存儲(chǔ)裝置的操作方法與存儲(chǔ)器陣列及其操作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)裝置的操作方法與存儲(chǔ)器陣列及其操作方法。存儲(chǔ)裝置的操作方法包括以下步驟：使存儲(chǔ)裝置處在設(shè)定狀態(tài)，方法包括提供第一偏壓至存儲(chǔ)裝置；讀取存儲(chǔ)裝置的設(shè)定狀態(tài)，方法包括提供第二偏壓至該存儲(chǔ)裝置；提供回復(fù)偏壓至存儲(chǔ)裝置；提供回復(fù)偏壓的步驟是在提供第一偏壓的步驟或提供第二偏壓的步驟之后進(jìn)行。
【專利說明】存儲(chǔ)裝置的操作方法與存儲(chǔ)器陣列及其操作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于存儲(chǔ)裝置及其操作方法，特別是有關(guān)于存儲(chǔ)器陣列及其操作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，電子元件的微縮能力不斷提高，使得電子產(chǎn)品能夠在維持固定大小，甚至更小的體積之下，能夠擁有更多的功能。而隨著信息的處理量愈來愈高，對(duì)于大容量、小體積的存儲(chǔ)器需求也日益殷切。
[0003]目前的可擦寫存儲(chǔ)器是以晶體管結(jié)構(gòu)配合存儲(chǔ)單元作信息的儲(chǔ)存，但是此種存儲(chǔ)器架構(gòu)隨著制造技術(shù)的進(jìn)步，可微縮性已經(jīng)達(dá)到一個(gè)瓶頸。因此先進(jìn)的存儲(chǔ)器架構(gòu)不斷的被提出，例如相變化隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(phase change random access memory, PCRAM) >磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(magnetic random access memory, MRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(resistive random access memory, RRAM)、導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(conductivebridging RAM, CBRAM)等等。
[0004]然而，目前存儲(chǔ)裝置在操作效率上仍需改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲(chǔ)裝置的操作方法與存儲(chǔ)器陣列及其操作方法，可提升存儲(chǔ)裝置的操作效率。
[0006]本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)裝置的操作方法，方法包括以下步驟:使存儲(chǔ)裝置處在設(shè)定狀態(tài)，方法包括提供第一偏壓至存儲(chǔ)裝置；讀取存儲(chǔ)裝置的設(shè)定狀態(tài)，方法包括提供第二偏壓至該存儲(chǔ)裝置；提供回復(fù)偏壓至存儲(chǔ)裝置；提供回復(fù)偏壓的步驟是在提供第一偏壓的步驟或提供第二偏壓的步驟之后進(jìn)行。
[0007]本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器陣列的操作方法，方法包括以下步驟:使電性連接在字線與位線之間的雙端電極的存儲(chǔ)裝置處在設(shè)定狀態(tài)，方法包括通過字線與位線提供第一偏壓至雙端電極的存儲(chǔ)裝置；讀取雙端電極的存儲(chǔ)裝置的設(shè)定狀態(tài)，方法包括通過字線與位線提供第二偏壓至雙端電極的存儲(chǔ)裝置；通過字線與位線提供回復(fù)偏壓至雙端電極的存儲(chǔ)裝置；提供回復(fù)偏壓的步驟是在提供第一偏壓的步驟或提供第二偏壓的步驟之后進(jìn)行。
[0008]本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器陣列，存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元各包括第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線與存儲(chǔ)裝置；存儲(chǔ)裝置包括第一電極層、第二電極層與固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)；第一電極層電性連接至第一導(dǎo)線；第二電極層電性連接至第二導(dǎo)線；固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)鄰接在第一電極層與第二電極層之間；第二電極層為移動(dòng)金屬離子的來源；移動(dòng)金屬離子可移動(dòng)至固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)中。
[0009]下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:
【專利附圖】

【附圖說明】[0010]圖1為根據(jù)一實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意圖。
[0011]圖2為根據(jù)一實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意圖。
[0012]圖3為根據(jù)一實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意圖。
[0013]圖4為根據(jù)一實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列的示意圖。
[0014]圖5為一實(shí)施例中存儲(chǔ)裝置的電性圖。
[0015]圖6為一比較例中存儲(chǔ)裝置的電性圖。
[0016]【主要元件符號(hào)說明】
[0017]102,202~存儲(chǔ)裝置；104、204~第一電極層；106、206~第二電極層；108~固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)；110~第一固 態(tài)電解質(zhì)層；112~第二固態(tài)電解質(zhì)層；114~導(dǎo)電橋；216~存儲(chǔ)單兀；218~第一導(dǎo)線；220~第二導(dǎo)線。
【具體實(shí)施方式】
[0018]圖1繪示根據(jù)一實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置102的剖面圖。存儲(chǔ)裝置102包括第一電極層104、第二電極層106與固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)108。固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)108包括第一固態(tài)電解質(zhì)層110與第二固態(tài)電解質(zhì)層112。第一固態(tài)電解質(zhì)層110鄰接在第一電極層104與第二固態(tài)電解質(zhì)層112之間。第二固態(tài)電解質(zhì)層112鄰接在第一固態(tài)電解質(zhì)層110與第二電極層106之間。實(shí)施例并不限于使用具有兩個(gè)固態(tài)電解質(zhì)層的固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)108。于其他實(shí)施例中，固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)(未顯示)可具有單一個(gè)固態(tài)電解質(zhì)層。
[0019]請(qǐng)參照?qǐng)D1，于實(shí)施例中，第一電極層104為不易提供移動(dòng)金屬離子的導(dǎo)體。第二電極層106為移動(dòng)金屬離子的來源，其中移動(dòng)金屬離子可移動(dòng)至固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)108中。第一固態(tài)電解質(zhì)層110與第二固態(tài)電解質(zhì)層112可為介電材料。第一固態(tài)電解質(zhì)層110的介電系數(shù)可大于第二固態(tài)電解質(zhì)層112的介電系數(shù)。第一固態(tài)電解質(zhì)層110對(duì)于移動(dòng)金屬離子的可溶性可大于第二固態(tài)電解質(zhì)層112對(duì)于移動(dòng)金屬離子的可溶性。第二電極層106對(duì)于移動(dòng)金屬離子的可溶性可大于第二固態(tài)電解質(zhì)層112對(duì)于移動(dòng)金屬離子的可溶性。舉例來說，第一電極層104可包括高導(dǎo)電性材料例如鉬(Pt)。第二電極層106可包括含有移動(dòng)金屬的鍺鋪締化物(Germanium Antimony Telluride ；GST)的高導(dǎo)電性材料,例如Cu-GST、Au-GST,Zn-GST等等，其中例如Cu、Au、Zn是用作移動(dòng)金屬。第一固態(tài)電解質(zhì)層110可包括氧化鉿(Hf-oxide)、氧化錯(cuò)(Zr-oxide)、或氧化鉭(Ta-oxide)。第二固態(tài)電解質(zhì)層112可包括氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅。
[0020]請(qǐng)參照?qǐng)D1，于一實(shí)施例中，存儲(chǔ)裝置102可具有第一閾值電壓Vtl、第二閾值電壓Vt2、第三閾值電壓Vt3與第四閾值電壓Vt4。于實(shí)施例中，第一閾值電壓Vtl為使存儲(chǔ)裝置102處在設(shè)定狀態(tài)的閾值電壓Vt-set。第二閾值電壓Vt2為讀取存儲(chǔ)裝置102的設(shè)定狀態(tài)的閾值電壓Vt-read set。第三閾值電壓Vt3為使存儲(chǔ)裝置102處在復(fù)位狀態(tài)的閾值電壓Vt-reseto第四閾值電壓Vt4為讀取存儲(chǔ)裝置102的復(fù)位狀態(tài)的閾值電壓Vt_read reset。于一實(shí)施例中，第一閾值電壓Vt 1、第二閾值電壓Vt2與第四閾值電壓Vt4具有相同的極性，例如皆為正電壓。第三閾值電壓Vt3可具有相反的極性,例如負(fù)電壓。于實(shí)施例中,第一閾值電壓Vtl的絕對(duì)值大于第二閾值電壓Vt2的絕對(duì)值。這里所指的閾值電壓可以第二電極層106相對(duì)于第一電極層104作討論。
[0021]請(qǐng)參照?qǐng)D1，于一實(shí)施例中，存儲(chǔ)裝置102為雙端電極的存儲(chǔ)裝置，例如導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Conductive Bridging RAM ;CBRAM)。實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置102可應(yīng)用混合型離子電子導(dǎo)體(Mixed-1onic-electronic-conduction ;MIEC)、雙向定限交換(OvonicThreshold Switch, 0TS)材料等等。
[0022]以下利用圖1至圖3說明存儲(chǔ)裝置102的操作方法。這里所指的偏壓可以第二電極層106相對(duì)于第一電極層104作討論，舉例來說，當(dāng)?shù)谝浑姌O層104接地時(shí)，偏壓等于施加在第二電極層106的電壓。
[0023]存儲(chǔ)裝置102的操作方法包括使存儲(chǔ)裝置102處在設(shè)定狀態(tài)。
[0024]于實(shí)施例中，使存儲(chǔ)裝置102處在設(shè)定狀態(tài)的方法包括提供第一偏壓BVl至如圖1所示的存儲(chǔ)裝置102。第一偏壓BVl的絕對(duì)值是實(shí)質(zhì)上大于、等于用以使存儲(chǔ)裝置102處在設(shè)定狀態(tài)的第一閾值電壓Vtl的絕對(duì)值。如此，使得移動(dòng)金屬離子從第二電極層106移動(dòng)至第二固態(tài)電解質(zhì)層112與第一固態(tài)電解質(zhì)層110，而形成鄰接在第一電極層104與第二電極層106之間的導(dǎo)電橋114，如圖2所示，因此存儲(chǔ)裝置102具有電性導(dǎo)通的特性。
[0025]使存儲(chǔ)裝置102處在設(shè)定狀態(tài)的方法可包括在存儲(chǔ)裝置102具有導(dǎo)電特性之后，停止提供第一偏壓BVl至存儲(chǔ)裝置102，例如使第一偏壓BVl為零，或不施加任何電壓至第一電極層104與第二電極層106,以使導(dǎo)電橋114中的移動(dòng)金屬離子自發(fā)性地移出第二固態(tài)電解質(zhì)層112而斷裂，如圖3所示，斷裂的程度為第二固態(tài)電解質(zhì)層112中實(shí)質(zhì)上不存在移動(dòng)金屬離子，因此存儲(chǔ)裝置102具有電性阻斷的特性。移動(dòng)金屬離子自發(fā)性地移出第二固態(tài)電解質(zhì)層112是由于移動(dòng)金屬離子被第一固態(tài)電解質(zhì)層110與第二電極層106吸收所致，其中第一固態(tài)電解質(zhì)層110與第二電極層106對(duì)于移動(dòng)金屬離子的可溶性可大于第二固態(tài)電解質(zhì)層112對(duì)于移動(dòng)金屬離子的可溶性。
[0026]在使存儲(chǔ)裝置102處在設(shè)定狀態(tài)的步驟中，通過移動(dòng)金屬離子自發(fā)性地移出第二固態(tài)電解質(zhì)層112而使導(dǎo)電橋114斷裂(圖3)，斷裂的程度為第二固態(tài)電解質(zhì)層112中實(shí)質(zhì)上不存在移動(dòng)金屬離子，且使存儲(chǔ)裝置102具有電性阻斷的特性并不是非常快速，而是需要花費(fèi)特定的緩沖時(shí)間(relaxation time),這緩沖時(shí)間會(huì)影響存儲(chǔ)裝置102的效率,也可能導(dǎo)致存儲(chǔ)器陣列中未選擇的存儲(chǔ)裝置102在緩沖時(shí)間內(nèi)發(fā)生漏電流的問題。因此，在實(shí)施例中，在提供第一偏壓BVl以形成鄰接在第一電極層104與第二電極層106之間的導(dǎo)電橋114，且存儲(chǔ)裝置102具有電性導(dǎo)通的特性(如圖2所示)之后，是提供回復(fù)偏壓Vrl至存儲(chǔ)裝置102，以加速導(dǎo)電橋114從第二固態(tài)電解質(zhì)層112斷裂(如圖3)的效率。如此能提升存儲(chǔ)裝置102的設(shè)定效率，也能避免漏電流的問題。于一實(shí)施例中，回復(fù)偏壓Vrl的極性是相反于第一偏壓BVl的極性。舉例來說，第一偏壓BVl為正電壓，回復(fù)偏壓Vrl為負(fù)電壓。在實(shí)施例中，提供回復(fù)偏壓Vrl的步驟可在停止提供第一偏壓BVl的瞬間立即施行，或在停止提供第一偏壓BVl后一可接受的時(shí)間(小于緩沖時(shí)間)內(nèi)進(jìn)行。
[0027]于實(shí)施例中，在使在使存儲(chǔ)裝置102處在設(shè)定狀態(tài)之后，是讀取存儲(chǔ)裝置102的設(shè)定狀態(tài)。
[0028]讀取存儲(chǔ)裝置102的設(shè)定狀態(tài)的方法包括提供第二偏壓BV2至存儲(chǔ)裝置102，以使如圖3所示具有電性阻斷的特性的存儲(chǔ)裝置102，其斷裂的導(dǎo)電橋114與來自第二電極層106的移動(dòng)金屬離子堆積、連接成如圖2所示的鄰接在第一電極層104與第二電極層106之間的導(dǎo)電橋114，而變成具有電性導(dǎo)通的特性。于實(shí)施例中，第二偏壓BV2的絕對(duì)值是實(shí)質(zhì)上大于、等于用以讀取存儲(chǔ)裝置102的設(shè)定狀態(tài)的第二閾值電壓Vt2的絕對(duì)值。于一實(shí)施例中，第二偏壓BV2的極性是相同于第一偏壓BVl的極性,例如為正電壓。
[0029]讀取存儲(chǔ)裝置102的設(shè)定狀態(tài)的方法可包括在存儲(chǔ)裝置102具有導(dǎo)電特性之后，停止提供第二偏壓BV2至存儲(chǔ)裝置102，例如使第二偏壓BV2為零，或不施加任何電壓至第一電極層104與第二電極層106，以使圖2所示的導(dǎo)電橋114中的移動(dòng)金屬離子自發(fā)性地移出第二固態(tài)電解質(zhì)層112而斷裂，如圖3所示，斷裂的程度為第二固態(tài)電解質(zhì)層112中實(shí)質(zhì)上不存在移動(dòng)金屬離子，因此存儲(chǔ)裝置102具有電性阻斷的特性。移動(dòng)金屬離子自發(fā)性地移出第二固態(tài)電解質(zhì)層112是由于移動(dòng)金屬離子被第一固態(tài)電解質(zhì)層110與第二電極層106吸收所致，其中第一固態(tài)電解質(zhì)層110與第二電極層106對(duì)于移動(dòng)金屬離子的可溶性可大于第二固態(tài)電解質(zhì)層112對(duì)于移動(dòng)金屬離子的可溶性。
[0030]在讀取存儲(chǔ)裝置102的設(shè)定狀態(tài)的步驟中，通過移動(dòng)金屬離子自發(fā)性地移出第二固態(tài)電解質(zhì)層112而使導(dǎo)電橋114斷裂(圖3)，斷裂的程度為第二固態(tài)電解質(zhì)層112中實(shí)質(zhì)上不存在移動(dòng)金屬離子，且使存儲(chǔ)裝置102具有電性阻斷的特性并不是非常快速，而是需要花費(fèi)特定的緩沖時(shí)間(relaxation time),這緩沖時(shí)間會(huì)影響存儲(chǔ)裝置102的讀取效率、讀取準(zhǔn)確度與讀取總量(read through-put),也可能導(dǎo)致存儲(chǔ)器陣列中未選擇的存儲(chǔ)裝置102在緩沖時(shí)間內(nèi)發(fā)生漏電流的問題。因此，在實(shí)施例中，在提供第二偏壓BV2以形成鄰接在第一電極層104與第二電極層106之間的導(dǎo)電橋114，且存儲(chǔ)裝置102具有電性導(dǎo)通的特性(如圖2所示)之后，是提供回復(fù)偏壓Vr2至存儲(chǔ)裝置102，以加速導(dǎo)電橋114從第二固態(tài)電解質(zhì)層112斷裂(如圖3)的效率。如此能提升存儲(chǔ)裝置102的讀取效率、讀取準(zhǔn)確度與讀取總量，也能避免漏電流的問題。于一實(shí)施例中，回復(fù)偏壓Vr2的極性是相反于第二偏壓BV2的極性。舉例來說，第二偏壓BV2為正電壓，回復(fù)偏壓Vr2為負(fù)電壓。在實(shí)施例中，提供回復(fù)偏壓Vr2的步驟可在停止提供第二偏壓BV2的瞬間立即施行，或在停止提供第二偏壓BV2后一可接受的時(shí)間(小于緩沖時(shí)間)內(nèi)進(jìn)行。
[0031]于實(shí)施例中，在讀取存儲(chǔ)裝置102的設(shè)定狀態(tài)之后，是使存儲(chǔ)裝置102處在復(fù)位狀態(tài)。
[0032]使存儲(chǔ)裝置102處在復(fù)位狀態(tài)的方法包括提供第三偏壓BV3至存儲(chǔ)裝置102，以使固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)108中的移動(dòng)金屬離子實(shí)質(zhì)上全部被吸引回第二電極層106中，而回復(fù)存儲(chǔ)裝置102成如圖1所示的情況。于實(shí)施例中，第三偏壓BV3的極性是相反于第一偏壓BVl的極性與第二偏壓BV2的極性。舉例來說，第三偏壓BV3是負(fù)電壓。第三偏壓BV3的絕對(duì)值是實(shí)質(zhì)上大于、等于存儲(chǔ)裝置102的第三閾值電壓Vt3的絕對(duì)值。于實(shí)施例中，回復(fù)偏壓Vrl、Vr2的極性相同于第三偏壓BV3的極性?；貜?fù)偏壓Vrl、Vr2的絕對(duì)值小于第三偏壓BV3的絕對(duì)值。
[0033]于實(shí)施例中，在使在使存儲(chǔ)裝置102處在復(fù)位狀態(tài)之后，是讀取存儲(chǔ)裝置102的復(fù)位狀態(tài)。
[0034]讀取存儲(chǔ)裝置102的復(fù)位狀態(tài)的方法可包括提供第四偏壓BV4至存儲(chǔ)裝置102，以使如圖1所示具有電性阻斷的特性的存儲(chǔ)裝置102，從第二電極層106中移出移動(dòng)金屬離子至固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)108中，而形成如圖2所示的鄰接在第一電極層104與第二電極層106之間的導(dǎo)電橋114，轉(zhuǎn)而變成具有電性導(dǎo)通的特性。于實(shí)施例中，第四偏壓BV4的極性是相反于第三偏壓BV3的極性。舉例來說，第四偏壓BV4為正電壓。第四偏壓BV4的絕對(duì)值是實(shí)質(zhì)上大于、等于存儲(chǔ)裝置102的第四閾值電壓Vt4的絕對(duì)值。在一些實(shí)施例中，讀取存儲(chǔ)裝置102的復(fù)位狀態(tài)的方法可包括在存儲(chǔ)裝置102具有導(dǎo)電特性之后，停止提供第四偏壓BV4至存儲(chǔ)裝置102。
[0035]實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置102的操作方法可應(yīng)用在各種雙端電極的存儲(chǔ)裝置，例如導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Conductive Bridging RAM ;CBRAM)、混合型離子電子導(dǎo)體(Mixed_ionic-electronic-conduction ;MIEC)、雙向定限交換(Ovonic Threshold Switch, 0TS)材
料等等。
[0036]圖4繪示根據(jù)一實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列。存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元216。存儲(chǔ)單元216各包括第一導(dǎo)線218、第二導(dǎo)線220與存儲(chǔ)裝置202。存儲(chǔ)裝置202可類似圖1所示的存儲(chǔ)裝置102。于一實(shí)施例中，存儲(chǔ)裝置202為雙端電極的存儲(chǔ)裝置，例如CBRAM。存儲(chǔ)裝置202的第一電極層204被電性連接至第一導(dǎo)線218。存儲(chǔ)裝置202的第二電極層206電性連接至第二導(dǎo)線220。第一導(dǎo)線218可為字線與位線其中之一。第二導(dǎo)線220可為字線與位線其中之另一。
[0037]請(qǐng)參照?qǐng)D4，存儲(chǔ)器陣列的操作方法利用第一導(dǎo)線218與第二導(dǎo)線220施加偏壓至存儲(chǔ)裝置202，以進(jìn)行如圖1至圖3說明的設(shè)定、復(fù)位、讀取、施加回復(fù)偏壓等等的步驟，并感測(cè)讀取的存儲(chǔ)裝置202，同時(shí)避免漏電流的問題發(fā)生在未選擇的存儲(chǔ)裝置202中。
[0038]請(qǐng)參照?qǐng)D4，在一實(shí)施例中，第一導(dǎo)線218與第二導(dǎo)線220之間只有電性連接存儲(chǔ)裝置202,因此能實(shí)現(xiàn)純的單一個(gè)電阻交叉陣列(pure IR cross-point array),并不需要使用額外的驅(qū)動(dòng)、存取裝置。因此，存儲(chǔ)器陣列可具有高的元件密度與低的制造成本。
[0039]圖5為一實(shí)施例中存儲(chǔ)裝置的電性圖，其中在第一次正的讀取偏壓(1st read)與第二次正的讀取偏壓(2st read)之間有施加負(fù)的回復(fù)偏壓。從圖5可發(fā)現(xiàn)，即使兩次讀取偏壓施加時(shí)間的間隔很短，存儲(chǔ)裝置在施加第二次讀取偏壓仍具有臨界切換(thresholdswitching)的特性。
[0040]圖6為一比較例中存儲(chǔ)裝置的電性圖，其中在第一次正的讀取偏壓(1st read)與第二次正的讀取偏壓(2st read)之間并沒有施加負(fù)的回復(fù)偏壓。從圖6可發(fā)現(xiàn)，即使兩次讀取偏壓施加時(shí)間的間隔很長(zhǎng)，存儲(chǔ)裝置在施加第二次讀取偏壓仍不具有臨界切換(threshold switching)的特性。
[0041]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲(chǔ)裝置的操作方法，包括: 使一存儲(chǔ)裝置處在設(shè)定狀態(tài)，方法包括提供一第一偏壓至該存儲(chǔ)裝置； 讀取該存儲(chǔ)裝置的設(shè)定狀態(tài)，方法包括提供一第二偏壓至該存儲(chǔ)裝置；以及提供一回復(fù)偏壓至該存儲(chǔ)裝置，其中提供該回復(fù)偏壓的步驟是在提供該第一偏壓的步驟或提供該第二偏壓的步驟之后進(jìn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其中提供該回復(fù)偏壓的步驟是在提供該第一偏壓的步驟與提供該第二偏壓的步驟之間進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其中提供該回復(fù)偏壓的步驟是在提供該第一偏壓的步驟與提供該第二偏壓的步驟之后進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其中該回復(fù)偏壓的極性是相反于該第一偏壓的極性與該第二偏壓的極性。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其中該第一偏壓大于、等于用以使該存儲(chǔ)裝置處在設(shè)定狀態(tài)的一第一閾值電壓，該第二偏壓大于、等于用以讀取該存儲(chǔ)裝置的設(shè)定狀態(tài)的一第二閾值電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其中該存儲(chǔ)裝置具有一第一閾值電壓與一第二閾值電壓，該第一閾值電壓與該第二閾值電壓具有相同的極性，該第一閾值電壓的絕對(duì)值不同于該第二閾值電壓的絕對(duì)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其中該第一閾值電壓為使該存儲(chǔ)裝置處在設(shè)定狀態(tài)的閾值電壓，該第二閾值電壓為讀取該存儲(chǔ)裝置的設(shè)定狀態(tài)的閾值電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)裝置的操作方法，其中該第一閾值電壓的絕對(duì)值大于該第二閾值電壓的絕對(duì)值。
9.一種存儲(chǔ)器陣列的操作方法，包括: 使電性連接在一字線與一位線之間的一雙端電極的存儲(chǔ)裝置處在設(shè)定狀態(tài)，方法包括通過該字線與該位線提供一第一偏壓至該雙端電極的存儲(chǔ)裝置； 讀取該雙端電極的存儲(chǔ)裝置的設(shè)定狀態(tài)，方法包括通過該字線與該位線提供一第二偏壓至該雙端電極的存儲(chǔ)裝置；以及 通過該字線與該位線提供一回復(fù)偏壓至該雙端電極的存儲(chǔ)裝置，其中提供該回復(fù)偏壓的步驟是在提供該第一偏壓的步驟或提供該第二偏壓的步驟之后進(jìn)行。
10.一種存儲(chǔ)器陣列,包括多個(gè)存儲(chǔ)單元,其中該多個(gè)存儲(chǔ)單元各包括: 一第一導(dǎo)線； 一第二導(dǎo)線；以及 一存儲(chǔ)裝置，包括: 一第一電極層，電性連接至該第一導(dǎo)線； 一第二電極層，電性連接至該第二導(dǎo)線；以及 一固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)，鄰接在該第一電極層與該第二電極層之間，其中該第二電極層為移動(dòng)金屬離子的來源，該多個(gè)移動(dòng)金屬離子可移動(dòng)至該固態(tài)電解質(zhì)結(jié)構(gòu)中。
【文檔編號(hào)】G11C11/56GK103578532SQ201210271871
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月1日
【發(fā)明者】李峰旻, 林昱佑, 李明修 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司