專利名稱：：光信息記錄媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種光信息記錄媒體，特別涉及一種光記錄層中使用有機(jī)色素的藍(lán)光光盤(Blu-rayDisc)等的具有更高記錄密度的光信息記錄媒體。
背景技術(shù)：
：作為信息記錄媒體，光盤等光信息記錄媒體十分普及。此種光信息記錄媒體例如有CD-R等的在厚度為1.2mm、直徑為120mm或者80mm的具有透光性的樹脂基板上依序形成記錄層、反射層的光信息記錄媒體。近年來，業(yè)界要求更高的信息記錄密度。因此，考慮到縮短激光波長(稱為短波長化)且使用數(shù)值孔徑(NA:NumericalAperture)較大的物鏡(稱為高NA化)的方式，且已實(shí)現(xiàn)了如DVD土R等的光信息記錄媒體。為了使經(jīng)過短波長化和高NA化的光盤的傾斜角度(tilt)的容許值變大，所述DVD士R具有以下構(gòu)造將2塊厚度為0.6mm的具有透光性的樹脂基板相貼合，并在所述基板間夾持著反射層和記錄層。另外，近年來為了記錄高精細(xì)的影像數(shù)據(jù)而要求更高的信息記錄密度。因此，提出了追記型藍(lán)光光盤(Blu-rayDisc(注冊商標(biāo))，以下稱為BD)艮卩BD-R(BD-Rewitable，一次性刻錄光盤)之類的具有以下構(gòu)造的光信息記錄媒體在厚度為1.1inm的樹脂基板上形成反射層和記錄層，且在形成了所述反射層和記錄層的面上設(shè)置厚度為0.1mm的透光性覆蓋層。具體來說是指以下的光信息記錄媒體在外徑為120mm、內(nèi)徑為15mm、厚度約為1.1mm的圓盤狀基板上具有光反射層、相變(phasechange)記錄層和厚度約為0.1mm的覆蓋層，且可以從所述覆蓋層側(cè)照射來自數(shù)值孔徑約為0.85的光學(xué)頭(叩ticalhead)的波長約為405nm的激光，將用戶信息記錄在所述記錄層中。所述光信息記錄媒體使用相變記錄層作為記錄層，但是業(yè)界也對使用含色素的記錄層進(jìn)行了研究。但是，如果要在含色素的記錄層上涂布例如透明樹脂材料而形成所述覆蓋層，則會(huì)存在涂液滲透到含色素的記錄層中的問題。針對所述問題，如圖5所示，在日本專利特開2003-36562號(hào)公報(bào)中提出了以下的光學(xué)記錄媒體在基板1上具有反射層2、含色素的記錄層3和覆蓋層5，并透過此覆蓋層5進(jìn)行記錄再生，且在所述記錄層3與覆蓋層5之間設(shè)置有用來防止記錄層3與覆蓋層5相混和的障壁層4。另外還提出，障壁層4是由選自氧化硅、硫化鋅、氧化鋅、氮化硅、碳化硅、氧化鈰、氧化釔、硫化釔以及氧化物與硫的混合物中的至少一種所形成。但是，如所述日本專利特開2003-36562號(hào)公報(bào)中所記載，如果障壁層4使用含有硫的材料，則存在以下問題所述硫與構(gòu)成的反射層2的金屬(例如，Ag等)會(huì)產(chǎn)生反應(yīng)，生成硫化物而導(dǎo)致保存性下降。針對所述問題，在日本專利特開2006-147135號(hào)公報(bào)中提出了以下的光記錄媒體在基板上至少具備含有機(jī)色素的記錄層和覆蓋層，且在所述記錄層與所述覆蓋層之間具有由含有Ta的化合物或者含有Nb的化合物形成的中間層、或者由含有Ta以及/或者Nb的復(fù)合氧化物形成的中間層，且此中間層的層厚為180nm。另外，提出了使用射頻濺射法(RFsputtering,radiofrequencysputtering)或者直流濺射法(directcurrentsputtering)作為所述中間層的形成方法。但是，如所述日本專利特開2006-147135號(hào)公報(bào)所記載，具有由含有Ta的化合物或者含有Nb的化合物形成的中間層、或者具有由含有Ta以及/或者Nb的復(fù)合氧化物形成的中間層的光信息記錄媒體，具體地說是具有由例如70atm呢的Nb20s和30atm呢的A1203的復(fù)合氧化物形成的中間層的光信息記錄媒體，存在如下的問題。具體地說，由例如70atm呢的Nb20s和30atm呢的A1203的復(fù)合氧化物所形成的靶，會(huì)根據(jù)此靶的氧空位(OxygenVacancy)程度而產(chǎn)生導(dǎo)電性差異。例如，如果是無氧空位的狀態(tài)則此耙成為完全絕緣體，如果要使用此靶在所述含色素的記錄層上利用RF濺射法形成所述中間層，則所述中間層的成膜速度變慢，無法容易地進(jìn)行生產(chǎn)，因此生產(chǎn)上并不現(xiàn)實(shí)。另外，在RF濺射裝置中，原本必須在真空室(vacuumchamber)與耙之間施加高頻電壓，但在產(chǎn)生氧空位并使所述靶帶有導(dǎo)電性的情況下，濺射中間層時(shí)在所述耙與中間層之間容易產(chǎn)生異常放電。如果產(chǎn)生這種異常放電，則存在以下問題在由所述復(fù)合氧化物的膜形成的中間層的表面會(huì)由異常放電引起所謂劃傷之類的溝狀損傷，而且，在形成覆蓋層后的光信息記錄媒體中，所述溝狀痕跡被認(rèn)為是外觀不良。另外，如果像上述那樣產(chǎn)生異常放電，則存在以下問題對靶施加的電壓在異常放電前后產(chǎn)生變動(dòng)，從而所述保護(hù)層的成膜速度產(chǎn)生偏差，或者成膜狀態(tài)產(chǎn)生分布不均，而難以穩(wěn)定地生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明人等進(jìn)行了努力研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過將中間層的組成調(diào)整到特定范圍內(nèi)，可以減少形成中間層時(shí)的異常放電的產(chǎn)生而降低對中間層表面的損傷。另外，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，當(dāng)利用RF濺射法形成中間層時(shí)，通過使用將電阻值調(diào)整到特定范圍內(nèi)而并非完全為絕緣體的靶，可以提高成膜速度。本發(fā)明的目的在于提供一種不易產(chǎn)生由中間層表面的損傷導(dǎo)致的外觀不良而可以穩(wěn)定地生產(chǎn)的光信息記錄媒體。另外，本發(fā)明的目的在于提供一種中間層的成膜速度較快而可以容易地生產(chǎn)的光信息記錄媒體。為了達(dá)成所述目的，本發(fā)明的光信息記錄媒體是(1)在基板上依序具備光反射層、含有機(jī)色素的光記錄層、中間層以及覆蓋層的光信息記錄媒體，并且所述中間層由利用濺射所形成的Nb205-Al203系復(fù)合氧化物所形成，所述復(fù)合氧化物中的所述Nb20s的比率多于50mol呢、少于60mol呢。由此，當(dāng)形成中間層時(shí)，在中間層與濺射靶之間不易產(chǎn)生由異常放電引起的損傷。另外，通過使所述復(fù)合氧化物中的Nb205的比率多于50mol%、少于60mol呢，可以使用靶體的電阻值為15Q,cm而穩(wěn)定的靶。當(dāng)所述復(fù)合氧化物中的所述Nb20s的比率為50mol呢以下、或者60mol呢以上時(shí)，難以獲得靶體的電阻值為15Qcm而穩(wěn)定的靶。因此，本發(fā)明可以提供一種不易產(chǎn)生由所述中間層的表面損傷導(dǎo)致的外觀不良而可以穩(wěn)定地生產(chǎn)的光信息記錄媒體。另外，除了所述(1)以外，本發(fā)明的另一主要的實(shí)施形態(tài)為，(2)使用靶體的電阻值為15Q"cm的靶利用RF濺射裝置使所述中間層成膜。由此，當(dāng)形成中間層時(shí)，能夠以較高的成膜速度進(jìn)行成膜。因此，本發(fā)明提供一種能夠以較高的成膜速度形成中間層、從而可以容易地生產(chǎn)的光信息記錄媒體。本發(fā)明的所述目的和其他目的、構(gòu)成特征、作用效果可以通過以下的說明與隨附圖示明確。圖1是表示本發(fā)明的光信息記錄媒體的第1實(shí)施形態(tài)的整體構(gòu)造的平面圖。圖2是表示所述第1實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體的所述圖1中由虛線包圍的B區(qū)域的內(nèi)部構(gòu)造的部分放大剖面圖。圖3是表示通過激光照射在所述第1實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體上形成訊號(hào)坑的狀態(tài)的部分放大剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的光信息記錄媒體的第2實(shí)施形態(tài)的內(nèi)部構(gòu)造的部分放大剖面圖。圖5是表示
背景技術(shù)：
的光信息記錄媒體的部分放大剖面圖。[符號(hào)的說明]1、11、21基板2反射層3記錄層4障壁層5、16、26覆蓋層10光信息記錄媒體12、22溝13、23光反射層13a、23a突起13b、23b凹槽14、24光記錄層15、25中間層17訊號(hào)坑20光信息記錄媒體26a第1樹脂層26b第2樹脂層具體實(shí)施例方式以下，參照圖1和圖2對本發(fā)明的光信息記錄媒體的第1實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。圖l是表示第1實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體10的整體構(gòu)造的平面圖。圖2是由所述圖1中的虛線包圍的B區(qū)域內(nèi)的部分放大剖面圖，用來說明所述實(shí)施形態(tài)的內(nèi)部構(gòu)造概要。如圖1所示，本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體10中心具有孔，且具有外徑約為120mm、內(nèi)徑約為15mm、厚度約為1.2mm的圓盤狀外觀。而且，將所述光信息記錄媒體10的圖1中由虛線包圍的B區(qū)域的內(nèi)部構(gòu)造概要示于圖2中。由圖可以明確，首先，基板11呈現(xiàn)出在其一個(gè)主面上形成了螺旋狀溝12的圓環(huán)狀外觀，其厚度約為l.lmm，材質(zhì)為樹脂制。在此基板11的所述一個(gè)主面上，像下文將述那樣形成由反射激光的Ag合金所形成的光反射層13。在此光反射層13的與所述基板11的形成了溝12的主面相接觸側(cè)的相反側(cè)的表面上，形成了凹槽(groove)13b和與此凹槽13b相鄰接的突起(land)13a，所述凹槽13b以與所述基板11的溝12相等的軌距(trackpitch)TrB形成為螺旋狀，以與所述基板11的溝12相對應(yīng)。接著，在所述光反射層13上形成吸收波長為400420nm(例如405nm)的激光的光記錄層14，此光記錄層例如含有由下述化學(xué)式1所示的有機(jī)色素等所構(gòu)成的光吸收物質(zhì)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>(式中，環(huán)A表示與所鍵結(jié)的碳原子以及氮原子共同形成的雜環(huán)，環(huán)B表示可以經(jīng)取代的苯環(huán)，環(huán)C表示含有所鍵結(jié)的氮原子的雜環(huán)，且其可以與環(huán)B鍵結(jié)，X—表示可以具有活性氫的基團(tuán)，M"表示二價(jià)陽金屬離子，所述式表示將陰離子整體作為偶氮色素分子而使一分子M"與兩個(gè)偶氮色素分子鍵結(jié)而成的金屬錯(cuò)合物。)其次，在所述光記錄層14上形成具有透光性的中間層15，此中間層例如是由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物所形成，且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205/(Nb205+Al203)的比率為55mol呢。此中間層15是由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物所形成，且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率多于50mol%、少于60mo197。。通過使中間層15的組成為如上所述的組成，當(dāng)形成此中間層15時(shí)不易產(chǎn)生由于中間層15與濺射靶之間的異常放電而損傷所述中間層15表面的現(xiàn)象。另外，使用靶體的電阻值為15Q'cm的靶利用RF濺射裝置使所述中間層15成膜。通過使所述靶體的電阻值為如上所述的電阻值，可以使中間層以較高的成膜速度成膜。進(jìn)一步，在所述中間層15上形成由透明樹脂材料形成的透光性覆蓋層16,此覆蓋層16的厚度約為0.1mm。通過從所述具有透光性的覆蓋層16側(cè)對所述本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體10照射波長為400420nm(例如405nm)的激光，如圖3所示，所述光記錄層14中的有機(jī)色素吸收所述激光而發(fā)熱，形成可進(jìn)行光學(xué)讀取的訊號(hào)坑(pit)17。此時(shí)，所述中間層15容易產(chǎn)生變形而有助于形成所述訊號(hào)坑17，因此本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體10可以良好地記錄用戶信息。接著，所述基板11的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)如下。也就是說，所述基板11可以任意地選擇使用原先被用作光信息記錄媒體的基板材料的各種材料。具體可以列舉聚碳酸酯，聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂，聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂，環(huán)氧樹脂，非晶聚烯烴，聚酯樹脂，鋁等金屬，玻璃等，根據(jù)需要也可以并用這些材料。在所述材料之中，從成型性、耐濕性、尺寸穩(wěn)定性以及價(jià)格低廉等方面考慮，優(yōu)選熱塑性樹脂，特別優(yōu)選聚碳酸酯。當(dāng)使用這些樹脂時(shí)，優(yōu)選利用射出成型等方法將基板11制作成特定形狀(如果是光盤則為圓環(huán)狀)。另外，優(yōu)選的是使所述基板11的厚度為0.91.1mm的范圍。此時(shí)優(yōu)選的是，在基板11的射出成型所使用的金屬模具內(nèi)配置被稱為壓模(stamper)的模板，在所述基板11的射出成型時(shí)同時(shí)形成螺旋狀溝12，其中所述模板的一個(gè)主面上實(shí)施過凹凸圖案與所述溝12相反的螺旋狀凸條的微細(xì)加工。通常，所述溝12是以0.35wm或者0.32ym的間距形成。另外，基板11并不限定于此，例如也可以將紫外線硬化性樹脂涂布在基臺(tái)上，使涂膜硬化并與所述基臺(tái)分離而用作基板11。接著，所述光反射層13的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)如下。所述光反射層13是使數(shù)據(jù)的記錄以及/或者再生用的激光反射的層，在本發(fā)明中，為了提高對激光的反射率、或者賦予改良記錄再生特性的功能，優(yōu)選將所述光反射層13設(shè)置在基板11與光記錄層14之間。所述光反射層13優(yōu)選Au、Al、Ag、Cu或者Pd等的金屬膜及這些金屬的合金膜，例如Ag合金或Al合金，或者在這些金屬中添加了微量成分的合金膜等反射率較高的金屬薄膜，且優(yōu)選利用例如蒸鍍法、離子電鍍法(ionplating)、濺射法等形成在所述基板11的形成了溝12的面上。其中，從量產(chǎn)性、成本方面考慮特別優(yōu)選濺射法。優(yōu)選的是，在所述光反射層13的與所述基板11的主面相接觸側(cè)的相反側(cè)的表面上，以與所述基板11的溝12相等的軌距形成螺旋狀的凹槽13b，以與所述基板11的溝12相對應(yīng)。另外，優(yōu)選的是，在所述基板11的形成了所述螺旋狀溝的主面上利用濺射法等以均等的厚度形成所述光反射層13，由此形成所述凹槽13b。接著，所述光記錄層14的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)如下。也就是說，所述光記錄層14優(yōu)選含有由吸收激光的有機(jī)色素所構(gòu)成的光吸收物質(zhì)。其中，優(yōu)選通過激光照射形成訊號(hào)坑來記錄數(shù)據(jù)的色素型光記錄層。所述有機(jī)色素優(yōu)選酞菁色素、花青色素、偶氮系色素等。優(yōu)選的是，將例如下述化學(xué)式1或化學(xué)式2所示的偶氮系色素或者化學(xué)式3所示的花青系色素與粘合劑等共同溶解于例如TFP(tetrafluoropr叩anol，四氟丙醇)等的溶劑中而制備涂布液，接著，通過旋涂法(spinccat)或者絲網(wǎng)印刷法(screenprinting)等隔著所述光反射層將所述涂布液涂布在所述基板11上而形成涂膜，然后在例如80'C的溫度下進(jìn)行30分鐘左右的干燥，由此形成光記錄層14。[化1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>(式中，環(huán)A表示與所鍵結(jié)的碳原子以及氮原子共同形成的雜環(huán)，環(huán)B表示可以經(jīng)取代的苯環(huán)，環(huán)C表示含有所鍵結(jié)的氮原子的雜環(huán)，且其可以與環(huán)B鍵結(jié)，X—表示可以具有活性氫的基團(tuán)，M^表示二價(jià)陽金屬離子，所述式表示將陰離子整體作為偶氮色素分子而使一分子M"與兩個(gè)偶氮色素分子鍵結(jié)而成的金屬錯(cuò)合物。)[化2](式中，A及A'表示含有選自氮原子、氧原子、硫原子、硒原子及碲原子的一個(gè)或者多個(gè)雜原子而成的彼此相同或者不同的雜環(huán)，R2i至R24分別獨(dú)立表示氫原子或者取代基，Y2I、Y22表示選自周期表中的第16族元素的彼此相同或不同的雜原子。)(式中，0+和4)分別表示假吲哚環(huán)殘基、苯并假n引哚環(huán)殘基或者二苯并假別哚環(huán)殘基，L表示用來形成單羰基菁色素或者二羰基菁色素的連結(jié)基，X—表示陰離子，m為0或者1的整數(shù)。)接著，所述中間層15的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)如下。為了防止光記錄層14與后述覆蓋層16的混和等，所述中間層15優(yōu)選的是形成在所述光記錄層14與覆蓋層16之間。所述中間層15優(yōu)選由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物所形成，且此復(fù)合氧化物中的所述Nb20s的比率多于50mol%、少于60mol免。此中間層15優(yōu)選具有透光性，且優(yōu)選利用例如蒸鍍法、離子電鍍法、濺射法等形成在形成了所述光記錄層14的面上。其中，就量產(chǎn)性、成本方面考慮，特別優(yōu)選使用RF濺射裝置的濺射法。RF濺射裝置在導(dǎo)電性的真空室與靶之間施加交流(高頻)電壓，靶側(cè)的電子無處逃逸而密度增大，結(jié)果使靶側(cè)產(chǎn)生負(fù)偏壓，從而將離子吸引到耙上，與耙碰撞的離子將靶的復(fù)合氧化物粒子撞飛散，被撞飛散的復(fù)合氧化物粒子與基板11的所述光記錄層14碰撞并附著在光記錄層14上，從而形成中間層15。此時(shí)，如果使用原先的電阻較小的所述復(fù)合氧化物中的Nb205比率為70mol呢的耙，那么在已經(jīng)堆積的中間層與靶之間容易產(chǎn)生異常放電，但是在本發(fā)明中，由于所述復(fù)合氧化物中的所述Nb20s的比率多于50mol%、少于60mol呢，因此電阻大于所述原先的復(fù)合氧化物，可以在已經(jīng)堆積的中間層15與靶之間抑制異常放電的產(chǎn)生。當(dāng)使用RF濺射裝置利用濺射形成所述中間層15時(shí)，真空室內(nèi)的壓力優(yōu)選設(shè)為lX10-2lXl(T5torr，濺射速度優(yōu)選設(shè)為0.120nm/sec。濺射電力優(yōu)選0.25.0kW。另外，優(yōu)選的是，使用耙體的電阻值為15Qcm的靶利用RF濺射裝置使所述中間層15成膜。所述耙體的電阻值優(yōu)選的是，例如通過使構(gòu)成所述耙的復(fù)合氧化物中產(chǎn)生氧空位等而將電阻值調(diào)整為15Qcm之間。另外，為了使所述復(fù)合氧化物中產(chǎn)生氧空位，例如可以使通過煅燒獲得所述復(fù)合氧化物時(shí)的燒結(jié)過程在真空中或者還原環(huán)境中進(jìn)行，由此積極地導(dǎo)入氧空位。另外，不限于所述內(nèi)容，例如可以在金屬粉體而非氧化物粉體或者碳酸鹽粉體的形態(tài)下混合構(gòu)成所述復(fù)合氧化物的原料的至少一種原料的一部分或者全部，且在真空中或者不含氧的環(huán)境中煅燒，由此積極地導(dǎo)入氧空位。接著，所述覆蓋層16的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)如下。也就是說，所述覆蓋層16優(yōu)選由具有透光性的樹脂所形成，且優(yōu)選利用旋涂法等涂布紫外線硬化性樹脂而形成。通常，為了照射波長為400nm420nm左右(例如405nm)的激光而在所述光記錄層14中記錄數(shù)據(jù)以及/或者從所述光記錄層14中讀出數(shù)據(jù)，所述覆蓋層16的厚度優(yōu)選0.1mm。當(dāng)用波長為400nm420nm左右(例如，405nm)的光使用分光光度計(jì)測定硬化后的厚度為0.1mm的覆蓋層16的透光率時(shí)，優(yōu)選70%以上，更優(yōu)選80%以上。另外，并不限定于所述內(nèi)容，例如可以使用以環(huán)氧系或其他透明的反應(yīng)性硬化樹脂、或者紫外線硬化性的透明樹脂為主要成分的粘接劑，將由聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂等透光性良好的樹脂所形成的厚度約為0.1mm的薄片粘接在所述中間層15上。接下來，對本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體IO的實(shí)施例進(jìn)行說明。(實(shí)施例1)利用旋涂法分別以特定的厚度將光阻劑(感光劑)涂布在玻璃母盤上而形成光阻膜，并利用切割裝置的激光進(jìn)行曝光以形成特定的曝光寬度尺寸，然后在所獲得的玻璃母盤上滴加顯影液進(jìn)行顯影處理，從而形成與圓盤狀光信息記錄媒體的基板的溝相對應(yīng)的凹凸的光阻圖案。接著，利用鍍敷處理使鎳在所述玻璃母盤上析出，將其剝離，并將外形修整成圓盤形狀而獲得壓模。然后，將所述壓模設(shè)置在射出成型裝置的模腔內(nèi)，并將聚碳酸酯樹脂注入到模腔內(nèi)，獲得在一個(gè)主面上具有螺旋狀溝的基板U。在此基板11的形成了所述螺旋狀溝12的主面十.，使用濺射裝置以均等的厚度濺射Ag合金，設(shè)置厚度為100nm的光反射層13，此光反射層13的在與所述基板11的形成了溝12的主面相接觸側(cè)的相反側(cè)的表面上，具備與所述基板11的溝12相對應(yīng)的螺旋狀凹槽13b。進(jìn)一步，利用旋涂法將含有所述通式1所示的偶氮系有機(jī)色素的色素溶液涂布在所述基板上，并進(jìn)行干燥而形成光記錄層14，以使此光記錄層14的厚度達(dá)到60nm。然后，在所述基板上，使用由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率為55mol呢的耙(靶體電阻值1.4Qcm),在RF濺射裝置的濺射功率為2.0kW的條件下進(jìn)行濺射，形成由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率約為55mol呢的厚度為25nm的中間層15。接著，在所述基板上旋涂紫外線硬化性樹脂，通過UV照射進(jìn)行硬化，形成厚度為0.1mm的覆蓋層16,從而制成光信息記錄媒體10。從所述覆蓋層16側(cè)目測觀察所制成的光信息記錄媒體10的外觀，結(jié)果未發(fā)現(xiàn)由異常放電引起的傷痕等。另外，將所述光信息記錄媒體10設(shè)置在搭載著波長為405nm、NA=0.85的激光光學(xué)系統(tǒng)的Pulstec工業(yè)股份有限公司制造的光記錄媒體評價(jià)裝置"ODU-1000"上，以5.5mW的功率記錄17調(diào)變的隨機(jī)信號(hào)(2T8T),并以0.35mW的功率再生，評價(jià)電特性的抖動(dòng)(jitter)特性。此時(shí)，使線速為9.84m/s，并使記錄時(shí)的激光的發(fā)光模式最適當(dāng)來進(jìn)行評價(jià)。另外，使用所述光記錄媒體評價(jià)裝置測定抖動(dòng)特性，其結(jié)果為6.5%。而且，此時(shí)中間層的成膜速度為3.43nm/sec，在放電過程中也穩(wěn)定。(實(shí)施例2)當(dāng)形成所述中間層時(shí)，使用由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率為58mol呢的耙(靶體電阻值1.2Qcm)，形成由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb20s的比率為58mol呢的中間層，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方式制成實(shí)施例2的光信息記錄媒體，并進(jìn)行與所述實(shí)施例l相同的評價(jià)。結(jié)果，與所述實(shí)施例l相同，外觀未發(fā)現(xiàn)由異常放電引起的傷痕等。另外，抖動(dòng)特性為6.8%。而且，此時(shí)中間層的成膜速度為3.40nm/sec,在放電過程中也穩(wěn)定。(實(shí)施例3)當(dāng)形成所述中間層時(shí)，使用由Nb205-Ab03系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率為53mol呢的靶(靶體電阻值3.0Qcm),形成由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb20s的比率為53mol呢的中間^，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方式制成實(shí)施例3的光信息記錄媒體，并進(jìn)行與所述實(shí)施例相同的評價(jià)。結(jié)果，與所述實(shí)施例相同，外觀未發(fā)現(xiàn)由異常放電引起的傷痕等。另外，抖動(dòng)特性為6.8%。而且，此時(shí)中間層的成膜速度為3.55nm/sec，在放電過程中也穩(wěn)定。(比較例1)當(dāng)形成所述中間層時(shí)，使用由Nb205-Ab03系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率為65mol呢的耙(靶體電阻值0.4Qcm)，形成由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率為65mol呢的中間層，除此以外，以與實(shí)施例l相同的方式制成比較例1的光信息記錄媒體，并進(jìn)行與所述實(shí)施例相同的評價(jià)。結(jié)果當(dāng)觀察外觀時(shí)在10塊光信息記錄媒體樣品中均發(fā)現(xiàn)可認(rèn)為是由異常放電引起的傷痕(例如，寬度為7mm,長度為5mm)。另外，抖動(dòng)特性為7.5%。(比較例2)當(dāng)形成所述中間層時(shí)，使用由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb20s的比率為70mol免的靶(靶體電阻值1.0E+0.8Hcm(絕緣體))，形成由Nb205-A1203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率為70mol%的中間層，除此以外，以與實(shí)施例l相同的方式制成比較例2的光信息記錄媒體，并進(jìn)行與所述實(shí)施例相同的評價(jià)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，中間層的成膜速度為0.90nm/sec，與所述實(shí)施例相比速度明顯下降，如果考慮生產(chǎn)性則生產(chǎn)此種光信息記錄媒體并不現(xiàn)實(shí)。(比較例3)當(dāng)形成所述中間層時(shí)，使用由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb20s的比率為50mol呢的靶(靶體電阻值1.0E+0.8Qcm(絕緣體))，形成由Nb205-Al203系復(fù)合氧化物形成、且此復(fù)合氧化物中的所述Nb205的比率為50mol%的中間層，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方式制成比較例3的光信息記錄媒體，并進(jìn)行與所述實(shí)施例相同的評價(jià)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，中間層的成膜速度為0.80nm/sec，與所述實(shí)施例相比速度明顯下降，如果考慮生產(chǎn)性則生產(chǎn)此種光信息記錄媒體并不現(xiàn)實(shí)。然后，使用圖4對本發(fā)明的光信息記錄媒體的第2實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。圖4是表示第2實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體20的內(nèi)部構(gòu)造的部分放大剖面圖。在所述第1實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體IO中，所述覆蓋層16為單層構(gòu)造，但本發(fā)明并不限定于此，例如，如圖4所示，覆蓋層26也可以為由具有透光性的第1樹脂層26a與同樣具有透光性的第2樹脂層26b的雙層構(gòu)造所構(gòu)成的層。另外，此時(shí)所述第1樹脂層26a可以為紫外線硬化性的粘接劑層，所述第2樹脂層26b可以為聚碳酸酯制的厚度小于0.1mm(例如，0.075mm)的薄片。此時(shí)，所述第1樹脂層26a與所述第2樹脂層26b的合計(jì)厚度優(yōu)選0.1mm。本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體20與上文所述的第1實(shí)施形態(tài)的光信息記錄媒體10的不同點(diǎn)在于所述覆蓋層26是由具有透光性的第1樹脂層26a與同樣具有透光性的第2樹脂層26b的雙層構(gòu)造所構(gòu)成，其他方面與上文所述的第1實(shí)施形態(tài)相同，因此省略說明。權(quán)利要求1.一種光信息記錄媒體，其在基板上依序具備光反射層、含有機(jī)色素的光記錄層、中間層以及覆蓋層，其特征在于所述中間層包含通過濺射所形成的Nb2O5-Al2O3系復(fù)合氧化物，且此復(fù)合氧化物中的所述Nb2O5的比率多于50mol％、少于60mol％。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄媒體，其特征在于使用靶體的電阻值為15Qcm的靶利用RF濺射裝置使所述中間層成膜。全文摘要本發(fā)明提供一種可以穩(wěn)定地生產(chǎn)的光信息記錄媒體，在此光信息記錄媒體的中間層的濺射時(shí)不會(huì)產(chǎn)生由異常放電引起的溝狀痕跡。一種光信息記錄媒體10，其在基板11上依序具備光反射層13、含有機(jī)色素的光記錄層14、中間層15以及覆蓋層16，中間層包含通過濺射所形成的Nb₂O₅-Al₂O₃系復(fù)合氧化物，該復(fù)合氧化物中的Nb₂O₅的比率多于50mol％、少于60mol％。由此，當(dāng)形成中間層時(shí)不易產(chǎn)生由于靶與中間層之間的異常放電所引起的中間層表面的損傷。因此，本發(fā)明可以提供一種不易產(chǎn)生由中間層的表面損傷導(dǎo)致的外觀不良、且可以穩(wěn)定地生產(chǎn)的光信息記錄媒體。文檔編號(hào)G11B7/252GK101414469SQ20081021146公開日2009年4月22日申請日期2008年9月26日優(yōu)先權(quán)日2007年10月5日發(fā)明者佐藤昌司,加藤真悟,原風(fēng)美,大津毅,松田勛申請人:太陽誘電株式會(huì)社