專利名稱：光學(xué)信息記錄介質(zhì)以及光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)性地記錄再現(xiàn)信息的光學(xué)信息記錄介質(zhì)以及光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年，伴隨著高度信息化社會的進展，作為能記錄再現(xiàn)大容量信息的介質(zhì)，提出并且開發(fā)光盤、光卡或光帶等光記錄介質(zhì)。其中光盤作為大容量記錄介質(zhì)，引人注目。例如光盤之一有相變化類型光盤。
對相變化類型光盤的記錄是以如下的方法進行的。照射溫度上升到記錄層的熔點以上的激光(這時的功率稱作記錄功率)，把記錄層熔化。如果激光通過，熔化的區(qū)域就急速冷卻，變?yōu)榉蔷w狀態(tài)，形成標記。另外，如果照射記錄層的結(jié)晶溫度以上并且熔點以下的溫度的激光(把這時的功率稱作消去功率)，記錄層就變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)，形成空白(space)。通過形成這樣的標記和空白，對相變化類型光盤形成記錄圖案，即進行記錄。
而通過照射成為比結(jié)晶溫度還低的溫度的激光，用4分割探測器檢測來自標記和空白的反射光量的不同，從而進行來自進行記錄的相變化類型光盤的再現(xiàn)。這時，作為用于表現(xiàn)從相變化類型光盤檢測的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的特性，使用抖動。來自凸脊(land)和凹槽記錄的相變化類型光盤的凹槽和凸脊的再現(xiàn)信號的抖動，受襯底的溝深度或溝寬度、光盤的使用材料或結(jié)構(gòu)、初始化條件等、作為光盤全體的光學(xué)狀態(tài)的影響。
通常，在凸脊和凹槽記錄的相變化類型光盤中，在同一面內(nèi)，信息道(軌道)間隔(凹槽之間或凸脊之間的間隔)固定。因此，相變化類型光盤的凹槽和凸脊的光學(xué)狀態(tài)，能表現(xiàn)為對未記錄狀態(tài)的介質(zhì)照射激光時的來自凹槽的反射光量(RG)與來自凸脊的反射光量(RL)之比(RG/RL)(以下稱作反射光量比(RG/RL))。此外，凸脊和凹槽記錄的相變化類型光盤中，記錄時的熱容易聚集在凹槽中，所以反射光量比(RG/RL)的值設(shè)定為比1稍大一些的值。而在只對凹槽進行記錄的相變化類型光盤中，有凹槽寬度比凸脊寬度還大的。另外，也有設(shè)置在用戶區(qū)的外周的讀入、讀出區(qū)的凸脊寬度，比用戶區(qū)的凸脊寬度寬的例子(例如參照專利文獻1)。
以往，作為商品化的凸脊和凹槽記錄的相變化類型光盤，有低線速度記錄專用的相變化類型記錄介質(zhì)。伴隨著光盤的高密度化，為了在短時間中進行記錄，開發(fā)了與從以往的線速度到其1.5倍的線速度的記錄對應(yīng)的相變化類型光盤，并且商品化。在這些光盤中，反射光量比(RG/RL)的值都在1.05左右能取得良好的抖動。另外，最近還開發(fā)了與高線速度并且多個線速度的記錄對應(yīng)的相變化類型光盤。
專利文獻1特開平10-172183號公告一般，在能以高線速度記錄的相變化類型光盤中，為了在短時間中進行記錄，有必要把基于記錄時的激光的發(fā)熱充分傳遞到記錄層內(nèi)，與低線速度記錄專用的光盤相比，成為難以散熱的結(jié)構(gòu)。當以低線速度記錄能以高線速度記錄的相變化類型光盤時，與凸脊不同，凹槽由于位于兩側(cè)的壁面，所以容易聚集熱量。結(jié)果與低線速度記錄專用的光盤相比，難以散熱。因此，即使激光通過，熔化的區(qū)域也不急速冷卻，記錄標記長度變得不穩(wěn)定，再現(xiàn)時，凹槽的抖動惡化。
例如對反射光量比(RG/RL)的值為1.05左右并且可記錄最大線速度(SH)與最小線速度(SL)之比(SH/SL)(以下稱作線速度比(SH/SL))的值為2以上(在本申請文件中“以上”、“以下”均包含本數(shù))的相變化類型光盤，以最小線速度(SL)進行記錄再現(xiàn)時，與以往的所述商品化的相變化類型光盤相比，再現(xiàn)信號的抖動惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供解決這些以往的課題的、能以多個線速度進行記錄的凸脊和凹槽記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)以及光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)。
為了解決所述課題，本發(fā)明的一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，具有凸脊和凹槽結(jié)構(gòu)，能以多個線速度進行記錄，其特征在于可記錄最大線速度(SH)和最小線速度(SL)的比(SH/SL)滿足2～3，來自未記錄狀態(tài)的凹槽的反射光量(RG)和來自凸脊的反射光量(RL)的比(RG/RL)的值為1.08以上1.19以下。
據(jù)此，能防止凹槽的再現(xiàn)信號的抖動惡化。
本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，凹槽的半值溝寬度(WG)和信息道間隔(TP)的比(WG/TP)的值滿足0.50＜(WG/TP)＜0.60。
據(jù)此，能抑制襯底的溝寬度的影響，防止凹槽的再現(xiàn)信號的抖動惡化。
另外，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)的特征在于具有能以多個線速度進行記錄，光源波長為660±10nm、NA為0.6±0.01的光學(xué)部件；可記錄最大線速度(SH)和最小線速度(SL)的比(SH/SL)的值為2～3時可記錄或再現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明，通過規(guī)定凸脊和凹槽的光學(xué)狀態(tài)，在以低線速度對具有凸脊和凹槽構(gòu)成并且能以多個線速度進行記錄的凸脊和凹槽記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)進行記錄時，能抑制記錄層中熱的聚集，形成穩(wěn)定的記錄標記，抑制再現(xiàn)時的抖動惡化，取得良好的再現(xiàn)信號的抖動。


下面簡要說明附圖。
圖1是本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的模式的剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖3是表示凹槽的再現(xiàn)信號對于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的反射光量比(RG/RL)的值的抖動的圖。
圖4是表示凸脊的再現(xiàn)信號對于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的反射光量比(RG/RL)的值的抖動的圖。
圖中1-襯底；2-凹槽；3-凸脊；4-下側(cè)介質(zhì)層；5-記錄層；6-上側(cè)介質(zhì)層；7-光吸收層；8-反射層；9-接合層；10-襯底；11-光盤；12-電機；13-系統(tǒng)控制電路；14-調(diào)制和記錄脈沖生成電路；15-激光驅(qū)動電路；16-功率調(diào)整電路；17-光學(xué)頭；18-再現(xiàn)信號處理和解調(diào)電路。
具體實施例方式
下面參照

本發(fā)明實施例。
圖1表示本發(fā)明實施例的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的簡要剖視圖。1是襯底，2和3分別是形成在襯底1上的凹槽和凸脊，4是下側(cè)介質(zhì)層，5是記錄層，6是上側(cè)介質(zhì)層，7是光吸收層，8是反射層，9是用于粘貼襯底10的接合層，依次層疊在襯底1上。
如果用線速度8.2m/sec記錄再現(xiàn)可記錄的線速度為8.2m/sec～24.6m/sec的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，相對于反射光量比(RG/RL)的值而言，凹槽以及凸脊的再現(xiàn)信號的抖動就分別為圖3和圖4。圖3表示線速度比(SH/SL)的值為2～3時，再現(xiàn)信號的抖動急速惡化時的反射光量比(RG/RL)的值最大時，圖4表示線速度比(SH/SL)的值為2～3時，再現(xiàn)信號的抖動急速惡化時的反射光量比(RG/RL)的值最小時。一般，如果在驅(qū)動器或記錄器等記錄再現(xiàn)裝置中實際使用這種介質(zhì)，在記錄再現(xiàn)時的再現(xiàn)信號的抖動超過13％時，發(fā)生再現(xiàn)信號的錯誤增加的問題。另外，在這些記錄再現(xiàn)裝置中，在性能上存在不一致，所以記錄再現(xiàn)時的再現(xiàn)信號的抖動根據(jù)裝置成為不同的值。因此，考慮上述情況，希望實際使用時的再現(xiàn)信號的抖動希望為10％以下。
在凹槽時，在圖3中，如果反射光量比(RG/RL)的值比1.08小，則由激光在記錄時的熱的聚集引起的影響增大，形成的記錄標記長度變得不穩(wěn)定。因此，抖動超過10％，急劇惡化。即對于以往的線速度比(SH/SL)的值為1.5以下的介質(zhì)，反射光量比(RG/RL)的值為1.08以上，在光學(xué)上使凹槽比凸脊更有利，從而能把再現(xiàn)信號的抖動抑制在較低。另外，在凸脊時，在圖4中，如果反射光量比(RG/RL)的值比1.19大，凸脊寬度就比記錄標記的寬度窄，再現(xiàn)時的輸出減少，抖動超過10％，急劇惡化。尤其是如果重復(fù)進行記錄，槽邊緣部就容易受變形等的影響，所以難以消除該部分的記錄標記，抖動急劇惡化。從以上可知，為了抑制線速度比(SH/SL)的值為2～3且能以多個線速度進行記錄的凹槽和凸脊記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)信號的抖動惡化，希望反射光量比(RG/RL)的值為1.08以上，并且在1.19以下。進而，為了在再現(xiàn)信號的抖動中取得余量，作為9％以下時的反射光量比(RG/RL)的值，希望為1.10以上，并且在1.17以下。
另外，本發(fā)明的線速度比(SH/SL)的值為2～5的范圍適合，但是希望是2～4的范圍，更希望是2～3的范圍。
作為記錄再現(xiàn)裝置中的伺服信號，廣泛使用徑向推挽信號。從光學(xué)頭對介質(zhì)照射比介質(zhì)的溝寬度還大的光斑直徑的激光，通過把反射光量作為4分割探測器的差信號檢測，從而取得徑向推挽信號。據(jù)此，使光學(xué)頭在凸脊或凹槽上穩(wěn)定掃描。因此，光學(xué)頭掃描凹槽上時，來自介質(zhì)的反射光量作為凹槽和與它相鄰的兩側(cè)的凸脊的一部分的反射光量的和檢測。因此，如果光學(xué)頭的數(shù)值孔徑(以下，NA)改變，則照射的激光的光斑直徑改變，反射光量變化。NA如果對于中心值，為±0.01的范圍，則來自介質(zhì)的反射光量中沒有大的變化。在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)時，使用NA為0.6左右的光學(xué)頭。因此，為了再現(xiàn)性良好地檢測來自介質(zhì)的反射光量，希望使用NA為0.6±0.01的范圍的光學(xué)部件。
另外，光學(xué)信息記錄介質(zhì)根據(jù)使用的材料和結(jié)構(gòu)，折射率不同。折射率也根據(jù)對介質(zhì)照射的光的波長而變化。光學(xué)頭的光源的波長如果對于中心值，為±10nm左右的范圍，則對折射率的影響小，來自介質(zhì)的反射光量沒有大的變化。在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)中使用光源的波長為660nm左右的光學(xué)頭。因此，為了再現(xiàn)性良好地檢測來自介質(zhì)的反射光量，希望使用光源的波長為660nm±10nm的范圍的光學(xué)部件。
雖然光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)方法中存在各種，但是相變化型中，記錄標記的寬度小，來自相鄰信息道的影響小，所以適合于凸脊和凹槽記錄，并且重復(fù)記錄性優(yōu)異。另外，相變化型記錄介質(zhì)中使用的材料的組合范圍寬，并且容易，能適應(yīng)各種記錄線速度。因此，適合對于能以多個線速度進行記錄的凸脊和凹槽記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，通過相變化進行信息的記錄或再現(xiàn)。
來自光學(xué)信息記錄介質(zhì)的反射光量由其中使用的襯底的溝寬度影響。通常這種介質(zhì)的信息道間隔(稱作凹槽間或凸脊間的間隔)一定，所以襯底的溝寬度能表現(xiàn)為凹槽半值溝寬度(WG)和信息道間隔(TP)的比(WG/TP)(以下凹槽寬度比(WG/TP))。如果凹槽寬度比(WG/TP)小于0.50，則如上所述，在記錄時，凹槽的熱聚集增大，再現(xiàn)信號的抖動惡化。另外，如果凹槽寬度比(WG/TP)大于0.60，則如上所述，來自凸脊的再現(xiàn)信號輸出減少，再現(xiàn)信號的抖動惡化。因此，襯底的凹槽寬度比(WG/TP)希望為0.50＜(WG/TP)＜0.60。更希望為0.51＜(WG/TP)＜0.58，更希望為0.51＜(WG/TP)＜0.56。此外，襯底能通過以往的方法容易地成形。
來自光學(xué)信息記錄介質(zhì)的反射光量受其中使用的襯底的溝深度影響。如果溝深度比40nm小，則徑向推挽信號減小，記錄再現(xiàn)裝置中的伺服特性變?yōu)椴环€(wěn)定。另外，如果溝深度比65nm大，則作為介質(zhì)的反射率下降，再現(xiàn)信號質(zhì)量惡化。因此，襯底的溝深度希望為40nm～65nm。更希望45nm～60nm，更希望47nm～58nm。
所述襯底的溝深度和溝寬度能通過用于把襯底成形的壓模調(diào)整。可是，襯底的溝深和溝寬度根據(jù)復(fù)制率和成形收縮率變化。因此，壓模的溝深度和溝寬度設(shè)定應(yīng)考慮到這些的值。通過進行光刻膠的厚度調(diào)整和用于把光刻膠曝光的激光的照射功率的調(diào)整，使用以往的方法，能容易制作滿足所述條件的壓模。
圖2是表示本發(fā)明實施例的光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的框圖。在能以線速度比(SH/SL)的值2～3記錄再現(xiàn)的系統(tǒng)中，11是對凹槽和凹槽能記錄的線速度比(SH/SL)的值2～3并且反射光量比(RG/RL)的值為1.08～1.19范圍的光盤，安裝在來自電機12的旋轉(zhuǎn)軸上，以給定的線速度旋轉(zhuǎn)。13是控制記錄再現(xiàn)系統(tǒng)全體的系統(tǒng)控制電路。記錄的數(shù)據(jù)由調(diào)制和記錄脈沖生成電路14記錄編碼，作為與記錄符號的長度對應(yīng)的記錄脈沖，進入激光驅(qū)動電路15。以功率調(diào)整電路16中設(shè)定的記錄功率或消去功率從光源波長660±10nm、NA為0.6±0.01的光學(xué)頭17對光盤11照射激光，進行記錄。另外，來自光盤11的再現(xiàn)用光學(xué)頭17檢測來自光盤11的反射光量，用再現(xiàn)信號處理和解調(diào)電路18進行波形處理，解調(diào)，取得再現(xiàn)信息。
<實施例>
以下描述本發(fā)明的更具體的實施例。
(實施例1)生成圖1中表示的結(jié)構(gòu)的相變化型光盤。在襯底1中，溝深度為56nm，信息道間隔(凹槽或凸脊間)為1.23μm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.52。另外，襯底1由厚度0.6mm的聚碳酸酯構(gòu)成。在襯底1上使用濺射法依次層疊由厚度130nm的ZnS-SiO2構(gòu)成的下側(cè)介質(zhì)層4、由厚度8.5nm的Ge-Bi-Sb-Te構(gòu)成的記錄層5、由厚度40nm的ZnS-SiO2構(gòu)成的上側(cè)介質(zhì)層6、由厚度25nm的Si-Cr構(gòu)成的光吸收層7、由厚度100nm的Ag-Pd-Cu構(gòu)成的反射層8。另外，在其上用由紫外線硬化樹脂構(gòu)成的接合層9粘貼由厚度0.6mm的聚碳酸酯構(gòu)成的襯底10，生成可記錄的線速度8.2m/sec～16.4m/sec的相變化型光盤。然后，以波長780nm從襯底1一側(cè)照射1200mW的激光，進行初始化。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.10。
(實施例2)使用溝深度55nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.53，其他與實施例1同樣的襯底，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～16.4m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.14。
(實施例3)使用溝深度48nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.55，其他與實施例1同樣的襯底，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～16.4m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.17。
(實施例4)使用溝深度50nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.53，其他與實施例1同樣的襯底，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～20.5m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.12。
(實施例5)使用溝深度52nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.54，其他與實施例1同樣的襯底，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～24.6m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.16。
(實施例6)使用溝深度54nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.52，其他與實施例1同樣的襯底，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～24.6m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.08。
(實施例7)使用溝深度50nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.55，其他與實施例1同樣的襯底，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～24.6m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.19。
(比較例)為了與所述比較，生成以下的光盤。
(比較例1)使用溝深度54nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.51，其他與實施例1同樣的襯底，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～16.4m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.04。
(比較例2)使用溝深度49nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.56，其他與實施例1同樣的襯底，另外，與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～20.5m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.23。
(比較例3)使用溝深度53nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.51，其他與實施例1同樣的襯底，另外，作為記錄層5，使用厚度8.5nm的Ge-Sb-Te，作為吸收層，使用厚度25nm的Ge-Cr，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec的專用相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.03。
(比較例4)使用溝深度51nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.52，其他與實施例1同樣的襯底，另外，作為記錄層5，使用厚度8.5nm的Ge-Sn-Sb-Te，作為吸收層，使用厚度25nm的Ge-Cr，其他與實施例1同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～12.3m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.06。
(比較例5)使用溝深度54nm，凹槽寬度比(WG/TP)的值為0.53，其他與實施例1同樣的襯底，另外，與比較例4同樣進行初始化，生成可記錄的線速度為8.2m/sec～12.3m/sec的相變化型光盤。生成的光盤的反射光量比(RG/RL)的值為1.11。
在所述實施例和比較例的各光盤中，測定用最小線速度記錄再現(xiàn)信息時的再現(xiàn)信號的抖動。此外，記錄使用最短符號長度3T(1T為17.13ns)，最長符號長度11T的多脈沖調(diào)制方式，對一個信息道，重復(fù)10次進行記錄，連續(xù)記錄5信息道，測量5信息道的中央凸脊以及凹槽的再現(xiàn)信號的抖動。這時，在對光盤的記錄再現(xiàn)時，使用波長660nm、數(shù)值孔徑NA為0.6的光學(xué)拾波器。另外，記錄功率和消去功率設(shè)定為各光盤的再現(xiàn)信號的抖動變?yōu)樽钚　?br> 在表1中表示使用以上的條件，對實施例1～7以及比較例1～5，測定線速度比(SH/SL)的值、反射光量比(RG/RL)的值以及再現(xiàn)信號的抖動。
從表1可知，線速度比(SH/SL)的值為1.5以下的光盤中，反射光量比(RG/RL)的值對再現(xiàn)信號的抖動的影響小，即使反射光量比(RG/RL)的值小，也表現(xiàn)良好的抖動。可是，如果線速度比(SH/SL)的值變?yōu)?以上，再現(xiàn)信號的抖動大幅度受到反射光量比(RG/RL)的值影響。
另外，使用圖2所示的光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)對實施例1～7的光盤進行記錄再現(xiàn)，取得與所述同樣良好的再現(xiàn)信號的抖動。
(其他實施例)所述實施例是本發(fā)明的一個實施例，并不限制本發(fā)明，能使用以下表示的構(gòu)件和成膜方法。
作為襯底1，能使用聚碳酸脂樹脂、聚烯烴樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、環(huán)氧樹脂、玻璃等。另外，也能組合使用它們，這時希望對于激光的波長，大致透明。另外，作為襯底10，如果是不損害作為光學(xué)信息記錄介質(zhì)的特性的材料，就不特別限定該材料，可以使用與襯底1相同的構(gòu)件。
作為下側(cè)介質(zhì)層4以及上側(cè)介質(zhì)層6，希望對于激光的波長，大致透明，熱傳導(dǎo)率低的材料。例如能把Si、Ge、Sn、Zn、Ti、Zr、Al等氧化物、W、Al、Sn、Cr、Mo、Si、Ge、In、Ga等的氮化物、Zn、Cd等的硫化物、Mg、Ca、La等的稀土類的氟化物作為單體或混合物使用。下側(cè)介質(zhì)層4和上側(cè)介質(zhì)層6，按需要能使用相同的材料和組成，或不同的材料和組成。
作為記錄層5，從光學(xué)常數(shù)、結(jié)晶速度、熱傳導(dǎo)率、耐久性的問題出發(fā)，對于Ge、Te，按照必要添加使用Bi、Sb、Sn、In、Ga、Ag、Au、Zn、Cu、Cr等金屬、半金屬或者從半導(dǎo)體元素、或O、N、S、C、B、F等非金屬元素選擇的一個或多個元素。
作為光吸收層7，希望折射率大，適度吸收光的材料和組成。例如能使用從Si、W、Ge、Nb、Cr、Y、Mo、Zr選擇的2種以上的化合物。
作為反射層8，希望光的吸收少，熱傳導(dǎo)率高的材料。例如，能使用從Au、Ag、Al、Pt、Ni、Cu、Cr、Ti選擇的金屬或以它們?yōu)橹鞒煞值暮辖稹?br> 另外，在光學(xué)信息記錄介質(zhì)中可以設(shè)置用于控制記錄時的記錄層的結(jié)晶的界面層。通常，界面層設(shè)置在記錄層的兩側(cè)，使用以Si、Ge為主成分的氮化物、或包含Si、Ga、W、Zr、Y、Nb、Zn、Al、Mo、In、Cr等各元素的化合物中的2種以上的材料。
通過真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等能形成所述各薄膜。
另外，作為接合層9，能通過旋轉(zhuǎn)鍍膜法形成使用環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、硅類樹脂等紫外線硬化樹脂。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，在使用相變化材料、光磁材料或色素材料作為記錄層的光盤、光卡、光帶中有用。另外，如果是在記錄標記和空白上具有不同的光學(xué)特性的介質(zhì)，能應(yīng)用本發(fā)明。另外，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)能應(yīng)用于記錄再現(xiàn)所述介質(zhì)的系統(tǒng)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，具有凸脊和凹槽結(jié)構(gòu)，能以多個線速度進行記錄，其中可記錄的最大線速度SH與最小線速度SL之比SH/SL的值滿足2～3；未記錄狀態(tài)下的來自凹槽的反射光量RG與來自凸脊的反射光量RL之比RG/RL的值，大于等于1.08且小于等于1.19。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中來自所述凹槽的反射光量RG和來自所述凸脊的反射光量RL，由光源波長為660±10nm、數(shù)值孔徑NA為0.6±0.01的光學(xué)部件來測定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中利用凸脊和凹槽結(jié)構(gòu)中的相變化進行信息的記錄或再現(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任意一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中凹槽的半值槽寬度WG與信息道間隔TP之比WG/TP的值，滿足0.50＜WG/TP＜0.60。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中凹槽的槽深度為40～65nm。
6.一種光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)，記錄再現(xiàn)權(quán)利要求1～5中的任意一項所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中所述光學(xué)信息記錄再現(xiàn)系統(tǒng)，能以多個線速度進行記錄再現(xiàn)，具有光源波長為660±10nm、NA為0.6±0.01的光學(xué)部件；可記錄的最大線速度SH與最小線速度SL之比SH/SL的值為2～3時可進行記錄或再現(xiàn)。
全文摘要
一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，具有凸脊和凹槽結(jié)構(gòu)，能以多個線速度進行記錄，可記錄最大線速度(SH)和最小線速度(SL)的比(SH/SL)滿足2～3，來自未記錄狀態(tài)的凹槽的反射光量(RG)和來自凸脊的反射光量(RL)的比(RG/RL)的值為1.08以上1.19以下。其目的在于，在能以多個線速度進行記錄的凸脊和凹槽記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，防止在以低線速度記錄記錄再現(xiàn)時的再現(xiàn)信號的抖動的惡化。
文檔編號G11B7/24GK1806277SQ20058000053
公開日2006年7月19日 申請日期2005年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月24日
發(fā)明者保阪富治, 草田英夫, 宮川直康 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社