專利名稱：集成電路的監(jiān)控裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種集成電路，更具體而言，涉及一種能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)控集成電路的內(nèi)部電路是否正常操作的集成電路的監(jiān)控裝置。
背景技術(shù)：
期望能夠開(kāi)發(fā)出具有高集成度、高性能及低功耗的集成電路。隨著集成電路變得越來(lái)越高度集成，位于芯片中的諸如晶體管的器件的尺寸逐漸減小。因此，已發(fā)展出用于保證諸如尺寸縮小的晶體管的器件的特性的穩(wěn)定性和可靠性的方法。一種用于保證穩(wěn)定性的方法是監(jiān)控內(nèi)部電路的電壓或溫度。通常，關(guān)于監(jiān)控方法，已采用了這樣的一種方法，即在集成電路中額外地設(shè)置測(cè)試焊盤，并利用測(cè)試焊盤來(lái)監(jiān)控所需的信息。然而，此方法可能具有的缺點(diǎn)是，可能由于額外設(shè)置的測(cè)試焊盤而增加芯片尺寸。為了解決此問(wèn)題，提出了另一種監(jiān)控方法，其中，在特定模式下例如在測(cè)試模式下利用數(shù)據(jù)(DQ)焊盤來(lái)獲取期望的信息。然而，此方法的局限在于，雖然其能在特定的操作模式下監(jiān)控內(nèi)部信號(hào)，但是不能在集成電路操作時(shí)例如在集成電路傳送和接收數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)時(shí)監(jiān)控內(nèi)部信號(hào)。此外，局限還在于難以在誤操作的情況下從外部向內(nèi)部電路施加信號(hào)，或者難以執(zhí)行操作余量估算以改變內(nèi)部操作和特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)控內(nèi)部電路是否正常操作的集成電路的監(jiān)控裝置。此外，本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種能夠在誤操作或用于操作余量估算的情況下強(qiáng)制性地向內(nèi)部施加信號(hào)的集成電路的監(jiān)控裝置。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤，所述多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤被配置為將數(shù)據(jù)傳送至存儲(chǔ)器單元以及從存儲(chǔ)器單元接收數(shù)據(jù)；警報(bào)焊盤，所述警報(bào)焊盤被配置為在數(shù)據(jù)被傳送和接收時(shí)輸出數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息；以及監(jiān)控裝置，所述監(jiān)控裝置被配置為在第一模式下將數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息輸出至警報(bào)焊盤，在第二模式下將監(jiān)控信息輸出至警報(bào)焊盤。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤，所述多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤被配置為將數(shù)據(jù)傳送至存儲(chǔ)器單元以及從存儲(chǔ)器單元接收數(shù)據(jù)；警報(bào)焊盤，所述警報(bào)焊盤被配置為在數(shù)據(jù)被傳送和接收時(shí)輸出數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息；以及監(jiān)控裝置，所述監(jiān)控裝置被配置為在第一模式下將數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息輸出至警報(bào)焊盤，、在第二模式下將從警報(bào)焊盤輸入的警報(bào)信號(hào)傳送至內(nèi)部電路。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例，一種集成電路的監(jiān)控裝置包括錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元，所述錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元被配置為響應(yīng)于使能信號(hào)而選擇包括數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)與包括監(jiān)控信息的第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)中的一個(gè)，并輸出錯(cuò)誤信號(hào)；輸出驅(qū)動(dòng)器，所述輸出驅(qū)動(dòng)器被配置為響應(yīng)于錯(cuò)誤信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)焊盤；輸入驅(qū)動(dòng)器，所述輸入驅(qū)動(dòng)器被配置為在第三模式下接收經(jīng)由焊盤輸入的警報(bào)信號(hào)，并驅(qū)動(dòng)警報(bào)信號(hào)作為內(nèi)部警報(bào)信號(hào)；以及測(cè)試模式控制單 元，所述測(cè)試模式控制單元被配置為當(dāng)集成電路不處于第三模式時(shí)檢測(cè)監(jiān)控信息并輸出第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)，而在第三模式下向內(nèi)部電路輸出內(nèi)部警報(bào)信號(hào)作為第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例，一種用于監(jiān)控集成電路的方法包括以下步驟響應(yīng)于使能信號(hào)而選擇包括數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)與包括監(jiān)控信息的第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)中的一個(gè)，并且輸出錯(cuò)誤信號(hào)；響應(yīng)于錯(cuò)誤信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)焊盤；在第三模式下接收經(jīng)由焊盤輸入的警報(bào)信號(hào)，并驅(qū)動(dòng)警報(bào)信號(hào)作為內(nèi)部警報(bào)信號(hào)；以及當(dāng)集成電路不處于第三模式時(shí)檢測(cè)監(jiān)控信息并輸出第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)，而在第三模式下向內(nèi)部電路輸出內(nèi)部警報(bào)信號(hào)作為第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)。


圖I是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的集成電路的監(jiān)控裝置的框圖。圖2是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的錯(cuò)誤檢測(cè)單元的電路圖。圖3是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的模式檢測(cè)單元的電路圖。圖4是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元的電路圖。圖5是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的測(cè)試模式控制單元的電路圖。圖6是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的輸出驅(qū)動(dòng)器的電路圖。圖7是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的輸入驅(qū)動(dòng)器的電路圖。圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于本文所提出的實(shí)施例。確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是為了使本說(shuō)明書清楚且完整，并且將會(huì)向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本說(shuō)明書中，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各個(gè)附圖和實(shí)施例中表示相同的部件。圖I是圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的集成電路的監(jiān)控裝置的框圖。參見(jiàn)圖I，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的集成電路包括警報(bào)焊盤ALERT PAD、監(jiān)控裝置100、測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元200和MRS (模式寄存器組)譯碼器300。監(jiān)控裝置100被配置為在CRC(cyclic redundancy code,循環(huán)冗余碼)或奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ较聦⒀h(huán)冗余碼(CRC)或奇偶校驗(yàn)信息輸出至警報(bào)焊盤ALERT PAD。此外，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的監(jiān)控裝置100在第一測(cè)試模式下將溫度信息輸出至警報(bào)焊盤ALERTPAD,在第二測(cè)試模式下將經(jīng)由警報(bào)焊盤ALERT PAD輸入的警報(bào)信號(hào)ALERT傳送至內(nèi)部電路。也就是說(shuō)，監(jiān)控裝置100被配置為除了檢測(cè)CRC或奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤之外，還檢測(cè)溫度錯(cuò)誤并強(qiáng)制性地輸入警報(bào)信號(hào)ALERT。測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元200被配置為將輸入的時(shí)鐘CLK、命令CMD和地址ADDR〈0:N>譯碼，并產(chǎn)生第一測(cè)試模式信號(hào)TMl和第二測(cè)試模式信號(hào)TM2。第一測(cè)試模式信號(hào)TMl是在第一測(cè)試模式下被激活為邏輯高電平的信號(hào)，在所述第一測(cè)試模式下，與集成電路的操作相關(guān)的諸如環(huán)境信息的信息一例如溫度信息一一被輸出至警報(bào)焊盤ALERTPAD。另外，第二測(cè)試模式信號(hào)TM2是在第二測(cè)試模式下被激活為邏輯高電平的信號(hào)，在所述第二測(cè)試模式下，經(jīng)由警報(bào)焊盤ALERT PAD輸入的警報(bào)信號(hào)ALERT被傳送至內(nèi)部電路。MRS譯碼器300被配置為儲(chǔ)存用于CRC模式和奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ降男畔?，并根?jù)輸入的時(shí)鐘CLK、命令CMD和地址ADDR〈0:N>而輸出CRC使能信號(hào)CRC_EN和奇偶校驗(yàn)使能信號(hào)PARITY_EN。CRC使能信號(hào)CRC_EN是在CRC模式下被激活為邏輯高電平的信號(hào)，奇偶校驗(yàn)使能信號(hào)PARITY_EN是在奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ较卤患せ顬檫壿嫺唠娖降男盘?hào)。更具體而言，監(jiān)控裝置100包括錯(cuò)誤檢測(cè)單元110、模式檢測(cè)單元120、錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元130、測(cè)試模式控制單元140、輸出驅(qū)動(dòng)器150和輸入驅(qū)動(dòng)器160。 錯(cuò)誤檢測(cè)單元110被配置為接收CRC錯(cuò)誤信號(hào)CRC_ERR0R和奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤信號(hào)PARITY_ERR0R,并輸出具有CRC或奇偶校驗(yàn)信息的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIG0。模式檢測(cè)單元120被配置為接收CRC使能信號(hào)CRC_EN、奇偶校驗(yàn)使能信號(hào)PARITY_EN和第一測(cè)試模式信號(hào)TM1，并產(chǎn)生包括模式信息的使能信號(hào)EN及其反相形式(下文稱之為反相使能信號(hào)ENB)。錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元130被配置為根據(jù)使能信號(hào)EN和反相使能信號(hào)ENB來(lái)選擇具有CRC或奇偶校驗(yàn)信息的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGO和具有溫度信息的第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl之中的一個(gè)，并輸出第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN。輸出驅(qū)動(dòng)器150被配置為響應(yīng)于第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN來(lái)驅(qū)動(dòng)警報(bào)焊盤ALERT PAD。輸入驅(qū)動(dòng)器160被配置為在第二測(cè)試模式下從外部接收經(jīng)由警報(bào)焊盤ALERT PAD輸入的警報(bào)信號(hào)ALERT，并驅(qū)動(dòng)上述警報(bào)信號(hào)ALERT作為內(nèi)部警報(bào)信號(hào)INT_ALERT。測(cè)試模式控制單元140被配置為在第二測(cè)試模式下根據(jù)內(nèi)部警報(bào)信號(hào)INT_ALERT將第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl輸出至內(nèi)部電路，并在不處于第二測(cè)試模式時(shí)根據(jù)溫度錯(cuò)誤信號(hào)TEMP_AB0VE輸出第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl。而且，在根據(jù)本發(fā)明的此示例性實(shí)施例中，可以額外地設(shè)置CRC和奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤檢測(cè)單元(未示出)，所述CRC和奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤檢測(cè)單元被配置為在CRC模式下檢測(cè)CRC錯(cuò)誤并產(chǎn)生CRC錯(cuò)誤信號(hào)CRC_ERR0R，以及在奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ较聶z測(cè)奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤并產(chǎn)生奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤信號(hào)PARITY_ERR0R ;以及溫度感測(cè)單元(未示出)，所述溫度感測(cè)單元被配置為當(dāng)操作溫度高于某溫度(例如，預(yù)定的溫度)時(shí)將溫度錯(cuò)誤信號(hào)TEMP_AB0VE激活為邏輯高電平，并輸出激活的溫度錯(cuò)誤信號(hào)TEMP_AB0VE。此外，在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以設(shè)置被配置為檢測(cè)電壓錯(cuò)誤的電壓檢測(cè)單元。在又一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以使用具有感測(cè)延遲信息的信號(hào)來(lái)代替溫度錯(cuò)誤信號(hào)TEMP_AB0VE,也可以用需要監(jiān)控的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的信號(hào)代替溫度錯(cuò)誤信號(hào)TEMP_AB0VE。如上所述，監(jiān)控裝置100在CRC或奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ较聦RC或奇偶校驗(yàn)信息輸出至警報(bào)焊盤ALERT PAD，并在第一測(cè)試模式下輸出包括有關(guān)于集成電路的操作溫度是否超出特定范圍的信息的溫度信息。也就是說(shuō)，在本發(fā)明的此示例性實(shí)施例中，在第一操作模式下可以利用僅在CRC或奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ较率褂玫木瘓?bào)焊盤ALERT PAD來(lái)監(jiān)控目標(biāo)內(nèi)部信息。因此，在實(shí)時(shí)操作期間，例如當(dāng)傳送和接收數(shù)據(jù)時(shí)，可以通過(guò)監(jiān)控警報(bào)焊盤ALERT PAD而確切地獲知集成電路的操作溫度超過(guò)特定溫度的臨界點(diǎn)。例如，在DRAM器件的情況下，當(dāng)操作溫度大于或等于45°C時(shí)可以提供刷新控制單元以縮短刷新周期。即使在刷新控制單元中出現(xiàn)誤操作并且未以期望的周期執(zhí)行刷新時(shí)，也可以經(jīng)由警報(bào)焊盤ALERT PAD監(jiān)控內(nèi)部操作。此外，監(jiān)控裝置100在第二測(cè)試模式下接收經(jīng)由警報(bào)焊盤ALERT PAD輸入的警報(bào)信號(hào)ALERT，并將第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl傳送至集成電路中的內(nèi)部電路。傳送至內(nèi)部電路的第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl可以包括熔絲選擇信息，以在第一測(cè)試模式的監(jiān)控之后利用熔絲來(lái)改變內(nèi)部特性。另外，第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl可用在刷新周期控制電路中，或用于控制特性根據(jù)溫度而改變的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部時(shí)間或操作。例如，在DRAM器件的情況下，如果第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl被用作當(dāng)溫度大于或等于45°C時(shí)被激活的溫度信號(hào)T45_ABOVE，則DRAM器件可以操作為如同其操作溫度大于或等于45°C，并且可以被監(jiān)控是否正常執(zhí)行操作。
作為參考，第一測(cè)試模式信號(hào)TMl和第二測(cè)試模式信號(hào)TM2被設(shè)計(jì)成不同時(shí)被激活。另外，輸出驅(qū)動(dòng)器150被設(shè)計(jì)成不在第二測(cè)試模式下操作，而輸入驅(qū)動(dòng)器160被設(shè)計(jì)成僅在第二測(cè)試模式下操作。圖2是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的錯(cuò)誤檢測(cè)單元110的電路圖。參見(jiàn)圖2，錯(cuò)誤檢測(cè)單元110包括或非門和兩個(gè)反相器，并且對(duì)輸入的CRC錯(cuò)誤信號(hào)CRC_ERR0R和奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤信號(hào)PARITY_ERR0R執(zhí)行“或非”操作。因此，錯(cuò)誤檢測(cè)單元110接收CRC錯(cuò)誤信號(hào)CRC_ERR0R和奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤信號(hào)PARITY_ERR0R,并當(dāng)出現(xiàn)CRC錯(cuò)誤或奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)輸出具有邏輯低電平的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGO。圖3是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的模式檢測(cè)單元120的電路圖。參見(jiàn)圖3，模式檢測(cè)單元120可以包括或非門N0R、與非門ND和反相器INV?；蚍情TNOR接收CRC使能信號(hào)CRC_EN和奇偶校驗(yàn)使能信號(hào)PARITY_EN并執(zhí)行“或非”邏輯操作。與非門ND接收或非門NOR的輸出以及第一測(cè)試模式信號(hào)TMl，執(zhí)行“與非”邏輯操作，并輸出反相使能信號(hào)ENB。反相器INV將與非門ND的輸出反相并輸出使能信號(hào)EN0因此，模式檢測(cè)單元120在當(dāng)CRC使能信號(hào)CRC_EN或奇偶校驗(yàn)使能信號(hào)PARITY_EN被激活時(shí)輸出邏輯低電平的使能信號(hào)EN和邏輯高電平的反相使能信號(hào)ENB，以及在當(dāng)?shù)谝粶y(cè)試模式信號(hào)TMl被激活時(shí)輸出邏輯高電平的使能信號(hào)EN和邏輯低電平的反相使能信號(hào) ENB0圖4是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元130的電路圖。參見(jiàn)圖4，錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元130包括傳送部410、鎖存部420和輸出部430。傳送部410被配置為響應(yīng)于使能信號(hào)ENl和反相使能信號(hào)EN2而選擇第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGO或第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl。鎖存部420被配置為鎖存并輸出傳送部410的選中的信號(hào)。輸出部430將鎖存部420的輸出反相并輸出第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN。在本發(fā)明的此示例性實(shí)施例中，鎖存部420可以由反相器鎖存器構(gòu)成，在此情況下，為了保持極性，可以在傳送部410的輸入端設(shè)置用于分別將第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGO和第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl反相的反相器。
因此，在CRC或奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ较掠捎谑鼓苄盘?hào)EN變?yōu)檫壿嫷碗娖剑e(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元130選擇具有CRC或奇偶校驗(yàn)信息的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIG0，將第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGO反相，并輸出第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN。另外，在第一測(cè)試模式下由于使能信號(hào)EN變?yōu)檫壿嫺唠娖?，錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元130選擇具有溫度信息的第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIG1，將第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl反相，并輸出第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN。圖5是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的測(cè)試模式控制單元140的電路圖。參見(jiàn)圖5，測(cè)試模式控制單元140包括第一邏輯控制部510、第二邏輯控制部520和信號(hào)組合部530。第一和第二邏輯控制部510和520以及信號(hào)組合部530可以分別用與
非門配置。 第一邏輯控制部510被配置為對(duì)第二測(cè)試模式信號(hào)TM2的反相信號(hào)和溫度錯(cuò)誤信號(hào)TEMP_AB0VE執(zhí)行“與非”操作。第二邏輯控制部520被配置為對(duì)第二測(cè)試模式信號(hào)TM2和內(nèi)部警報(bào)信號(hào)INT_ALERT執(zhí)行“與非”操作。信號(hào)組合部530被配置為對(duì)第一邏輯控制部510的輸出與第二邏輯控制部520的輸出執(zhí)行“與非”操作，并輸出第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIG1。因此，測(cè)試模式控制單元140在第二測(cè)試模式下向內(nèi)部電路輸出并傳送內(nèi)部警報(bào)信號(hào)INT_ALERT作為第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIG1，而當(dāng)不處于第二測(cè)試模式時(shí)輸出溫度錯(cuò)誤信號(hào)TEMP_AB0VE作為第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl。圖6是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的輸出驅(qū)動(dòng)器150的電路圖。參見(jiàn)圖6，輸出驅(qū)動(dòng)器150包括上拉控制部610、上拉晶體管620、下拉控制部630和下拉晶體管640。上拉控制部610被配置為對(duì)第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二測(cè)試模式信號(hào)TM2執(zhí)行“或”操作，并產(chǎn)生上拉控制信號(hào)PU。下拉控制部630被配置為對(duì)第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN的反相信號(hào)與第二測(cè)試模式信號(hào)TM2執(zhí)行“或非”操作，并產(chǎn)生下拉控制信號(hào)DN。上拉晶體管620和下拉晶體管640分別響應(yīng)于上拉控制信號(hào)UP和下拉控制信號(hào)DN而導(dǎo)通或截止，并且上拉晶體管620和下拉晶體管640連接在電源電壓VDD與接地電壓VSS之間，使得它們的公共端子與警報(bào)焊盤ALERT PAD連接。因此，在第二測(cè)試模式下，輸出驅(qū)動(dòng)器150的上拉晶體管620和下拉晶體管640截止，由此使連接至警報(bào)焊盤ALERT PAD的公共端子浮置。在此情況下，警報(bào)焊盤ALERTPAD被稱為處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。相反地，當(dāng)不處于第二測(cè)試模式時(shí)，輸出驅(qū)動(dòng)器150的上拉晶體管620和下拉晶體管640根據(jù)第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN而導(dǎo)通或截止。更具體而言，當(dāng)CRC錯(cuò)誤信號(hào)或奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤信號(hào)被使能時(shí)，第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN均變?yōu)檫壿嫺唠娖剑虼?，上拉晶體管620截止，而下拉晶體管640導(dǎo)通。因此，輸出驅(qū)動(dòng)器150將警報(bào)焊盤ALERT PAD驅(qū)動(dòng)至接地電壓VSS的電平。然而，當(dāng)存在溫度錯(cuò)誤時(shí)，第一錯(cuò)誤信號(hào)ERRUP和第二錯(cuò)誤信號(hào)ERRDN均變?yōu)檫壿嫷碗娖?，因此，上拉晶體管620導(dǎo)通，而下拉晶體管640截止。因此，輸出驅(qū)動(dòng)器150將警報(bào)焊盤ALERT PAD驅(qū)動(dòng)至電源電壓VDD的電平。圖7是圖示圖I的監(jiān)控裝置中的輸入驅(qū)動(dòng)器160的電路圖。參見(jiàn)圖7，輸入驅(qū)動(dòng)器160包括比較部710、上拉驅(qū)動(dòng)部720和輸出部730。比較部710被配置為響應(yīng)于第二測(cè)試模式信號(hào)TM2而被使能，將從外部輸入的警報(bào)信號(hào)ALERT與參考電壓VREF進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果。上拉驅(qū)動(dòng)部720被配置為當(dāng)?shù)诙y(cè)試模式信號(hào)TM2被去激活時(shí)對(duì)上拉驅(qū)動(dòng)比較部710的輸出。輸出部730被配置為將比較部710的輸出反相，并輸出內(nèi)部警報(bào)信號(hào)INT_ALERT。因此，輸入驅(qū)動(dòng)器160在第二測(cè)試模式信號(hào)TM2被激活時(shí)輸出與從外部輸入的警報(bào)信號(hào)ALERT具有相同極性的內(nèi)部警報(bào)信號(hào)INT_ALERT，而當(dāng)?shù)诙y(cè)試模式信號(hào)TM2被去激活時(shí)無(wú)論輸入信號(hào)如何都將內(nèi)部警報(bào)信號(hào)INT_ALERT輸出為邏輯低電平。圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。參見(jiàn)圖8，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出(DQ)焊盤840，所述多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出(DQ)焊盤840用于將數(shù)據(jù)傳送至存儲(chǔ)器單元區(qū)810中的存儲(chǔ)器單元、以及從存儲(chǔ)器單元區(qū)810中的存儲(chǔ)器單元接收數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)輸入單元820，所述數(shù)據(jù)輸入單元820用于將經(jīng)由所述多個(gè)DQ焊盤840輸入的數(shù)據(jù)傳送至存儲(chǔ)器 單元區(qū)810 ；以及數(shù)據(jù)輸出單元830，所述數(shù)據(jù)輸出單元830用于經(jīng)由所述多個(gè)DQ焊盤840輸出存儲(chǔ)器單元區(qū)810中的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)。根據(jù)圖8的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括警報(bào)焊盤960，所述警報(bào)焊盤960用于在利用MRS建立的第一模式下輸出第一錯(cuò)誤信息；以及監(jiān)控裝置900，所述監(jiān)控裝置900用于在第一模式下將第一錯(cuò)誤信息輸出至警報(bào)焊盤960，在第二模式下將第二錯(cuò)誤信號(hào)輸出至警報(bào)焊盤960，并在第三模式下將經(jīng)由警報(bào)焊盤960輸入的警報(bào)信號(hào)ALERT傳送至內(nèi)部電路(未示出)。這里，第一模式可以是CRC錯(cuò)誤或奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤檢測(cè)模式，第二模式可以是用于監(jiān)控與半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作有關(guān)的信息(如環(huán)境信息)——例如溫度和電壓，第三模式可以是測(cè)試輸入模式。另外，第一錯(cuò)誤信息可以包括CRC或奇偶校驗(yàn)信息，第二錯(cuò)誤信息可以包括溫度或電壓的信息。此外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還可以包括溫度感測(cè)單元910，所述溫度感測(cè)單元910被配置為當(dāng)操作溫度大于或等于某溫度(例如預(yù)定的溫度)時(shí)輸出溫度信號(hào)TEMP_AB0VE;電壓感測(cè)單元920，所述電壓感測(cè)單元920被配置為感測(cè)超出特定范圍的電壓并輸出電壓信號(hào)V0L_AB0VE ；以及CRC和奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤檢測(cè)單元930，所述CRC和奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤檢測(cè)單元930被配置為檢測(cè)CRC錯(cuò)誤并產(chǎn)生CRC錯(cuò)誤信號(hào)CRC_ERR0R，以及檢測(cè)奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤并產(chǎn)生奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤信號(hào)PARITY_ERR0R。另外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元940，所述測(cè)試模式信號(hào)發(fā)生單元940被配置為將輸入至存儲(chǔ)器件的時(shí)鐘、命令和地址譯碼，并產(chǎn)生第一測(cè)試模式信號(hào)TMl和第二測(cè)試模式信號(hào)TM2 ；MRS譯碼器950，所述MRS譯碼器950被配置為根據(jù)時(shí)鐘、命令和地址來(lái)儲(chǔ)存用于CRC錯(cuò)誤或奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤檢測(cè)模式的信息，并輸出CRC使能信號(hào)CRC_EN和奇偶校驗(yàn)使能信號(hào)PARITY_EN。因此，根據(jù)圖8所示的示例性實(shí)施例的監(jiān)控裝置900在CRC或奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ较聦RC或奇偶校驗(yàn)信息輸出至警報(bào)焊盤960，在第一測(cè)試模式下感測(cè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的超出特定范圍的操作溫度或電壓，并將溫度或電壓信息輸出至警報(bào)焊盤960。也就是說(shuō)，在本發(fā)明中，可以在不與CRC或奇偶校驗(yàn)?zāi)Ｊ揭恢碌哪Ｊ较录吹谝荒Ｊ较陆?jīng)由警報(bào)焊盤960監(jiān)控目標(biāo)信息。因此，即使在傳送和接收數(shù)據(jù)時(shí)也可以實(shí)時(shí)監(jiān)控半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是否正常執(zhí)行操作。另外，監(jiān)控裝置900在第二測(cè)試模式下接收經(jīng)由警報(bào)焊盤960輸入的警報(bào)信號(hào)ALERT，并向半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的內(nèi)部電路傳送警報(bào)信號(hào)ALERT作為第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIG1。傳送至內(nèi)部電路的第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)SIGl可以包括熔絲選擇信息，以在第一測(cè)試模式的監(jiān)控之后利用熔絲改變內(nèi)部特性。如上所述，在本發(fā)明中，可以在集成電路傳送和接收數(shù)據(jù)時(shí)利用警報(bào)焊盤實(shí)時(shí)監(jiān)控內(nèi)部電路是否正常操作。另外，在誤操作或用于操作余量估算以改變內(nèi)部操作和特性的情況下可以強(qiáng)制性地將警報(bào)信號(hào)從外部施加至警報(bào)焊盤。正如從上述描述中可理解的是，在本發(fā)明中，可以在集成電路傳送和接收數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)時(shí)監(jiān)控內(nèi)部電路是否正常操作。另外，在誤操作或用于操作余量估算以改變內(nèi)部操作和特性的情況下可以強(qiáng)制性地從外部施加信號(hào)。另外，在根據(jù)本發(fā)明的監(jiān)控裝置中，由于不需要設(shè)置用于監(jiān)控內(nèi)部電路的額外測(cè)試焊盤就可以實(shí)時(shí)監(jiān)控目標(biāo)信息，因此可以減小芯片尺寸，并可以減輕面積和成本方面的負(fù)擔(dān)。
雖然已經(jīng)結(jié)合具體的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員要理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的主旨和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括 多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤，所述多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤被配置為將數(shù)據(jù)傳送至存儲(chǔ)器單元以及從存儲(chǔ)器單元接收數(shù)據(jù)； 警報(bào)焊盤，所述警報(bào)焊盤被配置為在所述數(shù)據(jù)被傳送和接收時(shí)輸出數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息；以及 監(jiān)控裝置，所述監(jiān)控裝置被配置為在第一模式下將所述數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息輸出至所述警報(bào)焊盤，在第二模式下將監(jiān)控信息輸出至所述警報(bào)焊盤。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述第一模式是利用模式寄存器組MRS建立的模式，所述第二模式是利用測(cè)試模式建立的模式。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述第一模式是循環(huán)冗余碼CRC錯(cuò)誤或奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤感測(cè)模式，所述第二模式是溫度或電壓感測(cè)模式。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述監(jiān)控裝置包括 錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元，所述錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元被配置為響應(yīng)于使能信號(hào)而選擇包括所述數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)與包括所述監(jiān)控信息的第二錯(cuò)誤選擇信號(hào)中的一個(gè)，并輸出錯(cuò)誤信號(hào)；以及 輸出驅(qū)動(dòng)器，所述輸出驅(qū)動(dòng)器被配置為響應(yīng)于所述錯(cuò)誤信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述警報(bào)焊盤。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述使能信號(hào)根據(jù)所述第一模式而產(chǎn)生。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述監(jiān)控裝置在第三模式下將從所述警報(bào)焊盤輸入的警報(bào)信號(hào)傳送至內(nèi)部電路。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，在所述第二模式下從所述警報(bào)焊盤輸入的所述警報(bào)信號(hào)包括熔絲選擇信息。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述監(jiān)控裝置還包括 輸入驅(qū)動(dòng)器，所述輸入驅(qū)動(dòng)器被配置為在所述第三模式下接收輸入的警報(bào)信號(hào)并驅(qū)動(dòng)所述輸入的警報(bào)信號(hào)作為內(nèi)部警報(bào)信號(hào)；以及 測(cè)試模式控制單元，所述測(cè)試模式控制單元被配置為當(dāng)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件不處于所述第三模式時(shí)檢測(cè)所述監(jiān)控信息并輸出所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)，而在所述第三模式下向所述內(nèi)部電路輸出所述內(nèi)部警報(bào)信號(hào)作為所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)。
9.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括 多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤，所述多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤被配置為將數(shù)據(jù)傳送至存儲(chǔ)器單元以及從存儲(chǔ)器單元接收數(shù)據(jù)； 警報(bào)焊盤，所述警報(bào)焊盤被配置為在所述數(shù)據(jù)被傳送和接收時(shí)輸出數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息；以及 監(jiān)控裝置，所述監(jiān)控裝置被配置為在第一模式下將所述數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息輸出至所述警報(bào)焊盤，在第二模式下將從所述警報(bào)焊盤輸入的警報(bào)信號(hào)傳送至內(nèi)部電路。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述第一模式是利用模式寄存器組MRS建立的模式，所述第二模式是利用測(cè)試模式建立的模式。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，在所述第二模式下從所述警報(bào)焊盤輸入的所述警報(bào)信號(hào)包括熔絲選擇信息。
12.—種集成電路的監(jiān)控裝置，包括 錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元，所述錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元被配置為響應(yīng)于使能信號(hào)而選擇包括數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)與包括監(jiān)控信息的第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)中的一個(gè)，并輸出錯(cuò)誤信號(hào)； 輸出驅(qū)動(dòng)器，所述輸出驅(qū)動(dòng)器被配置為響應(yīng)于所述錯(cuò)誤信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)焊盤； 輸入驅(qū)動(dòng)器，所述輸入驅(qū)動(dòng)器被配置為在第三模式下接收經(jīng)由所述焊盤輸入的警報(bào)信號(hào)，并驅(qū)動(dòng)所述警報(bào)信號(hào)作為內(nèi)部警報(bào)信號(hào)；以及 測(cè)試模式控制單元，所述測(cè)試模式控制單元被配置為當(dāng)所述集成電路不處于所述第三模式時(shí)檢測(cè)所述監(jiān)控信息并輸出所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)，而在第三模式下向內(nèi)部電路輸出所述內(nèi)部警報(bào)信號(hào)作為所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)。
13.如權(quán)利要求12所述的監(jiān)控裝置，其中，所述第一模式是利用模式寄存器組MRS建立的模式，所述第二模式是利用測(cè)試模式建立的模式。
14.如權(quán)利要求12所述的監(jiān)控裝置，其中，所述錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)選擇單元包括 第一傳送部，所述第一傳送部被配置為響應(yīng)于所述使能信號(hào)的第一邏輯電平來(lái)選擇所述第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)； 第二傳送部，所述第二傳送部被配置為響應(yīng)于所述使能信號(hào)的第二邏輯電平來(lái)選擇所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)； 鎖存器，所述鎖存器被配置為鎖存所述第一傳送部的輸出和所述第二傳送部的輸出；以及 輸出部，所述輸出部被配置為接收所述鎖存器的輸出，并輸出所述錯(cuò)誤信號(hào)。
15.如權(quán)利要求14所述的監(jiān)控裝置，其中，所述輸出驅(qū)動(dòng)器包括 上拉晶體管，所述上拉晶體管被連接在電源電壓與所述焊盤之間，并響應(yīng)于所述錯(cuò)誤信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)；以及 下拉晶體管，所述下拉晶體管被連接在所述焊盤與接地電壓之間，并響應(yīng)于所述錯(cuò)誤信號(hào)而被驅(qū)動(dòng)， 其中，所述上拉晶體管和所述下拉晶體管在所述第三模式下截止。
16.如權(quán)利要求14所述的監(jiān)控裝置，其中，所述使能信號(hào)根據(jù)所述第一模式而產(chǎn)生。
17.如權(quán)利要求12所述的監(jiān)控裝置，其中，所述輸入驅(qū)動(dòng)器包括 比較部，所述比較部被配置為當(dāng)?shù)谌Ｊ叫盘?hào)被激活時(shí)被使能，將所述警報(bào)信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果； 上拉驅(qū)動(dòng)部，所述上拉驅(qū)動(dòng)部被配置為當(dāng)所述第三模式信號(hào)被去激活時(shí)上拉驅(qū)動(dòng)所述比較部的輸出；以及 輸出部，所述輸出部被配置為接收所述比較部的輸出并輸出所述內(nèi)部警報(bào)信號(hào)。
18.如權(quán)利要求12所述的監(jiān)控裝置，其中，所述測(cè)試模式控制單元包括 第一邏輯控制部，所述第一邏輯控制部被配置為當(dāng)所述第三模式信號(hào)被去激活時(shí)檢測(cè)并輸出所述監(jiān)控信息； 第二邏輯控制部，所述第二邏輯控制部被配置為當(dāng)所述第三模式信號(hào)被激活時(shí)輸出所述內(nèi)部警報(bào)信號(hào)；以及 信號(hào)組合部，所述信號(hào)組合部被配置為將所述第一邏輯控制部與所述第二邏輯控制部的輸出進(jìn)行組合，并輸出所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)。
19.一種用于監(jiān)控集成電路的方法，包括以下步驟 響應(yīng)于使能信號(hào)而選擇包括數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息的第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)與包括監(jiān)控信息的第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)中的一個(gè)，并輸出錯(cuò)誤信號(hào)； 響應(yīng)于所述錯(cuò)誤信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)焊盤； 在第三模式下接收經(jīng)由所述焊盤輸入的警報(bào)信號(hào)，并驅(qū)動(dòng)所述警報(bào)信號(hào)作為內(nèi)部警報(bào)信號(hào)；以及 當(dāng)所述集成電路不處于所述第三模式時(shí)檢測(cè)所述監(jiān)控信息并輸出所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)，而在所述第三模式下向內(nèi)部電路輸出所述內(nèi)部警報(bào)信號(hào)作為所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，在選擇所述第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)和所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)中的一個(gè)并輸出所述錯(cuò)誤信號(hào)的步驟中，在利用模式寄存器組MRS建立的所述第一模式下選擇所述第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)，在利用測(cè)試模式建立的所述第二模式下選擇所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，在響應(yīng)于所述錯(cuò)誤信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述焊盤的步驟中，在包括第一錯(cuò)誤信息的所述第一錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)被選中的情況下將所述焊盤驅(qū)動(dòng)至接地電壓，在包括第二錯(cuò)誤信息的所述第二錯(cuò)誤檢測(cè)信號(hào)被選中的情況下將所述焊盤驅(qū)動(dòng)至電源電壓。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，在所述第三模式下接收所述警報(bào)信號(hào)并驅(qū)動(dòng)所述警報(bào)信號(hào)作為所述內(nèi)部警報(bào)信號(hào)的步驟包括以下步驟 在所述第三模式下將所述警報(bào)信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較；以及在所述第三模式下輸出比較結(jié)果作為所述內(nèi)部警報(bào)信號(hào)，而在所述集成電路不處于所述第三模式時(shí)上拉驅(qū)動(dòng)所述比較結(jié)果。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤，所述多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤被配置為將數(shù)據(jù)傳送至存儲(chǔ)器單元以及從存儲(chǔ)器單元接收數(shù)據(jù)；警報(bào)焊盤，所述警報(bào)焊盤被配置為在數(shù)據(jù)被傳送和接收時(shí)輸出數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息；以及監(jiān)控裝置，所述監(jiān)控裝置被配置為在第一模式下將數(shù)據(jù)錯(cuò)誤信息輸出至警報(bào)焊盤，在第二模式下將監(jiān)控信息輸出至警報(bào)焊盤。
文檔編號(hào)G11C29/12GK102768860SQ20111034971
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2011年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月2日
發(fā)明者具岐峰 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司