專利名稱：：二氫吲哚二氮雜次甲基陽離子用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及二氫吲哚銀二氮雜次甲基型陽離子與基于吡啶酮的偶氮金屬配合物陰離子的染料鹽在用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄，優(yōu)選用于使用波長至多450nm的激光器的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層中的用途。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種能夠采用藍(lán)光激光器輻射來記錄及再現(xiàn)信息的一次寫入多次讀出(WORM)型光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，該介質(zhì)于光學(xué)層中應(yīng)用二氫吲咮銀二氮雜次甲基型陽離子與基于吡啶酮的偶氮金屬配合物陰離子的染料鹽。
背景技術(shù)：
：近來，有機(jī)染料已在二極管-激光器光學(xué)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存領(lǐng)域中引起了相當(dāng)大的關(guān)注。WORM型光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，如商業(yè)可記錄的壓縮光盤(CD-R)及可記錄的數(shù)字通用光盤(DVD-R)，可在記錄層中含有基于酞菁、半菁、菁及金屬化偶氮結(jié)構(gòu)的染料。這些染料在其各自領(lǐng)域中適合于激光器波長標(biāo)準(zhǔn)。染料介質(zhì)的其它一般要求為強(qiáng)吸收、高反射率、高記錄敏感性、光敏感性增強(qiáng)、低熱導(dǎo)率以及光及熱穩(wěn)定性、儲(chǔ)存持久性及無毒性。良好讀出穩(wěn)定性也為重要標(biāo)準(zhǔn)，這意謂著在給定激光強(qiáng)度下的高循環(huán)數(shù)目，及染料在旋涂工藝中通常應(yīng)用的有機(jī)溶劑中的足夠溶解度。在這樣的有機(jī)染料型光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的記錄區(qū)，光學(xué)性能不僅因由染料的熱分解所致的光學(xué)特性改變及層厚度降低而改變，而且也因基材變形而改變。對于CD-R及DVD-R而言此記錄原理相同，差異在于光斑尺寸及所用激光的波長。CD-R在770nm至830mn的波長下可寫入，而DVD-R通過使用更新近的壓縮高效紅光二極管激光器在600nm至？00nm的波長下可寫ii入，從而與常規(guī)CD相比實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度方面6至8倍的改進(jìn)。然而，考慮到例如近來電子網(wǎng)路(例如，國際互聯(lián)網(wǎng)路)的普及及高清晰度電視(HDTV)廣播的出現(xiàn)等因素，需要能夠以甚至更大容量記錄圖像信息的廉價(jià)且方便的記錄介質(zhì)。雖然目前DVD-R足以充當(dāng)高容量記錄介質(zhì)，但對更大容量及更高密度的需求已增加。Blu-ray光盤(Blu-ray光盤為由HitachiLtd.、LGElectronicsInc.、MatsushitaElectricIndustrialCo.Ltd.、PioneerCorporation、RoyalPhilipsElectronics、SamsungElectronicsCo.Ltd.、SharpCorporation、SonyCorporation、ThomsonMultimedia研發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)物)或HD-歸光盤(由Toshiba和NEC研發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)物)將成為光學(xué)數(shù)據(jù)記錄技術(shù)中的下一個(gè)里程碑。通過這些新規(guī)格，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存可增加直至對于12cm直徑光盤而言每一記錄層27G字節(jié)。通過采用405nm波長的藍(lán)光二極管激光器(GaN或SHG激光器二極管)，可進(jìn)一步減小信息坑尺寸及磁道間隔，又使得儲(chǔ)存容量增加一個(gè)數(shù)量級。這些光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的構(gòu)造在本領(lǐng)域是已知的。光學(xué)記錄介質(zhì)優(yōu)選包含具有用于激光束跟蹤的導(dǎo)引凹槽的基材、含有有機(jī)染料作為主要組分的記錄層(此記錄層在下文中也稱為光學(xué)層或染料層)、反射層及保護(hù)層。當(dāng)穿過基材進(jìn)行記錄/讀出時(shí)，使用透明基材。作為這樣的透明基材，例如可使用由例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸酯或無定形聚烯烴的樹脂制成的這樣的基材、由玻璃制成的這樣的基材或具有于玻璃上形成的由輻射可固化樹脂(即，可光致聚合樹脂)制成的樹脂層的這樣的基材。高級光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)可包含另外的層，例如保護(hù)層、粘接層或甚至額外的光學(xué)記錄層。對于藍(lán)光二極管激光器光學(xué)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存，文獻(xiàn)中已提出多種染料化合物。W02006/106110A公開了具有三乙基銨或具有可購得的陽離子型C.I.堿性黃染料的陽離子作為抗衡離子的陰離子型偶氮金屬配合物染料(C.I.代表染料international)，第4版，SocietyofDyersandColouristsandAmericanAssociationofTextileChemistsandColorists2002)。遺憾的是，迄今為止所述的染料化合物仍顯示阻礙其令人滿意地用作用于光學(xué)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的染料的缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容仍需要一種能夠以高密度記錄數(shù)據(jù)、具有改進(jìn)的記錄特性且具有改進(jìn)的讀出穩(wěn)定性的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，也需要以超過l倍的速度記錄(也即，2倍速及4倍速記錄)，因此需要一種具有改進(jìn)的記錄特性的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)。該目的意外地通過使用二氬吲咮銀二氮雜次甲基型陽離子與基于吡啶酮的陰離子型偶氮金屬配合物染料的鹽而實(shí)現(xiàn)。在下文中，除非另有說明，否則"鹵素"表示F、Cl、Br或I，優(yōu)選F、Cl或Br，更優(yōu)選F或Cl,甚至更優(yōu)選C1;除非另有說明，否則"鹵離子，，表示F-、Cl-、Br-或I-，優(yōu)選C1-或I-；"烷基"表示直鏈及支鏈烷基；且"烷氧基，，表示直鏈及支鏈烷氧基；除非另有說明，否則任何烷基及環(huán)烷基是未被取代的，部分或完全被卣素取代的。本發(fā)明的主題是式(I)化合物在光學(xué)層中，優(yōu)選在用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層中，更優(yōu)選作為染料在用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層中的用途，該化合物為染料鹽，An-*Cat+TiyCat+為式(II)化合物；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>An-為式(III)化合物;(ni)M表示三價(jià)金屬原子，優(yōu)選選自化學(xué)元素周期表第3、4、5、6、7、8、9、10、11及12族；R9為Cw烷基或NH-苯基；Rla選自H、0-Cw烷基、CO-苯基、0-苯基及S-苯基；R2a選自H、正丙基、異丙基、0-C卜4烷基、CO-苯基、0-苯基及S-苯基；前提條件是，如果R2a為甲氧基或H，則Rla不為H;RIO、Rll、R12及R13相同或不同，且彼此獨(dú)立地選自由以下基團(tuán)組成的組H、CN、CF3、卣素、N02、0H、SH、SO廣NR"R22、C0-R20、SO2R20、CO-NR21R22,d—!。烷基、Cw。環(huán)烷基，該Cw。烷基及該Cw。環(huán)烷基彼此獨(dú)立地未經(jīng)取代或經(jīng)1至4個(gè)相同或不同的取代基取代，這些取代基彼此獨(dú)立地選自d—i。烷基、卣素、0H、CN、CF3、Cw2芳基及NR2'R22,C廣d2芳基、0_C6—12芳基、S-Cw2芳基，該CH2芳基及該0-CH2芳基及該S-Ch2芳基未經(jīng)取代或經(jīng)1至4個(gè)相同或不同的取代基取代，這些取代基彼此獨(dú)立地選自Cw。烷基、Cw。環(huán)烷基、0H、N02、CN、鹵素、CF3、Cw芳基、0-Cw。烷基、S-CH。烷基及NR"R"，0-d—18烷基、S-Cw。烷基、0-C3—w環(huán)烷基、S-Cw。環(huán)烷基、NHC0R"及NR"R";所述R"及R"殘基相同或不同，且彼此獨(dú)立地選自H、Cw。烷基、C6-12芳基及Cw2烷基-NR"R";所述R"及R"殘基相同或不同，且彼此獨(dú)立地選自H、C卜^烷基及CH2芳基；所述R"殘基相同或不同，且彼此獨(dú)立地選自O(shè)H、Cw烷基、C6—!。芳基及0-Cw烷基；本發(fā)明的另一主題是一種式(I)化合物，其為染料鹽。優(yōu)選地,M選自Co、Cr、Fe及Al;R9為Cw烷基；Rla選自H、甲氧基、C0-苯基、O-苯基及S-苯基；R2a選自H、異丙基、甲氧基、C0-苯基、O-苯基及S-苯基；前提條件是，如果R2a為甲氧基或H,則Rla不為H;R12為即2;Rll為H或N(V,R10為H或NHCOCH3;R13為H。更優(yōu)選地，M選自Co、Fe及Al，優(yōu)選為Co;R9為正丁基；Rla選自H、甲氧基、CO-苯基、O-苯基及S-苯基；R2a選自H、異丙基及甲氧基；前提條件是，如果R2a為甲氧基或H,則Rla不為H;R12為冊2;R10為H或NHC0CH3;R11及R13為H。尤其，15Cat+選自由式U)、(2)、(3)、(4)、(5)及(7)的化合物組成的化合物組；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>且An-為式(10)化合物或式Ul)化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>更尤其，式(10—4)、(10(I)化合物選自式(10-1)、(10—2).5)、(11-1)及(11—2)的化合物；U0一3)甚至更尤其為式(10-2)化合物；這些化學(xué)式如表(A)中定義￡表(A)<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>本發(fā)明的另一主題是一種選自式(10_1)、(10—2)、(10-3)、(10_4)、(10-5)、(11_1)及(11_2)的化合物的化合物，優(yōu)選為式(10—2)化合物，進(jìn)一步其于光學(xué)層中，優(yōu)選在用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層中，更優(yōu)選作為染料于用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層中的用途。式(I)化合物的制備本發(fā)明的另一主題是一種制備式(I)化合物以及如上所述的式(I)的所有優(yōu)選方面中的式(I)化合物，尤其式(10—1)、(10_2)、(10-3)、(10-4)、(10—5)、(11_1)及(11_2)的化合物的方法，其是通過相應(yīng)的前體鹽之間的復(fù)分解反應(yīng)，也即式(III-6)化合物與式(II—鹽)化合物之間的復(fù)分解反應(yīng)而進(jìn)行，式(III)化合物*式(6)化合物(III—6)h3cch3h/N^ch3式(III)化合物也在如上所述的式(III)的所有優(yōu)選方面中，式(II)化合物*陰離子(II)(II—鹽)式(II)化合物也在如上所述的式(II)的所有優(yōu)選方面中，陰離子(II)選自卣離子、硫酸根及甲基硫酸根，優(yōu)選為氯離子、碘離子、硫酸根及甲基硫酸根，甚至更優(yōu)選為氯離子及碘離子。本發(fā)明的含義內(nèi)的復(fù)分解反應(yīng)表示不同鹽之間的離子交換。如表(AA)中所定義的式(ni-6)化合物，尤其式(III—6-R10acet)化合物，更尤其式(11-6)化合物，_式(III-R10acet)化合物*式(6)化合物(ni_6_R10acet)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(III-R10acet)優(yōu)選通過式(IV)化合物，尤其式(IV—RIOacet)化合物，與金屬鹽的配合反應(yīng)來制備，其中R9、RIO、Rll、R12及R13具有如上所述的相同含義，也包括所有其優(yōu)選實(shí)施方案，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(IV)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>(IV一RIOacet)更尤其式(IV—11)化合物，(IV—11)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>其中式(IV)化合物優(yōu)選通過相應(yīng)的重氮組分與相應(yīng)的偶合劑的偶氮偶合反應(yīng)來制備。式(IV)化合物稱為偶氮配體。配合反應(yīng)使用所需式(IV)化合物與金屬鹽之間的化學(xué)計(jì)量比來進(jìn)行；反應(yīng)物中的每一種可相對于其它反應(yīng)物過量使用，優(yōu)選使用l當(dāng)量金屬鹽及2當(dāng)量式(IV)化合物。優(yōu)選地，式(III-6)化合物通過1當(dāng)量金屬鹽的溶液與2當(dāng)量式(IV)化合物的沸騰溶液的配合反應(yīng)來制備。在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方案中，金屬鹽的金屬為三價(jià)金屬。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方案中，金屬鹽的金屬為二價(jià)金屬，且在此情況下配合反應(yīng)是在有氧條件下在相對于每當(dāng)量配體優(yōu)選2.5至4,更優(yōu)選2.9至3.2，尤其3當(dāng)量的三乙胺存在下進(jìn)行。這確保二價(jià)金屬原子在配合反應(yīng)期間轉(zhuǎn)化成三價(jià)金屬原子，且確保金屬原子結(jié)合入配合物中其四重配位中，從而在最終配合物上產(chǎn)生陰離子電荷?？墒褂枚嘤谝环N的金屬鹽，優(yōu)選2種或3種金屬鹽的混合物，優(yōu)選以所需相對于偶氮配體的化學(xué)計(jì)量量使用?？蓪⑴嫉潴w添加至金屬鹽中，或反之亦然。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方案中，在配合反應(yīng)期間已存在式(11_鹽)化合物形式的Cat+。復(fù)分解反應(yīng)優(yōu)選通過將相應(yīng)的式(III_6)化合物與相應(yīng)的式(II-鹽)化合物混合來進(jìn)行。配合反應(yīng)及復(fù)分解反應(yīng)可在懸浮液中或在溶液中進(jìn)行，優(yōu)選其在懸浮液中進(jìn)行?？捎糜谂浜戏磻?yīng)中或用于復(fù)分解反應(yīng)的溶劑為水、溶劑及其混合物。溶劑優(yōu)選選自Cw醇、腈(優(yōu)選乙腈)、丙酮、芳族溶劑(例如甲苯或氯苯)、匿、面0、證。更優(yōu)選溶劑為Cw醇(尤其乙醇)及乙腈。也可已在合成式(I)化合物或其前體的較早階段，優(yōu)選在偶氮偶合反應(yīng)(其優(yōu)選用于制備偶氮配體)之前、期間或之后，更優(yōu)選在偶氮偶合反應(yīng)之后，將金屬鹽添加至所得配體懸浮液或溶液中。尤其優(yōu)選地，在合成之后分離偶氮配體，且在單獨(dú)的步驟中進(jìn)行配合反應(yīng)。尤其優(yōu)選地，在合成之后分離式(III—6)化合物，且在單獨(dú)的步驟中進(jìn)行復(fù)分解反應(yīng)。優(yōu)選地，在配合反應(yīng)中配體以懸浮液形式存在。配合反應(yīng)及復(fù)分解反應(yīng)通常在20。C至20(TC之間的溫度下，優(yōu)選在50。C至170。C之間的溫度下，尤其優(yōu)選在80。C至150。C之間的溫度下進(jìn)行，更尤其優(yōu)選地，配合反應(yīng)及復(fù)分解反應(yīng)是在回流溫度下在大氣壓下進(jìn)行。優(yōu)選地，式(I)化合物是按照標(biāo)準(zhǔn)方法來分離，通常其形成沉淀21物，優(yōu)選將其通過過濾來分離且加以干燥。優(yōu)選地，配合反應(yīng)是在有氧條件下，在三乙胺存在下，使用衍生自二價(jià)金屬的金屬鹽來進(jìn)行，該二價(jià)金屬鹽更優(yōu)選為二價(jià)鈷鹽，甚至更優(yōu)選為CoS0^7H20。當(dāng)制備式U)化合物時(shí)，尤其當(dāng)通過復(fù)分解反應(yīng)制備它們時(shí)，且也取決于式(ni-6)化合物與式(n-鹽)化合物之間的摩爾比，式(III—6)化合物的陽離子可能不被式(11_鹽)化合物的陽離子完全交換，從而產(chǎn)生包含式(ni-6)化合物、(i)化合物及可能地式(ii-鹽)化合物的化合物混合物。優(yōu)選地，使用如表(AA)中所指定的式(10—6)或(11—6)的化合物來進(jìn)行復(fù)分解^應(yīng)。表(AA)<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>本發(fā)明的另一主題是一種式(11—6)化合物及該式(11-6)化合物用于制備式U)化合物的用途。式(10—6)化合物從W02006/106110A中是已知的。Cat+的制備本發(fā)明的另一主題是式(II-鹽)化合物，尤其如表(A1)中所定義的式(1—1)、(2—1)、(3—1)、(4—1)、(l-Cl)、(3—Cl)、(5_C1)及(7—I)的化合物的制備，其是通過式(Vd)化合物與甲基碘或與硫酸二甲酯的烷基化反應(yīng)進(jìn)行，在式(Vd)化合物中Rla及R2a具有如上所述的相同含義，也包括所有其優(yōu)選實(shí)施方案。式(n—鹽)化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>(yd)該烷基化反應(yīng)是在非水性溶劑及在其混合物中進(jìn)行。非水性溶劑優(yōu)選選自芳族溶劑、醇、酮或乙腈；更優(yōu)選選自酮或經(jīng)取代的苯，甚至更優(yōu)選使用乙基曱基酮或氯苯。優(yōu)選地，在烷基化反應(yīng)之后，尤其在使用硫酸二甲酯作為烷基化劑的情況下，添加囟化鈉，優(yōu)選氯化鈉。該添加的卣離子可取代由烷基化反應(yīng)所產(chǎn)生的碘離子、曱基硫酸根或硫酸根。優(yōu)選地，在使用石克酸二曱酯進(jìn)行烷基化反應(yīng)的情況下，在烷基化反應(yīng)之后添加氯化鈉，且硫酸根至少部分地被氯離子交換。烷基化反應(yīng)優(yōu)選使用過量烷基化劑來進(jìn)行，更優(yōu)選地烷基化劑與式(Vd)化合物的摩爾比為5:1。烷基化反應(yīng)優(yōu)選在0'C至20(TC，更優(yōu)選2(TC至100'C，甚至更優(yōu)選3(TC至90。C的溫度下進(jìn)行。烷基化反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選為1O分鐘至1周。優(yōu)選地，式(II-鹽)化合物是按照標(biāo)準(zhǔn)方法來分離，在沉淀物的情況下優(yōu)選通過過濾來分離，優(yōu)選隨后加以干燥。式(Vd)化合物優(yōu)選通過相應(yīng)的式(Va)化合物(也稱為偶合劑)與相應(yīng)的式(Vb)化合物(也稱為重氮組分)的偶氮偶合反應(yīng)來制備；式(Vb)化合物優(yōu)選通過相應(yīng)的式(Vc)化合物(也稱為胺化合物)的重氮化反應(yīng)來制備；其中Rla及R2a具有如上所述的相同含義，也包括所有其優(yōu)選實(shí)施方案。重氮組分優(yōu)選具有氯離子Cl-作為抗衡離子，因?yàn)榘坊衔锏闹氐磻?yīng)優(yōu)選在鹽酸水溶液中進(jìn)行。胺化合物及偶合劑為已知物質(zhì)且可根據(jù)或類似于已知的操作步驟來制備。偶氮偶合反應(yīng)是在水、非水性溶劑及在其混合物中進(jìn)行。非水性溶劑優(yōu)選選自由以下物質(zhì)組成的組醇，更優(yōu)選甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇；偶極非質(zhì)子溶劑，優(yōu)選二甲基甲酰胺(脂F(xiàn))、DMSO、二甲基乙酰胺或N-甲基-吡咯烷酮(NMP)及吡咬；及水不可混溶性溶劑，優(yōu)選甲苯或氯苯。更優(yōu)選地，偶氮偶合反應(yīng)是在水、甲醇或其混合物中進(jìn)行。偶氮偶合反應(yīng)優(yōu)選是采用偶合組分與重氮組分的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行。偶氮偶合反通常在-30。C至100。C的溫度下進(jìn)行，優(yōu)選-l(TC至30iC的溫度，且尤其優(yōu)選-5'C至20。C的溫度。偶氮偶合反應(yīng)可在酸性介質(zhì)以及堿性介質(zhì)中進(jìn)行。優(yōu)選pH〈10，尤其選擇pH為3至9。優(yōu)選地，偶氮配體是按照標(biāo)準(zhǔn)方法來分離，在沉淀物的情況下，優(yōu)選是通過過濾來分離，優(yōu)選隨后加以干燥。式(Vd)化合物的烷基化反應(yīng)及可能的后續(xù)陰離子交換導(dǎo)致生成式(II-鹽)化合物以及也生成具有相同的式(II)化合物但不同的陰離子(II)的式(II—鹽)化合物的混合物。本發(fā)明的另一主題是式(II-鹽)化合物，其中式(II)化合物優(yōu)選選自式(l)、(2)、(3)、(4)、(5)及(7)化合物，陰離子(n)優(yōu)選選自卣離子、硫酸根及甲基硫酸根，優(yōu)選為氯離子、碘離子、硫酸根及曱基硫酸根，甚至更優(yōu)選為氯離子及碘離子；尤其為如表(A1)中所定義的式(1—1)、(2_1)、(3-1)、(4_1)、(1—Cl)、(3-Cl)、(5—Cl)及(7_1)的化合物，更尤其為式(2_1)化合物；表(A1)式(H一鹽)化合物式(U)化合物陰離子(H)下式化合物下式化合物(ID(1)I-(2I)(2)I-(3I)(3)I-(4I)(4)I-(1ci)(1)Cl-(3Cl)(3)Cl-(5Cl)(5)Cl-(7I)(7)I-24及式(II-鹽)化合物(也包括如上所定義的所有其優(yōu)選實(shí)施方案)用于制備式(I)化合物的用途。本發(fā)明的另一主題是式(Vd)化合物，其中Rla及R2a具有如上所述的相同含義，也包括所有其優(yōu)選實(shí)施方案，尤其為式(Vd-l)、(Vd一2)、(Vd-3)、(Vd-4)、(Vd—5)或(Vd-7)的化合物，更尤其為式(Vd—2)化合物；及式(Vd)化合物(也包括如上所定義的所有其優(yōu)選實(shí)施方案)用于制備式(II一鹽)化合物的用途。式(IV)化合物的制備R10不為NHCOCH3的情況下的式(IV)化合物為已知化合物且可根據(jù)或類似于例如如WO2006/106110A或本申請中所述的已知操作步驟來制備。R10為NHCOCH3的情況下的式(IV)化合物，尤其式(IV—R10acet)化合物，更尤其式(IV-ll)化合物，優(yōu)選通過相應(yīng)的式(IVa)化合物(也稱為偶合劑)與相應(yīng)的式(IVb)化合物(也稱為重氮組分)的偶氮偶合反應(yīng)來制備；式(IVb)化合物優(yōu)選通過相應(yīng)的(IVc)化合物(也稱為胺化合物)的重氮化反應(yīng)來制備；NCH3,CH3(IVc)其中R9、Rll、R12及R13具有如上所述的相同含義，也包括所有其優(yōu)選實(shí)施方案；在制備式UV-ll)化合物的情況下，如式(IVa-ll)、(IVb-ll)及(IVc—11)中所示，R9為正丁基，R11及R13為H且R12為硝基。(IVa一ll)CH3(IVb一ll)CH3(We—u)重氮組分優(yōu)選具有氯離子C1-作為抗衡離子，因?yàn)榘坊衔锏闹氐磻?yīng)優(yōu)選在鹽酸水溶液中進(jìn)行。26胺化合物及偶合劑為已知物質(zhì)且可根據(jù)或類似于已知操作步驟來制備。偶氮偶合反應(yīng)是在水、非水性溶劑及其混合物中進(jìn)行。非水性溶劑優(yōu)選選自由以下物質(zhì)組成的組醇，更優(yōu)選甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇；偶極非質(zhì)子溶劑，優(yōu)選二甲基甲酰胺(DMF)、DMSO、二甲基乙酰胺或N-甲基-吡咯烷酮(NMP)及吡啶；及水不可混溶性溶劑，優(yōu)選甲苯或氯苯。更優(yōu)選地，偶氮偶合反應(yīng)是在水中進(jìn)行。偶氮偶合反應(yīng)優(yōu)選采用偶合組分與重氮組分的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行。偶氮偶合反通常在-30。C至100。C的溫度下進(jìn)^f亍，優(yōu)選-10。C至3(TC的溫度，且尤其優(yōu)選-5X:至20。C的溫度。偶氮偶合反應(yīng)可在酸性介質(zhì)以及堿性介質(zhì)中進(jìn)行。優(yōu)選pH〈10，尤其選擇pH為3至9。優(yōu)選地，偶氮配體是按照標(biāo)準(zhǔn)方法來分離，在沉淀物的情況下優(yōu)選通過過濾來分離，優(yōu)選隨后加以干燥。本發(fā)明的另一主題是一種式(IV-R10acet)化合物，尤其式(IV_11)化合物，及式(IV-RIOacet)化合物，尤其式(IV-ll)化合物作為配體，優(yōu)選作為偶氮金屬配合物染料中的配體的用途。本發(fā)明的另一主題是一種優(yōu)選用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層，其包含至少一種式U)化合物(該式(I)化合物也在所有其所述實(shí)施方案中)，尤其至少一種式(10-1)、(10—2)、(10-3)、(10_4)、(10—5)、(ll-l)或(11-2)的化合物；及該光學(xué)層用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的用途。本發(fā)明的光學(xué)層也可包含兩種或更多種，優(yōu)選兩種或三種，更優(yōu)選兩種式(I)化合物的混合物。因此，本發(fā)明的另一主題是一種光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，其包含含至少一種式(I)化合物的光學(xué)層。此外，本發(fā)明涉及一種制造優(yōu)選用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層的方法，其包含以下步驟(a)提供基材，(b)將至少一種式(I)化合物，尤其至少一種式(10-1)、(10-2)、(10—3)、(10-4)、(10—5)、(11-1)或(11-2)的化合物溶解于有機(jī)溶劑中以形成溶液，(c)將溶液(b)涂布于基材(a)上，(d)蒸發(fā)溶劑以形成光學(xué)層。(a)基材充當(dāng)施加至其上的各層的載體的基材有利地為半透明的(透射率T>10%)或優(yōu)選為透明的(透射率T〉90O。載體可具有O.Ol至lO咖，優(yōu)選O.l至5mm的厚度。合適基材為例如玻璃、礦物、陶資及熱固性或熱塑性塑料。優(yōu)選載體為玻璃及均聚物或共聚物塑料。合適塑料為例如熱塑性聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯及聚甲基丙烯酸酯、聚氨酯、聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酰亞胺、熱固性聚酯及環(huán)氧樹脂。最優(yōu)選基材為聚碳酸酯(PC)或聚曱基丙烯酸甲酯(P醒A)?；目蔀榧兾镔|(zhì)形式或也可包含常規(guī)添加劑，例如UV吸收劑作為光學(xué)層的光穩(wěn)定劑。基材有利地在350nm至500訓(xùn)范圍的至少一部分上為透明的，從而其可透過至少90°/。的寫入或讀出波長的入射光。(b)有機(jī)溶劑有機(jī)溶劑選自d—8醇、經(jīng)鹵素取代的Cw醇、d-8酮、Cw醚、經(jīng)囟素取代的CH烷烴、腈(優(yōu)選為乙腈)或酰胺或其混合物。優(yōu)選Cw醇或經(jīng)閨素取代的d-8醇為例如曱醇、乙醇、異丙醇、雙丙酮醇(DAA)、2，2，3，3-四氟丙-1-醇、三氯乙醇、2-氯乙醇、八氟戊醇或六氟丁醇，更優(yōu)選為2，2，3，3-四氟丙-l-醇。優(yōu)選Cw酮為例如丙醇、曱基異丁基酮、甲基乙基酮或3-羥基-3-甲基-2-丁酮。優(yōu)選經(jīng)自素取代的Cw烷烴為例如氯仿、二氯甲烷或l-氯丁烷。優(yōu)選酰胺為例如DMF、二甲基乙酰胺或NMP。(c)涂布方法合適涂布方法為例如浸漬、澆注、刷涂、刮涂及旋涂以及在高真空下進(jìn)行的氣相沉積法。當(dāng)使用澆注法時(shí)，通常使用于有機(jī)溶劑中的溶液。28當(dāng)使用溶劑時(shí)，應(yīng)注意所用載體對所述溶劑不敏感。優(yōu)選通過采用染料溶液旋涂來施加光學(xué)層。(d)光學(xué)層光學(xué)層優(yōu)選布置于透明基材與反射層之間。記錄層的厚度為10nm至1000nm,優(yōu)選為30nm至300nm，更優(yōu)選為70nm至250nm,尤其為約80nm，例如60nm至120nm。光學(xué)層包含式(I)化合物，其量優(yōu)選足以對折射率產(chǎn)生實(shí)質(zhì)影響，例如為光學(xué)層總重量的至少30重量％，更優(yōu)選為至少60重量％，最優(yōu)選為至少80重量％。另外的常規(guī)組分為穩(wěn)定劑(例如、-、三線態(tài)或發(fā)光猝滅劑)、熔點(diǎn)降低劑、分解促進(jìn)劑或光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)中已描述的任何其他添加劑。優(yōu)選根據(jù)需要添加穩(wěn)定劑或熒光猝滅劑。穩(wěn)定劑(10「、三線態(tài)或發(fā)光猝滅劑)為例如含N或S的烯醇鹽、酚鹽、雙酚鹽、硫醇鹽或雙硫醇鹽的金屬配合物；受阻酚及其衍生物，例如鄰羥基苯基-三唑或鄰羥基苯基-三"秦，或其他UV吸收劑，例如位阻胺(TEMPO或HALS，以及氮氧化物或NOR-HALS);且也如陽離子二亞銨，Paraquatw或0rthoquat鹽，例如⑧KayasorbIRG022、⑧KayasorbIRG040;視情況也如自由基離子，例如N,N，『，N'-四(4-二丁基氨基苯基)-對亞苯基胺-六氟磷酸銨、六氟銻酸銨或高氯酸銨。后者可自O(shè)rganica(Wolfen/DE)購得；⑧Kayasorb牌號可自NipponKayakuCo.Ltd.購得。在一個(gè)優(yōu)選方面中，本發(fā)明提供一種適用于在350-450nm,優(yōu)選405nm附近的激光波長范圍內(nèi)，例如WORM光盤格式的高密度記錄材料的光學(xué)層。光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的制備制造包含本發(fā)明的光學(xué)層的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的方法通常包含以下附加步驟(e)將金屬層(也稱為反射層)施加至光學(xué)層上，(f)施加基于聚合物的第二層(也稱為覆蓋層或保護(hù)層)以完成光盤。(e)反射層金屬反射層的施加優(yōu)選通過濺射、真空氣相沉積或通過化學(xué)氣相沉積(CVD)來實(shí)現(xiàn)。濺射技術(shù)對于金屬反射層的施加尤其優(yōu)選。適用于反射層的反射材料尤其包括提供對用于記錄及重放的激光器輻射的良好反射的金屬，例如元素周期表的第III、IV及V主族的金屬及副族的金屬。Al、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu及其合金尤其合適。由于其高反射率及易于制造而優(yōu)選鋁、銀、銅、金或其合金的反射層。(f)覆蓋層適用于覆蓋層的材料包括塑料，其是以薄層形式直接地或借助于粘接層施加至載體或最上層上。覆蓋層的材料可例如與基材的材料相同。選擇可進(jìn)一步改性的具有良好表面性能的機(jī)械及熱穩(wěn)定性塑料是有利的。塑料可為熱固性塑料及熱塑性塑料。優(yōu)選經(jīng)輻射固化(例如，使用UV輻射)的保護(hù)層，其制造尤其簡單且經(jīng)濟(jì)。已知許多種輻射可固化材料。輻射可固化單體及低聚物的實(shí)例為二醇、三醇及四醇的丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，芳族四羧酸與在氨基的至少兩個(gè)鄰位上具有d-C4烷基的芳族二胺的聚酰亞胺，及具有二烷基馬來酰亞胺基(例如，二甲基馬來酰亞胺基)的低聚物。本發(fā)明的高密度光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)因此優(yōu)選為可記錄光盤，其包含第一基材，其為具有凹槽的透明基材；光學(xué)層(記錄層)，其使用式(I)化合物形成于第一基材表面上；反射層，其形成于光學(xué)層上；第二基材，其為采用連接層連接至反射層的透明基材。本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)優(yōu)選為WORM型可記錄光盤。其可用作例如可播放式HD-DVD(高密度數(shù)字通用光盤)或Blu-^7@光盤，用作計(jì)算機(jī)的儲(chǔ)存介質(zhì)或用作識別及安全卡或用于制造衍射光學(xué)元件(例如全息圖)。30本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)也可具有另外的層，例如千涉層。也可構(gòu)造具有多個(gè)(例如兩個(gè))記錄層的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)。這些材料的結(jié)構(gòu)及使用為本領(lǐng)域技術(shù)人員所已知。如果存在，則優(yōu)選布置于記錄層與反射層之間和/或記錄層與基材之間且由Ti02、Si3N4、ZnS或有機(jī)硅樹脂的介電材料組成的干涉層。本發(fā)明的這些光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)可通過本領(lǐng)域中已知的方法制造。讀出方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)主要由讀出方法決定；已知的功能原理包括測量透射率或優(yōu)選反射率的變化，但也已知測量例如熒光，代替透射率或反射率。當(dāng)為了反射率變化而構(gòu)造光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)時(shí)，可使用以下結(jié)構(gòu)透明栽體/記錄層(任選地為多層的)/反射層及(如果適宜)保護(hù)層(不必須為透明的)；或載體(不必須為透明的)/反射層/記錄層及(如果適宜)透明保護(hù)層。在第一種情況中，光自栽體側(cè)入射，而在后者情況中，輻射自記錄層側(cè)或當(dāng)適用時(shí)自保護(hù)層側(cè)入射。在兩種情況中，光檢測器均位于與光源相同的一側(cè)。根據(jù)本發(fā)明可使用的記錄材料的首先提及的結(jié)構(gòu)通常為優(yōu)選的。當(dāng)為了光透射率改變而構(gòu)造光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)時(shí)，考慮以下不同結(jié)構(gòu)透明載體/記錄層(任選地為多層的)及(如果適宜)透明保護(hù)層。用于記錄及用于讀出的光可自載體側(cè)或自記錄層側(cè)或當(dāng)適用時(shí)自保護(hù)層側(cè)入射，在此情況下光檢測器總是位于相對側(cè)。合適激光器為具有330-500nm波長的那些激光器，例如具有405至414nm波長的市售激光器，尤其為半導(dǎo)體激光器。例如精確地通過根據(jù)標(biāo)記長度調(diào)制激光器及將其輻射聚焦于記錄層上來進(jìn)行記錄。由專業(yè)文獻(xiàn)已知，目前正在研發(fā)也可能適合于使用的其他方法。本發(fā)明的方法允許以很大可靠性及穩(wěn)定性儲(chǔ)存信息，其突出之處在于非常好的機(jī)械及熱穩(wěn)定性及高光穩(wěn)定性及信息坑的清晰邊界區(qū)。特別的優(yōu)點(diǎn)包括高對比度、低抖動(dòng)及意外地高的信/噪比，以使得實(shí)現(xiàn)優(yōu)異讀出。信息的讀出根據(jù)本領(lǐng)域已知的方法通過使用激光器輻射記錄吸收率或反射率的變化來進(jìn)行。本發(fā)明相應(yīng)地也涉及一種光學(xué)數(shù)據(jù)記錄、儲(chǔ)存及重放信息的方法，其中使用本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)。記錄及重放有利地在330至5OOnm的波長范圍中進(jìn)行。式(I)化合物在用于本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的光學(xué)層中時(shí)提供尤其優(yōu)選的性能。他們具有當(dāng)以固態(tài)薄膜形式使用時(shí)所證實(shí)的所需光學(xué)特性有利地均勻、無定形及低散射性光學(xué)層，在吸收鐠帶的較長波長側(cè)翼下的高折射率，其優(yōu)選在330至500nm范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)1.0至3.0的折射率的n值，在高功率密度的激光器輻射下的高敏感性及在所需光鐠范圍內(nèi)的良好重放特性，與本領(lǐng)域中已知的染料相比增強(qiáng)的光敏感性及穩(wěn)定性(在曰光中及在低功率密度的激光器輻射下)，均一指令碼寬度及高對比度，在如對于藍(lán)光激光器應(yīng)用而言優(yōu)選的330nm與500nm之間、更確切而言400至500nm的優(yōu)選范圍內(nèi)的吸收最大值(入歸x)在180。C與300°C、更確切而言25(TC至30(TC之間的優(yōu)選溫度范圍內(nèi)的分解點(diǎn)(DP),充分》文熱(HR)?；衔锏挠涗浶芘c對于光盤所測量的特定參數(shù)有關(guān)，如低仿真位錯(cuò)誤率(SbER)低內(nèi)部奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤率(PI錯(cuò)誤)高反射率(R)低激光器記錄功率(Pw:功率，或OPC:最佳功率控制)越低越好不同激光器讀出功率下的良好讀出穩(wěn)定性*適當(dāng)?shù)木植宽憫?yīng)信噪比(PRSNR):越高越好吸收邊緣甚至在固相中意外地為陡峭的。式(I)化合物也顯示符合熱要求的180。C至350。C的窄分解溫度。另外，這些化合物在有機(jī)溶劑中顯示高溶解度，這對于制造光學(xué)層的旋涂法而言為理想的。由于使用本發(fā)明的染料，本發(fā)明的記錄介質(zhì)有利地具有均勻、無定形及低散射的記錄層。另外的優(yōu)點(diǎn)為日光中及在O.4mW激光器輻射下的光穩(wěn)定性，結(jié)合在中等激光器輻射下的高敏感性，這意謂著盡可能低的功率密度(0PC對于1倍速優(yōu)選小于8.0mW且對于2倍速優(yōu)選小于llmW)，良好的熱及儲(chǔ)存穩(wěn)定性。尤其在以較高速度記錄的情況下，所需OPC應(yīng)盡可能低。具體實(shí)施方式實(shí)施例UV-vis對于UV-vis光i普，化合物的Amax及s值是通過使用UV-vis分光光度計(jì)來測定，將化合物溶解于CH2C12、DMSO或tfp中。通過平衡對于三種不同濃度的化合物溶液進(jìn)行的測量來獲得所述值。熔點(diǎn)(MP)對于熔點(diǎn)的測定，將化合物或組合物引入玻璃毛細(xì)管中。使用以下概況來加熱毛細(xì)管2(TC至350。C的溫度范圍，2。C/分鐘的加熱速率。熱分解分解點(diǎn)(DP)及放熱(HR)對于DP及HR的測定，將化合物引入密封鋁盤中。分析條件如下25。C至400。C的溫度范圍，10。C/分鐘的加熱速率，50毫升/分鐘的氮?dú)饬魉佟?shù)值通過單次測量來測定。另外，在測量熔點(diǎn)的同時(shí)也觀察局部響應(yīng)信噪比(PRSNR)PRSNR的定義及測量才支術(shù)描述于可購自DVDFormatLogoLicensingCo.，Ltd.的書中，例如AnnexHofVersion0.9，PARTIPhysicalSpecifications,DVDSpecificationsforHighDensityRead-0nlyDisk。PRSNR越高越好。仿真位錯(cuò)誤率(SbER)SbER的定義及測量技術(shù)描述于可購自歸FormatLogoLicensingCo.,Ud.的書中，例如AnnexHofVersion0.9，PART1PhysicalSpecifications,DVDSpecificationsforHighDensityRead—OnlyDisk。SbER越低越好。PRSNR及SbER在信息已記錄于相鄰磁道中的狀態(tài)下測量。反射率(R)光反射率(R)的定義及測量技術(shù)描述于可購自DVDFormatLogoLicensingCo.，Ud.的書中，例如AnnexDofVersion0.9，PARTIPhysicalSpecifications,DVDSpecificationsforHighDensityRead-0nlyDisk。R越高越好。循環(huán)數(shù)目測量各種參數(shù)，例如PRSNR及SbER的由于重復(fù)讀出的降級程度。直至達(dá)到最低規(guī)格或相當(dāng)效能之前的循環(huán)數(shù)目越高越好。"Ex."意指實(shí)施例，"Comp.Ex."意指比較實(shí)施例。"nd"意指未測定。實(shí)施例l重氮化反應(yīng)及偶氮偶合反應(yīng)將32.2g濃HCl水溶液逐滴添加至由在100ml水中的12.4g2-甲氧基苯胺組成的溶液中。^使用冰浴將溫度降低至0。C且逐滴添加20.8ral亞硝酸鈉水溶液(33.3重量％)，同時(shí)將溫度維持在低于5C。將所得溶液在0。C下攪拌1小時(shí)且在10。C下將其逐滴添加至由17.6g1，3，3-三甲基-2-甲基-二氫吲哚、31.8gNa2C03、100ml甲醇及30ml水組成的混合物中。在完全添加之后，將所得混合物在10。C下攪拌1小時(shí)。接著添加濃34HCl水溶液直至pH-7。過濾所得沉淀物，用1000ml水洗滌且風(fēng)干以得到28.3g黃色中間體，也即式(Vd_l)化合物。烷基化方法A將28.3g所得式(Vd-1)化合物吸收于200ml甲基乙基酮中，添加47g甲基碘且在大氣壓下使所得混合物回流48小時(shí)。將溫度冷卻至室溫且過濾所形成的沉淀物，每次用15ml甲基乙基酮洗滌3次且在6(TC下真空下千燥24小時(shí)。獲得22.4g橙色固體形式的式(1_1)化合物。實(shí)施例2至8:重氮化及偶合反應(yīng)使用相應(yīng)的苯胺化合物來進(jìn)行根據(jù)實(shí)施例1的重氮化及偶合反應(yīng)以經(jīng)由式(Vd—2)、(Vd-3)、(Vd-4)、(Vd-5)及(Vd-7)的中間體化合物得到式(2_1)、(3—1)、(4_1)、(1一C1)、(3-Cl)、(5一C1)及(7—1)的化合物。實(shí)施例2至4及8:烷基化方法A使用相應(yīng)的中間體來進(jìn)行根據(jù)實(shí)施例1的烷基化反應(yīng)。在所需最終化合物不沉淀的情況下，將反應(yīng)混合物蒸千且該化合物不經(jīng)進(jìn)一步純化而使用，這例如為實(shí)施例4的情形。實(shí)施例5:烷基化方法B將自實(shí)施例5的重氮化及偶合反應(yīng)獲得的固體吸收于120ml氯苯中且將混合物加熱至80。C。逐滴添加3.18gN-乙基二異丙基胺，隨后添加14.9g硫酸二曱酯。將所得混合物于85。C下攪拌10小時(shí)。蒸汽蒸餾氟苯。向所得混合物中添加45gNaCl且將所得混合物蒸干。在60。C下在真空下干燥所得固體24小時(shí)。獲得71g含有式(1_C1)化合物的物質(zhì)。實(shí)施例6及7:烷基化方法B使用相應(yīng)的中間體來進(jìn)行根據(jù)實(shí)施例5的烷基化反應(yīng)，產(chǎn)生式(3—C1)及(5—C1)的化合物。組合及細(xì)節(jié)在表(A2)及(A3)中給出。表(A2)<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>實(shí)施例9將23.6g2-氨基-4-硝基-6-乙酰氨基苯酚添加至190ml水中，隨后逐滴添加36g濃HCl水溶液。將溫度冷卻至0。C且逐滴添加25.5ml亞硝酸鈉水溶液(33.3重量％)，同時(shí)將溫度保持在低于5。C。在此溫度下攪拌黃色混合物l小時(shí)。接著將混合物轉(zhuǎn)移至于210ml水中含有23.lg式(IVa-丁基)化合物、45.9g乙酸鈉的混合物上。(IVa—丁基)HO在完全添加之后，將所得混合物在室溫下攪拌l小時(shí)。過濾所得棕黃色沉淀物，用800ral水洗滌且在60。C下在真空下干燥24小時(shí)。獲得37.5g黃色固體形式的式(IV-ll)化合物。實(shí)施例IO將22.9g根據(jù)實(shí)施例9制備的式(IV—11)化合物、15.OgCoS04*7H20及1000ml乙腈在大氣壓下回流20分鐘。逐滴添加16.3g三乙胺且將所得混合物在大氣壓下回流1小時(shí)30分鐘。在冷卻至室溫之后，過濾溶液且通過蒸餾移除大部分溶劑。向所得紫色漿料中逐滴添加16Om1乙醇且將混合物在大氣壓下回流l小時(shí)。在冷卻至室溫之后，過濾綠棕色沉淀物，用60ml乙醇洗滌且接著用180ml水洗滌且在60。C下在真空下干燥24小時(shí)。獲得24.2g棕黑色固體形式的式(11—6)化合物。表(A5)顯示式(IV—11)及(11_6)的化合物的物理-化學(xué)性能。表(A5)<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>實(shí)施例ll將171.Og根據(jù)實(shí)施例S制備的含有式(1-C1)化合物的固體在700ml乙醇中攪拌l小時(shí)。過濾所得混合物。接著將濾液逐滴添加至在大氣壓下回流的由64.4g式(10—6)化合物及640ml乙醇組成的混合物中。在完全添加之后，將混合物在大氣壓下回流4h。在冷卻至室溫之后，過濾沉淀物，用"0ml乙醇且接著用S000ml水洗滌且在65X:下在真空下干燥24小時(shí)。獲得72.Og橙棕色固體形式的式(IO一I)化合物。實(shí)施例12至17使用包含式(1)至(5)的化合物的相應(yīng)的前體，包含式(10)及(11)的化合物的相應(yīng)的前體來進(jìn)行根據(jù)實(shí)施例ll的制備。組合及細(xì)節(jié)在表(A6)中給出。<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>表(A7)顯示式(10—1)、(10-2)、(10-3)、(10—4)、(10_5)、(11—1)及(11_2)的化合物的物理-化學(xué)性能。<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>應(yīng)用實(shí)施例l研究式(I)化合物的光學(xué)及熱性能。式(I)化合物在所需波長下顯示高吸收。另外，仍對光盤反射率及清晰標(biāo)記邊緣的形成具有關(guān)鍵性的吸收光語形狀由一個(gè)包含于330至500nm范圍內(nèi)的主鐠帶組成。更確切而言，折射率的n值經(jīng)評價(jià)介于l.0與2.7之間。發(fā)現(xiàn)光穩(wěn)定性與商業(yè)染料相當(dāng)，這些商業(yè)染料已經(jīng)采用猝滅劑穩(wěn)定化用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄。在所需溫度范圍內(nèi)的熱分解的清晰閾值是希望應(yīng)用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層中的式(I)化合物的特征。應(yīng)用實(shí)施例2-光學(xué)層及光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)將基于溶劑重量計(jì)1.4重量％的根據(jù)實(shí)施例11制備的式(10-1)化合物溶解于2，2，3,3-四氟丙-l-醇中且將溶液經(jīng)由孔尺寸為O.2微米的聚四氟乙烯(Teflon)過濾器過濾，且通過以1000rpm旋涂施加至120mm直徑的O.6mm厚的有槽聚碳酸酯光盤的表面。過量溶液是通過增加旋轉(zhuǎn)速度而旋脫。在溶劑蒸發(fā)時(shí)，染料以均一、無定形固體層(光學(xué)層)的形式保留下來。在真空涂布設(shè)備中將光學(xué)層于70。C下(10min)的循環(huán)空氣烘箱中干燥之后，接著將100iam厚的銀層通過霧化施加至記錄層上。接著將6jam厚的UV可固化感光聚合物(650-020，DSM)的保護(hù)層通過旋涂方式施加至其上。最后，提供第二基材，以使用連接層與樹脂保護(hù)層結(jié)合。這完成高密度可記錄光盤(光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì))的制造。評價(jià)測試使用可自PulseTechCo.，Ltd.購得的光盤評價(jià)設(shè)備來進(jìn)行。測試條件如下光學(xué)頭的數(shù)值孔徑(M):0.65用于記錄及再現(xiàn)的激光波長405nm恒定線速度(CLV):6.61m/sec.*》茲道間i巨400nm39凹槽磁道的擺動(dòng)幅度14nm凹槽深度90nm。比較實(shí)施例l使用根據(jù)WO2006/106110A制備的式(d6CoBY28)化合物進(jìn)行應(yīng)用實(shí)施例2。IJ(d6C。BY28)采用多種化合物根據(jù)應(yīng)用實(shí)施例2的測試的結(jié)果概括于表(D)中。表(D)<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>對于所述記錄層制造的一次寫入式光盤中的每種進(jìn)行測試以評價(jià)因重復(fù)再現(xiàn)而降級的程度。在O.4raW的讀出激光器功率下進(jìn)行讀出且接著測量PRSNR及SbER的降級程度。發(fā)現(xiàn)最大循環(huán)數(shù)目在規(guī)格之內(nèi)。權(quán)利要求1.式(I)化合物在用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層中的用途，An-*Cat+(I)Cat+為式(II)化合物；An-為式(III)化合物；M代表三價(jià)金屬原子，優(yōu)選選自化學(xué)元素周期表第3、4、5、6、7、8、9、10、11及12族；R9為C1-4烷基或NH-苯基；R1a選自H、O-C1-4烷基、CO-苯基、O-苯基及S-苯基；R2a選自H、正丙基、異丙基、O-C1-4烷基、CO-苯基、O-苯基及S-苯基；前提條件是，如果R2a為甲氧基或H，則R1a不為H；R10、R11、R12及R13相同或不同，且彼此獨(dú)立地選自由以下基團(tuán)組成的組H、CN、CF3、鹵素、NO2、OH、SH、SO2-NR21R22、CO-R20、SO2R20、CO-NR21R22，C1-10烷基、C3-10環(huán)烷基，該C1-10烷基及該C3-10環(huán)烷基彼此獨(dú)立地未經(jīng)取代或經(jīng)1至4個(gè)相同或不同的取代基取代，這些取代基彼此獨(dú)立地選自C1-10烷基、鹵素、OH、CN、CF3、C6-12芳基及NR21R22，C6-C12芳基、O-C6-12芳基、S-C6-12芳基，該C6-12芳基及該O-C6-12芳基及該S-C6-12芳基未經(jīng)取代或經(jīng)1至4個(gè)相同或不同的取代基取代，這些取代基彼此獨(dú)立地選自C1-10烷基、C3-10環(huán)烷基、OH、NO2、CN、鹵素、CF3、C6-12芳基、O-C1-10烷基、S-C1-10烷基及NR21R22，O-C1-10烷基、S-C1-10烷基、O-C3-10環(huán)烷基、S-C3-10環(huán)烷基、NHCOR20及NR21R22；所述R21及R22殘基相同或不同，且彼此獨(dú)立地選自H、C1-10烷基、C6-12芳基及C1-12烷基-NR23R24；所述R23及R24殘基相同或不同，且彼此獨(dú)立地選自H、C1-10烷基及C6-12芳基；所述R20殘基相同或不同，且彼此獨(dú)立地選自O(shè)H、C1-6烷基、C6-10芳基及O-C1-6烷基。2.根據(jù)權(quán)利要求l的式(I)化合物的用途，其中M選自Co、Cr、Fe及Al;R9為CH烷基；Rla選自H、甲氧基、CO-苯基、O-苯基及S-苯基；R2a選自H、異丙基、曱氧基、CO-苯基、O-苯基及S-苯基；前提條件是，如果R2a為甲氧基或H,則Rla不為H;R12為恥2;Rll為H或N02;R10為H或NHCOCH3;R13為H。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的式(I)化合物的用途，其中M選自Co、Fe及Al;R9為正丁基；Rla選自H、甲氧基、C0-苯基、O-苯基及S-苯基；R2a選自H、異丙基及曱氧基；前提條件是，如果R2a為甲氧基或H，則Rla不為H;R12為N02;R10為H或NHC0CH3;R11及R13為H。4.根據(jù)權(quán)利要求l-3中一項(xiàng)或多項(xiàng)的式(I)化合物的用途，其中Cat+選自式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)及(7)的化合物;<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>以及An-為式(10)化合物或(11)化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>(11)5.根據(jù)權(quán)利要求l-4中一項(xiàng)或多項(xiàng)的式(I)化合物的用途，其中該式(I)化合物選自式(10—1)、(10—2)、(10-3)、(10_4)、(10—5)、(11-1)及(11-2)的化合物，這些化學(xué)式如表(A)中限定，表(A)<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>其中該表(A)中的該An-及該Cat+如權(quán)利要求4中所限定。6.式(I)化合物，其如權(quán)利要求l中所限定。7.根據(jù)權(quán)利要求6的式(I)化合物，其中M、R9、Rla、R2a、RIO、Rll、R12及R13如權(quán)利要求2中所限定。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的式(I)化合物，其中M、R9、Rla、R2a、RIO、Rll、R12及R13如4又利要求3中所限定。9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中一項(xiàng)或多項(xiàng)的式(I)化合物，其中Cat+如權(quán)利要求4中所限定；且An-如權(quán)利要求4中所限定。10.根據(jù)權(quán)利要求6或9中一項(xiàng)或多項(xiàng)的式(I)化合物，其中該化合物選自如權(quán)利要求5中所限定的化合物。11.制備如權(quán)利要求6至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)中所限定的式(I)化合物的方法，其是通過相應(yīng)的式(III—6)化合物與相應(yīng)的式(II-鹽)化合物之間的復(fù)分解反應(yīng)而進(jìn)行，式(III)化合物*式(6)化合物(III—6)_<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>該式(II)化合物如權(quán)利要求l中所限定，且該陰離子(II)選自卣離子、硫酸根及曱基硫酸根。12.式(11—6)化合物，式(ll)化合物*式(6)化合物(1!_6)該式(6)化合物如權(quán)利要求ll中所限定且該式(11)化合物如權(quán)利要求4中所限定。13.根據(jù)權(quán)利要求12的式(11-6)化合物用于制備如權(quán)利要求6至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)中所限定的式(I)化合物的用途。14.制備根據(jù)權(quán)利要求12的式(11-6)化合物的方法，其是通過式UV-ll)化合物與二價(jià)鈷鹽在三乙胺存在下的配合反應(yīng)而進(jìn)行，(iv-u)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>15.式(IV一11)化合物，其如權(quán)利要求14中所限定。16.如權(quán)利要求14中所限定的式(IV—11)化合物用于制備如權(quán)利要求12中所限定的式(11_6)化合物的用途。17.制備如權(quán)利要求14中所限定的(IV_11)化合物的方法，其是由式(IVa—11)與式(IVb-ll)化合物的偶氮偶合反應(yīng)而進(jìn)行，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>18.式(11—鹽)化合物，其如權(quán)利要求ll中所限定。19.根據(jù)權(quán)利要求i8的式(n一鹽)化合物，其中該式(n)化合物選自如權(quán)利要求4中所限定的式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)及(7)的化合物，且該陰離子(II)如權(quán)利要求ll中所限定。20.根據(jù)權(quán)利要求18或19的式(II-鹽)化合物，其中該化合物選自如表(A1)中所限定的式(1-I)、(2—1)、(3-1)、(4—1)、(l-Cl)、(3_C1)、(5-C1)及(7_1)化合物，表(A1)式(n一鹽)化合物式仰化合物陰離子(n)下式化合物下式化合物<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>該表(Al)中的該式(II)化合物如權(quán)利要求4中所限定。21，根據(jù)權(quán)利要求18至20中一項(xiàng)或多項(xiàng)的式(11_鹽)化合物用于制備根據(jù)權(quán)利要求6至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)的式(I)化合物的用途。22.制備根據(jù)權(quán)利要求18至20中一項(xiàng)或多項(xiàng)的式(11_鹽)化合物的方法，其是通過式(Vd)化合物與曱基碘或與疏酸二甲酯的烷基化反應(yīng)而進(jìn)行，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>該Rla及R2a如權(quán)利要求6至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)中所限定。23.如權(quán)利要求22中所限定的式(Vd)化合物。24.根據(jù)權(quán)利要求23的式(Vd)化合物，其中該化合物選自式(Vd-1)、(Vd—2)、(Vd_3)、(Vd—4)、(Vd—5)或(Vd—7)化合物，25.根據(jù)權(quán)利要求23或24的式(Vd)化合物用于制備如權(quán)利要求18至20中一項(xiàng)或多項(xiàng)的式(II-鹽)化合物的用途。26.制備如權(quán)利要求23或24的式(Vd)化合物的方法，其是通過相應(yīng)的式(Va)化合物與相應(yīng)的式(Vb)化合物的偶氮偶合反應(yīng)而進(jìn)行，(Vd_l)(Vd一3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>該Rla及R2a如權(quán)利要求6至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)中所限定。27.光學(xué)層，其包含如權(quán)利要求6至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)中所限定的式(I)化合物。28.制造根據(jù)權(quán)利要求27的光學(xué)層的方法，其包括以下步驟(a)提供基材，(b)將至少一種如權(quán)利要求6至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)中所限定的式(I)化合物溶解于有機(jī)溶劑中，以形成溶液，(c)將該溶液(b)涂布于該基材(a)上，(d)蒸發(fā)該溶劑，以形成光學(xué)層。29.光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，其包含根據(jù)權(quán)利要求27的光學(xué)層。全文摘要本發(fā)明涉及二氫吲哚鎓二氮雜次甲基型陽離子與基于吡啶酮的偶氮金屬配合物陰離子的染料鹽在用于光學(xué)數(shù)據(jù)記錄，優(yōu)選用于使用波長至多450nm的激光器的光學(xué)數(shù)據(jù)記錄的光學(xué)層中的用途。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種能夠采用藍(lán)光激光器的輻射來記錄及再現(xiàn)信息的一次寫入多次讀出(WORM)型光學(xué)數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，該介質(zhì)于光學(xué)層中應(yīng)用二氫吲哚鎓二氮雜次甲基型陽離子與基于吡啶酮的偶氮金屬配合物陰離子的染料鹽。文檔編號G11B7/254GK101681650SQ200880008344公開日2010年3月24日申請日期2008年5月7日優(yōu)先權(quán)日2007年5月9日發(fā)明者C·克萊因,J-C·格拉賽特,L·魯克,M·A·溫特爾申請人:科萊恩金融(Bvi)有限公司