專利名稱：磁記錄介質(zhì)、記錄重放裝置及壓印模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用具有記錄區(qū)域和非記錄區(qū)域的圖形形成分段(burst)圖形的磁記錄介質(zhì)，具備該磁記錄介質(zhì)的記錄重放裝置，以及制造該磁記錄介質(zhì)用的壓印模。
背景技術(shù)：
作為這種磁記錄介質(zhì)及記錄重放裝置，特開平6-111502號公報(bào)中揭示具有用凹凸圖形形成記錄磁道圖形和伺服圖形的磁盤的磁盤裝置。這時，在安裝在該磁盤裝置的磁盤中，利用形成在磁盤基板上的磁性層的凹凸圖形來形成記錄磁道圖形和伺服圖形。具體如圖22所示，以往的磁盤(下面，稱作“磁盤10x1”)利用上述的凹凸圖形，沿其旋轉(zhuǎn)方向(圖中所示的箭頭R的方向)形成帶狀的多條磁道圖形Pw，Pw，…，以及在伺服圖形區(qū)域形成的伺服圖形Ps1，Ps2，…。另外，該圖與后面參照的圖23所示的磁盤10x1、10x2中，用斜線標(biāo)出的區(qū)域表示凹凸圖形中的凸部(記錄區(qū)域)形成區(qū)域，白色區(qū)域表示凹凸圖形中的凹部(非記錄區(qū)域)形成區(qū)域。
這時，伺服圖形Ps1，Ps2，…，是使磁頭循跡在所希望的磁道圖形Pw上用的位置檢測用伺服圖形，形成伺服圖形Ps1，Ps2，使得成為一對，作為分段圖形起作用。另外，磁盤10x1中，形成伺服圖形Ps1，Ps2各自的寬度Ts，使得與磁道圖形Pw的形成間距(磁道間距Tp)相等，而且形成兩個伺服圖形Ps1，Ps2的半徑方向側(cè)的兩端，使得分別與磁道圖形Pw的中心(圖中虛線示出的部位磁道中心)一致。這時，形成兩個伺服圖形Ps1，Ps2，使得其形成位置在磁盤10x1的半徑方向上只相差磁道間距Tp，而在旋轉(zhuǎn)方向上互相分離。
另一方面，如該公報(bào)中圖23所示，也揭示了形成伺服圖形Ps1～Ps4的4種圖形的磁盤(下面，也稱作“磁盤10x2”)。這時，磁盤10x2中，形成伺服圖形Ps1，Ps2，使得成為一對，作為一組分段圖形起作用，同時，形成伺服圖形Ps3，Ps4，使得成為一對，作為另一組分段圖形起作用。另外，磁盤10x2中，形成伺服圖形Ps1～Ps4…各自的寬度Ts，使得等于磁道間距Tp的2倍長度。而且，磁盤10x2中，使得伺服圖形Ps1，Ps2的半徑方向側(cè)的兩端分別與磁道圖形Pw的中心(圖中虛線示出的部位磁道中心)一致，同時，使得伺服圖形Ps3，Ps4的半徑方向側(cè)的兩端分別與磁道圖形Pw的中心一致。這時，形成伺服圖形Ps1，Ps2，使得其形成位置在磁盤10x2的半徑方向上只相差磁道間距Tp的2倍，而在旋轉(zhuǎn)方向上互相分離。又，形成伺服圖形Ps3，Ps4，使得其形成位置在半徑方向上只相差磁道間距Tp的2倍，而在旋轉(zhuǎn)方向上互相分離。此外，形成伺服圖形Ps1～Ps4，使得伺服圖形Ps1，Ps2構(gòu)成的分段圖形的半徑方向的中心與伺服圖形Ps3，Ps4構(gòu)成的分段圖形的半徑方向的中心只相差磁道間距Tp。
特開平6-111502號公報(bào)(第4-9頁，第1-12圖)可是，在以往的磁盤10x1、10x2中，存在以下問題。即，如今的磁盤中，為了能高密度記錄，有必要提高數(shù)據(jù)記錄磁道的磁道密度，隨之必須更高精度的循跡伺服控制。具體地說，當(dāng)分段圖形通過磁頭的下方時，有必要回避(抑制)根據(jù)對應(yīng)于其分段圖形從磁頭輸出的輸出信號利用PES(位置誤差信號)的磁頭的位置檢測發(fā)生困難的帶域(具有半徑方向的寬度的帶域以下也稱“不靈敏帶”)的事態(tài)，對利用PES能檢測磁頭的位置的寬度(半徑方向的長度以下也稱“可檢測帶域”)的要求，隨著高密度記錄化的進(jìn)展而漸漸變得嚴(yán)格起來。這時，例如因噪聲等的影響引起磁頭輸出的輸出信號發(fā)生變化的情況中，往往上述的可檢測帶域更為狹窄。這種時候，在包含以往的磁盤10x1、10x2的磁記錄介質(zhì)中，存在可檢測帶域更窄，發(fā)生不靈敏帶的擔(dān)心。因此，這種磁記錄介質(zhì)中，存在隨著高密度化的進(jìn)展，正確的循跡伺服控制變得困難的擔(dān)心。
另外，以往的磁盤10x1中，由于只存在由伺服圖形Ps1、Ps2構(gòu)成的1組分段圖形，故有必要根據(jù)該1組的分段圖形通過磁頭的下方時的PES確定沿磁頭的半徑方向的位置。但是，如圖22所示的以往的磁盤10x1中，由于伺服圖形Ps1、Ps2的寬度Ts等于磁道間距Tp，因此在磁頭中的重放用元件Rx的寬度Wr1x比磁道間距Tp來得窄時，例如在伺服圖形Ps1的內(nèi)周側(cè)通過重放用元件Rx的下方時(重放用元件Rx通過磁盤10x1上的位置P11之上時)與伺服圖形Ps1的外周側(cè)通過重放用元件Rx的下方時(重放用元件Rx通過磁盤10x1上的位置P12之上時)，磁頭輸出的信號電平為同電平。因此，產(chǎn)生有關(guān)位置檢測的不靈敏帶，從而根據(jù)PES確定重放用元件Rx位于位置P11、P12中的哪一個上就變得困難。
又，在重放用元件Rx的寬度Wr2x比磁道間距Tp(寬度Ts)來得寬時，例如在伺服圖形Ps1通過重放用元件Rx的內(nèi)周側(cè)的下方時(重放用元件Rx通過磁盤10x1上的位置P13之上時)與伺服圖形Ps1通過重放用元件Rx的外周側(cè)的下方時(重放用元件Rx通過磁盤10x1上的位置P14之上時)，磁頭輸出的信號電平為同電平。結(jié)果，這時也產(chǎn)生不靈敏帶，從而根據(jù)PES確定重放用元件Rx位于位置P13、P14中的哪一個上就變得困難。因此，有必要規(guī)定磁道間距Tp和寬度Ts，使磁道間距Tp(即伺服圖形Ps1，Ps2的寬度Ts)與沿磁頭的重放用元件Rx的半徑方向的長度(以下稱“重放頭寬度”)一致，因此在以往的磁盤10x1中存在對數(shù)據(jù)磁道圖形和伺服圖形的設(shè)計(jì)自由度(對圖形尺寸的選擇自由度)低的問題。
另一方面，以往的磁盤10x2中，具有由伺服圖形Ps1～Ps4構(gòu)成的2組分段圖形，而且，各伺服圖形Ps1～Ps4的寬度Ts也比磁道間距Tp充分地寬。因此在以往的磁盤10x2中重放頭寬度(重放用元件Rx的寬度)比磁道間距Tp寬時，有可能根據(jù)伺服圖形Ps1、Ps2構(gòu)成的分段圖形與伺服圖形Ps3、Ps4構(gòu)成的分段圖形中的一個圖形通過重放用元件Rx的下方時的PES，確定沿磁頭(重放元件Rx)的半徑方向的位置。這一點(diǎn)上，以往的磁盤10x2對圖形尺寸的選擇自由度比磁盤10x1來得高。
但是，以往的磁盤10x2中，如圖23所示，重放用元件Rx的寬度Wr3x比磁道間距Tp(即伺服圖形Ps1、Ps2的寬度Ts的1/2長度)來得窄情況下，在靠伺服圖形Ps1的中央部右部通過重放用元件Rx的下方之后伺服圖形Ps3的內(nèi)周側(cè)通過重放用元件Rx的下方時(重放用元件Rx依次通過磁盤10x2上的位置P15、P17之上時)與伺服圖形Ps1的外周側(cè)通過重放用元件Rx的下方之后靠伺服圖形Ps3的中央部左部通過重放用元件Rx的下方時(重放用元件Rx依次通過磁盤10x2上的位置P16、P18之上時)，磁頭輸出信號的信號電平為等電平。結(jié)果，在重放頭寬度比磁道間距Tp窄時，由于產(chǎn)生不靈敏帶，故根據(jù)PES確定重放頭元件Rx位于位置P15、P17與位置P16、P18中哪個位置上，依然困難。因而，以往的磁盤10x2中有必要使磁道間距Tp比重放頭寬度來得窄。因此，以往的磁盤10x2中，用重放頭寬度比磁道間距Tp更寬的重放用元件Rx，存在從鄰接的其他磁道讀取磁信號的旁現(xiàn)象的擔(dān)心。這樣一來，以往的磁盤10x2中，存在難以一邊提高圖形尺寸的選擇自由度一邊避免旁讀現(xiàn)象發(fā)生那樣的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述的問題而作，其目的在于提供一邊提高伺服圖形等的設(shè)計(jì)自由度一邊避免旁讀現(xiàn)象的發(fā)生，同時能充分?jǐn)U大可檢測帶域的磁記錄介質(zhì)和記錄重放裝置，以及能容易制造該磁記錄介質(zhì)的壓印模。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，在基材的至少一面中的伺服圖形區(qū)域，用具有記錄區(qū)域與非記錄區(qū)域的圖形形成伺服圖形，同時在該面的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，以規(guī)定的磁道間距形成多個數(shù)據(jù)記錄磁道，形成數(shù)據(jù)磁道圖形，在所述伺服圖形區(qū)域的分段圖形區(qū)域，沿所述基材的旋轉(zhuǎn)方向形成M組(M為大于等于2的自然數(shù))的分段圖形，所述各分段圖形，具有距所述數(shù)據(jù)磁道圖形的中心的距離不相同而沿所述基材的半徑方向的長度相等的2類分段信號單位部，而且，沿該半徑方向的長度為(2·M/N)·磁道間距(N為大于等于2的自然數(shù))，在其半徑方向側(cè)的兩端與該各分段圖形的該半徑方向上的中心不一致的規(guī)定范圍內(nèi)，在該半徑方向上以(1/N)·磁道間距的間隔，形成該各分段圖形的該半徑方向上的中心，使得存在(2·M)個，所述2類分段信號單位部，該一方分段信號單位部與該另一方分段信號單位部在所述旋轉(zhuǎn)方向上不重疊，而且在所述非記錄區(qū)域中分別構(gòu)成同類的該分段信號單位部的所述半徑方向上的中心，使得在該半徑方向上只離開(2·M/N)·磁道間距，同時，所述一方的分段信號單位部的所述半徑方向上的中心與所述另一方的分段信號單位部的所述半徑方向上的中心，在該半徑方向上只離開(M/N)·磁道間距，而且，在從所述基材的內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的各區(qū)域中至少一部分中，形成所述一方分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的所述另一方的分段信號單位部側(cè)的端部與該另一方的分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的該一方的分段信號單位部側(cè)的端部，使得在該半徑方向上通過所述記錄區(qū)域隔開。
另外，本說明書中的所謂記錄區(qū)域，意指構(gòu)成使可能讀出并保持所記錄的磁信號的區(qū)域(即構(gòu)成使具有可能讀出并保持磁信號的能力的區(qū)域)。另外，本說明書中的所謂非記錄區(qū)域，意指構(gòu)成使可能讀出并保持記錄的磁信號的上述能力低于記錄區(qū)域的區(qū)域，或者，實(shí)質(zhì)上構(gòu)成沒有該能力區(qū)域。具體地說，本說明書中的所謂非記錄區(qū)域，意指在記錄磁信號狀態(tài)中從該區(qū)域發(fā)生的磁場比記錄區(qū)域來得小的區(qū)域，或者，從該區(qū)域發(fā)生的磁場實(shí)質(zhì)上不存在的區(qū)域。又，本說明書中，例如，將“以M乘2的值”表示為“2·M”，同時將“以N除1的值”表示為“1/N”。
又，本發(fā)明的記錄介質(zhì)，在基材的至少一面中的伺服圖形區(qū)域，用具有記錄區(qū)域與非記錄區(qū)域的圖形形成伺服圖形，同時在該面的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，以規(guī)定的磁道間距形成多個數(shù)據(jù)記錄磁道，形成數(shù)據(jù)磁道圖形，在所述伺服圖形區(qū)域的分段圖形區(qū)域，沿所述基材的旋轉(zhuǎn)方向形成M組(M為大于等于2的自然數(shù))的分段圖形，所述各分段圖形，具有距所述數(shù)據(jù)磁道圖形的中心的距離不相同而沿所述基材的半徑方向的長度相等的2類分段信號單位部，而且，沿該半徑方向的長度為(2·M/N)·磁道間距(N為大于等于2的自然數(shù))，在其半徑方向側(cè)的兩端與該各分段圖形的該半徑方向上的中心不一致的規(guī)定范圍內(nèi)，在該半徑方向上以(1/N)·磁道間距的間隔，形成該各分段圖形的該半徑方向上的中心，使得存在(2·M)個，所述2類分段信號單位部，該一方分段信號單位部與該另一方分段信號單位部在所述旋轉(zhuǎn)方向上不重疊，而且在所述記錄區(qū)域中分別構(gòu)成同類的該分段信號單位部的所述半徑方向上的中心，使得在該半徑方向上只離開(2·M/N)·磁道間距，同時，所述一方的分段信號單位部的所述半徑方向上的中心與所述另一方的分段信號單位部的所述半徑方向上的中心，在該半徑方向上只離開(M/N)·磁道間距，而且，在從所述基材的內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的各區(qū)域中至少一部分中，形成包含所述一方分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的所述另一方的分段信號單位部側(cè)的端部的端部區(qū)域與包含該另一方的分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的該一方的分段信號單位部側(cè)的端部的端部區(qū)域，使得在所述半徑方向上重合。
又，本發(fā)明的記錄重放裝置，包括在所述非記錄區(qū)域分別構(gòu)成所述各分段信號單位部的所述磁記錄介質(zhì)，從該磁記錄介質(zhì)中的所述分段圖形區(qū)域讀取循跡伺服控制用的控制信號的磁頭，以及根據(jù)經(jīng)該磁頭讀取的所述控制信號實(shí)行所述循跡伺服控制的控制部，所述磁記錄介質(zhì)，形成所述各分段圖形，使得在設(shè)所述磁頭的重放頭寬度為Wr，設(shè)沿所述各分段信號單位部的所述半徑方向的長度為BW，設(shè)所述磁道間距為Tp時，滿足條件“(M+1)·Tp/N-BW≤Wr≤(M-1)·Tp/N+BW”。另外，本說明書中的“磁頭中的重放頭寬度”，規(guī)定為磁頭中的重放用元件(MR元件等)的與磁記錄介質(zhì)的對向面中的寬度方向(與磁記錄介質(zhì)中的半徑方向?qū)?yīng)的方向)的長度。
又，本發(fā)明的記錄重放裝置，包括在所述記錄區(qū)域分別構(gòu)成所述各分段信號單位部的所述磁記錄介質(zhì)，從該磁記錄介質(zhì)中的所述分段圖形區(qū)域讀取循跡伺服控制用的控制信號的磁頭，以及根據(jù)經(jīng)該磁頭讀取的所述控制信號實(shí)行所述循跡伺服控制的控制部，所述磁記錄介質(zhì)，形成所述各分段圖形，使得在設(shè)所述磁頭的重放頭寬度為Wr，設(shè)沿所述各分段信號單位部的所述半徑方向的長度為BW，設(shè)所述磁道間距為Tp時，滿足條件“(1-M)·Tp/N+BW≤Wr≤(3·M-1)·Tp/N-BW”。
本發(fā)明的壓印模，形成具有對應(yīng)于在所述非記錄區(qū)域分別構(gòu)成所述各分段信號單位部的磁記錄介質(zhì)中的圖形的記錄區(qū)域和非記錄區(qū)域中的一方區(qū)域形成的凸部以及對應(yīng)于所述磁記錄介質(zhì)中的所述圖形中的另一方區(qū)域形成的凹部的凹凸圖形。
本發(fā)明的壓印模，形成具有對應(yīng)于在所述記錄區(qū)域分別構(gòu)成所述各分段信號單位部的磁記錄介質(zhì)中的圖形的記錄區(qū)域和非記錄區(qū)域中的一方區(qū)域形成的凸部以及對應(yīng)于磁記錄介質(zhì)中的圖形中的另一方區(qū)域形成的凹部的凹凸圖形。根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，通過沿基材的旋轉(zhuǎn)方向組成M組具有在非記錄區(qū)域構(gòu)成的2類分段信號單位部的分段圖形，同時形成各分段信號單位部，使在從所述基材的內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的各區(qū)域中至少一部分中，一方分段信號單位部中的半徑方向側(cè)的兩端部中的另一方的分段信號單位部側(cè)的端部，與另一方的分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的一方的分段信號單位部側(cè)的端部，在該半徑方向上通過所述記錄區(qū)域隔開，從而能充分?jǐn)U展對基于PES的磁頭的位置檢測的可檢測帶域，結(jié)果，即使對應(yīng)于分段圖形從磁頭輸出的輸出信號中因噪聲等原因發(fā)生變動，也能可靠地檢測磁頭的位置偏移，使可能實(shí)行正確的循跡伺服控制。另外，與只有1組的分段圖形的以往的磁盤10x1不同，沒有必要使磁頭中的重放用元件的寬度與磁道間距一致，因此能提高對數(shù)據(jù)磁道圖形和伺服圖形的設(shè)計(jì)自由度。另外，與以往的磁盤10x2不同，沒有必要使重放用元件的寬度比磁道間距來得寬，因此能充分抑制旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。
根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，通過沿基材的旋轉(zhuǎn)方向組成M組具有在記錄區(qū)域構(gòu)成的2類分段信號單位部的分段圖形，同時形成各分段信號單位部，使得在從所述基材的內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的各區(qū)域中至少一部分中，包含一方分段信號單位部中的半徑方向側(cè)的兩端部中的另一方的分段信號單位部側(cè)的端部的端部區(qū)域與包含另一方的分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的一方的分段信號單位部側(cè)的端部的端部區(qū)域，在半徑方向上重合，從而能充分?jǐn)U展對基于PES的磁頭的位置檢測的可檢測帶域，結(jié)果，即使對應(yīng)于分段圖形從磁頭輸出的輸出信號中因噪聲等原因發(fā)生變動，也能可靠地檢測磁頭的位置偏移，使可能實(shí)行正確的循跡伺服控制。另外，與只有1組的分段圖形的以往的磁盤10x1不同，沒有必要使磁頭中的重放用元件的寬度與磁道間距一致，因此能提高對數(shù)據(jù)磁道圖形和伺服圖形的設(shè)計(jì)自由度。另外，與以往的磁盤10x2不同，沒有必要使重放用元件的寬度比磁道間距來得寬，因此能充分抑制旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。
又，根據(jù)本發(fā)明的記錄重放裝置，通過形成磁記錄介質(zhì)的各分段圖形，使得滿足“(M+1)·Tp/N-BW≤Wr≤(M-1)·Tp/N+BW”的條件，使用具有適合上述條件的寬度(Wr)的重放用元件的磁頭，能使不產(chǎn)生對分段圖形的不靈敏帶，能充分?jǐn)U展對基于PES的磁頭的位置檢測的可檢測帶域，使可能實(shí)行正確的循跡伺服控制。這時，與以往的磁盤10x1不同，不由重放用元件的寬度唯一地規(guī)定磁道間距或沿分段信號單位部的半徑方向的長度，因此能提高對數(shù)據(jù)磁道圖形和伺服圖形的設(shè)計(jì)自由度。這樣一來，能根據(jù)提高磁道密度或避免旁讀現(xiàn)象等的目的，適當(dāng)變更磁道間距或沿分段信號單位部的半徑方向的長度。另外，與以往的磁盤10x2不同，不必使重放元件的寬度比磁道間距來得寬，因此能充分抑制旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。這樣一來，能提供搭載可高密度記錄而且難以產(chǎn)生重放誤差的磁記錄介質(zhì)的記錄重放裝置。
又，根據(jù)本發(fā)明的記錄重放裝置，通過形成磁記錄介質(zhì)的各分段圖形，使得滿足“(1-M)·Tp/N+BW≤Wr≤(3·M-1)·Tp/N-BW”的條件，使用具有適合上述條件的寬度(Wr)的重放用元件的磁頭，能使不產(chǎn)生對分段圖形的不靈敏帶，充分?jǐn)U展對基于PES的磁頭的位置檢測的可檢測帶域，使可能實(shí)行正確的循跡伺服控制。這時，與以往的磁盤10x1不同，不由重放用元件的寬度唯一地規(guī)定磁道間距或沿分段信號單位部的半徑方向的長度，因此能提高對數(shù)據(jù)磁道圖形和伺服圖形的設(shè)計(jì)自由度。這樣一來，能根據(jù)提高磁道密度或避免旁讀現(xiàn)象等的目的，適當(dāng)變更磁道間距或沿分段信號單位部的半徑方向的長度。另外，與以往的磁盤10x2不同，不必使重放元件的寬度比磁道間距來得寬，因此能充分抑制旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。這樣一來，能提供搭載可高密度記錄而且難以產(chǎn)生重放誤差的磁記錄介質(zhì)的記錄重放裝置。
又，根據(jù)本發(fā)明的壓印模，通過具有對應(yīng)于在非記錄區(qū)域分別構(gòu)成各分段信號單位部的磁記錄介質(zhì)中的圖形的記錄區(qū)域和非記錄區(qū)域中的一方區(qū)域形成的凸部以及對應(yīng)于磁記錄介質(zhì)中的所述圖形中的另一方區(qū)域形成的凹部的凹凸圖形，從而能充分?jǐn)U展對基于PES的磁頭位置檢測的可檢測帶域，利用壓印法(imprint)等容易地制造具有分段圖形的磁記錄介質(zhì)。
又，根據(jù)本發(fā)明的壓印模，通過具有對應(yīng)于在記錄區(qū)域分別構(gòu)成各分段信號單位部的磁記錄介質(zhì)中的圖形的記錄區(qū)域和非記錄區(qū)域中的一方區(qū)域形成的凸部以及對應(yīng)于磁記錄介質(zhì)中的圖形中的另一方區(qū)域形成的凹部的凹凸圖形，從而能充分?jǐn)U展對基于PES的磁頭位置檢測的可檢測帶域，利用壓印法等容易地制造具有分段圖形的磁記錄介質(zhì)。
圖1為硬盤驅(qū)動器1的構(gòu)成圖。
圖2示出磁盤10A(10B)的層構(gòu)造的剖視圖。
圖3為磁盤10A(10B)的平面圖。
圖4示出形成在伺服圖形區(qū)域Asa的各種圖形的一例的磁盤10A的平面圖。
圖5示出形成在分段圖形區(qū)域Aba的第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a的分段圖形BP1a、BP2a、…的一例的磁盤10A的平面圖。
圖6示出中間體20層構(gòu)造的剖視圖。
圖7為壓印模30的剖視圖。
圖8為將壓印模30的凹凸圖形39壓到中間體20的樹脂層18的狀態(tài)的剖視圖。
圖9為從圖8所示狀態(tài)的樹脂層18剝離壓印模30，在掩膜層17之上形成凹凸圖形41(樹脂掩膜)的狀態(tài)剖視圖。
圖10為以凹凸圖形41作為掩膜，對掩膜層17進(jìn)行蝕刻處理，在磁性層14之上形成凹凸圖形42(掩膜)的狀態(tài)剖視圖。
圖11為以凹凸圖形42作為掩膜，對磁性層14進(jìn)行蝕刻處理，在中間層13之上形成凹凸圖形40的狀態(tài)剖視圖。
圖12為使覆蓋凹凸圖形40，形成非磁性材料層15的狀態(tài)的中間體20的剖視圖。
圖13為對非磁性材料15的表面進(jìn)行處理，使平坦化狀態(tài)的剖視圖。
圖14示出磁盤10A上的重放用元件Ra的位置(移動量)與磁頭3的輸出信號的輸出電平和PES的關(guān)系的說明圖。
圖15示出磁盤10A的伺服圖形40sa與重放用元件Ra的寬度Wr1a、Wr2a的關(guān)系的說明圖。
圖16示出形成在伺服圖形區(qū)域Asb的各種圖形的一例的磁盤10B的平面圖。
圖17示出形成在分段圖形區(qū)域Abb的第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b的分段圖形BP1b、BP2b、…的一例的磁盤10B的平面圖。
圖18示出磁盤10B上的重放用元件Rb的位置(移動量)與磁頭3的輸出信號的輸出電平和PES的關(guān)系的說明圖。
圖19示出磁盤10B的伺服圖形40sb與重放用元件Rb的寬度Wr1b、Wr2b的關(guān)系的說明圖。
圖20示出磁盤10C的層構(gòu)造的剖視圖。
圖21示出磁盤10D的層構(gòu)造的剖視圖。
圖22示出分段圖形的一例的以往的磁盤10x1的平面圖。
圖23示出分段圖形的一例的以往的另一磁盤10x2的平面圖。
標(biāo)號說明1 硬盤驅(qū)動器 3磁頭 6控制部10A～10D磁盤14磁性層 30壓印模39、40凸圖形39a、40a 凸部 39b、40b凹部40sa、40sb伺服圖形40t 數(shù)據(jù)磁道圖形 Ab分段圖形區(qū)域Ab1a、Ab1b 第1分段區(qū)域 Ab2a、Ab2b 第2分段區(qū)域Ab3a、Ab3b 第3分段區(qū)域 Ab4a、Ab4b 第4分段區(qū)域Asa、Asb伺服圖形區(qū)域 At數(shù)據(jù)記錄區(qū)域BP1a、BP1b、BP2a、BP2b 分段圖形L10～L17、L20～L28長度C1a、C1b、C2a、C2b中心 O中心Ra、Rb重放用元件Tp磁道間距Wr1a、Wr1b、Wr2a、Wr2b寬度具體實(shí)施方式
以下，參照
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)和記錄重放裝置的最佳形態(tài)。
圖1所示的硬盤驅(qū)動器1，是本發(fā)明的記錄重放裝置的一例，具備電動機(jī)2、磁頭3、檢測部4、驅(qū)動器5、控制部6、存儲部7及磁盤10A，構(gòu)成可能各種數(shù)據(jù)的記錄重放。電動機(jī)2根據(jù)控制部的控制，使磁盤10A以例如4200rpm的轉(zhuǎn)速定速旋轉(zhuǎn)。磁頭3經(jīng)擺臂3a裝到執(zhí)行機(jī)構(gòu)3b上，在對磁盤10A的記錄數(shù)據(jù)的記錄重放時，由執(zhí)行機(jī)構(gòu)3b將其移動到磁盤10A上。磁頭3執(zhí)行從磁盤10A的伺服圖形區(qū)域Asa(參照圖4)的伺服數(shù)據(jù)的讀出，對數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At(參照圖4)的記錄數(shù)據(jù)的磁寫入，以及磁寫入到數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At中的記錄數(shù)據(jù)的讀出。另外，磁頭3實(shí)際上構(gòu)成為相對于磁盤10A將重放用元件Ra(參照圖5)和記錄用元件(未圖示)形成在使磁頭3浮置用的滑動器的底面(空氣軸承面)上，這里省略對滑動器和記錄用元件的說明及圖示。這時，規(guī)定與上述的重放用元件Ra的磁盤10A的對向面中的寬度方向(磁盤10A的半徑方向?qū)?yīng)的方向)的寬度Wr，使?jié)M足后述的規(guī)定條件。另外，執(zhí)行機(jī)構(gòu)3b在控制部6的控制下由驅(qū)動器5供給的驅(qū)動電流擺動擺臂3a，從而將磁頭3移動到磁盤10A上的任意的記錄重放位置(任意磁道)上。
檢測部4根據(jù)磁頭3輸出折輸出信號取得(檢測)伺服數(shù)據(jù)，輸出到控制部6。驅(qū)動器5根據(jù)控制部6輸出的控制信號，控制執(zhí)行機(jī)構(gòu)3b，使磁頭3循跡所要的磁道?？刂撇?總體控制硬盤驅(qū)動器1。此外，控制部6是本發(fā)明的控制部的一例，根據(jù)檢測部4輸出的伺服數(shù)據(jù)(“經(jīng)磁頭讀取的控制信號”的一例)中的分段信號控制驅(qū)動器5(循跡伺服控制處理的實(shí)行)。存儲單元7存儲控制部6的動作程序等。
另一方面，磁盤10A是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的一例，與前述的電動機(jī)2、磁頭3等一起設(shè)置在硬盤驅(qū)動器1的殼體內(nèi)。磁頭10A是可記錄由垂直記錄方式產(chǎn)生的記錄數(shù)據(jù)的分離磁道型磁盤(經(jīng)構(gòu)圖的介質(zhì))，如圖2所示，在玻璃基材11上依次形成軟磁性層12、中間層13、及磁性層14。這時，磁性層14形成以磁性材料形成從突端部(磁盤10A的表面?zhèn)仍搱D中的上端部)到基端部(該圖中的下端部)的全體的凸部40a、40a…，與凸部40a、40a…之間的凹部40b、40b…，構(gòu)成凹凸圖形40。在凹部40b、40b…中埋入SiO2等的非磁性材料15，使磁盤10A的表面平坦化。磁盤10A中，凸部40a的形成區(qū)域相當(dāng)于記錄區(qū)域，凹部40b的形成區(qū)域(埋入非磁性材料15的區(qū)域)相當(dāng)于非記錄區(qū)域。進(jìn)而在凹部40b、40b…中埋入的非磁性材料15和磁性層14(凸部40a)的表面上用類金剛石碳(DLC)等形成厚度為2nm左右的保護(hù)膜16(DLC膜)。又，在保護(hù)層16的表面涂布用來避免磁頭3與磁盤10A的雙方損傷的潤滑劑(例如フオンブリン系潤滑劑)。
對直徑2.5英寸的玻璃板作表面研磨，將玻璃基材11形成厚0.6mm左右的圓板形。另外，用作磁盤10A的基材不限于上述的玻璃基材，可以用鋁、陶瓷等的各種非磁性材料形成圓板形的基材。軟磁性層12，通過濺射CoZrNb合金等的軟磁性材料形成厚100nm～200nm左右的薄膜狀。中間層13，是具有作為形成磁性層14用的底層功能的層，通過濺射Cr或CoCr非磁性合金等的中間層形成用材料形成厚40nm左右的薄膜狀。磁性層14是構(gòu)成凹凸圖形40(圖4所示的數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sa)的層，例如通過對濺射CoCrPt合金的層進(jìn)行蝕刻處理形成凹部40b、40b…。
這時，如圖3所示，磁盤10A中，伺服圖形區(qū)域Asa、Asa…設(shè)在數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At、At…之間，規(guī)定數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At和伺服圖形區(qū)域Asa在磁盤10A的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭R的方向)上交替排列。另外，在搭載磁盤10A的硬盤驅(qū)動器1中，如前所述，電動機(jī)2根據(jù)控制部6的控制以一定的角速度旋轉(zhuǎn)磁盤10A。因此，磁頭10A中，與每單位時間通過磁頭3下方的磁盤10A上的長度成比例，沿磁頭10A的旋轉(zhuǎn)方向的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At的長度和沿旋轉(zhuǎn)方向的伺服圖形區(qū)域Asa的長度，離中心O越遠(yuǎn)就越長(數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At和伺服圖形Asa越是外周側(cè)區(qū)域，就越比內(nèi)周側(cè)區(qū)域?qū)?。結(jié)果，沿形成在數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At內(nèi)的數(shù)據(jù)記錄磁道(凸部40A)的旋轉(zhuǎn)方向的長度，和沿形成在伺服圖形區(qū)域Asa內(nèi)的伺服圖形40sa用的各凸部40a、40a…及各凹部40b、40b…的旋轉(zhuǎn)方向的基準(zhǔn)長度(例如對應(yīng)于1比特信號的長度)，越是磁盤10A的外周側(cè)區(qū)域越比內(nèi)周側(cè)區(qū)域來得長。
又如圖4所示，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At形成數(shù)據(jù)磁道圖形40t。在該圖及后面參照的圖5、16、17中，用斜線描上的區(qū)域表示凹凸圖形40中的凸部40a的形成區(qū)域(記錄區(qū)域)，白色的區(qū)域表示凹凸圖形40中的凹部40b的形成區(qū)域(非記錄區(qū)域)。這時如圖5所示，由以中心O(參照圖3)為中心的同心圓，或者，螺旋形的多個凸部40a、40a…(數(shù)據(jù)記錄磁道)，與各凸部40a、40a…之間的凹部40b、40b…(磁道間凹部)構(gòu)成數(shù)據(jù)磁道圖形40t。另外，使磁盤10A的旋轉(zhuǎn)中心與數(shù)據(jù)磁道圖形40t的中心O(本發(fā)明中的“磁道圖形中心“)一致當(dāng)然最好，但實(shí)際上磁盤10A的旋轉(zhuǎn)中心與數(shù)據(jù)磁道圖形40t的中心O之間，有時產(chǎn)生因制造誤差引起的30～50μm左右的極小的偏差。然而，如果是這種程度的偏差，則可以說對磁頭3的循跡伺服控制是充分可能的，旋轉(zhuǎn)中心與中心O實(shí)質(zhì)上是相同的。另外，該磁盤10A的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At中，作為一例，沿凸部40a(數(shù)據(jù)記錄磁道)的磁盤10A的半徑方向的長度，與沿凹部40b的磁盤10A的半徑方向的長度為互相等長(長度比1∶1)。另外，磁盤10A中，沿形成在數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At的凸部40a的半徑方向的長度，和沿凹部40b的半徑方向的長度，從磁盤10A的內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域規(guī)定為大致相同的長度。
另一方面，如圖4所示，伺服圖形區(qū)域Asa中形成具有由凹凸圖形40形成在開頭(preamble)區(qū)域Ap的開頭圖形，由凹凸圖形40形成在地址圖形區(qū)域Aa的地址圖形，以及由凹凸圖形40形成在分段圖形區(qū)域Aba的分段圖形的伺服圖形40sa。分段圖形區(qū)域Aba具有第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a的分段區(qū)域。這時在分段圖形區(qū)域Aba中的第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a中，由凹凸圖形40形成使磁頭3循跡于所要的磁道上用的位置檢測用的圖形。具體如圖5所示，沿磁盤10A的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭R的方向)形成多個凹部40b、40b…(非記錄區(qū)域)，這樣一來，凸部40a(記錄區(qū)域)和凹部40b沿旋轉(zhuǎn)方向形成交替排列的區(qū)域，凸部40a在旋轉(zhuǎn)方向上形成連續(xù)的區(qū)域。
又如圖5所示，分段圖形區(qū)域Aba中形成相當(dāng)于本發(fā)明的M組分段圖形的2組分段圖形BP1a、BP2a(“M＝2”的例)。具體說，由形成在第1分段區(qū)域Ab1a的凹凸圖形40與形成在第2分段區(qū)域Ab2a的凹凸圖形40構(gòu)成相當(dāng)于本發(fā)明的M組的分段圖形中的一個的分段圖形BP1a，同時，由形成在第3分段區(qū)域Ab3a的凹凸圖形40與形成在第4分段區(qū)域Ab4a的凹凸圖形40構(gòu)成相當(dāng)于本發(fā)明的M組的分段圖形中的另一個的分段圖形BP2a。另外，形成在分段圖形區(qū)域Aba的各凹部40b、40b…，分別相當(dāng)于本發(fā)明的分段信號單位部，形成沿磁盤10A的半徑方向(圖中的左右方向)的長度L11(本發(fā)明中的“BW”)使互相相等。圖中為使容易對本發(fā)明的理解，雖對每個第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a的各分段區(qū)域沿旋轉(zhuǎn)方向并列示出3個凹部40b，但實(shí)際上對每個分段區(qū)域沿旋轉(zhuǎn)方向并列形成10～30個凹部40b、40b…。另外，各分段區(qū)域中形成的圖形，不限于沿旋轉(zhuǎn)方向并列多個分段信號單位部，也可對每個分段區(qū)域沿旋轉(zhuǎn)方向形成單一的分段信號單位部(凹部40b)，構(gòu)成分段圖形。
這時，磁盤10A中，在第1分段區(qū)域Ab1a和第2分段區(qū)域Ab2a內(nèi)，沿半徑方向形成多個分段圖形BP1a、BP1a…，同時，在第3分段區(qū)域Ab3a和第4分段區(qū)域Ab4a內(nèi)，沿半徑方向形成多個分段圖形BP2a、BP2a…。另外，各分段區(qū)域Ab1a～Ab4a內(nèi)沿旋轉(zhuǎn)方向并列的凹部40b、40b…的列，分別構(gòu)成2個分段圖形BP1a、BP1a(或分段圖形BP2a、BP2a)。具體如圖5所示，例如，第1分段區(qū)域Ab1a內(nèi)沿旋轉(zhuǎn)方向并列的凹部40b、40b…的列，與相對于該凹部40b、40b…的列位于第2分段區(qū)域Ab2a內(nèi)半徑方向的內(nèi)周側(cè)的凹部40b、40b…的列相結(jié)合，構(gòu)成1個分段圖形BP1a，同時，與相對于該凹部40b、40b…的列位于第2分段區(qū)域Ab2a內(nèi)半徑方向的外周側(cè)的凹部40b、40b…的列相結(jié)合，構(gòu)成另1個分段圖形BP1a。
又如圖5所示，磁盤10A中，在分段圖形區(qū)域Aba形成凹凸圖形40，使從中心O到分段信號單位部(凹部40b)的距離(例如中心O與分段信號單位部的半徑方向的中心之間的距離)對每個第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a的各分段區(qū)域互不相同，形成分段圖形BP1a、BP2a。這時，對分段圖形BP1a而言，形成在第1分段區(qū)域Ab1a和形成在第2分段區(qū)域Ab2a的凹部40b、40b…相當(dāng)于本發(fā)明的2類分段信號單位部，對分段圖形BP2a而言，形成在第3分段區(qū)域Ab3a和形成在第4分段區(qū)域Ab4a的凹部40b、40b…相當(dāng)于本發(fā)明的2類分段信號單位部。另外，磁盤10A中，在分段圖形區(qū)域Aba形成凹凸圖形40，使得沿第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a的各分段區(qū)域內(nèi)凹部40b、40b…的半徑方向的形成間距(與各分段區(qū)域內(nèi)的凹部40b、40b…的半徑方向上的各中心之間的距離相等的長度圖中所示長度L12)互相相等。這時該磁盤10A中，上述長度L12為磁道間距Tp的2倍長度(“(2·M/N)·磁道間距”中“N＝2”的例)。
又磁盤10A中，沿半徑方向的長度L10為(2·M/N)乘磁道間距Tp的長度(“(2·M/N)·磁道間距”該例中，磁道間距Tp的2倍長度)，在其半徑方向側(cè)的兩端(點(diǎn)劃線表示的部位)與各分段圖形BP1a、BP2a…的半徑方向的中心C1a、C2a…不一致的范圍內(nèi)(本發(fā)明的規(guī)定范圍內(nèi))，在第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a內(nèi)形成凹部40b、40b…，使各分段圖形BP1a、BP2a…的半徑方向的中心C1a、C2a…以磁道間距Tp的1/2長度(“(1/N)·磁道間距”)間隔只存在4個(“(2·M)個”的例)。這時，磁盤10A中，在分段圖形區(qū)域Aba中形成凹凸圖形40，使分段圖形BP1a的半徑方向上的中心C1a與數(shù)據(jù)記錄磁道(形成在數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At的凸部40a)的半徑方向上的中心(磁道中心)一致(分段圖形BP1a的中心C1a與數(shù)據(jù)記錄磁道的中心的距離為“0”)，同時，分段圖形BP2a的半徑方向上的中心C2a與數(shù)據(jù)記錄磁道的半徑方向上的中心之間的距離(長度L15)為磁道間距Tp的1/2長度。
另外，分段圖形BP1a、BP1a…，在旋轉(zhuǎn)方向上隔著凸部40a互相分開地形成在第1分段區(qū)域Ab1a中形成的凹部40b與在第2分段區(qū)域Ab2a中形成的凹部40b(一方的分段信號單位部與另一方的分段信號單位部在旋轉(zhuǎn)方向上不重疊地形成的一例)。另外，分段圖形BP1a、BP1a…，第1分段區(qū)域Ab1a中形成的凹部40b的半徑方向上的中心，與第2分段區(qū)域Ab2a中形成的凹部40b的半徑方向上的中心，在半徑方向上只隔開與磁道間距Tp(本發(fā)明的“(M/N)·磁道間距”)相等的長度L13。另外，分段圖形BP1a、BP1a…，第1分段區(qū)域Ab1a中形成的凹部40b和第2分段區(qū)域Ab2a中形成的凹部40b的各自的半徑方向側(cè)的兩端部中的相對的端部之間，在半徑方向上通過凸部40a只隔開比磁道間距Tp(“(M/N)·磁道間距”)更短的長度L14。這時，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，在從其內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的整個范圍內(nèi)，第1分段區(qū)域Ab1a的凹部40b與第2分段區(qū)域Ab2a的凹部40b，沒有必要在半徑方向上只分開長度L14，可采用在半徑方向上使兩凹部40b、40b隔開任意范圍的構(gòu)成。又，從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域不必規(guī)定上述L14為同一長度，也可在從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的每個區(qū)域中使其不同。這時，長度L14越長越能擴(kuò)展基于PES的可檢測帶域，因此例如在擔(dān)心磁盤10A的內(nèi)周側(cè)中因可檢測帶域窄引起難以正確的循跡伺服控制時，可采用從磁盤10A的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)漸漸加大長度L14的構(gòu)成。
另外，分段圖形BP2a、BP2a…，在旋轉(zhuǎn)方向上隔著凸部40a互相分開地形成在第3分段區(qū)域Ab3a中形成的凹部40b與在第4分段區(qū)域Ab4a中形成的凹部40b(一方的分段信號單位部與另一方的分段信號單位部在旋轉(zhuǎn)方向上不重疊地形成的一例)。另外，分段圖形BP2a、BP2a…，第3分段區(qū)域Ab3a中形成的凹部40b的半徑方向上的中心，與第4分段區(qū)域Ab4a中形成的凹部40b的半徑方向上的中心，在半徑方向上只隔開與磁道間距Tp(本發(fā)明的“(M/N)·磁道間距”)相等的長度L13。另外，分段圖形BP2a、BP2a…，第3分段區(qū)域Ab3a中形成的凹部40b和第4分段區(qū)域Ab4a中形成的凹部40b的各自的半徑方向側(cè)的兩端部中的相對的端部之間，在半徑方向上通過凸部40a只隔開比磁道間距Tp(“(M/N)·磁道間距”)更短的長度L14。
這時，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，在從其內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的整個范圍內(nèi)，第3分段區(qū)域Ab3a的凹部40b與第4分段區(qū)域Ab4a的凹部40b，沒有必要在半徑方向上只分開長度L14，可采用在半徑方向上使兩凹部40b、40b隔開任意范圍的構(gòu)成。又，從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域不必規(guī)定上述長度L14為同一長度，也可在從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的每個區(qū)域中使其不同。這時，長度L14越長越能擴(kuò)展基于PES的可檢測帶域，因此例如在擔(dān)心磁盤10A的內(nèi)周側(cè)中因可檢測帶域窄引起難以正確的循跡伺服控制時，可采用從磁盤10A的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)漸漸加大長度L14的構(gòu)成。另外，前述的執(zhí)行機(jī)構(gòu)3b(例如VCM(音圈電機(jī)))，為實(shí)行記錄數(shù)據(jù)的正確的記錄重放，一般設(shè)計(jì)其循跡精度(機(jī)械精度)為小于等于磁道間距Tp的5％。換言之，由執(zhí)行機(jī)構(gòu)3b驅(qū)動的磁頭3，在記錄數(shù)據(jù)的記錄重放時以磁道間距Tp的5％程度為上限所定的范圍內(nèi)，總是在磁頭10A的半徑方向上微動。因此，為可靠地?cái)U(kuò)展基于PES的磁頭3的位置檢測的可檢測帶域，最好將上述分段圖形BP1a、BP2a的長度L14(在構(gòu)成分段圖形的2類分段信號單位部的半徑方向上的離開量)定為大于等于磁道間距Tp的5％的長度。
另在該磁盤10A中，形成本發(fā)明的“M”和“N”雙方使為上述那樣的“2”。因此，當(dāng)將“M＝2”和“N＝2”代入本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)應(yīng)滿足的條件式“(M+1)·Tp/N-BW≤Wr≤(M-1)·Tp/N+BW”中時，磁頭3的重放用元件Ra的寬度Wr只要大于等于“磁道間距Tp的3/2的長度-長度L11”即寬度Wr1a(參照圖5)，并小于等于“磁道間距Tp的1/2的長度+長度L11”即寬度Wr2a(參照圖5)的范圍內(nèi)，磁盤10A便滿足上述條件式。以下在本說明書中，作為一例，說明磁頭3的重放用元件Ra的寬度Wr為“磁道間距Tp的3/2的長度-長度L11”的情況。另外，有關(guān)用該磁盤10A時的磁頭3的重放用元件Ra的寬度(最小寬度Wr1a和最大的寬度Wr2a)，將在后面詳述。
下面，說明磁盤10A的制造方法。
制造上述的磁盤10A時，使用圖6所示的中間體20與圖7所示的壓印模30。這時，如圖6所示，中間體20在玻璃基材11上依次形成軟磁性層12、中間層13、及磁性層14，隨后在磁性層14之上形成掩模層17、厚度80nm左右的樹脂層(保護(hù)層)18。另外，壓印模30，作為本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)制造用的壓印模的一例，如圖7所示，形成可能形成用于形成磁盤10A的凹凸圖形40(數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sa)的凹凸圖形41的凹凸圖形39，可能構(gòu)成由壓印法產(chǎn)生的磁盤10A的制造。這時，壓印模30的凹凸圖形39，凸部39a、39a…對應(yīng)于磁盤10A的凹凸圖形40中的凹部40b、40b…(本發(fā)明中的作為“任一方的區(qū)域”的非記錄區(qū)域)，凹部39b、39b…對應(yīng)于凹凸圖形40中的凸部40a、40a…(本發(fā)明中的作為“任一個另一方的區(qū)域“的記錄區(qū)域)。另外，有關(guān)壓印模30因可用公知的各種制造方法來制造，故省略該壓印模30的詳細(xì)說明。
最初，如圖8所示，利用壓印法將壓印模30的凹凸圖形39復(fù)印到中間體20的樹脂層18上。具體是將壓印模30中的凹凸圖形39的形成面壓到中間體20的樹脂18上，將凹凸圖形39的凸部39a、39a…壓入中間體20的樹脂層18。這時，凸部39a、39a…被壓入的部位的保護(hù)膜(樹脂層18)移向凹凸圖形39的凹部39b、39b…。其次，從中間體20上剝離壓印模30，進(jìn)而用氧等離子體處理法除去殘留于底面上的樹脂(未圖示)，從而如圖9所示在中間體20的掩膜層17上形成由樹脂層18構(gòu)成的凹凸圖形41。這時，凹凸圖形41的凸部41a、41a…的高度(凹部41b、41b…)的深度為130nm左右。
接著，用上述凹凸圖形41(樹脂層18)作為掩膜，實(shí)行蝕刻處理，從而在凹凸圖形41的凹部41b、41b…的底部，蝕刻從掩膜(凸部41a、41a…)露出的掩膜層17，如圖10所示，具有凸部42a和凹部42b的凹凸圖形42形成在中間體20的掩膜層17上。其次，通過用凹凸圖形42(掩膜層17)作為掩膜實(shí)行蝕刻處理，從而在凹凸圖形42的凹部42b、42b的底部，蝕刻從掩膜(凸部42a、42a…)露出的磁性層14，如圖11所示，具有凸部40a和凹部40b的凹凸圖形40形成在中間體20的磁性層14上。接著，對殘留在凸部40a、40a…上的掩膜層17進(jìn)行選擇性處理，從而完全除去殘留的掩膜層17，露出凸部40a、40a…的突端面。這樣，數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sa(凹凸圖形40)形成在中間層13上。
接著，如圖12所示，濺射作為非磁性材料15的SiO2。這時，由于非磁性材料15完全埋進(jìn)凹部40b、40b，而且充分濺射非磁性材料，使在凸部40a、40a…上形成例如厚度60nm左右的非磁性材料15的層。接著，對磁性層14之上(凸部40a、40a…之上和凹部40b、40b…之上)的非磁性材料15的層實(shí)行離子束蝕刻處理。這期間繼續(xù)進(jìn)行離子束蝕刻處理直至凸部40a的突端面從非磁性材料15露出為止。這樣，結(jié)束對非磁性材料15的層的離子束蝕刻處理，如圖13所示，使中間體20的表面平坦化。接著，通過用CVD法使覆蓋中間體20的表面，形成類金剛石碳(DCL)的薄膜，從而形成保護(hù)層16，之后，在保護(hù)層16的表面涂布フオンブリン系潤滑劑使平均厚度例如為2nm左右。這樣，如圖2所示，完成磁盤10A。
該磁盤10A中，如圖14所示，形成分段圖形BP1a，使形成在第1分段區(qū)域Ab1a的凹部40b的半徑方向側(cè)的端部與形成在第2分段區(qū)域Ab2a的凹部40b的半徑方向側(cè)的端部，夾著磁道中心(數(shù)據(jù)記錄磁道的半徑方向上的中心)并在半徑方向以互不重疊的狀態(tài)相分離。因此，磁盤10A中，沿形成在兩分段區(qū)域Ab1a、Ab2a的凹部40b(分段信號單位部)的半徑方向的長度L11為短于磁道間距Tp。結(jié)果，磁頭3相對于磁盤10A的位置變化，磁頭3(重放用元件Ra)例如從位置P1以箭頭A的方向?qū)Υ疟P10A移動到位置P2時，第1分段區(qū)域Ab1a中的磁頭3的輸出信號的輸出電平為實(shí)線Aa所示的狀態(tài)。又，磁頭3例如從位置P3以箭頭B的方向?qū)Υ疟P10A移動到位置P4時，第2分段區(qū)域Ab2a中的磁頭3的輸出信號的輸出電平為實(shí)線Ba所示的狀態(tài)。這時設(shè)實(shí)線Aa示出的輸出信號為S1，實(shí)線Ba示出的輸出信號為S2時，由分段圖形BP1a得到的PES，為“(S1-S2)/(S1+S2)”。因此，由分段圖形BP1a得到的PES，為該圖中實(shí)線所示的特性。
另一方面，以往的磁盤10x1中，如前所述，伺服圖形Ps1、Ps2的半徑方向側(cè)的兩個端部在磁道中心上一致，也就是使兩個端部位于磁道中心上形成分段圖形。因此，以往的磁盤10x1中沿伺服圖形Ps1、Ps2(分段信號單位部)的半徑方向的寬度Ts等于磁道間距Tp。結(jié)果，磁頭相對于以往的磁盤10x1的位置變化，磁頭(重放用元件Rx)例如從位置P1以箭頭A的方向?qū)Υ疟P10x1移動到位置P2時，磁頭的輸出信號的輸出電平為點(diǎn)劃線Ax所示的狀態(tài)。又，磁頭例如從位置P3以箭頭B的方向?qū)Υ疟P10x1移動到位置P4時，磁頭的輸出信號的輸出電平為點(diǎn)劃線Bx所示的狀態(tài)。結(jié)果，由以往的磁盤10x1的伺服圖形Ps1、Ps2得到的PES為該圖中的點(diǎn)劃線所示的特性。
這時，從磁頭3位于位置P0(本例中磁道中心)的狀態(tài)移向箭頭C方向時，以往的磁盤10x1中，基于PES可檢測磁頭3的位置的范圍為從位置P0至Pxc的范圍。與此相對，磁盤10A中，控制部6基于PES在從位置P0至位置Pac的寬范圍內(nèi)可檢測磁頭3的位置。另外，磁頭3從位置P0移向磁頭D的方向時，以往的磁盤10x1中基于PES可檢測磁頭3的位置的范圍為從位置P0至位置Pxd的范圍。與之相對，磁盤10A中，控制部6基于PES在從位置P0至位置Pad的寬范圍內(nèi)可檢測磁頭3的位置。因此，磁頭10A中，即使磁頭3為從磁道中心有大的位置偏離，也可能根據(jù)PES檢測其位置，使循跡所要的磁道。
又，磁盤10A中，如前所述，磁頭3的寬度Wr、沿?cái)?shù)據(jù)磁道圖形40t中的凸部40a的半徑方向的形成間距(磁道間距Tp)、及沿形成在第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a的凹部40b的半徑方向的長度L11(本發(fā)明的“BW”)，形成數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sa，使?jié)M足“(M+1)·Tp/N-BW≤Wr≤(M-1)·Tp/N+BW”的條件式的關(guān)系。因此，磁盤10A中不由數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sa中的各部分的長度唯一決定重放用元件Ra的寬度Wr，而可能比較自由地規(guī)定重放用元件Ra的寬度Wr。換言之，與以往的磁盤10x1不同，有可能規(guī)定數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sa中的各部分的長度，而不根據(jù)磁頭3中的重放用元件Ra的寬度Wr唯一地決定。
具體如圖15所示，沿形成在第1分段區(qū)域Ab1a的凹部40b的半徑方向的形成間距即長度L12，為磁道間距Tp的2倍長度(“(M/N)·Tp·2”)。這時，長度L12為與前述的長度L10(沿本發(fā)明的規(guī)定范圍的半徑方向的長度)等長度。因此，磁盤10A中，分段圖形BP1a、BP2a…的半徑方向上的中心C1a、C2a，在長度L12的范圍內(nèi)以磁盤間距Tp的1/2的長度間隔(以“(1/N)·磁道間距”的間隔)就只存在4個(“(2·M)個”)。具體地說，第1分段區(qū)域Ab1a～第4分段區(qū)域Ab4a內(nèi)的各凹部40b、40b…(分段信號單位部)在其半徑方向的兩端側(cè)使存在分段圖形BP1a、BP2a…的中心C1a、C2a地形成。從而，例如在第1分段區(qū)域Ab1a中，沿凹部40b的半徑方向的形成間距即上述長度L12的范圍內(nèi)，存在2個分段圖形BP1a、BP1a的半徑方向的中心C1a、C1a。另在長度L12的范圍內(nèi)存在2組(M組)分段圖形BP1a、BP2a的半徑方向上的中心C1a、C2a，即4個(“2·M)個”)中心C1a、C2a。
因此，磁頭10A中，例如沿根據(jù)1個分段圖形BP1a得到的PES對磁頭3應(yīng)作循跡伺服控制的范圍的半徑方向的長度L16，為上述長度L12的1/4長度(“1/(2·M)”)。這時，該長度L16等于磁道間距Tp的1/2的長度(“(M/N)·Tp·2/(2·M)＝(1/N)·Tp”)，磁頭10A中，磁道間距Tp的1/2的長度為與數(shù)據(jù)記錄磁道的寬度、和磁道間凹部的寬度相等的長度L16。即是說，磁盤10A中，根據(jù)分段圖形BP1a得到的PES對磁頭3應(yīng)作循跡伺服控制的范圍，為與數(shù)據(jù)記錄磁道的寬度和磁道間凹部的寬度相等的長度L16的范圍內(nèi)。另外，沿形成在第1分段區(qū)域Ab1a的凹部40b的端部與形成在第2分段區(qū)域Ab2a的凹部40b的端部的半徑方向的距離即長度L14，是從長度L12的1/2長度減去長度L11后的長度(“(M/N)·Tp-BW”)，這與磁道間距Tp減去長度L11后的長度相等。
這時，在重放用元件Ra位于應(yīng)循跡伺服控制的范圍(長度L16)的一方端部即位置P5的狀態(tài)(重放用元件Ra的寬度方向的中心重疊于位置P5的狀態(tài))下，當(dāng)重放用元件Ra的寬度Wr比圖中所示寬度Wr1a來得小時，重放用元件Ra的端部與形成在第1分段區(qū)域Ab1a中的凹部40b的端部之間，在半徑方向(循跡伺服控制方向)上產(chǎn)生間隙。這個間隙就是不靈敏帶，所以重放用元件Ra的寬度Wr大于等于圖示的寬度Wr1a是必要的。寬度Wr1a如該圖中所示，為長度L14a與長度L16a之和的2倍長度。這時，長度L14a是上述長度L14的1/2長度，長度L16a是上述長度L16的1/2長度(“Tp/(2·N)”)。也就是，寬度Wr1a的1/2長度，是磁道間距Tp減去長度L11后的長度(上述長度L14)的1/2長度(長度L14a“(M/N)·Tp/2-BW/2”)與磁道間距Tp的1/2長度(上述的長度L16)的1/2長度(長度L16a“Tp/(2·N)”)的和，即，是磁道間距Tp的3/4長度減去長度L11的1/2長度后的長度。因此，寬度Wrla為磁道間距Tp的3/2長度(“(M+1)·Tp/N”)減去長度L11(BW)后的長度，這個長度與本發(fā)明的條件式中的“(M+1)·Tp/N-BW”)一致。
另一方面，在重放用元件Ra位于應(yīng)循跡伺服控制的范圍(長度L16)的另一方端部即位置P6的狀態(tài)(重放用元件Ra的寬度方向的中心重疊于位置P6的狀態(tài))下，當(dāng)重放用元件Ra的寬度Wr比圖中所示寬度Wr2a來得大時，重放用元件Ra的端部從形成在第1分段區(qū)域Ab1a的凹部40b的端部突出在半徑方向(循跡伺服控制方向)上。這個突出量即是不靈敏帶，所以重放用元件Ra的寬度Wr小于等于圖示的寬度Wr2a是必要的。寬度Wr2a為上述長度L11減去長度L17后的長度的2倍長度。這時，長度L17是上述長度L16a減去長度L14a后的長度，也就是，從磁道間距Tp的1/2長度即長度L16的1/2長度(“Tp/(2·N)”)，減去磁道間距Tp減去長度L11后的長度的1/2長度(“Tp-BW)·(M/N)·(1/2)”)的長度。即寬度Wr2a的1/2長度，為上述長度L11減去磁道間距Tp的1/4長度(“Tp/(2·N)”)后的長度與上述長度L14a之和的長度(“BW-Tp/(2·N)+(M/N)·Tp/2-BW/2”＝“(M-1)·Tp/(2·N)+BW/2”)。因此，寬度Wr2a為磁道間距Tp的1/2長度(“(M-1)·Tp/N”)與上述長度L11(BW)之和的長度，這個長度與本發(fā)明的條件式中的“(M-1)·Tp/N+BW”一致。
如上所述，磁盤10A規(guī)定磁道間距Tp、長度L11，使?jié)M足與“(M+1)·Tp/N-BW≤Wr≤(M-1)·Tp/N+BW”一致的條件。因此，對于從上述規(guī)定的寬度Wr1a至寬度Wr2a的各種寬度Wr的重放用元件Ra，磁盤10A有可能不產(chǎn)生不靈敏帶而確定磁盤10A上的磁頭3(重放用元件Ra)的位置。這時，磁盤10A中，在分段圖形區(qū)域Aba中形成分段圖形BP1a、BP2a…，使沿分段圖形BP1a、BP2a…的半徑方向上的C1a、C2a…的半徑方向的間隔為(1/2)磁道間距Tp(“(1/N)磁道間距”中N＝2的例)。因此與形成分段圖形使沿伺服圖形Ps1、Ps2，或伺服圖形Ps3、Ps4成對起作用的各分段圖形的半徑方向上的各中心的半徑方向的間隔為磁道間距Tp(是“N＝1”)的以往的磁盤10x1、10x2不同，如前所述，在重放用元件Ra的寬度Wr即使比磁道間距Tp來得小時，也能不產(chǎn)生不靈敏帶而確定磁盤10A上的磁頭3(重放用元件Ra)的位置。因此，根據(jù)需要，通過用寬度Wr比磁道間距Tp來得小的重放用元件Ra，就可能避免旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。
另外，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，取各分段圖形的半徑方向的中心的間隔為“(1/N)·磁道間距”，且取“N”為“大于等于2的自然數(shù)”。這時，在取“N”為“不是自然數(shù)的值”時，各數(shù)據(jù)記錄磁道的磁道中心與通過各分段圖形得到的PES值為“0”的位置(各分段圖形中的半徑方向的各中心的位置)的半徑方向上的位置關(guān)系，對每個數(shù)據(jù)記錄磁道就不相同。結(jié)果，例如磁頭(重放用元件)位于磁道中心時的PES值對每個數(shù)據(jù)記錄磁道就不相同，從而根據(jù)PES值使重放用元件位于所要的數(shù)據(jù)記錄磁道中的磁道中心的處理就變得復(fù)雜。與之相反，在取上述的“N”為“自然數(shù)”時，各數(shù)據(jù)記錄磁道的磁道中心與PES值為“0”的位置的半徑方向上的位置關(guān)系，在全部數(shù)據(jù)記錄磁道中一致。這樣一來，例如磁頭(重放用元件)位于磁道中心時的PES值在全部數(shù)據(jù)記錄磁道中成為等值，因此，即使對任一個數(shù)據(jù)記錄磁道，也可能容易地實(shí)行根據(jù)PES值使重放用元件位于其磁道中心的處理。又如上述的磁盤10A那樣，通過使沿各分段圖形BP1a、BP1a…的半徑方向的中心C1a、C1a…與磁道中心一致，可能確定PES值為“0”時重放用元件Ra位于磁道中心上。這樣，可以不要復(fù)雜的處理且容易地使重放用元件Ra位于磁道中心上。
這樣，根據(jù)磁頭10A和硬盤驅(qū)動器1，沿旋轉(zhuǎn)方向形成M組(本例中為2組)具有由凹部40b(非記錄區(qū)域)構(gòu)成的2類分段信號單位部的分段圖形BP1a、BP2a…，同時，在從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的各區(qū)域中的至少一部分(本例中為全部)，通過形成各分段信號單位部，使在形成在第1分段區(qū)域Ab1a和第2分段區(qū)域Ab2a中的凹部40b、40b的半徑方向上相對的兩端部，在半徑方向上通過凸部40ab(記錄區(qū)域)分開，同時，形成在第3分段區(qū)域Ab3a和第4分段區(qū)域Ab4a中的凹部40b、40b的半徑方向上相對的兩端部，在半徑方向上通過凸部40a(記錄區(qū)域)分開，從而能充分?jǐn)U大基于PES的磁頭3(重放用元件Ra)的位置檢測的可檢測帶域，結(jié)果，即使對應(yīng)于分段圖形BP1a、BP2a…，從磁頭3輸出的輸出信號中因噪聲等發(fā)生變動，也可可靠地檢測磁頭3的位置偏差，實(shí)行正確的循跡伺服控制。另外，與只有1組的分段圖形(“M＝1”)的以往的磁盤10x1不同，沒有必要使磁頭3中的重放用元件Ra的寬度Wr與磁道間距Tp一致，因此能提高對數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sb的設(shè)計(jì)自由度。另外，與雖然具有2組(“M＝2”)分段圖形但各分段圖形的半徑方向的各中心以與磁道間距相等的間隔配置的以往的磁盤10x2不同，沒有必要使重放用元件Ra的寬度Wr比磁道間距Tp來得寬，因此能充分抑制旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。
又，根據(jù)搭載磁盤10A的硬盤驅(qū)動器1，通過形成磁盤10A的分段圖形BP1a、BP2a，使?jié)M足本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)應(yīng)滿足的“(M+1)·Tp/N-BW≤Wr≤(M-1)·Tp/N+BW”的條件，使用具有適合上述條件的寬度Wr的重放用元件Ra的磁頭3，能使不產(chǎn)生對分段圖形的不靈敏帶，充分?jǐn)U大基于PES的磁頭3(重放用元件Ra)的位置檢測的可檢測帶域，實(shí)行正確的循跡伺服控制。這時，與以往的磁盤10x1不同，不由重放用元件Ra的寬度唯一地規(guī)定磁道間距Tp或沿分段信號單位部(凹部40b)的半徑方向的長度L11，因此能提高對數(shù)據(jù)磁道圖形和伺服圖形的設(shè)計(jì)自由度。這樣一來，能根據(jù)提高磁道密度或避免旁讀現(xiàn)象等的目的，適當(dāng)變更磁道間距Tp或沿分段信號單位部(凹部40b)的半徑方向的長度L11。另外，與以往的磁盤10x2不同，不必使重放元件Ra的寬度wR比磁道間距Tp來得寬，因此能充分抑制旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。這樣一來，能提供搭載可高密度記錄而且難以產(chǎn)生重放誤差的磁盤10A的硬盤驅(qū)動器1。
又，根據(jù)上述的壓印模30，通過包括具有對應(yīng)于磁盤10A的凹凸圖形40的凹部40b、40b…(非記錄區(qū)域)形成的凸部39a、39a…，與對應(yīng)于磁盤10A的凹凸圖形40的凸部40a、40a…(記錄區(qū)域)形成的凹部39b、39b…的凹凸圖形圖形39，能利用壓印法等容易地制造充分?jǐn)U展基于PES的磁頭3的位置檢測的可檢測帶域，具有分段圖形BP1a、BP2a的磁盤10A。
下面參照
硬盤驅(qū)動器1上搭載本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的另一例即磁盤10B的例。對于與前述的磁盤10A共同的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的標(biāo)號并省略重復(fù)的說明。
磁盤10B如圖16所示，取代磁盤10A的伺服圖形區(qū)域Asa，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At、At之間規(guī)定構(gòu)成伺服圖形區(qū)域Asb。這時伺服圖形區(qū)域Asb取代磁盤10A中的伺服圖形區(qū)域Aba，具備有第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b的分段圖形區(qū)域Abb。這時分段圖形區(qū)域Abb中的第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b中，由凹凸圖形40形成使磁頭3循跡到所要的磁道用的位置檢測用圖形。具體如圖17所示，通過沿磁盤10B的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭R的方向)形成多個凸部40a、40a…，從而形成凹部40b與凸部40a沿旋轉(zhuǎn)方向交替排列的區(qū)域與凹部40b在旋轉(zhuǎn)方向上連續(xù)的區(qū)域。又磁盤10b中凸部40a的形成區(qū)域相當(dāng)于記錄區(qū)域，凹部40b的形成區(qū)域(埋入非磁性材料15的區(qū)域)相當(dāng)于非記錄區(qū)域。
又如圖17所示，分段圖形區(qū)域Abb中形成相當(dāng)于本發(fā)明的M組分段圖形的2組分段圖形BP1b、BP2b(“M＝2”例)。具體說，由形成在第1分段區(qū)域Ab1b的凹凸圖形40與形成在第2分段區(qū)域Ab2b的凹凸圖形40構(gòu)成相當(dāng)于本發(fā)明的M組的分段圖形中的一個的分段圖形BP1b，同時，由形成在第3分段區(qū)域Ab3b的凹凸圖形40與形成在第4分段區(qū)域Ab4b凹凸圖形40構(gòu)成相當(dāng)于本發(fā)明的M組的分段圖形中的另一個的分段圖形BP2b。另外，形成在分段圖形區(qū)域Abb的各凸部40a、40a…，分別相當(dāng)于本發(fā)明的分段信號單位部，形成沿磁盤10B的半徑方向(圖中的左右方向)的長度L21(本發(fā)明中的“BW”)使互相相等。圖中為使容易對本發(fā)明的理解，雖對每個第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b的各分段區(qū)域沿旋轉(zhuǎn)方向并列示出3個凸部40a，但實(shí)際上對每個分段區(qū)域沿旋轉(zhuǎn)方向并列形成10～30個凸部40a、40a…。另外，各分段區(qū)域中形成的圖形，不限于沿旋轉(zhuǎn)方向并列多個分段信號單位部，也可對每個分段區(qū)域沿旋轉(zhuǎn)方向形成單一的分段信號單位部(凸部40a)，構(gòu)成分段圖形。
這時，磁盤10B中，在第1分段區(qū)域Ab1b和第2分段區(qū)域Ab2b內(nèi)，沿半徑方向形成多個分段圖形BP1b、BP1b…，同時，在第3分段區(qū)域Ab3b和第4分段區(qū)域Ab4b內(nèi)，沿半徑方向形成多個分段圖形BP2b、BP2b…。另外，各分段區(qū)域Ab1b～Ab4b內(nèi)沿旋轉(zhuǎn)方向并列的凸部40a、40a…的列，分別構(gòu)成2個分段圖形BP1b、BP1b(或分段圖形BP2b、BP2b)。具體如圖17所示，例如，第1分段區(qū)域Ab1b內(nèi)沿旋轉(zhuǎn)方向并列的凸部40a、40a…的列，與相對于該凸部40a、40a…的列位于第2分段區(qū)域Ab2b內(nèi)半徑方向的內(nèi)周側(cè)的凸部40a、40a…的列相結(jié)合，構(gòu)成1個分段圖形BP1b，同時，與相對于該凸部40a、40a…的列位于第2分段區(qū)域Ab2b內(nèi)半徑方向的外周側(cè)的凸部40a、40a…的列相結(jié)合，構(gòu)成另1個分段圖形BP1b。
又如圖17所示，磁盤10B中，在分段圖形區(qū)域Abb形成凹凸圖形40，使從中心O到分段信號單位部(凸部40a)的距離(例如中心O與分段信號單位部的半徑方向的中心之間的距離)對每個第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b的各分段區(qū)域互不相同，形成分段圖形BP1b、BP2b。這時，對分段圖形BP1b而言，形成在第1分段區(qū)域Ab1b和形成在第2分段區(qū)域Ab2b的凸部40a、40a…相當(dāng)于本發(fā)明的2類分段信號單位部，對分段圖形BP2b而言，形成在第3分段區(qū)域Ab3b和形成在第4分段區(qū)域Ab4b的凸部40a、40a…相當(dāng)于本發(fā)明的2類分段信號單位部。另外，磁盤10B中，在分段圖形區(qū)域Abb形成凹凸圖形40，使沿第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b的各分段區(qū)域內(nèi)凸部40a、40a…的的半徑方向的形成間距(與各分段區(qū)域內(nèi)的凸部40a、40a…的半徑方向上的各中心之間的距離相等的長度圖中所示長度L22)互相相等。這時該磁盤10B中，上述長度L22為磁道間距Tp的2倍長度(“(2·M/N)·磁道間距”中“N＝2”的例)。
又磁盤10B中，沿半徑方向的長度L20為(2·M/N)乘磁道間距Tp的長度(“(2·M/N)·磁道間距”該例中，磁道間距Tp的2倍長度)，在其半徑方向側(cè)的兩端(點(diǎn)劃線表示的部位)與各分段圖形BP1b、BP2b…的半徑方向的中心C1b、C2b…不一致的范圍內(nèi)(本發(fā)明的規(guī)定范圍內(nèi))，在第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b內(nèi)形成凸部40a、40a…，使各分段圖形BP1b、BP2b…的半徑方向的中心C1b、C2b…以磁道問距Tp的1/2長度(“(1/N)·磁道間距”)間隔只存在4個(“(2·M)個”的例)。這時磁盤10B中，在分段圖形區(qū)域Abb中形成凹凸圖形40，使分段圖形BP1b的半徑方向上的中心C1b與數(shù)據(jù)記錄磁道(形成在數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At的凸部40a)的半徑方向上的中心(磁道中心)一致(分段圖形BP1b的中心C1b與數(shù)據(jù)記錄磁道的中心的距離為“0”)，同時，分段圖形BP2b的半徑方向上的中心C2b與數(shù)據(jù)記錄磁道的半徑方向上的中心之間的距離(長度L25)為磁道間距Tp的1/2的長度。
另外，分段圖形BP1b、BP1b…，在旋轉(zhuǎn)方向上隔著凹部40b互相分開地形成在第1分段區(qū)域Ab1b中形成的凸部40a與在第2分段區(qū)域Ab2b中形成的凸部40a(一方的分段信號單位部與另一方的分段信號單位部在旋轉(zhuǎn)方向上不重疊地形成的一例)。另外，分段圖形BP1b、BP1b…，第1分段區(qū)域Ab1b中形成的凸部40a的半徑方向上的中心，與第2分段區(qū)域Ab2b中形成的凸部40a的半徑方向上的中心，在半徑方向上只隔開與磁道間距Tp(本發(fā)明的“(M/N)·磁道間距”)相等的長度L23。另外，分段圖形BP1b、BP1b…，形成凹凸圖形40，使第1分段區(qū)域Ab1b中形成的凸部40a和第2分段區(qū)域Ab2b中形成的凸部40a的各自的半徑方向側(cè)的兩端部中的包含相對的端部區(qū)域之間，在半徑方向上只重疊比磁道間距Tp(“(M/N)·磁道間距”)更短的長度L24。這時，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，在從其內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的整個范圍內(nèi)，沒有必要在半徑方向上使第1分段區(qū)域Ab1b的凸部40a的端部區(qū)域與第2分段區(qū)域Ab2b的凸部40a的端部區(qū)域，只重合長度L24，而可采用在半徑方向上使兩凸部40a、40a的端部區(qū)域之間重合任意區(qū)域的構(gòu)成。又，從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域不必規(guī)定上述L24為同一長度，而也可在從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的每個區(qū)域中任意使其不同。這時，長度L24越長越能擴(kuò)展基于PES的可檢測帶域，因此例如在擔(dān)心磁盤10B的內(nèi)周側(cè)中因可檢測帶域狹窄引起難以正確的循跡伺服控制時，可采用從磁盤10B的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)漸漸加大長度L24的構(gòu)成。
另外，分段圖形BP2b、BP2b…，在旋轉(zhuǎn)方向上隔著凹部40b互相分開地形成在第3分段區(qū)域Ab3b中形成的凸部40a與在第4分段區(qū)域Ab4b中形成的凸部40a(一方的分段信號單位部與另一方的分段信號單位部在旋轉(zhuǎn)方向上不重疊地形成的一例)。另外，分段圖形BP2b、BP2b…，第3分段區(qū)域Ab3b中形成的凸部40a的半徑方向上的中心，與第4分段區(qū)域Ab4b中形成的凸部40a的半徑方向上的中心，在半徑方向上只隔開與磁道間距Tp(本發(fā)明的“(M/N)·磁道間距”)相等的長度L23。另外，分段圖形BP2b、BP2b…，形成凹凸圖形40，使第3分段區(qū)域Ab3b中形成的凸部40a和第4分段區(qū)域Ab4b中形成的凸部40a的各自的半徑方向側(cè)的兩端部中的包含相對的端部的端部區(qū)域之間，在半徑方向上只重合比磁道間距Tp(“(M/N)·磁道間距”)更短的長度L24。
這時，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，在從其內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的整個范圍內(nèi)，沒有必要使第3分段區(qū)域Ab3b的凸部40a的端部區(qū)域與第4分段區(qū)域Ab4b的凸部40a的端部區(qū)域在半徑方向上只重合長度L24，可采用在半徑方向上使兩凸部40a、40a的端部區(qū)域之間重合任意區(qū)域的構(gòu)成。又，從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域不必規(guī)定上述長度L24為同一長度，也可在從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的每個區(qū)域中任意使其不同。這時，長度L24越長越能擴(kuò)展基于PES的可檢測帶域，因此例如在擔(dān)心磁盤10B的內(nèi)周側(cè)中因可檢測帶域狹窄引起難以正確的循跡伺服控制時，可采用從磁盤10B的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)漸漸加大長度L24的構(gòu)成。另外，前述的執(zhí)行機(jī)構(gòu)3b(例如VCM)，為實(shí)行記錄數(shù)據(jù)的正確的記錄重放，一般設(shè)計(jì)其循跡精度(機(jī)械精度)為小于等于磁道間距Tp的5％。換言之，由執(zhí)行機(jī)構(gòu)3b驅(qū)動的磁頭3，在記錄數(shù)據(jù)的記錄重放時以磁道間距Tp的5％程度為上限所定的范圍內(nèi)，總是在磁頭10B的半徑方向上微動。因此，為可靠地?cái)U(kuò)展基于PES的磁頭3的位置檢測的可檢測帶域，最好將上述分段圖形BP1b、BP2b的長度L24(在構(gòu)成分段圖形的2類分段信號單位部的半徑方向上的重疊量)定為大于等于磁道間距Tp的5％的長度。
另在該磁盤10B中，形成本發(fā)明的“M”和“N”雙方使為上述那樣的“2”。因此，當(dāng)將“M＝2”和“N＝2”代入本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)應(yīng)滿足的條件式“(1-M)·Tp/N+BW≤Wr≤(3·M-1)·Tp/N-BW”中時，磁頭3的重放用元件Rb的寬度Wr只要大于等于“長度L21減磁道間距Tp的1/2長度后的長度”即寬度Wr1b(參照圖17)，并小于等于“磁道間距Tp的5/2的長度減去長度L21后的長度”即寬度Wr2b(參照圖17)的范圍內(nèi)，磁盤10B便滿足上述條件式。以下在本說明書中，作為一例，說明磁頭3的重放用元件Rb的寬度Wr為“長度L21-1/2·磁道間距Tp”的情況。另外，有關(guān)用該磁盤10B時的磁頭3的重放用元件Rb的寬度(最小寬度Wr1b和最大的寬度Wr2b)，將在后面詳述。
制造上述的磁盤10B時，與前述的磁盤10A的制造時一樣，使用圖6所示的中間體20與圖7所示的壓印模30。這時，制造磁盤10B用的壓印模30，是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)制造用的壓印模的另一例，形成凹凸圖形39，它可形成用于形成磁盤10B的凹凸圖形40(數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sb)的凹凸圖形41，可構(gòu)成利用壓印法制造磁盤10B。這時，壓印模30的凹凸圖形39，凸部39a、39a…對應(yīng)于磁盤10B的凹凸圖形40中的凹部40b、40b…(本發(fā)明中的作為“任一方的區(qū)域“的非記錄區(qū)域)，凹部39b、39b…對應(yīng)于凹凸圖形40中的凸部40a、40a…(本發(fā)明中的作為“任一個另一方的區(qū)域“的記錄區(qū)域)。另外，有關(guān)利用壓印模的壓印方法形成磁盤10B的制造方法因與前述的磁盤10A的制造方法相同，故省略詳細(xì)的說明。
該磁盤10B中，如圖18所示，形成分段圖形BP1b，使包含形成在第1分段區(qū)域Ab1b的凸部40a的半徑方向側(cè)的端部的端部區(qū)域與包含形成在第2分段區(qū)域Ab2b的凸部40a的半徑方向側(cè)的端部的端部區(qū)域，磁道中心(數(shù)據(jù)記錄磁道的半徑方向上的中心)在半徑方向上重疊。因此，磁盤10B中，沿形成在兩分段區(qū)域Ab1b、Ab2b的凸部40a(分段信號單位部)的半徑方向的長度L21為比磁道間距Tp更長。結(jié)果，磁頭3相對于磁盤10B的位置變化，磁頭3(重放用元件Rb)例如從位置P1以箭頭A的方向?qū)Υ疟P10b移動到位置P2時，第1分段區(qū)域Ab1b中的磁頭3的輸出信號的輸出電平為實(shí)線Ab所示的狀態(tài)。又，磁頭3例如從位置P3以箭頭B的方向?qū)Υ疟P10B移動到位置P4時，第2分段區(qū)域Ab2b中的磁頭3的輸出信號的輸出電平為實(shí)線Bb所示的狀態(tài)。這時設(shè)實(shí)線Ab示出的輸出信號為S1，實(shí)線Bb示出的輸出信號為S2時，由分段圖形BP1b得到的PES，為“(S1-S2)/(S1+S2)”。因此，由分段圖形BP1b得到的PES，為該圖中實(shí)線所示的特性。
另一方面，以往的磁盤10x1中，如前所述，當(dāng)磁頭(重放用元件Rx)例如從位置P1相對于磁盤10x1以箭頭A的方向移動到位置P2時，磁頭的輸出信號的輸出電平為點(diǎn)劃線Ax所示的狀態(tài)。又，磁頭例如從位置P3以箭頭B的方向相對磁盤10x1移動到位置P4時，磁頭的輸出信號的輸出電平為點(diǎn)劃線Bx所示的狀態(tài)。結(jié)果，由以往的磁盤10x1的伺服圖形Ps1、Ps2得到的PES為該圖中的點(diǎn)劃線所示的特性。
這時，從磁頭3位于位置P0(本例中磁道中心)的狀態(tài)移向箭頭C方向時，以往的磁盤10x1中，根據(jù)PES檢測磁頭的位置，可檢測范圍為從位置P0到位置Pxc的范圍。與之相對。磁盤10B中，控制部6根據(jù)PES在從位置P0到位置Pbc的寬范圍內(nèi)可檢測磁頭3的位置。另外，當(dāng)磁頭3從位置P0移向箭頭D的方向時，以往的磁盤10x1中，基于PES可檢測磁頭3的位置的范圍為從位置P0到位置Pxd的范圍。與之相對，磁盤10B中，控制部6根據(jù)PES在從位置P0到位置Pbd的寬范圍內(nèi)可檢測磁頭3的位置。因此，在磁頭10B中，即使是磁頭3從磁道中心有大的位置偏離，也能根據(jù)PES檢測其位置，使循跡所要的磁道。
又，磁盤10B中，如前所述，形成數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sb，使磁頭3的寬度Wr、沿?cái)?shù)據(jù)磁道圖形40t中的凸部40a的半徑方向的形成間距(磁道間距Tp)、及沿形成在第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b的凸部40a的半徑方向的長度L21(本發(fā)明的“BW”)，滿足“(1-M)·Tp/N+BW≤Wr≤(3·M-1)·Tp/N-BW”的條件式的關(guān)系。因此，磁盤10B中不由數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sb中的各部分的長度唯一決定重放用元件Rb的寬度Wr，而可能比較自由地規(guī)定重放用元件Rb的寬度Wr。換言之，與以往的磁盤10x1不同，有可能規(guī)定數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sb中的各部分的長度，而不根據(jù)磁頭3中的重放用元件Rb的寬度Wr唯一地決定。
具體如圖19所示，沿形成在第1分段區(qū)域Ab1b的凸部40a的半徑方向的形成間距即長度L22，為磁道間距Tp的2倍長度(“(M/N)·Tp·2”)。這時，長度L22為與前述的長度L20(沿本發(fā)明的規(guī)定范圍的半徑方向的長度)等長度。因此，磁盤10B中，分段圖形BP1b、BP2b…的半徑方向上的中心C1b、C2b，在長度L22的范圍內(nèi)以磁盤間距Tp的1/2的長度間隔(以“(1/N)·磁道間距”的間隔)就只存在4個(“(2·M)個”)。具體地說，第1分段區(qū)域Ab1b～第4分段區(qū)域Ab4b內(nèi)的各凸部40a、40a…(分段信號單位部)在其半徑方向的兩端側(cè)使存在分段圖形BP1b、BP2b…的中心C1b、C2b地形成。從而，例如在第1分段區(qū)域Ab1b中，沿凸部40a的半徑方向的形成間距即上述長度L22的范圍內(nèi)，存在2個分段圖形BP1b、BP1b的半徑方向的中心C1b、C1b。另在長度L22的范圍內(nèi)存在2組(M組)分段圖形BP1b、BP2b的半徑方向上的中心C1b、C2b，即4個(“(2·M)個”)中心C1b、C2b。
因此，磁頭10B中，例如沿根據(jù)1個分段圖形BP1b得到的PES對磁頭3應(yīng)作循跡伺服控制的范圍的半徑方向的長度L26，為上述長度L22的1/4長度(“1/(2·M)”)。這時，該長度L26等于磁道間距Tp的1/2的長度(“(M/N)·Tp·2/(2·M)＝(1/N)·Tp”)，磁盤10B中，磁道間距Tp的1/2的長度為與數(shù)據(jù)記錄磁道的寬度和磁道間凹部寬度相等的長度L26。即是說，磁盤10B中，根據(jù)分段圖形BP1b得到的PES對磁頭3應(yīng)作循跡伺服控制的范圍，為與數(shù)據(jù)記錄磁道的寬度和磁道間凹部寬度相等的長度L26的范圍內(nèi)。另外，包含形成在第1分段區(qū)域Ab1b的凸部40a的端部的端部區(qū)域，與包含形成在第2分段區(qū)域Ab2b的凸部40a端部的端部區(qū)域在半徑方向上重合的長度L24，是從凸部40a的長度L21減去上述長度L22的1/2長度后的長度(“BW-(M/N)·Tp”)，這與長度L21減去磁道間距Tp后的長度相等。
這時，在重放用元件Rb位于應(yīng)循跡伺服控制的范圍(長度L26)的一方端部即位置P5的狀態(tài)(重放用元件Rb的寬度方向的中心重疊于位置P5的狀態(tài))下，當(dāng)重放用元件Rb的寬度Wr比圖中所示寬度Wr1b來得小時，重放用元件Rb的端部與形成在第1分段區(qū)域Ab1b中的凸部40a的端部之間，在半徑方向(循跡伺服控制方向)上產(chǎn)生間隙。這個間隙就是不靈敏帶，所以重放用元件Rb的寬度Wr大于等于圖示的寬度Wr1b是必要的。寬度Wr1b如該圖中所示，為長度L24a與長度L26a之和的2倍長度。這時，長度L24a是上述長度L24的1/2長度，長度L26a是上述長度L26的1/2長度(“Tp/(2·N)”)。也就是，寬度Wr1b的1/2長度，是上述長度L21減去磁道間距Tp后的長度(上述長度L24)的1/2長度(長度L24a“BW/2-(M/N)·Tp/2”)與磁道間距Tp的1/2長度(上述的長度L26)的1/2長度(長度L26a“Tp/(2·N)”)的和，即，是長度L21的1/2長度減去磁道間距Tp的1/4長度后的長度(“(1-M)·Tp/(2·N)+BW/2)。因此，寬度Wr1b為長度L21(BW)減去磁道間距Tp的1/2長度(“(M-1)·Tp/N”)后的長度，這個長度與本發(fā)明的條件式中的“(1-M)·Tp/N+BW”)一致。
另一方面，在重放用元件Rb位于應(yīng)循跡伺服控制的范圍(長度L26)的另一端部即位置P6的狀態(tài)(重放用元件Rb的寬度方向的中心重疊于位置P6的狀態(tài))下，當(dāng)重放用元件Rb的寬度Wr比圖中所示寬度Wr2b來得大時，重放用元件Rb的端部在形成在第1分段區(qū)域Ab1b的相鄰?fù)共?0a側(cè)突出在半徑方向(循跡伺服控制方向)上。這個突出量即是不靈敏帶，所以重放用元件Rb的寬度Wr小于等于圖示的寬度Wr2b是必要的。寬度Wr2b為上述長度L22減去長度L21后的長度L27(“(M/N)·Tp·2-BW”)再減去長度L28后的長度的2倍長度。這時，長度L28是上述長度L26的1/2長度減去長度L24a后的長度，也就是，從磁道間距Tp的1/2長度即長度L26的1/2長度(“Tp/(2·N)”)，減去長度L24a(“BW/2-(M/N)·Tp/2…”)后的長度。即，寬度Wr2b的1/2長度，為上述長度L27減去磁道間距Tp的1/4長度(“Tp/(2·N)”)后的長度與上述長度L24a之和的長度(“(3·M-1)·Tp/(2·N)-BW/2”)。因此，寬度Wr2b為磁道間距Tp的5/2長度(“(3·M-1)·Tp/N”)減去長度L21(BW)后的長度，這個長度與本發(fā)明的條件式中的“(3·M-1)·Tp/N-BW”一致。
如上所述，磁盤10B規(guī)定磁道間距Tp、長度L26，使?jié)M足與“(1-M)·Tp/N+BW≤Wr≤(3·M-1)·Tp/N-BW”一致的條件。因此，對于從上述規(guī)定的寬度Wr1b至寬度Wr2b的各種寬度Wr的重放用元件Rb，磁盤10B不產(chǎn)生不靈敏帶而確定磁盤10B上的磁頭3(重放用元件Rb)的位置成為可能。這時，磁盤10B中，在分段圖形區(qū)域Abb中形成分段圖形BP1b、BP2b…，使沿分段圖形BP1b、BP2b…的半徑方向上的各中心C1b、C2b…的半徑方向的間隔為(1/2)·磁道間距Tp(“(1/N)·磁道間距”中N＝2的例)。因此，與上述的磁盤10A相同，重放用元件Rb的寬度Wr即使比磁道間距Tp來得小時，也能不產(chǎn)生不靈敏帶，而確定磁盤10B上的磁頭3(重放用元件Rb)的位置。因此，根據(jù)需要，通過用寬度Wr比磁道間距Tp來得小的重放用元件Rb，就可能避免旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。
另外，磁盤10B中，取沿各分段圖形BP1b、BP2b…的半徑方向的形成間距為(1/2)·磁道間距Tp(“(1/N)·磁道間距”中的“N”為“大于等于2的自然數(shù)”即“2”的例)。因此，與前述的磁盤10A同樣，即使對任一個數(shù)據(jù)記錄磁道，也可能容易地實(shí)行根據(jù)PES值使重放用元件Rb位于其磁道中心的處理。又，通過使沿各分段圖形BP1b、BP1b…的半徑方向的中心C1b、C1b…與磁道中心一致，可能確定PES值為“0”時重放用元件Rb位于磁道中心上。這樣，與磁盤10A同樣，可以不要復(fù)雜的處理且容易使重放用元件Rb位于磁道中心上。
這樣，根據(jù)磁頭10B和硬盤驅(qū)動器1，沿旋轉(zhuǎn)方向形成M組(本例中為2組)具有由凸部40a(記錄區(qū)域)構(gòu)成的2類分段信號單位部的分段圖形BP1b、BP2b…，同時，在從內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的各區(qū)域中的至少一部分(本例中為全部)，通過形成各分段信號單位部，使包含形成在第1分段區(qū)域Ab1b和第2分段區(qū)域Ab2b中的凸部40a、40a的半徑方向上相對的兩端部的端部區(qū)域，在半徑方向上重合，同時，包含形成在第3分段區(qū)域Ab3b和第4分段區(qū)域Ab4b中的凸部40a、40a的半徑方向上相對的兩端部的端部區(qū)域，在半徑方向上重合，從而能充分?jǐn)U展基于PES的磁頭3(重放用元件Rb)的位置檢測的可檢測帶域，結(jié)果，即使對應(yīng)分段圖形BP1b、BP2b，磁頭3輸出的輸出信號因噪聲發(fā)生變動，也能可靠地檢測磁頭3的位置偏移，實(shí)行正確的循跡伺服控制。另外，與只有1組的分段圖形(“M＝1”)的以往的磁盤10x1不同，沒有必要使磁頭3中的重放用元件Rb的寬度Wr與磁道間距Tp一致，因此能提高對數(shù)據(jù)磁道圖形40t和伺服圖形40sb的設(shè)計(jì)自由度。另外，與雖然具有2組(“M＝2”)分段圖形但各分段圖形的半徑方向的各中心以與磁道間距相等的間隔配置的以往的磁盤10x2不同，沒有必要使重放用元件Rb的寬度Wr比磁道間距Tp來得寬，因此能充分抑制旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。
又，根據(jù)搭載磁盤10B的硬盤驅(qū)動器1，通過形成磁盤10B的分段圖形BP1b、BP2b，使得滿足本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)應(yīng)滿足的“(1-M)·Tp/N+BW≤Wr≤(3·M-1)·Tp/N-BW”的條件，使用具有適合上述條件的寬度Wr的重放用元件Rb的磁頭3，能使不產(chǎn)生對分段圖形的不靈敏帶，充分?jǐn)U展基于PES的磁頭3的檢測位置的可檢測帶域，可能實(shí)行正確的循跡伺服控制。這時，與以往的磁盤10x1不同，不由重放用元件Rb的寬度唯一地規(guī)定磁道間距Tp或沿分段信號單位部(凸部40a)的半徑方向的長度L21，因此能提高對數(shù)據(jù)磁道圖形和伺服圖形的設(shè)計(jì)自由度。這樣一來，能根據(jù)提高磁道密度或避免旁讀現(xiàn)象等的目的，適當(dāng)變更磁道間距Tp或沿分段信號單位部(凸部40a)的半徑方向的長度L21。另外，與以往的磁盤10x2不同，不必使重放元件Rb的寬度Wr比磁道間距Tp來得寬，因此能充分抑制旁讀現(xiàn)象的發(fā)生。這樣一來，能提供搭載可高密度記錄而且難以產(chǎn)生重放誤差的磁盤10B的硬盤驅(qū)動器1。
又，根據(jù)本發(fā)明的壓印模30，通過包括具有對應(yīng)于磁盤10B的凹凸圖形40的凹部40b、40b…(非記錄區(qū)域)形成的凸部39a、39a…，與對應(yīng)于磁盤10B的凹凸圖形40的凸部40a、40a…(記錄區(qū)域)形成的凹部39b、39b…的凹凸圖形39，能利用壓印法等容易制造充分?jǐn)U展基于PES的磁頭3的位置檢測的可檢測帶域，具有分段圖形BP1b、BP2b的磁盤10B。
另外，本發(fā)明不限于上述構(gòu)成。例如上述的磁盤10A中，形成作為本發(fā)明的M組分段圖形的2組分段圖形BP1a、BP2a，磁盤10B中，形成2組分段圖形BP1b、BP2b，但M的值不限于“2”，也可以大于等于3。同樣，對于規(guī)定本發(fā)明中的各分段圖形的半徑方向的中心間距離(中心存在的間隔)的“1/N·磁道間距”中的“N”，也不限定上述磁盤10A、10B那樣的“2”，可選擇大于等于“3”的自然數(shù)。又在上述磁盤10A、、10B中，形成分段圖形使本發(fā)明的一方分段信號單位部與另一方分段信號單位部在旋轉(zhuǎn)方向上相分離，但，不一定必須使兩分段信號單位部在旋轉(zhuǎn)方向上分開，可形成分段圖形使兩分段信號單位部在旋轉(zhuǎn)方向上相接(在旋轉(zhuǎn)方向上不重疊地形成的另一例)。
另外，在上述磁盤10A、10B中，用磁性層14(磁性材料)形成從凹凸圖形40中的凸部40a的突端部(磁盤10A、10B的表面?zhèn)?到基端部的全部，但構(gòu)成本發(fā)明中的圖形的記錄區(qū)域和非記錄區(qū)域的構(gòu)成不限于此。具體地說，如圖20所示的磁盤10C那樣，通過形成厚度薄的磁性層14使覆蓋形成在玻璃基材11上的凹凸圖形(凹凸的位置關(guān)系與凹凸圖形40相同的凹凸圖形)，能利用其表面由磁性材料形成的多個凸部40a(記錄區(qū)域)，底面由磁性材料形成的多個凹部40b(非記錄區(qū)域)構(gòu)成相當(dāng)于本發(fā)明的圖形的凹凸圖形40。另外，如圖21所示磁盤10D那樣，不僅凸部40a(記錄區(qū)域)而且包含凹部40b(非記錄區(qū)域)的底部都由磁性層14形成，也可構(gòu)成相當(dāng)本發(fā)明的圖形的凹凸圖形40。另外，可具備由磁性層14僅形成凹凸圖形40中的凸部40a的突端部(磁記錄介質(zhì)的表面?zhèn)葓D中的上端部)，基端部側(cè)由非磁性材料或軟磁性材料等形成的凸部40a、40a…(記錄區(qū)域)，構(gòu)成相當(dāng)于本發(fā)明的圖形的凹凸圖形40(未圖示)。這樣，利用凹凸圖形形成本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域和非記錄區(qū)域時，通過由磁性材料形成構(gòu)成記錄區(qū)域的凸部的至少突端部，就可比非記錄區(qū)域充分提高可讀出并保持磁信號的能力。
此外，雖對利用壓印法將壓印模30的凹凸圖形39復(fù)印到中間體20的樹脂層18上，用凹凸圖形41形成凹凸圖形42，同時，以形成的凹凸圖形42作為掩模通過蝕刻處理磁性層14，形成具有凸部40a(記錄區(qū)域)和凹部40b(非記錄區(qū)域)的凹凸圖形40的磁盤10A、10B，作了說明，但本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法和構(gòu)成不限于此。例如，通過在用可能讀出并保持磁信號的能力低的各種材料，或?qū)嵸|(zhì)上沒有該能力的各種材料(作為一例，非磁性材料)形成的層上，形成使凹凸位置關(guān)系與上述的凹凸圖形40反轉(zhuǎn)的凹凸圖形(凸部用非磁性材料等構(gòu)成的凹凸圖形)，在該凹凸圖形的凹部內(nèi)埋入可能讀出并保持磁信號的能力高的各種材料(作為一例，磁性材料)，能構(gòu)成磁記錄介質(zhì)(未圖示)。這時，根據(jù)該制造方法制造的磁記錄介質(zhì)中，形成在非磁性材料等的層中的凹凸圖形(使凹凸位置關(guān)系與上述磁盤10A、10B的凹凸圖形40反轉(zhuǎn)的凹凸圖形)中的凸部的形成區(qū)域相當(dāng)于本發(fā)明的非記錄區(qū)域，該凹凸圖形中的凹部形成區(qū)域(埋入磁性材料的區(qū)域)相當(dāng)于本發(fā)明的記錄區(qū)域。
另外，在制造形成在非磁性材料的層中的凹凸圖形的凹部內(nèi)埋入磁性材料的磁記錄介質(zhì)時，將凹凸圖形形成在非磁性材料等的層中時，通過用具有使凹凸位置關(guān)系與前述的壓印模30的凹凸圖形39反轉(zhuǎn)的凹凸圖形的壓印模(未圖示)，只要用壓印法形成掩模圖形就行。這時，該壓印模(具有使凹凸圖形位置關(guān)系與前述凹凸圖形39反轉(zhuǎn)的凹凸圖形的壓印模)是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)制造用的壓印模的又一例，對應(yīng)于作為本發(fā)明的“任一方區(qū)域“的記錄區(qū)域(埋入磁性材料的區(qū)域)，形成凸部，同時，對應(yīng)于作為本發(fā)明的“任一個另一方區(qū)域“的非記錄區(qū)域(形成在非磁性材料等的層中的凹凸圖形中的凸部形成區(qū)域)，形成凹部。
另外，上述磁盤10A、10B中，利用具有多個同心圓形狀或螺旋形狀的凸部40a(記錄區(qū)域)的凹凸圖形40，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)域At形成數(shù)據(jù)磁道圖形40t，但本發(fā)明不限于此，能適用于構(gòu)成數(shù)據(jù)磁道圖形的數(shù)據(jù)記錄磁道的記錄區(qū)域在磁記錄介質(zhì)的周圍方向使得夾非記錄區(qū)域互相分離的構(gòu)圖的介質(zhì)。另外，作為通過將各種記錄數(shù)據(jù)磁寫入到由連續(xù)磁性層構(gòu)成的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域形成數(shù)據(jù)磁道圖形的磁記錄介質(zhì)，能適用于由具有記錄區(qū)域和非記錄區(qū)域的圖形(例如上述凹凸圖形40)形成伺服圖形的磁記錄介質(zhì)。另外，通過利用離子照射使基材上形成的連續(xù)磁性層的磁特性部分地起變化，能在連續(xù)磁性層上形成具有本發(fā)明的記錄區(qū)域與非記錄區(qū)域的圖形，構(gòu)成磁記錄介質(zhì)(未圖示)。此外，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，不限于磁盤10A、10B那樣的垂直記錄方式的磁記錄介質(zhì)，也可適用于面記錄方式的磁記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基材的至少一面中的伺服圖形區(qū)域，用具有記錄區(qū)域與非記錄區(qū)域的圖形形成伺服圖形，同時在該面的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，以規(guī)定的磁道間距形成多個數(shù)據(jù)記錄磁道，形成數(shù)據(jù)磁道圖形，在所述伺服圖形區(qū)域的分段圖形區(qū)域，沿所述基材的旋轉(zhuǎn)方向形成M組的分段圖形，其中M為大于等于2的自然數(shù)，所述各分段圖形，具有距所述數(shù)據(jù)磁道圖形的中心的距離不相同而沿所述基材的半徑方向的長度相等的2類分段信號單位部，而且，沿該半徑方向的長度為(2·M/N)·磁道間距，其中N為大于等于2的自然數(shù)，在其半徑方向側(cè)的兩端與該各分段圖形的該半徑方向上的中心不一致的規(guī)定范圍內(nèi)，在該半徑方向上以(1/N)·磁道間距的間隔，形成該各分段圖形的該半徑方向上的中心，使得存在(2·M)個，所述2類分段信號單位部，該一方分段信號單位部與該另一方分段信號單位部在所述旋轉(zhuǎn)方向上不重疊，而且在所述非記錄區(qū)域中分別構(gòu)成同類的該分段信號單位部的所述半徑方向上的中心，使得在該半徑方向上只離開(2·M/N)·磁道間距，同時所述一方的分段信號單位部的所述半徑方向上的中心與所述另一方的分段信號單位部的所述半徑方向上的中心，在該半徑方向上只離開(M/N)·磁道間距，而且，在從所述基材的內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的各區(qū)域中至少一部分中，形成所述一方分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的所述另一方的分段信號單位部側(cè)的端部與該另一方的分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的該一方的分段信號單位部側(cè)的端部，使得在該半徑方向上通過所述記錄區(qū)域隔開。
2一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基材的至少一面中的伺服圖形區(qū)域，用具有記錄區(qū)域與非記錄區(qū)域的圖形形成伺服圖形，同時在該面的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，以規(guī)定的磁道間距形成多個數(shù)據(jù)記錄磁道，形成數(shù)據(jù)磁道圖形，在所述伺服圖形區(qū)域的分段圖形區(qū)域，沿所述基材的旋轉(zhuǎn)方向形成M組的分段圖形，其中M為大于等于2的自然數(shù)，所述各分段圖形，具有距所述數(shù)據(jù)磁道圖形的中心的距離不相同而沿所述基材的半徑方向的長度相等的2類分段信號單位部，而且，沿該半徑方向的長度為(2·M/N)·磁道間距，其中N為大于等于2的自然數(shù)，在其半徑方向側(cè)的兩端與該各分段圖形的該半徑方向上的中心不一致的規(guī)定范圍內(nèi)，在該半徑方向上以(1/N)·磁道間距的間隔，形成該各分段圖形的該半徑方向上的中心，使得存在(2·M)個，所述2類分段信號單位部，該一方分段信號單位部與該另一方分段信號單位部在所述旋轉(zhuǎn)方向上不重疊，而且在所述記錄區(qū)域中分別構(gòu)成同類的該分段信號單位部的所述半徑方向上的中心，使得在該半徑方向上只離開(2·M/N)·磁道間距，同時所述一方的分段信號單位部的所述半徑方向上的中心與所述另一方的分段信號單位部的所述半徑方向上的中心，在該半徑方向上只離開(M/N)·磁道間距，而且，在從所述基材的內(nèi)周側(cè)區(qū)域到外周側(cè)區(qū)域的各區(qū)域中至少一部分中，形成包含所述一方分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的所述另一方的分段信號單位部側(cè)的端部的端部區(qū)域與包含該另一方的分段信號單位部中的所述半徑方向側(cè)的兩端部中的該一方的分段信號單位部側(cè)的端部的端部區(qū)域，使得在所述半徑方向上重合。
3一種記錄重放裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，從該磁記錄介質(zhì)中的所述分段圖形區(qū)域讀取循跡伺服控制用的控制信號的磁頭，以及根據(jù)經(jīng)該磁頭讀取的所述控制信號實(shí)行所述循跡伺服控制的控制部，所述磁記錄介質(zhì)，形成所述各分段圖形，使得在設(shè)所述磁頭的重放頭寬度為Wr，設(shè)沿所述各分段信號單位部的所述半徑方向的長度為BW，設(shè)所述磁道間距為Tp時，滿足條件(M+1)·Tp/N-BW≤Wr≤(M-1)·Tp/N+BW。
4一種記錄重放裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，從該磁記錄介質(zhì)中的所述分段圖形區(qū)域讀取循跡伺服控制用的控制信號的磁頭，以及根據(jù)經(jīng)該磁頭讀取的所述控制信號實(shí)行所述循跡伺服控制的控制部，所述磁記錄介質(zhì)，形成所述各分段圖形，使得在設(shè)所述磁頭的重放頭寬度為Wr，設(shè)沿所述各分段信號單位部的所述半徑方向的長度為BW，設(shè)所述磁道間距為Tp時，滿足條件(1-M)·Tp/N+BW≤Wr≤(3·M-1)·Tp/N-BW。
5一種磁記錄介質(zhì)制造用壓印模，其特征在于，形成具有對應(yīng)于權(quán)利要求1所述磁記錄介質(zhì)中的所述圖形的所述記錄區(qū)域和所述非記錄區(qū)域中的一方區(qū)域形成的凸部以及對應(yīng)于所述磁記錄介質(zhì)中的所述圖形中的另一方區(qū)域形成的凹部的凹凸圖形。
6一種磁記錄介質(zhì)制造用壓印模，其特征在于，形成具有對應(yīng)于權(quán)利要求2所述磁記錄介質(zhì)中的所述圖形的所述記錄區(qū)域和所述非記錄區(qū)域中的一方區(qū)域形成的凸部以及對應(yīng)于所述磁記錄介質(zhì)中的所述圖形中的另一方區(qū)域形成的凹部的凹凸圖形。
全文摘要
本發(fā)明提供能提高圖形設(shè)計(jì)的自由度并擴(kuò)展可檢測帶域的磁記錄介質(zhì)。2組(M組)分段圖形BP1a、BP2a，具有距數(shù)據(jù)磁道圖形40t的中心的距離不相同而半徑方向的長度L11相等的2類分段信號單位部(凹部40b)，而且，長度L10為(2·M/N)·磁道間距，在兩端與各分段圖形BP1a、BP2a…的中心C1a、C2a…不一致的范圍內(nèi)，以(1/N)·磁道間距的間隔形成中心C1a、C2a…，使存在4個(2·M)個，2類分段信號單位部在兩分段信號單位部在旋轉(zhuǎn)方向上不重疊，半徑方向上的中心之間使在該半徑方向上只離開2/2((M/N))·磁道間距，而且在兩分段信號單位部的半徑方向上相對的端部之間在半徑方向上相分離。
文檔編號G11B5/596GK1822095SQ200610008840
公開日2006年8月23日 申請日期2006年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月16日
發(fā)明者海津明政, 添野佳一, 森谷誠 申請人:Tdk股份有限公司