專利名稱：：多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：0001本發(fā)明涉及多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其具有多個(gè)相變記錄層，所述記錄介質(zhì)能夠通過用光束照射相變記錄層，進(jìn)而引起相變記錄層內(nèi)的記錄層材料的光學(xué)變化，從而記錄、復(fù)制以及重寫信息。
背景技術(shù)：
：0002通常，諸如DVD+RW(可重寫DVD)的相變光學(xué)記錄介質(zhì)(相變光學(xué)盤片)具有基本結(jié)構(gòu)，其中由相變材料組成的記錄層形成在塑料基片上，而允許改善記錄層光學(xué)吸收并具有熱擴(kuò)散效應(yīng)的反射層形成在記錄層上，并且這種典型的相變光學(xué)記錄介質(zhì)被來自基片表面?zhèn)鹊募す馐丈?，從而信息可以被記錄和?fù)制。通過施加激光束照射的熱量以及后續(xù)的冷卻，相變記錄材料在非晶相和晶相之間相變。當(dāng)在相變記錄材料的快速熱處理后，相變記錄材料立即被淬火(冷卻)時(shí)，相變記錄材料變?yōu)榉蔷?，而?dāng)在相變記錄材料被快速熱處理后慢慢冷卻時(shí)，其被晶體化。這些特性被用于相變光學(xué)記錄介質(zhì)中信息的記錄和復(fù)制。0003此外，出于防止由施加光束照射的熱量引起的記錄層的氧化、發(fā)散(transpiration)或變形的目的，相變光學(xué)記錄介質(zhì)通常被提供有在基片和記錄層之間的下保護(hù)層(也稱為下絕緣(介電)層)，以及在記錄層和反射層之間的上保護(hù)層(也稱為上絕緣層)。通過調(diào)節(jié)這些保護(hù)層的厚度，這些保護(hù)層可以分別具有控制光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)特性的功能，并且下保護(hù)層也具有防止基片因在記錄期間施加于記錄層的熱量而軟化的功能。0004近些年來，隨著計(jì)算機(jī)處理信息量的增加，如DVD-RAM，DVD-RW和DVD+RW的可重寫光學(xué)盤片的記錄容量顯著增加，并且信息的高密度記錄得以改善。DVD(數(shù)字化視頻光盤)具有約4.7GB的記錄容量。然而，進(jìn)一步預(yù)計(jì)在將來將增加對(duì)高密度記錄的需求。隨著信息量的增加，應(yīng)該考慮到記錄速度的改進(jìn)同樣是被需求的。目前，作為可重寫的DVD盤片，帶有允許8倍記錄速度的單個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)是可以在市場(chǎng)上買到的。例如，作為使用相變光學(xué)記錄介質(zhì)的允許高密度記錄的方法，已經(jīng)提議將所使用激光束的波長(zhǎng)朝向更短的波長(zhǎng)移到藍(lán)光區(qū)域或增大用于光學(xué)采集的物鏡的數(shù)值孔徑，從而記錄或復(fù)制信息，進(jìn)而將施加到光學(xué)記錄介質(zhì)的激光束的光斑尺寸變得更小，并且這些方法已經(jīng)被研究、開發(fā)和用于實(shí)際應(yīng)用。0005對(duì)于通過改進(jìn)光學(xué)記錄介質(zhì)本身來增加記錄容量的技術(shù)，各種類型的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)被提出，其被生產(chǎn)為每個(gè)由至少記錄層和反射層組成的兩個(gè)信息層，該兩個(gè)信息層被布置在基片的一個(gè)表面上并且其中一層被置于另一層的上面，而且兩個(gè)信息層通過紫外線可硬化樹脂或類似材料被粘合到一起。作為這些信息層之間的粘合部分的分隔層(在本發(fā)明中稱為中間層)具有光學(xué)地分隔兩個(gè)信息層的功能，并且其由較少吸收激光束或避免不必要地吸收激光束的材料組成，這是因?yàn)橛糜谟涗浐蛷?fù)制信息的激光束需要達(dá)到從激光照射側(cè)看過去的最里面的信息層。0006在這種兩層相變光學(xué)記錄介質(zhì)中仍存在很多問題。0007例如，當(dāng)置于從激光束照射側(cè)看過去的前側(cè)的信息層(第一信息層)對(duì)激光束不是充分透射時(shí)，在置于從激光束照射側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的另一個(gè)信息層(第二信息層)的記錄層上記錄和復(fù)制信息是不可能的，并且因此構(gòu)成第一信息層的反射層必須是超薄的半透明反射層。因此，獲得光透射和熱散失效應(yīng)是困難的，并且有必要形成熱擴(kuò)散層(光透射層)來與半透明反射層接觸，以增加光透射并補(bǔ)充熱散失效應(yīng)。此外，與傳統(tǒng)的單層相變光學(xué)記錄介質(zhì)或傳統(tǒng)雙層可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)相比，雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的反射率極低，是每個(gè)這些傳統(tǒng)介質(zhì)的反射率的約三分之一。因此，可以認(rèn)為即使提供穩(wěn)定的循跡能力，在第一信息層和第二信息層上記錄和復(fù)制信息是困難的。此外，因?yàn)榈谝恍畔泳哂衅渲械臒犭y于散失的層結(jié)構(gòu)，所以根據(jù)存儲(chǔ)穩(wěn)定性的觀點(diǎn)，僅僅由于使用相變材料，任何材料都可用于記錄層5是不可想象的。實(shí)際上，有必要限制第一信息層的記錄層的材料和組成。0008作為已知技術(shù)，專利文獻(xiàn)1公開了一種雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其有槽深為10nm到30nm的基片，并且使用波長(zhǎng)360nm到420nm的激光束，然而，所述雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的第一記錄層結(jié)構(gòu)內(nèi)的上保護(hù)層由ZnS和Si02組成，并且層成分(或?qū)咏M成)與本發(fā)明的多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的層成分不同。0009專利文獻(xiàn)2公開了一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其帶有以氧化銦和氧化錫為主要成分的熱擴(kuò)散層，其中氧化銦的含量為90mol%(摩爾百分比)或更高。專利文獻(xiàn)3公開了一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其帶有包含氧化錫和氧化銻的熱擴(kuò)散層，而專利文獻(xiàn)4公開了一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其具有含有以氧化銦和氧化鋅為主要成分的熱擴(kuò)散層，其中氧化銦的含量是50%或更多。然而，這些公開的光學(xué)記錄層分別具有與本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)不同的層組成，并且也沒有說明基片的槽深，這是與本發(fā)明不同的。0010專利文獻(xiàn)5公開了一種雙層可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，其記錄層由一種或多種有機(jī)染料組成，其中槽深的范圍是4V16n到7X/16n，然而，該雙層可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)可以確保約20%的反射率，并且該光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造本質(zhì)上與雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造不同，并且其槽深范圍也不同于雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的槽深范圍。0011此外，專利文獻(xiàn)6在其權(quán)利要求8中描述了一種雙層光學(xué)記錄介質(zhì)，所述光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造本質(zhì)上不同于本發(fā)明的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造。專利文獻(xiàn)1專利文獻(xiàn)2專利文獻(xiàn)3專利文獻(xiàn)4專利文獻(xiàn)5專利文獻(xiàn)6日本專利申請(qǐng)?jiān)槐緦＠暾?qǐng)?jiān)槐緦＠暾?qǐng)?jiān)槐緦＠暾?qǐng)日本專利申請(qǐng)國際公開號(hào)特開(JP-A)號(hào)2004-005902特開(JP-A)號(hào)2004-047034特開(JP-A)號(hào)2004-047038特開(JP-A)號(hào)2004-004943特開(JP-A)號(hào)2004-004944WO02/02978
發(fā)明內(nèi)容0012本發(fā)明根據(jù)現(xiàn)有情況而提出并且其目的是解決各種傳統(tǒng)問題并達(dá)到以下目標(biāo)。0013本發(fā)明的目的在于提供一種多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其具有多個(gè)信息層，除置于從激光束照射側(cè)來看的最內(nèi)側(cè)的信息層外，每個(gè)信息層具有高光透射率以允許在各個(gè)信息層內(nèi)的信息的穩(wěn)定記錄與復(fù)制，并且重復(fù)使用的耐用性和存儲(chǔ)穩(wěn)定性極好。0014上述目標(biāo)可通過依照以下條目<1>到<5>的手段達(dá)到。<1>一種多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，包含第一基片和第二基片，中間層以及多個(gè)信息層，從激光束照射側(cè)看過去，所述第一基片被置于前側(cè)，從激光束照射側(cè)看過去，所述第二基片被置于最內(nèi)側(cè)，所述第一基片和所述第二基片中的每個(gè)在其記錄表面?zhèn)壬暇哂袕澢穆菪龑?dǎo)槽，每個(gè)所述信息層具有相變記錄層，所述相變記錄層通過每個(gè)所述中間層被置于所述第一基片和第二基片之間，除了被置于從所述第一基片側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的信息層之外，每個(gè)所述信息層包含下述五個(gè)層下保護(hù)層、所述相變記錄層、上保護(hù)層、半透明反射層以及熱擴(kuò)散層或光透射層，并且被置于從所述第一基片側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的所述信息層包含下保護(hù)層、所述相變記錄層、上保護(hù)層以及反射層，其中，除了被置于從所述第一基片側(cè)看過去的所述最內(nèi)側(cè)的信息層之外，所述各個(gè)信息層的所述熱擴(kuò)散層或光透射層各包含氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅，并且當(dāng)所述氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅的含量分別用"a"、"b"、"c"和"d"[摩爾百分比]表示時(shí)，下述要求被滿足，并且當(dāng)用"n"表示所述第一基片和所述第二基片的折射率，用"X"表示激光波長(zhǎng)，并用H表示所述第一基片和所述第二基片的引導(dǎo)槽(grooveguide)深度時(shí)，所述引導(dǎo)槽深度H滿足下述要求3《a《50a+b+c+d=100V17n《H《Ayil.5n。<2>根據(jù)條目1的所述多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中每個(gè)所述相變7記錄層包含至少鍺、銻和碲三種元素，并且當(dāng)使用"a"、"e"和"Y"[原子百分比]表示鍺、銻和碲的組成比率時(shí)，下述要求被滿足<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula><3>根據(jù)條目1至2中任一個(gè)的所述多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中除了被置于從所述第一基片側(cè)看過去的所述最內(nèi)側(cè)的所述信息層之外，在各個(gè)信息層內(nèi)的每個(gè)所述上保護(hù)層包含氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅或氧化鉭，并且當(dāng)所述氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅或氧化鉭的含量分別用"e"、"f"、"g"和"h"[摩爾百分比]表示時(shí)，下述要求被滿足，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula><4>根據(jù)條目1到3中任一個(gè)的所述多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中除了被置于從所述第一基片側(cè)看過去的所述最內(nèi)側(cè)的所述信息層之外，在各個(gè)信息層內(nèi)的每個(gè)所述半透明反射層的主要成分是銅。<5>根據(jù)條目1到4中任一個(gè)的所述多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中在所述各個(gè)信息層內(nèi)的每個(gè)所述下保護(hù)層包含硫化鋅(ZnS)和二氧化硅(Si02)。附圖簡(jiǎn)述0015圖1是顯示雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的層構(gòu)造的一個(gè)示例的視圖。0016圖2是顯示反射光的密度分布的視圖。0017圖3是顯示槽和循跡誤差之間關(guān)系的圖表。0018圖4是顯示槽深和循跡誤差信號(hào)振幅之間關(guān)系的圖表。0019圖5是光電探測(cè)器的說明圖。0020圖6是比較傳統(tǒng)熱擴(kuò)散層材料的光透射率和本發(fā)明的熱擴(kuò)散層(光透射層)材料的光透射率的對(duì)比圖。0021圖7是解釋線速度轉(zhuǎn)變的說明圖。0022圖8是顯示本發(fā)明的第一上保護(hù)層內(nèi)含有的ZnO和Sn02含量、線速度轉(zhuǎn)變和抖動(dòng)值之間關(guān)系的圖表。0023圖9是顯示本發(fā)明的第一上保護(hù)層內(nèi)含有的Sn02的含量和存儲(chǔ)穩(wěn)定性之間關(guān)系的圖表。0024圖IO是顯示存儲(chǔ)穩(wěn)定性、上保護(hù)層材料和上保護(hù)層厚度之間關(guān)系的圖表。0025圖11是顯示反射層材料的光吸收率、反射率和光透射率的圖表。0026圖12是顯示在660nm波長(zhǎng)下測(cè)量的銅的光吸收率、反射率與光透射率的層厚相關(guān)性的圖表。0027圖13是顯示在660nm波長(zhǎng)下測(cè)量的銀的光吸收率、反射率與光透射率的層厚相關(guān)性的圖表。0028圖14是銅和銀的光透射率的波長(zhǎng)相關(guān)性的圖表。0029圖15是顯示在第一反射層由銅、銀或金組成的情況下，第一記錄層記錄的性質(zhì)的圖表。0030圖16是說明用于在LO層上記錄信息的1T周期記錄模式的說明圖。0031圖17是說明用于在L1層上記錄信息的2T周期記錄模式的說明圖。0032圖18是顯示對(duì)于在示例1到3，6以及對(duì)比示例1中制備的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，在640nm到680nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)第一信息層(LO層)的光透射率的測(cè)量結(jié)果的說明圖。0033圖19是顯示對(duì)于在示例1到3，6以及對(duì)比示例1中制備的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄功率和DOW10抖動(dòng)之間關(guān)系的測(cè)量結(jié)果的圖表。0034圖20是顯示對(duì)于在示例1到3，6以及對(duì)比示例1中制備的各個(gè)雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的熱擴(kuò)散層(光透射層)的導(dǎo)熱性、圖19中獲得的最佳記錄功率以及在圖18中獲得的660nm波長(zhǎng)下測(cè)量9的每個(gè)L0層的透射率之間關(guān)系的圖表。優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述0035在下面，本發(fā)明將被詳細(xì)描述。0036本發(fā)明是一種多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其具有如上文描述的在第一基片和第二基片之間的多個(gè)信息層，其中從激光束照射側(cè)看過去，除置于最內(nèi)側(cè)的信息層外，各個(gè)信息層的熱擴(kuò)散層(光透射層)包含的材料有氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅，并且這些材料的含量被設(shè)置在本發(fā)明第一實(shí)施例中指定的范圍內(nèi)，因而各個(gè)信息層的光透射率可以被提高并且各個(gè)信息層的記錄敏感度可以被增強(qiáng)。結(jié)果，置于從激光束照射側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的信息層處的光反射率可以被提高，并因此信息可以以穩(wěn)定的循跡能力而被記錄和復(fù)制。在此，第一和第二基片的折射率被表示為"n"，用"X"表示激光束波長(zhǎng)，并用"H"表示第一和第二基片的槽深深度。在具有低光反射率的多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)上，通過將引導(dǎo)槽的槽深H設(shè)置在本發(fā)明的第一實(shí)施例中設(shè)定的范圍內(nèi)而引起來自引導(dǎo)槽的凸部分和凹部分(通常凹部分被稱為"著落部分(landportion)"而凸部分被稱為"槽部分")的反射光束相變并檢測(cè)反射光束量的不同，信息可以以穩(wěn)定的循跡能力而被記錄和復(fù)制。第一和第二基片各自的折射率"n"和各自的槽深"H"可以是彼此相同的或彼此不同的，然而通常它們被分別設(shè)定為在第一基片和第二基片之間有相同的值。應(yīng)該注意的是，可用于本發(fā)明的激光束的波長(zhǎng)"V，在645nm到665nm的紅光波長(zhǎng)范圍內(nèi)?；牟牧霞?xì)節(jié)將在下文詳細(xì)描述并且一般地具有1.55到1.60的折射率n的聚碳酸酯被使用。0037圖1顯示光學(xué)記錄介質(zhì)的層構(gòu)造的一個(gè)示例，所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有兩個(gè)信息層，并且每個(gè)信息層包括相變記錄層。0038在光學(xué)盤片旋轉(zhuǎn)期間，因?yàn)楣鈱W(xué)盤片的中心孔和軌跡中心之間的偏心和軸變動(dòng)等原因而發(fā)生幾十微米的偏心誤差。特別是，如可以在多層光學(xué)記錄介質(zhì)中看到的，從光學(xué)讀取器(opticalpickup)看過去，遠(yuǎn)離光學(xué)讀取器的信息層的偏心量通常大于位于前側(cè)的信息層的偏心量。因?yàn)檫@個(gè)原因，為了使用激光束光斑連續(xù)準(zhǔn)確地掃描信息軌跡，有必要用光學(xué)讀取器檢測(cè)循跡誤差，驅(qū)動(dòng)連接到伺服電路的循跡執(zhí)行器并控制物鏡的精確位置。因此，在基片上形成的槽深的設(shè)計(jì)對(duì)于具有類似多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的具有低反射率的光學(xué)記錄介質(zhì)尤為重要。0039作為循跡誤差信號(hào)的典型示例，推拉信號(hào)被舉例說明。反射光束被物鏡從具有軌跡間距"p"的引導(dǎo)槽的盤片捕獲，并且推拉信號(hào)可以通過物鏡后面的光敏二極管縫隙檢測(cè)。間歇排列的引導(dǎo)槽是一種衍射光柵，并且在反射光中，直行的零級(jí)光以及以角度e衍射的士一級(jí)光被產(chǎn)生。此處，e由sirf1(X/p)表示。在到達(dá)物鏡的反射光中，除零級(jí)光外，部分土一級(jí)光被物鏡捕獲。在零級(jí)光和一級(jí)光的衍射光重疊的區(qū)域，產(chǎn)生光的干涉。由于施加到光學(xué)記錄介質(zhì)的激光束的軌跡未對(duì)準(zhǔn)，因此光的密度發(fā)生變化。一個(gè)雙縫光敏二極管(雖然其可以是四倍探測(cè)器光敏二極管)單獨(dú)地檢測(cè)零級(jí)光和士一級(jí)光重疊的區(qū)域，以讀取差別信號(hào)，從而產(chǎn)生循跡誤差信號(hào)。圖2顯示反射光的密度分布。當(dāng)激光束的中心與引導(dǎo)槽的中心一致時(shí)，反射光的密度分布是對(duì)稱分布，并且來自光敏二極管的各輸出導(dǎo)致等式X:Y。當(dāng)循跡未對(duì)準(zhǔn)發(fā)生時(shí)，反射光的密度分布是不對(duì)稱分布，并且值X大于值Y。當(dāng)循跡誤差信號(hào)Z被限定為等于X-Y,即Z=X-Y時(shí)，值Z通過下述等式表不。Z=4(Sl)(El)sin(4>1)sin(2兀Ap/p)0040在該等式中，Sl表示零級(jí)光和一級(jí)光在探測(cè)器上重疊的面積；E0和El分別表示零級(jí)光和一級(jí)光的振幅；*1表示零級(jí)光和一級(jí)光之間的相位差，"p"表示軌跡間距；并且Ap表示軌跡未對(duì)準(zhǔn)量。由于循跡誤差信號(hào)Z的值取決于循跡未對(duì)準(zhǔn)量Ap并且是奇函數(shù)，所以值Z顯示束光斑在正方向或負(fù)方向上未對(duì)準(zhǔn)。0041圖3顯示在光學(xué)記錄介質(zhì)內(nèi)的槽和循跡誤差之間的關(guān)系。當(dāng)激光束中心與槽中心或著落部分中心對(duì)齊時(shí)，循跡誤差信號(hào)是零。當(dāng)激光束中心與著落中心未對(duì)齊或激光束中心和著落中心之間的未對(duì)準(zhǔn)位置位于從光學(xué)盤片的半徑方向來看的著落部分的內(nèi)部位置或在著ii落部分的外部位置時(shí)，反射光的正/負(fù)號(hào)是相反的并且循跡未對(duì)準(zhǔn)量和半徑方向內(nèi)的正或負(fù)方向可以是明顯不同的。并且循跡未對(duì)準(zhǔn)量被用于伺服信號(hào)。當(dāng)sin((H)是最大值時(shí)，循跡誤差信號(hào)Z的最大振幅可以被獲得。當(dāng)槽形狀是矩形并且槽深度是V(8n)時(shí)("n"是基片的折射率)，值d)l等于3r/2(4>l=n/2)并且最大振幅可以被獲得。由于這個(gè)原因，光學(xué)盤片的引導(dǎo)槽深度通常被設(shè)置接近V(8n)(見圖4)。然而，取決于光學(xué)記錄介質(zhì)的層構(gòu)造的光學(xué)特性和熱傳遞性質(zhì)影響光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄特性，并且該記錄特性同樣隨采用的槽深而變化。因此，在本發(fā)明中第一基片和第二基片的各槽深H有必要被設(shè)置為？i/17n《H《人/11.5n。專利文獻(xiàn)6意圖設(shè)置第一和第二基片的每個(gè)槽深H為從0到V(4n)，然而當(dāng)每個(gè)槽深被設(shè)置在這個(gè)范圍內(nèi)時(shí)，使用這個(gè)范圍內(nèi)的槽深同時(shí)滿足優(yōu)秀記錄特性和高穩(wěn)定循跡精度是困難的。更高的推拉信號(hào)振幅意味著更優(yōu)良的特性。然而，考慮到和記錄特性的平衡，過分高的推拉信號(hào)振幅不總是優(yōu)選的。因此需要設(shè)計(jì)考慮到這兩個(gè)特性的槽深。本發(fā)明中的推拉信號(hào)的結(jié)果使用圖5所示的光探測(cè)器基于表達(dá)式[(la+lb)-(lc+ld)]/[la+lb+lc+ld]來測(cè)量。0042第一基片需要對(duì)于照射用于記錄和復(fù)制的光束是透射的，并且本
技術(shù)領(lǐng)域：
中傳統(tǒng)已知的材料可以被使用。通常，玻璃、陶瓷或樹脂被用于第一基片，并且樹脂由于其可塑性和成本的原因是特別優(yōu)選的。樹脂的示例包括聚碳酸酯樹脂、丙烯醛基樹脂、環(huán)氧基樹脂、聚苯乙烯樹脂、苯烯腈-苯乙烯共聚物樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅樹脂、氟樹脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂以及聚氨酯樹脂。如聚碳酸酯樹脂和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯醛基樹脂是優(yōu)選的，因?yàn)樗鼈冊(cè)诳伤苄?、光學(xué)特性以及成本方面是優(yōu)秀的。0043其上形成有信息層的第一基片的表面具有螺旋狀或同中心擺動(dòng)凹槽，并且稱為著落部分和凹槽部分的凹凸圖案被形成在該表面上。通常，使用通過噴射模塑法或光敏聚合物方法附著在模具上的壓模器，凹槽被刻錄在基片表面上，從而形成基片表面。第一基片的厚度優(yōu)選為大約10um到590um。0044對(duì)于第二基片的材料，可以使用與用于第一基片的材料相同的材料，或者對(duì)記錄和復(fù)制光束不透明的材料可以被使用，或者第二基片的材料和槽形狀可以與第一基片的材料和槽形狀不同。第二基片的厚度不特別限制，然而，優(yōu)選的是可以調(diào)節(jié)該厚度，從而使第一和第二基片的總厚度為1.2mm。0045對(duì)于熱擴(kuò)散層(光透射層)，已知的技術(shù)使用ITO[In203(主要成分)-Sn02]，其通過混合氧化銦和氧化錫來制備，或使用IZO[In203(主要成分)-ZnO]作為傳統(tǒng)光學(xué)盤片的熱擴(kuò)散層材料，然而，由于生產(chǎn)成本的原因，富含氧化銦的材料是非常昂貴的，并且使用富含氧化銦的材料是有問題的。此外，在使用富含氧化銦的材料的光學(xué)記錄介質(zhì)的研發(fā)期間，發(fā)現(xiàn)第一信息層不能夠具有充分的光透射率，并且第一信息層的記錄敏感度被降低，這是由于其高的導(dǎo)熱性。因此，為了提高第一信息層的光透射率并提高第二信息層的光反射率并進(jìn)而在保證適當(dāng)導(dǎo)熱值的同時(shí)增強(qiáng)循跡精度，需要找到一種具有高濺射速率并允許保證記錄特性和記錄敏感度的材料，其與傳統(tǒng)用于熱擴(kuò)散層的ITO和IZO區(qū)分。0046于是，本發(fā)明的發(fā)明人研究了在熱擴(kuò)散層(光透射層)上具有更高光透射率并且能夠比IZO和ITO更有效增強(qiáng)記錄敏感度的氧化物的混合物。因此，研究結(jié)果顯示當(dāng)氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅的各自含量由a、b、c和d[摩爾百分比]表示時(shí)，需要以下述組成比率混合氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅。3《a《500《d《30a+b+c+d=1000047摩爾百分比少于3%的氧化銦的使用是不宜的，這是因?yàn)椴荒軌颢@得足夠的導(dǎo)熱率，并且因?yàn)榻档偷膶?dǎo)電性，獲得的熱擴(kuò)散層難于濺射。當(dāng)氧化銦的含量的摩爾百分比高于50%時(shí)，高光透射率不能夠被保證并且成本高昂。此外，第一信息層的記錄敏感度因高導(dǎo)熱率而降低。氧化硅在上述范圍內(nèi)的使用是優(yōu)選的，這是因?yàn)槠淇梢蕴岣叩谝恍畔拥闹貜?fù)記錄耐用性。氧化鋅和氧化錫的優(yōu)選含量比不被特別限制，然而這兩種材料含量高時(shí)，濺射速率趨向于高。這些氧化13物分別具有高導(dǎo)電性，并允許DC(直流)濺射，因此，當(dāng)具有約60nm的層厚度的熱擴(kuò)散層(光透射層)被形成時(shí)，該層可以在短時(shí)間形成。此外，通過降低氧化銦的含量，可以提高第一信息層的光透射率，并進(jìn)一步增強(qiáng)其記錄敏感度(見圖20)。全部四種類型的氧化物是不會(huì)加速反射層退化的材料。0048圖6顯示光學(xué)記錄介質(zhì)的第一信息層的光透射率的測(cè)量結(jié)果，該光學(xué)記錄介質(zhì)依照示例1中生產(chǎn)的光學(xué)記錄介質(zhì)的相同方式制備，這將在下文描述，只是用于示例1的熱擴(kuò)散層(光透射層)的材料變?yōu)镮ZO。該圖清楚地顯示，示例1的光學(xué)記錄介質(zhì)具有更高的光透射率，其高于使用IZO用于熱擴(kuò)散層的光學(xué)記錄介質(zhì)的光透射率。0049熱擴(kuò)散層(光透射層)的層厚優(yōu)選在40nm到80nm的范圍內(nèi)。當(dāng)熱擴(kuò)散層的厚度薄于40nm時(shí)，熱擴(kuò)散能力被降低并且光學(xué)記錄介質(zhì)的重復(fù)使用耐用性被降低。當(dāng)比80nm厚時(shí)，是不宜的，這是因?yàn)楣馔干渎时唤档汀?050上文提到的熱擴(kuò)散層(光透射層)可以通過各種氣相生長(zhǎng)方法來形成，如真空蒸發(fā)法、濺射法、等離子CVD方法、光學(xué)CVD方法、離子電鍍法和電子束沉積法，其中濺射法在大批量生產(chǎn)、薄膜質(zhì)量等方面是優(yōu)秀的。0051中間層優(yōu)選具有對(duì)于照射用于記錄并復(fù)制信息的光波長(zhǎng)的小的光吸收系數(shù)。對(duì)于中間層的材料，根據(jù)可塑性和成本，樹脂被優(yōu)選使用，并且紫外光(UV)可硬化(固化)樹脂、延遲樹脂、熱塑樹脂等可以被使用。0052中間層是使光學(xué)讀取器能夠識(shí)別進(jìn)而光學(xué)地區(qū)分第一信息層和第二信息層的層，并且中間層的厚度優(yōu)選為10um到70ixm。當(dāng)中間層的厚度小于10nm時(shí)，串?dāng)_現(xiàn)象在信息層之間發(fā)生。當(dāng)中間層的厚度大于70um時(shí)，在第二信息層上記錄或復(fù)制信息時(shí)會(huì)產(chǎn)生球面像差，并且趨于難以記錄和復(fù)制信息。0053對(duì)用于記錄層的傳統(tǒng)材料的開發(fā)主要分為兩種流派。一種包括用于可記錄記錄層的材料的GeTe、可逆相變的Sb2Te3，即Sb和Te的合金，以及由GeSbTe三重合金組成的記錄層材料，GeSbTe三14重合金由固體溶劑制備或上述兩種材料的共晶成分制備。另一種流派包括由與上述類似的Sb和Te合金組成的記錄層材料，然而，該合金是Sb和Sb2Te3的共晶成分，其中元素的痕量被加到具有約70%含量的Sb的SbTe中。0054在具有多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)中，考慮到記錄和復(fù)制置于從激光照射側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的信息層，特別要求置于從激光束照射側(cè)看過去的前側(cè)的信息層具有高光透射率。為滿足這一需要，有必要使記錄層薄并同時(shí)努力減少金屬層的光吸收率。記錄層的更薄層厚降低了其結(jié)晶速率，因此，選擇本身具有高結(jié)晶速率的記錄層材料是有利的。然后，在記錄層材料的兩個(gè)流派之間，與前一種材料相比，后一種材料，即含有約70Q/。Sb的SbTe共晶成分是優(yōu)選的。0055然而依照本發(fā)明人的研究，發(fā)現(xiàn)當(dāng)Sb的含量被增加以達(dá)到更高結(jié)晶速率，即達(dá)到更高線速度時(shí)，結(jié)晶溫度被降低并且光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)穩(wěn)定性被降低。0056在多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)中，當(dāng)放置在從激光束照射側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的信息層被復(fù)制時(shí)，存在復(fù)制信號(hào)的振幅低的問題，這是因?yàn)槠涞偷姆瓷渎?，所述低反射率歸因于置于從激光束照射側(cè)看過去的前側(cè)的信息層的光吸收或類似原因?？紤]到這個(gè)問題，與復(fù)制具有單個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)相比，需要更高的復(fù)制光功率。0057在SbTe材料的使用中，為達(dá)到高結(jié)晶速率，僅需要增加Sb的含量，然而，這造成結(jié)晶速率的下降趨勢(shì)。因此，當(dāng)以高復(fù)制光功率在使用SbTe的布置在從激光束照射側(cè)看過去的前側(cè)的信息層上復(fù)制信息時(shí)，其可能引起非晶體標(biāo)記被再結(jié)晶以及不能夠被復(fù)制的問題。這同樣是不宜的，這是因?yàn)榻档偷慕Y(jié)晶溫度引起不穩(wěn)定的存儲(chǔ)狀態(tài)。然后，通過增加第三元素Ge到SbTe材料，可以在信息層保持高的結(jié)晶速率，因此，在存儲(chǔ)期間保持光學(xué)記錄介質(zhì)穩(wěn)定而不導(dǎo)致非晶體標(biāo)記的再結(jié)晶是可能的，即使在用高復(fù)制光功率復(fù)制信息時(shí)。0058對(duì)于用于多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的相變記錄層，允許獲得優(yōu)秀記錄特性，以高復(fù)制光功率復(fù)制信息并使存儲(chǔ)狀態(tài)穩(wěn)定的相變記錄材料，包含至少Ge、Sb、Te三種元素的材料是優(yōu)選的。10059此外，其他元素可以被加入GeSbTe三重材料。對(duì)于添加的元素，Ag和In是優(yōu)選的，并且它們通常因存儲(chǔ)穩(wěn)定性而被使用。全部添加元素的成分比率優(yōu)選地被設(shè)置為8原子％(原子百分比)或更低。當(dāng)成分比率大于8原子％時(shí)，雖然存儲(chǔ)穩(wěn)定性被增強(qiáng)，但記錄層的結(jié)晶速率是緩慢的，導(dǎo)致難以高速記錄。此外，因?yàn)閷?duì)于復(fù)制光的記錄狀態(tài)的穩(wěn)定性被降低，這是不宜的。0060如條目<2〉所限定的，即本發(fā)明的第二實(shí)施例，當(dāng)Sb含量(P)在60《e《75(原子百分比)的范圍內(nèi)，作為相變記錄材料，Sb材料允許以穩(wěn)定的方式記錄并復(fù)制信息。當(dāng)Sb含量(P)的原子百分比小于60%時(shí)，信息不能以穩(wěn)定的方式記錄或復(fù)制。此外，作為多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其可導(dǎo)致產(chǎn)生不適于高速記錄的記錄層。當(dāng)使用的Sb含量的原子百分比大于75%時(shí)，雖然結(jié)晶速率被提高，但結(jié)晶溫度被降低并且難以用高復(fù)制光功率復(fù)制信息，導(dǎo)致不穩(wěn)定的存儲(chǔ)狀態(tài)。0061Te具有加速非晶體狀態(tài)產(chǎn)生并提高結(jié)晶溫度的功能。然而，當(dāng)僅將Te單獨(dú)與Sb結(jié)合時(shí)，雖然可能利用非晶體加速作用調(diào)節(jié)結(jié)晶速率，但可能發(fā)生記錄的非晶體標(biāo)記因長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)或在高溫下存儲(chǔ)而丟失，這是因?yàn)椴蛔愕慕Y(jié)晶溫度升高速度以及非晶體相的差穩(wěn)定性。相反，Te與Ge的組合使用具有的優(yōu)勢(shì)是，非晶相的穩(wěn)定性可以通過使用Ge保證，并且晶體相的穩(wěn)定性也可以增強(qiáng)。通常，結(jié)晶狀態(tài)是高穩(wěn)定狀態(tài)，然而，在用于高速記錄的材料用盡的情況下，在初始化或記錄時(shí)的結(jié)晶速度快，并因此不能必然說形成的結(jié)晶狀態(tài)是穩(wěn)定的。因此，在長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)或高溫存儲(chǔ)后信息被再次記錄時(shí)，其引起的問題是記錄特性和記錄狀態(tài)與存儲(chǔ)前的狀態(tài)相比發(fā)生變化。原因被認(rèn)為是結(jié)晶狀態(tài)因存儲(chǔ)而從存儲(chǔ)前的結(jié)晶狀態(tài)改變。然而，對(duì)記錄層的材料添加Te可以減少因存儲(chǔ)造成的記錄特性和記錄狀態(tài)的這種變化。0062如上文描述，為了通過改進(jìn)晶體穩(wěn)定性來獲得減少存儲(chǔ)前后記錄特性和記錄狀態(tài)變化的效應(yīng)，需要加入原子百分比為6%或更多(6《Y)的Te。然而，過多量的Te添加會(huì)引起很慢的結(jié)晶速率，導(dǎo)致失去高速重復(fù)記錄數(shù)據(jù)的能力。當(dāng)Te用于多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的16第一記錄層時(shí)，優(yōu)選設(shè)定Te的量的原子百分比為30%或更少(Y《30)。0063此外，使用在2《a《20的原子百分比的范圍內(nèi)的Ge(a)量使得能夠通過高復(fù)制光功率復(fù)制信息并保證了優(yōu)秀的存儲(chǔ)狀態(tài)。添加原子百分比小于2%的Ge量，不能獲得Ge添加的作用并且不能獲得優(yōu)秀的存儲(chǔ)狀態(tài)。相反，原子百分比超過20。/。的Ge量的添加，雖然因?yàn)榻Y(jié)晶溫度可以被設(shè)置為高，復(fù)制光的穩(wěn)定性和存儲(chǔ)穩(wěn)定性被高度維持，但記錄敏感度被降低，這是因?yàn)镚e本身的高熔點(diǎn)。0064第一記錄層的層厚優(yōu)選為4腿到10nm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)谝挥涗泴泳哂行∮?nm的層厚時(shí)，信號(hào)質(zhì)量因過低的反射率而降低，并且重復(fù)記錄特性退化。當(dāng)比10nm厚時(shí)，這因?yàn)楣馔干渎式档投贿m宜。第二記錄層的層厚優(yōu)選為在10nm到20nm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)诙涗泴泳哂行∮?0證的層厚時(shí)，重復(fù)記錄特性退化，而當(dāng)比20nm厚時(shí)，記錄敏感度下降。0065在本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例中，除布置在從第一基片側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的信息層外，當(dāng)各個(gè)信息層的上保護(hù)層含有氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅或氧化鉅，并且氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅或氧化鉭的含量用e、f、g和h[摩爾百分比]表示時(shí)，下述要求被滿足3《e《205《f或g《900《h《20e+f+g+h=100。0066滿足上述全部等式的成分的使用是優(yōu)選的，這是因?yàn)槠淠軌蛲ㄟ^在上保護(hù)層中包含摩爾百分比為50%或更多的氧化鋅或氧化錫來提高記錄速度，并因此加速記錄層的結(jié)晶。結(jié)晶速度的一個(gè)替代特性是轉(zhuǎn)變線速度。轉(zhuǎn)變線速度是一個(gè)線性速度，具體的，當(dāng)被光束照射后，記錄層的反射率被連續(xù)地以恒定線速度監(jiān)視時(shí)，轉(zhuǎn)變線速度意味著反射率開始變化的線速度。在圖7中，轉(zhuǎn)變線速度是21m/s。通常，更快的轉(zhuǎn)變線速度提高記錄速度。在圖中，連續(xù)光功率被設(shè)定在1715mW。0067如圖8所示，通過使上保護(hù)層含有摩爾百分比為50%或更多的氧化鋅或氧化錫，低于9。/。的DOW10抖動(dòng)值可以被實(shí)現(xiàn)，并且在高速記錄時(shí)優(yōu)秀的抖動(dòng)特性可以被獲得。0068此外，如圖9所示，當(dāng)上保護(hù)層內(nèi)氧化鋅或氧化錫的含量的摩爾百分比被設(shè)置在90%或更低時(shí)，是優(yōu)選的，這是因?yàn)镈OW10抖動(dòng)值的變化被壓縮到1%或更小，并且存儲(chǔ)穩(wěn)定性被改善。當(dāng)氧化鋅或氧化錫的含量的摩爾百分比在90%或更多時(shí)，不能夠獲得優(yōu)秀的存儲(chǔ)穩(wěn)定性。0069對(duì)于用于傳統(tǒng)單層相變光學(xué)記錄介質(zhì)中上保護(hù)層的材料，上保護(hù)層優(yōu)選由透明、可透射光的材料形成，所述上保護(hù)層具有比記錄層更高的熔點(diǎn)，并且具有避免記錄層退化的功能，從而增強(qiáng)與記錄層的粘合強(qiáng)度并增強(qiáng)記錄特性。已知的是，特別是ZnS-Si02被優(yōu)選地用作上保護(hù)層，對(duì)于其混合比率，ZnS:SiO2等于80:20(摩爾比率)是最優(yōu)選的。0070然而，在多層相變記錄介質(zhì)的情況下，當(dāng)在第一記錄層上記錄信息時(shí)，第一記錄層的熱耗散特性退化，這是因?yàn)榈谝环瓷鋵拥谋『穸纫鹆穗y以記錄的問題。為避免這個(gè)問題，優(yōu)選地使用具有優(yōu)秀導(dǎo)熱性的材料。當(dāng)ZnS-Si02被用于第一上保護(hù)層時(shí)，記錄特性退化，這是因?yàn)榈偷膶?dǎo)熱性以及記錄后的存儲(chǔ)穩(wěn)定性差，因此ZnS-Si02不適用于多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的第一上保護(hù)層。圖10顯示測(cè)量DOW10抖動(dòng)變化的結(jié)果，DOW10抖動(dòng)變化在將在下文描述的示例1的相變光學(xué)記錄介質(zhì)和與示例1相同方法(除了第一上保護(hù)層的材料變?yōu)閆nS-Si02(摩爾百分比為80:20)之外)制備的另一個(gè)相變光學(xué)記錄介質(zhì)在8(TC和85y。的相對(duì)濕度(RH)下被存儲(chǔ)100小時(shí)時(shí)獲得。圖10中顯示的結(jié)果說明了在使用ZnS-Si02的光學(xué)記錄介質(zhì)中，抖動(dòng)變化不減少而和層厚無關(guān)。0071綜合上述結(jié)果，使用具有比ZnS-Si02高的熱耗散特性的氧化鋅和氧化錫是優(yōu)選的。當(dāng)氧化鋅或氧化錫被用作單一材料時(shí)，優(yōu)秀的存儲(chǔ)穩(wěn)定性不會(huì)被獲得。因此，氧化銦和氧化硅或氧化鉭被優(yōu)選地包含于其中。當(dāng)這些金屬氧化物被用于多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的第一信息層時(shí)，高光透射率、優(yōu)秀的記錄特性和存儲(chǔ)穩(wěn)定性可以被獲得，這是因?yàn)檫@些金屬氧化物對(duì)光是透明的并具有高導(dǎo)熱性。0072因?yàn)槭褂眠@些金屬氧化物形成的第一上保護(hù)層可以保證足夠的調(diào)制度并在約5nm薄層下具有足夠的反射率，可以通過RF濺射或DC濺射而濺射的(In、Zn、Sn)氧化物，外加氧化硅可以被使用。當(dāng)?shù)谝簧媳Ｗo(hù)層中氧化錫或氧化鋅的使用量大時(shí)，記錄層的結(jié)晶速率被加速，并因此記錄速度可以被提高。0073對(duì)于第二上保護(hù)層，一般可使用ZnS-Si02。原因在于，當(dāng)信息被記錄在第二記錄層時(shí)，足夠的熱耗散特性可以被獲得，這是因?yàn)榈诙瓷鋵涌梢暂^厚地形成。然而，當(dāng)ZnS-Si02被用于第二上保護(hù)層并且Ag被用于第二反射層時(shí)，優(yōu)選的是由TiC-Ti02形成的中間層插入第二上保護(hù)層和第二反射層之間。0074第一上保護(hù)層的層厚優(yōu)選在2nm到15nm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)谝簧媳Ｗo(hù)層的厚度比2nm薄時(shí)，調(diào)制度因過高的光透射率而降低，而當(dāng)比15nm厚時(shí)是不宜的，這是因?yàn)楣馔干渎时唤档?，熱量難以散逸，并因此記錄特性退化。0075第二上保護(hù)層的層厚被優(yōu)選為在3nm到30nm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)诙媳Ｗo(hù)層的厚度小于3nm時(shí)，記錄特性退化，而比30nm更厚時(shí)，熱量容易保持在第二上保護(hù)層，這導(dǎo)致存儲(chǔ)特性退化。0076在本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例中，除置于從激光照射側(cè)看去的最內(nèi)側(cè)的信息層外，信息層的半透明反射層的主要成分是銅。這種構(gòu)造能夠增強(qiáng)第一記錄層的記錄特性和存儲(chǔ)穩(wěn)定性。此處，術(shù)語"主要成分"意味著銅含有重量的95%。第一反射層包含銅作為主要成分是優(yōu)選的原因?qū)⒃谙挛拿枋觥?077如圖1所示，在具有兩個(gè)記錄層的相變光學(xué)記錄介質(zhì)中，第二信息層需要使用記錄和復(fù)制激光以盡可能多的光被照射。因此，難于吸收激光并且容易傳送激光的材料是優(yōu)選用于第一反射層的材料。0078然后，本發(fā)明的發(fā)明人在660nm的波長(zhǎng)下測(cè)量了各種類型反射層的光學(xué)特性。此處，數(shù)據(jù)A(吸收率)、R(反射率)和T(光透射率)被獲得。對(duì)于測(cè)量樣品，各具有0.6mm厚度并用形成有10nm層厚的各種金屬膜覆蓋的聚碳酸酯基片被使用。結(jié)果在圖11中顯示。從結(jié)果看出，可以認(rèn)為Pt、Pd和Ti不適于用作第一反射層，這是因?yàn)檫@些材料具有低光透射率和高的光吸收率。0079接下來，具有相對(duì)高光透射率和相對(duì)低吸收率的Cu和Ag被分別形成在聚碳酸酯基片上，在變換層厚時(shí)，A(吸收率)、R(反射率)和T(光透射率)在600nm的波長(zhǎng)下被測(cè)量，圖12(Cu)和圖13(Ag)中顯示的結(jié)果被獲得。測(cè)量結(jié)果顯示Ag具有比Cu更大的相對(duì)于層厚的變化。這顯示Cu具有更優(yōu)秀的對(duì)形成的層的層厚的光學(xué)常量穩(wěn)定性。0080此外，圖14顯示當(dāng)Ag和Cu形成為8nm的厚度時(shí)光譜透射率的測(cè)量結(jié)果。測(cè)量結(jié)果顯示跨越大約450nm波長(zhǎng)范圍的Ag和Cu的光透射率線段。0081這些事實(shí)顯示在比大約450nm更長(zhǎng)的波長(zhǎng)范圍內(nèi)Cu比Ag具有更高的光透射率，并且對(duì)于第一反射層，相對(duì)于具有大約600nm波長(zhǎng)的激光使用Cu是優(yōu)選的。0082此外，在各個(gè)使用Cu、Ag或Au用于各第一反射層的光學(xué)介質(zhì)中，3T單圖案在660nm波長(zhǎng)被記錄在第一記錄層上并且C/N比率被測(cè)量。結(jié)果在圖15中顯示。最高的C/N比率在使用Cu時(shí)獲得。從記錄特性的觀點(diǎn)來看，也顯示Cu適用于第一反射層。注意到，圖14中示出的各個(gè)點(diǎn)是沿水平軸排列的多個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)單位的點(diǎn)。0083第二反射層沒有必要和第一反射層一樣是半透明的。0084第一反射層的層厚度優(yōu)選在6nm到12nm的范圍內(nèi)。當(dāng)層厚度小于6nm時(shí)，信號(hào)質(zhì)量被降低，這是由于過低的反射率；并且重復(fù)記錄特性退化，這是因?yàn)闊嵘⒁萏匦酝嘶?。?dāng)比12nm厚時(shí)是不適宜的，因?yàn)楣馔干渎时唤档汀?085第二反射層的層厚度優(yōu)選在100nm到200nm的范圍內(nèi)。當(dāng)層厚度比100nm薄時(shí)，不能夠獲得足夠的熱散逸特性，于是重復(fù)記20錄特性退化，并且當(dāng)層厚度比200nm厚時(shí)，雖然熱擴(kuò)散特性沒有改變，但是具有浪費(fèi)厚度的層被形成，并且記錄介質(zhì)本身的機(jī)械特性退化。0086上文描述的第一半透明反射層和第二反射層可以通過各種氣相淀積方法來形成，例如真空蒸發(fā)法、濺射法、等離子CVD法、光學(xué)CVD法、離子電鍍法和電子束淀積法。其中，濺射法在大規(guī)模生產(chǎn)、層質(zhì)量等等方面是優(yōu)秀的。0087第一下保護(hù)層和第二下保護(hù)層優(yōu)選由透明材料形成，并且所述材料是光可透射的，并且具有比記錄層更高的熔點(diǎn)，同時(shí)有避免記錄層退化的功能，從而增強(qiáng)與記錄層的粘合強(qiáng)度并增強(qiáng)記錄特性。金屬氧化物、氮化物、硫化物和碳化物被主要地使用。其中具體的示例包括例如SiO、Si02、ZnO、Sn02、A1203、Ti02、ln203、MgO和Zr02的氧化物；例如Si3N4、A1N、TiN、BN和ZrN的氮化物；例如ZnS、Iri2S3和TaS4的硫化物；如SiC、TaC、B4C、WC、TiC和ZrC的碳化物；金剛石碳或它們的混合物。這些材料中的每個(gè)可以單獨(dú)使用或與兩個(gè)或更多組合使用。此外，這些材料中的每一個(gè)可以依照必要性而包含摻雜物。例如，Si02和ZnS的混合物以及Si02和Ta205的混合物是典型的。具體地，ZnS-Si02通常被使用，并且ZnS:Si02的混合比率等于80:20是最優(yōu)選的。這種材料能夠提高記錄層的光吸收效率，這是因?yàn)槠渚哂懈叩恼凵渎蕁和接近0的消光系數(shù)，并且這種材料可以適當(dāng)?shù)匾种乒馕斩a(chǎn)生的熱量的擴(kuò)散，這是因?yàn)槠鋵?dǎo)熱性小，因此使用ZnS:Si02能夠?qū)⒂涗泴拥臏囟忍岣叩接涗泴涌梢匀诨臏囟取?088第一下保護(hù)層的層厚優(yōu)選為40nm到80nm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)谝幌卤Ｗo(hù)層的層厚比40nm薄時(shí)，因?yàn)橹貜?fù)記錄耐用性和記錄特性被降低并且光透射率被降低，這是不適宜的。當(dāng)厚度比80nm更厚時(shí)，因?yàn)楣馔干渎时唤档?，這是不適宜的。層的厚度進(jìn)一步優(yōu)選在60nm到80nm的范圍內(nèi)。通過在上述范圍內(nèi)調(diào)節(jié)第一下反射層的厚度，重復(fù)記錄耐用性被顯著提高。0089第二下保護(hù)層的厚度優(yōu)選在110nm到160nm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)诙卤Ｗo(hù)層的厚度比llOnm薄時(shí)，第二信息層的光反射率被降低，21這導(dǎo)致降低的復(fù)制信號(hào)質(zhì)量和降低的重復(fù)記錄耐用性。當(dāng)比160nm厚時(shí)，第二信息層的光反射率被降低，這導(dǎo)致降低的復(fù)制信號(hào)質(zhì)量和降低的記錄介質(zhì)本身的機(jī)械特性。0090上文描述的第一和第二上保護(hù)層以及第一和第二下保護(hù)層可以由各種氣相淀積方法形成。例如，真空蒸發(fā)法、濺射法、等離子CVD法、光學(xué)CVD法、離子電鍍法和電子束淀積法。其中，濺射法在大規(guī)模生產(chǎn)、層質(zhì)量等方面是優(yōu)秀的。0091依照本發(fā)明的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)一般通過層形成步驟、初始化步驟和粘合步驟來制造。0092在層形成步驟中，第一信息層形成在第一基片表面上(見圖1)，該表面有形成在其上的槽，而第二信息層形成在第二基片的表面上，該表面有形成在其上的槽。第一信息層和第二信息層可通過各種氣相淀積方法形成。例如，真空蒸發(fā)法、濺射法、等離子CVD法、光學(xué)CVD法、離子電鍍法和電子束淀積法。其中，濺射法在大規(guī)模生產(chǎn)、層質(zhì)量等等方面是優(yōu)秀的。在濺射法中，層通過流過如氬的惰性氣體形成，并且在這時(shí)層可以在加入氧氣和氮?dú)獾惹闆r下被反應(yīng)性濺射。0093在初始化步驟中，光學(xué)記錄介質(zhì)的整個(gè)表面通過用如激光的能量光照射第一信息層和第二信息層而被初始化，即記錄層被結(jié)晶(晶體化)。當(dāng)在初始化步驟期間，激光能量浮動(dòng)薄膜是可能的時(shí)，在初始化步驟之前，第一信息層和第二信息層可以用UV可硬化樹脂等旋轉(zhuǎn)涂覆并隨后通過用紫外線照射來硬化，從而被覆蓋外涂層。此外，在下文將被描述的粘合步驟被初步地執(zhí)行后，第一信息層和第二信息層可以從第一基片側(cè)被初始化。0094在粘合步驟中，第一基片和第二基片通過中間層在第一信息層面對(duì)第二信息層的條件下被粘合到一起。例如，UV可硬化樹脂被施加于第一信息層和第二信息層的任何一個(gè)層表面，兩個(gè)基片在第一信息層表面和第二信息層表面相互面對(duì)的條件下被加壓并粘合，并且紫外線可硬化樹脂被紫外線照射，從而使紫外線可硬化樹脂硬化。0095具有三個(gè)信息層的三層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，基本以和上文描述的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)相同的方法被制造。然而，因?yàn)樵黾恿艘粋€(gè)信息層，其以例如下述步驟的順序生產(chǎn)。0096首先，在第一層形成步驟中，第一信息層被形成在第一基片上，并且第三信息層被形成在第二基片上。0097隨后，在中間層形成步驟中，第二中間層被形成在第三信息層上。0098隨后，在第二層形成步驟中，第二信息層被形成在第二中間層上。0099隨后，在粘合步驟中，第一基片和第二基片通過第一中間層在第一信息層和第二信息層互相面對(duì)的情況下被粘合在一起。0100接著，在初始化步驟中，第一信息層到第三信息層以和雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)中的方法相同的方法被初始化。0101本發(fā)明可以提供具有優(yōu)秀重復(fù)記錄耐用性和優(yōu)秀存儲(chǔ)穩(wěn)定性的多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中除置于從激光束照射側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的信息層外，各個(gè)信息層被制造以具有高光透射率，從而允許以穩(wěn)定的循跡精度在各個(gè)信息層上記錄和復(fù)制信息。示例0102在此之后，本發(fā)明將進(jìn)一步參考具體的示例被詳細(xì)描述，然而，本發(fā)明不限于公開的示例。0103對(duì)于評(píng)估設(shè)備，PULSTE工業(yè)有限公司制造的ODUIOOO被使用。在記錄時(shí)用于照射記錄層的激光波長(zhǎng)是660nm，并且物鏡的數(shù)值孔徑是0.65。記錄時(shí)使用的記錄線速度是9.2m/s，并且記錄信息通過1.2mW的復(fù)制光功率被復(fù)制。對(duì)于光波形產(chǎn)生單元，PULSTEC工業(yè)有限公司生產(chǎn)的MSG3A被使用。關(guān)于記錄方法，對(duì)于置于從激光束照射側(cè)看過去的前側(cè)的第一信息層(LO層)，1T周期記錄策略被使用，并且對(duì)于置于從激光束照射側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的第二信息層，2T周期的記錄策略被使用。測(cè)試中使用的記錄策略在圖16和圖17中顯示，用于測(cè)試的參數(shù)在表7A和表7B中顯示。在表7A和表7B中顯示的表詞條"e1"表示擦除功率Pe對(duì)記錄功率Pw的比值(Pe/Pw)。在圖17中，當(dāng)在相關(guān)時(shí)鐘邊緣前時(shí)，"dTx"表示為正值，而在相關(guān)時(shí)23鐘邊緣后時(shí)，表示為負(fù)值。(示例1)0104第一基片由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成，具有12cm的直徑，0.575mm的厚度，其中所述基片在其一個(gè)表面上具有由彎曲連續(xù)槽構(gòu)成的軌跡間距為0.74lim的循跡引導(dǎo)的凸凹部(槽深A(yù)711.5n)(n=1.55),并且凸部分(槽)的槽寬為0.25um，在所述基片上，由ZnS-Si02(80:20(摩爾百分比))構(gòu)成的具有70nrn層厚的第一下保護(hù)層通過RF磁控濺射方法，在4kW的濺射功率以及15sccm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分)的Ar流速的條件下被形成。0105隨后，在第一下保護(hù)層上，由Ago.2In3.5Ge7Sb68.7Te2().6構(gòu)成的第一記錄層通過DC磁控濺射法在0.4kW的濺射功率和35sccm的Ar流速條件下形成，其具有7.5nm的層厚。。0106隨后，在第一記錄層上，由In2OrZnO-Sn02-Ta205(7.5:22.5:60:10(摩爾百分比))構(gòu)成的第一上保護(hù)層通過RF磁控濺射法在lkW的濺射功率和15sccm的Ar流速條件下形成，其具有5nm的層厚。0107隨后，在第一上保護(hù)層上，由Cu-Mo(1.1摩爾百分比)構(gòu)成的具有8nm層厚的第一半透明反射層通過DC磁控濺射法在0.5kW的濺射功率和20sccm的Ar流速條件下形成。0108隨后，在第一半透明反射層上，由In203-ZnO-SnOrSi02(8.8:41,7:35.2:14.3(摩爾百分比))構(gòu)成的具有65nm層厚的熱擴(kuò)散層通過DC磁控濺射法在2kW的濺射功率和15sccm的Ar流速條件下形成，并由此形成第一信息層(LO層)。0109同時(shí)，在由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成的具有12cm直徑，0.6mm厚度的第二基片上，其中所述基片在其一個(gè)表面上具有由彎曲連續(xù)槽構(gòu)成的軌跡間距為0.74nm的循跡引導(dǎo)的凸凹部(槽深A(yù)711.5n)(n=1.55)，并且凸部分(槽)的槽寬為0.24um，由Ag構(gòu)成的具有40nm層厚的第二反射層通過DC磁控濺射方法，在3kW的濺射功率以及15sccm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分)的Ar流速的條件下被形成。0110隨后，在第二反射層上，由TiC-Ti02(70:30(摩爾百分比))構(gòu)成的具有4nm層厚的中間層通過DC磁控濺射方法，在2kW的濺射功率以及15sccm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分)的Ar流速的條件下被形成。0111隨后，在中間層上，由ZnS-Si02(80:20(摩爾百分比))構(gòu)成的具有20nm層厚的第二上保護(hù)層通過RF磁控濺射方法，在1.5kW濺射功率以及15sccm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分)的Ar流速的條件下被形成。0112隨后，在第二上保護(hù)層上，由八8().21113.551371.4丁621.4063.5構(gòu)成的具有15nm層厚的中間層通過DC磁控濺射方法，在0.4kW的濺射功率以及35sccm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分)的Ar流速的條件下形成。0113隨后，在第二記錄層上，由ZnS-Si02(80:20摩爾百分比)構(gòu)成的具有140nm層厚的第二下保護(hù)層通過RF磁控濺射法在4kW的濺射功率和15sccm的Ar流速條件下形成，并由此形成第二信息層(L1層)0114對(duì)于濺射設(shè)備，UnaxisJapanCo.，Ltd生產(chǎn)的DVDSPRINTER被使用。0115隨后，紫外光可硬化樹脂(由NipponKayakuCo.，Ltd生產(chǎn)的KARAYADDVD802)被涂覆在第一信息層的層表面上，第二信息層的層表面被粘合到第一信息層的層表面，并且第一信息層和第二信息層通過旋轉(zhuǎn)涂覆(spin-coating)粘合。然后，紫外光可硬化樹脂被紫外線照射以硬化并形成具有50n米層厚的中間層，這樣，如圖1所示的具有兩個(gè)信息層的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)被制備。0116隨后，雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)以第二信息層和第一信息層的順序被用激光束照射，以初始化信息層。通過將從半導(dǎo)體激光器(發(fā)射波長(zhǎng)為810土10mn)發(fā)射的激光束通過光學(xué)讀取頭(NA=0.55)會(huì)聚到記錄層上，第一記錄層和第二記錄層被初始化。對(duì)于初始化第二記錄層的條件，盤片以CLV(恒定線速度)模式在7m/s的線速度下旋轉(zhuǎn)，進(jìn)給速度為40um/圈，半徑位置從22mm到59mrn，并且初始化功率為2000mW。對(duì)于初始化第一記錄層的條件，盤片以CLV(恒定線速度)模式在6m/s的線速度下旋轉(zhuǎn)，進(jìn)給速度為60um/圈，半徑位置從22mm到59mm，并且初始化功率為llOOrnW。0117對(duì)于初始化后晶體相的反射率，0)層的反射率為6.2%，LI層的反射率為5.8%，并且所述雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)具有很平衡的反射率。(示例2到13以及對(duì)比示例1到4)0118具有如示例1的相同基片和相同層構(gòu)造的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)被制備，只是其熱擴(kuò)散層(光透射層)的材料組成被變?yōu)楸?所示的材料組成。兩個(gè)雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)被測(cè)試。0119第一信息層的光透射率的驗(yàn)收水平被確定為42%。此外，為確定重復(fù)記錄耐用性的可靠性，在重復(fù)記錄500次后的抖動(dòng)值(DOW500抖動(dòng))被評(píng)價(jià)。抖動(dòng)值的接受水平被確定為10%。0120表1顯示評(píng)價(jià)結(jié)果，并且當(dāng)氧化錫和氧化硅不被包含在熱擴(kuò)散層的材料成分中時(shí)，光透射率和DOW10抖動(dòng)不在可接受水平內(nèi)。當(dāng)所含的氧化銦的摩爾百分比為3%或更少時(shí)，雖然光透射率是優(yōu)異的，但是DOW500抖動(dòng)值增加。當(dāng)所含氧化銦的摩爾百分比為50%或更多時(shí)，雖然DOW500抖動(dòng)值被降低，但光透射率要降低。此外，當(dāng)氧化硅含量的摩爾百分比為30%或更多時(shí)，濺射速度趨向于降低。(示例14到40以及對(duì)比示例5到13)0121示例14到40和對(duì)比示例5到13的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)用與示例1相同的方法制備，只是第一和第二基片的槽深變?yōu)楸?A、2B和2C中顯示的值。存在這樣的趨勢(shì)，槽深越淺，反射率越高。然而，事實(shí)上，示例采用的槽深對(duì)反射率的影響很小，L0層和L1層的反射率在分別形成有深槽的示例14、23和32以及分別形成有淺槽的示例22、31和40中是良好平衡的。0122示例14到40和對(duì)比示例5到13的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)通過波長(zhǎng)為660nm、645nm和665nm的激光分別被評(píng)估。表2A、2B和2C顯示了評(píng)估結(jié)果。如在對(duì)比示例6到7、9到10和12到13的光學(xué)記錄介質(zhì)中，當(dāng)槽深比下限值(入/17n)淺時(shí)，推拉信號(hào)的振幅被降低，并且穩(wěn)定的循跡精度不能獲得。如在對(duì)比示例5、8和11的光學(xué)記錄介質(zhì)中，當(dāng)槽深比上限值(A/11.5n)深時(shí)，抖動(dòng)值增加。0123在三個(gè)記錄層內(nèi)的三個(gè)相鄰軌跡上標(biāo)記被重復(fù)記錄10次，并且在這3條軌跡中，中間的軌跡被復(fù)制以評(píng)估示例14到40和對(duì)比示例5到13的光學(xué)記錄介質(zhì)的特性。特質(zhì)的評(píng)估基于在3T到11T和2614T標(biāo)記和間隔被隨機(jī)記錄時(shí)獲得的抖動(dòng)被執(zhí)行。"抖動(dòng)"表示當(dāng)標(biāo)記和間隔的反射水平在特定的片水平被二進(jìn)制化時(shí)，邊界和時(shí)鐘之間的時(shí)間偏離。抖動(dòng)值越低，記錄特性越好。可接受的抖動(dòng)值水平是9%或更小。記錄后的調(diào)制度被測(cè)量，并且L0層和L1層都具有63%的調(diào)制度。關(guān)于此時(shí)的記錄功率Pw，L0層的記錄功率Pw是36mW，而Ll層的記錄功率Pw是38mW。調(diào)制度是通過(Rtop—Rbot)/Rtop表示的，其中晶體相的反射率用Rtop表示，而非晶相的反射率用Rbot表示。0124表2A、2B和2C顯示的推拉信號(hào)是使用圖5中顯示的光電探測(cè)器測(cè)量[(la+lb)—(lc+ld)]/[la+lb+lc+ld]的信號(hào)。用低通濾波器過濾的頻率具有30kHz(-3dB)的截止頻率，這樣彎曲擺動(dòng)頻率分量(約820kHz)和其他噪聲分量在測(cè)量時(shí)沒有被混入。推拉信號(hào)的接受水平(驗(yàn)收水平)被確定為0.28或更高。0125示例2到13的光學(xué)記錄介質(zhì)也可以獲得相同的結(jié)果，其中熱擴(kuò)散層(光透射層)的每種材料被改變。(示例41到49以及參考示例14到18)0126各具有與示例1相同的基片和相同的層構(gòu)造的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)被制備，只是記錄層的材料組成變?yōu)楸?中顯示的材料組成。制備的光學(xué)記錄介質(zhì)被測(cè)試記錄特性和存儲(chǔ)穩(wěn)定性。0127重復(fù)記錄10次后的抖動(dòng)(DOW10抖動(dòng))在9,2m/s的記錄線速度下被測(cè)量，小于10%的抖動(dòng)值被評(píng)價(jià)為"A"，10%或更高的抖動(dòng)值被評(píng)價(jià)為"B"。此外，當(dāng)在8(TC下放置300小時(shí)后獲得的抖動(dòng)變化小于2%，其被評(píng)價(jià)為"A"，而當(dāng)在80'C下放置300小時(shí)后獲得的抖動(dòng)變化等于或大于2%，其被評(píng)價(jià)為"B"。存放在設(shè)置為8(TC和85%相對(duì)濕度的恒溫室內(nèi)300小時(shí)的雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)被執(zhí)行存儲(chǔ)測(cè)試。0128可以從表3看出，當(dāng)Ge的含量小于2。/。時(shí)，光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)穩(wěn)定性退化，這是因?yàn)榈偷慕Y(jié)晶溫度。當(dāng)Ge的含量大于20%時(shí)，雖然結(jié)晶溫度足夠高，但光學(xué)記錄介質(zhì)的重復(fù)記錄特性被降級(jí)?？梢哉J(rèn)為，當(dāng)Sb的含量小于60。/。時(shí)，高速記錄不能被實(shí)現(xiàn)，這是因?yàn)樵谟涗泴拥牡娃D(zhuǎn)換線速度。當(dāng)Sb的含量大于75%時(shí)，記錄不能被完成，27這是因?yàn)槠溥^高的轉(zhuǎn)換線速度，并且光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)穩(wěn)定性差，因?yàn)榻Y(jié)晶溫度降低。當(dāng)Te的含量小于6%時(shí)，難以初始化記錄層，并且抖動(dòng)值被增加。當(dāng)Te的含量大于30。/。時(shí)，轉(zhuǎn)換線速度慢，并且記錄特性趨向于降低。(示例50到65)0129雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)各具有如示例1的相同基片和相同層構(gòu)造，只是第一上保護(hù)層的材料組成被變?yōu)楸?和5中顯示的組成。制備的光學(xué)記錄介質(zhì)被測(cè)試。0130在重復(fù)記錄10次后獲得的第一信息層的轉(zhuǎn)換線速度和抖動(dòng)值被評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果顯示濺射速度幾乎相同，然而，當(dāng)ZnO或Sn02中的任何一種的含量的摩爾百分比為50%或更多時(shí)，光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄特性被加強(qiáng)，這是因?yàn)檗D(zhuǎn)換線速度被提高。(示例1以及66到67)0131雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)各具有和示例1中相同的基片和相同的層結(jié)構(gòu)，只是第一半透明反射層的材料組成變?yōu)楸?中顯示的材料。制備的光學(xué)記錄介質(zhì)被測(cè)試。0132示例66到77的測(cè)量結(jié)果與示例1的結(jié)果被一起顯示在表6中。在80'C和85%的相對(duì)濕度下存放300小時(shí)后的光學(xué)記錄介質(zhì)的抖動(dòng)變化被評(píng)價(jià)，而任何光學(xué)記錄介質(zhì)具有小于1%的抖動(dòng)變化。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>表2A<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>表2C<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>表7BLl層的記錄策略參數(shù)值單位Tmp12/16TTtop15/16TTtop，315/16TdTtop3/16TdTtop,33/16TdTtop，43/16TdTtop,53/16TdTera，310/16TdTera，O1/16TdTera，E1/16TdTlp,O0/16TTlp，30/16TdTIp，30/16Tel0.42—示例780133對(duì)于在示例1到3，6和對(duì)比示例1中制備的各個(gè)雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，在640nm到680nm范圍波長(zhǎng)內(nèi)的第一信息層(L0層)的光透射率被測(cè)量。圖18顯示光透射率的測(cè)量結(jié)果。圖19顯示對(duì)于雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，記錄功率和DOW10抖動(dòng)之間關(guān)系的測(cè)量結(jié)果。0134此外，圖20顯示各個(gè)雙層相變光學(xué)記錄介質(zhì)的熱擴(kuò)散層(光透射層)的導(dǎo)熱率，在圖19中獲得的最佳記錄功率(獲得最低抖動(dòng)值所用的記錄功率)以及在圖18中獲得的在660nm波長(zhǎng)測(cè)量的每個(gè)L0層的光透射率之間的關(guān)系。0135圖20顯示的結(jié)果驗(yàn)證包含在熱擴(kuò)散層(光透射層)中的氧化銦越少，每個(gè)L0層的光透射率越高，并且最佳記錄功率越低。3權(quán)利要求1.一種多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，包含第一基片，從激光束照射側(cè)看過去，所述第一基片被置于前側(cè)，第二基片，從激光束照射側(cè)看過去，所述第二基片被置于最內(nèi)側(cè)，所述第一基片和所述第二基片中的每個(gè)在其記錄表面?zhèn)壬暇哂袕澢菪龑?dǎo)槽，中間層，以及多個(gè)信息層，每個(gè)所述信息層具有相變記錄層，所述信息層通過每個(gè)所述中間層被置于所述第一基片和所述第二基片之間，除了被置于從所述第一基片側(cè)看過去的最內(nèi)側(cè)的信息層之外，每個(gè)所述信息層包含下述五個(gè)層下保護(hù)層，所述相變記錄層，上保護(hù)層，半透明反射層，以及熱擴(kuò)散層或光透射層，并且被置于從所述第一基片側(cè)看過去的所述最內(nèi)側(cè)的所述信息層包含下保護(hù)層，所述相變記錄層，上保護(hù)層，以及反射層，其中，除了被置于從所述第一基片側(cè)看過去的所述最內(nèi)側(cè)的所述信息層之外，所述各個(gè)信息層的每個(gè)所述熱擴(kuò)散層或光透射層包含氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅，并且當(dāng)所述氧化銦、所述氧化鋅、所述氧化錫和所述氧化硅的含量分別用“a”、“b”、“c”和“d”摩爾百分比表示時(shí)，下述要求被滿足，3≤a≤500≤d≤30a+b+c+d＝100并1且當(dāng)用“n”表示所述第一基片和所述第二基片的折射率，用“λ”表示激光波長(zhǎng)，并用H表示所述第一基片和所述第二基片的引導(dǎo)槽深度時(shí)，所述引導(dǎo)槽深度H滿足下述要求λ/17n≤H≤λ/11.5n。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中每個(gè)所述相變記錄層包含至少鍺、銻和碲三種元素，并且當(dāng)鍺、銻和碲的組成比率用"a"、"P"和"Y"原子百分比表示時(shí)，下述要求被滿足2《a《2060《P《756《Y《30。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中除了被置于從所述第一基片側(cè)看過去的所述最內(nèi)側(cè)的所述信息層之外，在所述各個(gè)信息層內(nèi)的每個(gè)所述上保護(hù)層包含氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅或氧化鉭，并且當(dāng)所述氧化銦、所述氧化鋅、所述氧化錫和所述氧化硅或所述氧化鉭的含量分別用"e"、"f"、"g"和"h"摩爾百分比表示時(shí)，下述要求被滿足，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一所述的多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中除了被置于從所述第一基片側(cè)看過去的所述最內(nèi)側(cè)的所述信息層之外，在所述各個(gè)信息層內(nèi)的每個(gè)所述半透明反射層的主要成分是銅。根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一所述的多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其中在所述各個(gè)信息層內(nèi)的每個(gè)所述下保護(hù)層包含硫化鋅和二氧化硅。全文摘要一種多層相變光學(xué)記錄介質(zhì)，其具有第一基片和第二基片，以及多個(gè)信息層，其中除了從第一基片側(cè)看去被置于最內(nèi)側(cè)的信息層，其他信息層的每個(gè)熱擴(kuò)散層具有氧化銦、氧化鋅、氧化錫和氧化硅。當(dāng)它們的含量分別用“a”、“b”、“c”和“d”[摩爾百分比]表示時(shí)，其滿足下述要求3≤a≤50，0≤d≤30，a+b+c+d＝100；并且當(dāng)用“n”表示第一和第二基片的折射率，用“λ”表示激光波長(zhǎng)，并用H表示第一和第二基片的引導(dǎo)槽(grooveguide)深度時(shí)，H滿足下述要求λ/17n≤H≤λ/11.5n。文檔編號(hào)G11B7/254GK101512647SQ20078003361公開日2009年8月19日申請(qǐng)日期2007年8月30日優(yōu)先權(quán)日2006年9月11日發(fā)明者關(guān)口洋義,加藤將紀(jì),真貝勝,筱塚道明申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光