專利名稱：：檢測非易失性存儲單元的閾值電壓位移的方法
技術領域：
：本發(fā)明一般涉及數據處理系統(tǒng)，并且尤其涉及存儲裝置的使用，如數據處理系統(tǒng)中的非易失性存儲系統(tǒng)。
背景技術：
：最近，使用非易失性存儲器的裝置數量增加。例如，MP3播放器，數碼相機，移動電話，可攜式攝像放像機，閃存卡，和固態(tài)盤(SSD)都是使用非易失性存儲器作為存儲裝置的裝置的例子。隨著更多的裝置使用非易失性存儲器作為存儲裝置，非易失性存儲器的容量普遍增加。一種用于增加存儲器容量的方法是使用所謂的多層單元(multilevelcell，MLC)方法，其中多個位^皮存儲在一個存儲單元中。根據閾值電壓的分布，兩位(two-bit)MLC可編程為具有四個狀態(tài)11、01、10和00中的任何一個。例如，如圖l所示，兩位MLC凈皮編程為具有四個狀態(tài)11(E1)、Ol(Pl)、10(P2)和00(P3)中的一個。非易失性存儲器，例如閃存，可以以頁為單位進行編程。存儲控制器可以以頁單位通過緩沖存儲器傳送數據到閃存。閃存中的頁緩沖器臨時存儲從緩沖存儲器載入的數據，并且將載入的數據編程到所選擇的頁中。在完成編程操作后，執(zhí)行程序校驗(program-verifying)操作以確定數據是否已被正確地編程。然而，如圖2所示，由于諸如電荷損失、溫度、程序干擾等因素導致的用于編程數據的閾值電壓Vth中的位移，在讀取操作期間可能產生比特誤差。圖3示出了特別編程狀態(tài)中溫度對單元分布的影響。典型地，溫度上每改變20°C，閾值電壓Vth可位移大約50mV。
發(fā)明內容根據本發(fā)明的一些實施例，通過以下步驟來操作非易失性存儲裝置使用從與特定溫度范圍有關的理想校驗電壓Vv得出的校驗電壓電平在存儲裝置中編程釆樣數據；使用與溫度范圍有關的校驗電壓Vv對釆樣數據執(zhí)行讀取校驗操作；以及基于讀取校驗操作的結果來確定溫度S卜償參數Nc。在其它實施例中，通過以下步驟來操作非易失性存儲系統(tǒng)從主機發(fā)送采樣頁讀取指令到存儲裝置；使用從與特定溫度范圍有關的理想校驗電壓Vv得出的校驗電壓電平在存儲裝置中編程采樣數據用于校驗；使用與存儲裝置中的溫度范圍有關的校驗電壓Vv對采樣數據執(zhí)行讀取校驗操作；將讀取校驗操作的結果提供給主機；以及在主機基于讀取校驗操作的結果來確定溫度補償參數Nc。在其它實施例中，通過以下步驟來操作存儲系統(tǒng)從主機發(fā)送用于溫度補償的指令到非易失性存儲裝置；以及檢索用于在存儲裝置中執(zhí)行編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償電壓值。通過研讀以下附圖和詳細說明，根據本發(fā)明的實施例的其它系統(tǒng)和方法將對本領域技術人員來說變得更加清楚。本發(fā)明旨在所有這些附加的系統(tǒng)和方法都包含在此說明書中，落入本發(fā)明的范圍之內，并且通過附隨的權利要求被保護。通過結合附圖對以下本發(fā)明特定實施例的詳細說明，將更容易地理解本發(fā)明的其它特征，其中圖1是示出兩位多級存儲單元編程狀態(tài)的圖2是示出由于閾值電壓中的位移在圖1所示的多級存儲單元中可發(fā)生的比特誤差的圖3是示出對于特定編程狀態(tài)溫度對單元分布的影響的圖形；圖4示出了根據本發(fā)明的一些實施例的檢測非易失性存儲單元的閾值電壓的位移的操作；圖5示出了基于對圖4的采樣數據執(zhí)行讀取校驗操作生成的溫度補償轉換表；圖6描繪了使用圖5的溫度補償參數可生成的溫度補償電壓值；圖7示出了根據本發(fā)明的一些實施例的具有片上溫度4卜償功能的閃存；圖8是示出根據本發(fā)明的一些實施例、在諸如閃存的非易失性存儲裝置中提供閾值電壓溫度#卜償時的編程操作的流程圖9是示出根據本發(fā)明的一些實施例、在諸如閃存的非易失性存儲裝置中提供閾值電壓溫度^卜償時的讀取操作的流程圖10示出了根據本發(fā)明的一些實施例的具有片上溫度補償功能和誤差控制功能的閃存；圖11是示出根據本發(fā)明的一些實施例的圖10的閃存的操作的流程圖12是示出根據本發(fā)明的一些實施例的存儲系統(tǒng)的框圖，在該存儲系統(tǒng)中是主機或存儲器控制器，而不是閃存，包括誤差控制電路；圖13示出了根據本發(fā)明的一些實施例的存儲系統(tǒng)的框圖，在該存儲系統(tǒng)中是閃存，而不是主機或存儲器控制器，包括誤差控制電路；圖14示出了根據本發(fā)明的一些實施例，在主機或存儲器控制器為存儲系統(tǒng)執(zhí)行閾值電壓溫度補償時的程序操作；圖15示出了根據本發(fā)明的一些實施例，在主機或存儲器控制器為存儲系統(tǒng)執(zhí)行閾值電壓溫度#卜償時的讀取操作；圖16示出了根據本發(fā)明的一些實施例，在主機或存儲器控制器執(zhí)行誤差校正和/或閾值電壓溫度補償時的讀取操作；圖17示出了閃存，例如圖10所示的閃存，其進一步包括可用作閃存和主機之間的緩沖存儲器的數據緩沖器；圖18示出了根據本發(fā)明的一些實施例的存儲系統(tǒng)，其包括主機和具有存儲在閃存的存儲單元中的溫度補償電壓值的閃存；圖19示出了根據本發(fā)明的一些實施例的存儲系統(tǒng)，其包括主機和具有存圖20是示出根據本發(fā)明的一些實施例的結合閾值電壓溫度補償的存儲系統(tǒng)的操作的流程圖21和圖22示出了根據本發(fā)明的更多實施例的用于檢測非易失性存儲單元的閾值電壓中的位移的操作；圖23和圖24示出了根據本發(fā)明的更多實施例的用于檢測非易失性存儲單元的閾值電壓中的位移的方法；圖25是示出根據本發(fā)明的一些實施例的包括非易失性存儲器的存儲卡的框圖；以及圖26是示出根據本發(fā)明的一些實施例的包括非易失性存儲器的存儲系統(tǒng)的框圖。具體實施例方式雖然本發(fā)明允許進行各種修改和替代形式，本發(fā)明的特定實施例作為示例示出在附圖中并將在此進行詳細描述。然而，應當理解的是，并不意圖將本發(fā)明局限于所公開的特定形式，相反的是，本發(fā)明將包括落入權利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍之內的所有的修改、等效、和代替。貫穿附圖的說明，相同的參考標記表示相同的元件。在此使用的，單數形式"一，，和"該，，意思是同時包括復數形式，除非另外明確現定。進一步應當理解的是，說明書中使用的術語"包含"和/或"包括"是指所述的特征、整數、步驟、操作、元件和/或部分的存在，而不排除一個或多個其他特征、整數、步驟、操作、元件、部分和/或其組合。應當理解的是，當元件涉及被"連接"或"耦合，，到另一元件，它可以直接連接或耦合到其它元件，或者還存在居間的元件。而且，此處使用的"連接"或"耦合"可包括無線連接或無線耦合。在此使用的術語"和/或"包括一個或多個相關列出的項的任何組合和全部組合。除非另外定義，此處使用的所有術語(包括技術和科技術語)具有與本發(fā)明所屬領域技術人員普遍理解的相同意義。更應理解的是，例如字典使用的普遍定義的術語，可解釋為具有與相關技術和說明書上下文意義一致的意義，而且除非此處如此定義，否則不能以理想化或過于形式意義來解釋。為了說明，此處描述了關于包括閃存數據存儲裝置，例如NAND、NOR、或One—NAND型閃存存儲裝置的非易失性存儲系統(tǒng)的本發(fā)明的各種實施例。應當理解的是，數據存儲裝置并不局限于實現為閃存裝置，但是一般也可實現為寫前4察除型存4諸裝置(erasebeforewritememorydevice)。因此，數據存儲裝置可以是存儲卡裝置、固態(tài)驅動(SSD)裝置、ATA總線裝置、串行ATA(SATA)總線裝置、多媒體卡(MMC)裝置、安全數字(SD)裝置、記憶棒裝置、硬盤驅動(HDD)裝置、混合硬盤驅動(HHD)裝置、和/或通用串行總線(USB)閃存驅動裝置。根據本發(fā)明的一些實施例，可通過編程存儲裝置中的采樣數據、對采樣9數據執(zhí)行讀取校驗操作、以及基于讀取校驗操作的結果來確定溫度補償參數來操作非易失性存儲系統(tǒng)?？稍诖鎯ρb置中和/或主機系統(tǒng)或與存儲裝置進行通信的控制器中執(zhí)行溫度補償參數的確定。一旦確定了溫度補償參數，補償電壓值，例如，可存儲在存儲裝置內用于編程數據，讀取數據，和/或校驗數據。圖4示出了根據本發(fā)明的一些實施例的檢測非易失性存儲單元的閾值電壓中的位移的操作。如圖4所示，使用從理想校驗電壓Vv得出的校驗電壓電平在例如閃存裝置的非易失性存儲裝置中編程采樣數據用于校驗。在所示的例子中，數據以電平Vv至Vv-6Vd進行編程用于校驗，其中Vd是每單位溫度在闊值電壓Vth中的典型位移，在這個例子中位20。C。而且，在圖4例子中，才交^^電壓Vv與90-70。C范圍相關。圖5示出了基于對圖4的采樣數據執(zhí)行讀取校驗操作而生成的溫度補償轉換表。因為校驗電壓Vv基于90-70。C范圍，如果實際溫度落在該范圍內，則只有采樣數據的第一間隔(基于校驗電平Vv編程)可通過(pass),而釆樣數據的其它間隔(基于校驗電平Vv-*Vd編程)會失敗(fail)。然而，如果實際溫度低于90-7(TC范圍，則圖4的程序分布移動到右側，如圖3所示，導致其它溫度范圍中的一個只有采樣數據的一個間隔可通過，而其他所有間隔為失敗。以這種方式，溫度補償參數Nc可如圖5所示進行計算。圖6描繪了可使用圖5的溫度補償參數生成的溫度補償電壓值。溫度補償電壓值可以以Vtemp=Vorg+Nc*Vd生成，其中Vorg是初始的(original)、未補償的電壓值。根據本發(fā)明的各個實施例，溫度補償電壓可以用在編程、讀取和校驗操作中。圖7示出了根據本發(fā)明的一些實施例的具有片上溫度補償功能的閃存700。如圖7所示，溫度檢測器705可以配置為基于對以上參考圖4和圖5討論的那樣編程的采樣數據頁執(zhí)行的校驗操作，來確定溫度補償參數Nc。基于溫度補償參數Nc，DC電平補償器^^莫塊710可生成用于編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償DC電壓電平。圖8是示出根據本發(fā)明的一些實施例、在例如閃存的非易失性存儲裝置中提供闊值電壓溫度補償時的編程操作的流程圖。操作開始于塊805,其中采樣數據被編程到存儲裝置中。在塊810，如以上參考圖4和圖5討論的那樣，確定溫度補償參數Nc。在塊815，溫度補償參數Nc被用來生成用于編10程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償DC電壓電平。在塊820，可使用溫度補償DC電壓電平來編程目標頁。圖9是示出根據本發(fā)明的一些實施例、在例如閃存的非易失性存儲裝置中提供閾值電壓溫度補償時的讀取操作的流程圖。操作開始于塊905，其中采樣數據被編程到存儲裝置中。在塊910，如以上參考圖4和圖5討論的那樣，確定溫度補償參數Nc。在塊915，溫度補償參數Nc被用來生成用于編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償DC電壓電平。在塊920,可使用溫度補償DC電壓電平來讀耳又目標頁。根據本發(fā)明的一些實施例，溫度補償可與誤差控制(errorcontrol)功能組合。如圖10所示，如圖7的閃存700的閃存1000可以進一步包括誤差控制電路1020，該誤差控制電路1020可確定從目標頁讀取的誤差是否可才交正(correctable)。溫度檢測器1005和DC電平補償器模塊1010與如上參考圖7討論的相同模塊相似，除了下述響應誤差控制電路1020。圖11是示出根據本發(fā)明的一些實施例的閃存1000的操作的流程圖。操作開始于塊1105,其中讀取目標頁。在塊lllO,圖10的誤差控制電^各1020確定目標頁誤差是否可校正。如果可校正，則誤差控制電路1020校正誤差，并且操作終止。然而，如果誤差不是可校正的，則在塊1115繼續(xù)操作，其中采樣數據被編程到存儲裝置中。在塊1120,如以上參考圖4和圖5討論的那樣確定溫度補償參數Nc。在塊1125,溫度補償參數Nc被用來生成用于編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償DC電壓電平。在塊1130,使用溫度補償DC電壓電平來重讀(re-read)目標頁。圖12是示出根據本發(fā)明的一些實施例的存儲系統(tǒng)1200的框圖，在該存儲系統(tǒng)1200中是主機或存儲器控制器1205,而不是閃存1210，包括誤差控制電路。圖13是示出根據本發(fā)明的一些實施例的存儲系統(tǒng)1300的框圖，在該存儲系統(tǒng)1300中主機或存儲器控制器1305不包括誤差控制電路。相反，誤差控制電路被結合到閃存1310中。根據本發(fā)明的各種實施例，可在主機或存儲控制器和/或在閃存中執(zhí)行溫度檢測和補償。圖14示出了根據本發(fā)明的一些實施例、在主機或存儲器控制器為存儲系統(tǒng)執(zhí)行閾值電壓溫度補償時的程序操作。操作開始于塊1405，其中主機發(fā)送采樣頁讀取指令到閃存裝置。在塊1410,閃存裝置執(zhí)行讀取指令，并且在塊1415傳送數據到主機。在塊1420,如以上參考圖4和圖5討論的那樣在主機確定溫度補償參數Nc。在塊1425,溫度補償參數Nc被用來生成用于編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償DC電壓電平。這些溫度補償DC電壓電平凈皮通知癥合(communicatedto)閃存。在塊1430,則主才幾發(fā)送目才示頁編程指令到閃存，并在塊1435由閃存執(zhí)行。圖15示出了根據本發(fā)明的一些實施例、在主機或存儲器控制器為存儲系統(tǒng)執(zhí)行閾值電壓溫度補償時的讀取操作。操作開始于塊1505，其中主機發(fā)送采樣頁讀取指令到閃存裝置。在塊1510，閃存裝置執(zhí)行讀取指令，并且在塊1515傳送數據到主機。在塊1520，如以上參考圖4和圖5討論的那樣在主機確定溫度補償參數Nc。在塊1525,溫度補償參數Nc被用來生成用于編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償DC電壓電平。這些溫度補償DC電壓電平被通知給閃存。在塊1530，則主機發(fā)送目標頁讀取指令到閃存，并在塊1535由閃存執(zhí)行。在塊1540傳送目標頁數據到主機。類似于以上討論的實施例，其中在執(zhí)行溫度補償操作之前可以首先執(zhí)行誤差校正，圖16示出了根據本發(fā)明的一些實施例、在主機或存儲器控制器執(zhí)行誤差校正和/或閾值電壓溫度補償時的讀取操作。操作開始于塊1605,其中主機發(fā)送采樣頁讀取指令到閃存裝置。在塊1610，閃存裝置執(zhí)行讀取指令。在塊1615，圖10的誤差控制電路1020確定目標頁誤差是否可校正。如果可校正，則誤差控制電路1020校正誤差，并且操作終止。然而，如果誤差不可校正，則在塊1620繼續(xù)操作，其中主機發(fā)送采樣頁讀取指令到閃存裝置。在塊1625,閃存裝置執(zhí)行讀取指令，并且在塊1630傳送數據到主機。在塊1635，如以上參考圖4和圖5討論的那樣，在主機確定溫度補償參數Nc。在塊1640,溫度補償參數Nc被用來生成用于編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償DC電壓電平。這些溫度補償DC電壓電平被通知給閃存。在塊1645，則主機發(fā)送目標頁讀取指令到閃存，并在塊1650由閃存執(zhí)行。在塊1655,傳送目標頁數據到主機。圖17示出了如圖10的閃存1000的閃存1700，該閃存1700進一步包括數據緩沖器1720,該數據緩沖器1720可用作閃存和主機之間的緩沖存儲器。溫度^f企測器1705、DC電平補償器模塊1710、和誤差控制電路1715與以上參考圖7和圖IO討論的相同模塊相似。根據本發(fā)明的各種實施例，可在不同位置存儲溫度補償電壓值。如圖18所示，存儲系統(tǒng)1800包括主機1805和閃存1810,該存儲系統(tǒng)1800具有存儲在閃存的存儲單元中的溫度補償電壓值。如圖19所示，存儲系統(tǒng)1900包括主機1905和閃存1910，該存儲系統(tǒng)1900具有存儲在閃存1910中的寄存器中和/或在閃存1910內熔線編程的溫度補償電壓值。圖20是示出根據本發(fā)明的一些實施例的集合闊值電壓溫度補償的存儲系統(tǒng)的操作的流程圖。操作開始于塊2005,其中主機發(fā)送用于溫度補償的指令到非易失性存儲裝置，例如閃存。在塊2010，閃存檢索用于執(zhí)行編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償電壓值。圖21和圖22示出了根據本發(fā)明的更多實施例的用于檢測非易失性存儲單元的閾值電壓中的位移的操作。類似于以上參考圖4討論的方法，使用在Vv到Vv+(N-l)Vd范圍內的電壓電平在存儲裝置內編程N組采樣數據用于校驗，其中Vd是常數。使用校驗電壓(Vv+(N-l)Vd)/2對N組采樣數據執(zhí)行讀取校驗操作。基于讀取校驗操作的通過/失敗結果來確定溫度補償參數Nc。圖23和圖24示出了根據本發(fā)明的更多實施例的用于檢測非易失性存儲單元的閾值電壓中的位移的方法。類似于以上參考圖4、圖21和圖22討論的方法，使用在Vv到Vv+(N-l)Vd范圍內的校驗電壓電平在存儲裝置內編程N組采樣數據用于校驗，其中Vd是常數。使用校驗電壓Vv+Vm對N組采樣數據執(zhí)行讀取校驗操作，其中Vm是實驗確定的常數。基于為N組中每一組確定的失敗位(failbits)的數量來確定溫度補償參數Nc。圖25是示出根據本發(fā)明的一些實施例的包括如閃存310的非易失性存儲器的存儲卡300的框圖。存儲卡包括存儲控制器，其包括通過地址/數據總線通信地耦合的SRAM321、CPU322、主機接口313、糾錯碼(ECC)模塊314、和存儲器接口315。存儲控制器320與閃存310經由存儲接口315進行通信。閃存310可如以上參考圖4-圖24討論的那樣體現。圖26是示出根據本發(fā)明的一些實施例的包括諸如閃存的非易失性存儲器的存儲系統(tǒng)200。如圖26所示，存儲系統(tǒng)200包括存儲卡210,該存儲卡210包括耦合到閃存211的存儲控制器212，例如該存儲卡210可以實現為圖25的存儲卡300。存儲系統(tǒng)200進一步包括通過地址/數據總線彼此耦合并與存儲卡210耦合的CPU230、RAM240、用戶接口250、和電源220。閃存211可如以參考圖4-圖24討論的那樣體現。圖4-圖26的存儲裝置、存儲卡、和/或存儲系統(tǒng)可體現為，例如，存儲卡裝置，固態(tài)驅動(SSD)裝置、ATA總線裝置、串行ATA(SATA)總線裝置、小型計算機系統(tǒng)接口(SCSI)裝置、串行附屬SCSI(SAS)裝置、多媒體卡(MMC)裝置、安全數字(SD)裝置、記憶棒裝置、硬盤驅動器(HDD)裝置、混合硬盤驅動(HHD)裝置、和/或通用串行總線(USB)閃存裝置。而且，圖4-圖26的存儲裝置、存儲卡、和/或存儲系統(tǒng)可體現為，例如，圖形卡、計算機、移動終端、個人數字助理(PDA)、照相機、游戲控制臺、MP3播放器、電視機、DVD播放器、路由器、GPS系統(tǒng)、和/或相機圖像處理器(CIS)和應用芯片集。根據本發(fā)明的一些實施例，存儲裝置、存儲卡、和/或存儲系統(tǒng)可通過多種封裝形式安置于計算機系統(tǒng)上，其中包括層疊封裝(PoP)、球柵陣列(BGAs)、芯片尺寸封裝(CSPs)、帶引線的塑料芯片載體(PLCC)、雙列直插式塑料封裝(PDIP)、窩伏爾組件芯片、晶圓形式芯片、板上芯片(COB)、雙列直插式陶瓷封裝(CERDIP)、塑料公制方型扁平式封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外型(SOIC)、縮小外型封裝(SSOP)、薄型小尺寸封裝(TSOP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、系統(tǒng)級封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶圓級制造封裝(WFP)、晶圓級堆疊封裝(WSP)、和/或晶圓級封裝(WSP)等其他的。在本發(fā)明的一些實施例中，閃存裝置的存儲單元可以各種具有電荷存儲層的形式構成。閃存裝置的電荷存儲結構可通過其中包括電荷陷捕層、其中多個單元陣列堆疊的堆疊單元陣列，沒有源區(qū)和漏區(qū)的閃速結構、和/或針形閃速結構的結構實現?？蓪嵤├M行各種變化和修改，而實質上不脫離本發(fā)明的原理。所有這種變化和修改此處意圖為包括在下述權利要求提出的本發(fā)明的范圍之內。1權利要求1.一種操作非易失性存儲裝置的方法，包括使用從與特定溫度范圍相關的理想校驗電壓Vv得出的校驗電壓電平，在存儲裝置中編程采樣數據用于校驗；使用與所述溫度范圍相關的所述校驗電壓Vv執(zhí)行對所述采樣數據的讀取校驗操作；基于所述讀取校驗操作的結果來確定溫度補償參數Nc。2.如權利要求l所述的方法，其中編程所述采樣數據包括在對應Vv到Vv-(N-l)Vd的N個間隔編程所述采樣數據，其中Vd對應于每單位溫度在用于編程的采樣數據的閾值電壓Vth中的位移。3.如權利要求2所述的方法，其中確定所述溫度補償參數Nc包括基于在對所述采樣數據執(zhí)行所述讀取校l會操作時通過和失敗的所述N間隔的數量來確定所述溫度補償參數Nc。4.如權利要求2所述的方法，進一步包括使用溫度補償電壓Vtemp=Vorg+Nc*Vd作為所述非易失性存儲裝置中的編程電壓、讀取電壓、和/或校驗電壓，其中Vorg沒有與將被編程、讀取、和/或校驗的數據相關的溫度補償的電壓。5.如權利要求4所述的方法，其中所述存儲器包括閃存，所述方法進一步包括使用多個所述溫度補償電壓Vtemp編程閃存中的目標頁。6.如權利要求4所述的方法，其中所述存儲器包括閃存，所述方法進一步包括使用多個所述溫度補償電壓Vtemp讀取閃存中的目標頁。7.如權利要求l所述的方法，其中所述存儲器包括閃存，所述方法進一步包括讀取所述閃存中的目標頁；確定所述目標頁中的誤差是否可校正；和其中當所述目標頁中的誤差不可校正時，執(zhí)行編程所述采樣數據，執(zhí)行對所述采樣數據的所述讀取校驗操作，以及確定所述溫度補償參數。8.如權利要求l所述的方法，其中所述存儲器包括閃存。9.如權利要求8所述的方法，其中所述閃存包括NAND、NOR、或One_NAND型閃存。10.如權利要求l所述的方法，其中所述存儲裝置體現為存儲卡裝置、固態(tài)驅動(SSD)裝置、ATA總線裝置、串行ATA(SATA)總線裝置、小型計算機系統(tǒng)接口(SCSI)裝置、串行附屬SCSI(SAS)裝置、多媒體卡(MMC)裝置、安全數字(SD)裝置、記憶棒裝置、硬盤驅動(HDD)裝置、混合硬盤驅動(HHD)裝置、或通用串行總線(USB)閃存驅動裝置。11.如權利要求l所述的系統(tǒng)，其中所述存儲裝置體現為圖形卡、計算才幾、移動終端、個人^字助理(PDA)、照相才幾、游戲控制臺、MP3播》欠器、電視機、DVD播放器、路由器、或GPS系統(tǒng)。12.—種操作非易失性存儲系統(tǒng)的方法，包括從主機發(fā)送采樣頁讀取指令到存儲裝置；使用從與特定溫度范圍相關的理想校驗電壓Vv得出的校驗電壓電平，在所述存儲裝置中編程采樣數據用于校驗；使用與所述存儲裝置中所述溫度范圍相關的所述校驗電壓Vv對所述采樣數據執(zhí)行讀取校驗操作；將所述讀取校驗操作的結果提供給所述主機；和在所述主機基于所述讀取校驗操作的結果來確定溫度補償參數Nc。13.如權利要求12所述的方法，其中編程所述采樣數據包括在對應Vv到Vv-(N-l)Vd的N個間隔編程所述采樣數據，其中Vd對應于每單位溫度在用于編程的采樣數據的閾值電壓Vth中的位移。14.如權利要求13所述的方法，進一步包括從所述主機通知所述存儲裝置至少一個溫度補償電壓Vtemp=Vorg+Nc*Vd以用作非易失性存儲裝置中的編程電壓、讀取電壓、和/或校驗電壓，其中Vorg是沒有與將被編程、讀取、和/或校驗的數據相關的溫度補償的電壓。15.如權利要求14所述的方法，其中所述存儲器包括閃存，所述方法進一步包括使用多個所述溫度補償電壓Vtemp編程閃存中的目標頁。16.如權利要求14所述的方法，其中所述存儲器包括閃存，所述方法進一步包括使用多個所述溫度補償電壓Vtemp讀取閃存中的目標頁。17.如權利要求14所述的方法，其中所述至少一個溫度補償電壓值存儲在所述存儲裝置中的單元中。18.如權利要求14所述的方法，其中所述至少一個溫度補償電壓值存儲在所述存儲裝置中的寄存器中。19.如權利要求12所述的方法，其中所述存儲器包括閃存，所述方法進一步包括從所述主機發(fā)送目標頁讀取指令到所述存儲裝置；讀取所述閃存中的所述目標頁；確定所述目標頁中的誤差是否可^f交正；和其中當所述目標頁中的誤差可校正時，執(zhí)行編程所述采樣數據，對所述采樣數據執(zhí)行所述讀取校驗操作，將所述讀取校驗操作的所述結果提供給所述主機，以及確定所述溫度補償參數。20.如權利要求12所述的方法，其中所述存儲器包括閃存。21.如權利要求20所述的方法，其中所述閃存包括NAND、NOR、或One一NAND型閃存。22.如權利要求12所述的方法，其中所述存儲裝置體現為存儲卡裝置、固態(tài)驅動(SSD)裝置、ATA總線裝置、串行ATA(SATA)總線裝置、小型計算機系統(tǒng)接口(SCSI)裝置、串行附屬SCSI(SAS)裝置、多媒體卡(MMC)裝置、安全數字(SD)裝置、記憶棒裝置、硬盤驅動(HDD)裝置、混合硬盤驅動(HHD)裝置、或通用串行總線(USB)閃存驅動裝置。23.如權利要求12所述的方法，其中所述存儲裝置體現為圖形卡、計算機、移動終端、個人數字助理(PDA)、照相機、游戲控制臺、MP3播放器、電視機、DVD播放器、路由器、或GPS系統(tǒng)。24.—種操作存儲系統(tǒng)的方法，包括從主機發(fā)送用于溫度補償的指令到非易失性存儲裝置；和檢索用于在所述存儲裝置中執(zhí)行編程、讀取、和/或校驗操作的溫度補償電壓值。25.如權利要求24所述的方法，其中所述溫度補償電壓值存儲在所述存儲裝置中的單元中。26.如權利要求24所述的方法，其中所述溫度補償電壓值存儲在所述存儲裝置中的寄存器中。27.—種操作非易失性存儲裝置的方法，包括使用在Vv到Vv+(N-l)Vd范圍內的校驗電壓電平在所述存儲裝置中編程N組采樣數據用于校驗，其中Vd是常數；使用校驗電壓(Vv+(N-l)Vd)/2對所述N組采樣數據執(zhí)行讀取校驗操作；和基于所述讀取校驗操作的結果來確定溫度補償參數Nc。28.—種操作非易失性存儲裝置的方法，包括使用在Vv到Vv+(N-l)Vd范圍內的校驗電壓電平在所述存儲裝置中編程N組采樣數據用于校驗，其中Vd是常數；是常數；和基于為N組中每一組確定的失敗位的數量來確定溫度補償參數Nc。全文摘要通過以下步驟來操作非易失性存儲裝置使用從與特定溫度范圍相關的理想校驗電壓Vv得出的校驗電壓電平，在存儲裝置中編程采樣數據用于校驗；使用與所述溫度范圍相關的所述校驗電壓Vv執(zhí)行對所述采樣數據的讀取校驗操作；以及基于所述讀取校驗操作的結果來確定溫度補償參數Nc。文檔編號G11C16/10GK101673580SQ20091020571公開日2010年3月17日申請日期2009年7月9日優(yōu)先權日2008年7月9日發(fā)明者黃相元申請人:三星電子株式會社