專利名稱：近場光產生元件、近場光頭及它們的制造方法和再現(xiàn)裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種使用對光束進行會聚后的近場光在磁記錄介質上記錄再現(xiàn)各種信息的近場光產生元件、近場光產生元件的制造方法、近場光頭、近場光頭的制造方法以及信息記錄再現(xiàn)裝置。
背景技術：
近些年來，伴隨計算機設備中的硬盤等的容量的增加，單一記錄面內的信息記錄密度也得以增加。例如，為了增加磁盤每單位面積的記錄容量，需要提高面記錄密度。 然而隨著記錄密度變高，記錄介質上每一比特所占的記錄面積也會變小。當該比特大小變小時，1比特信息所具備的能量接近室溫的熱能，會產生所記錄的信息因熱波動(Heat fluctuation)等而反轉或消失等熱退磁的問題。在通常使用的面內記錄方式中，采取的是磁化方向朝向記錄介質的面內方向而進行磁記錄的方式，而該方式易于因上述熱退磁引起記錄信息的消失等。于是，為了解決這種不良情況，近些年來采用了在垂直于記錄介質的方向上記錄磁化信號的垂直記錄方式。該方式是基于使單磁極接近記錄介質的原理記錄磁信息的方式。根據(jù)該方式，記錄磁場朝向大致垂直于記錄膜的方向。關于通過垂直磁場記錄的信息，在記錄膜面內，N極和S極不容易產生循環(huán)，易于保持能量穩(wěn)定。因而該垂直記錄方式相對于面內記錄方式，在熱退磁方面變強。然而，近些年，受到希望進行更大量且更高密度信息的記錄再現(xiàn)等的需求的影響， 要求記錄介質實現(xiàn)更高密度化。因此，為了將相鄰磁區(qū)彼此的影響和熱波動抑制在最小限度，開始采用矯頑力較強的結構作為記錄介質。因此上述垂直記錄方式也變得難以將信息記錄于記錄介質。于是，為了解決上述不良情況，提供了下述混合型磁記錄方式的記錄再現(xiàn)頭使用對光進行會聚后的點光或近場光對磁區(qū)進行局部加熱，使矯頑力暫時降低，在此期間內對記錄介質進行寫入。這種記錄再現(xiàn)頭中使用近場光的記錄再現(xiàn)頭(以下稱之為近場光頭)主要具有滑塊、配置于滑塊上且具有主磁極和輔助磁極的記錄元件、從所照射的激光產生近場光的近場光產生元件、朝近場光產生元件照射激光的激光光源以及將激光光源發(fā)出的激光引導至近場光產生元件的光波導(例如參見專利文獻1)。近場光產生元件具有一邊反射激光一邊使其傳播的芯部、包括與芯部緊密貼合而密封芯部的包層的光束傳播元件、配置于芯部和包層之間并從激光產生近場光的金屬膜。芯部被縮徑成型為與從一端側(光入射側)朝向另一端側(光出射側)的激光的傳播方向垂直的截面積逐漸減小，該芯部在使激光會聚的同時使其向另一端側傳播。而且上述金屬膜被配置于芯部的另一端側的側面。在使用如上構成的近場光頭的情況下，在產生近場光的同時施加記錄磁場，從而對記錄介質記錄各種信息。即，從激光光源射出的激光經由光波導射入光束傳播元件內。然后，射入到光束傳播元件的激光在芯部內傳播并到達金屬膜。于是在金屬膜中，內部的自由電子由于激光的作用而一致地振動，因此激勵起等離子體，在芯部的另一端側以局部存在的狀態(tài)產生近場光。其結果是，利用近場光對磁記錄介質的磁記錄層局部加熱，使得矯頑力暫時降低。另外，在上述激光照射的同時向記錄元件提供驅動電流，從而向靠近主磁極前端的磁記錄介質的磁記錄層局部施加記錄磁場。其結果是，能夠在矯頑力暫時降低的磁記錄層中記錄各種信息。即，通過近場光與磁場的協(xié)作，能夠對磁記錄介質進行記錄。專利文獻1日本特開2008-152897號公報另外，為了實現(xiàn)記錄介質進一步的高密度化，需要縮小近場光的點徑，進一步局部加熱磁記錄介質的磁記錄層，抑制上述熱波動現(xiàn)象等的影響。為了縮小近場光的點徑，可考慮縮小金屬膜的寬度(從激光傳播方向觀察時是與芯部的界面的寬度)。此時，以往都是按照金屬膜的寬度形成芯部，因此芯部的寬度(從激光傳播方向觀察時是與金屬膜的接觸面的寬度)會隨著金屬膜縮小而縮小。但是，若芯部的寬度縮小，則在芯部內傳播的激光的損失會變大，存在無法獲得充足光量的問題。即，雖然近場光的點徑能夠縮小，但是光量會降低。

發(fā)明內容
于是，本發(fā)明就是考慮到上述情況而完成的，其目的在于提供一種在確保光量的基礎上能夠縮小近場光的點徑的近場光產生元件、近場光產生元件的制造方法、近場光頭、 近場光頭的制造方法以及信息記錄再現(xiàn)裝置。為解決上述課題，本發(fā)明提供如下手段。本發(fā)明涉及的近場光產生元件使導入到一端側的光束向另一端側會聚而進行傳播，并且，在生成近場光之后發(fā)出到外部，其特征在于，具有芯部，其朝上述另一端側傳播上述光束；以及近場光產生部，其沿著從上述芯部的上述一端側朝上述另一端側的上述光束的傳播方向配置，使上述光束沿著與上述芯部的界面?zhèn)鞑?，從上述光束產生上述近場光， 上述芯部具有第1芯部和第2芯部，該第2芯部以中間隔著上述第1芯部的方式從與上述近場光產生部相反的一側覆蓋上述第1芯部，從上述傳播方向觀察，上述第2芯部的外側端部比上述近場光產生部的外側端部更靠外側。根據(jù)該結構，第2芯部的外側端部比近場光產生部的外側端部更靠外側，因此從傳播方向觀察，近場光產生部的寬度形成為小于芯部整體的與近場光產生部的界面的寬度。因此，能夠產生比芯部整體的與近場光產生部的界面的寬度小的點徑的近場光，而且能夠抑制伴隨點徑縮小而產生的光束傳播效率的降低。由此，能夠在確保光量的基礎上縮小近場光的點徑。另外，近場光產生元件的特征還在于，上述第1芯部和上述第2芯部由相同材料構成。根據(jù)該結構，能夠防止第1芯部與第2芯部的界面處的光束的反射和吸收等，能從芯部一端側向另一端側高效地傳播光束。另外，近場光產生元件的特征還在于，該近場光產生元件具有以使上述芯部的另一端面露出于外部的狀態(tài)覆蓋上述芯部的包層，上述第1芯部、上述第2芯部以及上述包層構成為，按照上述包層、上述第2芯部、上述第1芯部的順序，折射率依次變大。
根據(jù)該結構，能夠使在第2芯部與包層的界面發(fā)生全反射的光束逐漸朝向中心 (第1芯部)會聚，因此能提高光束的傳播效率。另外，近場光產生元件的特征還在于，從上述傳播方向觀察，上述芯部的另一端面形成為三角形形狀或梯形形狀。根據(jù)該結構，能夠朝近場光產生部高效地反射在芯部內傳播的光束。另外，近場光產生元件的特征還在于，以中間隔著上述第2芯部而從與上述第1芯部相反的一側覆蓋上述第2芯部的方式形成有遮光膜。在該結構中，以覆蓋第2芯部的方式形成遮光膜，因此射入芯部的光束不會泄漏到外部，能在遮光膜與第2芯部的界面處發(fā)生反射的同時朝另一端側傳播。由此，能夠使光束高效地射入近場光產生部，從而能提高近場光的產生效率。另外，近場光產生元件的特征還在于，上述第1芯部具有沿著上述傳播方向延伸的多個側面，上述多個側面包括配置有上述近場光產生元件的第1側面；以及第2側面， 從上述傳播方向觀察，該第2側面在上述第1側面的兩側沿著與上述第1側面的面方向交叉的方向配置，從上述傳播方向觀察，上述近場光產生部的外側端部被配置在與上述第1 芯部的上述第2側面相同的面上。根據(jù)該結構，從與傳播方向垂直的方向觀察，第1芯部與近場光產生部重疊地配置，因此，能夠使傳播到芯部另一端側的光束不發(fā)生泄漏地射入近場光產生部。因而能提高近場光的產生效率。另外，在本發(fā)明涉及的近場光產生元件的制造方法中，該近場光產生元件使導入到一端側的光束向另一端側會聚而進行傳播，并且，在生成近場光之后發(fā)出到外部，該制造方法的特征在于，該近場光產生元件具有芯部，其朝上述另一端側傳播上述光束；以及近場光產生部，其沿著從上述芯部的上述一端側朝上述另一端側的上述光束的傳播方向配置，使上述光束沿著與上述芯部的界面?zhèn)鞑?，從上述光束產生上述近場光，該制造方法包括以下工序近場光產生部形成工序，形成上述近場光產生部的母材；第1芯部形成工序，以覆蓋上述近場光產生部的方式形成上述芯部中的第1芯部的母材；構圖工序，對上述第1芯部的母材以及上述近場光產生部的母材一并進行構圖；以及第2芯部形成工序，以中間隔著上述第1芯部而從與上述近場光產生部相反的一側覆蓋上述第1芯部的方式，形成上述芯部中的第2芯部。根據(jù)該結構，通過同一個構圖工序一并對第1芯部的母材和近場光產生部的母材進行構圖，從而能同等地形成近場光產生部與第1芯部的界面的寬度。而且在構圖工序之后，以覆蓋第1芯部的方式形成第2芯部，從而能簡單地形成從傳播方向觀察、近場光產生部的寬度小于芯部整體的與近場光產生部的界面的寬度的近場光產生部。而且，與例如分別以獨立工序對第1芯部與近場光產生部進行構圖的情況不同，能高精度地對近場光產生部與第1芯部進行定位。另外，本發(fā)明涉及的近場光頭的制造方法使用上述本發(fā)明的近場光產生元件的制造方法，對在固定方向上旋轉的磁記錄介質進行加熱，并且對上述磁記錄介質施加記錄磁場，由此產生磁化反轉來記錄信息，該制造方法的特征在于，在上述近場光產生部形成工序之前具有磁極形成工序，在該磁極形成工序中，形成產生記錄磁場的磁極的母材，在上述構圖工序中，以同一工序對上述第1芯部的母材、上述近場光產生部的母材以及上述磁極的母材一并進行構圖。根據(jù)該結構，通過同一構圖工序對第1芯部、近場光產生部以及磁極的母材一并進行構圖，由此，從傳播方向觀察，第1芯部、近場光產生部以及磁極的外側端部都被配置于同一面上。由此，與例如分別通過獨立工序對第1芯部、近場光產生部以及磁極進行構圖的情況不同，能夠高精度地定位近場光產生部、芯部和磁極。進而，能夠在不使用昂貴的定位裝置的情況下，對芯部、近場光產生部和磁極進行定位，因此能降低裝置成本。這種情況下，磁極是以中間隔著近場光產生元件而從與第1芯部相反的一側覆蓋近場光產生部的方式形成的。因此能高精度地定位近場光的產生位置和來自磁極的磁場的產生位置，能提高近場光頭本身的寫入可靠性，實現(xiàn)高品質化。另外，即使在近場光產生部中未引起等離子體激元的共振、從而光束透過了近場光產生部的情況下，通過磁極對光束進行反射而使其返回到芯部內，由此，也能夠使光束再次射入近場光產生部。由此能進一步提高近場光的產生效率。還能夠抑制在近場光產生部中未引起等離子體激元的共振、從而光束泄漏到外部的情況，因此，能夠僅在芯部附近生成極小的近場光的點。另外，本發(fā)明涉及的近場光頭對在固定方向上旋轉的磁記錄介質進行加熱，并且對上述磁記錄介質施加記錄磁場，由此產生磁化反轉來記錄信息，該近場光頭的特征在于， 具有滑塊，其與上述磁記錄介質的表面相對配置；記錄元件，其配置于上述滑塊的末端側，具有產生上述記錄磁場的磁極；上述發(fā)明所述的近場光產生元件，其以上述另一端側朝向上述磁記錄介質側的狀態(tài)與上述記錄元件相鄰而固定；以及光束導入單元，其固定于上述滑塊上，從上述一端側向上述芯部內導入上述光束。根據(jù)該結構，由于具有上述本發(fā)明的近場光產生元件，因此能夠抑制上述熱波動現(xiàn)象等的影響，進行穩(wěn)定的記錄。因而能提高近場光頭本身的寫入可靠性，實現(xiàn)高品質化。另外，近場光頭的特征還在于，上述第1芯部具有沿著上述傳播方向延伸的多個側面，上述多個側面包括配置有上述近場光產生元件的第1側面；以及第2側面，從上述傳播方向觀察，該第2側面在上述第1側面的兩側沿著與上述第1側面的面方向交叉的方向配置，上述磁極以中間隔著上述近場光產生部的方式與上述第1芯部的上述第1側面相對配置，并且從上述傳播方向觀察，上述磁極的外側端部被配置在與上述第1芯部的上述第2側面相同的面上。根據(jù)該結構，磁極是以中間隔著近場光產生元件而從與芯部相反的一側覆蓋近場光產生部的方式形成的，因此，能高精度地定位近場光的產生位置和磁場的產生位置，能提高近場光頭本身的寫入可靠性，實現(xiàn)高品質化。另外，即使在近場光產生部中未引起等離子體激元的共振、從而光束透過了近場光產生部的情況下，通過磁極對光束進行反射而使其返回到芯部內，由此，也能夠使光束再次射入近場光產生部。由此能進一步提高近場光的產生效率。還能夠抑制在近場光產生部中未引起等離子體激元的共振、從而光束泄漏到外部的情況，因此，能夠僅在芯部附近生成極小的近場光的點。另外，近場光頭的特征還在于，在上述近場光產生部與上述磁極之間形成有對上述近場光產生部與上述磁極之間進行劃分的間隔膜。根據(jù)該結構，當近場光產生部和磁極是由具有導電性的金屬材料構成的情況下，能夠使近場光產生部與磁極電絕緣，并且能抑制近場光產生部的合金化，因此不會對自由電子在近場光產生部中的運動帶來不良影響。因此能進一步提高近場光的產生效率。另外，本發(fā)明涉及的信息記錄再現(xiàn)裝置的特征在于，具有上述本發(fā)明的近場光頭；梁，其能夠在與上述磁記錄介質的表面平行的方向上移動，以能夠繞與上述磁記錄介質的表面平行且彼此垂直的2個軸自由轉動的狀態(tài)，通過末端側支撐上述近場光頭；光源，其使上述光束射入上述光束導入單元；致動器，其支撐上述梁的基端側，并且使上述梁朝與上述磁記錄介質的表面平行的方向移動；旋轉驅動部，其使上述磁記錄介質朝上述固定方向旋轉；以及控制部，其控制上述記錄元件和上述光源的動作。根據(jù)該結構，由于具備上述本發(fā)明的近場光頭，因此能提高寫入的可靠性，實現(xiàn)高品質化。根據(jù)本發(fā)明涉及的近場光產生元件及其制造方法，能在確保光量的基礎上縮小近場光的點徑。根據(jù)本發(fā)明涉及的近場光頭和信息記錄再現(xiàn)裝置，能夠抑制上述熱波動現(xiàn)象等的影響，進行穩(wěn)定的記錄。因而寫入可靠性高，能應對高密度記錄化，實現(xiàn)高品質化。


圖1是本發(fā)明實施方式的信息記錄再現(xiàn)裝置的結構圖。圖2是記錄再現(xiàn)頭的放大剖面圖。圖3是放大了記錄再現(xiàn)頭的流出端側的側面的剖面圖。圖4是圖3的A向視圖。圖5是圖3的B向視圖。圖6是圖3的C部分放大圖。圖7是放大了激光光源周邊的圖。圖8是通過信息記錄再現(xiàn)裝置對信息進行記錄再現(xiàn)時的說明圖，是相當于圖3的放大剖面圖。圖9是通過信息記錄再現(xiàn)裝置對信息進行記錄再現(xiàn)時的說明圖，是相當于圖5的圖。圖10是相當于圖5的圖，是用于說明近場光產生元件的制造方法的工序圖。圖11是相當于圖5的圖，是用于說明近場光產生元件的制造方法的工序圖。圖12是放大了第2實施方式的記錄再現(xiàn)頭的流出端側的側面的剖面圖。圖13是圖11的D部分放大圖。圖14是記錄再現(xiàn)頭的流出端側的剖面圖，(a)是沿著圖12的E-E線的剖面圖，(b) 是沿著F-F線的剖面圖，(c)是沿著G-G線的剖面圖。圖15是相當于圖13的剖面圖，是示出光束傳播元件的其他結構的剖面圖。圖16是相當于圖3的圖，是示出記錄再現(xiàn)頭的其他結構的圖。圖17是放大了第3實施方式的記錄再現(xiàn)頭的流出端側的側面的剖面圖。圖18是圖16的H向視圖。圖19是示出第3實施方式的其他結構的圖。圖20是相當于圖5的圖，是示出第4實施方式的記錄再現(xiàn)頭的圖。
圖21是相當于圖10的圖，是用于說明記錄再現(xiàn)頭的制造方法的工序圖。圖22是相當于圖5的圖，是示出第5實施方式的記錄再現(xiàn)頭的圖。圖23是相當于圖12的圖，是用于說明記錄再現(xiàn)頭的制造方法的工序圖。圖M是相當于圖5的圖，是示出記錄再現(xiàn)頭的其他結構的圖。圖25是相當于圖5的圖，是示出第6實施方式的記錄再現(xiàn)頭的圖。符號說明1信息記錄再現(xiàn)裝置；2記錄再現(xiàn)頭(近場光頭)；3梁；5致動器；6主軸電機(旋轉驅動部)；8控制部；20滑塊；21記錄元件；23芯部；23d側面(第2側面)；23g側面(第 1側面)；對包層；2 第1包層；24b第2包層近場光產生元件；31輔助磁極；33主磁極；43激光光源(光源)；51金屬膜(近場光產生部)；51a上底(界面)；51b斜面(外側端部)；52遮光膜；54第1芯部；55第2芯部；D盤片(磁記錄介質)；123芯部母材；12 第1包層母材；151金屬膜母材；220、304磁極母材；401分隔膜。
具體實施例方式
接著根據(jù)附圖來說明本發(fā)明的實施方式。其中，本實施方式的信息記錄再現(xiàn)裝置1是通過使近場光R與記錄磁場協(xié)作的混合型磁記錄方式對具有垂直記錄層d2的盤片(磁記錄介質)D進行記錄再現(xiàn)的裝置(參見圖2)。(第1實施方式)(信息記錄再現(xiàn)裝置)圖1是信息記錄再現(xiàn)裝置的結構圖。如圖1所示，本實施方式的信息記錄再現(xiàn)裝置1具有記錄再現(xiàn)頭(近場光頭)2、支撐記錄再現(xiàn)頭2的梁3、使激光(光束)L(參見圖2、射入到記錄再現(xiàn)頭2的光束入射機構 4、使梁3移動的致動器5、使盤片D向固定方向旋轉的主軸電機(旋轉驅動部)6、統(tǒng)一控制上述各結構部件的控制部8、將各結構部件收容于內部的殼體9。殼體9由鋁等金屬材料形成為俯視時呈四邊形的形狀，而且內側形成有收容各結構部件的凹部9a。另外，以封閉凹部9a的開口的方式將未圖示的蓋可拆裝地固定于該殼體 9上。在凹部9a的大致中心處安裝有主軸電機6，在主軸電機6中嵌入有中心孔，從而以可拆裝的方式固定盤片D。另外，在本實施方式中，舉例說明的是3張盤片D被固定于主軸電機6上的情況。而盤片D的數(shù)量不限于3張。在凹部9a的角落部安裝有致動器5。該致動器5通過軸承10安裝有支架11。支架11例如通過對金屬材料進行切削加工而形成，支架11的從通過軸承10固定于致動器5 上的基端部Ila朝向末端的部分被配置于3張盤片D的上表面，從而成為3層結構。S卩，從側面觀察支架11時，形成為E型。而且在分為3層的支架11的各個末端固定著梁3的基端側。因而致動器5通過支架11來支撐梁3的基端側，能夠向與盤面(磁記錄介質的表面) Dl (參見圖2、平行的X、Y方向使梁3進行掃描移動。如上所述，梁3通過致動器5而能夠與支架11 一起沿X、Y方向移動，并且，以能夠繞平行于盤面Dl且彼此垂直的2軸(X軸、Y軸)自由轉動的狀態(tài)在末端側支撐著記錄再現(xiàn)頭2。并且，在盤片D的旋轉停止時，通過致動器5的驅動使梁3和支架11從盤片D上退1 O(記錄再現(xiàn)頭)圖2是記錄再現(xiàn)頭的放大剖面圖，圖3是放大了記錄再現(xiàn)頭的流出端側的側面的剖面圖。如圖2、圖3所示，記錄再現(xiàn)頭2是利用由激光L生成的近場光R對旋轉的盤片D 記錄再現(xiàn)各種信息的頭。記錄再現(xiàn)頭2具有以從盤面Dl浮起預定距離H的狀態(tài)與盤片D 相對配置的滑塊20 ；將信息記錄于盤片D中的記錄元件21 ；再現(xiàn)記錄于盤片D中的信息的再現(xiàn)元件22 ；以及一邊使導入的激光L會聚一邊進行傳播，并且在生成為近場光R之后發(fā)出到外部的近場光產生元件26?；瑝K20由石英玻璃等透光性材料或AlTiC(鋁鈦碳)等陶瓷等形成為長方體形狀。該滑塊20具有與盤片D相對的相對面20a，經由萬向接頭部30 (參見圖幻被支撐為從梁3的末端垂下。該萬向接頭部30是動作被限制為僅能夠繞X軸和Y軸位移的部件。由此，滑塊20如上所述能夠繞平行于盤面Dl且彼此垂直的2軸(X軸、Y軸)自由轉動。另外，在相對面20a上形成有凸條部20b，該凸條部20b基于旋轉的盤片D所產生的氣流的粘性，產生用于懸浮的壓力。該凸條部20b被形成為沿著長度方向(X方向)延伸， 且以排列為軌道狀的方式隔開間隔，左右(Y方向)形成有2個。但是，凸條部20b不限于這種情況，只要設計成通過調整使滑塊20離開盤面Dl的正壓和使滑塊20貼近盤面Dl的負壓而使滑塊20以最佳狀態(tài)懸浮，就可以為任意的凹凸形狀。另外，該凸條部20b的表面被稱為ABS (A^ BEARING SURFACE 空氣軸承表面)20c。而且滑塊20通過這2個凸條部20b受到從盤面Dl浮起的力。另一方面，梁3沿垂直于盤面Dl的Z方向彎曲，吸收滑塊20的懸浮力。也就是說，滑塊20在浮起時受到被梁3推向盤面Dl側的力。因而滑塊20通過這兩種力的平衡，如上所述地以離開盤面Dl預定距離H的狀態(tài)懸浮。而且，滑塊20通過萬向接頭部30而繞X軸和Y軸轉動，因此能夠始終以姿態(tài)穩(wěn)定的狀態(tài)懸浮。并且，伴隨盤片D的旋轉而產生的氣流在從滑塊20的流入端側(梁3的X方向基端側)流入后，沿著ABS 20c流動，從滑塊20的流出端側(梁3的X方向末端側)流出。如圖3所示，記錄元件21是使記錄磁場作用于盤片D以記錄信息的元件，具有固定于滑塊20的流出端側的側面(末端面)的輔助磁極31 ；經由磁路32與輔助磁極31連接、且與輔助磁極31之間產生垂直于盤片D的記錄磁場的主磁極33 ；以及以磁路32為中心呈螺旋狀纏繞于磁路32周圍的線圈34。也就是說，從滑塊20的流出端側起按順序排列配置有輔助磁極31、磁路32、線圈34、主磁極33。兩磁極31、33和磁路32是由磁通密度較高的高飽和磁通密度(Bs)材料(例如 CoNii^e合金、( 合金等)形成的。另外，線圈34被配置成與相鄰的線圈線之間、與磁路 32之間、與兩磁極31、33之間隔開間隙，以不發(fā)生短路，在該狀態(tài)下通過絕緣體35進行了模塑成型。而且從控制部8向線圈34提供已根據(jù)信息進行調制后的電流。S卩，磁路32和線圈34整體構成了電磁鐵。并且，主磁極33和輔助磁極31被設計成與盤片D相對的端面(Z 方向端面)與滑塊20的ABS 20c處于同一平面。另外，主磁極33的末端部分33a(激光L 的射出側)由絕緣體35向再現(xiàn)元件22側突出，埋設于后述的第1包層Ma內。并且還可以由與基端部分不同的材料(飽和磁通密度較高的材料)構成主磁極33的末端部分33a。
圖4是圖3的A向視圖，圖5是圖3的B向視圖。如圖3至圖5所示，光束傳播元件25以激光L的入射側(Z方向一端側)朝向滑塊20上方且射出側(Z方向的另一端側)朝向盤片D側的狀態(tài)，相鄰地固定于記錄元件21 的主磁極33的X方向側。該光束傳播元件25由芯部23以及與芯部23緊密貼合的包層M 構成，整體形成為大致板狀，其中，所述芯部23將從一端側導入的激光L傳播至與盤片D相對的另一端側。芯部23從一端側向另一端側進行了逐漸的縮徑成型，能夠一邊在內部逐漸對激光L進行會聚一邊進行傳播。具體而言，芯部23從一端側起具有反射面23a、光束會聚部 23b、近場光生成部23c，從激光L的傳播方向(Z方向)觀察，形成為三角形形狀。反射面23a向與導入方向不同的方向反射從后述的光波導42導入的激光L。在本實施方式中，以使得激光L的朝向大致改變90度的方式進行反射。通過該反射面23a使從光波導42導入的激光L在芯部23內重復發(fā)生全反射，同時向另一端側傳播。光束會聚部2 是以與從一端側朝向另一端側的Z方向垂直的截面積(XY方向的截面積)逐漸減小的方式縮徑成型的部分，一邊對導入的激光L進行會聚一邊向另一端側進行傳播。即，能夠將導入到光束會聚部23b的激光L的點徑逐漸縮小為較小的大小。近場光生成部23c是從光束會聚部2 的端部起朝另一端側進一步縮徑成型的部分。具體而言，在芯部23的另一端側附近，近場光生成部23c是基于傾斜面2 而被縮徑成型的，該傾斜面2 形成為，以相對于在內部傳播的激光L的光軸(Z方向)傾斜的狀態(tài)與再現(xiàn)元件22相對。通過該傾斜面23h，芯部23成為另一端側為尖形的狀態(tài)。并且，在本實施方式中，光束會聚部2 和近場光生成部23c被形成為具有沿著Z 方向的3個側面，其中1個側面23g是與主磁極33相對配置的。在這種情況下，形成有從側面23g的兩端(Y方向兩端)朝再現(xiàn)元件22而沿著與側面23g的Y方向(面方向)交叉的方向延伸的一對側面23d，由此，從Z方向觀察，芯部23被形成為朝向X方向、末端變窄的三角形形狀。因此如圖5所示，在近場光生成部23c的另一端側露出于外部的端面2 被形成為三角形形狀。另外，該端面2 被設計成與滑塊20的ABS 20c處于同一平面。圖6是圖3的C部分放大圖。在這里，如圖5、圖6所示，本實施方式的芯部23的另一端側構成為雙層結構。具體而言，芯部23的另一端側由從Z方向觀察呈三角形形狀的第1芯部M和形成為覆蓋第1 芯部M的第2芯部55構成。這種情況下，第1芯部M在Z方向上形成于滑塊20的整個側面(流出端側的側面)，構成了芯部23的整體(從上述反射面23a到近場光生成部23c)。 另一方面，第2芯部55形成為在Z方向上覆蓋第1芯部M的另一端側，構成了從光束會聚部2 的另一端側到近場光生成部23c。并且，第2芯部55的形成區(qū)域不限于上述范圍，也可以形成為覆蓋第1芯部M整體。另外，在圖5中，在第2芯部55的Y方向的兩端部形成有沿著Y方向在第1包層2 上延伸的支座部55a，而在至少覆蓋第1芯部23的情況下，也可以除去支座部^a。并且在以下說明中，使用與芯部23的側面23d、23g相同的符號來說明第1芯部M和第2芯部55的側面。如圖3至圖5所示，包層M是由折射率比芯部23低的材料形成的，以使芯部23 的一端側和另一端側的端面2 露出于外部的狀態(tài)緊密貼合于芯部23的側面23d、23g，在將芯部23密封于內部。具體地，包層M具有形成為在芯部23與記錄元件21 (主磁極33)
11之間覆蓋芯部23的側面23g側的第1包層Ma ；以及形成為在芯部23與再現(xiàn)元件22之間覆蓋側面23d側的第2包層Mb。如上，由于第1包層2 和第2包層24b緊密貼合于芯部23的側面23d、23g，因此不會在芯部23與包層M之間產生間隙。并且，在第1包層2 的另一端側的滑塊20的寬度方向(Y方向)的中央部中，埋設有上述主磁極33的末端部分 33a,而且末端部分33a從第1包層2 露出于芯部23側。另外，下面描述一下用作包層M和芯部23的材料的組合的一個例子，例如可考慮這樣的組合由石英(SiO2)形成芯部23 (第1芯部M和第2芯部55)，由摻雜了氟的石英形成包層對。在這種情況下，當激光L的波長為400nm時，芯部23的折射率為1. 47，包層 24的折射率小于1. 47，因此是優(yōu)選的組合。另外，還可以考慮這樣的組合由摻雜了鍺的石英形成芯部23(第1芯部M和第 2芯部55)，由石英(SiO2)形成包層對。在這種情況下，當激光L的波長為400nm時，芯部 23的折射率大于1. 47，包層M的折射率為1. 47，因此也是優(yōu)選的組合。尤其是芯部23與包層M的折射率之差越大，將激光L封入芯部23內的力越大， 因此更優(yōu)選的是，芯部23 (第1芯部M和第2芯部55)采用氧化鉭(Ta2O5 當波長為550nm 時折射率為2. 16)，包層M采用石英或氧化鋁(Al2O3)等，增大兩者的折射率之差。而在使用紅外區(qū)的激光L的情況下，采用作為對于紅外光透明的材料的硅(Si 折射率約為4)形成芯部23(第1芯部M和第2芯部55)也是有效的。并且在本實施方式中，雖然采用了相同材料來形成第1芯部M和第2芯部55，然而不限于此，也可以采用不同材料來構成第1 芯部M和第2芯部55。作為這種情況下的材料的組合，優(yōu)選使用折射率從包層M到第2 芯部55、第1芯部M逐漸變大(折射率按照包層對、第2芯部55、第1芯部M的順序變大)的組合。根據(jù)該構成，能夠將在第2芯部55與包層M的界面處全反射的激光L逐漸朝中心(第1芯部54)會聚，因此能提高激光L的傳播效率。在這里，在芯部23(第1芯部54)與第1包層2 之間(中間隔著第1芯部M而與第2芯部55相反的一側)形成有金屬膜(近場光產生部)51。金屬膜51基于在芯部23 內傳播的激光L產生近場光R，使近場光R在光束傳播元件25的另一端側與盤片D之間局部存在，例如由金(Au)或鉬(Pt)等構成。金屬膜51配置于芯部23(第1芯部的近場光生成部23c的側面23g上，與第1包層2 和從第1包層2 露出的主磁極33的末端部分33a接觸。另外，金屬膜51形成為，在Z方向上一端側處于近場光生成部23c與光束會聚部23b的邊界部分處，而另一端側與芯部23的端面2 處于同一平面。另外，從Z方向觀察，金屬膜51形成為朝向再現(xiàn)元件22、末端逐漸變窄的等腰梯形狀。此時，金屬膜51的上底(與芯部23的界面)51a在Y方向上的寬度Wl形成為與第1 芯部M的側面(第1側面)23g在Y方向上的寬度W2相等。由此，金屬膜51的寬度Wl形成為小于芯部23(第2芯部55)的側面23g的寬度W3(除去了支座部5 后的寬度)。艮口， 從Z方向觀察，第2芯部55的外側端部被配置成比金屬膜51的斜面(外側端部)51b更位于外側。進而，金屬膜51的斜面51b被配置于與第1芯部M的側面(第2側面)23d相同的面上。即，從Z方向觀察，第1芯部M和金屬膜51的層疊體形成為芯部23的相似形狀 (參見圖5)。另外，在芯部23(第2芯部5 與第2包層24b之間形成有遮光膜52。遮光膜52 由鋁(Al)等高反射率的材料構成，形成為覆蓋近場光生成部23c的第2芯部55的側面23d。即，近場光生成部23c的側面23g被金屬膜51覆蓋，側面23d被遮光膜52覆蓋。遮光膜52 在Z方向上形成于比金屬膜51更大的范圍內。具體而言，遮光膜52形成為一端側處于光束會聚部23b的另一端側，而另一端側處于與芯部23的端面2 相同的面上。并且在Z方向上，只要在大于等于金屬膜51的范圍形成遮光膜52即可。另外，遮光膜52的Y方向的兩個端部可以形成為完全覆蓋第2芯部55的支座部55a。另外，如圖3所示，在滑塊20的上表面(Z方向一端側)固定有光波導42。該光波導42由芯部4 和形成為覆蓋芯部42a的包層42b構成，激光L在芯部42a內傳播。光波導42的末端與光束傳播元件25的芯部23的一端側連接，朝反射面23a射出激光L。并且，芯部4 和包層42b由與上述芯部23和包層M相同的材料構成。另一方面，如圖1所示，光波導42的基端側在沿著梁3和支架11被引出之后，與激光光源43連接。如圖1和圖7所示，該激光光源43與未圖示的IC芯片等各種電子部件一起被安裝于控制基板44上，該控制基板44被安裝于支架11的基端部Ila的側面。尤其是，激光光源43是以直線偏振光的狀態(tài)射出激光L。S卩，激光光源43和光波導42作為使激光L以直線偏振光的狀態(tài)射入記錄再現(xiàn)頭2的光束入射機構4來發(fā)揮作用。另外，圖7是放大了激光光源周邊的圖。安裝有激光光源43的控制基板44通過撓性的扁平電纜(撓性基板)45與控制部 8連接。由此，控制部8向各結構部件發(fā)送電信號，進行統(tǒng)一控制。尤其是，由控制部8控制激光光源43射出激光L的定時。再現(xiàn)元件22是電阻隨從盤片D的垂直記錄層d2(參見圖幻漏出的磁場大小而轉換的磁阻效應膜，形成于中間隔著光束傳播元件25與記錄元件21相反的一側的包層 24(第2包層Mb)的表面。該再現(xiàn)元件22經由未圖示的引線膜等從控制部8得到偏置電流。由此，控制部8能將從盤片D漏出的磁場的變換作為電壓變化檢測出來，能根據(jù)該電壓變化進行信號再現(xiàn)。并且，如圖2所示，本實施方式的盤片D使用垂直雙層膜盤片D，該垂直雙層膜盤片 D至少包括在垂直于盤面Dl的方向具有易磁化軸的垂直記錄層d2和由高透磁率材料構成的軟磁性層d3這2層。作為這種盤片D，例如采用在基板dl上按順序形成軟磁性層d3、中間層d4、垂直記錄層d2、保護層d5、潤滑層d6的結構。作為基板dl，例如為鋁基板或玻璃基板等。軟磁性層d3是高透磁率層。中間層d4 是垂直記錄層d2的結晶控制層。垂直記錄層d2是垂直各向異性磁性層，例如采用CoCrPt 類合金。保護層d5用于保護垂直記錄層d2，例如采用DLC(類金剛石)膜。潤滑層d6例如采用氟類液體潤滑材料。(信息記錄再現(xiàn)方法)接著說明通過如上構成的信息記錄再現(xiàn)裝置1使盤片D記錄再現(xiàn)各種信息的情況。首先如圖1所示，使主軸電機6進行驅動，使盤片D向固定方向旋轉。接著，使致動器5工作，通過支架11使梁3在X、Y方向上進行掃描。由此能夠使記錄再現(xiàn)頭2位于盤片D上的期望位置處。此時，記錄再現(xiàn)頭2會通過形成于滑塊20的相對面20a上的2個凸條部20b受到懸浮力，并且被梁3等以預定的力推向盤片D側。通過這兩者的力的平衡，使得記錄再現(xiàn)頭2如圖2所示從盤片D上懸浮到相距預定距離H的位置。
另外，即使記錄再現(xiàn)頭2受到因盤片D的起伏而產生的風壓，也能通過梁3吸收Z 方向的位移，而且能通過萬向接頭部30繞X、Y軸移動，因此，能吸收因彎曲引起的風壓。因此能使記錄再現(xiàn)頭2以穩(wěn)定的狀態(tài)懸浮。圖8是通過信息記錄再現(xiàn)裝置對信息進行記錄再現(xiàn)時的說明圖，是相當于圖3的放大剖面圖，圖9是相當于圖5的圖。在這里，如圖8所示，在進行信息記錄的情況下，控制部8使激光光源43工作而射出直線偏振光的激光L，而且將根據(jù)信息進行了調制的電流提供給線圈34，使記錄元件21工作。首先，從激光光源43向光波導42射入激光L，將激光L引導至滑塊20側。從激光光源43射出的激光L在光波導42的芯部42a內朝末端(流出端)側前進，傳播到光束傳播元件25的芯部23內。傳播到芯部23內的激光L被反射面23a以大致90度反射，之后， 在光束會聚部23b內傳播。在光束會聚部23b內傳播的激光L在芯部23與包層M之間重復地發(fā)生全反射，朝向處于盤片D側的另一端側傳播。特別是，由于包層M與芯部23的側面23d、23g緊密貼合，因此光不會漏到芯部23的外部。因而，能夠在不浪費所導入的激光 L的情況下一邊聚光一邊向另一端側進行傳播，從而射入近場光生成部23c。此時，芯部23是以與Z方向垂直的截面積逐漸減小的方式縮徑成型的。因此激光 L隨著在光束會聚部23b內傳播而逐漸會聚，點徑變小。如圖8、圖9所示，點徑變小的激光L接著射入近場光生成部23c。該近場光生成部23c是朝另一端側進一步縮徑成型的，端面2 為小于等于光波長的尺寸。這種情況下， 近場光生成部23c的2個側面23d被遮光膜52所遮蔽。因而，射入近場光生成部23c的激光L不會漏到第2包層24b側，一邊在遮光膜52與近場光生成部23c的界面發(fā)生反射一邊進行傳播。而且，當在近場光生成部23c內傳播的激光L射入金屬膜51時，在金屬膜51中會激勵出表面等離子體激元。激勵出的表面等離子體激元因共振效應而增強，并且沿著金屬膜51與芯部23 (近場光生成部23c)的界面，朝芯部23的另一端側傳播。而在到達另一端側的時刻，成為光強度較強的近場光R漏到外部。即，能夠使近場光R在光束傳播元件25 的另一端側與盤片D之間局部存在。因此，盤片D被該近場光R局部地加熱，矯頑力暫時降低。而當通過控制部8向線圈34提供電流時，基于電磁鐵的原理，電流磁場會使磁路 32內產生磁場，因此，能夠在主磁極33與輔助磁極31之間產生垂直于盤片D的方向的記錄磁場。于是，從主磁極33側產生的磁通會筆直穿過盤片D的垂直記錄層d2而到達軟磁性層d3。由此，能夠在垂直記錄層d2的磁化方向與盤面Dl垂直的狀態(tài)下進行記錄。另外，到達軟磁性層d3的磁通經由軟磁性層d3返回到輔助磁極31。此時，返回輔助磁極31時不會對磁化方向產生影響。其原因在于，與盤面Dl相對的輔助磁極31的面積大于主磁極33的面積，因此磁通密度變大，不會產生使磁化反轉的力。即能夠僅在主磁極33側進行記錄。其結果是，能通過使近場光R和由兩個磁極31、33產生的記錄磁場協(xié)作的混合型磁記錄方式進行信息的記錄。而且還通過垂直記錄方式進行記錄，因此不易受到熱波動現(xiàn)象等的影響，能進行穩(wěn)定的記錄。因此能提高寫入的可靠性。另外，在對記錄于盤片D中的信息進行再現(xiàn)的情況下，當盤片D的矯頑力暫時性降低時，再現(xiàn)元件22接受從盤片D的垂直記錄層d2漏出的磁場，電阻隨其大小而發(fā)生變化。因而，再現(xiàn)元件22的電壓發(fā)生變化。由此，控制部8能夠將從盤片D漏出的磁場的變化作為電壓的變化檢測出來。而且控制部8根據(jù)該電壓的變化進行信號的再現(xiàn)，從而能進行記錄于盤片D中的信息的再現(xiàn)。(記錄再現(xiàn)頭的制造方法)接著說明具有上述近場光產生元件沈的記錄再現(xiàn)頭2的制造方法。圖10、圖11 是相當于圖5的圖，是用于說明近場光產生元件的制造方法的工序圖。并且在以下說明中， 主要具體說明記錄再現(xiàn)頭2的制造工序中的近場光產生元件的制造工序。在本實施方式中，準備沿著Y方向和Z方向連續(xù)存在多個滑塊20的形成區(qū)域的基板120(例如AlTiC (鋁鈦碳)等)，在該基板120的滑塊20的各形成區(qū)域上按順序形成記錄元件21、近場光產生元件沈和再現(xiàn)元件22，形成沿著Y方向和Z方向連續(xù)的多個記錄再現(xiàn)頭2，之后，按照每個記錄再現(xiàn)頭2的形成區(qū)域進行切割，由此制造記錄再現(xiàn)頭2。首先如圖10(a)所示，在基板120上形成記錄元件21，通過絕緣體35進行模塑。 此后，在絕緣體35上進行光束傳播元件25和金屬膜51的母材的成膜(第1包層形成工序、近場光產生部形成工序以及第1芯部形成工序)。具體而言，在基板120(絕緣體35)上按照第1包層Ma、金屬膜51 (例如20nm左右)、第1芯部54 (幾μ m左右)的順序進行母材(第1包層母材IMa、金屬膜母材151以及第1芯部母材154)的成膜。并且，在各母材 lMa、151、lM 的成膜之后，通過CMP(Chemical Mechanical Polishing 化學機械研磨)等對各表面進行研磨，使它們成為平坦面。并且，優(yōu)選的是，金屬膜母材151在第1包層12 的整個表面上進行成膜之后，以僅殘留預定區(qū)域的方式預先進行構圖。在本實施方式中，至少在Z方向上，以殘留在芯部母材123的相當于近場光生成部23c (參見圖3)的區(qū)域的方式(除去相當于反射面23a和光束會聚部23b (參見圖幻的區(qū)域的金屬膜母材151)，對金屬膜母材151進行構圖。這種情況下，在相當于近場光生成部23c的區(qū)域中，金屬膜母材151被夾入第1芯部母材IM與第 1包層母材12 之間，在除此之外的區(qū)域中，第1芯部母材154與第1包層母材12 緊密貼合。由此，能提高第1芯部母材154與第1包層母材12 的緊密貼合性，因此能抑制制造過程中的脫膜。另外，在上述近場光產生元件沈(參見圖2、圖幻中，當在Z方向上在芯部23的光束會聚部2 上也形成金屬膜51時，在光束會聚部2 傳播的激光L會被金屬膜51吸收而損失掉，激光L的傳播效率可能會降低。對此，通過僅在相當于近場光產生部23c的區(qū)域中形成金屬膜51，能夠在芯部23與包層M之間在全反射條件下使激光L傳播到近場光產生部23c。因此能夠將更多的激光L引導至近場光產生部23c，能提高激光L的傳播效率。接著，如圖10(b)所示，使用光刻技術在第1芯部母材巧4上形成掩膜圖形(未圖示)，在該掩膜圖形上開設有應除去第1芯部母材154的區(qū)域的開口，通過該掩膜圖形進行反應性離子蝕刻(RIE)(第1構圖工序)。由此，掩膜圖形中開口的區(qū)域的第1芯部母材IM 被蝕刻，形成從Z方向觀察為矩形形狀的第1芯部母材154。另外，從X方向觀察時，第1芯部母材巧4形成為從一端側朝另一端側、末端變窄的梯形形狀。并且，在第1構圖工序中， 優(yōu)選的是，掩膜圖形中開口的區(qū)域的第1芯部母材1 不被完全除去，而是殘留少許(參見圖10(b)中的殘留部60)。接著如圖10(c)所示，在氬(Ar)等等離子體中對第1芯部母材巧4和金屬膜母材151進行濺射蝕刻(第2構圖工序)。在第2構圖工序中，對截面為矩形形狀的第1芯部母材巧4進行濺射蝕刻時，第1芯部母材巧4的Y方向兩側的角部被選擇性地蝕刻，形成斜面 61。然后，當在該狀態(tài)下繼續(xù)蝕刻時，斜面61在相對于底面(相當于圖5中的側面23g)保持一定角度的狀態(tài)下被蝕刻，由此形成圖10(d)所示的第1芯部母材154。此后，當繼續(xù)進一步的蝕刻時，如圖11(a)所示，第1芯部母材IM在保持相似性的狀態(tài)下寬度(Y方向的寬度)和高度(X方向的高度)縮小，而且殘留部60被除去。其結果是，形成了具有3個側面的截面為三角形形狀的第1芯部M。如上，在第1構圖工序中對形成為矩形形狀的第1芯部母材巧4進行濺射蝕刻，由此，從Z方向觀察，能將第1芯部M 形成為任意的寬度和高度。在這里，在除去了殘留部60之后，當繼續(xù)進一步的蝕刻，第1芯部M在保持相似性的狀態(tài)下被蝕刻，而且金屬膜母材151也被蝕刻。此時，如圖11(b)所示，金屬模母材151 的Y方向的端部(相當于圖5的斜面51b)被蝕刻為與芯部23的側面23d和側面23g所成的角度相同的角度。由此，就形成了這樣的金屬膜51 上底51a具有與第1芯部M的側面23g相同的寬度，而且斜面51b被配置于與第1芯部M的側面23d相同的面上。并且，為了完全除去第1芯部M以外的區(qū)域的金屬膜母材151，第1包層母材12 也被略微蝕刻掉。此時，在上述第1構圖工序中，預先在第1芯部母材巧4上形成殘留部60，由此，能夠防止在第2構圖工序中對第1包層母材12 進行過蝕刻。接著，如圖11 (c)所示，以覆蓋第1芯部M和金屬膜51的方式形成第2芯部55 (第 2芯部形成工序)。具體而言，以覆蓋第1芯部M的整體的方式對第2芯部母材(未圖示) 進行成膜，然后以僅在第1芯部M的另一端側殘留第2芯部母材的方式進行構圖。并且， 也可以不進行構圖，而是在第1芯部M和第1包層Ma的整個表面形成第2芯部母材。由此能削減制造工序，實現(xiàn)制造效率的提高。接著，如圖11(d)所示，以覆蓋芯部23(第1芯部M和第2芯部55)和金屬膜51 的方式形成遮光膜52 (遮光膜形成工序)。具體而言，在芯部23的側面23d的相當于近場光生成部23c的區(qū)域中，以殘留遮光膜52的方式進行構圖。然后如圖10(e)所示，以覆蓋芯部23(第1芯部M和第2芯部55)和金屬膜52 的方式形成第2包層Mb (第2包層形成工序)。此后，通過CMP等對第2包層Mb的表面研磨，形成為平坦面。然后在第2包層24b上形成再現(xiàn)元件22。由此，在基板120上形成記錄元件21、近場光產生元件沈和再現(xiàn)元件22。接著，在沿著Z方向針對每個滑塊20隔開間隔的狀態(tài)下沿著Y方向對基板120 進行切割，形成沿著一個方向(Y方向)連續(xù)存在多個滑塊20的狀態(tài)的桿(bar)(未圖示)。此后對切割后的桿的側面(切斷面)進行研磨(研磨工序)。在該研磨工序中，使用 ELG(electro lapping guide 電子研磨向導)進行桿的側面的定位。ELG用于一邊確認ELG 元件的電阻值一邊進行研磨，以控制研磨量。在本實施方式中，例如在桿的ELG區(qū)域(后述的滑動工序中的切割帶)中形成ELG元件、與ELG元件兩端連接的一對焊盤，一邊經由焊盤對ELG元件通電一邊進行研磨。于是，ELG元件與桿的側面一起被研磨，ELG元件在Z方向上的寬度減小，電阻增加。此時，預先求出ELG元件的電阻與研磨量的相互關系，一邊監(jiān)視 ELG元件的電阻值一邊進行研磨，在電阻值到達預定值的時刻判斷為獲得了期望的研磨量，
16結束研磨。并且，關于ELG元件和焊盤，在研磨時檢測電阻變化屬于基本功能，因而不需要極為精細的結構。此后，按照每個滑塊20的大小，沿著Z方向切斷桿(滑動工序)。由此就完成了具有上述近場光產生元件沈的記錄再現(xiàn)頭2。如上，在本實施方式中，構成為金屬膜51的寬度Wl小于芯部23 (第1芯部M和第2芯部55)的側面23g的寬度W3。根據(jù)該結構，通過使金屬膜51小于芯部23，能夠抑制在芯部23內傳播的激光L的傳播效率的降低，從而實現(xiàn)近場光R的點徑的縮小。由此，能夠在確保光量的基礎上縮小近場光R的點徑，因此能更為局部地對盤片D進行加熱。另外，通過以同一材料構成第1芯部M和第2芯部55，能防止激光L在第1芯部 54與第2芯部55的界面上的反射和吸收等，能從芯部23的一端側向另一端側高效地傳播激光L。另外，在本實施方式中，以覆蓋芯部23的側面23d的方式形成遮光膜52，由此，射入到近場光生成部23c的激光L不會漏到第2包層2 側，而是一邊在遮光膜52與近場光生成部23c的界面發(fā)生反射一邊向端面2 傳播。由此，能使得激光L高效地射入金屬膜 51，提高近場光R的產生效率。而且在本實施方式中構成為，在第2構圖工序中，一并進行了第1芯部母材巧4和金屬膜母材151的蝕刻之后，以覆蓋第1芯部M的方式形成第2芯部55。根據(jù)該構成，利用同一個構圖工序對第1芯部母材巧4和金屬膜母材151 —并進行構圖，從而能將金屬膜51的上底51a的寬度Wl形成為與第1芯部M的側面23g的寬度 W2相等。而且通過第2芯部55覆蓋第1芯部M，從而能簡單地形成寬度小于芯部23 (第 1芯部M和第2芯部55)的側面23g的寬度W3的金屬膜51。這種情況下，例如與分別通過獨立工序對第1芯部M和金屬膜51進行構圖的情況相比，能高精度地對金屬膜51和第1芯部M進行定位。而且，本發(fā)明的信息記錄再現(xiàn)裝置1 (記錄再現(xiàn)頭2、具有上述近場光產生元件26， 因此能抑制上述熱波動現(xiàn)象等的影響，進行穩(wěn)定的記錄。因而能夠正確且高精度地進行信息的記錄再現(xiàn)，實現(xiàn)高品質化。(第2實施方式)接著說明本發(fā)明的第2實施方式。圖12是放大了第2實施方式的記錄再現(xiàn)頭的流出端側的側面的剖面圖，圖13是圖11的D部分放大圖。另外，圖14是記錄再現(xiàn)頭的流出端側的剖面圖，(a)是沿著圖12的E-E線的剖面圖，(b)是沿著F-F線的剖面圖，(c)是沿著G-G線的剖面圖。并且，在以下說明中，對于與上述第1實施方式相同的結構賦予同樣的符號，省略說明。如圖12至圖14所示，本實施方式的記錄再現(xiàn)頭2在滑塊20的流出端側的側面上沿著X方向按順序配置有近場光產生元件沈、記錄元件21和再現(xiàn)元件22。這種情況下，記錄元件21在第2包層124b內進行模塑成型，而且主磁極33的末端部分33a被配置成覆蓋芯部23的側面23d。即，本實施方式的主磁極33的末端部分33a 還兼具與上述遮光膜52(參見圖幻同樣的作用。根據(jù)該結構，在滑塊20的側面上，沿著盤片D的旋轉方向配置有近場光產生元件沈、記錄元件21和再現(xiàn)元件22。這種情況下，盤片D在被之前由近場光產生元件沈產生的近場光R加熱后，在矯頑力可靠降低的狀態(tài)下通過記錄元件21的下方，因而能順暢且高精度地對盤片D進行記錄。并且，在上述實施方式中，說明了從Z方向觀察為三角形形狀的芯部23，然而不限于此，也可以如圖15所示，將芯部23的另一端側(近場光生成部23c)形成為從Z方向觀察呈梯形形狀。在這種情況下，也能通過與上述第1實施方式的近場光產生元件沈相同的方法制造芯部23。即，在第2構圖工序中，除了 Y方向兩側的角部之外，還對Z方向另一端側的角部進行濺射蝕刻，從而能制造另一端側為梯形形狀的芯部23。另外，圖15是相當于圖14的剖面圖。如上，通過將芯部23形成為從Z方向觀察呈三角形形狀或梯形形狀，從而能夠將在芯部23內傳播的激光高效地反射到金屬膜51。另外，芯部23的從Z方向觀察的剖面形狀不限于三角形形狀或梯形形狀，可以適當設計變更為五邊形等多邊形形狀。另外，在上述實施方式中，舉例說明的是光束傳播元件25的芯部23(光束會聚部 23b)從一端側向另一端側逐漸縮徑成型的情況，然而不限于這種情況，也可以如圖16所示形成為直線狀。(第3實施方式)接著說明本發(fā)明的第3實施方式。圖17是放大了第3實施方式的記錄再現(xiàn)頭的流出端側的側面的剖面圖，圖18是圖17的H方向視圖。如圖17、圖18所示，本實施方式的記錄再現(xiàn)頭2在記錄元件21的線圈34與主磁極33之間配置有近場光產生元件26。本實施方式的記錄元件21具有在第1包層2 內進行模塑成型的輔助磁極31和線圈34、在第2包層Mb內進行模塑成型的主磁極33、以及配置于輔助磁極31和主磁極33之間的磁軛135。輔助磁極31配置于再現(xiàn)元件22上，而且連接著沿X方向延伸的磁軛135的一端側。線圈34以磁軛135為中心呈螺旋狀形成于磁軛135的周圍。另外，在磁軛135上形成有沿Z方向貫穿的貫穿孔135a，以在該貫穿孔13 內貫穿的方式配置有芯部23。而且，在磁軛135的另一端(中間隔著芯部23與輔助磁極31相反的一側)連接著主磁極33。另外，如上面所述，在盤片D的旋轉時，如果記錄再現(xiàn)頭2通過凸條部20b受到懸浮力，則從盤片D浮起到相距預定距離H的位置(參照圖2)。此時，對懸浮時的滑塊20的姿態(tài)進行更詳細的說明，滑塊20相對于盤面Dl并不是水平的，而是稍微傾斜的。具體地說， 滑塊20的流出端側以最接近盤片D的狀態(tài)傾斜成，使得盤面Dl與滑塊20的ABS 20c所成的角度保持微小的角度。 因此，根據(jù)本實施方式，能夠在滑塊20的最流出端側配置近場光產生元件沈和主磁極33，所以能夠以最接近盤片D的狀態(tài)產生近場光產生元件沈的近場光R和主磁極33 的磁場。由此，能夠順暢且高精度地對盤片D進行記錄。并且，在上述第3實施方式中，以從X方向觀察與近場光產生元件沈重合的方式配置輔助磁極31、線圈34和主磁極33，形成為芯部23在磁軛135內貫穿，然而不限于此。 例如可以如圖19所示，使輔助磁極31和主磁極33的一端側彎曲，使線圈34和磁軛135從 X方向觀察偏離于近場光產生元件26。根據(jù)該結構，不需要上述第3實施方式那樣的使芯部23在磁軛135內貫穿等加工，因此能實現(xiàn)制造效率的提高。(第4實施方式)接著說明本發(fā)明的第4實施方式。圖20是相當于圖5的圖，是示出第4實施方式的記錄再現(xiàn)頭的圖。本實施方式與上述實施方式的不同之處在于，第1芯部M的側面23d 和金屬膜51的斜面51b與主磁極33的末端部分33a(后述的突出部211的斜面211b)的外側端部都配置于同一平面上。并且在以下說明中，對與上述第1實施方式相同的結構賦予相同符號并省略說明。如圖20所示，本實施方式的記錄再現(xiàn)頭202的主磁極33的末端部分33a具有埋設于第1包層Ma內的基部210、從基部210朝芯部23側沿X方向突出的突出部211。從Z方向觀察，突出部211形成為朝芯部23側、末端變窄的等腰梯形形狀。具體而言，突出部211的上底211a在Y方向上的寬度形成為與金屬膜51的下底51c相同的寬度。而且，突出部211的斜面211b被配置于與第1芯部M的側面23d和金屬膜51的斜面 51b相同的面上。S卩，從Z方向觀察，第1芯部M、金屬膜51和突出部211的層疊體形成為與第1芯部M的相似形狀。并且在本實施方式中，第2芯部55形成為，在從第1芯部M 的側面23d到主磁極33的突出部211的斜面211b和基部210的整個范圍內覆蓋這些第1 芯部M和主磁極33。本實施方式的記錄再現(xiàn)頭202可通過與上述第1實施方式的記錄再現(xiàn)頭2的制造方法大致相同的工序來制造。圖21是相當于圖10的圖，是用于說明記錄再現(xiàn)頭的制造方法的工序圖。首先，如圖21(a)所示，在第1包層母材12 中，以在主磁極33的末端部分33a 的形成區(qū)域形成開口部124b的方式進行構圖，以填充該開口部124b的方式在第1包層母材12 上對主磁極33的末端部分33a的母材(以下稱之為磁極母材220)進行成膜(磁極形成工序)。并且，第1包層12 的開口部124b形成到使得絕緣體35和絕緣體35內模塑成型的主磁極33的基端部分露出的深度。由此，雖然沒有圖示出來，然而磁極母材220 在絕緣體35內與主磁極33的基端部分連接。接著，如圖21(b)所示，與上述第1實施方式同樣地，對金屬膜母材151和第1芯部母材巧4進行成膜之后，利用與上述第1構圖工序相同的方法，通過掩膜圖形(未圖示) 對第1芯部母材巧4進行反應性離子蝕刻(RIE)。此時，以從Z方向觀察時第1芯部母材 154的殘留為矩形形狀的部分的Y方向的寬度小于磁極母材220的埋設于第1包層12 的開口部124b內的部分的寬度(沿著Y方向的開口部124b的寬度)的方式，對第1芯部母材IM進行構圖。此后，通過與上述第2構圖工序相同的方法，進行濺射蝕刻，對第1芯部母材154、 金屬膜母材151和磁極母材220 —并進行蝕刻。此后經過與上述第1實施方式的工序相同的工序，能制造出上述圖10所示的記錄再現(xiàn)頭202。如上，在本實施方式中，通過同一個構圖工序對第1芯部討和金屬膜51以及主磁極33的末端部分33a的母材一并進行構圖，由此，從Z方向觀察，第1芯部M的側面23d、 金屬膜51的斜面51b和主磁極33的突出部211的斜面211b被配置于同一平面上。由此， 與例如分別通過獨立工序對第1芯部M、金屬膜51和主磁極33進行構圖的情況不同，能高精度地對第1芯部54、金屬膜51和主磁極33進行定位。而且不必使用昂貴的定位裝置，就能高精度地對第1芯部M、金屬膜51和主磁極33進行定位，因此能降低裝置成本。這種情況下，主磁極33的末端部分33a形成為，中間隔著金屬膜51而從與第1芯部M相反的一側覆蓋金屬膜51。因此，能高精度地對近場光R的產生位置和來自主磁極 33的磁場的產生位置進行定位，提高記錄再現(xiàn)頭202本身的寫入可靠性，實現(xiàn)高品質化。另外，即使在金屬膜51中未引起等離子體激元的共振的情況下、光束透過了金屬膜51，通過突出部211的上底211a對光束進行反射而使其返回芯部23內，由此，也能使光束重新射入金屬膜51。由此能進一步提高近場光R的產生效率。還能抑制在金屬膜51中未引起等離子體激元的共振從而光束漏到外部的情況，因此，能僅在芯部23的附近生成極小的近場光R的點。(第5實施方式)接著說明本發(fā)明的第5實施方式。圖22是相當于圖5的圖，是表示第5實施方式的記錄再現(xiàn)頭的圖。如圖22所示，本實施方式的記錄再現(xiàn)頭302中，主磁極33的末端部分303被配置于第1包層2 與金屬膜51之間。主磁極33的末端部分303形成為，沿著Z方向的一端側與絕緣體35內模塑成型的主磁極33的基端部分連接，而另一端側與芯部23的端面2 處于同一平面。另外，從Z方向觀察，末端部分303形成為朝芯部23側、末端變窄的等腰梯形形狀。具體而言，末端部分303的上底303a在Y方向上的寬度形成為與金屬膜51的下底51c相同的寬度。而且，末端部分303的斜面303b配置于與第1芯部M的側面23d和金屬膜51的斜面51b相同的面上。即，從Z方向觀察，第1芯部M、金屬膜51和末端部分 303的層疊體形成為與第1芯部M的相似形狀，而且上述層疊體的各側面(和斜面)的整體被第2芯部55和遮光膜52覆蓋。圖23是相當于圖22的圖，是用于說明記錄再現(xiàn)頭的制造方法的工序圖。如圖23(a)所示，為了制造本實施方式的記錄再現(xiàn)頭302，首先在第1包層2 上進行磁極母材304的成膜(磁極形成工序)。并且，雖然沒有圖示出來，但磁極母材304通過第1包層2 和絕緣體35與主磁極33的基端部分連接。接著，如圖23(b)所示，當與上述第1實施方式同樣地進行金屬膜母材151和第1 芯部母材154的成膜之后，采用與上述第1構圖工序相同的方法，通過掩膜圖形(未圖示) 對第1芯部母材巧4進行反應性離子蝕刻(RIE)。在本實施方式的第1構圖工序中，沿著X 方向對第1芯部母材154、金屬膜母材151和磁極母材304 —并進行蝕刻，由此，從Z方向觀察，第1芯部母材154、金屬膜母材151和磁極母材304的層疊體殘留為矩形形狀。接著，如圖23(c)所示，采用與上述第2構圖工序相同的方法進行濺射蝕刻，對第 1芯部母材154、金屬膜母材151和磁極母材304 —并進行蝕刻。此時，蝕刻進行到略微除去第1包層2 的表面為止，由此完全除去磁極母材304的角部和側面，形成末端部分303， 該末端部分303具有與第1芯部M的側面23d和金屬膜51的斜面51b相同的表面(斜面 303b)。此后，經過與上述第1實施方式的工序相同的工序，能制造出上述圖22所示的記錄再現(xiàn)頭302。如上，根據(jù)本實施方式，能獲得與上述第4實施方式相同的效果，并且能進一步縮小從金屬膜51產生的近場光R和從主磁極33的末端部分303產生的磁場，能夠應對高密度記錄化。另外，在上述第3實施方式中，說明了在第2構圖工序中完全除去磁極母材304 的角部和側面的結構，然而不限于此，也可以如圖對所示，以殘留磁極母材304的側面的狀態(tài)結束蝕刻。(第6實施方式)接著說明本發(fā)明的第6實施方式。圖25是相當于圖5的圖，是示出第6實施方式的記錄再現(xiàn)頭的圖。如圖25所示，在本實施方式的記錄再現(xiàn)頭402中，在金屬膜51與主磁極33的末端部分303之間形成了在X方向將兩者劃分開來的間隔膜401。該間隔膜401優(yōu)選由絕緣材料構成，在本實施方式中是由與上述芯部23 (第1芯部M和第2芯部55)相同的材料構成的。另外，在采用不同材料形成第1芯部M和第2芯部55的情況下，優(yōu)選采用與第2芯部陽相同的材料形成間隔膜401。根據(jù)本實施方式，能夠使金屬膜51與主磁極33的末端部分303電絕緣，還能抑制金屬膜51的合金化，因此不會對自由電子在金屬膜51中的運動帶來不良影響。因此能進一步提高近場光R的產生效率。另外，本發(fā)明的技術范圍不限于上述各實施方式，還包括在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內對上述實施方式施加各種變更得到的方案。即，上述實施方式中所舉出的結構等只不過為一例，可進行適當變更。例如在上述實施方式中舉例說明的是使記錄再現(xiàn)頭懸浮的空氣懸浮式信息記錄再現(xiàn)裝置，但不限于此，只要與盤面相對配置，則盤片與記錄再現(xiàn)頭也可以接觸。即，本發(fā)明的記錄再現(xiàn)頭可以是緊湊滑塊式的記錄再現(xiàn)頭。此時也能獲得同樣的作用效果。另外，還可以適當組合各實施方式。另外，還舉例說明了分別采用不同材料一體形成芯部23和包層M的光束傳播元件25，不過，也可以形成為中空狀。這種情況下，成為中空的空氣部分為芯部，環(huán)繞在其周圍的部分為包層。如上構成的光束傳播元件也能夠傳播激光L并使其射入近場光產生元件 26。另外，在上述實施方式中說明的是將本發(fā)明的記錄再現(xiàn)頭2應用于施加垂直于盤片D的記錄磁場的垂直磁記錄方式的情況，然而不限于此，也可以應用于施加平行于盤片D 的記錄磁場的面內記錄方式。以上還說明了在上述第1構圖工序中形成芯部23的殘留部60的方法，不過，也可以不保留殘留部60，而完全除去芯部23的形成區(qū)域之外的芯部23。還可以在金屬膜51與第1包層之間形成遮光膜52。S卩，可以在芯部23的整周形成遮光膜52。此時，對在金屬膜51中未引起等離子體激元的共振從而透過了金屬膜51的激光進行反射而使其返回芯部23內，由此能使其再次射入金屬膜51。由此能進一步提高近場光R的產生效率。另外，在上述實施方式中，由第1芯部M和第2芯部55這2層構成了芯部23，然而不限于此，也可以由3層以上構成。另外，在上述實施方式中說明的是金屬膜51的寬度Wl形成為與第1芯部M的寬度W2相等的情況，然而不限于此，金屬膜51的寬度Wl也可以小于第2芯部55的寬度。即， 也可以將金屬膜51形成得比第1芯部M窄。
另外，還可以構成為在滑塊20的背面(與相對面20a相反側的面)側搭載激光器 43，不經由光波導42而直接將激光L導入光束傳播元件25中。
權利要求
1.一種近場光產生元件，該近場光產生元件使導入到一端側的光束向另一端側會聚而進行傳播，并且，在生成近場光之后發(fā)出至外部，其特征在于，具有芯部，其朝上述另一端側傳播上述光束；以及近場光產生部，其沿著從上述芯部的上述一端側朝上述另一端側的上述光束的傳播方向配置，使上述光束沿著與上述芯部的界面?zhèn)鞑?，從上述光束產生上述近場光，上述芯部具有第1芯部和第2芯部，該第2芯部以中間隔著上述第1芯部的方式從與上述近場光產生部相反的一側覆蓋上述第1芯部，從上述傳播方向觀察，上述第2芯部的外側端部比上述近場光產生部的外側端部更靠外側。
2.根據(jù)權利要求1所述的近場光產生元件，其特征在于，上述第1芯部和上述第2芯部由相同材料構成。
3.根據(jù)權利要求1所述的近場光產生元件，其特征在于，該近場光產生元件具有以使上述芯部的另一端面露出于外部的狀態(tài)覆蓋上述芯部的包層，上述第1芯部、上述第2芯部以及上述包層構成為，按照上述包層、上述第2芯部、上述第1芯部的順序，折射率依次變大。
4.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的近場光產生元件，其特征在于，從上述傳播方向觀察，上述芯部的另一端面形成為三角形形狀或梯形形狀。
5.根據(jù)權利要求1至4中的任一項所述的近場光產生元件，其特征在于，以中間隔著上述第2芯部而從與上述第1芯部相反的一側覆蓋上述第2芯部的方式形成有遮光膜。
6.根據(jù)權利要求1至5中的任一項所述的近場光產生元件，其特征在于，上述第1芯部具有沿著上述傳播方向延伸的多個側面，上述多個側面包括配置有上述近場光產生元件的第1側面；以及第2側面，從上述傳播方向觀察，該第2側面在上述第1側面的兩側沿著與上述第1側面的面方向交叉的方向配置，從上述傳播方向觀察，上述近場光產生部的外側端部被配置于與上述第1芯部的上述第2側面相同的面上。
7.—種近場光產生元件的制造方法，該近場光產生元件使導入到一端側的光束向另一端側會聚而進行傳播，并且，在生成近場光之后發(fā)出至外部，該制造方法的特征在于，該近場光產生元件具有芯部，其朝上述另一端側傳播上述光束；以及近場光產生部，其沿著從上述芯部的上述一端側朝上述另一端側的上述光束的傳播方向配置，使上述光束沿著與上述芯部的界面?zhèn)鞑?，從上述光束產生上述近場光，該制造方法包括以下工序近場光產生部形成工序，形成上述近場光產生部的母材；第1芯部形成工序，以覆蓋上述近場光產生部的方式形成上述芯部中的第1芯部的母材；構圖工序，對上述第1芯部的母材以及上述近場光產生部的母材一并進行構圖；以及2第2芯部形成工序，以中間隔著上述第1芯部而從與上述近場光產生部相反的一側覆蓋上述第1芯部的方式，形成上述芯部中的第2芯部。
8.一種使用權利要求7所述的近場光產生元件的制造方法制造近場光頭的制造方法， 該近場光頭對在固定方向上旋轉的磁記錄介質進行加熱，并且對上述磁記錄介質施加記錄磁場，由此產生磁化反轉來記錄信息，該制造方法的特征在于，在上述近場光產生部形成工序的前階段具有磁極形成工序，在該磁極形成工序中，形成產生記錄磁場的磁極的母材，在上述構圖工序中，以同一工序對上述第1芯部的母材、上述近場光產生部的母材以及上述磁極的母材一并進行構圖。
9.一種近場光頭，其對在固定方向上旋轉的磁記錄介質進行加熱，并且對上述磁記錄介質施加記錄磁場，由此產生磁化反轉來記錄信息，該近場光頭的特征在于，具有滑塊，其與上述磁記錄介質的表面相對配置；記錄元件，其配置于上述滑塊的末端側，具有產生上述記錄磁場的磁極； 權利要求1至6中的任一項所述的近場光產生元件，其以上述另一端側朝向上述磁記錄介質側的狀態(tài)與上述記錄元件相鄰而固定；以及光束導入單元，其固定于上述滑塊上，從上述一端側向上述芯部內導入上述光束。
10.根據(jù)權利要求9所述的近場光頭，其特征在于， 上述第1芯部具有沿著上述傳播方向延伸的多個側面，上述多個側面包括配置有上述近場光產生元件的第1側面；以及第2側面，從上述傳播方向觀察，該第2側面在上述第1側面的兩側沿著與上述第1側面的面方向交叉的方向配置，上述磁極以中間隔著上述近場光產生部的方式與上述第1芯部的上述第1側面相對配置，并且從上述傳播方向觀察，上述磁極的外側端部被配置于與上述第1芯部的上述第2側面相同的面上。
11.根據(jù)權利要求9或10所述的近場光頭，其特征在于，在上述近場光產生部與上述磁極之間形成有對上述近場光產生部與上述磁極之間進行劃分的間隔膜。
12.一種信息記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，具有 權利要求9至11中的任一項所述的近場光頭；梁，其能夠在與上述磁記錄介質的表面平行的方向上移動，以能夠繞與上述磁記錄介質的表面平行且彼此垂直的2個軸自由轉動的狀態(tài)，通過末端側支撐上述近場光頭； 光源，其使上述光束射入上述光束導入單元；致動器，其支撐上述梁的基端側，并且使上述梁朝與上述磁記錄介質的表面平行的方向移動；旋轉驅動部，其使上述磁記錄介質在上述固定方向上旋轉；以及控制部，其控制上述記錄元件和上述光源的動作。
全文摘要
本發(fā)明提供近場光產生元件、近場光頭及它們的制造方法和再現(xiàn)裝置，它們能夠在確保光量的基礎上，縮小近場光的點徑。作為解決手段，從Z方向觀察，芯部(23)形成為多邊形形狀，且具有第1芯部(54)和覆蓋第1芯部(54)的側面的第2芯部(55)，金屬膜(51)配置于芯部(23)的側面(23g)，從Z方向觀察，金屬膜(51)與芯部(23)的界面的寬度(W1)形成得比芯部(23)的側面(23g)的寬度(W3)小。
文檔編號G11B5/31GK102402989SQ20111026938
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權日2010年9月14日
發(fā)明者千葉德男, 大海學, 平田雅一, 田中良和, 田邊幸子, 篠原陽子 申請人:精工電子有限公司