專利名稱：用于光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的檢測(cè)增強(qiáng)的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及用于光盤的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)。更特別地，該技術(shù)涉及通過減少或利
用來自于光盤表面的反射來增強(qiáng)來自于光盤中的數(shù)據(jù)位的反射。
背景技術(shù)：
隨著計(jì)算能力的提高，計(jì)算技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入新的應(yīng)用領(lǐng)域，其中諸如消費(fèi)者視頻、數(shù) 據(jù)歸檔、文件存儲(chǔ)、成像、和電影制作。這些應(yīng)用提供了對(duì)研發(fā)具有增加的存儲(chǔ)容量的數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)技術(shù)的持續(xù)推動(dòng)。此外，存儲(chǔ)容量的增加已實(shí)現(xiàn)并促進(jìn)了已遠(yuǎn)超過開發(fā)者的最初預(yù)期 的技術(shù)(其中諸如游戲)的發(fā)展。 光學(xué)存儲(chǔ)系統(tǒng)的越來越高的存儲(chǔ)容量提供了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的很好的例子。 在20世紀(jì)80年代早期研發(fā)的壓縮盤或CD格式具有大約650-700MB的數(shù)據(jù)容量，或大 約74-80分鐘的雙通道音頻程序容量。相比較而言，在20世紀(jì)90年代早期研發(fā)的數(shù)字 多功能盤(DVD)格式具有大約4.7GB(單層)或8.5GB(雙層)的容量。DVD的較高存儲(chǔ) 容量足夠用于存儲(chǔ)較老的視頻分辨率下(例如，大約720(h)X576(v)像素的PAL，或大約 720(h) X480(v)像素的NTSC)的大型故事片。 然而，由于諸如高清晰電視(HDTV)(對(duì)于1080p在大約為1920 (h) X 1080 (v)像
素)之類的較高分辨率視頻格式已經(jīng)很普遍，所以期望有能夠容納以這些分辨率記錄的大 型故事片的存儲(chǔ)格式。這已促進(jìn)了大容量記錄格式的發(fā)展，例如Blu-ray DiscTM格式，其能 夠在單層盤中容納約25GB或在雙層盤中容納50GB。隨著視頻顯示器的分辨率和其他技術(shù) 的持續(xù)發(fā)展，具有越來越高的容量的存儲(chǔ)媒體將變得更加重要。 一種可能滿足今后一段時(shí) 間的容量需求的正在開發(fā)的存儲(chǔ)技術(shù)是基于全息存儲(chǔ)的。 全息存儲(chǔ)是采用全息圖形式的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，所述全息圖是通過在光敏存儲(chǔ)介質(zhì)中 使兩個(gè)光束交叉來創(chuàng)建的三維干涉圖的圖像?；陧?yè)的(page-based)全息技術(shù)和按位 (bitiise)全息技術(shù)已經(jīng)被推行。在基于頁(yè)的全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中，包含數(shù)字編碼數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù) 射束迭加在存儲(chǔ)介質(zhì)的體積內(nèi)的參考射束上，以產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，該化學(xué)反應(yīng)例如改變或調(diào) 節(jié)所述體積內(nèi)的介質(zhì)的折射率。該調(diào)節(jié)用于記錄來自信號(hào)的強(qiáng)度和相位信息兩者。因此， 每個(gè)位一般被存儲(chǔ)為干涉圖的一部分。然后可以通過使存儲(chǔ)介質(zhì)單獨(dú)暴露于參考射束來獲 得全息圖，參考射束與已存儲(chǔ)的全息數(shù)據(jù)互相作用從而產(chǎn)生重建的數(shù)據(jù)射束，該重建的數(shù) 據(jù)射束與用于存儲(chǔ)全息圖像的初始數(shù)據(jù)射束成比例。 在按位全息或微型全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中，將每個(gè)位(bit)編寫為微型全息圖或反射光 柵，其典型地由兩個(gè)對(duì)向傳播的聚焦記錄射束產(chǎn)生。然后，通過使用讀取射束衍射出微型全 息圖來獲取該數(shù)據(jù)以重建記錄射束。因此，微型全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)比按頁(yè)全息存儲(chǔ)更類似于當(dāng) 前技術(shù)。然而，與可以用于DVD和Blu-ray 018(，格式的雙層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)相比，全息盤可以具 有50或100層的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，從而提供可以按太字節(jié)(terabyte, TB)計(jì)量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量。
盡管全息存儲(chǔ)系統(tǒng)可以提供比現(xiàn)有光學(xué)系統(tǒng)高得多的存儲(chǔ)容量，但是可以使用的 大量的層會(huì)提供可能難以跳過干擾而得以檢測(cè)的弱數(shù)據(jù)信號(hào)。例如，來自于相鄰軌道和層中的位的反射，或來自于全息存儲(chǔ)系統(tǒng)本身的表面的反射，都可能對(duì)讀取數(shù)據(jù)產(chǎn)生干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本技術(shù)的預(yù)期實(shí)施例提供了一種用于讀取光盤上的數(shù)據(jù)的方法。該方法包括向 光盤的表面發(fā)射電磁輻射束，采用檢測(cè)器檢測(cè)來自于光盤的反射的電磁輻射；并調(diào)節(jié)檢測(cè) 器以增強(qiáng)對(duì)來自于微反射體(micro-reflector)的反射的檢測(cè)。所述反射的電磁輻射包 括來自所述表面的反射以及來自數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)部的微反射體的反射。
另一預(yù)期實(shí)施例提供了一種用于光存儲(chǔ)媒體的讀取器。該讀取器包括光激勵(lì)設(shè) 備、光檢測(cè)器以及跟蹤單元，其中所述光激勵(lì)設(shè)備被配置為將激光束聚焦到光盤上。光檢測(cè) 器被配置為檢測(cè)來自光盤的反射光束。該反射光束包括從位于光盤中的微反射體反射的光 以及從光盤表面反射的光。光檢測(cè)器進(jìn)一步被配置為將反射光束轉(zhuǎn)換成電信號(hào)?？捎筛?單元調(diào)節(jié)光檢測(cè)器的位置，從而增強(qiáng)組合光。 在另一預(yù)期實(shí)施例中，本技術(shù)提供了一種用于增強(qiáng)來自于反射的讀取射束的數(shù)據(jù)
信號(hào)的方法。該方法包括在檢測(cè)器處接收讀取射束的反射；分析多于一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)處的反
射；并且將檢測(cè)器的位置調(diào)節(jié)到來自數(shù)據(jù)或微全息圖的反射得以增強(qiáng)的點(diǎn)。 在又一實(shí)施例中，本技術(shù)提供了 一種光學(xué)存儲(chǔ)盤。該光學(xué)存儲(chǔ)盤包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層，
該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層具有多個(gè)被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的微反射體。光學(xué)存儲(chǔ)盤還包括位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層
之上的保護(hù)表面。該保護(hù)表面被配置為增強(qiáng)來自微反射體的讀取束的反射。


當(dāng)參考附圖來閱讀以下的具體描述時(shí)，可以更好地理解本發(fā)明的這些和其他特 征、方面和優(yōu)點(diǎn)，其中在全部圖中類似的字符表示類似的部件，其中
圖1是根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的光盤讀取器的示意圖；
圖2是可以用于本技術(shù)實(shí)施例中的光盤的俯視圖；
圖3是圖2的光盤區(qū)域的剖視圖； 圖4是根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的、在微反射體的檢測(cè)期間所產(chǎn)生的反射的示意圖；
圖5是根據(jù)實(shí)施例的共線檢測(cè)頭的示意圖； 圖6是示出了根據(jù)實(shí)施例的程序的代碼列表，該程序可用于當(dāng)改變來自于盤表面 的反射的百分比時(shí)，對(duì)在檢測(cè)器處接收的光的強(qiáng)度進(jìn)行仿真； 圖7是根據(jù)實(shí)施例的圖表，該圖表示出了由圖6的仿真程序使用針孔反射降低因 子0.01計(jì)算的相對(duì)光強(qiáng)； 圖8是根據(jù)實(shí)施例的圖表，該圖表示出了由6的仿真程序使用針孔反射降低因子 0. l計(jì)算的相對(duì)光強(qiáng)；以及 圖9是示出了根據(jù)實(shí)施例的、用于從光學(xué)存儲(chǔ)盤讀取位的一般過程的框圖。
具體實(shí)施例方式
下面將描述本技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。為了提供這些實(shí)施例的簡(jiǎn)明描述，說明 書中并非描述實(shí)際實(shí)施方式的所有特征。應(yīng)當(dāng)理解的是，在任何該實(shí)際實(shí)施方式的開發(fā)中 (如在任何工程或設(shè)計(jì)對(duì)象中)，為了實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)(例如遵循系統(tǒng)相關(guān)和商業(yè)相關(guān)的約束，其可能隨著實(shí)施方式的不同而不同)，必須作出大量的特定于實(shí)施方式的決定。 此外應(yīng)當(dāng)理解的是，這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗時(shí)的，但是盡管如此，該開發(fā)工作將是對(duì) 于受益于本公開的本領(lǐng)域技術(shù)人員而言常規(guī)采取的設(shè)計(jì)、安裝和制造。 使用光學(xué)干涉圖將全息存儲(chǔ)系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在光敏光學(xué)材料內(nèi)，所述光學(xué)干涉 圖允許將數(shù)據(jù)位存儲(chǔ)到光學(xué)材料的整個(gè)體積內(nèi)。由于數(shù)以百萬(wàn)的全息數(shù)據(jù)位可以被并行寫 入及讀取，因此可以提高全息存儲(chǔ)系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)傳送速率。此外，由于全息數(shù)據(jù)可以存儲(chǔ)在 光盤的多個(gè)層中，因此在全息存儲(chǔ)系統(tǒng)中記錄的多個(gè)層可以增加存儲(chǔ)容量。如前所述，可以 通過將記錄射束(如激光)指向介質(zhì)中的特定深度，并將射束聚焦到信息的特定層來寫入 數(shù)據(jù)。也可以將激光聚焦到所選層上的所選點(diǎn)或位置上。激光在激光所聚焦的層和/或位 置處產(chǎn)生光化學(xué)變化，以寫入數(shù)據(jù)。 為了在多層全息存儲(chǔ)系統(tǒng)中讀取數(shù)據(jù)，可以使讀取射束指向光盤中的特定層處的 數(shù)據(jù)位位置，并且該讀取射束可以穿過光盤的表面以與數(shù)據(jù)位位置處的材料進(jìn)行相互作 用。讀取射束在特定層處的相互作用可以產(chǎn)生與初始讀取射束對(duì)應(yīng)的重建數(shù)據(jù)射束。例如， 讀取射束可從全息數(shù)據(jù)位反射，并且該反射的數(shù)據(jù)射束可以與寫該全息數(shù)據(jù)位的初始讀取 射束成比。盡管多個(gè)記錄層增加了可以存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量，但是所述盤的這種配置會(huì)導(dǎo)致比較 低的信噪比("SNR")。更特別地，記錄層可以具有較低的反射率，其導(dǎo)致具有較低振幅的 反射數(shù)據(jù)射束。此外，當(dāng)讀取射束指向包含感興趣的數(shù)據(jù)位的特定層時(shí)，讀取射束也可以被 光盤的表面反射，這導(dǎo)致反射的數(shù)據(jù)射束除了包括來自感興趣的數(shù)據(jù)位的反射之外，還包 括來自表面反射的干擾。雖然在傳統(tǒng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中所述反射數(shù)據(jù)射束可能比表面 反射占優(yōu)勢(shì)，但是當(dāng)前的全息數(shù)據(jù)系統(tǒng)的配置有時(shí)可以導(dǎo)致不能被忽視的表面反射。
本發(fā)明的技術(shù)效果包括通過調(diào)節(jié)檢測(cè)器位置或調(diào)節(jié)盤表面的反射率來增強(qiáng)數(shù)據(jù) 反射。本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例包括將檢測(cè)器調(diào)節(jié)到數(shù)據(jù)反射被表面反射增強(qiáng)的位置。另一個(gè) 實(shí)施例包括將檢測(cè)器調(diào)節(jié)到表面反射干擾被最小化的位置。另外，本技術(shù)的實(shí)施例可以包 括調(diào)節(jié)盤表面的反射率以增強(qiáng)數(shù)據(jù)反射。 在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)器可被配置為相對(duì)于正被檢測(cè)器讀取的光盤移動(dòng)，從而使 得可以使來自光盤的表面反射的不期望的干擾最小化。該技術(shù)可由下述方程式解釋，其表 示檢測(cè)器的信號(hào)輸出，該信號(hào)輸出與在檢測(cè)器處接收的光強(qiáng)度成比例
|Ed|2+|Eh|2+2Re(EdEh*) Ed表示由于盤表面反射導(dǎo)致的檢測(cè)器處的電場(chǎng)，以及Eh表示由于來自微全息圖的
反射或折射導(dǎo)致的檢測(cè)器處的電場(chǎng)。如本文中所使用的，微全息圖可以涉及微反射體或任
何其他的數(shù)據(jù)符號(hào)存儲(chǔ)方法。如上面所討論的，當(dāng)讀取射束指向微全息圖時(shí)，該讀取射束的
部分還可能被盤的表面反射。因此，Ed+Eh或這兩種反射的電場(chǎng)可在檢測(cè)器處接收。 由于射束的強(qiáng)度與射束的電場(chǎng)幅度的平方成比例，因此所述方程式是表面反射和
微全息圖反射的電場(chǎng)幅度的平方的結(jié)果，或(|Ed+Eh|)2。項(xiàng)2Re(EdE。是指檢測(cè)器處的光強(qiáng)
度的交叉項(xiàng)。除了上述方程式的項(xiàng)之外，還可檢測(cè)由其他源或反射引起的光強(qiáng)度。 當(dāng)Ed具有相同的級(jí)(order)或大于Eh時(shí)，項(xiàng)|^|2可能是顯著的。如上討論的，盤
表面的反射可能與當(dāng)前的全息系統(tǒng)相關(guān)，因?yàn)槲⑷D可能具有較低的衍射效率，或者當(dāng)
前全息系統(tǒng)中的多個(gè)層的配置可導(dǎo)致較弱的Eh，這導(dǎo)致由表面反射對(duì)微全息圖反射的不期
望的干擾?？墒褂貌罘謾z測(cè)來克服DC項(xiàng)lEd「因?yàn)樵擁?xiàng)基本上可以是常數(shù)，或者可以相對(duì)于數(shù)據(jù)項(xiàng)緩慢變化。更特別地，當(dāng)分析強(qiáng)度信號(hào)時(shí)，當(dāng)存在微全息圖時(shí)，lE」2項(xiàng)可以更強(qiáng)。 然而，表面反射強(qiáng)度或lEdP項(xiàng)可以強(qiáng)到足以干擾信號(hào)。差分檢測(cè)可檢測(cè)信號(hào)的改變，以使 基本恒定的表面反射(DC項(xiàng)|Ed|2)可以被考慮。然而，即使在去除表面反射的情況下，微全 息圖反射仍然可能是弱信號(hào)。 在一個(gè)實(shí)施例中，可以將檢測(cè)器移動(dòng)到空間中的下述位置，即在該位置處，來自表 面的反射和來自微全息圖的反射的相位差是小的。更特別地，在檢測(cè)器處接收的射束根據(jù) 檢測(cè)點(diǎn)的位置可以有不同的相位，并且Ed和Eh的不同的相位可導(dǎo)致檢測(cè)器輸出不同的強(qiáng)度 值。當(dāng)Ed和Eh之間的相位差小時(shí)，交叉項(xiàng)可能大，并且根據(jù)檢測(cè)器接收Ed和Eh所處的空間 中的位置，交叉項(xiàng)可能更強(qiáng)或更弱?？梢杂啥嘞袼貦z測(cè)器或由在空間中移動(dòng)的單個(gè)檢測(cè)器 來對(duì)交叉項(xiàng)更強(qiáng)或更弱的位置進(jìn)行采樣(例如，旋轉(zhuǎn)盤(spi皿ing disc)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)對(duì)將 要讀取的特定數(shù)據(jù)的多次采樣)，并且來自每個(gè)位置的交叉項(xiàng)強(qiáng)度可由檢測(cè)器輸出。例如， 檢測(cè)器可以將關(guān)于來自這些采樣的交叉項(xiàng)信號(hào)的強(qiáng)度的信息反饋給判定設(shè)備，并可以做出 決定以調(diào)節(jié)檢測(cè)器的位置。 可基于交叉項(xiàng)信號(hào)來調(diào)節(jié)檢測(cè)器的位置，以增強(qiáng)正被讀取的微全息圖的反射。在 一些實(shí)施例中，可有利地使用交叉項(xiàng)。例如，當(dāng)Ed和Eh之間的相位差小時(shí)，這兩種反射可以 以放大微全息圖反射的檢測(cè)的方式進(jìn)行相長(zhǎng)地干涉。當(dāng)Eh弱時(shí)，這種效果可能是有利的， 因?yàn)榻徊骓?xiàng)可由檢測(cè)器輸出作為放大的數(shù)據(jù)信號(hào)。因此，檢測(cè)器可以將采樣結(jié)果反饋給判 定設(shè)備，并且可以做出決定，以將檢測(cè)器的位置調(diào)節(jié)到交叉項(xiàng)最強(qiáng)的點(diǎn)。
在一些實(shí)施例中，可以通過調(diào)節(jié)檢測(cè)器的位置以使來自表面反射的不期望的干擾 最小化來增強(qiáng)數(shù)據(jù)反射。在這種實(shí)施例中，可以將檢測(cè)器調(diào)節(jié)到表面反射強(qiáng)度最弱的位置。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖1是光學(xué)讀取系統(tǒng)IO，其可用于從光學(xué)存儲(chǔ)盤12讀取數(shù)據(jù)。存 儲(chǔ)在光學(xué)數(shù)據(jù)盤12上的數(shù)據(jù)由一系列光學(xué)元件14讀取，其將讀取射束16投射到光學(xué)數(shù)據(jù) 盤12上。由光學(xué)元件14從光學(xué)數(shù)據(jù)盤12拾取反射射束18。光學(xué)元件14可包括任何數(shù)量 的、被設(shè)計(jì)為生成激勵(lì)射束的不同元件，將那些射束聚焦到光學(xué)數(shù)據(jù)盤12上，并檢測(cè)從光 學(xué)數(shù)據(jù)盤12返回的反射18。反射射束18可能包括由光學(xué)存儲(chǔ)盤12上的微全息圖反射的 光、由光學(xué)存儲(chǔ)盤12的表面反射的光、以及由微全息圖反射的光和由表面反射的光的某些 相互作用的某些組合。光學(xué)元件14通過到光學(xué)驅(qū)動(dòng)電子組件22的耦合20進(jìn)行控制。光 學(xué)驅(qū)動(dòng)電子組件22可以包括下述單元，諸如用于一個(gè)或多個(gè)激光系統(tǒng)的電源、用于從檢 測(cè)器檢測(cè)電信號(hào)的檢測(cè)電子設(shè)備、用于將檢測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器、和其他 單元(諸如位預(yù)測(cè)器，其預(yù)測(cè)檢測(cè)器信號(hào)何時(shí)實(shí)際上記錄(register) 了存儲(chǔ)于光學(xué)數(shù)據(jù)盤 12上的位值。 光學(xué)元件14在光學(xué)數(shù)據(jù)盤12之上的位置由循軌伺服(tracking servo) 24來控 制，該循軌伺服24具有機(jī)械致動(dòng)器26，該機(jī)械致動(dòng)器被配置為將光學(xué)元件在光學(xué)數(shù)據(jù)盤12 的表面上方來回移動(dòng)。光學(xué)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備22和循軌伺服24由處理器28控制。在根據(jù)本 技術(shù)的一些實(shí)施例中，處理器28能夠基于可由光學(xué)元件14接收并反饋回處理器28的采樣 信息來確定光學(xué)元件14的位置?？梢源_定光學(xué)元件14的位置以增強(qiáng)和/或放大反射18 或減小反射18的干擾。在一些實(shí)施例中，循軌伺服24或光學(xué)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備22能夠基于光 學(xué)元件14所接收到的采樣信息來確定光學(xué)元件14的位置。 處理器28也對(duì)馬達(dá)控制器30進(jìn)行控制，馬達(dá)控制器30給主軸馬達(dá)34提供電源32。主軸馬達(dá)34耦合至主軸36，其控制光學(xué)數(shù)據(jù)盤12的旋轉(zhuǎn)速度。由于光學(xué)元件14從光 學(xué)數(shù)據(jù)盤12的外邊緣移動(dòng)靠近主軸36，所以可以通過處理器28來提高光學(xué)數(shù)據(jù)盤的旋轉(zhuǎn) 速度。這可以被執(zhí)行，以使將當(dāng)光學(xué)元件14在外邊緣時(shí)來自光學(xué)數(shù)據(jù)盤12的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù) 速率保持得與當(dāng)光學(xué)元件在內(nèi)邊緣時(shí)基本相同。盤的最大旋轉(zhuǎn)速度可以是大約500轉(zhuǎn)每分 鐘(rpm) 、 1000rpm、 1500rpm、3000rpm、5000rpm、 10000rpm或更高。 處理器28連接至隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或RAM38以及只讀存儲(chǔ)器或R0M40。 R0M40包含 允許處理器28對(duì)循軌伺服24、光學(xué)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備22、和馬達(dá)控制器30進(jìn)行控制的程序。此 外，R0M40還包含允許處理器28對(duì)來自光學(xué)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備22的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析的程序，其中 該數(shù)據(jù)尤其已存儲(chǔ)于RAM38中。如本文中進(jìn)一步詳細(xì)地討論的那樣，對(duì)存儲(chǔ)在RAM38中的 數(shù)據(jù)的該分析可包括，例如，將來自光學(xué)數(shù)據(jù)盤12的信息轉(zhuǎn)換為可被其他單元使用的數(shù)據(jù) 流所必需的解調(diào)、編碼或其他功能。 如果光學(xué)讀取系統(tǒng)10是商業(yè)單元，例如消費(fèi)者電子設(shè)備，則它可以具有控制器以 允許用戶對(duì)處理器28進(jìn)行訪問和控制。該控制器可采取面板控制器42的形式，例如鍵盤、 程序選擇開關(guān)等等。此外，可由遠(yuǎn)程接收器44來執(zhí)行對(duì)處理器28的控制。遠(yuǎn)程接收器44 可被配置為從遠(yuǎn)程控制器48接收控制信號(hào)46。控制信號(hào)46尤其可采用紅外光束、聲學(xué)信 號(hào)、或無線電信號(hào)的形式。 在處理器28已經(jīng)分析了存儲(chǔ)于RAM38中的數(shù)據(jù)以產(chǎn)生數(shù)據(jù)流之后，可以由處理器 28將數(shù)據(jù)流提供給其他單元。例如，數(shù)據(jù)可作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流通過網(wǎng)絡(luò)接口 50提供給外部 數(shù)字單元(諸如計(jì)算機(jī)或位于外部網(wǎng)絡(luò)上的其他設(shè)備)?？蛇x的，處理器28可將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù) 流提供給消費(fèi)者電子設(shè)備數(shù)字接口 52，例如高清晰度多媒體接口 (HDMI)、或其它高速接口 (尤其例如USB端口 )。處理器28也可具有其他連接的接口單元，例如數(shù)模信號(hào)處理器54。 數(shù)模信號(hào)處理器54可以允許處理器28將用于輸出的模擬信號(hào)提供給其他類型的設(shè)備，例 如提供給電視上的模擬輸入信號(hào)或提供給到放大系統(tǒng)的音頻信號(hào)輸入。
讀取器IO可用于讀取如圖2中所示的包含數(shù)據(jù)的光學(xué)數(shù)據(jù)盤12。 一般地，光學(xué)數(shù) 據(jù)盤12是具有一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的平、圓盤，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層嵌入在透明的保護(hù)涂層 中。保護(hù)涂層可是透明塑料，例如聚碳酸酯、聚丙烯酸酯等等。數(shù)據(jù)層可包括任意數(shù)目的可 反射光的表面，例如用于按位全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的微全息圖或具有凹坑(Pits)和平臺(tái)(lands) 的反射表面。主軸孔56耦合到主軸(例如圖1的主軸36)，以控制盤12的旋轉(zhuǎn)速度。在每 層上，一般可從盤12的外邊緣向內(nèi)緣限在連續(xù)螺旋形軌道58中寫入數(shù)據(jù)，盡管可使用圓軌 道或其他配置。 圖3中描述了根據(jù)本技術(shù)的讀取光學(xué)數(shù)據(jù)盤12的一個(gè)實(shí)施例，其顯示了在讀取射 束16指向光盤12的情況下的光盤12的橫截面圖。光盤12可包括存儲(chǔ)介質(zhì)62，其可能包 括多于一層的光敏光學(xué)材料。這些層可包括可反射光的表面，例如微全息圖。光盤12可進(jìn) 一步包括反射表面涂層64，其可是透明塑料，例如聚碳酸酯、聚丙烯酸酯等等。為了讀取光 盤12，讀取射束16可指向在光盤12中的特定層處的數(shù)據(jù)位位置，且讀取射束16可穿過光 盤12的表面64，以與數(shù)據(jù)位位置處的材料相互作用。在數(shù)據(jù)位位置處，微全息圖60可有可 無。微全息圖60可反射讀取射束16，并且反射射束18可離開光盤12。讀取射束16也可 以被反射表面涂層64反射，并且表面反射也可以從光盤12反射。 在一個(gè)實(shí)施例中，如果有微全息圖60，則在檢測(cè)器處可接收到反射射束18和表面反射66 二者。表面反射66可產(chǎn)生對(duì)反射射束18的干擾，反射射束18包含與微全息圖60 相對(duì)應(yīng)的信息。檢測(cè)器可在光盤12上方移動(dòng)到表面反射弱的位置，因而通過降低來自表面 反射的干擾而增加SNR。然而，如果數(shù)據(jù)信號(hào)本身弱的話，則降低干擾可能并不充夠。在另 一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)器可移動(dòng)到反射射束18與表面反射66相長(zhǎng)干涉的位置，從而使反射射 束18或反射射束18的某成分(component)可以得到放大或增強(qiáng)。例如，檢測(cè)器可移動(dòng)到 反射射束18和表面反射66的相位基本一致的位置，這導(dǎo)致相長(zhǎng)干涉和放大反射射束18。 當(dāng)反射射束18和表面反射66的相位相似時(shí)，交叉項(xiàng)可能更強(qiáng)，并且可以由檢測(cè)器作為放大 的數(shù)據(jù)信號(hào)來輸出交叉項(xiàng)。 因此，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，高的表面反射率對(duì)于放大和增強(qiáng)反射射束18來 說可能甚至是有益的。可以調(diào)節(jié)表面反射率以增大表面反射66從而產(chǎn)生甚至更強(qiáng)的交叉 項(xiàng)。例如，雖然因?yàn)楸砻娣瓷?6可能被認(rèn)為是期望的數(shù)據(jù)信號(hào)中的噪音，所以傳統(tǒng)的全息 系統(tǒng)可能降低表面反射66，但是本技術(shù)的一些實(shí)施例可將光盤表面配置為反射讀取射束的 約10% -50%。 如果讀取射束指向不存在微全息圖的數(shù)據(jù)位位置，則讀取射束16不可能由包含 感興趣的數(shù)據(jù)位位置的層反射，而且讀取射束可繼續(xù)通過光盤12，如中間的讀取射束16描 繪的那樣。表面反射66仍可由檢測(cè)器捕獲，且只有一個(gè)表面反射66的返回信號(hào)可以表示 讀取射束16指向了不存在微全息圖的數(shù)據(jù)位位置。 在圖3中，讀取射束16、反射射束18、和表面反射66都以一定角度進(jìn)入光盤12以 及從光盤12退出。該圖示使射束16、 18和66成一定角度，以便于更容易看到和解釋它們 的路徑。在一些實(shí)施例中，讀取射束16可垂直地指向光盤12，并且反射射束18和表面反射 66可垂直于光盤12反射。因此，射束18和66可在空間中重疊或沿相同的路徑行進(jìn)。當(dāng)在 檢測(cè)器處接收反射射束18和表面反射66時(shí)，該配置可實(shí)現(xiàn)反射射束18和表面反射66之 間的相長(zhǎng)干涉(constructive interference)。 圖4示出根據(jù)本技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的、在微全息圖的檢測(cè)過程中可能導(dǎo)致的反射 的示意圖。發(fā)射器68可以發(fā)射指向數(shù)據(jù)位位置的讀取射束16。在數(shù)據(jù)位位置處可以存在 微全息圖60，并且讀取射束16可被反射為反射射束18。表面反射66也可以由讀取射束16 從反射表面涂層64反射而產(chǎn)生。反射射束18和表面反射66可產(chǎn)生圖案，其可被多像素檢 測(cè)器70讀取作為多個(gè)單獨(dú)像素72。多像素檢測(cè)器70可根據(jù)圖案或像素72中包含的信息 來加以調(diào)節(jié)。 在一個(gè)實(shí)施例中，多像素檢測(cè)器70可在讀取特定的數(shù)據(jù)點(diǎn)位置時(shí)對(duì)不同的位置 進(jìn)行采樣，并且可以調(diào)節(jié)多像素檢測(cè)器70的位置以接收具有最高SNR的信號(hào)，或來自表面 反射66的干擾最低時(shí)的信號(hào)。在其他實(shí)施例中，可以調(diào)節(jié)多像素檢測(cè)器70的位置以捕獲 最強(qiáng)的信號(hào)。該最強(qiáng)的信號(hào)可指反射射束18與表面反射66相長(zhǎng)干涉時(shí)的信號(hào)，其導(dǎo)致是 反射射束18或反射射束18的某成分的增強(qiáng)的最強(qiáng)交叉項(xiàng)。該增強(qiáng)可能包括一部分或整個(gè) 反射射束18的放大。在一些實(shí)施例中，還可以使用單個(gè)檢測(cè)器，并且單個(gè)檢測(cè)器可以在盤 旋轉(zhuǎn)時(shí)對(duì)特定數(shù)據(jù)的位置進(jìn)行采樣。 圖5中描繪了根據(jù)本技術(shù)的共線(collinear)檢測(cè)頭的示意圖。發(fā)射器68可以 發(fā)射讀取射束16，并且讀取射束16的各種反射可在多像素檢測(cè)器70處接收。讀取射束16 可首先穿過半波片74，其改變讀取射束16的極性。然后讀取射束16可進(jìn)入偏振分束器76，其可以以90度反射基本上所有的讀取射束16，以使其指向四分之一波片78，該1/4波片 78可以改變讀取射束16的極化。射束16然后可進(jìn)入聚焦光學(xué)鏡(optic)80，其可以將射 束16聚焦到光盤12上的數(shù)據(jù)點(diǎn)位置上。數(shù)據(jù)點(diǎn)位置可以包含微全息圖60。如上討論，光 盤12的表面可以反射讀取射束16的一部分，并且如果有微全息圖60，那么微全息圖60也 可以反射讀取射束16的一部分。來自于表面和來自于微全息圖60的射束的反射可以從光 盤12向上反射，也可能如前面所討論的產(chǎn)生串?dāng)_(cross talk)。反射射束82可以全部重 疊，且可以穿過聚焦光學(xué)鏡80并返回穿過1/4波片78，以使反射射束82的極化移位，并且 現(xiàn)在基本上朝著檢測(cè)器70穿過偏振分束器76。 在一些實(shí)施例中，在多像素檢測(cè)器70接收到射束82之前，射束82可以穿過聚焦 光學(xué)鏡86、針孔板(pinhole plate)88、和對(duì)照光學(xué)鏡(collating optics)90。射束82可 由多像素檢測(cè)器70產(chǎn)生可被讀取作為單獨(dú)像素72的陣列的圖案。 可以在圖6中看到根據(jù)實(shí)施例的、示出了可用于對(duì)與盤表面反射的不同部分相對(duì) 應(yīng)的光強(qiáng)度進(jìn)行仿真的程序的代碼的示例。之前討論的方程式|Ed|2+|Eh|2+2Re(EdEh*)也可 在代碼中描述。參考此代碼，"de"項(xiàng)表示從微全息圖反射的光的衍射效率。"pinhole (針 孔)"項(xiàng)表示光束在被檢測(cè)器接收之前，其可以穿過的小孔。在該代碼中，針孔可以將盤反 射減去針孔因子組。例如，在圖6中，針孔因子被設(shè)為0. 1。 "dr"項(xiàng)表示從光盤表面反射的 光的部分?？烧{(diào)節(jié)從表面反射的光的部分以創(chuàng)建圖表(Plot)從而確定射束82的強(qiáng)度(如 圖5)和從表面反射的光的部分之間的關(guān)系。此處，在定義dr時(shí)，第一個(gè)值0.0001是將要 仿真的表面反射的最低部分，第二個(gè)值0. 0001是表面反射的增加增量，并且第三個(gè)值0. 1 是將要仿真的表面反射的最高部分。從微全息圖反射的光的強(qiáng)度由"hol"表示，其被計(jì)算 為d^(l-dr)(l-dr)。這可能是因?yàn)閐r表示被表面反射的光的部分，所以(l-dr)可以表 示沒有被表面反射且穿過表面以被微全息圖反射的光的部分。并非所有被微全息圖反射的 光都能在檢測(cè)器處加以接收，并且第二個(gè)(l-dr)項(xiàng)表示來自光盤表面的底部的微全息圖 反射的反射。第二個(gè)(l-dr)項(xiàng)可根據(jù)光盤表面底部的反射率來變化。因?yàn)樽x取射束的反 射可能不會(huì)產(chǎn)生和原始讀取射束一樣強(qiáng)的反射射束，所以項(xiàng)(l-dr) (l-dr)可以乘以衍射 效率de。在代碼中將交叉項(xiàng)命名為"cross—term"，且其被計(jì)算為(pinhole*de*dr*(l-dr) (l-dr))的平方根的兩倍。這可以對(duì)應(yīng)于之前討論的方程式項(xiàng)2Re(EdE。，且由于該仿真還 考慮在被檢測(cè)之前穿過針孔的光的部分，因此該項(xiàng)亦包括pinhole (針孔)測(cè)量。此外，由 于光必須在被檢測(cè)器接收之前穿過針孔，因此由"dc—term"表示由表面反射的光的強(qiáng)度的 DC項(xiàng)，該DC項(xiàng)由pinhole*dr計(jì)算得到。 盡管該代碼根據(jù)實(shí)施例使用MATLAB敏來對(duì)光反射的強(qiáng)度進(jìn)行仿真，但是其他程
序或編程語(yǔ)言可用于根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例進(jìn)行仿真。此外，根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例可在仿真 中執(zhí)行其他值或公式。 根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的圖7中描繪了示出由圖6的仿真程序計(jì)算的光強(qiáng)度的圖 表，其中使用0.01的針孔反射降低。在該仿真中，被盤的表面反射的讀取射束的部分或盤 反射96，在0. 0001和0. l之間以0.0001的增量增加。盤反射96的范圍對(duì)于在檢測(cè)器處接 收的射束中的一個(gè)或多個(gè)而言可導(dǎo)致不同強(qiáng)度98。在具有0. 01針孔降低94的該仿真內(nèi)圖 示的射束包括來自微全息圖100的反射、來自光盤表面102的反射和交叉項(xiàng)104。如上所 述，由于交叉項(xiàng)104的強(qiáng)度包括微全息圖反射和表面反射兩者的成分，因此交叉項(xiàng)104可干擾讀取過程。 如該圖表中所見，隨著由盤表面反射的讀取射束的部分接近O. 1，由微全息圖100 反射的光的強(qiáng)度可逐漸降低。這可能是因?yàn)橛杀P表面反射的光不會(huì)穿過表面材料從而被盤
表面之下的感光層內(nèi)的微全息圖反射。隨著被表面反射的讀取射束的部分接近o. l，被表面
102反射的光的強(qiáng)度可能增加。在該仿真中，隨著由盤表面反射的光的部分增加，交叉項(xiàng)信 號(hào)104的強(qiáng)度也增加。如該圖表中所見，在表面反射部分為0. 02和0. 03之間，交叉項(xiàng)104 超越微全息圖反射強(qiáng)度。雖然相應(yīng)的其他仿真可產(chǎn)生不同的值，但這種仿真是交叉項(xiàng)信號(hào) 可以對(duì)來自微全息圖的反射信號(hào)如何進(jìn)行放大的例子。因此，將檢測(cè)器調(diào)節(jié)到交叉項(xiàng)強(qiáng)的 位置可以極大地增大SNR并增強(qiáng)微全息圖反射。 此外，根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的圖8中描繪了示出由圖6的仿真程序計(jì)算的光強(qiáng)度的 圖表，其中使用0. 1的針孔反射降低。。在該仿真中，盡管存在微全息圖，但由微全息圖100 反射的光的強(qiáng)度在整個(gè)被表面反射的光的范圍內(nèi)仍然是低的。隨著被表面反射的讀取射束 的部分接近O. l，被表面102反射的光的強(qiáng)度和交叉項(xiàng)104的強(qiáng)度可以增加。因此，不同強(qiáng) 度的微全息圖反射100、表面反射102、和交叉項(xiàng)104可通過變換不同的參數(shù)來加以檢測(cè)。如 上所述，調(diào)節(jié)檢測(cè)器的位置可以使光學(xué)讀取器系統(tǒng)10(如圖1)能夠找到用于對(duì)微全息圖相 長(zhǎng)干涉的最大(或最小)交叉項(xiàng)。如通過比較圖7和圖8中的圖表可見的那樣，改變針孔 的大小和位置也可以獲得更強(qiáng)的交叉項(xiàng)104。針孔可用作濾波器，其可以使得某些信號(hào)能 夠穿過以到達(dá)檢測(cè)器。針孔的大小可確定穿過的信號(hào)的強(qiáng)度，并且針孔的位置可確定穿過 的信號(hào)的部分。因此，針孔的兩個(gè)參數(shù)可用于增強(qiáng)信號(hào)檢測(cè)性能或檢測(cè)期望的交叉項(xiàng)104。 此外，如上所述，改變光盤表面的反射率也可以增大交叉項(xiàng)信號(hào)。當(dāng)表面反射和微全息圖反 射是同相時(shí)，期望的交叉項(xiàng)信號(hào)104可以是最大的同相交叉項(xiàng)，或由檢測(cè)器輸出的交叉項(xiàng)。
圖9描述了根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的、概括地解釋處理108的框圖，通過該處理108，光 學(xué)讀取器系統(tǒng)10可以在光學(xué)數(shù)據(jù)盤中的數(shù)據(jù)點(diǎn)位置進(jìn)行讀取。處理108開始于塊118，其 中向盤發(fā)射射束。例如，發(fā)射器可以向光學(xué)數(shù)據(jù)盤發(fā)射讀取射束。在塊120中檢測(cè)反射射 束并且進(jìn)行轉(zhuǎn)換。該反射射束可以指在塊118中發(fā)射的射束的任意反射，其可以包括，例如 來自盤表面的反射、來自盤中的微全息圖的反射或其他反射。如前所述，塊120的轉(zhuǎn)換處理 可指任意解碼或?qū)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)信號(hào)。在塊120中的反射射束的檢測(cè)和轉(zhuǎn)換可包括 接收射束反射的多于一個(gè)采樣的檢測(cè)器或多像素檢測(cè)器。在塊122中，可以調(diào)節(jié)檢測(cè)器以 增強(qiáng)與來自微全息圖的反射相對(duì)應(yīng)的反射射束的成分?？筛鶕?jù)塊120中檢測(cè)的反射射束的 采樣來進(jìn)行檢測(cè)器的調(diào)節(jié)。 在一個(gè)實(shí)施例中，可進(jìn)行塊122的調(diào)節(jié)，以通過實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于微全息圖反射的反射 射束的成分對(duì)表面反射的相長(zhǎng)干涉來增強(qiáng)該對(duì)應(yīng)于微全息圖反射的反射射束的成分。利用 表面反射并且將檢測(cè)器調(diào)整以使表面反射和微全息圖反射相長(zhǎng)地干涉可產(chǎn)生表面反射和 微全息圖反射的強(qiáng)交叉項(xiàng)，其可以是增強(qiáng)的微全息圖反射。例如，可將檢測(cè)器調(diào)節(jié)到特定位 置，在該位置處表面反射和微全息圖反射基本具有相同的相位。當(dāng)讀取特定數(shù)據(jù)點(diǎn)位置時(shí)， 多于一個(gè)位置的采樣可以使光學(xué)讀取器系統(tǒng)能夠選擇表面反射和微全息圖反射同相且交 叉項(xiàng)強(qiáng)的位置。 此外，在一些實(shí)施例中，光盤可被配置為故意地反射一定百分比的讀取射束(該 讀取射束被表面反射)。例如，光盤可被涂覆以使表面可以比普通光盤更能夠反射。雖然傳統(tǒng)光盤表面可被配置為反射某百分比的讀取射束，但是根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例可反射大 約1% _50%的讀取射束。在一些實(shí)施例中，光學(xué)讀取器系統(tǒng)10可被配置為讀取具有更高
的反射率的光盤。而且，光學(xué)讀取器系統(tǒng)io可被配置為接收來自反射性光盤表面的反射，
其通過相長(zhǎng)干涉增強(qiáng)微全息圖反射信號(hào)。 在另一實(shí)施例中，塊122的檢測(cè)器調(diào)節(jié)可通過降低表面干涉的非預(yù)期影響來進(jìn) 行，以增強(qiáng)與微全息圖的反射相對(duì)應(yīng)的反射射束的成分。如前面所討論的，根據(jù)從盤表面反 射的光的多少，表面反射可以支配來自微全息圖反射的信號(hào)或反射。消除盤表面反射(例 如通過差分檢測(cè))可增強(qiáng)讀取過程中的SNR。還如上所述，在塊122中，通過移動(dòng)或調(diào)節(jié)檢 測(cè)器以接收干擾最小處的反射射束可降低干擾。當(dāng)讀取特定數(shù)據(jù)點(diǎn)位置時(shí)，多于一個(gè)位置 的采樣可以使光學(xué)讀取器系統(tǒng)能夠選擇表面反射最弱的位置。 在塊124中，位狀態(tài)可根據(jù)反射射束來加以預(yù)測(cè)。例如，位可以處于"0"狀態(tài)或 "l"狀態(tài)，表示微全息圖不存在或存在。此外，126可預(yù)測(cè)多于一個(gè)位狀態(tài)，并且在塊128中 可以組合(一個(gè)或多個(gè))位狀態(tài)以形成符號(hào)。該符號(hào)可以是來自光學(xué)讀取器系統(tǒng)10的輸 出數(shù)字信號(hào)。 雖然本文中僅闡述和描述了本發(fā)明的某些特征，但本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)想到許多的 修改和改變。因此可以理解的是，所附權(quán)利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明的真正精神內(nèi)的所有 這樣的修改和改變。元件列表光學(xué)讀取器系統(tǒng)10光盤或全息盤12光學(xué)元件14讀取射束16反射射束18光學(xué)驅(qū)動(dòng)/信號(hào)耦合20光學(xué)驅(qū)動(dòng)元件22循軌伺月艮(tracking servo) 24機(jī)械致動(dòng)器26處理器28馬達(dá)控制器30馬達(dá)驅(qū)動(dòng)連接32主軸馬達(dá)34主軸36RAM38匪40面板控制器42遠(yuǎn)程接收器44遠(yuǎn)程信號(hào)46遠(yuǎn)程控制器48網(wǎng)絡(luò)接口 50
消費(fèi)者數(shù)字接口52 D/A信號(hào)處理器54 主軸孔56 數(shù)據(jù)軌道58 微反射體(微全息圖)60 存儲(chǔ)介質(zhì)62 反射表面涂層64 表面反射66 發(fā)射器68 多像素檢測(cè)器70 單獨(dú)像素72 來自發(fā)射器的半波片74 偏振分束器76 1/4波片78 聚焦光學(xué)鏡(optic) 80 所有三種射束重疊82 聚焦光學(xué)鏡86 針孔板88 對(duì)照光學(xué)鏡(collating optics)90 采用0. 01針孔降低的交叉項(xiàng)仿真94 盤反射96 強(qiáng)度98 來自微全息圖的反射100 來自盤表面的反射(dc項(xiàng))102 來自相長(zhǎng)干涉的交叉項(xiàng)104 來自存儲(chǔ)器的讀取符號(hào)108 向盤發(fā)射射束118 檢測(cè)/轉(zhuǎn)換反射射束120 調(diào)節(jié)檢測(cè)器以增強(qiáng)相長(zhǎng)干涉122 根據(jù)反射射束預(yù)測(cè)位狀態(tài)124 反饋所檢測(cè)的強(qiáng)度以增強(qiáng)預(yù)測(cè)126 將位組合以形成符號(hào)128
權(quán)利要求
一種用于從光盤(12)讀取數(shù)據(jù)的方法，包括向光盤(12)的表面(64)發(fā)射電磁輻射束(16)；用檢測(cè)器(70)檢測(cè)從光盤(12)反射的電磁輻射(82)，其中反射的電磁輻射(82)包括來自表面(64)的反射(66)；和來自光盤(12)內(nèi)的微反射體(60)的反射(18)；以及調(diào)節(jié)檢測(cè)器(70)，以增強(qiáng)對(duì)來自微反射體(60)的反射(18)的檢測(cè)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，包括將反射的電磁輻射(82)轉(zhuǎn)換(128)成表示反射的 電磁輻射(82)的強(qiáng)度(98)的電信號(hào)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，包括以與反射的電磁輻射(66和18)的光路共線的方 式指引發(fā)射的電磁輻射(16)的光路。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，調(diào)節(jié)檢測(cè)器(70)包括將檢測(cè)器(70)調(diào)節(jié)到下述 位置，在所述位置處，來自表面(64)的反射(66)的相位與來自微反射體(60)的反射(18) 的相位基本相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，包括調(diào)節(jié)針孔(88)的大小和位置，以增強(qiáng)對(duì)來自微反 射體(60)的反射(18)的檢測(cè)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，包括通過差分檢測(cè)來分析反射的電磁輻射(82)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中差分檢測(cè)對(duì)反射的電磁輻射(82)的變化進(jìn)行檢 測(cè)，并且其中反射的電磁輻射(82)的變化表示微反射體(60)的存在或不存在。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，包括使用多像素檢測(cè)器(70)對(duì)反射的電磁輻射(82) 進(jìn)行檢測(cè)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中調(diào)節(jié)檢測(cè)器(70)包括在多像素檢測(cè)器(70)中選 擇像素(72)，其檢測(cè)具有增強(qiáng)的強(qiáng)度(98)的反射的電磁輻射(82)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括 計(jì)算反射的電磁輻射(82)的強(qiáng)度(98);用包含電信號(hào)和/或反射的電磁輻射(82)的計(jì)算得到的強(qiáng)度的輸入饋送(124)給位 預(yù)測(cè)器；為當(dāng)前檢測(cè)的位預(yù)測(cè)位值。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的檢測(cè)增強(qiáng)的方法和系統(tǒng)。本技術(shù)包括調(diào)節(jié)檢測(cè)器(70)或多像素檢測(cè)器(70)的位置，以使與微全息圖(60)或微反射體對(duì)應(yīng)的反射(18)得以增強(qiáng)。例如，可將檢測(cè)器位置調(diào)節(jié)至表面反射(66)和微全息圖反射(18)相長(zhǎng)地干涉的位置，其產(chǎn)生放大的微全息圖反射信號(hào)(122)。可調(diào)節(jié)其它參數(shù)(諸如盤反射率和檢測(cè)器針孔(88)大小)來增加信號(hào)增強(qiáng)。此外，可將檢測(cè)器位置調(diào)節(jié)到表面反射(66)和微全息圖(18)反射的相位產(chǎn)生較弱的交叉項(xiàng)(104)的位置。
文檔編號(hào)G11B7/135GK101783156SQ200911000038
公開日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2009年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者J·A·F·羅斯, X·施 申請(qǐng)人:通用電氣公司