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決定光學(xué)儲(chǔ)存裝置中光盤寫(xiě)入策略的方法與光學(xué)儲(chǔ)存裝置的制作方法

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專利名稱::決定光學(xué)儲(chǔ)存裝置中光盤寫(xiě)入策略的方法與光學(xué)儲(chǔ)存裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明是有關(guān)于一種光學(xué)儲(chǔ)存裝置,尤指一種當(dāng)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)到一光盤上時(shí)決定一寫(xiě)入策略的方法與光學(xué)儲(chǔ)存裝置。
背景技術(shù)
:常見(jiàn)的用來(lái)儲(chǔ)存光學(xué)式可寫(xiě)入(writable)或可復(fù)寫(xiě)(rewritable)信息于其上的媒體包括相變儲(chǔ)存媒體(phase-changestoragemedia)與磁光儲(chǔ)存媒體(magneto-opticalrecordingmedia),當(dāng)寫(xiě)入信息至lj一相變儲(chǔ)存媒體時(shí),該媒體的一信息層(informationlayer)將被一聚焦的激光射線光束所照射,藉以部分地加熱與熔化該信息層。該信息層可以達(dá)到的最高溫度取決于在該層的加熱或是冷卻過(guò)程中作用于該層的激光射線的強(qiáng)度,因此信息層的光學(xué)特性,例如相關(guān)的折射率(refractiveindex),都可通過(guò)調(diào)整激光射線的強(qiáng)度來(lái)加以改變,更進(jìn)一步而言,若激光射線的強(qiáng)度比一預(yù)定的參考標(biāo)準(zhǔn)高,則儲(chǔ)存媒體上被該激光射線所照射過(guò)的部分信息層將由一上升溫度被快速地冷卻而形成非結(jié)晶(amorphous)的部分,換句話說(shuō),若該激光射線的強(qiáng)度相對(duì)較低,則儲(chǔ)存媒體中該信息層的被照射部分將逐漸地由一中至高的溫度被逐漸冷卻而形成結(jié)晶的部分,該儲(chǔ)存媒體的該信息層上非結(jié)晶的部分被稱作為標(biāo)記.(mark),而結(jié)晶的部分則被稱作為空白(space),也就是說(shuō),標(biāo)記與空白在折射率等方面具有彼此完全不同的光學(xué)特性,于是數(shù)字資料便通過(guò)以一特定模式來(lái)設(shè)置標(biāo)記與空白而儲(chǔ)存于該儲(chǔ)存媒體的該信息層之中。在此,被用來(lái)寫(xiě)入信息的激光射線被稱作"寫(xiě)入射線(writeradiation)"。對(duì)于讀取儲(chǔ)存在一相變儲(chǔ)存媒體上的信息而言,信息層是被一強(qiáng)度夠低以至于不會(huì)導(dǎo)致任何相位變化的激光射線光束所照射,而經(jīng)由該信息層所反射的一射線光束將被偵測(cè)到,在此被用來(lái)讀取信息的激光射線被稱作"讀取5射線(readoutradiation)"。該儲(chǔ)存媒體的信息層上的標(biāo)記(或稱非結(jié)晶的部分)具有相對(duì)較低的反射系數(shù)(reflectance),而該儲(chǔ)存媒體的信息層上的空白(或稱結(jié)晶的部分)則具有相對(duì)較高的反射系數(shù),于是,通過(guò)判斷經(jīng)由標(biāo)記或空白所反射的射線在反射量上的差異就可以得到一再生信號(hào)(reproducedsignal)。信息可以通過(guò)一脈沖位置調(diào)制(pulsepositionmodulation,PPM)或脈沖寬度調(diào)制(pulsewidthmodulation,PWM)等技術(shù)而被記錄在儲(chǔ)存媒體上,該脈沖寬度調(diào)制技術(shù)也稱作一"標(biāo)記邊緣記錄(markedgerecording)"技術(shù),而依照該脈沖位置調(diào)制技術(shù),標(biāo)記便隨著標(biāo)記間空白的長(zhǎng)度變化而被加以記錄,其中所欲寫(xiě)入的信息就經(jīng)由標(biāo)記的位置而儲(chǔ)存下來(lái),每一標(biāo)記就被一具有相對(duì)短而固定的脈沖寬度的脈沖所代表;相反地,依照該脈沖寬度調(diào)制技術(shù),不同長(zhǎng)度的標(biāo)記也經(jīng)由標(biāo)記間空白的長(zhǎng)度變化而被加以記錄,而所欲寫(xiě)入的信息則被標(biāo)記與空白的邊緣位置(edgeposition)間的不同長(zhǎng)度所代表。大致上來(lái)說(shuō),以該脈沖寬度調(diào)制技術(shù)記錄該信息的密度有可能高過(guò)以該脈沖位置調(diào)制所記錄的信息的密度。相較于脈沖位置調(diào)制,在進(jìn)行一脈沖寬度調(diào)制時(shí),其具有較長(zhǎng)的標(biāo)記被記錄下來(lái),然而若長(zhǎng)的標(biāo)記都被記錄在一相變儲(chǔ)存媒體上,因?yàn)樵撁襟w的信息層可能會(huì)以各種方式積聚或發(fā)散熱量,而其每次記錄的靈敏度可能大不相同,因此這些標(biāo)記的寬度可能都不一致。若該信息層為了記錄一長(zhǎng)的標(biāo)記而持續(xù)地被射線所照射一段很長(zhǎng)的時(shí)間,則該長(zhǎng)的標(biāo)記的后半部很可能會(huì)因?yàn)檫^(guò)長(zhǎng)時(shí)間的熱量累積而導(dǎo)致寬度的增加,而為避免標(biāo)記的長(zhǎng)度不當(dāng)?shù)卦黾樱ǔS靡粚?xiě)入策略來(lái)控制寫(xiě)入射線。圖1為已知技術(shù)中寫(xiě)入脈沖波形100、被形成在信息層上的標(biāo)記102的形狀、讀取信號(hào)波形104以及經(jīng)過(guò)數(shù)字化讀取信號(hào)波形之后得到的二進(jìn)制數(shù)據(jù)106的示意圖。如圖1所示,寫(xiě)入脈沖波形100是經(jīng)由一用來(lái)調(diào)整寫(xiě)入射線的寫(xiě)入脈沖(writepulses)所定義出來(lái)的,而該寫(xiě)入射線的功率(或稱寫(xiě)6入功率(writepower)),是正比于每個(gè)寫(xiě)入脈沖的強(qiáng)度。理論上,依照一射線源的形式(例如一半導(dǎo)體激光二極管(semiconductorlaserdiode)),可以找到一寫(xiě)入射線的波形與寫(xiě)入脈沖的波形間的差異,然而,通過(guò)以下的描述可知寫(xiě)入射線的波形與寫(xiě)入脈沖的波形是難以區(qū)分開(kāi)來(lái)的。首先,請(qǐng)參考圖1中的寫(xiě)入脈沖波形100,寫(xiě)入脈沖波形IOO是用來(lái)形成一單一標(biāo)記,且其由一第一脈沖l、一多脈沖串行(multi-pulsetrain)2以及一第二脈沖3所構(gòu)成,注意,在時(shí)間軸上它們是依照這個(gè)順序一個(gè)接著一個(gè)出現(xiàn)的。寫(xiě)入功率是以峰值功率(peakpower)Pp、一第一偏壓功率(biaspower)Pbl以及一第二偏壓功率Pb2來(lái)進(jìn)行調(diào)整的。值得注意的是,雖然多脈沖串行2通常是指至少由兩個(gè)脈沖所組成,但為了方便起見(jiàn),只有位于第一與第二脈沖間的一個(gè)脈沖將會(huì)被標(biāo)示。在通過(guò)寫(xiě)入射線照射該儲(chǔ)存媒體的信息層以形成一單一標(biāo)記的一時(shí)間間隔中,該寫(xiě)入功率是通過(guò)峰值功率Pp與第二偏壓功率Pb2所調(diào)整,這個(gè)時(shí)間間隔稱作一標(biāo)記期間(markingperiod):另一方面,在通過(guò)寫(xiě)入射線照射該儲(chǔ)存媒體的信息層以形成一單一空白的一時(shí)間間隔中,該寫(xiě)入功率是由第一偏壓功率Pbl所調(diào)整,這個(gè)時(shí)間間隔則稱作一空白期間(spacingperiod)。通常來(lái)說(shuō),一光學(xué)記錄/再生裝置必須對(duì)具有各種不同記錄特性的光信息載體適當(dāng)?shù)貙?xiě)入或讀取信息,因此若信息想要在一固定的平均功率下(也即在標(biāo)記期間的平均寫(xiě)入功率下)以一相對(duì)較低的記錄靈敏度寫(xiě)入在一信息載體上時(shí),則形成于這樣的載體上的標(biāo)記的長(zhǎng)度與寬度將比較小,因此,在考慮一信息載體的記錄靈敏度下所得的以一適當(dāng)值去初始化一射線源的寫(xiě)入功率之后,已知光學(xué)記錄/再生裝置將會(huì)對(duì)該寫(xiě)入功率作補(bǔ)償以適當(dāng)?shù)厝フ{(diào)整標(biāo)記的長(zhǎng)度與寬度,這個(gè)過(guò)程被稱作"寫(xiě)入功率的學(xué)習(xí)(writepowerlearning)",尤指一光學(xué)記錄/再生裝置為了測(cè)試的目的而通過(guò)該信息載體上一相對(duì)較短的標(biāo)記對(duì)該寫(xiě)入功率作補(bǔ)償,接著調(diào)整該寫(xiě)入功率使得該較短的標(biāo)記可以被正確地記錄下來(lái),由于這個(gè)策略在記錄具有小振幅的一讀取信號(hào)的短標(biāo)記上十分重要而無(wú)可替代,因而被廣泛地采用。然而,就算是以已知技術(shù)的方法補(bǔ)償該寫(xiě)入功率,讀取錯(cuò)誤仍舊是無(wú)可避免的,而且一個(gè)長(zhǎng)的標(biāo)記比較可能發(fā)生這樣的讀取錯(cuò)誤,請(qǐng)參照?qǐng)D1的標(biāo)記4,這樣的標(biāo)記4會(huì)形成主要是由于如果與多脈沖串行2相關(guān)的熱能(或在標(biāo)記期間通過(guò)該寫(xiě)入射線作用的平均功率)低于一最小要求,如圖1所示,標(biāo)記4的前端邊緣(frontedge)與后端邊緣(rearedge)相對(duì)來(lái)說(shuō)較寬,而其中間的部分相對(duì)來(lái)說(shuō)較窄,由己知技術(shù)所記錄的標(biāo)記會(huì)產(chǎn)生這種不想要的現(xiàn)象,稱作中間窄化(middlenarrowing)。當(dāng)這個(gè)標(biāo)記4被讀取射線所照射時(shí),由標(biāo)記4所反射回來(lái)的射線將被一光電探測(cè)器(photodetector)所接收而轉(zhuǎn)換成一電氣信號(hào),接著,可以獲得如圖1所示的一具有雙波峰的讀取信號(hào)5,而如果讀取信號(hào)5經(jīng)由臨界值6而數(shù)字化,則會(huì)形成兩個(gè)離散脈沖7、8,其結(jié)果為不論是標(biāo)記4的邊緣的準(zhǔn)確位置或是長(zhǎng)度都無(wú)法被精準(zhǔn)地辨識(shí)出來(lái),因此導(dǎo)致在讀取該儲(chǔ)存媒體的數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生讀取錯(cuò)誤。在接下來(lái)的描述中,標(biāo)記的中間部分(也即介于前端邊緣與后端邊緣間的部分),通常其相對(duì)應(yīng)讀取信號(hào)的強(qiáng)度都比較小,因此將會(huì)被誤認(rèn)為是一空白而非標(biāo)記的一部分,這個(gè)部分被稱作引起讀取錯(cuò)誤的部分(read-error-inducingportion)。在已知的光學(xué)讀取/再生裝置補(bǔ)償寫(xiě)入功率時(shí),如果讀取錯(cuò)誤數(shù)目的增加被一系統(tǒng)控制器偵測(cè)到,則該寫(xiě)入功率會(huì)自動(dòng)地被調(diào)整以降低讀取錯(cuò)誤,圖1的右邊描述了這種己知寫(xiě)入功率補(bǔ)償技術(shù)。根據(jù)已知寫(xiě)入功率補(bǔ)償技術(shù),每一寫(xiě)入射線的脈沖的功率強(qiáng)度將通過(guò)一系數(shù)a(注意a")而增加,所以,如圖1右邊所示的波形的射線便照射一光學(xué)儲(chǔ)存媒體,其中Pp'=(!*Pp,Pbl,=a*Pbl而Pb2,=a*Pb2,然而若這三個(gè)功率強(qiáng)度都被以相同的系數(shù)所增加,則如圖1的右邊所示,標(biāo)記10將比所預(yù)期的標(biāo)記9來(lái)得更長(zhǎng)且更寬。因此這樣一個(gè)超長(zhǎng)與超寬的標(biāo)記10將導(dǎo)致一再生信號(hào)12相較于所預(yù)期的再生信號(hào)11而變得更橫向擴(kuò)張,而且如果再生信號(hào)12被其臨界值6所數(shù)字化,則通過(guò)數(shù)字資料的脈沖寬度所表示出來(lái)的標(biāo)記長(zhǎng)度14會(huì)比圖1右邊所示的正確標(biāo)記長(zhǎng)度13來(lái)得長(zhǎng),結(jié)果是不論標(biāo)記9的邊緣的位置或是長(zhǎng)度都無(wú)法被正確地辨識(shí)出來(lái),因此便導(dǎo)致讀取錯(cuò)誤。值得注意的是,這樣的問(wèn)題并非單單只有相變儲(chǔ)存媒體會(huì)發(fā)生,而是可能發(fā)生在任何的光儲(chǔ)存載體中,例如一磁光儲(chǔ)存媒體(magneto-opticalrecordingmedium)。
發(fā)明內(nèi)容因此,本發(fā)明的目的之一在于提供一種當(dāng)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)到一光學(xué)儲(chǔ)存裝置中一光盤時(shí)決定一寫(xiě)入策略的改良方法,以解決上述問(wèn)題。本發(fā)明是揭露一種決定光學(xué)儲(chǔ)存裝置中光盤寫(xiě)入策略的方法。該方法包含有偵測(cè)所述光盤的一特性;依據(jù)所偵測(cè)到的光盤的特性,決定一初始寫(xiě)入策略;通過(guò)執(zhí)行一寫(xiě)入脈沖調(diào)整以調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略,所述寫(xiě)入脈沖調(diào)整包含調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略中多個(gè)寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣及一第二邊緣,以產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略;使用所述調(diào)整后的寫(xiě)入策略寫(xiě)入數(shù)據(jù)到光盤上;當(dāng)由光盤讀取所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)時(shí),測(cè)量至少一再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值;以及依據(jù)所述再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值來(lái)決定一寫(xiě)入策略。本發(fā)明是揭露一種決定光學(xué)儲(chǔ)存裝置中光盤寫(xiě)入策略的方法。該方法包含有偵測(cè)所述光盤的一特性;依據(jù)所偵測(cè)到的光盤的特性,決定一初始寫(xiě)入策略;通過(guò)執(zhí)行一寫(xiě)入脈沖調(diào)整以調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略,所述寫(xiě)入脈沖調(diào)整包含通過(guò)一第一時(shí)間單元來(lái)調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略中一寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣,以產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略;使用所述調(diào)整后的寫(xiě)入策略寫(xiě)入數(shù)據(jù)到光盤上;當(dāng)由光盤讀取所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)時(shí),測(cè)量至少一再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值;依據(jù)所述再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值來(lái)決定一寫(xiě)入策略;調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略的一初始脈沖或一最后脈沖;以及通過(guò)固定一中間脈沖的一第一邊緣并且調(diào)整該中間脈沖的一第二邊緣的方式,調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略的介于所述初始脈沖與所述最后脈沖間的中間脈沖;其中,調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略的所述初始脈沖或所述最后脈沖包括調(diào)整所述初始脈沖或所述最后脈沖的一第一邊緣及一第二邊緣,并經(jīng)由雙循環(huán)方式來(lái)調(diào)整所述第一邊緣及所述第二邊緣。本發(fā)明另揭露一種光學(xué)儲(chǔ)存裝置。該光學(xué)儲(chǔ)存裝置包含有一光學(xué)儲(chǔ)存媒體接收單元,用以接收一光學(xué)儲(chǔ)存媒體與偵測(cè)該光學(xué)儲(chǔ)存媒體的一特性;一光學(xué)讀寫(xiě)頭,用以寫(xiě)入至少一標(biāo)記于所述光學(xué)儲(chǔ)存媒體上,以及從對(duì)應(yīng)于該標(biāo)記的該光學(xué)儲(chǔ)存媒體讀取數(shù)據(jù);一寫(xiě)入脈沖控制器,耦接于所述光學(xué)讀寫(xiě)頭,用以依據(jù)偵測(cè)到的光學(xué)儲(chǔ)存媒體的特性來(lái)決定一初始寫(xiě)入策略,以及通過(guò)一第一時(shí)間單元調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略中一寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣,以調(diào)整該初始寫(xiě)入策略并產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略,及輸出該調(diào)整后的寫(xiě)入策略以將資料寫(xiě)入至該光學(xué)儲(chǔ)存媒體上,并依據(jù)至少一再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值決定一寫(xiě)入策略;以及一信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元,耦接于所述寫(xiě)入脈沖控制器以及所述光學(xué)讀寫(xiě)頭,用以當(dāng)從所述光學(xué)儲(chǔ)存媒體讀取所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)時(shí),測(cè)量該再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值;其中,當(dāng)執(zhí)行寫(xiě)入脈沖調(diào)整時(shí),所述寫(xiě)入脈沖控制器另調(diào)整初始寫(xiě)入策略的一初始脈沖或一最后脈沖,并通過(guò)一中間脈沖的一第一邊緣并且調(diào)整該中間脈沖的一第二邊緣的方式,調(diào)整初始寫(xiě)入策略的介于初始脈沖與最后脈沖間的中間脈沖;所述寫(xiě)入脈沖控制器通過(guò)調(diào)整所述初始脈沖或所述最后脈沖的第一邊緣及第二邊緣以調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略的所述初始脈沖或所述最后脈沖包括,并經(jīng)由雙循環(huán)方式來(lái)調(diào)整所述第一邊緣及所述第二邊緣。本發(fā)明的有益效果在于,其提供了一種適合快速與自動(dòng)寫(xiě)入策略調(diào)整的方法與裝置。圖1是已知技術(shù)中寫(xiě)入脈沖波形、被形成在信息層上的標(biāo)記的形狀、讀取信號(hào)波形以及經(jīng)過(guò)數(shù)字化讀取信號(hào)波形之后得到的二進(jìn)制數(shù)據(jù)的示意圖。圖2是本發(fā)明光學(xué)儲(chǔ)存裝置的一實(shí)施例的示意圖。圖3是本發(fā)明決定寫(xiě)入策略的方法的一實(shí)施例的流程圖。圖4是本發(fā)明的一實(shí)施例中經(jīng)過(guò)寫(xiě)入脈沖控制器調(diào)整的三種不同寫(xiě)入策略的寫(xiě)入脈沖波形圖。圖5是本發(fā)明在決定寫(xiě)入策略時(shí)進(jìn)行寫(xiě)入脈沖調(diào)整的一實(shí)施例的流程圖。圖6是圖5中通過(guò)調(diào)整在初始寫(xiě)入脈沖中第一邊緣與第二邊緣來(lái)改變被寫(xiě)入于光學(xué)儲(chǔ)存媒體的標(biāo)記形狀的示意圖。圖7是圖5中調(diào)整一中間脈沖的持續(xù)期間以改變寫(xiě)入于光學(xué)儲(chǔ)存媒體的標(biāo)記形狀的示意圖。圖8是本發(fā)明執(zhí)行調(diào)校操作的一第一實(shí)施例的流程圖。圖9是本發(fā)明執(zhí)行調(diào)校操作的一第二實(shí)施例的流程圖。具體實(shí)施例方式圖2是本發(fā)明光學(xué)儲(chǔ)存裝置200的一實(shí)施例的示意圖。在這個(gè)實(shí)施例中,光學(xué)儲(chǔ)存裝置200包括一光學(xué)讀寫(xiě)頭(opticalpickup)202、一光學(xué)媒體數(shù)據(jù)接收單元204、一波形均衡器206、一載波器208、一鎖相回路(PLL)210、一解調(diào)器212、一信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元214、一寫(xiě)入脈沖控制器216、一調(diào)制器220、一寫(xiě)入脈沖產(chǎn)生器218以及一射線源驅(qū)動(dòng)器(radiationsourcedriver)222。光學(xué)讀寫(xiě)頭202是用來(lái)以一寫(xiě)入射線(writingradiation)功率的光線來(lái)將標(biāo)記(mark)寫(xiě)入于光學(xué)儲(chǔ)存媒體230中,而光學(xué)儲(chǔ)存媒體230是經(jīng)由一讀取射線(readingradiation)功率的光線來(lái)將其上所記錄的標(biāo)記讀取出來(lái)。寫(xiě)入脈沖產(chǎn)生器218控制射線源驅(qū)動(dòng)器222來(lái)提供適當(dāng)?shù)纳渚€功率給光學(xué)讀寫(xiě)頭202,當(dāng)一新的光學(xué)儲(chǔ)存媒體230被光學(xué)儲(chǔ)存媒體接收單元204所存取時(shí),若特定的光學(xué)儲(chǔ)存媒體型式還未被辨識(shí)出來(lái),且光學(xué)儲(chǔ)存裝置200還未決定出光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的寫(xiě)入策略,則寫(xiě)入脈沖控制器216會(huì)依據(jù)信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元214所產(chǎn)生的信號(hào)質(zhì)量測(cè)量結(jié)果來(lái)決定應(yīng)用于新的光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的寫(xiě)入策略,在此實(shí)施例中,信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元214包括一抖動(dòng)偵測(cè)器(jitterdetector)224、一標(biāo)記長(zhǎng)度偵測(cè)器226以及一誤碼率(錯(cuò)誤率)偵測(cè)器228;然而如同接下來(lái)所描述的,不同的信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元也可以被使用在本發(fā)明其它實(shí)施例之中。圖3是本發(fā)明決定寫(xiě)入策略的方法的一實(shí)施例的流程圖。接下來(lái)將依照?qǐng)D2中的光學(xué)儲(chǔ)存裝置200來(lái)逐步說(shuō)明圖3中的流程,然而,這僅只是一個(gè)例子,而且對(duì)于熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人而言,圖3中的步驟明顯地不需要限定由具備圖2的架構(gòu)的硬件來(lái)加以實(shí)施,其它的實(shí)施例也是可行的,除此之外,圖3所示的流程中的步驟并不限制要以相同的次序來(lái)連續(xù)執(zhí)行。在這個(gè)實(shí)施例中,寫(xiě)入脈沖控制器216不斷重復(fù)地實(shí)時(shí)調(diào)整與測(cè)量該寫(xiě)入策略以決定應(yīng)用于新的光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的一最佳寫(xiě)入策略,如圖3所示,在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例中,決定新的光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的一寫(xiě)入策略的過(guò)程包括下列步驟步驟300:偵測(cè)光盤的一特性,例如光學(xué)儲(chǔ)存媒體類別或?qū)懭胨俣?。步驟302:依據(jù)所偵測(cè)到的光盤的特性決定一初始寫(xiě)入策略。步驟304:以該初始寫(xiě)入策略記錄一標(biāo)記。步驟306:當(dāng)再生經(jīng)由步驟304的該初始寫(xiě)入策略所寫(xiě)入至光盤上的該標(biāo)記的信號(hào)時(shí),測(cè)量對(duì)應(yīng)于該標(biāo)記的信號(hào)質(zhì)量數(shù)值。步驟308:該信號(hào)質(zhì)量數(shù)值所對(duì)應(yīng)的質(zhì)量是否大于一預(yù)定質(zhì)量臨界值?換句話說(shuō),在步驟306中所測(cè)量到的信號(hào)質(zhì)量數(shù)值是否大致上(substantially)是最佳的?如果是,則終止該寫(xiě)入策略的校正操作(calibrationoperation)并且以該初始寫(xiě)入策略來(lái)對(duì)光學(xué)儲(chǔ)存媒體230進(jìn)行后續(xù)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作;否則,執(zhí)行步驟310。步驟310:執(zhí)行一寫(xiě)入脈沖調(diào)整來(lái)調(diào)整該初始寫(xiě)入策略,其中該寫(xiě)入脈沖調(diào)整包括以一第一時(shí)間單元調(diào)整該初始寫(xiě)入策略中一寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣來(lái)產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略。當(dāng)一新的光學(xué)儲(chǔ)存媒體230被光學(xué)儲(chǔ)存媒體接收單元204所存取時(shí),光學(xué)儲(chǔ)存裝置200將執(zhí)行一寫(xiě)入策略的校正操作以利用圖3中所示的方法來(lái)決定特定光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的最佳寫(xiě)入策略。參考圖2,光學(xué)儲(chǔ)存媒體接收單元204存取一光學(xué)儲(chǔ)存媒體230并偵測(cè)一光盤的特性(步驟300),例如在步驟300中,光學(xué)儲(chǔ)存媒體接收單元204將偵測(cè)光盤的一媒體類別與一寫(xiě)入速度。如圖2所示,光學(xué)儲(chǔ)存媒體接收單元204輸出對(duì)應(yīng)于該媒體類別與該寫(xiě)入速度的信號(hào)T給寫(xiě)入脈沖控制器216,接著寫(xiě)入脈沖控制器216依照光盤的特性決定出一初始寫(xiě)入策略(也即通過(guò)信號(hào)T所接收的偵測(cè)到的媒體類別與寫(xiě)入速度),為了決定該初始寫(xiě)入策略,寫(xiě)入脈沖控制器216另包含或耦接至一數(shù)據(jù)庫(kù)215,而數(shù)據(jù)庫(kù)215依照光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的多個(gè)不同特性而儲(chǔ)存了相對(duì)應(yīng)的預(yù)定初始寫(xiě)入策略,通過(guò)這個(gè)方式,寫(xiě)入脈沖控制器216可以參照數(shù)據(jù)庫(kù)215而依照光盤的媒體類別與寫(xiě)入速度來(lái)決定該初始寫(xiě)入策略。在步驟304中,寫(xiě)入脈沖控制器216通過(guò)使用由步驟302所決定的初始寫(xiě)入策略在光盤上寫(xiě)入一標(biāo)記,而在步驟306中,光學(xué)儲(chǔ)存裝置200讀取在步驟304中寫(xiě)在光盤的標(biāo)記以產(chǎn)生一再生信號(hào),并且測(cè)量該再生信號(hào)的一信號(hào)質(zhì)量。在圖2所示的方塊圖中,光學(xué)儲(chǔ)存裝置200產(chǎn)生三個(gè)信號(hào)R1、R2、與R3,然而對(duì)于熟習(xí)本項(xiàng)技術(shù)的人而言,其在閱讀完這里的描述后可清楚了解在其它實(shí)施例中僅具有一個(gè)或其它數(shù)量的信號(hào)也是可行的。如圖2所示,信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元214包含抖動(dòng)偵測(cè)器224,用來(lái)當(dāng)由光盤讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)時(shí)測(cè)量第一個(gè)信號(hào)&的抖動(dòng)值(jittervalue);標(biāo)記長(zhǎng)度偵測(cè)器226,用來(lái)當(dāng)由光盤讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)時(shí)測(cè)量第二個(gè)信號(hào)R2的標(biāo)記長(zhǎng)度錯(cuò)誤(marklengtherror);以及誤碼率偵測(cè)器228,用來(lái)當(dāng)由光盤230讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)時(shí)測(cè)量第三個(gè)信號(hào)R3的誤碼率(錯(cuò)誤率)。請(qǐng)注意,在其它的實(shí)施例中,在信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元214中設(shè)置不同的信號(hào)質(zhì)量偵測(cè)器或是不同數(shù)量的信號(hào)質(zhì)量偵測(cè)器也是可行的。步驟308是用來(lái)決定是否需要進(jìn)一步地最佳化該初始寫(xiě)入策略,也就是說(shuō),對(duì)于某些光學(xué)儲(chǔ)存媒體230而言,由寫(xiě)入脈沖控制器216所決定的初始寫(xiě)入策略可能己經(jīng)足夠充分地給寫(xiě)入操作使用。若步驟306中的信號(hào)質(zhì)量測(cè)13量值不夠大(也即該信號(hào)質(zhì)量數(shù)值未超過(guò)一預(yù)定臨界值),則進(jìn)行步驟310,在步驟310中,寫(xiě)入脈沖控制器216為了產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略而執(zhí)行一寫(xiě)入脈沖調(diào)整,在本實(shí)施例中,信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元214測(cè)量對(duì)應(yīng)于以該調(diào)整后寫(xiě)入策略所寫(xiě)入的新的標(biāo)記的信號(hào)質(zhì)量數(shù)值,以及重復(fù)執(zhí)行該寫(xiě)入脈沖調(diào)整直到步驟308決定出一最佳寫(xiě)入策略為止。圖4是本發(fā)明的一實(shí)施例中經(jīng)過(guò)寫(xiě)入脈沖控制器216調(diào)整的三種不同寫(xiě)入策略的寫(xiě)入脈沖波形圖。舉例而言,第一寫(xiě)入策略(寫(xiě)入策略1)可對(duì)應(yīng)于在一多次復(fù)寫(xiě)式光學(xué)儲(chǔ)存媒體(multi-timesre-writableopticalmedium)(例如一DVD-RW)中一低寫(xiě)入速度的光學(xué)寫(xiě)入動(dòng)作;第二寫(xiě)入策略(寫(xiě)入策略2)可對(duì)應(yīng)于在一多次復(fù)寫(xiě)式光學(xué)儲(chǔ)存媒體(例如一DVD-RW)中一高寫(xiě)入速度的光學(xué)寫(xiě)入動(dòng)作,而第三寫(xiě)入策略(寫(xiě)入策略3)可對(duì)應(yīng)于在一次寫(xiě)入式(write-once)光學(xué)儲(chǔ)存媒體(例如一DVD-R)中一低寫(xiě)入速度的光學(xué)寫(xiě)入動(dòng)作。在本實(shí)施例中,寫(xiě)入脈沖控制器216調(diào)整由該初始寫(xiě)入策略的第一邊緣Ttopl與第二邊緣Ttop2(第二邊緣Ttop2緊接于第一邊緣Ttopl之后)所形成的一初始脈沖(leadingpulse),或由該初始寫(xiě)入策略的第一邊緣Tlastl與第二邊緣Tlast2(第二邊緣Tlast2緊接于第一邊緣Tlastl之后)所形成的一最后脈沖(finalpulse)。除此之外,寫(xiě)入脈沖控制器216通過(guò)調(diào)整初始脈沖與最后脈沖之間一中間脈沖(middlepulse)的第一邊緣與第二邊緣(例如固定第一邊緣與調(diào)整第二邊緣)來(lái)校正其持續(xù)期間Tmp。圖5為本發(fā)明在決定寫(xiě)入策略時(shí)進(jìn)行寫(xiě)入脈沖調(diào)整(步驟310)的一實(shí)施例的流程圖。假設(shè)在獲得大致上相同的結(jié)果下,圖5中流程的步驟并不一定要依照所顯示的順序來(lái)連續(xù)執(zhí)行,也即其它步驟也可插入其中。在此實(shí)施例中,參照?qǐng)D4所示的寫(xiě)入脈沖波形圖,則執(zhí)行寫(xiě)入脈沖調(diào)整包含下列各步驟步驟500:調(diào)校持續(xù)期間Tmp以調(diào)整一標(biāo)記厚度(markthickness)。步驟502:調(diào)校該寫(xiě)入策略的初始脈沖中的第一邊緣Ttopl與第二邊緣Ttop2以調(diào)整該標(biāo)記的一前端形狀(frontshape)與其持續(xù)期間。步驟504:調(diào)校該寫(xiě)入策略的最后脈沖的第一邊緣Tlastl與第二邊緣Tlast2以調(diào)整該標(biāo)記的一后端形狀(rearshape)與其持續(xù)期間。請(qǐng)注意當(dāng)調(diào)整這三組參數(shù)(步驟500中的Tmp、步驟502中的Topl與Top2、與步驟504中的Tlastl與Tlast2)時(shí),這三組參數(shù)調(diào)整的順序并沒(méi)有限制,可以依照不同的設(shè)計(jì)需求而使用不同的調(diào)校順序,此外,也可能僅需要調(diào)整一或二組參數(shù)就可以獲得一最佳的寫(xiě)入策略,也就是說(shuō),也可能存在其它僅需要使用步驟500、502與504其中一或兩個(gè)步驟的寫(xiě)入脈沖調(diào)整(步驟310)的實(shí)施例。此外,信號(hào)質(zhì)量測(cè)量的步驟(步驟306)并不限制于只偵測(cè)抖動(dòng),可以使用其它的信號(hào)質(zhì)量測(cè)量技術(shù)來(lái)取而代之,或是額外執(zhí)行其它的信號(hào)質(zhì)量測(cè)量技術(shù),例如偵測(cè)誤碼率(BER)或是標(biāo)記長(zhǎng)度錯(cuò)誤(marklengtherror)。為了偵測(cè)抖動(dòng),首先使用一預(yù)定的寫(xiě)入策略來(lái)寫(xiě)入一標(biāo)記(步驟304),接下來(lái)讀取該標(biāo)記并且測(cè)量該抖動(dòng)的大小(步驟306),若該測(cè)量值小于一預(yù)定的臨界值(例如9°/。),則結(jié)束調(diào)整,反之,若該測(cè)量值大于該臨界值,則接著執(zhí)行一寫(xiě)入策略調(diào)整步驟(步驟310)。圖6為圖5的步驟502中通過(guò)調(diào)整在初始寫(xiě)入脈沖中第一邊緣Ttopl與第二邊緣Ttop2來(lái)改變寫(xiě)入于光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的標(biāo)記形狀的示意圖。如圖6所示,Ttopl與Ttop2的相關(guān)的位置可以決定被寫(xiě)入光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的標(biāo)記的前端形狀,例如在圖6中,標(biāo)記600是顯示一標(biāo)記的最理想的前端形狀(optimalfront-endshape),當(dāng)Ttopl與Ttop2的相關(guān)的位置并非最理想時(shí),被寫(xiě)入光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的標(biāo)記的前端形狀將會(huì)被扭曲,如圖所示,一標(biāo)記602具有一太尖的前端而另一標(biāo)記604則具有一太鈍的前端。此外,通過(guò)同時(shí)向前或向后移動(dòng)Ttopl與Ttop2則可以決定標(biāo)記的長(zhǎng)度。寫(xiě)入脈沖控制器216通過(guò)步驟504調(diào)整最后脈沖的第一邊緣Tlastl與第二邊緣Tlast2來(lái)使寫(xiě)入于光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的標(biāo)記的結(jié)束形狀(endingshape)15有類似的改變,而Tlastl與Tlast2的相對(duì)位置決定了標(biāo)記被寫(xiě)入于光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的后端形狀。如圖6所示,改變Tlastl與Tlast2的效應(yīng)與改變Ttopl與Ttop2的效應(yīng)相類似,而同時(shí)向前或向后移動(dòng)Tlastl與Tlast2也可以決定標(biāo)記的長(zhǎng)度。由于步驟504本質(zhì)上與先前提到的步驟502相同,故在此省略其詳細(xì)描述。在此實(shí)施例中,為了同時(shí)調(diào)整標(biāo)記的長(zhǎng)度與前端標(biāo)記形狀,將同時(shí)通過(guò)下列方程式調(diào)整Ttopl與Ttop2:Ttopl=Ttopl—i+Ni*deltaT方程式(一)Ttop2=Ttopl+A*deltaT+Mi*deltaT方程式(二)其中Ttopl—i是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一初始值,A是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一系數(shù),參數(shù)Mi與Ni等于...、-2、-1、0、1、2、...等等,以及ddtaT是一預(yù)定的時(shí)間單位。所以,在本實(shí)施例中,方程式(一)是用來(lái)施加一第一時(shí)間單元(也即M*ddtaT)以調(diào)整第一邊緣Ttopl,而方程式(二)則用來(lái)施加一第二時(shí)間單元(也即A*deltaT+Mi*deltaT),以使緊接第一邊緣Ttopl之后的第二邊緣Ttop2與第一邊緣Ttopl之間相差該第二時(shí)間單元。在此實(shí)施例中,為了同時(shí)調(diào)整標(biāo)記長(zhǎng)度與后端標(biāo)記形狀,將同時(shí)通過(guò)下列方程式調(diào)整Tlastl與Tlast2:Tlastl=Tlastl—i+Oi*deltaT方程式(三)Tlast2=Tlastl+B*deltaT+Pi*deltaT方程式(四)其中Tlastl—i是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一初始值,B是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一系數(shù),參數(shù)Oi與Pi等于...、-2、-1、0、1、2、...等等,以及deltaT是一預(yù)定的時(shí)間單位。同理,對(duì)于后端標(biāo)記形狀的調(diào)整而言,在本實(shí)施例中,方程式(三)是用來(lái)施加一第一時(shí)間單元(也即OPdeltaT)以調(diào)整第一邊緣Tlastl,而方程式(四)則用來(lái)施加一第二時(shí)間單元(也即B*deltaT+Pi*deltaT),以使緊接第一邊緣Tlastl之后的第二邊緣Tlast2與第一邊緣Tlastl之間相差該第二時(shí)間單元。方程式(一)與方程式(二)可以用來(lái)對(duì)寫(xiě)入策略進(jìn)行下列調(diào)整1.同時(shí)向前(或向后)移動(dòng)Ttopl與Ttop2以控制標(biāo)記的長(zhǎng)度。2.調(diào)整Ttopl與Ttop2的相對(duì)位置以控制標(biāo)記的前端形狀(也即如上所述的通過(guò)一第二時(shí)間單元進(jìn)行調(diào)整,以使緊接第一邊緣Ttopl之后的第二邊緣Ttop2與第一邊緣Ttopl之間相差該第二時(shí)間單元)。方程式(三)與方程式(四)可以用來(lái)對(duì)寫(xiě)入策略進(jìn)行下列調(diào)整1.同時(shí)向前(或向后)移動(dòng)TIastl與Tlast2以控制標(biāo)記的長(zhǎng)度。2.調(diào)整Ttopl與Ttop2的相對(duì)位置以控制標(biāo)記的后端形狀(也即如上所述的通過(guò)一第二時(shí)間單元進(jìn)行調(diào)整,以使緊接第一邊緣Tlastl之后的第二邊緣Tlast2與第一邊緣Tlastl之間相差該第二時(shí)間單元)。圖7為依照?qǐng)D5中步驟500調(diào)整一中間脈沖的持續(xù)期間Tmp以改變寫(xiě)入于光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的標(biāo)記形狀的示意圖。如圖7所示,持續(xù)期間Tmp的變化可以決定被寫(xiě)入光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的一標(biāo)記的厚度,例如,標(biāo)記700由于該最佳的持續(xù)時(shí)間Tmp而具有正確的厚度,而當(dāng)持續(xù)期間Tmp并非是最佳的持續(xù)期間時(shí),標(biāo)記的厚度將開(kāi)始偏離正確的厚度,舉例來(lái)說(shuō),在圖7中,標(biāo)記702代表一具有太窄的中間部分的標(biāo)記,而標(biāo)記704代表一具有太厚的中間部分的標(biāo)記。為了調(diào)整標(biāo)記的中間部分的寬度,持續(xù)期間Tmp是依據(jù)下列方程式來(lái)調(diào)Tmp=Tmp—i+Li*deltaT方程式(五)其中參數(shù)Li可被設(shè)為等于…、-2、-1、0、1、2、…等,deltaT是一時(shí)間單位,Tmp一i是依照一光學(xué)儲(chǔ)存媒體的類別以及光學(xué)儲(chǔ)存媒體230的一刻錄速度所決定,并用以決定寫(xiě)入策略。此外,在此實(shí)施利中,方程式(五)是被單獨(dú)地執(zhí)行來(lái)調(diào)整標(biāo)記的寬度(也即其未與其他方程式配合)。當(dāng)光學(xué)儲(chǔ)存媒體的材質(zhì)與寫(xiě)入速度固定之后,一典型的寫(xiě)入策略將僅具有微小的改變,因此,若通過(guò)上述的各組方程式為Tmpj、Ttopl一i、Tlastlj、A與B選擇適當(dāng)?shù)某跏贾翟O(shè)定,則自動(dòng)調(diào)整出寫(xiě)入策略的時(shí)間與光學(xué)儲(chǔ)存媒體230上測(cè)試寫(xiě)入面積將大幅減少。通過(guò)此方式,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種適合快速與自動(dòng)調(diào)整寫(xiě)入策略的方法以及裝置。請(qǐng)注意,方程式Ttopl=Ttopl—i+Ni*deltaT與Ttop2=Ttopl+A*deltaT+Mi*deltaT也可分別寫(xiě)成Ttop2=Ttop2J+Ni*deltaT與Ttopl=Ttop2+A*deltaT+Mi*deltaT;同樣地,方程式Tlastl=Tlastl—i+Oi*deltaT與Tlast2=Tlastl+B*deltaT+Pi*deltaT也可分別寫(xiě)成Tlast2=Tlast2_i+Oi*deltaT與Tlastl=Tlast2+B*deltaT+Pi*deltaT,其中Ttop2—i與Tlast2_i是預(yù)定的初始值。圖8為本發(fā)明執(zhí)行圖5中步驟500、502與504的調(diào)校操作的一第一實(shí)施例的流程圖。請(qǐng)注意,假設(shè)在獲得大致上相同的結(jié)果下,圖8所示的流程的各步驟并不限制要依照?qǐng)D中所示的相同順序來(lái)連續(xù)執(zhí)行,也即,其它步驟也可插入其中。本實(shí)施例中,執(zhí)行調(diào)校的操作包含下列步驟步驟800:執(zhí)行Txx的寫(xiě)入操作,其中Txx=Txx_i+deltaT,以及Txx對(duì)應(yīng)于Tmp、Ttopl、Ttop2、Tlastl與Tlast2中的其一。步驟802:測(cè)量對(duì)應(yīng)于步驟800的Txx的一再生信號(hào)的一第一抖動(dòng)值Jl。步驟804:步驟806:值J2。步驟808:步驟810:執(zhí)行Txx的寫(xiě)入操作,其中Txx=Txx一i-deltaT。測(cè)量對(duì)應(yīng)于步驟804的Txx的一再生信號(hào)的一第二抖動(dòng)計(jì)算第一抖動(dòng)值Jl與第二抖動(dòng)值J2間的一抖動(dòng)值差量d。選擇使抖動(dòng)值差量d小于或等于一預(yù)定臨界值的Txx。圖9為本發(fā)明執(zhí)行圖5中步驟500、502與504的調(diào)校操作的一第二實(shí)施例的流程圖。請(qǐng)注意,假設(shè)在獲得大致上相同的結(jié)果下,圖9所示的流程的各步驟并不限制要依照?qǐng)D中所示的相同順序來(lái)連續(xù)執(zhí)行,也即,其它步驟也可插入其中。本實(shí)施例中,執(zhí)行調(diào)校的操作包含下列步驟-步驟900:執(zhí)行Txx的寫(xiě)入操作,其中Txx=Txx_i+Xi*deltaT,以及Xi=-n~+n,且Txx等于Tmp、Ttopl、Ttop2、Tlastl與Tlast2中的其步驟902:測(cè)量對(duì)應(yīng)于步驟900的Txx的一再生信號(hào)的抖動(dòng)值。步驟904:選擇具有一最佳抖動(dòng)值的Txx(也即所選擇的Txx具有最小的抖動(dòng)值)。當(dāng)執(zhí)行圖3中的寫(xiě)入脈沖調(diào)整(步驟310)時(shí),寫(xiě)入脈沖控制器216可以先調(diào)整持續(xù)期間Tmp的值(步驟500)。依照不同的實(shí)施例,步驟5O0的調(diào)整方法可以如圖8或圖9所示,依照?qǐng)D8所示的調(diào)整方法,具有Txx=Txx—i+deltaT的一寫(xiě)入策略首先被用來(lái)寫(xiě)入一標(biāo)記(步驟800),其中Txx—i是一初始值,而Txx可以是Tmp、Ttopl、Ttop2、Tlastl或Tlast2,然后,在步驟802中測(cè)量一第一抖動(dòng)值Jl,接著具有Txx=Txx—i—deltaT的一寫(xiě)入策略將被使用來(lái)寫(xiě)入下一個(gè)標(biāo)記(步驟804),在步驟806中,此標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的測(cè)量到的抖動(dòng)值是J2,而在步驟808中將計(jì)算一抖動(dòng)值差量d叫Jl-J2I。寫(xiě)入脈沖控制器216將重復(fù)使用不同的Txx值來(lái)執(zhí)行上述操作與計(jì)算抖動(dòng)值差量d,當(dāng)抖動(dòng)值差量d小于或等于一預(yù)定的臨界值時(shí)(例如1%),寫(xiě)入脈沖控制器216將選擇相對(duì)應(yīng)的Txx值,并且得到最佳的Txx寫(xiě)入策略(步驟810)。根據(jù)圖9所示的調(diào)整方法,寫(xiě)入脈沖控制器216直接使用位于一范圍(+n—n)的Xi值,例如在一個(gè)實(shí)施例中,n=-2、-1、0、1、2,接著寫(xiě)入脈沖控制器216將由每個(gè)值去寫(xiě)入一標(biāo)記來(lái)決定一寫(xiě)入策略(步驟900),接著,在步驟902中,測(cè)量每一被寫(xiě)入的標(biāo)記的抖動(dòng)值,并且選擇最佳的Txx寫(xiě)入策略(步驟904)。通過(guò)圖8與圖9所示的方法,為了控制不同的持續(xù)期間Tmp的數(shù)值,Xi值可以被調(diào)整,也就是說(shuō),Tmp=Tmp—i+Li*deltaT這個(gè)調(diào)整可以使用上述圖8與圖9所示的方法來(lái)獲得最佳的Li,以及藉此獲得最佳的持續(xù)期間Tmp的數(shù)值。如上所述,Ttopl值與Tt叩2值可以被成雙地一并調(diào)整,在此情形下,圖8與圖9所示的方法可以經(jīng)由雙循環(huán)方式來(lái)加以執(zhí)行,也即所有Tt叩l=Ttopl—i+Ni*deltaT的值可以用來(lái)計(jì)算每個(gè)Ttop2=Ttopl+A*deltaT+MifddtaT的值。通過(guò)這個(gè)方式,圖8與圖9所示的方法可以獲得最佳的Ni值與Mi值,接著,最佳的Ttopl值與Ttop2值就可以被決定出來(lái)。同樣地,圖8與圖9所示的方法通過(guò)Tlast=Tlastl—i+Oi*deltaT與Tlast2=Tlastl+B*deltaT+Pi*deltaT來(lái)調(diào)整Tlastl值與Tlast2值,通過(guò)這個(gè)方法,可以獲得最佳的oi與Pi值,并且因此獲得最佳的Tlast1值與Tlast2值。請(qǐng)注意Tlastl值與Tlast2值也可使用圖8與圖9所示的方法以雙循環(huán)方式來(lái)加以調(diào)整。當(dāng)遇到一還未辨識(shí)出的光學(xué)儲(chǔ)存媒體230時(shí),本實(shí)施例執(zhí)行一初始寫(xiě)入策略的一寫(xiě)入脈沖調(diào)整,該寫(xiě)入脈沖調(diào)整包含,通過(guò)一第一時(shí)間單位調(diào)整該初始寫(xiě)入策略的一寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣,并因此產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略,測(cè)量對(duì)應(yīng)于該調(diào)整后的寫(xiě)入策略的信號(hào)質(zhì)量數(shù)值,以及其它相對(duì)應(yīng)的調(diào)整也被執(zhí)行。通過(guò)調(diào)整該寫(xiě)入脈沖的該第一邊緣,該光學(xué)儲(chǔ)存媒體230在執(zhí)行自動(dòng)寫(xiě)入策略調(diào)整的操作時(shí)間與測(cè)試寫(xiě)入面積都因此減少,如此一來(lái),本發(fā)明提供了一種適合快速與自動(dòng)寫(xiě)入策略調(diào)整的方法與裝置。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾,都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。20權(quán)利要求1.一種決定光學(xué)儲(chǔ)存裝置中光盤寫(xiě)入策略的方法,其特征在于,該方法包含有偵測(cè)所述光盤的一特性;依據(jù)所偵測(cè)到的光盤的特性,決定一初始寫(xiě)入策略;通過(guò)執(zhí)行一寫(xiě)入脈沖調(diào)整以調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略,所述寫(xiě)入脈沖調(diào)整包含調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略中多個(gè)寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣及一第二邊緣,以產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略;使用所述調(diào)整后的寫(xiě)入策略寫(xiě)入數(shù)據(jù)到光盤上;當(dāng)由光盤讀取所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)時(shí),測(cè)量至少一再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值;以及依據(jù)所述再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值來(lái)決定一寫(xiě)入策略。2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述寫(xiě)入脈沖調(diào)整更包含經(jīng)由雙循環(huán)方式來(lái)調(diào)整所述第一邊緣及所述第二邊緣。3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述寫(xiě)入脈沖調(diào)整更包含通過(guò)下列方程式來(lái)調(diào)整所述第一邊緣及所述第二邊緣Ttopl=Ttopl—i+Ni*deltaTTtop2=Ttopl+A*deltaT+Mi*deltaT其中Ttopl—i是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一初始值,A是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一系數(shù),參數(shù)Mi與Ni等于…、-2、-1、0、1、2、,以及deltaT是一預(yù)定的時(shí)間單位。4.一種決定光學(xué)儲(chǔ)存裝置中光盤寫(xiě)入策略的方法,其特征在于,該方法包含有偵測(cè)所述光盤的一特性;依據(jù)所偵測(cè)到的光盤的特性,決定一初始寫(xiě)入策略;通過(guò)執(zhí)行一寫(xiě)入脈沖調(diào)整以調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略,所述寫(xiě)入脈沖調(diào)整包含通過(guò)一第一時(shí)間單元來(lái)調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略中一寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣,以產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略;使用所述調(diào)整后的寫(xiě)入策略寫(xiě)入數(shù)據(jù)到光盤上;當(dāng)由光盤讀取所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)時(shí),測(cè)量至少一再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值;依據(jù)所述再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值來(lái)決定一寫(xiě)入策略;調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略的一初始脈沖或一最后脈沖;以及通過(guò)固定一中間脈沖的一第一邊緣并且調(diào)整該中間脈沖的一第二邊緣的方式,調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略的介于所述初始脈沖與所述最后脈沖間的中間脈沖;其中,調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略的所述初始脈沖或所述最后脈沖包括調(diào)整所述初始脈沖或所述最后脈沖的一第一邊緣及一第二邊緣,并經(jīng)由雙循環(huán)方式來(lái)調(diào)整所述第一邊緣及所述第二邊緣。5.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述寫(xiě)入脈沖調(diào)整更包含通過(guò)下列方程式來(lái)調(diào)整所述第一邊緣及所述第二邊緣Ttopl=Ttoplj+Ni*deltaTTtop2=Ttopl+A*deltaT+Mi*deltaT其中Ttopl—i是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一初始值,A是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一系數(shù),參數(shù)Mi與Ni等于…、-2、-1、0、1、2、,以及deltaT是一預(yù)定的時(shí)間單位。6.—種光學(xué)儲(chǔ)存裝置,其特征在于包含有一光學(xué)儲(chǔ)存媒體接收單元,用以接收一光學(xué)儲(chǔ)存媒體與偵測(cè)該光學(xué)儲(chǔ)存媒體的一特性;一光學(xué)讀寫(xiě)頭,用以寫(xiě)入至少一標(biāo)記于所述光學(xué)儲(chǔ)存媒體上,以及從對(duì)應(yīng)于該標(biāo)記的該光學(xué)儲(chǔ)存媒體讀取數(shù)據(jù);一寫(xiě)入脈沖控制器,耦接于所述光學(xué)讀寫(xiě)頭,用以依據(jù)偵測(cè)到的光學(xué)儲(chǔ)存媒體的特性來(lái)決定一初始寫(xiě)入策略,以及通過(guò)一第一時(shí)間單元調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略中一寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣,以調(diào)整該初始寫(xiě)入策略并產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略,及輸出該調(diào)整后的寫(xiě)入策略以將資料寫(xiě)入至該光學(xué)儲(chǔ)存媒體上,并依據(jù)至少一再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值決定一寫(xiě)入策略;以及一信號(hào)質(zhì)量測(cè)量單元,耦接于所述寫(xiě)入脈沖控制器以及所述光學(xué)讀寫(xiě)頭,用以當(dāng)從所述光學(xué)儲(chǔ)存媒體讀取所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)時(shí),測(cè)量該再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值;其中,當(dāng)執(zhí)行寫(xiě)入脈沖調(diào)整時(shí),所述寫(xiě)入脈沖控制器另調(diào)整初始寫(xiě)入策略的一初始脈沖或一最后脈沖,并通過(guò)一中間脈沖的一第一邊緣并且調(diào)整該中間脈沖的一第二邊緣的方式,調(diào)整初始寫(xiě)入策略的介于初始脈沖與最后脈沖間的中間脈沖;所述寫(xiě)入脈沖控制器通過(guò)調(diào)整所述初始脈沖或所述最后脈沖的第一邊緣及第二邊緣以調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略的所述初始脈沖或所述最后脈沖包括,并經(jīng)由雙循環(huán)方式來(lái)調(diào)整所述第一邊緣及所述第二邊緣。7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)儲(chǔ)存裝置,其特征在于,所述寫(xiě)入脈沖控制器通過(guò)下列方程式來(lái)調(diào)整所述第一邊緣及所述第二邊緣Ttopl=Ttoplj+Ni*deltaTTtop2=Ttopl+A*deltaT+Mi*deltaT其中Ttoplj是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一初始值,A是根據(jù)該初始寫(xiě)入策略所預(yù)定的一系數(shù),參數(shù)Mi與Ni等于…、-2、-1、0、1、2、,以及deltaT是一預(yù)定的時(shí)間單位。全文摘要一種決定光學(xué)儲(chǔ)存裝置中光盤寫(xiě)入策略的方法與光學(xué)儲(chǔ)存裝置,所述方法包含偵測(cè)所述光盤的一特性;依據(jù)所偵測(cè)到的光盤的特性,決定一初始寫(xiě)入策略;通過(guò)執(zhí)行一寫(xiě)入脈沖調(diào)整以調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略,所述寫(xiě)入脈沖調(diào)整包含調(diào)整所述初始寫(xiě)入策略中多個(gè)寫(xiě)入脈沖的一第一邊緣及一第二邊緣,以產(chǎn)生一調(diào)整后的寫(xiě)入策略;使用所述調(diào)整后的寫(xiě)入策略寫(xiě)入數(shù)據(jù)到光盤上;當(dāng)由光盤讀取所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)時(shí),測(cè)量至少一再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值;以及依據(jù)所述再生信號(hào)質(zhì)量數(shù)值來(lái)決定一寫(xiě)入策略。本發(fā)明的有益效果在于,其提供了一種適合快速與自動(dòng)寫(xiě)入策略調(diào)整的方法與裝置。文檔編號(hào)G11B7/125GK101494059SQ20091000809公開(kāi)日2009年7月29日申請(qǐng)日期2006年1月13日優(yōu)先權(quán)日2005年4月20日發(fā)明者游志青申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
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