專利名稱：信息記錄介質(zhì)、記錄方法和再生方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備包含記錄調(diào)整(即記錄學(xué)習(xí))用的區(qū)域的多個(gè)記錄層的信息記錄介質(zhì)、針對(duì)該記錄介質(zhì)的記錄再生方法和記錄再生裝置。更具體來(lái)說，本發(fā)明涉及具備多個(gè)記錄層的，對(duì)BD-R等追記型光盤、BD-RE等可擦寫型光盤等有效的信息記錄介質(zhì)、使用了這種信息記錄介質(zhì)的信息的記錄再生方法、和記錄再生裝置。
背景技術(shù)：
近年，大容量且可更換的信息記錄介質(zhì)、和處理該信息記錄介質(zhì)的盤驅(qū)動(dòng)裝置得到了廣泛普及。作為現(xiàn)有的大容量且可更換的信息記錄介質(zhì)，DVD和Blu-ray Disc (以下，也記載為BD。)這種光盤被熟知。光盤驅(qū)動(dòng)裝置是通過使用激光在光盤上形成微小的凹陷(記錄標(biāo)記)來(lái)進(jìn)行記錄再生的裝置，適合大容量且可更換的信息記錄。DVD的特征是使用紅色激光，BD的特征是使用比紅色激光波長(zhǎng)短的藍(lán)色激光，由此，BD與DVD相比提高了記錄密度， 實(shí)現(xiàn)了大容量化。而且在近年，作為用于實(shí)現(xiàn)更大容量化的一個(gè)方法的多層化、即具備多個(gè)記錄膜的這種光盤的開發(fā)盛行，在DVD或BD中，具備2層記錄層的2層盤已經(jīng)被商品化，今后，6層或8層這種進(jìn)一步的多層化也被預(yù)期。圖1是具備3層記錄層的3層光盤的概念圖。光盤1以如下形式形成在基板2 上堆疊記錄層3、記錄層5、記錄層7，并在各記錄層之間具備起到記錄層的保護(hù)作用的中間層4、中間層6，盤表面被由聚碳酸酯樹脂等形成的覆蓋層8覆蓋。激光從作為盤表面的覆蓋層8側(cè)照射。此外，以與基板2相接地形成的記錄層、即遠(yuǎn)離盤表面的記錄層為基準(zhǔn)，從基準(zhǔn)層側(cè)開始依次將記錄層3稱作LO層、將記錄層5稱作Ll層、將記錄層7稱作L2層。以后，在本說明書中采用此叫法。另外，此叫法不過是一個(gè)例子，也存在從接近盤表面的一側(cè)開始稱作LO層、Ll層的情況。圖2是一般的光盤的記錄層上的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。在圓盤狀的光盤1的記錄層上，螺旋狀地形成有多個(gè)軌道11，在各軌道2中形成有被細(xì)分后的多個(gè)塊12。在此，軌道11的寬度(軌道間距)，例如在BD中是0.32 μ m。此外，塊12是錯(cuò)誤訂正的單位，是進(jìn)行記錄和再生動(dòng)作的最小單位。例如，在DVD的情況下為IECC(大小 32KByte)，在BD的情況下為1簇(大小64Kbyte)這種大小，若使用作為光盤的數(shù)據(jù)的最小單位的扇區(qū)(大小2KByte)這種單位來(lái)說明，則IECC = 16扇區(qū)、1簇=32扇區(qū)。各記錄層由引入(lead in)區(qū)域13和數(shù)據(jù)區(qū)域14以及引出(lead out)區(qū)域15 構(gòu)成。數(shù)據(jù)區(qū)域14是指能夠由用戶來(lái)記錄音樂和視頻等實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)、文章、和數(shù)據(jù)庫(kù)等計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)等任意的信息的區(qū)域。引入?yún)^(qū)域13向著光盤1的徑向，比數(shù)據(jù)區(qū)域14更位于內(nèi)周側(cè)。此外，引出區(qū)域15 向著光盤1的徑向，比數(shù)據(jù)區(qū)域14更位于外周側(cè)。這些區(qū)域具備用于記錄與光盤1相關(guān)的管理信息的區(qū)域(DMA區(qū)域或臨時(shí)DMA區(qū)域)和記錄功率等的調(diào)整用區(qū)域(0PC(0ptimum Power Control)區(qū)域)等，進(jìn)一步起到防止光拾取(未作圖示)的溢出(overrun)的作用。另外，在對(duì)這種光盤的記錄中，用最合適的記錄條件(例如記錄功率、和被稱作 “策略(strategy)”的脈沖的產(chǎn)生時(shí)刻和脈沖的長(zhǎng)度等)來(lái)進(jìn)行記錄，從記錄再生品質(zhì)的角度來(lái)看也是很重要的，因此通過在光盤的規(guī)定的區(qū)域中進(jìn)行測(cè)試記錄(以后，稱作記錄學(xué)習(xí)(Power Calibration))，來(lái)求出最合適的功率、策略的方法被廣泛使用(例如專利文獻(xiàn) 1)。記錄學(xué)習(xí)在引入?yún)^(qū)域13和引出區(qū)域15等所具備的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域(以后，也稱作 OPC區(qū)域)上實(shí)施。圖18是表示了一般的記錄學(xué)習(xí)步驟的流程圖。步驟1801 進(jìn)行記錄功率的調(diào)整(以后，稱作功率學(xué)習(xí))。具體來(lái)說，一邊階段性改變記錄功率一邊進(jìn)行記錄(階段性記錄)，測(cè)定進(jìn)行了記錄的區(qū)域的記錄品質(zhì)(例如調(diào)制度和BER(Block Error Rate 塊誤碼)等)，并求出記錄品質(zhì)最好的最合適的功率。步驟1802 固定記錄功率，并進(jìn)行記錄策略的調(diào)整(以后，稱作策略學(xué)習(xí))。具體來(lái)說，使記錄功率固定為在步驟1801中求出的最合適功率，一邊改變脈沖寬度一邊進(jìn)行記錄，測(cè)定進(jìn)行了記錄的區(qū)域的記錄品質(zhì)，并求出記錄品質(zhì)最好的最合適的策略。在BD等光盤中，對(duì)記錄層照射激光，例如通過使其從非晶態(tài)狀態(tài)變化為晶體狀態(tài)來(lái)記錄數(shù)據(jù)。因?yàn)橛涗泴拥臓顟B(tài)像這樣變化，所以光的透過率和反射率(即光學(xué)特性)發(fā)生變化。即具有在已記錄的區(qū)域和未記錄的區(qū)域上，光學(xué)特性不同的特征。因此存在如下課題在具備2層以上記錄層的光盤中，在進(jìn)行最合適的記錄功率的學(xué)習(xí)時(shí)，根據(jù)其他層的記錄狀態(tài)(已記錄狀態(tài)或未記錄狀態(tài))不同，求出的功率產(chǎn)生差異。具體來(lái)說，存在如下情況例如在記錄功率的調(diào)整時(shí)，用過大的功率進(jìn)行了記錄，破壞了使用于學(xué)習(xí)的區(qū)域，從而對(duì)與破壞的區(qū)域?qū)?yīng)的其他層的區(qū)域的記錄特性產(chǎn)生影響。此外，即使不是達(dá)到破壞的地步的極大記錄功率，也根據(jù)記錄的功率的大小不同而透過率不同。特別是，以不是適合盤的記錄功率的功率進(jìn)行了記錄的區(qū)域，與以適合盤的功率進(jìn)行了記錄的區(qū)域相比，透過率的變化變大，且容易受到其影響。在多層光盤中，激光的透過率根據(jù)激光所通過的記錄層的記錄狀態(tài)而變動(dòng)。因此， 在比從激光的入射面來(lái)數(shù)第2層深(離入射面遠(yuǎn))的位置的記錄層上，根據(jù)該記錄層的前面(激光的入射面?zhèn)?的記錄層的記錄狀態(tài)不同，即使在相同記錄層內(nèi)，記錄特性也產(chǎn)生差異。特別是進(jìn)行了一邊改變功率一邊進(jìn)行記錄的功率學(xué)習(xí)的區(qū)域，還存在如下可能性在功率學(xué)習(xí)時(shí)為了求出最合適的記錄功率而以超過適合光盤的范圍的記錄功率進(jìn)行記錄。進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)的區(qū)域是對(duì)透過率影響最大的區(qū)域之一。因此，在為了在某記錄層上記錄信息，激光通過較淺的其他層上的使用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域的情況下，激光很大程度地受到其他層的透過率平衡的影響。即使想要根據(jù)在這種透過率發(fā)生偏差的狀態(tài)下進(jìn)行了記錄的區(qū)域的記錄品質(zhì)來(lái)求出最合適的記錄功率，也無(wú)法求出正確的恰當(dāng)功率。因此，作為避免這些課題的方法，在OPC區(qū)域的配置中設(shè)置制約的方法被熟知(例如專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3)。圖19是表示具備2層記錄層的光盤上的OPC區(qū)域的配置的圖。配置在記錄層LO 上的第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域200和配置在記錄層Ll上的第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域201，配置在不同徑向范圍內(nèi)的位置上。并且存在于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域與盤表面(激光的入射面)之間的其他層的區(qū)域，作為保留區(qū)域(因?yàn)槭俏词褂脜^(qū)域，所以也稱作預(yù)備區(qū)域)被確保。在圖19的例子中，在記錄層Ll上，與第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域200相同徑向范圍的區(qū)域(與第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域 200對(duì)應(yīng)的記錄層Ll的區(qū)域)作為保留區(qū)域210(未使用區(qū)域)被確保。例如在只能記錄 1次的追記型介質(zhì)的情況下，作為未使用區(qū)域的保留區(qū)域?yàn)槲从涗浀臓顟B(tài)。由此，因?yàn)闊o(wú)論在使用哪個(gè)記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域的情況下，在激光到達(dá)記錄學(xué)習(xí)區(qū)域之前的區(qū)間，都不存在已記錄的區(qū)域，所以能夠不受其他記錄層的透過率的影響，總是在同一條件下進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)。此外，也考慮記錄層多于2層的情況，例如專利文獻(xiàn)3舉例說明了第奇數(shù)個(gè)記錄層上的OPC區(qū)域，和與其鄰接的第偶數(shù)個(gè)記錄層的OPC區(qū)域配置在不同徑向范圍位置上的結(jié)構(gòu)。即，奇數(shù)層之間、偶數(shù)層之間也可以在同一徑向范圍位置上配置各OPC區(qū)域?；蛘?，在各層都不同的徑向范圍位置上配置OPC區(qū)域。專利文獻(xiàn)1 JP特開2007-305188號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 JP特開2005-038584號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 JP特表2007-521606號(hào)公報(bào)但是在該方法中，在記錄層增加了的情況下產(chǎn)生如下這種問題。最大的問題在于隨著記錄層增加，OPC區(qū)域、預(yù)備區(qū)域的確保變得困難。圖20 (A)和(B)是表示在現(xiàn)有例的方法中記錄層是3層的情況下的OPC區(qū)域的配置的圖。為了說明的方便，假設(shè)各記錄層的OPC區(qū)域的大小為固定大小(例如，S簇)來(lái)進(jìn)行說明。如圖20(A)所示，想要在不同半徑位置上確保各層的OPC區(qū)域時(shí)，在3層盤的情況下，各層需要3XS簇的大小。其中，與預(yù)備區(qū)域相當(dāng)?shù)?XS簇的區(qū)域?yàn)闊o(wú)法使用的區(qū)域。 考慮到引入?yún)^(qū)域13或引出區(qū)域15的大小有限，隨著層的增加，預(yù)備區(qū)域、即無(wú)法使用的區(qū)域的大小增加。而且，若記錄層的數(shù)量增加，則在預(yù)備區(qū)域增加的影響下，預(yù)計(jì)難以在引入?yún)^(qū)域或引出區(qū)域內(nèi)確保OPC區(qū)域。此外，如圖20(B)所示，考慮到奇數(shù)層之間、偶數(shù)層之間在同一半徑位置上進(jìn)行配置的情況，雖然需要的區(qū)域大小是與具備2層記錄層的情況相同的2XS，但此情況如上所述，無(wú)法消除根據(jù)其他層的記錄狀態(tài)不同，求出的功率產(chǎn)生差異的課題。此外，作為與此不同的方法，也可以考慮例如為了確保OPC區(qū)域而增大引入?yún)^(qū)域 13、或引出區(qū)域15的大小的方法。但是，若增大這些區(qū)域的大小，則數(shù)據(jù)區(qū)域14的大小相應(yīng)地變小。即，在為了確保OPC區(qū)域的大小而削減了數(shù)據(jù)區(qū)域14的大小的情況下，能夠記錄用戶數(shù)據(jù)的容量減小，對(duì)于用戶來(lái)說不利。因此，優(yōu)選引入?yún)^(qū)域13、引出區(qū)域15的大小盡可能小。此外，作為用于像圖20的(A)那樣將各層的OPC區(qū)域確保在不同半徑位置上的方法，也可以考慮減小OPC區(qū)域的大小。由此，能夠抑制OPC區(qū)域(和預(yù)備區(qū)域)占據(jù)引入?yún)^(qū)域13或引出區(qū)域15的比例。但是，若OPC區(qū)域的大小變小，則能夠進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的次數(shù)相應(yīng)地減少。一般來(lái)說在無(wú)法進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的介質(zhì)(記錄層)中無(wú)法保證記錄功率等，因此信息的記錄多被禁止。因?yàn)樵跍p小OPC區(qū)域的大小，無(wú)法進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的情況下，已經(jīng)無(wú)法再進(jìn)行記錄，所以對(duì)于用戶來(lái)說產(chǎn)生不利的可能性變高，這也不太理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題點(diǎn)而作，其目的在于，在多個(gè)記錄層分別具備的記錄學(xué)習(xí)用的區(qū)域(記錄學(xué)習(xí)區(qū)域或測(cè)試區(qū)域)上進(jìn)行功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)等記錄學(xué)習(xí)(測(cè)試記錄) 時(shí)，使其給其他記錄層上的記錄學(xué)習(xí)帶來(lái)的影響最小化。此外，另一目的在于，提供一種在具備記錄學(xué)習(xí)區(qū)域的引入?yún)^(qū)域或引出區(qū)域中，通過高效地配置記錄學(xué)習(xí)區(qū)域，能夠防止引入?yún)^(qū)域或引出區(qū)域的增加或(用戶)數(shù)據(jù)區(qū)域的減少的區(qū)域配置的信息記錄介質(zhì)和其使用方法。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，其利用從一個(gè)面入射的激光在多個(gè)記錄層中的至少1層上記錄數(shù)據(jù)，所述多個(gè)記錄層包含第1記錄層、和在從所述第1記錄層到所述激光入射的入射面的方向上，按順序配置的第2 第N記錄層(N為3以上的整數(shù))，所述多個(gè)記錄層分別具備第1學(xué)習(xí)區(qū)域、和比所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域更位于外周側(cè)的第2學(xué)習(xí)區(qū)域，在所述第1 第N記錄層的各個(gè)上所配置的所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于與其他記錄層的第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域不同的半徑位置，在所述第1 第N記錄層的各個(gè)上所配置的所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于與其他記錄層的第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域相同的半徑位置。在所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度，也可以是在所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度以下。也可以構(gòu)成為對(duì)所述第1 第N記錄層分別分配了物理地址，所述第1記錄層的物理地址從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)按照升序被分配，所述第2記錄層的物理地址從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)按照升序被分配，所述第3記錄層的物理地址從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)按照升序被分配，在所述第1記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從外周側(cè)到內(nèi)周側(cè)的方向來(lái)使用，在所述第2記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的方向來(lái)使用，在所述第3記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從外周側(cè)到內(nèi)周側(cè)的方向來(lái)使用。本發(fā)明的記錄方法，是在上述信息記錄介質(zhì)中記錄信息的記錄方法，其包含在所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域的至少一方上，進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的步驟；和根據(jù)所述記錄學(xué)習(xí)的結(jié)果，在所述信息記錄介質(zhì)上記錄信息的步驟。本發(fā)明的再生方法，是從上述信息記錄介質(zhì)中再生信息的再生方法，所述信息記錄介質(zhì)的所述1 第N記錄層中的至少1層，具有記錄有與所述信息記錄介質(zhì)相關(guān)的信息的控制區(qū)域，所述再生方法包含從所述控制區(qū)域中再生與所述信息記錄介質(zhì)相關(guān)的信息的步驟。本發(fā)明的記錄方法，是在上述信息記錄介質(zhì)中記錄信息的記錄方法，所述多個(gè)記錄層分別具備用于進(jìn)行用于求出最合適的記錄條件的記錄學(xué)習(xí)的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域，所述記錄方法，在第k記錄層(k是1以上，N以下的整數(shù))上最初進(jìn)行記錄的時(shí)刻，只在所述第k記錄層上進(jìn)行所述記錄學(xué)習(xí)。在具備多個(gè)記錄層的記錄介質(zhì)中，分割出如下區(qū)域用于像記錄功率學(xué)習(xí)那樣進(jìn)行因?yàn)樵跓o(wú)法保證是最合適的記錄功率的功率下使記錄功率變化的記錄，所以對(duì)通過該區(qū)域的激光的透過率產(chǎn)生較大影響的學(xué)習(xí)的區(qū)域；和用于像記錄策略學(xué)習(xí)那樣進(jìn)行因?yàn)槭褂涗浌β使潭ㄔ谧詈线m的功率上的記錄，所以對(duì)通過該區(qū)域的激光的透過率的影響較小的學(xué)習(xí)的區(qū)域。并且，對(duì)于用于進(jìn)行在無(wú)法保證是最合適的記錄功率的功率下使記錄功率變化的學(xué)習(xí)的區(qū)域，任意一個(gè)記錄層都配置于相互不同的半徑位置上。由此，能夠?qū)⒂涗泴W(xué)習(xí)用的OPC區(qū)域(和預(yù)備區(qū)域)所需要的區(qū)域大小抑制為最小限度，并且也可將給其他記錄層的學(xué)習(xí)結(jié)果帶來(lái)的影響實(shí)現(xiàn)最小化。


圖1是具備3層記錄層的一般的光盤的結(jié)構(gòu)圖。圖2是一般的光盤中的記錄層的說明圖。圖3A是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。圖;3B是表示光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)的變形例的圖。圖3C是表示光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)的變形例的圖。圖3D是表示光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)的變形例的圖。圖3E是表示光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)的變形例的圖。圖3F是表示光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)的變形例的圖。圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式1、2、3、4中的激光的照射影響范圍說明圖。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的光盤的區(qū)域使用方法說明圖。圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的光盤的功率學(xué)習(xí)區(qū)域使用步驟說明圖。圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的光盤的記錄學(xué)習(xí)關(guān)聯(lián)信息數(shù)據(jù)構(gòu)造說明圖。圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的光盤的功率學(xué)習(xí)關(guān)聯(lián)信息說明圖。圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式1、2、3中的光盤記錄再生裝置的構(gòu)造圖。圖10是本發(fā)明的實(shí)施方式1、2、3中的記錄學(xué)習(xí)步驟說明圖。圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子子的說明圖。圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。圖13是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的光盤的區(qū)域使用方法說明圖。圖14是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的光盤的記錄學(xué)習(xí)關(guān)聯(lián)信息數(shù)據(jù)構(gòu)造說明圖。圖15是本發(fā)明的實(shí)施方式3中的光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。圖16是本發(fā)明的實(shí)施方式3中的光盤的區(qū)域使用方法說明圖。圖17是本發(fā)明的實(shí)施方式3中的光盤的記錄學(xué)習(xí)關(guān)聯(lián)信息數(shù)據(jù)構(gòu)造說明圖。圖18是一般的記錄學(xué)習(xí)步驟概念說明用的流程圖。圖19是現(xiàn)有例子中的光盤的區(qū)域構(gòu)造圖。圖20是將現(xiàn)有例子應(yīng)用于具備3層記錄層的光盤的情況下的區(qū)域構(gòu)造圖。圖21是本發(fā)明的實(shí)施方式4中的光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。圖22是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4中的光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子子的說明圖。圖23是本發(fā)明的實(shí)施方式4中的光盤的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的使用方法說明圖。圖M是本發(fā)明的實(shí)施方式4中的光盤的記錄學(xué)習(xí)關(guān)聯(lián)信息數(shù)據(jù)構(gòu)造說明圖。圖25是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4中的光盤的記錄學(xué)習(xí)關(guān)聯(lián)信息的具體例子的說明圖。圖沈是本發(fā)明的實(shí)施方式4中的光盤記錄再生裝置的構(gòu)造圖。圖27是本發(fā)明的實(shí)施方式4中的記錄學(xué)習(xí)步驟說明圖。圖28是表示在功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度的關(guān)系的說明圖。圖四是表示多層盤的結(jié)構(gòu)例的圖。圖30是表示單層盤的結(jié)構(gòu)例的圖。圖31是表示二層盤的結(jié)構(gòu)例的圖。圖32是表示三層盤的結(jié)構(gòu)例的圖。圖33是表示四層盤的結(jié)構(gòu)例的圖。圖34是表示實(shí)施方式5的光盤601的物理性結(jié)構(gòu)的圖。圖35 (A)是表示25GB的BD的例子的圖，(B)是表示比25GB的BD記錄密度高的光盤的例子的圖。圖36是表示使光束照射到記錄于軌道的標(biāo)記列上的形態(tài)的圖。圖37是表示25GB記錄容量的情況下的OTF與最短記錄標(biāo)記的關(guān)系的圖。圖38是表示最短標(biāo)記QT)的空間頻率高于OTF截止頻率，并且，2T的再生信號(hào)的振幅為0的例子的圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)、用于進(jìn)行信息的記錄和/或再生的裝置和方法的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本發(fā)明的實(shí)施方式的說明中，作為信息記錄介質(zhì)，使用作為只能記錄1次的介質(zhì)的追記型信息記錄介質(zhì)來(lái)進(jìn)行說明。(實(shí)施方式1)(1)區(qū)域配置圖1表示具有3層記錄層的追記型光盤1的層疊構(gòu)造。如圖1所示，光盤1按照離被照射激光的光盤1的覆蓋層8從遠(yuǎn)到近的順序(即從基板2向著激光入射的覆蓋層8的順序)具備LO層(記錄層幻、Ll層(記錄層幻、L2 層(記錄層7)。各記錄層如圖2所示，由引入?yún)^(qū)域13、數(shù)據(jù)區(qū)域14、引出區(qū)域15構(gòu)成。圖3A是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的，具備3層記錄層的追記型光盤1的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。各記錄層的引入?yún)^(qū)域13，具備功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域，來(lái)作為記錄學(xué)習(xí)用的OPC 區(qū)域。在圖示的例子中，LO層具有功率學(xué)習(xí)區(qū)域20和策略學(xué)習(xí)區(qū)域30，Ll層具有功率學(xué)習(xí)區(qū)域21和策略學(xué)習(xí)區(qū)域31，L2層具有功率學(xué)習(xí)區(qū)域22和策略學(xué)習(xí)區(qū)域32。此外，與某記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域存在于同一徑向范圍位置上的其他記錄層的區(qū)域，被分配作為預(yù)備區(qū)域40。功率學(xué)習(xí)區(qū)域是用于進(jìn)行記錄功率的學(xué)習(xí)(功率學(xué)習(xí))的區(qū)域。功率學(xué)習(xí)區(qū)域主要使用于，使記錄功率變動(dòng)等并進(jìn)行記錄，來(lái)求出最合適的記錄功率。如圖3A所示，存在于各記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域20、功率學(xué)習(xí)區(qū)域21、功率學(xué)習(xí)區(qū)域22，以不包含與其他記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域在徑向上重疊的區(qū)域的方式配置，即配置于不同的半徑位置上。這是因?yàn)椋缟纤?，根?jù)其他層的記錄狀態(tài)不同而產(chǎn)生的透過率、反射率(特別是在半徑位置重疊的其他層的區(qū)域是在一邊使功率變動(dòng)一邊進(jìn)行記錄的功率學(xué)習(xí)中使用的區(qū)域的情況下的透過率、反射率)等光學(xué)特性的差異，對(duì)記錄功率產(chǎn)生很大影響。特別是，目的在于，在進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)時(shí)，激光所通過的其他層的區(qū)域，以不與進(jìn)行了伴隨改變記錄功率同時(shí)的記錄的功率學(xué)習(xí)的區(qū)域重疊的方式錯(cuò)開。作為其一個(gè)例子，通過使其他層的記錄狀態(tài)固定(使預(yù)備區(qū)域40為未使用的狀態(tài))，能夠防止光學(xué)特性產(chǎn)生差異。策略學(xué)習(xí)區(qū)域是用于進(jìn)行記錄脈沖寬度的學(xué)習(xí)(策略學(xué)習(xí))的區(qū)域。策略學(xué)習(xí)區(qū)域主要用于，將記錄功率固定為用功率學(xué)習(xí)求出的適合光盤1的記錄功率并使脈沖寬度變動(dòng)等，并進(jìn)行記錄，來(lái)求出最合適的策略。如圖3A所示，存在于各記錄層上的策略學(xué)習(xí)區(qū)域 30、策略學(xué)習(xí)區(qū)域31、策略學(xué)習(xí)區(qū)域32，作為與功率學(xué)習(xí)區(qū)域不同的區(qū)域被確保，并以包含與其他記錄層的策略學(xué)習(xí)區(qū)域在徑向上重疊的區(qū)域的方式來(lái)配置，即，例如如圖3A所示， 配置于同一半徑位置上。這種配置起因于，策略學(xué)習(xí)在功率學(xué)習(xí)之后進(jìn)行，即，在決定了大體適合各記錄層的記錄功率之后進(jìn)行。用大體適合光盤1的各記錄層的記錄功率來(lái)進(jìn)行了記錄的區(qū)域的透過率平衡不會(huì)很大程度地瓦解，具有能夠?qū)⑼高^率抑制在某規(guī)定的范圍內(nèi)的特性。在策略學(xué)習(xí)中是以適合光盤1的各記錄層的記錄功率來(lái)進(jìn)行記錄，因此即使使激光通過其他層的進(jìn)行了策略學(xué)習(xí)的區(qū)域來(lái)進(jìn)行記錄，也基本不受到基于其他層的記錄狀態(tài)的透過率的影響(能夠抑制到可忽視的程度)。在此，圖3A所示的各記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和預(yù)備區(qū)域之間的邊界位置，在表示上，記載為在鄰接的記錄層之間，正好位于同一半徑位置。但是，實(shí)際上也可以不是正好位于同一半徑位置。例如，由于盤制造時(shí)的各記錄層的貼合誤差，或激光的特性所產(chǎn)生的影響，在鄰接的記錄層之間，功率學(xué)習(xí)區(qū)域和預(yù)備區(qū)域之間的邊界位置也可以錯(cuò)開。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，用在引入?yún)^(qū)域13上具備記錄學(xué)習(xí)用的OPC區(qū)域的例子進(jìn)行了說明，但并不限定于此。即，既可以除了引入?yún)^(qū)域13之外，還在引出區(qū)域15 上具備記錄學(xué)習(xí)用的OPC區(qū)域，或者也可以按照每個(gè)記錄層來(lái)設(shè)置于引入?yún)^(qū)域13或引出區(qū)域15的任意一方上等。此外，在本實(shí)施方式中，在引入?yún)^(qū)域13上配置了 OPC區(qū)域整體(功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域這兩者)。但是在本實(shí)施方式中，只要功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域設(shè)置于相同記錄層上，則各自被設(shè)置的位置為任意。其理由在于，在本實(shí)施方式中作為問題的是，設(shè)置于多個(gè)記錄層的每一個(gè)上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域的相互的位置關(guān)系，同樣，還是設(shè)置于多個(gè)記錄層的每一個(gè)上的策略學(xué)習(xí)區(qū)域的相互的位置關(guān)系。只要滿足功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域設(shè)置在相同記錄層上這一條件，則兩者也可以不必配置在相同區(qū)域(引入?yún)^(qū)域13或引出區(qū)域15等)上。例如，也可以將功率學(xué)習(xí)區(qū)域設(shè)置在引入?yún)^(qū)域13上，將策略學(xué)習(xí)區(qū)域設(shè)置在引出區(qū)域15上等，將功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域分別分離地配置在不同的區(qū)域內(nèi)。接下來(lái)對(duì)預(yù)備區(qū)域40進(jìn)行說明。若著眼于某記錄層，則到該記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域被使用為止，存在于該記錄層與盤表面(激光入射面)之間的其他記錄層的預(yù)備區(qū)域40 被維持在未使用的狀態(tài)。在追記型光盤的情況下，預(yù)備區(qū)域40被維持在未記錄的狀態(tài)。另外，圖3A的各區(qū)域的配置是一個(gè)例子，也可以將各區(qū)域配置在不同位置上。例如，在圖3A中，從LO向著L2，從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)配置了功率學(xué)習(xí)區(qū)域，但這不過是一個(gè)例子。只要是能夠滿足如下條件的區(qū)域配置即可功率學(xué)習(xí)區(qū)域配置于與其他記錄層都不同的半徑位置上，并且相當(dāng)于與其他記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域在同一半徑位置上的區(qū)域，在功率學(xué)習(xí)區(qū)域使用時(shí)是未使用狀態(tài)。例如，也可以如圖:3B 圖3F(b) (f)所示那樣來(lái)配置各記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域?？芍槍?duì)圖3B 圖3F的任意一個(gè)，配置于各記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域，被配置于與其他記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域不同的半徑位置上。圖4是用于說明激光對(duì)各記錄層的影響的說明圖。如圖4所示，例如考慮向LO層的區(qū)域400連續(xù)地進(jìn)行記錄的情況。激光被聚光在LO層上，在范圍410到范圍411之間移動(dòng)。因此，Ll層的區(qū)域401、L2層的區(qū)域402的各記錄狀態(tài)的光學(xué)特性將對(duì)于向LO層的區(qū)域400的信息記錄產(chǎn)生影響。在對(duì)某記錄層記錄信息時(shí)，越是比該記錄層淺的記錄層(即， 越是接近激光的入射面的記錄層)，透過該較淺的記錄層的激光的面積越大。因此，為了將激光所透過的該較淺的記錄層的預(yù)備區(qū)域的光學(xué)特性保持固定，即，將記錄狀態(tài)原樣保持在未使用狀態(tài)，預(yù)備區(qū)域的大小需要為與各記錄層的位置相應(yīng)的激光的擴(kuò)散程度。因此，對(duì)于實(shí)際的功率學(xué)習(xí)區(qū)域的配置，需要在半徑位置的基礎(chǔ)上，考慮這些影響來(lái)進(jìn)行配置。另外，請(qǐng)注意，雖然本來(lái)并不位于完全相同的半徑位置上，但在本說明書中，為了說明的方便，只要沒有特別地明確記載，則不對(duì)這些影響進(jìn)行說明。也就是說，即使沒有明確記載，也需要考慮存在貼合誤差或激光的擴(kuò)散所產(chǎn)生影響的范圍。但是，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員則能夠預(yù)測(cè)該影響的范圍，因此考慮了這種影響的功率學(xué)習(xí)區(qū)域的配置、預(yù)備區(qū)域的配置和策略區(qū)域的配置能成為可能。此外，在本說明書中，雖然也存在明確地將與包含該貼合誤差或激光所產(chǎn)生的影響的同一半徑位置相當(dāng)?shù)奈恢梅Q作同一徑向范圍位置的情況， 但即使記載為同一半徑位置，也包含這些影響。如上所述，功率學(xué)習(xí)區(qū)域是在無(wú)法保證是最合適的記錄功率的功率下使功率變化并進(jìn)行記錄的區(qū)域。此時(shí)使用的記錄功率有可能比最合適的記錄功率強(qiáng)或弱，通過已記錄的功率學(xué)習(xí)區(qū)域的激光的透過率有可能不固定(透過率平衡瓦解)。即，在某記錄層上的記錄學(xué)習(xí)時(shí)，若激光通過了其他層的已實(shí)施功率學(xué)習(xí)的區(qū)域，則有可能特別對(duì)比入射面深 (遠(yuǎn))的記錄層上的記錄學(xué)習(xí)結(jié)果產(chǎn)生較大的影響。另一方面，策略學(xué)習(xí)區(qū)域是為了求出最合適的策略等，而用最合適的記錄功率或者能夠保證大致合適的記錄功率來(lái)進(jìn)行記錄的區(qū)域，因此是幾乎可以忽視基于其他層的記錄狀態(tài)的透過率的影響的區(qū)域。如本發(fā)明的實(shí)施方式1所示，功率學(xué)習(xí)區(qū)域配置于與其他記錄層不同的半徑位置上，策略學(xué)習(xí)區(qū)域例如配置在與所有的記錄層都相同的半徑位置上。由此，對(duì)于所有記錄層上的記錄學(xué)習(xí)結(jié)果，能夠防止其他層的記錄狀態(tài)所產(chǎn)生的影響。此外，能夠?qū)⒂捎谟涗泴釉黾佣枰_保為OPC區(qū)域的區(qū)域大小(功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域以及預(yù)備區(qū)域所占據(jù)的合計(jì)大小)抑制為最小。其結(jié)果，能夠確保記錄學(xué)習(xí)所需要的區(qū)域，也能夠解決可供用戶使用(=記錄學(xué)習(xí)可實(shí)施)的次數(shù)發(fā)生減少的問題。并且，能夠抑制引入?yún)^(qū)域13或引出區(qū)域15的增加，也能夠解決數(shù)據(jù)區(qū)域14的大小減小從而解決可供用戶使用的區(qū)域大小減小的課題。另外，雖然預(yù)備區(qū)域40基本上記載為原樣保持未使用的區(qū)域，但根據(jù)條件不同也可以使用。具體來(lái)說，該區(qū)域的目的在于，只要在其他層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域被使用時(shí)為未使用狀態(tài)(若為追記型光盤則為未記錄狀態(tài))即可，換言之，只要是在配置于同一半徑位置上的其他記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域被使用后，則即使使用也沒有影響。因此，例如，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域的空余容量變少或消失的情況下等，也可以重新分配為策略學(xué)習(xí)區(qū)域來(lái)使用等。此外，不限于預(yù)備區(qū)域40，例如在功率學(xué)習(xí)區(qū)域耗盡而策略學(xué)習(xí)區(qū)域還空著的情況下，在其他層的記錄狀態(tài)相同(未使用)的前提下，也可以將空著的策略學(xué)習(xí)區(qū)域的一部分重新分配為功率學(xué)習(xí)區(qū)域來(lái)使用。而且，與其相反的情況也是同樣?；蛘?，預(yù)備信息區(qū)域不限于記錄學(xué)習(xí)，例如也可以作為管理信息的更新記錄用的區(qū)域來(lái)使用，或者作為保存進(jìn)行了記錄的記錄裝置固有信息的區(qū)域等來(lái)使用。(2)區(qū)域的使用方法一般來(lái)說，在光盤1上，使用在記錄層上所物理性分配的地址(物理地址以下簡(jiǎn)稱“PBA”。)來(lái)進(jìn)行訪問。另外，在物理地址中，粗略來(lái)分，存在如下兩種在盤上的軌道11 上、即記錄槽的壁面上，用起伏的形式(擺動(dòng)(wobble))等方法所物理性嵌入的地址，和被付與記錄在盤上的數(shù)據(jù)中的地址，以后在本說明書中只要沒有特別地明確記載，則表示前者的使用記錄槽的擺動(dòng)等而物理性嵌入的地址。物理地址(PBA)沿著盤的軌道路徑的方向，按照升序來(lái)進(jìn)行分配。更具體來(lái)說，例如在具有兩個(gè)記錄層(L0層和Ll層)的記錄型2層盤的情況下，一般采用被稱作逆光道路徑(opposite path)的尋址方法，在LO層上從盤內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)，按照升序來(lái)分配物理地址，在Ll層上從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)，按照升序來(lái)分配物理地址。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的追記型光盤上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方法的一個(gè)例子的說明圖。另外，在圖5中，以與圖3A所示的區(qū)域構(gòu)造相同的區(qū)域構(gòu)造的情況為例進(jìn)行說明。但是，以下說明的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方法， 對(duì)圖;3B 3F的任意一個(gè)區(qū)域構(gòu)造都能夠適用。圖5中的箭頭表示功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方向(記錄方向)。如圖5所示，功率學(xué)習(xí)區(qū)域向著與軌道路徑相反的方向來(lái)使用。這是因?yàn)?，在進(jìn)行功率學(xué)習(xí)的階段，當(dāng)然處于還沒有完成功率調(diào)整的狀態(tài)，因此無(wú)法保證用怎樣的功率進(jìn)行記錄。因此，考慮到也有可能存在用非常高的功率進(jìn)行記錄而損壞了軌道11的情況。圖6是用于更具體地說明功率學(xué)習(xí)區(qū)域的使用例的說明圖。對(duì)于向著與軌道路徑相反的方向來(lái)使用的方法進(jìn)行說明。另外，在圖6中，以LO層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域20為例進(jìn)行說明。LO層的軌道路徑是從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)，與此相對(duì)，功率學(xué)習(xí)區(qū)域20是從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)來(lái)使用。即，在最初使用功率學(xué)習(xí)區(qū)域20的情況下，如圖6(a)所示，以與功率學(xué)習(xí)區(qū)域20的外周側(cè)邊界位置距離想要使用的大小的內(nèi)周側(cè)的位置為最前端，在軌道路徑的方向上進(jìn)行記錄。在下次使用功率學(xué)習(xí)區(qū)域20的情況下，如圖6(b)所示，將在圖6(a)中記錄的最前端位置作為終點(diǎn)，以距離此處想要使用的大小的內(nèi)周側(cè)的位置為最前端，在軌道路徑的方向上進(jìn)行記錄。以后，以對(duì)此進(jìn)行反復(fù)的形式來(lái)使用。其結(jié)果，如圖6(c)所示，即使在功率學(xué)習(xí)區(qū)域20被使用了 N次之后，位于更內(nèi)周側(cè)的軌道路徑的開始位置維持未記錄的狀態(tài)。另一方面，策略學(xué)習(xí)區(qū)域如圖5所示，在固定的方向上被使用。詳細(xì)地說明采用這種使用方法的理由。對(duì)光盤的訪問使用PBA來(lái)進(jìn)行，并且連續(xù)的記錄等的訪問按照PBA升序來(lái)進(jìn)行。此外，在對(duì)某目的地址進(jìn)行記錄等訪問的情況下，為了進(jìn)行訪問位置的確定處理(同步化)，首先使光頭(未作圖示)移動(dòng)(尋址(seek))到目的地址的區(qū)域的前面。之后，通過聚焦伺服，利用光盤1的旋轉(zhuǎn)，借助來(lái)自軌道11的反射光，沿著軌道11到達(dá)目的地址，并進(jìn)行從目的地址開始的記錄再生用激光發(fā)出的準(zhǔn)備。因?yàn)椴捎昧诉@種訪問方法，所以假設(shè)在與軌道路徑相同地在PBA升序方向上使用了功率學(xué)習(xí)區(qū)域的情況下，若如上述那樣發(fā)生了軌道破壞，則在下次使用功率學(xué)習(xí)區(qū)域時(shí)， 目的地址的前面的區(qū)域被破壞從而無(wú)法取得地址。因此，無(wú)法尋址到前面的區(qū)域，結(jié)果陷入無(wú)法對(duì)目的地址進(jìn)行訪問的狀態(tài)。另一方面，因?yàn)椴呗詫W(xué)習(xí)區(qū)域是在功率學(xué)習(xí)之后，即進(jìn)行了功率調(diào)整之后被使用， 所以大致適合光盤1的記錄功率下的記錄得到保證。因此，不需要像功率學(xué)習(xí)區(qū)域那樣加上與軌道路徑反向使用的限制。因此，作為一個(gè)使用方法，可以考慮，如圖5所示，向著同一方向(例如與記錄層的軌道路徑的方向無(wú)關(guān)，全部從外周側(cè)到內(nèi)周側(cè))來(lái)使用所有記錄層的策略學(xué)習(xí)區(qū)域的方法。通過像這樣來(lái)使用，若萬(wàn)一功率學(xué)習(xí)區(qū)域耗盡的情況下，在所有記錄層上的策略學(xué)習(xí)區(qū)域中還有空余的情況下，也可以如上述那樣分配給功率學(xué)習(xí)用來(lái)使用。更具體來(lái)說， 因?yàn)椴呗詫W(xué)習(xí)區(qū)域在所有記錄層上從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)來(lái)使用，所以在所有記錄層的策略學(xué)習(xí)區(qū)域中有空余的情況下，也可以使用將策略學(xué)習(xí)區(qū)域的最內(nèi)周側(cè)的一部分(因?yàn)樽顑?nèi)周側(cè)在所有記錄層上是未使用狀態(tài)，所以能夠保證與功率學(xué)習(xí)區(qū)域條件相同)重新分配為功率學(xué)習(xí)用的功率學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方法。(3)與OPC區(qū)域相關(guān)的信息的準(zhǔn)備方法在BD-RE這種可擦寫型光盤的情況下，OPC區(qū)域也能夠隨機(jī)使用。另一方面，在 BD-R這種追記型光盤的情況下，OPC區(qū)域也是只能使用1次的追記記錄對(duì)象的區(qū)域。此外， 如上所述，對(duì)OPC區(qū)域，特別是功率學(xué)習(xí)區(qū)域，不一定用最合適的功率進(jìn)行記錄，因此也有可能存在根據(jù)介質(zhì)的記錄狀態(tài)無(wú)法判斷將區(qū)域使用到那種程度的情況。此外，若記錄層或區(qū)域的數(shù)量增加，則對(duì)所有區(qū)域每次確認(rèn)使用狀態(tài)也是很浪費(fèi)的。因此，在追記型光盤的情況下等，作為管理信息具備表示將區(qū)域使用到那種程度的指針信息是有效的。圖7是與追記型光盤中的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域相關(guān)的信息的例子。另外，在此，以圖3A所示的區(qū)域構(gòu)造的情況為例來(lái)進(jìn)行說明。在光盤1中，引入?yún)^(qū)域13和引出區(qū)域15等具備被稱作DMA (Disc Management Area 或Defect Management Area)的，用于記錄管理信息的管理信息區(qū)域(未作圖示)。另外， 在追記型光盤的情況下，也存在如下情況DMA是被最終化時(shí)記錄最終的管理信息(DMS)的區(qū)域，并確保了與DMA區(qū)域不同的臨時(shí)DMA區(qū)域(未作圖示。以下，稱作TDMA)，以使得最終化之前的過渡性的管理信息能夠進(jìn)行追記更新的方式。在TDMA中，記錄有TDMS700，其具備作為與缺陷位置或替換記錄相關(guān)的信息的 DFL702，和包含DFL702的位置信息和與光盤的區(qū)域相關(guān)的位置信息等的DDS701。DDS也被稱作盤定義構(gòu)造。另外，雖然TDMS和DMS都基本上記錄相同種類的數(shù)據(jù)，但在TDMS和DMS 中，存在有DFL702與DDS701的配置為相反的特征。在圖7中，因?yàn)槭桥c記錄學(xué)習(xí)相關(guān)的信息的說明，所以，以作為在能夠進(jìn)行記錄的時(shí)刻上，即在最終化之前的過渡性的時(shí)刻上，進(jìn)行互相通訊記錄的信息的TDMS700為例來(lái)進(jìn)行說明。另外，也存在DMA或TDMA分別在光盤1上存在多處的情況。具體來(lái)說，例如DMA 被確保在引入?yún)^(qū)域13或引出區(qū)域15中，TDMA區(qū)域被確保在引入?yún)^(qū)域13中或確保在數(shù)據(jù)區(qū)域14中的交替記錄用的備用區(qū)域(未作圖示)中。另外，作為構(gòu)成TDMS(DMS)的信息，不一定只有作為盤管理信息的DFL702和包含其位置信息的DDS701。具體來(lái)說，例如，作為盤管理信息，除了 DFL702以外，有時(shí)也包含表示光盤1中的數(shù)據(jù)區(qū)域14中的軌道(SRR)的配置或使用狀態(tài)的信息的SRRI，和表示在隨機(jī)記錄時(shí)使用的記錄未記錄狀態(tài)的SBM等信息。DDS701除了具備表示該信息是DDS的標(biāo)識(shí)符710，和作為記錄了 DFL702的位置的DFL位置信息711之外，還具備作為在功率學(xué)習(xí)區(qū)域20中下次能夠使用的位置信息的 LO功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息(Power Calibration Area Next Available Position Information) 712 ；作為在功率學(xué)習(xí)區(qū)域21中下次能夠使用的位置信息的Ll功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息713 ；作為在功率學(xué)習(xí)區(qū)域22中下次能夠使用的位置信息的L2功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息714 ；以及作為在策略學(xué)習(xí)區(qū)域30中下次能夠使用的位置信息的 LO策略學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息715 ；作為在策略學(xué)習(xí)區(qū)域31中下次能夠使用的位置信息的Ll策略學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息716 ；作為在策略學(xué)習(xí)區(qū)域32中下次能夠使用的位置信息的L2策略學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息717。圖8是對(duì)下次使用位置信息進(jìn)行說明的說明圖。另外，在圖8中，以LO層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域20為例進(jìn)行說明。若假設(shè)功率學(xué)習(xí)區(qū)域20如圖8所示，是從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)來(lái)使用的區(qū)域，則在功率學(xué)習(xí)區(qū)域20完全沒有被使用的狀態(tài)下，如圖8 (a)所示，LO功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息表示作為功率學(xué)習(xí)區(qū)域20的最外周側(cè)的位置的PBA :A。若功率學(xué)習(xí)區(qū)域20被使用了 1次，則LO功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息如圖8 (b)所示，表示PBA =B,并且在再1次被使用后，LO功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息如圖8(c)所示，表示PBA =C,以這種方式來(lái)變化。另外，這些位置信息是用例如作為光盤1中的位置信息的PBA來(lái)表示的。像這樣，能夠按照每個(gè)記錄層具備與功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域中的下次能夠使用的位置相關(guān)的信息。在采用這種結(jié)構(gòu)的情況下，若記錄層增減，則需要的信息的數(shù)量也相應(yīng)地增減。(4)記錄再生裝置圖9表示與本發(fā)明的實(shí)施方式1中的對(duì)光盤1的記錄進(jìn)行記錄再生的光盤記錄再生裝置100相關(guān)的結(jié)構(gòu)。光盤記錄再生裝置100通過1/0總線180連接于上位控制裝置(未作圖示)。上位控制裝置例如是主計(jì)算機(jī)(主PC)。光盤記錄再生裝置100具備命令處理部110，其處理來(lái)自上位控制裝置的命令； 光頭120，其為了對(duì)光盤1進(jìn)行記錄再生而照射激光；激光控制部130，其控制從光頭120輸出的激光功率；記錄補(bǔ)償電路140，其將指定的脈沖寬度(策略)變換為適于凹陷形成的記錄脈沖信號(hào)；機(jī)械控制部160，其將光頭120移動(dòng)到目的位置或進(jìn)行伺服控制；系統(tǒng)控制部 150，其執(zhí)行來(lái)自光盤1的記錄再生處理等整個(gè)系統(tǒng)處理的總括控制或整個(gè)記錄學(xué)習(xí)處理的控制；和存儲(chǔ)器170，其用于暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。系統(tǒng)控制部150還具備記錄學(xué)習(xí)部151，其進(jìn)行光盤1上的記錄學(xué)習(xí)處理；訪問位置管理部154，其根據(jù)與光盤1相關(guān)的管理信息等來(lái)求出進(jìn)行記錄再生的位置；記錄控制部155、再生控制部156，其用于根據(jù)來(lái)自主機(jī)的命令或來(lái)自系統(tǒng)控制部150的命令等來(lái)進(jìn)行用戶數(shù)據(jù)和TDMA等管理信息的記錄再生，記錄學(xué)習(xí)部151還具備進(jìn)行功率學(xué)習(xí)控制的功率學(xué)習(xí)部152和進(jìn)行策略學(xué)習(xí)控制的策略學(xué)習(xí)部153。若光盤1被插入光盤記錄再生裝置100，則通過激光控制部130、機(jī)械控制部160，光頭120用規(guī)定的照射功率來(lái)對(duì)記錄層LO的引入?yún)^(qū)域13的具有預(yù)先嵌入光盤1中的與該光盤1相關(guān)的信息的控制區(qū)域(未作圖示)進(jìn)行再生，并讀出對(duì)記錄層L0、記錄層Li、記錄層L2進(jìn)行記錄時(shí)的照射功率信息等記錄參數(shù)信息。若有來(lái)自上位控制裝置的記錄要求，則光盤記錄再生裝置100中的系統(tǒng)控制部 150中的記錄學(xué)習(xí)部151在各記錄層所具備的OPC區(qū)域中實(shí)施了記錄學(xué)習(xí)后，在所求出的記錄功率下對(duì)成為對(duì)象的記錄層進(jìn)行記錄。在記錄學(xué)習(xí)時(shí)，記錄學(xué)習(xí)部151中的功率學(xué)習(xí)部152使用各記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域來(lái)進(jìn)行用于求出最合適功率的功率學(xué)習(xí)，策略控制部153使用各記錄層上的策略學(xué)習(xí)區(qū)域來(lái)進(jìn)行用于求出最合適策略的策略學(xué)習(xí)，從而求出最合適的記錄參數(shù)。在各區(qū)域中，為了記錄學(xué)習(xí)而進(jìn)行記錄的位置，例如，在光盤1為追記型光盤的情況下，由再生控制部156 將本發(fā)明的實(shí)施方式1的(4)所示的管理信息等讀出到存儲(chǔ)器170，管理信息控制部IM根據(jù)讀出的數(shù)據(jù)來(lái)判斷下次記錄學(xué)習(xí)中能夠使用的位置?；蛘?，在光盤1為可擦寫型光盤的情況下，在訪問位置管理部154中從各記錄層所具備的功率學(xué)習(xí)區(qū)域、策略學(xué)習(xí)區(qū)域的范圍內(nèi)求出任意的位置。(5)記錄學(xué)習(xí)方法圖10是表示針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1中的追記型光盤1的記錄學(xué)習(xí)步驟的流程圖。另外，在此，光盤1的區(qū)域構(gòu)造以圖3A所示的區(qū)域構(gòu)造的情況為例進(jìn)行說明。步驟1001 對(duì)所有記錄層反復(fù)進(jìn)行后述的從步驟1002到步驟1007的處理。例如， 若為具有圖3A所示的區(qū)域構(gòu)造的光盤1的情況，則對(duì)記錄層3 (L0層)、記錄層5 (Li層)和記錄層7 (L2層)進(jìn)行反復(fù)。另外，作為實(shí)施記錄學(xué)習(xí)的順序，以從遠(yuǎn)離盤表面(激光的入射面)的記錄層向著接近盤表面的記錄層按照順序來(lái)實(shí)施記錄學(xué)習(xí)的情況為例進(jìn)行說明。 另外，該記錄學(xué)習(xí)實(shí)施的順序不過是一個(gè)例子，并不限定于此。步驟1002 計(jì)算使用于記錄學(xué)習(xí)的位置。具體來(lái)說，系統(tǒng)控制部150中的再生控制部156從光盤1的TDMA中將最新的DMS700所包含的最新的DDS701讀出到存儲(chǔ)器170 中，訪問位置管理部1 根據(jù)讀出的數(shù)據(jù)來(lái)取得進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域中的下次能夠使用的位置信息(例如在LO層的情況下，為L(zhǎng)O功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息712和LO策略學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息71 。然后，根據(jù)該信息來(lái)判斷在功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)中記錄并使用的大小、和進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方向，接著計(jì)算進(jìn)行功率學(xué)習(xí)用的記錄的最前端位置、和進(jìn)行策略學(xué)習(xí)用的記錄的最前端位置。在此，記載為最新的DDS701，是表示如下意思因?yàn)門DMA 是管理信息過渡性地被更新的區(qū)域，所以取得該區(qū)域中所包含的DMS700中最新的一個(gè)所包含的DDS701。步驟1003 進(jìn)行功率學(xué)習(xí)。具體來(lái)說，記錄學(xué)習(xí)部151中的功率學(xué)習(xí)部152判斷進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄層上的激光照射功率(例如多種模式的激光功率)，并設(shè)定到激光控制部130，并且將規(guī)定的策略(例如，記載在控制區(qū)域中的策略)設(shè)定到記錄補(bǔ)償電路140。 然后，功率學(xué)習(xí)部152針對(duì)在步驟1002中求出的進(jìn)行功率學(xué)習(xí)用的記錄的最前端位置，使用機(jī)械控制部160使光頭120移動(dòng)并進(jìn)行記錄，根據(jù)進(jìn)行了記錄的區(qū)域的記錄品質(zhì)(例如調(diào)制度或BER)來(lái)求出最合適的記錄功率(例如在多種模式的激光功率中調(diào)制度最接近期待值的功率)。
另外，若萬(wàn)一功率學(xué)習(xí)用的記錄失敗了的情況下，也可以以進(jìn)行了前一次記錄的位置為基準(zhǔn)，再次由訪問位置管理部1 求出訪問位置，并作為重試再次反復(fù)實(shí)施本步驟 1003。步驟1004 對(duì)功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息進(jìn)行更新。具體來(lái)說，功率學(xué)習(xí)部 152，根據(jù)在步驟1003中進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)用的記錄的位置，來(lái)更新與讀出到存儲(chǔ)器170中的 DDS701相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)中的、與進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)的記錄層相當(dāng)?shù)墓β蕦W(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息(例如，在LO層的情況下，為L(zhǎng)O功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息712)。步驟1005 進(jìn)行策略學(xué)習(xí)。具體來(lái)說，記錄學(xué)習(xí)部151中的策略學(xué)習(xí)部153，將在步驟1003中求出的進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄層上的最合適激光功率設(shè)定到激光控制部130，并且將策略(例如多種模式的策略)設(shè)定到記錄補(bǔ)償電路140。然后，策略學(xué)習(xí)部153針對(duì)在步驟1002中求出的進(jìn)行策略學(xué)習(xí)用的記錄的最前端位置，使用機(jī)械控制部160使光頭120 移動(dòng)并進(jìn)行記錄，根據(jù)進(jìn)行了記錄的區(qū)域的記錄品質(zhì)(例如調(diào)制度或相位誤差)來(lái)求出最合適的記錄策略(例如在多種模式的策略條件中相位誤差最小的策略)。另外，若萬(wàn)一策略學(xué)習(xí)用的記錄失敗了的情況下，也可以以進(jìn)行了前一次記錄的位置為基準(zhǔn)，再次由訪問位置管理部1 求出訪問位置，并作為重試再次反復(fù)實(shí)施本步驟 1005。步驟1006 對(duì)策略學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息進(jìn)行更新。具體來(lái)說，策略學(xué)習(xí)部 153，根據(jù)在步驟1005中進(jìn)行了策略學(xué)習(xí)用的記錄的位置，來(lái)更新與讀出到存儲(chǔ)器170中的 DDS701相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)中的，與進(jìn)行了策略學(xué)習(xí)的記錄層相當(dāng)?shù)牟呗詫W(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息(例如，在LO層的情況下為L(zhǎng)O策略學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息715)。步驟1007 對(duì)所有記錄層反復(fù)前述的從步驟1002到步驟1006的處理。在存在記錄學(xué)習(xí)沒有完成的記錄層的情況下，返回步驟1001。在所有記錄層上的記錄學(xué)習(xí)完成了的情況下，進(jìn)入步驟1008。步驟1008 更新管理信息。具體來(lái)說，系統(tǒng)控制部150使用記錄控制部155，將保存在存儲(chǔ)器170中的、與在上述步驟1004、步驟1006中被更新了的新DDS相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)作為新的TDMS700追記記錄到TDMA中。另外，管理信息更新不一定在記錄學(xué)習(xí)后的時(shí)刻進(jìn)行，只要在光盤1從光盤記錄再生裝置100中被排放出為止的期間實(shí)施即可。另外，在此情況下使用的激光功率和策略，以在上述記錄學(xué)習(xí)中求出的激光功率和策略為基礎(chǔ)。用以上步驟來(lái)實(shí)施記錄學(xué)習(xí)。另外，在圖10中，說明了在所有記錄層上以相同時(shí)刻進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的情況，但也可以不必在相同時(shí)刻進(jìn)行，只要能夠至少在進(jìn)行對(duì)對(duì)象記錄層的記錄之前進(jìn)行對(duì)象記錄層上的記錄學(xué)習(xí)即可。此外，不一定在所有記錄層上實(shí)際地進(jìn)行學(xué)習(xí)，例如也可以采用如下方法最低在某一個(gè)記錄層上進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)，而對(duì)其他記錄層，通過根據(jù)某一個(gè)記錄層上的學(xué)習(xí)結(jié)果進(jìn)行運(yùn)算來(lái)求出，從而看作實(shí)施了實(shí)際的學(xué)習(xí)。另外，雖然在圖10中沒有記載，但也可以在功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)之后，進(jìn)行確認(rèn)在這些學(xué)習(xí)中求出的參數(shù)是否真的為最合適的參數(shù)的容限(margin)確認(rèn)處理等。另外，步驟1003的功率學(xué)習(xí)和步驟1005的策略學(xué)習(xí)，也可以不必兩者都實(shí)施。具體來(lái)說，例如，在以前用該光盤記錄再生裝置100實(shí)施的學(xué)習(xí)結(jié)果(學(xué)習(xí)履歷記錄)殘留在光盤1的驅(qū)動(dòng)固有信息區(qū)域(也稱作Drive Area)等中的情況下，也可以進(jìn)行不實(shí)施策略學(xué)習(xí)(即，只實(shí)施功率學(xué)習(xí))等的控制。另外，在圖10中以追記型光盤為例進(jìn)行了說明，但對(duì)可擦寫型光盤也能夠使用同樣的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。但是，在此情況下，步驟1002中的記錄學(xué)習(xí)位置的計(jì)算是從功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域內(nèi)分別隨機(jī)選擇這一點(diǎn)，以及不需要步驟1004、步驟1006、步驟1007的管理信息的更新處理這一點(diǎn)是與追記型光盤的情況不同的點(diǎn)。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，以引入?yún)^(qū)域13具備記錄學(xué)習(xí)用的OPC區(qū)域的情況為例進(jìn)行了說明，例如，在引出區(qū)域15同樣具備OPC區(qū)域的情況下，根據(jù)需要，在引出區(qū)域15中的OPC區(qū)域中也按照上述要領(lǐng)來(lái)進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，說明了所有記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于不同的半徑位置上的例子，但也可以不必所有層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域都位于不同的半徑位置上。更具體來(lái)說，顯著地受到其他記錄層的記錄特性(透過率等)的影響是鄰接的記錄層的記錄狀態(tài)。因此，例如，如圖11所示，即使最低限度鄰接的記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域(例如以Ll層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域21為基準(zhǔn)來(lái)考慮的情況下，LO層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域20和L2層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域2 配置于不同半徑位置上，不鄰接的記錄層(例如LO層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域20 和L2層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域22)的功率學(xué)習(xí)區(qū)域以半徑位置重疊的方式配置，也不會(huì)對(duì)功率學(xué)習(xí)結(jié)果產(chǎn)生較大的影響。即，即使在鄰接的記錄層(換言之，軌道路徑的方向相反的記錄層)上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域配置于不同半徑位置上，策略學(xué)習(xí)區(qū)域配置于同一半徑位置上的情況下，也能夠得到與在本發(fā)明的實(shí)施方式1中說明了的情況相同的效果。此外，在記錄層進(jìn)一步增加到6層或8層等的情況下，也可以使用如下方法將功率學(xué)習(xí)區(qū)域可以在同一半徑位置上重疊的記錄層的個(gè)數(shù)限制為N(N為0以上的正數(shù))。(6)制造方法接下來(lái)，以下簡(jiǎn)單地對(duì)本實(shí)施方式的信息記錄介質(zhì)的制造方法進(jìn)行說明。首先，形成或準(zhǔn)備在表面設(shè)有與地址信號(hào)或控制數(shù)據(jù)相應(yīng)的、用于記錄信息信號(hào)的軌道的盤基板2。由此，能夠在盤基板2上形成其學(xué)習(xí)區(qū)域?yàn)閳D3A 圖3F的任意一個(gè)所示的配置的記錄層3。接下來(lái)，在中間層4的形成記錄層5的一側(cè)的表面上，也形成用于記錄信息信號(hào)的軌道。由此，能夠在中間層4上形成其學(xué)習(xí)區(qū)域?yàn)閳D3A 圖3F的任意一個(gè)所示的配置的記錄層5。接下來(lái)，在中間層6的形成記錄層7的一側(cè)的表面上，也形成用于記錄信息信號(hào)的軌道。由此，能夠在中間層6上形成其學(xué)習(xí)區(qū)域?yàn)閳D3A 圖3F的任意一個(gè)所示的配置的記錄層7。在形成了記錄層7之后，形成覆蓋層8。(實(shí)施方式2)(1)區(qū)域配置圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的，具備3層記錄層的追記型光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，如圖12所示，除了功率學(xué)習(xí)區(qū)域23的配置位置看上去與策略學(xué)習(xí)區(qū)域30、策略學(xué)習(xí)區(qū)域31、策略學(xué)習(xí)區(qū)域32相同地配置于全部記錄層上共通地規(guī)定的半徑位置上這一點(diǎn)與各記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域預(yù)先配置于與其他記錄層不同的半徑位置上的本發(fā)明的實(shí)施方式1(在圖3A 圖3F中說明)不同，而且與此相應(yīng)地沒有確保與預(yù)備區(qū)域相當(dāng)?shù)膮^(qū)域之外，與在本發(fā)明的實(shí)施方式1中說明了的方式相同。但是，如同在本發(fā)明的實(shí)施方式1中也說明了的那樣，優(yōu)選在用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域中，以不被其他記錄層的記錄狀態(tài)左右的方式(即，不在同一半徑位置上重疊地使用于記錄)來(lái)進(jìn)行控制這一點(diǎn)不變，因此功率學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方法具有特征。對(duì)此，用( 來(lái)進(jìn)行說明。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，作為針對(duì)功率學(xué)習(xí)區(qū)域23的區(qū)域使用方法進(jìn)行了說明，但當(dāng)然在策略學(xué)習(xí)區(qū)域等中也可以應(yīng)用同樣的使用方法。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，以追記型光盤為例進(jìn)行了說明，但如同在本發(fā)明的實(shí)施方式1的O)中也說明了的那樣，即使對(duì)可擦寫型信息記錄介質(zhì)應(yīng)用同樣的管理方法，也能夠得到與追記型光盤的情況相同的效果。但是，在應(yīng)用于可擦寫型介質(zhì)的情況下， 因?yàn)殡S機(jī)地使用學(xué)習(xí)區(qū)域，所以難以將其他記錄層原樣控制在未使用(未記錄)狀態(tài)。因此，使各記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和預(yù)備區(qū)域成為均等的記錄狀態(tài)(例如全部用0數(shù)據(jù)來(lái)記錄等)的方法是有效的。以上，如本發(fā)明的實(shí)施方式2所示，記錄功率的學(xué)習(xí)，因?yàn)檫M(jìn)行在無(wú)法保證是最合適的記錄功率的功率下使功率變化的記錄，所以很大程度地受到基于其他層的記錄狀態(tài)的透過率平衡的影響，用于進(jìn)行該記錄功率的學(xué)習(xí)的功率學(xué)習(xí)區(qū)域，以在同一半徑位置上不重疊的方式來(lái)使用，而策略等的調(diào)整，因?yàn)檫M(jìn)行將功率固定在了最合適的記錄功率上的記錄，所以不易受到其他層的記錄狀態(tài)的影響，進(jìn)行該策略等的調(diào)整的策略學(xué)習(xí)區(qū)域，例如所有記錄層都配置在同一半徑位置上。通過采用如上區(qū)域結(jié)構(gòu)，能夠防止針對(duì)所有記錄層上的功率學(xué)習(xí)結(jié)果，其他記錄層的記錄狀態(tài)所產(chǎn)生的影響，并且能夠?qū)⒆鳛橛捎谟涗泴釉黾佣枰腛PC區(qū)域必須確保的區(qū)域大小(功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域所占據(jù)的合計(jì)大小)抑制到最小限度，因此能夠確保記錄學(xué)習(xí)所需要的區(qū)域，也能夠解決可供用戶使用(= 記錄學(xué)習(xí)能夠?qū)嵤?的次數(shù)減少的問題，并且能夠抑制引入?yún)^(qū)域13或引出區(qū)域15的增加， 也能夠解決數(shù)據(jù)區(qū)域14的大小減小從而解決可供用戶使用的區(qū)域大小減小的課題。(2)區(qū)域的使用方法關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式2中的記錄學(xué)習(xí)用的區(qū)域的使用方法，除了功率學(xué)習(xí)區(qū)域 23的使用方法與本發(fā)明的實(shí)施方式1不同這一點(diǎn)之外，其他與本發(fā)明的實(shí)施方式1相同。圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的功率學(xué)習(xí)區(qū)域的使用例的圖。另外，各記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域23的使用方法，如同在本發(fā)明的實(shí)施方式1的O)中使用圖5說明的那樣，以與軌道路徑反向使用的情況為例進(jìn)行說明。即，假設(shè)在LO層和L2層上從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)來(lái)使用，Ll層從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)來(lái)使用。此外，進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)順序，假設(shè)為按照從LO層開始，其次Ll層，最后L2層的順序進(jìn)行來(lái)進(jìn)行說明。針對(duì)未使用狀態(tài)的功率學(xué)習(xí)區(qū)域23，首先在軌道路徑是從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)的 LO層上的功率學(xué)習(xí)時(shí)，如(a)所示，以與功率學(xué)習(xí)區(qū)域23的外周側(cè)邊界位置距離想要使用的大小的內(nèi)周側(cè)的位置為最前端，在軌道路徑的方向上進(jìn)行記錄。接著，在軌道路徑是從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)的Ll層上的功率學(xué)習(xí)中，如(b)所示，以與功率學(xué)習(xí)區(qū)域23的內(nèi)周側(cè)邊界位置距離想要使用的大小的外周側(cè)的位置為最前端，在軌道路徑的方向上進(jìn)行記錄。并且， 最后，在軌道路徑與LO層相同地是從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)的L2層上的功率學(xué)習(xí)時(shí)，如(c)所示，以在(a)所示的LO層上使用了的最前端位置為終點(diǎn)，以距離此處想要使用的大小的內(nèi)周側(cè)的位置為最前端，在軌道路徑的方向上進(jìn)行記錄。以后，以在各記錄層上對(duì)此進(jìn)行反復(fù)的形式來(lái)使用。像這樣，通過使用與在其他記錄層上使用的區(qū)域不同的半徑位置的區(qū)域，S卩，以與其他記錄層上已使用的區(qū)域不重疊的方式來(lái)進(jìn)行功率學(xué)習(xí)用的記錄，在任意一個(gè)記錄層上的功率學(xué)習(xí)的情況下都能夠在將記錄狀態(tài)保持在相同狀態(tài)的同時(shí)來(lái)使用。另外，若從內(nèi)周側(cè)開始使用的區(qū)域的半徑位置與從外周側(cè)開始使用的區(qū)域的半徑位置發(fā)生重疊，則功率學(xué)習(xí)區(qū)域23成為耗盡的狀態(tài)。另外，在圖13中記載了針對(duì)所有記錄層在相同時(shí)刻連續(xù)地進(jìn)行記錄功率學(xué)習(xí)的例子，但即使在只在某特定的記錄層上進(jìn)行使用了功率學(xué)習(xí)區(qū)域23的學(xué)習(xí)的情況下，使用方法和得到的效果也與上述情況相同。另外，如同在本發(fā)明的實(shí)施方式1的(1)中說明的那樣，例如在上述(C)的情況下使用的區(qū)域，嚴(yán)密來(lái)說與在(a)中使用了的最前端位置不在同一半徑位置上，需要考慮貼合誤差和激光特性的影響。因此，需要離在(a)中使用了的區(qū)域的最前端位置與這些影響的考慮相應(yīng)的大小(以后，稱作偏移量)，并且以偏移量大小的內(nèi)周側(cè)的位置為終點(diǎn)位置， 以離此處想要在學(xué)習(xí)中使用的大小的內(nèi)周側(cè)的位置為最前端位置。(3)與OPC區(qū)域相關(guān)的信息的準(zhǔn)備方法在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，也與在本發(fā)明的實(shí)施方式1的(3)中說明的方式相同地，在追記型光盤的情況下等，作為管理信息，具備表示將區(qū)域使用到了那種程度的指針信息是很有效的。圖14是與追記型光盤中的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域相關(guān)的信息的例子。另外，在圖14中，以圖12所示的區(qū)域構(gòu)造的情況為例來(lái)進(jìn)行說明。關(guān)于與策略學(xué)習(xí)區(qū)域相關(guān)的信息，其與在本發(fā)明的實(shí)施方式1的(3)中說明的方式相同地，按照每個(gè)記錄層具備下次使用位置信息。另一方面，功率學(xué)習(xí)區(qū)域用的信息，作為所有記錄層通用的信息，具備功率學(xué)習(xí)區(qū)域內(nèi)周側(cè)下次使用位置信息1301和功率學(xué)習(xí)區(qū)域外周側(cè)下次使用位置信息1302。以圖13 的例子來(lái)說，在從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)來(lái)使用功率學(xué)習(xí)區(qū)域的LO層和L2層的功率學(xué)習(xí)中，被使用·更新的信息是功率學(xué)習(xí)區(qū)域外周側(cè)下次使用位置信息1302，在從內(nèi)周向著外周側(cè)來(lái)使用功率學(xué)習(xí)區(qū)域的Ll層上，被使用 更新的信息是功率學(xué)習(xí)區(qū)域內(nèi)周側(cè)下次使用位置信息1301。在此，這些信息是全部記錄層通用的位置信息，因此像在本發(fā)明的實(shí)施方式1的 (3)中說明的那樣，僅用PBA信息來(lái)表示是不充分的，例如，用與半徑位置相關(guān)的信息來(lái)表示，或者用剛剛使用了的記錄層上的PBA來(lái)表示，在實(shí)際使用于記錄時(shí)，需要變換為該記錄層上的PBA來(lái)使用。另外，如同在本實(shí)施方式2的⑵中也說明了的那樣，在表示下次能夠使用的位置信息的情況下，需要考慮盤的貼合誤差和激光特性的影響，因此內(nèi)周側(cè)下次使用位置信息和外周側(cè)下次使用位置信息，都需要以如下方式來(lái)考慮表示與實(shí)際上使用完了的位置相比，加上了上述偏移量大小的位置信息，或者在實(shí)際使用于記錄時(shí)，從加上了偏移量大小的位置開始使用。(4)記錄再生裝置
本發(fā)明的實(shí)施方式2中的記錄再生裝置，與在本發(fā)明的實(shí)施方式1的中使用圖9說明了的裝置相同，因此在此省略說明。(5)記錄學(xué)習(xí)方法本發(fā)明的實(shí)施方式2中的記錄學(xué)習(xí)方法的步驟，除了步驟1002和步驟1004之外， 與在本發(fā)明的實(shí)施方式1的(5)中使用圖10說明了的步驟相同，因此在此只對(duì)與本發(fā)明的實(shí)施方式1的情況不同的這些步驟進(jìn)行說明。步驟1002 計(jì)算使用于記錄學(xué)習(xí)的位置。具體來(lái)說，系統(tǒng)控制部150中的再生控制部156從光盤1的TDMS中將最新的TDMS所包含的最新的DDS701讀出到存儲(chǔ)器170中，訪問位置管理部1 根據(jù)讀出的數(shù)據(jù)來(lái)取得進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域中的下次能夠使用的位置信息(例如，在LO層的情況下，為功率學(xué)習(xí)區(qū)域外周側(cè)下次使用位置信息1302和LO策略學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息71 。然后，根據(jù)該信息來(lái)判斷在功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)中記錄并使用的大小、和進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方向，接著計(jì)算進(jìn)行功率學(xué)習(xí)用的記錄的最前端位置、和進(jìn)行策略學(xué)習(xí)用的記錄的最前端位置。在此，記載為最新的DDS701，是表示如下意思因?yàn)門DMA 是管理信息過渡性地被更新的區(qū)域，所以取得該區(qū)域中所包含的DMS700中最新的一個(gè)所包含的DDS701。步驟1004 對(duì)功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息進(jìn)行更新。具體來(lái)說，功率學(xué)習(xí)部 152根據(jù)在步驟1003中進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)用的記錄的位置，更新從存儲(chǔ)器170中讀出的與 DDS701相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)中的，與進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)的記錄層相當(dāng)?shù)墓β蕦W(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息(例如，在LO層的情況下，為功率學(xué)習(xí)區(qū)域外周側(cè)下次使用位置信息1302)。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，也與在本發(fā)明的實(shí)施方式1的(1)中說明了的方式相同地，關(guān)于在功率學(xué)習(xí)區(qū)域23中與在其他層上已使用的半徑位置相當(dāng)?shù)膮^(qū)域、即功率學(xué)習(xí)區(qū)域23中的從內(nèi)周邊界位置開始到功率學(xué)習(xí)區(qū)域內(nèi)周側(cè)下次使用位置信息1301為止的區(qū)域、和從功率學(xué)習(xí)區(qū)域外周側(cè)下次使用位置信息1302開始到功率學(xué)習(xí)區(qū)域23中的外周邊界位置之間的區(qū)域，也可以在實(shí)際的使用了該半徑位置的記錄層以外的記錄層上，例如作為策略學(xué)習(xí)區(qū)域，或者作為管理信息區(qū)域等，來(lái)使用于像功率學(xué)習(xí)那樣容易受到其他記錄層的記錄狀態(tài)的影響的處理以外的數(shù)據(jù)記錄。但是，實(shí)際上是否是使用了該半徑位置的記錄層的判定很困難，因此，例如，在從內(nèi)周側(cè)開始使用功率學(xué)習(xí)區(qū)域23的Ll層上，將從功率學(xué)習(xí)區(qū)域外周側(cè)下次使用位置信息1302開始到功率學(xué)習(xí)區(qū)域23上的外周邊界位置之間的區(qū)域作為能夠使用的區(qū)域來(lái)使用的方法是很有效的。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，除了貼合誤差等的影響部分之外，需要使功率學(xué)習(xí)區(qū)域23的大小在各記錄層上都相同，但關(guān)于各記錄層的策略學(xué)習(xí)區(qū)域的大小，在各記錄層上也可以不必相同。例如，若考慮在各記錄層上，向著同一方向、例如從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)來(lái)使用的情況，則應(yīng)使各記錄層的策略學(xué)習(xí)區(qū)域中的外周側(cè)的邊界位置為同一半徑位置，但對(duì)于內(nèi)周側(cè)的邊界位置，也可以不必相同。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，也說明了以不與其他記錄層上已使用的區(qū)域重疊的方式來(lái)使用在功率學(xué)習(xí)中使用的區(qū)域的例子，但也可以不必使所有記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域中所使用的區(qū)域的半徑位置都不同。更具體來(lái)說，與在本發(fā)明的實(shí)施方式1中使用圖 11說明了的方式相同，顯著地受到其他記錄層的記錄特性(透過率等)的影響的是鄰接的記錄層的記錄狀態(tài)。因此，例如，即使在最低限度鄰接的記錄層上使用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域以位于不同半徑位置的方式來(lái)使用，而在不鄰接的記錄層的功率學(xué)習(xí)中使用的區(qū)域以重疊的方式(包含同一半徑位置的方式)來(lái)使用，也不會(huì)對(duì)功率學(xué)習(xí)結(jié)果產(chǎn)生很大影響。即，即使在鄰接的記錄層(換言之，軌道路徑的方向相反的記錄層)上，使用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域以不重疊的方式來(lái)使用，另一方面，策略學(xué)習(xí)區(qū)域配置于同一半徑位置上的情況下，也能夠得到與本發(fā)明的實(shí)施方式2中說明了的方式相同的效果。此外，在記錄層進(jìn)一步增加到了 6層或8層等的情況下，也可以使用如下方法將功率學(xué)習(xí)區(qū)域可以在同一半徑位置上重疊的記錄層的個(gè)數(shù)限制為N(N是0以上的正數(shù))。(實(shí)施方式3)(1)區(qū)域配置圖15是本發(fā)明的實(shí)施方式3中的，具備3層記錄層的追記型光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。在光盤1的引入?yún)^(qū)域13中，具備記錄學(xué)習(xí)用的OPC區(qū)域50。OPC區(qū)域50配置于在全部記錄層上共通地規(guī)定的半徑位置上，是用于實(shí)施功率學(xué)習(xí)或策略學(xué)習(xí)的區(qū)域。但是，與本發(fā)明的實(shí)施方式1和實(shí)施方式2不同，其特征在于沒有明確地以功率學(xué)習(xí)區(qū)域、策略學(xué)習(xí)區(qū)域這種形式來(lái)被預(yù)先分割配置。作為替代，OPC區(qū)域50在最初進(jìn)行使用該區(qū)域的記錄之前，以任意的大小分配了功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51和策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的部分。關(guān)于該詳細(xì)內(nèi)容，在后述的O)中進(jìn)行說明。(2)區(qū)域的使用方法圖16是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3中的追記型光盤中的OPC區(qū)域50的使用方法的一個(gè)例子的說明圖。另外，在圖16中，以與圖15所示的區(qū)域構(gòu)造相同的區(qū)域構(gòu)造的情況為例進(jìn)行說明。OPC區(qū)域50，在最初進(jìn)行向該區(qū)域的記錄之前，功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51、策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52以任意的大小(分配比)被分配。此外，關(guān)于功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51的部分，以在各記錄層上使用的區(qū)域不重疊的方式(以不位于同一半徑位置的方式)，其也以任意的大小(分配比)進(jìn)一步被分配。另一方面，關(guān)于策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的部分，因?yàn)槭褂玫膮^(qū)域也可以重疊，所以原樣保持在所有記錄層上重疊的位置(同一半徑位置)。功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51的部分，與本發(fā)明的實(shí)施方式1和實(shí)施方式2相同地，與軌道路徑反向來(lái)使用。具體來(lái)說，針對(duì)軌道路徑從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)的LO層、L2層，功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51的部分從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)，以對(duì)各記錄層分配的部分的外周側(cè)邊界位置為最前端來(lái)使用，針對(duì)軌道路徑從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)的Ll層，功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51的部分從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)，以對(duì)Ll層分配的部分的內(nèi)周側(cè)邊界位置為最前端來(lái)使用。另一方面，策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的部分，在各記錄層上使用的區(qū)域重疊來(lái)使用。具體來(lái)說，在所有記錄層上，與軌道路徑無(wú)關(guān)，向著同一方向(例如從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè))來(lái)使用。另外，關(guān)于功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51與策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的分配，例如，也可以均等分配?；蛘?，在光盤1是功率容限較窄(小)的制造商的產(chǎn)品的情況下，也可以以功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51為大于策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的大小的方式來(lái)分配?；蛘?，在雖然最合適功率在某種程度上能夠用預(yù)測(cè)來(lái)計(jì)算，但對(duì)于策略，若不實(shí)際進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)則難以求出的情況下等，也可以反之以策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52大于功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51的方式來(lái)分配。
另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式3中，以在引入?yún)^(qū)域13中配置了 OPC區(qū)域50的情況為例進(jìn)行了說明，但例如也可以進(jìn)一步在引出區(qū)域15中也配置OPC區(qū)域。而且，在此情況下， 在配置于引入?yún)^(qū)域13中的OPC區(qū)域和配置于引出區(qū)域15中的OPC區(qū)域中，也可以改變功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51和策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的分配比。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式3中，表示了從OPC區(qū)域50中分配功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51 的區(qū)域和策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的區(qū)域的例子，但例如除此之外也可以分配用于其它用途的區(qū)域(例如容限確認(rèn)用的區(qū)域等)。(3)與OPC區(qū)域相關(guān)的信息的準(zhǔn)備方法在本發(fā)明的實(shí)施方式3中，也與在本發(fā)明的實(shí)施方式1和實(shí)施方式2的(3)中說明了的方式相同，在追記型光盤的情況下等，作為管理信息，具備表示將區(qū)域使用到了那種程度的指針信息是很有效的。圖17是與追記型光盤中的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域相關(guān)的信息的例子。另外，在圖17中，以圖15所示的區(qū)域構(gòu)造的情況為例進(jìn)行說明。在DDS701中，除了標(biāo)識(shí)符710、DFL位置信息711之外，作為各記錄層上的記錄學(xué)習(xí)用的關(guān)聯(lián)信息，還具備記錄層個(gè)數(shù)個(gè)的與功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51的部分相關(guān)的終點(diǎn)位置信息和下次能夠使用的位置信息、與策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的部分相關(guān)的終點(diǎn)位置信息和下次能夠使用的位置信息。即，作為L(zhǎng)O層用的信息，具備LO功率學(xué)習(xí)終點(diǎn)位置信息1701、L0功率學(xué)習(xí)下次使用位置信息1702、LO策略學(xué)習(xí)終點(diǎn)位置信息1703、LO策略學(xué)習(xí)下次使用位置信息1704，作為L(zhǎng)l層用的信息，具備Ll功率學(xué)習(xí)終點(diǎn)位置信息1705、Ll功率學(xué)習(xí)下次使用位置信息1706、L1策略學(xué)習(xí)終點(diǎn)位置信息1707、L1策略學(xué)習(xí)下次使用位置信息1708， 作為L(zhǎng)2層用的信息，具備L2功率學(xué)習(xí)終點(diǎn)位置信息1709、L2功率學(xué)習(xí)下次使用位置信息 1710、L2策略學(xué)習(xí)終點(diǎn)位置信息1711、L2策略學(xué)習(xí)下次使用位置信息1712。如上所述，各記錄層上的功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51和策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的分配、以及功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51上的各記錄層用的分配，在最初使用OPC區(qū)域50之前(例如hitialize Format時(shí)等)分別決定為任意的大小，因此各記錄層的功率學(xué)習(xí)終點(diǎn)位置信息、策略學(xué)習(xí)終點(diǎn)位置信息在該時(shí)刻確定，并且功率學(xué)習(xí)下次使用位置信息、策略學(xué)習(xí)下次使用位置信息在區(qū)域分配時(shí)指示分配的部分的最前端位置。此外，在終點(diǎn)位置信息與下次使用位置信息是指同一位置的情況下，或終點(diǎn)位置信息與下次使用位置信息的間隔(=剩余大小)不夠在1次學(xué)習(xí)中使用的大小的情況下，判斷該記錄層上的學(xué)習(xí)用區(qū)域耗盡。另外，雖然終點(diǎn)位置信息和下次使用位置信息分別用例如PBA來(lái)表示，但也可以用例如半徑位置這種信息來(lái)表示。另外，雖然以具有終點(diǎn)位置信息的形式進(jìn)行了說明，但即使取代位置信息，而具有表示與分配的部分相關(guān)的能夠使用的大小的剩余大小信息，也能夠得到同樣的效果。另外，在保持終點(diǎn)位置信息的情況下，雖然一旦實(shí)施了功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51和策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的分配，則在該時(shí)點(diǎn)所確定的信息以后不發(fā)生變化，但在進(jìn)行本發(fā)明的實(shí)施方式1和實(shí)施方式2中說明了的那種再分配的情況等的時(shí)刻，發(fā)生變化的情況也有可能。另一方面，在具有剩余大小信息的情況下，在每次使用時(shí)，與下次使用位置信息相同，剩余大小信息也被更新。另外，如同在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2中也說明了的那樣，在表示下次能夠使用的位置信息的情況下，需要考慮盤的貼合誤差和激光特性的影響，因此，例如，特別是與受到其他記錄層的記錄狀態(tài)的影響的功率學(xué)習(xí)區(qū)域相關(guān)的下次使用位置信息等，需要以如下方式來(lái)考慮表示與實(shí)際上使用完了的位置相比，加上了上述偏移量大小的位置信息，或者在實(shí)際使用于記錄時(shí)，從加上了偏移量大小的位置開始使用。(4)記錄再生裝置本發(fā)明的實(shí)施方式3中的記錄再生裝置，與在本發(fā)明的實(shí)施方式1的中使用圖9說明了的裝置相同，因此在此省略說明。(5)記錄學(xué)習(xí)方法本發(fā)明的實(shí)施方式3中的記錄學(xué)習(xí)方法的步驟，除了步驟1002、步驟1004、步驟 1006之外，與在本發(fā)明的實(shí)施方式1的(5)中使用圖10說明了的步驟相同，因此在此只對(duì)與本發(fā)明的實(shí)施方式1的情況不同的這些步驟進(jìn)行說明。步驟1002 計(jì)算使用于記錄學(xué)習(xí)的位置。具體來(lái)說，系統(tǒng)控制部150中的再生控制部156從光盤1的TDMS中將最新的TDMS所包含的最新的DDS701讀出到存儲(chǔ)器170中，訪問位置管理部1 根據(jù)讀出的數(shù)據(jù)來(lái)取得進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域中的下次能夠使用的位置信息(例如，在LO層的情況下，為L(zhǎng)O功率學(xué)習(xí)下次使用位置信息1702和LO策略學(xué)習(xí)下次使用位置信息1704)。然后，根據(jù)該信息來(lái)判斷在功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)中記錄并使用的大小、和進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方向，接著計(jì)算進(jìn)行功率學(xué)習(xí)用的記錄的最前端位置、和進(jìn)行策略學(xué)習(xí)用的記錄的最前端位置。在此，記載為最新的DDS701，是表示如下意思因?yàn)門DMA是管理信息過渡性地被更新的區(qū)域，所以取得該區(qū)域中所包含的DMS700中最新的一個(gè)所包含的DDS701。步驟1004 更新功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息。具體來(lái)說，功率學(xué)習(xí)部152根據(jù)在步驟1003中進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)用記錄的位置，更新從存儲(chǔ)器170中讀出的與DDS701相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)中的，與進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)的記錄層相當(dāng)?shù)墓β蕦W(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息(例如， 在LO層的情況下，為L(zhǎng)O功率學(xué)習(xí)下次使用位置信息1702)。步驟1006 更新策略學(xué)習(xí)下次使用位置信息。具體來(lái)說，策略學(xué)習(xí)部153，根據(jù)在步驟1005中進(jìn)行了策略學(xué)習(xí)用記錄的位置，更新從存儲(chǔ)器170中讀出的與DDS701相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)中的，與進(jìn)行了策略學(xué)習(xí)的記錄層相當(dāng)?shù)牟呗詫W(xué)習(xí)下次使用位置信息(例如，在LO層的情況下，為L(zhǎng)O策略學(xué)習(xí)下次使用位置信息1704)。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式3中，也說明了以不與其他記錄層上已使用的區(qū)域重疊的方式來(lái)分配在功率學(xué)習(xí)中使用的區(qū)域的例子，但也可以不必以在所有記錄層的功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的區(qū)域的半徑位置都不同的方式來(lái)分配。更具體來(lái)說，與本發(fā)明的實(shí)施方式 1中使用圖11說明了的方式相同，顯著地受到其他記錄層的記錄特性(透過率等)的影響的是鄰接的記錄層的記錄狀態(tài)。因此，例如，即使在最低限度鄰接的記錄層上使用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域以位于不同半徑位置的方式來(lái)使用，而在不鄰接的記錄層的功率學(xué)習(xí)中使用的區(qū)域以重疊的方式(包含同一半徑位置的方式)來(lái)分配并使用，也不會(huì)對(duì)功率學(xué)習(xí)結(jié)果產(chǎn)生很大影響。即，即使在鄰接的記錄層(換言之，軌道路徑的方向相反的記錄層)上，使用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域以不重疊的方式來(lái)分配并使用，另一方面，策略學(xué)習(xí)區(qū)域分配于同一半徑位置上的情況下，也能夠得到與在本發(fā)明的實(shí)施方式3中說明了的方式相同的效果。此外， 在記錄層進(jìn)一步增加到了 6層或8層等的情況下，也可以使用如下方法將功率學(xué)習(xí)區(qū)域可以在同一半徑位置上重疊的記錄層的個(gè)數(shù)限制為N(N是0以上的正數(shù))。另外，雖然在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中，說明了將功率學(xué)習(xí)區(qū)域(或功率學(xué)習(xí)用區(qū)域51的部分)作為使用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域，將策略學(xué)習(xí)區(qū)域(或策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的部分)作為使用于策略學(xué)習(xí)的區(qū)域，并且，使用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域是在鄰接的記錄層上在同一半徑位置上不重疊的區(qū)域，使用于策略學(xué)習(xí)的區(qū)域是包含在同一半徑位置上重疊的部分的區(qū)域，但更嚴(yán)密來(lái)說，在鄰接的記錄層上在同一半徑位置上不重疊的使用于功率學(xué)習(xí)的區(qū)域是指，在包括無(wú)法保證是適合光盤1的記錄功率的記錄功率(在某范圍內(nèi))的自由的記錄功率下進(jìn)行記錄(例如功率學(xué)習(xí))也可的區(qū)域，包含在鄰接的記錄層上在同一半徑位置上重疊的區(qū)域的使用于策略學(xué)習(xí)的區(qū)域是指，在能夠保證是適合光盤1的記錄功率的記錄功率下，換言之，在該功率下記錄的區(qū)域的透過率控制在透過率平衡不瓦解的程度的規(guī)定范圍內(nèi)的記錄功率下，進(jìn)行記錄的區(qū)域。并且，這些區(qū)域分別配置在各記錄層上即可。即，在使用的記錄功率能夠保證是適合光盤1的記錄功率的(記錄后的透過率控制在規(guī)定的范圍內(nèi))范圍內(nèi)使記錄功率變化的階段性記錄這一點(diǎn)可得到保證的情況下，也可以在包含有鄰接的記錄層上的在同一半徑位置上重疊的區(qū)域的策略學(xué)習(xí)區(qū)域 (或策略學(xué)習(xí)用區(qū)域52的部分)上進(jìn)行功率學(xué)習(xí)?；蛘卟幌抻诠β蕦W(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)，例如也可以使用具備重疊的部分的策略學(xué)習(xí)區(qū)域來(lái)進(jìn)行容限確認(rèn)，容限確認(rèn)是針對(duì)記錄學(xué)習(xí)結(jié)果是否真的是最合適的條件，以學(xué)習(xí)計(jì)算記錄功率為中心，在能夠保證是適合光盤1的記錄功率的(記錄后的透過率控制在規(guī)定的范圍內(nèi))范圍內(nèi)使其增加 減少后的功率等情況下進(jìn)行記錄，來(lái)進(jìn)行最合適功率的微調(diào)整。若使用這種方法，則能夠抑制使用不重疊的區(qū)域的次數(shù)，其結(jié)果，能夠?qū)⒏饔涗泴铀邆涞牟恢丿B的區(qū)域的大小抑制得較小，因此能夠相應(yīng)地增大包含重疊部分的區(qū)域的大小，并且也顯示出能夠增加在記錄學(xué)習(xí)中能夠使用的次數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。關(guān)于該具體的方法，記載了若干詳細(xì)內(nèi)容。例如，在記錄對(duì)象的光盤1作為光盤記錄再生裝置100中已實(shí)施調(diào)諧的光盤1而被登錄的情況下，也可以作為能夠保障記錄功率的光盤，在包含有在鄰接的記錄層上的同一半徑位置上進(jìn)行重疊的部分的策略學(xué)習(xí)區(qū)域中進(jìn)行功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)。或者，在以前用該光盤記錄再生裝置100在對(duì)象記錄層上實(shí)施的學(xué)習(xí)結(jié)果(學(xué)習(xí)履歷記錄)保留在了光盤1的驅(qū)動(dòng)固有信息區(qū)域(也稱作Drive Area)等中的情況下，即進(jìn)行使用了履歷記錄信息的學(xué)習(xí)的情況下，對(duì)該記錄層的記錄功率作為能夠保障的記錄功率，在該記錄層上的記錄學(xué)習(xí)時(shí)也可以在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中進(jìn)行功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)?；蛘撸ㄟ^使用如下方法來(lái)抑制使用于記錄學(xué)習(xí)的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的消耗量的方法也很有效在作為學(xué)習(xí)履歷記錄保留了在所有記錄層上的記錄學(xué)習(xí)結(jié)果的情況下，根據(jù)該學(xué)習(xí)履歷記錄來(lái)求出某個(gè)作為基準(zhǔn)的記錄層和其他記錄層的功率比和策略變化量等，并在某個(gè)作為基準(zhǔn)的記錄層上實(shí)施實(shí)際的記錄學(xué)習(xí)(功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí))，而在其他記錄層上不實(shí)際實(shí)施記錄學(xué)習(xí)， 使用實(shí)施了實(shí)際學(xué)習(xí)的某個(gè)作為基準(zhǔn)的記錄層上的學(xué)習(xí)結(jié)果、和根據(jù)學(xué)習(xí)履歷記錄求出的功率比和策略變化量，通過運(yùn)算求出學(xué)習(xí)值。此外，在此情況下，也可以使用如下方法因?yàn)槭锹臍v記錄學(xué)習(xí)，所以實(shí)際的記錄學(xué)習(xí)，使用包含在有鄰接的記錄層上的在同一半徑位置上進(jìn)行重疊的部分的策略學(xué)習(xí)區(qū)域來(lái)進(jìn)行，并且，某個(gè)作為基準(zhǔn)的記錄層是例如以離光盤1 的盤表面最遠(yuǎn)的記錄層(例如，在圖3A所示的光盤1的情況下為L(zhǎng)O層)為基準(zhǔn)層，從最遠(yuǎn)的記錄層側(cè)開始按順序使用，在該記錄層上的策略學(xué)習(xí)區(qū)域耗盡了的情況下，將其次遠(yuǎn)的記錄層(例如，在圖3A所示的光盤1的情況下為L(zhǎng)l層)的策略學(xué)習(xí)區(qū)域作為基準(zhǔn)層來(lái)使用。若使用該方法，則對(duì)于在適合光盤1的功率的情況下進(jìn)行記錄的策略學(xué)習(xí)區(qū)域，在某個(gè)記錄層上進(jìn)行學(xué)習(xí)的情況下，比其更位于照射激光的一側(cè)的記錄層上的策略學(xué)習(xí)區(qū)域也能夠原樣保持未使用(在追記型光盤的情況下為未記錄)，因此也具有完全不需要在意透過率的影響的效果。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中，以用于進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域(0PC區(qū)域)為例，對(duì)在各記錄層上作為不同的區(qū)域分別確保了功率學(xué)習(xí)用的區(qū)域和策略學(xué)習(xí)用的區(qū)域的情況進(jìn)行了說明，但該觀點(diǎn)不限于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域。更詳細(xì)來(lái)說， 本發(fā)明的基本觀點(diǎn)是，在各記錄層上作為分別不同的區(qū)域，具備粗調(diào)整區(qū)域，其用于像記錄學(xué)習(xí)中的功率學(xué)習(xí)那樣，進(jìn)行一邊使記錄功率變化，一邊縮小為在某種程度上適合記錄的條件的粗調(diào)整；和精調(diào)整區(qū)域，其用于像記錄學(xué)習(xí)中的策略學(xué)習(xí)那樣，進(jìn)行縮小為最適合記錄的條件的精調(diào)整(微調(diào)整)。除此之外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式 3中，還因?yàn)閷⒂涗浌β实恼{(diào)整作為對(duì)象，所以考慮其他記錄層的記錄狀態(tài)(透過率平衡)， 將使用于功率學(xué)習(xí)的粗調(diào)整區(qū)域配置在不同的半徑位置上。即，在各記錄層上作為分別不同的區(qū)域具備粗調(diào)整區(qū)域和精調(diào)整區(qū)域這種基本觀點(diǎn)，也能夠適用于記錄學(xué)習(xí)以外的各種調(diào)整。如上所述，光盤記錄再生裝置100這種裝置(驅(qū)動(dòng)器)，只要滿足上述記錄功率的制約，則能夠?qū)⒉呗詫W(xué)習(xí)區(qū)域作為能夠用于學(xué)習(xí)的區(qū)域來(lái)使用。但是，在該區(qū)域中實(shí)施的學(xué)習(xí)不限于策略學(xué)習(xí)。驅(qū)動(dòng)器能夠不限用途地在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中進(jìn)行任意的學(xué)習(xí)。因?yàn)椴呗詫W(xué)習(xí)區(qū)域是驅(qū)動(dòng)器能夠使用于任意學(xué)習(xí)的區(qū)域，所以不需要像上述功率學(xué)習(xí)區(qū)域那樣以在同一半徑位置上不重疊的方式來(lái)配置。如上所述，在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率(在某范圍內(nèi))也可以以自由的記錄功率進(jìn)行記錄。但是，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率，在功率學(xué)習(xí)后被決定以后，在控制為規(guī)定的范圍內(nèi)的記錄功率的情況下用于進(jìn)行記錄。這表示，與在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的振幅相比，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的振幅較小。換言之，存在如下制約在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度是功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度以下或比其小。在此所說的“記錄功率的變動(dòng)率幅度”被定義為，假設(shè)基準(zhǔn)功率或最合適功率為100%的情況下的，最大記錄功率的變動(dòng)率和/或最小記錄功率的變動(dòng)率的比例。關(guān)于這一點(diǎn)，使用具體例子來(lái)進(jìn)行說明。圖觀的㈧ ⑶分別是表示在功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度的關(guān)系的說明圖。在圖28中，將在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率中的基準(zhǔn)功率表示為“Pbp”，將在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率中的基準(zhǔn)功率表示為“I^bs”。在此，“基準(zhǔn)功率”是指，使用于向該光盤的記錄的記錄功率的基準(zhǔn)值。一般來(lái)說，該基準(zhǔn)功率能夠根據(jù)嵌入到光盤1 上的控制區(qū)域等中的與記錄功率相關(guān)的信息來(lái)計(jì)算。此外，基準(zhǔn)功率也存在根據(jù)光盤記錄再生裝置100所預(yù)先保持的與適合每個(gè)光盤1的種類的記錄功率相關(guān)的信息來(lái)計(jì)算，或根據(jù)在光盤1的驅(qū)動(dòng)固有信息區(qū)域(Drive Area)等中保留的學(xué)習(xí)履歷記錄來(lái)計(jì)算。該基準(zhǔn)功率，即使在相同的光盤1中，也存在根據(jù)使用于記錄的記錄倍速或各記錄層不同而值不同的情況。一般來(lái)說，倍速越高則記錄功率也越大。因此，也存在上述這種與基準(zhǔn)功率相關(guān)的信息，按照每種記錄倍速或每個(gè)記錄層來(lái)準(zhǔn)備的情況。在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率I^bp、和在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率I^bs，既可以相同，也可以不同。圖^(A)表示在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率與在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率相同時(shí)的，各記錄功率變動(dòng)的幅度的一個(gè)例子。在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的范圍，在假設(shè)基準(zhǔn)功率I^bp為100%的情況下，在上限側(cè)到+10%為止，在下限側(cè)到-15%為止，即相對(duì)于基準(zhǔn)功率I^bp，是從110%到 85%的范圍(將該范圍稱作“變動(dòng)率幅度”。)。另一方面，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的范圍，在假設(shè)基準(zhǔn)功率I^bs為100%的情況下，在上限側(cè)到+8%為止，下限側(cè)與功率學(xué)習(xí)區(qū)域同樣到-15%為止，即相對(duì)于基準(zhǔn)功率I^bs，是從108%到85%的變動(dòng)率幅度的范圍。 在使用了功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的記錄學(xué)習(xí)時(shí)，驅(qū)動(dòng)器能夠按照上述各自的變動(dòng)率幅度來(lái)分配功率。這樣，基準(zhǔn)功率相同，下限功率的范圍相同。但是，上限功率的范圍，策略學(xué)習(xí)區(qū)域比功率學(xué)習(xí)區(qū)域窄。即，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度、功率的絕對(duì)值， 都小于在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度、功率的絕對(duì)值。圖28(B)表示在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率和在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率相同時(shí)的，各記錄功率變動(dòng)的幅度的另一個(gè)例子。在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的范圍，與圖^(A)相同，相對(duì)于基準(zhǔn)功率 I^bp，是從110%到85%的范圍。另一方面，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的范圍，在假設(shè)基準(zhǔn)功率I^bS為100%的情況下，在上限側(cè)到+8%為止，在下限側(cè)到-12%為止，即相對(duì)于基準(zhǔn)功率I^bs，是從108%到88%的范圍。在本例中，在功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域中分別使用的基準(zhǔn)功率相同，與此相對(duì)，上限功率的范圍、下限功率的范圍都是策略學(xué)習(xí)區(qū)域比功率學(xué)習(xí)區(qū)域窄，即在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度、功率的絕對(duì)值，都比在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度、功率的絕對(duì)值小。圖28(C)表示在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率和在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率相同時(shí)的，各記錄功率變動(dòng)的幅度的又一個(gè)例子。在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的范圍，與圖觀(A)相同，相對(duì)于基準(zhǔn)功率I^bp，是從110%到85%的范圍。另一方面，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的范圍，在假設(shè)基準(zhǔn)功率Pbs為100%的情況下，在上限側(cè)到+5%為止，在下限側(cè)到-18%為止，即相對(duì)于基準(zhǔn)功率I^bs，是從105%到82%的范圍。在此情況下，關(guān)于從基準(zhǔn)功率到上限功率的范圍，功率學(xué)習(xí)區(qū)域比策略學(xué)習(xí)區(qū)域大，但關(guān)于從基準(zhǔn)功率到下限功率的范圍，功率學(xué)習(xí)區(qū)域比策略學(xué)習(xí)區(qū)域小。但是，在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的上限功率與下限功率的范圍，即上限功率與下限功率的變動(dòng)率的差分，功率學(xué)習(xí)區(qū)域?yàn)?5% (110% -85%= 25% )，策略學(xué)習(xí)區(qū)域?yàn)?3% (105% -82%= 23% )，與功率學(xué)習(xí)區(qū)域的變動(dòng)率幅度相比策略學(xué)習(xí)區(qū)域的變動(dòng)率幅度較小。圖28(D)表示在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率和在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率不同時(shí)的，各記錄功率變動(dòng)的幅度的一個(gè)例子。此時(shí)，與在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率Pbp相比，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的基準(zhǔn)功率Pbs較大。這符合如下情況例如，與在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中進(jìn)行學(xué)習(xí)(記錄)時(shí)的記錄倍速相比，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中進(jìn)行學(xué)習(xí)(記錄)時(shí)的記錄倍速較大。在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的范圍，在假設(shè)基準(zhǔn)功率I^bp為100%的情況下，在上限側(cè)到+10%為止，在下限側(cè)到-15%為止，即相對(duì)于基準(zhǔn)功率I^bp，是從110%到 85%的范圍(將該范圍作為變動(dòng)率幅度)。另一方面，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的范圍，在假設(shè)基準(zhǔn)功率I^bs為100%的情況下，在上限側(cè)到+8%為止，下限側(cè)與功率學(xué)習(xí)區(qū)域同樣到-12%為止，即相對(duì)于基準(zhǔn)功率I^bs，是從108%到88%的范圍。與圖觀的㈧到(C)的情況不同，因?yàn)榛鶞?zhǔn)功率Pbp與Pbs不同(Pbp < I^bs)，所以在本例的情況下，與在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的上限值相比，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的上限值更大。但是，作為記錄功率相對(duì)于基準(zhǔn)功率的變動(dòng)率幅度，上限功率的范圍、下限功率的范圍都是策略學(xué)習(xí)區(qū)域比功率學(xué)習(xí)區(qū)域窄。即，在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度，比在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度小。S卩，將它們的關(guān)系用式子表示為，Kpmax ^ Ksmax 或 Kpmin ^ Ksmin并且(Kpmax-Kpmin) ^ (Ksmax-Ksmin)。在上式中，功率學(xué)習(xí)區(qū)域的基準(zhǔn)功率是“Pbp”，向上限側(cè)的變動(dòng)率(上限功率與基準(zhǔn)功率的比率)是“Kpmax”，向下限側(cè)的變動(dòng)率(下限功率與基準(zhǔn)功率的比率)是“Kpmin”， 策略學(xué)習(xí)區(qū)域的基準(zhǔn)功率是“Pbs”，向上限側(cè)的變動(dòng)率是“Ksmax”，向下限側(cè)的變動(dòng)率是 “Ksmin”。這樣，通過抑制記錄功率的變動(dòng)率幅度，能夠確保在各記錄層上配置于同一半徑位置上的策略學(xué)習(xí)區(qū)域中的透過率平衡，具有能夠確保學(xué)習(xí)的精度的效果。另外，在圖觀所示的例子不過是一個(gè)實(shí)例，上限·下限的范圍(值)也不限定于此。換言之，只要滿足在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度比在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度小(或以下)的條件即可。另外，與圖觀相關(guān)聯(lián)，例如在同一條件(例如，相同記錄倍速、或同一記錄層等) 的情況下，與在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的絕對(duì)值相比，將在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的絕對(duì)值限制得較小(或以下)，即Pbp X Kpmax ^ PbsX Ksmax這種方法，也對(duì)在各記錄層上在同一半徑位置上存在學(xué)習(xí)區(qū)域的策略學(xué)習(xí)區(qū)域有效。限制在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的大小，被層疊的記錄層的個(gè)數(shù)越增加則越有效。如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在各記錄層上策略學(xué)習(xí)區(qū)域存在于同一半徑位置上。因此，越是離激光的入射面深的位置的記錄層上的學(xué)習(xí)時(shí)，越容易受到在比該記錄層淺的位置的記錄層上進(jìn)行了學(xué)習(xí)的策略學(xué)習(xí)區(qū)域的透過率平衡的影響。通過限制在策略學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的大小，能夠抑制在較淺的位置的記錄層上透過率平衡瓦解。這一點(diǎn)記錄層的個(gè)數(shù)越增加則越顯著。本來(lái)，記錄層的個(gè)數(shù)越多則在同一半徑位置上重疊學(xué)習(xí)區(qū)域越不利。盡管如此，在本發(fā)明中將策略學(xué)習(xí)區(qū)域配置在同一半徑位置上。這可以說是將現(xiàn)有沒有意識(shí)到的限制記錄功率的大小作為很大因素來(lái)實(shí)現(xiàn)的。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中，以具備3層記錄層的光盤1為例進(jìn)行了說明，但記錄層并不必需為3層，例如在具備6層或8層記錄層的情況下當(dāng)然也能夠得到相同的效果。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中，以追記型信息記錄介質(zhì)為例進(jìn)行了說明，但應(yīng)用于可改寫的可擦寫型信息記錄介質(zhì)也能夠得到相同的效果。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2中，以各記錄層上的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的大小相同的情況為例，在實(shí)施方式3中以O(shè)PC區(qū)域50的大小相同的情況為例進(jìn)行了說明，但這些區(qū)域的大小也可以按照每個(gè)記錄層而不同。具體來(lái)說，例如也可以與各記錄層的引入?yún)^(qū)域13或引出區(qū)域15等所包含的管理信息區(qū)域(未作圖示)的大小相應(yīng)地，改變功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的大小，或者與作為針對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域14的缺陷塊等的替換區(qū)域等的數(shù)據(jù)區(qū)域14中所具備的備用區(qū)域(未作圖示)的大小相應(yīng)地來(lái)改變等。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中，說明了對(duì)所有記錄層在相同的時(shí)刻上進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的情況，但也可以不必在相同的時(shí)刻進(jìn)行，只要能夠至少在進(jìn)行對(duì)對(duì)象記錄層的記錄之前，進(jìn)行對(duì)象記錄層上的記錄學(xué)習(xí)即可。此外，也可以不必在所有記錄層實(shí)際進(jìn)行學(xué)習(xí)，例如也可以使用如下方法最低在某一個(gè)記錄層上進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)，而對(duì)其他記錄層，通過根據(jù)在某一個(gè)記錄層上的學(xué)習(xí)結(jié)果進(jìn)行運(yùn)算來(lái)求出，從而看作實(shí)施了實(shí)際的學(xué)習(xí)。而且，此時(shí)作為某一個(gè)記錄層的選擇方法，也可以使用如下方法例如選擇記錄學(xué)習(xí)用的區(qū)域(功率學(xué)習(xí)區(qū)域、策略學(xué)習(xí)區(qū)域、OPC區(qū)域)的剩余大小信息最大的記錄層， 或者選擇記錄學(xué)習(xí)用區(qū)域自身的大小最大的記錄層。對(duì)此包含效果詳細(xì)地進(jìn)行說明。如本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3所示，例如在安裝了具有多個(gè)記錄層的光盤1之后，最初從主機(jī)接受了向用戶數(shù)據(jù)區(qū)域14的記錄要求的情況下，若采用對(duì)所有記錄層在相同的時(shí)刻進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的方法，則存在有在該時(shí)刻的記錄學(xué)習(xí)需要大量時(shí)間的缺點(diǎn)。另一方面，存在以下優(yōu)點(diǎn)。·以后，例如即使在正在進(jìn)行連續(xù)記錄時(shí)記錄層改變的情況下等，也不需要進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)，因此能夠?qū)⒆鳛轵?qū)動(dòng)系統(tǒng)的記錄處理性能保持固定。·能夠?qū)⑨槍?duì)所有記錄層的記錄倍速統(tǒng)一為在所有記錄層以在記錄學(xué)習(xí)中成功了的最高的倍速等，因此不需要對(duì)每個(gè)記錄層進(jìn)行不同的記錄倍速管理，能夠簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)控制處理。該手法，針對(duì)如下系統(tǒng)是有效的例如是在記錄開始前能夠在一定程度上確保時(shí)間的余裕的系統(tǒng)，并且是不允許在連續(xù)記錄中記錄處理延遲從而產(chǎn)生記錄數(shù)據(jù)的丟失等的系統(tǒng)，即具有時(shí)刻錄像功能，不允許記錄中途發(fā)生影像丟失的記錄器系統(tǒng)等。另一方面，如上所述，例如在安裝了具有多個(gè)記錄層的光盤1之后，最初從主機(jī)接受了向用戶數(shù)據(jù)區(qū)域14的記錄要求的情況下，也可以考慮只針對(duì)接受了記錄要求的記錄層進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)。在此情況下，在進(jìn)行連續(xù)記錄的情況下，在記錄層變化時(shí)等時(shí)刻，進(jìn)行針對(duì)該記錄層的記錄學(xué)習(xí)，因此具有記錄處理性能根據(jù)情況而變化的缺點(diǎn)。另一方面，存在以下優(yōu)點(diǎn)?！つ軌蚩s短在接受了最初記錄要求的時(shí)點(diǎn)上的記錄學(xué)習(xí)時(shí)間。(能夠縮短針對(duì)記錄要求的最大響應(yīng)時(shí)間)
·因?yàn)閷?duì)不進(jìn)行記錄的記錄層不再實(shí)施記錄學(xué)習(xí)，所以例如在只對(duì)記錄層LO進(jìn)行了用戶數(shù)據(jù)記錄并排放出了光盤1的情況下等，不再在不需要的記錄層上進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)， 能夠最大限度地提高記錄學(xué)習(xí)區(qū)域的使用效率。該手法，針對(duì)例如對(duì)來(lái)自主機(jī)的記錄要求設(shè)置存在有超時(shí)，需要在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行響應(yīng)的PC驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等是有效的。另外，若采用后者的方法，則除了在接受了記錄要求的記錄層上的記錄學(xué)習(xí)之外， 還需要伴隨用戶數(shù)據(jù)記錄被更新的管理信息的記錄。因此，在包含有下次記錄管理信息的管理信息區(qū)域(例如，在DMA或追記型光盤的情況下為TDMA等)的記錄層上的記錄學(xué)習(xí)也可以在相同的時(shí)刻進(jìn)行。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3的(3)中，說明了作為用于識(shí)別能夠使用的位置(即已使用和未使用區(qū)域的位置)的信息，具備與下次能夠使用的位置相關(guān)的信息的方法，除此之外，例如用位圖來(lái)管理已使用區(qū)域和未使用區(qū)域的方法也能夠得到同樣的效果。另外，如同在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中說明的那樣，例如為了實(shí)現(xiàn)在功率學(xué)習(xí)區(qū)域耗盡時(shí)，將策略學(xué)習(xí)區(qū)域的一部分重新分配為功率學(xué)習(xí)區(qū)域的方法，也可以還具備各區(qū)域的最終能夠使用位置(終點(diǎn)位置)信息和剩余大小、使用方向等信息?；蛘撸粢部紤]在使用了功率學(xué)習(xí)區(qū)域之后，使用配置于其他記錄層上的同一半徑位置上的預(yù)備區(qū)域的方法，則下述的方法也很有效當(dāng)作功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域在一個(gè)記錄層上存在多個(gè)，用除了包含下次使用位置信息之外，還包含區(qū)域個(gè)數(shù)個(gè)功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的最前端位置和大小的一覽表形式來(lái)進(jìn)行保持等。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中，說明了功率學(xué)習(xí)區(qū)域與軌道路徑反向，策略學(xué)習(xí)區(qū)域在所有記錄層上同向使用的例子，但這不過是一個(gè)例子。例如，存在由于在功率學(xué)習(xí)區(qū)域中在過大功率下進(jìn)行記錄，從而軌道被破壞的情況。也可以將這種考慮了軌道破壞的學(xué)習(xí)方法作為記錄學(xué)習(xí)處理共通的思想，也應(yīng)用于策略學(xué)習(xí)區(qū)域。這樣一來(lái)，記錄時(shí)的功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域的使用方向，在同一記錄層上為相同方向。例如，在LO層上，功率學(xué)習(xí)區(qū)域和策略學(xué)習(xí)區(qū)域也可以都在從外周側(cè)到內(nèi)周側(cè)的方向，即與軌道路徑相反的方向上使用。或者，也可以為如下的使用方法例如簡(jiǎn)單地，功率學(xué)習(xí)區(qū)域與軌道路徑反向使用，而在大致適合光盤1的記錄功率下被記錄的策略學(xué)習(xí)區(qū)域與軌道路徑同向使用。在此情況下，也能夠?qū)?yīng)功率學(xué)習(xí)區(qū)域中的區(qū)域破壞，并且關(guān)于策略學(xué)習(xí)區(qū)域，即使在策略學(xué)習(xí)中由于介質(zhì)缺陷等而產(chǎn)生了記錄失敗，也能夠接著上一次記錄進(jìn)行重試處理等，得到訪問性能提高的效果，或者針對(duì)學(xué)習(xí)中的記錄在中途失敗且軌道路徑反向使用的情況下而在學(xué)習(xí)區(qū)域中會(huì)混合殘留已記錄區(qū)域和未記錄區(qū)域，對(duì)異常時(shí)的未記錄和已記錄的邊界位置的搜索變得困難這樣的課題，通過在軌道路徑的方向上來(lái)使用，該課題也能夠解決?；蛘?，例如前面雖說明了功率學(xué)習(xí)區(qū)域被破壞的可能性，但根據(jù)介質(zhì)的特性，也存在有這樣的介質(zhì)，即，即使在進(jìn)行了某種程度的高功率下的記錄的情況下，也不會(huì)變成用擺動(dòng)等嵌入的PBA無(wú)法取得的狀態(tài)的介質(zhì)，因此對(duì)功率學(xué)習(xí)區(qū)域也不附加規(guī)格方向的限制， 例如也可以考慮簡(jiǎn)單地，功率學(xué)習(xí)區(qū)域、策略學(xué)習(xí)區(qū)域都與軌道路徑在同一方向上使用的方法。這樣一來(lái)，能夠得到在功率學(xué)習(xí)中和策略學(xué)習(xí)中都使前述訪問性能提高的效果。
此外，在考慮到可擦寫型信息記錄介質(zhì)的情況下，因?yàn)槟軌蚋膶懞碗S機(jī)訪問，所以關(guān)于區(qū)域的使用方法，也可以不必像追記型信息記錄介質(zhì)那樣附加限制，但當(dāng)然也可應(yīng)用與在此說明了的方法相同的使用方法，在此情況下，能夠得到與追記型信息記錄介質(zhì)的情況相同的效果。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中，說明了功率學(xué)習(xí)用的區(qū)域和策略學(xué)習(xí)用的區(qū)域發(fā)生不重疊的情況的例子，但也可以例如透過在策略學(xué)習(xí)中被使用了的區(qū)域來(lái)進(jìn)行功率學(xué)習(xí)。具體來(lái)說，例如在想要進(jìn)行LO層的功率學(xué)習(xí)的情況下，若為L(zhǎng)l 層的相當(dāng)于同一半徑位置的區(qū)域是在一定功率下進(jìn)行記錄的策略學(xué)習(xí)中已使用的區(qū)域的情況，因?yàn)橥高^率的影響較小，所以也可以將LO層的區(qū)域原樣用于功率學(xué)習(xí)。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式3中，假設(shè)光盤1是采用了被稱作逆光道路徑的跟蹤方法的光盤來(lái)進(jìn)行了說明，但例如即使為在所有記錄層上從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)按照升序(或降序)來(lái)分配物理地址的順光道路徑，也能夠得到同樣的效果。(實(shí)施方式4)(1)區(qū)域配置圖21是本發(fā)明的實(shí)施方式4中的，具備3層記錄層的追記型光盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)圖。在光盤1的引入?yún)^(qū)域13中，具備作為分別在每個(gè)記錄層上用于記錄學(xué)習(xí)的各個(gè)區(qū)域的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(L0層為記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60、L1層為記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61、L2層為記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A62)、和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B(L0層為記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B70、Ll層為記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B71、L2 層為記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B72)。記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(L0層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60、Ll層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61、L2層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A6》分別包含在同一半徑位置上重疊的區(qū)域來(lái)配置。此外， 記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B(L0層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B70、Ll層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B71、L2層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B7》也分別包含在同一半徑位置上重疊的區(qū)域來(lái)配置。另外，在此所說的同一半徑位置有時(shí)并不是嚴(yán)格意義上的同一半徑位置。即，是在本發(fā)明的實(shí)施方式1中所說明的同一徑向范圍位置的意思，需要考慮記錄層的貼合誤差、激光特性。記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A是指與在本發(fā)明的實(shí)施方式1中說明了的功率學(xué)習(xí)區(qū)域等相同的區(qū)域，是記錄功率沒有限制，可以在任意的記錄功率下進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)(以后，有時(shí)也將此稱作記錄學(xué)習(xí)A)的區(qū)域。例如，也可以進(jìn)行伴隨階段性改變了記錄功率的模式下的記錄(階段性記錄)的功率學(xué)習(xí)等。在此，記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A包含各記錄層上在同一半徑位置上重疊的區(qū)域來(lái)配置，但因?yàn)槭侨菰S任意功率下的記錄的區(qū)域，所以在進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)時(shí)，激光所通過的其他記錄層的區(qū)域是進(jìn)行了伴隨階段性記錄的功率學(xué)習(xí)的區(qū)域的情況下等，透過率分散，有可能對(duì)學(xué)習(xí)結(jié)果產(chǎn)生障礙。為了防止這種情況，記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A是附加了從配置于離激光的入射側(cè)較遠(yuǎn)的位置上的記錄層開始按順序使用的使用限制的區(qū)域。即，例如在圖21的光盤1的情況下，位于激光的入射側(cè)的記錄層是L2層，配置于較遠(yuǎn)的位置上的記錄層是LO層，因此從 LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60開始按順序使用，在該記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60被用盡了的情況下，按照其次是Ll層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61、再次是L2層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A62的順序來(lái)使用。這樣一來(lái)，能夠使比使用的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A更位于激光入射側(cè)的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A總是保持未使用(未記錄)狀態(tài)，能夠防止透過率分散對(duì)記錄學(xué)習(xí)結(jié)果的影響等。記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B是指，與在本發(fā)明的實(shí)施方式1中說明了的策略學(xué)習(xí)區(qū)域等相同的區(qū)域，是在能夠保證是大致適合光盤1的記錄功率的記錄功率下，換言之，在該功率下進(jìn)行了記錄的區(qū)域的透過率被控制在透過率平衡不瓦解的程度的規(guī)定范圍內(nèi)的記錄功率下， 進(jìn)行記錄(以后，有時(shí)也將此稱作記錄學(xué)習(xí)B)的區(qū)域。例如，為了進(jìn)行脈沖寬度的調(diào)整，也可以固定為通過功率學(xué)習(xí)得到的大致適合光盤1的記錄功率，來(lái)進(jìn)行伴隨使脈沖寬度變動(dòng)后的記錄的策略學(xué)習(xí)等。在此，雖然記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B也包含有各記錄層上在同一半徑位置上重疊的區(qū)域來(lái)配置，但因?yàn)樵搮^(qū)域是在用功率學(xué)習(xí)求出的記錄功率等大致適合光盤1的記錄功率下進(jìn)行記錄的區(qū)域，所以即使使激光通過已記錄的其他記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B來(lái)進(jìn)行記錄，也可以說幾乎不受到基于其他層的記錄狀態(tài)的透過率的影響(能夠抑制到可忽視的程度)，因此與記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A不同，沒有使用順序等的制約。即，無(wú)論其他記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的狀態(tài)如何，都可以在想使用的時(shí)刻使用任意記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B。另外，在圖21中，說明了所有記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A都具備在同一半徑位置上重疊的區(qū)域(配置于同一半徑位置)的例子，但也可以不是所有記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A都具備在同一半徑位置上重疊的區(qū)域。即，雖然圖21所示的區(qū)域配置是能夠在引入?yún)^(qū)域13(或引出區(qū)域15)中最高效地配置記錄學(xué)習(xí)用的區(qū)域的方法，但例如，如圖22所示，只將LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60配置于與其他記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A不同的半徑位置上，雖然記錄學(xué)習(xí)用區(qū)域占領(lǐng)引入?yún)^(qū)域13(或引出區(qū)域15)的比例與圖21的情況相比多少較大，但只要相同地設(shè)置記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的使用順序的限制，則也能夠得到與圖21所示的情況同樣的效果。 另外，關(guān)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B，也與記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A相同，即使不是所有記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B都包含在同一半徑位置上重疊的區(qū)域也能夠得到同樣的效果。(2)區(qū)域的使用方法關(guān)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的使用方法，使用圖21來(lái)更詳細(xì)地進(jìn)行說明。另外，圖21中所示的箭頭表示記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的使用方向(記錄方向)°在同一個(gè)記錄層上，記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B(例如LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B70)都被追記記錄。即，分別向著規(guī)定的方向(例如，記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B都與軌道路徑相反的方向。S卩，在圖21的情況下，LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B70是從盤的外周向內(nèi)周側(cè)的方向)按順序被使用。這種方式如同在本發(fā)明的實(shí)施方式1的(2)區(qū)域的使用方法中說明了的那樣，考慮到了在進(jìn)行伴隨任意功率下的階段性記錄的功率學(xué)習(xí)的階段，因?yàn)樘幱诠β收{(diào)整還沒有完成的狀態(tài)，所以無(wú)法保證在怎樣的功率下進(jìn)行記錄，在非常高的功率下進(jìn)行記錄從而破壞了軌道11的情況也有可能發(fā)生。如上所述，記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A是附加了從配置于離激光的入射側(cè)較遠(yuǎn)(靠里)的位置上的記錄層開始按順序使用的使用限制的區(qū)域。即，例如在圖21的光盤1的情況下，從作為位于離激光的入射側(cè)較遠(yuǎn)(靠里)的位置上的記錄層的LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60開始按順序使用，在該記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60用盡了的情況下，按照其次是Ll層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域 A61，再次是L2層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A62的順序來(lái)使用。另外，在圖21中記載的各記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的使用方向不過是一個(gè)例子，并不限定于此。即，雖然在圖21中，列舉了向著與軌道路徑相反的方向，包含于相同記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B同向使用的例子，但也可以使用如下使用方法例如無(wú)法保證記錄功率的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A向著與軌道路徑相反的方向來(lái)使用，與此相對(duì)，對(duì)于能夠保證在大致適合光盤1的記錄功率下的記錄的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B， 沿著軌道路徑的方向來(lái)使用。在此情況下，存在如下優(yōu)點(diǎn)關(guān)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，也能夠?qū)?yīng)功率學(xué)習(xí)中的區(qū)域破壞，并且關(guān)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B，即使在策略學(xué)習(xí)中由于介質(zhì)缺陷等而產(chǎn)生了記錄失敗，也能夠接著上一次記錄進(jìn)行重試處理等，能夠得到訪問性能提高的效果， 或者，學(xué)習(xí)中的記錄在中途失敗了且與軌道路徑反向使用的情況下，在學(xué)習(xí)區(qū)域中會(huì)混合殘留已記錄區(qū)域和未記錄區(qū)域，存在對(duì)異常時(shí)的未記錄和已記錄的邊界位置的搜索變得困難這樣的課題，對(duì)此，通過沿著軌道路徑的方向上來(lái)使用，該課題也能夠解決。此外，例如， 對(duì)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，在因區(qū)域破壞而產(chǎn)生地址取得失敗的可能性非常低的介質(zhì)的情況下等，也可以全部沿著軌道路徑的方向來(lái)進(jìn)行使用，或者考慮到在本發(fā)明的實(shí)施方式1等中記述了的區(qū)域再分配，記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B也可以對(duì)于所有記錄層在同一方向(例如從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè))上使用。在此，關(guān)于附加了從離激光入射側(cè)較遠(yuǎn)的記錄層開始使用的限制的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域 A的使用方法，使用圖23來(lái)說明其一個(gè)例子。圖23㈧表示即將進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的追記型的光盤1的狀態(tài)。對(duì)使用順序附加了限制的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，假設(shè)LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60正在使用中，使用中的LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60的能夠使用的剩余大小為R塊(簇)，通常用于在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上進(jìn)行的學(xué)習(xí) (例如功率學(xué)習(xí))的大小為L(zhǎng)塊(簇)。在此，通常使用學(xué)習(xí)的大小是指，除了重試等學(xué)習(xí)中的異常之外，學(xué)習(xí)中最低限度要使用的大小(塊數(shù))。在記錄學(xué)習(xí)中使用的大小L比使用中的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(在本圖的情況下為L(zhǎng)O層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60)的剩余大小R少要(小)或等價(jià)(相同大小)的情況下， 在對(duì)象層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(在本圖的情況下為L(zhǎng)O層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60)中從圖中的下次使用開始位置所示的位置開始進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)即可。但是，如圖23所示，在記錄學(xué)習(xí)中使用的大小L比使用中的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(在本圖的情況下為L(zhǎng)O層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60)的剩余大小R要多(要大)的情況下， 僅用對(duì)象層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(在本圖的情況下為L(zhǎng)O層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60)無(wú)法完成記錄學(xué)習(xí)。在這種情況下，雖然也存在這樣的方法只利用可使用的大小，在對(duì)象層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(在本圖的情況下為L(zhǎng)O層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60)上進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)，學(xué)習(xí)所不夠的大小在下一個(gè)能夠使用的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A (在本圖的情況下為L(zhǎng)l層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域 A61)上進(jìn)行的方法，但若在一次記錄學(xué)習(xí)(例如功率學(xué)習(xí))的中途，記錄層發(fā)生改變，則由記錄層的記錄特性的差異所產(chǎn)生的學(xué)習(xí)結(jié)果的偏差或?qū)W習(xí)時(shí)間、學(xué)習(xí)結(jié)果的判斷的方法等會(huì)變得非常復(fù)雜和困難。因此，在這種情況下，如圖23(B)所示，圖中的下次使用開始位置所示的使用中的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(在本圖的情況下為L(zhǎng)O層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60) 的大小R的空閑區(qū)域?qū)⒈划?dāng)作無(wú)法使用的區(qū)域，在下次能夠使用的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(在本圖的情況下，是Ll層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61)上實(shí)施所有需要的大小L的學(xué)習(xí)的方法是很有效的。另外，在此情況下，對(duì)于沒有使用而留下的區(qū)域，既可以原樣保持未使用(未記錄)狀態(tài)，或者也可以在任意的功率 數(shù)據(jù)下記錄不具意義的數(shù)據(jù)來(lái)使其成為已記錄狀態(tài)。
另外，也可能存在有這樣的情況實(shí)際用于記錄學(xué)習(xí)的大小(扇區(qū)數(shù)、或塊數(shù))大于在學(xué)習(xí)實(shí)施前認(rèn)為記錄學(xué)習(xí)所需要的大小的大小L的情況。即，例如也存在有在功率學(xué)習(xí)的處理中，記錄失敗而進(jìn)行重試的情況，在這種情況下，也有可能存在有在1次學(xué)習(xí)中， 使用了比L塊大的大小的區(qū)域的情況。在這種情況下，假定也進(jìn)行重試，一種方法是使學(xué)習(xí)所需要的大小L不是最低限度需要的大小(扇區(qū)數(shù)、或塊數(shù))，而是使其具有余量的大小，或者，另一種方法是使大小L保持最低限度所需要的大小，在由于重試而僅用對(duì)象記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A無(wú)法完成的情況下，在該時(shí)點(diǎn)上，在下次能夠使用的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上，從重試的學(xué)習(xí)開始進(jìn)行。(3)與OPC區(qū)域相關(guān)的信息的準(zhǔn)備方法圖M是與追記型光盤中的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B相關(guān)的信息的例子。 另外，在此，以圖21所示的光盤1的區(qū)域構(gòu)造的情況為例來(lái)進(jìn)行說明。另外，在圖M中，也與本發(fā)明的實(shí)施方式1的(3)相同，是與記錄學(xué)習(xí)相關(guān)的信息的說明，因此以作為在能夠進(jìn)行記錄的時(shí)刻，即在最終化之前的過渡性的時(shí)刻，進(jìn)行互相通訊記錄的信息的TDMS700為例來(lái)進(jìn)行說明。在TDMA中，記錄有TDMS700，其具備作為與缺陷位置或替換記錄相關(guān)的信息的 DFL702等盤管理信息、和包含DFL702的位置信息和與光盤的區(qū)域相關(guān)的位置信息等的 DDS701。DDS701除了具備表示該信息是DDS的標(biāo)識(shí)符710、和作為DFL702被記錄的位置的 DFL位置信息711之外，還具備作為在具備記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的所有記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域 A上的，一個(gè)下次能夠使用的位置信息(指針信息)的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A下次使用位置信息 800(以后，稱作NAPA800)；作為針對(duì)各記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B而存在的下次能夠使用的位置信息(指針信息)的、LO層記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B70用的LO記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B下次使用位置信息801 (以后，稱作L0-NAPB801) ；Ll層記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B71用的Ll記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B下次使用位置信息802(以后，稱作L1-NAPB802)；和L2層記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B70用的L2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B下次使用位置信息803 (以后，稱作L2-NAPB803)。與記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B用的信息不同，對(duì)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，在具備記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的所有記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上只保持一個(gè)信息是因?yàn)椋涗泴W(xué)習(xí)區(qū)域A是附加了從離激光入射側(cè)較遠(yuǎn)的記錄層開始使用的使用順序的限制區(qū)域，因此不需要作為信息保持各記錄層上的開始位置信息。另外，作為構(gòu)成TDMS (DMS)的信息，不一定只有作為盤管理信息的DFL702和包含其位置信息的DDS701。具體來(lái)說，例如，也存在作為盤管理信息，除了 DFL702之外還包含作為表示光盤1中的數(shù)據(jù)區(qū)域14中的軌道(SRR)的配置或使用狀態(tài)的信息的SRRI，和表示在隨機(jī)記錄時(shí)使用的記錄未記錄狀態(tài)的SBM等信息的情況。另外，DFL702和DDS701不一定連續(xù)記錄。S卩，例如，在存在以前記錄在TDMA中的 DFL702，并且該信息不需要更新，只有DDS701內(nèi)的數(shù)據(jù)產(chǎn)生了更新的必要的情況下等，也有可能存在如下情況作為DFL位置信息711，以指示以前記錄了的DFL702的位置的形式， 只記錄DDS701。圖25是關(guān)于在圖M中說明了的下次使用位置信息的說明圖。對(duì)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，在具備記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的所有記錄層上的NAPA800如圖25 所示，指示了 Ll層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61的中途的位置的情況下，LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60被全部用盡(沒有留下能夠使用的大小的區(qū)域)，并且對(duì)于從內(nèi)周向著外周側(cè)來(lái)使用的Ll 層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61，從記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61的內(nèi)周側(cè)邊界位置開始到NAPA800所示的位置的前面為止已使用，在進(jìn)行下一次的使用了記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的學(xué)習(xí)的情況下，表示以 NAPA800所示的位置為最前端，向著外周側(cè)的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61能夠被使用。對(duì)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B，因?yàn)闆]有使用順序等的限制，所以對(duì)于從外周向著內(nèi)周側(cè)來(lái)使用的LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B70、和L2層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B72，表示分別從記錄學(xué)習(xí)區(qū)域 B70的外周側(cè)邊界位置開始到L0-NAPB801所示的位置的前面為止，從記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B72的外周側(cè)邊界位置開始到L2-NAPB803所示的位置的前面為止，為已使用，此外對(duì)于從內(nèi)周向著外周側(cè)來(lái)使用的Ll層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B71，表示從記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B71的內(nèi)周側(cè)邊界位置開始到L1-NAPB802所示的位置的前面為止為已使用。這樣，對(duì)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B，若光盤1所具備的記錄層發(fā)生增減，則需要的信息的個(gè)數(shù)也相應(yīng)地增減，但對(duì)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，即使記錄層發(fā)生增減，需要的信息的個(gè)數(shù)不變也保持為一個(gè)即可。另外，這些下次使用位置信息，例如用作為光盤1中的位置信息的PBA等來(lái)表示。(4)記錄再生裝置圖沈表示與本發(fā)明的實(shí)施方式4中的進(jìn)行對(duì)光盤1的記錄再生的光盤記錄再生裝置100相關(guān)的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實(shí)施方式4中的光盤記錄再生裝置100，除了構(gòu)成記錄學(xué)習(xí)部151的記錄學(xué)習(xí)部A157和記錄學(xué)習(xí)部B158之外，與在本發(fā)明的實(shí)施方式1的中使用圖9說明了的裝置相同，因此對(duì)于相同的部分省略在此的說明。記錄學(xué)習(xí)部A157是控制記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A中的記錄學(xué)習(xí)(記錄學(xué)習(xí)A)的模塊，對(duì)伴隨階段性記錄的功率學(xué)習(xí)這種任意記錄功率下的記錄學(xué)習(xí)進(jìn)行控制。記錄學(xué)習(xí)部B158是控制記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B中的記錄學(xué)習(xí)(記錄學(xué)習(xí)B)的模塊，對(duì)如下這種能夠保證是適合光盤1的記錄功率的范圍內(nèi)的功率下的記錄學(xué)習(xí)進(jìn)行控制進(jìn)行脈沖寬度的調(diào)整的策略學(xué)習(xí)，或在能夠保證是大致適合光盤1的記錄功率的(記錄后的透過率控制在規(guī)定的范圍內(nèi))范圍內(nèi)使其增加·減少后的功率等下進(jìn)行記錄，來(lái)進(jìn)行最合適功率的微調(diào)整的容限確認(rèn)。(5)記錄學(xué)習(xí)方法對(duì)針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式4中的光盤1的記錄學(xué)習(xí)方法進(jìn)行說明。首先，能夠在任意的記錄功率下進(jìn)行記錄的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，是從離激光的入射側(cè)較遠(yuǎn)的記錄層開始按順序使用的區(qū)域，是能夠進(jìn)行伴隨使功率階段性變化的階段性記錄的功率學(xué)習(xí)等的區(qū)域。記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A與其他記錄層以包含同一半徑位置的方式重疊配置， 但因?yàn)閺碾x激光的入射側(cè)較遠(yuǎn)的記錄層開始按順序使用，所以即使進(jìn)行了過大的記錄功率等下的記錄，也因?yàn)椴淮嬖诒绕涓h(yuǎn)(里側(cè))的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，或者能夠保證已經(jīng)使用，所以不會(huì)對(duì)其他記錄層上的記錄學(xué)習(xí)結(jié)果產(chǎn)生影響。但是，例如在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)的情況下，無(wú)法在所有記錄層上且在相同的時(shí)刻進(jìn)行使用了記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的功率學(xué)習(xí)，只能在某一個(gè)記錄層上進(jìn)行功率學(xué)習(xí)。因此，在除了實(shí)際進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)的記錄層之外的記錄層上，無(wú)法實(shí)施功率學(xué)習(xí)來(lái)求出適合光盤1上的該記錄層的記錄功率。
作為針對(duì)此問題的一個(gè)方法，通過使用某一個(gè)記錄層上的記錄學(xué)習(xí)(功率學(xué)習(xí)) 結(jié)果、和在盤制造時(shí)預(yù)先記錄在引入?yún)^(qū)域或引出區(qū)域的控制區(qū)域(或者稱作物理管理信息區(qū)域)(未作圖示)內(nèi)的推薦記錄功率，來(lái)解決該問題。在光盤1中存在被稱作控制區(qū)域(在BD盤的情況下為PIC(Permanent Information & Control data)區(qū)域)等的、在盤制造時(shí)預(yù)先嵌入了與該光盤1相關(guān)的各種參數(shù)的區(qū)域，例如，其中也嵌入了和與該光盤1中的各記錄層、或各記錄倍速相應(yīng)的推薦記錄功率和推薦策略等相關(guān)的信息等。因此，本來(lái)若用存在于該控制區(qū)域內(nèi)的推薦記錄功率和推薦策略來(lái)進(jìn)行記錄則也可以不進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)等，但實(shí)際上由于對(duì)光盤1進(jìn)行記錄時(shí)的溫度和濕度、光盤記錄再生裝置100中的照射激光的光頭120的個(gè)體差異、和附著于光頭 120或光盤1上的塵埃或污垢等，在實(shí)際進(jìn)行記錄時(shí)，適合記錄的記錄功率或記錄脈沖寬度不一定與嵌入到控制區(qū)域中的記錄功率等一致，因此實(shí)際在該光盤記錄再生裝置100中使用光盤時(shí)，要進(jìn)行功率學(xué)習(xí)或策略學(xué)習(xí)這種記錄學(xué)習(xí)。但是，如上所述，實(shí)際進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的目的在于，與適合進(jìn)行記錄時(shí)的各種環(huán)境的狀態(tài)一致，可以說光盤1的每個(gè)記錄層的記錄特性不會(huì)產(chǎn)生變化。即，在某一個(gè)記錄層上實(shí)際進(jìn)行功率學(xué)習(xí)，并求出用功率學(xué)習(xí)求出的記錄功率、和嵌入光盤1的控制區(qū)域中的推薦記錄功率的差異(變化率)，通過使用該變化率和沒能實(shí)際進(jìn)行功率學(xué)習(xí)的其他記錄層上的推薦記錄功率(例如相乘)，并通過運(yùn)算來(lái)計(jì)算出適合沒能實(shí)際進(jìn)行功率學(xué)習(xí)的其他記錄層的記錄功率，能夠求出與在該記錄層上實(shí)際進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)同等程度的大致合適的記錄功率。并且，通過使用像這樣求出的記錄功率，并使用雖然記錄功率有限制但使用順序沒有限制的各記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B來(lái)進(jìn)行用于策略學(xué)習(xí)或功率微調(diào)整的容限確認(rèn)等，來(lái)確定適合在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上實(shí)際進(jìn)行了功率學(xué)習(xí)的記錄層以外的記錄層的記錄功率或記錄脈沖寬度(記錄策略)這種記錄參數(shù)。使用圖27所示的流程圖來(lái)說明上述說明的方法。步驟2701 取得記錄學(xué)習(xí)所需要的信息。具體來(lái)說，系統(tǒng)控制部150中的再生控制部156，將最新的DMS700所包含的最新的DDS701從光盤1的TDMA讀出到存儲(chǔ)器170中， 并且將物理管理信息(PIC等信息)從控制區(qū)域讀出到存儲(chǔ)器170中。并且，在以前用該光盤記錄再生裝置100實(shí)施的學(xué)習(xí)結(jié)果(學(xué)習(xí)履歷記錄)保留在記錄學(xué)習(xí)對(duì)象的光盤1的驅(qū)動(dòng)固有信息區(qū)域(也稱作Drive Area)等中的情況下，也讀出該信息。然后，訪問位置管理部巧4根據(jù)讀出的最新的DDS701，取得作為記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的下次能夠使用的位置信息的NAPA800、和各記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B中的下次能夠使用的位置信息(L0-NAPB801、 L1-NAPB802、L2-NAPB803)，并且記錄學(xué)習(xí)部151根據(jù)物理管理信息，取得與即將實(shí)施的記錄學(xué)習(xí)條件一致的記錄參數(shù)(例如，在與NAPA800所指示的位置相當(dāng)?shù)挠涗泴由?，與進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的倍速相當(dāng)?shù)耐扑]記錄功率等信息)。在此，記載為最新的DDS701是表示，因?yàn)門DMA 是管理信息過渡性地被更新的區(qū)域，所以取得該區(qū)域所包含的DMS700中最新的一個(gè)所包含的 DDS701。步驟2702 在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上實(shí)施記錄學(xué)習(xí)A (例如功率學(xué)習(xí))。具體來(lái)說，訪問位置管理部巧4確定以與NAPA800所指示的位置相當(dāng)?shù)挠涗泴覮n(η是層號(hào)，是0以上的正數(shù))的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(例如，在圖25這種情況下，因?yàn)棣ˇ宝?00指示記錄層Ll的位置， 所以η是1，是記錄層Ll中的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域Α61)的ΝΑΡΑ800所指示的位置為基準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行功率學(xué)習(xí)的最前端位置，記錄學(xué)習(xí)部Α157判斷與對(duì)象記錄層 記錄倍速等相應(yīng)的激光照射功
34率(例如，用于進(jìn)行階段性記錄的多種模式的激光功率等)并設(shè)定到激光控制部130，并且將規(guī)定的策略(例如，記載在控制區(qū)域中的策略)設(shè)定到記錄補(bǔ)償電路140中，針對(duì)由訪問控制部IM計(jì)算出的進(jìn)行功率學(xué)習(xí)的最前端位置，使用機(jī)械控制部160使光頭120移動(dòng)來(lái)進(jìn)行記錄，并根據(jù)進(jìn)行了記錄的區(qū)域的記錄品質(zhì)(例如，調(diào)制度或BER)來(lái)求出最合適記錄功率(例如，多種模式的激光功率中調(diào)制度最接近期待值的功率)。然后，與在功率學(xué)習(xí)中使用了的部分相應(yīng)地，更新存儲(chǔ)器170內(nèi)的與DDS701相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)中的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A下次使用位置信息(NAPA) 800。另外，如同在本發(fā)明的實(shí)施方式4的⑵中使用圖23說明的那樣，根據(jù)NAPA800 所指示的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的能夠使用大小，不一定在NAPA800所指示的記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上進(jìn)行功率學(xué)習(xí)。另外，若萬(wàn)一功率學(xué)習(xí)時(shí)的記錄失敗了的情況下，也可以以進(jìn)行了上一次記錄的位置為基準(zhǔn)，再次用訪問位置管理部1 求出訪問位置，并作為重試再次反復(fù)實(shí)施本步驟 2702。步驟2703 計(jì)算功率變化率。具體來(lái)說，記錄學(xué)習(xí)部151將讀出到存儲(chǔ)器170中的記錄層Ln中的控制區(qū)域的推薦記錄功率(假設(shè)為Pwi)、和在步驟2702中得到的最合適記錄功率(假設(shè)為Pwo)的功率變化率2700(例如Pwo/Pwi的值)保存到存儲(chǔ)器170中。另外，此時(shí)，在功率變化率2700不在規(guī)定的范圍內(nèi)(例如，95% 100%的范圍)的情況下，也可以判斷得到的功率不是適合光盤1的功率，并作為重試從步驟2702開始重新進(jìn)行。另外，功率變化率2700也可以不必是將Pwo除以Pwi之后的值，只要是表明功率變化率的值則什么樣的值都可以。步驟2704:在進(jìn)行了使用了記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的學(xué)習(xí)的記錄層Ln的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B 上實(shí)施記錄學(xué)習(xí)B(策略學(xué)習(xí)、容限確認(rèn)等。以下，假設(shè)在記錄學(xué)習(xí)B中進(jìn)行策略學(xué)習(xí)來(lái)進(jìn)行說明。)。具體來(lái)說，訪問位置管理部巧4確定以作為在步驟2702中進(jìn)行了使用了記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的學(xué)習(xí)的記錄層Ln上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的下次使用位置信息的Ln-NAPB (例如， 在NAPA800為圖25這種情況下，是作為與進(jìn)行了記錄學(xué)習(xí)A(功率學(xué)習(xí))的Ll記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B71相關(guān)的下次使用位置信息的Ll-NAPBSO》所指示的位置為基準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行策略學(xué)習(xí)的最前端位置，記錄學(xué)習(xí)部B158將用步驟2702中的功率學(xué)習(xí)求出的最合適記錄功率設(shè)定到激光控制部130，并且將策略(例如，多種模式的策略)設(shè)定到記錄補(bǔ)償電路140， 針對(duì)由訪問控制部1 計(jì)算出的進(jìn)行策略學(xué)習(xí)的最前端位置，使用機(jī)械控制部160使光頭 120移動(dòng)來(lái)進(jìn)行記錄，并根據(jù)進(jìn)行了記錄的區(qū)域的記錄品質(zhì)(例如，調(diào)制度或相位誤差)來(lái)求出最合適的記錄策略(例如，多種模式的策略條件中相位誤差最小的策略)。然后，與在策略學(xué)習(xí)中使用了的部分相應(yīng)地，更新存儲(chǔ)器170內(nèi)的與DDS701相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)中的Ln記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B下次使用位置信息(在η為1(記錄層Li)的情況下，是L1-NAPB802)。另外，若萬(wàn)一策略學(xué)習(xí)時(shí)的記錄失敗了的情況下，也可以以進(jìn)行了上一次記錄的位置為基準(zhǔn)，再次通過訪問位置管理部1 求出訪問位置，并作為重試再次反復(fù)實(shí)施本步驟 2704。步驟2705 對(duì)除了在步驟2704中進(jìn)行了記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的記錄層(Ln層)之外的所有記錄層Lm(m是層號(hào)，是η興m的0以上的正數(shù))反復(fù)進(jìn)行后述的從步驟2706到步驟2707的處理(記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B上的記錄學(xué)習(xí)處理)。例如，在圖25所示的狀態(tài)的光盤1
35的情況下，因?yàn)槭褂昧擞涗泴W(xué)習(xí)區(qū)域A的記錄學(xué)習(xí)A (功率學(xué)習(xí))在記錄層5 (Li層)上被實(shí)施，所以步驟2704中的記錄學(xué)習(xí)B也處于在Ll層上被實(shí)施的狀態(tài)。因此，對(duì)除了該記錄層之外的記錄層3 (L0層)和記錄層7 (L2層)來(lái)反復(fù)進(jìn)行。步驟2706 求出記錄層Lm上的最合適記錄功率。具體來(lái)說，記錄學(xué)習(xí)部151，通過將在步驟2703中計(jì)算出的功率變化率2700、和讀出到存儲(chǔ)器170中的記錄層Lm上的控制區(qū)域的推薦記錄功率相乘，來(lái)求出記錄層Lm上的最合適記錄功率(嚴(yán)密來(lái)說，因?yàn)槭怯眠\(yùn)算求出的，所以是大致合適的記錄功率)。步驟2707 在記錄層Lm的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B上實(shí)施記錄學(xué)習(xí)B (策略學(xué)習(xí)、容限確認(rèn)等。以下，假設(shè)在記錄學(xué)習(xí)B中進(jìn)行策略學(xué)習(xí)來(lái)進(jìn)行說明。)。具體來(lái)說，訪問位置管理部巧4確定以作為記錄層Lm上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的下次使用位置信息的Lm-NAPB (例如， 在m為0 (記錄層L0)的情況下，是作為與記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B70相關(guān)的下次使用位置信息的 L0-NAPB801)所指示的位置為基準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行策略學(xué)習(xí)的最前端位置，記錄學(xué)習(xí)部B158將在步驟2706中求出的最合適記錄功率設(shè)定到激光控制部130，并且將策略(例如，多種模式的策略)設(shè)定到記錄補(bǔ)償電路140，針對(duì)由訪問控制部IM計(jì)算出的進(jìn)行策略學(xué)習(xí)的最前端位置，使用機(jī)械控制部160使光頭120移動(dòng)來(lái)進(jìn)行記錄，并根據(jù)進(jìn)行了記錄的區(qū)域的記錄品質(zhì)(例如，調(diào)制度或相位誤差)來(lái)求出最合適的記錄策略(例如，多種模式的策略條件中相位誤差最小的策略)。然后，與在策略學(xué)習(xí)中使用了的部分相應(yīng)地，更新存儲(chǔ)器170內(nèi)的與 DDS701相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)中的Lm記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B下次使用位置信息(在m為0(記錄層L0)的情況下，是 L0-NAPB801)。另外，若萬(wàn)一策略學(xué)習(xí)時(shí)的記錄失敗了的情況下，也可以以進(jìn)行了上一次記錄的位置為基準(zhǔn)，再次用訪問位置管理部1 來(lái)求出訪問位置，并作為重試再次反復(fù)實(shí)施本步驟 2707。步驟2708 對(duì)除了在步驟2704中進(jìn)行了記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的記錄層Ln之外的所有記錄層Lm反復(fù)進(jìn)行前述的從步驟2706到步驟2707的處理。在存在記錄學(xué)習(xí)沒有完成的記錄層的情況下，返回步驟2705。在除了在步驟2704中在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上進(jìn)行了學(xué)習(xí)的記錄層之外的所有記錄層上的記錄學(xué)習(xí)完成了的情況下，進(jìn)入步驟2709。步驟2709 記錄學(xué)習(xí)完成后，在TDMA中記錄(更新)最新的管理信息。具體來(lái)說，系統(tǒng)控制部150使用記錄控制部155，將保存在存儲(chǔ)器170中的、與包含在上述步驟 2702、步驟2704、步驟2707中被更新了的新的下次使用位置信息的DDS相當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)作為新的TDMS700，追加記錄到TDMA中。另外，在該時(shí)刻(實(shí)際上，因?yàn)镈DS701也包含表示Drive Area的使用位置的指針信息，所以是TDMA (DDS701)的更新之前的時(shí)刻)上，根據(jù)需要，也可以將光盤記錄再生裝置100所實(shí)施的學(xué)習(xí)結(jié)果(學(xué)習(xí)履歷記錄)記錄到記錄學(xué)習(xí)對(duì)象的光盤1的驅(qū)動(dòng)固有信息區(qū)域(稱作Drive Area)中。另外，管理信息更新也可以不必在記錄學(xué)習(xí)后的時(shí)刻進(jìn)行，只要在光盤1從光盤記錄再生裝置100被排放出為止的期間實(shí)施即可。到此記錄學(xué)習(xí)處理完成。像這樣，通過在管理信息(DDS701)中包含記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B中的下次能夠使用的位置(指針)信息，不再需要在每次進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)時(shí)進(jìn)行下次能夠使用的位置的搜索，能夠在上述步驟2701中由訪問位置管理部巧4高效地求出記錄學(xué)習(xí)位置，因此記錄學(xué)習(xí)處理整體的處理效率也提高(能夠縮短記錄學(xué)習(xí)所需時(shí)間)。特別是，對(duì)于記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A，因?yàn)閺碾x激光的入射側(cè)較遠(yuǎn)的記錄層開始按順序使用，所以若想要實(shí)際搜索下次能夠使用的位置，則最壞有可能產(chǎn)生對(duì)所有記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的訪問，因此通過用一個(gè)指針信息來(lái)對(duì)所有記錄層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A進(jìn)行管理，能夠更加發(fā)揮效果。因?yàn)橛涗泴W(xué)習(xí)區(qū)域B存在是進(jìn)行大致適合光盤1的記錄功率下的記錄的區(qū)域的限制，所以至少需要在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上的記錄學(xué)習(xí)A(功率學(xué)習(xí))被實(shí)施后使用，實(shí)際上，針對(duì)進(jìn)行這些區(qū)域中的學(xué)習(xí)的記錄學(xué)習(xí)部151(記錄學(xué)習(xí)部A157和記錄學(xué)習(xí)部158)，利用系統(tǒng)控制部150來(lái)控制學(xué)習(xí)實(shí)施的順序。另外，在上述圖27的說明中，系統(tǒng)控制部150定位于進(jìn)行包含記錄學(xué)習(xí)中的一系列處理步驟的整體控制，記錄學(xué)習(xí)部151 (記錄學(xué)習(xí)部A157和記錄學(xué)習(xí)部B158)定位于實(shí)施記錄學(xué)習(xí)中的功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)等的學(xué)習(xí)動(dòng)作的處理部來(lái)進(jìn)行了說明，但只要存在實(shí)現(xiàn)與上述步驟相當(dāng)?shù)奶幚?功能)的手段，則當(dāng)然能夠得到同樣的效果。即，例如既可以由記錄學(xué)習(xí)部151來(lái)進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)整體控制，也可以由一個(gè)手段來(lái)實(shí)現(xiàn)多個(gè)步驟(功能)。另外，也可以使步驟2705中的在記錄層Lm(m是層號(hào)，是η興m的0以上的正數(shù)) 上進(jìn)行處理的處理判定條件，變?yōu)閷?duì)也包含η = m的記錄層的所有記錄層實(shí)施處理，并去掉進(jìn)行使用了實(shí)施了記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的記錄層Ln上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的學(xué)習(xí)的步驟2704，統(tǒng)一為從步驟2706到步驟2707的處理來(lái)實(shí)施。另外，例如在以前用該光盤記錄再生裝置100所實(shí)施的學(xué)習(xí)結(jié)果(學(xué)習(xí)履歷記錄) 保留在記錄學(xué)習(xí)對(duì)象的光盤1的驅(qū)動(dòng)固有信息區(qū)域(也稱作Drive Area)等中的情況下， 也可以采用將步驟2702中的功率學(xué)習(xí)時(shí)的策略初始值保留在學(xué)習(xí)履歷記錄中的策略。或者，在存在學(xué)習(xí)履歷記錄的情況下，也可以進(jìn)行不實(shí)施如下步驟等的控制在進(jìn)行了使用記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的記錄學(xué)習(xí)(功率學(xué)習(xí))的記錄層上所進(jìn)行的記錄學(xué)習(xí)B (策略學(xué)習(xí)等)的步驟2704、或者所有與記錄學(xué)習(xí)B相關(guān)的步驟2704和步驟2707?；蛘?，在學(xué)習(xí)履歷記錄中保留以前求出的與功率變化率2700相當(dāng)?shù)男畔⒒蚺c其關(guān)聯(lián)的信息(例如，以前的學(xué)習(xí)實(shí)施時(shí)的溫度信息等)，并且進(jìn)行本次記錄學(xué)習(xí)時(shí)的條件滿足保留在學(xué)習(xí)履歷記錄中的條件的情況下，也可以進(jìn)行跳過步驟2702中的在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上的記錄學(xué)習(xí)A的控制。另外，雖然在步驟2705中，記載了對(duì)除了 Ln層之外的所有記錄層實(shí)施記錄學(xué)習(xí)B， 但只要至少在對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域14或引入?yún)^(qū)域13等的管理信息區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的記錄層上實(shí)施了記錄學(xué)習(xí)B即可，也可以不必對(duì)所有記錄層都實(shí)施。另外，在所有記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A上，能夠進(jìn)行新的學(xué)習(xí)的空閑區(qū)域用盡了(耗盡了)的時(shí)點(diǎn)上，因?yàn)樵摴獗P1無(wú)法進(jìn)行新的記錄學(xué)習(xí)，所以當(dāng)作記錄禁止來(lái)對(duì)待。 同樣，在步驟2704和步驟2707中需要進(jìn)行使用了記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B的記錄學(xué)習(xí)B (策略學(xué)習(xí)等)的情況下，在對(duì)象層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B上，能夠進(jìn)行新的學(xué)習(xí)的空閑區(qū)域用盡了(耗盡了)的時(shí)點(diǎn)上，該光盤1(嚴(yán)密來(lái)說，至少是對(duì)象記錄層)無(wú)法進(jìn)行新的記錄學(xué)習(xí)，因此當(dāng)作記錄禁止來(lái)對(duì)待。另外，在以前用該光盤記錄再生裝置100在對(duì)象記錄層上實(shí)施的學(xué)習(xí)結(jié)果(學(xué)習(xí)履歷記錄)保留在光盤1的驅(qū)動(dòng)固有信息區(qū)域(也稱作Drive Area)等中的情況下，即，在進(jìn)行使用了履歷記錄信息的學(xué)習(xí)的情況下，在對(duì)該記錄層的記錄功率能夠當(dāng)作是能夠保障的記錄功率的情況等、用記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B上的記錄學(xué)習(xí)能夠進(jìn)行調(diào)整的情況下等，只要在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B中殘留有能夠使用的區(qū)域，則雖然記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A已經(jīng)耗盡，但也可以不必當(dāng)作記錄禁止來(lái)對(duì)待。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式4中，以追記型光盤為例進(jìn)行了說明，但也可以將同樣的觀點(diǎn)應(yīng)用于可擦寫型光盤。即，用如下形式，也能夠得到與上述相同的效果各記錄層都具備記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A和記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B，記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A從離激光入射側(cè)較遠(yuǎn)的記錄層(例如，LO層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A60)開始使用，設(shè)置了在判斷該記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A由于循環(huán)劣化等而無(wú)法使用的情況下等，使用下一個(gè)記錄層上的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A(例如，Ll層的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A61)的限制，并且記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B在大致適合光盤1的記錄功率下進(jìn)行記錄。但是，在可擦寫型光盤的情況下，因?yàn)橛涗泴W(xué)習(xí)區(qū)域也是可擦寫的區(qū)域，所以只要是在記錄學(xué)習(xí)區(qū)域內(nèi)，則在任意的場(chǎng)所進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)都可以。因此，在可擦寫型光盤的情況下， 雖然也可以不保持下次使用位置信息(NAPA800或L0-NAPB801等)，但為了對(duì)記錄學(xué)習(xí)區(qū)域 A的使用順序附加限制，需要保持下次能夠使用的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A的位置信息(物理地址、 或記錄層番號(hào)等)。(實(shí)施方式5)<主要參數(shù)>作為本發(fā)明所能夠適用的記錄介質(zhì)的一個(gè)例子，存在藍(lán)光盤(BD)和其他規(guī)格的光盤。以下，關(guān)于BD進(jìn)行說明。在BD中，根據(jù)記錄膜的特性，存在再生專用型的BD-R0M，追記記錄型· 一次寫入型的BD-R，擦寫記錄型的BD-RE等類型，本發(fā)明能夠適用于BD或其他規(guī)格的光盤中的、R(追記型 一次寫入型)、RE(擦寫型)的任意一種類型的記錄介質(zhì)。關(guān)于藍(lán)光盤的主要光學(xué)常數(shù)和物理格式，在“藍(lán)光盤讀本”(Ohmsha出版)和藍(lán)光協(xié)會(huì)的主頁(yè) (http//www. blu-raydisc. com/)所刊登的白皮書中公開。在BD中，使用波長(zhǎng)為約405nm (若相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)值405nm，誤差范圍的容許值為士 5nm，則為400 410nm)的激光和數(shù)值孔徑(NA =Numerical Aperture)為約0. 85 (若相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)值0.85，誤差范圍的容許值為士0.01，則為0.84 0.86)的物鏡。BD的軌道間距為約0. 32 μ m (若相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)值0. 320 μ m,誤差范圍的容許值為士 0. 010 μ m，則為0. 310 0. 330 μ m)，并設(shè)有1層或2層記錄層。記錄層的記錄面是激光入射側(cè)的單面1層或單面2 層的結(jié)構(gòu)，從BD的保護(hù)層的表面到記錄面的距離是75 μ m 100 μ m。記錄信號(hào)的調(diào)制方式是使用17PP調(diào)制，被記錄的標(biāo)記的最短標(biāo)記(2T標(biāo)記T是基準(zhǔn)時(shí)鐘的周期(通過規(guī)定的調(diào)制規(guī)則來(lái)記錄標(biāo)記的情況下的調(diào)制的基準(zhǔn)周期))的標(biāo)記長(zhǎng)度是0. 149口111(或0· 138 μ m)(信道比特長(zhǎng):T是74. 50nm (或69. OOnm))。記錄容量為單面單層25GB (或27GB)(更詳細(xì)來(lái)說，是25. 025GB (或27. 020GB))，或者單面2層50GB (或 54GB)(更詳細(xì)來(lái)說，是 50. 050GB (或 54. 040GB))。信道時(shí)鐘頻率在標(biāo)準(zhǔn)速度(BDlx)的傳輸速率下是66MHz (信道比特率 66. 000Mbit/s)，在4倍速(BD4x)的傳輸速率下是^4MHz (信道比特率沈4. 000Mbit/s)，在 6倍速(BD6x)的傳輸速率下是396MHz (信道比特率396. 000Mbit/s)，在8倍速(BD8x)的傳輸速率下是528MHz (信道比特率528. 000Mbit/s)。標(biāo)準(zhǔn)線速度(基準(zhǔn)線速度、Ix)是4. 917m/sec (或4. 554m/sec)。2倍Qx)、4倍 (4x)、6 倍(6x)和 8 倍(8x)的線速度分別是 9. 834m/sec、19. 668m/sec、29. 502m/sec 和 39. 336m/sec0比標(biāo)準(zhǔn)線速度高的線速度，一般來(lái)說是標(biāo)準(zhǔn)線速度的正的整數(shù)倍。但是，不限于整數(shù)，也可以是正的實(shí)數(shù)倍。此外，也可以定義0.5倍(0. 5x)等，比標(biāo)準(zhǔn)線速度慢的線速度。另外，上述是關(guān)于已經(jīng)商品化了的、主要是每1層約25GB(或約27GB)的1層或2 層的BD的說明。作為進(jìn)一步的大容量化，使每1層的記錄容量為約32GB或約33. 4GB的高密度的BD、和使層數(shù)為3層或4層的BD也正在被研究，以后，關(guān)于這些也進(jìn)行說明?！凑{(diào)制〉接下來(lái)，對(duì)記錄信號(hào)的調(diào)制方式進(jìn)行說明。在將數(shù)據(jù)(原始的源數(shù)據(jù)/調(diào)制前的二進(jìn)制數(shù)據(jù))記錄到記錄介質(zhì)中的情況下， 數(shù)據(jù)被分割為規(guī)定的大小，并且被分割為規(guī)定的大小后的數(shù)據(jù)被分割為規(guī)定長(zhǎng)度的幀，并對(duì)每個(gè)幀插入規(guī)定的同步碼/同步碼序列(幀同步區(qū)域)。被分割為幀之后的數(shù)據(jù)，作為按照與記錄介質(zhì)的記錄再生信號(hào)特性一致的規(guī)定的調(diào)制規(guī)則被調(diào)制后的數(shù)據(jù)碼序列被用以進(jìn)行記錄(幀數(shù)據(jù)區(qū)域)。在此，作為調(diào)制規(guī)則，也可以用標(biāo)記長(zhǎng)度受到限制的RLL(Run Length Limited)編碼方式等，在表示為RLL(d，k)的情況下，表示出現(xiàn)在1與1之間的0，最小為d個(gè)，最大為k 個(gè)(d和k是滿足d<k的自然數(shù))。例如，在d= l，k = 7的情況下，若假設(shè)T為調(diào)制的基準(zhǔn)周期，則成為最短為2T、最長(zhǎng)為8T的記錄標(biāo)記和空白。此外，也可以采用在RLL (1，7)調(diào)制中又加上了如下(1) (2)的特征的 1-7PP調(diào)制。1-7PP 的“PP”是Parity preserve/Prohibit Repeated Minimum Transition Length 的簡(jiǎn)禾爾，(1)作為第一個(gè) P 的 Parity preserve,表示調(diào)制前的源數(shù)據(jù)比特的“1”的個(gè)數(shù)的奇偶(即Parity)、和與其對(duì)應(yīng)的調(diào)制后比特模式的“1”的個(gè)數(shù)的奇偶一致，(2)作為后面的P的Prohibit Repeated Minimum Transition Length，表示對(duì)調(diào)制后的記錄波形上的最短標(biāo)記和空白的反復(fù)次數(shù)進(jìn)行限制(具體來(lái)說， 將2T的反復(fù)次數(shù)限制為最大6次)的機(jī)制。<幀同步模式>另一方面，因?yàn)榍笆鲆?guī)定的調(diào)制規(guī)則不適用于插入到幀間的同步碼/同步碼序列，所以能夠使其包含被該調(diào)制規(guī)則約束的碼長(zhǎng)以外的模式。因?yàn)樵撏酱a/同步碼序列決定對(duì)記錄的數(shù)據(jù)進(jìn)行再生時(shí)的再生處理時(shí)刻，所以也可以包含如下模式。從使得與數(shù)據(jù)碼序列的識(shí)別變得容易的角度，也可以使其包含在數(shù)據(jù)碼序列中不出現(xiàn)的模式。例如，比數(shù)據(jù)碼序列所包含的最長(zhǎng)標(biāo)記/空白更長(zhǎng)的標(biāo)記或空白、或者該標(biāo)記和空白的反復(fù)。在調(diào)制方式為1-7調(diào)制的情況下，標(biāo)記和空白的長(zhǎng)度被限制為2T 8T，因此是比8T長(zhǎng)的9T以上的標(biāo)記或空白(9TM和/或9TS)或9T標(biāo)記/空白的反復(fù)(9T/9T)等。從使得同步鎖定(lock-up)等處理變得容易的角度來(lái)看，也可以使其包含產(chǎn)生較多標(biāo)記/空白的轉(zhuǎn)移(零交叉點(diǎn))的模式。例如，數(shù)據(jù)碼序列所包含的標(biāo)記/空白內(nèi)，比較短的標(biāo)記或空白、或該標(biāo)記和空白的反復(fù)。在調(diào)制方式是1-7調(diào)制方式的情況下，是最短的 2T的標(biāo)記或空白QTM和/或2TS)、或2T標(biāo)記/空白的反復(fù)0T/2T)，或者其次短的3T的標(biāo)記或空白(3TM和/或3TS)、或3T標(biāo)記/空白的反復(fù)(3T/3T)等。另外，根據(jù)波長(zhǎng)、數(shù)值孔徑、信道比特長(zhǎng)、記錄密度等，有時(shí)也包含無(wú)法得到充足的再生特性的長(zhǎng)度的標(biāo)記和/或空白，因此在這種情況下，也可以去掉無(wú)法得到充足的再生特性的長(zhǎng)度以下的標(biāo)記和/或空白(例如，最短的標(biāo)記和/或空白)。
<幀同步的碼間距>假設(shè)將包含前述同步碼序列和數(shù)據(jù)碼序列的區(qū)域稱作幀區(qū)域，假設(shè)將包含多個(gè)該幀區(qū)域(例如31個(gè))的單位稱作扇區(qū)(或地址單元(Address Unit))，則在某扇區(qū)中，也可以使該扇區(qū)的任意的幀區(qū)域所包含的同步碼序列、和該任意的幀區(qū)域以外的幀區(qū)域所包含的同步碼序列之間的碼間距(inter-code distance)為2以上。在此，碼間距表示，在對(duì)兩個(gè)碼序列進(jìn)行了比較的情況下，碼序列中的不同的比特的個(gè)數(shù)。這樣，通過使碼間距為2以上，即使由于再生時(shí)的噪聲的影響等，從而一方的讀出序列產(chǎn)生了 1比特相移誤差，也不會(huì)誤識(shí)別為另一方。此外，特別是，也可以使位于該扇區(qū)的最前端的幀區(qū)域所包含的同步碼序列、和位于最前端以外的幀區(qū)域所包含的同步碼序列之間的碼間距為2以上，這樣一來(lái)，能夠使是否為最前端處/是否為扇區(qū)的區(qū)分處的識(shí)別變得容易。另外，碼間距包含如下意思在NRZ記錄時(shí)是對(duì)碼序列進(jìn)行了 NRZ表示的情況下、 在NRZI記錄時(shí)是對(duì)碼序列進(jìn)行了 NRZI表示的情況下的碼間距的意思。因此，若為采用了 RLL調(diào)制的記錄的情況下，該RLL表示在NRZI的記錄波形上，對(duì)高電平或低電平的信號(hào)連續(xù)的個(gè)數(shù)進(jìn)行限制，因此意味著NRZI表示法中的碼間距為2以上。<記錄方式In-Groove/0n-Groove>此外，關(guān)于記錄方式，通過在介質(zhì)中形成槽，而形成了槽部、和槽與槽之間的槽間部，而記錄在槽部、或記錄在槽間部、或記錄在槽部和槽間部這兩者，存在各種各樣的方式。 在此，將記錄在槽部和槽間部中、從光入射面來(lái)看成為凸部的一側(cè)的方式稱作On-Groove 方式，將記錄在從光入射面來(lái)看成為凹部的一側(cè)的方式稱作^-Groove方式。在本發(fā)明中， 作為記錄方式，是采用On-Groove方式、還是采用h-Groove方式，還是采用許可兩種方式的某一方的方式，沒有特別地限制。另外，在許可兩種方式的某一方的方式的情況下，該介質(zhì)也可以將表示了是 On-Groove方式還是h-Groove方式的記錄方式識(shí)別信息記錄在介質(zhì)中，以使得能夠容易地識(shí)別是哪種記錄方式。對(duì)于多層信息記錄介質(zhì)，也可以記錄針對(duì)各層的記錄方式識(shí)別信息。在此情況下，既可以將針對(duì)各層的記錄方式識(shí)別信息一起記錄在基準(zhǔn)層上(從光入射面來(lái)看最遠(yuǎn)一側(cè)的層(LO)或最近的層、或被決定為啟動(dòng)時(shí)最先被訪問的層等)，也可以在各層上記錄只與該層相關(guān)的記錄方式識(shí)別信息，還可以在各層上記錄與所有層相關(guān)的記錄方式識(shí)別信息。此外，作為對(duì)記錄方式識(shí)別信息進(jìn)行記錄的區(qū)域，存在BCA (Burst Cutting Area) 和盤信息區(qū)域(比數(shù)據(jù)記錄區(qū)域更位于內(nèi)周側(cè)或/和外周側(cè)，是主要保存控制信息的區(qū)域， 另外在再生專用區(qū)域中有時(shí)比數(shù)據(jù)記錄區(qū)域軌道間距寬)和擺動(dòng)(重疊在擺動(dòng)上來(lái)記錄) 等，可以記錄在任意一個(gè)區(qū)域、或任意多個(gè)區(qū)域、或所有區(qū)域中。此外，關(guān)于擺動(dòng)的開始方向，也可以使其在On-Groove方式和h-Groove方式下彼此相反。即，若在On-Groove方式下擺動(dòng)的開始方向是從盤的內(nèi)周側(cè)開始的情況下，在 In-Groove方式下也可以使擺動(dòng)的開始方向?yàn)閺谋P的外周側(cè)開始(或者，若在On-Groove 方式下擺動(dòng)的開始方向是從盤的外周側(cè)開始的情況下，在^！-Groove方式下也可以使擺動(dòng)的開始方向從盤的內(nèi)周側(cè)開始)。這樣，通過使得在On-Groove方式和h-Groove方式下，擺動(dòng)的開始方向彼此相反，無(wú)論采用哪種方式都能夠使跟蹤的極性相同。原因在于，在 On-Groove方式下，對(duì)從光入射面來(lái)看成為凸部的一側(cè)進(jìn)行記錄，與此相對(duì)，在h-Groove
40方式下，對(duì)從光入射面來(lái)看成為凹部的一側(cè)進(jìn)行記錄，因此假設(shè)兩者的槽的深度相同的情況下，跟蹤極性成為相反的關(guān)系。因此，通過使兩者的擺動(dòng)的開始方向也彼此相反，能夠使跟蹤極性相同。< 記錄特性和反射率=High to Low, Low to High〉此外，關(guān)于記錄膜的特性，根據(jù)記錄部分和未記錄部分的反射率的關(guān)系，存在以下兩個(gè)特性。即，未記錄部分比已記錄部分反射率高(High-to-Low)的HtoL特性、和未記錄部分比已記錄部分反射率低(Low-to-High)的LtoH特性。在本發(fā)明中，作為介質(zhì)的記錄膜特性，是HtoL、還是LtoH、還是許可某一方，沒有特別限制。此外，在許可某一方的情況下，也可以將表示了是HtoL還是LtoH的記錄膜特性識(shí)別信息記錄在介質(zhì)中，以使得能夠容易地識(shí)別是哪個(gè)記錄膜特性。關(guān)于多層信息記錄介質(zhì)， 也可以記錄針對(duì)各層的記錄膜特性識(shí)別信息。在此情況下，既可以將針對(duì)各層的記錄膜特性識(shí)別信息一起記錄在基準(zhǔn)層上(從光入射面來(lái)看最遠(yuǎn)一側(cè)的層(LO)或最近的層、或被決定為啟動(dòng)時(shí)最先被訪問的層等)，也可以在各層上記錄只與該層相關(guān)的記錄膜特性識(shí)別信息，還可以在各層上記錄與所有層相關(guān)的記錄膜特性識(shí)別信息。此外，作為對(duì)記錄膜特性識(shí)別信息進(jìn)行記錄的區(qū)域，存在BCA(Burst Cutting Area)和盤信息區(qū)域(比數(shù)據(jù)記錄區(qū)域更位于內(nèi)周側(cè)或/和外周側(cè)，是主要保存控制信息的區(qū)域，另外在再生專用區(qū)域中有時(shí)比數(shù)據(jù)記錄區(qū)域軌道間距寬)和擺動(dòng)(重疊在擺動(dòng)上來(lái)記錄)等，可以記錄在任意一個(gè)區(qū)域、或任意多個(gè)區(qū)域、或所有區(qū)域中。<關(guān)于多層>從保護(hù)層的一側(cè)入射激光來(lái)再生和/或記錄信息的單面盤，在使記錄層為二層以上的情況下，在基板和保護(hù)層之間設(shè)有多個(gè)記錄層，在圖四中表示此情況下的多層盤的結(jié)構(gòu)例。圖示的光盤，由(n+1)層信息記錄層502構(gòu)成(η為O以上的整數(shù))。具體地對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，在光盤中，從激光505入射的一側(cè)的表面開始，按順序?qū)盈B有覆蓋層501、(n+1) 層信息記錄層(Ln LO層)502、和基板500。此外，在(n+1)層信息記錄層502的層間，插入了起到光學(xué)緩沖材料的作用的中間層503。即，在從光入射面隔著規(guī)定的距離的最里側(cè)的位置(離光源最遠(yuǎn)的位置)上設(shè)置基準(zhǔn)層(LO)，以從基準(zhǔn)層(LO)開始向光入射面一側(cè)增加層的方式層疊了記錄層(Li，L2，…，Ln)。在此，在與單層盤進(jìn)行比較的情況下，也可以使多層盤中的從光入射面到基準(zhǔn)層 LO的距離與單層盤中的從光入射面到記錄層的距離大致相同(例如0.1mm左右)。像這樣，通過無(wú)論層數(shù)如何都將到最里層(最遠(yuǎn)層)為止的距離保持固定(即，使其成為與單層盤中的情況大致相同的距離)，無(wú)論是單層還是多層，都能夠保持與對(duì)基準(zhǔn)層的訪問相關(guān)的互換性。此外，能夠抑制伴隨層數(shù)增加的傾角影響的增加。能夠抑制傾角影響的增加是因?yàn)椋m然最里層最受傾角的影響，但通過使到最里層為止的距離成為與單層盤大致相同的距離，即使層數(shù)增加，到最里層為止的距離也不會(huì)增加。此外，關(guān)于光點(diǎn)的前進(jìn)方向(或者，也稱作軌道方向、螺旋方向)，既可以采用順·路徑，也可以采用逆·路徑。在順路徑中，在所有層上，再生方向相同。即，光點(diǎn)的前進(jìn)方向在所有層上從內(nèi)周向外周的方向前進(jìn)，或者在所有層上從外周向內(nèi)周的方向前進(jìn)。另一方面，在逆路徑中，在某層和與該層鄰接的層上，再生方向相反。即，在基準(zhǔn)層(LO)中的再生方向是從內(nèi)周向著外周的方向的情況下，記錄層Ll上的再生方向是從外周向著內(nèi)周的方向，在記錄層L2上是從內(nèi)周向著外周的方向。即，再生方向，在記錄層Lm(m 是0和偶數(shù))上是從內(nèi)周向著外周的方向，在記錄層Lm+1上是從外周向著內(nèi)周的方向?；蛘?，在記錄層Lm(m是0和偶數(shù))上是從外周向著內(nèi)周的方向，在記錄層Lm+1上是從內(nèi)周向著外周的方向。隨著由于數(shù)值孔徑NA提高而焦點(diǎn)距離變短，而且為了能夠抑制傾角所產(chǎn)生的光點(diǎn)變形的影響，保護(hù)層(覆蓋層)的厚度被設(shè)定得更薄。數(shù)值孔徑NA，在CD中被設(shè)定為 0. 45，在DVD中被設(shè)定為0. 65，與此相對(duì)，在BD中被設(shè)定為約0. 85。例如，在記錄介質(zhì)的整體厚度1.2mm左右中，可以使保護(hù)層的厚度為10 200μπι。更具體來(lái)說，在1. Imm左右的基板上，若為單層盤，則可以設(shè)置0. Imm左右的透明保護(hù)層，若為二層盤，則可以在0. 075mm 左右的保護(hù)層上設(shè)置0.025mm程度的中間層(Spacer Layer) 0若為三層以上的盤，則可以使保護(hù)層和/或中間層的厚度更薄。另外，關(guān)于以上各種格式和方式，若記錄密度(每1層的記錄容量)提高，則產(chǎn)生存在多個(gè)記錄密度的可能性。也可以根據(jù)記錄密度的差異或記錄層的個(gè)數(shù)，采用其一部分， 一部分不采用而采用其他格式和方式。以下，對(duì)多層(特別是3層以上的情況)和高記錄密度(例如，每1層30GB以上的情況)進(jìn)行說明?！磸?層到4層的各結(jié)構(gòu)例>在此，在圖30中表示單層盤的結(jié)構(gòu)例，在圖31中表示二層盤的結(jié)構(gòu)例，在圖32中表示三層盤的結(jié)構(gòu)例，在圖33中表示四層盤的結(jié)構(gòu)例。如前述那樣，在使從光照射面到基準(zhǔn)層LO的距離為固定的情況下，在圖31到33的任意一個(gè)中，盤的總厚度為約1. 2mm(在也包含標(biāo)簽印刷等的情況下，優(yōu)選為1.40mm以下)，基板500的厚度為約1. 1mm，從光照射面到基準(zhǔn)層LO的距離為約0. 1mm。在圖30的單層盤(在圖四中11 = 0的情況)中，覆蓋層5011的厚度為約0. 1mm，此外，在圖31的二層盤(在圖四中η = 1的情況)中，覆蓋層 5012的厚度為約0. 075mm，中間層5032的厚度為約0. 025mm,此外，圖32的三層盤(在圖四中11 = 2的情況)和圖33的四層盤(在圖四中11 = 3的情況)中，覆蓋層5013、5014 的厚度、和/或中間層5033、5034的厚度更薄。(實(shí)施方式6)圖34表示本實(shí)施方式的光盤1的物理性結(jié)構(gòu)。在圓盤狀的光盤601中，例如同心圓狀或螺旋狀地形成有多個(gè)軌道602，在各軌道602上形成有被細(xì)分后的多個(gè)扇區(qū)。另外， 如后述那樣，在各軌道602中以預(yù)先規(guī)定的大小的塊603為單位來(lái)記錄數(shù)據(jù)。本實(shí)施方式的光盤601，與現(xiàn)有的光盤(例如25GB的BD)相比，每一層信息記錄層的記錄容量得到了擴(kuò)充。記錄容量的擴(kuò)充是通過提高記錄線密度而實(shí)現(xiàn)的，例如通過進(jìn)一步縮短記錄在光盤中的記錄標(biāo)記的標(biāo)記長(zhǎng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)。在此，“提高記錄線密度”是表示，縮短信道比特長(zhǎng)。該信道比特是指，與基準(zhǔn)時(shí)鐘的周期T (通過規(guī)定的調(diào)制規(guī)則來(lái)記錄標(biāo)記的情況下的、調(diào)制的基準(zhǔn)周期T)相當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度。另外，光盤1也可以被多層化。但是，以下為了說明的方便，只言及一個(gè)信息記錄層。此外，在設(shè)置了多個(gè)信息記錄層的情況下，即使在設(shè)置于各信息記錄層中的軌道的寬度相同時(shí)，也可以通過使每一層的標(biāo)記長(zhǎng)度不同，并且在同一層中標(biāo)記長(zhǎng)度相同，來(lái)使每一層的記錄線密度不同。軌道602按照每個(gè)數(shù)據(jù)記錄單位64kB(千字節(jié))被分為塊，并按順序被分配了塊
42地址值。塊被分割為規(guī)定長(zhǎng)度的子塊，用3個(gè)子塊構(gòu)成了 1塊。子塊從前面開始按順序被分配了從0到2的子塊號(hào)碼。<關(guān)于記錄密度>接下來(lái)，使用圖35、圖36和圖37來(lái)對(duì)記錄密度進(jìn)行說明。圖35 (A)表示25GB的BD的例子。在BD中，激光623的波長(zhǎng)為405nm，物鏡220的數(shù)值孑L徑(Numerical Aperture ；ΝΑ)為 0. 85。與DVD相同，在BD中，記錄數(shù)據(jù)也作為物理變化的標(biāo)記列620、621而被記錄在光盤的軌道602上。在該標(biāo)記列中長(zhǎng)度最短的一個(gè)稱作“最短標(biāo)記”。在圖中，標(biāo)記621是最短標(biāo)記。在25GB記錄容量的情況下，最短標(biāo)記621的物理長(zhǎng)度是0. 149um。這相當(dāng)于DVD 的約1/2. 7，即使改變光學(xué)系統(tǒng)的波長(zhǎng)參數(shù)G05nm)和NA參數(shù)(0. 85)，來(lái)提高激光的分辨率，也接近作為光束所能夠識(shí)別記錄標(biāo)記的極限的光學(xué)分辨率極限。圖36表示使光束照射在記錄于軌道上的標(biāo)記列上的形態(tài)。在BD中，根據(jù)上述光學(xué)系統(tǒng)參數(shù)，光點(diǎn)630為約0. 39um左右。在不改變光學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)造地提高記錄線密度的情況下，相對(duì)于光點(diǎn)630的光點(diǎn)直徑，記錄標(biāo)記相對(duì)較小，因此再生的分辨率變差。例如，圖35⑶表示比25GB的BD記錄密度高的光盤的例子。在該盤中也同樣，激光623的波長(zhǎng)為405nm，物鏡720的數(shù)值孔徑NA為0. 85。在該盤的標(biāo)記列625、6M中，最短標(biāo)記625的物理長(zhǎng)度為0. 1115um。與圖35㈧相比較，光點(diǎn)直徑為相同的約0. 39um，另一方面，記錄標(biāo)記相對(duì)較小，并且標(biāo)記間隔也較窄，因此再生的分辨率變差。用光束對(duì)記錄標(biāo)記進(jìn)行再生時(shí)的再生信號(hào)的振幅隨著記錄標(biāo)記變短而降低，在光學(xué)分辨率的極限上為零。將該記錄標(biāo)記的周期的倒數(shù)稱作空間頻率，將空間頻率與信號(hào)振幅的關(guān)系稱作OTF(Optical Transfer Function)。信號(hào)振幅隨著空間頻率變高而幾乎直線下降。將信號(hào)振幅成為零的再生的臨界頻率稱作OTF截止(cutoff)。圖37是表示25GB記錄容量的情況的OTF與最短記錄標(biāo)記的關(guān)系的坐標(biāo)圖。BD的最短標(biāo)記的空間頻率，相對(duì)于OTF截止為80%左右，接近OTF截止。此外，可知最短標(biāo)記的再生信號(hào)的振幅也成為能夠檢測(cè)的最大振幅的約10%左右的非常小的振幅。在BD的最短標(biāo)記的空間頻率非常接近OTF截止的情況下、即幾乎不出現(xiàn)再生振幅的情況下的記錄容量， 在BD中相當(dāng)于約31GB。若最短標(biāo)記的再生信號(hào)的頻率是OTF截止頻率附近，或者超過OTF 截止頻率的頻率，則激光的分辨率有時(shí)接近或超過極限，成為再生信號(hào)的再生振幅變小，并且SN比急劇劣化的區(qū)域。因此，圖35(B)的高記錄密度光盤的記錄線密度，可以假定從再生信號(hào)的最短標(biāo)記的頻率是OTF截止頻率附近的情況(也包含雖然為OTF截止頻率以下，但并不大幅低于 OTF截止頻率的情況)到OTF截止頻率以上的情況。圖38是表示最短標(biāo)記QT)的空間頻率高于OTF截止頻率，并且，2T的再生信號(hào)的振幅為0時(shí)的信號(hào)振幅與空間頻率的關(guān)系的一個(gè)例子的坐標(biāo)圖。在圖38中，最短標(biāo)記長(zhǎng)度的2T的空間頻率是OTF截止頻率的1. 12倍。<波長(zhǎng)、數(shù)值孔徑以及標(biāo)記長(zhǎng)度的關(guān)系>此外，高記錄密度的盤B中的波長(zhǎng)、數(shù)值孔徑以及標(biāo)記長(zhǎng)度/空白長(zhǎng)度的關(guān)系如下。
在假設(shè)最短標(biāo)記長(zhǎng)度為TMnm，最短空白長(zhǎng)度為TSnm時(shí)，若將(最短標(biāo)記長(zhǎng)度+最短空白長(zhǎng)度)表示為“P”，則P是(TM+TS)nm。在17調(diào)制的情況下，P = 2T+2T = 4T。若使用激光波長(zhǎng) λ (405nm士5nm、即 400 4IOnm)、數(shù)值孔徑 NA (0. 85士0. 01 即 0. 84 0. 86)、 最短標(biāo)記+最短空白長(zhǎng)度P (在17調(diào)制的情況下，最短長(zhǎng)度為2T，因此P = 2T+2T = 4T)這三個(gè)參數(shù)，則若基準(zhǔn)T變小到P≤ λ /2ΝΑ為止，則最短標(biāo)記的空間頻率超過OTF截止頻率。假設(shè)NA = 0. 85、λ = 405時(shí)的，與OTF截止頻率相當(dāng)?shù)幕鶞?zhǔn)T為T = 405/ (2 X 0. 85) /4 = 59. 558nm(另外，反之，在P> λ々ΝΑ的情況下，最短標(biāo)記的空間頻率低于OTF截止頻率)。這樣，即使只提高記錄線密度，SN比也由于光學(xué)分辨率的極限而劣化。因此，信息記錄層的多層化所產(chǎn)生的SN比劣化，從系統(tǒng)容限的角度，存在無(wú)法容許的情況。特別是，如上所述，從最短記錄標(biāo)記的頻率超過OTF截止頻率的附近開始，SN比劣化變得顯著。另外，以上，對(duì)最短標(biāo)記的再生信號(hào)的頻率和OTF截止頻率進(jìn)行比較來(lái)對(duì)記錄密度進(jìn)行了說明。在高密度化進(jìn)一步進(jìn)展的情況下，也可以根據(jù)其次最短標(biāo)記(和再其次最短標(biāo)記(和其次最短標(biāo)記以上的記錄標(biāo)記))的再生信號(hào)的頻率與OTF截止頻率的關(guān)系，根據(jù)與以上相同的原理，來(lái)設(shè)定與各自對(duì)應(yīng)的記錄密度(記錄線密度、記錄容量)。<記錄密度和層數(shù)>在此，作為在具有波長(zhǎng)405nm、數(shù)值孔徑0. 85等規(guī)格的BD中的每1層的具體的記錄容量，在最短標(biāo)記的空間頻率為OTF截止頻率附近的情況下，能夠假定為，例如約^GB (例如，29. OGB 士 0. 5GB,或^GB 士 IGB等)或其以上；或者約30GB (例如， 30. OGB 士 0. 5GB,或 30GB 士 IGB 等)或其以上；或者約 31GB (例如，31. OGB 士 0. 5GB,或 31GB士 IGB等)或其以上；或者約32GB(例如，32. OGB士0. 5GB，或32GB士 IGB等)或其以上寸。此外，作為最短標(biāo)記的空間頻率為OTF截止頻率以上的、每1層的記錄容量，能夠假定為，例如約32GB (例如，32. OGB 士 0. 5GB,或32GB 士 IGB等)或其以上；或者約33GB (例如，33. OGB士0. 5GB,或 33GB士 IGB 等)或其以上；或者約 33. 3GB (例如，33. 3GB士0. 5GB,或 33. 3GB士 IGB 等)或其以上；或者約 33. 4GB(例如，33. 4GB士0. 5GB，或 33. 4GB士 IGB 等)或其以上；或者約;MGB (例如，34. OGB士0. 5GB，或;MGB士 IGB等)或其以上；或者約35GB (例如，35. OGB 士 0. 5GB,或:35GB 士 IGB 等)或其以上等。特別是，在記錄密度為約33. 3GB的情況下，能夠用3層實(shí)現(xiàn)約100GB (99. 9GB)的記錄容量，若為約33. 4GB,則能夠用3層實(shí)現(xiàn)100GB以上(100. 2GB)的記錄容量。這與25GB 的BD為4層的情況的記錄容量大致相同。例如，在記錄密度為33GB的情況下，33乘以3 = 99GB，與100GB的差為IGB (IGB以下)；在記錄密度為34GB的情況下，34乘以3 = 102GB, 與100GB的差為2GB (2GB以下)；在記錄密度為33. 3GB的情況下，33. 3乘以3 = 99. 9GB,與 100GB 的差為 0. IGB(0. IGB 以下)，在 33. 4GB 的情況下，33. 4 乘以 3 = 100. 2GB，與 100GB 的差為0. 2GB (0. 2GB以下)。另外，若大幅擴(kuò)充記錄密度，則如前所述，由于最短標(biāo)記的再生特性的影響，精密的再生變得困難。因此，作為抑制記錄密度的大幅擴(kuò)充，并且實(shí)現(xiàn)100GB以上的容量的記錄密度，約33. 4GB比較現(xiàn)實(shí)。在此，產(chǎn)生如下選擇項(xiàng)盤的結(jié)構(gòu)是采用每1層25GB的4層構(gòu)造，還是采用每1層 33 34GB的3層構(gòu)造。多層化伴隨各記錄層上的再生信號(hào)振幅的降低(SN比的劣化)、和多層雜散光(來(lái)自鄰接的記錄層的信號(hào))的影響等。因此，通過不采用25GB的4層盤，而采用33 34GB的3層盤，能夠盡可能抑制這種雜散光的影響，即，能夠用更少的層數(shù)(不是4層而是3層)來(lái)實(shí)現(xiàn)約100GB。因此，想要在盡可能避免多層化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)約100GB容量的盤的制造者，可以選擇33 34GB的3層化。另一方面，想要保持現(xiàn)有的格式(記錄密度25GB)實(shí)現(xiàn)約100GB容量的盤制造者，可以選擇25GB的4層化。這樣，具有不同目的的制造者，能夠通過各自不同的結(jié)構(gòu)，來(lái)實(shí)現(xiàn)各自的目的，能夠提供盤設(shè)計(jì)的自由度。此外，若使每1層的記錄密度為30 32GB程度，則雖然在3層盤中達(dá)不到 100GB (90 96GB左右)，但在4層盤中能夠?qū)崿F(xiàn)120GB以上。其中，若使記錄密度為約32GB， 則在4層盤中能夠?qū)崿F(xiàn)約U8GB的記錄容量。1 這個(gè)數(shù)字是與方便用計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理的 2的乘方0的7次方)匹配的數(shù)值。并且，與用3層盤實(shí)現(xiàn)約100GB的記錄密度的盤相比， 這種盤受到針對(duì)最短標(biāo)記的再生特性的影響并不嚴(yán)重。因此，在記錄密度的擴(kuò)充時(shí)，通過設(shè)置多種記錄密度(例如，約32GB和約33. 4GB 等)，通過多種記錄密度和層數(shù)的組合，能夠?qū)ΡP的制造者提供設(shè)計(jì)的自由度。例如，能夠?qū)ο胍谝种贫鄬踊挠绊懙耐瑫r(shí)實(shí)現(xiàn)大容量化的制造者，提供制造基于33 34GB的3層化的約100GB的3層盤的選擇，并對(duì)想要在抑制再生特性的影響的同時(shí)實(shí)現(xiàn)大容量化的制造者，提供制造基于30 32GB的4層化的約120GB以上的4層盤的選擇。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明所涉及的信息記錄介質(zhì)，能夠適用于具備多個(gè)記錄層的追記型和可擦寫型光盤。本發(fā)明所涉及的信息記錄再生方法，能夠適用于能夠?qū)邆涠鄠€(gè)記錄層的追記型和可擦寫型光盤進(jìn)行記錄再生的光盤驅(qū)動(dòng)裝置等。符號(hào)說明
1盤基板
2、4、6記錄層
3、5中間層
7覆蓋層
11軌道
12塊
13引入?yún)^(qū)域
14數(shù)據(jù)區(qū)域
15引出區(qū)域
20、21、22、23功率學(xué)習(xí)區(qū)域
30、31、32策略學(xué)習(xí)區(qū)域
40預(yù)備區(qū)域
50 OPC區(qū)域
51功率學(xué)習(xí)用區(qū)域
52策略學(xué)習(xí)用區(qū)域60,61,62記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A70、71、72記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B100光盤記錄再生裝置
110命令處理部
120光頭
130激光控制部
140記錄補(bǔ)償電路
150系統(tǒng)控制部
151記錄學(xué)習(xí)部
152功率學(xué)習(xí)部
153策略學(xué)習(xí)部
154訪問位置管理部
155記錄控制部
156再生控制部
157記錄學(xué)習(xí)部A
158記錄學(xué)習(xí)部B
160機(jī)械控制部
170存儲(chǔ)器
180I/O總線
200第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域
201第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域
210保留區(qū)域
400記錄對(duì)象區(qū)域
401-.402激光影響范圍410,411激光照射范圍700 TDMS701 DDS702 DFL710標(biāo)識(shí)符711 DFL位置信息712、713、714功率學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息715、716、717策略學(xué)習(xí)區(qū)域下次使用位置信息718其他信息800記錄學(xué)習(xí)區(qū)域A下次使用位置信息801、802、803記錄學(xué)習(xí)區(qū)域B下次使用位置信息1301功率學(xué)習(xí)區(qū)域內(nèi)周側(cè)下次使用位置信息1302功率學(xué)習(xí)區(qū)域外周側(cè)下次使用位置信息1701、1705、1709功率學(xué)習(xí)最終位置信息
46
1702、1706、1710功率學(xué)習(xí)下次使用位置信息1703、1707、1711策略學(xué)習(xí)最終位置信息1704、1708、1712策略學(xué)習(xí)下次使用位置信息2700功率變化率
權(quán)利要求
1.一種信息記錄介質(zhì)，其利用從一個(gè)面入射的激光在多個(gè)記錄層中的至少1層上記錄數(shù)據(jù)，所述信息記錄介質(zhì)的特征在于，所述多個(gè)記錄層包含第1記錄層、和在從所述第1記錄層到所述激光入射的入射面的方向上，按順序配置的第2 第N記錄層，其中，N為3以上的整數(shù)， 所述多個(gè)記錄層分別具備第1學(xué)習(xí)區(qū)域、和比所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域更位于外周側(cè)的第2學(xué)習(xí)區(qū)域， 在所述第1 第N記錄層的各個(gè)上所配置的所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于與其他記錄層的第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域不同的半徑位置，在所述第1 第N記錄層的各個(gè)上所配置的所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于與其他記錄層的第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域相同的半徑位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度，是在所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域中使用的記錄功率的變動(dòng)率幅度以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于， 對(duì)所述第1 第N記錄層分別分配了物理地址，所述第1記錄層的物理地址從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)按照升序被分配，所述第2記錄層的物理地址從外周側(cè)向著內(nèi)周側(cè)按照升序被分配，所述第3記錄層的物理地址從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)按照升序被分配，在所述第1記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從外周側(cè)到內(nèi)周側(cè)的方向來(lái)使用，在所述第2記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的方向來(lái)使用，在所述第3記錄層上所配置的所述第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域沿著從外周側(cè)到內(nèi)周側(cè)的方向來(lái)使用。
4.一種記錄方法，是在權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)中記錄信息的記錄方法， 其包含在所述第1學(xué)習(xí)區(qū)域和所述第2學(xué)習(xí)區(qū)域的至少一方上，進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的步驟；和根據(jù)所述記錄學(xué)習(xí)的結(jié)果，在所述信息記錄介質(zhì)上記錄信息的步驟。
5.一種再生方法，是從權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)中再生信息的再生方法， 所述信息記錄介質(zhì)的所述1 第N記錄層中的至少1層具有記錄有與所述信息記錄介質(zhì)相關(guān)的信息的控制區(qū)域，所述再生方法包含從所述控制區(qū)域中再生與所述信息記錄介質(zhì)相關(guān)的信息的步驟。
6.一種信息記錄方法，是在權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)中記錄信息的記錄方法， 所述多個(gè)記錄層分別具備用于進(jìn)行記錄學(xué)習(xí)的記錄學(xué)習(xí)區(qū)域，通過所述記錄學(xué)習(xí)來(lái)求出最合適的記錄條件，所述記錄方法，在第k記錄層上最初進(jìn)行記錄的時(shí)刻，只在所述第k記錄層上進(jìn)行所述記錄學(xué)習(xí)，其中，k是1以上、N以下的整數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，在多個(gè)記錄層分別具備的記錄學(xué)習(xí)用的區(qū)域(記錄學(xué)習(xí)區(qū)域或測(cè)試區(qū)域)上進(jìn)行功率學(xué)習(xí)和策略學(xué)習(xí)等記錄學(xué)習(xí)(測(cè)試記錄)時(shí)，使其給其他記錄層上的記錄學(xué)習(xí)帶來(lái)的影響最小化。在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，利用從一個(gè)面入射的激光在多個(gè)記錄層中的至少1層上記錄數(shù)據(jù)。多個(gè)記錄層包含第1記錄層、和在從第1記錄層到激光入射的入射面的方向上，按順序配置的第2～第N記錄層(N為3以上的整數(shù))。多個(gè)記錄層分別具備第1學(xué)習(xí)區(qū)域、和比第1學(xué)習(xí)區(qū)域更位于外周側(cè)的第2學(xué)習(xí)區(qū)域。在第1～第N記錄層的各個(gè)上所配置的第1學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于與其他記錄層的第1記錄學(xué)習(xí)區(qū)域不同的半徑位置，在第1～第N記錄層的各個(gè)上所配置的第2學(xué)習(xí)區(qū)域被配置于與其他記錄層的第2記錄學(xué)習(xí)區(qū)域相同的半徑位置。
文檔編號(hào)G11B7/007GK102165523SQ20098013814
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月29日
發(fā)明者伊藤基志, 植田宏, 高橋宜久 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社