專利名稱：安全應(yīng)用的電熔絲電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電熔絲電路設(shè)計，尤其涉及設(shè)計作為安全應(yīng)用 的防竄改電熔絲電3各。
背景技術(shù)：
電熔絲為已知邏輯非易失性儲存器，用于永久性地保留信息，
譬如、、芯片-ID〃等等。激光熔絲為其典型實例，其中激光能量被使 用來揮發(fā)金屬或多晶硅鏈而程序化熔絲，并使用閂鎖來感應(yīng)所形成 的電阻變化。然而，由于激光熔絲裝置的節(jié)距(pitch)無法縮小到 激光束波長以下(通常是1.06 nm)，所以激光熔絲并不適合用于深 次《敬米技術(shù)。
為了克服激光熔絲的間距限制，使用 一種通常為石圭化多晶硅所 制成的電熔絲來程序化。當(dāng)程序化電熔絲時，施加一高電流密度于 電熔絲鏈一段特定期間，就硅化多晶硅而言通常是600 mA/ )a m2。 電熔絲的電阻將會由于其熔絲鏈的電應(yīng)力而升高。要在電熔絲中造 成一可辨識電阻改變，理想上超過l千歐姆，凄t」微秒的應(yīng)力可能就 足夠長了。
圖1為顯示已知電熔絲電路IOO的概要圖，其包含程序化方塊 110與感應(yīng)方塊120。禾呈序4b方塊110作為津禹合于電夂容絲元4牛122 與程序化電源VDDQ之間的一 P型金氧半導(dǎo)體晶體管(PMOS )113。 當(dāng)將PMOS 113的閘極信號SL調(diào)低時，選出此特別的電熔絲元件122以程序化，也就是，程序化電流將流經(jīng)過它。在經(jīng)歷程序化電 流一特定時期以后，電熔絲元件122的電阻將會升高。感應(yīng)方塊120 包含參考電阻器124、 PMOS晶體管132及136與N型金氧半導(dǎo)體 晶體管(NMOS) 134及138，其感應(yīng)電熔絲元件122的電阻位準(zhǔn)。 感應(yīng)方塊120隨后經(jīng)由一反相器142將一邏輯狀態(tài)輸出在節(jié)點Q 上。在節(jié)點Q上的邏輯j氐可對應(yīng)纟皮程序化的電熔絲元件122，也就 是，施以應(yīng)力的電遷移。另一方面，在節(jié)點Q上的邏輯高，對應(yīng)非 禾呈序4匕電熔絲元^f牛122。
然而，已知電熔絲電路100仍有限制。首先，用來對已知電熔 絲122施以應(yīng)力的電流通常非常高，其可能造成明顯的改變，譬如 熔絲鏈中的裂縫。因此，通過視覺檢驗，可偵測儲存在電熔絲電路 100中的不適合作為如智能卡與微碼儲存器的安全應(yīng)用的數(shù)據(jù)。
第二，當(dāng)PMOS晶體管113開啟且施加相當(dāng)小的VDDQ電壓 例如300mV，電熔絲元件122將不會被施以足夠應(yīng)力而造成其電阻 升高。但是在已知》容絲電^各100中，因為VDDQ電壓^U又供應(yīng)到電 熔絲元件122,所以電熔絲元件122的電阻l直(R)會通過測量流 經(jīng)電熔絲元件122的電流(I)來讀出，其，I定MOS 132的閘極關(guān) 閉，且計算R-VDDQ/1。因此，儲存在已知電熔絲電路IOO中的數(shù) 據(jù)也可經(jīng)由一外部可進入程序化信道凈皮電讀出，而不會改變凄t據(jù)。 因為此理由，已知電纟容絲電^各100無法#皮4吏用于4壬一安全應(yīng)用。
第三，已知感應(yīng)方塊120在低電壓中并不足以靈敏到可分辨電 遷移在電熔絲元件122中的所造成小電阻變化。參考圖1， NMOS 晶體管134通過NMOS晶體管138而^皮偏壓到々包和區(qū)域內(nèi)。此偏壓 通過PMOS晶體管136、 NMOS晶體管138與參考電阻器124所形 成的分壓器來決定。電熔絲元件122的電阻變化會改變NMOS晶體 管134的源極電壓，而造成流經(jīng)PMOS晶體管132的電流改變。在 此架構(gòu)中，PMOS晶體管132在線性區(qū)域的低阻抗?fàn)顟B(tài)下操作。在此狀況下，感應(yīng)方塊120的增益低，感應(yīng)方塊并不足以靈壽文到可偵
測出在電熔絲元件122中的小電阻改變，乂人而^f吏其功能失效。
如上所述，令人期望的是一種可凈皮電程序化的電熔絲電^各，儲 存于其中的凄丈據(jù)無法以未經(jīng)許可的裝置光學(xué)察覺出或電讀出。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述，本發(fā)明提供集成電路(IC)中的一種熔絲電路，包 含至少一個電熔絲元件，具有在一電遷移才莫式中^皮施以應(yīng)力后改變 的一電阻位準(zhǔn)； 一切換裝置，串聯(lián)地耦合一預(yù)定路徑中的該電熔絲 元件，該預(yù)定鴻4圣位于一熔絲禾呈序〗匕電源(VDDQ)與一^f氐電壓電 源(GND)之間，以在一程序化操作期間內(nèi)選擇性地允許一程序化 電流通過該電熔絲元件；以及至少一個外圍電路耦合至該VDDQ， 其中該外圍電路為主動性且在一熔絲程序化操作期間內(nèi)吸引來自 該VDDQ的電 流。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，使用一個或多個金屬層實質(zhì)地覆蓋電 熔絲元件，以避免其受到光學(xué)^見察。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種程序化一安全電熔絲電路的 方法，包含
以4又能造成電熔絲元件電遷移的 一 電壓l是供一程序化電源至 電熔絲元件陣列；選l奪性耦合該程序化電壓電源至至少一個熔絲元 件，通過至少一個切換裝置的控制將其程序化；以及在程序化該電 熔絲電3各的同時供應(yīng)來自該禾呈序^f匕電源的電流到至少 一個外圍電路。
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與操作方法，連同其額外目的與優(yōu)點，可從以下 具體實施例的說明及所附示意圖來研讀以獲得最佳理解。


圖1示出了已知電熔絲電^各的扭無要圖。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有熔絲單元陣列與相應(yīng)控制 電3各的電溶絲電3各的相無要圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的實施一選定的電路概要圖。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的實施感應(yīng)放大器的概要圖。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的防竄改電熔絲系統(tǒng)的方塊圖。
圖6示出了用來程序化安全電熔絲電路的步驟的流程圖。
具體實施例方式
下文將提供一種用來建構(gòu)安全、防竄改電熔絲電的系統(tǒng)與方 法的詳細(xì)iJl明，其^f吏用電遷移為應(yīng)力才莫式，以在程序化后產(chǎn)生電阻改變。
硅化多晶硅熔絲上的電應(yīng)力可有不同模式。當(dāng)應(yīng)力電流密度比 一特定4立準(zhǔn)(通常為600 mA/|um2)高時，該應(yīng)力才莫式會形成聚集 或破裂。聚集意指硅化物分解。破裂意指多晶硅由于熱膨脹而裂開。 另一方面，當(dāng)應(yīng)力電流密度比典型的600mA/jam2位準(zhǔn)更低時，應(yīng) 力模式可為一種電遷移。電遷移為由于傳導(dǎo)電子與擴散金屬原子之 間的動量轉(zhuǎn)換所造成的金屬質(zhì)量運送。由于電遷移，在電阻增加的 硅化物中，可產(chǎn)生微小空隙。時間過長時，微小空隙會累積成大空 隙。在適度的應(yīng)力下，根據(jù)應(yīng)力電流密度與應(yīng)力時間，微小空隙并 不會大到足以在熔絲中產(chǎn)生可見的改變，然而，電阻上升則已大到足以被偵測，譬如大約300歐姆。本發(fā)明應(yīng)用此適度應(yīng)力，以將該 電熔絲程序化，而不會改變其外表。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有熔絲單元陣列210 [O:n]及 相應(yīng)4空制電^各202 [O:n], 204及206的電火容絲電3各200的扭克要圖。所 有的炫絲單元210
具有相同結(jié)構(gòu)。如一實例，熔絲單元210
包含一電熔絲元件220
、切換N型金氧半導(dǎo)體晶體管224
、傳 送閘極212
、與傳送NMOS晶體管214
。電熔絲元件220
由硅化多晶硅所制成，其具有在電遷移才莫式中被施以應(yīng)力后會升高 的電阻。不像在聚集或破裂模式中被施以應(yīng)力，在電遷移模式中被 施以應(yīng)力的硅化多晶硅無法從表面看出明顯的可見改變。也就是， 通過利用任何視覺工具來檢視其外表，并不能夠偵測出該熔絲被" 燃燒〃 。為了隱瞞此種情形，遠離任何視覺偵測對安全應(yīng)用來說是 良好的，因為所儲存的凄t據(jù)不會4皮輕易分辨。
為了進一步提高此光學(xué)上的不可觀測性，本揭露進一步提出使 用至少一個金屬層，如在正常半導(dǎo)體制程中的金屬l層覆蓋熔絲區(qū) 域，以使電熔絲元件能夠完全不被看見，除非將包含此熔絲電路200 的芯片的頂層剝除。本揭露還同樣地^是出^f吏用相同金屬l層或其它 金屬層于其上，譬如金屬2層，以形成往返于電熔絲元件220的內(nèi) 連線。因此，為顯露電熔絲元件220剝?nèi)ロ攲?，將不可避免地石皮?往返于電熔絲元件220的電連4妄，所以無法電地研究光學(xué)顯露的電 熔絲元件220。
參考圖2,假定選出熔絲單元210
。在程序化4喿作期間內(nèi)， 當(dāng)傳輸NMOS晶體管214
關(guān)閉時，執(zhí)行傳輸閘極212
以連接熔 絲單元220
到程序化電源(VDDQ)。同時，切換NMOS晶體管 224
也會開啟，接著電熔絲元件220
將會受到VDDQ的應(yīng)力， 并因而被程序化。結(jié)果，電熔絲元件220
的電阻將典型地增加大 約300歐姆。與該升高的電阻狀態(tài)互補之下，當(dāng)切換NMOS晶體管224
關(guān)閉時，其電熔絲元件220
將不會受到VDDQ的應(yīng)力，其 電阻則因而維持在其最初的低位準(zhǔn)。在熔絲單元210
的讀取操作 期間內(nèi)，當(dāng)傳輸閘極212
關(guān)閉時，執(zhí)行傳輸NMOS晶體管214
以將熔絲單元210
連接到感應(yīng)放大器206。感應(yīng)放大器206會將 電丈容絲元4牛220
的電阻位準(zhǔn)4爭i奪成其相只t應(yīng)的高或j氐邏輯狀態(tài)。 假如升高的電阻代表邏輯高的話，那么最初的電阻則代表邏輯低。
參考圖2, —行傳輸閘極212
與一行傳輸NMOS晶體管 214
兩者皆由Y選擇方塊204所控制。第一列選擇晶體管224
由X選擇方塊202
所控制。同樣地，在選擇晶體管224[l:n]中的 其它列則會分別受到它們相應(yīng)的X選擇方塊202[l:n]所控制。根據(jù) 本發(fā)明實施例，程序化電源VDDQ亦同樣地會被供應(yīng)到X與Y選 擇方塊202
與204。在,呈序化才喿作期間內(nèi)，VDDQ不《又供應(yīng)電 流到一皮選出的電炫絲元件220，而且還到X選4奪與Y選才奪方塊 202
與204。因此，當(dāng)通過VDDQ來施加相當(dāng)4氐的電壓時，例 如300mV,在試著讀出電熔絲元件220的電阻時，在VDDQ上測 到的電流將不會是唯一流經(jīng)電熔絲元件220的電流。它將反而是流 經(jīng)電熔絲元件220、 X與Y選擇方塊202
與204的合并電流。X 與Y選擇方塊202
與204的設(shè)計確保流經(jīng)X與Y選擇方塊 202
與204的電流有一部分在不同制#呈、電壓與溫度情況下改 變到某一程度，以致于它能夠克服由于起因于程序化的電熔絲元件 220中電阻改變所造成的電流改變。換句話說，VDDQ由外部進入， 僅僅可以程序化電熔絲電路200，而非用來電測量儲存于其中的數(shù) 據(jù)。經(jīng)由添加更多元件到在VDDQ所測到的電流，就非計劃中的程 序化VDDQ信道而言，本發(fā)明亦使電熔絲元件220無法凈皮電觀察。
雖然圖2示出了具有供應(yīng)到X與Y選4奪方塊202
與204兩 者的VDDQ的電熔絲電路200，但是一般本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解到， <又4又供應(yīng)到X選^奪方塊202
或Y選4奪方塊204的外圍裝置其中 一者的VDDQ，亦可達到添加電流到溶絲元件電流的目的，以 <吏熔絲電阻的電壓/電流測量不可行。更廣義而言，任何主動性且在程序
化操作期間內(nèi)吸引來自VDDQ電流的外圍電路，皆可用來混淆想要 通過外部地測量電壓與電流以讀出熔絲電阻的企圖。在此，外圍電 路凈皮定義為除了熔絲單元210
本身以外的^f壬何電if各。上述X選 擇方塊202
與Y選擇方塊204為此種外圍電路。
雖然本發(fā)明上述實施例使用切換NMOS晶體管224，但是一般 本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解PMOS晶體管或者其它種類的切換裝置可 替代使用。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的實施X選擇方塊202的概要 圖。X選4奪方塊202包含一對NMOS晶體管，其具有分別耦合到一 對互補式選4奪信號D與DB的閘4及。 一對交叉耦合PMOS晶體管 312與314則具有分別耦合到該對NMOS晶體管302與304的汲極 的汲極。輸出節(jié)點OUT耦合到NMOS晶體管304與PMOS晶體管 314的汲極。當(dāng)選擇信號D判定為邏輯高時，也就是，選擇方塊202 被選出時，輸出節(jié)點OUT將輸出邏輯高。另一方面，當(dāng)選擇信號D 判定為邏輯低時，也就是，選擇方塊202沒被選出時，輸出節(jié)點 OUT會輸出邏輯低。PMOS晶體管322與324的源極與汲極分別#皮 耦合在VDDQ與PMOS晶體管312與314之間。PMOS晶體管322 與324的閘極-故讀取信號RD所控制。PMOS晶體管332與334的 源極與汲極被耦合在正常電源VDD以及PMOS晶體管312與314 之間。PMOS晶體管312與314的閘極被VDDQ所控制。在讀取操 作期間內(nèi)，讀取信號RD例如會判定為關(guān)閉PMOS晶體管322與324 的邏輯高電壓，且VDDQ不會判定為開啟PMOS晶體管332與334 的接地電壓(GND)。因此，X選擇方塊202可通過VDD來充電。 在程序化操作期間內(nèi)，讀取信號RD不會判定為開啟PMOS晶體管 332與334的GND,且VDDQ例如會判定為關(guān)閉PMOS晶體管332 與334的邏輯高電壓。然后，X選擇方塊202可通過VDDQ來充電。 同時，VDDQ也可^皮使用來程序化電熔絲元件220。因此，在VDDQ所測量到的電流為來自X選擇晶體管202與電熔絲元件220兩者的 合并電流。電熔絲元件220的電阻無法通過測量電流來輕易吸引。
要注意的是，VDDQ電壓通過電熔絲元件220的程序化需求所 決定，其可與VDD電壓不同。在此情形中，X選擇方塊202可被 當(dāng)作電壓移位器，其將電源切換成用來程序化的VDDQ以及用來讀 取熔絲電路100的VDD。 一般本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠建構(gòu)用于Y 選擇方塊204的如圖3所示的類似電路。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的感應(yīng)放大器206的概要圖。感 應(yīng)方文大器206包括一第一偏壓級，包含串耳關(guān)的參考電阻器412、 NMOS晶體管414與PMOS晶體管416。 PMOS晶體管416的閘^L 通過互補式讀取信號RDB所控制。在讀取操作期間內(nèi)，RDB會判 定為邏輯低電壓，其會啟動感應(yīng)放大器206。在節(jié)點A上的偏壓則 會被反映到第二偏壓級，其包含同樣被串聯(lián)的另 一參考電阻器422、 NMOS晶體管424與PMOS晶體管426。因為PMOS晶體管426 被當(dāng)作一二極管地連4妻，所以它總是在飽和區(qū)域中沖喿作。PMOS晶 體管426的閘極會被再度反映到PMOS晶體管436的間極，以致于 PMOS晶體管436亦同樣地在飽和區(qū)域中操作，并且充當(dāng)作經(jīng)過 NMOS晶體管434的熔絲單元210所用的電流源。PMOS晶體管436 與NMOS晶體管434充當(dāng)作用于感應(yīng)放大器206的真實放大級。 由于第一與第二偏壓級，NMOS晶體管二才及管414與PMOS晶體管 二極管426不在相同的分壓器中，以致使低供應(yīng)電壓能夠被施加。 相較于在線性區(qū)域中的10-20千歐姆，在飽和區(qū)域中的PMOS阻抗 大約是100-200千歐姆。結(jié)果，感應(yīng)放大器206的敏感度會被改善， 以用來感應(yīng)在纟容絲單元210中小量的電阻改變。
以上的段落已經(jīng)說明電熔絲電路200的數(shù)據(jù)保護特征。在邏輯 位準(zhǔn)中，在電熔絲電路200里面被程序化的數(shù)據(jù)必須被保護，以免
12于在安全應(yīng)用中被重新程序化。本發(fā)明亦可提供防竄改特征到電熔
絲電路200。
圖5示出了才艮據(jù)本發(fā)明另一實施例的防竄改電熔絲系統(tǒng)500的 方塊圖。電熔絲系統(tǒng)500包含電熔絲宏510與鎖住位512。當(dāng)鎖住 位沒^皮程序化時，鎖住位512則會凈皮讀出為邏輯《氐，否則其會凈皮讀 出為邏輯高。外部信號PGMin控制是否程序化電熔絲宏510。然而， 若鎖住位512被程序化，它的輸出可將非或門(NOR gate) 524的 輸出設(shè)定為邏輯低，以在不管外部信號PGMin的狀態(tài)下，使程序 化功能失能。鎖住位512^皮實施成一額外的電熔絲元件。它為在電 熔絲宏里面的一額外儲存單元或其中一個熔絲元件。 一旦將電熔絲 宏510致能的話，^皮儲存在鎖住位512中的凄史據(jù)可^皮自動地讀出為 一閂鎖。在此實例中，反相器522允許信號PGMin判定為邏輯高。 不管怎樣， 一般本領(lǐng)域技術(shù)人員將可使用除了反相器522與非或門 (NOR gate ) 524以外的裝置來4尋到相同的目標(biāo)。
圖600。 一開始，步驟610為以僅能造成電熔絲元件中的電遷移的 電壓纟是供一程序化電源到電熔絲元件陣列。需要一種到每一電熔絲 元件的切換裝置，以通過程序化電源來控制其存耳又。在步驟620中， 4是供了切換裝置。在步驟630中的程序化才乘作期間內(nèi)，相同的程序 化電源亦可被用來供應(yīng)電流到至少一外圍電路。夕卜圍電路可為控制 切換裝置用的一選擇電路。通過添加一電流元件以混淆流經(jīng)電熔絲 元件的電流，上述的步驟610至630則用來避免電熔絲元件的電觀 察。為了隱藏電熔絲元件受到光學(xué)觀察，步驟640為使用金屬層， 以實質(zhì)覆蓋電熔絲元件。
這些安全電熔絲系統(tǒng)500的其中 一種應(yīng)用為使用它來儲存安全 數(shù)據(jù)，譬如拌碼鍵(scramble keys )。根據(jù)現(xiàn)有資料安全性一般實務(wù)， 加密/解密算法會被公開，而拌碼鍵不會被公開。芯片制造商則通過將使用者所提供的第 一鍵以及制造商所提供的第二鍵拌碼而來提 供額外的保護。第二鍵的使用具有許多優(yōu)點。這允許制造商以不同 版本將數(shù)據(jù)輕易地拌碼。拌碼電路會被不斷更新，同時使用者4建則 仍維持相同。不同的拌碼電^各可^皮應(yīng)用于不同場合。4半碼電^各可^又
為多個互斥或門(XORgate)、線性反々貴位移緩存器(LFSR)或密 碼。第二鍵可通過制造商或系統(tǒng)使用者來程序化，同時第一鍵通過 終端使用者來程序化。電熔絲系統(tǒng)500可#1使用來儲存第二4建。
以上說明提供許多不同實施例或用來實施本發(fā)明不同特征的 實施例。說明元件與制程的具體實施例有助于闡明本發(fā)明。這些當(dāng) 然僅僅是實施例，并非用來限制本發(fā)明。
雖然本發(fā)明在此為以一或更多具體實例來顯示JU兌明，^旦仍然 不希望為所顯示的細(xì)節(jié)所限制，因為種種變更與結(jié)構(gòu)改變可在不背 離本發(fā)明精神下產(chǎn)生且仍在權(quán)利要求的均等范圍內(nèi)。所以，以符合 本發(fā)明范圍的方法來廣泛地設(shè)定專利范圍是適當(dāng)?shù)?，如附加?quán)利要 求書所述。
權(quán)利要求
1.一種熔絲電路，包含至少一個電熔絲元件，具有在一電遷移模式中被施以應(yīng)力后改變的電阻位準(zhǔn)；切換裝置，串聯(lián)地耦合預(yù)定路徑中的所述電熔絲元件，所述預(yù)定路徑位于熔絲程序化電源(VDDQ)與低電壓電源(GND)之間，以在熔絲程序化操作期間內(nèi)選擇性地允許所述VDDQ所提供的程序化電流通過所述電熔絲元件；以及至少一個外圍電路耦合至所述VDDQ，其中所述外圍電路為主動性，且在所述熔絲程序化操作期間內(nèi)吸引除了來自所述VDDQ的程序化電流以外的電流。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，其中，電熔絲元件實質(zhì)上被 金屬所遮蓋，所述金屬來自一個或多個金屬層，在不移除所述 金屬的狀況下，保護所述電熔絲元件免于任何光學(xué)檢驗。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔絲電路，其中，所述電熔絲元件具有 至少一個內(nèi)連線，往返于覆蓋所述熔絲元件的所述金屬上方的 一個或多個金屬層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，還包含感應(yīng)放大器，用來偵 測所述熔絲元件的電阻位準(zhǔn)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的熔絲電路，其中，所述感應(yīng)放大器包含第一偏壓級，具有第一參考電阻器； 第二偏壓級，具有第二參考電阻器；以及放大級，具有在飽和區(qū)域中才喿作的PMOS晶體管，以用 來供應(yīng)電流至所述電熔絲元件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，還包含儲存鎖住位， 一旦所述熔絲程序化4喿作完成，倒裝所述 儲存鎖住位；及邏輯電^各，耦合于所述儲存鎖住位與所述熔絲電3各的程 序化控制端之間，而且一旦所述^諸存鎖住位倒裝，所述邏輯電 ^^用以保護所述熔絲電^各免于程序化。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，其中，所述電熔絲元件由珪 化多晶硅制成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，其中，所述外圍電路為耦合 到所述切換裝置的選擇電路，用于在程序化操作期間內(nèi)根據(jù)預(yù) 定指令來開啟或關(guān)閉所述切換裝置。
9. 一種》容絲電3各，包含至少一個電熔絲元件，具有在電遷移沖莫式中^皮施以應(yīng)力 后改變的電阻〗立準(zhǔn)；一個或多個金屬層，實質(zhì)上覆蓋所述電熔絲元件；切換裝置，串聯(lián)地耦合預(yù)定路徑中的所述電熔絲元件， 所述預(yù)定^各徑位于熔絲程序化電源(VDDQ)與^[氐電壓電源 (GND )之間，以在程序化操作期間內(nèi)選擇性地允許程序化 電流通過所述電熔絲元件；以及至少一個外圍電^各耦合至所述VDDQ，其中所述外圍電i 各為主動性且在熔絲程序化才喿作期間內(nèi) 吸引來自所述VDDQ的電流。
10. —種程序化安全電熔絲電路的方法，包含提供程序化電源，具有電壓僅造成所述電熔絲電路的所 述熔絲元件電遷移；選4奪性耦合所述程序化電源至 一個或多個所述熔絲元 件，通過一個或多個切換裝置的控制將其程序化；以及程序化所述電熔絲電路的同時供應(yīng)來自所述程序化電源 的電流到至少一個外圍電^各。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包含經(jīng)由耦合到電熔絲元件 的一個或多個感應(yīng)》文大器來偵測所述電阻位準(zhǔn)。
12. 才艮據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述偵測包含通過所述感應(yīng)ii大器的》文大級來"l妄收來自所述熔絲電^各 的輸出；通過所述感應(yīng)放大器的第 一偏壓級將所述放大級偏壓， 以在飽和區(qū)域中操作；以及通過所述感應(yīng)^L大器的第二偏壓級〗尋所述第一偏壓級偏壓。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述外圍電路為耦合到 所述切換裝置的選擇電路，用于在程序化操作期間內(nèi)根據(jù)預(yù)定 指令來開啟或關(guān)閉所述切換裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種熔絲電路，包含至少一個電熔絲元件，具有在一電遷移模式中被施以應(yīng)力后改變的一電阻位準(zhǔn)；一切換裝置，串聯(lián)地耦合一預(yù)定路徑中的該電熔絲元件，該預(yù)定路徑位于一熔絲程序化電源(VDDQ)與一低電壓電源(GND)之間，以在一程序化操作期間內(nèi)選擇性地允許一程序化電流通過該電熔絲元件；以及至少一個外圍電路耦合至該VDDQ，其中該外圍電路為主動性，且在一熔絲程序化操作期間內(nèi)吸引來自該VDDQ的電流。
文檔編號G11C17/14GK101308704SQ20071017035
公開日2008年11月19日 申請日期2007年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月15日
發(fā)明者莊建祥, 薛福隆, 許夫杰 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司