動態(tài)存儲器性能調(diào)節(jié)的制作方法
【專利摘要】動態(tài)存儲器性能調(diào)節(jié)。存儲器設(shè)備的實施例包括存儲器棧，其包括耦合的存儲器元件，這些存儲器元件包括多個列，該多個列包括第一列和第二列；和邏輯設(shè)備，其包括存儲器控制器。該存儲器控制器確定與對第一列的讀請求和對第二列的讀請求有關(guān)的數(shù)據(jù)信號之間的失準(zhǔn)量，并且在確定第一列與第二列之間的失準(zhǔn)大于閾值時，存儲器控制器在對于第一列的數(shù)據(jù)信號與對于第二列的數(shù)據(jù)信號之間插入時移。
【專利說明】動態(tài)存儲器性能調(diào)節(jié)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實施例大體上涉及電子設(shè)備的領(lǐng)域，并且更特定地涉及動態(tài)存儲器性能 調(diào)節(jié)。

【背景技術(shù)】
[0002] 為了對存儲器提供額外的密度用于各種計算操作，開發(fā)了具有多個緊密耦合的存 儲器元件(其可稱為3D堆棧存儲器，或堆棧存儲器）的存儲器設(shè)備。
[0003] 3D堆棧存儲器可包括DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器元件的耦合層或封裝 件，其可稱為存儲器棧。堆棧存儲器可用于在單個設(shè)備或封裝件中提供大量計算機存儲器， 其中該設(shè)備或封裝件可進(jìn)一步包括系統(tǒng)部件，例如系統(tǒng)控制器和CPU (中央處理單元）或其 它系統(tǒng)兀件。
[0004] 然而，在例如堆棧存儲器設(shè)備等較大的存儲器結(jié)構(gòu)中，信號可變得失準(zhǔn)。在常規(guī)裝 置或操作中，存儲器信號可被終止來使信號重對準(zhǔn)，但對于信號重對準(zhǔn)的操作的終止對使 用存儲器設(shè)備的裝置或系統(tǒng)產(chǎn)生性能成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0005] 本發(fā)明的實施例在附圖的圖中通過示例而非限制的方式圖示，在圖中類似的參考 標(biāo)號指示相似的元件。
[0006] 圖1是堆棧存儲器設(shè)備的實施例的圖示。
[0007] 圖2圖示提供性能調(diào)節(jié)的3D堆棧存儲器的實施例。
[0008] 圖3是圖示存儲器設(shè)備的實施例的定時的定時圖。
[0009] 圖4是圖示列對列讀請求的重對準(zhǔn)的定時圖； 圖5是圖示解決失準(zhǔn)的性能調(diào)節(jié)的實施例的定時圖； 圖6是圖示用于調(diào)節(jié)存儲器操作來解決信號失準(zhǔn)的方法的實施例的流程圖； 圖7是圖示移動計算設(shè)備(其包括堆棧存儲器設(shè)備）的實施例的框圖； 圖8圖示計算系統(tǒng)(其包括堆棧存儲器）的實施例。

【具體實施方式】
[0010] 本發(fā)明的實施例大體上針對對于使用熱數(shù)據(jù)的3D堆棧存儲器的動態(tài)操作。
[0011] 如本文使用的： "3D堆棧存儲器"（其中3D指示三維）或"堆棧存儲器"意指這樣的計算機存儲器，其包 括多個耦合的存儲器層、存儲器封裝件或其它存儲器元件。3D堆棧存儲器可包括WidelO 存儲器設(shè)備。存儲器可垂直堆?；蛩?例如，并排)堆棧，或用別的方式包含耦合在一起的 存儲器元件。特別地，堆棧存儲器DRAM設(shè)備或系統(tǒng)可包括具有多個DRAM裸晶層的存儲器 設(shè)備。堆棧存儲器設(shè)備還可包括設(shè)備中的系統(tǒng)元件，其在本文可稱為系統(tǒng)層，其中該系統(tǒng)層 包括例如CPU (中央處理單元)、存儲器控制器(例如WidelO存儲器控制器)和其它相關(guān)系統(tǒng) 元件等元件。系統(tǒng)層可包括片上系統(tǒng)（SoC)。在一些實施例中，邏輯芯片可以是專用處理器 或圖形處理單元（GPU)。3D堆棧存儲器可包括但不限于，WidelO存儲器設(shè)備。
[0012] 在操作中，堆棧存儲器設(shè)備中的業(yè)務(wù)可隨時間變得未對準(zhǔn)。由堆棧存儲器設(shè)備生 成的不相等的熱梯度在信號對準(zhǔn)中引起移位。例如，WidelO DRAM裸晶在操作中變熱，其 中所得的熱梯度促使存儲器設(shè)備的不同列變得未對準(zhǔn)。然而，失準(zhǔn)可由其它因素引起，其 包括存儲器設(shè)備的定時特性，并且實施例不限于由熱梯度或失準(zhǔn)的其它特定原因引起的失 準(zhǔn)。如果失準(zhǔn)增長得太大，結(jié)果可引起數(shù)據(jù)誤差，并且可違背某些標(biāo)準(zhǔn)要求。在示例中，需 要WidelO DRAM在跨PVT (過程、電壓和溫度)變化的列之間提供在500psec (微微秒）內(nèi)的 列對列定時精度。
[0013] 在調(diào)諧系統(tǒng)中，WidelO DRAM可將可變延遲插入DQ (數(shù)據(jù))和DQS (數(shù)據(jù)選通信號） 生成電路內(nèi)來維持對準(zhǔn)。WidelO控制器包括相位鑒別電路，用于確定(在100 psec內(nèi)）不 同DQ線路上兩個脈沖的相對到達(dá)時間。然而，存儲器棧的熱梯度或其它因素仍可導(dǎo)致失 準(zhǔn)。在常規(guī)操作中，檢測的在某一閾值以上的數(shù)據(jù)失準(zhǔn)通過終止數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)用于重對準(zhǔn)而解 決。在WidelO系統(tǒng)中，一旦不同的DRAM列數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)選通信號變得未對準(zhǔn)，常規(guī)功能就需 要WidelO DRAM業(yè)務(wù)持續(xù)一段時間地停止，其中DRAM業(yè)務(wù)的終止允許不同列數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)選 通的重對準(zhǔn)。然而，數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的終止在存儲器的操作中產(chǎn)生性能懲罰。
[0014] 在一些實施例中，裝置或系統(tǒng)操作以通過調(diào)節(jié)存儲器設(shè)備的操作而不終止DRAM 業(yè)務(wù)來解決存儲器設(shè)備的列之間的數(shù)據(jù)失準(zhǔn)。在一些實施例中，對于存儲器設(shè)備的調(diào)節(jié)操 作包括由存儲器控制器插入"磁泡（bubble)"以在繼續(xù)操作時允許對準(zhǔn)修改。在一些實施 例中，磁泡是列對列讀請求之間的臨時的單周期時移，用于修改列之間的對準(zhǔn)。在一些實施 例中，裝置或系統(tǒng)允許擱置DRAM業(yè)務(wù)以在沒有拖延漫長的重對準(zhǔn)過程的情況下進(jìn)行。
[0015] 在一些實施例中，裝置或系統(tǒng)在存儲器操作變得減少或固定時提供磁泡的去除。 在一些實施例中，當(dāng)存儲器業(yè)務(wù)(例如WidelO DRAM業(yè)務(wù))已經(jīng)減少并且WidelO存儲器控制 器試圖響應(yīng)于減少的業(yè)務(wù)而采取動作(例如來關(guān)閉DRAM接口或使DRAM處于自刷新）時，則 存儲器控制器實施列重對準(zhǔn)過程并且對于不同的列讀請求去除單周期磁泡。
[0016] 在一些實施例中，存儲器設(shè)備包括：存儲器棧，其包括耦合的存儲器元件，這些存 儲器元件包括多個列，該多個列包括第一列和第二列；和邏輯設(shè)備，其包括存儲器控制器。 該存儲器控制器確定與對第一列的讀請求和對第二列的讀請求有關(guān)的數(shù)據(jù)信號之間的失 準(zhǔn)量，并且在確定第一列與第二列之間的失準(zhǔn)大于閾值時，存儲器控制器在對于第一列的 數(shù)據(jù)信號與對于第二列的數(shù)據(jù)信號之間插入時移。
[0017] 在一些實施例中，方法包括操作堆棧存儲器設(shè)備，該存儲器設(shè)備包括存儲器棧，其 包括多個耦合的存儲器元件，這些存儲器元件包括多個列，該多個列包括第一列和第二列。 方法包括確定與對第一列的讀請求和對第二列的讀請求有關(guān)的數(shù)據(jù)信號之間的失準(zhǔn)量；并 且在確定第一列與第二列之間的失準(zhǔn)大于閾值時，在對于第一列的數(shù)據(jù)信號與對于第二列 的數(shù)據(jù)信號之間插入時移。
[0018] 圖1是堆棧存儲器設(shè)備的實施例的圖示。在一些實施例中，堆棧存儲器設(shè)備100 (例如WidelO存儲器設(shè)備）包括存儲器棧，該存儲器棧包括一個或多個DRAM裸晶層120,其 緊密地與邏輯裸晶110耦合，該邏輯芯片110可以是SoC或其它系統(tǒng)元件。在一些實施例 中，邏輯芯片110可包括存儲器控制器。在一些實施例中，存儲器控制器提供存儲器的操作 的調(diào)節(jié)來解決信號的失準(zhǔn)。
[0019] 圖2圖示提供性能調(diào)節(jié)的3D堆棧存儲器的實施例。在該圖示中，3D堆棧存儲器設(shè) 備200包括與一個或多個DRAM存儲器裸晶層220耦合的邏輯芯片系統(tǒng)元件210 (在本文也 稱為存儲器棧)，其中存儲器裸晶層可包括一個或多個片或部分，并且可包括一個或多個通 道。在一些實施例中，邏輯芯片210可以是片上系統(tǒng)（SoC)或其它相似的元件。每個裸晶 層可包括用于解決熱問題的溫度補償自刷新（TCSR)電路，其中該TCSR和模式寄存器（MR) 可以是設(shè)備的管理邏輯的一部分，并且其中MC可包括對于由TCSR調(diào)整刷新速率的熱偏移 位。裸晶層和系統(tǒng)元件可熱耦合在一起。該圖和下面的圖的元件為了圖示而呈現(xiàn)，并且未 按比例繪制。
[0020] 盡管圖2圖示邏輯芯片210在一個或多個存儲器裸晶層220的存儲器棧下方耦合 所采用的實現(xiàn)，但實施例不限于該布置。例如，在一些實施例中，系統(tǒng)元件210可鄰近存儲 器棧220而定位，并且從而可采用并排布置與存儲器棧220耦合。
[0021] 在該圖示中，DRAM存儲器裸晶層包括四個存儲器裸晶層，這些層是第一存儲器裸 晶層230、第二存儲器裸晶層240、第三存儲器裸晶層250和第四存儲器裸晶層260。然而， 實施例不限于存儲器棧220中任何特定數(shù)量的存儲器裸晶層，并且可包括更大或更小數(shù)量 的存儲器裸晶層。除其它元件外，系統(tǒng)元件210可包括對于存儲器棧220的存儲器控制器 212。在一些實施例中，每個存儲器裸晶層(頂部或最外面的存儲器裸晶層(例如在該圖示 中，第四存儲器裸晶層260)可能例外）包括多個硅通孔（TSV) 205,用于提供通過存儲器裸 晶層的娃襯底的路徑。
[0022] 然而，在操作中，存儲器200可發(fā)展一個或多個溫度梯度，其中這些溫度梯度可包 括垂直梯度270 (例如較接近冷卻片或其它冷卻元件的較冷區(qū)域）和水平溫度梯度275,例 如存儲器棧220的較熱的內(nèi)核與較冷的外部部分之間的差異。除其它效應(yīng)外，熱梯度可在 存儲器的列之間引起信號的失準(zhǔn)。另外，包括存儲器棧的存儲器元件的定時特性的其它因 素可引起信號失準(zhǔn)。
[0023] 在一些實施例中，邏輯芯片210可包括存儲器控制器，例如WidelO存儲器控制器。 在一些實施例中，存儲器控制器可通過性能調(diào)節(jié)而不是終止存儲器操作來解決列之間的失 準(zhǔn)。在延遲一些實施例中，性能調(diào)節(jié)包括插入時移來調(diào)整對準(zhǔn)，其中延遲可專門是使信號對 準(zhǔn)移位的單周期磁泡。
[0024] 圖3是圖示存儲器設(shè)備的實施例的定時的定時圖。在該圖示中，定時圖300示出 優(yōu)化的列對列讀取，其中列（RkO和Rkl)之間的定時是tRDRD_d=2。在這樣的操作中，對每 個列的時間數(shù)據(jù)讀取的數(shù)據(jù)DQ和選通信號DQS連續(xù)出現(xiàn)。然而，如果列對列信號關(guān)系變得 充分失準(zhǔn)，存在不滿足定時標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)誤差或操作的風(fēng)險。在一些實施例中，插入單周期磁 泡以在不終止對于重對準(zhǔn)的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的情況下解決失準(zhǔn)。
[0025] 圖4是圖示列對列讀請求的重對準(zhǔn)的定時圖。如果需要DRAM列重對準(zhǔn)，則在常規(guī) 操作中，DRAM業(yè)務(wù)被阻斷以用于重對準(zhǔn)，如在400中示出的。性能成本是在重對準(zhǔn)期間失 去所有數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)。
[0026] 圖5是圖示用于解決失準(zhǔn)的性能調(diào)節(jié)的實施例的定時圖。在一些實施例中，需要 DRAM列對準(zhǔn)，但存儲器控制器調(diào)節(jié)存儲器的性能，而不是阻斷DRAM業(yè)務(wù)。如圖示的，控制器 在列〇數(shù)據(jù)返回和列1數(shù)據(jù)返回之間插入單周期磁泡。如在500中示出的，磁泡的插入確 保在列0存儲器與列1存儲器之間的DQ或DQS線路上沒有電連接。
[0027] 圖6是圖示用于調(diào)節(jié)存儲器操作來解決信號的失準(zhǔn)的方法的實施例的流程圖 600。在該圖示中，計算機系統(tǒng)的操作包括堆棧存儲器設(shè)備的操作600,其中該堆棧存儲器設(shè) 備可包括WidelO存儲器設(shè)備。在操作期間，堆棧存儲器設(shè)備的變熱通過存儲器設(shè)備產(chǎn)生熱 梯度，并且可在對于讀信號的列之間引起對準(zhǔn)移位610。然而，其它因素也可引起失準(zhǔn)，并且 實施例不限于由熱梯度引發(fā)的失準(zhǔn)。
[0028] 在一些實施例中，如果信號之間的失準(zhǔn)大于某一閾值(例如對于WidelO存儲器設(shè) 備是500 pSeC)615,則存儲器設(shè)備的存儲器控制器操作來通過插入一個或多個單周期磁泡 來調(diào)節(jié)存儲器操作以對失準(zhǔn)的校正生成足夠的時移620。在一些實施例中，存儲器設(shè)備繼續(xù) 操作而不終止使讀請求重對準(zhǔn)625。
[0029] 在一些實施例中，在計算系統(tǒng)到達(dá)關(guān)閉、自刷新或存儲器操作減少的其它狀態(tài)點 630時，存儲器控制器可起到使存儲器重對準(zhǔn)的作用，其包括使對于存儲器的存儲器列定時 重對準(zhǔn)635和去除讀請求之間的一個或多個磁泡640。
[0030] 圖7是圖示移動計算設(shè)備(其包括堆棧存儲器設(shè)備）的實施例的框圖。計算設(shè)備 700代表這樣的計算設(shè)備，其包括移動計算設(shè)備，例如便攜式或筆記本計算機、上網(wǎng)本、平板 計算機(其包括具有觸摸屏但沒有獨立鍵盤的設(shè)備；具有觸摸屏和鍵盤兩者的設(shè)備；具有 快速啟動(稱為"即時開啟"操作）的設(shè)備；和大體上連接到運行中的網(wǎng)絡(luò)(稱為"始終連接"） 的設(shè)備)、移動電話或智能電話、支持無線的電子閱讀器或其它無線移動設(shè)備。將理解大體 上示出部件中的某些，并且不是這樣的設(shè)備中的全部部件都在設(shè)備700中示出。部件可通 過一個或多個總線或其它連接705而連接。
[0031] 設(shè)備700包括處理器710,其執(zhí)行設(shè)備700的主要處理操作。處理器710可以包括 一個或多個物理設(shè)備，例如微處理器、應(yīng)用處理器、微控制器、可編程邏輯設(shè)備或其它處理 工具。由處理器710進(jìn)行的處理操作包括執(zhí)行應(yīng)用、設(shè)備功能或其兩者所在的操作平臺或 操作系統(tǒng)的執(zhí)行。處理操作包括與I/O (輸入/輸出）有關(guān)的人類用戶或其它設(shè)備的操作、 與電力管理有關(guān)的操作、與使設(shè)備700連接到另一個設(shè)備有關(guān)的操作或與這兩者都有關(guān)的 操作。處理操作還可包括與音頻I/O、顯示I/O或兩者有關(guān)的操作。
[0032] 在一個實施例中，設(shè)備700包括音頻子系統(tǒng)720,其代表與向計算設(shè)備提供音頻功 能關(guān)聯(lián)的硬件(例如，音頻硬件和音頻電路）和軟件(例如，驅(qū)動器和編解碼器）組件。音頻 功能可以包括揚聲器、頭戴式耳機或這兩者的音頻輸出，以及麥克風(fēng)輸入。對于這樣的功能 的設(shè)備可以集成到設(shè)備700內(nèi)，或連接到設(shè)備700。在一個實施例中，用戶通過提供被處理 器710接收和處理的音頻命令而與設(shè)備700交互。
[0033] 顯示子系統(tǒng)730代表對用戶提供具有視覺、觸覺或兩者的元件的顯示器來與計算 設(shè)備交互的硬件(例如，顯示設(shè)備）和軟件(例如，驅(qū)動器）部件。顯示子系統(tǒng)730包括顯示 界面732,其包括用于向用戶提供顯示的特定屏幕或硬件設(shè)備。在一個實施例中，顯示界面 732包括與處理器710分離來進(jìn)行與顯示有關(guān)的至少一些操作的邏輯。在一個實施例中，顯 示子系統(tǒng)730包括觸屏設(shè)備，其向用戶提供輸出和輸入兩者。
[0034] I/O控制器740代表與用戶的交互有關(guān)的硬件設(shè)備和軟件部件。I/O控制器740 可以操作來管理是音頻子系統(tǒng)720、顯示子系統(tǒng)730或這兩個子系統(tǒng)的部分的硬件。另外， I/O控制器740圖示對于連接到設(shè)備700的額外設(shè)備的連接點，用戶可通過該連接點來與系 統(tǒng)交互。例如，可以附連到設(shè)備700的設(shè)備可包括麥克風(fēng)設(shè)備、揚聲器或立體音響系統(tǒng)、視 頻系統(tǒng)或其它顯示設(shè)備、鍵盤或小鍵盤設(shè)備或用于與例如卡閱讀器或其它設(shè)備等特定應(yīng)用 一起使用的其它I/O設(shè)備。
[0035] 如上文提到的，I/O控制器740可與音頻子系統(tǒng)720或顯示子系統(tǒng)730或這兩個 子系統(tǒng)交互。例如，通過麥克風(fēng)或其它音頻設(shè)備的輸入可以對設(shè)備700的一個或多個應(yīng)用 或功能提供輸入或命令。另外，可以提供音頻輸出來代替顯示輸出，或除顯示輸出外還可以 提供音頻輸出。在另一個示例中，如果顯示子系統(tǒng)包括觸摸屏，顯示設(shè)備還充當(dāng)輸入設(shè)備， 其可以至少部分由I/O控制器740管理。在設(shè)備700上還可以存在額外的按鈕或開關(guān)來提 供由I/O控制器740管理的I/O功能。
[0036] 在一個實施例中，I/O控制器740管理例如加速計、拍攝裝置、光傳感器或其它環(huán) 境傳感器等設(shè)備，或可以包括在設(shè)備700中的其它硬件。輸入可以是直接用戶交互的部分， 以及向設(shè)備提供環(huán)境輸入來影響它的操作(例如對于噪聲的過濾、調(diào)整顯示器用于亮度檢 測、對拍攝裝置應(yīng)用閃光燈，或其它特征)。
[0037] 在一個實施例中，設(shè)備700包括電力管理750,其管理電池電力使用、電池的充電 和與電力節(jié)省操作有關(guān)的特征。
[0038] 在一些實施例中，存儲器子系統(tǒng)770包括用于將信息存儲在設(shè)備700中的存儲器 設(shè)備。處理器710可讀取數(shù)據(jù)并且將數(shù)據(jù)寫入存儲器子系統(tǒng)760的元件。存儲器可以包括 非易失性(如果對存儲器設(shè)備的電力被中斷則具有不改變的狀態(tài))、易失性(如果對存儲器 設(shè)備的電力被中斷則具有不確定的狀態(tài))存儲器設(shè)備，或這兩個存儲器。存儲器760可以存 儲應(yīng)用數(shù)據(jù)、用戶數(shù)據(jù)、音樂、照片、文件或其它數(shù)據(jù)，以及與系統(tǒng)700的應(yīng)用和功能的執(zhí)行 有關(guān)的設(shè)備數(shù)據(jù)(無論是長期還是暫時的)。
[0039] 在一些實施例中，存儲器子系統(tǒng)760可包括堆棧存儲器設(shè)備762,其包括一個或多 個存儲器裸晶層的存儲器棧并且包括用于解決讀請求764的失準(zhǔn)的性能調(diào)節(jié)，其中性能調(diào) 節(jié)包括插入單周期磁泡來解決列之間缺乏對準(zhǔn)。
[0040] 連接性770包括用于使設(shè)備700能夠與外部設(shè)備通信的硬件設(shè)備(例如，用于無線 通信、有線通信或兩者的連接器和通信硬件)和軟件部件(例如，驅(qū)動器、協(xié)議棧)。設(shè)備可以 是例如其它計算設(shè)備、無線接入點或基站等獨立設(shè)備，以及例如耳機、打印機或其它設(shè)備等 外圍設(shè)備。
[0041] 連接性770可以包括多個不同類型的連接性。為了泛化，設(shè)備700圖示有蜂窩連 接性772和無線連接性774。蜂窩連接性772大體上指由無線載波提供的蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接性， 例如經(jīng)由4G/LTE (長期演進(jìn))、GSM (全球移動通信系統(tǒng)）或變化或衍生、CDMA (碼分多址接 入)或變化或衍生、TDM (時分復(fù)用)或變化或衍生或其它蜂窩服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)提供的。無線連接性 774指不是蜂窩的無線連接性，并且可以包括個人區(qū)域網(wǎng)（例如藍(lán)牙)、局域網(wǎng)（例如WiFi)、 廣域網(wǎng)（例如WiMax)和其它無線通信。連接性可包括一個或多個全向或定向天線776。
[0042] 外圍連接780包括硬件接口和連接器，以及軟件部件(例如，驅(qū)動器、協(xié)議棧)，用于 進(jìn)行外圍連接。將理解設(shè)備700可以既是到其它計算設(shè)備("到"782)的外圍設(shè)備，又具有 連接到它的外圍設(shè)備("從" 784)。設(shè)備700通?？删哂?對接"連接器，用于連接到其它計 算設(shè)備用于例如管理設(shè)備700上的內(nèi)容(例如，下載和/或上傳、改變或使其同步）等目的。 另外，對接連接器可以允許設(shè)備700連接到某些外設(shè)，其允許設(shè)備700控制例如到視聽或其 它系統(tǒng)的內(nèi)容輸出。
[0043] 除外圍對接連接器或其它外圍連接硬件外，設(shè)備700可以經(jīng)由常見或基于標(biāo)準(zhǔn)的 連接器來進(jìn)行外圍連接780。常見類型可以包括通用串行總線（USB)連接器(其可以包括許 多不同硬件接口中的任何)、DisplayPort，其包括MiniDisplayPort (MDP)、高清晰度多媒 體接口（HDMI)、火線或其它類型。
[0044] 圖8圖示包括堆棧存儲器的計算系統(tǒng)的實施例。該計算系統(tǒng)可包括計算機、服務(wù) 器、游戲控制臺或其它計算裝置。在該圖示中，未示出與本描述無關(guān)的某些標(biāo)準(zhǔn)和眾所周知 的部件。根據(jù)一些實施例，計算系統(tǒng)800包括用于傳送數(shù)據(jù)的互連或交叉805或其它通信 工具。計算系統(tǒng)800可包括處理工具，例如與互連805耦合用于處理信息的一個或多個處 理器810。處理器810可包括一個或多個物理處理器和一個或多個邏輯處理器。為了簡單 起見，互連805圖示為單個互連，但可代表多個不同的互連或總線并且到這樣的互連的部 件連接可改變。在圖8中示出的互連805是抽象概念，其代表通過合適的網(wǎng)橋、適配器或控 制器而連接的任何一個或多個獨立物理總線、點到點連接或兩者。
[0045] 在一些實施例中，計算系統(tǒng)800進(jìn)一步包括隨機存取存儲器（RAM)或其它動態(tài)存 儲設(shè)備或元件作為用于存儲信息和指令以供處理器810執(zhí)行的主存儲器812。RAM存儲器包 括：動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM)，其需要刷新存儲器內(nèi)容；和靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM)， 其不需要刷新內(nèi)容，但要增加成本。在一些實施例中，主存儲器可包括應(yīng)用的主動存儲，其 包括用于在網(wǎng)絡(luò)瀏覽活動中由計算系統(tǒng)的用戶使用的瀏覽器應(yīng)用。DRAM存儲器可包括：同 步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)，其包括用于控制信號的時鐘信號；和擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動態(tài) 隨機存取存儲器（EDO DRAM)。在一些實施例中，系統(tǒng)的存儲器可包括某些寄存器或其它專 用存儲器。
[0046] 在一些實施例中，主存儲器812包括堆棧存儲器814,其中該堆棧存儲器包括存儲 器控制器，用于對列對準(zhǔn)815提供性能調(diào)節(jié)。
[0047] 計算系統(tǒng)800還可包括只讀存儲器（R0M)816或其它靜態(tài)存儲設(shè)備，用于存儲對于 處理器810的靜態(tài)信息和指令。計算系統(tǒng)800可包括一個或多個非易失性存儲器元件818， 用于存儲某些元素。 在一些實施例中，計算系統(tǒng)800包括一個或多個輸入設(shè)備830,其中這些輸入設(shè)備包括 鍵盤、鼠標(biāo)、觸摸板、語音命令識別、姿勢識別或用于向計算系統(tǒng)提供輸入的其它設(shè)備中的 一個或多個。
[0048] 計算系統(tǒng)800還可經(jīng)由互連805耦合于輸出顯示器840。在一些實施例中，顯示器 840可包括液晶顯示器（LCD)或任何其它顯示技術(shù)，用于向用戶顯示信息或內(nèi)容。在一些環(huán) 境中，顯示器840可包括觸摸屏，其也用作輸入設(shè)備的至少一部分。在一些環(huán)境中，顯示器 840可以是或可包括音頻設(shè)備，例如用于提供音頻信息的揚聲器。
[0049] 一個或多個傳送器或接收器845還可耦合于互連805。在一些實施例中，計算系統(tǒng) 800可包括一個或多個端口 850,用于接收或傳送數(shù)據(jù)。計算系統(tǒng)800可進(jìn)一步包括一個或 多個全向或定向天線855,用于經(jīng)由無線電信號接收數(shù)據(jù)。
[0050] 計算系統(tǒng)800還可包括電力設(shè)備或系統(tǒng)860,其可包括電力供應(yīng)、電池、太陽能電 池、燃料電池或用于提供或產(chǎn)生電力的其它系統(tǒng)或設(shè)備。由電力設(shè)備或系統(tǒng)860提供的電 力可根據(jù)需要分布到計算系統(tǒng)800的元件。
[0051] 在上文的描述中，為了解釋目的，闡述許多具體細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的更全面的 解釋。然而，本發(fā)明可在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些的情況下實踐，這對于本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人 員將是明顯的。在其它實例中，以框圖的形式示出眾所周知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備。在圖示的部件 之間可存在中間結(jié)構(gòu)。本文描述或圖示的部件可具有未圖示或描述的額外輸入或輸出。
[0052] 各種實施例可包括各種過程。這些過程可由硬件部件執(zhí)行或可包含在計算機程序 或機器可執(zhí)行指令中，其可用于促使用指令對通用或?qū)Ｓ锰幚砥骰蜻壿嬰娐肪幊虂韴?zhí)行過 程。備選地，過程可由硬件和軟件的組合執(zhí)行。
[0053] 各種實施例的部分可作為計算機程序產(chǎn)品而提供，該計算機程序產(chǎn)品可包括非短 暫性計算機可讀存儲介質(zhì)，其具有存儲在其上的計算機程序指令，這些計算機程序指令可 用于對計算機(或其它電子設(shè)備）編程以供一個或多個處理器執(zhí)行來執(zhí)行根據(jù)某些實施例 的過程。計算機可讀介質(zhì)可包括但不限于，軟盤、光盤、壓縮盤只讀存儲器（CD-ROM)和磁光 盤、只讀存儲器（ROM)、隨機存取存儲器（RAM)、可擦除可編程只讀存儲器（EPROM)、電可擦 除可編程只讀存儲器（EEPR0M)、磁或光卡、閃速存儲器或適合于存儲電子指令的其它類型 的計算機可讀介質(zhì)。此外，實施例還可作為計算機程序產(chǎn)品而下載，其中程序可從遠(yuǎn)程計算 機傳輸?shù)秸埱笥嬎銠C。
[0054] 方法中的許多采用它們最基本的形式描述，但過程可添加到方法中的任一個或從 其刪除并且信息可以添加到描述的消息中的任一個或從其扣除而不偏離本發(fā)明的基本范 圍。可以做出許多另外的修改和更改，這對于本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員將是明顯的。未提供特定 實施例來限制本發(fā)明而是說明它。本發(fā)明的實施例的范圍不由上文提供的具體示例而僅由 下文的權(quán)利要求確定。
[0055] 如果認(rèn)為元件"A"耦合于元件"B"或與元件"B"耦合，則元件A可直接耦合于元 件B或通過例如元件C而間接耦合。當(dāng)說明書或權(quán)利要求規(guī)定部件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特 性A "引起"部件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特性B時，這意指"A"至少是"B"的部分起因但還可 存在有助于引起"B"的至少一個其它部件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特性。如果說明書指示部件、 特征、結(jié)構(gòu)、過程或特性"可"、"可能"或"可以"被包括，則特定部件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特 性不需要被包括。如果說明書或權(quán)利要求指"一個"元件，這不意指僅存在描述的元件中的 一個。
[0056] 實施例是本發(fā)明的實現(xiàn)或示例。在說明書中對"實施例"、"一個實施例"、"一些實 施例"或"其它實施例"的引用意指結(jié)合實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在至少一 些實施例中，而不一定是所有實施例。"實施例"、"一個實施例"或"一些實施例"的各種表 現(xiàn)不一定都指相同的實施例。應(yīng)意識到在本發(fā)明的示范性實施例的前面的描述中，為了使 本公開流水線化并且有助于理解各種發(fā)明性方面中的一個或多個的目的，各種特征有時在 單個實施例、圖或其描述中組合在一起。然而，公開的該方法不解釋為反映要求保護(hù)的本發(fā) 明需要比在每個權(quán)利要求中專門列舉的更多的特征這一意向。相反，如下面的權(quán)利要求所 反映的，發(fā)明性方面在于比單個前面公開的實施例的所有特征要少。從而，權(quán)利要求書由此 特別并入該描述，其中每個權(quán)利要求立足于它自身作為本發(fā)明的獨立實施例。
【權(quán)利要求】
1. 一種存儲器設(shè)備，其包括： 存儲器棧，其包括多個耦合的存儲器元件，所述存儲器元件包括多個列，所述多個列包 括第一列和第二列；和 邏輯設(shè)備，其包括存儲器控制器； 其中所述存儲器控制器確定與對所述第一列的讀請求和對所述第二列的讀請求有關(guān) 的數(shù)據(jù)信號之間的失準(zhǔn)量；并且 其中在確定所述第一列與所述第二列之間的失準(zhǔn)大于閾值時，所述存儲器控制器在對 于所述第一列的數(shù)據(jù)信號與對于所述第二列的數(shù)據(jù)信號之間插入時移。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述存儲器控制器在所述存儲器設(shè)備處于 減少操作狀態(tài)時實施所述多個列之間的讀請求的重對準(zhǔn)。
3. 如權(quán)利要求2所述的存儲器設(shè)備，其中所述重對準(zhǔn)包括去除所述第一列與所述第 二列之間的時移。
4. 如權(quán)利要求2所述的存儲器設(shè)備，其中所述存儲器控制器在所述存儲器設(shè)備的接 口關(guān)閉或在所述存儲器進(jìn)入自刷新狀態(tài)時實施所述重對準(zhǔn)。
5. 如權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述失準(zhǔn)是所述存儲器設(shè)備的熱梯度的結(jié) 果。
6. 如權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述失準(zhǔn)是所述存儲器棧的所述存儲器元 件的定時特性的結(jié)果。
7. 如權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述存儲器設(shè)備是WidelO兼容設(shè)備。
8. -種方法，包括： 操作堆棧存儲器設(shè)備，所述存儲器設(shè)備包括存儲器棧，其包括多個耦合的存儲器元件， 所述存儲器元件包括多個列，所述多個列包括第一列和第二列； 確定與對所述第一列的讀請求和對所述第二列的讀請求有關(guān)的數(shù)據(jù)信號之間的失準(zhǔn) 量；并且 在確定所述第一列與所述第二列之間的失準(zhǔn)大于閾值時，在對于所述第一列的數(shù)據(jù)信 號與對于所述第二列的數(shù)據(jù)信號之間插入時移。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述存儲器設(shè)備處于減少操作狀態(tài)時 實施所述多個列之間的讀請求的重對準(zhǔn)。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中實施重對準(zhǔn)包括去除所述第一列與所述第二列之 間的時移。
11. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中在所述存儲器設(shè)備的接口關(guān)閉時或在所述存儲器 進(jìn)入自刷新狀態(tài)時實施所述重對準(zhǔn)。
12. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述失準(zhǔn)是所述存儲器設(shè)備的熱梯度的結(jié)果。
13. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述失準(zhǔn)是所述存儲器棧的所述存儲器元件的定 時特性的結(jié)果。
14. 一種系統(tǒng)，包括： 處理器，用于處理所述系統(tǒng)的數(shù)據(jù)； 傳送器、接收器或兩者，其與全向天線耦合來傳送數(shù)據(jù)、接收數(shù)據(jù)或兩者；以及 存儲器，用于存儲數(shù)據(jù)，所述存儲器包括堆棧存儲器設(shè)備，所述堆棧存儲器設(shè)備包括： 存儲器棧，其包括多個耦合的存儲器元件， 所述存儲器元件包括多個列，所述多個列包括第一列和第二列，和 邏輯設(shè)備，其包括存儲器控制器； 其中所述存儲器控制器確定與對所述第一列的讀請求和對所述第二列的讀請求有關(guān) 的數(shù)據(jù)信號之間的失準(zhǔn)量；并且 在確定所述第一列與所述第二列之間的失準(zhǔn)大于閾值時，所述存儲器控制器在對于所 述第一列的數(shù)據(jù)信號與對于所述第二列的數(shù)據(jù)信號之間插入時移。
15. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述存儲器控制器在所述存儲器設(shè)備處于減少 操作狀態(tài)時實施所述多個列之間的讀請求的重對準(zhǔn)。
16. 如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述重對準(zhǔn)包括去除所述第一列與所述第二列 之間的時移。
17. 如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述存儲器控制器在所述存儲器設(shè)備的接口關(guān) 閉或在所述存儲器進(jìn)入自刷新狀態(tài)時實施所述重對準(zhǔn)。
18. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)是移動設(shè)備。
19. 如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述移動設(shè)備是平板計算機。
20. -種非短暫性計算機可讀存儲介質(zhì)，其具有存儲在其上的代表指令序列的數(shù)據(jù)， 所述指令序列在由處理器執(zhí)行時促使所述處理器執(zhí)行操作，所述操作包括： 操作堆棧存儲器設(shè)備，所述存儲器設(shè)備包括存儲器棧，其包括多個耦合的存儲器元件， 所述存儲器元件包括多個列，所述多個列包括第一列和第二列； 確定與對所述第一列的讀請求和對所述第二列的讀請求有關(guān)的數(shù)據(jù)信號之間的失準(zhǔn) 量；并且 在確定所述第一列與所述第二列之間的失準(zhǔn)大于閾值時，在對于所述第一列的數(shù)據(jù)信 號與對于所述第二列的數(shù)據(jù)信號之間插入時移。
21. 如權(quán)利要求20所述的介質(zhì)，其進(jìn)一步包括指令，所述指令在由所述處理器執(zhí)行時 促使所述處理器執(zhí)行操作，所述操作包括： 在所述存儲器設(shè)備處于減少操作狀態(tài)時實施所述多個列之間的讀請求的重對準(zhǔn)。
22. 如權(quán)利要求21所述的介質(zhì)，其中實施重對準(zhǔn)包括去除所述第一列與所述第二列 之間的時移。
23. 如權(quán)利要求21所述的介質(zhì)，其中在所述存儲器設(shè)備的接口關(guān)閉時或在所述存儲 器進(jìn)入自刷新狀態(tài)時實施所述重對準(zhǔn)。
【文檔編號】G11C11/406GK104115229SQ201180076444
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月23日
【發(fā)明者】B.多倫伊, K.舍馬克 申請人:英特爾公司