電可編程熔絲單元使用一個共享的NMOSFET，因此可以減小器件尺寸。

技術(shù)研發(fā)人員：楊家奇
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201510731242
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.02
技術(shù)公布日：2017.05.10