專利名稱：用于寫同步校正的時移位的制作方法
用于寫同步校正的時移位
背景技術(shù)：
使用磁存儲設(shè)備來通過使用在介質(zhì)上讀寫磁數(shù)據(jù)的換能器將數(shù)據(jù)存儲在磁存儲介質(zhì)上。例如，盤存儲設(shè)備一般適用于與同軸地安裝在設(shè)備的主軸電動機(jī)上以便高速旋轉(zhuǎn)的一個或多個磁記錄盤一起工作。在這些盤旋轉(zhuǎn)時，對應(yīng)的換能器，即讀/寫磁頭，由致動器組件來在盤的表面上移動以便在這些盤上讀寫數(shù)字信息。
在一般需要存儲數(shù)量不斷增長的數(shù)字信息的情況下，磁存儲設(shè)備的設(shè)計者和制造商不斷嘗試增加磁存儲介質(zhì)的位密度。在磁記錄盤中，這意味著增加面密度，即，盤上的磁道數(shù)量和/或沿給定磁道的位的線密度。 一種增加面密度的
方式涉及使用位規(guī)則介質(zhì)(BPM)。
在BPM中，磁記錄表面被圖案化以提供彼此分開的多個離散的單疇磁島(通常每位一個島)。在對位記錄和讀回數(shù)據(jù)期間，位的分開極大地限制了位之間的交換耦合。結(jié)果，可在使用BPM時將位靠一起定位，同時防止位之間的干擾。通常在BPM中包括伺服信息以便為伺服控制系統(tǒng)提供定位信息。為此，在BPM上的寫操作期間，能夠?qū)懟蛴涗洿蓬^精確地定位在給定的數(shù)據(jù)陣列(例如，數(shù)據(jù)磁道)的上方，以便磁化其上的位，其中這些位通常也被稱為點(diǎn)。由此，例如在磁記錄盤旋轉(zhuǎn)期間，磁頭可被仔細(xì)地對準(zhǔn)在其經(jīng)過的點(diǎn)的上方以便于數(shù)據(jù)記錄和數(shù)據(jù)讀回過程。
然而，即使在磁頭和磁點(diǎn)之間具有這樣的一般對準(zhǔn)，BPM也向盤驅(qū)動器操作提出了其他挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)中的一個涉及將盤存儲設(shè)備的寫定時與盤及其現(xiàn)有點(diǎn)同步?；诔醪浇＝Y(jié)果， 一般可發(fā)現(xiàn)對盤的成功寫入的窗口在位長度的30%以內(nèi)。給定每平方英尺1萬億位的一般密度，這一 30%的長度轉(zhuǎn)換為大約4納米。取決于驅(qū)動器操作的RPM (每分鐘轉(zhuǎn)數(shù))和半徑，這還可轉(zhuǎn)換為每秒10次數(shù)量級的寫周期。因此， 一般寫操作準(zhǔn)許對盤存儲設(shè)備的反饋的有限機(jī)會。此外，普遍認(rèn)為寫磁頭(或錄寫器)無法自己提供位置反饋。換言之，錄寫器不像傳感器那樣注冊其在盤上相對于'可寫'點(diǎn)的位置。因此，在定
5位傳感裝置以便于校正寫定時同步以及向盤存儲系統(tǒng)提供對位置信息的及時反饋方面存在挑戰(zhàn)。本發(fā)明的各實(shí)施例著重解決這些挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的某些實(shí)施例提供涉及對于磁存儲介質(zhì)及其對應(yīng)的可寫磁位或點(diǎn)校正磁存儲設(shè)備的寫同步的系統(tǒng)和方法。具體而言，這些系統(tǒng)和方法涉及校準(zhǔn)磁存儲設(shè)備以校正寫定時的緩慢漂移。在某些實(shí)施例中，磁存儲介質(zhì)可以是磁存儲盤，由此該同步涉及對盤上的點(diǎn)使用時移原理。
可以理解，時移技術(shù)能夠以各種方式應(yīng)用。例如，在某些實(shí)施例中，介質(zhì)上的非常點(diǎn)能夠以時移方式定位。當(dāng)涉及磁存儲盤時，某些實(shí)施例可涉及制造點(diǎn)以使得在盤的數(shù)據(jù)陣列中的多個分組或群集中提供這些點(diǎn)。由此，在對數(shù)據(jù)陣列中的點(diǎn)分組寫入時，只對某些點(diǎn)分組寫入。進(jìn)而，在隨后讀取點(diǎn)分組時，可使用磁存儲設(shè)備的控制系統(tǒng)來區(qū)分哪些分組已被寫入哪些分組未被寫入。此外，在校正磁存儲設(shè)備的寫同步時，該控制系統(tǒng)可將點(diǎn)分組共同用作計數(shù)器，從而方便了可相對于數(shù)據(jù)陣列的點(diǎn)分組前移或后移寫入過程以便將來對該陣列的記錄的方式。
例如，在某些其他實(shí)施例中，可時移對點(diǎn)的寫入。這些實(shí)施例可涉及制造點(diǎn)以使其均勻地分隔在盤的每一個數(shù)據(jù)陣列中。由此，在通過對于數(shù)據(jù)陣列中的點(diǎn)的多次寫迭代來移位寫定時時，每一次寫迭代都導(dǎo)致對陣列的點(diǎn)的不同寫入。在每一次寫迭代后讀取寫入的點(diǎn)時，可使用磁存儲設(shè)備的控制系統(tǒng)來確定哪一寫定時產(chǎn)生對于點(diǎn)的最小寫定位誤差。在這一判定后，控制系統(tǒng)可使用對應(yīng)于最小寫誤差的時移來對于數(shù)據(jù)陣列的點(diǎn)前移或后移寫入過程，以便將來對該陣列的記錄。
通過閱讀下面的詳細(xì)描述，這些以及各種其它的特征和優(yōu)點(diǎn)將會顯而易見。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的磁存儲設(shè)備的俯視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的磁存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)位圖案的俯視圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的伺服控制系統(tǒng)的框圖。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的校正寫時間同步的示例性方法中所使 用的磁存儲介質(zhì)的一部分上的數(shù)據(jù)陣列的俯視圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的寫入過程之后的圖4的數(shù)據(jù)陣列的俯視圖。
圖6是描繪根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的校正對應(yīng)于圖4的磁存儲介質(zhì)的寫
同步的示例性方法的步驟的流程圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的校正寫同步的其他示例性方法中所使 用的磁存儲介質(zhì)的一部分上的數(shù)據(jù)陣列的俯視圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的寫入過程之后的圖7的數(shù)據(jù)陣列的俯視圖。
圖9是描繪根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的校正對應(yīng)于圖7的磁存儲介質(zhì)的寫 同步的其他示例性方法的步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式
應(yīng)參考附圖閱讀以下的詳細(xì)描述，在不同的附圖中相似的元件被相同地編 號。附圖中所示的實(shí)施例不一定是按比例的，除非另外指出。應(yīng)該理解附圖中 所示和本文所述的實(shí)施例僅僅是出于說明的目的且不旨在將本發(fā)明限于任何 實(shí)施例。相反，旨在覆蓋可包括在如所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的范圍內(nèi)的選 擇、修改和等價方案。例如，雖然此處所描述的實(shí)施例涉及磁存儲設(shè)備和圖案 化磁介質(zhì)，但這些實(shí)施例也可很好地應(yīng)用于任何記錄存儲設(shè)備和/或任何圖案化 記錄介質(zhì)。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的磁存儲設(shè)備10的俯視圖。在所示的實(shí) 施例中，設(shè)備10采取用于與主機(jī)計算機(jī)接口的類型的盤驅(qū)動器的形式，以便 磁存儲和檢索用戶數(shù)據(jù)。盤驅(qū)動器包括安裝在底座12上的各種組件。 頂 蓋14 (以部分剖開的形式示出)與底座12協(xié)作以形成用于盤驅(qū)動器的內(nèi)部密 封環(huán)境。
磁存儲設(shè)備10包括用于記錄數(shù)據(jù)的磁存儲介質(zhì)。在圖1所示的實(shí)施例中， 介質(zhì)采取被安裝到主軸電動機(jī)(概括地在20處示出)以便于沿旋轉(zhuǎn)方向22以一速度旋轉(zhuǎn)的多個軸向?qū)?zhǔn)的磁記錄盤16的形式。使用圍繞定位在盤16附近
的承軸組件24旋轉(zhuǎn)的致動器23來對盤16上的磁道(未指定)讀寫數(shù)據(jù)。
致動器23包括多個剛性致動臂26。柔性懸掛組件28被附連到致動臂26 的末端以支撐對應(yīng)的換能器(例如，讀寫磁頭)30陣列，且每一個盤表面鄰近 一個換能器。每一個換能器30都包括浮動塊組件(未單獨(dú)指定)，其被設(shè)計 成與相關(guān)聯(lián)的盤16的對應(yīng)表面極接近地漂浮。在停用盤驅(qū)動器10后，換能器 30即停留在外停止區(qū)32上并且磁鎖存器34保護(hù)致動器23。
音圈電機(jī)(VCM) 36用于移動致動器23并且包括致動器線圈38和永磁 體40。向線圈38施加電流引起致動器23圍繞樞軸組件24旋轉(zhuǎn)。柔性電路組 件42提供致動器23和安裝到底座12的下側(cè)的盤驅(qū)動器印刷電路板組件 (PCBA)。柔性電路組件42包括前置放大器/驅(qū)動器電路44，其向換能器30 施加電流以讀寫數(shù)據(jù)。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的具有示出數(shù)據(jù)位圖案50的放大區(qū)域的 一個磁存儲盤16的俯視圖。磁存儲盤16被示為位規(guī)則介質(zhì)(BPM)，其中數(shù) 據(jù)位圖案包括以交錯的位圖案組織的多個單獨(dú)且離散的記錄位或點(diǎn)52。根據(jù)某 些實(shí)施例，BPM —般包括非磁性襯底，其上覆蓋有具有垂直各向異性的磁記 錄層，以及該襯底和磁層之間的一個或多個中間層。該磁層通過例如光刻圖案 化或自組織納米顆粒陣列被圖案化以形成離散且單獨(dú)的點(diǎn)52。在某些實(shí)施例 中，磁存儲盤16在其被安裝在磁存儲設(shè)備中之前是DC已擦除的。
點(diǎn)52在盤16上延展并且被分成多個數(shù)據(jù)陣列。在某些實(shí)施例中，如圖所 示，數(shù)據(jù)陣列可釆取同心隔開的數(shù)據(jù)磁道的形式，例如，數(shù)據(jù)磁道54、 54'和 54"，其各自由邊界虛線56來定義并且一般垂直于盤半徑。盡管在該實(shí)施例中 的磁存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)陣列包括同心數(shù)據(jù)磁道，但應(yīng)當(dāng)理解，數(shù)據(jù)陣列當(dāng)在其他 數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中提供時可具有替換配置和幾何形狀。
進(jìn)一步參考圖2，該實(shí)施例中的每一個數(shù)據(jù)陣列都包括在盤上延展的多個 交錯點(diǎn)52。如示例性地示出的，這些數(shù)據(jù)陣列包括交錯的、兩位寬的點(diǎn)圖案， 每一個數(shù)據(jù)陣列具有至少點(diǎn)52的第一分組58和點(diǎn)52的第二分組59，然而， 本發(fā)明不應(yīng)限于此。在某些實(shí)施例中，第一分組58涉及一行外徑點(diǎn)52而第二 分組59涉及一行內(nèi)徑點(diǎn)52。盡管圖2中的數(shù)據(jù)陣列被描繪為兩位寬，但可以
8構(gòu)想這些陣列根據(jù)某些實(shí)施例也可以比兩位寬。
圖2的數(shù)據(jù)陣列還被組織成一個或多個數(shù)據(jù)扇區(qū)，其具有由換能器30磁 化以記錄數(shù)據(jù)的多個記錄位。術(shù)語"記錄位"此處用于表示換能器(例如，讀/ 寫磁頭)可在其中重復(fù)記錄和/或蓋寫諸如例如，從計算機(jī)操作系統(tǒng)路由至存儲
設(shè)備的數(shù)據(jù)(此處有時被稱為"用戶數(shù)據(jù)")等數(shù)據(jù)的點(diǎn)52。相反，位置信息可 在最初被記錄在"伺服"扇區(qū)或伺服位(未示出)中，但通常不以與在記錄位中 記錄數(shù)據(jù)相同的方式在伺服位中重復(fù)記錄和/或蓋寫。伺服扇區(qū)可包括扇區(qū)和磁 道標(biāo)識碼以及用于將磁頭的位置維持在數(shù)據(jù)磁道中心的上方的伺服脈沖圖案。 磁存儲設(shè)備一般包括用于準(zhǔn)確且可靠地記錄和讀取數(shù)據(jù)的控制系統(tǒng)。例 如，諸如圖1所例示的設(shè)備10等盤存儲設(shè)備通常包括閉環(huán)伺服控制系統(tǒng)(未 在可視地示出)，其用于控制換能器30在其相關(guān)聯(lián)的磁記錄盤16的表面上的 移動。例如，參考圖1和2，為了便于可靠地對磁記錄盤16中的一個上的指定 數(shù)據(jù)陣列(例如，數(shù)據(jù)磁道54)讀寫數(shù)據(jù)， 一般在數(shù)據(jù)陣列在相關(guān)聯(lián)的換能器 30之下移動時將換能器30定位在該陣列的中心的上方。為了在一個操作期間 定位換能器30，伺服控制系統(tǒng)通常首先執(zhí)行尋道功能，其中將換能器30從其 當(dāng)前位置移至指定數(shù)據(jù)陣列。在到達(dá)目的地數(shù)據(jù)陣列后，伺服控制系統(tǒng)然后執(zhí) 行跟蹤功能，其中監(jiān)視換能器30的位置并對其進(jìn)行調(diào)整以確保其跟隨數(shù)據(jù)陣 列。
繼續(xù)以上示例，伺服控制系統(tǒng)一般從換能器30接收指示該換能器在對應(yīng) 的盤16上的一個或多個伺服扇區(qū)的上方通過時的位置的伺服信息信號。該伺 服控制系統(tǒng)然后處理該伺服信息信號以確定換能器30的當(dāng)前位置以及用于在 必要時調(diào)整該換能器30的位置的移動。諸如圖1所例示的設(shè)備10等盤存儲設(shè) 備一般或者采用專用伺服系統(tǒng)，其中單獨(dú)的盤專用于存儲伺服信息，或者采用 嵌入式伺服系統(tǒng)，其中伺服扇區(qū)被定位在單個盤上的數(shù)據(jù)扇區(qū)之間。伺服扇區(qū) 可包括扇區(qū)和陣列標(biāo)識碼以及用于將換能器的位置維持在數(shù)據(jù)陣列中心的上 方的伺服脈沖圖案。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的伺服控制系統(tǒng)60的功能框圖。如以 上參考圖2所描述的，系統(tǒng)60能夠與盤存儲設(shè)備10 —起操作以便為一個或多 個換能器30提供位置控制，這些換能器30各自具有擁有讀/寫能力的一個或多
9個磁頭61。雖然此處單獨(dú)引用讀和寫磁頭，但這樣做僅僅是出于清楚的目的。
由此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)限于此。相反，應(yīng)當(dāng)理解，這些磁頭可涉及同時具
有讀寫能力的單一主體或者相互偏移的單獨(dú)主體， 一個主體具有讀功能而另一 個主體具有寫功能。
繼續(xù)參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，伺服控制系統(tǒng)60—般包括控 制器62 (例如，數(shù)字信號處理器)，其從主機(jī)系統(tǒng)(例如，個人計算機(jī))接收 命令信號并且從伺服位置檢測器64接收一個或多個位置信號63。在某些實(shí)施 例中，位置檢測器64從磁頭61接收讀回信號65，并從該讀回信號65中提取 或生成一個或多個位置信號63。進(jìn)而，控制器62處理該一個或多個位置信號 63以及來自主機(jī)系統(tǒng)的任何命令信號并且向VCM 36發(fā)送相應(yīng)的控制信號66 以移動致動器23和換能器30或磁頭61 。
如上所述，本發(fā)明的實(shí)施例涉及對于磁存儲介質(zhì)及其上的現(xiàn)有點(diǎn)校正磁存 儲設(shè)備的寫同步。例如，參考圖1和2，在某些實(shí)施例中，磁存儲設(shè)備可涉及 具有對應(yīng)的盤16及其上的現(xiàn)有點(diǎn)52的盤記錄設(shè)備10。對于盤16中的任一個， 雖然可使用上述伺服控制系統(tǒng)60來對盤的數(shù)據(jù)陣列精確地定位致動器23和對 應(yīng)的換能器30 (讀/寫磁頭61)，但同步磁頭61相對于數(shù)據(jù)陣列的點(diǎn)52的寫 定時是需要進(jìn)一步考慮的事項。
如上所述，因?yàn)槊恳粋€換能器30的寫磁頭(或錄寫器)無法自己提供位 置反饋，所以一種想法是將讀磁頭(或讀取器)用作檢測器以便進(jìn)行寫定時調(diào) 整。然而，在這樣做時的一個挑戰(zhàn)涉及確定存儲設(shè)備系統(tǒng)能夠如何處理讀回信 號和與寫磁頭相關(guān)聯(lián)的寫定時門之間的時間等待，這在很大程度上是因?yàn)閷懘?頭不反饋任何定時信息。另外，從讀回信號到寫門控制器的電路中的時間等待 可隨時間而變化。取決于這些變化的源，可能需要用于調(diào)整寫時間同步的不同 頻率的校準(zhǔn)。因?yàn)閷懘蓬^不是傳感器，所以一般將不清楚驅(qū)動器將如何處理讀 和寫定時之間的變化并相應(yīng)地作出調(diào)整。本發(fā)明的實(shí)施例涉及在將時移原理應(yīng) 用于寫同步校正時克服這些限制。
應(yīng)當(dāng)理解，此處所包含的系統(tǒng)和方法可用作用于校正由于讀到寫定時關(guān)系 的改變而引起的誤差的寫時間校準(zhǔn)過程。進(jìn)而，如果發(fā)現(xiàn)定時關(guān)系漂移，則磁 存儲設(shè)備可使用所包含的用于重新校準(zhǔn)的系統(tǒng)/方法中的一種?；仡^參考圖l，如上所述，柔性電路組件42提供致動器23和PCBA (被 安裝到盤驅(qū)動器底座12的下面)之間的電子接口，并且還包括前置放大器/驅(qū) 動器電路44，其向換能器30施加電流以讀寫數(shù)據(jù)。在某些實(shí)施例中，PCBA 和前置放大器/驅(qū)動器電路44協(xié)同工作以便于此處所描述的時移技術(shù)。這些時 移技術(shù)可以在磁存儲設(shè)備不活動，即，未與對應(yīng)的盤進(jìn)行活動操作時執(zhí)行。
可以理解，能夠在校正磁存儲設(shè)備的寫同步時以各種方式應(yīng)用時移技術(shù)。 例如，在某些實(shí)施例中，這一校正可涉及對磁存儲介質(zhì)上的點(diǎn)的時移。為了幫 助示出這種類型的時移，圖4和5各自示出根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的磁存儲 介質(zhì)的一部分上的數(shù)據(jù)陣列的俯視圖。圖4示出在寫入過程之前的數(shù)據(jù)陣列， 而圖5示出該寫入過程之后的陣列。圖6與圖4和5對應(yīng)，并且是根據(jù)本發(fā)明 的某些實(shí)施例的時移方法的流程圖。
參考圖4，如圖所示，數(shù)據(jù)陣列70的點(diǎn)52在多個分組72中提供，其中 每一個分組72都包括多個點(diǎn)52。在某些實(shí)施例中，如圖所示，每一個分組72 都可示例性地涉及八個點(diǎn)52;然而，本發(fā)明不應(yīng)限于此。在某些實(shí)施例中，每 一個分組72的點(diǎn)52可在一個或多個行中提供。例如，如圖所示，每一個分組 72的點(diǎn)252可在兩行，即頂行74和底行76中提供。如圖所示，每一個分組 72的相鄰點(diǎn)52 (在每一行74、 76中)隔開第一距離18，而沿著數(shù)據(jù)陣列70 的相鄰點(diǎn)分組72隔開第二距離80。在某些實(shí)施例中，第二距離80可以是第一 距離78 (例如，1T)的偏差(例如，(2 + x%)lT)。因此，所得到的是沿數(shù)據(jù) 陣列70均勻地提供的一系列點(diǎn)分組72，在每一個分組72的相鄰點(diǎn)52之間使 用第一間隔而在相鄰的點(diǎn)分組72之間使用第二間隔。在某些實(shí)施例中，如圖4 所示，第二間隔，即距離80大于第一間隔，即距離78)。
將數(shù)據(jù)陣列70的每一個點(diǎn)52磁化成或者正極(被示為具有"+"標(biāo)記)或 者負(fù)極(被示為具有"—"標(biāo)記)。在某些實(shí)施例中，如圖4所示，數(shù)據(jù)陣列70 的每一個點(diǎn)分組72的頂行74可被磁化成正極，而陣列70的每一個點(diǎn)分組72 的底行76可被磁化成負(fù)極。應(yīng)當(dāng)理解，點(diǎn)分組72的磁化模式可采取各種各樣 形式中的任一種，并且本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)限于任何這樣的形式。如圖所示， 在被寫入時，位倒置其極化或磁化。存在可例如或者垂直或者縱向地向磁存儲 介質(zhì)記錄的各種技術(shù)，這兩種技術(shù)在本領(lǐng)域都是公知的。無論是哪一種記錄技術(shù)，此處所提供的實(shí)施例都是適用的。
繼續(xù)參考圖4，在向點(diǎn)分組72寫入時，寫磁頭61a將只向特定百分比的 點(diǎn)52寫入，或只在數(shù)據(jù)陣列70的特定寫定時窗口中寫入。結(jié)果，在某些實(shí)施 例中，將只向特定點(diǎn)分組72寫入。例如，雖然本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)限于此， 但如果初始記錄模式涉及連續(xù)范圍的點(diǎn)52的交替磁化，則寫入點(diǎn)的磁化將被 反映為數(shù)據(jù)陣列70的一個段，該段中的點(diǎn)52倒置其磁化。圖5描繪根據(jù)本發(fā) 明的某些實(shí)施例的這一寫入過程之后的圖4的數(shù)據(jù)陣列70。如上所述，操作系 統(tǒng)知道向點(diǎn)寫入的初始模式(或已知代碼序列)，并且在特定寫定時窗口 82 中寫入。因此，如圖5所描繪的，窗口82中的這些點(diǎn)分組72倒置其磁化，艮P， 翻轉(zhuǎn)磁化方向。
進(jìn)一步參考圖5，其示例性地示出寫操作(窗口 82中)導(dǎo)致對于從初始 點(diǎn)分組72移位2x%、 3xy。和4xy。的點(diǎn)分組72的磁化倒置。在該寫入過程之后， 讀磁頭61b讀取數(shù)據(jù)陣列70的點(diǎn)分組72并將這一讀取信息發(fā)送到磁存儲系統(tǒng) 的控制系統(tǒng)。在涉及圖1-3的盤驅(qū)動器10和對應(yīng)的盤16的某些實(shí)施例中，這 一信息經(jīng)由柔性電路組件42發(fā)送到PCBA的控制器(例如，微處理器)。在 這些實(shí)施例中，該控制器將寫入過程之后的點(diǎn)分組72的磁化模式與所期望的 磁化模式進(jìn)行比較。因此，經(jīng)由前置放大器/驅(qū)動器電路44的寫定時門(未示 出)，該控制器進(jìn)而可引導(dǎo)寫電流以提供對寫定時的對應(yīng)的同步校正。在某些 實(shí)施例中，這一校正基于數(shù)據(jù)陣列70的時移點(diǎn)分組72。例如，參考圖5，可 提供對寫電流的-2xn/。的校正以使寫入過程與數(shù)據(jù)陣列70的第一點(diǎn)分組72同相 以便于對陣列70的后續(xù)記錄。
如上所述，圖6是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的對于圖4和5示例性地示出 的時移方法的流程圖。步驟90涉及制造具有點(diǎn)分組72的磁存儲介質(zhì)，由此沿 著一個或多個數(shù)據(jù)陣列70創(chuàng)建分組72。例如，在參考圖2的某些實(shí)施例中， 當(dāng)該介質(zhì)是磁記錄盤16時，沿著盤16上的同心數(shù)據(jù)磁道中的一個或多個(例 如，54、 54，等)提供點(diǎn)分組72。如以上參考圖4所描述的，每一個點(diǎn)分組72 的點(diǎn)52以及點(diǎn)分組72是不同地隔開的。雖然圖4示例性地描繪了一個數(shù)據(jù)陣 列70及其上的點(diǎn)分組72，但在某些實(shí)施例中，也可類似地構(gòu)造介質(zhì)上的其他 數(shù)據(jù)陣列中的任一個。步驟92涉及磁存儲設(shè)備的就緒狀態(tài)。由此，將步驟90的磁存儲介質(zhì)加載
到設(shè)備中，在此之后可在需要時對于該介質(zhì)及其點(diǎn)校正該設(shè)備的寫同步?？梢?br>
理解，對設(shè)備的寫同步的校正在對數(shù)據(jù)陣列70的每一次寫功能之后將很有可 能是不必要的。因此，在某些實(shí)施例中，可使用觸發(fā)事件來發(fā)起磁存儲設(shè)備的 控制系統(tǒng)對磁存儲設(shè)備的寫同步的檢査。由此，對設(shè)備的寫同步的檢査的頻率 可按需控制。例如，這一觸發(fā)事件可涉及達(dá)到特定數(shù)量的對數(shù)據(jù)陣列70的寫 入。在某些實(shí)施例中，參考圖1的盤驅(qū)動器10，這些寫入量可由PCBA控制 器來跟蹤，并且一旦達(dá)到特定數(shù)量的寫操作，就提示控制系統(tǒng)檢査寫同步，且 該流程圖繼續(xù)至步驟94。
步驟94涉及向數(shù)據(jù)陣列70的點(diǎn)分組52寫入。這一步驟最初涉及將寫磁 頭61a定位在數(shù)據(jù)陣列70的上方。在某些實(shí)施例中，如以上參考圖1和3所 描述的，對應(yīng)的致動臂26由VCM36經(jīng)由來自控制系統(tǒng)60的信號來定位。該 控制系統(tǒng)60從由讀磁頭61b從數(shù)據(jù)陣列70上的伺服扇區(qū)讀取的信號中取得其 提示。進(jìn)而，可將致動臂26的換能器30精確地定位在該數(shù)據(jù)陣列70的上方 以便于向其點(diǎn)分組72寫入。 一旦如此定位，寫磁頭61a就準(zhǔn)備好開始向點(diǎn)分 組72寫入。如上所述，在某些實(shí)施例中，寫磁頭61a從盤驅(qū)動器10的PCBA 的控制器取得其提示。該P(yáng)CBA結(jié)合柔性電路組件42來工作以控制來自前置 放大器/驅(qū)動器電路44的寫電流的定時。因此，在某些實(shí)施例中，PCBA的控 制器向?qū)懘蓬^61a發(fā)送信號以便于對于數(shù)據(jù)陣列70的點(diǎn)分組72的初始寫模式 (已知代碼序列)。如上所述，只向落在寫定時窗口 82內(nèi)的點(diǎn)分組72記錄， 從而導(dǎo)致其磁化被倒置。
步驟96涉及讀取數(shù)據(jù)陣列70的點(diǎn)分組72并且將該讀取信息發(fā)送到磁存 儲操作系統(tǒng)。在某些實(shí)施例中，這一信息由讀磁頭61b來讀取并從磁頭61b發(fā) 送到盤驅(qū)動器10的控制系統(tǒng)。如上所述，在某些實(shí)施例中，這一傳輸由柔性 電路組件42來促進(jìn)并涉及將讀數(shù)據(jù)信號路由至盤驅(qū)動器10的PCBA控制器。
步驟98涉及基于讀數(shù)據(jù)來確定是否需要寫同步校正。在某些實(shí)施例中， PCBA控制器將寫入過程之后的點(diǎn)分組72的讀磁化模式與所期望的點(diǎn)分組72 的磁化模式進(jìn)行比較。在某些實(shí)施例中，這一期望的磁化模式可被存儲在PCBA 控制器的存儲器中。如果讀磁化模式不同于所期望的磁化模式，則寫定時或同步需要校正。因此，該流程圖繼續(xù)至步驟100，由此進(jìn)行寫定時校正。在某些 實(shí)施例中，如以上參考圖5所描述的，這一校正基于數(shù)據(jù)陣列70的時移點(diǎn)分
組72并經(jīng)由PCBA控制器來促進(jìn)。在這一校正之后，該流程圖循環(huán)回到步驟 92。相反，如果寫定時不需要校正(例如，其中發(fā)現(xiàn)寫定時在數(shù)據(jù)陣列70的 第一點(diǎn)分組72處發(fā)起)，則該流程圖從步驟98循環(huán)回到步驟92。
如上所述，能夠在校正磁存儲設(shè)備的寫同步時以各種方式應(yīng)用時移技術(shù)。 例如，在某些實(shí)施例中，這一校正可涉及時移對于磁存儲介質(zhì)上的被寫入點(diǎn)的 寫入過程。為了幫助示出這種類型的時移，圖7和8各自示出根據(jù)本發(fā)明的某 些實(shí)施例的磁存儲介質(zhì)的一部分上的數(shù)據(jù)陣列的俯視圖。類似于以上參考圖4 和5所描述的，圖7示出寫入過程之前的數(shù)據(jù)陣列，而圖8示出一個時移寫入 過程之后的陣列。此外，類似于上述圖6，圖9與圖7和8對應(yīng)并且是根據(jù)本 發(fā)明的某些實(shí)施例的時移方法的流程圖。
參考圖7，數(shù)據(jù)陣列110的點(diǎn)52可被定位在一個或多個行中。例如，如 圖所示，點(diǎn)52在兩行，即頂行112和底行114中示例性地提供。如圖所示， 每一行112和114的點(diǎn)52沿著數(shù)據(jù)陣列110的長度均勻地隔開特定距離116， 例如，1T。類似于以上參考圖4的點(diǎn)52描述的，將數(shù)據(jù)陣列110的每一個點(diǎn) 52磁化成或者正極(被示為具有"+"標(biāo)記)或者負(fù)極(被示為具有"一"標(biāo)記)。 在某些實(shí)施例中，如圖7所示，數(shù)據(jù)陣列110的頂行112可被磁化成正極，而 陣列110的底行114可被磁化成負(fù)極。然而，類似于以上參考圖4所描述的， 應(yīng)當(dāng)理解，點(diǎn)52的磁化模式可采取各種各樣形式中的任一種。此外，無論在 向磁存儲介質(zhì)的點(diǎn)52記錄時使用什么技術(shù)，此處所提供的實(shí)施例都是適用的。
在某些實(shí)施例中，通過對于寫入過程的多個時移來向數(shù)據(jù)陣列110的點(diǎn) 52寫入已知代碼。因此，每一個時移寫入過程都將產(chǎn)生其自己的對沿陣列IIO 的點(diǎn)52的不同代碼記錄。結(jié)果，取決于時移的大小，大多數(shù)寫入過程產(chǎn)生偏 離代碼對于陣列110的點(diǎn)52的所期望的寫模式的寫模式。因此，通過時移寫 入過程，可在所得的代碼的寫模式和所期望的代碼的寫模式之間進(jìn)行比較。在 確定哪一個時移產(chǎn)生代碼的最小寫定位誤差，即與所期望的寫模式的最接近的 對準(zhǔn)時，磁存儲設(shè)備進(jìn)而可使用這一時移來相應(yīng)地將寫電流移位至寫磁頭以便 于將來的寫入過程。
14進(jìn)一步參考圖7，在向數(shù)據(jù)陣列110的點(diǎn)52寫入時，寫磁頭61a將只向 特定百分比的點(diǎn)52或在陣列110的特定寫定時窗口中寫入。結(jié)果，類似于以 上參考圖4_6所描述的，將只向陣列110的特定點(diǎn)52寫入。例如，雖然本發(fā) 明的實(shí)施例不應(yīng)限于此，但如果初始記錄模式涉及連續(xù)范圍的點(diǎn)52的交替磁 化，則寫入點(diǎn)的磁化將被反映為數(shù)據(jù)陣列110的一個段，該段中的點(diǎn)52顛倒 其磁化。
圖8描繪根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的初始寫入過程之后的圖7的數(shù)據(jù)陣列 110。如上所述，雖然操作系統(tǒng)知道向點(diǎn)寫入的初始寫模式(已知代碼序列)， 但一般不時移第一寫入過程的定時。如圖所示，寫磁頭61a在寫定時窗口 82' 寫入。因此，如圖5所示，僅落在窗口 82'內(nèi)的點(diǎn)52倒置其磁化，g卩，翻轉(zhuǎn)磁 化方向。在該初始寫入過程之后，讀磁頭61b讀取數(shù)據(jù)陣列110的點(diǎn)52并將 這一讀取信息發(fā)送到磁存儲系統(tǒng)的控制系統(tǒng)。在涉及圖1-3的盤驅(qū)動器10和 對應(yīng)的盤16 (并且類似于對于圖4-6所描述)的某些實(shí)施例中，這一信息經(jīng)由 柔性電路組件42來發(fā)送到PCBA的控制器(例如，微處理器)。在這些實(shí)施 例中，控制器將初始寫入過程之后的點(diǎn)52的寫模式與所期望的寫模式(例如， 存儲在該控制器的存儲器中)進(jìn)行比較，并且確定在這兩個寫模式之間是否存 在任何差異，即誤差。如果確定有誤差，則這一誤差將對應(yīng)于該初始寫入過程 并被存儲在控制器存儲器中。
可按需重復(fù)這一寫入過程，且從該初始寫入過程時移其他寫入過程。例如， 在某些實(shí)施例中，后續(xù)寫入過程可涉及具有初始寫入過程的x^的寫入時移的 寫入過程，然后是具有初始寫入過程的2x^的寫入時移的寫入過程，然后是具 有初始寫入過程的3x^的寫入時移的寫入過程，依此類推。在從這些時移寫入 過程中進(jìn)一步讀取寫模式之后，計算這些寫模式和所期望的寫模式之間的寫定 位誤差，并將這些誤差連同其對應(yīng)的寫入過程時移一起存儲在PCBA控制器存 儲器中。
進(jìn)而，經(jīng)由前置放大器/驅(qū)動器電路44的寫定時門(未示出)，該P(yáng)CBA 控制器可引導(dǎo)寫電流以提供對應(yīng)的寫同步校正。在某些實(shí)施例中，這一校正可 基于產(chǎn)生最小誤差的寫入過程的特定時移。例如，在將寫模式移位2%的初始 寫入過程的時移并計算對應(yīng)的寫定位誤差后，可發(fā)現(xiàn)這一 2%的時移在與所期
15望的寫模式進(jìn)行比較時產(chǎn)生最小的寫誤差(與對數(shù)字陣列110的其他時移寫入 或初始寫入過程形成對比)。因此，將寫電流移位-2x。/。以使得寫入過程如所期 望地與數(shù)據(jù)陣列110的點(diǎn)52同相。
如上所述，圖9是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的對于圖7和8示例性地示出 的時移方法的流程圖。步驟120涉及制造具有沿一個或多個數(shù)據(jù)陣列70創(chuàng)建 的點(diǎn)52的磁存儲介質(zhì)。例如，在參考圖2的某些實(shí)施例中，當(dāng)該介質(zhì)是磁記 錄盤16時，沿著盤16上的同心數(shù)據(jù)磁道中的一個或多個(例如，54、 54，等) 提供點(diǎn)52。如以上參考圖7所描述的，點(diǎn)52是均勻地隔開的。雖然圖7示例 性地描繪了一個數(shù)據(jù)陣列70及其上的點(diǎn)分組52，但在某些實(shí)施例中，也可類 似地構(gòu)造介質(zhì)上的其他數(shù)據(jù)陣列中的任一個。
步驟122涉及磁存儲設(shè)備的就緒狀態(tài)，并且類似于參考圖6中的步驟92 所描述的內(nèi)容。步驟124涉及對數(shù)據(jù)陣列110的點(diǎn)52的初始寫入。這一步驟 最初涉及將寫磁頭61a定位在數(shù)據(jù)陣列IIO的上方，這類似于參考圖6中的步 驟94所描述的內(nèi)容。 一旦如此定位，寫磁頭61a就準(zhǔn)備好開始向點(diǎn)52寫入。 如上所述，在某些實(shí)施例中，寫磁頭61a從盤驅(qū)動器10的PCBA的控制器中 取得其提示。該P(yáng)CBA結(jié)合柔性電路組件42來工作以控制來自前置放大器/驅(qū) 動器電路44的寫電流的定時。因此，在某些實(shí)施例中，PCBA的控制器向?qū)?磁頭61a發(fā)送信號以便于對于數(shù)據(jù)陣列70的點(diǎn)分組72的初始寫圖案。如上所 述，只向落在寫定時窗口 82內(nèi)的點(diǎn)分組72記錄，從而導(dǎo)致其磁化被倒置。如 上所述，對于初始寫入過程無需時移。
步驟126涉及讀取數(shù)據(jù)陣列110的點(diǎn)52并將該讀信息發(fā)送到磁存儲操作 系統(tǒng)，這類似于參考圖6中的步驟96所描述的內(nèi)容。步驟128涉及通過PCBA 控制器來確定初始寫入過程后的點(diǎn)52的寫模式和所期望的寫模式(例如，存 儲在該控制器的存儲器中)之間是否存在差異，即，寫定位誤差。如果確定有 誤差，則這一誤差將對應(yīng)于該初始寫入過程，并且將這一數(shù)據(jù)記錄在控制器存 儲器中，且該流程圖繼續(xù)至步驟130。然而，如果確定沒有誤差，則該流程圖 循環(huán)返回至步驟122。
步驟130涉及對數(shù)據(jù)陣列110的點(diǎn)52的進(jìn)一步的寫入過程。因此，如上 所述，這一進(jìn)一步的寫入過程涉及與在步驟124中最初寫入的相同的所提示的寫模式，但具有該初始寫入過程的已知時移。如上所述，在某些實(shí)施例中，該 進(jìn)一步的寫入過程的已知時移可開始于X冗的初始寫入過程的寫入時移，并且
順序地前進(jìn)至該初始寫入過程的其他偏差，例如，2x%、 3x。/。等，并且在某些 實(shí)施例中在PCBA控制器中對這些偏差進(jìn)行編程。然而，這些偏差可按需編程， 并且不應(yīng)限制此處所描述的實(shí)施例。
步驟132涉及讀取數(shù)據(jù)陣列70的點(diǎn)52并且將該讀信息發(fā)送到磁存儲操作 系統(tǒng)(類似于上文中的步驟126)。步驟132還涉及通過PCBA控制器來確定 該進(jìn)一步的寫入過程后的點(diǎn)52的寫模式與所期望的寫模式(例如，存儲在該 控制器的存儲器中)之間是否存在任何差異，S卩，寫定位誤差。如果確定有誤 差，則這一誤差將對應(yīng)于該進(jìn)一步的寫入過程并將這一數(shù)據(jù)記錄在控制器存儲 器中。
步驟134涉及確定是否需要執(zhí)行進(jìn)一步的時移寫入過程。在某些實(shí)施例 中，這一判定由PCBA控制器來提供。例如，在某些實(shí)施例中，需要在觸發(fā)系 統(tǒng)繼續(xù)確定時移寫入校正(步驟136)之前執(zhí)行特定數(shù)量的寫入過程迭代(例 如，在PCBA控制器中編程)?；蛘撸谀承?shí)施例中，在初始寫入過程之后 激活定時器(例如，作為PCBA控制器的一部分)，其中在特定時間段后，觸 發(fā)系統(tǒng)繼續(xù)確定校正。在某些實(shí)施例中，觸發(fā)器可以是以上參數(shù)或其他類似參 數(shù)的組合。如果確定需要執(zhí)行進(jìn)一步的時移寫入過程，則該流程圖循環(huán)返回至 步驟128;否則，該流程圖繼續(xù)至步驟136。
步驟136涉及校正寫同步。在某些實(shí)施例中，如以上參考圖8所描述的， 這一校正基于對應(yīng)于最小寫定位誤差的寫入過程的特定時移，并經(jīng)由PCBA控 制器來促進(jìn)。在這一校正之后，該流程圖循環(huán)返回至步驟122。
雖然已參考特定公開的實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人 員將認(rèn)識到可作出形式或細(xì)節(jié)上的改變而不背離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁存儲介質(zhì)，包括具有包括多個數(shù)據(jù)陣列的記錄層的襯底；以及所述數(shù)據(jù)陣列中的一個數(shù)據(jù)陣列上的多個點(diǎn)，所述點(diǎn)在多個分組中提供，所述點(diǎn)分組沿所述一個數(shù)據(jù)陣列延伸，每一個分組的點(diǎn)具有第一間隔而所述點(diǎn)分組具有第二間隔，所述第一間隔和所述第二間隔是不同的，所述分組的點(diǎn)和所述點(diǎn)分組之間的間隔差別使得能夠校正對于所述一個數(shù)據(jù)陣列的寫同步。
2. 如權(quán)利要求1所述的磁存儲介質(zhì)，其特征在于，所述磁存儲介質(zhì)包括磁 存儲盤，其中所述數(shù)據(jù)陣列包括同心地隔開的數(shù)據(jù)磁道。
3. 如權(quán)利要求1所述的磁存儲介質(zhì)，其特征在于，所述點(diǎn)包括可重復(fù)蓋寫 的磁位，每一個分組中的點(diǎn)在一個或多個行中提供。
4. 如權(quán)利要求1所述的磁存儲介質(zhì)，其特征在于，所述第二間隔是所述第 一間隔的偏差。
5. 如權(quán)利要求1所述的磁存儲介質(zhì)，其特征在于，所述第二間隔大于所述 第一間隔。
6. 如權(quán)利要求1所述的磁存儲介質(zhì)，其特征在于， 一個或多個點(diǎn)分組具有 從沿著所述一個數(shù)據(jù)陣列的其他點(diǎn)分組的磁化模式倒置的磁化模式，所述一個 或多個點(diǎn)分組共同構(gòu)成所述一個數(shù)據(jù)陣列的寫定時窗口。
7. 如權(quán)利要求6所述的磁存儲介質(zhì)，其特征在于，所述寫定時窗口的一個 或多個點(diǎn)分組包括所述一個數(shù)據(jù)陣列的一個連續(xù)段。
8. 如權(quán)利要求6所述的磁存儲介質(zhì)，其特征在于，所述寫定時窗口適于沿 著所述一個數(shù)據(jù)陣列前移或后移至少一個點(diǎn)分組以便允許校正對于所述一個 數(shù)據(jù)陣列的寫同步。
9. 一種校正磁存儲設(shè)備的寫同步的方法，所述方法包括 向所述磁存儲設(shè)備中的磁存儲介質(zhì)的一個數(shù)據(jù)陣列寫入已知代碼序列，所述一個數(shù)據(jù)陣列具有位于其上的多個點(diǎn)，所述點(diǎn)在多個分組中提供且所述分組 沿所述一個數(shù)據(jù)陣列延伸，其中每一個點(diǎn)分組的點(diǎn)的間隔不同于所述點(diǎn)分組的 間隔；在向所述一個數(shù)據(jù)陣列寫入已知代碼序列后讀取所述一個數(shù)據(jù)陣列；基于所述讀信息來確定是否需要校正所述磁存儲設(shè)備的寫同步；以及 如果判定指示需要這一校正，則對于所述一個數(shù)據(jù)陣列校正所述磁存儲設(shè)備的寫同步，其中這一校正包括沿著所述一個數(shù)據(jù)陣列將寫定時窗口前移或后移至少一個點(diǎn)分組。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述磁存儲設(shè)備包括盤驅(qū) 動器，并且所述磁存儲介質(zhì)包括磁存儲盤，其中向所述一個數(shù)據(jù)陣列寫入包括 向所述磁 存儲盤的數(shù)據(jù)磁道寫入。
11. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，向所述一個數(shù)據(jù)陣列寫 入所述已知代碼序列包括基于所述已知代碼序列來倒置沿所述一個數(shù)據(jù)陣 列的點(diǎn)分組中的一個或多個點(diǎn)分組的磁化方向，其中讀取所述一個數(shù)據(jù)陣 列包括讀取所述一個或多個點(diǎn)分組的倒置的磁化方向。
12. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，確定是否需要校正寫同步 包括將所述一個數(shù)據(jù)陣列的讀磁化模式與所述一個數(shù)據(jù)陣列的期望的磁化模 式進(jìn)行比較，其中所述一個數(shù)據(jù)陣列的讀磁化模式對應(yīng)于如從所述一個數(shù)據(jù)陣 列中讀取的已知代碼序列。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，將所述讀磁化模式與所述期望的磁化模式進(jìn)行比較由所述磁存儲設(shè)備的控制器來執(zhí)行，其中所述控制 器具有其中存儲所述期望的磁化模式的存儲器。
14. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述讀磁化模式與所述 期望的磁化模式之間的差別對應(yīng)于在校正所述磁存儲設(shè)備的寫同步時所述寫 定時窗口的移位。
15. —種校正磁存儲設(shè)備的寫同步的方法，所述方法包括 在最初以及一個或多個其他時間向所述磁存儲設(shè)備中的磁存儲介質(zhì)的一個數(shù)據(jù)陣列寫入已知代碼序列，所述一個數(shù)據(jù)陣列具有位于其上的多個點(diǎn)，所 述點(diǎn)沿所述一個數(shù)據(jù)陣列均勻地隔開，所述其他時間中的每一個都涉及從初始 寫入的不同時移；在每一次向所述一個數(shù)據(jù)陣列寫入所述已知代碼序列后讀取所述一個數(shù) 據(jù)陣列；在每一次讀取所述一個數(shù)據(jù)陣列后計算寫定位誤差；以及對于計算出的最小寫定位誤差校正所述磁存儲設(shè)備的寫同步。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述磁存儲設(shè)備包括盤驅(qū)動器，并且所述磁存儲介質(zhì)包括磁存儲盤，其中每一次向所述一個數(shù)據(jù)陣列寫入包括向所述磁存儲盤的數(shù)據(jù)磁道寫入。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，每一次向所述一個數(shù)據(jù)陣列寫入所述已知代碼序列包括基于所述已知代碼序列來倒置沿所述一個數(shù)據(jù)陣列的點(diǎn)中的一個或多個點(diǎn)的磁化方向，并且其中每一次讀取所述一個數(shù)據(jù)陣列包括讀取對于所述寫入中的一次的沿所述一個數(shù)據(jù)陣列的點(diǎn)的倒置的磁化方向。
18. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，在每一次讀取后計算寫定位誤差包括將對于每一次寫入的所述一個數(shù)據(jù)陣列的讀磁化模式與所述一個數(shù)據(jù)陣列的期望的磁化模式進(jìn)行比較，其中每一個讀磁化模式對應(yīng)于如從所述一個數(shù)據(jù)陣列中讀取的已知代碼序列。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，將每一個讀磁化模式與所述期望的磁化模式進(jìn)行比較由所述磁存儲設(shè)備的控制器來執(zhí)行，其中所述控制器具有其中存儲所述期望的磁化模式的存儲器。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述讀磁化模式與所述期望的磁化模式之間的差別對應(yīng)于所計算出的寫定位誤差，其中從所計算出的寫定位誤差中選擇最小誤差并將其用于在校正所述磁存儲的寫同步時移位所述寫定時。
全文摘要
提供了用于對于磁存儲介質(zhì)及其對應(yīng)的可寫磁位或點(diǎn)校正磁存儲設(shè)備的寫同步的系統(tǒng)和方法。具體而言，這些系統(tǒng)和方法涉及使用時移原理來校準(zhǔn)磁存儲設(shè)備以校正讀寫器定時的緩慢漂移?？梢岳斫?，時移技術(shù)能夠以各種方式應(yīng)用。例如，介質(zhì)上的非常點(diǎn)能夠以時移方式定位。在另一示例中，可時移對點(diǎn)的寫入。
文檔編號G11B5/00GK101656080SQ20091017041
公開日2010年2月24日 申請日期2009年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者A·Y·多賓, D·M·頓, D·S·庫, S·-F·李 申請人:希捷科技有限公司