專利名稱：具有改進的磁各向異性場的垂直磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
01本發(fā)明是關(guān)于垂直磁記錄介質(zhì)和制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
02圖1圖解說明用于垂直記錄的現(xiàn)有技術(shù)磁記錄介質(zhì)10。介質(zhì)IO包括基底11、粘附層12、軟襯層("SUL"， soft underlayer)結(jié)構(gòu)13、鉭(Ta)籽晶層14、密排六方晶格的("HCP") RuCr3。合金層15、HCPRu (釕)層17、底部磁性HCPCoCrnP^(Si02)2合金層18、蓋面磁性HCP CoCr!6Pt,8(Ti02)L5合金層19和碳保護性外涂層20。層18和19的HCP晶體的〈0001〉軸(C軸)優(yōu)選垂直定向。提供層14、 15和17，以便當(dāng)放置層18和19時促進C軸的垂直定向以及增強層18和19中的晶粒分離，這使得磁性層18和19的矯頑磁性Hc提高。
03當(dāng)介質(zhì)在使用時，層18和19磁性存儲已記錄的數(shù)據(jù)。層18的Hc大于層19的Hc。在反應(yīng)濺射期間，層18中的非晶氧化物晶界形成，以去親層18的磁性晶粒，以便層18的單個晶?？梢元毩⒌卮判赞D(zhuǎn)換，從而減少層18展現(xiàn)的噪音。層18的氧化物含量由給定目標(biāo)中的兩種氧化物含量和反應(yīng)濺射程度控制。遺憾的是，非晶氧化物晶界的形成可降低磁化的垂直定向并引起在層18中寬的開關(guān)場分布，如在 H. S. Jung 等人的 "Effect of Oxygen Incorporation onMicrostructure and Media Performance in CoCrPt-Si02 PerpendicularRecording Media", IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 43, No. 2， pp.615-620， Feb. 2007中所討論的。層19 (其不具有氧化物含量或具有減少的氧化物含量，并且比層18具有更多的晶粒間互換作用)被用于修整層18的磁特性并改善雙磁性層18、 19中的磁化的垂直定向。
04SUL結(jié)構(gòu)13由通過薄Ru層13b分開的軟磁性層13a和13c組成。由于Ru層13b，層13a和13c彼此反鐵磁性耦合。SUL結(jié)構(gòu)13提供了從讀寫頭(未顯示)的寫磁極到返回磁極的磁通量回路。05如上所述，層15和17分別由RuCr3o和Ru組成。為了獲得窄的結(jié)晶C軸定向分布和優(yōu)良的結(jié)晶度，需要較厚的RuCr3()襯層15 。遺憾的是，Ru是昂貴的并且供應(yīng)不足。因此，期望的是，減少在介質(zhì)10中含Ru層的數(shù)目，同時仍實現(xiàn)層18和19的優(yōu)良垂直定向以及高Hc。
06其它垂直磁記錄介質(zhì)在美國專利申請2004/0247945、美國專利7,067,206、美國專利申請2006 / 0093867、美國專利6,902,835、美國專利申請2003 / 0170500、美國專利申請2004 / 0023074和美國專利申請2006/0275629中予以討論。

發(fā)明內(nèi)容
07磁記錄介質(zhì)包括第一、第二和第三襯層以及磁記錄層。所述磁記錄層是通常包含一個或更多個磁性Co合金層的HCP材料。所述襯層促進所述磁性層的C軸的垂直定向并且增強晶粒分離，這導(dǎo)致所述磁性層的矯頑磁性增加。第一襯層是通常包含非晶Ta或Ta合金的籽晶層并且是無磁性的。
07第二襯層是無磁性的并且通常包含NiW合金而且通常具有FCC晶體結(jié)構(gòu)。在一個實施方式中，第二襯層包含NiWx，其中x在6與15之間。所述合金的剩余部分包含Ni。在另一實施方式中，所述合金的剩余部分包含其它添加劑，但在其它實施方式中，所述合金的剩余部分是大約100% Ni。
09所述第三襯層通常是無磁性HCP材料，并且可包含Ru (包括Ru基合金)或者Co-基合金，其可包含Cr、 Ta、 W、 Mo、 Nb、 Ti、Hf、 Y、 V、 Sr、禾B Ni中的一個或多個。我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過使用這些材料，我們可以獲得優(yōu)良的晶體生長(例如，具有所述磁性層的C軸垂直定向)和高磁性矯頑磁性，同時使用比介質(zhì)10更少的Ru。我們也發(fā)現(xiàn)，我們可獲得降低的躍遷噪音和改善的熱穩(wěn)定性。
10在一個實施方式中，所述介質(zhì)包括在所述襯層上形成的兩個磁性層。
11在一個實施方式中，所述介質(zhì)包括基底和在所述襯層下面形成的SUL。期望的是，使SUL與磁性層之間的層的厚度最小化。最重要的是，通過使用包含Ta的籽晶層和包含NiW合金的第二襯層， 我們能夠?qū)崿F(xiàn)這個目標(biāo)。
12在一個實施方式中，所述SUL包含通過薄Ru層分開的第 一和第二軟磁性層。所述第一和第二軟磁性層彼此反鐵磁性耦合。然 而，在另一實施方式中，所述SUL僅包含單層。
13如上所述，由于包含Ta和NiW的襯層的獨特組合，我們 可獲得高Hc，對于單個或底部磁性層的情況，甚至當(dāng)?shù)撞看庞涗泴颖?時，例如7nm，我們可獲得大約7kOe的高Hc，同時獲得tt:良的結(jié)晶 C軸定向。薄底部磁記錄層中高Hc的好處在于雙磁記錄層中的躍遷噪 音降低以及熱穩(wěn)定性改善。與傳統(tǒng)的襯層結(jié)構(gòu)相比，我們已能夠?qū)崿F(xiàn) 0.6到1.3分貝(dB)的介質(zhì)信噪比SNRme改善。


14圖l圖解說明按照現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)造的磁記錄介質(zhì)的橫截面。15圖2圖解說明按照本發(fā)明的第一實施方式構(gòu)造的磁記錄介 質(zhì)的橫截面。
16圖3圖解說明按照本發(fā)明的第二實施方式構(gòu)造的磁記錄介 質(zhì)的橫截面。
17圖4圖解說明各種無磁性襯層的厚度與底部磁記錄層的矯 頑磁性Hc之間的關(guān)系。
18圖5A和5B圖解說明各種無磁性襯層的厚度與隨后沉積的 Ru和Co合金層的晶體定向(晶體取向)之間的關(guān)系。
19圖6圖解說明各種無磁性襯層的厚度與雙磁記錄層的矯頑 磁性Hc之間的關(guān)系。
20圖7圖解說明各種無磁性襯層的厚度與雙磁記錄層的飽和 場Hs之間的關(guān)系。
21圖8圖解說明各種無磁性襯層的厚度與雙磁記錄層的成核 場(或形核場)Hn之間的關(guān)系。
22圖9圖解說明各種無磁性襯層的厚度與雙磁記錄層的磁寫 入寬度("MWW")之間的關(guān)系。
23圖10圖解說明各種無磁性襯層的厚度與雙磁記錄層的介質(zhì)
5信噪比SNR^之間的關(guān)系。
24圖11圖解說明各種無磁性襯層的厚度與雙磁記錄層的DC 擦除信噪比SNR:x:之間的關(guān)系。
25圖12圖解說明各種無磁性襯層的厚度與雙磁記錄層的反向 重寫性能OW2之間的關(guān)系。
26圖13圖解說明無磁性NiWn)層的厚度與雙磁記錄層的剩余 矯頑磁性的溫度系數(shù)dHcr/dT之間的關(guān)系。
27圖14A和14B圖解說明Ta籽晶層和無磁性NiWu)層的厚 度對隨后沉積的Ru和Co合金層的晶體C軸定向的影響。
28圖15A圖解說明在存在以及不存在Ta籽晶層的情況下
NiWu)合金層的厚度與磁記錄介質(zhì)的SNR^之間的關(guān)系。
29圖15B圖解說明在存在以及不存在Ta籽晶層的情況下
NiTi,。合金層的厚度與磁記錄介質(zhì)的SNR咖之間的關(guān)系。
30圖16圖解說明包括按照本發(fā)明的磁盤的磁盤驅(qū)動裝置的橫截面。
具體實施例方式
31參考圖2，磁記錄介質(zhì)100包括基底102、粘附層104、 SUL 106、籽晶層108、無磁性層110、 HCP無磁性層112、底部磁記錄層 114、蓋面磁記錄層116和保護性碳外涂層118。薄潤滑劑層諸如全氟 聚醚(未顯示)可以被施加于外涂層118的上表面。盡管圖2僅僅顯 示基底102 —側(cè)上的多個層，但是通常這些層在基底102的兩側(cè)上形 成。
32基底102可以是玻璃、玻璃陶瓷、鍍NiP的鋁合金基底(例 如，AlMg基底)或其它適當(dāng)?shù)牟牧??；?02可以是有紋理的或無紋 理的。
33粘附層104可以是Cr、 CrTi、 Ti或其它材料。在一個實施 方式中，層104是5nm厚的Ti，盡管可以使用其它厚度。替代地，粘 附層104可以省略。
34SUL 106可以包含Co-基磁性軟材料，例如，與Ta、 Zr、 Nb、 Ni、 Fe和B中一個或更多個組成合金的Co。替代地，SUL 106
6可以包含Co-基磁性軟材料，其含有氧化物以及Ta、 Zr、 Nb、 Ni、 Fe 和B中一種或更多種。在另一實施方式中，SUL 106可以包含通過薄 Ru中間層106b分開的第一和第二軟磁性層106a、 106c (見圖3)。在 一個這樣的實施方式中，層106a是40nm厚的CoTa5Zr5合金，層106b 是6與9埃之間(例如，8埃)厚的Ru，以及層106c是40 nm厚的 CoTa5Zr5。在圖3的實施方式中，由于釕(Ru)層106b的存在，層106a 和106c反鐵磁性耦合。
35籽晶層108是3nm厚的非晶Ta。然而，在其它實施方式中， 層108可以具有其它厚度，例如在2與15nm之間。同樣，在其它實 施方式中，層108是Ta合金，例如包含卯％到大約100%的Ta。
36層UO是無磁性FCC NiW合金諸如NiW,o，并且可以是1 與15nm之間的厚度，并且優(yōu)選是2與6nm之間的厚度。
37層112是15nm厚的HCPRu。然而，在其它實施方式中， 層112可以具有其它厚度，例如在10與30nm之間，并且可以是另一 種HCP材料，諸如Ru基合金，或者Co基合金，其包含Cr、 Ta、 W、 Mo、 Nb、 Ti、 Hf、 Y、 V、 Sr或Ni中的一種或更多種。
38層114可以是CoCr17Pt18(Si02)2以及層116可以是 CoCn6Pt^(Ti02)L5。層114與116每一個的厚度是7 nm，盡管在其它 實施方式中層114和116具有其它組成和厚度。在層114中添加氧化 物Si02以及在層116中添加Ti02，降低了磁晶粒之間的晶粒間交換耦 合。
39碳外涂層118可以包含由碳的閃光層覆蓋通過離子束沉積 作用而沉積的類似鉆石的氫化碳層。適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)實例在授予Lairson等 的美國專利6,855,232——該專利轉(zhuǎn)讓給Komag Inc.并且通過參考并入 此處——中予以討論。層118可以是2.5 nm厚。然而，可以使用其它 材料代替碳，例如Zr02。
40按照我們的發(fā)明的磁盤可以通過隨后在基底102上沉積層 104、 106、 108、 110、 112、 114、 116和118來制造，例如通過真空淀 積工藝，諸如濺射、蒸發(fā)或其它技術(shù)。如上所述，層118可以包含兩 個碳基子層，第一子層通過離子束沉積作用沉積而第二子層通過濺射 沉積。
41我們已經(jīng)進行了實驗，這些實驗證明了介質(zhì)100的優(yōu)越性。
圖4圖解說明了，與其中使用Pd、 NiTij。和RuQ"3o替代NiWH)的介質(zhì) (見曲線121、 122和123)相比，層110的厚度(針對這樣的情況 其中層IIO是無磁性FCC NiWu)并且層108是3 nm厚的非晶Ta)與 底部磁記錄層114的Hc之間的關(guān)系(見曲線120)。如所見的，即使 當(dāng)層108的厚度在2.5與5 nm之間時，包含NiW,。的磁盤展現(xiàn)出獨特 的出眾的Hc。即使當(dāng)?shù)撞坑涗泴?14僅僅7nm厚時，NiWu)顯著地增 加了 Hc，從厚度2.5 nm時的6 kOe增加到5.0 nm厚度時的大約7 kOe。
42我們同樣已經(jīng)證明，按照我們的發(fā)明，層110的FCC無磁 性NiW合金與層108的非晶Ta的結(jié)合在層112、 114和116中提供了 優(yōu)良的C軸晶體定向。特別地，圖5A和5B圖解說明當(dāng)層108包含 Ta時，靈敏值A(chǔ)05。與層110的厚度之間的關(guān)系，以及相應(yīng)的針對Pd、 NiTiu)和RuCr3o的關(guān)系。Ae5C是C軸定向的變化的量度，以度測量， 由在X射線衍射搖擺曲線中的半最大值處的(0002)峰的總寬度確定。 如所見，對于使用NiW1()的Ru和Co (曲線124和128)，可以獲得比 使用Pd (曲線125和129) 、 NiTi10 (曲線126和130)以及RuCr30 (曲線127和131)低的(0002) A05Q平面。這意味著，有利地，當(dāng)按 照本發(fā)明對層llO使用NiWn)合金時，在Ru和Co磁性層中具有更少 的C軸對準(zhǔn)上的變化。
43圖6圖解說明其中層llO是NiW,o的情況時層110的厚度 與雙磁記錄層114、 116的Hc之間的關(guān)系(見曲線134)，以及其中 使用Pd、 NiTin)和RuCr3o替代NiWn)時的相應(yīng)關(guān)系(見曲線135、 136 和137) 。 2.5 nm厚的NiWn)層提供大約5 kOe的Hc，可與10 nm厚 的RuCf3o層相匹敵(比較曲線134和137)。(再次，對于圖6以及 圖7-13的數(shù)據(jù)，3nm厚的非晶Ta被用作層108。)
44圖7圖解說明層110的厚度與雙磁記錄層114、 116的飽和 場Hs之間的關(guān)系，以及針對Pd、 NiT^和RuCr3o的相應(yīng)關(guān)系。再一次， 與Pd、 NiTin)與RuCr30 (曲線139、 140和141)相比，2.5到5 nm厚 的NiWu)層在所述雙磁性層中提供顯著增加的Hs (曲線138)。較高 的磁各向異性常數(shù)Ku在底部磁性層114中提供較高的Hc和Hs對于 減少介質(zhì)躍遷噪音是重要的，但是其限制了介質(zhì)的可寫入性。Hs的值強烈影響介質(zhì)可寫入性。頂部磁記錄層116的作用有助于通過調(diào)整晶 粒間交換相互作用而最小化具有高Ku的充分分離的底部磁記錄層114 的副作用。He和Hs的增加是由于使用NiW,。引起的，但是其提供了 控制頂部磁記錄層116的組成和厚度的更多余地，以進一步改善記錄 性能。
45圖8圖解說明層110的厚度與雙磁記錄層114、 116的成核 場Hn之間的關(guān)系(曲線142)，以及針對Pd、 NiTiu)與RuCr3。的相應(yīng) 關(guān)系(曲線143、 144和145) 。 Hn與相鄰磁道擦除("ATE")有關(guān)并 且強烈依賴于He和晶粒間交換相互作用。較高的Hn值提供出眾的 ATE，但是如果Hn的增加主要是由增強晶粒間磁相互作用引起的，則 由于躍遷噪音增加，它們會限制SNR (信噪比)。使用中的介質(zhì)通常 應(yīng)當(dāng)具有大于-2.0kOe的Hn值。在圖8中，在NiW1()厚度大于2.5 nm 時，大于-2.0kOe的Hn值得以保持，這主要是由于Hc顯著增加。46
圖9圖解說明層110的厚度與雙磁記錄層114、 116的相對磁寫入寬度 ("MWW")之間的關(guān)系(曲線150)，以及針對Pd、 NiTiu)與RuCr30 的相應(yīng)關(guān)系(曲線151、 152和153)。(所述相對MWW是通過利用 指定的讀寫頭和指定的標(biāo)準(zhǔn)磁盤，比較磁介質(zhì)的寫入寬度而獲得的。) 較窄的MWW是支持較高的線性記錄密度所非常期望的。由于在底部 磁記錄層114中的高Hc分布，甚至在2.5-5 nm厚的NiWu)層獲得減小 的MWW。
47圖10圖解說明層110的厚度與雙磁記錄層114、 116的介 質(zhì)信噪比SNRme之間的關(guān)系(曲線160)，以及針對Pd、NiTin)與RuCr30 的相應(yīng)關(guān)系(曲線161、 162和163)。由于在底部磁記錄層114中高 Hc所引起的窄MWW分布，甚至在2.5到5 nm厚的NiWn)獲得優(yōu)良 的SNRme0
48圖11圖解說明層110的厚度與雙磁記錄層114、 116的DC 擦除信噪比SNRoc之間的關(guān)系(曲線165)，以及針對Pd、 NiTi,o與 RuCr3o的相應(yīng)關(guān)系(曲線166、 167和168)。在2.5 nm厚的NiW10下 SNRdc被保持。這是一種良好的跡象，原因在于與附圖中所示的其它 介質(zhì)相比，所述介質(zhì)具有相對高的Hc和Hs。
49圖12圖解說明了，與Pd、 NiTiu)與RuCr30 (曲線171、 172
9和173)相比，層110的厚度與雙磁記錄層114、 116的相對反向重寫 之間的關(guān)系(曲線170)。反向重寫("OW2")通過其中短波長圖案(2T) 被長波長圖案(15T)重寫的方法進行測量，其中T是驅(qū)動操作中的最 小躍遷間隔。對于用于產(chǎn)生圖12的驅(qū)動器的情況，1T等于966 kFCI (每英寸96.6萬通量反轉(zhuǎn))?？梢钥闯?，2.5 nm厚的NiWu)提供了比 Pd、 NiTi,。和RuCr3。少的OW2，但是當(dāng)考慮高Hc和Hs時，該值不會 更差。50圖13圖解說明層110的厚度和剩余矯頑磁性的溫度系數(shù) dHcr/dT的影響。正如本領(lǐng)域已知的，期望的是具有不隨溫度變化的穩(wěn) 定的剩余矯頑磁性Hcr。對于當(dāng)前的磁記錄應(yīng)用，小于-15 Oe/'C的 dHcr/dT值是非常期望的。圖13顯示，較厚的層110顯著地將Hcr的 溫度靈敏度從0 nm的-16 Oe廠C降低到2.5 nm的-14 Oe廠C以及15 nm 的-10Oe/。C。51圖14圖解說明Ta籽晶層108的存在以及層112 (圖14A) 和層114、 116 (圖14B)的晶體定向(取向)的影響?？梢钥闯?，當(dāng) Ta層108存在時(曲線180、 182)，相比當(dāng)Ta層108不存在時(曲 線18K 183) ， Ru和Co層的A05。更低，這表明更一致的垂直對齊。 使用Ta籽晶層108獲得更窄的Ru和Co的C軸定向，以進一步改善 介質(zhì)性能。52Ta籽晶層108也改善層110的Ae5()。我們己經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)Ta 籽晶層108存在時，NiW層IIO的A05。是2.3，以及當(dāng)Ta籽晶層108 不存在時，其為3.0。53圖15A圖解說明在Ta籽晶層106存在以及不存在的情況下 層110的厚度與SNR^之間的關(guān)系(分別為曲線190和191)?？梢?看出，Ta改善了介質(zhì)的SNRme。圖15B圖解說明當(dāng)使用NiTi1Q代替 NiWu)時，在存在以及缺乏籽晶層106的情況下介質(zhì)的SNRme之間的 關(guān)系(分別為曲線192和193)。54按照本發(fā)明的磁介質(zhì)通常被結(jié)合到磁盤驅(qū)動裝置諸如磁盤 驅(qū)動裝置200中(圖16)。驅(qū)動裝置200包括由馬達202旋轉(zhuǎn)的介質(zhì) 100。 一對讀寫頭204a、 204b通過懸臂206a、 206b連接到致動器208， 致動器208又將頭204a、 204b置于介質(zhì)100的選定軌道上方。頭204a、以及從介質(zhì)100讀取數(shù)據(jù)。盡管圖16在驅(qū)動裝 置200中僅僅顯示了一個介質(zhì)，但是驅(qū)動裝置200可以包括一個以上 的介質(zhì)以及一對以上的讀寫頭。55盡管本發(fā)明己經(jīng)針對具體實施方式
予以描述，但是本領(lǐng)域 技術(shù)人員將認(rèn)識到可以進行形式和細節(jié)上的修改而不背離本發(fā)明的精 神和范圍。例如，籽晶層108可以是非晶的并且基本由Ta或主要為 Ta的非晶態(tài)合金組成，例如，合金中的任何添加劑對該合金的性能不 具有重大的影響。在一個實施方式中，層108是90%至100%的Ta(盡 管如本文所使用的，由100% Ta組成的層不排除通常在通過從商業(yè)可 得的Ta濺射靶例如99.9%純度或更好的靶濺射而形成的層中發(fā)現(xiàn)的那 些雜質(zhì))。56層110可以是NiWx，其中x在6與15之間，并且優(yōu)選在6 與12之間。層llO的剩余部分可以是Ni或者基本上由Ni組成。12% 是W在Ni中的固溶度極限。在濃度超過15%時，W引起NiW結(jié)晶度 下降并且最終變成非晶的，而對于層IIO，使用FCC材料是期望的。 在一個實施方式中，提供W濃度以增加NiW的晶格間距，以便匹配 磁性層的晶格間距。在一些實施方式中，對于低于6%的濃度，W對層 IIO的晶格間距的影響可能是不足的。在一個實施方式中，層110基本 上由Ni和W組成，而在另一實施方式中，層110由Ni和W組成(盡 管，如本文所用的，由材料例如Ni和W組成的層不排除通常發(fā)現(xiàn)于 從商業(yè)可得的濺射靶例如大約99.9%純度或更好的靶濺射而來的層中 的雜質(zhì))。57替代地，層110可以是NiCuWx，其中x在l與15之間， 或者NiCoWx，其中x在6與15之間。在包含Ni、 Cu和W的合金的 情況下，銅含量可以是從0到等于鎳含量的數(shù)量。(這是因為這樣的 組成不會不利地影響層110的FCC晶體結(jié)構(gòu)。)對于包含Ni、 Co和 W的合金的情況，Co含量可以是0到30%。在其它實施方式中，非 Cu和/或Co(或除其之外)的添加劑可以存在于層110的NiW合金中。 在一些實施方式中，Ni是所述合金中的主要成分。再次，這樣的實施 方式是FCC無磁性合金。58層112可以是Ru、 Ru基合金或Co基合金，例如包含Cr、iiTa、 W、 Mo、 Nb、 Ti、 Hf、 Y、 V、 Sr或Ni中的一種或更多種。除此 處描述的那些之外，按照本發(fā)明的磁盤可以包括其它層(包括其它磁 性層)。同樣，可以使用具有不同厚度的層。例如，在一些實施方式 中，磁記錄層的總厚度可以是IO到18nm厚，例如，14與16nm之間 厚。因此，所有這些變化在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其包括基底；在所述基底上形成的軟襯層；在所述軟襯層上形成的包含非晶Ta的籽晶層；在所述籽晶層上形成的包含Ni和W的無磁性FCC合金；在所述無磁性合金上形成的無磁性HCP襯層；和在所述無磁性HCP襯層上形成的磁性層。
2.權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述無磁性合金是包含6 到15原子百分比的W并且剩余部分基本上是Ni的FCC合金，所述磁 性層包含第一和第二子層，所述介質(zhì)還包括在所述軟襯層與所述基 底之間的粘附層和在所述磁性層之上的保護性外涂層。
3. 磁盤驅(qū)動裝置，其包含權(quán)利要求1所述的介質(zhì)。
4. 一種制造磁記錄介質(zhì)的方法，包括 在基底上形成軟襯層；在所述軟襯層上形成包含非晶Ta的籽晶層； 在所述籽晶層上形成包含Ni和W的無磁性FCC合金; 在所述無磁性合金上形成無磁性HCP襯層；和 在所述無磁性HCP襯層上形成磁性層。
5.權(quán)利要求4所述的方法，其中所述無磁性合金是包含6到15原 子百分比的W并且剩余部分基本上是Ni的FCC合金，所述磁性層包 括第一和第二子層，所述方法還包括在所述軟襯層與所述基底之間形成粘附層；和在所述磁性層之上形成保護性外涂層。
全文摘要
垂直磁記錄介質(zhì)，其包括基底、軟襯層、籽晶層、無磁性FCC NiW合金襯層、無磁性HCP襯層和磁性層。我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過獲得優(yōu)良的薄底部磁記錄層的矯頑磁性和窄C軸定向分布，含有鉭(Ta)的籽晶層與NiW合金襯層的組合獨特地改進了介質(zhì)記錄性能和熱穩(wěn)定性。
文檔編號G11B5/66GK101669168SQ200880007190
公開日2010年3月10日 申請日期2008年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月3日
發(fā)明者B·R·阿查亞, E·韋盧, G·伯特羅, H-S·鐘, M·C-C·郭, S·馬爾霍特拉 申請人:西部數(shù)據(jù)傳媒公司