專利名稱：：一種存儲裝置與用以操作此裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種基于相變存儲材料的存儲裝置，其包括基于硫?qū)倩衔锏牟牧吓c其它可編程的電阻材料，以及操作此裝置的方法。
背景技術(shù)：
：施加適于施行在集成電路的電流至基于相變的存儲材料可以引起介于非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)之間的相變，其中基于相變的存儲材料例如是基于硫?qū)俚牟牧吓c相似材料。一般非晶態(tài)的特色在于其相較于一般結(jié)晶態(tài)具有較高的電阻，且其易于被感測以指示數(shù)據(jù)。這些特性使得使用可編程電阻材料來形成非易失存儲電路(非易失存儲電路可以使用隨機(jī)存取來讀取與寫入)的研究者對其產(chǎn)生高度興趣。在相變存儲器中，通過在相變材料的主動區(qū)內(nèi)發(fā)生介于非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)之間的相變來儲存數(shù)據(jù)。圖1為包括相變材料且可編程至多個電阻狀態(tài)的存儲單元的圖，其中多個電阻狀態(tài)包括高電阻復(fù)位(擦除)狀態(tài)102與至少一較低電阻可編程(設(shè)定)狀態(tài)100，且每一狀態(tài)具有非重疊電阻范圍。較低電阻狀態(tài)100的最高電阻R工與高電阻復(fù)位狀態(tài)102的最低電阻R2之間的差值定義為讀取邊限101，且讀取邊限101用以區(qū)別處于較低電阻狀態(tài)100的存儲單元與處于高電阻狀態(tài)102的存儲單元。存于存儲單元的數(shù)據(jù)可以通過決定存儲單元是否具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)IOO或高電阻狀態(tài)102的電阻來決定，舉例來說，通過測量存儲單元的電阻是否高于或低于讀取邊限101內(nèi)的電阻門限值R^103來決定。由高電阻狀態(tài)102至較低電阻狀態(tài)100的變化(此處稱為設(shè)定(或編程))通常是較低電流操作，其中電流將相變材料加熱至高于相變溫度的溫度以引起由非晶態(tài)至結(jié)晶態(tài)的相變。由較低電阻狀態(tài)100至高電阻狀態(tài)102的變化(此處稱為復(fù)位)通常是較高電流操作，其中包括用以融化或擊穿(breakdown)晶體結(jié)構(gòu)的短高電流密度脈沖，此后相變材料會迅速冷卻、停止相變步驟以及使至少一部分的相變材料穩(wěn)定處在非晶態(tài)中。為了確實(shí)地區(qū)分高電阻狀態(tài)102與較低電阻狀態(tài)IOO，維持相當(dāng)大的讀取邊限101是重要的。然而，由于主動區(qū)會因?yàn)榧訜岫M(jìn)行相變化，因此，在操作期間，諸如主動區(qū)內(nèi)的相變材料的組成變化可能會造成高電阻接口在存儲單元的電傳導(dǎo)路徑中形成。此高電阻接口可能造成「設(shè)定失效模式」(setfailuremode)，也就是較低電流設(shè)定操作不能成功地使存儲單元的電阻降低至低于電阻門限值RSA，而造成那些存儲單元有可靠度問題與位錯誤的現(xiàn)象。因此，需要一種提供存儲裝置以及操作此裝置的方法，以應(yīng)付設(shè)定失效模式以及產(chǎn)生改善的可靠度與改善的數(shù)據(jù)儲存效能。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明所述的為用以操作存儲單元的方法，其中存儲單元包括相變材料且可編程至包括高電阻狀態(tài)與至少一較低電阻狀態(tài)的多個電阻狀態(tài)。此方法包括施加第一偏壓配置至存儲單元以建立較低電阻狀態(tài)，其中第一偏壓配置包括第一電壓脈沖。此方法更包括決定存儲單元是否處于較低電阻狀態(tài)，若存儲單元未處于較低電阻狀態(tài)，則接著施加第二偏壓配置至存儲單元以建立較低電阻狀態(tài)。第二偏壓配置包括第二電壓脈沖，且第二電壓脈沖的脈沖高度大于所述第一電壓脈沖的脈沖高度。此處所述的存儲裝置包括存儲單元，存儲單元包括相變材料且可編程至包括高電阻狀態(tài)與較低電阻狀態(tài)的多個電阻狀態(tài)。存儲裝置更包括適于施加偏壓配置至存儲單元的偏壓電路。偏壓配置包括建立較低電阻狀態(tài)的第一偏壓配置，其中第一偏壓配置包括第一電壓脈沖。偏壓配置也可包括讀取偏壓配置，其中讀取偏壓配置用以在設(shè)定偏壓配置后決定存儲單元是否處于較低電阻狀態(tài)。偏壓配置更包括用以建立較低電阻狀態(tài)的第二偏壓配置，第二偏壓配置包括第二電壓脈沖，且第二電壓脈沖的脈沖高度大于第一電壓脈沖的脈沖高度。此處所述的存儲裝置與操作此裝置的方法可以應(yīng)付設(shè)定失效模式且產(chǎn)生改善的持久性、可靠度以及數(shù)據(jù)儲存效能。此處所述的設(shè)定操作包括施加較低電壓至存儲單元的相變材料以建立較低電阻狀態(tài)，且僅在較低電壓不足以設(shè)定存儲單元時才施加較高電壓至相變材料。在參照附圖、詳細(xì)敘述以及權(quán)利要求范圍后，可以了解本發(fā)明的其它觀點(diǎn)與優(yōu)點(diǎn)。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。圖1為包括相變材料且可編程至包括高電阻復(fù)位狀態(tài)與至少一較低電阻可編程狀態(tài)的多個電阻狀態(tài)的存儲單元的圖。圖2A至圖2C繪示為三個現(xiàn)有的相變存儲單元的示意圖，其中相變存儲單元具有耦接至選擇裝置的相變材料存儲元件。圖3A至圖3E繪示為現(xiàn)有存儲元件的構(gòu)型的剖面示意圖。圖4為可以執(zhí)行此處所述的設(shè)定操作的集成電路的簡化方塊示意圖。圖5繪示為一部分的存儲單元陣列。圖6為第一實(shí)施例的用于將存儲單元由較高電阻狀態(tài)編程至較低電阻狀態(tài)的設(shè)定操作的流程示意圖。圖7為一實(shí)施例的圖6的設(shè)定操作的時間圖表。圖8為用于圖6的設(shè)定操作的一部分的溫度與時間的推測性曲線。圖9A至圖9C為用于圖6的設(shè)定操作的設(shè)定偏壓配置的一些可選脈沖的例示。圖10為第二實(shí)施例的用于將存儲單元由較高電阻狀態(tài)編程至較低電阻狀態(tài)的設(shè)定操作的流程示意圖。圖11為一實(shí)施例的圖10的設(shè)定操作的時間圖表。圖12為用于圖10的設(shè)定操作的一部分的溫度與時間的推測性曲線。圖13為一實(shí)施例的用于將存儲單元由較高電阻狀態(tài)編程至較低電阻狀態(tài)的設(shè)定操作的流程示意圖。主要元件符號說明100:較低電阻狀態(tài)101:讀取邊限102:高電阻狀態(tài)103:電阻門限值RSA200、202、204:存儲單元210:場效晶體管212:雙載子晶體管214:二極管220:存儲元件230:位線240:字線312、314、322、324、332、334、342、344、352、354:電極313、335:介電間隙壁323、329、343、349:表面315、321、341、351、353:寬度318、328、338、348、358:主動區(qū)331:側(cè)壁表面400:集成電路405:存儲單元陣列410:字線譯碼器與驅(qū)動器415字線420:位線譯碼器425:位線430:方塊、感測電路435:數(shù)據(jù)總線440:數(shù)據(jù)輸入線445:數(shù)據(jù)輸出線450:控制器455:偏壓配置供應(yīng)電壓與電流來源460:總線465:電路475:回饋總線530:數(shù)據(jù)輸入線530、532、534、536:存儲單元546、548、550、552:存儲器元件554:源極線555:源極線終端電路556、558、560、562:字線580:路徑600、1000、1300:設(shè)定操作610、620、630、640、650、1040、1310、1320、1330、1340、1350:操作步驟700、710、720:脈沖長度810:溫度850、860、1260:曲線RI:最高電阻R2:最低電阻RSA:電阻門限值具體實(shí)施例方式將參照特定結(jié)構(gòu)的實(shí)施例與方法來敘述本揭露?？梢岳斫獾氖?，并未意圖將本揭露限制于特定揭露的實(shí)施例與方法，且可以使用其它特征、元件、方法以及實(shí)施例來實(shí)行本揭露。雖然此處特舉較佳實(shí)施例來說明本揭露，但其并非用以限制由權(quán)利要求范圍所定義的范疇。此外，根據(jù)本文的內(nèi)容，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將能理解多種相同的變化。再者，在不同的實(shí)施例中，相同的元件通常以相同的符號來標(biāo)示。圖2A至圖2C繪示為三個現(xiàn)有的相變存儲單元的示意圖，其中相變存儲單元具有相變材料存儲元件220(在圖式中以可變電阻器表示)且耦接至諸如晶體管或二極管的存取裝置。圖2A繪示為現(xiàn)有的存儲單元200的示意圖，存儲單元200包括作為存取裝置的場效晶體管(FET)210。在第一方向上延伸的字線240耦接至場效晶體管210的柵極且存儲元件220將場效晶體管210的漏極耦接至在第二方向上延伸的位線230。圖2B繪示為存儲單元202的示意圖，存儲單元202與圖2A所繪示的存儲單元相似，但存儲單元202是以雙載子晶體管(BJT)212作為存取裝置，而圖2C繪示為存儲單元204的示意圖，存儲單元202與圖2A所繪示的存儲單元相似，但存儲單元202是以二極管214作為存取裝置。通過施加適當(dāng)?shù)碾妷褐磷志€240與位線230來引發(fā)流經(jīng)存儲元件220的電流可以達(dá)成讀取或?qū)懭?。所施加的電壓的電平與時間與所執(zhí)行的操作(諸如讀取操作或?qū)懭氩僮?有關(guān)。圖3A至圖3E繪示為現(xiàn)有存儲元件220的構(gòu)型的剖面示意圖。圖3A為耦接至第一與第二電極312、314的存儲元件220的第一構(gòu)型的簡化剖面示意圖。第一電極312可以耦接至諸如二極管或晶體管的存取裝置的一端，且第二電極314可以耦接至位線。具有寬度315的介電間隙壁313分離第一與第二電極312、314。存儲元件220的相變材料延伸跨越介電間隙壁313且接觸第一與第二電極312、314，以此定義第一與第二電極312、314之間的電極間路徑，此電極間路徑具有由介電間隙壁313的寬度315所定義的路徑長度。在操作中，當(dāng)電流通過第一與第二電極312、314之間且流經(jīng)存儲元件220時，加熱存儲元件220的相變材料的主動區(qū)318的速度會比加熱存儲元件220的其余部分的速度快。圖3B為耦接至第一與第二電極322、324的存儲元件220的第二構(gòu)型的簡化剖面7示意圖。存儲元件220的相變材料具有主動區(qū)328且相變材料分別接觸第一與第二電極322、324的上表面與下表面323、329。存儲元件220具有與第一與第二電極322、324相同的寬度321。圖3C為耦接至第一與第二電極332、334的存儲元件220的第三構(gòu)型的簡化剖面示意圖，其中存儲元件220的相變材料具有主動區(qū)338。介電間隙壁335分離第一與第二電極332、334。第一與第二電極332、334以及介電間隙壁335具有側(cè)壁表面331。存儲元件220的相變材料位在側(cè)壁表面331上且相變材料延伸跨越介電間隙壁335以接觸第一與第二電極332、334。圖3D為耦接至第一與第二電極342、344的存儲元件220的第四構(gòu)型的簡化剖面示意圖。存儲元件220的相變材料具有主動區(qū)348且相變材料分別接觸第一與第二電極342、344的上表面與下表面343、349。存儲元件220具有寬度341，其中寬度341小于第一與第二電極342、344的寬度。圖3E為耦接至第一與第二電極352、354的存儲元件220的第五構(gòu)型的簡化剖面示意圖。第一電極354的寬度351小于第二電極352與存儲元件220的寬度353。在操作時，寬度351與寬度353之間的差異使得存儲元件220的相變材料中的電流密度為鄰近第一電極354的區(qū)域中的最大電流密度，因此造成主動區(qū)358具有如圖所示的〃傘〃狀。如上述，諸如主動區(qū)內(nèi)的相變材料的組成變化等操作問題(operationissues)可能導(dǎo)致高電阻接口形成在存儲單元的傳導(dǎo)路徑內(nèi)。高電阻接口可能造成〃設(shè)定失效模式〃，也就是存儲單元的電阻無法降低至對應(yīng)于用于較低電壓設(shè)定操作的較低電阻狀態(tài)的電阻，而造成那些存儲單元的可靠度問題與位錯誤。圖4為可以執(zhí)行設(shè)定操作(將詳述于后文中)的集成電路400的簡化方塊示意圖，其中所述的操作避免設(shè)定失效模式的發(fā)生且使集成電路400具有改善的可靠度與改善的數(shù)據(jù)儲存效能。集成電路400包括使用相變存儲單元(未繪示)來施行的存儲單元陣列405。具有讀取、設(shè)定、復(fù)位、復(fù)位驗(yàn)證(resetverify)、設(shè)定驗(yàn)證以及高-電壓重試模式的字線譯碼器與驅(qū)動器410耦接至且電性連接沿著存儲單元陣列405的列排列的多個字線415。位線(行)譯碼器420電性連接沿著存儲單元陣列405的行排列的多個位線425，以讀取、設(shè)定、復(fù)位、復(fù)位驗(yàn)證、設(shè)定驗(yàn)證以及高_(dá)電壓重試陣列405中的相變存儲單元。在總線460上提供地址至字線譯碼器與驅(qū)動器410以及位線譯碼器420。方塊430內(nèi)的感測電路(感測放大器)與數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)經(jīng)由數(shù)據(jù)總線435耦接至位線譯碼器420。數(shù)據(jù)透過數(shù)據(jù)輸入線440從方塊430內(nèi)的數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)提供，其中數(shù)據(jù)來自集成電路400上的輸入/輸出端或來自集成電路400的內(nèi)部或外部的其它數(shù)據(jù)來源。其它電路465可以包含在集成電路400上，諸如通用處理器(generalpurposeprocessor)或?qū)Ｓ脩?yīng)用電路(specialpurpose即plicationcircuitry)或提供由陣列405支持的芯片上系統(tǒng)(system-on-a-chip)功能的模塊結(jié)合。數(shù)據(jù)透過數(shù)據(jù)輸出線445從方塊430內(nèi)的感測放大器供應(yīng)到集成電路400上的輸入/輸出端或者集成電路400內(nèi)部或外部的其它數(shù)據(jù)目的地。集成電路400包括用于讀取、設(shè)定、設(shè)定驗(yàn)證、復(fù)位、復(fù)位驗(yàn)證以及高電壓重試模式的控制器450。在本范例中所應(yīng)用的控制器450使用偏壓配置狀態(tài)器且控制偏壓配置供應(yīng)電壓與電流來源455的施加，其中偏壓配置供應(yīng)電壓與電流來源455用于進(jìn)行包括讀取、設(shè)定、復(fù)位、復(fù)位驗(yàn)證、設(shè)定驗(yàn)證以及高_(dá)電壓重試的偏壓配置的施加?？刂破?50透過回8饋總線475耦接至方塊430內(nèi)的感測放大器，且控制偏壓配置供應(yīng)電壓與電流來源455的控制器450對感測放大器的輸出信號反應(yīng)?？刂破?50可以使用所屬領(lǐng)域所周知的專用邏輯電路來施行。在可選的實(shí)施例中，控制器450包括通用處理器，且通用處理器可以配置在同一集成電路上以執(zhí)行計算機(jī)程序來控制裝置的操作。在另一其它實(shí)施例中，可以使用專用邏輯電路與通用處理器的結(jié)合來執(zhí)行控制器450。如圖5所示，陣列405的每一存儲單元包括存取晶體管(或諸如二極管的其它存取裝置)，且圖5是以存儲單元中的四個存儲單元530、532、534、536來代表可能包括百萬個存儲單元的陣列的一小部分，這些存儲單元530、532、534、536分別具有相變存儲器元件546、548、550、552。存儲單元可以編程成包括高電阻狀態(tài)與至少一較低電阻狀態(tài)的多個電阻狀態(tài)。存儲單元530、532、534、536的每一存取晶體管的源極連接源極線554，且源極線554終止于源極線終端電路555內(nèi)(諸如接地端)。在另一實(shí)施例中，存取裝置的源極可以不彼此電性連接且可以個別控制。在一些實(shí)施例中，源極線終端電路555包括偏壓電路(諸如電壓源(voltagesources)與電流源(currentsources))以及用以施加偏壓配置(而不是接地)至源極線554的譯碼電路。包括字線556、558的多個字線415沿著第一方向平行延伸。字線556、558電性連接字線譯碼器410。存儲單元530、534的存取晶體管的柵極連接字線556，且存儲單元532、536的存取晶體管的柵極連接字線558。包括位線560、562的多個位線425沿著第二方向平行延伸且電性連接位線譯碼器420。存儲元件546、548耦接位線560至存儲單元530、532的存取晶體管的個別漏極。存儲元件550、552耦接位線562至存儲單元534、536的存取晶體管的個別漏極?？梢岳斫獾氖?，存儲單元陣列405不限于圖5所例示的陣列構(gòu)型，其也可以使用其它陣列構(gòu)型。此外，除了MOS晶體管以外，在其它實(shí)施例中也可以使用二極晶體管或二極管作為存取裝置。在操作中，每一個存儲單元530、532、534、536根據(jù)對應(yīng)的存儲元件的電阻來儲存數(shù)據(jù)值。例如是通過比較用于所選存儲單元的位線的電流與適當(dāng)?shù)膮⒖茧娏鱽頉Q定數(shù)據(jù)值。可以在具有三個或更多個狀態(tài)的存儲單元中建立多個參考電流，如此一來可以區(qū)分對應(yīng)于三個或更多個狀態(tài)中的每一個狀態(tài)的位線電流的范圍。因此，可以通過施加適當(dāng)?shù)碾妷褐磷志€556、558中的一個且耦合字線560、562中的一個至電壓來達(dá)成陣列405的存儲單元的讀取或?qū)懭?，如此一來電流流?jīng)所選存儲單元且包括流經(jīng)所對應(yīng)的存儲元件。舉例來說，通過施加電壓至位線560、字線558以及源極線554，且此電壓足以打開存儲單元532的存取晶體管且在路徑580中引發(fā)由位線560流至源極線554(或與上述電流方向相反)的電流，如此可以建立通過所選存儲單元(在此實(shí)施例中所選的為存儲單元532與對應(yīng)的存儲元件548)的電流路徑580。所施加的電壓的電平與時間根據(jù)所執(zhí)行的操作(諸如讀取操作或?qū)懭氩僮?而定。在存儲單元532的復(fù)位(或擦除)操作中，字線譯碼器410便于提供字線558適當(dāng)電壓以打開存儲單元532的存取晶體管。位線譯碼器420便于提供一個或多個具有適當(dāng)振幅與時間的電壓脈沖至位線560以引發(fā)流經(jīng)存儲元件548的電流，如此一來至少可以將主動區(qū)的溫度提升至高于存儲元件548的相變材料的相變溫度與高于融化溫度的溫度以9至少使主動區(qū)處于液態(tài)。接著終止電流，例如是通過終止位線560上的電壓脈沖以及字線558上的電壓，使得將主動區(qū)快速冷卻固化成非晶相的終止時間為相當(dāng)迅速。復(fù)位操作包括一個或多個脈沖，例如包括一對脈沖。在存儲單元532的讀取(或感測)操作中，字線譯碼器410便于提供字線558適當(dāng)?shù)碾妷阂源蜷_存儲單元532的存取晶體管。位線譯碼器420便于提供具有適當(dāng)?shù)恼穹c時間的電壓至位線560以引發(fā)電流，且上述過程不會使存儲元件448經(jīng)歷電阻狀態(tài)的改變。位線560上且流經(jīng)存儲元件548的電流根據(jù)其電阻而定，且因此數(shù)據(jù)狀態(tài)與存儲單元532的存儲元件548有關(guān)。因此，例如是通過感測電路430的感測放大器來比較位線560上的電流與適當(dāng)?shù)膮⒖茧娏骺梢詻Q定存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。圖6為第一實(shí)施例的用于將存儲單元532由較高電阻狀態(tài)編程至較低電阻狀態(tài)的設(shè)定操作600的流程示意圖。圖7為一實(shí)施例的圖6的設(shè)定操作600的時間圖表。可以理解的是，圖7的時間圖表為簡圖且未以精準(zhǔn)比例繪示。用于所選存儲單元532的設(shè)定操作600開始于步驟610。步驟610包括或在一些實(shí)施例中可開始于讀取操作，以決定所選存儲單元532是否需要通過設(shè)定操作600進(jìn)行編程。讀取操作可以通過施加讀取偏壓配置來完成，諸如提供電壓至字線558與位線560，其中所述電壓足以打開所選存儲單元532的存取晶體管且足以引發(fā)流經(jīng)位線560上的路徑580且由存儲元件548流至源極線554的電流(在此例中，電流終止至接地)。所述電流不足以使存儲元件548經(jīng)歷電阻狀態(tài)的改變，且可以通過方塊430內(nèi)的感測放大器比較位線560的電流與適當(dāng)?shù)膮⒖茧娏鱽頉Q定存儲單元532的電阻。請同時參照圖7與圖8，接著在步驟620中，施加第一偏壓配置至存儲單元532，以在存儲單元532中建立較低電阻狀態(tài)。在所示的實(shí)施例中，步驟620的第一偏壓配置包括施加Vi—SET至字線558，其中Vi—SET高于所選存儲單元532的存取晶體管的閾值電壓(thresholdvoltage)Vth，且施加具有VSET的脈沖高度與脈沖長度700的電壓脈沖至位線560，以引發(fā)流經(jīng)路徑580的電流且提供具有第一量的能量至存儲元件548的相變材料。如圖8的推測性的代表曲線850所示，提供至存儲元件548的相變材料的具有第一量的能量至少足以使存儲元件的一部分的主動區(qū)的溫度提升至高于相變材料的相變(結(jié)晶化)溫度810。具有第一量的能量使至少一部分的主動區(qū)轉(zhuǎn)變成結(jié)晶相，以此建立較低電阻狀態(tài)?？衫斫獾氖牵€850僅是例示且曲線850的確實(shí)形狀是依據(jù)存儲單元的特性、施加至存儲單元的設(shè)定偏壓配置的行為以及加熱與冷卻相變材料的行為而定。在圖6至圖8所例示的實(shí)施例中，步驟620的第一偏壓配置包括具有VSET的脈沖高度與施加至位線560的脈沖長度700的單一脈沖，然而，可以理解的是，可以使用其它設(shè)定偏壓配置。通常，可以施加一組一個或多個脈沖至位線560及/或字線558及/或源極線554，以引發(fā)流經(jīng)路徑580的電流以提供具有第一量的能量至存儲元件548的相變材料?？梢愿鶕?jù)經(jīng)驗(yàn)來決定每一實(shí)施例的第一偏壓配置的脈沖的數(shù)目與脈波形狀(包括電壓電平與脈沖寬度)。圖9A至圖9C為可以用于一些其它實(shí)施例中的步驟620的設(shè)定偏壓配置的脈沖的例示。請?jiān)僖淮螀⒄請D6，進(jìn)行步驟630以繼續(xù)設(shè)定操作600。在步驟630中，讀取所選存儲單元的電阻以決定存儲單元532是否具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻。步驟630的讀取操作施加讀取偏壓配置至存儲單元532。在所例示的實(shí)施例中，讀取偏壓配置包括維持字10線558上的電壓Vi—KEAD且施加具有VKEAD的脈沖高度與脈沖長度710的電壓脈沖至位線560以引發(fā)電流流入路徑580，且電流不足以使存儲元件548經(jīng)歷電阻狀態(tài)改變。此外，也可以使用其它讀取偏壓配置。舉例來說，可以通過方塊430的感測放大器比較位線560上的電流與適當(dāng)?shù)膮⒖茧娏饕詻Q定存儲單元532的電阻。根據(jù)比較，透過回饋總線475施加方塊430的感測放大器的輸出信號至控制器450，其中輸出信號指示存儲單元是否具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻。若所選存儲單元538具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻，則控制器450會在步驟650中終止設(shè)定操作以響應(yīng)輸出信號。另，也可以選擇性地使用用以終止設(shè)定操作的其它技術(shù)。若存儲單元532的電阻未處于較低電阻狀態(tài)，則存儲單元532已發(fā)生設(shè)定失效。此失效可能是因?yàn)榇鎯卧碾妭鲗?dǎo)路徑內(nèi)的高電阻層(或界面)的形成。接著施加重試(或第二)偏壓配置至存儲單元以制造傳導(dǎo)路徑且建立較低電阻狀態(tài)，其中重試偏壓配置包括施加至相變材料的第二電壓脈沖，且第二電壓脈沖的脈沖高度大于步驟620的設(shè)定偏壓配置的脈沖高度VSET。在圖6所示的實(shí)施例中，設(shè)定操作600的重試偏壓配置開始于步驟640，在步驟640中施加接續(xù)較高位線電壓偏壓配置至存儲單元。請參照圖7與圖8，在所示的實(shí)施例中，步驟640的接續(xù)偏壓配置包括施加電壓Vwl-keset至字線558以及施加具有VHreH的脈沖高度與脈沖長度720的電壓脈沖至位線560，以引發(fā)電流流入路徑580且提供能量至存儲元件548的相變材料。如由圖7可見，在所例示的實(shí)施例中，步驟640的脈沖具有小于步驟620的脈沖寬度的脈沖寬度且具有大于步驟620的脈沖高度的脈沖高度。在實(shí)施例中，上文中所提及的VWL—SET、VWL—鵬、V亂—KETKY可以相同或不同。對于一般設(shè)定而言，使用較高的VWHiEAD會增加讀取操作的準(zhǔn)確性，而較低的Vi—SET與VMTKY可以防止大量電流流經(jīng)在進(jìn)行設(shè)定與重試等操作時的存儲裝置。如圖8的推測性的代表曲線860所示，具有脈沖高度VHreH且施加至存儲元件548的相變材料的脈沖足以擊穿高電阻層且制造傳導(dǎo)路徑?？衫斫獾氖牵€860僅是例示且曲線860的確實(shí)形狀是依據(jù)存儲單元的特性、施加至存儲單元的接續(xù)偏壓配置的行為以及加熱與冷卻相變材料的行為而定。在一些實(shí)施例中，步驟640的偏壓配置與用以復(fù)位存儲單元的復(fù)位偏壓配置相同，且步驟640的偏壓配置足以融化主動區(qū)與引起轉(zhuǎn)變至高電阻狀態(tài)的相變。此外，在一些實(shí)施例中，接續(xù)偏壓配置可以是受限制的電流，例如是通過使用較低的Vi—皿『如此一來可以防止存儲裝置在發(fā)生高電阻層擊穿的高偏壓狀態(tài)下受到破壞。在圖7中，VWHiETKY小于Vi—SET。因此，在一些實(shí)施例中，在步驟640中引發(fā)穿過存儲元件的相變材料的電流可能小于在步驟620中引發(fā)穿過相變材料的電流。在圖6至圖8所例示的實(shí)施例中，步驟640的接續(xù)偏壓配置包括施加至位線560且具有V^^的脈沖高度與脈沖長度720的單一脈沖，可以理解的是，也可以使用其它接續(xù)偏壓配置。更常見的是，步驟640的接續(xù)偏壓配置包括施加至位線560及/或字線558及/或源極線554以引發(fā)流入路徑580的電流的一組一個或多個脈沖設(shè)定?？梢愿鶕?jù)經(jīng)驗(yàn)來決定每一個實(shí)施例中的接續(xù)偏壓配置的脈沖的數(shù)目與脈波形狀(包括電壓電平與脈沖寬度)。在所例示的圖6至圖8中，在不同步驟(包括步驟630、630、640)中的字線電壓可以不同。接著，回到步驟620，以繼續(xù)設(shè)定操作600的重試(或第二)偏壓配置，其中設(shè)定偏壓配置施加至存儲單元532。接著進(jìn)行步驟630以繼續(xù)設(shè)定操作600，以決定存儲單元232是否具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻。在循環(huán)操作中繼續(xù)進(jìn)行設(shè)定操作，也就是反復(fù)地進(jìn)行施加重試(或第二)偏壓配置(步驟640、620)且決定存儲單元232是否具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)(步驟630)的電阻的循環(huán)，直至存儲單元532的電阻符合較低電阻狀態(tài)或直至已進(jìn)行預(yù)定次數(shù)的反復(fù)嘗試。在一些其它實(shí)施例中，重試偏壓配置的脈沖在每一次的反復(fù)(即一次的施加重試(或第二)偏壓配置(步驟640、620)且決定存儲單元232是否具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)(步驟630)的電阻)中可以改變。若在步驟630中決定存儲單元具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻，則設(shè)定操作終止于步驟650。在所示的實(shí)施例的圖6中，若存儲單元532已發(fā)生設(shè)定失效，則重試偏壓配置包括與步驟620的第一偏壓配置結(jié)合的步驟640的接續(xù)偏壓配置。圖IO為第二實(shí)施例的設(shè)定操作1000的示意圖，其中重試(或第二)偏壓配置步驟1040不包括步驟620的第一偏壓配置而是包括設(shè)定存儲單元532的功能。圖11為一實(shí)施例的圖10的設(shè)定操作1000的時間圖表?？梢岳斫獾氖?，圖11的時間圖表為簡圖且未以精準(zhǔn)比例繪示。請同時參照圖11與圖12，在所示的實(shí)施例中，步驟1040的重試(或第二)偏壓配置包括施加電壓VWHiETKY至字線558且施加電壓脈沖至位線560，其中電壓脈沖如圖所示具有以Vjn^為起始脈沖高度且具有位線560上的電壓隨著時間縮小的后緣(trailingedge)形狀。電壓脈沖足以擊穿高電阻層，且電壓脈沖引發(fā)流入路徑580的電流并提供能量至存儲元件548的相變材料。如圖12的推測性的代表曲線1260所示，重試偏壓配置的脈波形狀適于擊穿高電阻層與制造傳導(dǎo)路徑。后緣使得脈波形狀也適于引起至少一部分的主動區(qū)相變成結(jié)晶相，以此建立較低電阻狀態(tài)?？衫斫獾氖牵€1260僅是例示且曲線860的確實(shí)形狀是依據(jù)存儲單元的特性、施加至存儲單元的接續(xù)偏壓配置的行為以及加熱與冷卻相變材料的行為而定。在一些實(shí)施例中，在步驟1040中提供至相變材料的能量的量足以融化相變材料的主動區(qū)且至少引起主動區(qū)的相變以轉(zhuǎn)變成結(jié)晶相。在一些其它實(shí)施例中，在步驟1040中提供至相變材料的能量足以融化大于主動區(qū)的一部分的相變材料，此可用以克服由主動區(qū)內(nèi)的相變材料的組成變化所引起的設(shè)定失效。在所例示的實(shí)施例的圖10至圖12中，步驟1040的重試偏壓配置包括施加至位線560的所示單一脈沖，然而，可以理解的是，也可以使用其它重試偏壓配置。更常見的是，步驟1040的重試偏壓配置包括施加至位線560及/或字線558及/或源極線554以引發(fā)流入路徑580的電流的一組一個或多個脈沖設(shè)定?？梢愿鶕?jù)經(jīng)驗(yàn)來決定每一個實(shí)施例中的接續(xù)偏壓配置的脈沖的數(shù)目與脈波形狀(包括電壓電平與脈沖次數(shù))。在圖6與圖10所示的設(shè)定操作600、1000中，是以單一存儲單元被編程為例，但可理解的是，此處所敘述的設(shè)定操作也可以應(yīng)用于編程多個存儲單元。圖13為一實(shí)施例的對陣列405的一群存儲單元進(jìn)行設(shè)定操作1300的示意圖。在12接下來的詳述中，可以如前文所述地應(yīng)用各種偏壓配置(包括使用諸如上述的那些脈沖)，因此而后將不重復(fù)敘述設(shè)定操作1300的各種脈沖與偏壓配置。對陣列405的一群存儲單元進(jìn)行的設(shè)定操作1300開始于步驟1310。步驟1310包括或在其它實(shí)施例中可以開始于讀取操作。接著，在步驟1320中，第一偏壓配置施加至一群存儲單元以建立存儲單元的較低電阻狀態(tài)。在步驟1330中，讀取存儲單元的電阻，以決定一群存儲單元中的存儲單元是否分別具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻。對于一群存儲單元中不具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻的存儲單元而言，這些存儲單元已發(fā)生設(shè)定失效且施加重試(或第二)偏壓配置至這些失效存儲單元。在所例示的實(shí)施例的圖13中，設(shè)定操作1300的重試偏壓配置開始于步驟1340，其中接續(xù)偏壓配置施加至存儲單元。接著，回到步驟1320，以繼續(xù)設(shè)定操作1300的重試偏壓配置，其中第一偏壓配置施加至那些失效存儲單元。接著進(jìn)行步驟1330以繼續(xù)設(shè)定操作1300，以決定失效存儲單元是否具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻。在循環(huán)操作中繼續(xù)進(jìn)行設(shè)定操作，也就是反復(fù)地進(jìn)行施加重試偏壓配置(步驟1340、1320)至于步驟1330中再一次經(jīng)歷失效的存儲單元與經(jīng)由前步驟1330決定失效存儲單元是否具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)(步驟1330)的電阻的循環(huán)，直至存儲單元的電阻符合較低電阻狀態(tài)或直至已進(jìn)行最大次數(shù)的反復(fù)嘗試。若在步驟1330中已決定一群中的每一存儲單元具有對應(yīng)于較低電阻狀態(tài)的電阻，則設(shè)定操作終止于步驟1350。在圖13的設(shè)定操作中，重試偏壓配置包括與步驟1320的第一偏壓配置結(jié)合的步驟1340的接續(xù)偏壓配置?？蛇x地，相似于前文中針對圖10的敘述，在一些實(shí)施例中的重試偏壓配置不包括步驟1320的設(shè)定偏壓配置，而是包括設(shè)定一群失效存儲單元的功能。此處所述的存儲裝置與操作此裝置的方法能應(yīng)付設(shè)定失效模式且產(chǎn)生改善的持久性、可靠度以及改善的數(shù)據(jù)儲存效能。此處所述的設(shè)定操作提供較低能量至存儲單元的相變材料以建立較低電阻狀態(tài)，且僅在較低能量不足以設(shè)定存儲單元時才施加較高能量至相變材料。因此，相較于融化與回火設(shè)定方法，此處所述的設(shè)定操作減少高電流操作的量且因此改善存儲單元的可靠度。此處所述的存儲單元的實(shí)施例包括用于存儲元件的基于相變的存儲材料(包括基于硫?qū)俨牧吓c其它材料)。氧族(chalcogens)包括形成周期表中的VIA族的一部分的四元素氧(0)、硫(S)、硒(Se)以及碲(Te)中的任何元素。硫?qū)倩衔锇ㄑ踝迮c其它多正電元素或自由基結(jié)合的化合物。硫?qū)倩衔锖辖鸢驅(qū)倩衔锱c其它諸如相變金屬的材料的結(jié)合。硫?qū)倩衔锖辖鹜ǔ０瑏碜灾芷诒碓刂械腎VA族的一個或多個元素，諸如鍺(Ge)與錫(Sn)。通常，硫?qū)倩衔锖辖鸢òR(Sb)、鎵(Ga)、銦(In)以及銀(Ag)中的一或多者的化合物。許多基于相變的存儲材料已在技術(shù)性的文章中敘述，包括下列合金Ga/Sb、In/Sb、In/Se、Sb/Te、Ge/Te、Ge/Sb/Te、In/Sb/Te、Ga/Se/Te、Sn/Sb/Te、In/Sb/Ge、Ag/In/Sb/Te、Ge/Sn/Sb/Te、Ge/Sb/Se/Te以及Te/Ge/Sb/S。在Ge/Sb/Te合金的族群中，有廣范圍的合金化合物都可以使用。這些化合物可以表征為TGebSb，—(a+b)。有一研究員已描述最有用的合金為Te在沉積材料中的平均濃度較佳低于70%，通常低于約60%以及通常Te的范圍介于低為約23%以及高為約58%之間，且最佳為具有約48%至58%的Te。Ge在材料中的平均濃度高于約5%且范圍由約8%的低值至約30%的高值，且通常低于50%。最佳是，Ge的濃度范圍由約8%至約40%。在此化合物中所剩余的主要組成元素為Sb。這些百分比所指的是原子百分比，也就是在總數(shù)為100%的組成元素的元素中占的百分比(0vshinsky，專利第5，687，112號、第10至ll欄)。經(jīng)由其它研究員所評估的特定合金包括Ge2Sb2Te5、GeSb2Te4以及GeSb4Te7(NoboruYamada、「用于高_(dá)數(shù)據(jù)_速度紀(jì)錄的Ge-Sb-Te相變光盤的潛能」、SPIE第3109冊、第28-37頁(1997))。較普遍地，諸如鉻(Cr)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈮(Nb)、鉛(Pd)、鉬(Pt)以及其組合或其合金的相變金屬可以與Ge/Sb/Te結(jié)合成具有可編程的電阻特性的相變合金。可用于存儲材料的特定實(shí)例在Ovshinsky的第112頁的第11至13欄有記載，這些實(shí)例引用在此作為參考。在一些實(shí)施例中，在硫?qū)倩衔锱c其它相變材料中摻雜雜質(zhì)以改變使用摻雜硫?qū)倩衔锏拇鎯υ膶?dǎo)電性、相變溫度、融化溫度以及其它特性。用以摻雜硫?qū)倩衔锏拇硇噪s質(zhì)包括氮、硅、氧、氧化硅、氮化硅、銅、銀、金、鋁、氧化鋁、鉭、氧化鉭、氮化鉭、鈦以及氧化鈦。請參照諸如美國專利第6，800，504號與美國專利申請案第2005/0029502號。在存儲單元的主動通道區(qū)的區(qū)域次序(localorder)中，相變合金能夠在材料處于大致非晶固相的第一結(jié)構(gòu)狀態(tài)與材料處于大致結(jié)晶固相的第二結(jié)構(gòu)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。這些合金至少是雙穩(wěn)態(tài)(bistable)。詞匯「非晶」用來指相對少次序(且較單一晶體無序)的結(jié)構(gòu)，其具有諸如電阻率高于結(jié)晶相的可檢測特性。詞匯「結(jié)晶」用來指相對多次序(且較非晶結(jié)構(gòu)有序)的結(jié)構(gòu)，其具有諸如電阻率低于非晶相的可檢測特性。通常，相變材料可以在具有不同的可檢測狀態(tài)的光譜之間電性轉(zhuǎn)換，也就是在介于完全非晶與完全結(jié)晶狀態(tài)的區(qū)域次序之間轉(zhuǎn)換。會受到介于非晶相與結(jié)晶相之間的改變影響的其它材料特性包括原子次序、自由電子密度以及活化能量。材料可以轉(zhuǎn)換至不同的固相或兩個或多個固相的混合(其提供介于完全非晶與完全結(jié)晶狀態(tài)之間的灰色范圍)。材料的電特性可以相應(yīng)地變化。通過施加電脈沖可以使相變合金由一種相狀態(tài)改變至另一相狀態(tài)。已發(fā)現(xiàn)較短、較高的振幅脈沖傾向于使相變材料改變至大致非晶狀態(tài)。較長、較低的振幅脈沖傾向于使相變材料改變至大致結(jié)晶狀態(tài)。其中，較短、較高的振幅脈沖的能量高的足以使結(jié)晶結(jié)構(gòu)的鍵斷裂且短的足以避免原子重新排列成結(jié)晶狀態(tài)。且，不用過度的實(shí)驗(yàn)就可以決定脈沖的適當(dāng)輪廓，特別是適合特定的相變合金的脈沖。在本揭露接下來的段落中，相變材料所指的是GST，然而可以理解的是，也可以使用其它種的相變材料。此處所述的用于PCRAM的有用材料為Ge2Sb2Te5。用以形成硫?qū)倩衔锊牧系睦拘苑椒ㄊ褂没瘜W(xué)氣相沉積CVD，諸如揭露于美國申請第2006/0172067號的標(biāo)題為「硫?qū)倩衔锊牧系幕瘜W(xué)氣相沉積」的內(nèi)文中，其并入此文以供參考?？蛇x地在真空或在氮?dú)猸h(huán)境中執(zhí)行沉積后回火處理，以改善硫?qū)倩衔锊牧系慕Y(jié)晶狀態(tài)?；鼗饻囟韧ǔ＝橛贗O(TC至40(TC之間且回火時間少于30分鐘。雖然本發(fā)明是以參照前文詳述的較佳實(shí)施例與范例來揭露，但可以理解的是這些實(shí)施例只是用來作為例示而非用以限定。任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。1權(quán)利要求一種操作存儲單元的方法，所述存儲單元包括相變材料且可編程至包括高電阻狀態(tài)與較低電阻狀態(tài)的多個電阻狀態(tài)，其特征在于，包括施加第一偏壓配置至所述存儲單元以建立所述較低電阻狀態(tài)，所述第一偏壓配置包括第一電壓脈沖；決定所述存儲單元是否處于所述較低電阻狀態(tài)；以及若所述存儲單元未處于所述較低電阻狀態(tài)，則接著施加第二偏壓配置至所述存儲單元以建立所述較低電阻狀態(tài)，所述第二偏壓配置包括第二電壓脈沖，其中所述第二電壓脈沖的脈沖高度大于所述第一電壓脈沖的脈沖高度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作存儲單元的方法，其特征在于所述第二偏壓配置足以擊穿在所述存儲單元的電傳導(dǎo)路徑內(nèi)的高電阻層；所述決定所述存儲單元是否處于所述較低電阻狀態(tài)包括施加讀取偏壓配置至所述存儲單元以及檢測所述存儲單元中的電流，且所述存儲單元中的所述電流對應(yīng)于所述存儲單元的所述電阻狀態(tài)；所述存儲單元更包括存取裝置，其具有經(jīng)由所述相變材料耦接字線的第一端與耦接位線的第二端；所述施加所述第一偏壓配置包括施加電壓至所述字線以及施加所述第一電壓脈沖至所述位線以引發(fā)流經(jīng)所述相變材料的第一電流；以及所述施加所述第二偏壓配置至所述存儲單元包括施加電壓至所述字線以及施加所述第二電壓脈沖至所述位線以引發(fā)流經(jīng)所述相變材料的第二電流；該第二電流小于該第一電流。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作存儲單元的方法，其特征在于，更包括在施加所述第二偏壓配置至所述存儲單元后，決定所述存儲單元是否處于所述較低電阻狀態(tài)；以及若在施加所述第二偏壓配置至所述存儲單元后，所述存儲單元未處于所述較低電阻狀態(tài)，則反復(fù)地施加接續(xù)偏壓配置至所述存儲單元以及決定所述存儲單元是否處于所述較低電阻狀態(tài)直至所述存儲單元處于所述較低電阻狀態(tài)或已達(dá)到預(yù)定次數(shù)的反復(fù)嘗試，其中所述接續(xù)偏壓配置分別包括具有大于所述第一電壓脈沖的脈沖高度的對應(yīng)電壓脈沖，以建立所述較低電阻狀態(tài)；所述施加接續(xù)偏壓配置至所述存儲單元包括施加所述第二偏壓配置至所述存儲單元。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作存儲單元的方法，其特征在于，施加所述第二偏壓配置包括施加所述第二電壓脈沖至所述相變材料；以及在施加所述第二電壓脈沖后，施加所述第一電壓脈沖至所述相變材料。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作存儲單元的方法，其特征在于，所述第二電壓脈沖足以融化所述相變材料的主動區(qū)；或者所述第二電壓脈沖具有脈波形狀，所述脈波形狀適于融化至少所述相變材料的主動區(qū)且適于引起至少一部分的所述主動區(qū)轉(zhuǎn)變成結(jié)晶相的相變。6.—種存儲裝置，其特征在于，包括存儲單元，包括相變材料且可編程至包括高電阻狀態(tài)與至少一較低電阻狀態(tài)的多個電阻狀態(tài)；以及偏壓電路，適于施加偏壓配置至所述存儲單元，其中所述偏壓配置包括第一偏壓配置，用以建立所述較低電阻狀態(tài)，所述第一偏壓配置包括第一電壓脈沖；讀取偏壓配置，用以在所述第一偏壓配置后，決定所述存儲單元是否處于所述較低電阻狀態(tài)；以及第二偏壓配置，當(dāng)在所述第一偏壓配置后，所述存儲單元未處于所述較低電阻狀態(tài)時，所述第二偏壓配置用以建立所述較低電阻狀態(tài)，所述第二偏壓配置包括具有脈沖高度大于所述第一電壓脈沖的脈沖高度的第二電壓脈沖。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其特征在于所述第二偏壓配置足以擊穿在所述存儲單元的電傳導(dǎo)路徑內(nèi)的高電阻層；所述存儲單元更包括存取裝置，所述存取裝置具有經(jīng)由所述相變材料耦接字線的第一端與耦接位線的第二端；所述第一偏壓配置包括施加至所述字線的電壓以及施加至所述位線以引發(fā)流經(jīng)所述相變材料的第一電流的所述第一電壓脈沖；所述第二偏壓配置包括多個電壓脈沖；或者所述第二偏壓配置包括施加至所述字線的電壓以及施加至所述位線以引發(fā)流經(jīng)所述相變材料的第二電流的所述第二電壓脈沖，該第二電流小于該第一電流。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其特征在于，所述偏壓配置更包括讀取偏壓配置，用以決定在所述第二偏壓配置后，所述存儲單元是否處于所述較低電阻狀態(tài)；以及接續(xù)偏壓配置，當(dāng)在所述第二偏壓配置后，所述存儲單元未處于所述較低電阻狀態(tài)，所述接續(xù)偏壓配置用以建立所述較低電阻狀態(tài)，所述接續(xù)偏壓配置包括具有大于所述第一電壓脈沖的脈沖高度的電壓脈沖；所述接續(xù)偏壓配置包括所述第二偏壓配置。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲裝置，其特征在于，所述第二偏壓配置包括施加至所述相變材料的所述第二電壓脈沖；以及在所述第二電壓脈沖后，施加所述第一電壓脈沖至所述相變材料。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其特征在于，所述第二電壓脈沖足以融化所述相變材料的主動區(qū)；或者所述第二電壓脈沖具有脈波形狀，所述脈波形狀適于融化至少所述相變材料的主動區(qū)且適于相變且適于引起至少一部分的所述主動區(qū)轉(zhuǎn)變成結(jié)晶相的相變。全文摘要本發(fā)明公開了一種存儲裝置與用以操作此裝置的方法。在用以操作存儲單元的方法中，存儲單元包括相變材料且可編程至包括高電阻狀態(tài)與較低電阻狀態(tài)的多個電阻狀態(tài)。操作存儲單元的方法包括施加第一偏壓配置至存儲單元以建立較低電阻狀態(tài)，其中第一偏壓配置包括第一電壓脈沖。此方法更包括決定存儲單元是否處于較低電阻狀態(tài)，若存儲單元未處于較低電阻狀態(tài)，則接著施加第二偏壓配置至存儲單元。第二偏壓配置包括第二電壓脈沖，且第二電壓脈沖的脈沖高度大于第一電壓脈沖的脈沖高度。文檔編號G11B7/24GK101770788SQ20091026561公開日2010年7月7日申請日期2009年12月28日優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日發(fā)明者李明修申請人:旺宏電子股份有限公司