專利名稱：光盤(pán)裝置和光盤(pán)的最佳記錄功率值決定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光盤(pán)裝置和光盤(pán)的最佳記錄功率值決定方法，特別涉及由激光在具有多層構(gòu)造的光盤(pán)上進(jìn)行信息的記錄時(shí)，對(duì)各層的數(shù)據(jù)區(qū)域求出最佳的記錄功率值，以該最佳記錄功率值來(lái)記錄信息的光盤(pán)裝置，以及求出在上述具有多層構(gòu)造的光盤(pán)上記錄信息時(shí)的最佳記錄激光功率的光盤(pán)的最佳記錄功率值決定方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，在光盤(pán)領(lǐng)域中，可記錄信息的各種光盤(pán)不斷增加，有多種數(shù)字多用途光盤(pán)(DVDDigital Versatile Disk)正在銷售(例如，DVD-R等追記型光盤(pán)和DVD-RW、DVD-RAM等改寫(xiě)型光盤(pán)等)。還有光盤(pán)的記錄層的構(gòu)造不同的光盤(pán)。例如，目前是單層記錄層的光盤(pán)正在向具有可從單面?zhèn)裙鈱W(xué)性地記錄重放信息信號(hào)的2個(gè)記錄層的單面2層構(gòu)造的光盤(pán)發(fā)展，記錄層的多層化不到推進(jìn)，光盤(pán)的構(gòu)造更加復(fù)雜了。
不過(guò)，如果記錄層為多層構(gòu)造，可以預(yù)料記錄容量會(huì)比現(xiàn)在增大，對(duì)于以大容量化為目標(biāo)的光盤(pán)非常有用。在包含這種單面2層構(gòu)造的光盤(pán)的記錄層多層化了的光盤(pán)中，對(duì)于有關(guān)信息的記錄進(jìn)行追記或改寫(xiě)的場(chǎng)合，多層構(gòu)造的光盤(pán)也必須進(jìn)行在單層的光盤(pán)中進(jìn)行的各種記錄時(shí)的設(shè)定。該設(shè)定之一可以舉出設(shè)定進(jìn)行信息的記錄的激光輸出的最佳記錄功率值。
把對(duì)具有多層構(gòu)造的光盤(pán)的記錄時(shí)的激光輸出設(shè)定為最佳記錄功率值的理由是，與單層的光盤(pán)的場(chǎng)合相同，在記錄信息時(shí)不進(jìn)行照射的激光的最佳記錄功率控制(OPCOptimum Power Control)的話，在進(jìn)行了信息的記錄后，重放在光盤(pán)上記錄了的信息時(shí)，跳動(dòng)就會(huì)變大，存在不能進(jìn)行正確的信息重放的可能性。
因此，在重放記錄了的信息時(shí)，為了極力抑制上述跳動(dòng)而進(jìn)行正確的重放，必須按照寫(xiě)入信息的數(shù)據(jù)區(qū)域的特性，把激光束控制為最佳記錄功率。并且，根據(jù)控制記錄的發(fā)光功率(記錄功率)是對(duì)于抑制重放跳動(dòng)非常有效的方法之一這一點(diǎn)來(lái)控制最佳記錄功率值。
然而，在具有多層構(gòu)造的光盤(pán)中，與單層構(gòu)造的光盤(pán)相比，在信息的記錄前具有不同的特性，各層的記錄狀態(tài)會(huì)對(duì)其它層的記錄功率帶來(lái)影響，因而對(duì)于求出最佳記錄功率的方法，必須使用與現(xiàn)有單層構(gòu)造的光盤(pán)的求出最佳記錄功率值的方法不同的方法。
對(duì)此，以前已經(jīng)提出了以下光盤(pán)裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)1，2)為了對(duì)具有多個(gè)記錄層的多層記錄介質(zhì)的各記錄層用恰當(dāng)功率的光束進(jìn)行記錄、重放或刪除，對(duì)各半徑位置的各信息軌跡中的每一個(gè)進(jìn)行試寫(xiě)動(dòng)作，檢查其重放信號(hào)，從而求出對(duì)各信息軌跡的信息的記錄、刪除、重放動(dòng)作最佳的光束的條件。
專利文獻(xiàn)1記載了以下構(gòu)成的光盤(pán)裝置在多層記錄介質(zhì)的基準(zhǔn)層(例如離光頭最近的記錄層或最遠(yuǎn)的記錄層)上，對(duì)于多個(gè)試寫(xiě)區(qū)域中的每一個(gè)，用分步依次變更了記錄功率的光束連續(xù)寫(xiě)入最小記號(hào)之后，對(duì)其進(jìn)行重放，把重放信號(hào)振幅為最大時(shí)的記錄功率作為最佳記錄功率存放在存儲(chǔ)器中。此后，在基準(zhǔn)層以外的記錄層上，把位于與上述基準(zhǔn)層的多個(gè)試寫(xiě)區(qū)域之一的試寫(xiě)區(qū)域相同的半徑位置的區(qū)域作為試寫(xiě)區(qū)域，與基準(zhǔn)層同樣地求出最佳記錄功率之后，根據(jù)該最佳記錄功率和位于與試寫(xiě)區(qū)域相同的半徑位置的基準(zhǔn)層的試寫(xiě)區(qū)域上的最佳記錄功率來(lái)求出靈敏度系數(shù)，用該靈敏度系數(shù)來(lái)求出各半徑位置的區(qū)域的最佳記錄功率，對(duì)基準(zhǔn)層以外的所有記錄層都這樣進(jìn)行。
還有，專利文獻(xiàn)2記載了以下光盤(pán)裝置在各記錄層中，把記錄信息的數(shù)據(jù)區(qū)域和在信息的記錄時(shí)用于決定激光束的發(fā)光功率的最佳記錄功率值的試寫(xiě)區(qū)域分別設(shè)置在不同的位置，在與記錄信息的數(shù)據(jù)區(qū)域同層的試寫(xiě)區(qū)域上進(jìn)行記錄功率的試寫(xiě)，求出最佳記錄功率值。還有，專利文獻(xiàn)2還記載了以下光盤(pán)裝置只在多層構(gòu)造的記錄面的一層上設(shè)置數(shù)據(jù)區(qū)域和試寫(xiě)區(qū)域，在其它層上僅設(shè)置數(shù)據(jù)區(qū)域，在光盤(pán)上記錄信息時(shí)，在具有數(shù)據(jù)區(qū)域和試寫(xiě)區(qū)域這2個(gè)區(qū)域的層的試寫(xiě)區(qū)域上進(jìn)行記錄功率的試寫(xiě)，求出最佳記錄功率值，根據(jù)該最佳記錄功率值來(lái)求出只有數(shù)據(jù)區(qū)域的層的最佳記錄功率值。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)平11-3550號(hào)公報(bào)(摘要，圖3)專利文獻(xiàn)2特開(kāi)2000-311346號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求1，5，圖4，圖8等)發(fā)明內(nèi)容發(fā)明打算解決的課題此處，對(duì)于具有多層構(gòu)造的光盤(pán)的主要特征進(jìn)行敘述，在多層構(gòu)造的光盤(pán)中，也有記錄層重疊了幾層的情況，位于更上位的記錄層(靠近物鏡的一方的記錄層)的反射率被抑制得很低。還有，為了使激光到達(dá)下位的層的記錄層上，位于更上位的記錄層的透過(guò)率設(shè)定得高。
在記錄層上記錄信息信號(hào)的話，記錄層的折射率就會(huì)變化，還有，由于記錄層的熱吸收，記錄膜形狀就會(huì)變化等，這樣，上述透過(guò)率在記錄前后就會(huì)變化，因而會(huì)對(duì)下位的記錄層的記錄功率帶來(lái)影響。
然而，在上述專利文獻(xiàn)1記載的現(xiàn)有光盤(pán)裝置中，在基準(zhǔn)層和此外的記錄層上使用了位于相同半徑位置的試寫(xiě)區(qū)域，因而隨靠近物鏡的一方的記錄層(上位的記錄層)的記錄狀態(tài)(記錄或未記錄，在記錄了的場(chǎng)合是記錄功率)的不同，其它層的透過(guò)率就會(huì)不同，因而要記錄的層的最佳記錄功率就會(huì)變化，這是存在的問(wèn)題。
還有，在上述專利文獻(xiàn)2記載的現(xiàn)有光盤(pán)裝置中，因?yàn)槊看螌?duì)于各層進(jìn)行記錄時(shí)都要執(zhí)行試寫(xiě)(OPCOptimum Power Control)，該試寫(xiě)花費(fèi)時(shí)間，另一方面，進(jìn)行試寫(xiě)(OPC)的只是一個(gè)記錄層，其它記錄層全部作為數(shù)據(jù)區(qū)域而省略了試寫(xiě)(OPC)，其它記錄層上的最佳記錄功率發(fā)生誤差的可能性大，這是存在的問(wèn)題。
本發(fā)明是鑒于以上情況而提出的，目的在于提供一種在具有可追記或改寫(xiě)的多層構(gòu)造的光盤(pán)上進(jìn)行信息的記錄的場(chǎng)合，能節(jié)約試寫(xiě)區(qū)域(OPC區(qū)域)，增加可追記的次數(shù)，并且縮短試寫(xiě)所要時(shí)間的光盤(pán)裝置和光盤(pán)的最佳記錄功率值決定方法。
用于解決課題的技術(shù)方案為了達(dá)到上述目的，在本發(fā)明的光盤(pán)裝置中，對(duì)于在來(lái)自光頭的激光束的照射方向?qū)臃e了從單面?zhèn)瓤晒鈱W(xué)性地記錄重放信息信號(hào)的多個(gè)記錄層，在多個(gè)記錄層中的每一個(gè)上設(shè)置了記錄信息信號(hào)的數(shù)據(jù)區(qū)域和用于決定在信息信號(hào)的記錄時(shí)激光束的發(fā)光功率的最佳記錄功率值的試寫(xiě)區(qū)域的多層構(gòu)造的光盤(pán)，在以決定了的最佳記錄功率值進(jìn)行信息信號(hào)的記錄，進(jìn)行記錄信息信號(hào)的重放時(shí)，在對(duì)光盤(pán)的信息信號(hào)的記錄為第1次時(shí)，對(duì)多個(gè)記錄層的各試寫(xiě)區(qū)域依次記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，按每個(gè)記錄層求出、存儲(chǔ)激光束的發(fā)光功率的第1次最佳記錄功率值，在對(duì)光盤(pán)的信息信號(hào)的記錄為第2次及以后時(shí)，對(duì)多個(gè)記錄層中的離光頭最近的第1層的記錄層的試寫(xiě)區(qū)域記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，求出第1層的第2次及以后的最佳記錄功率值，對(duì)第1層的第2次及以后的最佳記錄功率值乘以其它記錄層的第1次最佳記錄功率值對(duì)第1層的第1次最佳記錄功率值的比率來(lái)求出第1層以外的其它記錄層的第2次及以后的最佳記錄功率值。
還有，本發(fā)明的光盤(pán)的最佳記錄功率值決定方法，是對(duì)于在來(lái)自光頭的激光束的照射方向?qū)臃e了從單面?zhèn)瓤晒鈱W(xué)性地記錄重放信息信號(hào)的多個(gè)記錄層，在多個(gè)記錄層中的每一個(gè)上設(shè)置了記錄信息信號(hào)的數(shù)據(jù)區(qū)域和用于決定在信息信號(hào)的記錄時(shí)激光束的發(fā)光功率的最佳記錄功率值的試寫(xiě)區(qū)域的多層構(gòu)造的光盤(pán)，決定激光束的發(fā)光功率的最佳記錄功率值的光盤(pán)的最佳記錄功率值決定方法，包括判定對(duì)光盤(pán)的信息信號(hào)的記錄是第1次還是第2次及以后的第1步驟；在對(duì)光盤(pán)的信息信號(hào)的記錄為第1次時(shí)，對(duì)多個(gè)記錄層的各試寫(xiě)區(qū)域依次記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，按每個(gè)記錄層求出、存儲(chǔ)激光束的發(fā)光功率的第1次最佳記錄功率值的第2步驟；以及在對(duì)光盤(pán)的信息信號(hào)的記錄為第2次及以后時(shí)，對(duì)多個(gè)記錄層中的離光頭最近的第1層的記錄層的試寫(xiě)區(qū)域記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，求出第1層的第2次及以后的最佳記錄功率值，對(duì)第1層的第2次及以后的最佳記錄功率值乘以其它記錄層的第1次最佳記錄功率值對(duì)第1層的第1次最佳記錄功率值的比率來(lái)求出第1層以外的其它記錄層的第2次及以后的最佳記錄功率值的第3步驟。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，用于求出使用了層積了的多個(gè)記錄層中的離光頭最近的第1層以外的記錄層的試寫(xiě)區(qū)域的最佳記錄功率值的試驗(yàn)信號(hào)的記錄重放(OPC的執(zhí)行)只在由光盤(pán)裝置最初進(jìn)行記錄的場(chǎng)合進(jìn)行，從而降低了第1層以外的記錄層的試驗(yàn)信號(hào)記錄重放次數(shù)，因而能對(duì)第1層的記錄層的試寫(xiě)區(qū)域確保比其它記錄層的試寫(xiě)區(qū)域大的范圍，能大幅度地增大用于求出最佳記錄功率值的次數(shù)(OPC次數(shù))。
還有，根據(jù)本發(fā)明，從第2次及以后的記錄起，只在第1層的記錄層的試寫(xiě)區(qū)域上進(jìn)行試寫(xiě)，第1層以外的記錄層的最佳功率值根據(jù)對(duì)第1層的記錄層的試寫(xiě)區(qū)域的試寫(xiě)所給出的第1層的記錄層的最佳記錄功率值來(lái)決定，因而不再需要第1層以外的其它層上的用于進(jìn)行試寫(xiě)的切換時(shí)間和其它層上的OPC所需要的時(shí)間，能縮短求出最佳記錄功率值之前的所需時(shí)間。


圖1是本發(fā)明的光盤(pán)裝置的一實(shí)施方式的框圖。
圖2是單面記錄層為2層構(gòu)造的光盤(pán)的一個(gè)例子的剖視圖。
圖3是從上方看到單面記錄層為2層構(gòu)造的光盤(pán)的俯視圖。
圖4是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式中的記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。
圖5是表示本發(fā)明的光盤(pán)的最佳記錄激光功率值決定方法的一實(shí)施方式的處理的流程圖。
圖6是表示記錄功率和跳動(dòng)β的關(guān)系的圖。
圖7是說(shuō)明β的定義的圖。
圖8是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。
圖9是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)的OPC區(qū)域的其它構(gòu)成的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。
圖10是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式中的記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。
圖11是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式中的記錄層為單面3層構(gòu)造的光盤(pán)的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。
圖12是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式中的記錄層為單面3層構(gòu)造的光盤(pán)的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
其次，參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
(第1實(shí)施方式)圖1表示作為本發(fā)明的光盤(pán)裝置的一實(shí)施方式的框圖。該光盤(pán)裝置具有光頭2、激光驅(qū)動(dòng)電路3、伺服電路4、OPC記錄處理部5、編碼電路6、重放信號(hào)處理部7、OPC重放處理部8和系統(tǒng)控制電路9，用于進(jìn)行以下處理根據(jù)由微型計(jì)算機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)控制電路9所涉及的各塊的控制，對(duì)例如具有單面2層構(gòu)造的追記型或改寫(xiě)型光盤(pán)1以最佳記錄功率值來(lái)記錄信息，重放在光盤(pán)1上記錄了的信息。
即，圖1所示的光盤(pán)裝置從光頭2向光盤(pán)1照射激光束，由此從光盤(pán)1反射的反射光由光頭2接受，經(jīng)光電變換而獲得信號(hào)，根據(jù)該信號(hào)，伺服電路4進(jìn)行從光頭2向光盤(pán)1照射的激光束的跟蹤控制、焦點(diǎn)控制、移動(dòng)控制，并且由光頭2內(nèi)的受光元件來(lái)讀取光盤(pán)1的信號(hào)，該讀取信號(hào)經(jīng)重放信號(hào)處理部7進(jìn)行規(guī)定的信號(hào)處理之后，向OPC重放處理部8供給。
另一方面是關(guān)于信息的記錄，為了對(duì)試寫(xiě)信息求出記錄時(shí)的激光束的最佳記錄功率，對(duì)于來(lái)自系統(tǒng)控制電路9的試寫(xiě)信息，由OPC記錄處理部5通過(guò)激光驅(qū)動(dòng)電路3來(lái)驅(qū)動(dòng)控制光頭2內(nèi)的激光器二極管，依次分步使記錄時(shí)的激光功率(記錄功率)變化而進(jìn)行試寫(xiě)。此時(shí)，系統(tǒng)控制電路9決定各層的最佳記錄功率值。
并且，對(duì)于進(jìn)行了試寫(xiě)的記錄試寫(xiě)信息進(jìn)行如下處理根據(jù)來(lái)自光盤(pán)1的反射光，由光頭2內(nèi)的受光元件讀出光盤(pán)1的信號(hào)，該讀取信號(hào)由重放信號(hào)處理部7進(jìn)行規(guī)定的信號(hào)處理之后，由OPC重放處理部8檢出，求出最佳記錄功率值。
求出最佳記錄功率值之后，記錄數(shù)據(jù)10由編碼電路6進(jìn)行編碼，編碼數(shù)據(jù)通過(guò)OPC記錄處理部5被供給激光驅(qū)動(dòng)電路3，再根據(jù)來(lái)自激光驅(qū)動(dòng)電路3的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)光頭2內(nèi)的激光器二極管，用基于最佳記錄功率值的功率向光盤(pán)1照射激光束來(lái)記錄。
其次，說(shuō)明在該光盤(pán)裝置中使用的記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1。圖2是記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的一個(gè)例子的剖視圖。圖3是表示圖2所示的單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的上面的一個(gè)例子的俯視圖。圖4是表示第1實(shí)施方式中的記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的試寫(xiě)區(qū)域(以下稱為OPC區(qū)域)的構(gòu)成的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。
如圖2所示，該光盤(pán)1中，記錄信息的記錄層是層積了第1層20和第2層21的單面2層構(gòu)造。離光頭2近的一方的第1層20和遠(yuǎn)的一方的第2層21的各記錄層之間約40～60μm，還有，從光盤(pán)1的表面到第1層20和第2層21的中間點(diǎn)的距離約0.57mm。并且，第1層20為半透明的記錄層。另外，在各層20、21上分別形成了脊和槽，以各種記錄方式來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
還有，如圖3所示，在第1實(shí)施方式的單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的上面上具有寫(xiě)入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域11；以及在該數(shù)據(jù)區(qū)域11的內(nèi)周側(cè)設(shè)置了用于試寫(xiě)的OPC區(qū)域12a、用于記錄介質(zhì)的種類及記錄方式、記錄次數(shù)等記錄管理信息的記錄管理信息(RMARecording Management Area)區(qū)域12b和用于對(duì)應(yīng)CPRM(Content Protection for Prerecorded Media)的BCA(Burst Cutting Area)區(qū)域12c等的管理區(qū)域12。另外，進(jìn)行試寫(xiě)的OPC區(qū)域根據(jù)記錄介質(zhì)、層構(gòu)造的不同，也稱為PCA(PowerCalibration Area)區(qū)域或DTA(Disc Testing Area)區(qū)域，在本說(shuō)明書(shū)中把它們總稱為OPC區(qū)域。
還有，在第1實(shí)施方式中，對(duì)于具有單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的第1層20和第2層21兩記錄層，如圖4所示，把在信息的記錄時(shí)用于決定激光束的發(fā)光功率(記錄功率)的OPC區(qū)域T1(第1層20)、T2(第2層21)在層積方向不重疊地分別設(shè)置在不同的位置。并且，RMA區(qū)域12b位于OPC區(qū)域T1、T2的外周側(cè)，BCA區(qū)域12c位于RMA區(qū)域12b的外周側(cè)，數(shù)據(jù)區(qū)域11位于BCA區(qū)域12c的外周側(cè)。
圖4所示的第1層20的OPC區(qū)域T1中，例如在光盤(pán)1的半徑方向的寬度約50μm，容量約1600扇區(qū)；第2層21的OPC區(qū)域T2中，在光盤(pán)1的半徑方向的寬度約50μm，容量約1600扇區(qū)。不過(guò)，對(duì)于各個(gè)OPC區(qū)域T1、T2的寬度，只是它們的寬度的合計(jì)的最大值決定了，在本發(fā)明中，可以在該最大值的范圍內(nèi)，分別決定OPC區(qū)域T1、T2的寬度。另外，試寫(xiě)時(shí)，按每1軌跡27扇區(qū)的程度進(jìn)行記錄，不過(guò)，因?yàn)槭荂LV(Constant Linear Velocity)記錄，所以各軌跡的扇區(qū)數(shù)是變化的。
還有，如上所述，第1層20的OPC區(qū)域T1和第2層20的OPC區(qū)域T2是在層積方向不重疊地配置的，不過(guò)，考慮到各記錄層20、21的偏心和上位層上的激光束后，如圖4所示，使各記錄層的OPC區(qū)域的境界具有富余度C。C是半徑方向的寬度，約100μm左右。
其次，說(shuō)明作為本發(fā)明的光盤(pán)的最佳記錄激光功率值決定方法的圖5表示作為本發(fā)明的最佳記錄激光功率值決定方法的一實(shí)施方式的流程圖。該實(shí)施方式的最佳記錄激光功率值決定方法是由圖1所示的光盤(pán)裝置來(lái)決定在后述的具有單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1上記錄信息時(shí)的記錄激光功率的最佳值的方法。
首先，在圖1所示的光盤(pán)裝置中，光頭2借助于伺服電路4而移動(dòng)到光盤(pán)1的管理區(qū)域12之上，從管理區(qū)域12的RMA區(qū)域12b讀出表示記錄次數(shù)的信息，由重放信號(hào)處理部7重放該信息，通過(guò)OPC重放處理部8將其輸入到系統(tǒng)控制電路9。此處，表示重放了的記錄次數(shù)的信息當(dāng)然也可以不通過(guò)OPC重放處理部8，而是從重放信號(hào)處理部7直接輸入到系統(tǒng)控制電路9。
于是，系統(tǒng)控制電路9根據(jù)表示從RMA區(qū)域12b重放了的記錄次數(shù)的信息，首先，判定是不是在同一光盤(pán)裝置中以同一光盤(pán)的組合最初進(jìn)行記錄(第1次記錄)(步驟S1)。在判斷為是第1次(初次)記錄的場(chǎng)合，系統(tǒng)控制電路9首先對(duì)作為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的離光頭2最近的記錄層的第1層20用公知的方法執(zhí)行OPC，求出第1層的最佳記錄功率PL1，把該最佳記錄功率的值PL1作為第1次最佳記錄功率值ML1存儲(chǔ)在例如系統(tǒng)控制電路9內(nèi)的存儲(chǔ)器91等光盤(pán)裝置內(nèi)(步驟S2)。
此處，在上述OPC中，在第1層20的OPC區(qū)域T1中用分步依次變更了記錄功率的光束連續(xù)寫(xiě)入規(guī)定圖形的試驗(yàn)信號(hào)之后，進(jìn)行重放，該重放信號(hào)的跳動(dòng)最低的記錄功率就是最佳記錄功率。在記錄功率和重放信號(hào)的跳動(dòng)之間存在例如圖6所示的關(guān)系，用最佳記錄功率記錄了時(shí)的重放信號(hào)的不對(duì)稱值β與目標(biāo)值大致一致。上述β，例如如圖7所示，是重放試驗(yàn)信號(hào)的峰值A(chǔ)1和谷值A(chǔ)2的和(峰峰值)除以峰值A(chǔ)1和谷值A(chǔ)2的差所得的不對(duì)稱值。
該不對(duì)稱值β的目標(biāo)值隨實(shí)際使用的光頭2和光盤(pán)1而不同，因而根據(jù)制造工序中各個(gè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)預(yù)先決定目標(biāo)值，該目標(biāo)值被存儲(chǔ)在光盤(pán)裝置內(nèi)的系統(tǒng)控制電路9內(nèi)的存儲(chǔ)器中，系統(tǒng)控制電路9把能獲得與該目標(biāo)值大致一致時(shí)的不對(duì)稱值β的記錄功率作為最佳的記錄功率存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器91中。
繼而，系統(tǒng)控制電路9通過(guò)伺服電路4使光頭2內(nèi)的物鏡向光盤(pán)1方向按規(guī)定距離移動(dòng)，并且使光頭2移動(dòng)到光盤(pán)1的第2層21的OPC區(qū)域T2的前頭位置，對(duì)第2層21也執(zhí)行上述OPC，求出第2層的最佳記錄功率PL2，把該最佳記錄功率的值ML2存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器91等中(步驟S3)。另外，在求出第2層21的第2次及以后的數(shù)據(jù)寫(xiě)入的最佳記錄功率PL2時(shí)使用該第1次第2層21對(duì)第1層20上的最佳記錄功率值的比ML2/ML1，因而當(dāng)然也可以預(yù)先求出該第1次最佳記錄功率值的比ML2/ML1，將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器91中。
另外，在激光束的照射方向(層積方向)，在與第2層21的OPC區(qū)域T2重疊的第1層20區(qū)域，也包括富余寬度C上，在出廠時(shí)等或第1次記錄時(shí)，記錄了假數(shù)據(jù)。這樣，在對(duì)第2層21的OPC區(qū)域T2的記錄時(shí)，常透過(guò)第1層20的記錄完畢的區(qū)域向第2層21的OPC區(qū)域T2照射激光束來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)信號(hào)的記錄。這樣就能在第1層20和第2層21上以相同記錄條件來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)信號(hào)的記錄。
其次，系統(tǒng)控制電路9通過(guò)伺服電路4使光頭2移動(dòng)到光盤(pán)1的第1層的數(shù)據(jù)區(qū)域的前頭位置，并且使激光束的焦點(diǎn)與數(shù)據(jù)區(qū)域11的第1層20一致，以最佳記錄功率PL1開(kāi)始數(shù)據(jù)的記錄，第1層20的記錄結(jié)束的話，使光頭2內(nèi)的物鏡按規(guī)定距離向接近光盤(pán)1的方向移動(dòng)，使激光束的焦點(diǎn)與第2層21的數(shù)據(jù)區(qū)域11一致，在第2層21的數(shù)據(jù)區(qū)域11上以最佳記錄功率PL2記錄數(shù)據(jù)(步驟S6)。
不過(guò)，在系統(tǒng)控制電路9通過(guò)圖4的步驟S1，判斷為是用同一光盤(pán)裝置對(duì)同一光盤(pán)1的第2次及以后的記錄的場(chǎng)合，首先，在光盤(pán)1的第1層20的OPC區(qū)域T1上執(zhí)行上述OPC，求出第1層的最佳記錄功率PL1，將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器91等中(步驟S4)。繼而，系統(tǒng)控制電路9根據(jù)在第1次(初次)的OPC時(shí)在步驟S2、S3中求出而保存在存儲(chǔ)器91中的ML1、ML2值，或把在步驟S3中求出而保存在存儲(chǔ)器91等中的比率ML2/ML1乘以在步驟S4中求出的第2次及以后的第1層20的最佳記錄功率PL1來(lái)求出第2層的最佳記錄功率PL2(步驟S5)。
即，系統(tǒng)控制電路9用下式(1)的計(jì)算來(lái)求出第2次及以后的第2層21的最佳記錄功率PL2，即PL2＝PL1×ML2/ML1…(1)此處，上式(1)的PL1是在步驟S4中求出的對(duì)應(yīng)的第2次及以后的第1層20的最佳記錄功率。
此后，系統(tǒng)控制電路9對(duì)光盤(pán)1的第1層20的數(shù)據(jù)區(qū)域11以在步驟S4中求出的最佳記錄功率PL1進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄，在第1層20的記錄結(jié)束后對(duì)第2層21的數(shù)據(jù)區(qū)域11以在步驟S5中求出的最佳記錄功率PL2進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄(步驟S6)。
這樣，在本實(shí)施方式中，對(duì)于同一光盤(pán)裝置和同一光盤(pán)的組合，在第2次及以后的記錄時(shí)，對(duì)于第1層20的最佳記錄功率PL1，是通過(guò)執(zhí)行OPC來(lái)求出，對(duì)于第2層21的最佳記錄功率PL2，是對(duì)根據(jù)2次及以后OPC而求出的第1層20的最佳記錄功率PL1乘以在第1次OPC時(shí)求出的第1層20的最佳記錄功率ML1和第2層21的最佳記錄功率ML2之間的比率ML2/ML1來(lái)求出，因而第2次及以后的第2層21的最佳記錄功率PL2不執(zhí)行OPC也可以求出，對(duì)于第2層21，能實(shí)現(xiàn)啟動(dòng)時(shí)間的縮短化，即省略O(shè)PC所需要的時(shí)間而稍微快點(diǎn)開(kāi)始記錄，并且能降低第2層21的OPC執(zhí)行次數(shù)。
還有，在本實(shí)施方式中，第2層21的OPC的執(zhí)行只在用各光盤(pán)裝置最初記錄的場(chǎng)合進(jìn)行，特別是在光盤(pán)1為追記型的場(chǎng)合，通過(guò)第2層21的OPC執(zhí)行次數(shù)的降低，就能使可進(jìn)行OPC的次數(shù)增大?？傊?，對(duì)于第2層21，只在第1次執(zhí)行OPC，第2次及以后不執(zhí)行OPC，根據(jù)第1次第2層21對(duì)第1層20的最佳記錄功率比率ML2/ML1來(lái)求出，第2層21的OPC區(qū)域T2的寬度可以小些，可以節(jié)約，與該量相應(yīng)，第1層20的OPC區(qū)域T1就能確保寬度大些。這樣，與第2次及以后也在第2層21上執(zhí)行OPC的現(xiàn)有技術(shù)相比，能使OPC次數(shù)增大。
(第2實(shí)施方式)在上述第1實(shí)施方式中，如圖3和圖4所示，說(shuō)明了設(shè)置了用于CPRM對(duì)應(yīng)的BCA區(qū)域12c的光盤(pán)1的OPC，不過(guò)，在第2實(shí)施方式中，使用CPRM非對(duì)應(yīng)的光盤(pán)，因而不需要設(shè)置BCA區(qū)域12c，第2實(shí)施方式是把作為BCA區(qū)域12c使用了的區(qū)域再作為第2層及以后的OPC區(qū)域來(lái)使用，從而使OPC次數(shù)進(jìn)一步增大了的實(shí)施方式。另外，光盤(pán)裝置的構(gòu)成及其記錄處理的次序與圖1和圖5所示的第1實(shí)施方式相同，因而對(duì)于第2實(shí)施方式特有的對(duì)光盤(pán)1的OPC處理的執(zhí)行部分進(jìn)行說(shuō)明。
圖8(a)、(b)表示本實(shí)施方式中的記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。如圖8(a)、(b)所示，第2實(shí)施方式的光盤(pán)1不是CPRM對(duì)應(yīng)的，不需要在RMA區(qū)域的外周側(cè)設(shè)置BCA區(qū)域。因而，本實(shí)施方式的系統(tǒng)控制電路9把該區(qū)域作為OPC區(qū)域來(lái)使用。
在第1實(shí)施方式中，如圖4所示，使得各記錄層的OPC區(qū)域不重疊而在各記錄層上配置了OPC區(qū)域，不過(guò)，在該場(chǎng)合考慮到各記錄層的偏心和上位層上的激光束徑，使各層的OPC區(qū)域的境界在水平方向具有富余度C。因此，具有多層構(gòu)造的光盤(pán)的OPC區(qū)域與單層構(gòu)造的光盤(pán)的OPC區(qū)域相比，具有每1層的容量小了的傾向。
對(duì)此，本實(shí)施方式的系統(tǒng)控制電路9的特征在于，如圖8(a)、(b)所示，把RMA區(qū)域外周側(cè)，即如果是CPRM對(duì)應(yīng)的光盤(pán)就作為BCA區(qū)域來(lái)使用的區(qū)域，在第1層20的場(chǎng)合作為空區(qū)域V1，在第2層21的場(chǎng)合作為OPC區(qū)域T2來(lái)使用。因此，在本實(shí)施方式的場(chǎng)合，比RMA區(qū)域靠?jī)?nèi)周側(cè)的在圖4中作為第2層20的OPC區(qū)域T2來(lái)使用的區(qū)域是不使用的。
另外，在圖8(a)所示的場(chǎng)合，例如，第1層20的OPC區(qū)域T1的光盤(pán)1的半徑方向的寬度約50μm，容量約1600扇區(qū)，第2層21的OPC區(qū)域T2的寬度約20μm，容量為640扇區(qū)。還有，在第1層20空區(qū)域V1上，與第1實(shí)施方式的場(chǎng)合相同，在出廠時(shí)等或第1次記錄時(shí)，由光盤(pán)裝置記錄了假數(shù)據(jù)。
還有，有效活用夾介RMA區(qū)域而分為第1層20的OPC區(qū)域T1和第2層21的OPC區(qū)域T2，在本實(shí)施方式中，如圖8(b)所示，作為第1層20的OPC區(qū)域T1，可以不考慮第2層21的OPC區(qū)域或與其之間的富余寬度而在RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)大幅度地得以確保。還有，同時(shí)，第2層21的OPC區(qū)域T2，也可以不考慮第1層20的OPC區(qū)域T1或與其之間的富余寬度而RMA區(qū)域外周側(cè)確保大些。另外，在第1層20的空區(qū)域V1上記錄假數(shù)據(jù)的情況也相同。
其次，說(shuō)明第2實(shí)施方式的光盤(pán)裝置所涉及的OPC的特征。在本實(shí)施方式的場(chǎng)合，進(jìn)行與圖5所示的第1實(shí)施方式的光盤(pán)裝置相同的處理，在第1次寫(xiě)入的場(chǎng)合，在第1層20的OPC區(qū)域T1和第2層的OPC區(qū)域T2上分別進(jìn)行試寫(xiě)。
此時(shí)，在激光束的照射方向(層積方向)與第2層21的OPC區(qū)域T2重疊的第1層20的空區(qū)域V1上記錄了假數(shù)據(jù)的場(chǎng)合，就可以在對(duì)第2層21的OPC區(qū)域T2進(jìn)行記錄時(shí)，常透過(guò)第1層20的假數(shù)據(jù)記錄完畢的空區(qū)域V1對(duì)第2層21的OPC區(qū)域T2照射來(lái)自光頭2的激光束而進(jìn)行試寫(xiě)的試驗(yàn)信號(hào)的記錄。這樣，就能以與在第1層20的數(shù)據(jù)區(qū)域11上記錄數(shù)據(jù)的場(chǎng)合相同的記錄條件，在第2層21的OPC區(qū)域T2上進(jìn)行試驗(yàn)信號(hào)的記錄，就能更正確地決定第2層21的最佳記錄功率值。
因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能獲得與第1實(shí)施方式同樣的效果，并且由于在本實(shí)施方式中，以RMA區(qū)域?yàn)橹行姆謩e在內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)設(shè)置了第1層20的OPC區(qū)域T1和第2層的OPC區(qū)域T2，因而與第1實(shí)施方式的場(chǎng)合相比，可使可進(jìn)行OPC的次數(shù)進(jìn)一步增大。
即，在本實(shí)施方式中，如圖8(a)、(b)所示，在第2層21上把比RMA區(qū)域靠外側(cè)的區(qū)域T2按OPC區(qū)域來(lái)使用，因而作為第2層21的OPC區(qū)域T2，例如，使用640扇區(qū)的話，第2層21的OPC區(qū)域T2，因?yàn)橹辉诟鞴獗P(pán)裝置最初記錄的場(chǎng)合使用，所以，如果1次OPC使用16扇區(qū)的話，就可以由40臺(tái)光盤(pán)裝置來(lái)執(zhí)行OPC，在實(shí)用上是足夠的次數(shù)。
而且，在本實(shí)施方式中，如圖8(b)所示，可以把合計(jì)了第2層21的此次未作為OPC區(qū)域來(lái)使用的區(qū)域、其間的富余寬度的區(qū)域C、第1實(shí)施方式中的第1層20的OPC區(qū)域T1的區(qū)域(寬度約200μm)作為第1層20的OPC區(qū)域T1來(lái)使用。結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式，在第1層20的OPC區(qū)域T1就能使用6400扇區(qū)，如果1次OPC使用16扇區(qū)的話，就能執(zhí)行合計(jì)400次OPC。
如果與第1實(shí)施方式的方法進(jìn)行對(duì)比的話，如圖4所示，由于把第2層21的OPC區(qū)域T2用于第2層的OPC專用，把第1層21的OPC區(qū)域T1用于第1層的OPC專用，因而在該場(chǎng)合，如果對(duì)1600扇區(qū)1次OPC使用16扇區(qū)，可以由100臺(tái)光盤(pán)裝置各執(zhí)行1次OPC，OPC的合計(jì)次數(shù)也為100次。
相比之下，根據(jù)本實(shí)施方式，如上所述，根據(jù)第1層20的OPC區(qū)域T1，在第1層20上可以執(zhí)行400次OPC，因而如果作為第2層21的OPC區(qū)域T2，確保與第1層20的OPC區(qū)域T1相同的寬度的話，與上述第1實(shí)施方式的方法相比，就可以追記4倍(＝400/100)的次數(shù)。
即，根據(jù)本實(shí)施方式，在一張光盤(pán)1由多個(gè)光盤(pán)裝置來(lái)記錄的場(chǎng)合，可以由400臺(tái)光盤(pán)裝置各執(zhí)行1次OPC，總共可以執(zhí)行400次OPC。
另外，在本實(shí)施方式中說(shuō)明了在第1層20的RMA區(qū)域的外周側(cè)的空區(qū)域V1上預(yù)先寫(xiě)入假數(shù)據(jù)等，能以與在第1層20的數(shù)據(jù)區(qū)域11上記錄了數(shù)據(jù)的場(chǎng)合相同的記錄條件，在第2層的OPC區(qū)域T3上記錄試驗(yàn)信號(hào)，不過(guò)，本發(fā)明不受此限定，當(dāng)然也可以不在第1層20的RMA區(qū)域的外周側(cè)的空區(qū)域V1上寫(xiě)入假數(shù)據(jù)，而是使其保持為空著的區(qū)域。
在該場(chǎng)合，雖然不能以與在第1層20的數(shù)據(jù)區(qū)域11上記錄了數(shù)據(jù)的場(chǎng)合相同的記錄條件在第2層21的OPC區(qū)域T2上記錄試驗(yàn)信號(hào)，但是與第1實(shí)施方式的場(chǎng)合相比，能較大地確保第1層20的OPC區(qū)域T1的寬度，能進(jìn)一步增大OPC次數(shù)，這是其效果。
還有，在第2實(shí)施方式中，如圖8(a)、(b)所示，說(shuō)明了在RMA區(qū)域的內(nèi)側(cè)設(shè)置第1層20的OPC區(qū)域T1，在RMA區(qū)域的外側(cè)設(shè)置第2層21的OPC區(qū)域T2的情況，不過(guò)，本發(fā)明不限于此，如圖9所示，當(dāng)然也可以在RMA區(qū)域的外側(cè)設(shè)置第1層20的OPC區(qū)域T1，在RMA區(qū)域的內(nèi)側(cè)設(shè)置第2層21的OPC區(qū)域T2。這一點(diǎn)在后述其它實(shí)施方式中也相同。
(第3實(shí)施方式)在上述第2實(shí)施方式中，說(shuō)明了在CPRM非對(duì)應(yīng)的光盤(pán)1中，把不作為BCA區(qū)域來(lái)使用的RMA區(qū)域的外周側(cè)作為第2層21的OPC區(qū)域T2來(lái)使用，不把第2層21的RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)作為OPC區(qū)域來(lái)使用的情況，而在第3實(shí)施方式中，把第1層20的RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)作為第1層21的OPC區(qū)域T1來(lái)使用，把第2層21的RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)作為第2層21的OPC區(qū)域T2來(lái)使用。另外，第3實(shí)施方式的光盤(pán)裝置的構(gòu)成及其記錄處理的次序，與圖1和圖5所示的第1、第2實(shí)施方式相同，對(duì)于該第3實(shí)施方式特有的對(duì)光盤(pán)1的OPC處理的執(zhí)行進(jìn)行說(shuō)明。
圖10(a)、(b)是表示第3實(shí)施方式中的記錄層為單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。圖10(a)表示把單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的第1層20的RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)作為第1層20的OPC區(qū)域T1來(lái)使用的一個(gè)例子。這樣，本實(shí)施方式的系統(tǒng)控制電路9就能增大對(duì)第1層20的OPC次數(shù)。
圖10(b)表示把單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的第2層21的RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)作為第2層21的OPC區(qū)域T2來(lái)使用的一個(gè)例子。這樣，本實(shí)施方式的系統(tǒng)控制電路9就能增大對(duì)第2層21的OPC次數(shù)。
還有，本實(shí)施方式的系統(tǒng)控制電路9把RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)作為第1層20的OPC區(qū)域T1或第2層21的OPC區(qū)域T2來(lái)適應(yīng)性地使用。例如，如果是在把圖10(a)所示的單面2層構(gòu)造的光盤(pán)1的第1層20的RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)作為第1層20的OPC區(qū)域T1來(lái)使用的場(chǎng)合的話，可以第1次優(yōu)先使用RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的OPC區(qū)域T1，若RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的OPC區(qū)域T1滿了的話，就使用RMA區(qū)域外周側(cè)的OPC區(qū)域T1，也可以反過(guò)來(lái)，優(yōu)先使用外周側(cè)的OPC區(qū)域T1。
還有，在第1層20的RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)的OPC區(qū)域T1上執(zhí)行OPC，對(duì)其進(jìn)行平均，把該平均值作為第1次最佳記錄功率，如果是第2層21的話，可以只在內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)中的某一方的OPC區(qū)域T2上通過(guò)在第2實(shí)施方式中說(shuō)明了的假數(shù)據(jù)來(lái)執(zhí)行OPC，把該平均值作為第1次最佳記錄功率。
因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能獲得與上述第1、第2實(shí)施方式相同的效果，并且作為第1層20和第2層21的OPC區(qū)域，都使用RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)，因而能獲得增大OPC的次數(shù)等效果。
(第4實(shí)施方式)本實(shí)施方式是與對(duì)具有單面3層記錄層的構(gòu)造的光盤(pán)決定最佳記錄激光功率值的裝置和方法有關(guān)的實(shí)施方式。另外，本實(shí)施方式的光盤(pán)裝置的構(gòu)成與圖1所示的上述第1、第2、第3實(shí)施方式相同，不過(guò)，因?yàn)楣獗P(pán)1為3層構(gòu)造，因而記錄處理的次序在圖5所示的第1實(shí)施方式等的記錄處理的次序上追加了1層的量。這一點(diǎn)在把具有單面3層的記錄層的光盤(pán)1作為對(duì)象的第5實(shí)施方式中也相同。
圖11表示本發(fā)明中的第4實(shí)施方式的記錄層為單面3層構(gòu)造的光盤(pán)1的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。另外，在本實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式同樣，說(shuō)明把圖3所示的RMA區(qū)域12b的外周側(cè)作為BCA區(qū)域12c來(lái)使用的CPRM對(duì)應(yīng)的光盤(pán)。
本實(shí)施方式的光盤(pán)1，如圖11所示，從離光頭最近的一側(cè)到最遠(yuǎn)的一側(cè)按第1層30、第2層31和第3層32的順序?qū)臃e了記錄層。第1層30的OPC區(qū)域T1、第2層31的OPC區(qū)域T2、第3層32的OPC區(qū)域T3各自空開(kāi)規(guī)定的富余寬度的區(qū)域C而只設(shè)置在RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)。
其次，說(shuō)明本實(shí)施方式的動(dòng)作。在該第4實(shí)施方式中，把具有單面3層記錄層的構(gòu)造的光盤(pán)作為對(duì)象，因而光盤(pán)裝置內(nèi)的系統(tǒng)控制電路9在光盤(pán)1的第1次記錄時(shí)，對(duì)第1層30的OPC區(qū)域T1、第2層31的OPC區(qū)域T2、第3層32的OPC區(qū)域T3依次執(zhí)行OPC，分別求出最佳記錄功率ML1、ML2和ML3，把該值存放在存儲(chǔ)器91等中。
并且，在光盤(pán)1的第1次記錄時(shí)，系統(tǒng)控制電路9根據(jù)該最佳記錄功率ML1、ML2和ML3，對(duì)第1層30、第2層31和第3層32的數(shù)據(jù)區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄。
其次，在用相同光盤(pán)裝置對(duì)相同光盤(pán)進(jìn)行第2次及以后的記錄的場(chǎng)合，首先，光盤(pán)裝置內(nèi)的系統(tǒng)控制電路9對(duì)光盤(pán)的第1層30的OPC區(qū)域T1執(zhí)行OPC，求出最佳記錄功率PL1。
繼而，系統(tǒng)控制電路9，對(duì)于光盤(pán)的第2層31的最佳記錄功率PL2和第3層32的最佳記錄功率PL3，不執(zhí)行OPC，而是根據(jù)第2次第1層30的最佳記錄功率值和第1次OPC求出了的各層的最佳記錄功率值對(duì)第1層30的最佳記錄功率的比率，采用下式(2)、(3)的計(jì)算來(lái)求出，將其存放在存儲(chǔ)器91中。
PL2＝PL1×ML2/ML1…(2)
PL3＝PL1×ML3/ML1…(3)此后，以最佳記錄功率PL1、PL2和PL3對(duì)第1層30、第2層31和第3層32的數(shù)據(jù)區(qū)域依次進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄。
因此，在該第4實(shí)施方式中也是，即使是單面3層的光盤(pán)，對(duì)于同一光盤(pán)裝置和同一光盤(pán)的組合，也能在第2次及以后的記錄時(shí)，在對(duì)第1層30執(zhí)行OPC而求出了的最佳記錄功率PL1上，乘以第1次OPC時(shí)求出了的各層的最佳記錄功率值對(duì)第1層30的最佳記錄功率的比率ML2/ML1、ML3/ML1，從而不執(zhí)行OPC而通過(guò)計(jì)算來(lái)求出第2層31的最佳記錄功率PL2和第3層32的最佳記錄功率PL3，因而與上述第1實(shí)施方式等的單面2層的光盤(pán)的場(chǎng)合同樣，能縮短啟動(dòng)時(shí)間，即省略O(shè)PC所需要的時(shí)間，稍微快點(diǎn)開(kāi)始記錄，并且在光盤(pán)1為追記型的場(chǎng)合，能增大可進(jìn)行OPC的次數(shù)。
(第5實(shí)施方式)在上述第4實(shí)施方式中，說(shuō)明了把RMA區(qū)域的外周側(cè)作為BCA區(qū)域來(lái)使用的CPRM對(duì)應(yīng)的光盤(pán)，而該第5實(shí)施方式是對(duì)不把RMA區(qū)域的外周側(cè)作為BCA區(qū)域來(lái)使用的CPRM非對(duì)應(yīng)的具有單面3層記錄層的構(gòu)造的光盤(pán)決定最佳記錄激光功率值的裝置和方法的實(shí)施方式。
圖12表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式中的記錄層為單面3層構(gòu)造的光盤(pán)1的OPC區(qū)域的配置的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。本實(shí)施方式與上述第2實(shí)施方式相同，是把RMA區(qū)域外周側(cè)作為BCA區(qū)域來(lái)使用的CPRM對(duì)應(yīng)的光盤(pán)，因而如圖12所示，第1層30的OPC區(qū)域T1設(shè)置在RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)，另一方面，第1層30以外的第2層31、第3層32的OPC區(qū)域T2、T3分別空開(kāi)規(guī)定的富余寬度的區(qū)域C而設(shè)置在如果是CPRM對(duì)應(yīng)的話就作為BCA區(qū)域來(lái)利用的RMA區(qū)域的外周側(cè)的區(qū)域上。
此時(shí)，如在第2實(shí)施方式也說(shuō)明了的，對(duì)第2層31的OPC區(qū)域T2、第3層32的OPC區(qū)域T3是在激光束的照射方向(層積方向)重復(fù)的鄰接的第1層30的空區(qū)域V1，對(duì)第3層32的OPC區(qū)域T3是在激光束照射方向(層積方向)鄰接的第2層31的空區(qū)域V2上，預(yù)先記錄了假數(shù)據(jù)，或者當(dāng)然也可以在第1次執(zhí)行OPC時(shí)用光盤(pán)裝置預(yù)先記錄假數(shù)據(jù)，以與實(shí)際的數(shù)據(jù)記錄時(shí)同樣的條件來(lái)執(zhí)行OPC。
因此，根據(jù)該第5實(shí)施方式，與上述第4實(shí)施方式相同，即使是單面3層的光盤(pán)，對(duì)于同一光盤(pán)裝置和同一光盤(pán)的組合，也能在第2次及以后的記錄時(shí)，縮短啟動(dòng)時(shí)間，即省略O(shè)PC所需要的時(shí)間，稍微快點(diǎn)開(kāi)始記錄，并且把RMA區(qū)域的內(nèi)周側(cè)作為第1層30的OPC區(qū)域T1專用來(lái)使用，從而與第4實(shí)施方式的場(chǎng)合相比，能進(jìn)一步增大可進(jìn)行OPC的次數(shù)。
另外，在以上第1～第5實(shí)施方式中，說(shuō)明了的光盤(pán)1是追記型的，不過(guò)，本發(fā)明不限于此，光盤(pán)1即使是改寫(xiě)型的也同樣適用。在光盤(pán)為改寫(xiě)型的場(chǎng)合，可以刪除試寫(xiě)了的數(shù)據(jù)，因而不一定需要對(duì)第1層的試寫(xiě)區(qū)域確保比其它層的試寫(xiě)區(qū)域大的范圍，不過(guò)，能減少刪除時(shí)間和刪除次數(shù)，因而優(yōu)選的是，像上述各實(shí)施方式一樣，使第1層的試寫(xiě)區(qū)域比其它層的試寫(xiě)區(qū)域大。
還有，在以上實(shí)施方式中，作為具有多個(gè)記錄層的光盤(pán)，以單面2層、3層的光盤(pán)1為對(duì)象進(jìn)行了說(shuō)明，不過(guò)，本發(fā)明不限于此，單面4層及以上也可應(yīng)用，還有，把單面2層的光盤(pán)粘在一起的兩面2層的光盤(pán)也可應(yīng)用。
還有，在以上實(shí)施方式中，說(shuō)明了在對(duì)同一光盤(pán)裝置、對(duì)同一光盤(pán)1的數(shù)據(jù)的記錄為第1次(初次)的場(chǎng)合，系統(tǒng)控制電路9對(duì)于各記錄層執(zhí)行OPC而求出最佳記錄功率值，將其存儲(chǔ)在系統(tǒng)控制電路9內(nèi)的存儲(chǔ)器91等光盤(pán)裝置內(nèi)的情況，不過(guò)，本發(fā)明不限于此，當(dāng)然也可以把對(duì)于各記錄層執(zhí)行OPC而求出了的最佳記錄功率值記錄在光盤(pán)1上，例如光盤(pán)1的各記錄層的RMA區(qū)域上。
這樣一來(lái)，由于光盤(pán)裝置常對(duì)各記錄層的管理區(qū)域12的RMA區(qū)域進(jìn)行讀取，因而對(duì)同一光盤(pán)裝置判斷是不是第1次(初次)時(shí)，常讀取各記錄層的最佳記錄功率值，能簡(jiǎn)單且確實(shí)地獲得各記錄層的最佳記錄功率值。特別是把對(duì)于各記錄層執(zhí)行第1次OPC而求出了的最佳記錄功率值記錄在光盤(pán)1的第1層的管理區(qū)域12的RMA區(qū)域中，從而能在對(duì)第1層的RMA區(qū)域讀取了時(shí)，1次就檢出各記錄層的第1次最佳記錄功率值。
權(quán)利要求
1.一種光盤(pán)裝置，對(duì)于在來(lái)自光頭(2)的激光束的照射方向?qū)臃e了從單面?zhèn)瓤晒鈱W(xué)性地記錄重放信息信號(hào)的多個(gè)記錄層，在所述多個(gè)記錄層中的每一個(gè)上設(shè)置了記錄所述信息信號(hào)的數(shù)據(jù)區(qū)域和用于決定在所述信息信號(hào)的記錄時(shí)所述激光束的發(fā)光功率的最佳記錄功率值的試寫(xiě)區(qū)域的多層構(gòu)造的光盤(pán)，以決定了的最佳記錄功率值進(jìn)行信息信號(hào)的記錄，進(jìn)行記錄信息信號(hào)的重放，其特征在于，具有以下控制裝置在對(duì)所述光盤(pán)的所述信息信號(hào)的記錄為第1次時(shí)，對(duì)所述多個(gè)記錄層的各試寫(xiě)區(qū)域依次記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，按每個(gè)記錄層求出、存儲(chǔ)激光束的發(fā)光功率的第1次最佳記錄功率值，在對(duì)所述光盤(pán)的所述信息信號(hào)的記錄為第2次及以后時(shí)，對(duì)所述多個(gè)記錄層中的離所述光頭最近的第1層的記錄層的試寫(xiě)區(qū)域記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，求出所述第1層的第2次及以后的最佳記錄功率值，對(duì)所述第1層的第2次及以后的最佳記錄功率值乘以其它記錄層的第1次最佳記錄功率值對(duì)所述第1層的第1次最佳記錄功率值的比率來(lái)求出所述第1層以外的其它記錄層的第2次及以后的最佳記錄功率值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)裝置，其特征在于，所述控制裝置進(jìn)行控制，使得在所述多個(gè)記錄層中的各試寫(xiě)區(qū)域上進(jìn)行試寫(xiě)的場(chǎng)合，在所述多個(gè)記錄層的層積方向，所述多個(gè)記錄層中的各試寫(xiě)的數(shù)據(jù)都不重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)裝置，其特征在于，所述控制裝置，相對(duì)于在所述光盤(pán)中設(shè)置的用于對(duì)記錄管理信息進(jìn)行記錄的記錄管理信息區(qū)域，使用內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)中的任意一側(cè)作為所述各記錄層的試寫(xiě)區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光盤(pán)裝置，其特征在于，所述控制裝置，相對(duì)于在所述光盤(pán)中設(shè)置的用于對(duì)記錄管理信息進(jìn)行記錄的記錄管理信息區(qū)域，使用內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)中的任意一側(cè)作為所述第1層的試寫(xiě)區(qū)域，相對(duì)于所述記錄管理信息區(qū)域，使用內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)中的另一側(cè)作為所述第2層的試寫(xiě)區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的光盤(pán)裝置，其特征在于，所述控制裝置，在對(duì)所述光盤(pán)的所述信息信號(hào)的記錄為第1次時(shí)，對(duì)所述多個(gè)記錄層的各試寫(xiě)區(qū)域依次記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，按每個(gè)記錄層求出、存儲(chǔ)激光束的發(fā)光功率的第1次最佳記錄功率值，將其記錄在所述光盤(pán)的管理信息區(qū)域上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的光盤(pán)裝置，其特征在于，所述控制裝置，在對(duì)所述光盤(pán)的所述信息信號(hào)的記錄為第1次，對(duì)所述多個(gè)記錄層的各試寫(xiě)區(qū)域依次記錄試驗(yàn)信號(hào)時(shí)，在對(duì)所述第1層以外的其它記錄層的試寫(xiě)區(qū)域在層積方向重疊的所述第1層的區(qū)域上記錄假數(shù)據(jù)之后，對(duì)所述第1層以外的其它記錄層的試寫(xiě)區(qū)域記錄重放所述試驗(yàn)信號(hào)而求出第1次最佳記錄功率值。
7.一種光盤(pán)的最佳記錄功率值決定方法，對(duì)于在來(lái)自光頭的激光束的照射方向?qū)臃e了從單面?zhèn)瓤晒鈱W(xué)性地記錄重放信息信號(hào)的多個(gè)記錄層，在所述多個(gè)記錄層中的每一個(gè)上設(shè)置了記錄所述信息信號(hào)的數(shù)據(jù)區(qū)域和用于決定在所述信息信號(hào)的記錄時(shí)所述激光束的發(fā)光功率的最佳記錄功率值的試寫(xiě)區(qū)域的多層構(gòu)造的光盤(pán)，決定所述激光束的發(fā)光功率的最佳記錄功率值，其特征在于包括判定對(duì)所述光盤(pán)的所述信息信號(hào)的記錄是第1次還是第2次及以后的第1步驟；在對(duì)所述光盤(pán)的所述信息信號(hào)的記錄為第1次時(shí)，對(duì)所述多個(gè)記錄層的各試寫(xiě)區(qū)域依次記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，按每個(gè)記錄層求出、存儲(chǔ)激光束的發(fā)光功率的第1次最佳記錄功率值的第2步驟；在對(duì)所述光盤(pán)的所述信息信號(hào)的記錄為第2次及以后時(shí)，對(duì)所述多個(gè)記錄層中的離所述光頭最近的第1層的記錄層的試寫(xiě)區(qū)域記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，求出所述第1層的第2次及以后的最佳記錄功率值，對(duì)所述第1層的第2次及以后的最佳記錄功率值乘以其它記錄層的第1次最佳記錄功率值對(duì)所述第1層的第1次最佳記錄功率值的比率來(lái)求出所述第1層以外的其它記錄層的第2次及以后的最佳記錄功率值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光盤(pán)的最佳記錄功率值決定方法，其特征在于，在對(duì)所述光盤(pán)的所述信息信號(hào)的記錄為第1次時(shí)，對(duì)所述多個(gè)記錄層的各試寫(xiě)區(qū)域依次記錄重放試驗(yàn)信號(hào)，按每個(gè)記錄層求出激光束的發(fā)光功率的第1次最佳記錄功率值，把它們記錄在所述光盤(pán)的管理信息區(qū)域上。
全文摘要
一種光盤(pán)裝置?，F(xiàn)有技術(shù)是在多個(gè)記錄層的光盤(pán)中，不重疊地配置了各記錄層的OPC區(qū)域，而在OPC區(qū)域的境界需要有富余度，因而OPC區(qū)域與單層構(gòu)造的光盤(pán)相比，每1層的容量變小了。本發(fā)明在光盤(pán)的初次記錄時(shí)，對(duì)于光盤(pán)的第1層和第2層分別使用它們的OPC區(qū)域，通過(guò)試驗(yàn)信號(hào)的記錄重放來(lái)求出最佳記錄功率值ML1、ML2，并存儲(chǔ)比率ML2/ML1(S2，S3)。在光盤(pán)的第2次及以后的記錄時(shí)，使用光盤(pán)的第1層的OPC區(qū)域，通過(guò)試驗(yàn)信號(hào)的記錄重放來(lái)求出最佳記錄功率值PL1(S4)，由計(jì)算求出第2層的最佳記錄功率值PL2(S5)。這樣就能使第2層的OPC區(qū)域窄些，確保第1層的OPC區(qū)域大些，能大幅度地增加OPC次數(shù)。
文檔編號(hào)G11B19/12GK1822130SQ20061000586
公開(kāi)日2006年8月23日 申請(qǐng)日期2006年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月12日
發(fā)明者江口秀治, 寺西康彥 申請(qǐng)人:日本勝利株式會(huì)社