專利名稱：：一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)。具體地，本發(fā)明涉及具有無機(jī)記錄層的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法。
背景技術(shù)：
：至今，⑶(光盤)、DVD(數(shù)字通用光盤)等已經(jīng)引領(lǐng)光學(xué)記錄介質(zhì)的市場。然而，近年來，隨著高清電視的實(shí)現(xiàn)和通過PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))處理的數(shù)據(jù)量的快速增加，期望光學(xué)記錄介質(zhì)具有更大容量。為了滿足這種需求，已經(jīng)出現(xiàn)了諸如BD(BlU-ray光盤(注冊(cè)商標(biāo)))和HD-DVD(高清晰度數(shù)字通用光盤)的對(duì)應(yīng)于藍(lán)色激光的光學(xué)記錄介質(zhì)，并且已經(jīng)建立了具有大容量的光學(xué)記錄介質(zhì)的新市場。可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)包括以⑶-RW(可重寫光盤)和DVDiRW(數(shù)字通用光盤土可重寫，DigitalVersatileDisc土Rewritable)為代表的可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)，以及以⑶-R(可記錄光盤)和DVD-R(可記錄數(shù)字通用光盤)為代表的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)。特別地，后者光學(xué)記錄介質(zhì)已經(jīng)對(duì)低價(jià)介質(zhì)的市場擴(kuò)大的做出了很大的貢獻(xiàn)。因此，在對(duì)應(yīng)于藍(lán)色激光的大容量光學(xué)記錄介質(zhì)中，為了擴(kuò)大市場，認(rèn)為有必要降低一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的價(jià)格。在一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)中，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，無機(jī)材料和有機(jī)材料都被允許作為記錄材料。包括有機(jī)材料的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的優(yōu)勢(shì)在于可以以低成本通過旋涂方法來進(jìn)行生產(chǎn)。另一方面，包括無機(jī)材料的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的優(yōu)勢(shì)在于其具有很好的再生穩(wěn)定性和推挽(push-pull)信號(hào)特性，但其劣勢(shì)在于需要大的濺射裝置。因此，為了使得包括無機(jī)材料的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)在價(jià)格方面可以與包括有機(jī)材料的光學(xué)記錄介質(zhì)相競爭，有必要減少用于生產(chǎn)裝置的初始投資并且提高每張光盤的節(jié)拍(takt)以有效地生產(chǎn)記錄介質(zhì)。用于解決以上問題的最有效的方法的實(shí)例是減少組成記錄膜的層數(shù)以減少膜沉積室的數(shù)量，因此，減少了用于濺射裝置的初始投資并且減少了生產(chǎn)節(jié)拍(productiontakt)。然而，即使僅減少了層數(shù)，當(dāng)膜厚度大并且使用了膜沉積率低的材料時(shí)，生產(chǎn)節(jié)拍也增大，這實(shí)際上可以導(dǎo)致成本增加。至今，作為包括無機(jī)材料的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的保護(hù)層的材料，主要使用了諸如SiN和ZnS-SiO2的透明介電材料(例如參見日本未審查專利申請(qǐng)公開第2003-59106號(hào))。盡管SiN和ZnS-SiO2具有膜沉積率高因此生產(chǎn)率良好的優(yōu)勢(shì)，但是它們卻存在記錄數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)特性(存儲(chǔ)可靠性)差的問題。在除上述材料以外的介電材料中，存在具有高存儲(chǔ)可靠性的介電材料。然而，需要通過射頻(RF)濺射來沉積這些材料，從而，存在膜沉積率非常低并且生產(chǎn)率低的問題。因此，很難同時(shí)確保存儲(chǔ)可靠性和生產(chǎn)率。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有良好存儲(chǔ)可靠性和生產(chǎn)率的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法。作為為了解決以上問題的深入研究的結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過使用包含氧化銦和氧化錫作為主要成分的材料來作為保護(hù)層的材料，可以實(shí)現(xiàn)高存儲(chǔ)可靠性并且可以獲得高的生產(chǎn)率，并且本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)對(duì)其進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)性地驗(yàn)證，從而得到了本發(fā)明。為了解決以上問題，本申請(qǐng)的第一發(fā)明為一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，包括無機(jī)記錄層；以及保護(hù)層，包含氧化銦和氧化錫作為主要成分，該保護(hù)層被設(shè)置在無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上。本申請(qǐng)的第二發(fā)明為一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，至少包括第一記錄層和第二記錄層，其中，第二記錄層包括無機(jī)記錄層，以及保護(hù)層，包含氧化銦和氧化錫作為主要成分，該保護(hù)層被設(shè)置在無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上，并且將信息信號(hào)記錄至第一記錄層和/或從第一記錄層再生信息信號(hào)通過利用激光束經(jīng)由第二記錄層照射第一記錄層來執(zhí)行。本申請(qǐng)的第三發(fā)明為一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法，包括形成無機(jī)記錄層的步驟；以及形成包含氧化銦和氧化錫作為主要成分的保護(hù)層的步驟，其中，將保護(hù)層設(shè)置在無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上。在本申請(qǐng)的發(fā)明中，由于將包含氧化銦和氧化錫作為主要成分的保護(hù)層設(shè)置在無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上，所以可以獲得良好的存儲(chǔ)可靠性。此外，包含氧化銦和氧化錫作為主要成分的材料具有高導(dǎo)電性，因此，可以通過直流(DC)濺射方法來執(zhí)行膜沉積并且膜沉積率高。因此，可以改善生產(chǎn)率。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以同時(shí)滿足存儲(chǔ)可靠性和高生產(chǎn)率這兩者。圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造實(shí)例的示意性截面圖。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造實(shí)例的示意性截面圖。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造實(shí)例的示意性截面圖。圖4是示出了實(shí)施例I和2和比較例I至3的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)可靠性的示圖。圖5是示出了實(shí)施例3-1至3-11的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的抖動(dòng)特性(jittercharacteristic)的不圖。圖6是示出了實(shí)施例3-1至3-11的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄靈敏度的示圖。圖7是示出了實(shí)施例4-1至4-10的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄功率余量(recordingpowermargin)的不圖。圖8是示出了實(shí)施例5的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的抖動(dòng)特性的示圖。圖9是示出了在測(cè)試?yán)齀和2的膜沉積方法中的膜沉積率的示圖。圖10是示出了實(shí)施例6的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄特性的示圖。圖11是示出了實(shí)施例7的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄特性的示圖。圖12是示出了實(shí)施例3-1至3-11的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄功率余量的示圖。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。(I)第一實(shí)施方式(1-1)一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造圖I為示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造實(shí)例的示意性截面圖。該一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10具有這樣一種構(gòu)造，在該構(gòu)造中反射層2、第一保護(hù)層3、無機(jī)記錄層4、第二保護(hù)層5、以及光透射層6順序?qū)訅涸诨錓上。在根據(jù)第一實(shí)施方式的該一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10中，通過利用激光束從光透射層6側(cè)照射無機(jī)記錄層4，執(zhí)行信息信號(hào)的記錄或者再生。例如，通過利用數(shù)值孔徑在0.84以上且O.86以下的范圍內(nèi)的物鏡會(huì)聚波長在400nm以上且410nm以下的范圍內(nèi)的激光束，并從光透射層6側(cè)照射無機(jī)記錄層4，執(zhí)行信息信號(hào)的記錄或者再生。這種一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10的實(shí)例為BD-R。將以如下順序描述組成一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10的基板I、反射層2、第一保護(hù)層3、無機(jī)記錄層4、第二保護(hù)層5以及光透射層6。(基板)例如，基板I為中央設(shè)置有開口(下文中，稱作“中心孔”)的環(huán)形。例如，該基板I的主表面構(gòu)成凸出和凹進(jìn)表面la，無機(jī)記錄層4沉積在該凸出和凹進(jìn)表面Ia上。下文中，在凸出和凹進(jìn)表面Ia上，凹部被稱作“內(nèi)槽(in-gr00Ve)Gin”并且將凸部被稱作“上槽(on-groove)Gon，，。內(nèi)槽Gin和上槽Gon的形狀的實(shí)例包括諸如螺旋形或者同心圓形的各種形狀。此夕卜，例如，為了增加地址信息，使內(nèi)槽Gin和/或上槽Gon波動(dòng)(蜿蜒)。例如，基板I的直徑選擇為120mm?？紤]到剛性來選擇基板I的厚度，并且優(yōu)選地，將該厚度選擇在0.3mm至I.3mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地,在0.6mm至I.3mm的范圍內(nèi)，例如，1.1mm。此夕卜,例如，中心孔的直徑可以選擇為15mm。作為基板I的材料，例如，可以使用塑料材料或者玻璃。從成本的立場考慮，優(yōu)選地，使用塑料材料。作為塑料材料，例如，可以使用聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂坐寸ο(反射層)作為反射層2的材料，可以根據(jù)對(duì)于反射層2所期望的特性來隨意選擇和使用通常可以用在傳統(tǒng)的已知光盤中的金屬或半金屬等，例如Ag合金、Al合金等。此外，作為反射層2的材料，期望使用除具有光反射能力以外還具有熱沉(熱耗散)能力的材料。在這種情況下，作為熱耗散層的功能還可以設(shè)置至反射層2。(第一保護(hù)層和第二保護(hù)層)第一保護(hù)層3和第二保護(hù)層5是用來在記錄/再生期間保護(hù)無機(jī)記錄層4并且控制光學(xué)特性和熱特性的層。第一保護(hù)層3和第二保護(hù)層5的至少一層包括銦和錫的氧化物(氧化銦錫，下文中稱作“ΙΤ0”)作為主要成分。該構(gòu)造可以同時(shí)滿足存儲(chǔ)可靠性和高生產(chǎn)率。特別地，第一保護(hù)層3和第二保護(hù)層5兩者優(yōu)選包含ITO作為主要成分。這是因?yàn)榭梢赃M(jìn)一步改善存儲(chǔ)可靠性。作為除ITO以外的材料，可以使用通常用在傳統(tǒng)的已知光盤中使用的介電材料，諸如SiN、ZnS-SiO2以及Ta205。為了獲得適當(dāng)?shù)姆瓷渎?，第一保護(hù)層3的厚度優(yōu)選為IOnm至40nm,并且更優(yōu)選為20nm至30nm。從提高記錄功率余量的立場考慮，第二保護(hù)層5的厚度優(yōu)選為Ilnm至34nm,并且更優(yōu)選為16nm至30nm。(無機(jī)記錄層)無機(jī)記錄層4為一次寫入無機(jī)記錄層。例如，該無機(jī)記錄層4包含例如ZnS、SiO2以及Sb作為主要成分，根據(jù)需要進(jìn)一步包含選自由Zn、Ga、Te、V、Si、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所組成的組中的至少一種元素，并且優(yōu)選地，具有由下式(I)所表示的組成[(ZnS)x(SiO2)Jy(SbzX1J"...(I)其中，O<X彡I.0,0.3^y^O.7以及O.8<z彡I.0，并且X為選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所組成的組中的至少一種元素。此外，優(yōu)選地，從獲得適當(dāng)?shù)挠涗浐驮偕匦缘牧隹紤]，無機(jī)記錄層4的厚度優(yōu)選為3nm至40nm。在包含ZnS、SiO2以及Sb作為主要成分的無機(jī)記錄層4中，在記錄以前，ZnS、SiO2以及Sb為非晶態(tài)。當(dāng)通過激光束照射在這種狀態(tài)下的無機(jī)記錄層4時(shí)，在無機(jī)記錄層4的中心部中形成了Sb晶體而其他原子集中在界面附近。因此，改變了光學(xué)常數(shù)(η:折射率，k:消光系數(shù))以記錄信息信號(hào)。將在中心部中如此形成Sb晶體的狀態(tài)下的無機(jī)記錄層4回復(fù)至記錄以前的非晶態(tài)是困難的。因此，上述無機(jī)記錄層被用作一次寫入無機(jī)記錄層。以這種方式，當(dāng)無機(jī)記錄層4包含ZnS、SiO2以及Sb作為主要成分并且優(yōu)選具有由上述式(I)表示的組成時(shí)，記錄的信息被長時(shí)間以初始狀態(tài)而穩(wěn)定地存儲(chǔ)，在信號(hào)再生期間信號(hào)不會(huì)被用于再生的激光束削弱，在一般的長期存儲(chǔ)中無機(jī)記錄層4的質(zhì)量不會(huì)改變，從而保持了寫入特性，并且可以獲得對(duì)于用于記錄和/或再生的激光束的充分的靈敏度和反應(yīng)速率。因此，在寬的線性速率和記錄功率范圍內(nèi)可以獲得合適的記錄和再生特性。無機(jī)記錄層4的材料并不限于上述材料。還可以使用通常用在在傳統(tǒng)已知的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)中的無機(jī)記錄材料。例如，作為無機(jī)記錄層4，可以使用包含Te、Pd以及0(氧)作為主要成分的相變型無機(jī)記錄層，并且例如，這種無機(jī)記錄層具有以下述式(2)表示的組成(TexPd1JyO1^y-(2)其中，O.7彡X彡O.9和O.3彡y彡O.7。可選地，作為無機(jī)記錄層4，例如，還可以使用在其中層壓了硅(Si)膜和銅(Cu)合金膜的合金型無機(jī)記錄層，或者包含Ge、Bi以及N作為主要成分的無機(jī)記錄層。(光透射層)例如，光透射層6包括環(huán)形的光透射片和用于將該光透射片結(jié)合至基板I的粘合層。優(yōu)選地，光透射片由對(duì)用在記錄和/或再生中的激光束具有低吸收率的材料構(gòu)成，并且具體地，優(yōu)選由透射率為90%以上的材料構(gòu)成。光透射片的材料的實(shí)例包括聚碳酸酯樹脂材料和聚烯烴基樹脂(例如，ZEONEX(注冊(cè)商標(biāo)))。光透射片的厚度優(yōu)選地選擇為0.3mm以下，并且更優(yōu)選地，從3μm至177μm的范圍內(nèi)選擇。粘合層例如由紫外線固化樹脂或者壓敏粘合劑(PSA)構(gòu)成?？蛇x地，光透射層6可以由通過固化諸如UV樹脂的光敏樹脂所形成的樹脂覆蓋物構(gòu)成。樹脂覆蓋物的材料的實(shí)例為紫外線固化丙烯酸樹脂。光透射層6的厚度優(yōu)選從ΙΟμπι至177μm的范圍中選擇，并且例如，被選擇為100μm。通過將這種薄的光透射層6與具有例如約O.85的高NA(數(shù)值孔徑)的物鏡結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)高密度記錄。(1-2)一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法的實(shí)例。(形成基板的步驟)首先，形成其主表面具有凸出和凹進(jìn)表面Ia的基板I。作為形成基板I的方法，例如，可以采用注射成型(注射)方法、光敏聚合物方法(2P方法光聚合)等。(沉積反射層的步驟)接下來，將基板I轉(zhuǎn)移至設(shè)置有包含例如Ag合金或者Al合金作為主要成分的靶材的真空室中,對(duì)真空室進(jìn)行抽氣直到真空室中的壓力達(dá)到預(yù)定值。隨后,濺射靶材并同時(shí)將諸如Ar氣的處理氣體引入真空室內(nèi)以在基板I上沉積反射層2。(沉積第一保護(hù)層的步驟)接下來，將基板I轉(zhuǎn)移至設(shè)置有包含例如ITO作為主要成分的靶材的真空室中，并且對(duì)真空室進(jìn)行抽氣直到真空室中的壓力達(dá)到預(yù)定值。隨后,濺射靶材并同時(shí)將諸如Ar氣或者O2的處理氣體引入真空室內(nèi)以在反射層2上沉積第一保護(hù)層3。作為濺射方法，例如，可以采用射頻(RF)濺射方法或者直流(DC)濺射方法，但是直流濺射方法是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)橛捎谥绷鳛R射方法的膜沉積率高于射頻濺射方法的膜沉積率，從而可以改善生產(chǎn)率。(沉積無機(jī)記錄層的步驟)接下來，將基板I轉(zhuǎn)移至設(shè)置有包含例如ZnS、SiO2以及Sb作為主要成分的靶材的真空室中，并且對(duì)真空室進(jìn)行抽氣直到真空室中的壓力達(dá)到預(yù)定值。隨后，濺射靶材并同時(shí)將諸如Ar氣的處理氣體引入真空室內(nèi)以在第一保護(hù)層3上沉積無機(jī)記錄層4。(沉積第二保護(hù)層的步驟)接下來，將基板I轉(zhuǎn)移至設(shè)置有包含例如ITO作為主要成分的靶材的真空室中，并且對(duì)真空室進(jìn)行抽氣直到真空室中的壓力達(dá)到預(yù)定值。隨后,濺射靶材并同時(shí)將諸如Ar氣或者O2的處理氣體引入真空室內(nèi)以在無機(jī)記錄層4上沉積第二保護(hù)層5。作為濺射方法，例如，可以采用射頻(RF)濺射方法或者直流(DC)濺射方法，但是直流濺射方法是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)橛捎谥绷鳛R射方法的膜沉積率高于射頻濺射方法的膜沉積率，從而可以改善生產(chǎn)率。(形成光透射層的步驟)接下來，在第二保護(hù)層5上形成光透射層6。作為形成光透射層6的方法，例如，可以采用樹脂涂覆方法或者片結(jié)合方法，其中，在樹脂涂覆方法中，在第二保護(hù)層5上旋涂諸如UV樹脂的光敏樹脂，并且用諸如UV光的光照射光敏樹脂以形成光透射層6，而在片粘結(jié)方法中，通過使用粘合劑將光透射片結(jié)合在基板I的凸出和凹進(jìn)表面Ia側(cè)上來形成光透射層6。此外，作為這種片結(jié)合方法，例如，可以采用片樹脂結(jié)合方法或者片-PSA結(jié)合方法，其中，在片樹脂結(jié)合方法中，通過使用涂覆在第二保護(hù)層5上的光敏樹脂(諸如UV樹脂)將光透射片結(jié)合在基板I的凸出和凹進(jìn)表面Ia側(cè)上來形成光透射層6,而在片-PSA粘結(jié)方法中，通過使用已經(jīng)預(yù)先均勻地涂覆在光透射片的主表面上的壓敏粘合劑(PSA)而將光透射片結(jié)合在基板I的凸出和凹進(jìn)表面Ia側(cè)上來形成光透射層6。通過上述步驟，獲得了圖I中所示的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，由于第一保護(hù)層3和第二保護(hù)層5設(shè)置在無機(jī)記錄層4的表面上，并且第一保護(hù)層3和第二保護(hù)層5中的至少一層包含ITO作為主要成分，所以可以獲得高存儲(chǔ)可靠性。此外，通過使用ITO作為保護(hù)層，可以以高的膜沉積率沉積保護(hù)層。因此，可以增加可在一個(gè)室中沉積的保護(hù)膜的厚度。結(jié)果，可以減少室的數(shù)量，同時(shí)維持熱設(shè)計(jì)的自由度。因此，可以明顯減少用于生產(chǎn)裝置的初始投資，此外，通過在生產(chǎn)期間減小節(jié)拍的效果，即使對(duì)于無機(jī)介質(zhì)也可以實(shí)現(xiàn)價(jià)格降低。此外，還可以確保足夠的記錄功率余量以用于諸如6倍速的高速記錄。此外，由于一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10通過在基板I上順序?qū)訅悍瓷鋵?、第一保護(hù)層3、無機(jī)記錄層4以及第二保護(hù)層5而形成，所以可以使用具有四個(gè)室的膜沉積裝置來制造具有高生產(chǎn)率和存儲(chǔ)可靠性的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10。(2)第二實(shí)施方式圖2為示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造實(shí)例的示意性截面圖。應(yīng)注意，用相同的參考標(biāo)號(hào)表示與根據(jù)第一實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)相同的部件，并且將省略這些部件的描述。如圖2所示，根據(jù)第二實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10與根據(jù)第一實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10的不同之處在于，在第一保護(hù)層3和無機(jī)記錄層4之間進(jìn)一步設(shè)置了熱積累層7。熱積累層7包含例如ZnS-SiO2等作為主要成分的介電材料。從改善記錄功率余量的立場考慮，第二保護(hù)膜5的厚度d優(yōu)選為Ilnm至34nm,并且更優(yōu)選為16nm至30nm。當(dāng)?shù)谝槐Ｗo(hù)膜3的厚度由dl來表示，而熱積累層7的厚度由d2來表示時(shí)，這些厚度dl和d2優(yōu)選滿足關(guān)系O.07(d2/(dl+d2)^1.0o通過滿足該關(guān)系，可以改善記錄靈敏度。作為熱積累層7的膜沉積方法，例如，可以采用濺射方法。熱積累層7具有低于第一保護(hù)層3的熱傳導(dǎo)率。因此，熱積累層7用作將在記錄期間所生成的熱保持在無機(jī)記錄層4中的熱積累層。因此，通過在第一保護(hù)層3和無機(jī)記錄層4之間設(shè)置熱積累層7，可以有效地使用熱并且可以實(shí)現(xiàn)一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10的高記錄靈敏度。此外，通過將熱暫時(shí)地積累在無機(jī)記錄層4中，然后將熱從無機(jī)記錄層4的內(nèi)部散熱至具有高熱傳導(dǎo)率的第一保護(hù)層3和反射層2，可以形成清晰的標(biāo)志邊緣以獲得低抖動(dòng)和寬的功率余量。然而，如果熱積累層7太厚，且dl/(dl+d2)>0.95(其中，dl表示第一保護(hù)層的厚度，d2表示熱積累層的厚度)，則熱在無機(jī)記錄層4中過多地積累，并且因此，標(biāo)志邊緣沒有被對(duì)準(zhǔn)并且功率余量趨于降低。因此，優(yōu)選地，滿足d2/(dl+d2)<0.95。應(yīng)注意，熱積累層的位置并不限于設(shè)置在第一保護(hù)層3和無機(jī)記錄層4之間。例如，熱積累層可以設(shè)置在無機(jī)記錄層4和第二保護(hù)層5之間?？蛇x地，熱積累層可以設(shè)置在第一保護(hù)層3和無機(jī)記錄層4之間以及在無機(jī)記錄層4和第二保護(hù)層5之間這兩處。在該第二實(shí)施方式中，由于在第一保護(hù)層3和無機(jī)記錄層4之間進(jìn)一步設(shè)置了熱積累層7，所以與第一實(shí)施方式相比較，可以改善記錄靈敏度。此外，由于一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10通過在基板I上順序?qū)訅悍瓷鋵?、第一保護(hù)層3、熱積累層7、無機(jī)記錄層4以及第二保護(hù)層5而形成，所以可以使用具有五個(gè)室的膜沉積裝置來制造具有高生產(chǎn)率和存儲(chǔ)可靠性的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)。(3)第三實(shí)施方式(3-1)一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造實(shí)例的示意性截面圖。應(yīng)注意，以相同的參考標(biāo)號(hào)表示與根據(jù)第一實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)相同的部件，并且將省略這些部件的描述。如圖3所示，該一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10具有這樣一種構(gòu)造，在該構(gòu)造中，第一記錄層(L0層)L0、中間層(interlayer)8、第二記錄層(LI層)LI以及光透射層6順序?qū)訅涸诨錓上。第一記錄層LO為這樣一種構(gòu)造，在該構(gòu)造中，反射層2、第一保護(hù)層3、無機(jī)記錄層4以及第二保護(hù)層5順序?qū)訅涸诨錓上。第二記錄層LI為這樣一種構(gòu)造，在該構(gòu)造中，第一保護(hù)層11、無機(jī)記錄層12以及第二保護(hù)層13順序?qū)訅涸谥虚g層8上。第一保護(hù)層11、無機(jī)記錄層12以及第二保護(hù)層13分別與在上述第一實(shí)施方式中的第一保護(hù)層3、無機(jī)記錄層4以及第二保護(hù)層5相同，因此，將省略它們的描述。中間層8設(shè)置在第一信息記錄層5上,并且其厚度例如選擇為25μm。中間層8由具有透明性的樹脂材料組成。作為這種材料，可以使用例如聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂等塑料材料。中間層8的在光透射層6側(cè)的表面構(gòu)成了包括與基板I中一樣的內(nèi)槽Gin和上槽Gon的凸出和凹進(jìn)表面la。第二記錄層LI沉積在該凸出和凹進(jìn)表面Ia上。下文中，與在基板I中一樣，在凸出和凹進(jìn)表面Ia中，將凹部稱作“內(nèi)槽Gin”而將凸部稱作“上槽Gon”。凹進(jìn)的內(nèi)槽Gin和凸出的上槽Gon的形狀的實(shí)例包括諸如螺旋形和同心圓形的各種形狀。此外，例如，為了增加地址信息，使內(nèi)槽Gin和/或上槽Gon波動(dòng)(蜿蜒)。此外，在第二記錄層LI中，優(yōu)選地，將熱積累層設(shè)置在第一保護(hù)層11和無機(jī)記錄層12之間和在無機(jī)記錄層12和第二保護(hù)層13之間的至少一處。這是因?yàn)榭梢愿纳频诙涗泴覮I的記錄靈敏度。該熱積累層包含例如ZnS-SiO2等介電材料作為主要成分。(3-2)一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法的實(shí)例。首先，與在第一實(shí)施方式中一樣，通過在基板I上順序?qū)訅悍瓷鋵?、第一保護(hù)層3、無機(jī)記錄層4以及第二保護(hù)層5來形成第一記錄層L0。接下來，例如，通過旋涂方法將紫外線固化樹脂均勻地涂覆到第一記錄層LO上。隨后，將壓模(stamper)的凸出和凹進(jìn)圖案壓制在已經(jīng)均勻地涂覆在基板I上的紫外線固化樹脂上，通過利用紫外光照射來固化紫外線固化樹脂，然后分離壓模。因此，壓模的凸出和凹進(jìn)圖案轉(zhuǎn)移至紫外線固化樹脂以形成設(shè)置有內(nèi)槽Gin和上槽Gon的中間層8。接下來，例如，通過濺射方法在中間層8上順序?qū)訅旱谝槐Ｗo(hù)層11、無機(jī)記錄層12以及第二保護(hù)層13。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式，同樣，在包括第一記錄層LO和第二記錄層LI的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)10中，可以同時(shí)滿足存儲(chǔ)可靠性和高生產(chǎn)率這兩者。此外，盡管沒有將用作熱耗散區(qū)域的半透射反射膜設(shè)置在第二記錄層LI中，也可以獲得高的再生耐久性。[實(shí)施例]下文中，將基于實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明，但是本發(fā)明并不僅限于這些實(shí)施例。在這些實(shí)施例中，將PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造的0DU-1000用于一次寫入記錄介質(zhì)上的信息信號(hào)的記錄和再生。在該評(píng)價(jià)設(shè)備中，激光束的波長為405nm，數(shù)值孔徑NA為O.85，并且通過根據(jù)藍(lán)光(Blu-ray)光盤25GB密度的標(biāo)準(zhǔn)、以作為4倍速的19.68m/s的線性速率，或者作為6倍速的29.52m/s的線性速率在一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄，并且以作為I倍速的4.92m/s進(jìn)行再生，來執(zhí)行信號(hào)評(píng)價(jià)。然而，在存儲(chǔ)可靠性的評(píng)價(jià)中，將PioneerCorporation制造的驅(qū)動(dòng)器(BDR-101A)用于在一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上的信息信號(hào)的記錄和再生。(實(shí)施例I)首先，通過注射成型來形成具有I.Imm厚度的聚碳酸酯基板。應(yīng)注意，在該聚碳酸酯基板上形成具有內(nèi)槽Gin和上槽Gon的凸出和凹進(jìn)表面。接下來，通過濺射方法在聚碳酸酯基板上順序?qū)訅悍瓷鋵?、第一保護(hù)層、熱積累層、無機(jī)記錄層以及第二保護(hù)層。這些層的每一層的具體構(gòu)造如下。反射層Ag合金，80nm第一保護(hù)層IT0,13nm熱積累層ZnS-SiO2,13nm無機(jī)記錄層[(ZnS)80(SiO2)20]40Sb60,20nm第二保護(hù)層IT0，20nm接下來，通過旋涂方法將紫外線固化樹脂均勻地涂覆到第二保護(hù)層上，并且通過利用紫外光照射來固化該紫外線固化樹脂，從而形成具有O.Imm厚度的光透射層。由此，獲得作為實(shí)施例I的產(chǎn)物的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)。(實(shí)施例2)實(shí)施例2的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)如同實(shí)施例I中那樣獲得，只是第一保護(hù)層由SiN形成而第二保護(hù)層由ITO形成。(比較例I)比較例I的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)如同實(shí)施例I中那樣獲得，只是第一保護(hù)層由SiN形成而第二保護(hù)層由Al2O3形成。(比較例2)比較例2的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)如同實(shí)施例I中那樣獲得，只是第一保護(hù)層由SiN形成而第二保護(hù)層由AlN形成。(比較例3)比較例3的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)如同實(shí)施例I中那樣獲得，只是第一保護(hù)層由SiN形成而第二保護(hù)層由SiN形成。(存儲(chǔ)可靠性的評(píng)價(jià))對(duì)如上所述獲得的實(shí)施例I和2以及比較例I至3的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)可靠性進(jìn)行評(píng)價(jià)如下。首先，用PioneerCorporation制造的驅(qū)動(dòng)器(BDR-101A)測(cè)量在2倍速記錄之后的出錯(cuò)率(errorrate)(符號(hào)出錯(cuò)率)。接下來，將一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)置于80°C和85%RH的恒溫室中以執(zhí)行加速度測(cè)試。接下來，從加速度測(cè)試開始的200小時(shí)、400小時(shí)以及600小時(shí)以后，執(zhí)行與以上所述相同的出錯(cuò)率測(cè)量。在圖4中示出了結(jié)果。圖4示出了如下情況。雖然不管保護(hù)層是什么材料，初始出錯(cuò)率都是良好的，但是存儲(chǔ)測(cè)試之后的出錯(cuò)率根據(jù)保護(hù)層的材料而顯著變化。即，在比較例I至3(其中，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層這兩者均由SiN、Al2O3以及AlN中的任何材料形成)中，加速度測(cè)試之后的出錯(cuò)率明顯惡化，而在實(shí)施例I和實(shí)施例2(其中，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層的至少一層由ITO形成)中，在加速度測(cè)試之后的出錯(cuò)率增加得以抑制。特別地，在實(shí)施例2(其中，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層這兩者均由ITO形成)中，加速度測(cè)試之后的出錯(cuò)率增大得以顯著抑制，甚至在600小時(shí)的加速度測(cè)試之后，出錯(cuò)率也幾乎不增大。因此，從改善存儲(chǔ)可靠性的立場考慮，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層中的至少一層優(yōu)選由ITO形成，并且更優(yōu)選地，這兩層保護(hù)層均由ITO形成。(實(shí)施例3-1至3-11)在實(shí)施例3-1至3-11中的每個(gè)試樣中改變第一保護(hù)層的厚度dl和第二保護(hù)層的厚度d2，從而使得在以dl來表示第一保護(hù)層的厚度而以d2來表示熱積累層的厚度時(shí)，第一保護(hù)層和熱積累層的總厚度(dl+d2)為26nm并且第一保護(hù)層和熱積累層滿足關(guān)系0.00彡d2/(dl+d2)^1.00ο除此之外，可以如同實(shí)施例I中那樣來獲得實(shí)施例3-1至3-11的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)。(抖動(dòng)的評(píng)價(jià))對(duì)在如上所述獲得的實(shí)施例3-1至3-11的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的4倍速記錄期間的抖動(dòng)值測(cè)量如下。使用YokogawaElectricCorporation制造的時(shí)間間隔分析器(timeintervalanalyzer)TA720、通過PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造的均衡器板(equalizerboard)測(cè)量抖動(dòng)。均衡器符合標(biāo)準(zhǔn)，并且測(cè)量在信號(hào)穿過限制均衡器以后所獲得的信號(hào)的抖動(dòng)。在圖5中示出了結(jié)果。(記錄靈敏度的評(píng)價(jià))對(duì)在如上所述獲得的實(shí)施例3-1至3-11的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的4倍速記錄期間的記錄靈敏度確定如下。從低功率側(cè)至高功率側(cè)執(zhí)行功率掃描(powersweep)。過功率側(cè)(over-powerside)和功率不足側(cè)(under-powerside)的記錄功率值的寬度的3/5的值(此處抖動(dòng)為8.5%)定義為記錄靈敏度(最佳功率)。在圖6中示出了結(jié)果。(記錄功率余量的評(píng)價(jià))對(duì)在如上所述獲得的實(shí)施例3-1至3-11的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的4倍速記錄期間的記錄功率余量確定如下。測(cè)量信號(hào)穿過限制均衡器以后所獲得的信號(hào)的抖動(dòng)值同時(shí)改變記錄功率。將抖動(dòng)值為8.5%以下的記錄功率的范圍定義為記錄靈敏度的余量，并且將通過由最佳功率劃分功率范圍所獲得的值定義為功率余量。在圖12中示出了結(jié)果。圖5示出了抖動(dòng)特性幾乎不取決于在第一保護(hù)層和熱積累層之間的膜厚度比(film-thicknessbalance),并且可以在任何比率獲得滿足單層BD-R(7%以下)的標(biāo)準(zhǔn)的適當(dāng)?shù)亩秳?dòng)特性。圖6示出了隨著熱積累層的比例增加，記錄靈敏度增加。即使在熱積累層為Onm時(shí)，記錄靈敏度也為10.5mW(是通過BD-R的標(biāo)準(zhǔn)所定義的4倍速的記錄靈敏度的上限)以下，并且因此滿足標(biāo)準(zhǔn)。然而，為了確保作為用于記錄驅(qū)動(dòng)器的輸出功率的系統(tǒng)的余量，期望盡可能多地提高靈敏度，并且因此，優(yōu)選地，形成熱積累層以與無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面鄰接。此外，在形成熱積累層的情況下，優(yōu)選地，第一保護(hù)層的厚度dl和熱積累層的厚度d2滿足關(guān)系O.07(d2/(dl+d2)(I.00。圖12示出了第一保護(hù)層的厚度dl和熱積累層的厚度d2優(yōu)選滿足關(guān)系O.07<d2/(dl+d2)(O.95，并且更優(yōu)選滿足關(guān)系O.07(d2/(dl+d2)(O.60。(實(shí)施例4-1至4-10)實(shí)施例4-1至4-10的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)可以如同實(shí)施例I中那樣獲得，只是第二保護(hù)層的厚度d在7nm至38nm范圍內(nèi)變化。(記錄功率余量的評(píng)價(jià))對(duì)在如上所述獲得的實(shí)施例4-1至4-10的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的4倍速記錄期間的記錄功率余量確定如下。測(cè)量信號(hào)穿過限制均衡器以后所獲得的信號(hào)的抖動(dòng)值同時(shí)改變記錄功率。將抖動(dòng)值為8.5%以下的記錄功率的范圍定義為記錄靈敏度的余量，并且將通過由最佳功率劃分功率范圍所獲得的值定義為功率余量。在圖7中示出了結(jié)果。參考圖7，可以確定的是，在第二保護(hù)層的厚度d為Ilnm至34nm的范圍內(nèi)，滿足BD-R的標(biāo)準(zhǔn)中推薦的25%的記錄功率余量。此外，考慮到在光盤的整個(gè)表面上的記錄靈敏度的改變，可以確保30%的記錄功率余量的16nm至30nm的范圍是優(yōu)選的。(實(shí)施例5)實(shí)施例5的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)可以如同實(shí)施例I中那樣而獲得。(記錄功率儲(chǔ)備的評(píng)價(jià))對(duì)在如上所述獲得的實(shí)施例5的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的4倍速記錄和6倍速記錄期間的記錄功率余量確定如下。測(cè)量信號(hào)穿過限制均衡器以后所獲得的信號(hào)的抖動(dòng)值同時(shí)改變記錄功率。將抖動(dòng)值為8.5%以下的記錄功率的范圍定義為記錄靈敏度的余量，并且將通過由最佳功率劃分功率范圍所獲得的值定義為功率余量。在圖8中示出了抖動(dòng)值相對(duì)于記錄功率的改變。圖8示出了6倍速時(shí)抖動(dòng)值相對(duì)于記錄功率的改變基本上與4倍速時(shí)相同。如上所述，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)當(dāng)以4倍速記錄信息信號(hào)時(shí)，可以確保30%的記錄功率余量(見圖7)。由于4倍速時(shí)抖動(dòng)值相對(duì)于記錄功率的改變基本上與6倍速時(shí)相同，所以認(rèn)為在以6倍速(線性速率29.52m/s)記錄信息信號(hào)的情況下也可以確保約30%的記錄功率余量。S卩，發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造可以令人滿意地與將來的高速記錄相兼容。(測(cè)試?yán)齀)通過DC濺射方法在基板上沉積ITO膜，并且確定其膜沉積率。在圖9中示出了結(jié)果。將AdvancedEnergyIndustries,Inc.制造的Pinnacleplus+5kW用作DC電源，并且使用直徑Φ為200mm和厚度為6mm的靶材。(測(cè)試?yán)?)通過RF濺射方法在基板上沉積ITO膜，并且確定其膜沉積率。在圖9中示出了結(jié)果。將AdvancedEnergyIndustries,Inc.制造的ApexI5kwGenerator用作RF電源，并且使用直徑Φ為200mm和厚度為6mm的靶材。圖9示出了利用DC電源的膜沉積率高于利用RF電源的膜沉積率，并且例如，在2.Okff的功率處，通過DC濺射方法的膜沉積率比通過RF濺射方法的膜沉積率高4倍。SP，在由ITO所組成的第二保護(hù)層的沉積中采用DC濺射方法的情況下，據(jù)估計(jì)，在一個(gè)室中持續(xù)約I.9秒可以沉積具有20nm厚度的第二保護(hù)膜。即使當(dāng)包括光盤的轉(zhuǎn)移時(shí)間在內(nèi)時(shí)，也可以實(shí)現(xiàn)膜沉積節(jié)拍約為4秒的高速膜沉積。通常，在無機(jī)介質(zhì)中，經(jīng)常將諸如SiN或者ZnS-SiO2的介電膜設(shè)計(jì)為具有用于控制熱流動(dòng)的較大厚度。這可能變成節(jié)拍的瓶頸，因此，降低了生產(chǎn)率，并且存在由于在生產(chǎn)期間使用多個(gè)昂貴的RF電源而需要高的初始投資的多種情況。然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的膜構(gòu)造，每個(gè)膜均可以在單個(gè)室中沉積，因此，可以通過具有5個(gè)室結(jié)構(gòu)的膜沉積裝置執(zhí)行膜沉積。因此，可以同時(shí)滿足高生產(chǎn)率和用于生產(chǎn)設(shè)備的初始投資的抑制。(實(shí)施例6)首先，通過注射成型來形成具有I.Imm厚度的聚碳酸酯基板。應(yīng)注意,在該聚碳酸酯基板上形成具有內(nèi)槽Gin和上槽Gon的凸出和凹進(jìn)表面。接下來，通過濺射方法在聚碳酸酯基板上順序?qū)訅悍瓷鋵?、第一保護(hù)層、無機(jī)記錄層、熱積累層以及第二保護(hù)層。這些層的每個(gè)層的具體構(gòu)造如下。反射層Ag-Nd-Cu合金(ANC),40nm第一保護(hù)層ΙΤ0，IOnm無機(jī)記錄層(Te0.8Pd0.2)0.500.5,Ilnm熱積累層ZnS-SiO2,20nm第二保護(hù)層IT0，14nm接下來，通過旋涂方法將紫外線固化樹脂均勻地涂覆到第二保護(hù)層上，并且通過利用紫外光照射來固化該紫外線固化樹脂，從而，形成具有O.Imm厚度的光透射層。因此，獲得了作為實(shí)施例6的產(chǎn)物的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)。(記錄特性的評(píng)價(jià))對(duì)在如上所述獲得的實(shí)施例6的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的4倍速記錄期間的記錄特性評(píng)價(jià)如下。測(cè)量信號(hào)穿過限制均衡器以后所獲得的信號(hào)的抖動(dòng)值同時(shí)改變記錄功率。圖10不出了結(jié)果。此外，圖10示出了在包含(TeaJ(Ia2)a5Oa5作為主要成分的無機(jī)記錄層中，也可以獲得與包含ZnS、SiO2以及Sb作為主要成分的無機(jī)記錄層中一樣的合適的記錄特性。(實(shí)施例7)首先，與在實(shí)施例I中一樣，通過濺射方法在基板上順序?qū)訅悍瓷鋵?、第一保護(hù)層、熱積累層、無機(jī)記錄層以及第二保護(hù)層。接下來，通過旋涂方法將紫外線固化樹脂均勻地涂覆到第二保護(hù)層上。隨后，將壓模的凸出和凹進(jìn)圖案壓制到已經(jīng)均勻地涂覆在第二保護(hù)層上的紫外線固化樹脂上，通過利用紫外光照射來固化紫外線固化樹脂，然后分離壓模。從而，形成具有25μm厚度的中間層。接下來，通過濺射方法在中間層上順序?qū)訅旱谝槐Ｗo(hù)層、無機(jī)記錄層、熱積累層以及第二保護(hù)層。這些層的每個(gè)層的具體構(gòu)造如下。第一保護(hù)層IT0，7nm無機(jī)記錄層[(ZnS)80(SiO2)20]40Sb60,IOnm熱積累層ZnS-SiO2,Ilnm第二保護(hù)層IT0，14nm接下來，通過旋涂方法將紫外線固化樹脂均勻地涂覆到第二保護(hù)層上，并且通過利用紫外光照射來固化該紫外線固化樹脂，從而，形成具有O.Imm厚度的光透射層。因此，獲得了作為實(shí)施例7的產(chǎn)物的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)。圖11示出了結(jié)果。圖11示出了在將包含ITO作為主要成分的材料用作LI層中的第一保護(hù)層和第二保護(hù)層的材料的情況下，也可以獲得合適的記錄特性。(記錄特性的評(píng)價(jià))對(duì)在如上所述獲得的實(shí)施例7的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的4倍速記錄期間的記錄特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。與在實(shí)施例6的上述評(píng)價(jià)中一樣執(zhí)行記錄特性的該評(píng)價(jià)。(比較例4-1)比較例4-1的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)可以如同實(shí)施例7中那樣獲得，只是在中間層上順序?qū)訅壕哂邢率鼋M成和膜厚的第一保護(hù)層、無機(jī)記錄層以及第二保護(hù)層。第一保護(hù)層ZnS-SiO2,7nm無機(jī)記錄層[(ZnS)80(SiO2)20]40Sb60,IOnm第二保護(hù)層ZnS-SiO2,25nm(比較例4-2至4-4和實(shí)施例8-1至8_3)比較例4-2至4-4和實(shí)施例8_1至實(shí)施例8_3的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)可以如同比較例4-1中那樣獲得，只是第一保護(hù)層和第二保護(hù)層具有表I中所示的材料組成。(實(shí)施例8-4)實(shí)施例8-4的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)可以如同實(shí)施例I中那樣獲得。(1，000,000次再生功率的評(píng)價(jià))對(duì)在如上所述獲得的實(shí)施例8-1至8-4和比較例4-1至4_4的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的1,000,000次再生功率評(píng)價(jià)如下。跟蹤抖動(dòng)的改變同時(shí)通過三種不同的功率再生以4倍速所記錄的部分，并且繪制當(dāng)抖動(dòng)到達(dá)10%時(shí)的再生數(shù)量。通過阿雷尼烏斯(Arrhenius)繪圖，對(duì)能夠以10%以下的抖動(dòng)執(zhí)行1，000,000次再生的再生功率進(jìn)行評(píng)估。在表I中示出了結(jié)果。例如，當(dāng)LI層的第一保護(hù)層/第二保護(hù)層由ΙΤ0/ΙΤ0構(gòu)成時(shí)，抖動(dòng)在以I.25mW、13，200次，以I.30mW、3,700次，以及以I.35mW、l,100次執(zhí)行再生時(shí)達(dá)到10%。Arrhenius繪制這三點(diǎn)以對(duì)可以執(zhí)行1，000,000次再生的功率進(jìn)行評(píng)估。其結(jié)果為在表I中所示的“I.llmW”。注意，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人的知識(shí)，考慮到在實(shí)際應(yīng)用中的再生耐久性，優(yōu)選地，在I倍速再生期間可以通過O.60mff的HF調(diào)制(高頻疊加)再生功率執(zhí)行1，000,000次再生。(表I)權(quán)利要求1.一種一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，包括無機(jī)記錄層；保護(hù)層，包含氧化銦和氧化錫作為主要成分，所述保護(hù)層被設(shè)置在所述無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上；以及熱積累層，其設(shè)置在所述無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上，其中，所述無機(jī)記錄層與所述熱積累層鄰接，其中，所述熱積累層具有比所述保護(hù)層的熱傳導(dǎo)率低的熱傳導(dǎo)率。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述熱積累層包含ZnS和SiO2作為主要成分。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，當(dāng)以dl來表示所述保護(hù)層的厚度，而以d2來表示所述熱積累層的厚度時(shí)，這些厚度dl和d2滿足關(guān)系O.07(d2/(dl+d2)(O.95，其中，所述熱積累層設(shè)置在所述保護(hù)層和所述無機(jī)記錄層之間。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述保護(hù)層設(shè)置在所述無機(jī)記錄層的表面中的用于記錄和/或再生的激光束入射到其上的表面上，并且所述保護(hù)層的厚度為Ilnm以上且34nm以下。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無機(jī)記錄層包含ZnS、SiO2以及Sb作為主要成分。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無機(jī)記錄層包含選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所組成的組中的至少一種元素。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無機(jī)記錄層具有滿足以下式⑴的組成[(ZnS),(SiO2)1Jy(SbzX1Ji-y-(I)其中，O<X^I.0,0.3^y^O.7、以及O.8<z彡I.0，并且X為選自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所組成的組中的至少一種元素。8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無機(jī)記錄層的厚度為3nm以上且40nm以下。9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無機(jī)記錄層包含Te和Pd作為主要成分。10.一種一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法，包括形成無機(jī)記錄層的步驟，形成包含氧化銦和氧化錫作為主要成分的保護(hù)層的步驟；以及形成熱積累層的步驟，其中，所述保護(hù)層設(shè)置在所述無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上，并且其中，在形成所述保護(hù)層的步驟中，所述保護(hù)層通過直流濺射方法形成，所述熱積累層設(shè)置在所述無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上，其中，所述無機(jī)記錄層與所述熱積累層鄰接，其中，所述熱積累層具有比所述保護(hù)層的熱傳導(dǎo)率低的熱傳導(dǎo)率。全文摘要本發(fā)明公開了一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法。該一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)包括無機(jī)記錄層；保護(hù)層，包含氧化銦和氧化錫作為主要成分，保護(hù)層被設(shè)置在無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上；以及熱積累層，其設(shè)置在無機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上，其中，無機(jī)記錄層與熱積累層鄰接，其中，熱積累層具有比保護(hù)層的熱傳導(dǎo)率低的熱傳導(dǎo)率。文檔編號(hào)G11B7/243GK102623027SQ20121004383公開日2012年8月1日申請(qǐng)日期2008年11月25日優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日發(fā)明者和田豊申請(qǐng)人:索尼公司