專利名稱：硬盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硬盤。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，電子設(shè)備(如電腦，服務(wù)器等)中硬盤的數(shù)目不斷增多，且硬盤的存儲容量不斷增大，傳輸速度不斷加快，從而導(dǎo)致硬盤消耗的電能不斷增加。在具有多個硬盤的電子設(shè)備中，若其中一個硬盤壞掉了，電子設(shè)備仍能工作，且會繼續(xù)為壞掉的硬盤供電，這就造成了電能的浪費。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種在不能正常工作時自動斷開電源輸入的硬盤，以節(jié)省電能。一種硬盤，包括一控制單元、一緩存單元、一磁頭單元、一盤片單元、一主軸電機單元、一供電單元、一開關(guān)單元及一接口，所述控制單元用于控制所述緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元配合工作以實現(xiàn)硬盤的讀寫功能，并偵測所述緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元的工作狀態(tài)，當(dāng)偵測到其中至少一單元壞掉時發(fā)送一控制信號給所述開關(guān)單元，所述供電單元用于將所述接口的電源引腳輸出的電源轉(zhuǎn)換成所述控制單元、緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元所需的電源，并為所述控制單元、緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元供電，所述開關(guān)單元用于在接收到所述控制信號后，停止將所述接口的電源引腳輸出的電源輸出給所述供電單元。上述硬盤通過在所述供電單元與所述接口的電源引腳之間設(shè)置所述開關(guān)單元，并通過所述控制單元來偵測所述緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元的工作狀態(tài)，以在偵測到其中至少一單元壞掉時，所述控制單元控制所述開關(guān)單元停止將所述接口的電源引腳輸出的電源輸出給所述供電單元，從而達(dá)到省電的目的。


圖1是本發(fā)明硬盤的較佳實施方式的原理框圖。圖2是圖1的電路連接示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種硬盤，包括一控制單元、一緩存單元、一磁頭單元、一盤片單元、一主軸電機單元、一供電單元、一開關(guān)單元及一接口，所述控制單元用于控制所述緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元配合工作以實現(xiàn)硬盤的讀寫功能，并偵測所述緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元的工作狀態(tài)，當(dāng)偵測到其中至少一單元壞掉時發(fā)送一控制信號給所述開關(guān)單元，所述供電單元用于將所述接口的電源引腳輸出的電源轉(zhuǎn)換成所述控制單元、緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元所需的電源，并為所述控制單元、緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元供電，所述開關(guān)單元用于在接收到所述控制信號后，停止將所述接口的電源引腳輸出的電源輸出給所述供電單元。
2.如權(quán)利要求1所述的硬盤，其特征在于:所述開關(guān)單元包括一第一電子開關(guān)及一第二電子開關(guān)，所述接口包括一第一電源引腳、一第二電源引腳及若干信號引腳，所述第一及第二電子開關(guān)的第一端均與所述控制單元相連，并均通過一第一電阻與一第一電源相連，還均通過一第二電阻接地，所述第一電子開關(guān)的第二端與所述第一電源引腳相連，所述第二電子開關(guān)的第二端與所述第二電源引腳相連，所述第一及第二電子開關(guān)的第三端均與所述供電單元相連，所述第一電源引腳還與一第二電源相連，所述第二電源引腳還與一第三電源相連，所述信號引腳均與所述控制單元相連；當(dāng)所述控制單元輸出控制信號時，所述第一電子開關(guān)及第二電子開關(guān)均斷開，以使得所述接口的第一電源引腳及第二電源引腳停止輸出電源給供電單元。
3.如權(quán)利要求2所述的硬盤，其特征在于:當(dāng)所述開關(guān)單元未接收到所述控制信號時，所述第一及第二電子開關(guān)的第一端接收所述第一電源經(jīng)所述第一及第二電阻分壓后所述第二電阻分得的電壓，所述第一及第二電子開關(guān)導(dǎo)通，所述第二電源經(jīng)所述第一電子開關(guān)輸出給所述供電單元，所述第三電源經(jīng)所述第二電子開關(guān)輸出給所述供電單元；當(dāng)所述開關(guān)單元接收到所述控制信號時，所述第一及第二電子開關(guān)均因第一端接收到所述控制信號而截止，所述第二電源不能通過所述第一電子開關(guān)輸出給所述供電單元，所述第三電源不能通過所述第二電子開關(guān)輸出給所述供電單元。
4.如權(quán)利要求3所述的硬盤，其特征在于:所述第一及第二電子開關(guān)均為NMOS場效應(yīng)管，所述第一及第二電子開關(guān)的第一、第二及第三端分別對應(yīng)NMOS場效應(yīng)管的柵極、漏極及源極。
5.如權(quán)利要求3所述的硬盤，其特征在于:所述第一及第二電子開關(guān)均為NPN型三極管，所述第一及第二電子開關(guān)的第一、第二及第三端分別對應(yīng)NPN型三極管的基極、集電極及發(fā)射極。
全文摘要
一種硬盤，包括一控制單元、一緩存單元、一磁頭單元、一盤片單元、一主軸電機單元、一供電單元、一開關(guān)單元及一接口。所述控制單元控制所述緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元配合工作以實現(xiàn)硬盤的讀寫功能，并偵測所述緩存單元、磁頭單元、盤片單元及主軸電機單元的工作狀態(tài)，且在偵測到其中至少一單元壞掉時發(fā)送一控制信號給所述開關(guān)單元。所述開關(guān)單元接收到所述控制信號后，停止將所述接口的電源引腳輸出的電源輸出給所述供電單元。本發(fā)明硬盤在不能正常工作時能自動斷開外部電源的輸入，以節(jié)省電能。
文檔編號G11B33/00GK103187085SQ20111045324
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者吳亢, 田波 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司