專利名稱：垂直磁記錄介質(zhì)、垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于硬盤裝置等中的垂直磁記錄介質(zhì)、垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法和 具有垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。本申請基于在2008年3月觀日在日本申請的專利申請2008-88146號要求優(yōu)先 權(quán)，將上述申請的內(nèi)容援引到本申請中。
背景技術(shù)：
近年，磁盤裝置，軟( 〃 一 ；注冊商標)盤裝置、磁帶裝置等的磁記錄裝置的 適用范圍在顯示著地增大，其重要性也在增大。隨之，用于這些裝置中的磁記錄介質(zhì)的記錄 密度正在謀求顯著的提高。尤其是引入MR磁頭(磁阻效應(yīng)型磁頭)和引入PRMUPartial Response Maximum Likelihood ；部分響應(yīng)最大似然)技術(shù)以來，作為每單位面積信息量的 面記錄密度的上升更加激烈增長。近年又引入GMR磁頭(巨磁阻效應(yīng)型磁頭)和TMR磁頭 (隧道磁阻型磁頭)等，每年在以100%的增長速度繼續(xù)記錄密度的增加。關(guān)于這些磁記錄介質(zhì)，今后要求實現(xiàn)更高面記錄密度。因此，要求實現(xiàn)磁記錄層的 高矯頑力化、高分辨力和高信噪比(高SN比)。近年，為了實現(xiàn)高面記錄密度，介質(zhì)的絕對 膜厚變薄，隨之，記錄磁化受熱擾亂而減弱的現(xiàn)象成為問題。尤其是記錄的熱穩(wěn)定性是個大的技術(shù)課題。特別是希望改善上述的SN比時，該熱 穩(wěn)定性降低的情況較多，因此，兼顧SN比和熱穩(wěn)定性兩者成為今后開發(fā)的目標。SN比優(yōu)異 的介質(zhì)，一般地構(gòu)成磁性層的磁性粒子的晶粒尺寸微細的情形較多。微細對減輕介質(zhì)噪聲 是有效的，但從磁性的熱穩(wěn)定性的觀點考慮，認為微細的情況是接近于不穩(wěn)定區(qū)域的狀態(tài)。 上述的性質(zhì)可認為是希望改善SN比時熱穩(wěn)定性降低的一個原因。另外，在近年，隨著線記錄密度的提高，也在繼續(xù)努力通過進行磁道密度的增加來 提高面記錄密度。最新的磁記錄裝置，磁道密度竟達到了 llOkTPI。然而，若不斷提高磁道 密度，則起因于密度上升而引起相鄰磁道間的磁記錄信息相互干擾的現(xiàn)象。其結(jié)果，處于其 邊界區(qū)域的磁化遷移區(qū)域受到影響成為噪聲源，容易產(chǎn)生損害SN比的問題。上述問題直接 關(guān)系到比特錯碼率(Bit Errorrate)的降低，因此對記錄密度的提高構(gòu)成障礙。另外，當磁道密度增加時，磁道間距離變小。因此，磁記錄裝置要求極高精度的磁 道伺服技術(shù)。另外，與之同時，為了寬幅地實行記錄，并且盡量地排除進行再生時來自相鄰 的磁道的影響，一般地采用使磁道寬度比記錄時窄而實行的方法。然而，雖然該方法能夠?qū)?磁道間的影響抑制在最小限度，但難以充分獲得再生輸出。因此，存在難以確保充分的SN 比的問題。在如以上所述的高面記錄介質(zhì)中為了確保滿意的SN比，并且確保熱穩(wěn)定性，近年 采用與以往的面內(nèi)磁記錄方式不同的、在對薄膜介質(zhì)的膜面垂直的方向進行磁記錄的垂直 磁記錄介質(zhì)。現(xiàn)在，垂直磁記錄介質(zhì)，一般例如依次地具有基板、軟磁性底層(SUL)、中間層、垂直磁記錄層和根據(jù)需要的保護膜等，作為用于高記錄密度化的技術(shù)使用。然而，該垂直磁記 錄介質(zhì)也要求進一步的高記錄密度化。為了對應(yīng)于這種要求，垂直磁記錄介質(zhì)也必須增加 磁道密度。為了增加磁道密度，必須減輕垂直磁記錄介質(zhì)中記錄部的端部的洇寫(fringe)。作為解決洇寫的一種方法，可舉出離散磁道介質(zhì)(例如，參照專利文獻1、2)。在專利文獻1中，記載了 用于記錄數(shù)據(jù)的記錄部分是凸部，用于分隔相鄰的記錄 部分的保護間距部分是凹部的盤狀介質(zhì)。(所謂凸部和凹部，可以理解為高的部分和低的部 分，例如峰(peak)部位和谷(valley)部位。另外，在專利文獻2中，提出了 具有由磁性材料形成的記錄磁道部和位于相互相 鄰的記錄磁道部間的保護間距部，并且具備設(shè)置于保護間距部內(nèi)的由非磁性材料形成的分 離區(qū)域構(gòu)件的磁盤。另外，在專利文獻2中，作為分離區(qū)域構(gòu)件，例舉出使用氧化物、氮化 物、碳化物或硼化物，或者使用C系、CH系和CF系中的任一種的聚合物。此外，在專利文獻 2中，記載了 通過進行濺射直到填埋保護間距空間，由SiO2膜覆蓋盤表面，然后，在通過研 磨S^2膜的同時將S^2膜平坦化直到記錄磁道部的記錄磁性構(gòu)件的上面露出，得到記錄磁 性構(gòu)件和分離區(qū)域構(gòu)件交替地顯露于表面的盤的技術(shù)。專利文獻1所述的盤狀介質(zhì)，記錄部分是凸部，保護間距為凹部，因此在盤表面存 在的凹凸。盤表面具有凹凸的盤狀介質(zhì)，存在表面的凹凸對記錄再生磁頭的浮起特性給予 影響的問題。另一方面，專利文獻2所述的磁盤，沒有記錄磁性構(gòu)件與分離區(qū)域構(gòu)件的高低階 差，因此從沒有由表面的凹凸導(dǎo)致的對記錄再生磁頭的浮起特性的影響的觀點考慮而優(yōu) 選。然而，專利文獻2所述的磁盤，在記錄磁性構(gòu)件與分離區(qū)域構(gòu)件中，容易產(chǎn)生起因 于制造工藝的構(gòu)成元素的相互擴散，因此存在磁盤的電磁轉(zhuǎn)換特性隨著時間經(jīng)過而惡化的 問題。另外，在專利文獻2中，為了制造專利文獻2的磁盤，在表面設(shè)置形成分離區(qū)域構(gòu) 件的膜后，通過離子束蝕刻等將形成分離區(qū)域構(gòu)件的膜蝕刻、平坦化直到記錄磁性構(gòu)件的 上面露出。然而，此時蝕刻后的存在于記錄磁道部間的分離區(qū)域構(gòu)件的表面會粗糙，存在表 面的平滑性變得不充分的問題。為了解決該問題，也可以考慮在蝕刻后的表面上形成保護 膜。然而，蝕刻后的分離區(qū)域構(gòu)件的表面已經(jīng)粗糙，因此即使在蝕刻后的制品的表面上形成 保護膜，也有時不能夠充分地得到表面的平滑性。另外，即使是分離區(qū)域構(gòu)件使用了金屬的 場合，也存在采用濺射等成膜的膜表面產(chǎn)生不均勻、難以平坦化的問題。另外，專利文獻2所述的具有使用了非磁性材料的分離區(qū)域構(gòu)件的磁盤，存在起 因于研磨工序而使表面容易受傷的問題。例如，組裝到磁記錄再生裝置中后，在磁頭偶然 地沖撞時等，存在表面容易擦傷的傾向，為了解決該問題，可以考慮在磁盤的表面形成保護 膜。然而，即使是在磁盤的表面形成了保護膜的場合，如果保護膜的耐沖擊性不充分，則保 護膜不耐受磁頭對磁盤表面的沖撞而存在表面擦傷的可能性。專利文獻1 日本特開平6-259709號公報專利文獻2 日本特開平9-97419號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于如上所述的狀況而完成的。本發(fā)明目的在于提供分離區(qū)域部表面的 平滑性優(yōu)異，能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度，在備置于磁記錄再生裝置中的場合，沒有由磁頭導(dǎo)致的 洇寫，能夠獲得長期穩(wěn)定的電磁轉(zhuǎn)換特性，而且，針對磁頭等沖撞的耐沖擊性優(yōu)異的垂直磁 記錄介質(zhì)及其制造方法。此外，本發(fā)明目的在于提供具有本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，分離區(qū)域部表面的平 滑性優(yōu)異，能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度，沒有由磁頭導(dǎo)致的洇寫，能夠獲得長期穩(wěn)定的電磁轉(zhuǎn)換特 性，針對磁頭等沖撞的耐沖擊性優(yōu)異的磁記錄再生裝置。本申請發(fā)明者為了達到上述目的而潛心進行研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)由于粒狀結(jié)構(gòu)(顆 粒結(jié)構(gòu)；granular structure)的材料具有微細的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，因此通過使分離區(qū)域部成為含 有粒狀結(jié)構(gòu)的材料的結(jié)構(gòu)，在對成為分離區(qū)域部的膜進行蝕刻和/或研磨的場合，可均勻 地進行蝕刻和/或研磨。另外，其結(jié)果還發(fā)現(xiàn)能夠消除在蝕刻和/或研磨后產(chǎn)生的分離區(qū) 域部表面粗糙的問題，能夠得到平滑且耐環(huán)境性優(yōu)異的分離區(qū)域部表面。另外，通過本申請 發(fā)明者的進一步研究，弄清了下述情況采用干式工藝對粒狀結(jié)構(gòu)的材料進行蝕刻的場合， 即使是其最初的表面存在凹凸的場合，隨著蝕刻進行，表面也平滑化。此外，本申請發(fā)明者又反復(fù)研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)除了使記錄部成為含有由粒狀結(jié)構(gòu) 的磁性材料形成的磁性層的結(jié)構(gòu)以外，還通過使分離區(qū)域部成為由粒狀結(jié)構(gòu)的材料形成的 結(jié)構(gòu)，而且根據(jù)需要使構(gòu)成分離區(qū)域部的材料的組成與構(gòu)成磁性層的材料的組成近似，能 夠防止分離區(qū)域部和磁性層中的構(gòu)成元素的相互擴散，并且能夠提高針對磁頭等沖撞的耐 沖擊性。本發(fā)明的第一方式是以下的記錄介質(zhì)。(1) 一種垂直磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上形成有在相對于上述非磁性基板面垂 直的方向具有磁各向異性的記錄層，上述記錄層具有多個記錄部和分離相鄰的上述記錄部的 多個分離區(qū)域部的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述分離區(qū)域部由粒狀結(jié)構(gòu)的材料形成。以下描述第一方式的記錄介質(zhì)中優(yōu)選的例。(2)上述(1)中記載的分離區(qū)域部的粒狀結(jié)構(gòu)的材料，優(yōu)選是非磁性材料。(3)上述(1)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選上述記錄部是疊層體，并且含有由粒 狀結(jié)構(gòu)的磁性材料形成的磁性層。(4)上述( 所述的垂直磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選上述磁性層和上述分離區(qū)域部含有相 同的氧化物。(5)上述( 或( 所述的垂直磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選上述磁性層和上述分離區(qū)域部 含有Cr。(6)上述( ( 所述的垂直磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選上述磁性層和上述分離區(qū)域部 含有5 40體積％的范圍內(nèi)的氧化物。(7)上述( ( 所述的垂直磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選上述磁性層和上述分離區(qū)域部 含有 Si02、Si0、Cr203、Co0、Ta2O3 和 TiO2 中的任一種以上。(8)上述( (7)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選上述磁性層被配置作為上述記 錄部的最上層，在上述記錄層上形成有覆蓋上述記錄部和上述分離區(qū)域部的保護膜。本發(fā)明的第二方式是以下的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法。
(9) 一種垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，是在非磁性基板上形成有在相對于上述非 磁性基板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄層，上述記錄層具有多個記錄部和分離相鄰 的上述記錄部的多個分離區(qū)域部的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，包括在非磁性基板上形成在相對于非磁性基板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄 層的記錄層形成工序；通過從上述記錄層除去成為上述分離區(qū)域部的區(qū)域而形成凹槽，形成多個記錄部 和分離相鄰的上述記錄部的多個凹槽的凹槽形成工序；和向上述凹槽填充粒狀結(jié)構(gòu)的材料，形成分離區(qū)域部的凹槽填充工序。以下描述第二方式的記錄介質(zhì)中的優(yōu)選的例。(10)上述(9)中記載的被填充到凹槽中的粒狀結(jié)構(gòu)的材料，優(yōu)選是非磁性材料。(11)上述(9)所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，優(yōu)選上述記錄部包含由粒狀 結(jié)構(gòu)的磁性材料形成的磁性層。(12)上述(9) (11)所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，優(yōu)選填充上述凹槽的 工序具有在形成有上述凹槽的上述記錄層上沉積上述粒狀結(jié)構(gòu)的材料，形成在上述凹槽 內(nèi)填充有上述材料的非磁性層的非磁性層形成工序；和除去上述非磁性層直到上述磁性層的表面露出并且上述磁性層的表面的一部分 被除去，將形成有上述非磁性層的表面上平坦化的工序。(13)上述(1 所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，優(yōu)選具有在上述記錄層上形 成覆蓋上述記錄部和上述分離區(qū)域部的保護膜的工序。(14)上述(9) (13)所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，優(yōu)選形成上述凹槽的 工序具有在上述記錄層上涂布抗蝕劑而形成抗蝕劑層，使用印模除去成為上述分離區(qū)域 部的上述抗蝕劑層的區(qū)域，將除去了上述抗蝕劑層的上述記錄層的區(qū)域除去的工序。(15)上述(9) (14)所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，優(yōu)選在填充上述凹槽 的工序中，采用濺射法向上述凹槽填充粒狀結(jié)構(gòu)的材料。(16)上述(11)所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，優(yōu)選在上述平坦化的工序 中，采用離子束蝕刻法將形成有上述非磁性層的表面上平坦化。本發(fā)明的第三方式是以下的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法。(17) 一種磁記錄再生裝置，是具有磁記錄介質(zhì)和對該磁記錄介質(zhì)記錄再生信息的 磁頭的磁記錄再生裝置，其特征在于，上述磁記錄介質(zhì)是(1) (8)的任一項所述的垂直磁 記錄介質(zhì)。本發(fā)明提供分離區(qū)域部表面的平滑性優(yōu)異，能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度，而且在備置于 磁記錄再生裝置中的場合，沒有由磁頭導(dǎo)致的洇寫，能夠獲得長期穩(wěn)定的電磁轉(zhuǎn)換特性，針 對磁頭等沖撞的耐沖性優(yōu)異的垂直磁記錄介質(zhì)。


圖IA是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。圖IB是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。
圖IC是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。圖ID是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。圖IE是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。圖IF是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。圖IG是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。圖IH是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。圖II是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法一 例的圖。圖2是作為本發(fā)明的磁記錄再生裝置顯示硬盤裝置一例的立體圖。附圖標記說明A-垂直磁記錄介質(zhì)、1-非磁性基板、2-軟磁性襯里層、3-取向控制層、4-磁性層、 6-記錄層、7-抗蝕劑層、8-介質(zhì)、9-印模、9a-凹部、10-凹凸部、lib-凹槽、12-非磁性層、 14-分離區(qū)域部、15-記錄部、16-保護膜、17-潤滑層
具體實施例方式以下，對本發(fā)明的優(yōu)選例進行說明，但本發(fā)明不限定于這些例。在不脫離本發(fā)明的 宗旨的范圍內(nèi)，可以進行構(gòu)成的附加、省略、置換以及其他的變更。本發(fā)明不受上述的說明 限定，只受所附的要求保護的范圍的限定。以下描述有關(guān)本發(fā)明的優(yōu)異的效果本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上形成有在相對于非磁性基板面垂直 的方向具有磁各向異性的記錄層，記錄層具有多個記錄部和分離相鄰的上述記錄部的分離 區(qū)域部的垂直磁記錄介質(zhì)，分離區(qū)域部由粒狀結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成，優(yōu)選由非磁性材料構(gòu)成。因 此，能夠容易地得到具有平滑且耐環(huán)境性優(yōu)異的表面的分離區(qū)域部。更詳細地講，粒狀結(jié)構(gòu) 的材料具有微細的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，因此在為了得到由粒狀結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成的分離區(qū)域部而對成 為分離區(qū)域部的膜進行蝕刻和/或研磨的場合，成為分離區(qū)域部的膜的蝕刻和/或研磨均 勻地進行。其結(jié)果，可消除蝕刻和/或研磨后產(chǎn)生的分離區(qū)域部表面粗糙的問題，能夠得到 具有平滑且耐環(huán)境性優(yōu)異的表面的分離區(qū)域部。另外，本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，由于在非磁性基板上形成有在相對于非磁性基 板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄層，記錄層具有多個記錄部和分離相鄰的上述記錄 部的分離區(qū)域部，因此能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度。另外，在備置于磁記錄再生裝置中的場合，成 為由磁頭導(dǎo)致的洇寫少的優(yōu)異的垂直磁記錄介質(zhì)。也能夠使磁道密度增加。本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選記錄部包含由粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料形成的磁性 層，并且，分離區(qū)域部由粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料構(gòu)成。在該場合，也可以使構(gòu)成分離區(qū)域部的材料的組成與構(gòu)成磁性層的材料的組成近似。其結(jié)果，能夠防止分離區(qū)域部和磁性層中 的構(gòu)成元素的相互擴散。因此，通過制成為這樣的垂直磁記錄介質(zhì)，在備置于磁記錄再生裝 置中的場合，能夠獲得長期穩(wěn)定的電磁轉(zhuǎn)換特性。另外，由于可以使分離區(qū)域部與磁性層的材料的組成近似，因此能夠使分離區(qū)域 部與磁性層的硬度、密度近似。當柔軟的部分與硬的部分兩者存在時，一般地柔軟的部分會 成為龜裂的起點。然而，本發(fā)明中，記錄部內(nèi)的硬度差、密度差小，難以發(fā)生如上述的起點。 由此，成為針對磁頭等沖撞的耐沖擊性優(yōu)異的垂直磁記錄介質(zhì)。另外，在磁性層配置成記錄部的最上層的垂直磁記錄介質(zhì)上設(shè)置了覆蓋記錄部和 分離區(qū)域部的保護膜的場合，成為保護膜的基底層而支撐保護膜的記錄部和分離區(qū)域部， 在本發(fā)明中其硬度、密度相互近似。因此，如上所述從難以形成龜裂起點的理由考慮，保護 膜難以受到損傷，因此耐沖擊性更加優(yōu)異。本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選記錄部包含由粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料構(gòu)成的磁性 層，并且分離區(qū)域部由粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料構(gòu)成。并且，該場合下，優(yōu)選使分離區(qū)域部與 磁性層的材料的組成近似。其結(jié)果，能夠使分離區(qū)域部與磁性層的蝕刻速率或研磨速率近 似。由于近似，因此在為了制造磁性層配置成記錄層的最上層的垂直磁記錄介質(zhì)而對分離 區(qū)域部和磁性層同時地進行蝕刻或研磨的場合，在分離區(qū)域部與磁性層的邊界部分難以產(chǎn) 生高低階差，因此，能夠使分離區(qū)域部上與磁性層上成為連續(xù)的平滑面，能夠容易地得到具 有優(yōu)異的表面平滑性的記錄層。當垂直磁記錄介質(zhì)的記錄層是表面平滑性優(yōu)異的記錄層 時，在垂直磁記錄介質(zhì)備置于磁記錄再生裝置中的場合，能夠減小磁頭的浮起量。本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，能夠制造本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明的磁記錄再生裝置，具有本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，因此分離區(qū)域部 表面的平滑性優(yōu)異，能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度，沒有由磁頭導(dǎo)致的洇寫，能夠獲得長期穩(wěn)定的電 磁轉(zhuǎn)換特性，針對磁頭等沖撞的耐沖擊性優(yōu)異。以下，一邊參照附圖一邊對本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)、垂直磁記錄介質(zhì)的制造方 法、磁記錄再生裝置詳細地進行說明?！复庞涗浗橘|(zhì)」圖I(A) 圖1(1)，是說明本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì) 的制造方法一例的圖。圖I(I)是表示本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的放大剖面圖。再者，在圖 I(I)中，只將圓盤狀的垂直磁記錄介的一部分放大表示出來。圖1 (I)表示的垂直磁記錄介質(zhì)A，具有非磁性基板1、形成于非磁性基板1上的 記錄層6、形成于記錄層6上的保護膜16和形成于保護膜16上的潤滑層17。記錄層6在相對于非磁性基板1面垂直的方向上具有磁各向異性，如圖I(I)所 示，具有被磁記錄的多個記錄部15和分離相鄰的記錄部15的分離區(qū)域部14。記錄部15是 以同心圓狀的設(shè)定的寬度形成的記錄磁道部或凹槽部，如圖I(I)所示，依次層疊有軟磁性 襯里層2、取向控制層3和磁性層4。在本實施方式中，磁性層4被配置作為記錄部15中的最上層。因此，記錄層6的 上表面由磁性層4的表面部分與分離區(qū)域部14的表面部分構(gòu)成。記錄部15上表面(磁性 層4的上表面)與分離區(qū)域部14上表面被保護膜16覆蓋。如圖1 (I)所示，磁性層4與分離區(qū)域部14的邊界部分沒有高低階差，記錄層6的表面成為由磁性層4的表面部分與分離區(qū)域部14的表面部分構(gòu)成的連續(xù)的平滑面。優(yōu)選 記錄層6的表面粗糙度(Ra)小，具體地，優(yōu)選為Inm以下，更優(yōu)選為0. 5nm以下，最優(yōu)選為 0. 3nm以下。記錄層6的表面粗糙度越小，則越能夠減小形成于記錄層6上的保護膜16和 潤滑層17的表面粗糙度，能夠制成為表面平坦性優(yōu)異的垂直磁記錄介質(zhì)A。表面平坦性優(yōu) 異的垂直記錄介質(zhì)A，備置于磁記錄再生裝置中時，能夠減小磁頭的浮起量，因此能夠?qū)崿F(xiàn) 更高密度的磁記錄。非磁性基板可以根據(jù)需要來選擇。例如Al-Mg合金等的以Al為主要成分的Al合 金基板、由結(jié)晶化玻璃、非晶玻璃、硅、鈦、陶瓷、碳或各種樹脂形成的基板等，只要是非磁性 基板則可以從任意的材料中選擇來使用。作為由結(jié)晶化玻璃制成的基板，可以使用鋰系結(jié) 晶化基板，作為由非晶玻璃制成的基板，可舉出鈉鈣玻璃或鋁硅酸鹽玻璃的基板。優(yōu)選非磁性基板1的平均表面粗糙度Ra小。具體地，為Inm以下，優(yōu)選為0. 5nm 以下，這從磁性層4的垂直取向性良好的觀點、能夠減小如后述那樣以高壓對印模加壓時 的壓力分布、提高加工的均勻性的觀點等考慮而優(yōu)選。另外，當非磁性基板1表面的微小起 伏Wa為0. 3nm以下，更優(yōu)選為0. 2nm以下時，從以高壓加壓印模時的壓力分布變小、加工的 均勻性提高的觀點考慮而優(yōu)選?；宓暮穸瓤梢愿鶕?jù)需要選擇。軟磁性襯里層2由軟磁性材料形成?？梢愿鶕?jù)需要進行選擇，作為具體例，作為軟 磁性襯里層2的材料，可以舉出含有i^、Co和Ni中的至少一種的材料。作為軟磁性襯里層 2所使用的含有Fe、Co和/或Ni的材料，可以舉出FeCo合金(FeCoB, FeCoSiB, FeCoZr和 FeCoZrB 等)、FeTa 合金(FeTaN 和 FeTaC 等)、Co 合金(CoTaZr、CoZrNb 和 CoB 等)。軟磁性襯里層2可以是單層，但優(yōu)選具有疊層結(jié)構(gòu)?？梢愿鶕?jù)需要進行設(shè)計，例 如，通過在2個軟磁性膜之間設(shè)置由Ru、Re和Cu中的任一種形成的層，制成為設(shè)定的厚度， 能夠使上下設(shè)置的軟磁性膜進行反鐵磁性耦合。通過使軟磁性襯里層2成為這樣的疊層結(jié) 構(gòu)，能夠改善作為垂直磁記錄介質(zhì)特有的問題的WATE (Wide Area Track Erasure ；寬面積 磁道擦除)的現(xiàn)象。軟磁性襯里層2的厚度可以根據(jù)需要選擇，但優(yōu)選10 200nm，更優(yōu)選 20 lOOnm。取向控制膜3作為磁性層4的基底層，是為了控制磁性層4的結(jié)晶取向性和結(jié)晶 尺寸而設(shè)置。取向控制膜3所使用的材料可以根據(jù)需要選擇，但優(yōu)選具有hep結(jié)構(gòu)或fee 結(jié)構(gòu)的元素，特別優(yōu)選Ru。另外，取向控制膜3的厚度優(yōu)選為30nm以下。取向控制膜3的 厚度超過30nm時，在制成為如圖1所示的具有垂直磁記錄介質(zhì)A的磁記錄再生裝置的場 合，由于記錄再生時的磁頭與軟磁性襯里層2的距離增大，Off(over write ；重寫)特性、再 生信號的分辨力降低，因此不優(yōu)選。取向控制膜3的厚度可以根據(jù)需要來選擇，但優(yōu)選1 IOOnm,更優(yōu)選 10 50nm。磁性層4優(yōu)選由粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料構(gòu)成。所謂粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料，意指多個 磁性材料粒子分散在作為基質(zhì)的氧化物中的結(jié)構(gòu)。換言之，具有氧化物覆蓋了多個磁性材 料粒子的周圍的結(jié)構(gòu)。再者，磁性材料粒子可以是柱狀，但也可以是柱狀以外的球狀等的其 他的形狀。磁性材料粒子可以比磁性層4的膜厚大，例如磁性材料粒子可以是貫穿磁性層 4的比磁性層4的膜厚大的柱狀的形狀。磁性材料粒子可以由根據(jù)需要選擇的材料形成。 作為優(yōu)選的例子，可舉出含有Co、Cr和/或Pe等的材料等。磁性材料粒子的形狀、尺寸可 以根據(jù)需要選擇。優(yōu)選的形狀有柱狀等。優(yōu)選的尺寸是長度1 50nm、寬度1 IOnm左右。磁性層4，優(yōu)選是在99 70原子％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在95 85原子％的范圍內(nèi)含有 磁性材料粒子的層。另外，本申請發(fā)明中的粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料，可以是磁性材料粒子的周 圍完全被氧化物被覆的結(jié)構(gòu)的材料，但也可以是只一部分被氧化物被覆的結(jié)構(gòu)的材料。例 如，可以是如含有上下貫穿氧化物層的柱狀晶(磁性材料粒子)那樣的只磁性材料粒子的 側(cè)面被氧化物覆蓋的結(jié)構(gòu)的材料。構(gòu)成磁性層4的粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料，可以根據(jù)需要來選擇，但特別優(yōu)選使用至 少含有Co、Pt和氧化物的磁性材料。Co的量可以根據(jù)需要選擇，但優(yōu)選相對于全部磁性材 料粒子為50 80原子％。Pt的量優(yōu)選為相對于全部磁性材料粒子為10 20原子％。此 外，出于改善SNR特性(SN比)等的目的，也可以根據(jù)需要在磁性材料中添加Cr、B、Cu、Ta 和ττ等的元素。這些元素的量可以根據(jù)需要選擇，但優(yōu)選分別相對于全部磁性材料粒子 為5 25原子％。構(gòu)成磁性層4的粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料中含有的氧化物，可以根據(jù)需要選擇。例如， 可以舉出Si02、Si0、Cr203、Co0、Ta203和TiR中的任一種以上等等。另外，磁性層4優(yōu)選是在15 40體積％的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在15 25體積％的范 圍內(nèi)含有氧化物的層。氧化物的體積不到15體積％時，存在SNR特性不充分的可能性因而 不優(yōu)選。另外，氧化物的體積超過40體積％時，存在不能夠得到足以適應(yīng)高記錄密度的矯 頑力的可能性因而不優(yōu)選。另外，磁性層4的新生(二 Λ —々U工一* 3 > )磁場(-Hn) 優(yōu)選是1.5(k0e)以上。-Hn不到1.5(k0e)時，存在發(fā)生熱擺的可能性因而不優(yōu)選。另外，磁性層4的厚度優(yōu)選為6 18nm。通過使磁性層4的厚度在上述范圍，不會 產(chǎn)生OW特性的惡化，能夠確保充分的輸出因而優(yōu)選。分離區(qū)域部14，優(yōu)選由粒狀結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成。上述粒狀結(jié)構(gòu)的材料也可以記載為 粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料。在本發(fā)明中所謂“非磁性材料”和“非磁性材料粒子”，在磁性上不 需要完全為非磁性，即，所謂“非磁性材料”和“非磁性材料粒子”，是使磁性降低到足以能夠 分離磁記錄部，并且，對磁記錄部能夠進行磁記錄和再生的程度的材料。即，非磁性材料是 磁性比磁記錄部的磁性材料低的材料。所謂在分離區(qū)域部所使用的粒狀結(jié)構(gòu)的材料，意指 多個材料粒子、即非磁性材料粒子分散在作為基質(zhì)的氧化物中而成的結(jié)構(gòu)。換言之，具有氧 化物覆蓋了多個非磁性材料粒子的周圍的結(jié)構(gòu)。再者，非磁性材料粒子可以是球狀，但也可 以不是球狀而是柱狀等的其他的形狀。非磁性材料粒子可以比分離區(qū)域部14的膜厚大，非 磁性材料粒子也可以是貫穿分離區(qū)域部14的比磁性層4的膜厚大的柱狀。非磁性材料粒 子可以由根據(jù)需要選擇的材料形成。作為優(yōu)選的例，可舉出含有Co、Cr和/或Pe等的材料 等。尺寸、形狀可以根據(jù)需要選擇，但優(yōu)選的尺寸是長度1 50nm、寬度1 IOnm左右。分 離區(qū)域14優(yōu)選是在99 70原子％的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在95 85原子％的范圍內(nèi)含有材料 粒子的區(qū)域。粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料中所含有的氧化物可以根據(jù)需要選擇。另外，本申請發(fā)明中的粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料，可以是非磁性材料粒子的周圍完 全被氧化物被覆的結(jié)構(gòu)的材料，但也可以是只一部分被氧化物被覆的結(jié)構(gòu)的材料。例如，可 以是只非磁性材料粒子的側(cè)面被氧化物被覆的結(jié)構(gòu)的材料。作為構(gòu)成分離區(qū)域部14的粒狀結(jié)構(gòu)的材料，更優(yōu)選使用至少含有Cr的粒狀結(jié)構(gòu) 的非磁性材料。含有Cr的粒狀結(jié)構(gòu)的材料，為干蝕刻容易的材料，因此容易得到具有平滑 且耐環(huán)境性優(yōu)異的表面的分離區(qū)域部14。Cr的比例可以根據(jù)需要選擇，但優(yōu)選相對于非磁性粒子為25 50原子％。另外，如果量不多，則也可以含有顯示磁性的元素。另外，作為粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料中含有的氧化物，可以舉出Si02、SiO、Cr203> CoO、Ta2O3和TW2中的任一種以上等等。通過設(shè)為含有這些氧化物的粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材 料，成為干蝕刻等容易的材料，因而優(yōu)選。另外，分離區(qū)域部14，優(yōu)選在15 40體積％的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在20 30體積％ 的范圍內(nèi)含有氧化物。通過使分離區(qū)域部14中含有的氧化物的體積率為上述范圍，能夠使 形成分離區(qū)域部14時的干蝕刻容易，能夠使干蝕刻后得到的分離區(qū)域部14的表面粗糙度 均勻?！复判詫?與分離區(qū)域部14的材料的更加近似」在本實施方式中，為了使構(gòu)成磁性層4的材料與構(gòu)成分離區(qū)域部14的材料相互地 更近似，更優(yōu)選使構(gòu)成磁性層4以及分離區(qū)域部14的材料成為至少以下的(1) (5)所 示的任一個構(gòu)成。(1)在構(gòu)成磁性層4的材料和構(gòu)成分離區(qū)域部14的材料中使用相同的氧化物。通 過含有相同的氧化物，可以消除起因于所含有的氧化物的不同，在磁性層4與分離區(qū)域部 14之間氧與構(gòu)成氧化物的元素的共價鍵的大小不同。由此，在磁性層4與分離區(qū)域部14 中，難以引起由于氧與構(gòu)成氧化物的元素的共價鍵大小的不同而產(chǎn)生的氧原子的相互擴散 (即，氧原子從記錄磁道部15的氧化物向分離區(qū)域部14的移動，或者，氧原子從分離區(qū)域 部14的氧化物向記錄磁道部15的移動)。例如，在具有如圖1 (I)表示的垂直磁記錄介質(zhì) A的磁記錄再生裝置中，若起因于所含有的氧化物的不同而在磁性層4與分離區(qū)域部14之 間發(fā)生氧原子的移動的話，則長期在高溫下保持磁性層4和分離區(qū)哉部14后，有時產(chǎn)生SNR 特性和矯頑力這些特性變化的問題。然而，通過在磁性層4和分離區(qū)域部14中含有相同的 氧化物，能夠解決上述的問題。(2)作為構(gòu)成磁性層4的材料和構(gòu)成分離區(qū)域部14的材料之一，包含Cr。通過含 有Cr，在制成為具有如圖I(I)表示的垂直磁記錄介質(zhì)A的磁記錄再生裝置的場合，能夠改 善SNR特性，并且磁性層4和分離區(qū)域部14的干蝕刻變得容易。其結(jié)果，在同時地干蝕刻 分離區(qū)域部14與磁性層4的場合，能夠容易地得到具有優(yōu)異的表面平滑性的記錄層6。(3)在構(gòu)成磁性層4的材料和構(gòu)成分離區(qū)域部14的材料中，在5 40體積％的范 圍內(nèi)、優(yōu)選在10 20體積％的范圍內(nèi)含有氧化物。也優(yōu)選氧化物的量為相互相同、或相近 的值，但只要是在該范圍則也可以不同。通過在上述范圍內(nèi)含有氧化物，能夠使分離區(qū)域部 14與磁性層4的蝕刻速率或研磨速率更進一步近似。因此，在對分離區(qū)域部14與磁性層4 同時地進行蝕刻和/或研磨的場合，在分離區(qū)域部14與磁性層4的邊界部分不會產(chǎn)生高低 階差，能夠使分離區(qū)域部14上和磁性層4上容易地成為連續(xù)的平滑面。(4)作為構(gòu)成磁性層4的材料和構(gòu)成分離區(qū)域部14的材料的氧化物，包含Si02、 Si0、Cr203、Co0、Ta203和TW2中的任一種以上。在磁性層與分離區(qū)域部中，優(yōu)選含有相互相 同的化合物，但也可以含有相互不同的化合物。由此，能夠?qū)⒋判詫?制成為粒狀結(jié)構(gòu)，能 夠?qū)崿F(xiàn)磁性粒子的孤立化和微細化，能夠提高磁性層4的磁特性。并且，能夠進一步提高構(gòu) 成分離區(qū)域部14的非磁性材料的蝕刻特性，能夠得到平滑的蝕刻面。(5)在本實施方式中，為了使磁性層4與分離區(qū)域部14的材料近似，還可以在磁 性層4與分離區(qū)域部14中添加Co、Pt等。優(yōu)選添加相互相同的元素，但也可以不同。在添加了的場合，能夠使磁性層4成為噪聲特性更優(yōu)異的粒狀結(jié)構(gòu)的磁性層。并且，分離區(qū)域部 14成為與磁性層4近似的組織，能夠使兩者的蝕刻特性相同。另外，在磁性層4和分離區(qū)域部14中添加Co、Pt等的場合，分離區(qū)域部14中的非 磁性粒子，優(yōu)選是含有Co作為第一主成分的Cr合金。保護膜16可以根據(jù)需要選擇?？梢赃m當使用作為一般的磁記錄介質(zhì)的保護膜而 使用的保護膜。例如，可以使用DLC (Diamond Like Carbon ；類金剛石碳)的薄膜等。另外， 作為保護層16，除了 DLC薄膜以外，也可以使用C、氫化碳、氮化碳、無定形碳或SiC等的碳 質(zhì)層、由Si02、 ·203或TiN等形成的薄膜。另外，保護層16也可以由2層以上的薄膜層構(gòu) 成。保護層16的膜厚優(yōu)選為1 lOnm，更優(yōu)選為1 5nm，優(yōu)選在能夠確保充分的耐久性的范圍設(shè)定得盡量薄。作為潤滑層17，可以根據(jù)需要選擇，可舉出使用從氟系潤滑劑、烴系潤滑劑以及 它們的混合物等中選擇的潤滑劑形成的潤滑層。潤滑層17的厚度可以根據(jù)需要選擇，但通 常設(shè)為1 4nm?！复怪贝庞涗浗橘|(zhì)的制造方法」以下，作為本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法的一例，利用圖I(A) 圖I(H)說 明圖I(I)表示的垂直磁記錄介質(zhì)A的制造方法。圖1 (A)是表示在非磁性基板上形成了記錄層的狀態(tài)的放大剖面圖。圖1 (B)是表 示在上述記錄層上形成了抗蝕劑層的狀態(tài)的放大剖面圖。圖I(C)是表示利用印模除去相 當于成為分離區(qū)域部的區(qū)域的抗蝕劑層部分的狀態(tài)的放大剖面圖。圖I(D)是表示除去全 體抗蝕劑層，在記錄部(記錄層)上形成了將記錄部分離成多個的多個凹槽的狀態(tài)的放大 剖面圖。圖I(F)是表示在形成有凹槽的記錄部上沉積有粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料的層的狀 態(tài)的放大剖面圖。圖I(G)是表示除去非磁性材料的層的表面，記錄層的表面被平滑化了的 狀態(tài)的放大剖面圖。圖I(H)是表示在平滑化了的記錄層的表面形成有保護層的狀態(tài)的放 大剖面圖。為了制造圖1 (I)表示的垂直磁記錄介質(zhì)A，首先，如圖1 (A)所示，通過在圓盤狀的 非磁性基板1上依次形成軟磁性襯里層2、取向控制層3和磁性層4，形成作為疊層的記錄 層(6)(記錄層形成工序)。接著，如圖I(B)所示，采用濺射法、CVD法等在記錄層6上設(shè)置例如由碳構(gòu)成的掩 模層5。掩模層5，在除去相當于分離區(qū)域部14的記錄層6的部分時，為了更切實地遮蔽成 為記錄部15的記錄層6的部分，可以根據(jù)需要設(shè)置。然后，在設(shè)置有掩模層5的記錄層6上涂布抗蝕劑，如圖1 (B)所示，形成形成有抗 蝕劑層7的介質(zhì)8。用于抗蝕劑層7形成的抗蝕劑可以根據(jù)需要選擇，可以廣泛地使用在工 業(yè)上使用的光致抗蝕劑。抗蝕劑層7，通常可以采用下述方法來形成使用旋涂等薄而均勻 地涂布抗蝕劑后，根據(jù)需要采用烘箱在設(shè)定的溫度、時間下進行燒成，除去不需要的有機溶 劑等?？刮g劑層7的形成方法，也可以根據(jù)所使用的抗蝕劑的性質(zhì)等進行適當調(diào)整。接著，使印模9密著在介質(zhì)8的表面，通過以高壓進行加壓，除去成為分離區(qū)域部 14的區(qū)域的抗蝕劑層7的部分，如圖1 (C)所示，在介質(zhì)8的表面形成具有所希望的形狀，例 如所希望的磁道形狀或比特形狀的凹凸部10。
印模9可以根據(jù)需要選擇。例如，可以使用下述的印模等，該印模是與圓盤狀的非 磁性基板1 一致的圓盤狀印模，在表面形成有與圖1 (I)表示的垂直磁記錄介質(zhì)A的記錄部 15的表面形狀對應(yīng)的凹部9a。印模9，例如，可以通過采用電子束描繪等的方法在金屬板上 形成微細的凹部9a形狀而得到。作為印模9的材料，只要是具有足夠的硬度和耐久性的材 料即可，沒有特別的限定，例如可使用M等的金屬。然后，通過采用離子束蝕刻(IBE =Ion Bean Etching)法、離子銑削等的方法，除去 位于已除去了抗蝕劑層7的區(qū)域(成為分離區(qū)域部14的區(qū)域)的記錄層6和掩模層5，形 成包含磁性層4的多個記錄部15和分離相鄰的記錄部15的多個凹槽lib。如圖I(D)所 示，除去殘留在記錄部15上的抗蝕劑層7 (凹槽形成工序)。記錄部15和凹槽lib的形狀、 位置、尺寸可以根據(jù)需要選擇。再者，在此得到的記錄層6成為沿徑向相互不同地形成了記 錄部15和位于記錄部15之間的凹槽lib的結(jié)構(gòu)。然后，如圖I(E)所示，通過氧等離子體蝕刻、離子銑削等除去殘留在記錄部15上 的掩摸層5。接著，如圖I(F)所示，在形成有凹槽lib的記錄層6上沉積粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材 料而形成非磁性層12(非磁性層形成工序)。由此，至少在凹槽lib內(nèi)填充粒狀結(jié)構(gòu)的非磁 性材料，形成分離區(qū)域部14(凹槽填充工序)。在向凹槽lib填充粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料 時，優(yōu)選采用濺射法。通過采用濺射法并適當調(diào)節(jié)沉積速度和氣壓等的條件，能夠容易地填 充粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料直到極微細且深的凹槽lib的底部。再者，當在凹槽lib內(nèi)具有未填充粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料的部分時，有時不能充 分地隔斷記錄部15之間的磁相互作用，不能夠得到充分的記錄再生特性。另外，凹槽lib 內(nèi)的未填充粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料的部分，通過與大氣中的氧等的氣體接觸，存在對垂直 磁記錄介質(zhì)A的耐腐蝕性帶來不良影響的可能性。然后，如圖I(G)所示，為了將所形成的非磁性層12的表面上平坦化，同時地除去 磁性層4的一部分和非磁性層12的一部分，使磁性層4露出(平坦化工序)。由此，形成 了被分離區(qū)域部14分隔的露出的各記錄部15。非磁性層12由粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料形 成，因此即使是在平坦化前的非磁性層12的初期表面上存在凹凸而不均勻的場合，隨著采 用研磨或蝕刻的平坦化的進行，能夠緩和表面的凹凸而將表面平滑化。在形成非磁性層12后將表面上平坦化時，與非磁性層12同時地被除去的磁性層 4的除去厚度沒有特別的限定。例如，為了充分地得到同時地除去非磁性層12和磁性層4 的平坦化效果，優(yōu)選除去Inm以上。在平坦化工序中，只要是不損害所得的垂直磁記錄介質(zhì)A的性能，并且能夠?qū)?含記錄部15和分離區(qū)域部14的記錄層6的表面平滑地加工成足以可用于垂直磁記錄介 質(zhì)A的程度的方法，則可以使用任何的方法。例如，可以使用采用CMP(化學機械拋光； Chemical mechanical polish)法的研磨、離子束蝕刻法等的干蝕刻，但優(yōu)選采用離子束蝕 刻法。在采用離子束蝕刻法將記錄層6的表面上平坦化的場合，能夠減少蝕刻面的污染。然后，如圖I(H)所示，采用等離子CVD法等的成膜方法，成膜出作為覆蓋平坦化了 的記錄部15和分離區(qū)域部14的保護膜16的DLC膜。然后，通過在保護膜16上再形成潤滑層17，能夠得到圖I(I)表示的垂直磁記錄介 質(zhì)A。
本實施方式的垂直磁記錄介質(zhì)A中，在非磁性基板1上形成有在相對于非磁性基 板1面垂直的方面具有磁各向異性的記錄層6，記錄層6具有多個記錄部15和分離相鄰的 記錄部15的分離區(qū)域部14。上述記錄部15，包含優(yōu)選由粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料形成的磁性 層4，上述分離區(qū)域部14由粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料構(gòu)成時，可以得到以下的㈧ ⑶所示 的效果。(A)分離區(qū)域部14由粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料構(gòu)成，因此分離區(qū)域部14具有微細的 結(jié)晶結(jié)構(gòu)。由于結(jié)晶組織微細，因此蝕刻的進行也均勻，其結(jié)果，在為了得到分離區(qū)域部14 而對非磁性層12進行蝕刻和/或研磨的場合，非磁性層12的蝕刻和/或研磨能夠均勻地 進行。在蝕刻和/或研磨后，可以得到具有平滑且耐環(huán)境性優(yōu)異的表面的分離區(qū)域部14。(B)分離區(qū)域部14與磁性層4的材料的組成近似，因此分離區(qū)域部14與磁性層4 的蝕刻速率或研磨速率也近似。其結(jié)果，蝕刻和/或研磨后得到的分離區(qū)域部14和磁性層 4的表面狀態(tài)也近似。因此，在進行蝕刻和/或研磨時，能夠容易地同時除去分離區(qū)域部14 與磁性層4，能夠使分離區(qū)域部14上表面與磁性層4上表面成為連續(xù)的平滑面，能夠容易地 得到具有優(yōu)異的表面平滑性的記錄層6。(C)能夠使構(gòu)成分離區(qū)域部14的材料組成與構(gòu)成磁性層4的材料組成近似，因此 兩區(qū)域的電位近似，難以發(fā)生分離區(qū)域部14與磁性層4之間的構(gòu)成元素的相互擴散。所 以，本實施方式的垂直磁記錄介質(zhì)A，即使是備置于磁記錄再生裝置中長期在高溫下保持的 場合，SNR特性、矯頑力這些特性也難以變化，能夠得到長期穩(wěn)定的電磁轉(zhuǎn)換特性。另外，本 實施方式的垂直磁記錄介質(zhì)A，難以發(fā)生分離區(qū)域部14和磁性層4之間的構(gòu)成元素的相互 擴散，在備置于磁記錄再生裝置中的場合，由磁頭導(dǎo)致的洇寫少。(D)能夠使分離區(qū)域部14與磁性層4的材料的組成近似，因此也能夠使分離區(qū)域 部14與磁性層4的硬度、密度近似。其結(jié)果，可使整個表面的硬度、密度大致均勻，由分離 區(qū)域部14與磁性層4構(gòu)成的記錄層6的表面的耐沖擊性提高，針對磁頭等的沖撞的耐沖擊 性優(yōu)異。此外，本實施方式的垂直磁記錄介質(zhì)A中，磁性層4被配置作為記錄部15的最上 層，并設(shè)置有覆蓋記錄部15與分離區(qū)域部14的保護膜16，但成為保護膜16的基底層而支 撐保護膜16的記錄部15和分離區(qū)域部14，其硬度、密度相互近似。因此，在保護膜16偶然 地接觸了磁頭等的場合，在表面全區(qū)域能夠均勻地吸收沖擊、難以受到損傷且耐沖擊性非 常優(yōu)異。因此，垂直磁記錄介質(zhì)A具有非常優(yōu)異的耐沖擊性。另外，本實施方式的垂直磁記錄介質(zhì)A的制造方法，能夠制造本實施方式的垂直 磁記錄介質(zhì)A。另外，在平坦化工序后，能夠得到分離區(qū)域部14上與磁性層4上相連續(xù)的平 滑面。另外，在本實施方式中，能夠以高精度容易地形成由記錄部15與分離區(qū)域部14構(gòu)成 的圖案形狀?！复庞涗浽偕b置」以下，作為本發(fā)明的磁記錄再生裝置的一例，利用圖2說明具有圖I(I)表示的垂 直磁記錄介質(zhì)A的磁記錄再生裝置。圖2是表示作為本發(fā)明的磁記錄再生裝置一例的硬盤裝置的立體圖。圖2表示 的磁記錄再生裝置B，具有上面?zhèn)乳_口的矩形箱狀的筐體21和封堵筐體21的開口的省略 圖示的頂蓋。在筐體21內(nèi)收納有圖I(I)表示的垂直磁記錄介質(zhì)A、主軸電動機23、磁頭24 (單磁極磁頭)、磁頭致動器(head actuator) 25、音圈電動機27和磁頭放大電路觀。主軸電動機23是支撐并使垂直磁記錄介質(zhì)A旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動機構(gòu)。另外，磁頭M具有記錄部和再生部，對垂直磁記錄介質(zhì)A進行磁信號的記錄和再 生。磁頭M可以根據(jù)需要選擇，例如可以使用GMR磁頭或TMR磁頭。作為磁頭M使用GMR 磁頭或TMR磁頭的場合，即使在高記錄密度下也能夠得到充分的信號強度，能夠?qū)崿F(xiàn)具有 高記錄密度的磁記錄再生裝置B。另外，磁頭M的浮起量可以根據(jù)需要選擇，例如通過設(shè)為 0. 005 μ m 0. 020 μ m,能夠使輸出提高，并且能夠得到高的裝置S/N比，其結(jié)果，能夠成為 大容量且具有高的可靠性的磁記錄再生裝置B。磁頭致動器25，相對于磁記錄介質(zhì)22移動自如地支撐磁頭24。磁頭致動器25，具 有在頂端裝載了磁頭M的懸架(suspension)，由旋轉(zhuǎn)軸沈旋轉(zhuǎn)自如地支撐著。另外，音圈電動機27，在通過旋轉(zhuǎn)軸沈使磁頭致動器25旋轉(zhuǎn)的同時進行定位。另外，磁記錄再生裝置B中，通過組合材料了最大似然法的信號處理電路，能夠進 一步提高記錄密度。例如，在以磁道密度IOOkTPI以上、線記錄密度ΙΟΟΟΙΛρΙ以上以及每 1平方英寸為100G比特/英寸以上的記錄密度進行記錄和再生的場合，也能夠得到充分的 S/N 比。圖2表示的磁記錄再生裝置B，是具有圖I(I)表示的垂直磁記錄介質(zhì)A的裝置。因 此，能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度，沒有由磁頭M導(dǎo)致的洇寫，能夠得到長期穩(wěn)定的電磁轉(zhuǎn)換特性， 針對磁頭M等的沖撞的耐沖擊性優(yōu)異。實施例采用以下示出的制造方法，制作了圖I(I)表示的垂直磁記錄介質(zhì)A。首先，作為非磁性基板1，準備洗凈過的圓盤狀的HD用玻璃基板(，(株)制， 外徑0. 85英寸)，設(shè)置在預(yù)先真空排氣到1. OX 10_5pa以下的真空室內(nèi)。然后，在非磁性基 板1上，不加熱而依次成膜出65 ^-25(:ο-10Β (原子％ )50nm，Ru 0. 8歷、65!^-25(0-1( (原 子％ )50nm，由此形成了軟磁性襯里層2。接著，在軟磁性襯里層2上形成由Ru構(gòu)成的厚度 20nm的取向控制層3。通過在上述取向控制層3上再形成由65Co-10Cr-15Pc-10Si02 (原 子％)構(gòu)成的厚度12nm的磁性層4，形成了記錄層6。該磁性層4具有包含Co、Cr和Pt的 磁性材料粒子分散在Sih中的粒狀結(jié)構(gòu)。接著，從真空室內(nèi)取出形成有記錄層6的非磁性基板1，在記錄層6上形成由碳構(gòu) 成的厚度4nm的掩模層5。然后，在形成有掩模層5的記錄層6上采用旋涂法涂布抗蝕劑。 然后，通過將涂布了抗蝕劑的非磁性基板1在約100°C的恒溫槽中燒成20分鐘來除去多余 的溶劑，得到抗蝕劑層。接著，使用形成有磁道間距(Track pitch) 150nm的同心圓狀的凹部的Ni制的印 模，除去成為分離區(qū)域部14的區(qū)域的抗蝕劑層，在基板1上形成了所希望的凹凸部。然后， 在高真空室內(nèi)設(shè)置形成了具有凹凸部的抗蝕劑層的非磁性基板1，采用離子束蝕刻除去沒 有形成抗蝕劑層的區(qū)域(成為分離區(qū)域部14的區(qū)域)的記錄層6和掩模層5，形成同心圓 狀的凹槽lib。然后，除去殘留在記錄部15上的掩模層5和抗蝕劑層7。然后，采用RF(高頻)濺射法，在形成有凹槽lib的記錄層6上沉積作為粒狀結(jié)構(gòu) 的非磁性材料的40Co-35Cr-15Pt-10Si02 (原子％ )膜，形成包含Co、Cr和Pt的非磁性材 料粒子分散在SW2中的平均膜厚80nm的非磁性層，再者，該非磁性材料，與磁性材料相比雖然構(gòu)成元素的種類相同，但Co的量少，因此顯示非磁性。其結(jié)果，形成了在凹槽lib中填 充有粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料的分離區(qū)域部14。由SEM照片、TEM照片可以確認具有粒狀結(jié) 構(gòu)。接著，在將采用離子束蝕刻形成的非磁性層的表面上平坦化的同時，從非磁性層 和磁性層4的表面同時除去Inm左右使磁性層4露出。然后，采用等離子CVD法，在記錄層6上形成厚度4nm的DLC膜構(gòu)成的保護膜16， 通過在保膜16上涂布2nm的潤滑劑而形成潤滑層17，由此得到圖1⑴表示的垂直磁記錄 介質(zhì)A。比較例1 比較例4作為分離區(qū)域部14的材料，使用表1所示的Si02、Si、Cr或Cr2O3，除此以外，與上 述的實施例同樣地制作了垂直磁記錄介質(zhì)。再者，在比較例1 比較例4中，填充到分離區(qū)域部中的材料當然不具有粒狀結(jié) 構(gòu)。表 1保護間距部的材 料投入烘箱之前投入烘箱之后耐沖擊性評價 (傷的條數(shù))Hc(Oe)SNR(dB)Hc(Oe)SNR(dB)實施例40Co-35Cr-15Pt -10Si02(原子 ％)510026.1505025.9無傷比較例1SiO2505026.2490025.510條/面比較例2Si506026.1470024.550條/面比較例3Cr515026.3465024.384條/面比較例4Cr2O3514026,2475024.296條/面對這樣地得到的實施例、比較例1 比較例4的垂直磁記錄介質(zhì)進行了以下所示 的評價。(電磁轉(zhuǎn)換特性的經(jīng)時變化評價)將實施例和比較例1 4的垂直磁記錄介質(zhì)投入到溫度80°C、濕度80%的環(huán)境下 的烘箱中，保持了 720小時。測定投入到烘箱中之前和之后的實施例和比較例1 4的垂 直磁記錄介質(zhì)的信噪比(SNR)和矯頑力(He)。將其結(jié)果示于表1。再者，在SNR的評價中，使用⑶ZIK公司制的讀寫分析儀(1J 一卜·'，<卜r于 7 ^廿)RWA1632和旋轉(zhuǎn)臺S1701MP，使用在寫入部使用密封固定不動型磁頭、且在再生 部使用GMR元件的磁頭，通過寫入160kFCl以及960kFCl的信號時的rms值(rootmean square-inches ；均方根英寸)進行評價。由表1可知，分離區(qū)域部14由粒狀結(jié)構(gòu)的非磁性材料構(gòu)成的實施例，由于可防止 記錄部15與分離區(qū)域部14的相互擴散，因此基本上沒有SNR和矯頑力的經(jīng)時變化。另一 方面，可知，比較例1 4，由于經(jīng)時變化，SNR、矯頑力與實施例相比都大大地降低，不優(yōu)選。
(垂直磁記錄介質(zhì)表面的耐沖擊性評價)使實施例和比較例1 4的垂直磁記錄介質(zhì)以5600rpm旋轉(zhuǎn)，在其表面的一定半 徑的地方，使磁頭各用0. 5秒接觸1000次，對垂直磁記錄介質(zhì)的表面受到的損傷進行比較。損傷的評價，使用300倍的VA^AZ*-微分干涉光學顯微鏡觀察垂直磁記錄 介質(zhì)的表面，統(tǒng)計所觀察到的傷的條數(shù)來進行。將其結(jié)果示于表1。由表1可知，實施例的垂直磁記錄介質(zhì)沒有傷，表面的耐沖擊性優(yōu)異。與此相對， 比較例1 4的垂直磁記錄介質(zhì)觀察到傷，與實施例相比，耐沖擊性低。再者也可以利用上述的耐沖擊性評價(擦傷評價)來間接地評價平滑性。本發(fā)明 由于平滑性優(yōu)異，因此沒有由接觸導(dǎo)致的損傷，不發(fā)生擦傷。另一方面，比較例由于平滑性 差，因此由接觸導(dǎo)致的損傷大，發(fā)生的擦傷的條數(shù)多。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性能夠提供分離區(qū)域部表面的平滑性優(yōu)異，可以實現(xiàn)高記錄密度，在備置于磁記錄 再生裝置中的場合沒有由磁頭導(dǎo)致的洇寫，可得到長期穩(wěn)定的電磁轉(zhuǎn)換特性，針對磁頭等 的沖撞的耐沖擊性優(yōu)異的垂直磁記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上形成有在相對于所述非磁性基板面垂直的 方向具有磁各向異性的記錄層，所述記錄層具有多個記錄部和分離相鄰的所述記錄部的多 個分離區(qū)域部的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述分離區(qū)域部由粒狀結(jié)構(gòu)的材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述粒狀結(jié)構(gòu)的材料是非磁 性材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄部是疊層體，是含有 由粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料形成的磁性層的記錄部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層和所述分離區(qū)域 部含有相同的氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層和所述分離區(qū)域 部含有Cr。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層和所述分離區(qū)域 部含有5 40體積％的范圍內(nèi)的氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層和所述分離區(qū)域 部含有Si02、Si0、Cr203、Co0、Ta2O3和TiO2中的任一種以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述磁性層被配置作為所述 記錄部的最上層，在所述記錄層上形成有覆蓋所述記錄部和所述分離區(qū)域部的保護膜。
9.一種垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，是在非磁性基板上形成有在相對于所述非磁性基 板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄層，所述記錄層具有多個記錄部和分離相鄰的所述 記錄部的多個分離區(qū)域部的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，包括在非磁性基板上形成在相對于非磁性基板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄層的 工序；通過從所述記錄層除去成為分離區(qū)域部的區(qū)域而形成凹槽，形成多個記錄部和分離相 鄰的所述記錄部的多個凹槽的工序；和向所述凹槽填充粒狀結(jié)構(gòu)的材料，形成分離區(qū)域部的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，被填充到所述凹 槽中的所述粒狀結(jié)構(gòu)的材料是非磁性材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述記錄部包含 由粒狀結(jié)構(gòu)的磁性材料形成的磁性層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，填充所述凹槽 的工序具有在形成有所述凹槽的所述記錄層上沉積所述粒狀結(jié)構(gòu)的材料，形成在所述凹槽內(nèi)填充 有所述材料的非磁性層的工序；和除去所述非磁性層直到所述磁性層的表面露出并且所述磁性層的表面的一部分被除 去，將形成有所述非磁性層的表面上平坦化的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，具有在所述記 錄層上形成覆蓋所述記錄部和所述分離區(qū)域部的保護膜的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽 的工序具有在所述記錄層上涂布抗蝕劑而形成抗蝕劑層，使用印模除去成為所述分離區(qū)域部的所述抗蝕劑層的區(qū)域，將除去了所述抗蝕劑層的所述記錄層的區(qū)域除去的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在填充所述凹 槽的工序中，采用濺射法向所述凹槽填充粒狀結(jié)構(gòu)的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的垂直磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在所述平坦化 的工序中，采用離子束蝕刻法將形成有所述非磁性層的表面上平坦化。
17.一種磁記錄再生裝置，是具有磁記錄介質(zhì)和對該磁記錄介質(zhì)記錄再生信息的磁頭 的磁記錄再生裝置，其特征在于，所述磁記錄介質(zhì)是權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)。
全文摘要
一種垂直磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上形成有在相對于所述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向異性的記錄層，所述記錄層具有多個記錄部和分離相鄰的所述記錄部的多個分離區(qū)域部的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述分離區(qū)域部由粒狀結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成。
文檔編號G11B5/84GK102047330SQ20098011894
公開日2011年5月4日 申請日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月28日
發(fā)明者福島正人 申請人:昭和電工株式會社