專利名稱：多層信息記錄介質(zhì)、再現(xiàn)裝置、記錄裝置、再現(xiàn)方法和記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及至少包括兩個記錄層的的多層信息記錄介質(zhì)、再現(xiàn)裝 置、供該多層信息記錄介質(zhì)使用的記錄裝置、用于從該多層信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的再現(xiàn)裝置和用于在該多層信息記錄介質(zhì)中記錄信息的記錄方法。
背景技術(shù)：
具有扇區(qū)結(jié)構(gòu)的典型信息記錄介質(zhì)是光盤。近年來，AV數(shù)據(jù)例如 聲頻數(shù)據(jù)、視頻數(shù)據(jù)等已經(jīng)數(shù)字化，據(jù)此， 一直需求具有較高記錄密 度和較大容量的光盤。提供多個記錄層在增加盤容量方面是實用的。 例如，通過給只讀DVD提供兩個記錄層已經(jīng)將該DVD的容量增加了大約兩倍。
圖l示出了包括軌道2和扇區(qū)3的典型光盤介質(zhì)1的結(jié)構(gòu)。在該 光盤介質(zhì)1上，軌道2以螺旋設(shè)置方式旋轉(zhuǎn)多次。將該軌道2分為大 量的小扇區(qū)3。粗略地將光盤介質(zhì)l上的區(qū)歸類為引入?yún)^(qū)4、用戶數(shù)據(jù) 區(qū)8和引出區(qū)6。在用戶數(shù)據(jù)區(qū)8上進行用戶數(shù)據(jù)的記錄或者復(fù)制。將 引入?yún)^(qū)4和引出區(qū)6設(shè)置為邊緣，使得即使當(dāng)光頭接近用戶數(shù)據(jù)區(qū)8 的端部時光頭出現(xiàn)越程，也可以使光頭(未示出)適當(dāng)?shù)匮刂壍蓝?行。引入?yún)^(qū)4包括存儲用于訪問光盤介質(zhì)1所需參數(shù)的盤信息區(qū)。將 物理扇區(qū)數(shù)(下文縮寫為"PSN(s)")分配給扇區(qū)3，以便鑒別各個扇 區(qū)3。
此外，將從O開始的連續(xù)邏輯扇區(qū)數(shù)(下文縮寫為"LSN(s)) 分配給包含在用戶數(shù)據(jù)區(qū)8中的扇區(qū)3，使得高級裝置(未示出)例如 主機鑒別各個扇區(qū)3。
圖2示出了從具有兩個記錄層的只讀光盤30再現(xiàn)數(shù)據(jù)的原理。這 里，簡要描述了圖2的只讀光盤30的再現(xiàn)。溝槽形成在透明基片31 和32上，以便形成螺旋軌道。在基片31和32的溝槽表面上分別附著
記錄層33和34，以便覆蓋溝槽表面。將基片31和32附著到一起，以 便在記錄層33和34之間夾置透光的可固化樹脂35。由此獲得一個單 一的只讀光盤30。在本說明書中，為了描述的方便，在圖2中，更接 近于入射激光38的記錄層34被稱作笫一記錄層34;而另一個記錄層 33被稱作第二記錄層33。調(diào)節(jié)笫一記錄層的厚度和成份，使得笫一記 錄層34反射一半入射激光38，并且透過入射激光38的另一半。調(diào)節(jié) 第二記錄層33的厚度和成份，使得第二記錄層33反射所有的入射激 光38。用于會聚激光38的物鏡37移向只讀光盤30或者遠離只讀光盤 30，使得激光38的焦點(射束點)36位于第一記錄層34或者第二記 錄層33上。
圖3A、 3B、 3C和3D示出了只讀DVD的被稱作平行軌跡(parallel paths)的兩個記錄層41和42的軌道以及再現(xiàn)方向和扇區(qū)數(shù)。圖3A 示出了第二記錄層42的螺旋溝槽圖形。圖3B示出了第一記錄層41的 螺旋溝槽圖形。圖3C示出了在設(shè)置在記錄層41和42上的用戶數(shù)據(jù)區(qū) 8中的再現(xiàn)方向。圖3D示出了分配給記錄層41和42的扇區(qū)數(shù)。
現(xiàn)在，設(shè)想當(dāng)沿著激光入射到光盤上的方向從該盤的背面?zhèn)扔^察 時、即從圖3A和3B的盤片的背面?zhèn)扔^察時，該只讀DVD盤順時針旋 轉(zhuǎn)。在這種情況下，激光從記錄層41和42中的內(nèi)周向外周沿著軌道2 移動。在用戶數(shù)據(jù)沿著圖3C所示再現(xiàn)方向依次再現(xiàn)的情況下，首先從 笫一記錄層41的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的最內(nèi)周向最外周進行再現(xiàn)。然后，從第 二記錄層42的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8的最內(nèi)周向最外周進行再現(xiàn)。由引入?yún)^(qū)4 和引出區(qū)6夾置第一和第二記錄層41和42的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8，使得即使 光頭出現(xiàn)越程，該光頭也可以適當(dāng)?shù)匮刂壍?而行。如圖3D所示， 沿著再現(xiàn)方向遞增地分配每個記錄層41和42的PSN和LSN?？紤]到有 利于盤信息，PSN不需要由O開始。此外，PSN不需要在第一和第二記 錄層41和42之間連續(xù)分配(例如，可以在每個扇區(qū)數(shù)的第一位置提 供對應(yīng)于層數(shù)的值)。作為LSN，給包含在該光盤中的所有用戶數(shù)據(jù)區(qū) 8分配由O開始的連續(xù)數(shù)。即，在第一記錄層41的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8中， 最內(nèi)周處的LSN為O，向著最外周逐一增加。第二記錄層42的用戶數(shù) 據(jù)區(qū)8的最內(nèi)周處LSN為通過給第一記錄層41的最大LSN增加1得到 的數(shù)。第二記錄層42的LSN也向著最外周逐一增加。
圖4A、 4B、 4C和4D示出了只讀DVD的被稱作反向軌跡(opposite
path)設(shè)置的兩個記錄層43和44的軌道以及再現(xiàn)方向和扇區(qū)數(shù)。圖 4A示出了第二記錄層44的螺旋溝槽圖形。圖4B示出了第一記錄層43 的螺旋溝槽圖形。圖4C示出了在設(shè)置在記錄層43和44上的用戶數(shù)據(jù) 區(qū)8中再現(xiàn)方向。圖4D示出了分配給記錄層43和44的扇區(qū)數(shù)。
現(xiàn)在，設(shè)想當(dāng)沿著激光入射到光盤上的方向從該盤的背面?zhèn)扔^察 時、即當(dāng)從圖4A和4B的盤片的背面?zhèn)扔^察時，該只讀DVD盤順時針 旋轉(zhuǎn)。在這種情況下，激光從第一記錄層43中的內(nèi)周向外周、但是從 第二記錄層中的外周向內(nèi)周沿著軌道2移動。在沿著圖化所示再現(xiàn)方 向依次再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)的情況下，首先從第一記錄層43的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8 的最內(nèi)周向最外周進行再現(xiàn)，然后從第二記錄層44的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8的 最外周向最內(nèi)周進行再現(xiàn)。由引入?yún)^(qū)4和中間區(qū)7夾置笫一記錄層43 的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8，使得即使光頭出現(xiàn)越程，該光頭也能夠適當(dāng)?shù)匮刂?道2而行。由中間區(qū)7和引出區(qū)6夾置第二記錄層44的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8。 中間區(qū)7的功能與引出區(qū)6相同。如圖^所示，除了由于笫二記錄層 44的軌道2的螺旋方向與第一記錄層43的軌道2的螺旋方向相反而改 變了扇區(qū)數(shù)和光線方向(radial direct ion )之外，仍然沿著如上述 平行軌跡中的再現(xiàn)方向遞增地分配每個記錄層43和44的PSN和LSN。 在第一記錄層43的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8中，在最內(nèi)周LSN為O，向著最外周 逐一地增加。在第二記錄層44的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8中的最外周處的LSN是 通過給第一記錄層43的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8中的最大LSN加上l得到的數(shù)， 并且向著最內(nèi)周逐一增加。
上面描述了只讀光盤。現(xiàn)在具體描述可改寫光盤的特征。這些特 征來源于記錄操作對邊緣(margin)的要求比再現(xiàn)操作更嚴格的事實。
圖5A示出了典型的可改寫盤45的區(qū)域布局?？筛膶懕P45只包括 一個記錄層?？筛膶懕P45的引入?yún)^(qū)4包括盤信息區(qū)IO和OPC(最適宜 的功率校準(zhǔn)(optimum power calibration)區(qū)11和缺陷管理區(qū)12。 引出區(qū)6包括另一個缺陷管理區(qū)12。在引入?yún)^(qū)4和引出區(qū)6之間設(shè)置 用戶數(shù)據(jù)區(qū)8和備用區(qū)13。
盤信息區(qū)10存儲關(guān)于用于記錄/再現(xiàn)光盤數(shù)據(jù)所需的參數(shù)或者格 式的盤信息。該盤信息區(qū)IO也包含在只讀光盤中，但只讀光盤的盤信 息區(qū)10除了用于識別光盤的格式識別符(identifier)之外不包括什 么重要的信息。另一方面，在可改寫光盤中，對于所產(chǎn)生的每個識別
寬度來說存儲用于記錄的激光特性的具體推薦值，例如激光功率、脈
沖寬度等。盤信息區(qū)io是當(dāng)再現(xiàn)盤時一般將信息寫入其中的只讀區(qū)。
在可改寫盤45中，如在DVD-R0M或者CD-ROM中那樣在盤表面中形成 凹坑。(存在與這種"凹坑，，記錄原理不同的記錄原理。例如，在CD-RW 中，以溝槽的彎曲圖形(稱作"擺動(wobble)")的方式嵌埋信息。) 為了最佳地調(diào)整激光的記錄功率設(shè)置了 0PC區(qū)11。盤制造商在盤 信息區(qū)10中存儲用于記錄操作的推薦的激光參數(shù)。然而，關(guān)于激光特 征例如波長、激光功率的上升時間等等，盤制造商所使用的用于得到 推薦值的激光元件與光盤驅(qū)動裝置中配置的激光元件不同。此外，即
使相同光盤驅(qū)動器的激光元件，其激光特征也由于環(huán)境溫度的變化或 者隨時間出現(xiàn)的退化而改變。這樣，實際上，在增加地和降低地改變 存儲在信息區(qū)10中的激光參數(shù)的同時在OPC區(qū)ll上進行測試記錄， 以便得到最佳的記錄功率。
為了缺陷管理、即為了用另一個條件好(即充分可用)的扇區(qū)代 替其中不能適當(dāng)?shù)剡M行記錄/再現(xiàn)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)8中的扇區(qū)，設(shè)置了缺 陷管理區(qū)12和備用區(qū)13。在可改寫單層光盤例如限定在ECMA-240格 式的650MB相變光盤(稱為PD)等中，通常進行缺陷管理。
備用區(qū)13包含用于代替有缺陷扇區(qū)的扇區(qū)(被稱為備用扇區(qū))。 已經(jīng)用來代替有缺陷扇區(qū)的扇區(qū)被稱為替代扇區(qū)。在DVD-RAM中，在 兩個位置放置備用區(qū)13， 一個在用戶數(shù)據(jù)區(qū)8的內(nèi)周，另一個在外周。 在上述PD中，在IO個位置設(shè)置備用區(qū)13，并且它們的設(shè)置根據(jù)介質(zhì) 而變。在圖5的例子中，為了簡化，僅在用戶數(shù)據(jù)區(qū)8外周處的一個 位置設(shè)置備用區(qū)13。
缺陷管理區(qū)12包括盤定義結(jié)構(gòu)(DDS)存儲區(qū)20，它存儲為缺 陷管理設(shè)計的格式，包括備用區(qū)13的尺寸和放置備用區(qū)13的位置； 缺陷管理扇區(qū)(DMS)存儲區(qū)21，它存儲用于管理缺陷管理區(qū)12自身 缺陷的數(shù)據(jù)；缺陷列表(DL)存儲區(qū)22，它存儲包含缺陷扇區(qū)位置和 替代扇區(qū)位置的缺陷列表；和當(dāng)缺陷列表(DL)存儲區(qū)22不可用時用 來代替該缺陷列表(DL)存儲區(qū)22的備用缺陷列表(備用DL)存儲區(qū) 23。鑒于耐久性，許多盤基于規(guī)格設(shè)計，使得盤的每個內(nèi)周部分和外 周部分具有一個缺陷管理區(qū)12，并且每個缺陷管理區(qū)12復(fù)制存儲相同 的內(nèi)容，即該盤的缺陷管理區(qū)12總共具有四個相同內(nèi)容的拷貝。
圖5B示出了 DMS21中存儲的數(shù)據(jù)。存儲在DMS21中的數(shù)據(jù)是表示 存儲缺陷列表的扇區(qū)數(shù)的DL扇區(qū)數(shù)30和每個都表示扇區(qū)地址的DL扇 區(qū)地址列表31。為了簡化，這里假設(shè)每個DL存儲區(qū)22僅包括一個扇 區(qū)。如果當(dāng)由于檢測到新的有缺陷扇區(qū)而更新缺陷列表時確定DL存儲 區(qū)22是有缺陷的，那么啟用隨后的備用DL存儲區(qū)23來記錄該缺陷列 表。在這種情況下，更新該DL扇區(qū)地址列表31，以便表示該備用DL 存儲區(qū)23的扇區(qū)地址。
圖5C示出了存儲在DL存儲區(qū)22中的數(shù)據(jù)。存儲在DL存儲區(qū)22 中的數(shù)據(jù)是作為用于識別缺陷列表的唯一識別符的DL識別符32和記 錄在缺陷列表上的有缺陷扇區(qū)數(shù)33。 DL存儲區(qū)22進一步包括多個缺 陷入口區(qū)34，每個缺陷入口區(qū)34都包括有缺陷扇區(qū)的地址和替代扇區(qū) 的地址?，F(xiàn)在假設(shè)存在所記錄的n個缺陷(n為大于或者等于3的整數(shù))。 在這種情況下，有缺陷扇區(qū)數(shù)33表示n。
第一缺陷入口區(qū)34存儲替代狀態(tài)40、有缺陷扇區(qū)地址41和替代 扇區(qū)地址42。換句話說，單個的缺陷入口區(qū)存儲關(guān)于用于代替單個的 有缺陷扇區(qū)過程的信息。替代狀態(tài)40是表示是否對有缺陷扇區(qū)進行替 代的標(biāo)記。當(dāng)進行了替代時，在替代狀態(tài)40中設(shè)置值0。當(dāng)沒有進行 替代時，在替代狀態(tài)40中設(shè)置值1。當(dāng)在替代狀態(tài)40中設(shè)置值1時， 光盤驅(qū)動裝置訪問有缺陷的扇區(qū)。在這種情況下，即使在讀出過程中 出現(xiàn)錯誤，也忽略該錯誤并且在數(shù)據(jù)包含該錯誤的同時繼續(xù)讀出過程。 這樣的過程可以應(yīng)用于需要連續(xù)記錄或者再現(xiàn)的視頻和聲頻數(shù)據(jù)的記 錄和再現(xiàn)。這是因為在視頻和聲頻的再現(xiàn)中由于用遠的備用區(qū)替代有 缺陷區(qū)而導(dǎo)致的中斷顯得比由于有錯誤的數(shù)據(jù)自身而導(dǎo)致的混亂更明 顯。有缺陷扇區(qū)地址41包含確定為有缺陷的扇區(qū)的地址。替代扇區(qū)地 址42包含備用區(qū)13中的扇區(qū)的地址，該扇區(qū)代替由有缺陷扇區(qū)地址 41表示的有缺陷扇區(qū)。以有缺陷扇區(qū)的地址升序設(shè)置n個缺陷入口區(qū)。
如上所述，對于可改寫光盤來說，要得到與只讀光盤基本上相同 的數(shù)據(jù)可靠性，缺陷管理是至關(guān)重要的。
盡管存在具有多個記錄層的只讀光盤，但是現(xiàn)存的所有可改寫光 盤都僅具有單個的記錄層。上述用于可改寫光盤的缺陷管理涉及僅一 個記錄層的管理。
盤，那么要為每個記錄層提供缺陷管理區(qū)。為每個記錄層單獨進行缺 陷管理。當(dāng)開啟用于改寫光盤的典型記錄/再現(xiàn)裝置(初始化過程)時， 該裝置將缺陷列表傳送到裝置內(nèi)的存儲器中。這是因為可以高速訪問 缺陷管理信息，在用戶數(shù)據(jù)的記錄和再現(xiàn)中繼續(xù)參考該信息。因此， 當(dāng)記錄/再現(xiàn)裝置處理具有多個記錄層的光盤時，當(dāng)將盤裝栽到該裝置 中時，該裝置需要讀取所有記錄層中的所有缺陷管理區(qū)。這樣提出一 個問題，使得在開始盤的實際記錄或者再現(xiàn)之前花費很長的時間。此 外，為每個記錄層單獨進行缺陷管理，因此，如果用盡了某個記錄層 中的有限的缺陷列表存儲區(qū)，那么其它記錄層的任何缺陷列表存儲區(qū) 都不能用于該用盡的記錄層。這樣提出了一個問題，即不能有效地使 用缺陷列表存儲區(qū)。
如這里所使用的，用于光盤的術(shù)語"初始化過程"指的是這樣一
個過程當(dāng)記錄/再現(xiàn)裝置開啟時，在記錄或者再現(xiàn)該光盤上的用戶數(shù) 據(jù)等之前讀出缺陷管理信息等。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，多層信息記錄介質(zhì)包括多個記錄層；在 多個記錄層的至少兩個記錄層中設(shè)置的用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù) 區(qū)；和用于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中 檢測到至少一個缺陷區(qū)時，使用該缺陷列表來管理該至少一個缺陷區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)進一步包括用于 存儲缺陷列表位置信息的缺陷列表位置信息存儲區(qū)，該缺陷列表位置 信息表示缺陷列表存儲區(qū)的位置。該缺陷列表位置信息存儲區(qū)可以設(shè) 置在預(yù)定作為參考層的該多個記錄層的一個中。
在本發(fā)明的一個實施例中，該參考層可以是位于離該多層信息記 錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)讀出表面預(yù)定距離處的該多個記錄層中的一個。
在本發(fā)明的一個實施例中，該參考層可以是位于離該多層信息記 錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)讀出表面最短距離處的該多個記錄層中的一個。
在本發(fā)明的一個實施例中，該參考層可以是位于離該多層信息記 錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)讀出表面最長距離處的該多個記錄層中的一個。
在本發(fā)明的 一個實施例中，缺陷列表可以通過用于彼此識別該多 個記錄層的層數(shù)和用于表示在多個記錄層的每個中位置的層內(nèi)地址 (intralayer address)表示檢測到的至少一個缺陷區(qū)的位置。
在本發(fā)明的一個實施例中，可以在多個記錄層之一中設(shè)置該缺陷 列表存儲區(qū)，缺陷列表位置信息可以通過用于彼此區(qū)分該多個記錄層 的層數(shù)和用于表示在多個記錄層的每個中位置的層內(nèi)地址表示缺陷列 表存儲區(qū)的位置。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 包含至少一個替代區(qū)的備用區(qū)。當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到至少一個缺 陷區(qū)時，可以使用該至少一個替代區(qū)代替該至少一個缺陷區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，當(dāng)用替代區(qū)代替缺陷區(qū)時，該缺陷列 表可以通過用于彼此區(qū)分該多個記錄層的各個層數(shù)和用于表示在多個 記錄層的每個中的位置的各個層內(nèi)地址表示缺陷區(qū)的位置和替代區(qū)的 位置。
在本發(fā)明的一個實施例中，缺陷列表存儲區(qū)可以設(shè)置在所述多個 記錄層之一 中。該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括附加的缺陷列表 存儲區(qū)，用于存儲與存儲在所述缺陷列表存儲區(qū)中的缺陷列表內(nèi)容相 同的缺陷列表。該附加的缺陷列表存儲區(qū)可以設(shè)置在該多個記錄層的 另一個中。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 用于存儲表示缺陷列表存儲區(qū)位置的第一缺陷列表位置信息的的笫一 缺陷列表位置信息存儲區(qū)和用于存儲表示所述附加缺陷列表存儲區(qū)位 置的第二缺陷列表位置信息的第二缺陷列表位置信息存儲區(qū)。該第一 缺陷列表位置信息存儲區(qū)可以設(shè)置在與在其中設(shè)置缺陷列表存儲區(qū)的 記錄層相同的記錄層中，第二缺陷列表位置信息存儲區(qū)可以設(shè)置在與 在其中設(shè)置該附加缺陷列表存儲區(qū)的記錄層相同的記錄層中。
在本發(fā)明的第 一個實施例中，在其中設(shè)置缺陷列表存儲區(qū)的記錄 層可以包括包含缺陷列表存儲區(qū)和第一缺陷列表位置信息存儲區(qū)的笫 一缺陷管理區(qū)。在其中可以設(shè)置附加缺陷列表存儲區(qū)的記錄層包括包 含附加缺陷列表存儲區(qū)和第二缺陷列表位置信息存儲區(qū)的第二缺陷管 理區(qū)?？梢詫⑦壿嫷刂贩峙浣o用戶數(shù)據(jù)區(qū)。分配最小邏輯地址的用戶 數(shù)據(jù)區(qū)的區(qū)設(shè)置在可以設(shè)置缺陷列表存儲區(qū)的記錄層中?？梢詫⒎峙?最大邏輯地址的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的區(qū)設(shè)置在設(shè)置附加缺陷列表存儲區(qū)的記 錄層中。第一缺陷管理區(qū)可以與給其分配最小邏輯地址的區(qū)相鄰。第 二缺陷管理區(qū)可以與給其分配最大邏輯地址的區(qū)相鄰。
根據(jù)本發(fā)明的另一個技術(shù)方案，多層信息記錄介質(zhì)包括多個記 錄層；設(shè)置在該多個記錄層的至少兩個中、用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶 數(shù)據(jù)區(qū)；設(shè)置在所述多個記錄層的至少一個中的缺陷管理區(qū)；和設(shè)置 在所述多個記錄層的另一個中的備用缺陷列表存儲區(qū)。該缺陷管理區(qū) 包含用于存儲缺陷列表的多個第一缺陷列表存儲區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù) 據(jù)區(qū)中檢測到至少 一個缺陷區(qū)時，使用該缺陷列表來管理該至少 一個 缺陷區(qū)。備用缺陷列表存儲區(qū)包含當(dāng)該多個第一缺陷列表存儲區(qū)都不 可使用時能夠用來代替該多個第 一缺陷列表存儲區(qū)的多個第二缺陷列 表存儲區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該缺陷管理區(qū)和備用缺陷列表存儲區(qū) 可以位于該多層信息記錄介質(zhì)中基本上相同的半徑位置。
在本發(fā)明的一個實施例中，該缺陷管理區(qū)可以進一步包括用于存 儲缺陷列表位置信息的缺陷列表位置信息存儲區(qū)，該缺陷列表位置信 息表示在多個第一缺陷列表存儲區(qū)和多個第二缺陷列表存儲區(qū)中存儲 缺陷列表的區(qū)的位置。
根據(jù)本發(fā)明的另一個技術(shù)方案，提供一種用于再現(xiàn)記錄在多層信 息記錄介質(zhì)中的信息的裝置。該多層信息記錄介質(zhì)包括多個記錄層; 設(shè)置在該多個記錄層的至少兩個中、用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū); 和用于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測 到至少一個缺陷區(qū)時，使用該缺陷列表來管理該至少一個缺陷區(qū)。該 裝置包括能夠從該多層信息記錄介質(zhì)一側(cè)光學(xué)讀取記錄在該多層信 息記錄介質(zhì)中的信息的光頭部分；和用于使用該光頭部分控制缺陷管 理的控制部分。該缺陷管理包括步驟再現(xiàn)存儲在缺陷列表存儲區(qū)中 的缺陷列表；和基于所再現(xiàn)的缺陷列表再現(xiàn)記錄用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的用戶 數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括: 用于存儲表示缺陷列表存儲區(qū)位置的缺陷列表位置信息的缺陷列表位 置信息存儲區(qū)，其中在預(yù)先確定為參考層的多個記錄層之一中設(shè)置缺 陷列表位置信息存儲區(qū)，該缺陷管理進一步包括通過再現(xiàn)存儲在缺陷 列表位置信息存儲區(qū)中的缺陷列表位置信息識別該缺陷列表存儲區(qū)的 位置。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括:
包含至少 一 個替代區(qū)的備用區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到至少一 個缺陷區(qū)時，可以使用該至少一個替代區(qū)代替該至少一個缺陷區(qū)。該
替代區(qū)代i。再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)的步驟可以包括從由缺陷列表表示的替代 區(qū)而不是從由缺陷列表表示的缺陷區(qū)再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明另 一個技術(shù)方案，提供一種用于在多層信息記錄介質(zhì)
中記錄信息的裝置。該多層信息記錄介質(zhì)包括多個記錄層；設(shè)置在 該多個記錄層的至少兩個中、用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)；和用 于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到至 少一個缺陷區(qū)時，使用該缺陷列表來管理該至少一個缺陷區(qū)。該裝置 包括能夠從該多層信息記錄介質(zhì)一側(cè)在該多層信息記錄介質(zhì)中光學(xué) 記錄信息的光頭部分；和用于使用該光頭部分控制缺陷管理的控制部 分。該缺陷管理包括步驟在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中記錄用戶數(shù)據(jù)的過程中， 確定在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中是否存在缺陷區(qū)；和當(dāng)確定在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中存在 缺陷區(qū)時，更新該缺陷列表以便管理該缺陷區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 當(dāng)缺陷列表存儲區(qū)不可使用時能夠用來代替缺陷列表存儲區(qū)的附加缺 陷列表存儲區(qū)。該缺陷管理可以進一步包括當(dāng)缺陷列表存儲區(qū)不可使 用時，向附加缺陷列表存儲區(qū)記錄與存儲在缺陷列表存儲區(qū)中的缺陷 列表內(nèi)容相同的缺陷列表。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括: 用于存儲表示缺陷列表位置的缺陷列表位置信息的缺陷列表位置信息 存儲區(qū)。該缺陷列表位置信息存儲區(qū)可以設(shè)置在預(yù)先確定為參考層的 該多個記錄層之一中。該缺陷管理可以進一步包括當(dāng)使用附加缺陷 列表存儲區(qū)代替缺陷列表存儲區(qū)時，更新該缺陷列表位置信息，使得 該缺陷列表位置信息表示該附加缺陷列表存儲區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括: 設(shè)置在該多個記錄層之一中的缺陷管理區(qū)；和設(shè)置該多個記錄層的另 一個中的備用缺陷列表存儲區(qū)。該缺陷管理區(qū)可以包括多個缺陷列表 存儲區(qū)，該備用缺陷列表存儲區(qū)包括多個附加缺陷列表存儲區(qū)，所述 缺陷列表存儲區(qū)是該多個缺陷列表存儲區(qū)之一，該附加缺陷列表存儲 區(qū)是所述多個附加缺陷列表存儲區(qū)之一，當(dāng)所述多個缺陷列表存儲區(qū)
都不可用時，使用所述附加缺陷列表存儲區(qū)代替所述缺陷列表存儲區(qū)。 在本發(fā)明的 一個實施例中，可以在所述多個記錄層之一 中設(shè)置所
述缺陷列表存儲區(qū)，可以在與設(shè)置缺陷列表存儲區(qū)的記錄層相同的記
錄層中設(shè)置該附加缺陷列表存儲區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，可以在所述多個記錄層之一中設(shè)置所
述缺陷列表存儲區(qū)，可以在所述多個記錄層的另一個中設(shè)置所述附加
缺陷列表存儲區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 包含至少一個替代區(qū)的備用區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到至少一 個缺陷區(qū)時，可以使用該至少一個替代區(qū)代替所述至少一個缺陷區(qū)。 所述缺陷管理可以進一步包括用包含在備用區(qū)中的替代區(qū)代替存在 于用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的缺陷區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個技術(shù)方案，提供一種用于再現(xiàn)記錄在多層信 息記錄介質(zhì)中的信息的方法。該多層信息記錄介質(zhì)包括多個記錄層； 設(shè)置在該多個記錄層的至少兩個中、用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)； 和用于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測 到至少一個缺陷區(qū)時，使用該缺陷列表來管理該至少一個缺陷區(qū)。該 方法包括步驟再現(xiàn)存儲在缺陷列表存儲區(qū)中的缺陷列表；和基于再 現(xiàn)的缺陷列表再現(xiàn)記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的用戶數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 用于存儲表示缺陷列表存儲區(qū)位置的缺陷列表位置信息的缺陷列表位 置信息存儲區(qū)。該缺陷列表位置信息存儲區(qū)可以設(shè)置在預(yù)先確定為參 考層的該多個記錄層之一中。該方法可以進一步包括通過再現(xiàn)存儲在 該缺陷列表位置信息存儲區(qū)中的缺陷列表位置信息識別缺陷列表存儲 區(qū)的位置。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 包含至少一個替代區(qū)的備用區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到至少一 個缺陷區(qū)時，可以使用該至少一個替代區(qū)代替該至少一個缺陷區(qū)。該
中的缺陷^。再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)的步驟可以包括從由缺陷列表表示的替 代區(qū)而不是從由缺陷列表表示的缺陷區(qū)再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的另 一個技術(shù)方案，提供一種用于在多層信息記錄介質(zhì)
中記錄信息的方法。該多層信息記錄介質(zhì)可以包括多個記錄層；設(shè)置 在該多個記錄層的至少兩個中、用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)；和用 于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到至少 一個缺陷區(qū)時，使用該缺陷列表來管理該至少一個缺陷區(qū)。該方法包括 步驟在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中記錄用戶數(shù)據(jù)的過程中，確定在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中是 否存在缺陷區(qū)；和當(dāng)確定在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中存在缺陷區(qū)時，更新該缺陷列 表以便管理該缺陷區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 當(dāng)缺陷列表存儲區(qū)不可使用時能夠用來代替缺陷列表存儲區(qū)的附加缺 陷列表存儲區(qū)。該方法可以進一步包括當(dāng)缺陷列表存儲區(qū)不可使用 時，向附加缺陷列表存儲區(qū)記錄與存儲在缺陷列表存儲區(qū)中的缺陷列 表內(nèi)容相同的缺陷列表。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 用于存儲表示缺陷列表位置的缺陷列表位置信息的缺陷列表位置信息 存儲區(qū)。該缺陷列表位置信息存儲區(qū)可以設(shè)置在預(yù)先確定為參考層的 該多個記錄層之一中。該方法可以進一步包括當(dāng)使用附加缺陷列表 存儲區(qū)代替缺陷列表存儲區(qū)時，更新該缺陷列表位置信息，使得該缺 陷列表位置信息表示該附加缺陷列表存儲區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 設(shè)置在該多個記錄層之一中的缺陷管理區(qū)；和設(shè)置該多個記錄層的另 一個中的備用缺陷列表存儲區(qū)。該缺陷管理區(qū)可以包括多個缺陷列表 存儲區(qū)。該備用缺陷列表存儲區(qū)包括多個附加缺陷列表存儲區(qū)。所述 缺陷列表存儲區(qū)可以是該多個缺陷列表存儲區(qū)之一。該附加缺陷列表 存儲區(qū)是所述多個附加缺陷列表存儲區(qū)之一。當(dāng)所述多個缺陷列表存 儲區(qū)都不可用時，可以使用所述附加缺陷列表存儲區(qū)代替所述缺陷列 表存儲區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，可以在所述多個記錄層之一 中設(shè)置所 述缺陷列表存儲區(qū)，可以在與在其中設(shè)置缺陷列表存儲區(qū)的記錄層相 同的記錄層中設(shè)置附加缺陷列表存儲區(qū)。
在本發(fā)明的 一個實施例中，可以在所述多個記錄層之一 中設(shè)置所 述缺陷列表存儲區(qū)，可以在所述多個記錄層的另一個中設(shè)置附加缺陷 列表存儲區(qū)。
在本發(fā)明的一個實施例中，該多層信息記錄介質(zhì)可以進一步包括 包含至少 一個替代區(qū)的備用區(qū)，其中當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到至少一 個缺陷區(qū)時，可以使用該至少一個替代區(qū)代替所述至少一個缺陷區(qū)。 該方法可以進一步包括用包含在備用區(qū)中的替代區(qū)代替存在于用戶數(shù) 據(jù)區(qū)中的缺陷區(qū)。
這樣，這里描述的本發(fā)明能夠提供一種缺陷管理方法的優(yōu)點，該 方法能夠縮短在光盤初始化過程中讀取缺陷管理區(qū)所需的時間并且能 夠有效地管理缺陷區(qū)。
在閱讀和理解下面參考附圖的詳細說明之后，對于本領(lǐng)域技術(shù)人 員來說，本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點將變得顯而易見。
圖l是表示光盤中的軌道和扇區(qū)的圖。 圖2是表示包括兩個記錄層的光盤的再現(xiàn)原理圖。 圖3A是表示平行軌跡DVD中第二記錄層的溝槽圖形的圖。 圖3B是表示平行軌跡DVD中第一記錄層的溝槽圖形的圖。 圖3C是表示平行軌跡DVD的再現(xiàn)方向的圖。 圖3D是表示平行軌跡DVD中扇區(qū)數(shù)分配的圖。 圖4A是表示反向軌跡DVD中第二記錄層的溝槽圖形的圖。 圖4B是表示反向軌跡DVD中第一記錄層的溝槽圖形的圖。 圖4C是表示反向軌跡DVD的再現(xiàn)方向的圖。 圖4D是表示反向軌跡DVD中扇區(qū)數(shù)分配的圖。 圖5A是表示DVD-RAM中的區(qū)位置的圖。 圖5B是表示圖5A所示的DMS的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的圖。 圖5C是表示圖5A所示的DL的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的圖。 圖6是表示根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)中的區(qū)位置 的圖。
圖7是表示本發(fā)明實施例1中的笫一缺陷管理區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的圖。 圖8是表示本發(fā)明實施例1中的第一備用DL存儲區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的
圖9是表示本發(fā)明實施例1中的第一備用DL存儲區(qū)和DDS區(qū)之間 關(guān)系的圖。
圖IOA是表示本發(fā)明實施例1中笫一缺陷管理區(qū)和第一備用DL存
儲區(qū)位置的圖。
圖IOB是表示本發(fā)明實施例1中第一缺陷管理區(qū)和第一備用DL存 儲區(qū)位置的圖。
圖IOC是表示本發(fā)明實施例1中第一缺陷管理區(qū)和第一備用DL存 儲區(qū)位置的圖。
圖ll是表示根據(jù)本發(fā)明實施例2的多層信息記錄介質(zhì)中的區(qū)位置 的圖。
圖12是表示本發(fā)明實施例2中的第一缺陷管理區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的圖。
圖13是表示根據(jù)本發(fā)明實施例3的記錄/再現(xiàn)裝置的圖。 圖14是用于說明在本發(fā)明實施例3中得到缺陷管理信息的程序的 流程圖。
圖15是用于說明根據(jù)本發(fā)明實施例3的扇區(qū)再現(xiàn)程序的流程圖，
其中考慮了替代。
圖16是用于說明本發(fā)明實施例3中從LSN到PSN的轉(zhuǎn)化的流程圖。 圖17是用于說明本發(fā)明實施例3中更新缺陷管理信息的程序的流程圖。
圖18是用于說明根據(jù)本發(fā)明實施例3的記錄程序的流程圖，其中 考慮了替代。
圖19是表示根據(jù)本發(fā)明實施例4的多層信息記錄介質(zhì)的區(qū)位置的圖。
圖20是表示根據(jù)本發(fā)明實施例4的多層信息記錄介質(zhì)中第一缺陷 管理區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的圖。
圖21是表示根據(jù)本發(fā)明實施例5的多層信息記錄介質(zhì)的區(qū)位置的
圖22是表示根據(jù)本發(fā)明實施例6的多層信息記錄介質(zhì)的區(qū)位置的圖。
具體實施方式
(實施例1 )
下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)。 這里所用的多層信息記錄介質(zhì)指的是至少包括兩個記錄層的信息記錄 介質(zhì)。
圖6是表示根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600的圖。 該多層信息記錄介質(zhì)600包括兩個記錄層51和52。該多層信息記錄介 質(zhì)600包含用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)602。該用戶數(shù)據(jù)區(qū)602 橫跨兩個記錄層51和52之間的邊界。在本發(fā)明的實施例l中，圖6 所示的上記錄層(51 )被稱為第一記錄層，下記錄層(52 )被稱為第 二記錄層。
第一記錄層51位于離通過其讀出數(shù)據(jù)的多層信息記錄介質(zhì)600的 表面(數(shù)據(jù)讀出表面)預(yù)定距離處。第一記錄層51被稱為參考層 該 預(yù)定距離等于從僅包括一個記錄層的光盤的數(shù)據(jù)讀出表面到該記錄層 的距離。在多個記錄層中，預(yù)先確定參考層。
沿著該多層信息記錄介質(zhì)600的記錄/再現(xiàn)方向，從內(nèi)周到外周， 該第一記錄層51包含引入?yún)^(qū)601、作為用戶數(shù)據(jù)區(qū)602 —部分的第一 用戶數(shù)據(jù)區(qū)15和中間區(qū)603。沿著該多層信息記錄介質(zhì)600的記錄/ 再現(xiàn)方向，從外周到內(nèi)周，該第二記錄層52包含中間區(qū)603、作為用 戶數(shù)據(jù)區(qū)602 —部分的第二用戶數(shù)據(jù)區(qū)16和引出區(qū)604。
在第一記錄層51 (參考層)中設(shè)置的引入?yún)^(qū)601包含用于存儲多 層信息記錄介質(zhì)600的控制信息的控制數(shù)據(jù)區(qū)610和用于記錄關(guān)于缺 陷區(qū)的缺陷管理信息的第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)和第二缺陷管理區(qū) 612 (畫A2)(缺陷管理信息包含盤定義結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)(disc definition structure data)、缺陷列表等)。第 一記錄層51的中間區(qū)603包含 第三缺陷管理區(qū)613 (DMA3)和第四缺陷管理區(qū)614 ( DMA4 )。第一缺 陷管理區(qū)611、第二缺陷管理區(qū)612、第三缺陷管理區(qū)613和笫四缺陷 管理區(qū)614每個都存儲相同的缺陷管理信息。這是因為通過在多層信 息記錄介質(zhì)600的內(nèi)周和外周上的多個區(qū)中復(fù)制記錄相同的缺陷管理 信息，改進了缺陷管理信息的可靠性。這里的缺陷區(qū)是缺陷扇區(qū)。
第二記錄層52的中間區(qū)603包含用于存儲備用缺陷列表的第三備 用缺陷列表(DL)區(qū)6"(備用DL3)和第四備用DL存儲區(qū)623 (備用 DL4)。當(dāng)由于退化等造成DMA3不再能夠適當(dāng)?shù)赜涗?不可用)時， 可以使用第三備用DL存儲區(qū)622 (備用DL3)代替第一記錄層51的第 三缺陷管理區(qū)613 (DMA3)。當(dāng)由于退化等造成DMA4不再能夠適當(dāng)?shù)?記錄(不可用)時，可以使用第四備用DL存儲區(qū)623 (備用DL4)代 替第四缺陷管理區(qū)613(DMA4)。引出區(qū)604包含用于存儲備用缺陷列
表的第一備用DL存儲區(qū)620(備用DL1 )和第二備用DL存儲區(qū)621(備 用DL2)。當(dāng)由于退化等造成DMA1不再能夠適當(dāng)?shù)赜涗?不可用)時， 可以使用第一備用DL存儲區(qū)620 (備用DL1)代替第一記錄層51的第 一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)。當(dāng)由于退化等造成DMA2不再能夠適當(dāng)?shù)?記錄(不可用)時，可以使用第二備用DL存儲區(qū)621 (備用DL2)代 替笫一記錄層51的第二缺陷管理區(qū)612 (DMA2)。
現(xiàn)在假設(shè)如圖6所示，缺陷區(qū)A 630存在于第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)15中， 缺陷區(qū)B 631存在于第二用戶數(shù)據(jù)區(qū)16中。盡管在背景技術(shù)的描述部 分描述了包括備用區(qū)13的光盤(圖5A)，但是實施例1的多層信息記 錄介質(zhì)600不包含這種備用區(qū)。因此，沒有缺陷區(qū)A 630和缺陷區(qū)B 631 凈皮備用區(qū)代替。
參考圖7，下面描述第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。注 意，第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)、第二缺陷管理區(qū)612 (DMA2)、第 三缺陷管理區(qū)613 (DMA3)和第四缺陷管理區(qū)(DMA4)每個都存儲 相同的缺陷管理信息。這里，描述第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)。
第一記錄層51 (參考層)的第一缺陷管理區(qū)"1 ( DMA1 )包含盤 定義結(jié)構(gòu)(DDS)區(qū)700 (DDS)和多個缺陷列表(DL )存儲區(qū)。在實施 例1中，第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)包含第一DL存儲區(qū)701、第二 DL存儲區(qū)702、第三DL存儲區(qū)703和第四DL存儲區(qū)7(M。并不是同時 使用所有這些DL存儲區(qū)。使用任意一個DL存儲區(qū)。在圖7所示的例 子中，第一DL存儲區(qū)701是缺陷區(qū)，使用第二DL存儲區(qū)70乙不使用 第三DL存儲區(qū)703和第四DL存儲區(qū)7(M。第二DL存儲區(qū)702存儲缺 陷列表(DL) 709。當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)602中檢測到至少一個缺陷區(qū)時， 使用缺陷列表709來管理檢測到的缺陷區(qū)。缺陷列表709包含在用戶 數(shù)據(jù)區(qū)602中檢測的缺陷區(qū)(一個或者多個)和它們的替代區(qū)的位置 信息。DDS區(qū)700作為用于存儲表示DL存儲區(qū)(例如圖7中的第二DL 存儲區(qū)702 )位置的缺陷列表位置信息的缺陷列表位置信息存儲區(qū)，其 中該DL存儲區(qū)存儲缺陷列表"709。 DDS區(qū)700還存儲表示缺陷確認狀 態(tài)等的信息。如果由于重復(fù)的寫操作等導(dǎo)致笫二DL存儲區(qū)702出現(xiàn)缺 陷，那么使用第三DL存儲區(qū)703。
DDS區(qū)700包含用于識別DDS的DDS識別符710、表示目前在多個 記錄層中使用的并且包含DL存儲區(qū)的DL開始扇區(qū)層數(shù)ni(層數(shù)可以
是允許彼此區(qū)分多個記錄層的任何信息)、使用扇區(qū)數(shù)表示目前在記
錄層中使用的DL存儲區(qū)位置的DL開始扇區(qū)數(shù)712和用于存儲關(guān)于備 用區(qū)尺寸信息的備用區(qū)尺寸區(qū)713，其中扇區(qū)數(shù)是記錄層中唯一可識別 的。DL開始扇區(qū)層數(shù)711和DL開始扇區(qū)數(shù)區(qū)712包含缺陷列表位置信 息。由于該多層信息記錄介質(zhì)600不包含備用區(qū)，因此在備用區(qū)尺寸 區(qū)713中設(shè)置值0。備用區(qū)尺寸區(qū)713可以包含記錄層數(shù)或者取決于備 用區(qū)位置的多個尺寸。為了筒便，這里假設(shè)當(dāng)該多層信息記錄介質(zhì)600 配置有備用區(qū)時，在每個記錄層的內(nèi)周和外周中設(shè)置具有由備用區(qū)尺 寸區(qū)713指定的尺寸的備用區(qū)。
缺陷列表709包含DL首標(biāo)(header) 720和兩條缺陷入口數(shù)據(jù)。 DL首標(biāo)區(qū)720包含用于識別缺陷列表的DL識別符731、用于表示改寫 缺陷列表的重復(fù)次數(shù)的DL更新計數(shù)732和用于表示存儲在DL首標(biāo)720 后面區(qū)中的缺陷入口數(shù)的DL入口數(shù)733。在圖7所示的例子中，記錄 了兩條缺陷入口數(shù)據(jù)即缺陷入口 A 721和缺陷入口B 722，因此，DL 入口數(shù)733表示二。
缺陷入口 A 721包含替代狀態(tài)標(biāo)記734、缺陷扇區(qū)層數(shù)735、缺陷 扇區(qū)數(shù)736、替代扇區(qū)層數(shù)737和替代扇區(qū)數(shù)738。同樣，缺陷入口 B 722 包含替代狀態(tài)標(biāo)記739、缺陷扇區(qū)層數(shù)740、缺陷扇區(qū)數(shù)741、替代扇 區(qū)層數(shù)742和替代扇區(qū)數(shù)743。下面將描述包含在缺陷入口 A721中的 數(shù)據(jù)。替代狀態(tài)標(biāo)記734是表示缺陷區(qū)是否被備用區(qū)替代的標(biāo)記，并 且當(dāng)沒有進行替代時表示值1。在實施例1中，在多層信息記錄介質(zhì) 600中沒有分配備用區(qū)。因此，在替代狀態(tài)標(biāo)記734中設(shè)置表示沒有替 代的值1。
缺陷扇區(qū)層數(shù)735表示在其中檢測到缺陷區(qū)的記錄層的層數(shù)。替 代扇區(qū)層數(shù)737表示在其中設(shè)置替代區(qū)的記錄層的層數(shù)。這些層數(shù)是 允許彼此辨別多個記錄層任何信息。使用該缺陷入口 A 721來管理缺 陷區(qū)A 630 (圖6)。使用缺陷入口 B 722來管理缺陷區(qū)B631 (圖6)。 在這種情況下，例如，在缺陷扇區(qū)層數(shù)735中設(shè)置表示笫一記錄層51 的值l,而在缺陷扇區(qū)層數(shù)740中設(shè)置表示第二記錄層52的值2。缺 陷扇區(qū)數(shù)736表示識別值，由此在檢測到缺陷區(qū)的記錄層中唯一地確 定缺陷區(qū)的位置。例如，扇區(qū)數(shù)是從多層信息記錄介質(zhì)600的內(nèi)周向 外周逐一增加的值。
即使第一記錄層51中的任何扇區(qū)的扇區(qū)數(shù)是以相同半徑位置放置 扇區(qū)的第二記錄層52中對應(yīng)扇區(qū)的扇區(qū)數(shù)的二進制補碼(two's complement)，也如DVD-ROM的反向軌跡那樣滿足上述條件。例如， 考慮以28位格式表示物理扇區(qū)數(shù)(PSN)，并且第一記錄層51的PSN 在OOOOOOOh到OFFFFFFh的范圍內(nèi)("h，，表示由十六進制數(shù)表示的值)。 當(dāng)?shù)谝挥涗泴?1中某個扇區(qū)的PSN為0123450h時，在相同半徑位置 處的笫二記錄層52中對應(yīng)扇區(qū)的PSN為FEDCBAFh。在這種情況下，第 一層的PSN的最高有效位恒定為0，第二層的PSN的最高有效位恒定為 F。這樣，可以使用該最重要的位來表示層數(shù)。
同樣，在每個替代扇區(qū)層數(shù)737和替代扇區(qū)數(shù)738中設(shè)置能夠唯 一地識別代替缺陷區(qū)的區(qū)的位置的值。注意，在實施例1中，由于沒 有備用區(qū)，因此沒有進行替代。因此，在每個替代扇區(qū)層數(shù)737和742 中設(shè)置0，而在每個替代扇區(qū)數(shù)738和7"中設(shè)置OOOOOOOOh。
如果在每個第一記錄層51和第二記錄層52中獨立地設(shè)置缺陷管 理區(qū)(DMA)，那么需要記錄/再現(xiàn)裝置從如上所述的每個記錄層讀出 缺陷管理信息。然而，如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記 錄介質(zhì)600可以通過僅從參考層讀取缺陷管理信息而得到所有記錄層 的缺陷管理信息。因此，能夠在短時間內(nèi)簡單地進行多層信息記錄介 質(zhì)600的初始化過禾呈。
在該多層信息記錄介質(zhì)600中，以統(tǒng)一的方式管理所有記錄層的 缺陷區(qū)。因此，與為每個記錄層管理缺陷區(qū)相比，可以更有效地使用 DL存儲區(qū)。例如，假設(shè)光盤包括兩個記錄層，這兩個記錄層包含1000 個扇區(qū)的最大總數(shù)，為每個記錄層管理出現(xiàn)的缺陷區(qū)。在這種情況下， 當(dāng)在每個記錄層中單獨地存儲缺陷管理信息時，需要為每層配置可以 包含最大1000個扇區(qū)的缺陷入口的DL存儲區(qū)。這是因為需要處理不 平衡情況，使得在第一記錄層51中存在950個缺陷扇區(qū)，而在笫二記 錄層52中不存在缺陷區(qū)。另一方面，在根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信 息記錄介質(zhì)600中，利用DL存儲區(qū)以統(tǒng)一的方式管理所有記錄層中的 缺陷區(qū)，所述DL存儲區(qū)可以包含最大1000個扇區(qū)的缺陷入口，因此， 可以減小所有DL存儲區(qū)的總尺寸。
下面將參考圖8描述包含在第二記錄層52中的笫一備用DL存儲 區(qū)620 (備用DL1)，該第一備用DL存儲區(qū)620 (備用DL1)包含多個
DL存儲區(qū)。在根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600中，第一 備用DL存儲區(qū)620 (備用DL1)包含四個DL存儲區(qū)，即第五DL存儲 區(qū)705、第六DL存儲區(qū)706、第七DL存儲區(qū)707和第八DL存儲區(qū)708， 每個都沒有被使用。當(dāng)確定包含在第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)中的所 有DL存儲區(qū)都有缺陷并且不可使用時，使用包含在第一備用DL存儲 區(qū)620(備用DL1)中的DL存儲區(qū)替代包含在笫一缺陷管理區(qū)611( DMA1 ) 中的DL存儲區(qū)。將與存儲在包含在第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)中的 DL存儲區(qū)中的缺陷列表內(nèi)容相同的缺陷列表存儲在包含在第一備用DL 存儲區(qū)620 (備用DL1)中的DL存儲區(qū)中。
與第一備用DL存儲區(qū)620 (備用DL1) —樣，笫二備用DL存儲區(qū) "1 (備用DL2)、第三備用DL存儲區(qū)6"(備用DL3)和第四備用DL 存儲區(qū)623 (備用DL4)每個都包含多個DL存儲區(qū)。當(dāng)確定包含在第 二缺陷管理區(qū)612(DMA2)中的所有DL存儲區(qū)有缺陷并且不可使用時， 就用包含在第二備用DL存儲區(qū)621 (備用DL2 )中的DL存儲區(qū)替代它 們。當(dāng)確定包含在第三缺陷管理區(qū)613 (DMA3)中的所有DL存儲區(qū)有 缺陷并且不可使用時，就用包含在第三備用DL存儲區(qū)6"(備用DL" 中的DL存儲區(qū)替代它們。當(dāng)確定包含在第四缺陷管理區(qū)614 (DMA" 中的所有DL存儲區(qū)有缺陷并且不可使用時，就用包含在第四備用DL 存儲區(qū)623 (備用DL4)中的DL存儲區(qū)替代它們。
在上述情況下，當(dāng)?shù)谝蝗毕莨芾韰^(qū)611 (DMA1)不可用時，使用第 一備用DL存儲區(qū)620 (備用DL1)?？梢赃x擇的是，例如可以使用其 它的備用DL存儲區(qū)，例如第二備用DL存儲區(qū)621等。
圖9示出了使用第二記錄層52中的第一備用DL存儲區(qū)6M(備用 DL1)的例子。在圖9的例子中，確定第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)中 的四個DL存儲區(qū)有缺陷。在這種情況下，在包含在第二記錄層52中 的第一備用DL存儲區(qū)620的DL存儲區(qū)中記錄缺陷列表。如圖9所示， 當(dāng)?shù)谖錎L存儲區(qū)705也有缺陷時，在第六DL存儲區(qū)706中記錄該缺 陷列表709 (圖7)。在這種情況下，在DDS區(qū)700的DL開始扇區(qū)層 數(shù)711中設(shè)置表示包含在笫二記錄層52中的DL存儲區(qū)使用的值L在 DL開始扇區(qū)數(shù)712中存儲第六DL存儲區(qū)706的開始位置的扇區(qū)數(shù)。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600中， 除了參考層之外的記錄層包含備用DL存儲區(qū)。因此，即使參考層中的
DL存儲區(qū)變?yōu)椴豢捎?，也可以使用備用DL存儲區(qū)來保持缺陷管理信息 的可靠性。具體地說，記錄介質(zhì)的可靠性很可能由于重復(fù)的寫操作而 退化，而該技術(shù)對于改進記錄介質(zhì)的可靠性是很實用的。注意，在實 施例1中，以第五DL存儲區(qū)705、第六DL存儲區(qū)706、第七DL存儲 區(qū)707和第八DL存儲區(qū)708的順序使用這些存儲區(qū)，然而，當(dāng)在第二 記錄層52中從多層信息記錄介質(zhì)600的外周到內(nèi)周記錄數(shù)據(jù)時，可以 按從第八DL存儲區(qū)708的降序順序使用這些區(qū)。
接著參考圖IOA和IOB描述第一記錄層51 (參考層)中的缺陷管 理區(qū)的半徑位置和第二記錄層52中的備用DL存儲區(qū)的半徑位置之間 的關(guān)系。圖IOA是表示根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600 中引入?yún)^(qū)601、中間區(qū)603和引出區(qū)604的位置的放大圖?，F(xiàn)在假設(shè)使 用第一備用DL存儲區(qū)620 (備用DL)。在這種情況下，在笫一備用DL 存儲區(qū)620 (備用DL1)中存儲缺陷列表，該缺陷列表由DDS區(qū)700的 DL開始扇區(qū)數(shù)712表示。理想地，第一備用DL存儲區(qū)6M(備用DL1) 和第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)位于基本上相同的半徑位置上。如果這 樣，記錄/再現(xiàn)頭僅需要在半徑方向移動很小的距離。這樣，如圖10A 所示，理想地，第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)中的第一DL存儲區(qū)701 和第一備用DL存儲區(qū)(備用DL1)中的第五DL存儲區(qū)705位于基 本上相同的半徑位置上。這是因為當(dāng)在多層信息記錄介質(zhì)600的初始 化過程中讀出第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)的內(nèi)容、并且根據(jù)DDS區(qū) 700確定缺陷列表存儲在第一備用DL存儲區(qū)(備用DL1)的第五 DL存儲區(qū)705中時，具有基本上相同的半徑位置使其能夠快速訪問該 區(qū)。然而，當(dāng)在制造步驟中第一記錄層51和第二記錄層52附著到一 起時會出現(xiàn)誤差等，由此使其難以在相同的半徑位置安置笫一備用DL 存儲區(qū)620 (備用DL1)和第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)。結(jié)果，如圖 IOB所示，第一記錄層51稍微偏離了第二記錄層52。在圖10B中，第 一記錄層51中的第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)在半徑方向偏離了第二 記錄層52中的第一備用DL存儲區(qū)620 (備用DL1)。偏離的幅度稱為 光盤制造工藝的附著誤差。
考慮用于記錄和再現(xiàn)多層信息記錄介質(zhì)600的記錄/再現(xiàn)裝置的工 作，當(dāng)焦點夾在第一記錄層51和第二記錄層52之間時，由于透鏡位 置控制的不精確、光盤的偏心等而出現(xiàn)誤差。因此，基于如圖10B所
示的光盤制造工藝中記錄層的附著精度，第一記錄層51和第二記錄層 52之間半徑位置的誤差在預(yù)定范圍內(nèi)是可以容許的。
此外，對于缺陷管理區(qū)和備用DL存儲區(qū)之間的位置關(guān)系來說，鑒 于訪問時間，缺陷管理區(qū)中的DDS區(qū)和相應(yīng)的備用DL存儲區(qū)中的DL 存儲區(qū)之間優(yōu)選具有較小的距離。例如，如與圖10A比較的圖IOC所 示，備用DL存儲區(qū)中的每個DL存儲區(qū)都可以向內(nèi)周偏移在備用DL存 儲區(qū)中所使用的區(qū)。
如上所述，當(dāng)參考層中的缺陷管理區(qū)(畫A[n^1，2， 3，4])和除了 參考層之外的記錄層中的備用DL存儲區(qū)(備用DLm)位于基本上相同 的半徑位置時，即使缺陷列表存儲在備用DL存儲區(qū)(備用DLm)中， 也能夠在短時間內(nèi)訪問缺陷列表。
至此描述了根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實施例l的、包括多個記錄層的多層信 息記錄介質(zhì)600中，在單個的記錄層中存儲關(guān)于所有記錄層的缺陷管 理信息。因此，能夠更簡單和快速地讀出缺陷管理信息。
在根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600中，在參考層中 存儲關(guān)于多個記錄層的所有缺陷管理信息。因此，即使大量的缺陷區(qū) 密集地存在于一個記錄層中，也能夠有效地使用缺陷入口區(qū)。
在根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600中，在除了參考 層之外的記錄層中設(shè)置備用DL存儲區(qū)。因此，能夠有效地改進由于介 質(zhì)材料退化而導(dǎo)致的缺陷的缺陷管理信息的可靠性。
在根據(jù)本發(fā)明實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600中，將備用DL存 儲區(qū)放置在離參考層中的缺陷管理區(qū)的半徑位置預(yù)定誤差范圍內(nèi)。因 此，能夠縮短在讀取DDS區(qū)之后讀取備用DL存儲區(qū)所需要的訪問時間。
注意，實施例1示出了反向軌跡光盤，盡管可以同樣管理在所有 記錄層從內(nèi)周向外周進行記錄和再現(xiàn)的平行軌跡盤，但是在反向軌跡 光盤中，從第一記錄層51的內(nèi)周向外周和從第二記錄層52的外周向 內(nèi)周進行記錄和再現(xiàn)。并不具體限制記錄層的設(shè)置，只要缺陷管理區(qū) 和備用DL存儲區(qū)彼此靠近即可。因此，根據(jù)反向軌跡盤和平行軌跡盤 之間記錄和再現(xiàn)方向的差異，可以稍微調(diào)節(jié)上述設(shè)置。例如，在反向 軌跡盤中，從外周向內(nèi)周訪問笫二記錄層。因此，可以將第二記錄層 中的備用DL存儲區(qū)放置在比設(shè)置在內(nèi)周上的缺陷管理區(qū)更靠近內(nèi)周的 位置。
注意，在多層信息記錄介質(zhì)至少具有三個記錄層的情況下，該多
層信息記錄介質(zhì)可以存儲DL存儲區(qū)管理信息以便管理缺陷管理區(qū)中的 DL存儲區(qū)和備用DL存儲區(qū)的狀態(tài)。DL存儲區(qū)管理信息的例子是使得 當(dāng)不使用該DL存儲區(qū)時設(shè)置值0，當(dāng)使用該DL存儲區(qū)時設(shè)置值1，并 且當(dāng)確定DL存儲區(qū)有缺陷時設(shè)置值2。通過在DDS區(qū)中存儲這種用于 管理每個DL存儲區(qū)的信息，可以有效地管理這些DL存儲區(qū)。
注意，盡管參考層并不限于此并且可以是在預(yù)定規(guī)則下唯一確定 的任何記錄層，但是在實施例l中，該參考層是圖中多個記錄層的上 記錄層。例如，參考層可以是多層記錄層中位于離多層信息記錄介質(zhì) 的數(shù)據(jù)讀出表面距離最短的位置處的記錄層，或者可以是位于離該數(shù) 據(jù)讀出表面距離最長的位置處的記錄層。
注意，盡管信息記錄介質(zhì)可以包括更多的記錄層(至少3個)， 但是在實施例1中描述了多層信息記錄介質(zhì)600包括兩個記錄層。在 任意的多層信息記錄介質(zhì)中，在任意一個記錄層中設(shè)置缺陷管理區(qū)， 而在其它記錄層中設(shè)置備用DL存儲區(qū)。 (實施例2)
下面參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例2的多層信息記錄介質(zhì)。 圖ll是表示根據(jù)本發(fā)明實施例2的多層信息記錄介質(zhì)800的圖。 實施例2的多層信息記錄介質(zhì)800包括第一記錄層53和第二記錄層 54。在笫一記錄層53和第二記錄層54中，以類似于實施例l所示的 笫一記錄層51和第二記錄層52的方式設(shè)置缺陷管理區(qū)和備用DL存儲 區(qū)。多層信息記錄介質(zhì)800與實施例1的多層信息記錄介質(zhì)600的區(qū) 別在于，在多層信息記錄介質(zhì)800中，第一記錄層53包含頭部備用區(qū) 1101 (head spare area )和中間備用區(qū)1102，第二記錄層54包含中 間備用區(qū)1102，和端部備用區(qū)1103。然而，可以適當(dāng)?shù)卮_定這些備用區(qū) 的尺寸，為了筒單，假設(shè)所有的備用區(qū)都具有相同的尺寸(該尺寸用 備用區(qū)尺寸713表示(圖12))。數(shù)據(jù)區(qū)IIOO是包含用戶數(shù)據(jù)區(qū)602 和上述備用區(qū)的區(qū)。下面將描述多層信息記錄介質(zhì)800與多層信息記 錄介質(zhì)600不同的特征。
頭部備用區(qū)1101、中間備用區(qū)1102、中間備用區(qū)1102，和端部備 用區(qū)1103包含替代區(qū)。當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)602中檢測缺陷區(qū)時，可以使
用替代區(qū)代替缺陷區(qū)。這里缺陷區(qū)是有缺陷的扇區(qū)。缺陷區(qū)A1110和 缺陷區(qū)B11U每個都是其中不能正確地記錄和再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)的缺陷區(qū)。 用包含中間備用區(qū)1102的替代區(qū)A 1111代替缺陷區(qū)A 1110。結(jié)果， 在將在缺陷區(qū)1110中記錄的用戶數(shù)據(jù)被記錄到替代區(qū)A 1111中。同 樣，在讀取操作中，從替代區(qū)A llll而不是從缺陷區(qū)A 1110讀取用 戶數(shù)據(jù)。同樣，用第一記錄層53中包含頭部備用區(qū)1101的替代區(qū)B1113 代替第二記錄層中的缺陷區(qū)B 1112。
下面將參考圖12描述實施例2中的缺陷管理信息的內(nèi)容。圖12 示出了第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1)中區(qū)的位置。下面將只描述實施例 2的第一缺陷管理區(qū)611 (DMA1 )與實施例1不同的特征。存儲在第二 DL存儲區(qū)702中的缺陷列表1209包含兩個缺陷入口 ，即缺陷入口 A 1201和缺陷入口 B 1202。缺陷入口 A1201是表示圖ll的缺陷區(qū)A1110 被替代區(qū)A llll代替的信息。另一方面，缺陷入口 B 1202存儲表示 圖11的缺陷區(qū)B 1112-故替代區(qū)B 1113代替的信息。因此，包含在缺 陷入口 A 1201中替代狀態(tài)標(biāo)記和包含在缺陷入口 B 1202中的替代狀 態(tài)標(biāo)記都為0。這是因為當(dāng)相應(yīng)的缺陷區(qū)被替代區(qū)代替時，替代狀態(tài)標(biāo) 記具有值O，當(dāng)缺陷區(qū)沒有被替代和記錄時，具有值l。與實施例l一 樣，缺陷扇區(qū)層數(shù)和缺陷扇區(qū)數(shù)分別表示允許識別記錄層的數(shù)和允許 唯一確定記錄層中扇區(qū)位置的數(shù)。缺陷區(qū)A 1110及其替代區(qū)B 1111 都包含在第一記錄層53中，因此，包含在缺陷入口 A UOl中的缺陷 扇區(qū)層數(shù)735和替代扇區(qū)層數(shù)737都表示1。另一方面，缺陷區(qū)Bill2 包含在第二記錄層54中，替代區(qū)B 1113包含在第一記錄層53中。因 此，包含在缺陷入口 B 1202中的缺陷扇區(qū)層數(shù)7"表示值2，該值2 代表第二記錄層54，替代扇區(qū)層數(shù)7"表示值1，該值l代表第一記 錄層53。注意，與缺陷扇區(qū)數(shù)735和740 —樣，替代扇區(qū)數(shù)737和742
代表唯一確定記錄層中替代區(qū)的開始位置的扇區(qū)數(shù)。
在實施例2中，用第一記錄層53中的替代區(qū)B 1113代替第二記 錄層54中的缺陷區(qū)B 1112。例如，現(xiàn)在假設(shè)，總的1000個缺陷扇區(qū) 存在于兩個記錄層中。如果為每個記錄層單獨地進行缺陷管理，那么 必須在每個記錄層中分配對應(yīng)于至少IOOO個扇區(qū)的備用區(qū)。換句話說， 兩個記錄層需要與總共至少2000個扇區(qū)對應(yīng)的備用區(qū)。另一方面，在 實施例2中，以統(tǒng)一的方式存儲用于所有記錄層的缺陷列表，同時用
另一個記錄層中的備用區(qū)代替某個記錄層中的缺陷區(qū)。因此，在本發(fā)明中，兩個記錄層需要與總共iooo個扇區(qū)對應(yīng)的備用區(qū)(例如，在兩個記錄層的每個中設(shè)置500個扇區(qū))。因此，可以減小分配為備用區(qū) 的區(qū)的容積，由此使其能夠增加用戶數(shù)據(jù)區(qū)602的容積。
上面已經(jīng)描述了根據(jù)本發(fā)明實施例2的多層信息記錄介質(zhì)800。
下面將描述關(guān)于如上所述根據(jù)本發(fā)明實施例2的多層信息記錄介 質(zhì)800除了實施例1所描述的本發(fā)明效果之外的效果。
由單個的缺陷列表管理關(guān)于包含在多層信息記錄介質(zhì)中的所有記 錄層的缺陷管理信息，由此使其能夠用不同層中的替代區(qū)代替某個層 中缺陷區(qū)。因此，即使缺陷區(qū)密集地出現(xiàn)在某個記錄層中，并且用盡 了該層中的所有備用區(qū)，也能夠用其它記錄層中的備用區(qū)代替。因此， 即使由于介質(zhì)材料等退化導(dǎo)致在特定的記錄層中密集地出現(xiàn)缺陷區(qū)， 也可以有效地使用所有記錄層中的備用區(qū)，并且可以確保記錄數(shù)據(jù)的 可靠性。盡管省略了對其的描述，但是應(yīng)清楚地認識到，實施例2中 使用備用DL的方法與實施例l相同。
注意，實施例2的盤介質(zhì)是反向軌跡光盤，其中從第一記錄層53 的內(nèi)周向外周和從第二記錄層54的外周向內(nèi)周進行記錄和再現(xiàn)。同樣， 在所有記錄層中都從內(nèi)周向外周進行記錄和再現(xiàn)的平行軌跡光盤中， 可以類似地管理缺陷區(qū)。 (實施例3)
下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例3的信息記錄/再現(xiàn)裝置 500。該信息記錄/再現(xiàn)裝置500使用分別在實施例l和2中描述的多 層信息記錄介質(zhì)600和800進行記錄和再現(xiàn)。
圖13是表示根據(jù)本發(fā)明實施例3的信息記錄/再現(xiàn)裝置500的方 框圖。該信息記錄/再現(xiàn)裝置500包括光盤電動機502、前置放大器508、 伺服電路509、 二值化電路510 ( binarization circuit)、調(diào)制/解 調(diào)電路511、 ECC電路512、緩沖器513、 CPU514、內(nèi)部總線534和光 頭部分535。在信息記錄/再現(xiàn)裝置500中裝栽該多層信息記錄介質(zhì) 800。光頭部分535包括透鏡503、致動器504、激光驅(qū)動電路505、光 電探測器506和輸送平臺507。附圖標(biāo)記520表示旋轉(zhuǎn)檢測信號。附圖 標(biāo)記521表示光盤電動機驅(qū)動信號。附圖標(biāo)記5"表示激光發(fā)射允許 信號。附圖標(biāo)記523表示光檢測信號。附圖標(biāo)記5M表示伺服誤差信
號。附圖標(biāo)記5"表示致動器驅(qū)動信號。附圖標(biāo)記526表示輸送平臺 驅(qū)動信號。附圖標(biāo)記5"表示模擬數(shù)據(jù)信號。附圖標(biāo)記528表示二值 化數(shù)據(jù)信號。附圖標(biāo)記5"表示解調(diào)數(shù)據(jù)信號。附圖標(biāo)記530表示校 正的數(shù)據(jù)信號。附圖標(biāo)記5n表示存儲的數(shù)據(jù)信號。附圖標(biāo)記532表 示編碼的數(shù)據(jù)信號。附圖標(biāo)記533表示調(diào)制的數(shù)據(jù)信號。
CPU514起控制部分的作用。該CPU514根據(jù)配置的控制程序通過內(nèi) 部總線534控制信息記錄/再現(xiàn)裝置500的整個工作。如下所述，光頭 部分535可以光學(xué)地在多層信息記錄介質(zhì)800中從該多層信息記錄介 質(zhì)800的一側(cè)寫入信息。光頭部分535可以光學(xué)地從多層信息記錄介 質(zhì)800讀取信息。如下所述CPU514利用光頭部分535控制缺陷管理過 程的執(zhí)行。
響應(yīng)于從CPU514輸出的激光發(fā)射允許信號522,激光驅(qū)動電路505 將激光536發(fā)射到多層信息記錄介質(zhì)800上。由多層信息記錄介質(zhì)800 反射的光通過光電探測器506轉(zhuǎn)換為光檢測信號523。光檢測信號523 經(jīng)過在前置放大器508中的加/減，產(chǎn)生伺服誤差信號5"和模擬數(shù)據(jù) 信號527。通過二值化電路510對模擬數(shù)據(jù)信號527進行A/D轉(zhuǎn)換， 將其轉(zhuǎn)換為二值化數(shù)據(jù)信號528。通過調(diào)制/解調(diào)電路511解調(diào)該二進 制化數(shù)據(jù)信號528，以便產(chǎn)生解調(diào)的數(shù)據(jù)信號529。通過ECC電路512 將該解調(diào)的數(shù)據(jù)信號529轉(zhuǎn)換為不包含任何誤差的校正的數(shù)據(jù)信號 530。該校正的數(shù)據(jù)信號530存儲在緩沖器513中。伺服電路509基于 伺服誤差信號524輸出致動器驅(qū)動信號525，由此將伺服誤差反饋給致 動器504用于透鏡503的聚焦控制或者循跡控制。通過ECC電路512 將誤差校正代碼添加到所存儲的數(shù)據(jù)信號5 31,所存儲的數(shù)據(jù)信號5 31 是從緩沖器513輸出的數(shù)據(jù)，以便產(chǎn)生編碼的數(shù)據(jù)信號"2。然后，通 過調(diào)制/解調(diào)電路511調(diào)制該編碼的數(shù)據(jù)信號532，以便產(chǎn)生調(diào)制的數(shù) 據(jù)信號533。將該調(diào)制的數(shù)據(jù)信號533輸入給激光驅(qū)動電路505，以便 調(diào)制激光的功率。
該信息記錄/再現(xiàn)裝置500可以用作計算機的外圍設(shè)備，例如與計 算機一起的CD-ROM驅(qū)動器等。在這種情況下，另外設(shè)置主機界面電路 (未示出)，數(shù)據(jù)通過主機界面總線(未示出)例如SCSI等在主機(未 示出)和緩沖器513之間傳輸?？梢赃x擇的是，如果將該信息記錄/再 現(xiàn)裝置500與AV系統(tǒng)一起用作消費設(shè)備，例如CD唱機等，那么另外
設(shè)置av解碼/編碼電路(未示出)，以便壓縮移動圖像或者聲音或者 解壓縮壓縮了的移動圖像或者聲音，并且得到的數(shù)據(jù)在主機和緩沖器 513之間傳輸。
在根據(jù)本發(fā)明實施例3的信息記錄/再現(xiàn)裝置500的再現(xiàn)操作中， 在考慮替代時，需要提供兩個過程，即得到缺陷管理信息的過程和再 現(xiàn)扇區(qū)的過程，以便再現(xiàn)記錄在應(yīng)用了本發(fā)明的缺陷管理的、包括兩 個記錄層的多層信息記錄介質(zhì)800中的信息。
在根據(jù)本發(fā)明實施例3的信息記錄/再現(xiàn)裝置500的記錄操作中， 除了上述再現(xiàn)操作，在考慮替代時，還需要提供兩個過程，即更新缺 陷管理信息的過程和記錄扇區(qū)的過程，以便在應(yīng)用了本發(fā)明的缺陷管 理的、包括兩個記錄層的多層信息記錄介質(zhì)800中記錄信息。
下面將描述實施例3的記錄/再現(xiàn)裝置500的工作，其中利用主要 參考圖11和12描迷的缺陷管理在實施例2的多層信息記錄介質(zhì)800 上進行記錄和再現(xiàn)。高級裝置例如主機等輸出指定將進行記錄和再現(xiàn) 的區(qū)的信息，該信息由邏輯扇區(qū)數(shù)(lsn)表示。記錄介質(zhì)上的物理位 置信息由物理扇區(qū)數(shù)(psn)表示?，F(xiàn)在假設(shè)，psn包含扇區(qū)層數(shù)和扇 區(qū)數(shù)，扇區(qū)層數(shù)表示在其中存在扇區(qū)的層，使用扇區(qū)數(shù)能夠在存在扇 區(qū)的層中識別扇區(qū)的位置。
圖14示出了用于說明在本發(fā)明實施例3中得到缺陷管理信息的程 序的流程圖1400。
在得到缺陷管理信息過程的第一步，即在步驟1401， cpush命令
伺服電路509控制激光的聚焦點，以便在參考層中跟隨軌跡而行。
在步驟1402，光頭部分535再現(xiàn)存儲光盤信息的扇區(qū)，cupsm確 認記錄/再現(xiàn)多層信息記錄介質(zhì)800所需要的參數(shù)和格式。
在步驟1403，光頭部分535再現(xiàn)存儲在參考層中的dds區(qū)700。 所再現(xiàn)的dds數(shù)據(jù)保持在緩沖器513的預(yù)定位置。
在步驟1404， cpu 514通過參考緩沖器513內(nèi)的dds數(shù)據(jù)中的dl 開始扇區(qū)層數(shù)711確定dl開始層是否存在于參考層中。如果dl開始 層存在于參考層中，那么程序進行到步驟h06。如果dl開始層存在于 除了參考層之外的記錄層中，那么程序進行到步驟"05。
在步驟1405， cpu514命令伺服電路509控制激光的聚焦點，以便 在由dl開始扇區(qū)層數(shù)711表示的記錄層中跟隨軌跡而行。
在步驟1406,光頭部分535從由DL開始扇區(qū)數(shù)712表示的扇區(qū)讀 取缺陷列表的預(yù)定尺寸部分。讀取的缺陷列表保持在緩沖器513的預(yù) 定位置。
圖15是說明根據(jù)本發(fā)明實施例3的扇區(qū)再現(xiàn)過程的流程圖1500， 其中考慮了替代。在該再現(xiàn)過程中，假設(shè)包含DDS數(shù)據(jù)的缺陷管理信 息和缺陷列表已經(jīng)保持在緩沖器513中。
在該再現(xiàn)過程的第一步，即在步驟1501， CPU514將分配給待再現(xiàn) 的各個區(qū)的LSN轉(zhuǎn)換為PSN(將在下面參考圖16詳細描述這個步驟)。
在步驟1502， CPU514參考待再現(xiàn)區(qū)的PSN的層數(shù)確定目前存在激 光聚焦點的記錄層是否與待再現(xiàn)的記錄層一致。如果一致，那么該程 序進行到步驟1504，如果不一致，那么該程序進行到步驟1503。
在步驟1503, CPU514命令伺服電路509控制激光536的聚焦點，
以便在待再現(xiàn)的記錄層中跟隨軌跡而行。
在步驟1504，光頭部分535再現(xiàn)記錄在由在轉(zhuǎn)換步驟"01中得到 的PSN表示的扇區(qū)中的信息。
圖16是說明根據(jù)本發(fā)明實施例3將LSN轉(zhuǎn)換為PSN的程序(即圖 15的步驟1501 )的流程圖1600。
在該轉(zhuǎn)換過程的第一步1601，在不考慮替代存在或者不存在的情 況下，即以類似于不存在缺陷扇區(qū)的方式將LSN轉(zhuǎn)換為PSN。參考圖 11，當(dāng)待轉(zhuǎn)換的LSN的序數(shù)水平(ordinal level )值小于第一用戶數(shù) 據(jù)區(qū)15中的扇區(qū)數(shù)時，
PSN=(第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)15中最小的PSN) +LSN。
當(dāng)待轉(zhuǎn)換的LSN的順序值大于第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)15中的扇區(qū)總數(shù)
時，
PSN-(第二用戶數(shù)據(jù)區(qū)16中最小的PSN) +LSN-(第一用戶數(shù)據(jù) 區(qū)15中的扇區(qū)總數(shù))。
注意，由于圖11的多層信息記錄介質(zhì)800具有反向軌跡軌道，因 此向其分配最小PSN的第二用戶數(shù)據(jù)區(qū)16中的扇區(qū)位于第二用戶數(shù)據(jù) 區(qū)16的最外周部分處(即與中間備用區(qū)1002，相鄰)。
在步驟1602, CPU514參考缺陷列表中的缺陷入口數(shù)據(jù)，確定在上 述步驟得到的PSN是否匹配存儲在缺陷列表中的缺陷扇區(qū)層數(shù)和缺陷 扇區(qū)數(shù)。如果記錄了，那么該程序進行到步驟1603;如果沒有記錄(即
沒有替代)，那么程序結(jié)束。
在步驟l603， CPUSW從記錄在缺陷列表中的缺陷入口數(shù)據(jù)選擇由 表示PSN的缺陷入口表示的替代扇區(qū)層數(shù)和替代扇區(qū)數(shù)(即缺陷扇區(qū) 層數(shù)和缺陷扇區(qū)數(shù))。
注意，當(dāng)從沒有備用區(qū)的多層信息記錄介質(zhì)600 (圖6)再現(xiàn)數(shù)據(jù) 時，省略由步驟1603表示的過程，或者省略由步驟1602和1603表示 的過程。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例3的信息記錄/再現(xiàn)裝置500可以從 包含缺陷管理區(qū)的多層信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)。在激光536的焦點已 經(jīng)移到待訪問記錄層之后進行的用戶數(shù)據(jù)的再現(xiàn)操作與單層信息記錄 介質(zhì)進行的用戶數(shù)據(jù)的再現(xiàn)操作基本相同。這樣，應(yīng)清楚地認識到， 可以使用為單層光盤設(shè)計的信息記錄/再現(xiàn)裝置的任何再現(xiàn)程序。
圖17是用于說明根據(jù)本發(fā)明實施例3的更新缺陷管理信息的程序 的流程圖。在本實施例中，作為多層信息記錄介質(zhì)的格式化過程的例 子，將描述缺陷管理信息的初始化和更新。
在升級過程的第一步1701，在緩沖存儲器513中，CPUSW產(chǎn)生用 于記錄/再現(xiàn)裝置的具有預(yù)定定義值的DDS數(shù)據(jù)和包含DL首標(biāo)的 缺陷列表，其中在DL首標(biāo)720中將DL入口數(shù)設(shè)為0。在這種情況下， 在新產(chǎn)生的DDS中設(shè)置格式化過程之前(圖l2)的DDSWO中的DL開 始扇區(qū)層數(shù)711和DL開始扇區(qū)數(shù)712。
在步驟1702，確定由DL開始扇區(qū)層數(shù)712表示的記錄層是否與目 前激光536的焦點跟隨的記錄層一致。如果一致，那么程序進行到步 驟1704;如果不一致，那么程序進行到步驟1703。
在步驟1703, CPU514命令伺服電路509控制激光536的焦點，以 便跟隨由DL開始扇區(qū)層數(shù)711表示的記錄層中的軌跡。
在步驟1704， CPU514在具有預(yù)定尺寸的區(qū)中記錄新產(chǎn)生的缺陷列 表，該區(qū)從由DL開始扇區(qū)數(shù)7U表示的扇區(qū)數(shù)開始。在這種情況下， 當(dāng)缺陷列表已經(jīng)預(yù)先記錄在由DL開始扇區(qū)數(shù)7U表示的區(qū)中時(例如， 缺陷列表1209 (圖12))，那么將預(yù)先記錄的缺陷列表更新到新產(chǎn)生 的缺陷列表。
在步驟1705， CPU514確定數(shù)據(jù)是否正確地記錄在DL存儲區(qū)中。 如果正確地記錄了，那么程序進行到步驟1707。如果沒有(該區(qū)不可
使用)，那么程序進行到步驟l706。通過讀取記錄在DL存儲區(qū)中的數(shù)
據(jù)和判斷所讀取的數(shù)據(jù)是否以待記錄的數(shù)據(jù)一致進行數(shù)據(jù)記錄的正確判定。
在步驟1"706， CPU選擇另一個可用的DL存儲區(qū)。最初，CPU514 確定目前在其中記錄數(shù)據(jù)的記錄層的缺陷管理區(qū)(或者備用區(qū))是否 包含可用的DL存儲區(qū)。在同一記錄層中，選擇半徑位置接近于目前所 使用的DL存儲區(qū)的DL存儲區(qū)。如果在同一記錄層中沒有可用的DL存 儲區(qū)，那么CPU514在相鄰的記錄層中選擇包含未用的備用DL存儲區(qū) 的可用的DL存儲區(qū)。在新選擇的DL存儲區(qū)中，CPU514記錄缺陷列表，
的內(nèi)容。
、一 z 5
在步驟1707, CPU514確定目前由激光536的焦點跟隨的軌跡是否
是參考層的軌跡。如果是，那么程序進行到步驟1709;如果不是，那
么程序進行到步驟1708。
在步驟1708， CPU514命令伺服電路509控制激光536的焦點，以
便跟隨參考層中的軌跡。
在步驟1709，在緩沖存儲器513中產(chǎn)生的DDS數(shù)據(jù)中，CPUSH記 錄在其中記錄缺陷列表的DL區(qū)(包含在步驟l706中選擇的DL存儲區(qū)) 的開始PSN。具體地說，更新DL開始扇區(qū)層數(shù)712和DL開始扇區(qū)數(shù) 712。
在步驟1710，CPU514利用光頭部分535在多層信息記錄介質(zhì)的DDS 區(qū)中記錄在緩沖存儲器513中產(chǎn)生的DDS數(shù)據(jù)。
注意，在實施例3中，在步驟1704，在其中記錄缺陷列表的區(qū)并 不限于在格式化過程之前的缺陷列表存儲區(qū)。應(yīng)清楚地認識到，例如， 可以使格式化過程之前的所有缺陷列表存儲區(qū)無效，并且CPU5"可以 在新指定的區(qū)中記錄缺陷列表。
圖18是用于說明根據(jù)本發(fā)明實施例3的記錄程序的流程圖1800，
其中考慮了替代。
在該記錄過程的第一步1801， CPU5"將指定將在其中記錄數(shù)據(jù)的 扇區(qū)的LSN轉(zhuǎn)換為PSN (參見圖21)。
在步驟1802, CPU514參考PSN的層數(shù)，以便確定目前由激光536 的焦點跟隨的記錄層是否與將在其中記錄數(shù)據(jù)的記錄層一致。如果一
致，那么程序進行到步驟1S(M;如果不一致，那么程序進行到步驟1803。
在步驟1803, CPU514命令伺服電路509控制激光536的焦點，以 便跟隨將在其上記錄數(shù)據(jù)的記錄層中的軌跡。
在步驟18(M， CPU514使用光頭部分535在由在步驟1801得到的 PSN表示的扇區(qū)中記錄數(shù)據(jù)。
在步驟1805， CPU514確定在步驟1804的數(shù)據(jù)記錄是否成功。如 果成功，那么程序進行到步驟1807;如果不成功，那么CPU514確定在 其中試圖記錄數(shù)據(jù)的扇區(qū)是有缺陷的，程序進行到步驟1806。
在步驟1806，CUP514為確定為有缺陷的扇區(qū)分配備用扇區(qū)。CPU514 用未用的替代區(qū)代替缺陷區(qū)，該未用的替代區(qū)包含在離缺陷區(qū)半徑距 離最短處的備用區(qū)，并且該未用的替代區(qū)存在于包含缺陷區(qū)的記錄層 中(在這種情況下，替代區(qū)是備用扇區(qū))。例如，當(dāng)在第一記錄層" 的外周上檢測到缺陷區(qū)時(圖11 )，從在記錄層53中設(shè)置的第一中間 備用區(qū)1102分配替代區(qū)。如果第一記錄層53中的中間備用區(qū)1102不 包含可用的替代區(qū)，那么從第二記錄層54的中間備用區(qū)IIO"分配可 用的替代區(qū)。如果第二記錄層54的中間備用區(qū)110r不包含可用的替 代區(qū)，那么從第一記錄層53的頭部備用區(qū)1101分配可用的替代區(qū)。 以這樣的順序，將多層信息記錄介質(zhì)中的任何一個備用區(qū)指定為替代 區(qū)。
在步驟1807，在記錄過程中，CPUSM確定在步驟1S(^是否已經(jīng) 新分配了備用扇區(qū)。如果不是，那么記錄過程結(jié)束；如果是，那么程 序進行到步驟1808。
在步驟1808，在存儲在緩沖存儲器513中的缺陷列表中記錄新分 配的替代扇區(qū)。在這種情況下，如果缺陷扇區(qū)已經(jīng)記錄在缺陷列表中， 那么僅更新替代扇區(qū)層數(shù)和替代扇區(qū)數(shù)。另一方面，如果檢測到新的 缺陷扇區(qū)，那么將檢測到的缺陷扇區(qū)添加到缺陷列表中。
當(dāng)在不包含備用區(qū)的多層信息記錄介質(zhì)600(圖6)中記錄數(shù)據(jù)時， 省略了由步驟1806表示的過程。在這種情況下，在缺陷列表中記錄用 來管理所檢測到的缺陷扇區(qū)的信息。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例3的信息記錄/再現(xiàn)裝置500可以在 具有缺陷管理區(qū)的多層信息記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)。在本發(fā)明中，可以 從設(shè)置在與在其中存在缺陷扇區(qū)的記錄層不同的記錄層中設(shè)置的備用
區(qū)來分配備用扇區(qū)。該信息記錄/再現(xiàn)裝置500可以以側(cè)重于縮短尋找 時間的方式或者以縮短設(shè)置記錄功率所需時間的方式分配備用扇區(qū)。 在激光的焦點已經(jīng)移動到待訪問記錄層之后進行的向用戶數(shù)據(jù)區(qū)記錄 用戶數(shù)據(jù)的操作與單層信息記錄介質(zhì)進行的用戶數(shù)據(jù)的記錄操作基本 上相同。這樣，應(yīng)清楚地認識到，可以使用為單層光盤設(shè)計的信息記 錄/再現(xiàn)裝置的任何記錄程序。
盡管在上述本發(fā)明的描述中，再現(xiàn)/記錄信息和缺陷管理在一個扇 區(qū)接一個扇區(qū)的基礎(chǔ)上進行，但是應(yīng)清楚地認識到，即使信息的再現(xiàn)/ 記錄和缺陷管理在一塊接一塊的基礎(chǔ)上(一塊包含多個扇區(qū))進行、 或者在一個ECC塊接一個ECC塊的基礎(chǔ)上( 一個ECC塊是一個單元， 基于該單元計算例如DVD光盤的誤差校正碼)，也可以適用本發(fā)明。 這種修改的實施例也落在本發(fā)明的精神和可應(yīng)用范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù) 人員容易理解的任何修改的實施例都落在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。 (實施例4 )
下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例4的多層信息記錄介質(zhì)。
圖19是表示根據(jù)本發(fā)明實施例4的多層信息記錄介質(zhì)1900的圖。 該多層信息記錄介質(zhì)1900包括兩個記錄層55和56。該多層信息記錄 介質(zhì)1900包括用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)1903。在本發(fā)明的實施 例4中，圖19所示的上記錄層(55 )稱作笫一記錄層，下記錄層(56 ) 稱作第二記錄層。
第一記錄層55位于離多層信息記錄介質(zhì)1900的表面預(yù)定距離的 位置處，通過該表面讀出數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)讀出表面)。該第一記錄層55被 稱作參考層。所述預(yù)定距離等于從只包括一個記錄層的光盤的數(shù)據(jù)讀 出表面到該記錄層的距離。在多個記錄層中預(yù)先確定參考層。
沿著多層信息記錄介質(zhì)1900的記錄/再現(xiàn)方向，從內(nèi)周向外周， 第一記錄層55包含引入?yún)^(qū)1901、頭部備用區(qū)1902和作為用戶數(shù)據(jù)區(qū) 1903的一部分的第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)1"1。沿著該多層信息記錄介質(zhì)"00 的記錄/再現(xiàn)方向，從外周向內(nèi)周，第二記錄層56包含作為用戶數(shù)據(jù) 區(qū)1903的一部分的笫二用戶數(shù)據(jù)區(qū)1932、端部備用區(qū)1904和引出區(qū) 1905。
引入?yún)^(qū)1901包含用于存儲多層信息記錄介質(zhì)1900的控制信息的 控制數(shù)據(jù)區(qū)1911和用于記錄關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信息的第一缺陷管
理區(qū)1912 ( DMA1 )及第二缺陷管理區(qū)1913 ( DMA2 )。頭部備用區(qū)1902 和端部備用區(qū)l904包含替代區(qū)，可以使用該替代區(qū)代替用戶數(shù)據(jù)區(qū) 1903中的缺陷區(qū)。引出區(qū)1905包含用于記錄關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信 息的笫三缺陷管理區(qū)(DMA3)和第四缺陷管理區(qū)1922 (DMA4)。 笫一缺陷管理區(qū)1912 (DMA1)、第二缺陷管理區(qū)1913 ( DMA2 )、第三 缺陷管理區(qū)l921 (畫A3)和第四缺陷管理區(qū)1922 (DMA4)每個都存儲 相同的缺陷管理信息。這是因為通過在多層信息記錄介質(zhì)1900的多個 區(qū)中復(fù)制記錄相同的缺陷管理信息，提高了缺陷管理信息的可靠性。
用戶數(shù)據(jù)區(qū)1903包含第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)1931和第二用戶數(shù)據(jù)區(qū) 1932。在第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)1931中存在缺陷區(qū)A1915。在第二用戶數(shù)據(jù) 區(qū)1932中存在缺陷區(qū)B 1924。用替代區(qū)A 1914代替缺陷區(qū)A 1915。 用替代區(qū)B 1923代替缺陷區(qū)B 1924。
根據(jù)本發(fā)明實施例4的多層信息記錄介質(zhì)1900包含具有相同內(nèi)容 的四個缺陷管理區(qū)，從而使其能夠?qū)崿F(xiàn)缺陷管理信息的可靠性。所有 四個缺陷管理區(qū)都密集地設(shè)置在該多層信息記錄介質(zhì)1900的內(nèi)周上， 從而能夠使光頭部分移動的距離最短。根據(jù)該特征，可以有利地縮短 多層信息記錄介質(zhì)1900的初始化過程所需的時間。此外，在外周沒有 設(shè)置缺陷管理區(qū)，因此，可以將該多層信息記錄介質(zhì)1900的整個外周
都用作用戶數(shù)據(jù)區(qū)。因此，可以得到較大的用戶數(shù)據(jù)容量。
下面將參考圖20描述第一缺陷管理區(qū)1912的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。如上所 述，第一缺陷管理區(qū)1912 (畫A1)、笫二缺陷管理區(qū)1913 (DMA2)、 第三缺陷管理區(qū)1921和第四缺陷管理區(qū)""每個都具有相同的缺陷 管理信息。這里，只描述第一缺陷管理區(qū)1912，省略了對其它缺陷管 理區(qū)的描述。
圖20示出了第一缺陷管理區(qū)1912的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。DDS區(qū)2000、第 一至第四DL存儲區(qū)2001至2004和DL首標(biāo)區(qū)2020分別具有與圖7所 示的DDS區(qū)700、第一至第四DL存儲區(qū)701至7(M和DL首標(biāo)區(qū)7M相 同的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，省略了對它們的描述。這里將描述包含在缺陷列表2009 中的缺陷入口 A 2021和缺陷入口 B 2022。
缺陷入口 A 2021包含關(guān)于缺陷區(qū)A 1915 (圖19)的缺陷管理信 息。用替代區(qū)A1914代替缺陷區(qū)A 1915。因此，包含在缺陷入口 A 2021 中的替代狀態(tài)734表示為0，其含義表示存在替代。由于缺陷區(qū)Al915
存在于第一記錄層55中，因此缺陷扇區(qū)層數(shù)735表示為值1，其含義 表示第一記錄層55。缺陷扇區(qū)數(shù)736表示允許唯一識別第一記錄層55 中的缺陷區(qū)A "1S的識別數(shù)。同樣，由于替代區(qū)A 1914存在于第一 記錄層55中，因此替代扇區(qū)層數(shù)737表示為值1。替代扇區(qū)數(shù)738表 示允許唯一識別第一記錄層55值的替代區(qū)A 1914的識別數(shù)。
缺陷入口 B 2022包含關(guān)于缺陷區(qū)B 1924 (圖19 )的缺陷管理信 息。缺陷區(qū)B 1924被替代區(qū)B 1923代替。因此，包含在缺陷入口 B 2022 中的替代狀態(tài)739表示為0，其含義表示存在替代。由于缺陷區(qū)B1924 存在于笫二記錄層56中，因此缺陷扇區(qū)層數(shù)741表示為值2,其含義 表示第二記錄層56。缺陷扇區(qū)數(shù)741表示允許唯一識別第二記錄層56 中的缺陷區(qū)B 1924的識別數(shù)(identification number)。同樣，由 于替代區(qū)B 1923存在于第二記錄層56中，因此替代扇區(qū)層數(shù)742表 示為值2。替代扇區(qū)數(shù)743表示允許唯一識別第二記錄層56中的替代 區(qū)B 1923的識別數(shù)。
如上所述，根據(jù)實施例4的多層信息記錄介質(zhì)1900，得到了較大 的用戶數(shù)據(jù)容量，并且可以改善缺陷管理信息的讀取性能。
注意，實施例的光盤介質(zhì)是反向軌跡光盤，其中從笫一記錄層55 的內(nèi)周向外周和從第二記錄層56的外周向內(nèi)周進行記錄和再現(xiàn)。同樣， 在所有記錄層都從內(nèi)周向外周進行記錄和再現(xiàn)的平行軌跡光盤中，也 可以管理缺陷區(qū)。
注意，在實施例4中，在多層信息記錄介質(zhì)1900中設(shè)置了兩個備 用區(qū)，即頭部備用區(qū)1902和端部備用區(qū)1904。然而，可以省略它們中 的任意一個或者兩個都省略。
注意，在實施例4中，為了簡單，已經(jīng)描迷了具有兩個記錄層的 多層信息記錄介質(zhì)1900，然而，即使在至少具有三個記錄層的多層信 息記錄介質(zhì)的情況下，如果在參考層的內(nèi)周上和除了參考層之外的記 錄層的內(nèi)周上設(shè)置缺陷管理區(qū)，也能夠得到上述效果。
在至少具有三個記錄層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下，可以在除 了參考層之外的所有記錄層的內(nèi)周上設(shè)置缺陷管理區(qū)。 (實施例5 )
下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例5的多層信息記錄介質(zhì)。 圖21是表示根據(jù)本發(fā)明實施例5的多層信息記錄介質(zhì)2100的圖。
該多層信息記錄介質(zhì)2100包括兩個記錄層57和58。該多層信息記錄 介質(zhì)2100包含用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)2103。用戶數(shù)據(jù)區(qū)2103 騎跨第一和第二記錄層57和58的邊界。在本發(fā)明的實施例5中，圖 21所示的上記錄層(57)被稱作第一記錄層，下記錄層(58)被稱作 第二記錄層。
第一記錄層57位于離多層信息記錄介質(zhì)2100的表面預(yù)定距離的 位置處，通過所述表面讀出數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)讀出表面)。第一記錄層57被 稱作參考層。該預(yù)定距離等于從只包括一個記錄層的光盤的數(shù)據(jù)讀出 表面到該記錄層的距離。在多個記錄層中預(yù)先確定參考層。
沿著多層信息記錄介質(zhì)2100的記錄/再現(xiàn)方向，從內(nèi)周向外周， 該第一記錄層57包含引入?yún)^(qū)2101、頭部備用區(qū)2102和作為用戶數(shù)據(jù) 區(qū)2103的一部分的第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)2131。沿著多層信息記錄介質(zhì)2100 的記錄/再現(xiàn)方向，從內(nèi)周向外周，笫二記錄層58包含作為用戶數(shù)據(jù) 區(qū)2103的一部分的第二用戶數(shù)據(jù)區(qū)2132、端部備用區(qū)2104和引出區(qū) 2105。
引入?yún)^(qū)2101包含用于存儲該多層信息記錄介質(zhì)2100的控制信息 的控制數(shù)據(jù)區(qū)2111和用于記錄關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信息的第一缺陷 管理區(qū)2112(DMA1)和第二缺陷管理區(qū)2113( DMA2 )。頭部備用區(qū)H02 和端部備用區(qū)2104包含替代區(qū)，可以使用該替代區(qū)代替用戶數(shù)據(jù)區(qū) 2103中的缺陷區(qū)。引出區(qū)2105包含用于記錄關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信 息的笫三缺陷管理區(qū)2121 (DMA3)和第四缺陷管理區(qū)2122 ( DMA4 )。 第一缺陷管理區(qū)ni2 (DMA1)、第二缺陷管理區(qū)2113 (DMA"、第三 缺陷管理區(qū)2121 (DMA3)和第四缺陷管理區(qū)H22 (DMA4)每個都存儲
相同的缺陷管理信息。這是因為通過在該多層信息記錄介質(zhì)noo中的
多個區(qū)中復(fù)制記錄相同的缺陷管理信息，改善了缺陷管理信息的可靠 性。
用戶數(shù)據(jù)區(qū)2103包含第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)2131和第二用戶數(shù)據(jù)區(qū) 2132。缺陷區(qū)A 2115存在于笫一用戶數(shù)據(jù)區(qū)2131中。缺陷區(qū)B n" 存在于第二用戶數(shù)據(jù)區(qū)2132中。用替代區(qū)A ni4代替缺陷區(qū)A ni5。 用替代區(qū)B 2123代替缺陷區(qū)B 2124。
根據(jù)本發(fā)明實施例5的多層信息記錄介質(zhì)noo包含在第一記錄層 57內(nèi)周的缺陷管理區(qū)，同時包含笫二層58外周的缺陷管理區(qū)，從而極大地提高了下列可能性，即即使在該多層信息記錄介質(zhì)2100上存在污 點(例如指紋等)或者擦傷，內(nèi)周或者外周上的任何缺陷管理區(qū)都可 以用于再現(xiàn)；使其能夠?qū)崿F(xiàn)缺陷管理信息的可靠性。僅在每個記錄層 的內(nèi)周和外周之一上設(shè)置缺陷管理區(qū)，從而得到作為用戶數(shù)據(jù)區(qū)的較 大的可用區(qū)。因此，可以實現(xiàn)較大的用戶數(shù)據(jù)容量。
實施例5中的缺陷管理區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與參考圖20描述的實施例4 相同，省略了其描迷。
如上所述，根據(jù)實施例5的多層信息記錄介質(zhì)2100，可以提高缺 陷管理信息的可靠性，同時實現(xiàn)較大的用戶數(shù)據(jù)容量。
注意，實施例5的盤介質(zhì)是平行軌跡盤，其中從第一記錄層57的 內(nèi)周向外周和從第二記錄層58的內(nèi)周向外周進行記錄和再現(xiàn)。同樣， 在記錄層57中從內(nèi)周向外周和在記錄層58中從外周向內(nèi)周進行記錄 和再現(xiàn)的反向軌跡盤中，也可以管理缺陷區(qū)。
注意，在實施例5中，在多層信息記錄介質(zhì)2100中設(shè)置了兩個備 用區(qū)，即頭部備用區(qū)2102和端部備用區(qū)2104，然而，可以省略它們中 的任一個或者兩個都省略。如果在多層信息記錄介質(zhì)noo中不存在備 用區(qū)，那么使用缺陷列表來管理關(guān)于沒有分配替代區(qū)的缺陷區(qū)的信息。
注意，在實施例5中，為了簡便，已經(jīng)描述了具有兩個記錄層的 多層信息記錄介質(zhì)2100，但是，即使在至少具有三個記錄層的多層信 息記錄介質(zhì)的情況下，如果在參考層的內(nèi)周和除了參考層之外的記錄 層的內(nèi)周設(shè)置缺陷管理，也可以實現(xiàn)上述效果。 (實施例6 )
下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例6的多層信息記錄介質(zhì)。 圖22是表示根據(jù)本發(fā)明實施例6的多層信息記錄介質(zhì)"00的圖。 該多層信息記錄介質(zhì)2200包括兩個記錄層59和60。該多層信息記錄 介質(zhì)2200包含用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)2203。該用戶數(shù)據(jù)區(qū) 2203騎跨第一和第二記錄層59和60的邊界。在本發(fā)明的實施例6中， 圖21所示的上記錄層(59)被稱作第一記錄層，下記錄層(60)被稱 作笫二記錄層。
第一記錄層59位于離該多層信息記錄介質(zhì)"00的表面預(yù)定距離 的位置處，通過該表面讀出數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)讀出表面)。第一記錄層59被 稱作參考層。該預(yù)定距離等于從僅包括一個記錄層的光盤的數(shù)據(jù)讀出
表面到該記錄層的距離。在多個記錄層中預(yù)先確定參考層。
沿著該多層信息記錄介質(zhì)2200的記錄/再現(xiàn)方向，從內(nèi)周向外周， 該第一記錄層59包含引入?yún)^(qū)2201、頭部備用區(qū)2202、作為用戶數(shù)據(jù) 區(qū)"03—部分的第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)2203、第一中間備用區(qū)2204和第一 引出區(qū)2205。沿著該多層信息記錄介質(zhì)2200的記錄/再現(xiàn)方向，從內(nèi) 周向外周，該第二記錄層60包含第二引入?yún)^(qū)2206、第二中間備用區(qū) 2207、作為用戶數(shù)據(jù)區(qū)2203 —部分的第二用戶數(shù)據(jù)區(qū)2232、端部備用 區(qū)2208和第二引出區(qū)2209。
第一引入?yún)^(qū)2201包含用于存儲該多層信息記錄介質(zhì)2200的控制 信息的控制數(shù)據(jù)區(qū)2211和用于記錄關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信息的第一 缺陷管理區(qū)2212 ( DMA1 )和第二缺陷管理區(qū)2H3 ( DMA2 )。頭部備用 區(qū)2202、第一備用區(qū)2204、第二備用區(qū)2207和端部備用區(qū)2104包含 替代區(qū)，替代區(qū)可用來代替用戶數(shù)據(jù)區(qū)2203中的缺陷區(qū)。第一引出區(qū) 2205包含用于記錄關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信息的第三缺陷管理區(qū)2216 (DMA3)和第四缺陷管理區(qū)2H7 (匿AO 。類似于第一引入?yún)^(qū)2201, 第二引入?yún)^(qū)2206包含用于存儲該多層信息記錄介質(zhì)"00的控制信息 的控制數(shù)據(jù)區(qū)2211和用于記錄關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信息的第五缺陷 管理區(qū)2221 (DMA5)和第六缺陷管理區(qū)2"2 (DMA6)。類似于第一引 出區(qū)2205，第二引出區(qū)2209包含用于記錄關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信息 的第七缺陷管理區(qū)2223 (DMA7)和第八缺陷管理區(qū)2"4 (DMA8)。第 一缺陷管理區(qū)2212 (DMA1)、第二缺陷管理區(qū)2213 ( DMA2 )、第三缺 陷管理區(qū)2216 (DMA3)、第四缺陷管理區(qū)2H7 (DMA4)、第五缺陷管 理區(qū)2221 (DMA5)、第六缺陷管理區(qū)2222 ( DMA6 )、第七缺陷管理區(qū) 2223 (脂A7)和第八缺陷管理區(qū)(DMA8)每個都存儲相同的缺陷 管理信息。這是因為通過在該多層信息記錄介質(zhì)"00的多個區(qū)中復(fù)制 記錄相同的缺陷管理信息，提高了缺陷管理信息的可靠性。
用戶數(shù)據(jù)區(qū)2203包含第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)2231和第二用戶數(shù)據(jù)區(qū) 2232。在第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)2231中存在缺陷區(qū)A2215。在笫二用戶數(shù)據(jù) 區(qū)2232中存在缺陷區(qū)B 2225。用替代區(qū)A 2214代替缺陷區(qū)A 2n5。 用替代區(qū)B 2226代替缺陷區(qū)B 2225。
根據(jù)本發(fā)明實施例6的多層信息記錄介質(zhì)2200包含第一記錄層59 和笫二記錄層60內(nèi)周和外周上的缺陷管理區(qū)，從而使其能夠?qū)崿F(xiàn)缺陷
管理信息的可靠性。例如，顯著提高了下列可能性，即即使在該多層
信息記錄介質(zhì)noo上存在污點(例如指紋等)或者擦傷，也能夠?qū)?nèi)
周或者外周上的任何缺陷管理區(qū)用于再現(xiàn)，從而增強的缺陷管理信息 的可靠性。另一方面，如果控制電路或者光學(xué)系統(tǒng)受記錄/再現(xiàn)裝置內(nèi) 部溫度變化、記錄/再現(xiàn)裝置隨時間的退化等的影響，那么會降低該裝 置相對于具體的記錄層進行記錄和再現(xiàn)的能力。在這種情況下，通過 在所有記錄層中存儲缺陷管理信息，能夠提高缺陷管理信息的可靠性。
例6中的缺陷管理區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與參考圖20描述的例4的數(shù)據(jù)結(jié) 構(gòu)相同，省略了其描述。
如上所述，根據(jù)實施例6的多層信息記錄介質(zhì)2200，可以顯著提 高缺陷管理信息的可靠性。
注意，實施例6的盤介質(zhì)是平行軌跡盤，其中從第一記錄層59的 內(nèi)周向外周和從第二記錄層60的內(nèi)周向外周進行記錄和再現(xiàn)。同樣， 在記錄層59中從內(nèi)周向外周和在記錄層60中從外周向內(nèi)周進行記錄 和再現(xiàn)的反向軌跡盤中，也可以管理缺陷區(qū)。
注意，在實施例6中，在多層信息記錄介質(zhì)2200中設(shè)置了四個備 用區(qū)，即頭部備用區(qū)2202、第一中間備用區(qū)2204、第二中間備用區(qū)2207 和端部備用區(qū)2208，然而，可以省略它們中的任一個或者所有的都省 略。如果在該多層信息記錄介質(zhì)2200中不存在備用區(qū)，那么使用缺陷 列表來管理關(guān)于沒有分配替代區(qū)的缺陷區(qū)的信息。
注意，在實施例6中，為了簡便，已經(jīng)描述了具有兩個記錄層的 多層信息記錄介質(zhì)2200，但是，即使在至少具有三個記錄層的多層信 息記錄介質(zhì)的情況下，如果在參考層的內(nèi)周和外周以及在除了參考層 之外的記錄層的內(nèi)周和外周上設(shè)置缺陷管理，也可以實現(xiàn)上述效果。
工業(yè)實用性
根據(jù)本發(fā)明的多層信息記錄介質(zhì)，在單個記錄層中設(shè)置控制信息 區(qū)，例如用于存儲該多層信息記錄介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)參數(shù)的區(qū)和用于 存儲關(guān)于缺陷管理信息的區(qū)，從而使其能夠高速訪問控制信息。
根據(jù)本發(fā)明的多層信息記錄介質(zhì)，在單個記錄層中存儲所有記錄 層的所有缺陷管理信息，從而使其能夠高速訪問缺陷管理信息。
根據(jù)本發(fā)明的多層信息記錄介質(zhì)，在除了存儲缺陷管理信息的記 錄層之外的記錄層中設(shè)置備用缺陷列表存儲區(qū)，從而使其能夠提高缺
陷管理信息的可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的多層信息記錄介質(zhì)，包含表示缺陷列表位置信息的
同的半徑位置，從而使其能夠高速訪問該缺陷列表。
根據(jù)本發(fā)明的多層信息記錄介質(zhì)，以統(tǒng)一的方式管理所有記錄層 中的所有缺陷列表，從而即使缺陷區(qū)在每個記錄層之間變化了，也能 夠有效地使用缺陷列表區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的多層信息記錄介質(zhì)，在任何記錄層中，用備用區(qū)代 替檢測到的缺陷區(qū)，使其能夠有效地使用備用區(qū)和提高數(shù)據(jù)可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的多層信息記錄介質(zhì)，在每個記錄層的內(nèi)周和外周之 一上設(shè)置缺陷管理區(qū)，從而使其能夠?qū)崿F(xiàn)較大的用戶數(shù)據(jù)容量。
根據(jù)本發(fā)明的信息再現(xiàn)方法和信息再現(xiàn)裝置，能夠從包含關(guān)于多 個記錄層的缺陷管理信息的多層信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息。
根據(jù)本發(fā)明的信息記錄方法和信息記錄裝置，能夠在包含關(guān)于多 個記錄層的缺陷管理信息的多層信息記錄介質(zhì)中記錄信息。
在不離開本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來
說，各種其它的修改都將是顯而易見的，并且很容易作出。據(jù)此，不 希望附加的權(quán)利要求的范圍限于這里所給出的描述，而應(yīng)從廣義上理 解權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1. 一種制造包括多個記錄層的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法，所述制造方法包括:在所述多個記錄層的至少兩個中設(shè)置用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)；和設(shè)置用于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)，所述缺陷列表是管理在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到的缺陷區(qū)的信息，其中在所述多個記錄層中規(guī)定的層中設(shè)置所述缺陷列表存儲區(qū)，和所述缺陷列表是管理在所述規(guī)定層中檢測到的缺陷區(qū)以及在與所述規(guī)定層不同的記錄層中檢測到的缺陷區(qū)的信息，其中所述制造方法還包括:在與所述規(guī)定層不同的所述多個記錄層中的至少一個中設(shè)置備用缺陷列表存儲區(qū)，當(dāng)不可使用所述缺陷列表存儲區(qū)時使用所述備用缺陷列表存儲區(qū)來記錄所述缺陷列表，其中所述缺陷列表存儲區(qū)存儲含表示所述缺陷列表位置的缺陷列表位置信息的至少一個盤定義結(jié)構(gòu)。
2. —種在多層信息記錄介質(zhì)中記錄信息的方法，所述多層 信息記錄介質(zhì)包括多個記錄層；設(shè)置在所述多個記錄層中至少兩個中的、用于記錄用戶數(shù) 據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)；和用于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)，所述缺陷列表是管 理在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到的缺陷區(qū)的信息，其中在所述多個記錄層中規(guī)定的層中設(shè)置所述缺陷列表存 儲區(qū)，所述缺陷列表是管理在所述規(guī)定層中檢測到的缺陷區(qū)以及 在與所述規(guī)定層不同的記錄層中檢測到的缺陷區(qū)的信息，與所述規(guī)定層不同的所述多個記錄層中的至少一個包括備 用缺陷列表存儲區(qū)，當(dāng)不可使用所述缺陷列表存儲區(qū)時使用備 用缺陷列表存儲區(qū)來記錄所述缺陷列表，和所述缺陷列表存儲區(qū)存儲含表示所述缺陷列表位置的缺陷 列表位置信息的至少一個盤定義結(jié)構(gòu)，其中所述方法包括當(dāng)不可使用所述缺陷列表存儲區(qū)時在所述備用缺陷列表存 儲區(qū)中記錄所述缺陷列表，和在所述缺陷列表存儲區(qū)中記錄至少一個盤定義結(jié)構(gòu)，其中 所述至少一個盤定義結(jié)構(gòu)包括所述缺陷列表位置信息。
3. —種用于再現(xiàn)記錄在多層信息記錄介質(zhì)上的信息的方 法，所述多層信息記錄介質(zhì)包括多個記錄層；設(shè)置在所述多個記錄層中至少兩個中的、用于記錄用戶數(shù) 據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)；和用于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)，所述缺陷列表是管 理在所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到的缺陷區(qū)的信息；其中在所述多個記錄層中規(guī)定的層中設(shè)置缺陷列表存儲區(qū)，所述缺陷列表是管理在所述規(guī)定層中檢測到的缺陷區(qū)以及 在與所述規(guī)定層不同的記錄層中檢測到的缺陷區(qū)的信息，與所述規(guī)定層不同的所述多個記錄層中的至少一個包括備 用缺陷列表存儲區(qū)，當(dāng)不可使用所述缺陷列表存儲區(qū)時使用備 用缺陷列表存儲區(qū)來記錄所述缺陷列表，和所述缺陷列表存儲區(qū)存儲含表示所述缺陷列表位置的缺陷 列表位置信息的至少一個盤定義結(jié)構(gòu)，其中所述方法包括當(dāng)不可使用所述缺陷列表存儲區(qū)時從所述備用缺陷列表存 儲區(qū)來再現(xiàn)所述缺陷列表，從所述至少一個盤定義結(jié)構(gòu)來再現(xiàn)所述缺陷列表位置信
全文摘要
一種多層信息記錄介質(zhì)，包括多個記錄層；在該多個記錄層的至少兩個中設(shè)置的、用于記錄用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)；和用于存儲缺陷列表的缺陷列表存儲區(qū)。當(dāng)在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中檢測到至少一個缺陷區(qū)時，使用該缺陷列表來管理該至少一個缺陷區(qū)。僅在所述多個記錄層的一個中設(shè)置缺陷列表存儲區(qū)。
文檔編號G11B20/18GK101383175SQ20081014908
公開日2009年3月11日 申請日期2003年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月22日
發(fā)明者東海林衛(wèi), 伊藤基志, 山本義一, 植田宏, 石田隆 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社