數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的制作方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，公開一種數(shù)據(jù)存儲器設(shè)備，該設(shè)備包括具有定子的電動機(jī)。該定子可以包括具有第一表面和與第一表面相對的第二表面的基板；和具有n相繞組的n相繞組設(shè)置；其中每相繞組包括設(shè)置在基板的第一表面上m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈，該m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈設(shè)置在基板的第一表面上，使得線圈沿著閉環(huán)均勻地間隔分開并且串聯(lián)連接；其中每個線圈與同相繞組的線圈和相鄰線圈之間的基板的斜剖面一起限定定子電極對；并且其中m為大于1的整數(shù)。
【專利說明】數(shù)據(jù)存儲設(shè)備
[0001] 關(guān)聯(lián)申請的相奪引用
[0002] 本專利申請要求于2009年9月1日提交的美國臨時申請No. 61/530, 175的權(quán)益， 通過引用方式將其全部內(nèi)容并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明整體涉及數(shù)據(jù)存儲器，并且更具體地涉及數(shù)據(jù)存儲器產(chǎn)品，包括用于存儲 信息的方法和裝置。

【背景技術(shù)】
[0004] 移動計(jì)算和/或通信設(shè)備變得更小從而使得數(shù)據(jù)存儲器設(shè)備的重量和尺寸變小， 同時要求在太字節(jié)范圍中的大存儲容量和低功率消耗。例如，許多移動計(jì)算設(shè)備呈現(xiàn)出薄 型和小的形狀因子，以易于運(yùn)輸和通用操作。用于存儲大量數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，例如 盤片驅(qū)動器，具有與這種應(yīng)用不兼容的厚度。
[0005] 因此，所需要的是輕量、超薄的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，具有小的形狀因子并且還有在低功 率消耗水平處的大存儲容量能力。而且，結(jié)合所附圖和本公開的這個【背景技術(shù)】，其它期望特 點(diǎn)和特征會從隨后的詳細(xì)說明中顯而易見。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 根據(jù)實(shí)施方式，公開一種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，包括具有定子的電動機(jī)。該定子可以包括 具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面；和具有η相繞組的η相繞組設(shè)置；其中每 相繞組包括m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈，該m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈設(shè)置在基板的第一表面上，使 得線圈沿著閉環(huán)均勻地隔開并且串聯(lián)連接；其中每個線圈與同相繞組的線圈和相鄰線圈之 間的基板的斜剖面一起限定定子電極對；并且其中m為大于1的整數(shù)。
[0007] 根據(jù)實(shí)施方式，公開一種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。該數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以包括介質(zhì)，該介質(zhì)包 括配置為提供伺服信息的伺服層；和配置為記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄層；其中伺服信息提供在 與數(shù)據(jù)記錄層不同的伺服層上以使得允許連續(xù)可用的伺服回讀被用于控制所述數(shù)據(jù)存儲 設(shè)備的至少一個部件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 在附圖中，相似的參考特征在整個不同視圖中通常涉及相同的部分。附圖并不必 是按比例的，而是改為整體強(qiáng)調(diào)基于示出本發(fā)明原理。在以下說明中，參考以下附圖來描述 不同的本發(fā)明的實(shí)施方式，其中：
[0009] 圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的俯視圖，該存儲設(shè)備具有帶有 互補(bǔ)覆蓋物的基座板；
[0010] 圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有基座板的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的仰視圖，該基座 板包括相對于選擇部分而凹陷的外部面；
[0011] 圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有基座板的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的俯視圖，該基座 板包括用于安裝主軸電動機(jī)的開口；
[0012] 圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的具有連接器的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的透視圖；
[0013] 圖5和圖6顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有基座板的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備、包括由壁 限制的基本上圓形的凹部的基座板的內(nèi)表面的相應(yīng)的俯視圖；
[0014] 圖7A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括選擇性縮進(jìn)區(qū)域的覆蓋物的俯視圖；
[0015] 圖7B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括選擇性縮進(jìn)區(qū)域的覆蓋物的橫截面?zhèn)纫?圖；
[0016] 圖7C顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括堅(jiān)硬肋部的覆蓋物的俯視圖；
[0017] 圖8A和圖8B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的原始覆蓋物和包括選擇性縮進(jìn)區(qū)域的 覆蓋物與相對的盤片表面的橫截面視圖之間的相應(yīng)比較；
[0018] 圖9A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式加在定位在盤片上方的上部覆蓋物上的縮進(jìn)板 的俯視圖、俯視分解圖和橫截面?zhèn)纫晥D；
[0019] 圖9B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括減震系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的俯視分解 圖，該數(shù)據(jù)存儲設(shè)備包括多個止動塊和加載/卸載斜面；
[0020] 圖9C顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括減震系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的俯視圖，該 減震系統(tǒng)包括多個盤片限制器；
[0021] 圖10A至圖10C顯示根據(jù)本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的相應(yīng)的側(cè)視圖、俯視圖和 仰視圖，該數(shù)據(jù)存儲設(shè)備包括多個分別附接至覆蓋物和基座板的多個減震器，其對應(yīng)于磁 頭萬向懸置組件（HGSA)的遠(yuǎn)端；
[0022] 圖11A至圖11C顯示根據(jù)本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的側(cè)視圖、俯視圖和仰視圖， 該數(shù)據(jù)存儲設(shè)備包括分別附接至覆蓋物和基座板的多個減震器，其對應(yīng)于致動器臂的遠(yuǎn) 端；
[0023] 圖11D顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的放置在覆蓋物和/或基座板的基本上平坦的 區(qū)域上的減震器的側(cè)視圖；
[0024] 圖11E顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的放置在覆蓋物和/或基座板的凹部中的減震 器的側(cè)視圖；
[0025] 圖12A、圖12B、圖12C顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的相應(yīng)的側(cè)視 圖、俯視圖和仰視圖，該數(shù)據(jù)存儲設(shè)備包括形成為分別附接至覆蓋物和基座板的凹坑的多 個減震器；
[0026] 圖13A和圖13B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的形成為永磁同步電動機(jī)的數(shù)據(jù)存 儲設(shè)備的相應(yīng)的橫截面?zhèn)纫晥D和分解圖，該永磁同步電動機(jī)配置有無芯結(jié)構(gòu)的軸向電磁場 (AEMC-PMSM)；
[0027] 圖14顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的120度同心繞組的俯視示意圖，該120度同心 繞組利用主軸電動機(jī)操作中的基本的或二級的電磁場諧波；
[0028] 圖15顯示根據(jù)本發(fā)明的用于兩層印刷電路板的3相繞組的俯視示意圖；
[0029] 圖16A和圖16B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于兩層印刷電路板的A相繞組和 B相繞組的相應(yīng)的俯視示意圖；
[0030] 圖17顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于兩層印刷電路板的C相繞組的俯視示意 圖；
[0031] 圖18顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的120度同心繞組的俯視示意圖，該120度同心 繞組利用主軸電動機(jī)中的四級電磁場諧波；
[0032] 圖19顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于八個磁性電極對的A相繞組的俯視示意 圖，其中繞組實(shí)現(xiàn)為兩層印刷電路板；
[0033] 圖20顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的B相繞組的俯視示意圖，在該B相繞組中，不 同磁性電極對的線圈沿著繞組的內(nèi)圓周側(cè)可操作地耦合；
[0034] 圖21顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的C相繞組的俯視示意圖，在該C相繞組中，不 同磁性電極對的線圈通過沿著內(nèi)繞組的圓周側(cè)和外圓周側(cè)而選擇性延伸的接線而可操作 地奉禹合；
[0035] 圖22顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的3相繞主軸電動機(jī)的示意性繞組，該3相主軸 電動機(jī)以四層印刷電路板帶有兩個磁性電極對的形式的繞組層來實(shí)現(xiàn)；
[0036] 圖23A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的示意橫截面視圖；
[0037] 圖23B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的另一個示意橫截面視圖；
[0038] 圖24顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的樞軸套管的橫截面視圖；
[0039] 圖25顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括致動器主體的致動器的透視圖，該致動 器主體具有用于關(guān)于軸的旋轉(zhuǎn)移動的樞軸套筒；
[0040] 圖26顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的由壓電（PZT)電動機(jī)驅(qū)動的致動器的透視 圖；
[0041] 圖27和圖28顯示根據(jù)本發(fā)明的包括樞軸套筒和制動器電動機(jī)的致動器主體的相 應(yīng)的橫截面視圖；
[0042] 圖29顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，該數(shù)據(jù)存儲設(shè)備包括帶有樞 軸套筒的致動器主體和PZT電動機(jī)；
[0043] 圖30顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的示意俯視圖，在該數(shù)據(jù)存儲 設(shè)備中，致動器由PZT電動機(jī)來驅(qū)動；
[0044] 圖31顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的示意俯視圖，在該數(shù)據(jù)存數(shù) 設(shè)備中，致動器由首圈電動機(jī)來驅(qū)動；
[0045] 圖32和圖33顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的帶有圓形殼體的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的相應(yīng) 的透視圖；
[0046] 圖34顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有致動器主體的致動器的透視圖，其中定 位預(yù)放大器芯片與致動器本體相鄰；
[0047] 圖35顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的如圖34中顯示的致動器的打開分解圖；
[0048] 圖36A和36B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括與預(yù)放大器芯片通信的彈性電路 致動器的相應(yīng)透視圖；
[0049] 圖37A和圖37B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括第二階段微致動器的致動器的 相應(yīng)的透視圖和分解透視圖。
[0050] 圖38顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的空氣支承表面（ABS)的俯視圖，該空氣支承表 面帶有用在低剖面或極薄的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中的滑動器；
[0051] 圖39顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的如圖38中的空氣支承表面的透視圖以示出在 空氣支承表面上的不同區(qū)域的關(guān)聯(lián)正視圖；
[0052] 圖40顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的配置有空氣支承表面的滑動器的俯視圖，該 空氣支承表面帶有緊密蝕刻的并且深的凹槽；
[0053] 圖41顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的如圖40中顯示的配置有空氣支承表面的滑動 器的透視圖；
[0054] 圖42顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的配置有帶有多個凹槽和形狀的空氣支承表面 的滑動器的俯視圖；
[0055] 圖43顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括尾板上的小板的空氣支承表面的透視 圖；
[0056] 圖44顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的如圖43中顯示的包括尾板上的小板的空氣支 承表面；
[0057] 圖45顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有第一自旋閥和第二自旋閥的自偏置雙自 旋閥；
[0058] 圖46顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的自偏置雙自旋閥讀取磁頭，該閥讀取磁頭帶 有在傳感器的相對側(cè)上的兩個側(cè)磁屏蔽；
[0059] 圖47顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的帶有兩個上部和底部磁屏蔽的自偏置雙自旋 閥讀取磁頭；
[0060] 圖48顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的自偏置雙自旋閥讀取磁頭，該自偏置雙自旋 閥讀取磁頭帶有兩個側(cè)磁屏蔽和兩個上部和底部磁屏蔽；
[0061] 圖49顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的自偏置雙自旋閥讀取磁頭，該自偏置雙自旋 閥讀取磁頭帶有帶有兩個側(cè)磁屏蔽和兩個上部和底部磁屏蔽，兩個側(cè)屏蔽帶有沿著條紋高 度的易磁化軸；
[0062] 圖50顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在密封殼體中的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的方框圖；
[0063] 圖51顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在密封殼體中的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的透視圖；
[0064] 圖52A和圖52B顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在密封殼體中的孔口 A和孔口 B的 相應(yīng)的布局；
[0065] 圖53顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用電磁閥來實(shí)現(xiàn)和控制的振蕩氦注入過程 的不意圖；
[0066] 圖54顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用音圈電動機(jī)致動器的常規(guī)數(shù)據(jù)存儲設(shè) 備；
[0067] 圖55顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用旋轉(zhuǎn)壓電（PZT)電動機(jī)的數(shù)據(jù)存儲設(shè) 備；
[0068] 圖55A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的來自使用旋轉(zhuǎn)壓電（PZT)電動機(jī)的數(shù)據(jù)存儲 設(shè)備的響應(yīng)的圖表；
[0069] 圖56顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的介質(zhì)的橫截面圖；
[0070] 圖57顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的增加的熱源，提供該熱源以幫助伺服信號在 伺服層上的寫入過程；
[0071] 圖58顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的埋入伺服層的結(jié)構(gòu)；
[0072] 圖59顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的可交替分配至伺服層磁道的三個頻率信號；
[0073] 圖59A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的與磁道相交的信號敏感性圖表；
[0074] 圖60顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的信號處理系統(tǒng)；
[0075] 圖61顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的帶有一個或多個濾波器的伺服信號和數(shù)據(jù)信 號的恢復(fù)；
[0076] 圖62顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的定位在介質(zhì)上方的磁頭；
[0077] 圖62A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在與寫入過程同時的讀取中使用的兩個預(yù) 放大器；
[0078] 圖63顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在與寫入同時的讀取期間的讀取信號和寫入 信號的干擾的減少；
[0079] 圖64顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的與過程同時的讀取；
[0080] 圖65顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括所有伺服模式的盤片介質(zhì)，其中所有伺 服模式寫在埋入伺服層上；
[0081] 圖65A顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的盤片介質(zhì)，在該盤片介質(zhì)中，自動增益控制 (AGC)、扇區(qū)地址標(biāo)記（SAM)，格雷碼（GrayCode)寫在數(shù)據(jù)層上并且伺服脈沖位于埋入伺服 層上；
[0082] 圖66顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有五個左右不同的操作模式的常規(guī)預(yù)放大 器的一般功能性框圖；
[0083] 圖67顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的預(yù)放大器的功能性框圖的修改設(shè)計(jì)；
[0084] 圖68顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的存儲在非易失性存儲器（NVM)高速緩存中的 三種數(shù)據(jù)；
[0085] 圖69顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的實(shí)現(xiàn)重疊寫入的常規(guī)受限讀取寫入系統(tǒng)；
[0086] 圖70顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)管理層，該層允許非受限讀取和寫入至 混合數(shù)據(jù)存儲設(shè)備；
[0087] 圖71顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)管理層，所述數(shù)據(jù)管理層利用用于將存 儲改進(jìn)為重疊寫入盤片的混合數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的非易失性存儲器；
[0088] 圖72顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的重疊寫入混合盤片中的非易失性存儲器，該 重疊寫入混合盤片帶有用于存儲重疊數(shù)據(jù)管理的元數(shù)據(jù)的增加的部分；
[0089] 圖73顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的邏輯上整理為多個數(shù)據(jù)帶的單個寫入盤片； [0090] 圖74顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將環(huán)塊管理為圓形換的每個環(huán)帶；
[0091] 圖75顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括塊0到塊η的盤片上的數(shù)據(jù)帶；
[0092] 圖76顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的圓形環(huán)結(jié)構(gòu)，該圓形環(huán)結(jié)構(gòu)通過數(shù)據(jù)管理層 簡化塊的更新和/或修改；
[0093] 圖77顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式高速緩沖存儲器的改進(jìn)結(jié)構(gòu)；
[0094] 圖78、圖79、圖80顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的混合存儲集合體的各種架構(gòu)結(jié) 構(gòu)；
[0095] 圖81顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的混合數(shù)據(jù)存儲設(shè)備用作企業(yè)應(yīng)用的存儲陣列 的運(yùn)用；
[0096] 圖82顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在陣列中運(yùn)行的改進(jìn)的混合數(shù)據(jù)存儲設(shè)備； [0097] 圖83顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的盤片管理層包括陣列控制器的所有或一部分 和盤片驅(qū)動器控制器的一部分的實(shí)施方式；
[0098] 圖84顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用戶應(yīng)用如何將盤片磁頭從初始位置轉(zhuǎn)移至 基本是同步的位置的不同位置；
[0099] 圖85顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)重構(gòu)的一些部分的框圖，該數(shù)據(jù)重構(gòu)通 過解決盤片損耗問題和其它性能問題來改進(jìn)性能；

【具體實(shí)施方式】
[0100] 以下詳細(xì)說明參考附圖，其中，附圖通過說明的方式顯示具體細(xì)節(jié)和發(fā)明可以實(shí) 踐的實(shí)施方式。足夠詳細(xì)描述這些實(shí)施方式以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明?？?以利用其它實(shí)施方式并且可以得出結(jié)構(gòu)上、邏輯上和電氣上的改變而不會超出本發(fā)明的范 圍。各種實(shí)施方式并不必要相互排斥，這是因?yàn)橐恍?shí)施方式可以與一個或多個其他實(shí)施 方式結(jié)合以形成新的實(shí)施方式。
[0101] 在設(shè)備中的一個的上下文中描述的實(shí)施方式可以對其它設(shè)備同樣有效。
[0102] 在各種實(shí)施方式中，配置η相繞組設(shè)備使得在每個定子電極對中沿著閉環(huán)以重復(fù) 設(shè)置的方式設(shè)置來自一個相的繞組的一個線圈相鄰于來自另一相繞組的線圈。
[0103] 在各種實(shí)施方式中，每相繞組進(jìn)一步包括另外的m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈，該另外 的m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈設(shè)置在基板的第二表面上使得每相繞組的m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈 至少基本上與同相繞組的進(jìn)一步m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈對齊。
[0104] 在各種實(shí)施方式中，第一表面上的每個線圈經(jīng)由在基板中形成的m個通孔中的一 個連接至基板的第二表面上的同相繞組的對應(yīng)線圈。
[0105] 在各種實(shí)施方式中，每個線圈以同心設(shè)置的方式來繞線。
[0106] 在各種實(shí)施方式中，定子電極對包括一個通量分布圓周中的360度電角度。
[0107] 在各種實(shí)施方式中，每相繞組中的每個線圈包括大約（360/n)度電角度的線圈節(jié) 距。
[0108] 在各種實(shí)施方式中，3相繞組的每相繞組中的每個線圈包括大約120度電角度的 線圈節(jié)距。
[0109] 各種實(shí)施方式中，基板的至少一個表面上的每個線圈包括基本上垂直于基板的第 一表面的旋轉(zhuǎn)軸。
[0110] 在各種實(shí)施方式中，基板為印刷電路板并且所述線圈包括印刷在所述印刷電路板 上的導(dǎo)電材料。
[0111] 在各種實(shí)施方式中，η為整數(shù)。
[0112] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以進(jìn)一步包括基座板，其中基座板包括由壁 限制的基本上圓形的凹部。
[0113] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以進(jìn)一步包括布置在基座板上方的覆蓋物。
[0114] 在各種實(shí)施方式中，覆蓋物包括配置為增加覆蓋物的堅(jiān)硬度的至少一個選擇性縮 進(jìn)區(qū)域。
[0115] 在各種實(shí)施方式中，至少一個選擇性縮進(jìn)區(qū)域可以包括多個徑向區(qū)域和/或多個 徑向弧形區(qū)域。
[0116] 在各種實(shí)施方式中，覆蓋物可以進(jìn)一步包括具有多個堅(jiān)硬肋部的平面表面。
[0117] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備進(jìn)一步包括布置在覆蓋物的背對盤片的表面上 的縮進(jìn)板。
[0118] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以進(jìn)一步包括配置為當(dāng)覆蓋物經(jīng)受外部力 時，防止覆蓋物接觸盤片的表面的減震系統(tǒng)。
[0119] 在各種實(shí)施方式中，減震系統(tǒng)可以包括多個減震器。
[0120] 在各種實(shí)施方式中，減震系統(tǒng)可以包括至少一個止動塊和加載/卸載斜面的結(jié) 合。
[0121] 在各種實(shí)施方式中，減震系統(tǒng)可以包括定位在盤片外圍的選擇位置處或定位在覆 蓋物和/或定位在基座板的表面上的至少一個盤片限制器。
[0122] 在各種實(shí)施方式中，至少一個盤片限制器包括凹坑。
[0123] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以進(jìn)一步包括致動器。
[0124] 在各種實(shí)施方式中，致動器可以包括兩個致動器臂。
[0125] 在各種實(shí)施方式中，兩個致動器臂中的每個可以包括承載磁頭萬向懸置（HGSA) 的遠(yuǎn)端。
[0126] 在各種實(shí)施方式中，多個減震器中的每個定位覆蓋物的內(nèi)表面和基座板的內(nèi)表面 上，對應(yīng)于磁頭萬向懸置組件或?qū)?yīng)于兩個致動器臂中的每個的遠(yuǎn)端。
[0127] 在各種實(shí)施方式中，致動器可以包括致動器主體和用于關(guān)于樞軸套筒軸旋轉(zhuǎn)移動 的樞軸套筒。
[0128] 在各種實(shí)施方式中，樞軸套筒可以包括內(nèi)圈和外圈之間的球形軸承的集合。
[0129] 在各種實(shí)施方式中，內(nèi)圈可以形成為轉(zhuǎn)軸。
[0130] 在各種實(shí)施方式中，外圈可以通過軸承套管和粘附地附接至軸承套管的鎖閉器形 成。
[0131] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以進(jìn)一步包括定位在兩個致動器臂之間的預(yù) 放大器芯片。
[0132] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以進(jìn)一步包括定位在兩個致動器臂之間并且 附接至兩個致動器臂的彈性電路。
[0133] 在各種實(shí)施方式中，預(yù)放大器芯片定位在彈性電路上。
[0134] 在各種實(shí)施方式中，致動器包括第二階段微致動器。
[0135] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以進(jìn)一步包括附接至致動器的一端的滑動 器。
[0136] 在各種實(shí)施方式中，滑動器配置有包括多個凹槽的空氣支承表面。
[0137] 在各種實(shí)施方式中，空氣支承表面包括在尾板上的小板。
[0138] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備可以進(jìn)一步包括布置在滑動器一端上的讀取磁 頭設(shè)置。
[0139] 在各種實(shí)施方式中，讀取磁頭設(shè)置可以包括傳感器，該傳感器包括：第一自旋閥； 第二自旋閥；和定位在第一自旋閥和第二自旋閥之間的分離器結(jié)構(gòu)。
[0140] 在各種實(shí)施方式中，磁頭讀取設(shè)備進(jìn)一步包括第一側(cè)磁屏蔽；和第二側(cè)磁屏蔽； 其中第一側(cè)磁屏蔽和第二側(cè)磁屏蔽以與磁道相交的方向設(shè)置在傳感器的相對側(cè)上。
[0141] 在各種實(shí)施方式中，磁頭讀取設(shè)置進(jìn)一步包括上部磁屏蔽和底部磁屏蔽；其中，上 部磁屏蔽以順磁道方向設(shè)置在傳感器的頂側(cè)并且底部磁屏蔽以順磁道方向設(shè)置在傳感器 的底側(cè)。
[0142] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備進(jìn)一步包括密封殼體。
[0143] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置在密封殼體中的電池；設(shè)置在 所述密封殼體中并且配置為將電池耦合至設(shè)置在密封殼體的外側(cè)的外部電源的電感耦合 裝置；和設(shè)置在密封殼體中并且配置為與設(shè)置在密封殼體外側(cè)的外部收發(fā)器裝置進(jìn)行無線 通信的內(nèi)部收發(fā)器裝置。
[0144] 在各種實(shí)施方式中，介質(zhì)進(jìn)一步包括布置在伺服層和數(shù)據(jù)記錄層之間的第一中間 層。
[0145] 在各種實(shí)施方式中，伺服層配置為提供位置檢測的定位錯誤信號。
[0146] 在各種實(shí)施方式中，定位錯誤信號配置為用于數(shù)據(jù)讀取和寫入操作的反饋時鐘信 號。
[0147] 在各種實(shí)施方式中，伺服層包括比在記錄層中的飽和數(shù)據(jù)寫入所要求的飽和場更 大的成核場（Hn)。
[0148] 在各種實(shí)施方式中，伺服層包括接近于1的矯頑力矩形值。
[0149] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備進(jìn)一步包括配置為提供熱能以幫助在伺服層上 的伺服信號的寫入的外部熱源。
[0150] 在各種實(shí)施方式中，伺服層可以包括具有多個伺服層磁道的連續(xù)磁道結(jié)構(gòu)。
[0151] 在各種實(shí)施方式中，多個伺服層磁道中的每個被分配頻率信號。
[0152] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備進(jìn)一步包括磁頭，該磁頭包括讀取器。
[0153] 在各種實(shí)施方式中，讀取器配置為當(dāng)讀取來自介質(zhì)的信號時，檢測伺服層信號和 記錄層信號。
[0154] 在各種實(shí)施方式中，記錄層信號包括最大運(yùn)行長度限制以為了減少記錄層信號和 伺服層信號之間的干擾。
[0155] 在各種實(shí)施方式中，磁頭進(jìn)一步包括寫入器。
[0156] 在各種實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備進(jìn)一步包括第一預(yù)放大器和第二預(yù)放大器。
[0157] 在各種實(shí)施方式中，第一預(yù)放大器可以耦合至讀取器并且配置為接收在寫入操作 期間由讀取器讀取的信號。
[0158] 在各種實(shí)施方式中，第二預(yù)放大器可以耦合至寫入器并且配置為在將放大的數(shù)據(jù) 信號提供給寫入器用于將數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)記錄層之前而對數(shù)據(jù)信號進(jìn)行放大。
[0159] 在各種實(shí)施方式中，介質(zhì)可以包括一個扇區(qū)中的多個伺服模式和多個數(shù)據(jù)扇區(qū)。
[0160] 在各種實(shí)施方式中，多個數(shù)據(jù)扇區(qū)被寫在數(shù)據(jù)記錄層上。
[0161] 在各種實(shí)施方式中，多個伺服模式可以包括包括自動增益控制的第一伺服模式、 扇區(qū)地址標(biāo)記和格雷碼；以及包括多個服務(wù)器脈沖的第二伺服模式。
[0162] 在各種實(shí)施方式中，第一伺服模式以及第二伺服模式被寫在伺服層上。
[0163] 在各種實(shí)施方式中，第一伺服模式被寫在伺服層上并且第二伺服模式被寫在數(shù)據(jù) 記錄層上。
[0164] 圖1為具有基座板102的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的俯視圖，該基座板102帶有用于耦 接其上的互補(bǔ)覆蓋物104以限定數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的各種部件駐存在其中的體積。覆蓋物 104以破壞脫離的方式顯示以揭示通過盤片夾110固定于主軸電動機(jī)108的盤片106以及 致動器112,盤片106關(guān)于第一軸旋轉(zhuǎn)移動。致動器112包括用于關(guān)于第二軸旋轉(zhuǎn)移動的樞 軸114和至少一個致動器臂116,每個致動器臂116具有承載磁頭萬向懸置組件（HGSA) 118 的遠(yuǎn)端，使得致動器112關(guān)于第二軸的旋轉(zhuǎn)使讀取/寫入設(shè)備118進(jìn)入與盤片106上的期 望磁道的期望接近度。致動器112可以包括第二階段微致動器，使得滑動器120可以具有 獨(dú)立、增加的轉(zhuǎn)移或旋轉(zhuǎn)的移動以增強(qiáng)使讀取/寫入設(shè)備118進(jìn)入與盤片106上的期望磁 道的期望接近度的準(zhǔn)確度。在一個實(shí)施方式中，致動器112具有兩個致動器臂116,每個支 撐HGSA118用于寫入盤片106的兩個相對面或從盤片106的兩個相對面讀取。在數(shù)據(jù)存儲 設(shè)備100的非接觸開始-停止的實(shí)施方式中，設(shè)置加載/卸載斜面122與盤片106相鄰，用 于當(dāng)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備1〇〇不在操作中時保持HGSA118。每個HGSA或磁頭118建立上在滑動器 120,滑動器120被成形為生成正壓力和負(fù)壓力的期望平衡，其當(dāng)盤片106旋轉(zhuǎn)時與在滑動 器120周圍生成的空氣流動動態(tài)以及萬向件和懸置件的影響結(jié)合，使得磁頭118在相對于 盤片106的表面的的期望飛翔高度處"飛翔"。因此，可以理解的是，這些部件聚合在一起以 及實(shí)現(xiàn)期望飛翔動態(tài)所要求的最小間隔可能對尋求減少數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的整體厚度制 造困難。這是為什么簡單地按比例縮小各種部件不會產(chǎn)生具有滿足消費(fèi)者需求的必要性能 和可靠性的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的各種理由中的一個。
[0165] 除了由基座板102上的各種部件占據(jù)的最小空間外（在不動空間和腳位方面），應(yīng) 當(dāng)理解的是，由于數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100中的各種部件之間的復(fù)雜動態(tài)，所以由基座板102和覆 蓋物104限定的體積不能簡單地按比例縮小而不會負(fù)面影響數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的性能和可 靠性。這從表1中的比較明顯看出，該比較為常規(guī)7毫米厚、2. 5英寸形狀因子的數(shù)據(jù)存儲 設(shè)備的基座板的共振頻率針對所有部件被簡單地按比例縮小以適合5mm的整體厚度的假 設(shè)的2. 5英寸形狀因子的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的基座板的模擬圖的比較。
[0166] 表 1

【權(quán)利要求】
1. 一種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，包括具有定子的電動機(jī)，所述定子包括： 具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的基板；和 具有η相繞組的η相繞組設(shè)置； 其中，每相繞組包括設(shè)置在所述基板的所述第一表面上的m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈，使 得所述線圈沿著閉環(huán)均勻地隔開并且串聯(lián)連接； 其中，每個線圈與基板在該線圈與同相繞組的相鄰線圈之間的斜剖面一起限定定子電 極對；并且 其中m為大于1的整數(shù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述η相繞組設(shè)置被配置為沿著閉環(huán)以 重復(fù)的設(shè)置使得在每個定子電極對中來自一相繞組的一個線圈被設(shè)置為與來自另一相繞 組的線圈相鄰。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，每相繞組進(jìn)一步包括設(shè)置在所述基板 的所述第二表面上的另外的m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈，使得每相繞組的m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線 圈與同相繞組的另外的m個平坦分?jǐn)?shù)節(jié)距線圈至少基本上對齊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述第一表面上的每個線圈經(jīng)由在所 述基板中形成的m個通孔中的一個連接至所述基板的所述第二表面上的同相繞組的對應(yīng) 線圈。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，每個線圈被纏繞成同心設(shè)置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述定子電極對包括一個通量分布圓 周中的360度電角度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，每相繞組中的每個線圈包括大約（360/ η)度電角度的線圈節(jié)距。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，3相繞組的每相繞組中的每個線圈包括 大約120度電角度的線圈節(jié)距。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述基板的至少一個表面上的每個線 圈包括與所述基板的所述第一表面基本上垂直的旋轉(zhuǎn)軸。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述基板為印刷電路板并且所述線圈 包括印刷在所述印刷電路板上的導(dǎo)電材料。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，η為整數(shù)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括基座板，其中，所述基座板包括 由壁限制的基本上圓形的凹部。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述基座板上方的覆蓋 物。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述覆蓋物包括配置為增加所述覆 蓋物的堅(jiān)硬度的至少一個選擇性縮進(jìn)區(qū)域。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述至少一個選擇性縮進(jìn)區(qū)域包括 多個徑向區(qū)域和/或多個徑向弧形區(qū)域。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述覆蓋物進(jìn)一步包括具有多個堅(jiān) 硬肋部的平面表面。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述覆蓋物的背對盤片 的表面上的縮進(jìn)板。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括配置為當(dāng)覆蓋物經(jīng)受外部力時 防止覆蓋物接觸盤片的表面的減震系統(tǒng)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述減震系統(tǒng)包括多個減震器。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述減震系統(tǒng)包括至少一個止動塊 和加載/卸載斜面的結(jié)合。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述減震系統(tǒng)包括定位在盤片外圍 的選擇位置處或定位在所述覆蓋物和/或定位在所述基座板的表面上的至少一個盤片限 制器。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述至少一個盤片限制器包括凹坑。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括致動器。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述致動器包括兩個致動器臂。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述兩個致動器臂中的每個包括承 載磁頭萬向懸置組件（HGSA)的遠(yuǎn)端。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，多個減震器中的每個定位在所述覆 蓋物的內(nèi)表面和所述基座板的內(nèi)表面上，對應(yīng)于所述磁頭萬向懸置組件或?qū)?yīng)于所述兩個 致動器臂中的每個的遠(yuǎn)端。
27. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述致動器包括致動器主體和用于 關(guān)于樞軸套筒軸旋轉(zhuǎn)移動的樞軸套筒。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述樞軸套筒包括內(nèi)圈和外圈之間 的球狀軸承的集合。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述內(nèi)圈形成為轉(zhuǎn)軸。
30. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述外圈由軸承套管和粘附地附接 至所述軸承套管的鎖閉器形成。
31. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括定位在所述兩個致動器臂之間 的預(yù)放大器芯片。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括定位在所述兩個致動器臂之間 并且附接至所述兩個致動器臂的彈性電路。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述預(yù)放大器芯片定位在所述彈性 電路上。
34. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述致動器包括第二階段微致動器。
35. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括附接至所述致動器的端部的滑 動器。
36. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述滑動器配置有包括多個凹槽的 空氣支承表面。
37. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述空氣支承表面包括在尾板上的 小板。
38. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述滑動器一個端部上 的讀取磁頭設(shè)置。
39. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述讀取磁頭設(shè)置包括傳感器，所述 傳感器包括： 第一自旋閥； 第二自旋閥；和 定位在所述第一自旋閥和所述第二自旋閥之間的分離器結(jié)構(gòu)。
40. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中所述磁頭讀取設(shè)備進(jìn)一步包括： 第一側(cè)磁屏蔽；和 第二側(cè)磁屏蔽； 其中所述第一側(cè)磁屏蔽和所述第二側(cè)磁屏蔽以與磁道相交的方向設(shè)置在所述傳感器 的相對側(cè)上。
41. 根據(jù)權(quán)利要求40所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述磁頭讀取設(shè)置進(jìn)一步包括： 上部磁屏蔽；和 底部磁屏蔽； 其中，所述上部磁屏蔽以順磁道方向設(shè)置在所述傳感器的頂側(cè)，并且所述底部磁屏蔽 以順磁道方向設(shè)置在所述傳感器的底側(cè)。
42. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括密封殼體。
43. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括： 電池，所處電池設(shè)置在所述密封殼體中； 電感耦合裝置，所述電感耦合裝置設(shè)置在所述密封殼體中并且配置為將所述電池耦合 至設(shè)置在所述密封殼體的外側(cè)的外部電源；和 內(nèi)部收發(fā)器裝置，所述內(nèi)部收發(fā)器裝置設(shè)置在所述密封殼體中并且配置為與設(shè)置在所 述密封殼體外側(cè)的外部收發(fā)器裝置進(jìn)行無線通信。
44. 一種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備包括： 介質(zhì)，所述介質(zhì)包括： 被配置為提供伺服信息的伺服層，和 被配置為記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄層； 其中所述伺服信息提供在與所述數(shù)據(jù)記錄層不同的所述伺服層上，以允許連續(xù)可用的 伺服回讀被用于控制所述數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的至少一個組件。
45. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述介質(zhì)進(jìn)一步包括布置在所述伺 服層和所述數(shù)據(jù)記錄層之間的第一中間層。
46. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述伺服層配置為提供用于位置檢 測的定位錯誤信號。
47. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述定位錯誤信號被配置成為用于 數(shù)據(jù)讀取和寫入操作的同步的反饋時鐘信號。
48. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述伺服層包括比在所述記錄層中 的飽和數(shù)據(jù)寫入所要求的飽和場更大的成核場（Hn)。
49. 根據(jù)權(quán)利要求48所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述伺服層包括接近于1的矯頑力矩 形值。
50. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括配置為提供熱能以幫助在所述 伺服層上的伺服信號的寫入的外部熱源。
51. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述伺服層包括具有多個伺服層磁 道的連續(xù)磁道結(jié)構(gòu)。
52. 根據(jù)權(quán)利要求51所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，多個伺服層磁道中的每個被分配頻 率信號。
53. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括 磁頭，所述磁頭包括讀取器。
54. 根據(jù)權(quán)利要求53所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述讀取器配置為當(dāng)讀取來自所述 介質(zhì)的信號時，檢測伺服層信號和記錄層信號。
55. 根據(jù)權(quán)利要求54所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述記錄層信號包括最大運(yùn)行長度 限制，以為了減少所述記錄層信號和所述伺服層信號之間的干擾。
56. 根據(jù)權(quán)利要求53所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述磁頭進(jìn)一步包括寫入器。
57. 根據(jù)權(quán)利要求56所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括第一預(yù)放大器和第二預(yù)放大 器。
58. 根據(jù)權(quán)利要求57所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述第一預(yù)放大器耦接至所述讀取 器并且配置為接收在寫入操作期間由所述讀取器讀取的信號。
59. 根據(jù)權(quán)利要求58所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述第二預(yù)放大器耦接至所述寫入 器，并且配置為在將放大的數(shù)據(jù)信號提供給所述寫入器以將數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)記錄層之前，對 數(shù)據(jù)信號進(jìn)行放大。
60. 根據(jù)權(quán)利要求44所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述介質(zhì)包括一個扇區(qū)中的多個伺 服模式和多個數(shù)據(jù)扇區(qū)。
61. 根據(jù)權(quán)利要求60所述的數(shù)據(jù)存數(shù)設(shè)備，其中，多個數(shù)據(jù)扇區(qū)被寫在數(shù)據(jù)記錄層上。
62. 根據(jù)權(quán)利要求60所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，多個伺服模式包括： 第一伺服模式，其包括： 自動增益控制； 扇區(qū)地址標(biāo)記；和 格雷碼； 和 第二伺服模式，其包括： 多個服務(wù)器突發(fā)。
63. 根據(jù)權(quán)利要求62所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述第一伺服模式以及所述第二伺 服模式被寫在伺服層上。
64. 根據(jù)權(quán)利要求62所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其中，所述第一伺服模式被寫在所述伺服 層上并且所述第二伺服模式被寫在所述數(shù)據(jù)記錄層上。
【文檔編號】G11B19/20GK104303398SQ201280054156
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月1日
【發(fā)明者】畢超, 蔡葵, 陳強(qiáng)山, 詹智勇, 穆萊·理查德·艾利德瑞斯, 韓谷昌, 何志敏, 漂·拉努, 胡江峰, 華偉, 蔣全, 梁向暉, 林武中, 劉波, 馬雁聲, 王俊亮, 石建中, 蘇清賜, 陳素菲, 王麗, 黃招龍, 席蔚亞, 楊啓良, 于勝凱, 余銀犬, 袁智敏, 張敬良, 周鐵軍, 潘泰利斯·阿歷斯波爾, 布迪·桑托索, 張啟德, 卡納安·順達(dá)啦瓦迪溫路, 劉寧宇, 牟建強(qiáng), 李宗煒, 甘柯, 施文龍, 倫納德·貢薩加, 林偉杰, 劉夢軍, 溫卡特摩南·溫卡特科里實(shí)南, 陳青平 申請人:新加坡科技研究局