專利名稱：制造光盤片模板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種制造光盤片模板的方法。
背景技術(shù)：
隨著3C產(chǎn)品及技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體以及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體需要更細(xì)微的結(jié)構(gòu)來(lái)增進(jìn)運(yùn)作的速度及/或提高儲(chǔ)存的密度。以光盤儲(chǔ)存為例，早期一般的可記錄式和可復(fù)寫式⑶(⑶-R/RW)的溝軌寬度(Groove width)為0. 7 μ m，軌距為1. 6 μ m，但隨著記錄密度需求的提升，具有溝軌寬度為0. 7 μ m，軌距為1. 6 μ m的記錄式和可復(fù)寫式DVD (DVD-R/RW)和具有溝軌寬度為0. 17 μ m,軌距為0. 32 μ m的記錄式和復(fù)寫式藍(lán)光光盤(BD-R/RE)相繼被開發(fā)出來(lái)。再者，可記錄式和復(fù)寫式藍(lán)光光盤(BD-R/RE)不只軌距為0.32 μ m，而且溝軌的深度僅為20nm。雖然記錄密度需求的提升可通過(guò)縮小記錄點(diǎn)與記錄軌距的方式來(lái)達(dá)成。但是在提升記錄密度的過(guò)程中也同時(shí)增加制作光儲(chǔ)存媒體的困難度。一般光儲(chǔ)存媒體的制作流程包含了刻版流程、射出成形、記錄材質(zhì)的沉積和盤片膠和流程等。其中刻版流程主要在制作生產(chǎn)光儲(chǔ)存媒體所需的基板模版(Stamper)。而后使用該基板模版于射出成形技術(shù)中產(chǎn)出光儲(chǔ)存媒體用的基板。但由于光學(xué)繞射極限的關(guān)系使得現(xiàn)有生產(chǎn)CD-R/RW與DVD-R/RW刻版模版的制作技術(shù)不適用于制造BD-R/RE刻版模版。目前各種針對(duì)結(jié)構(gòu)微細(xì)化的研究技術(shù)相繼被提出來(lái)應(yīng)用在制作BD-R/RE基板模版上。其中一種方式是使用波長(zhǎng)為的短波長(zhǎng)激光來(lái)達(dá)成。但不幸的是，短波長(zhǎng)激光的曝光設(shè)備極度昂貴，因?yàn)槠渲兴械墓鈱W(xué)組件必須使用特殊的材料來(lái)制造，因此使上述方式變得不經(jīng)濟(jì)。為實(shí)現(xiàn)高度細(xì)致的圖案，使用無(wú)機(jī)相變化材料(或稱無(wú)機(jī)光阻，inorganicphotoresist)是另一種方式。然而，無(wú)機(jī)相變化材料存在一個(gè)問(wèn)題，那就是無(wú)機(jī)相變化材料必須要有一定厚度才能具有光微影性能。有鑒于此，目前亟需一種可以改善上述問(wèn)題的嶄新方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種制造光盤片模板的方法，其包括以下步驟。形成一無(wú)機(jī)光阻層于一基材上，此無(wú)機(jī)光阻層被激光照射時(shí)，能發(fā)生相變化。形成一有機(jī)光阻層于無(wú)機(jī)光阻層上，且有機(jī)光阻層接觸無(wú)機(jī)光阻層。然后，以激光照射有機(jī)光阻層以及無(wú)機(jī)光阻層，而形成無(wú)機(jī)光阻層的一第一曝光區(qū)以及有機(jī)光阻層的一第二曝光區(qū)，其中無(wú)機(jī)光阻層的第一曝光區(qū)發(fā)生相變化。移除無(wú)機(jī)光阻層的第一曝光區(qū)以及有機(jī)光阻層的第二曝光區(qū)，以形成一圖案化無(wú)機(jī)光阻層以及一圖案化有機(jī)光阻層。接著，自圖案化無(wú)機(jī)光阻層上移除圖案化有機(jī)光阻層。然后，保形地形成一剝離層覆蓋于圖案化無(wú)機(jī)光阻層之上，再形成一金屬層于剝離層上，然后將金屬層與該剝離層分離，而得到光盤片模板。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，剝離層可為一高分子材料或諸如氧化硅的無(wú)機(jī)材料。在某些實(shí)施例中，剝離層包含一高分子材料是選自由酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、硝酸纖維素、四氯乙烯樹脂、胺基樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂以及環(huán)氧樹脂所組成的群組。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，剝離層是以下述方式形成涂布一高分子溶液層于具有圖案化無(wú)機(jī)光阻層的基材上，然后再將高分子溶液層干燥。在一實(shí)施例中，高分子溶液的一固含量小于1%，且剝離層的厚度小于5nm。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，無(wú)機(jī)光阻層的一厚度小于約75nm。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，基材包含一光吸收層配置其上，無(wú)機(jī)光阻層形成在光吸收層上，且接觸光吸收層。在一實(shí)施例中，光吸收層包含至少一材料，是選自由Si、Ge、GaAs、Bi、Ga、In、Sn、Sb、Te、BiTe、Biln、GaSb> GaP> InP、InSb、InTe> C、SiC、V2O5> Cr2O3> Mn3O4>Fe2O3> Co3O4, CuO, A1N、GaN, GeSbTe, InSbTe, BiSbTe, GaSbTe 以及 AgInSbiTe 所組成的群組。在一實(shí)施例中，光吸收層的厚度為約IOnm至約50nm。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，無(wú)機(jī)光阻層包含一無(wú)機(jī)相變化材料，當(dāng)該無(wú)機(jī)相變化材料被激光照射時(shí)，由非晶相轉(zhuǎn)變成結(jié)晶相。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，該無(wú)機(jī)光阻層包含一相變化材料的不完全氧化物，此不完全氧化物的一般化學(xué)式為A(1_X)0X，其中A表示相變化材料，以及X為約0. 05至約0. 65的數(shù)值。在一實(shí)施例中，相變化材料為Ge-Sb-1Te合金、Ge-Sb-Sn合金或M-Gelb-I1e合金。例如，無(wú)機(jī)光阻層可包含化學(xué)式為GexSbySnz0a_x_y_z)的材料，其中χ為約0. 1至約0. 3的一數(shù)值，y為約0. 2至約0. 5的一數(shù)值，以及ζ為約0. 2至約0. 6的一數(shù)值，其中(Ι-χ-y-z)大于 0. 05。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，該無(wú)機(jī)光阻層包含一過(guò)渡金屬合金的不完全氧化物，其氧含量低于該過(guò)渡金屬合金的完全氧化物的化學(xué)計(jì)量含氧量，其中該過(guò)渡金屬是選自由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、以及 Ag 所組成之群組。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，無(wú)機(jī)光阻層可包含化學(xué)式為TeOx的碲氧化物，其中χ為約0.3至約1.7的數(shù)值。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，無(wú)機(jī)光阻層可包含一金屬的不完全氧化物，其中金屬為14族或15族的元素，且金屬的不完全氧化物的含氧量為金屬的完全氧化物的化學(xué)計(jì)量含氧量的75%至95%。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，基材可包含一玻璃基材、硅基材、單晶三氧化二鋁(Al2O3)基材或石英基材。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，有機(jī)光阻層包含一酚醛樹脂型光阻或化學(xué)增幅型光阻。在一實(shí)施例中，有機(jī)光阻層的厚度為約20nm至約60nm。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，激光的波長(zhǎng)為約250nm至約500nm。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，移除無(wú)機(jī)光阻層的第一曝光區(qū)以及有機(jī)光阻層的第二曝光區(qū)包含應(yīng)用一堿溶液。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說(shuō)明如下圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的制造光盤片模板的方法100的流程圖；圖2A至圖2H繪示圖1的各制程步驟的剖面示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明100 方法110、120、130、140、150、160、170、180 步驟210 基材212光吸收層220無(wú)機(jī)光阻層221第一曝光區(qū)224圖案化無(wú)機(jī)光阻層230有機(jī)光阻層232第二曝光區(qū)234圖案化有機(jī)光阻層240 激光250剝離層260金屬層
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，下文針對(duì)了本發(fā)明的實(shí)施方式與具體實(shí)施例提出了說(shuō)明性的描述；但這并非實(shí)施或運(yùn)用本發(fā)明具體實(shí)施例的唯一形式。以下所揭露的各實(shí)施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實(shí)施例中附加其它的實(shí)施例，而無(wú)須進(jìn)一步的記載或說(shuō)明。在以下描述中，將詳細(xì)敘述許多特定細(xì)節(jié)以使讀者能夠充分理解以下的實(shí)施例。然而，可在無(wú)此等特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。在其它情況下，為簡(jiǎn)化附圖，熟知的結(jié)構(gòu)與裝置僅示意性地繪示于圖中。本發(fā)明揭露一種制造光盤片模板的方法，此模板可用于形成一光盤片基材的納米結(jié)構(gòu)。上述制造光盤片模板的方法包含以下步驟(a)形成一無(wú)機(jī)光阻層于一基材，其中當(dāng)該無(wú)機(jī)光阻層被一激光照射時(shí)，能發(fā)生一相變化；(b)形成一有機(jī)光阻層于該無(wú)機(jī)光阻層上，且該有機(jī)光阻層接觸該無(wú)機(jī)光阻層；(c)以該激光照射該有機(jī)光阻層以及該無(wú)機(jī)光阻層，以形成該無(wú)機(jī)光阻層的一第一曝光區(qū)以及該有機(jī)光阻層的一第二曝光區(qū)，其中該無(wú)機(jī)光阻層的該第一曝光區(qū)發(fā)生該相變化，且該第一曝光區(qū)重疊該第二曝光區(qū)；(d)移除該無(wú)機(jī)光阻層的該第一曝光區(qū)以及該有機(jī)光阻層的該第二曝光區(qū)，以形成一圖案化無(wú)機(jī)光阻層以及一圖案化有機(jī)光阻層，其中該圖案化無(wú)機(jī)光阻層以及該圖案化有機(jī)光阻層具有納米特征結(jié)構(gòu)；(e)自該圖案化無(wú)機(jī)光阻層上移除該圖案化有機(jī)光阻層；(f)保形地形成一剝離層覆蓋該圖案化無(wú)機(jī)光阻層；(g)形成一金屬層于該剝離層上；以及(h)將該金屬層與該剝離層分離，以得到該光盤片模板。圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的制造光盤片模板的方法100的流程圖。圖2A至圖2H繪示圖1的各制程步驟的剖面示意圖。在步驟110，形成無(wú)機(jī)光阻層220于基材210上，如圖2A所示。當(dāng)無(wú)機(jī)光阻層220被一激光照射或被加熱時(shí)，無(wú)機(jī)光阻層會(huì)發(fā)生相變化。舉例而言，無(wú)機(jī)光阻層220包含無(wú)機(jī)相變化材料，當(dāng)無(wú)機(jī)光阻層被一激光照射時(shí)，無(wú)機(jī)光阻層將會(huì)從非晶相轉(zhuǎn)變成結(jié)晶相。在一實(shí)施例中，無(wú)機(jī)光阻層220的厚度為約20nm至約150nm，具體而言，無(wú)機(jī)光阻層220的厚度可小于約75nm，更明確地為約20nm至約50nm。在一實(shí)施例中，無(wú)機(jī)光阻層220包含一相變化材料的不完全氧化物。此相變化材料的不完全氧化物的一般化學(xué)式為A(1_X)0X，其中A表示相變化材料，0表示氧，χ為約0. 05至約0. 65的數(shù)值。具體而言，相變化材料可為Ge-Sb-Te合金、Ge-Sb-Sn合金或h-Ge-Sb-Te合金。在一實(shí)施例中，無(wú)機(jī)光阻層包含化學(xué)式為GexSbySnz0(1_x_y_z)的材料，其中，其中χ為約0. 1至約0. 3的一數(shù)值，y為約0. 2至約0. 5的一數(shù)值，以及ζ為約0. 2至約0. 6的一數(shù)值，其中滿足(l-x-y-ζ)大于0. 05的條件。在另一實(shí)施例中，無(wú)機(jī)光阻層220可包含一過(guò)渡金屬合金的不完全氧化物，此不完全氧化物中氧含量低于該過(guò)渡金屬合金的完全氧化物的化學(xué)計(jì)量含氧量。在本實(shí)施例中，過(guò)渡金屬是選自由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru以及Ag所組成的群組。在又一實(shí)施例中，無(wú)機(jī)光阻層220可包含化學(xué)式為TeOx的碲氧化物，其中χ為約0.3至約1.7的一數(shù)值。在其它實(shí)施例中，無(wú)機(jī)光阻層220可包含一金屬的不完全氧化物，此金屬不完全氧化物中的金屬為14族或15族的元素。上述金屬不完全氧化物中的含氧量為此金屬的完全氧化物的化學(xué)計(jì)量含氧量的75%至95%?；?10的材料并無(wú)特殊限制，只要其具有足夠的熱阻抗性而能承受后續(xù)制程的制程條件即可。舉例而言，基材210可為玻璃基材、硅基材、單晶三氧化二鋁(Al2O3)基材、石英基材或金屬基材。在一實(shí)施例中，基材210包含一光吸收層212。光吸收層212位于基材的上表面。無(wú)機(jī)光阻層220形成在光吸收層212上，且接觸光吸收層212。光吸收層可將光能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃?，并因此有益于無(wú)機(jī)光阻層220產(chǎn)生或發(fā)生相變化。舉例而言，光吸收層的材料可為Si、Ge、GaAs> Bi、Ga、In、Sn、Sb、Te、BiTe、Biln、GaSb> GaP> InP、InSb、InTe、C、SiC、V2O5>Cr2O3, Mn3O4, Fe2O3, Co3O4, CuO, A1N、GaN, GeSbTe, InSbTe, BiSbTe, GaSbTe, AghSb^Te、或上述的組合。在本實(shí)施例中，光吸收層的厚度為約lOnm至約50nm，例如可為約20nm。在某些實(shí)施例中，當(dāng)光吸收層212的厚度大于一特定值時(shí)，例如約50nm，無(wú)機(jī)光阻層的分辨率會(huì)下降。反之，當(dāng)光吸收層212的厚度小于一特定值時(shí)，例如約10nm，光吸收層212則不能發(fā)揮幫助或促進(jìn)無(wú)機(jī)光阻層220發(fā)生相變化的功能。在步驟120，形成一有機(jī)光阻層230于無(wú)機(jī)光阻層220上，如圖2B所示。有機(jī)光阻層230接觸無(wú)機(jī)光阻層220。有機(jī)光阻層230可為正型光阻。在一實(shí)施例中，有機(jī)光阻層230可為酚醛樹脂型光阻或化學(xué)增幅型光阻。在某些實(shí)施方式中，有機(jī)光阻層230的厚度為約IOnm至約60nm，例如為約20nm至約50nm。在某些實(shí)施例中，當(dāng)有機(jī)光阻層230的厚度大于一特定值時(shí)，例如60nm約，有機(jī)光阻層230將會(huì)遮蔽或阻擋照射至無(wú)機(jī)光阻層220的激光，并因此而不利于后續(xù)制程。反之，當(dāng)有機(jī)光阻層230的厚度小于一特定值時(shí)，例如約lOnm，則有機(jī)光阻層230不能產(chǎn)生其應(yīng)有的功能。例如，有機(jī)光阻層230可能無(wú)法保護(hù)其下的無(wú)機(jī)光阻層220，或者有機(jī)光阻層230甚至不能形成精確的圖案。在步驟130，以激光240照射有機(jī)光阻層230以及無(wú)機(jī)光阻層220，如圖2C所示。激光240可穿透有機(jī)光阻層230以及無(wú)機(jī)光阻層220，并因此形成無(wú)機(jī)光阻層220中的第一曝光區(qū)221以及有機(jī)光阻層230中的第二曝光區(qū)232。因?yàn)榈谝患暗诙毓鈪^(qū)221、232被相同的激光照射，所以第一曝光區(qū)221與第二曝光區(qū)232重疊。在一實(shí)施例中，激光240的波長(zhǎng)為約250nm至約500nm，例如為約380nm至約450nm。無(wú)機(jī)光阻層220的第一曝光區(qū)221因被激光240照射，而發(fā)生相變化。因此，無(wú)機(jī)光阻層220的第一曝光區(qū)221的相(phase)與無(wú)機(jī)光阻層220的未被曝光區(qū)域不同。更明確地說(shuō)，第一曝光區(qū)221為結(jié)晶相，而無(wú)機(jī)光阻層220的未曝光區(qū)為非晶相。因此，無(wú)機(jī)光阻層220的第一曝光區(qū)221變成可溶解在諸如堿溶液之特定化學(xué)物質(zhì)中。在有機(jī)光阻層230為一正型光阻的實(shí)施方式中，有機(jī)光阻層230的第二曝光區(qū)232因曝光而變成可溶解在諸如堿溶液的光阻顯影液中，其為本技術(shù)領(lǐng)域所習(xí)知。在步驟140，移除無(wú)機(jī)光阻層220的第一曝光區(qū)221以及有機(jī)光阻層230的第二曝光區(qū)232，因此在基材210上形成一圖案化的有機(jī)光阻層234以及一圖案化的無(wú)機(jī)光阻層224，如圖2D所示。在此步驟中，可通過(guò)使用諸如氫氧化鉀或氫氧化鈉溶液的堿溶液來(lái)移除第一及第二曝光區(qū)221、232的物質(zhì)。在步驟150，自圖案化的無(wú)機(jī)光阻層2M上移除圖案化的有機(jī)光阻層234，如圖2E所示。在此步驟中，可通過(guò)去光阻劑(stripper)來(lái)移除圖案化有機(jī)光阻層234，其可將有機(jī)光阻層234由無(wú)機(jī)光阻層2M上剝離?；蛘撸墒褂媚軌?qū)⒂袡C(jī)光阻層234溶解的溶劑，將其溶解，而移除圖案化有機(jī)光阻層234。舉例而言，諸如丙酮的溶劑可用來(lái)溶解有機(jī)光阻層234。在一實(shí)施例中，存留在基材210上的圖案化無(wú)機(jī)光阻層224的寬度為約170nm，厚度為約20nm。在步驟160，保形地形成一剝離層250覆蓋圖案化無(wú)機(jī)光阻層224，如圖2F所示。在一實(shí)施方式中，剝離層250包含一高分子材料，例如為酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、硝酸纖維素、四氯乙烯樹脂、胺基樹脂、聚酯樹脂、胺酯樹脂或環(huán)氧樹脂?？赏ㄟ^(guò)涂布一高分子溶液在具有圖案化無(wú)機(jī)光阻層2M的基材210上，并形成一高分子溶液層于圖案化無(wú)機(jī)光阻層2M上方。然后，將此高分子溶液層干燥，而形成高分子剝離層250。在一實(shí)施例中，上述高分子溶液的固含量小于約1%。剝離層250的厚度可小于約5nm，例如為約Inm至約3nm。在某些實(shí)施例中，當(dāng)剝離層250的厚度可大于約5nm時(shí)，剝離層250很難保形地覆蓋圖案化無(wú)機(jī)光阻層2M。在另一實(shí)施方式中，剝離層250可包含諸如氧化硅、氧化鋁、及類鉆碳(DLC)的無(wú)機(jī)材料?？衫枚虝r(shí)間的濺鍍，例如5至30秒，而形成無(wú)機(jī)剝離層250。在步驟170，形成一金屬層260于剝離層250上，如圖2G所示。可利用任何已知的方式形成金屬層260，例如電鍍、物理氣相沉積或其它方式。在一實(shí)施例中，金屬層260是由鎳制成，且是由電鍍形成。金屬層260具有與圖案化無(wú)機(jī)光阻層2M互補(bǔ)的輪廓，且將成為光盤片的模板。在步驟180，將金屬層260與剝離層250分離。分離出的金屬層260成為光盤片的模板。此分離步驟可通過(guò)手工或機(jī)器來(lái)完成。實(shí)施例以下的實(shí)施例是用以詳述本發(fā)明的特定態(tài)樣，并使本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者得以實(shí)施本發(fā)明。以下的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為本發(fā)明的限制。實(shí)施例1-使用高分子剝離層來(lái)制造模板
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在壓力為0. 5Pa的氬氣環(huán)境中，以濺鍍方式在玻璃基材上沉積厚度為20nm的硅層，以作為光吸收層。在濺鍍硅的制程中，使用直流功率350W以及氬氣的流量為30sCCm。接著，使用Ge13.5Sb4(1Sb46.5為靶材，在壓力為0. SPa的氬氣-氧氣混合氣體(ArA)2 = 5/1)環(huán)境中進(jìn)行濺鍍，沉積厚度為約20nm的無(wú)機(jī)光阻層于硅層上。接著，以旋轉(zhuǎn)涂布法將酚醛樹脂型光阻涂布在無(wú)機(jī)光阻層上，隨后在130°C的環(huán)境中烘烤900秒。因此，在無(wú)機(jī)光阻層上形成一有機(jī)光阻層，有機(jī)光阻層的厚度為約25nm。以波長(zhǎng)為405nm的激光，對(duì)已涂布有機(jī)光阻層的基材進(jìn)行曝光程序。曝光程序所使用的功率為3. 2mW。激光穿透有機(jī)光阻層以及無(wú)機(jī)光阻層。曝光后，以濃度為0. 05M的氫氧化鉀水溶液進(jìn)行顯影，顯影時(shí)間為40秒。曝光部分的有機(jī)光阻層以及曝光部分的無(wú)機(jī)光阻層兩者都溶解在氫氧化鉀水溶液中，但是未曝光的部分則留在基材上。因此，有機(jī)光阻層與無(wú)機(jī)光阻層同時(shí)被圖案化。隨后，以丙酮將未曝光而留在基板上的有機(jī)光阻層移除，從而得到圖案化的無(wú)機(jī)光阻層。利用旋轉(zhuǎn)涂布法，將重量百分濃度0. 8%的酚醛樹脂溶液涂布在具有圖案化無(wú)機(jī)光阻層的基材上，然后在溫度130°C的環(huán)境中干燥900秒。在干燥后，基材上形成一酚醛樹脂的剝離層于，且酚醛樹脂剝離層保形地覆蓋圖案化無(wú)機(jī)光阻層。利用電鍍法，在高分子剝離層上形成厚度300 μ m的鎳板。接著，將鎳板與基材上的高分子剝離層分離。隨后，以丙酮充分清洗分離出的鎳板，再將鎳板干燥而得到模板，此模板能夠成為軌域深度20nm的光盤片模板。實(shí)施例2-使用氧化硅剝離層來(lái)制造模板在本實(shí)施例中，以相同于實(shí)施例1所述的方法制造光盤片模板，除了以氧化硅取代酚醛樹脂作為剝離層之外。以濺鍍方式進(jìn)行鍍膜2秒而形成氧化硅層，氧化硅層的厚度僅約lnm。比較例-不使用剝離層來(lái)制造模板在本比較例中，以相同于實(shí)施例1所述的方法制造光盤片模板，除了不使用剝離層之外。在本比較例中，在將鎳板與基材上的圖案化無(wú)機(jī)光阻層分開時(shí)，有部分的圖案化無(wú)機(jī)光阻層由基材上被剝離，而埋在鎳板中。因圖案化無(wú)機(jī)光阻層的厚度只有20nm，所以無(wú)機(jī)光阻層與基材之間的附著力是很微弱的。因此，本比較例所制造的鎳板無(wú)法成功的作為光盤片模板。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種制造一光盤片模板的方法，其特征在于，包含(a)形成一無(wú)機(jī)光阻層于一基材，其中當(dāng)該無(wú)機(jī)光阻層被一激光照射時(shí)，能發(fā)生一相變化；(b)形成一有機(jī)光阻層于該無(wú)機(jī)光阻層上，且該有機(jī)光阻層接觸該無(wú)機(jī)光阻層；(c)以該激光照射該有機(jī)光阻層以及該無(wú)機(jī)光阻層，以形成該無(wú)機(jī)光阻層的一第一曝光區(qū)以及該有機(jī)光阻層的一第二曝光區(qū)，其中該無(wú)機(jī)光阻層的該第一曝光區(qū)發(fā)生該相變化，且該第一曝光區(qū)重疊該第二曝光區(qū)；(d)移除該無(wú)機(jī)光阻層的該第一曝光區(qū)以及該有機(jī)光阻層的該第二曝光區(qū)，以形成一圖案化無(wú)機(jī)光阻層以及一圖案化有機(jī)光阻層，其中該圖案化無(wú)機(jī)光阻層以及該圖案化有機(jī)光阻層具有納米特征結(jié)構(gòu)；(e)自該圖案化無(wú)機(jī)光阻層上移除該圖案化有機(jī)光阻層；(f)保形地形成一剝離層覆蓋該圖案化無(wú)機(jī)光阻層上；(g)形成一金屬層于該剝離層上；以及(h)將該金屬層與該剝離層分離，以得到該光盤片模板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該無(wú)機(jī)光阻層的一厚度小于75nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該基材包含一光吸收層配置其上，該無(wú)機(jī)光阻層形成在該光吸收層上，且接觸該光吸收層，其中該光吸收層包含至少一材料，是選自由 Si、Ge、GaAs、Bi、GaJn、Sn、Sb、Te、BiTe、BiIn、feiSb、GaP、InP、InSb, InTe、C、SiC、V2O5, Cr2O3> Mn3O4, Fe2O3> Co3O4、CuO, A1N、GaN、GeSbTe, InSbTe,BiSbTe, GaSbTe以及AghSbTe所組成的群組。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該無(wú)機(jī)光阻層包含一無(wú)機(jī)相變化材料，當(dāng)該無(wú)機(jī)相變化材料被激光照射時(shí)，由非晶相轉(zhuǎn)變成結(jié)晶相。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該無(wú)機(jī)光阻層包含一相變化材料的不完全氧化物，其中該不完全氧化物的一般化學(xué)式為A(1_x)Ox，其中A表示該相變化材料，以及χ為0. 05至0. 65的一數(shù)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，該相變化材料為一Ge-Sb-Te 合金、Ge-Sb-Sn 合金或 In-Ge-Sb-Te 合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該無(wú)機(jī)光阻層包含化學(xué)式為Ge5xSbySnzOdm)的一材料，其中x為0. 1至0. 3的一數(shù)值，y為0. 2至0. 5的一數(shù)值，以及ζ為0. 2至0. 6的一數(shù)值，其中(l-x-y-ζ)大于0. 05。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該無(wú)機(jī)光阻層包含一過(guò)渡金屬合金的不完全氧化物，其氧含量低于該過(guò)渡金屬合金的完全氧化物的化學(xué)計(jì)量含氧量，其中該過(guò)渡金屬是選自由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、以及Ag所組成的群組。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該無(wú)機(jī)光阻層包含化學(xué)式為TeOx的碲氧化物，其中χ為0. 3至1. 7的一數(shù)值。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該無(wú)機(jī)光阻層包含一金屬的不完全氧化物，其中該金屬為14族或15族的一元素，且該金屬的不完全氧化物的含氧量為該金屬的完全氧化物的化學(xué)計(jì)量含氧量的75%至95%。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(a)的該基材包含一玻璃基材、硅基材、單晶三氧化二鋁基材或石英基材。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(b)的該有機(jī)光阻層包含一酚醛樹脂型光阻或化學(xué)增幅型光阻。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(b)的該有機(jī)光阻層的一厚度為20nm至60nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(c)的該激光的一波長(zhǎng)為250nm至500nm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(d)包含應(yīng)用一堿溶液來(lái)移除該無(wú)機(jī)光阻層的該第一曝光區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(f)的該剝離層包含氧化硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(f)的該剝離層包含一高分子材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，該高分子材料包含至少一高分子，是選自由酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、硝酸纖維素、四氯乙烯樹脂、胺基樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂以及環(huán)氧樹脂所組成的群組。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，步驟(f)包含涂布一高分子溶液層于具有該圖案化無(wú)機(jī)光阻層的基材上，其中該高分子溶液的一固含量小于；以及將該高分子溶液層干燥，以形成該剝離層。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造一光盤片模板的方法，其特征在于，該剝離層的一厚度小于5nm。
全文摘要
本發(fā)明在此揭露一種制造光盤片模板的方法，其包含以下步驟(a)形成無(wú)機(jī)光阻層于基材上；(b)形成有機(jī)光阻層于無(wú)機(jī)光阻層上；(c)以激光照射有機(jī)光阻層以及無(wú)機(jī)光阻層，以形成無(wú)機(jī)光阻層的第一曝光區(qū)以及有機(jī)光阻層的第二曝光區(qū)；(d)移除無(wú)機(jī)光阻層的第一曝光區(qū)以及有機(jī)光阻層的第二曝光區(qū)，以形成圖案化無(wú)機(jī)光阻層以及圖案化有機(jī)光阻層；(e)自圖案化無(wú)機(jī)光阻層上移除圖案化有機(jī)光阻層；(f)保形地形成一剝離層覆蓋于圖案化無(wú)機(jī)光阻層之上；(g)形成一金屬層于剝離層上；以及(h)將金屬層與剝離層分離。
文檔編號(hào)G11B7/26GK102592620SQ201110119660
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2011年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月14日
發(fā)明者張俊誠(chéng) 申請(qǐng)人:錸德科技股份有限公司