專(zhuān)利名稱：減少了位線與字線短路效應(yīng)的交叉點(diǎn)鐵電存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)裝置，更具體地涉及基于鐵電材料的存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)：
非易失性大存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)器被用于計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)，并用于例如數(shù)碼相機(jī)和音頻-視頻回放與記錄裝置的消費(fèi)產(chǎn)品中的存儲(chǔ)應(yīng)用。這些存儲(chǔ)器可以劃分為兩大類(lèi)存儲(chǔ)器，即機(jī)械尋址存儲(chǔ)器和電學(xué)尋址存儲(chǔ)器。機(jī)械尋址存儲(chǔ)器包括基于磁學(xué)和光學(xué)的盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和帶驅(qū)動(dòng)器。
就每位存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的成本而言，機(jī)械尋址存儲(chǔ)器為最不昂貴的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。這些裝置通過(guò)改變相對(duì)不昂貴的存儲(chǔ)介質(zhì)的一些表面性能而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。例如，在基于光學(xué)的盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，數(shù)據(jù)被組織成位于旋轉(zhuǎn)的盤(pán)上的多個(gè)同心軌道。盤(pán)的表面涂敷了一種材料，在代表所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的位的非常小的點(diǎn)，該材料反射率變化。通過(guò)測(cè)量從各個(gè)點(diǎn)反射的光量，讀取數(shù)據(jù)。在讀取/寫(xiě)入盤(pán)時(shí)，通過(guò)將各個(gè)點(diǎn)暴露于具有足夠強(qiáng)度以改變盤(pán)涂層的反射率的激光，由此寫(xiě)入數(shù)據(jù)。磁盤(pán)使用可以沿兩個(gè)方向磁化的表面涂層以類(lèi)似方式工作。
然而，機(jī)械尋址存儲(chǔ)器存在三個(gè)缺點(diǎn)，限制了這種存儲(chǔ)器的應(yīng)用。首先，這些存儲(chǔ)器在作出對(duì)裝置上數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問(wèn)的請(qǐng)求的時(shí)間與開(kāi)始發(fā)送數(shù)據(jù)的時(shí)間之間存在顯著延遲。例如，當(dāng)計(jì)算機(jī)從盤(pán)驅(qū)動(dòng)器請(qǐng)求數(shù)據(jù)文件時(shí)，計(jì)算機(jī)必須等待盤(pán)驅(qū)動(dòng)器將讀取頭定位于存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)的軌道上，且隨后必須等待該軌道的相關(guān)部分旋轉(zhuǎn)到該盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的所述位置。這些延遲通常為幾毫秒。
第二，機(jī)械尋址存儲(chǔ)器需要大量的電能。例如，盤(pán)驅(qū)動(dòng)器必須為旋轉(zhuǎn)盤(pán)的電機(jī)供電以及為相對(duì)于盤(pán)表面移動(dòng)讀取頭的致動(dòng)器供電。此外，這些驅(qū)動(dòng)器必須為讀取/寫(xiě)入頭供電。當(dāng)這種存儲(chǔ)器結(jié)合到由電池供電的裝置(例如數(shù)碼相機(jī)或者膝上型計(jì)算機(jī))時(shí)，這種盤(pán)的高的電力需求將引發(fā)問(wèn)題。
第三，不昂貴的機(jī)械尋址存儲(chǔ)器是相對(duì)大的裝置。例如，不昂貴的盤(pán)驅(qū)動(dòng)器遠(yuǎn)大于很多數(shù)碼相機(jī)，并因此如果不顯著增加裝置尺寸，將無(wú)法用于為這種應(yīng)用存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。盡管已經(jīng)制造出針對(duì)這種應(yīng)用的微型化盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，但是這種微型化盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的成本要高得多，因此限制了其可用性。
電學(xué)尋址大容量存儲(chǔ)介質(zhì)克服了，或者很大程度上減輕了上述問(wèn)題。然而，目前可獲得的這種類(lèi)型的存儲(chǔ)器的成本是使用機(jī)械尋址裝置的存儲(chǔ)成本的一百倍以上。例如用于數(shù)碼相機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的電學(xué)尋址存儲(chǔ)裝置是由半導(dǎo)體基存儲(chǔ)單元陣列構(gòu)造而成的，其中存儲(chǔ)單元的布置方式類(lèi)似于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器所使用的布置方式。當(dāng)訪問(wèn)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器內(nèi)的文件時(shí)，通過(guò)轉(zhuǎn)換地址以確定存儲(chǔ)器內(nèi)被供電的總線，讀或?qū)懬‘?dāng)?shù)拇鎯?chǔ)器單元。因此，避免了機(jī)械尋址存儲(chǔ)器固有的延遲。此外，這些存儲(chǔ)器并不需要旋轉(zhuǎn)盤(pán)或相對(duì)于旋轉(zhuǎn)盤(pán)移動(dòng)讀取頭的機(jī)械部件，且因此還大幅減小了尺寸及電力要求。
每個(gè)存儲(chǔ)單元通常具有存儲(chǔ)元件與隔離晶體管，該隔離晶體管用于將存儲(chǔ)元件連接到用于讀寫(xiě)存儲(chǔ)單元的總線。與計(jì)算機(jī)大容量存儲(chǔ)器中所使用的元件不同，該存儲(chǔ)元件在斷電后保留其中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。由于每個(gè)存儲(chǔ)單元需要一個(gè)晶體管，該裝置必須構(gòu)造在硅晶片上，其中隔離晶體管位于該硅晶片中。因此，每個(gè)位的尺寸至少為該晶體管的尺寸，因此“存儲(chǔ)介質(zhì)”為半導(dǎo)體的高質(zhì)量結(jié)晶硅，比機(jī)械尋址存儲(chǔ)器中所使用的存儲(chǔ)介質(zhì)昂貴許多。
此外，目前可獲得的電學(xué)可尋址存儲(chǔ)器使用也是晶體管的存儲(chǔ)元件，因此每個(gè)位的尺寸為至少兩個(gè)晶體管的尺寸。因此，存儲(chǔ)元件的尺寸顯著大于上述盤(pán)上的“點(diǎn)”。這進(jìn)一步增大了每個(gè)存儲(chǔ)位的成本。
有希望提供低成本存儲(chǔ)的一種類(lèi)型的電學(xué)可尋址存儲(chǔ)器利用鐵電電容器的交叉點(diǎn)陣列存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。每個(gè)電容器具有夾置于頂部電極和底部電極之間的鐵電電介質(zhì)板(slab)。通過(guò)對(duì)電極施加電壓，可以極化該電介質(zhì)。當(dāng)電壓撤除時(shí)，該電介質(zhì)仍是極化的。極化方向用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位，邏輯1對(duì)應(yīng)于一個(gè)極化方向，邏輯0對(duì)應(yīng)于另一個(gè)極化方向。極化方向由施加電壓時(shí)兩個(gè)電極之間的相對(duì)電勢(shì)設(shè)定。
存儲(chǔ)單元通常布置成具有多個(gè)行和列的矩形陣列。特定列中的所有存儲(chǔ)單元連接到稱為“位線”的總線。每個(gè)行中的所有存儲(chǔ)單元連接到稱為“字線”的總線。數(shù)據(jù)通過(guò)位線被讀取或者寫(xiě)入由字線上的電勢(shì)所確定的存儲(chǔ)單元。
在襯底上沉積將成為位線的導(dǎo)體，在該位線上沉積鐵電材料的電介質(zhì)層，且隨后在該電介質(zhì)層上沉積將成為字線的導(dǎo)體，由此可以構(gòu)造存儲(chǔ)陣列。各個(gè)電容器對(duì)應(yīng)于字線與位線交叉的區(qū)域。
應(yīng)該注意，每個(gè)電容器都不需要隔離晶體管，因此存儲(chǔ)單元的尺寸由電容器的最小尺寸決定。電容器的最小尺寸由電介質(zhì)的材料常數(shù)決定。
還應(yīng)該注意，該存儲(chǔ)陣列無(wú)需沉積在面積與該存儲(chǔ)陣列相當(dāng)?shù)陌嘿F的結(jié)晶襯底上。此外，該存儲(chǔ)陣列可以彼此疊置構(gòu)造，從而提供具有非常高密度的存儲(chǔ)單元的堆疊結(jié)構(gòu)。
通過(guò)跨過(guò)相關(guān)電容器施加電勢(shì)并觀察釋放至位線的電荷量，從存儲(chǔ)陣列讀取數(shù)據(jù)。如果所施加的電壓導(dǎo)致該電介質(zhì)沿與施加該電壓之前的極化方向相反的方向極化，則該電容器將釋放小的電荷脈沖至其所連接的位線。然而，如果電介質(zhì)的初始極化使得該極化方向未被該電壓“翻轉(zhuǎn)”，則小得多的電荷脈沖將被釋放到位線。這些電荷脈沖被檢測(cè)以確定所選定的存儲(chǔ)單元的內(nèi)容。
存儲(chǔ)單元的最小尺寸由讀取電路區(qū)分與1和0相對(duì)應(yīng)的電荷脈沖的能力設(shè)定。所釋放電荷量因此由電容器的尺寸以及鐵電介質(zhì)的材料性能決定。對(duì)于當(dāng)前可獲得的鐵電材料，從面積為0.0625μm2的電容器所釋放電荷量約為20fC。
由于待檢測(cè)的電荷量非常小，在讀取操作期間這些存儲(chǔ)器容易由位線上的其他電流源造成失效。例如，為了提供現(xiàn)實(shí)的工作電壓，鐵電電介質(zhì)層的厚度必須非常小。該層通常為0.1μm。在讀取操作期間，在字線與位線交叉的點(diǎn)處穿過(guò)該層的任何電流路徑將導(dǎo)致電流從該字線流到該位線。由于被檢測(cè)的電荷如此小，即使非常小的針點(diǎn)短路(pinpoint short)都會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生不工作的部分。本發(fā)明解決了由這種短路引起的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及由夾置于多個(gè)字導(dǎo)體和多個(gè)位線導(dǎo)體之間的電介質(zhì)層構(gòu)成的存儲(chǔ)器。該電介質(zhì)層包括鐵電材料層，并具有第一和第二表面。字導(dǎo)體位于第一表面上。每個(gè)字導(dǎo)體連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路。位線導(dǎo)體位于第二表面上。每個(gè)位線導(dǎo)體與字導(dǎo)體交叉。每個(gè)位線導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)(disconnect switch)連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器。每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，該斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)狀態(tài)下將位線與驅(qū)動(dòng)電路與/或讀出放大器斷開(kāi)。如果連接到斷開(kāi)開(kāi)關(guān)的位線導(dǎo)體與字導(dǎo)體之一短路，則該斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為斷開(kāi)狀態(tài)。


圖1為具有布置成矩形陣列的多個(gè)鐵電電容器的鐵電交叉點(diǎn)陣列10的一部分的頂視圖。
圖2為穿過(guò)線2-2’的陣列10的剖面視圖。
圖3為鐵電交叉點(diǎn)陣列存儲(chǔ)器的等效電路圖。
圖4示出了所施加的電場(chǎng)與一個(gè)電容器內(nèi)的極化之間的關(guān)系。
圖5示出了在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中用于字線和位線的電壓圖。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的存儲(chǔ)器。
圖7為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的存儲(chǔ)器的示意性圖示。
圖8示出了包括用于替換存儲(chǔ)器單元行或列的電路的根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的存儲(chǔ)器。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1至2可以更容易理解本發(fā)明是如何實(shí)現(xiàn)其優(yōu)點(diǎn)的。圖1為具有布置成矩形陣列的多個(gè)鐵電電容器的鐵電交叉點(diǎn)陣列10的一部分的頂視圖。圖2為穿過(guò)線2-2’的陣列10的剖面視圖。陣列10包括構(gòu)造在襯底11上的三個(gè)層。第一層包括多個(gè)導(dǎo)體12，通過(guò)沉積金屬層且隨后使用傳統(tǒng)光刻技術(shù)圖形化該層來(lái)制作該多個(gè)導(dǎo)體。這些導(dǎo)體形成存儲(chǔ)器的位線或字線。此外，這些導(dǎo)體形成鐵電電容器的底部電極。
第二層13包括形成電容器的電介質(zhì)層的鐵電材料。該層優(yōu)選地為有機(jī)鐵電材料。該層的厚度通常為0.1μm。
最后，在該鐵電材料頂上沉積并圖形化第三層。第三層包括與導(dǎo)體12成直角的多個(gè)平行導(dǎo)體14。這些導(dǎo)體形成字線或位線中的另一者。這些導(dǎo)體還形成鐵電電容器的頂部電極。在導(dǎo)體12和導(dǎo)體14交叉點(diǎn)處形成一個(gè)這種電容器。
現(xiàn)在參考圖3，其為鐵電交叉點(diǎn)陣列存儲(chǔ)器20的等效電路。存儲(chǔ)器20包括布置成多行電容器的多個(gè)鐵電電容器24。給定行中的所有電容器連接到對(duì)應(yīng)于該行的字線。示例性字線以26至28示出。每條字線連接到一字線驅(qū)動(dòng)電路25，字線驅(qū)動(dòng)電路25提供用于將數(shù)據(jù)讀取和寫(xiě)入連接到該字線的電容器的信號(hào)。
每個(gè)電容器還屬于某一列，并連接到對(duì)應(yīng)于該列的位線。示例性位線以22示出。每條位線連接到讀出放大器23，該讀出放大器檢測(cè)連接到該位線的電容器中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。此外，每條位線連接到位線驅(qū)動(dòng)器21，該位線驅(qū)動(dòng)器用于在讀取和寫(xiě)入操作期間控制該位線上的電壓。將在下文更加詳細(xì)地討論在讀取和寫(xiě)入操作期間施加到位線和字線的電壓圖。
如前所述，通過(guò)在電容器的頂部和底部電極之間施加電壓從而在電介質(zhì)內(nèi)產(chǎn)生電場(chǎng)，可以極化各個(gè)電容器內(nèi)的鐵電電介質(zhì)。如果在鐵電材料中產(chǎn)生足夠大的電場(chǎng)，則在外電場(chǎng)去除之后，該材料將保持殘留極化。為了平衡與該殘留極化相關(guān)的電場(chǎng)，電子從電容器的一個(gè)電極離開(kāi)并積累于另一個(gè)電極上，直至電容器兩端的凈電壓為零。如果通過(guò)施加沿相反方向的電場(chǎng)使該極化方向翻轉(zhuǎn)，則已經(jīng)積累于該電極上的電子現(xiàn)在必須流動(dòng)到相反的電極，以抵消與新極化方向相關(guān)的電場(chǎng)。
當(dāng)通過(guò)對(duì)限定電容器的位線和字線施加恰當(dāng)?shù)男盘?hào)而跨過(guò)該電容器的電極施加電壓時(shí)，通過(guò)測(cè)量流過(guò)位線的電流，可以利用該效應(yīng)檢測(cè)該電容器內(nèi)電介質(zhì)的極化方向。如果初始極化方向與所施加電壓引起的極化方向相反，則該極化將會(huì)“翻轉(zhuǎn)”且電荷將在位線上流動(dòng)。如果初始極化方向與所施加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)的方向相同，則該極化將不會(huì)翻轉(zhuǎn)，且原理上沒(méi)有凈電流聚集在位線上。實(shí)踐中，在后一種情形中將觀察到遠(yuǎn)小于與翻轉(zhuǎn)相關(guān)的電流。
現(xiàn)在參考圖4，該圖示出了所施加的電場(chǎng)與一個(gè)電容器內(nèi)的極化之間的關(guān)系。當(dāng)所施加的電場(chǎng)在與電極之間電勢(shì)差Vs對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)和與電極之間電勢(shì)差-Vs對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)之間來(lái)回切換時(shí)，該極化遵從一磁滯回線。假設(shè)極化最初為-Pr且所施加的電壓為零，示于40。如果現(xiàn)在將電勢(shì)Vs施加到電極，則極化將改變?yōu)槭居?2的P’。由該電勢(shì)產(chǎn)生的電場(chǎng)的幅度與Vs/d成比例，其中d為鐵電電介質(zhì)的厚度。當(dāng)該電勢(shì)去除時(shí)，極化將停留于41所示的+Pr。如果電勢(shì)差Vs再次施加于該電容器，該極化將再次移動(dòng)到P’。當(dāng)該電壓去除時(shí)，極化將再次返回到點(diǎn)41。因此，通過(guò)對(duì)已經(jīng)沿著所施加電場(chǎng)的方向極化的電容器施加Vs，該極化不會(huì)改變，因此存儲(chǔ)在該電容器上的凈電荷保持相同。也就是說(shuō)，電容器的電極之間將沒(méi)有凈電流流動(dòng)。
另一方面，如果電勢(shì)-Vs施加于電極，則電容器將移動(dòng)到43所示的狀態(tài)，且極化將翻轉(zhuǎn)。當(dāng)該電勢(shì)去除時(shí)，極化將再次為40所示的-Pr。這種情況下，凈電荷通過(guò)外部電路在電容器的極板之間流動(dòng)。
在讀取操作中，給定行上的所有電容器承受相同的電勢(shì)，而其余行上的電容器保持在確保這些電容器兩端的電勢(shì)為零的電勢(shì)。例如，待讀取的行上的字線切換到Vs，而位線保持在零。該行上的電容器將都承受電勢(shì)差Vs。其余字線保持為零，因此這些行上的電容器將不承受任何電勢(shì)差，且存儲(chǔ)于這些電容器內(nèi)的數(shù)據(jù)將保持不變。
應(yīng)該注意，該讀取操作是破壞性的，因此被讀取的行內(nèi)的數(shù)據(jù)必須被重寫(xiě)。如果新數(shù)據(jù)將被寫(xiě)入一行內(nèi)的電容器，則首先讀取該行，且將新數(shù)據(jù)寫(xiě)入以替代被讀出的舊數(shù)據(jù)。
在寫(xiě)入開(kāi)始時(shí)，該行內(nèi)的所有電容器都處于相同的狀態(tài)。新數(shù)據(jù)置于位線上。因此，一些位線的電勢(shì)將不同于另一些位線的電勢(shì)。如果存儲(chǔ)器內(nèi)只有一個(gè)行，這將不會(huì)導(dǎo)致任何問(wèn)題。然而，這些位線還連接到并不正在被寫(xiě)入的行內(nèi)的電容器，因此這些電容器中的一些將承受到跨過(guò)其電極中的一些的電勢(shì)差，該電勢(shì)差可能改變存儲(chǔ)于這些電容器內(nèi)的數(shù)據(jù)。
選擇性地僅寫(xiě)入一行的關(guān)鍵在于，選擇寫(xiě)入操作期間的字線電壓，使得施加到未選行內(nèi)的電容器的電勢(shì)不足以導(dǎo)致存儲(chǔ)于這些電容器中的數(shù)據(jù)改變。該寫(xiě)入策略是基于如下觀察，即，未選電容器可以承受小的電勢(shì)差而不翻轉(zhuǎn)電介質(zhì)的極化。該電勢(shì)在圖4中示于45。對(duì)于上述材料，該電勢(shì)為Vs/3。然而，如果電容器承受的電勢(shì)使得內(nèi)部電場(chǎng)大于Ec，則極化將翻轉(zhuǎn)。
在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中用于字線和位線的電壓圖示于圖5。在周期的寫(xiě)入部分，對(duì)應(yīng)于未選定的行的字線保持于2/3Vs。通過(guò)位線上的電勢(shì)Vs而寫(xiě)入1，通過(guò)位線上的電勢(shì)Vs/3而寫(xiě)入0。因此，未選定的電容器兩端的電勢(shì)差總是為Vs/3，且電容器的極化保持相同的方向。與正被寫(xiě)入的行相對(duì)應(yīng)的位線在該寫(xiě)入操作期間保持于地電勢(shì)。在寫(xiě)入操作開(kāi)始時(shí)，所有電容器存儲(chǔ)邏輯0。因此，電勢(shì)對(duì)應(yīng)于0的位線上的電容器承受電勢(shì)差Vs/3，這些電容器內(nèi)的極化將不會(huì)翻轉(zhuǎn)。另一方面，電勢(shì)對(duì)應(yīng)于1的位線上的電容器將承受電勢(shì)差Vs，這些電容器內(nèi)的極化將會(huì)翻轉(zhuǎn)。
如果位線與字線短路，上述存儲(chǔ)器則存在嚴(yán)重的問(wèn)題。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，在如上所述的交叉點(diǎn)電容器陣列的實(shí)際實(shí)施中這種短路更為常見(jiàn)。有利的是采用Vs盡可能小的設(shè)計(jì)，因?yàn)閮?yōu)選使用傳統(tǒng)半導(dǎo)體元件在傳統(tǒng)硅晶片上構(gòu)造驅(qū)動(dòng)器、讀出放大器、以及其他邏輯電路。如果Vs較大，則必須提供高電壓電源從而將傳統(tǒng)的電壓電平轉(zhuǎn)換為這些高電平。此外，將承載這些高電壓的導(dǎo)體與電路的其余部分相隔離的成本顯著。所需的電場(chǎng)由鐵電電介質(zhì)材料的性能設(shè)定，因此無(wú)法減小。通過(guò)跨過(guò)電介質(zhì)施加電勢(shì)差Vs而在該電介質(zhì)內(nèi)產(chǎn)生的電場(chǎng)與Vs/d成比例，其中d為字線和位線之間的電介質(zhì)層的厚度。因此，如果最小化Vs，則d必須盡可能小。然而，非常薄的電介質(zhì)層趨于形成缺陷，該缺陷在位線和字線交叉的區(qū)域內(nèi)使字線和位線短路。
現(xiàn)在參考圖6，該圖示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的存儲(chǔ)器200。為了簡(jiǎn)化圖示，起著與圖3所示元件相同功能的存儲(chǔ)器200的元件使用與圖3相同的參考數(shù)字，這里不再詳細(xì)描述。所討論的短路示于202。該短路將位線201連接到字線27。
例如示于202的短路會(huì)導(dǎo)致許多問(wèn)題。首先，多個(gè)存儲(chǔ)單元變得不能使用。具體而言，在存在這種短路的現(xiàn)有技術(shù)裝置中，連接到位線201的存儲(chǔ)單元和連接到字線27的存儲(chǔ)單元例，如存儲(chǔ)單元204，將無(wú)法正常工作。具體而言，寫(xiě)入操作要求位線和字線執(zhí)行如上所述的電壓轉(zhuǎn)變圖案。應(yīng)該注意，這些圖案要求位線處于不同于字線的電壓。然而，如果兩種線短路，線上的實(shí)際電壓將取決于位線和字線驅(qū)動(dòng)器的相對(duì)電流驅(qū)動(dòng)能力并取決于該短路的阻抗。
如果該短路的阻抗非常小，則連接到這些驅(qū)動(dòng)器的電源的電勢(shì)可能改變，因此整個(gè)存儲(chǔ)器可能變得不可工作。就此而言，應(yīng)該注意，即使采用非常薄的鐵電層，讀取和寫(xiě)入存儲(chǔ)器所需的電勢(shì)也高于向傳統(tǒng)CMOS電路提供的電勢(shì)，因此鐵電存儲(chǔ)器通常包括具有有限電流驅(qū)動(dòng)能力的變換器。該功率變換器的容量可能容易不堪這種短路。
最后，應(yīng)該注意，用于寫(xiě)入字的電壓圖案包括施加于正被寫(xiě)入的字的第一圖案，和施加于其余字以防止在寫(xiě)入操作期間這些字的內(nèi)容被改變的第二圖案。由于被短路的字線無(wú)法執(zhí)行正確的電壓圖案，在寫(xiě)入其余字線期間，該字線的內(nèi)容將被改變。每次存儲(chǔ)器單元的內(nèi)容改變時(shí)，電荷通過(guò)其所連接到的位線而流入或流出鐵電電容器。因此，即使短路位線上的存儲(chǔ)器單元不用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，這些存儲(chǔ)器單元也作為噪聲源，可能改變其余位線上好的存儲(chǔ)器單元(例如位線212上的存儲(chǔ)器單元205)的操作。
本發(fā)明克服了這些問(wèn)題，不僅阻止了前述的噪聲信號(hào)和電源問(wèn)題，而且還拯救了未連接到短路位線的列中的電容器?，F(xiàn)在參考圖7，該圖為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的存儲(chǔ)器300的示意性圖示。為了簡(jiǎn)化以下討論，起著與圖6所示元件相同功能的存儲(chǔ)器300的元件使用與圖6相同的參考數(shù)字，這里不再討論。
存儲(chǔ)器300包括允許每條位線與讀出放大器及位線驅(qū)動(dòng)器隔離的開(kāi)關(guān)。示例的開(kāi)關(guān)示于圖中的301-306。當(dāng)與特定位線相關(guān)的開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，除非該位線短路到字線，否則該位線將浮置?？紤]位線201，該位線與字線27短路。如果開(kāi)關(guān)302和305斷開(kāi)，位線201將表現(xiàn)得如同該位線為字線27的一部分。因此，字線27表現(xiàn)為具有一些附加電容的正常字線。結(jié)果，字線27可以執(zhí)行寫(xiě)入操作的電壓圖案，即使該字線與位線201短路。
此外，可以讀取和寫(xiě)入未連接到位線201的字線27上的存儲(chǔ)器單元，如同未發(fā)生該短路。因此，可以使用這些存儲(chǔ)器單元。因此僅損失一列存儲(chǔ)器單元。
現(xiàn)在參考圖8，該圖示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的存儲(chǔ)器，其包括用于替換存儲(chǔ)器單元行或列的電路。存儲(chǔ)器400包括形成于多個(gè)位線和字線交疊區(qū)域的鐵電電容器陣列。為了簡(jiǎn)化圖示，省略了電容器。示例性字線示于431-434，示例性位線示于421至424。每條位線連接到位線驅(qū)動(dòng)器446和讀出放大器444。每條字線包括驅(qū)動(dòng)器441，其根據(jù)字線是否被激活來(lái)在讀取和寫(xiě)入操作期間設(shè)定該字線上的電壓圖案。
每條位線還包括隔離開(kāi)關(guān)，用于將該位線與對(duì)應(yīng)于該位線的讀出放大器和驅(qū)動(dòng)器斷開(kāi)。將位線421-424與位線驅(qū)動(dòng)器斷開(kāi)的、與位線421-424對(duì)應(yīng)的隔離開(kāi)關(guān)分別示于401-404。類(lèi)似地，將位線421-424與讀出放大器斷開(kāi)的、與位線421-424對(duì)應(yīng)的隔離開(kāi)關(guān)分別示于411-414。
在測(cè)試存儲(chǔ)器時(shí)，可以由為存儲(chǔ)器400一部分的控制器443或者由某些外部裝置設(shè)定隔離開(kāi)關(guān)的狀態(tài)。例如，隔離開(kāi)關(guān)可以實(shí)現(xiàn)為暴露于激光而斷開(kāi)的連接。在另一個(gè)實(shí)施方案中，由具有非易失性存儲(chǔ)器的寄存器控制這些開(kāi)關(guān)，所述非易失性存儲(chǔ)器在測(cè)試存儲(chǔ)器時(shí)存儲(chǔ)各個(gè)開(kāi)關(guān)的狀態(tài)。
存儲(chǔ)器400包括多個(gè)備用的行和列。使用Nw表示存儲(chǔ)器400內(nèi)字線的數(shù)目，使用Nb表示位線的數(shù)目。通過(guò)將字地址發(fā)送到列解碼器442而訪問(wèn)字。為了簡(jiǎn)化討論，假設(shè)該地址為具有固定位數(shù)的二進(jìn)制數(shù)。因此，可尋址字線的數(shù)目為log(A+1)，其中A為最大的可能地址。Nw選擇為大于可尋址字線的數(shù)目。行解碼器442包括將一個(gè)字線與每個(gè)可能的地址相關(guān)聯(lián)的映射。額外的字線作為備用。使用默認(rèn)映射編程行解碼器442，其中該默認(rèn)映射定義哪些字線是備用的和哪些字線映射到字地址。如果應(yīng)正常映射到地址的字線是有缺陷的，則行解碼器442內(nèi)的映射被改變，使得相應(yīng)的地址被映射到備用字線之一。通常是在測(cè)試存儲(chǔ)器時(shí)通過(guò)測(cè)試器或者控制器443進(jìn)行映射的變化。
由于本發(fā)明可以拯救由于字線與位線短路而有缺陷的字線，與不采用本發(fā)明的隔離開(kāi)關(guān)的存儲(chǔ)器相比，所需要的備用數(shù)目要小得多。然而，一些字線可能具有使得這些字線無(wú)法被拯救的其他缺陷。因此，在本發(fā)明的該實(shí)施方案中提供了一些備用行。
類(lèi)似地，Nb大于字中的位數(shù)。額外的位線對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器單元的備用列。在圖8所示的實(shí)施方案中，交叉連接開(kāi)關(guān)(cross-connectswitch)445將Nb個(gè)位線映射到存儲(chǔ)于輸出寄存器450內(nèi)的N個(gè)輸出位。在制造過(guò)程中該映射被編程為默認(rèn)映射。如果在測(cè)試存儲(chǔ)器時(shí)發(fā)現(xiàn)正常應(yīng)映射到字內(nèi)位的位線是有缺陷的，則交叉連接開(kāi)關(guān)445中的映射被改變，使得該有缺陷的列被備用位線之一替換。在測(cè)試存儲(chǔ)器400時(shí)，可以通過(guò)控制器443或者通過(guò)使用測(cè)試裝置直接改變?cè)撚成?，?lái)輸入相關(guān)的映射變化。
本發(fā)明的上述實(shí)施方案利用了這樣的布置，即其中位線驅(qū)動(dòng)電路與讀出放大器分離，因此需要兩個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)來(lái)隔離與字線短路的位線。然而，應(yīng)該注意，還可以構(gòu)造這樣的實(shí)施方案，即其中位線驅(qū)動(dòng)電路為讀出放大器的一部分。這種情況下，每條位線僅需要一個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)。
上述實(shí)施方案提到了字線和位線之間的“短路”。出于討論的目的，短路定義為字線和位線之間的任何導(dǎo)電路徑，該導(dǎo)電路徑在讀取或者寫(xiě)入操作期間允許大于預(yù)定電荷的電荷從字線傳輸?shù)轿痪€。該預(yù)定電荷優(yōu)選地為當(dāng)存儲(chǔ)器單元之一內(nèi)的鐵電電介質(zhì)切換該電解質(zhì)的極化方向時(shí)在位線上產(chǎn)生的電荷的十分之一。
上述實(shí)施方案使用交叉連接開(kāi)關(guān)選擇位線，位線定義在任何特定時(shí)刻被使用的存儲(chǔ)器單元的列。然而，可以使用可以選擇位線的子集的任何開(kāi)關(guān)布置。
在本發(fā)明上述實(shí)施方案中，與字線短路的位線被斷開(kāi)。這種布置是優(yōu)選的，因?yàn)槠涫沟每梢允褂迷撟志€上的其余存儲(chǔ)元件，同時(shí)保護(hù)電源并允許正確的電壓施加到該陣列的其余部分。然而，也可以有利地采用如下實(shí)施方案，即字線通過(guò)與該線相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的開(kāi)關(guān)被斷開(kāi)。例如，圖8中用441示出的每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可包括用于隔離與該驅(qū)動(dòng)器相關(guān)聯(lián)的字線的斷開(kāi)開(kāi)關(guān)。在這種布置中，當(dāng)字線斷開(kāi)時(shí)，該字線可視為位線的一部分。盡管斷開(kāi)的字線上的存儲(chǔ)元件不再起作用，但是這種布置確實(shí)保護(hù)了電源并允許正確的電壓施加到該陣列的其余部分。
通過(guò)前述描述與附圖，本發(fā)明的各種調(diào)整對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求界定。
權(quán)利要求書(shū)(按照條約第19條的修改)此處所陳述的存儲(chǔ)器權(quán)利要求書(shū)以兩部分的格式表達(dá)，從而肯定本申請(qǐng)的背景技術(shù)部分所表述的一般現(xiàn)有技術(shù)。權(quán)利要求書(shū)中所反映的本發(fā)明涉及一種鐵電存儲(chǔ)器設(shè)備，其包括斷開(kāi)缺陷位線(或字線)的斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，以便其余存儲(chǔ)器將保持可工作。本發(fā)明解決了在缺陷存儲(chǔ)器單元中發(fā)生的所謂針孔問(wèn)題。通過(guò)斷開(kāi)包含這種單元的位線，該存儲(chǔ)器單元內(nèi)的缺陷并不影響未連接到該斷開(kāi)的位線的其他存儲(chǔ)器單元。
審查員所引用的Mihara的對(duì)比文件并不涉及斷開(kāi)缺陷存儲(chǔ)單元。審查意見(jiàn)中所提到的開(kāi)關(guān)或連接僅起著選擇器開(kāi)關(guān)的功能，其用于驅(qū)動(dòng)或者脈沖發(fā)生以使得能夠?qū)ihara存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取或?qū)懭搿彶閱T似乎將這些開(kāi)關(guān)誤解為將缺陷單元及其相關(guān)位線或字線與存儲(chǔ)器斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。而′305 Mihara專(zhuān)利中并未給出這種教導(dǎo)。申請(qǐng)人不同意審查員將Mihara的開(kāi)關(guān)35表征為“斷開(kāi)開(kāi)關(guān)”。這些開(kāi)關(guān)并未將位線或字線與相關(guān)驅(qū)動(dòng)電路斷開(kāi)，而是純粹地在驅(qū)動(dòng)電路的不同部分之間進(jìn)行選擇，而未提供斷開(kāi)功能。因此，Mihara對(duì)比文件只是本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)的背景技術(shù)中所討論的相關(guān)的一般現(xiàn)有技術(shù)。
1.一種存儲(chǔ)器，包括包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多個(gè)字導(dǎo)體，每個(gè)字導(dǎo)體連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路；以及位于所述第二表面上的多個(gè)位線導(dǎo)體，每個(gè)位線導(dǎo)體與所述字導(dǎo)體交叉，其特征在于每個(gè)位線導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器，每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在所述斷開(kāi)狀態(tài)下將所述位線從所述驅(qū)動(dòng)電路和/或所述讀出放大器斷開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于如果連接到所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)之一的所述位線導(dǎo)體與所述字導(dǎo)體之一短路，則該斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為斷開(kāi)狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于進(jìn)一步包括位線選擇電路，其選擇用于連接到輸出電路的所述位線導(dǎo)體的子集，所述選定的位線導(dǎo)體為這樣的位線導(dǎo)體對(duì)于這些位線導(dǎo)體所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為所述閉合狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器，其特征在于所述選擇電路包括交叉連接開(kāi)關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于在每個(gè)位線導(dǎo)體的兩端分別提供斷開(kāi)開(kāi)關(guān)。
6.一種存儲(chǔ)器，包括包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多個(gè)字導(dǎo)體；以及位于所述第二表面上的多個(gè)位線導(dǎo)體，每個(gè)位線導(dǎo)體與所述字導(dǎo)體交叉，每個(gè)位線導(dǎo)體連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器，其特征在于每個(gè)字導(dǎo)體通過(guò)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在所述斷開(kāi)狀態(tài)下將所述字線與所述驅(qū)動(dòng)電路斷開(kāi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于如果連接到所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)之一的所述字線導(dǎo)體與所述位線導(dǎo)體之一短路，則該斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為斷開(kāi)狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于在每個(gè)字導(dǎo)體的兩端分別提供斷開(kāi)開(kāi)關(guān)。
9.一種操作存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器包括包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多個(gè)字導(dǎo)體，每個(gè)字導(dǎo)體連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路；以及位于所述第二表面上的多個(gè)位線導(dǎo)體，每個(gè)位線導(dǎo)體與所述字導(dǎo)體交叉，每個(gè)位線導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器，每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在所述斷開(kāi)狀態(tài)下將所述位線從所述驅(qū)動(dòng)電路和/或所述讀出放大器斷開(kāi)，所述方法包括測(cè)試所述存儲(chǔ)器以確定是否有任何所述字導(dǎo)體與任何所述位線導(dǎo)體短路；將連接到與所述字導(dǎo)體之一短路的所述位線之一的所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為所述斷開(kāi)狀態(tài)；以及將連接到未與任何所述字導(dǎo)體短路的所述位線之一的所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為所述閉合狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于設(shè)定所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)的步驟將所述位線兩端的開(kāi)關(guān)設(shè)定為斷開(kāi)。
11.一種操作存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器包括包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多個(gè)字導(dǎo)體，每個(gè)字導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在所述斷開(kāi)狀態(tài)下將所述字導(dǎo)體從所述驅(qū)動(dòng)電路和/或讀出放大器斷開(kāi)；以及位于所述第二表面上的多個(gè)位線導(dǎo)體，每個(gè)位線導(dǎo)體與所述字線導(dǎo)體交叉，每個(gè)位線導(dǎo)體連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器，所述方法包括測(cè)試所述存儲(chǔ)器以確定是否有任何所述字導(dǎo)體與任何所述位線導(dǎo)體短路；以及將連接到與所述位線導(dǎo)體之一短路的所述字導(dǎo)體之一的所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為所述斷開(kāi)狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于設(shè)定所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)的步驟將所述字導(dǎo)體兩端的開(kāi)關(guān)設(shè)定為斷開(kāi)。
13.一種存儲(chǔ)器，包括多條字線；與所述多條字線基本上正交的多條位線；設(shè)于字線和位線的每個(gè)交叉處的存儲(chǔ)器元件；所述字線和/或位線中的一個(gè)或多個(gè)具有與其第一端串聯(lián)的第一開(kāi)關(guān)連接器以及與其第二端串聯(lián)的第二開(kāi)關(guān)連接器，一旦出現(xiàn)故障，所述第一和第二開(kāi)關(guān)被選擇性斷開(kāi)以便從所述存儲(chǔ)器去除相應(yīng)的位線或字線。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器，包括包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多個(gè)字導(dǎo)體，每個(gè)字導(dǎo)體連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路；以及位于所述第二表面上的多個(gè)位線導(dǎo)體，每個(gè)位線導(dǎo)體與所述字導(dǎo)體交叉，每個(gè)位線導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器，每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在所述斷開(kāi)狀態(tài)下將所述位線從所述驅(qū)動(dòng)電路和/或所述讀出放大器斷開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中如果連接到所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)之一的所述位線導(dǎo)體與所述字導(dǎo)體之一短路，則該斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為斷開(kāi)狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，進(jìn)一步包括位線選擇電路，其選擇用于連接到輸出電路的所述位線導(dǎo)體的子集，所述選定的位線導(dǎo)體為這樣的位線導(dǎo)體對(duì)于這些位線導(dǎo)體所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為所述閉合狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器，其中所述選擇電路包括交叉連接開(kāi)關(guān)。
5.一種存儲(chǔ)器，包括包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多個(gè)字導(dǎo)體，每個(gè)字導(dǎo)體通過(guò)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在所述斷開(kāi)狀態(tài)下將所述字線與所述驅(qū)動(dòng)電路斷開(kāi)；以及位于所述第二表面上的多個(gè)位線導(dǎo)體，每個(gè)位線導(dǎo)體與所述字線導(dǎo)體交叉，每個(gè)位線導(dǎo)體連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器，其中如果連接到所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)之一的所述字線導(dǎo)體與所述位線導(dǎo)體之一短路，則該開(kāi)關(guān)設(shè)定為斷開(kāi)狀態(tài)。
7.一種操作存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器包括包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多個(gè)字導(dǎo)體，每個(gè)字導(dǎo)體連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路；以及位于所述第二表面上的多個(gè)位線導(dǎo)體，每個(gè)位線導(dǎo)體與所述字導(dǎo)體交叉，每個(gè)位線導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器，每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在所述斷開(kāi)狀態(tài)下將所述位線從所述驅(qū)動(dòng)電路和/或所述讀出放大器斷開(kāi)，所述方法包括測(cè)試所述存儲(chǔ)器以確定是否有任何所述字導(dǎo)體與任何所述位線導(dǎo)體短路；將連接到與所述字導(dǎo)體之一短路的所述位線之一的所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為所述斷開(kāi)狀態(tài)；以及將連接到未與任何所述字導(dǎo)體短路的所述位線之一的所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為所述閉合狀態(tài)。
8.一種操作存儲(chǔ)器的方法，該存儲(chǔ)器包括包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多個(gè)字導(dǎo)體，每個(gè)字導(dǎo)體連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路；以及位于所述第二表面上的多個(gè)位線導(dǎo)體，每個(gè)位線導(dǎo)體與所述字導(dǎo)體交叉，每個(gè)位線導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器，每個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)具有斷開(kāi)狀態(tài)和閉合狀態(tài)，所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)在所述斷開(kāi)狀態(tài)下將所述位線從所述驅(qū)動(dòng)電路和/或所述讀出放大器斷開(kāi)，所述方法包括測(cè)試所述存儲(chǔ)器以確定是否有任何所述字導(dǎo)體與任何所述位線導(dǎo)體短路；以及將連接到與所述位線導(dǎo)體之一短路的所述字線之一的所述斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為所述斷開(kāi)狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器，其由夾置于多個(gè)字導(dǎo)體和多個(gè)位線導(dǎo)體之間的電介質(zhì)層構(gòu)成。該電介質(zhì)層包括鐵電材料層的電介質(zhì)層，并具有第一和第二表面。字導(dǎo)體位于該第一表面上。各個(gè)字導(dǎo)體連接到相應(yīng)的字線驅(qū)動(dòng)電路。位線導(dǎo)體位于該第二表面上。各個(gè)位線導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)連接到相應(yīng)的位線驅(qū)動(dòng)電路和相應(yīng)的讀出放大器。如果連接到斷開(kāi)開(kāi)關(guān)的位線導(dǎo)體與字導(dǎo)體之一短路，則該斷開(kāi)開(kāi)關(guān)設(shè)定為斷開(kāi)狀態(tài)。
文檔編號(hào)G11C11/22GK101015023SQ200580029279
公開(kāi)日2007年8月8日 申請(qǐng)日期2005年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月1日
發(fā)明者R·H·沃馬克 申請(qǐng)人:薄膜電子有限公司