專利名稱：：垂直磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁記錄系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種垂直磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁記錄系統(tǒng)，所述垂直磁記錄介質(zhì)用于硬盤驅(qū)動(dòng)器。
背景技術(shù)：
：近年來，常常將磁記錄介質(zhì)(例如硬盤)用作個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)等設(shè)備的記錄介質(zhì)。此外，對(duì)磁記錄介質(zhì)更高記錄密度的需求日益增長，需要使用垂直磁記錄介質(zhì)方面的新技術(shù)。與縱向記錄一樣，在垂直磁記錄介質(zhì)的研發(fā)中，重要的是降低噪聲并改善高密度下的可寫性。此外，對(duì)于高記錄密度，良好的重復(fù)可寫性(overwritability)(重復(fù)寫入)也很必要?？蓪懶允侵貙憯?shù)據(jù)準(zhǔn)確性的指標(biāo)。對(duì)于垂直記錄，來自記錄介質(zhì)中軟襯層(softunderlayer)的噪聲是一個(gè)主要噪聲來源。在專利文獻(xiàn)1(日本專利特開No.2004-79043)和專利文獻(xiàn)2(日本專利特開No.2004-272957)中公開了降低來自軟襯層的噪聲的技術(shù)。在這些技術(shù)中，將非磁性金屬層(例如釕)作為軟襯層夾在兩個(gè)鐵磁層之間，這兩個(gè)鐵磁層的磁化強(qiáng)度位于膜平面內(nèi)，并且在相反的方向上被磁化。軟襯層的這種結(jié)構(gòu)又稱作APS-SUL(軟襯層的反平行結(jié)構(gòu))。APS-SUL結(jié)構(gòu)能夠完全消除軟襯層的噪聲并提高記錄密度。在軟襯層上形成有隔離層、中間層以及記錄層，其中隔離層由例如鉭等材料制成，中間層由例如釕等材料制成。為了改善磁性層的各向異性并降低噪聲，必須增加中間層(例如釕)的厚度。但是，厚度大的中間層會(huì)降低可寫性。由于使用APS-SUL結(jié)構(gòu)能夠降低噪聲，所以與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以減小中間層的厚度，但是仍然不能在降低噪聲的同時(shí)獲得更高的可寫性。例如，即使對(duì)于具有APS-SUL結(jié)構(gòu)、記錄密度高達(dá)250G比特/英寸2的垂直磁記錄介質(zhì)，中間層厚度也必須達(dá)到20nm以上，因此當(dāng)采用高度各向異性的磁記錄層時(shí)，難以獲得足夠的可寫性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種垂直磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁記錄系統(tǒng)，所述垂直磁記錄介質(zhì)能夠在降低噪聲的同時(shí)獲得更高的可寫性。為了解決上述問題，本發(fā)明人經(jīng)過徹底的研究得到以下模式。根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)包括軟襯層；中間層，形成在所述軟襯層上；以及記錄層，形成在所述中間層上。所述軟襯層包括第一鐵磁層，具有非晶結(jié)構(gòu)；第二鐵磁層，具有非晶結(jié)構(gòu)，形成在所述第一鐵磁層上；以及第三鐵磁層，具有多晶結(jié)構(gòu)，形成在所述第二鐵磁層與所述中間層之間。所述第一鐵磁層和由所述第二鐵磁層、第三鐵磁層組成的結(jié)構(gòu)在反平行方向上被磁化。根據(jù)本發(fā)明的磁記錄系統(tǒng)包括上述垂直磁記錄介質(zhì)。磁記錄系統(tǒng)還包括磁頭，用于在所述垂直磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息。在根據(jù)本發(fā)明制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法中，形成軟襯層，然后在軟襯層上形成中間層。接著，在中間層上形成記錄層。形成軟襯層時(shí)，形成具有非晶結(jié)構(gòu)的第一鐵磁層，然后在第一鐵磁層上形成具有非晶結(jié)構(gòu)的第二鐵磁層。之后，在第二鐵磁層上形成具有多晶結(jié)構(gòu)的第三鐵磁層。第一鐵磁層和由第二鐵磁層、第三鐵磁層組成的結(jié)構(gòu)在反平行方向上被磁化。本發(fā)明能夠在降低噪聲的同時(shí)獲得更高的可寫性。圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直磁記錄介質(zhì)的構(gòu)造的剖視圖；圖2示出使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直磁記錄介質(zhì)的一種方式；圖3A示出樣本No.1的OSA圖案；圖3B示出樣本No.1的磁各向異性；圖4A示出樣本No.2的OSA圖案；圖4B示出樣本No.2的磁各向異性；圖5A示出樣本No.3的OSA圖案；圖5B示出樣本No.3的磁各向異性；圖6A示出樣本No.4的OSA圖案；圖6B示出樣本No.4的磁各向異性；圖7示出第二試驗(yàn)的結(jié)果；圖8示出第三試驗(yàn)的結(jié)果；圖9示出第四試驗(yàn)的結(jié)果；圖IO示出第五試驗(yàn)的結(jié)果；圖11示出磁記錄系統(tǒng)的構(gòu)造。具體實(shí)施例方式以下參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直磁記錄介質(zhì)的構(gòu)造的剖視圖。在本實(shí)施例中，如圖1所示，非晶鐵磁層2、間隔層3、非晶鐵磁層4以及多晶鐵磁層5堆疊在盤形襯底1上。非晶鐵磁層2、間隔層3、非晶鐵磁層4以及多晶鐵磁層5構(gòu)成軟襯層11?？墒褂美缢芰弦r底、晶化玻璃襯底、鋼化玻璃襯底、硅襯底、鋁合金襯底等作為襯底l。包括鐵、鈷和/或鎳的非晶鐵磁層形成為非晶鐵磁層2、4。此外，非晶鐵磁層2、4還可包括鉻、硼、銅、鈦、釩、鈮、鋯、鉑、鈀和/或鉭。與非晶鐵磁層2、4僅包括鐵、鈷和/或鎳相比，這些元素能夠穩(wěn)定非晶鐵磁層2、4的非晶狀態(tài)并提高磁化強(qiáng)度。此外，還可以包括鋁、硅、鉿和/或碳。特別地，當(dāng)考慮記錄磁場的濃度時(shí)，優(yōu)選用飽和磁通密度Bs為l.OT或更高的軟磁性材料來制造非晶鐵磁層2、4。此外，考慮到高傳輸率下的可寫性，非晶鐵磁層2、4的高頻導(dǎo)磁系數(shù)優(yōu)選為高。具體而言，可使用例如FeCoB層、FeSi層、FeAlSi層、FeTaC層、CoZrNb層、CoCrNb層、NiFeNb層等等。可通過例如電鍍方法、濺射方法、蒸發(fā)方法、CVD(化學(xué)氣相沉積)方法等等形成非晶鐵磁層2、4。當(dāng)使用DC濺射方法時(shí)，將腔體內(nèi)部保持在例如0.5帕至2帕的氬氣中。非晶鐵磁層2、4的厚度例如為5nm至25nm。例如包括釕、銅、鉻和/或其它金屬的非磁性金屬層形成為間隔層3。此外，間隔層3可包括例如銠和/或錸這樣的稀土金屬?？赏ㄟ^例如電鍍方法、濺射方法、蒸發(fā)方法、CVD(化學(xué)氣相沉積)方法等等形成間隔層3。當(dāng)使用DC濺射方法時(shí)，將腔體內(nèi)部保持在例如0.5帕至2帕的氬氣中。例如包括鐵、鈷和/或鎳的晶化鐵磁層形成為多晶鐵磁層5。多晶鐵磁層5可包括鉻、硼等元素。此外，鐵磁層具有例如紋路結(jié)構(gòu)(texturestructure)，可通過例如電鍍方法、濺射方法、蒸發(fā)方法、CVD(化學(xué)氣相沉積)方法等等形成。當(dāng)使用DC濺射方法時(shí)，將腔體內(nèi)部保持在例如0.5帕至2帕的氬氣中。此夕卜，優(yōu)選地，多晶鐵磁層5的厚度為lnm至20nm。更優(yōu)選地，多晶鐵磁層5的厚度為1nm至5nm。當(dāng)多晶鐵磁層5的厚度小于1nm時(shí)，難以在晶體取向等方面獲得改善(在下文中描述)。另一方面，如果多晶鐵磁層5的厚度太大，就會(huì)使可寫性惡化。雖然多晶鐵磁層可以具有其它結(jié)構(gòu)(例如hcp的bcc(體心立方結(jié)構(gòu)))，但是優(yōu)選地，多晶鐵磁層具有fcc(面心立方結(jié)構(gòu))結(jié)晶結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，間隔層3的厚度為例如0.3nm至3nm，在該厚度內(nèi)，在由非晶鐵磁層2形成的下層與由非晶鐵磁層4和多晶鐵磁層5形成的上層之間，以反平行方向形成磁耦合。換言之，下層和上層在相反的方向上被磁化，并且在下層與上層之間出現(xiàn)反鐵磁耦合(anti-ferromagneticcoupling)。此外，關(guān)系式"Ms2xt2=Ms4xt4+Ms5xt5"成立，其中，Ms2表示非晶鐵磁層2的飽和磁化強(qiáng)度，12表示非晶鐵磁層2的厚度，Ms4表示非晶鐵磁層4的飽和磁化強(qiáng)度，U表示非晶鐵磁層4的厚度，Mss表示多晶鐵磁層5的飽和磁化強(qiáng)度，ts表示多晶鐵磁層5的厚度。因此，軟襯層11的剩余磁化強(qiáng)度為零。此外，本實(shí)施例中，在軟襯層11上直接形成中間層6。中間層6的厚度例如為大約10nm至20nm。此外，將例如晶體結(jié)構(gòu)為六方密堆積結(jié)構(gòu)(hcp，hexagonalclosestpackedstructure)的釕層形成為中間層6。中間層6可以是主要由具有hcp晶體結(jié)構(gòu)的釕構(gòu)成的Ru-X合金層(X-Co,Cr,Fe,Ni禾口/或Mn)?？赏ㄟ^例如濺射方法、電鍍方法、蒸發(fā)方法、CVD(化學(xué)氣相沉積)方法等等形成中間層6。當(dāng)使用DC濺射方法時(shí)，將腔體內(nèi)部保持在例如0.5帕至8帕的氬氣中。此外，優(yōu)選地，中間層6的厚度例如為5nm至25nm。如果中間層6的厚度小于5nm，就不能充分降低噪聲。另一方面，如果中間層6的厚度大于25nm，就會(huì)使可寫性惡化。記錄層7形成在中間層6上。例如主要由鈷和鉑組成的鐵磁層形成為記錄層7。此外，記錄層7可包括Cr、B、Si02、Ti02、Cr02、CrO、Cu、Ti、Nb和/或其它物質(zhì)。具體而言是使用CoCrPt層，其中，Si02顆粒分散在晶界上。記錄層7可具有多個(gè)層?？赏ㄟ^例如電鍍方法、濺射方法、蒸發(fā)方法、CVD(化學(xué)氣相沉積)方法等等形成記錄層7。當(dāng)使用DC/RF濺射方法時(shí)，將腔體內(nèi)部保持在例如0.5帕至6帕的氬氣中。此時(shí)，使用的氣體包括2%至5%的氧氣。此外，優(yōu)選地，記錄層7的厚度為例如8nm至20nm。保護(hù)層8形成在記錄層7上。例如形成非晶碳層、碳?xì)浠飳印⑻嫉飳?、鋁氧化物層等等作為保護(hù)層8。可通過例如電鍍方法、濺射方法、蒸發(fā)方法、CVD(化學(xué)氣相沉積)方法等等形成保護(hù)層8。當(dāng)使用DC濺射方法時(shí)，將腔體內(nèi)部保持在例如0.5帕至2帕的氬氣中。保護(hù)層8的厚度例如為1nm至5nm。在如上構(gòu)造的垂直磁記錄介質(zhì)中，使用圖2所示的磁頭寫入(記錄)和讀取(再現(xiàn))數(shù)據(jù)。用于垂直磁記錄介質(zhì)的磁頭21包括用于寫入的主磁極22、輔助磁極23以及線圈24。磁頭21還包括用于讀取的磁阻元件25以及屏蔽26。輔助磁極23還充當(dāng)磁阻元件25的屏蔽。當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，電流被提供給線圈24，從而產(chǎn)生通過主磁極22和輔助磁極23的磁通27。這里，磁通27從主磁極22發(fā)出，通過記錄層7，再通過軟襯層ll，最后回到輔助磁極23。因此，根據(jù)磁通的方向，對(duì)于每個(gè)記錄位(recordingbit)，記錄層7的磁化強(qiáng)度方向改變?yōu)榕c其垂直的兩個(gè)方向(向上或向下)的其中一個(gè)。本實(shí)施例中，如上所述，上層不僅包括非晶鐵磁層4，還包括多晶鐵磁層5。多晶鐵磁層5以及中間層6使得能夠排列組成記錄層7的晶體的取向。因此，本實(shí)施例中，雖然中間層6的厚度小(5nm至25nm)，但是構(gòu)成記錄層7的晶體的取向更好。由于中間層6的厚度小，所以能夠獲得出色的可寫性。此外，由于中間層6的厚度小，所以還能夠減少構(gòu)成記錄層7的晶粒的大小。另一方面，如上所述，本實(shí)施例中的軟襯層11具有APS-SUL結(jié)構(gòu)。因此，即使中間層6的厚度不大，噪聲的影響也會(huì)很小。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，通過形成多晶鐵磁層5就能夠獲得出色的可寫性，而通過使用APS-SUL結(jié)構(gòu)就能夠降低噪聲。換言之，根據(jù)本實(shí)施例，不僅能獲得更高的可寫性，還能夠降低噪聲。除了盤形襯底l之外，也可以使用帶形膜作為基底。在此情況下，可以采用熱阻高的聚酯(PE)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、以及聚酰亞胺(PI)作為襯底材料。以下描述本發(fā)明人實(shí)際進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的內(nèi)容和結(jié)果。(第一實(shí)施例)第一實(shí)施例提供四種樣本。在這些樣本中，在玻璃襯底上形成厚為25nm、磁化強(qiáng)度為1.7T的FeCoB層作為非晶鐵磁層2，形成厚為0.4nm的釕層作為間隔層3，形成FeCoB層作為非晶鐵磁層4，形成NiFe層作為多晶鐵磁層5。此外，在多晶鐵磁層5上形成厚為5nm的碳層。如表1所示，各個(gè)樣本中非晶鐵磁層4和多晶鐵磁層5的厚度不同。這里，所有樣本中軟襯層11的剩余磁化強(qiáng)度基本上都為零。(表1)<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>接著，對(duì)各個(gè)樣本觀察OSA(光學(xué)掃描分析儀)圖案并檢査軟襯層11上的磁各向異性。圖3A和圖3B示出樣本1的結(jié)果，圖4A和圖4B示出樣本2的結(jié)果，圖5A和圖5B示出樣本3的結(jié)果，圖6A和圖6B示出樣本4的結(jié)果。圖3B、圖4B、圖5B以及圖6B中，實(shí)線表示徑向上磁化強(qiáng)度的傾斜角，虛線表示周向上磁化強(qiáng)度的傾斜角。在上述樣本中，如圖3A、圖4A、圖5A以及圖6A所示，抑制了磁疇的出現(xiàn)，磁疇尺寸極小，在20nm或20歸以下。如圖3B、圖4B、圖5B以及圖6B所示，磁各向異性或者易軸(easyaxis)沿著徑向排列。(第二實(shí)施例)第二實(shí)施例中檢査出了多晶鐵磁層5和中間層6的厚度與矯頑力之間的關(guān)系。其結(jié)果在圖7中示出。圖7中，橫軸表示中間層6的厚度，縱軸表示矯頑力。此外，參表示形成厚為3nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果，固表示形成厚5nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果。此外，A表示使用沒有多晶鐵磁層5的層疊產(chǎn)品時(shí)獲得的結(jié)果。層疊產(chǎn)品中，在非晶鐵磁層上形成厚3nm的Ta層，再在上面形成厚3nm的NiFe層。換言之，A表示的結(jié)果與現(xiàn)有技術(shù)相當(dāng)。如圖7所示，即使中間層6的厚度小于20nm，在上述條件下都能獲得4.00kOe以上的矯頑力。例如，當(dāng)多晶鐵磁層5厚5nm時(shí)，即使中間層6的厚度為大約12nm，也能獲得大約4.2kOe的矯頑力。而對(duì)于與現(xiàn)有技術(shù)相當(dāng)?shù)臉颖?A)，要獲得大約4.2kOe的矯頑力，中間層6的厚度必須達(dá)到大約32nm。(第三實(shí)施例)第三實(shí)施例中檢查了多晶鐵磁層5和中間層6的厚度與噪聲幅度之間的關(guān)系。其結(jié)果在圖8中示出。圖8中，橫軸表示中間層6的厚度，縱軸表示S/N比。此外，圏表示沒有多晶鐵磁層5時(shí)的結(jié)果(相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù))，〇表示形成厚3nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果。此外，A表示形成厚5nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果，參表示形成厚7nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果，A表示形成厚10nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果。對(duì)于不包括多晶鐵磁層5的樣本(躍)，中間層的厚度設(shè)置為32nm。如圖8所示，在形成有多晶鐵磁層5的情況下，即使中間層6的厚度小于20nm，也能獲得與沒有多晶鐵磁層5的情況相同的結(jié)果。(第四實(shí)施例)第四實(shí)施例中檢査了多晶鐵磁層5和中間層6的厚度與可寫性之間的關(guān)系。結(jié)果在圖9中示出。圖9中，橫軸表示中間層6的厚度，縱軸表示可寫性(用重寫值表示)?；谝?24kBPI寫入之后讀取的信號(hào)的頻率與以495kBPI頻率重寫入之后讀取的信號(hào)的頻率之間的比率來評(píng)估可寫性。如果這個(gè)值小于或等于-40dB，就獲得了出色的可寫性。如圖8所示，圓表示沒有多晶鐵磁層5時(shí)的結(jié)果(相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù))，O表示形成厚3nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果。此外，A表示形成厚5nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果，參表示形成厚7nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果，A表示形成厚10nm的NiFe層作為多晶鐵磁層5時(shí)獲得的結(jié)果。對(duì)于不包括多晶鐵磁層5的樣本(固)，中間層的厚度設(shè)置為32nm。如圖9所示，當(dāng)形成多晶鐵磁層5時(shí)，能獲得出色的可寫性。(第五實(shí)施例)第五實(shí)施例中，形成表面為(0002)平面的釕層作為中間層6，并基于X射線衍射獲得A05。的值。當(dāng)使用銅靶時(shí)，釕的(0002)平面在42.25。具有峰值(29)，并且Ae5。值在42.25。為半幅值寬度。X射線衍射的結(jié)果如圖IO所示。在圖10中實(shí)線表示中間層6厚32nm時(shí)獲得的結(jié)果，虛線表示中間層6厚16nm時(shí)獲得的結(jié)果，點(diǎn)劃線表示中間層6厚13nm時(shí)獲得的結(jié)果。此外，雙點(diǎn)劃線分別表示Ru、CCPC(CoCrPt-Si02)、CCPB(CoCrPtB)的峰值位置。實(shí)驗(yàn)的結(jié)果是，當(dāng)中間層6厚32nm時(shí)，A05。為3.67。。當(dāng)中間層6厚16nm時(shí)，厶05。為4.19°。當(dāng)中間層6厚13nm時(shí)，^950為4.05。。這表明由于多晶鐵磁層5的作用，即使將中間層6的厚度減少到大約13nm至16nm，也能獲得很好的結(jié)晶度。以下描述作為磁記錄系統(tǒng)(包括上述實(shí)施例的垂直磁記錄系統(tǒng))的實(shí)例的硬盤驅(qū)動(dòng)器。圖ll示出硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的內(nèi)部構(gòu)造。硬盤驅(qū)動(dòng)器100的外殼101中放置有磁碟103、滑動(dòng)器104、懸架108、承載臂106以及臂致動(dòng)器107，其中，磁碟103安裝在轉(zhuǎn)軸102上并繞轉(zhuǎn)軸102旋轉(zhuǎn)，滑動(dòng)器104具有用于在磁碟103上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭，懸架108用于夾持滑動(dòng)器104，承載臂106將懸架108固定在上面并相對(duì)于臂軸105沿著磁碟103的表面移動(dòng)，臂致動(dòng)器107用于驅(qū)動(dòng)承載臂106。使用根據(jù)上述實(shí)施例的垂直磁記錄介質(zhì)作為磁碟103。根據(jù)本發(fā)明，將具有多晶結(jié)構(gòu)的第三鐵磁層設(shè)置在具有非晶結(jié)構(gòu)的第二鐵磁層與中間層之間。這樣就可以減少噪聲而不用增加中間層的厚度。因此能夠在降低噪聲的同時(shí)獲得更高的可寫性。權(quán)利要求1、一種垂直磁記錄介質(zhì)，包括軟襯層；中間層，形成在所述軟襯層上；以及記錄層，形成在所述中間層上，所述軟襯層包括第一鐵磁層，具有非晶結(jié)構(gòu)；第二鐵磁層，具有非晶結(jié)構(gòu)，形成在所述第一鐵磁層上；以及第三鐵磁層，具有多晶結(jié)構(gòu)，形成在所述第二鐵磁層與所述中間層之間，所述第一鐵磁層和由所述第二鐵磁層、第三鐵磁層組成的結(jié)構(gòu)在反平行方向上被磁化。2、如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，還包括非磁性金屬層，形成在所述第一鐵磁層與所述第二鐵磁層之間。3、如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述中間層由晶體結(jié)構(gòu)為六方密堆積結(jié)構(gòu)的非磁性金屬制成。4、如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述中間層由釕或釕合金制成。5、如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層包含從鐵、鈷和鎳組成的群組中選出的至少一種元素。6、如權(quán)利要求5所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層還包含從鉻、硼、銅、鈦、釩、鈮、鋯、鉑、鈀和鉭組成的群組中選出的至少一種元素。7、如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述第三鐵磁層包含從鐵、鈷和鎳組成的群組中選出的至少一種元素。8、如權(quán)利要求7所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述第三鐵磁層還包含從鉻和硼組成的群組中選出的至少一種元素。9、如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，關(guān)系式MSlx^=Ms2xt2+Ms3Xt3成立，其中MSl表示所述第一鐵磁層的磁化強(qiáng)度；t,表示所述第一鐵磁層的厚度；MS2表示所述第二鐵磁層的磁化強(qiáng)度；t2表示所述第二鐵磁層的厚度；MS3表示所述第三鐵磁層的磁化強(qiáng)度；以及t3表示所述第三鐵磁層的厚度。10、如權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述第三鐵磁層的厚度為20nm或20nm以下。11、一種制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，包括步驟形成軟襯層；在所述軟襯層上形成中間層；在所述中間層上形成記錄層，所述形成軟襯層的步驟包括步驟形成具有非晶結(jié)構(gòu)的第一鐵磁層；在所述第一鐵磁層上形成具有非晶結(jié)構(gòu)的第二鐵磁層；以及在所述第二鐵磁層上形成具有多晶結(jié)構(gòu)的第三鐵磁層，其中，所述第一鐵磁層和由所述第二鐵磁層、第三鐵磁層組成的結(jié)構(gòu)在反平行方向上被磁化。12、如權(quán)利要求11所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，在所述形成第一鐵磁層的步驟與形成第二鐵磁層的步驟之間還包括在所述第一鐵磁層上形成非磁性金屬層的步驟。13、如權(quán)利要求11所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中，形成晶體結(jié)構(gòu)為六方密堆積結(jié)構(gòu)的非磁性金屬層作為所述中間層。14、如權(quán)利要求11所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中，形成釕層或釕合金層作為所述中間層。15、如權(quán)利要求11所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中，形成包含從鐵、鈷和鎳組成的群組中選出的至少一種元素的層作為所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層。16、如權(quán)利要求11所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中，形成包含從鐵、鈷和鎳組成的群組中選出的至少一種元素的層作為所述第三鐵磁層。17、如權(quán)利要求11所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中，設(shè)定關(guān)系式Ms!xt=Ms2xt2+Ms3Xt3成立，其中MSl表示所述第一鐵磁層的磁化強(qiáng)度；^表示所述第一鐵磁層的厚度；Ms2表示所述第二鐵磁層的磁化強(qiáng)度；t2表示所述第二鐵磁層的厚度；MS3表示所述第三鐵磁層的磁化強(qiáng)度；以及t3表示所述第三鐵磁層的厚度。18、如權(quán)利要求11所述的制造垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其中，將所述第三鐵磁層的厚度設(shè)定為20nm或20nm以下。19、一種磁記錄系統(tǒng)，包括垂直磁記錄介質(zhì)，包括軟襯層；中間層，形成在所述軟襯層上；以及記錄層，形成在所述中間層上，所述軟襯層包括第一鐵磁層，具有非晶結(jié)構(gòu)；第二鐵磁層，具有非晶結(jié)構(gòu)，形成在所述第一鐵磁層上；以及第三鐵磁層，具有多晶結(jié)構(gòu)，形成在所述第二鐵磁層與所述中間層之間，所述第一鐵磁層和由所述第二鐵磁層、第三鐵磁層組成的結(jié)構(gòu)在反平行方向上被磁化；以及磁頭，用于在所述垂直磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息。全文摘要本發(fā)明提供一種垂直磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁記錄系統(tǒng)。其中在垂直介質(zhì)中，將形成為多晶鐵磁層的、包含鐵、鈷和/或鎳的晶化鐵磁層用作反平行軟襯層(APS-SUL)結(jié)構(gòu)的一部分，以減少中間層的厚度。軟襯層結(jié)構(gòu)由非磁性間隔層組成，該非磁性間隔層的厚度被調(diào)整為在兩個(gè)鐵磁層之間形成有效的反平行耦合。在由非晶鐵磁層形成的下層與由非晶鐵磁層和多晶鐵磁層形成的上層之間的反平行方向上形成磁耦合。剩磁中軟襯層的有效磁化強(qiáng)度為零。多晶鐵磁層的厚度優(yōu)選為1nm至20nm。中間層(例如釕層)直接形成在磁性多晶軟襯層上，厚約10nm至20nm。記錄磁層和保護(hù)層形成在中間層上。本發(fā)明能夠在降低噪聲的同時(shí)獲得更高的可寫性。文檔編號(hào)G11B5/66GK101169939SQ20071015318公開日2008年4月30日申請(qǐng)日期2007年9月28日優(yōu)先權(quán)日2006年10月25日發(fā)明者安東尼·阿揚(yáng)申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社