專利名稱：垂直磁記錄介質及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及磁記錄介質及其制造方法，尤其涉及具有磁性層的垂直 磁記錄介質的改進，該磁性層由在平行于記錄表面的平面中彼此空間隔離的 磁晶粒組成。
背景技術：
硬盤驅動器是大容量數(shù)字數(shù)據(jù)存儲設備，由于其每存儲位元的費用低， 因此近年來，其用途已被廣泛展開，包括用于個人計算機的典型應用。在泛 網(wǎng)時代，由于受到音頻和視頻數(shù)字記錄設備的日益增加的應用所驅動，預期 對用作存儲設備的硬盤驅動器的需求將進一步增加。為了記錄或存儲視頻數(shù) 據(jù)或音頻數(shù)據(jù)，需要進一步增加硬盤驅動器的存儲容量。因為音頻和視頻記錄及再現(xiàn)裝置的目標市場是家庭消費者市場，因此在 增加存儲器容量的同時必須進一步降低存儲器的每位元成本。為了降低存儲 設備的每位元成本，有效的方式是減少組成硬盤驅動器的元件數(shù)。例如，通 過增加每一磁記錄介質(例如磁盤)的記錄密度，記錄容量可被增加，而不 需要增加用于硬盤驅動器的磁記錄介質的數(shù)量。如果實現(xiàn)了超高密度記錄， 則可以減少磁記錄介質的數(shù)量，同時增加了總的記錄容量，這可以進一步減 少用于硬盤驅動器中的磁頭數(shù)量。如果實現(xiàn)了這個目的，則可以大大降低每 存儲位元的成本。在這些情形中，增加磁記錄介質的記錄密度是一種主張，而通過增加分辨率(輸出級)同時降低噪聲來實現(xiàn)高SN比(信噪比)是主要的挑戰(zhàn)。為 了實現(xiàn)這個目的，需要減小磁記錄層的磁晶粒的晶粒尺寸，并且確保磁晶粒 的磁隔離(magnetic isolation)。在制造垂直磁記錄介質時，通常將鈷-鉻(CoCr)基合金用于磁記錄層。 在這種情形下，通過濺射方法形成CoCr基合金層同時加熱襯底，以使得在 CoCr基合金的磁晶粒的晶界處偏析非磁性的鉻(Cr)。偏析出的非磁性鉻磁性隔離磁晶粒。然而，為了降低由于磁疇的形成引起的峰值噪聲(spike noise)，對于垂直磁記錄介質需要插入軟磁非晶層作為底層。為了保持軟磁 層為非晶態(tài)的，必須制止在形成記錄層時用于鉻偏析而對襯底應用的加熱處 理。
為了克服這個問題，已研究出由具有Si02隔離的CoCr基合金形成的新 型記錄層，來代替在制造垂直記錄介質期間需要加熱處理的鉻(Cr)偏析。 在此技術中，CoCr基合金(例如CoCrPt)的磁晶粒通過非磁性SiCb彼此空 間隔離，以確保磁隔離。
已提出構建一種插到記錄層下面的釕(Ru)底層，使得釕晶粒通過氣隙 彼此空間隔離，以確保記錄層的磁晶粒的磁隔離，其中每一磁晶粒由非磁性 材料例如Si02包圍。例如參見JP2005-353256A。
更優(yōu)選的是，記錄層的磁晶粒彼此空間隔離，而不需要利用非磁性材料 例如氧化物，從而能夠減少沉積室中或襯底上的污染，并且能夠提高產(chǎn)品的 可靠性。另外，希望降低記錄層的晶粒尺寸的差別或變化，同時在平面內方 向中保持磁晶粒的特定隔離。

發(fā)明內容
在本發(fā)明實施例的一個方案中，垂直磁記錄介質包括 襯底；
第一底層，其形成在該襯底上方并由釕或釕合金形成，所述釕或釕合金 的晶粒垂直于該襯底生長并通過第一氣隙以平面內方向彼此隔離；
記錄層，其設置于該第一底層上方，并由垂直于該襯底生長并通過第二 氣隙以該平面內方向彼此隔離的磁晶粒形成；以及
晶粒尺寸差別防止層，其插入在該記錄層和該第一底層之間，該晶粒尺 寸差別防止層包括鈷基合金晶粒和氧化物，所述鈷基合金晶粒垂直于該襯底 生長，該氧化物用于使所述鈷基合金晶粒在平面內方向彼此隔離。
在實施例的另一個方案中，提供一種制造垂直記錄介質的方法。該方法 包括如下步驟
形成釕或釕合金的第一底層，所述釕或釕合金的晶粒通過第一氣隙彼此 隔離；在該第一底層上方形成晶粒尺寸差別防止層，該晶粒尺寸差別防止層包 括通過氧化物彼此空間隔離的鈷基合金晶粒；以及直接在該晶粒尺寸差別防止層上形成記錄層，該記錄層包括通過第二氣 隙彼此隔離的磁晶粒。


當結合附圖閱讀及以下詳細描述時，本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點變 得更明顯，其中圖1是在本發(fā)明研發(fā)期間提出的垂直磁記錄介質的示意性橫截面圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的垂直磁記錄介質的示意性橫截面圖； 圖3A是根據(jù)本發(fā)明實施例的垂直磁記錄介質的記錄層的磁晶粒的TEM 圖像；圖3B是示出圖3A中所示的記錄層的晶粒尺寸差別(或變化)的坐標圖； 圖4A是圖1所示的比較結構中示出的垂直磁記錄介質的記錄層的磁晶 粒的TEM圖像；圖4B是示出圖4A的比較結構的記錄層的晶粒尺寸差別(或變化)的坐 標圖；圖5A是根據(jù)本發(fā)明實施例具有不同膜厚度的記錄層的磁晶粒的TEM圖像；圖5B是示出圖5A所示的記錄層的晶粒尺寸差別(或變化)的坐標 圖;以及圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的磁存儲裝置的主要部分的平面圖。
具體實施方式
以下結合附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。圖1是在本發(fā)明研發(fā)期間提出的垂直磁記錄介質的示意性橫截面圖。通 過降低沉積室中或襯底表面上的污染，改善了制造可靠度。為了實現(xiàn)此目的， 提出近似垂直于襯底并與第一底層15對齊地生長磁晶粒17a，第一底層15 具有通過氣隙15b彼此隔離的晶粒15a，而不需要利用記錄層17中的非磁性 材料。根據(jù)這種方法，記錄層17的磁晶粒17a通過氣隙17b在平面內彼此空間隔離。在這個結構中，軟磁底層12和取向控制層13以此順序設置在襯底11上。第二底層14和第一底層15以此順序設置在取向控制層13上。第 一和第二底層由相同材料制成，例如釕(Ru)。第二底層14并不是絕對必 要的，可以被省略。然而，通過在第一底層15之下直接插入第二底層14， 改善了第一底層15的結晶特性和晶體取向。這種配置可進一步改善在第一 底層15上形成的磁晶粒17a的結晶特性和晶體取向。然而，在具有磁晶粒17a的記錄層17中，磁晶粒17a以平面內方向通 過氣隙17b彼此空間隔離，晶粒尺寸的差別或變化增加。這被認為由于在磁 晶粒生長時一些磁晶粒在局部位置相互結合的結果。在這種情形下，可能無 法充分實現(xiàn)高記錄密度。為了克服該問題，本發(fā)明的實施例提供一種晶粒尺寸差別防止層(grain size dispersion preventing layer)，該晶粒尺寸差別防止層直接插到作為記錄 層的磁性層之下。該晶粒尺寸差別防止層包括通過氧化物彼此隔離的鈷基 合金的晶粒。出于這個原因，該晶粒尺寸差別防止層可被命名為"添加氧 化物的鈷基合金晶粒層"。緊接晶粒尺寸差別防止層之下設置具有釕(Ru) 晶粒的第一底層，所述釕晶粒通過氣隙15b在平面內彼此隔離。 '根據(jù)這種配置，能夠減少記錄層中空間隔離的磁晶粒的晶粒尺寸的差別 或變化，同時可以將平均晶粒尺寸保持較小。因此，可以改善磁記錄介質 的記錄密度。圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的垂直磁記錄介質10的示意性橫截面圖。垂 直磁記錄介質10包括軟磁底層12、取向控制層13、第二底層14、第一底 層15、晶粒尺寸差別防止層(添加氧化物的Co基合金晶粒層)19和記錄 層17，所述這些層以上述順序沉積在襯底ll上。襯底11是適用于磁記錄介質的任意襯底，襯底11的實例包括塑料襯底、 微晶玻璃(crystallized glass)襯底、硅(Si)襯底、陶瓷襯底和耐熱樹脂襯 底。在該實施例中，使用微晶玻璃襯底。軟磁底層(SUL) 12由任意非晶或微晶的軟磁材料形成，并且厚度范圍 是從50 nm到2 pm。軟磁底層12可以形成為單層或多層。從記錄磁場的有 效集中的方面看，希望具有l(wèi).OT或高于1.0T的飽和磁通密度的軟磁材料。 這種軟磁材料的實例包括FeSi、 FeAlSi、 FeTaC、 CoNbZr、 CoCrNb、 NiFeNb和Co。取向控制層13具有從2.0nm到10nm的膜厚度，并用于確定第一和第 二底層14和15的晶粒的c軸方向，第一和第二底層14和15以膜厚度方 向形成于取向控制層13上。取向控制層13還用于以平面內方向均勻分布 底層14和15的晶粒尺寸。取向控制層13由Ta、 Ti、 C、 Mo、 W、 Re、 Os、 Hf、 Mg、 Pt及其合金中的至少一種形成?？蛇x擇地，取向控制層13 可以由非晶金屬例如NiP形成。第二底層14是由釕(Ru)或具有hcp (密排六方)晶體結構的Ru合金 形成的連續(xù)多晶層，并包括晶粒14a和晶界14b。因為第二底層14是連續(xù) 多晶層，其中晶粒14a經(jīng)由晶界14b彼此結合，因此其具有較好的結晶特 性，(0001)取向面近似垂直于襯底11。第二底層14不是絕對必要的，且 可被省略。然而，為了改善第一底層15和記錄層17的結晶特性和晶體取 向，希望將第二底層14直接插到第一底層15下。第一底層15被直接設置在第二底層14上，且包括近似垂直襯底11生 長的晶粒15a和用于使晶粒15a以平面內方向彼此隔離的氣隙15b。通過控 制晶體生長條件可以實現(xiàn)該結構，這將在下面進行詳細描述。在具有通過氣隙15b彼此隔離的晶粒15a的第一底層15上方設置晶粒 尺寸差別防止層19。晶粒尺寸差別防止層19由鈷(Co)基合金晶粒19a 與填充在Co基合金晶粒19a之間的空間中的氧化物19b構成，其中鈷(Co) 基合金晶粒19a與第一底層15的晶粒15a對齊。晶粒尺寸差別防止層(即， 添加氧化物的Co基合金晶粒層)的膜厚度約5 nm至12 nm。記錄層17被設置在晶粒尺寸差別防止層19上方。記錄層17不包括氧 化物，取而代之的是包括磁晶粒17a和氣隙17b，磁晶粒17a近似垂直襯底 11生長，氣隙17b使磁晶粒17a以平面內方向彼此隔離。磁晶粒17a由具 有hcp晶體結構的鐵磁材料形成，該材料可以是鈷基合金，例如CoCr、 CoCrTa、 CoPt、 CoCrPt或CoCrPtM。通過直接在記錄層17下插入晶粒尺寸差別防止層19，有效減少了磁晶 粒17a的晶粒尺寸在平面內的變化。這被認為因為晶粒尺寸差別防止層19 中的氧化物19b能夠確保Co基合金的晶粒19a的空間隔離，因此直接在晶 粒尺寸差別防止層19上形成的記錄層17的磁晶粒17a與用于隔離它們的氣隙17b能夠以可靠方式似垂直于襯底生長。另外，由于存在直接設置在晶粒尺寸差別層19下的第一底層15，因此磁晶粒17a的結晶特性和晶體取 向保持在滿意的狀態(tài)。垂直磁記錄介質10由保護層(未示出)覆蓋，并且在必要時進一步在 保護層上方設置潤滑層(未示出)。在垂直磁記錄介質10的制造過程中，在襯底11的表面被清潔并干燥后， 具有200nm厚度的CoNbZr層作為軟磁底層12形成在襯底11上方。接著， 具有3 nm厚度的鉭(Ta)層作為取向控制層13形成在CoNbZr軟磁底層 12上方。通過在氬(Ar)氣氛中以3毫托(約0.4 Pa)的氣壓和在室溫下 的DC濺射方法形成CoNbZr軟磁底層12和Ta (取向控制)層13。接著，具有9nm厚度的釕(Ru)連續(xù)多晶層作為第二底層14形成在取 向控制層13上方。在此實例中，Ru連續(xù)多晶層14的生長條件為在Ar氣 氛中以0.6nm/s的沉積速率、在1毫托(0.133 Pa)氣壓下、在室溫進行DC 濺射。作為第二底層14的Ru連續(xù)多晶層可以在10毫托(1.33 Pa)或低于 10毫托(1.33 Pa)的Ar氣壓下和/或以0.5 nm/s或高于0.5 nm/s的沉積速 率形成。接著，具有10 nm厚度的釕(Ru)層作為第一底層15形成在第二底層 14上方。生長條件是在40毫托(5.33 Pa)的Ar氣壓下以0.3 nm/s的沉積 速率在室溫進行DC濺射。在這些條件下，可以形成具有Ru晶粒15a的第 一底層15， Ru晶粒15a通過氣隙15b在平面內彼此隔離。可以在以下條件 下形成第一底層(具有通過氣隙15b彼此隔離的Ru晶粒15a)的這種膜結 構以2 nm/s或低于2 nm/s的沉積速率在20毫托(2.66 Pa)或高于20毫 托(2.66 Pa)的Ar氣壓下。接著，通過濺射方法在40毫托(5.33 Pa)的Ar氣壓下并以0.2 nm/s沉 積速率，在第一底層15上方形成具有6.6 nm厚度的添加有氧化物的Co基 合金晶粒層，作為晶粒尺寸差別防止層19。在該實例中，CoCrPt被用作 Co基合金，而Si02被用作使CoCrPt晶粒彼此隔離的氧化物(以構成 CCP-Si02層)。在該濺射法中，可以使用CoCrPt材料和Si02材料混合的 復合耙，或可選擇地，可以利用分離靶進行同時濺射。以2 rnn/s或低于2 nm/s 的沉積速率、在20毫托(3.66 Pa)或高于20毫托(3.66 Pa)的Ar氣壓的條件下可形成添加氧化物的Co基合金晶粒層結構。在晶粒尺寸差別防止層19上方形成具有10 nm厚度的Co8。Pt2o磁性層， 該Co8。Pt2。磁性層用作記錄層17。生長條件是在室溫下、在40毫托(5.33 Pa) 的Ar氣壓下以0.2 nm/s的沉積速率進行DC濺射。0)8(^12()磁晶粒17a可以 以0.3 nm/s或低于0.3 nm/s的沉積速率近似垂直襯底11生長，從而使得通 過氣隙17b彼此隔離。為了增加磁記錄介質的記錄密度， 一般需要減小磁晶粒的晶粒尺寸；然 而，隨著晶粒尺寸的減小，對熱擾動的抵抗力降低。為了克服這個問題， 期望使用具有高Ku值(磁晶各向異性)的磁材料。公知的是具有增大的鉑 (Pt)含量的鈷(Co)合金具有相對高Ku值。不同于規(guī)則化合金，由于富 鉑的鈷合金不需要高溫處理，因此在制造記錄介質時，該富鉑的鈷合金適 合與非晶體的軟磁底層12—起使用。當然其它適合的鈷基合金可以用于代 替富鉑的鈷合金。通過在具有氣隙17b的記錄層和具有氣隙15b的第一底層15之間插入 具有通過氧化物(Si02) 19b隔離的CoCrPt晶粒19a的晶粒尺寸差別防止 層19，記錄層17的晶粒尺寸在平面內的變化可充分降低。接著，在記錄層17上形成具有3 nm厚度的碳層作為保護膜16。在垂直 磁記錄介質10的整個上述制造過程中，保持真空環(huán)境，并且在室溫下執(zhí)行 每一個濺射步驟，而不必加熱襯底ll。在上述實例中，雖然應用DC濺射來形成軟磁底層(CoNbZr層)12、 取向控制層(Ta層)13、第一和第二底層(Ru層)15和14以及記錄層(0)8(^20 層)17，但可以使用任何適合的沉積方法，例如RF濺射或真空氣相沉積。 對于第一和第二底層15和14，可以使用Ru-X合金(X為Co、 Cr、 Fe、 Ni和Mn中的至少一種)來代替釕。圖3A是具有直接插到記錄層17下的晶粒尺寸差別防止層(添加氧化物 的Co基合金晶粒層)19的記錄層的平面TEM圖像，圖3B是示出在TEM 圖像中觀察到的晶粒尺寸分布的坐標圖。圖4A和圖4B分別是沒有晶粒尺 寸差別防止層19的圖1的比較實例的平面TEM圖像和晶粒尺寸分布圖。為了更加精確，在圖3A所示的實例中，具有6.6 nm厚度的CCP-Si02層在上述條件下被形成，并且被直接設置在C08oPt2o記錄層17下作為晶粒尺寸差別防止層19。記錄層17的磁晶粒17a的平均直徑(Dave)是4.7nm， 晶粒尺寸的變化(cj)是0.6nm。與此相比，在圖4所示的比較實例中，C08oPt2。記錄層17直接形成在第一底層(Ru層)15上，而沒有插入作為晶粒尺寸差別防止層19的CCP-Si02 層。記錄層17的磁晶粒17a的平均直徑(Dave)是7.6 nm，晶粒尺寸的變 化(cj)是2.1 nm。從觀察結果可知，插入在記錄層17和第一底層15之間的晶粒尺寸差別 防止層19能夠大大降低記錄層17的磁晶粒17a的平均晶粒尺寸和變化。 雖然在實施例中，CCP-Si02層被用作晶粒尺寸差別防止層(即，添加氧化 物的Co基合金晶粒層)19，但也可使用其它適合的材料，只要通過任意氧 化物將Co基合金晶粒彼此空間隔離即可。圖5A示出厚度增加到13 nm的CCP-Si02層19的平面TEM圖像，而 其它結構與圖3A所示的相同，只是以不同的比例呈現(xiàn)。在這種情形下，磁 晶粒17a的平均直徑(Dave)減小到4.4nm，從而實現(xiàn)了小型化效果。然而， 相比圖3B所示的6.6納米厚的CCP-Si02，晶粒尺寸的變化(a)稍微增加， 如圖5B所示。這意味著增加晶粒尺寸差別防止層(添加氧化物的Co基合 金晶粒層)19的厚度有利于減小平均晶粒尺寸，但存在減小晶粒尺寸變化 的限制。因此，期望晶粒尺寸差別防止層19的膜厚度為5 nm至12 nm。通過對垂直磁記錄介質應用該實施例的結構，可以減小平均晶粒尺寸和 晶粒尺寸的變化，從而能夠改善記錄密度。圖2所示的垂直磁記錄介質10可被用于磁存儲裝置，例如硬盤驅動器。 圖6是示出磁存儲裝置90的主要部分的平面圖。磁存儲裝置90包括由 軸(spindle)(未示出)驅動的輪軸(hub) 92;可旋轉地固定到輪軸92 的垂直磁記錄介質93;制動器單元94;連接到制動器單元94的臂95和懸 架96，從而使得以垂直磁記錄介質93的徑向方向可移動；以及由懸架96 支撐的磁頭98，所有這些都設置在外殼91中。磁記錄介質93包括上述的 一個或多個垂直磁記錄介質10，所述垂直磁記錄介質例如以疊置的方式排 布。為每一個垂直磁記錄介質10提供磁頭98。磁頭98是磁記錄和再現(xiàn)裝 置的至少一部分。磁存儲裝置90總體上是高性能的存儲器，因為在每一個 垂直磁記錄介質10中增加了記錄密度，同時減小了平面內變化。本發(fā)明主張在2007年2月26日提出的申請?zhí)枮?007-045546的日本專 利申請的優(yōu)先權，該日本專利申請的全部內容在此以引用方式并入本文。
權利要求
1、一種垂直磁記錄介質，包括襯底；第一底層，其形成在該襯底上方并由釕或釕合金形成，所述釕或釕合金的晶粒近似垂直于該襯底生長并通過第一氣隙以平面內方向彼此隔離；記錄層，其設置于該第一底層上方，并由近似垂直于該襯底生長并通過第二氣隙以該平面內方向彼此隔離的磁晶粒形成；以及晶粒尺寸差別防止層，其插入在該記錄層和該第一底層之間，該晶粒尺寸差別防止層包括鈷基合金晶粒和氧化物，所述鈷基合金晶粒近似垂直于該襯底生長，該氧化物用于使所述鈷基合金晶粒在平面內方向彼此隔離。
2、 如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，還包括第二底層，其直接設置在該第一底層下方，并形成為釕或釕合金的連續(xù)多晶層o
3、 如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，還包括 取向控制層，其形成在該襯底上方和該第一底層下方。
4、 如權利要求2所述的垂直磁記錄介質，還包括 取向控制層，其形成在該襯底上方和該第二底層下方。
5、 如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中該記錄層的磁晶粒的晶 粒尺寸的變化是0.6 nm或低于0.6 nm。
6、 如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中該晶粒尺寸差別防止層 的厚度范圍為5nm至12nm。
7、 如權利要求3或4所述的垂直磁記錄介質，其中該取向控制層的厚 度是2.0nm至10nm，并由Ta、 Ti、 C、 Mo、 W、 Re、 Os、 Hf、 Mg、 Pt及 其合金中的至少一種形成。
8、 如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中該記錄層的磁晶粒與該 晶粒尺寸差別防止層的鈷基合金晶粒對齊。
9、 一種磁存儲裝置，包括權利要求1中所述的垂直磁記錄介質；以及磁頭，其被配置為向該垂直磁記錄介質中寫入信息和/或從該垂直磁記錄介質中讀取信息。
10、 一種制造垂直磁記錄介質的方法，包括如下步驟形成釕或釕合金的第一底層，所述釕或釕合金的晶粒通過第一氣隙彼此 隔離；在該第一底層上方形成晶粒尺寸差別防止層，該晶粒尺寸差別防止層包 括通過氧化物彼此空間隔離的鈷基合金晶粒；以及直接在該晶粒尺寸差別防止層上形成記錄層，該記錄層包括通過第二氣 隙彼此隔離的磁晶粒。
11、 如權利要求IO所述的方法，還包括步驟在形成該第一底層之前，在該襯底上方形成釕或釕合金的連續(xù)多晶層作 為第二底層。
12、 如權利要求10或11所述的方法，其中該晶粒尺寸差別防止層的膜 厚度為5nm至12nm。
13、 如權利要求10所述的方法，其中在20毫托或高于20毫托的氬氣 壓下以2 nm/s或低于2 nm/s的沉積速率形成該晶粒尺寸差別防止層。
14、 如權利要求10所述的方法，其中通過以0.3 nm/s或低于0.3 nm/s 的沉積速率生長CoPt層，來形成該記錄層。
15、 如權利要求11所述的方法，其中通過在10毫托或低于10毫托的 氬氣壓下進行濺射，來形成該第二底層。
16、 如權利要求11所述的方法，其中以0.5 nm/s或高于0.5 nm/s的沉積 速率形成該第二底層。
17、 如權利要求IO所述的方法，還包括步驟 在形成該第一底層之前形成軟磁底層；其中在室溫下形成該第一底層、該晶粒尺寸差別防止層和該記錄層。
全文摘要
一種垂直磁記錄介質及其制造方法，該磁記錄介質包括襯底；第一底層，其形成在襯底上方并由釕或釕合金形成，所述釕或釕合金的晶粒近似垂直于襯底生長并通過第一氣隙以平面內方向彼此隔離；記錄層，其設置在第一底層上方并由通過第二氣隙以平面內方向彼此隔離的磁晶粒形成；以及晶粒尺寸差別防止層，其插入記錄層和第一底層之間，該晶粒尺寸差別防止層包括鈷基合金晶粒和氧化物，所述鈷基合金晶粒近似垂直于襯底生長，該氧化物用于使鈷基合金晶粒在平面內方向彼此隔離。
文檔編號G11B5/66GK101256778SQ200810081280
公開日2008年9月3日 申請日期2008年2月26日 優(yōu)先權日2007年2月26日
發(fā)明者向井良一 申請人:富士通株式會社