專利名稱：：重置相變存儲器位的制作方法重置相變存儲器位
背景技術(shù)：
：本發(fā)明大體涉及半導(dǎo)體存儲器。相變存儲器裝置將相變材料(即可以在大體非晶質(zhì)狀態(tài)與大體結(jié)晶質(zhì)狀態(tài)之間電切換的材料)用作電子存儲器。一種類型的存儲器元件利用相變材料，該相變材料在一種應(yīng)用中可以在大體非晶質(zhì)局部秩序與大體結(jié)晶質(zhì)局部秩序之間或者在跨越完全非晶質(zhì)狀態(tài)與完全結(jié)晶質(zhì)狀態(tài)之間的整個頻譜的局部秩序的不同的可檢測狀態(tài)之間進行電切換。圖I是本發(fā)明一個實施例的電路圖；圖2是在圖I中示出的讀取/寫入電路的電流源的電路圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的重置命令和產(chǎn)生的初始使能電流鏡信號的電流相對于時間的曲線；圖4是本發(fā)明一個實施例的流程圖；圖5是本發(fā)明一個實施例的流程圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的系統(tǒng)示圖；圖7是根據(jù)一個實施例的可能位的百分比相對于閾值電壓的假想圖；以及圖8是一個實施例的流程圖。具體實施例方式參照圖I，在一個實施例中，存儲器100可以包括根據(jù)本發(fā)明一個實施例的以行WL和列BL布置的存儲器單元MC的陣列。雖然說明了相對較小的陣列，但是本發(fā)明絕不限制于陣列的任何具體尺寸。雖然在這里使用術(shù)語“行”、“字線”、“位線”和“列”，但是它們僅意味著說明性的而對于感測陣列的規(guī)格和類型不是限制性的。存儲器裝置100包括典型地布置成陣列105的多個存儲器單元MC。矩陣105中的存儲器單元MC可以布置為具有與每個矩陣行相關(guān)聯(lián)的字線WLl-WLm和與每個矩陣列相關(guān)聯(lián)的位線BLl-BLn的m行和η列。在一個實施例中，存儲器裝置100也可以包括許多包括電源電壓線Vdd和分配地電壓的地電壓線GND的輔助線，該電源電壓線Vdd通過包括存儲器裝置100的芯片來分配電源電壓Vdd。高電壓電源線Va可以提供由集成在同一芯片上或外部供給到存儲器裝置100的裝置(例如，在附圖中未示出的電荷泵升壓器)產(chǎn)生的相對高的電壓。單元MC可以是包括相變存儲器單元的任何存儲器單元。相變存儲器單元的示例包括那些使用硫族化物存儲器元件18a和串聯(lián)耦合到裝置18a的存取、選擇或閾值裝置18b。閾值裝置18b可以是可由硫族化物合金制造的雙向閾值開關(guān)，該硫族化物合金不展現(xiàn)出從非晶質(zhì)至結(jié)晶質(zhì)的相變并且經(jīng)受僅在存在保持電壓的情況下持續(xù)的導(dǎo)電性的快速的、電場引起的變化。陣列105中的存儲器單元MC連接到字線WLl-WLm中的相應(yīng)的一根和位線BLl-BLn中的相應(yīng)的一根。更具體地，存儲元件18a可以具有連接到相應(yīng)的位線BLl-BLn的第一端子和連接到相關(guān)聯(lián)裝置18b的第一端子的第二端子。裝置18b可以具有連接到字線WLl-WLm的第二端子?；蛘?，存儲元件18a可以連接到相應(yīng)的字線WLl-WLm，并且與存儲元件18a相關(guān)聯(lián)的裝置18b可以連接到相應(yīng)的位線BLl-BLn。通過選擇相應(yīng)的行和列對(S卩，通過選擇相應(yīng)的字線和位線對)對陣列105內(nèi)的存儲器單元MC進行存取。字線選擇器電路110和位線選擇器電路115可以根據(jù)行地址二進制代碼RADD和列地址二進制代碼CADD(分別為例如由存儲器裝置100從存儲器外部的裝置(例如，微處理器)所接收的存儲器地址二進制代碼ADD的一部分)來執(zhí)行字線的選擇和位線的選擇。字線選擇器電路110可以對行地址代碼RADD進行解碼并且選擇由所接收的特定行地址代碼RADD識別的字線WLl-WLm中的相應(yīng)的一根。位線選擇器電路115可以對列地址代碼CADD進行解碼并且選擇相應(yīng)的位線，或者更一般地選擇位線BLl-BLn的相應(yīng)的位線包(packet)。例如，所選擇的位線的數(shù)量取決于存儲器裝置100上的突發(fā)讀取操作期間可以讀取的數(shù)據(jù)字的數(shù)量。位線BLl-BLn可以由所接收的特定列地址代碼CADD來識別。位線選擇器電路115與讀取/寫入電路120接口連接。讀取/寫入電路120使能期望的邏輯值到所選擇的存儲器單元MC內(nèi)的寫入并且讀取其中當前存儲的邏輯值。例如，讀取/寫入電路120包括感測放大器以及比較器、參考電流/電壓發(fā)生器和電流脈沖發(fā)生器，以讀取存儲在存儲器單元MC中的邏輯值。在讀取或?qū)懭氩僮髌陂g，字線選擇電路110可以使字線WLl-WLm中所選擇的一根的電壓降低到字線選擇電壓Vwl(例如，具有等于OV-地電位的值)，而在一個實施例中剩余的字線可以保持為字線取消選擇電壓Vdes。類似地，位線選擇電路115可以使位線BLl-BLn中的所選擇的一根(更典型地，所選擇的位線包)耦合到讀取/寫入電路120，而剩余的、未選擇的位線可以保持浮置或保持為取消選擇電壓Vdes。典型地，當對存儲器裝置100進行存取時，讀取/寫入電路120迫使適當?shù)碾娏髅}沖進入每根所選擇的位線BLl-BLn。脈沖振幅取決于待執(zhí)行的讀取或?qū)懭氩僮鳌８唧w地，在讀取操作期間，在一個實施例中相對高的讀取電流脈沖施加到每根所選擇的位線。當迫使讀取電流進入每根所選擇的位線BLl-BLn時，相應(yīng)的位線電壓朝著相應(yīng)的穩(wěn)態(tài)值升高，該相應(yīng)的穩(wěn)態(tài)值取決于存儲元件18a的電阻，即取決于存儲在所選擇的存儲器單元MC中的邏輯值。瞬變的持續(xù)時間取決于存儲元件18a的狀態(tài)。如果存儲元件18a處于結(jié)晶質(zhì)或設(shè)置狀態(tài)并且閾值裝置18b開啟，則流過所選擇的存儲器單元MC的單元電流具有大于在存儲元件18a處于較高電阻率或重置狀態(tài)的情況下的振幅的振幅。在一個實施例中，通過將處于或接近其穩(wěn)態(tài)的位線電壓(或另一個與位線電壓相關(guān)的電壓)與適當?shù)膮⒖茧妷?例如，利用服務(wù)參考存儲器單元而獲得的參考電壓)進行比較，可以評估存儲在存儲器單元MC中的邏輯值。參考電壓可以例如被選擇為當存儲邏輯值“O”時的位線電壓與當存儲邏輯值“I”時的位線電壓之間的中間值。通過晶體管(在一個實施例中，具體地為具有連接到相應(yīng)的位線BLl-BLn的漏極端子、連接到提供取消選擇電壓Vdes的取消選擇電壓電源線Vdes的源極端子和由放電使能信號DIS_EN控制的柵極端子的N溝道M0SFET)可以執(zhí)行位線放電電路125^125#在開始寫入或讀取操作之前，該放電使能信號DIS_EN可以暫時地置為足夠高的正電壓，使得全部的放電MOSFET導(dǎo)通并且將位線BLl-BLn連接到取消選擇電壓電源線Vdes。在裝置18a和18b中使用的相變材料可以包括硫族化物材料。硫族化物材料可以是包括來自周期表的VI列的至少一種元素的材料或者可以是包括硫族元素中的一種或多種(例如，碲、硫或硒元素中的任何一種元素)的材料。硫族化物材料可以是非易失性存儲器材料，該非易失性存儲器材料可以用于存儲去除電功率之后仍被保持的信息。在一個實施例中，相變材料可以是來自碲-鍺-銻(TexGeySbz)材料或GeSbTe合金的類別的硫族化物元素成分，盡管本發(fā)明的范圍不限于僅僅這些材料。位線選擇器電路115可以包括電流源16。電流源16可以可控制地提供所選擇的位線所需要的電流，以便或者讀取、寫入，或者要么寫入設(shè)置位要么寫入重置位。這些操作中的每個都需要不同的電流。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，單個電流源16可控制地將合適的電流供給這些操作中的每個?？梢杂煽刂破?2提供對所供給的電流的控制。在一個實施例中，控制器32可以是處理器并且可以包括狀態(tài)機12。參照圖2，控制器32的狀態(tài)機12可以與電流源16連通。更具體地，狀態(tài)機12可以接收如在圖2中示出的重置電流設(shè)置和讀取電流設(shè)置。重置電流設(shè)置提供關(guān)于應(yīng)該提供什么電流來寫入重置位的信息。類似地，讀取電流設(shè)置提供關(guān)于應(yīng)該使用什么電流來讀取的信息。信息可以根據(jù)晶片運轉(zhuǎn)的不同(fromwaferruntorun)而改變。S卩，可以通過將合適的輸入提供到狀態(tài)機12而將具體運轉(zhuǎn)中的晶片的變化考慮在內(nèi)。此外，狀態(tài)機12接收關(guān)于是否執(zhí)行讀取操作或者是否將要寫入設(shè)置位或重置位的信息。而且，狀態(tài)機接收時鐘信號。狀態(tài)機12輸出若干使能信號EN1-EN1^在本發(fā)明的一個實施例中，N等于32。然而，不同數(shù)量的使能信號EN可以用于提供由電流源16提供的電流量的不同粒度(granularity)。狀態(tài)機12也可以產(chǎn)生外部電壓信號VIREF或者使外部電壓信號VIREF通過，該外部電壓信號VIREF施加到晶體管26的柵極。在某些實施例中，可以根據(jù)從外部電源提供的讀取電流設(shè)置(例如，根據(jù)具體晶片運轉(zhuǎn)的特性)而產(chǎn)生該信號。在晶體管26的柵極上的驅(qū)動量可以控制節(jié)點PBIAS上的電勢。因此，在本發(fā)明的一個實施例中，可以控制由柵地陰地放大器(cascode)20a產(chǎn)生的電流量。在本發(fā)明的一個實施例中，柵地陰地放大器20a和晶體管26是產(chǎn)生參考電流的參考電路的一部分。然后來自參考電路的該參考電流可以反映到(mirrorinto)柵地陰地放大器20b-20n中的任何一個中。在一個實施例中，柵地陰地放大器20b-20n的數(shù)量可以等于來自狀態(tài)機12的使能信號EN的數(shù)量。因此，狀態(tài)機12可以使能柵地陰地放大器20b-20n的全部或者任何一個子集。這是因為，在一個實施例中，每個柵地陰地放大器都可以具有晶體管24(即，晶體管24a-24n中的一個)，該晶體管24接收如示出的使能信號EN。換句話說，在本發(fā)明的一個實施例中，來自狀態(tài)機的每個使能信號分配給具體的柵地陰地放大器20b_20n。因此，由來自每個柵地陰地放大器24a_24n的箭頭指示的電流量可以以兩種方式來確定。在第一種方式中，狀態(tài)機12確定是否使能柵地陰地放大器24。如果使能柵地陰地放大器，則其通過的電流量由參考電路并且具體地由晶體管26的柵極上的驅(qū)動來確定。通過晶體管26及其柵地陰地放大器20a的電流反映到柵地陰地放大器20b_20n中的每個中。在本發(fā)明的一個實施例中，該電流大約為5微安。柵地陰地放大器20b_20n的基極處的節(jié)點VC接收反映到每個有源柵地陰地放大器20中的任何電流。節(jié)點VC隨后產(chǎn)生由通過所選擇的單元MC的電阻確定的電壓，所選擇的單元MC由存儲器元件18a和閾值裝置18b構(gòu)成。因此，如果單元處于重置狀態(tài)，則在節(jié)點VC處產(chǎn)生一個電壓，并且如果單元處于設(shè)置狀態(tài)，則在節(jié)點VC處產(chǎn)生不同的電壓。傳輸晶體管28將通過節(jié)點VC和通過閾值裝置18b的電流提供到地。節(jié)點VC也可以通過開關(guān)29耦合到I/O焊盤，從而可以從外部監(jiān)控電壓VC，例如以便確定參考電壓應(yīng)該是什么。在一個實施例中，節(jié)點VC也可以耦合到運算放大器50，例如該運算放大器50將節(jié)點VC處的電壓與來自外部電源的參考電壓VREF進行比較。在一個實施例中，參考電壓可以設(shè)置在設(shè)置位與重置位的節(jié)點VC處的電壓電平之間。通過使用使能信號OPEN，運算放大器50僅在讀取模式中打開。來自運算放大器50的輸出通過反相器52直到三態(tài)緩沖器54。因此，運算放大器起到感測放大器的作用，以便產(chǎn)生在圖2中表示為I/O的表示感測單元的狀態(tài)的輸出信號。參照圖3，用于將重置電平寫入所選擇的單元的命令可以具有如在上側(cè)曲線中示出的關(guān)于時間的特性。在下側(cè)曲線中示出的內(nèi)部信號由寫入重置電平命令產(chǎn)生。在一些實施例中，該內(nèi)部信號可以具有在時間tl與t2之間可調(diào)節(jié)的延遲。該可調(diào)節(jié)的延遲可以允許待可控調(diào)節(jié)的所產(chǎn)生信號的脈沖寬度(在圖3中的時間t2與t3之間示出)。作為較寬脈沖寬度的重置命令信號的結(jié)果，可以產(chǎn)生較小脈沖寬度的內(nèi)部命令信號。在一個實施例中，該內(nèi)部命令信號可以是方波。因此，用于將重置位寫入所選擇的單元的電流可以是具有確定脈沖寬度的方波。在本發(fā)明的一個實施例中，當狀態(tài)機12將使能信號提供到合適的柵地陰地放大器20b-20n以產(chǎn)生到節(jié)點\的電流時，通過設(shè)置狀態(tài)機12接收外部寫入命令(表示為設(shè)置信號)的時間與時間t2之間的時間延遲，可以由狀態(tài)機12動態(tài)地控制對脈沖寬度的確定。在時間t2與時間t3之間施加初始脈沖之后，在本發(fā)明的一些實施例中，可以施加一個或多個附加脈沖。初始脈沖可以處于如在圖3中示出的相對較低的開始振幅。一些位可能需要比其它位更高的振幅編程脈沖以便達到重置狀態(tài)。在施加初始開始脈沖振幅之后，檢查確定是否一些位仍然需要重置。如果是，例如在時間t5與時間t6之間，可以施加第二脈沖，正如在圖3中所示?？梢栽龃箝_始脈沖振幅以便提供稍高的第一增大振幅，即如圖3中示出的第二脈沖。此后，可以施加逐漸變高的脈沖直到全部位被重置或者直到達到最大振幅。最大振幅可以是導(dǎo)致較早損耗失效(wearout)或者導(dǎo)致難以實現(xiàn)隨后的設(shè)置狀態(tài)的振幅。如在一些實施例中所需的，通過簡單地起動附加電流鏡可以獲得更高振幅的脈沖。在一個實施例中，通過操作預(yù)定數(shù)量的柵地陰地放大器20，可以產(chǎn)生圖3中示出的方波脈沖。例如，在一個實施例中，可以在時間t2與t3之間操作32個可用柵地陰地放大器中的28個。根據(jù)對狀態(tài)機12的輸入，可以設(shè)置編程脈沖的寬度與其斜坡的斜率。那些輸入可以包括各種數(shù)據(jù)，包括存儲器元件18a的特性和晶片運轉(zhuǎn)的具體特性。參照圖4，狀態(tài)機代碼60最初可以獲得重置、設(shè)置和讀取電流設(shè)置，如在方框62中所示。代碼60可以是軟件、固件或硬件。這些設(shè)置可以從外部電源提供或可以根據(jù)可用信息來計算。隨后接收待執(zhí)行的操作并且計算適合的電流，如在方框64中所示。在菱形66處，檢查確定狀態(tài)機12是否處于編程模式。如果是，則第一檢查為是否設(shè)置位將被寫入，如在菱形72中所示。如果是，則確定時間tl與t2之間的延遲(方框74)并且在時間t2(方框76)與t3(方框76)之間產(chǎn)生合適數(shù)量的使能信號。相反地，如果重置位將被編程，則在時間t2至t3之間提供合適數(shù)量的使能信號(方框78)。此后，電流斜降至時間t4。在一個實施例中，可以利用輸入到狀態(tài)機12的時鐘來測定柵地陰地放大器使能信號的逐漸關(guān)閉的時間，從而逐漸關(guān)閉使能信號EN，由此執(zhí)行斜坡處理。如果存儲器裝置100處于讀取模式，則可以設(shè)置讀取電流，如方框68中所示。在一個實施例中，這可以通過控制信號VIREF以設(shè)置參考列電流而進行。在一些實施例中，可以逐個晶片地將讀取電流設(shè)置為設(shè)置位與重置位之間的電平。然而，其它布置也是可能的。在讀取模式中，使能運算放大器使能信號OPEN以打開運算放大器50。如在方框70中所示，然后驅(qū)動使能信號以提供期望的讀取電流。參照圖5，在一個實施例中，在圖4中的方框76之后，在重置位將被編程的情況下，可以施加一系列脈沖以便對重置位進行編程。這可能是必須的，因為一些位可能需要比其它位更高的電流來編程。然而同時，期望不超過最大安全脈沖振幅。為此，最初，接收要編程的數(shù)據(jù)。然后，數(shù)據(jù)被讀取以確定哪些位需要被重置，如方框80中所示。在菱形81處，檢查確定是否一些位需要編程脈沖。如果否(方框82)，則流程結(jié)束。如果是，則在選擇用于確定哪些位仍需被重置的技術(shù)的較低檢驗電壓電平處讀取數(shù)據(jù)，如方框83中所示。該較低電壓檢驗電平低于常規(guī)檢驗電平?？梢允褂幂^低電平，這是因為該“較低電壓檢驗”在單元被編程時進行，但是不編程為其最終編程閾值電壓電平。因此，可以使用較低的檢驗電壓。在菱形84中，再次檢查確定是否一些位仍然需要重置編程脈沖。如果否(方框85)，則流程結(jié)束。如果是，則重置電流被初始化(方框86)并且施加重置脈沖(方框87)。而后在方框88中，在預(yù)檢驗電平處讀取接收編程脈沖的位并且更新數(shù)據(jù)模式。換句話說，確定所述位是否已經(jīng)達到它們期望的最終閾值電壓。對于那些通過預(yù)檢驗的位而言，對它們附加的重置脈沖。在一些情況下，該第二重置脈沖可以處于與方框87中施加的重置脈沖相同的電平。在其它實施例中，可以使用稍高的重置脈沖。重置脈沖的確切性質(zhì)可以在不同的情況下變化。此時，已知最后脈沖是什么并且已知最后脈沖使至少一個位變?yōu)檩^低電壓檢驗電平或較高電壓檢驗電平。通過了解單元電流相對于電壓的特性，并且更具體地通過了解閾值電壓相對于電流或電阻相對于電流的特性，獲知單元將遵循特定的行為。因此，已給出一個點，如方框88中的讀取操作的結(jié)果，可以根據(jù)已知信息預(yù)測另一脈沖之后的行為。換句話說，可以確定需要什么電平的第二脈沖來確保單元或位處于其閾值電壓相對于電流的曲線上的已知的、期望的位置處。在許多情況下，僅僅再次施加相同的電壓就足夠了。在一些情況下，可以增加增量。因此，如在方框89中所示，在一些實施例中，第二重置脈沖以在方框87中使用的重置電流加Λ(delta)X而施加到預(yù)檢驗位，該ΛX可以為O或O至300微安范圍中的相對較小的電流。在一個實施例中，第二重置脈沖比之前的脈沖高大約100微安。Λ增加得越多，閾值電壓或電阻的可預(yù)測增加得越高。在方框89之后，為了獲得結(jié)果之間的更大差異，以保持最終閾值電壓的更大余量(margin)，Λ可以增加。因此，在一些實施例中，較低的電壓檢驗可以與最終閾值電壓分開。在較低電壓檢驗步驟之后，可以達到最終閾值電壓，而不進行另一個檢驗。因此，在最后的重置脈沖之后，該位達不到檢驗條件。在最后的重置脈沖之后，該檢驗可能導(dǎo)致干擾問題。這意味著可以以較低電壓進行檢驗，從而在一些實施例中避免讀取干擾。此外，根據(jù)常規(guī)技術(shù)，在已經(jīng)施加最終的重置脈沖之后，在最終的檢驗步驟期間，必須使用相對高的禁止偏置(inhibitbias)。在取消選擇的單元上施加該高的禁止偏置。在取消選擇的單元上的高電壓導(dǎo)致比本發(fā)明一些實施例中出現(xiàn)的泄漏更多的泄漏。然后，在菱形90處，檢查確定是否需要對更多的位施加脈沖。如果否，則流程結(jié)束，正如方框91中所示。否則，在方框92中可以逐漸地增大重置電流。在菱形93處，檢查確定是否已經(jīng)超過該技術(shù)的最大重置電流。如果是，則編程已經(jīng)失敗，正如在方框94中所示。否則，流程返回方框87，以便施加稍高的重置脈沖并且重復(fù)流程。由于在陣列中的每個位可以具有用于重置的不同最優(yōu)脈沖振幅，所以可以使用不同的脈沖振幅。然而，施加比最優(yōu)脈沖更大的脈沖可能損害所述位，從而導(dǎo)致較早損耗失效，并且難以實現(xiàn)隨后的設(shè)置狀態(tài)。參考圖6，描述了根據(jù)本發(fā)明實施例的系統(tǒng)500的一部分。系統(tǒng)500可以用在無線裝置中，諸如例如個人數(shù)字助理(PDA)、筆記本電腦或具有無線能力的便攜式計算機、網(wǎng)絡(luò)平板電腦(webtablet)、無線電話、尋呼機、即時通訊裝置、數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機或可以適于無線地傳送和/或接收信息的其它裝置，等等。系統(tǒng)500可以用在以下系統(tǒng)中的任何一個中無線局域網(wǎng)(WLAN)系統(tǒng)、無線個人局域網(wǎng)(WPAN)系統(tǒng)或蜂窩網(wǎng)絡(luò)，盡管本發(fā)明的范圍在該方面不存在限制。系統(tǒng)500可以包括控制器510、輸入/輸出(I/O)裝置520(例如，鍵盤、顯示器)、存儲器100、無線接口540和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)560，并且經(jīng)由總線550互相耦合。在一個實施例中，電池580可以將功率供給到系統(tǒng)500。應(yīng)該注意到，本發(fā)明的范圍不限于具有這些部件中的任何一個或全部的實施例?？刂破?10可以包括例如一個或多個微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器，等等。存儲器100可以用于存儲傳送到系統(tǒng)500或由系統(tǒng)500傳送的消息。存儲器100也可以選擇性地用于存儲在系統(tǒng)500的操作期間由控制器510執(zhí)行的指令，并且可以用于存儲用戶數(shù)據(jù)。指令可以存儲為數(shù)字信息，并且如在這里公開的，用戶數(shù)據(jù)可以作為數(shù)字數(shù)據(jù)而存儲在存儲器的一個部分中并且存儲在作為模擬存儲器的另一個部分中。根據(jù)另一個示例，同時給出的部分同樣可以被標記并且可以存儲數(shù)字信息，并且隨后可以被重新標記并且重新配置以存儲模擬信息。存儲器100可以由一種或多種不同類型的存儲器提供。例如，存儲器100可以包括易失性存儲器(任何類型的隨機存取存儲器)、諸如閃速存儲器等非易失性存儲器、和/或在圖I中示出的存儲器100。參照圖7，這是在方框88中通過檢驗的位的百分比關(guān)于閾值電壓的假想圖。左側(cè)的第一曲線是僅利用確定性測試(方框88)而不使用方框89的預(yù)測技術(shù)的結(jié)果。使用預(yù)測重置脈沖特性的方框89的結(jié)果示出施加升高的脈沖(高100微安)增大了閾值電壓。在一些實施例中，閾值電壓可以增大大約.5伏。此外，在一些實施例中，在施加該最終的重置脈沖之后，不需要進行檢驗，從而消除了檢驗期間的任何種類的讀取干擾的可能性。因此，當單元處于較低編程閾值電壓時，可以進行較低電壓檢驗。然后，可以使用較低檢驗電壓。此后，單元可以編程為較高編程閾值電壓，而不必重復(fù)檢驗步驟。必須在較高電壓電平處的重復(fù)檢驗將更可能引起讀取干擾。參照圖8，序列表示為將相變存儲器單元編程為編程狀態(tài)。在一些實施例中，可以以軟件形式執(zhí)行所述序列而在其它實施例中可以以硬件形式執(zhí)行所述序列。在一個實施例中，序列可以在其中軟件存儲在存儲器(諸如半導(dǎo)體、光學(xué)或磁存儲器)中的軟件執(zhí)行的實施例中。在一個實施例中，軟件可以存儲在狀態(tài)機12中，如在圖2中所示。首先，對單元施加逐漸升高的重置編程脈沖直到在方框95中將該單元編程為第一編程閾值電壓。在方框96中，對編程到編程閾值電壓進行檢驗。然后，在方框97中，單元被編程為較高閾值電壓。此時，完成編程并且不需要接著進行檢驗步驟，該接著進行的檢驗步驟也不是期望的。雖然已經(jīng)針對有限數(shù)量的實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員會想到其若干改型和變化。所附的權(quán)利要求旨在覆蓋落在本發(fā)明的真實精神和范圍內(nèi)的全部這種改型和變化。權(quán)利要求1.一種方法，包括在將相變存儲器單元編程為其最終的編程閾值電壓電平之后，禁止對所述相變存儲器單元進行檢驗。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，包括將重置脈沖施加到相變存儲器中的設(shè)置單元；檢驗所述單元已經(jīng)被編程到第一編程閾值電壓之上；將所述單元編程為高于所述第一編程閾值電壓的第二編程閾值電平；以及禁止對處于所述第二編程閾值電壓的所述單元進行檢驗。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括在所述單元已經(jīng)達到其期望的閾值電壓之后，利用所述單元的已知特性來確定要施加到所述單元的電流脈沖的性質(zhì)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括施加在所述單元已經(jīng)達到其期望的閾值電壓之后所施加的稍高的電流。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，包括施加小于300微安的附加電流。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，包括施加大約100微安的附加電流。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括在施加最后的重置脈沖之后，避免對所述單元的檢驗。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括接連地施加具有較高幅度的脈沖，直到所述單元達到其期望的閾值電平。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括利用所述單元的閾值電壓相對于電流的曲線來確定在所述單元已經(jīng)達到其閾值電平之后所施加的脈沖的性質(zhì)。10.一種設(shè)備，包括相變存儲器單元陣列；以及控制器，所述控制器用于將單元編程為第一編程閾值電壓，以檢驗處于所述第一編程閾值電壓的所述單元并且然后將所述單元編程為高于所述第一編程閾值電壓的第二編程閾值電壓，而不在達到所述第二編程閾值電壓之后進行檢驗。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，在所述單元已經(jīng)達到其第一編程閾值電壓之后，所述控制器施加稍高的電流。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，所述控制器施加小于300微安的附加電流。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，所述控制器施加大約100微安的附加電流。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中在所述單元被編程到期望的閾值電壓之后，不對所述單元進行檢驗。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述控制器接連地施加具有較高幅度的脈沖直到所述單元達到其期望的閾值電平。16.一種存儲由計算機執(zhí)行的指令的計算機可讀介質(zhì)，所述指令用于將相變存儲器單元編程到第一編程閾值電壓；檢驗所述單元已經(jīng)達到編程閾值電壓電平；以及將所述單元編程為較高的閾值電壓電平而接下來不必進行檢驗。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的介質(zhì)，還存儲用于逐漸地將更高的編程電壓施加到待編程單元的指令。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的介質(zhì)，還存儲用于在達到所述第一編程電壓閾值電平之后將小于300微安的電流脈沖提供到所述單元的指令。全文摘要在確定重置脈沖已經(jīng)達到其編程閾值電壓電平之后，可以進行較低的電壓檢驗。這之后可以進行另一個編程步驟，以增大編程閾值電壓。通過避免在所述單元已經(jīng)達到其期望的閾值電平之后，對于后續(xù)檢驗的需要，在一些實施例中可以減少讀取干擾。在一些實施例中，通過使用較低電壓，不需要將較高的偏置電壓施加到取消選擇的單元，其中將較高的偏置電壓施加到取消選擇的單元可以導(dǎo)致電流泄漏。文檔編號G11C13/02GK102714056SQ201080062218公開日2012年10月3日申請日期2010年9月23日優(yōu)先權(quán)日2009年11月24日發(fā)明者R·K·道奇,T·蘭特里申請人:英特爾公司