專利名稱：集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)、裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)，尤其涉及大規(guī)模集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)、裝置及方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的大規(guī)模集成電路內(nèi)部的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的自動(dòng)修復(fù)機(jī)制，有一些不具備修復(fù)信息的自動(dòng)記憶，有一些則使用熔斷性器件來(lái)記憶修復(fù)信息。針對(duì)后者，通常對(duì)這種熔斷性器件進(jìn)行操作需要特殊的外部電氣條件，比如高壓、大電流等，而且不具備被多次操作的能力?，F(xiàn)有的自動(dòng)修復(fù)機(jī)制技術(shù)方案，比如專利號(hào)200810117443. 3發(fā)明名稱為“存儲(chǔ)器內(nèi)建自修復(fù)系統(tǒng)及自修復(fù)方法”這篇專利文獻(xiàn)中所披露的，便屬于上述不具備修復(fù)信息記憶的一類，只要存儲(chǔ)器掉電就需要重新通過自檢來(lái)恢復(fù)信息，速度慢且消耗功率，故效率低下。其它利用熔斷性器件記憶修復(fù)信息的技術(shù)方案，比如用一次可編程(OTP，One Time Programmable)器件來(lái)記憶修復(fù)信息，只能進(jìn)行一次性熔斷操作，并且需要從外部施加用于改寫的高電壓及提供相應(yīng)的大電流，導(dǎo)致整個(gè)修復(fù)流程自動(dòng)化程度較低，并且通常只能在特定機(jī)臺(tái)或機(jī)具上才可操作，而且不具備進(jìn)行多次操作的能力，效率也很低下。因此，需要針對(duì)現(xiàn)有的嵌入式存儲(chǔ)器自動(dòng)修復(fù)的技術(shù)方案進(jìn)行改進(jìn)，提供一種能夠在集成電路的普通工作電氣條件下自動(dòng)、高效地完成對(duì)嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器信息自動(dòng)修復(fù)的系統(tǒng)，并且能夠在需要的時(shí)候通過自檢進(jìn)行多次修復(fù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)、裝置及方法，能夠在普通工作電氣條件下自動(dòng)完成對(duì)大規(guī)模集成電路嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器的自動(dòng)修復(fù)。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)， 包括相互連接的嵌入式存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置，其中嵌入式存儲(chǔ)器裝置，用于接受存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置的自檢，并在存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置輸出的修復(fù)控制信號(hào)的控制下，用冗余存儲(chǔ)器替換被自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器；存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置，用于對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行自檢，針對(duì)自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器生成修復(fù)編碼信息，并采用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器保存修復(fù)編碼信息，同時(shí)向嵌入式存儲(chǔ)器裝置輸出修復(fù)控制信號(hào)。進(jìn)一步地，嵌入式存儲(chǔ)器裝置包括嵌入式存儲(chǔ)器、冗余嵌入式存儲(chǔ)器以及嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路，所述存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置包括依次連接的存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊、存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊以及存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，其中嵌入式存儲(chǔ)器，用于在嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)的作用下，進(jìn)入自檢模式以接受存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊的自檢；
冗余嵌入式存儲(chǔ)器，用于根據(jù)從存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出的修復(fù)控制信號(hào)中攜帶的修復(fù)編碼信息使用相應(yīng)的冗余存儲(chǔ)器資源替換有缺陷的存儲(chǔ)器；嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路，用于將存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出的測(cè)試控制信號(hào)及測(cè)試輸入數(shù)據(jù)通過邏輯變換轉(zhuǎn)換成控制嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)入自檢模式的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，以及將自檢結(jié)果數(shù)據(jù)輸出給存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊；存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊，用于在收到存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出的測(cè)試控制信號(hào)時(shí)， 至少輸出測(cè)試控制信號(hào)以及測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，并接收嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出的自檢結(jié)果數(shù)據(jù)；根據(jù)自檢結(jié)果數(shù)據(jù)表示自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器時(shí)，向存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出缺陷位置信號(hào)；存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊，用于在收到外部控制信號(hào)時(shí)，向存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出測(cè)試控制信號(hào)；在收到缺陷位置信號(hào)后根據(jù)冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息生成修復(fù)編碼信息，并向冗余嵌入式存儲(chǔ)器輸出攜帶有該修復(fù)編碼信息的修復(fù)控制信號(hào)，以及向存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊輸出攜帶有該修復(fù)編碼信息的信息記錄控制信號(hào)；存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，用于采用電可擦寫的非易失性存儲(chǔ)器保存信息記錄控制信號(hào)中攜帶的修復(fù)編碼信息。進(jìn)一步地，存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊還向嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出測(cè)試使能信號(hào)及測(cè)試禁能信號(hào)；嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路在收到測(cè)試使能信號(hào)時(shí)，通過多工選擇器將測(cè)試控制信號(hào)和測(cè)試輸入數(shù)據(jù)輸出給嵌入式存儲(chǔ)器，作為自檢模式的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)；在收到測(cè)試禁能信號(hào)時(shí)，通過多工選擇器將正?？刂菩盘?hào)和正常輸入數(shù)據(jù)輸出給嵌入式存儲(chǔ)器， 作為正常存儲(chǔ)模式的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)。進(jìn)一步地，存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊還在集成電路上電時(shí)，將從存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊讀取的修復(fù)編碼攜帶在修復(fù)控制信號(hào)中，輸出給冗余嵌入式存儲(chǔ)器，由該冗余嵌入式存儲(chǔ)器完成對(duì)有缺陷的存儲(chǔ)器的修復(fù)。進(jìn)一步地，存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊采用的電可擦寫的非易失性存儲(chǔ)器，包括集成電路內(nèi)部嵌有的FLASH和/或EEPROM。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的自檢修復(fù)裝置，包括依次連接的存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊、存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊以及存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，其中存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊，用于在收到存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出的測(cè)試控制信號(hào)時(shí)， 向嵌入式存儲(chǔ)器至少輸出測(cè)試控制信號(hào)以及測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，并接收來(lái)自嵌入式存儲(chǔ)器的自檢結(jié)果數(shù)據(jù)；根據(jù)自檢結(jié)果數(shù)據(jù)表示自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器時(shí)，向存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出缺陷位置信號(hào)；存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊，用于在收到外部控制信號(hào)時(shí)，向存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出測(cè)試控制信號(hào)；在收到缺陷位置信號(hào)后根據(jù)冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息生成修復(fù)編碼信息，并向存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊輸出攜帶有該修復(fù)編碼信息的信息記錄控制信號(hào)；
存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，用于采用電可擦寫的非易失性存儲(chǔ)器保存信息記錄控制信號(hào)中攜帶的修復(fù)編碼信息。進(jìn)一步地，存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊還向嵌入式存儲(chǔ)器輸出測(cè)試使能信號(hào)及測(cè)試禁能信號(hào)；其中，測(cè)試使能信號(hào)用于選中測(cè)試控制信號(hào)和測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，使嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)入自檢模式； 測(cè)試禁能信號(hào)用于選中正?？刂菩盘?hào)和正常輸入數(shù)據(jù)，使嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)入正常存儲(chǔ)模式。進(jìn)一步地，存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊還在集成電路上電時(shí)，將從存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊讀取的修復(fù)編碼攜帶在修復(fù)控制信號(hào)中輸出給冗余嵌入式存儲(chǔ)器，用于該冗余嵌入式存儲(chǔ)器對(duì)有缺陷的存儲(chǔ)器的修復(fù)。進(jìn)一步地，存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊采用的電可擦寫的非易失性存儲(chǔ)器，包括集成電路內(nèi)部嵌有的FLASH和/或EEPR0M。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)方法， 包括通過設(shè)置使集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式；當(dāng)在所述自檢中發(fā)現(xiàn)嵌入式存儲(chǔ)器有缺陷，則根據(jù)冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息和有缺陷的存儲(chǔ)器生成修復(fù)編碼信息，并采用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器保存該修復(fù)編碼信肩、ο進(jìn)一步地，該方法還包括根據(jù)冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息，使用冗余嵌入式存儲(chǔ)器替換有缺陷的存儲(chǔ)
ο進(jìn)一步地，通過設(shè)置使集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式，具體包括當(dāng)對(duì)處在生產(chǎn)階段的集成電路完成晶圓制造后，使用測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)該集成電路的測(cè)試管腳進(jìn)行設(shè)置，使得該集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式；當(dāng)對(duì)處在正常使用階段的集成電路完成上電操作后，通過該集成電路內(nèi)部的處理器設(shè)置相應(yīng)的控制寄存器，使得該集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式。本發(fā)明利用可集成到大規(guī)模集成電路內(nèi)部的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)修復(fù)信息，能夠在集成電路的普通工作電氣條件下自動(dòng)高效地完成對(duì)嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器的修復(fù)，并且能夠在需要的時(shí)候通過自檢進(jìn)行多次修復(fù)。


圖1為本發(fā)明的集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖；圖2為本發(fā)明的集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)方法實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)地闡述。以下例舉的實(shí)施例，僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，而不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。如圖1所示，是本發(fā)明的集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，包括相互連接的嵌入式存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置，其中嵌入式存儲(chǔ)器裝置，用于接受存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置的自檢，并在修復(fù)控制信號(hào)的控制下用冗余存儲(chǔ)器替換自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器；存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置，用于對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行自檢，針對(duì)自檢出的有缺陷的存儲(chǔ)器生成修復(fù)編碼信息，并采用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器保存修復(fù)編碼信息，同時(shí)向嵌入式存儲(chǔ)器裝置輸出修復(fù)控制信號(hào)。上述嵌入式存儲(chǔ)器裝置進(jìn)一步包括嵌入式存儲(chǔ)器、冗余嵌入式存儲(chǔ)器以及嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路，存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置則進(jìn)一步包括依次連接的存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊、存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊以及存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，其中嵌入式存儲(chǔ)器，用于在嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)的作用下，進(jìn)入自檢模式以接受存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊的自檢；冗余嵌入式存儲(chǔ)器，用于根據(jù)從存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出的修復(fù)控制信號(hào)中攜帶的修復(fù)編碼信息使用相應(yīng)的冗余存儲(chǔ)器資源替換有缺陷的存儲(chǔ)器；嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路，用于將存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出的測(cè)試控制信號(hào)及測(cè)試輸入數(shù)據(jù)通過邏輯變換轉(zhuǎn)換成控制嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)入自檢模式的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，以及將自檢結(jié)果數(shù)據(jù)輸出給存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊；存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊，用于在收到存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出的測(cè)試控制信號(hào)時(shí)， 至少輸出測(cè)試控制信號(hào)以及測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，并接收嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出的自檢結(jié)果數(shù)據(jù)；根據(jù)自檢結(jié)果數(shù)據(jù)表示自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器時(shí)，向存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出缺陷位置信號(hào)；其中，測(cè)試控制信號(hào)用于作為嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)入自檢模式的控制信號(hào)，測(cè)試輸入數(shù)據(jù)用于作為測(cè)試嵌入式存儲(chǔ)器的輸入數(shù)據(jù)；缺陷位置信號(hào)則用于表示有缺陷的存儲(chǔ)器所處的位置。存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊，用于在收到外部控制信號(hào)(在集成電路上電時(shí)可由軟件給出)時(shí)，向存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出測(cè)試控制信號(hào)；在收到存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出的缺陷位置信號(hào)后，根據(jù)冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息生成修復(fù)編碼信息，并將修復(fù)編碼信息攜帶在修復(fù)控制信號(hào)和信息記錄控制信號(hào)中，分別輸出給冗余嵌入式存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊；存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，用于采用電可擦寫非易失性存儲(chǔ)器保存從存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸入的信息記錄控制信號(hào)中攜帶的修復(fù)編碼信息。在上述實(shí)施例中，嵌入式存儲(chǔ)器是內(nèi)嵌在大規(guī)模集成電路中的嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器，冗余嵌入式存儲(chǔ)器資源可以是集成在該嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器內(nèi)部的冗余靜態(tài)存儲(chǔ)單元、 陣列，也可以是另外單獨(dú)配置的冗余嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器。在上述實(shí)施例中，存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊還向嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出測(cè)試使能及測(cè)試禁能信號(hào)；嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路在收到測(cè)試使能信號(hào)時(shí)，通過多工選擇器將測(cè)試控制信號(hào)和測(cè)試輸入數(shù)據(jù)輸出給嵌入式存儲(chǔ)器，作為自檢模式的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)；在收到測(cè)試禁能信號(hào)時(shí)，通過該多工選擇器將正?？刂菩盘?hào)和正常輸入數(shù)據(jù)輸出給嵌入式存儲(chǔ)器，作為正常存儲(chǔ)模式的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)。
上述存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置可以簡(jiǎn)化以往高成本的測(cè)試機(jī)臺(tái)的復(fù)雜操作。存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊生成的修復(fù)編碼，參考各個(gè)嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器的提供廠家針對(duì)嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器的規(guī)定，比如某晶圓加工廠家的一種型號(hào)的嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器帶一條冗余的存儲(chǔ)線，其修復(fù)編碼為11比特的二進(jìn)制編碼，其中第一比特是修復(fù)使能位，后10比特按照IO和存儲(chǔ)陣列的列地址編碼，如果有需要替換修復(fù)的存儲(chǔ)線，則將該存儲(chǔ)線的IO和存儲(chǔ)陣列的列地址編碼即可。比如當(dāng)嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器第6個(gè)IO和第6列存儲(chǔ)器被測(cè)試出有錯(cuò)誤，相應(yīng)的修復(fù)編碼即為二進(jìn)制編碼B10011000110，最低有效位LSB在左邊。大規(guī)模集成電路內(nèi)部嵌有電可擦寫非易失性存儲(chǔ)器，包括但不限于FLASH和/或 EEPR0M，用于作為存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊存儲(chǔ)修復(fù)編碼信息。由于修復(fù)編碼信息數(shù)據(jù)量不大，可以使用嵌入式FLASH的特殊存儲(chǔ)區(qū)(特殊行special row或者非易失性寄存器NVR 區(qū)，視不同F(xiàn)LASH的說(shuō)明而定)，利用該區(qū)域并不影響FLASH主存儲(chǔ)區(qū)的使用。存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊在集成電路上電時(shí)，從存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊讀出修復(fù)編碼，將其攜帶在修復(fù)控制信號(hào)中輸出給冗余嵌入式存儲(chǔ)器，由該冗余嵌入式存儲(chǔ)器快速完成缺陷修復(fù)。在集成電路使用過程中，如果發(fā)生嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器錯(cuò)誤，存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊可以通過軟件設(shè)置相應(yīng)的控制寄存器，控制集成電路進(jìn)入自檢模式，并使能對(duì)嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器的自檢，根據(jù)自檢結(jié)果進(jìn)行錯(cuò)誤修復(fù)。本發(fā)明針對(duì)上述系統(tǒng)實(shí)施例，相應(yīng)地還提供了集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)方法實(shí)施例，其流程如圖2所示，包括如下步驟110 通過設(shè)置使集成電路進(jìn)入嵌入式存儲(chǔ)器自檢模式；當(dāng)對(duì)處在生產(chǎn)階段的集成電路完成晶圓制造后，使用測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)該集成電路的測(cè)試管腳進(jìn)行設(shè)置，使得該集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式。當(dāng)對(duì)處在正常使用階段的集成電路完成上電操作后，通過該集成電路內(nèi)部的處理器設(shè)置相應(yīng)的控制寄存器，使得該集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式。120 自檢是否發(fā)現(xiàn)缺陷，是則執(zhí)行下列步驟，否則執(zhí)行步驟170 ；被自檢的嵌入式存儲(chǔ)器是內(nèi)嵌在集成電路中的嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器。130 檢查是否存在冗余嵌入式存儲(chǔ)器資源，是則執(zhí)行下列步驟，否則執(zhí)行步驟 180 ；冗余嵌入式存儲(chǔ)器資源可以是集成在該嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器內(nèi)部的冗余靜態(tài)存儲(chǔ)單元、陣列，也可以是另外單獨(dú)配置的冗余嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器。140 針對(duì)缺陷生成修復(fù)編碼，并寫入非易失性存儲(chǔ)器中保存；集成電路內(nèi)部嵌有電可擦寫非易失性存儲(chǔ)器，包括但不限于FLASH和/或EEPR0M， 用于保存修復(fù)編碼信息。150 使用冗余嵌入式存儲(chǔ)器替換有缺陷的嵌入式存儲(chǔ)器；譬如用冗余嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器替換有缺陷的嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器。160 報(bào)告修復(fù)成功及自檢通過，結(jié)束流程；170 報(bào)告自檢通過，結(jié)束流程；180 報(bào)告修復(fù)失敗及自檢未通過，結(jié)束流程。
本發(fā)明利用可集成到大規(guī)模集成電路內(nèi)部的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)修復(fù)信息，能夠在集成電路的普通工作電氣條件下自動(dòng)高效地完成對(duì)嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器的修復(fù)，并且能夠在需要的時(shí)候通過自檢進(jìn)行多次修復(fù)。對(duì)于本領(lǐng)域的專業(yè)人員來(lái)說(shuō)，在了解了本發(fā)明內(nèi)容和原理后，能夠在不背離本發(fā)明的原理和范圍的情況下，根據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修正和改變，但是這些基于本發(fā)明的修正和改變?nèi)栽诒景l(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)，其特征在于，包括相互連接的嵌入式存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置，其中嵌入式存儲(chǔ)器裝置，用于接受存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置的自檢，并在存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置輸出的修復(fù)控制信號(hào)的控制下，用冗余存儲(chǔ)器替換被自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器；存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置，用于對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行自檢，針對(duì)自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器生成修復(fù)編碼信息，并采用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器保存修復(fù)編碼信息，同時(shí)向嵌入式存儲(chǔ)器裝置輸出所述修復(fù)控制信號(hào)。
2.按照權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述嵌入式存儲(chǔ)器裝置包括嵌入式存儲(chǔ)器、冗余嵌入式存儲(chǔ)器以及嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路，所述存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置包括依次連接的存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊、存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊以及存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，其中嵌入式存儲(chǔ)器，用于在嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)的作用下，進(jìn)入自檢模式以接受存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊的自檢；冗余嵌入式存儲(chǔ)器，用于根據(jù)從存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出的所述修復(fù)控制信號(hào)中攜帶的修復(fù)編碼信息使用相應(yīng)的冗余存儲(chǔ)器資源替換所述有缺陷的存儲(chǔ)器；嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路，用于將存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出的測(cè)試控制信號(hào)及測(cè)試輸入數(shù)據(jù)通過邏輯變換轉(zhuǎn)換成控制嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)入所述自檢模式的所述控制信號(hào)和所述輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，以及將自檢結(jié)果數(shù)據(jù)輸出給存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊；存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊，用于在收到存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出的測(cè)試控制信號(hào)時(shí)，至少輸出所述測(cè)試控制信號(hào)以及所述測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，并接收嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出的自檢結(jié)果數(shù)據(jù)；根據(jù)所述自檢結(jié)果數(shù)據(jù)表示自檢出所述有缺陷的存儲(chǔ)器時(shí)，向存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出缺陷位置信號(hào)；存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊，用于在收到外部控制信號(hào)時(shí)，向存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出所述測(cè)試控制信號(hào)；在收到所述缺陷位置信號(hào)后根據(jù)冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息生成所述修復(fù)編碼信息，并向冗余嵌入式存儲(chǔ)器輸出攜帶有該修復(fù)編碼信息的所述修復(fù)控制信號(hào)，以及向存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊輸出攜帶有該修復(fù)編碼信息的信息記錄控制信號(hào)；存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，用于采用電可擦寫的非易失性存儲(chǔ)器保存所述信息記錄控制信號(hào)中攜帶的所述修復(fù)編碼信息。
3.按照權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊還向所述嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路輸出測(cè)試使能信號(hào)及測(cè)試禁能信號(hào)；所述嵌入式存儲(chǔ)器外圍電路在收到所述測(cè)試使能信號(hào)時(shí)，通過多工選擇器將所述測(cè)試控制信號(hào)和所述測(cè)試輸入數(shù)據(jù)輸出給所述嵌入式存儲(chǔ)器，作為所述自檢模式的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)；在收到所述測(cè)試禁能信號(hào)時(shí)，通過所述多工選擇器將正常控制信號(hào)和正常輸入數(shù)據(jù)輸出給所述嵌入式存儲(chǔ)器，作為正常存儲(chǔ)模式的控制信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)信號(hào)。
4.按照權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊還在所述集成電路上電時(shí)，將從所述存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊讀取的所述修復(fù)編碼攜帶在所述修復(fù)控制信號(hào)中，輸出給所述冗余嵌入式存儲(chǔ)器，由該冗余嵌入式存儲(chǔ)器完成對(duì)所述有缺陷的存儲(chǔ)器的修復(fù)。
5.按照權(quán)利要求2至4任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊采用的所述電可擦寫的非易失性存儲(chǔ)器，包括所述集成電路內(nèi)部嵌有的FLASH和/或EEPR0M。
6.一種集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的自檢修復(fù)裝置，其特征在于，包括依次連接的存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊、存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊以及存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，其中存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊，用于在收到存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出的測(cè)試控制信號(hào)時(shí)，向嵌入式存儲(chǔ)器至少輸出測(cè)試控制信號(hào)以及測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，并接收來(lái)自所述嵌入式存儲(chǔ)器的自檢結(jié)果數(shù)據(jù)；根據(jù)所述自檢結(jié)果數(shù)據(jù)表示自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器時(shí)，向存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊輸出缺陷位置信號(hào)；存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊，用于在收到外部控制信號(hào)時(shí)，向存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊輸出所述測(cè)試控制信號(hào)；在收到所述缺陷位置信號(hào)后根據(jù)冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息生成修復(fù)編碼信息，并向存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊輸出攜帶有該修復(fù)編碼信息的信息記錄控制信號(hào)；存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊，用于采用電可擦寫的非易失性存儲(chǔ)器保存所述信息記錄控制信號(hào)中攜帶的所述修復(fù)編碼信息。
7.按照權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)模塊還向所述嵌入式存儲(chǔ)器輸出測(cè)試使能信號(hào)及測(cè)試禁能信號(hào)； 其中，所述測(cè)試使能信號(hào)用于選中所述測(cè)試控制信號(hào)和所述測(cè)試輸入數(shù)據(jù)，使所述嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)入自檢模式；所述測(cè)試禁能信號(hào)用于選中正?？刂菩盘?hào)和正常輸入數(shù)據(jù)，使所述嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)入正常存儲(chǔ)模式。
8.按照權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)器缺陷修復(fù)模塊還在所述集成電路上電時(shí)，將從所述存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊讀取的所述修復(fù)編碼攜帶在修復(fù)控制信號(hào)中輸出給冗余嵌入式存儲(chǔ)器，用于該冗余嵌入式存儲(chǔ)器對(duì)所述有缺陷的存儲(chǔ)器的修復(fù)。
9.按照權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)器修復(fù)信息記錄模塊采用的所述電可擦寫的非易失性存儲(chǔ)器，包括所述集成電路內(nèi)部嵌有的FLASH和/或 EEPROM。
10.一種集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)方法，包括通過設(shè)置使集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式；當(dāng)在所述自檢中發(fā)現(xiàn)所述嵌入式存儲(chǔ)器有缺陷，則根據(jù)冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息和有缺陷的存儲(chǔ)器生成修復(fù)編碼信息，并采用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器保存該修復(fù)編碼信肩、ο
11.按照權(quán)利要求10所述的修復(fù)方法，其特征在于，還包括根據(jù)所述冗余嵌入式存儲(chǔ)器的資源信息，使用冗余嵌入式存儲(chǔ)器替換所述有缺陷的存儲(chǔ)器。
12.按照權(quán)利要求10或11所述的修復(fù)方法，其特征在于，所述通過設(shè)置使集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式，具體包括當(dāng)對(duì)處在生產(chǎn)階段的所述集成電路完成晶圓制造后，使用測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)該集成電路的測(cè)試管腳進(jìn)行設(shè)置，使得該集成電路進(jìn)入對(duì)所述嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式；當(dāng)對(duì)處在正常使用階段的集成電路完成上電操作后，通過該集成電路內(nèi)部的處理器設(shè)置相應(yīng)的控制寄存器，使得該集成電路進(jìn)入對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的自檢模式。
全文摘要
本發(fā)明披露了集成電路嵌入式存儲(chǔ)器的修復(fù)系統(tǒng)、裝置及方法，其中系統(tǒng)包括相互連接的嵌入式存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置，其中嵌入式存儲(chǔ)器裝置接受存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置的自檢，并在存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置輸出的修復(fù)控制信號(hào)的控制下，用冗余存儲(chǔ)器替換被自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器；存儲(chǔ)器自檢修復(fù)裝置對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行自檢，針對(duì)自檢出有缺陷的存儲(chǔ)器生成修復(fù)編碼信息，并采用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器保存修復(fù)編碼信息，同時(shí)向嵌入式存儲(chǔ)器裝置輸出修復(fù)控制信號(hào)。本發(fā)明能夠在集成電路的普通工作電氣條件下自動(dòng)高效地完成對(duì)嵌入式靜態(tài)存儲(chǔ)器的修復(fù)。
文檔編號(hào)G11C29/44GK102339649SQ20111012210
公開日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者王松 申請(qǐng)人:大唐微電子技術(shù)有限公司