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改善襯墊測試覆蓋率的芯片及其相關的方法

文檔序號:6741459閱讀:146來源:國知局
專利名稱:改善襯墊測試覆蓋率的芯片及其相關的方法
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片和改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法,尤指一種利用控制器控制沒有耦接于探針的襯墊讀/寫預定數(shù)據(jù),以改善襯墊測試覆蓋率的芯片和改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法。
背景技術(shù)
請參照圖1和圖2,圖1是為現(xiàn)有技術(shù)說明一測試機臺的探針100利用一數(shù)據(jù)壓縮的方式寫入測試數(shù)據(jù)TD至一芯片200的示意圖,和圖2為現(xiàn)有技術(shù)說明測試機臺的探針100利用數(shù)據(jù)壓縮的方式從芯片200讀取測試數(shù)據(jù)的示意圖。如圖1所示,探針100通過一襯墊202和一離線驅(qū)動單元204寫入測試數(shù)據(jù)TD至數(shù)據(jù)路徑電路206。然后,數(shù)據(jù)路徑電路206再將測試數(shù)據(jù)TD寫入至芯片200內(nèi)的儲存單元208。如圖2所示,當探針100利用數(shù)據(jù)壓縮的方式從芯片200讀取測試數(shù)據(jù)時,探針100可通過一異或門210經(jīng)數(shù)據(jù)路徑電路206從儲存單元208內(nèi)的一相對應區(qū)塊讀取測試數(shù)據(jù)。如圖1和圖2所示,現(xiàn)有技術(shù)的芯片測試(chip probing test)可覆蓋數(shù)據(jù)路徑電路206、儲存單元208、襯墊202和離線驅(qū)動單元204。然而,現(xiàn)有技術(shù)的芯片測試無法覆蓋芯片200內(nèi)其他的襯墊與離線驅(qū)動單元。亦即現(xiàn)有技術(shù)的芯片測試無法判定芯片200內(nèi)其他的襯墊與離線驅(qū)動單元是否合格。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實施例提供一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片。該芯片包含一控制單元、多個襯墊及一儲存單元。該多個襯墊中的一預定襯墊用以耦接于一探針卡的探針,且該探針卡耦接于一測試機臺。該儲存單元包含多個區(qū)塊。該控制單元控制該多個襯墊中的一第一襯墊從一第一預定區(qū)塊中讀取并儲存一測試數(shù)據(jù)中的一預定數(shù)據(jù),該控制單元控制該第一襯墊對該多個區(qū)塊中的一第二預定區(qū)塊寫入該預定數(shù)據(jù),該測試機臺控制該探針通過該預定襯墊讀取該第二預定區(qū)塊所儲存的該預定數(shù)據(jù),以及該測試機臺根據(jù)一讀取結(jié)果,判定該第一襯墊是否合格。本發(fā)明的另一實施例提供一種改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法,該芯片包含一控制單元、多個襯墊及一儲存單元,其中該儲存單元包含多個區(qū)塊。該方法包含通過該多個襯墊中的一預定襯墊寫入一測試數(shù)據(jù)至該多個區(qū)塊中的一第一預定區(qū)塊;控制該多個襯墊中的一第一襯墊從該第一預定區(qū)塊中讀取并儲存該測試數(shù)據(jù)中的一預定數(shù)據(jù);控制該第一襯墊對該多個區(qū)塊中的一第二預定區(qū)塊寫入該預定數(shù)據(jù);通過該預定襯墊讀取該第二預定區(qū)塊所儲存的該預定數(shù)據(jù);根據(jù)一讀取結(jié)果,判定該第一襯墊是否合格。本發(fā)明提供一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片和改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法。該芯片和該方法利用一控制器控制沒有耦接于一探針的襯墊讀取一預定數(shù)據(jù),以及利用該控制器控制沒有耦接于該探針的襯墊對一儲存單元中的一預定區(qū)塊寫入該預定數(shù)據(jù)。然后,一測試機臺控制該探針通過一預定襯墊讀取該預定區(qū)塊所儲存的該預定數(shù)據(jù),并記錄對應沒有耦接于該探針的襯墊的一讀取結(jié)果。因此,該測試機臺即可根據(jù)該讀取結(jié)果判定沒有耦接于探針的襯墊是否合格。另外,該測試機臺亦可根據(jù)對應沒有耦接于該探針的襯墊的讀取結(jié)果,判定沒有耦接于該探針的襯墊的漏電狀況。


圖1是為現(xiàn)有技術(shù)說明一測試機臺的探針利用數(shù)據(jù)壓縮的方式寫入測試數(shù)據(jù)至芯片的不意圖;圖2是為現(xiàn)有技術(shù)說明測試機臺的探針利用數(shù)據(jù)壓縮的方式從芯片讀取測試數(shù)據(jù)的示意圖;圖3是為本發(fā)明的一實施例說明一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片的示意圖;圖4是為說明對應于第一襯墊所儲存預定數(shù)據(jù)的讀取結(jié)果的示意圖;圖5是為說明對應于第一襯墊所儲存預定數(shù)據(jù)的讀取結(jié)果的示意圖;圖6是為本發(fā)明的另一實施例說明一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片的示意圖;圖7是為本發(fā)明的另一實施例說明一種改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法的流程圖;圖8是為本發(fā)明的另一實施例說明一種改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法的流程圖。其中,附圖標記100、314 探針200、300、600 芯片202.3041-304N 襯墊204、3061-306N、6061-606N 離線驅(qū)動單元206數(shù)據(jù)路徑電路208,310,610 儲存單元210異或門302控制單元3081-308N數(shù)據(jù)路徑單元312探針卡316測試機臺3101-310N、6101-610N 區(qū)塊31011、31021、31022、31023 存儲單元PC寄生電容TD測試數(shù)據(jù)VREF參考電壓Vl電位值700-710、800-814 步驟
具體實施例方式請參照圖3,圖3是為本發(fā)明的一實施例說明一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片300的示意圖。芯片300包含一控制單元302、多個襯墊3041-304N、多個離線驅(qū)動單元3061-306N、多個數(shù)據(jù)路徑單元3081-308N及一儲存單元310,其中N是為一正整數(shù)。如圖3所示,多個襯墊3041-304N中的一預定襯墊3041用以耦接于一探針卡312的探針314,且探針卡312耦接于一測試機臺316。但本發(fā)明并不受限于預定襯墊3041耦接于探針314,亦即多個襯墊3041-304N中的其他襯墊亦可耦接于探針314。多個離線驅(qū)動單元3061-306N中的每一離線驅(qū)動單元耦接于一數(shù)據(jù)路徑單元與一襯墊之間。儲存單元310包含多個區(qū)塊3101-310N,且儲存單元310是可為一存儲陣列。如圖3所示,測試機臺316控制探針314通過耦接于預定襯墊3041的離線驅(qū)動單元3061與數(shù)據(jù)路徑單元3081寫入測試數(shù)據(jù)至第一預定區(qū)塊3101。例如,測試機臺316控制探針314通過耦接于預定襯墊3041的離線驅(qū)動單元3061與數(shù)據(jù)路徑單元3081對第一預定區(qū)塊3101的所有存儲單元寫入一邏輯“0”,然后,再對第一預定區(qū)塊3101的一存儲單元31011寫入測試數(shù)據(jù)的一預定數(shù)據(jù)(例如一邏輯“I”)。但本發(fā)明并不受限于測試機臺316控制探針314寫入測試數(shù)據(jù)至第一預定區(qū)塊3101,亦即測試機臺316亦可控制探針314寫入測試數(shù)據(jù)至多個區(qū)塊3101-310N中的其他區(qū)塊。另外,本發(fā)明亦不受限于上述測試數(shù)據(jù)的樣態(tài)(pattern)。然后,控制單元302控制多個襯墊3041-304N中的一第一襯墊3042從第一預定區(qū)塊3101中的存儲單元31011讀取并儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)。亦即第一襯墊3042利用其寄生電容PC儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)。在第一襯墊3042利用其寄生電容PC儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)后,控制單元302控制第一襯墊3042對多個區(qū)塊3101-310N中的一第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元寫入預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)。但本發(fā)明并不受限于控制單元302控制第一襯墊3042對第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元依序?qū)懭腩A定數(shù)據(jù)(邏輯“I”),亦即控制單元302亦可控制第一襯墊3042對多個區(qū)塊3101-310N中的其他區(qū)塊寫入預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)。然后,測試機臺316控制探針314通過預定襯墊3041讀取第二預定區(qū)塊3102所儲存的預定數(shù)據(jù),并記錄對應第一襯墊3042的一讀取結(jié)果。請參照圖4,圖4是為說`明對應于第一襯墊3042所儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)的讀取結(jié)果的示意圖。如圖4所示,因為控制單元302控制第一襯墊3042對第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元依序?qū)懭腩A定數(shù)據(jù)(邏輯“I”),所以測試機臺316可記錄到第二預定區(qū)塊3102的存儲單元所儲存的電位依序逐漸降低,亦即第一襯墊3042利用其所儲存的相對于預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)的電荷依序?qū)Φ诙A定區(qū)塊3102的所有存儲單元充電,所以第一襯墊3042的電位會逐漸降低,導致第二預定區(qū)塊3102的存儲單元所儲存的電位亦逐漸降低。如圖4所示,當一存儲單元所儲存的電位低于一參考電壓VREF時,測試機臺316會判定存儲單元是儲存邏輯“O” ;當一存儲單元所儲存的電位高于參考電壓VREF時,測試機臺316會判定存儲單元是儲存邏輯“I”。因此,測試機臺316即可根據(jù)圖4的讀取結(jié)果判定第一襯墊3042是否合格,亦即如果對應于第一襯墊3042儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)的讀取結(jié)果不是類似于圖4,則測試機臺316將會判定第一襯墊3042不合格。另外,測試機臺316可根據(jù)對應于第一襯墊3042儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)的讀取結(jié)果和式(I),判定第一襯墊3042的漏電狀況。
「 T1 , Cm* (Vl-VREF)Ileakage 二-----(I)
TCK N、7
如式(I)所示,Ileakage是為第一襯墊3042的漏電流、Cm是為每一存儲單元的儲存電容、Vl是為邏輯“I”的電位值、VREF是為參考電壓、TCK是為寫入每一存儲單元的時間以及N是為儲存邏輯“ I ”的存儲單元的數(shù)目。另外,如果測試機臺316控制探針314通過耦接于預定襯墊3041的離線驅(qū)動單元3061與數(shù)據(jù)路徑單元3081對第一預定區(qū)塊3101的所有存儲單元寫入邏輯“ 1”,然后,再對第一預定區(qū)塊3101的存儲單元31011寫入測試數(shù)據(jù)的一預定數(shù)據(jù)(例如邏輯“O”)。但本發(fā)明并不受限于上述測試數(shù)據(jù)的樣態(tài)。然后,控制單元302控制第一襯墊3042從存儲單元31011讀取并儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)。在第一襯墊3042利用其寄生電容PC儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)后,控制單元302控制第一襯墊3042對第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元依序?qū)懭腩A定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)。但本發(fā)明并不受限于控制單元302控制第一襯墊3042對第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元依序?qū)懭腩A定數(shù)據(jù)(邏輯“O”),亦即控制單元302亦可控制第一襯墊3042對多個區(qū)塊3101-310N中的其他區(qū)塊寫入預定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)。然后,測試機臺316控制探針314通過預定襯墊3041讀取第二預定區(qū)塊3102所儲存的預定數(shù)據(jù),并記錄對應第一襯墊3042的一讀取結(jié)果。請參照圖5,圖5為說明對應于第一襯墊3042所儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)的讀取結(jié)果的示意圖。如圖5所示,因為控制單元302控制第一襯墊3042對第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元依序?qū)懭腩A定數(shù)據(jù)(邏輯“O”),所以測試機臺316可記錄到第二預定區(qū)塊3102的存儲單元所儲存的電位依序逐漸升高。因此,如圖5所示,測試機臺316即可根據(jù)圖5的讀取結(jié)果判定第一襯墊3042是否合格,亦即如果對應于第一襯墊3042儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)的讀取結(jié)果不是類似于圖5,則測試機臺316將會判定第一襯墊3042不合格。另外,測試機臺316另可根據(jù)對應于第一襯墊3042儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)的讀取結(jié)果和式(I),判定第一襯墊3042的漏電狀況。此外,本發(fā)明亦可根據(jù)上述測試第一襯墊3042的方法,測試多個襯墊3041-304N中的其他襯墊。另外,本發(fā)明亦可根據(jù)上述測試第一襯墊3042的方法,同時測試多個襯墊3041-304N。請參照圖6,圖6是為本發(fā)明的另一實施例說明一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片600的示意圖。芯片600和芯片300的差別在于芯片600所包含的一儲存單元610是為一邏輯電路,且多個離線驅(qū)動單元6061-606N之間是互相耦接。另外,因為多個離線驅(qū)動單元6061-606N之間是互相I禹接,所以測試機臺316控制探針314根據(jù)一邊界掃描(boundaryscan)方式通過預定襯墊3041輸入測試數(shù)據(jù)至多個離線驅(qū)動單元6061-606N,其中邊界掃描方式是為測試數(shù)據(jù)通過移位寄存依序輸入至多個離線驅(qū)動單元6061-606N。然后,控制單元302再控制多個離線驅(qū)動單元6061-606N通過多個數(shù)據(jù)路徑單元3081-308N寫入測試數(shù)據(jù)至儲存單元610的第一預定區(qū)塊6101。另外,芯片600的其余操作原理皆和芯片300相同,在此不再贅述。請參照圖3、圖4、圖5和圖7,圖7是為本發(fā)明的另一實施例說明一種改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法的流程圖。圖7的方法是利用圖3的芯片300說明,詳細步驟如下:步驟700:開始;步驟701:測試機臺316耦接探針卡312的探針314于預定襯墊3041 ;步驟702:探針卡312的探針314通過耦接于預定襯墊3041的離線驅(qū)動單元3061與數(shù)據(jù)路徑單元3081寫入一測試數(shù)據(jù)至多個區(qū)塊3101-310N中的第一預定區(qū)塊3101 ;步驟704:控制單元302控制第一襯墊3042從第一預定區(qū)塊3101中讀取并儲存測試數(shù)據(jù)中的一預定數(shù)據(jù);步驟706:控制單元302控制第一襯墊3042對多個區(qū)塊3101-310N中的第二預定區(qū)塊3102寫入預定數(shù)據(jù);步驟708:測試機臺316控制探針314通過預定襯墊3041讀取第二預定區(qū)塊3102所儲存的預定數(shù)據(jù);步驟710:測試機臺316根據(jù)一讀取結(jié)果,判定第一襯墊3042是否合格以及第一襯墊3042的漏電狀況。在步驟702中,如圖3所示,測試機臺316控制探針卡312的探針314通過耦接于預定襯墊3041的離線驅(qū)動單元3061與數(shù)據(jù)路徑單元3081寫入測試數(shù)據(jù)至儲存單元310的第一預定區(qū)塊3101,其中儲存單元310可為一存儲陣列。例如,測試機臺316控制探針314通過耦接于預定襯墊3041的離線驅(qū)動單元3061與數(shù)據(jù)路徑單元3081對第一預定區(qū)塊3101的所有存儲單元寫入一邏輯“0”,然后,再對第一預定區(qū)塊3101的一存儲單元31011寫入測試數(shù)據(jù)的一預定數(shù)據(jù)(例如一邏輯“I”)。但本發(fā)明并不受限于測試機臺316控制探針314寫入測試數(shù)據(jù)至第一預定區(qū)塊3101,亦即測試機臺316亦可控制探針314寫入測試數(shù)據(jù)至多個區(qū)塊3101-310N中的其他區(qū)塊。另外,本發(fā)明亦不受限于上述測試數(shù)據(jù)的樣態(tài)(pattern)。在步驟704中,控制單元302控制第一襯墊3042從第一預定區(qū)塊3101中的存儲單元31011讀取并儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)。亦即第一襯墊3042利用其寄生電容PC儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)。在步驟706中,在第一襯墊3042利用其寄生電容PC儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)后,控制單元302控制第一襯墊3042對第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元依序?qū)懭腩A定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)。然后,在步驟708中,測試機臺316控制探針314通過預定襯墊3041讀取第二預定區(qū)塊3102所儲存的預定數(shù)據(jù),并記錄對應第一襯墊3042的一讀取結(jié)果。在步驟710中,如圖4所示,因為控制單元302控制第一襯墊3042對第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元依序?qū)懭腩A定數(shù)據(jù)(邏輯“I”),所以測試機臺316即可根據(jù)圖4的讀取結(jié)果判定第一襯墊3042是否合格,亦即如果對應于第一襯墊3042儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)的讀取結(jié)果不是類似于圖4,則測試機臺316將會判定第一襯墊3042不合格。另夕卜,測試機臺316可根據(jù)對應于第一襯墊3042儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“I”)的讀取結(jié)果和式
(I),判定第一襯墊3042的漏電狀況。另外,以圖5為例,在步驟710中,因為控制單元302控制第一襯墊3042對第二預定區(qū)塊3102的所有存儲單元依序?qū)懭腩A定數(shù)據(jù)(邏輯“O”),所以測試機臺316即可根據(jù)圖5的讀取結(jié)果判定第一襯墊3042是否合格,亦即如果對應于第一襯墊3042儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)的讀取結(jié)果不是類似于圖5,則測試機臺316將會判定第一襯墊3042不合格。另外,測試機臺316可根據(jù)對應于第一襯墊3042儲存預定數(shù)據(jù)(邏輯“O”)的讀取結(jié)果和式(I),判定第一襯墊3042的漏電狀況。請參照圖6和圖8,圖8是為本發(fā)明的另一實施例說明一種改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法的流程圖。圖8的方法是利用圖6的芯片600說明,詳細步驟如下:
步驟800:開始;步驟802:測試機臺316耦接探針卡312的探針314于預定襯墊3041 ;步驟804:探針卡312的探針314根據(jù)一邊界掃描方式通過預定襯墊3041輸入一測試數(shù)據(jù)至多個離線驅(qū)動單元6061-606N ;步驟806:控制單元302控制多個離線驅(qū)動單元6061-606N通過數(shù)據(jù)路徑單元3081-308N寫入測試數(shù)據(jù)至多個區(qū)塊6101-610N中的第一預定區(qū)塊6101 ;步驟808:控制單元302控制第一襯墊3042從第一預定區(qū)塊3101中讀取并儲存測試數(shù)據(jù)中的一預定數(shù)據(jù);步驟810:控制單元302控制第一襯墊3042對多個區(qū)塊3101-310N中的第二預定區(qū)塊3102寫入預定數(shù)據(jù);步驟812:測試機臺316控制探針314通過預定襯墊3041讀取第二預定區(qū)塊3102所儲存的預定數(shù)據(jù);步驟814:測試機臺316根據(jù)一讀取結(jié)果,判定第一襯墊3042是否合格以及第一襯墊3042的漏電狀況。圖8的實施例和圖7的實施例的差別在于在步驟804中,因為多個離線驅(qū)動單元6061-606N之間是互相耦接,所以測試機臺316控制探針314根據(jù)邊界掃描方式通過預定襯墊3041輸入測試數(shù)據(jù)至多個離線驅(qū)動單元6061-606N,其中邊界掃描方式是為測試數(shù)據(jù)通過移位寄存依序輸入至多個離線驅(qū)動單元6061-606N。然后,步驟806中,控制單元302控制多個離線驅(qū)動單元6061-606N通過多個數(shù)據(jù)路徑單元3081-308N寫入測試數(shù)據(jù)至儲存單元610的第一預定區(qū)塊6101,其中儲存單元610是可為一邏輯電路。另外,圖8的實施例的其余操作原理皆和圖7的實施例相同,在此不再贅述。綜上所述,本發(fā)明所提供的改善襯墊測試覆蓋率的芯片和改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法,利用控制器控制沒有耦接于探針的襯墊讀取一預定數(shù)據(jù),以及利用控制器控制沒有耦接于探針的襯墊對儲存單元中的一預定區(qū)塊寫入預定數(shù)據(jù)。然后,測試機臺控制探針通過一預定襯墊讀取預定區(qū)塊所儲存的預定數(shù)據(jù),并記錄對應沒有耦接于探針的襯墊的一讀取結(jié)果。因此,測試機臺即可根據(jù)讀取結(jié)果判定沒有耦接于探針的襯墊是否合格。另夕卜,測試機臺亦可根據(jù)對應沒有耦接于探針的襯墊的讀取結(jié)果,判定沒有耦接于探針的襯墊的漏電狀況。當然,本發(fā)明還可有其他多種實施例,在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下,熟悉本領域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形,但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片,其特征在于,包含: 一控制單元; 多個襯墊,其中該多個襯墊中的一預定襯墊用以耦接于一探針卡的探針,且該探針卡耦接于一測試機臺;以及 一儲存單元,包含多個區(qū)塊; 其中該控制單元控制該多個襯墊中的一第一襯墊從一第一預定區(qū)塊中讀取并儲存一測試數(shù)據(jù)中的一預定數(shù)據(jù),該控制單元控制該第一襯墊對該多個區(qū)塊中的一第二預定區(qū)塊寫入該預定數(shù)據(jù),該測試機臺控制該探針通過該預定襯墊讀取該第二預定區(qū)塊所儲存的該預定數(shù)據(jù),以及該測試機臺根據(jù)一讀取結(jié)果,判定該第一襯墊是否合格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其特征在于,其中該測試機臺還根據(jù)該讀取結(jié)果,判定該第一襯墊的漏電狀況。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其特征在于,其中該儲存單元為一存儲陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其特征在于,還包含: 多個離線驅(qū)動單元,其中每一離線驅(qū)動單元耦接于該多個襯墊中的一個襯墊;及多個數(shù)據(jù)路徑單元,其中每一數(shù)據(jù)路徑單元耦接于該多個離線驅(qū)動單元的一個離線驅(qū)動單元與該儲存單元之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片,其特征在于,其中該測試機臺另控制該探針通過耦接于該預定襯墊的離線驅(qū)動單元與數(shù)據(jù)路徑單元寫入該測試數(shù)據(jù)至該第一預定區(qū)塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片,其特征在于,其中該多個離線驅(qū)動單元之間另互相耦接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片,其特征在于,其中該儲存單元為一邏輯電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片,其特征在于,其中該測試機臺控制該探針根據(jù)一邊界掃描方式通過該預定襯墊輸入該測試數(shù)據(jù)至該多個離線驅(qū)動單元,以及該控制單元控制該多個離線驅(qū)動單元寫入該測試數(shù)據(jù)至該第一預定區(qū)塊。
9.一種改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法,其特征在于,該芯片包含一控制單元、多個襯墊及一儲存單元,其中該儲存單元包含多個區(qū)塊,該方法包含: 通過該多個襯墊中的一預定襯墊寫入一測試數(shù)據(jù)至該多個區(qū)塊中的一第一預定區(qū)塊; 控制該多個襯墊中的一第一襯墊從該第一預定區(qū)塊中讀取并儲存該測試數(shù)據(jù)中的一預定數(shù)據(jù); 控制該第一襯墊對該多個區(qū)塊中的一第二預定區(qū)塊寫入該預定數(shù)據(jù); 通過該預定襯墊讀取該第二預定區(qū)塊所儲存的該預定數(shù)據(jù);及 根據(jù)一讀取結(jié)果,判定該第一襯墊是否合格。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,還包含根據(jù)該讀取結(jié)果,判定該第一襯墊的漏電狀況。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,其中該儲存單元為一存儲陣列。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,其中通過該多個襯墊中的該預定襯墊寫入該測試數(shù)據(jù)至該多個區(qū)塊中的該第一預定區(qū)塊的步驟包含: 一探針卡的探針通過耦接于該預定襯墊的一離線驅(qū)動單元與一數(shù)據(jù)路徑單元寫入該測試數(shù)據(jù)至該多個區(qū)塊中的該第一預定區(qū)塊。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,其中該儲存單元為一邏輯電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,其中該芯片還包含多個離線驅(qū)動單元及多個數(shù)據(jù)路徑單元,該多個離線驅(qū)動單元之間互相耦接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,其中通過該多個襯墊中的該預定襯墊寫入該測試數(shù)據(jù)至該多個區(qū)塊中的該第一預定區(qū)塊的步驟包含: 通過一探針卡的探針根據(jù)一邊界掃描方式通過該預定襯墊輸入該測試數(shù)據(jù)至該多個離線驅(qū)動單元; 控制該多個離線驅(qū)動單元通過該多個數(shù)據(jù)路徑單元寫入該測試數(shù)據(jù)至該多個區(qū)塊中的該第一預定區(qū)塊 。
全文摘要
本發(fā)明公開一種改善襯墊測試覆蓋率的芯片及其相關的方法。改善芯片襯墊測試覆蓋率的方法,該芯片包含一控制單元、多個襯墊及一儲存單元,其中該儲存單元包含多個區(qū)塊。該方法包含通過該多個襯墊中的一預定襯墊寫入一測試數(shù)據(jù)至一第一預定區(qū)塊;控制一第一襯墊從該第一預定區(qū)塊中讀取并儲存該測試數(shù)據(jù)中的一預定數(shù)據(jù);控制該第一襯墊對一第二預定區(qū)塊寫入該預定數(shù)據(jù);透過該預定襯墊讀取該第二預定區(qū)塊所儲存的該預定數(shù)據(jù);根據(jù)一讀取結(jié)果,判定該第一襯墊是否合格。
文檔編號G11C29/56GK103177773SQ20131002270
公開日2013年6月26日 申請日期2013年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月11日
發(fā)明者王釋興, 梁明正, 丁國政 申請人:鈺創(chuàng)科技股份有限公司
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