專利名稱：磁頭堆疊組件、其制造方法及具有該組件的磁盤驅(qū)動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及支撐和驅(qū)動(dòng)磁頭的磁頭堆疊組件(“HSA”)和具有HSA的磁盤驅(qū)動(dòng)器，更具體而言，本發(fā)明涉及HSA中的懸掛體(suspension)和臂(arm)之間的連接。本發(fā)明例如適用于制造用于硬盤驅(qū)動(dòng)器(“HDD”)的HSA。
背景技術(shù)：
隨著最近因特網(wǎng)等的廣泛傳播，對(duì)于記錄包括運(yùn)動(dòng)和靜止圖片的大量信息的需求越來越大。因此，越發(fā)需要諸如HDD之類的大容量磁盤驅(qū)動(dòng)器。HDD通常包括在其上附著有磁性材料的磁盤，以及支撐磁頭并使磁頭向磁盤上的目標(biāo)位置移動(dòng)的HSA。HSA包括托架(也被稱為“調(diào)節(jié)器”、“E塊”(由于其E狀部分)或“調(diào)節(jié)器(“AC”)塊”)、附接到托架(在下文中被稱為“臂”)的支撐部分的懸掛體、在懸掛體上支撐的磁頭部件和將懸掛體附接到臂的基板(base plate)。磁頭部件包括記錄和再現(xiàn)信號(hào)的細(xì)磁頭核心(在下文中被簡(jiǎn)稱為“磁頭”)和支撐磁頭的滑塊。
懸掛體還充當(dāng)片彈簧，該片彈簧以預(yù)定的壓力在面對(duì)磁盤的方向上壓縮臂。當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，在滑塊和磁盤之間出現(xiàn)氣流或空氣軸承(airbearing)，并且使滑塊漂浮在磁盤表面之上。由于浮力和壓力之間的平衡，因此漂浮滑塊與磁盤之間有一段預(yù)定的距離。在這種狀態(tài)下，臂使磁頭旋轉(zhuǎn)并移動(dòng)到磁盤上的目標(biāo)位置，以用于信息讀取和寫入。
最近的高密度磁盤需要很高的磁頭定位精度，因此HSA應(yīng)該被精確地制造。例如，當(dāng)懸掛體由于制造誤差而翹曲或翹曲時(shí)，壓力、飛行高度、方向和振動(dòng)公差會(huì)偏離指定值，并且定位精確度會(huì)惡化。
在HSA中，懸掛體和基板是彼此激光焊接的，但是基板與臂鍛接或鉚接在一起。鍛接是一種通過向著臂的方向擠壓或塑性變形基板的一部分而使基板與臂相連的方式。當(dāng)將銳利的構(gòu)件插入到被鍛接的基板和臂之間時(shí)，被鍛接的基板和臂是可分離的，從而提高了磁盤驅(qū)動(dòng)器的經(jīng)濟(jì)效益，這是因?yàn)楫?dāng)懸掛體和磁頭部件有缺陷時(shí)，只要替換基板一側(cè)就足夠了，而不用替換整個(gè)HSA。
但是，用于基板的塑性變形的力致使基板變形(例如翹曲)，并且使磁頭定位精度惡化。一種已提出的用于降低基板變形的方法是在接收基板變形力的部件和懸掛體的連接點(diǎn)之間形成薄壁部分，并且減小基板變形對(duì)懸掛體的影響。例如，參見日本專利申請(qǐng)公開No.7-192420。
本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基板變形起因于由塑性變形力引起的基板本身的變形和臂的變形之間的疊加。嘗試只避免前者的日本專利申請(qǐng)公開No.7-192420無(wú)法充分減小臂的變形對(duì)基板的影響。另外，日本專利申請(qǐng)公開No.7-192420在臂上設(shè)置了薄壁部分，并且造成了下基板向下翹曲的問題。這是因?yàn)楸”诓糠纸档土嘶逶趹覓祗w一側(cè)的硬度，并且基板可能由于鍛接期間的重力和振動(dòng)而變形。由于臂從薄壁部分在懸掛體一側(cè)支撐基板的一部分，因此從某種程度上可以解決與上基板相關(guān)的問題。另一方面，在下基板下面沒有支撐構(gòu)件，并且變形會(huì)變得顯著。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種HSA、其制造方法以及具有該HSA的磁盤，本發(fā)明能夠有效地抑制臂的變形，和/或有效地抑制由于鍛接引起的基板本身的變形。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于制造HSA的方法，所述HSA包括一對(duì)懸掛體、臂和一對(duì)基板，其中每個(gè)懸掛體都支撐磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，并且所述一對(duì)基板將所述一對(duì)懸掛體附接到具有穿孔的臂的兩側(cè)，所述一對(duì)基板中的每個(gè)基板都具有帶有開口的突出部，該方法包括以下步驟在所述一對(duì)基板在穿孔兩側(cè)被插入到穿孔中時(shí)，通過使大于開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過穿孔而將所述一對(duì)基板與所述臂鍛接在一起，其中，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度并且垂直于包括了所述穿孔的中心軸線的截面的平面，第一位置被定義為具有所述基板的最小內(nèi)徑的位置，并且第二位置被定義為所述基板和所述臂的接觸位置之中最靠近所述中間平面的位置時(shí)，在所述鍛接步驟之前，所述中間平面和所述第一位置之間的距離等于或小于所述中間平面和所述第二位置之間的距離。根據(jù)該方法，當(dāng)諸如鍛接球之類的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上通過時(shí)，接收來自處理構(gòu)件的力的基板的受力點(diǎn)比作為基板和臂之間的接觸點(diǎn)的支點(diǎn)更靠近中間平面。因此，一對(duì)基板很可能朝著中間平面的方向變形，并且施加到臂的力變得比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)更靠近中間平面。結(jié)果，臂的變形減小。優(yōu)選地，在鍛接步驟期間，在一對(duì)基板中位于沿著所述一個(gè)方向的下游的基板在沿著所述一個(gè)方向的上游方向上變形，或在接近中間平面的方向上變形。當(dāng)具有基板的最小內(nèi)徑的多個(gè)位置構(gòu)成一個(gè)平面時(shí)，第一位置被定義為具有最小內(nèi)徑的多個(gè)位置中距離中間平面最遠(yuǎn)的位置和距離中間平面最近的位置之間的中間位置。
其中θ是在截面上穿過第二位置且平行于中間平面的(離開中間平面的方向?yàn)檎?的直線與將第一和第二位置彼此連接的直線之間的夾角，優(yōu)選地，θ滿足-17°≤θ≤0°，因?yàn)樵谠摲秶校巯鄬?duì)于夾角的翹曲量大致恒定，其中基板上具有最小內(nèi)徑的位置被看作截面中的一個(gè)點(diǎn)。更優(yōu)選地，θ滿足-12°≤θ≤0°，因?yàn)樵谠摲秶?，基板相?duì)于夾角的翹曲量大致恒定。
在鍛接步驟前，一對(duì)基板可以具有相同的形狀。從而，不一定準(zhǔn)備兩種類型的基板，并且提高了可操作性。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種HSA，其包括一對(duì)懸掛體，其中每個(gè)懸掛體都支撐磁頭；臂，其驅(qū)動(dòng)磁頭并且具有穿孔；以及與所述臂的穿孔的兩側(cè)鍛接在一起的一對(duì)基板，這對(duì)基板將所述一對(duì)懸掛體附接到所述臂的兩側(cè)，其中，所述一對(duì)基板到平分所述臂的厚度的中間平面的最近點(diǎn)與在所述基板和所述臂之間的接觸位置之中距離所述中間平面最近的位置之間的較大距離是較小距離的130％或更小，更優(yōu)選地，是較小距離的115％或更小。由于兩個(gè)基板類似地遠(yuǎn)離中間平面，因此被施加到臂的力矩可以被減小。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造HSA的方法，所述HSA包括懸掛體、臂和基板，所述懸掛體支撐磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，而所述基板具有帶有開口的突出部并且將所述懸掛體附接到具有穿孔的所述臂，所述方法包括以下步驟在所述基板被插入到所述穿孔中時(shí)，通過使大于所述開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過所述穿孔和所述基板而將所述基板與所述臂鍛接在一起，其中在所述鍛接步驟之前，在包括了所述穿孔的中心軸線的截面中，所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述一個(gè)方向的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外部的厚度的60％或更小。優(yōu)選地，所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述一個(gè)方向的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外部的厚度的35％或更大，或者，當(dāng)考慮制造誤差時(shí)為40％或更大。所述突出部在所述穿孔內(nèi)的最小厚度大約是所述基板在所述穿孔外部的厚度的50％或更大。當(dāng)其大于60％時(shí)，基板的翹曲量增大，并且當(dāng)其小于35％時(shí)，兩個(gè)基板的位移劇烈增大。
當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度并且垂直于所述截面的平面，第一位置被定義為具有所述基板的最小內(nèi)徑并且距離所述中間平面最遠(yuǎn)的位置，并且第二位置被定義為所述基板和所述臂的接觸位置之中最靠近所述中間平面的位置時(shí)，在所述鍛接步驟之前，所述中間平面和所述第一位置之間的距離小于所述中間平面和所述第二位置之間的距離。根據(jù)該方法，當(dāng)諸如鍛接球之類的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過時(shí)，接收來自處理構(gòu)件的力的基板的受力點(diǎn)比作為基板和臂之間的接觸點(diǎn)的支點(diǎn)更靠近中間平面。因此，一對(duì)基板很可能朝著中間平面的方向變形，并且施加到臂的力變得比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)更靠近中間平面。結(jié)果，臂的變形減小。優(yōu)選地，在鍛接步驟期間，在一對(duì)基板中位于沿著所述一個(gè)方向的下游的基板在沿著所述一個(gè)方向的上游方向上變形，或在接近中間平面的方向上變形。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種HSA，其包括支撐磁頭的懸掛體；驅(qū)動(dòng)所述磁頭并具有穿孔的臂；以及鍛接在所述臂的穿孔上的基板，該基板具有帶有開口的突出部并且將所述懸掛體附接到所述臂，其中在包括了所述穿孔的中心軸線的截面中，所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述中心軸線的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外的厚度的60％或更小。優(yōu)選地，所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述中心軸線的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外的厚度的35％或更大。所述突出部在所述穿孔內(nèi)的最小厚度大約是所述基板在所述穿孔外部的厚度的50％或更大。即使在鍛接之后，突出部在穿孔內(nèi)的最小厚度也不會(huì)有很大改變。因此，滿足與上述制造方法類似條件的HSA表現(xiàn)出與上述制造方法類似的操作。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造HSA的方法，所述HSA包括一對(duì)懸掛體、臂和一對(duì)基板，所述一對(duì)懸掛體中的每個(gè)懸掛體支撐磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，并且所述一對(duì)基板將所述一對(duì)懸掛體附接到具有穿孔的所述臂的兩側(cè)，所述一對(duì)基板中的每個(gè)基板都具有帶有開口的突出部，所述方法包括以下步驟在所述一對(duì)基板在所述穿孔兩側(cè)被插入到所述穿孔中時(shí)，通過使大于所述開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過所述穿孔而將所述一對(duì)基板與所述臂鍛接在一起，其中，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度的平面時(shí)，在所述鍛接步驟之后，從所述一對(duì)基板施加到所述臂的圍繞所述中間平面的力矩小于從如下結(jié)構(gòu)施加到所述臂的圍繞所述中間平面的力矩所述結(jié)構(gòu)已經(jīng)布置了沿著所述一個(gè)方向關(guān)于所述中間平面對(duì)稱的所述一對(duì)基板中的上游基板，而沒有布置下游基板，并且已經(jīng)利用所述處理構(gòu)件而被鍛接。由于由一對(duì)突出部施加的力矩相互抵消，因此臂的變形減小。
為了減小力矩，可以對(duì)接觸壓力和/或接觸壓力施加位置和中間平面之間的距離進(jìn)行控制。例如，在鍛接步驟之前，在一對(duì)基板中的上游基板的最小內(nèi)徑可以小于下游基板的最小內(nèi)徑。可替換地，在鍛接步驟之前，在包括了穿孔的中心軸線的截面中，當(dāng)?shù)谝晃恢帽欢x為所述基板上首先接觸所述處理構(gòu)件的位置，并且第二位置被定義為所述基板和所述臂之間的接觸位置之一時(shí)，在所述上游基板上，所述第二位置比所述第一位置更靠近所述中間平面，而在所述下游基板上，所述第一位置比所述第二位置更靠近所述中間平面。此外，在所述鍛接步驟之前，所述中間平面和所述臂與所述一對(duì)基板中的上游基板之間的接觸點(diǎn)之間的距離可以大于所述中間平面和所述下游基板與所述臂之間的接觸點(diǎn)之間的距離。
在所述鍛接步驟之前，在包括了所述穿孔的中心軸線的截面中，所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述中心軸線的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外的厚度的60％或更小。該配置可以減小由于鍛接引起的基板本身的變形。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供用于制造磁頭堆疊組件的方法，所述磁頭堆疊組件包括懸掛體、臂和基板，所述懸掛體支撐磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，并且所述基板具有帶有開口的突出部并且將所述懸掛體附接到具有穿孔的所述臂，所述方法包括以下步驟在所述基板被插入到所述穿孔中時(shí)，通過使大于所述開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過所述穿孔而將所述基板與所述臂鍛接在一起，其中，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度的平面時(shí)，鍛接位置位于離所述中間平面所述臂的厚度的±10％的范圍內(nèi)，所述鍛接位置被定義為沿著所述一個(gè)方向，在所述基板與所述臂之間的接觸位置之中，作為最上游位置的第一位置和作為最下游位置的第二位置之間的中間位置。當(dāng)鍛接位置位于該范圍中時(shí)，從基板施加到臂的圍繞中間平面的力矩減小，并且臂的變形減小。當(dāng)考慮基板的制造誤差時(shí)，鍛接位置優(yōu)選地位于離所述中間平面所述臂的厚度的±5％的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種HSA，其包括支撐磁頭的懸掛體；驅(qū)動(dòng)所述磁頭并具有穿孔的臂；以及基板，該基板將所述懸掛體附接到所述臂，并且具有與所述臂的穿孔鍛接在一起的突出部，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度的平面時(shí)，所述突出部被布置為穿過所述中間平面。當(dāng)鍛接位置位于該范圍內(nèi)時(shí)，從基板施加到臂的圍繞中間平面的力矩減小，并且臂的變形減小。當(dāng)鍛接位置位于離中間平面臂的厚度的10％(優(yōu)選地5％)的范圍中時(shí)，鍛接位置是沿著鍛接處理構(gòu)件的移動(dòng)方向，在所述基板和所述臂之間的接觸位置之中，作為最上游位置的第一位置和作為最下游位置的第二位置之間的中間位置。從而HSA表現(xiàn)出與上述制造方法類似的操作。
包括以上HSA或由以上方法制造出的HSA的磁盤驅(qū)動(dòng)器保持了很高的定位精確度，并且構(gòu)成本發(fā)明的一個(gè)方面。
從以下參考附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施方式的描述中，將更容易理解本發(fā)明的其他目的和其他特征。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器(“HDD”)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
圖2是在圖1所示的HDD中的磁頭部件的放大透視圖。
圖3A到3C分別示出了圖1所示的磁頭堆疊組件(“HSA”)的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的左側(cè)、平面和右側(cè)視圖。
圖4A和4B與基板相連的懸掛體的示意性平面視圖和截面視圖。
圖5A和5B是圖4A和4B所示的基板的示意性平面視圖和截面視圖。
圖6是用于說明圖3A和3C所示結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖，其中一對(duì)基板與臂的兩側(cè)鍛接在一起。
圖7示出了圖5A和5B所示基板中筘齒的示意性平面視圖和截面視圖。
圖8是用于說明圖5A和5B所示的基板與臂的兩側(cè)鍛接在一起的示意性截面視圖。
圖9A到9C是將基板與臂的兩側(cè)鍛接在一起的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的示意性截面視圖。
圖10A和10B是圖8所示基板的形狀的示意性截面視圖。
圖11A到11C是根據(jù)本發(fā)明的示例1的基板的示意性截面視圖。
圖12A到12C是包括與臂兩側(cè)鍛接在一起的基板的比較性示例的示意性截面視圖。
圖13是根據(jù)本發(fā)明的示例3的基板的示意性截面視圖。
圖14A和14B示出了示例3的結(jié)果圖。
圖15是根據(jù)本發(fā)明的示例4的基板的示意性截面視圖。
圖16A和16B是示例4的結(jié)果圖。
圖17是示例5的結(jié)果圖。
圖18是圖1所示HDD中的控制系統(tǒng)的框圖。
圖19是在鍛接之后，根據(jù)本發(fā)明的示例6的基板的示意性截面視圖。
圖20示出了在鍛接之后，根據(jù)本發(fā)明的示例7的基板和臂的伸出部分的截面視圖。
圖21示出了根據(jù)本發(fā)明的示例7的力矩差和翹曲量之間的關(guān)系的圖。
圖22是用于說明力矩平衡改善的圖。
圖23示出了根據(jù)本發(fā)明的示例7的力矩差和翹曲量之間的關(guān)系的圖。
圖24是用于說明圖3A和3C所示結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖，其中一個(gè)基板與臂的一側(cè)鍛接在一起。
圖25是用于說明圖5A和5B所示的基板與臂一側(cè)之間的鍛接的示意性截面視圖。
圖26A到26C是包括了與臂一側(cè)鍛接在一起的基板的比較性示例的示意性截面視圖。
圖27是圖25所示的與臂鍛接在一起的基板的部分放大的截面視圖。
圖28是示出基板上的鍛接位置和圖27中的中間平面之間的距離和翹曲量之間的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考附圖，將描述根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的HDD 100。如圖1所示，HDD 100包括多個(gè)磁盤104、一個(gè)主軸馬達(dá)106和位于殼體102中的HSA 110，其中每個(gè)磁盤104都充當(dāng)記錄介質(zhì)。這里，圖1是HDD 100的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意性平面視圖。
殼體例如由鋁制壓鑄基底和不銹鋼制成，并且具有長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，其上連接有密封內(nèi)部空間的蓋子(未示出)。本實(shí)施例的磁盤104具有很高的表面記錄密度，例如100Gb/in2或更大。磁盤104通過其中心孔被安裝在主軸馬達(dá)106的主軸上。
主軸馬達(dá)106以諸如15,000rpm的高速度旋轉(zhuǎn)磁盤104，并且例如具有無(wú)刷DC馬達(dá)(未示出)或作為其轉(zhuǎn)子部件的主軸。例如，兩個(gè)磁盤104按照堆疊在主軸上的磁盤、隔板、磁盤和夾具的順序被使用，并被與主軸耦合的螺栓所固定。與本實(shí)施例不同，磁盤104可以是沒有中心孔但是有輪軸的盤，并且主軸通過輪軸旋轉(zhuǎn)磁盤。
HSA 100包括磁頭部件120、懸掛體130、托架140和基板150。
如圖2所示，磁頭120包括大致為方形的Al2O3-TiC(Altic)滑塊121，和磁頭器件內(nèi)置膜123，該磁頭器件內(nèi)置膜123與滑塊121的空氣流出端相連，并且具有讀取和記錄磁頭122。這里，圖2是磁頭部件120的放大視圖。滑塊121和磁頭器件內(nèi)置膜123限定了相對(duì)于磁盤104的介質(zhì)相對(duì)表面，即，懸浮表面124。懸浮表面124接收磁盤104旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的氣流125。
一對(duì)軌道126在懸浮表面124上從空氣流入端向空氣流出端延伸。每個(gè)軌道126的頂表面限定了所謂的空氣軸承表面(“ABS”)127。ABS127由于氣流125的作用而產(chǎn)生浮力。嵌入到磁頭器件內(nèi)置膜123中的磁頭122暴露在ABS 127之外。磁頭部件120的懸浮系統(tǒng)并不局限于這種模式，并且可以使用已知的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)壓力潤(rùn)滑系統(tǒng)、壓電控制系統(tǒng)和其他懸浮系統(tǒng)。啟動(dòng)(activation)系統(tǒng)可以是接觸式啟停(“CSS”)系統(tǒng)，或者是動(dòng)態(tài)或斜面加載系統(tǒng)，在CSS系統(tǒng)中，磁頭部件120在停止時(shí)刻接觸磁盤104，而在動(dòng)態(tài)或斜面加載系統(tǒng)中，磁頭部件120在停止時(shí)刻被從磁盤104上抬起并被保持在磁盤104外的斜面上，同時(shí)磁頭部件120不接觸磁盤104，并且在啟動(dòng)時(shí)刻，磁頭部件120被從保持部件下降到磁盤104上。
磁頭122是MR感應(yīng)復(fù)合磁頭，其包括利用由導(dǎo)電線圈圖案(未示出)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在磁盤104中寫入二進(jìn)制信息的感應(yīng)磁頭器件，以及基于隨磁盤104所施加的磁場(chǎng)變化的電阻而讀取二進(jìn)制信息的磁阻(“MR”)磁頭。MR磁頭器件的類型不是限制性的，并且可以使用巨磁阻(“GMR”)、利用平面內(nèi)電流(“CIP”)的CIP-GMR(“GMP”)、利用垂直于平面的電流(“CPP”)的CPP-GMR、隧道磁阻(“TMR”)、各向異性磁阻(“AMR”)等等。
懸掛體130用于支撐磁頭部件120，并且對(duì)磁頭部件120在面向磁盤104的方向上施加彈力，并且懸掛體130例如是由不銹鋼制成的Watlas型懸掛體。這種類型的懸掛體具有以懸臂方式伸出磁頭部件120的彎曲部分(也被稱為萬(wàn)向節(jié)彈簧或另一名稱)以及連接到基板的載重梁(也被稱為載重臂或另一名稱)。載重梁在其中心具有彈簧部件，以便在Z方向上施加足夠的壓力。因此，載重梁包括位于近軸端的剛性部件、位于中心的彈簧部件以及位于遠(yuǎn)軸端的剛性部件。載重梁經(jīng)由被稱為凹痕(也被稱為樞軸或另一名稱)的突出部分與彎曲部分相接觸，以使ABS 124跟隨磁盤的翹曲和膨脹，并且它總是與磁盤表面平行。磁頭部件120被設(shè)計(jì)成圍繞凹痕柔性傾斜和轉(zhuǎn)動(dòng)。懸掛體130還支撐經(jīng)由引線等連接到磁頭部件120的接線部件138。接線部件138在圖4A中被示出，隨后將對(duì)其進(jìn)行描述。經(jīng)由該引線，感應(yīng)電流流過并且讀/寫信息在磁頭122和接線部件138之間傳送。接線部件138被連接到圖3B所示臂144下面的繼電器柔性印制電路板(“FPC”)。
如后面所述，該實(shí)施例減小了基板150的翹曲量，并因此提高了懸掛體130和磁頭部件120的平坦度，從而可防止由于過度的彈力和扭力所引起的擠壓并且保持定位的精確度。
托架140用于使磁頭部件120在圖1所示箭頭的方向上旋轉(zhuǎn)，并且如圖1和圖3A到3C所示，托架140包括音圈馬達(dá)141、支撐軸142、FPC143和臂144。這里，圖3A是HSA 110的左側(cè)視圖。圖3B是HSA 110的平面視圖。圖3C是HSA 110的右側(cè)視圖。雖然圖3A到3C示出驅(qū)動(dòng)六個(gè)磁頭部件120的托架140，其中磁頭部件120記錄和再現(xiàn)三張磁盤104的兩側(cè)，但是磁盤的數(shù)目當(dāng)然不局限于三張。
音圈馬達(dá)141具有位于一對(duì)軛狀物141a之間的扁平線圈141b。扁平線圈141b與設(shè)置在HDD 100的殼體102中的磁性電路(未示出)相對(duì)，并且托架140根據(jù)流過扁平線圈141b的電流值而圍繞支撐軸142擺動(dòng)。磁性電路例如包括固定在固定于殼體102中的鐵板上的永久磁鐵，以及固定在托架140上的可移動(dòng)磁鐵。支撐軸142被插入到托架140的中空?qǐng)A筒中，并且在殼體102中在垂直于圖1的紙張表面延伸。FPC 143向接線部件138提供將被記錄在磁盤104中的信號(hào)的控制信號(hào)以及電源，并且接收從磁盤104再現(xiàn)的信號(hào)。
臂144是可以圍繞支撐軸142旋轉(zhuǎn)或擺動(dòng)的鋁制剛性體，并且在其頂部具有穿孔145，隨后將對(duì)其進(jìn)行描述。懸掛體130經(jīng)由臂144中的穿孔145和基板150被附接到臂144。當(dāng)從如圖3A和3C所示的側(cè)面進(jìn)行查看時(shí)，臂144呈現(xiàn)梳狀。
基板150用于將懸掛體130附接到臂144，并且如圖4A到5B所示，基板150包括板部分151、焊接部分152和筘齒或銷子154。焊接部分152是將與懸掛體130激光焊接的板部分151的尖部。筘齒154是將與臂144鍛接的部件。這里，圖4A是與基板150相連的懸掛體130的示意性平面視圖。圖4B是懸掛體130的示意性截面視圖。圖5A是基板150的示意性平面視圖。圖5B是基板150的示意性截面視圖。
現(xiàn)在參考圖6，將描述圖3A中從上數(shù)第二臂144和一對(duì)基板150之間的連接。圖3A中從上數(shù)的第二臂144具有雙頭結(jié)構(gòu)，其中基板150被附接到臂144的兩側(cè)。這里，圖6是用于說明臂144和基板150之間的連接的流程圖。
首先，如圖5A和5B所示，生產(chǎn)基板150(步驟1002)。步驟1002通過沖壓加工在基板150的板部分151中形成筘齒154。如圖7所示，筘齒154在其頂端具有伸出部分或邊緣156和開口157。伸出部分156和其周圍部分構(gòu)成塑性變形的L形突出部155。這里，圖7是基板150的示意性放大平面視圖和截面視圖。
接下來，如圖4A和4B所示，基板150的焊接部分152與懸掛體130激光焊接(步驟1004)。在步驟1004之前或之后，磁頭部件120被附接到懸掛體130。
接下來，如圖8所示，基板150被安置在臂144的兩側(cè)，以使每個(gè)基板150的筘齒154都被插入到臂144的穿孔145中(步驟1006)。這里，圖8示出了與臂144的兩側(cè)嚙合的一對(duì)基板150。接下來，鍛接緊隨其后(步驟1008)。鍛接使其直徑稍大于開口157的直徑的鍛接球50在由箭頭所示的方向上穿過穿孔145。結(jié)果，如圖8中的水平箭頭所示，基板150的突出部155被擠壓并塑性變形，從而使基板150與臂144相連。如圖8中的長(zhǎng)短交替的虛線所示，將臂144的厚度一分為二并且垂直于穿孔145的中心軸線CA的表面被稱為中間平面IS。
發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)的上下基板在如圖8所示那樣布置時(shí)會(huì)向上翹曲，這是因?yàn)榛宓淖冃尾粌H受到由于球50的塑性變形力而引起的基板自身變形的影響，而且還受到臂144的變形的影響。
圖9A放大了傳統(tǒng)基板30A和30B的形狀。更具體而言，圖9A是在鍛接之前，傳統(tǒng)的基板30A和30B與臂144之間的布置的部分放大截面視圖。球50首先接觸上基板30A的位置或受力點(diǎn)P2位于基板30A接觸臂144的位置或支點(diǎn)P1的上方，即，支點(diǎn)P1比受力點(diǎn)P2更靠近中間平面IS。這是因?yàn)楫?dāng)受力點(diǎn)P2比支點(diǎn)P1更靠近中間平面IS時(shí)，當(dāng)球50經(jīng)過時(shí)，上伸出部分32A很可能在逆時(shí)針箭頭的方向上發(fā)生變形，而不是逆著臂144的方向上變形。當(dāng)由球50施加的變形力因伸出部分32A的向下變形和水平變形減小而耗損時(shí)，由突出部31A施加給臂144的連接力或接觸壓力被不合人意地減弱，并且基板30A很可能從臂144脫落。出于類似原因，球50首先接觸下基板30B的位置或受力點(diǎn)P4位于基板30B接觸臂144的位置或支點(diǎn)P3的下方，即，支點(diǎn)P3比受力點(diǎn)P4更靠近中間平面IS。
接下來，上基板30A具有突出部31A，該突出部具有L形部分，而下基板30B具有突出部31B，該突出部具有倒L形部分。如圖9B簡(jiǎn)單示出的，當(dāng)L形突出部31A和倒L形突出部31B受到來自球50的垂直向下的力時(shí)，突出部31A和31B在向下和水平方向上都會(huì)變形。這里，圖9B的局部放大截面視圖示出了由于鍛接而施加到傳統(tǒng)基板上的力以及從基板到臂的接觸壓力的量。
在這種情況下，使L形狀打開的力F1要小于使L形狀關(guān)閉的力F2。在球50向下移動(dòng)時(shí)，突出部31A需要較小的力F1，而突出部31B需要較大的力F2。此關(guān)系對(duì)接觸壓力作為水平力的情況適用從突出部31A施加到臂144的接觸壓力F3小于從突出部31B施加到臂144的接觸壓力F4。
從圍繞中間平面IS的接觸壓力F3和F4之間的關(guān)系可知，臂144在圖9B中接收逆時(shí)針的力矩，并且在圖9C中向上變形。這里，圖9C是在鍛接之后的基板和臂的變形的部分放大截面視圖?；?0A和30B跟隨臂144之后向上變形，。上臂144限制了基板30B的變形，但是沒有構(gòu)件能夠限制基板30A的變形，并且基板30A更大地向上變形。在鍛接之后，基板30A的伸出部分比基板30B的伸出部分更靠近中間平面IS。這是由于由臂144的變形所導(dǎo)致的基板30A和30B的變形，并且基板30A和30B自身會(huì)由于力F1和F2而在其伸出部分32A和32B處發(fā)生變形。結(jié)果，基板30A和30B的變形是它們自身的變形和臂144的變形的疊加。
為了減小由于臂144的變形而引起的基板30A和30B的變形，發(fā)明人首先研究減小圖9B中的接觸壓力F3和F4之間的差。當(dāng)接觸壓力F3和F4之間的差變小時(shí)，施加到臂144的力矩變小，并且變形變小。
為了減小由于臂144的變形而引起的基板30A和30B的變形，發(fā)明人隨后研究了如下結(jié)構(gòu)在該結(jié)構(gòu)中，從上下基板150A和150B施加到臂144的圍繞中間平面IS的力矩盡可能完全地相互抵消。換句話說，在圖8中，本實(shí)施方式在鍛接前改變上下基板150A和150B的形狀和布置，以使從基板150A的突出部155A施加到臂144的圍繞中間平面IS的力矩M1＝F11×L11大致等于從基板150B的突出部155B施加到臂144的圍繞中間平面IS的力矩M2＝F22×L22，其中F11是從基板150A的突出部155A施加到臂144的接觸壓力，L11是接觸壓力F11所施加的點(diǎn)P11和中間平面IS之間的距離，F(xiàn)22是從基板150B的突出部施加到臂144的接觸壓力，并且L22是接觸壓力F22所施加的點(diǎn)P22和中間平面IS之間的距離。為了在固定基板150A的情況下使M1和M2彼此大致相等，需要對(duì)基板150B的F22和/或L22進(jìn)行調(diào)整。在L11＝L22的情況下，F(xiàn)11和F22之間的差可以被減小。從而，施加到臂144的力矩減小，并且其變形減小。例如，在圖9B中，將嘗試減小接觸壓力F3和F4之間的差。
圖9B中的接觸壓力F3和F4之間的差歸因于以下事實(shí)在下基板30B的伸出部分32B向內(nèi)(或在L形狀關(guān)閉的方向上)變形時(shí)，上基板30A的伸出部分32A向外(或在L形狀打開的方向上)變形。換句話說，上下伸出部分32A和32B在不同的方向上變形。
因此，原則上，本實(shí)施方式將圖9A中的位置P1和P2之間的位置關(guān)系以及位置P3和P4之間的位置關(guān)系轉(zhuǎn)換為圖10A中的位置關(guān)系。這里，圖10A是圖8所示的本實(shí)施方式中的基板150A和150B的示意視圖，其中將受力點(diǎn)P2′和P4′布置在比支點(diǎn)P1′和P3′更靠近中間平面IS。然而，對(duì)本發(fā)明來說，將中間平面IS和受力點(diǎn)P2′(或P4′)之間的距離設(shè)置為小于中間平面IS和受力點(diǎn)P1′(或P3′)之間的距離就足夠了。為了生產(chǎn)具有圖10A所示結(jié)構(gòu)的基板150，例如，在用于步驟1002的沖壓機(jī)器的模具中，在形成基板150的伸出部分156的下表面的下模具上形成傾斜表面。
利用這種布置，當(dāng)受力點(diǎn)P2′和P4′接收到來自球50的水平力時(shí)，上基板150A的伸出部分156A和下基板150B的伸出部分156B在相同的方向(或在L形狀打開的方向)上變形，并且它們對(duì)球50的阻力變得幾乎彼此相等。結(jié)果，在圖8中，從上基板150A的突出部155A施加到臂144的接觸壓力F11和從下基板150B的突出部155B施加到臂144的接觸壓力F22之間的差減小。結(jié)果，臂144的變形減小，并且基板150A和150B以及連接到它們的懸掛體130的翹曲減小。
如上所述，當(dāng)受力點(diǎn)P2′和P4′被布置在比支點(diǎn)P1′和P3′更靠近中間平面IS的位置上時(shí)，從突出部155A和155B施加到臂144的接觸壓力減小。但是，為了磁頭122的精確定位，最好即使在稍微犧牲接觸壓力時(shí)，也能保持懸掛體130的平坦度。然而，如果接觸壓力過低，則懸掛體130很可能從臂144上脫離，并且振動(dòng)公差惡化。因此，本實(shí)施方式提供了預(yù)定的更低限制，如后面所述。
除了圖10A的結(jié)構(gòu)之外，如圖10B所示，可以通過使穿孔145內(nèi)的最小厚度T2小于穿孔145外的基板150C和150D的原始厚度T1，來限制由球50導(dǎo)致的基板本身的變形對(duì)懸掛體130的影響。這里，圖10B是作為圖10A的變化的示意性放大截面視圖。
在本實(shí)施方式中，一對(duì)基板150A和150B(或150C和150D)具有相同的形狀。因此，不需要準(zhǔn)備兩種類型的基板，并且提高了可操作性。但是，在另一實(shí)施方式中，一對(duì)基板150A和150B(或150C和150D)可以具有不同的形狀。
示例1在圖8中，當(dāng)L11不同于L22時(shí)，L22和/或F22例如可通過減小L22以使P22接近中間平面IS，或通過放大突出部155B的最小直徑并減小F22而被調(diào)整，以便使M1和M2彼此相等。在本實(shí)施方式中，在鍛接前具有圖11A所示形狀的基板150A和150B被鍛接，并且圖11B所示的形狀是通過利用有限單元法(“FEM”)的仿真獲得的。在圖11A和11B中，P1′和P3′與中間平面IS之間的距離大致相等。
比較示例在鍛接前具有圖12A所示形狀的傳統(tǒng)基板30A和30B被鍛接，并且圖12B所示的形狀是通過利用FEM的仿真獲得的。
在圖11B和12B中的接觸壓力是這樣計(jì)算的根據(jù)本實(shí)施方式，上接觸壓力是210N，下接觸壓力是240N，如圖11C所示。根據(jù)比較示例，上接觸壓力是220N，下接觸壓力是266N，如圖12C所示。本實(shí)施方式在上下接觸壓力之間具有良好的平衡，并且翹曲量大約減少了40％的效果。
在示例1中，在如圖11B和11C的鍛接之后，在圖11C中，基板150A和150B與中間平面IS在垂直方向或縱向上的距離大致彼此相等。對(duì)于基板150A和150B與臂144之間的接觸位置與基板150A和150B到中間平面IS的最近點(diǎn)之間的距離，較大距離是較小距離的130％或更小(對(duì)應(yīng)于示例3(隨后將描述)中的-17°≤θ≤0°)，更優(yōu)選地，較大距離是較小距離的115％或更小(對(duì)應(yīng)于實(shí)施例3(隨后將描述)中的-12°≤θ≤0°)。當(dāng)兩基板150A和150B與中間平面IS之間的距離彼此大致相等時(shí)，施加到臂144的力矩減小。另一方面，在圖12B和12C示出的比較示例中，至于從每個(gè)基板30到中間平面IS的距離，較大距離是較小距離的3倍或更大。
另一示例使上基板與比較示例一樣，而使下基板與本實(shí)施方式一樣。這樣一來，上接觸壓力是220N，而下接觸壓力變?yōu)?40N，并且接觸壓力的差進(jìn)一步減小。
示例2在示例1的結(jié)構(gòu)中，厚度T2是如圖10B所示厚度T1的一半，并且對(duì)基板的翹曲量和臂的位移之間的關(guān)系進(jìn)行研究。表1示出了比較示例和示例1和2的結(jié)果。在表1中，上位移被設(shè)置為正的，并且在“位置”部分中的UP指的是上基板150A或150C，DN指的是下基板150B(或150D)。
表1

示例3如圖13所示，從支點(diǎn)P1′畫出一條平行于中間平面IS的直線，并且在上基板中，角度θ被定義為該直線和將支點(diǎn)P1′和受力點(diǎn)P2′彼此連接的直線之間的夾角。這里，圖13是在鍛接前，包括了穿孔145的中心軸線(未示出)的截面。在基板150A和150B上具有最小內(nèi)徑的位置之中，受力點(diǎn)P2′和P4′是離中間平面IS最遠(yuǎn)的。在基板150A和150B接觸臂144的位置之中，支點(diǎn)P1′和P3′是距離中間平面IS最近的。
類似地，從支點(diǎn)P3′畫出一條平行于中間平面IS的直線，并且在下基板150B中，角度θ被定義為該直線和將支點(diǎn)P3′和受力點(diǎn)P4′彼此連接的直線之間的夾角。在圖13中，當(dāng)從球50觀察時(shí)，受力點(diǎn)P2′和P4′突出，并且每個(gè)都可以被看作一個(gè)點(diǎn)。對(duì)于上基板150A中的θ，順時(shí)針方向?yàn)檎瑢?duì)于下基板150B中的θ，逆時(shí)針方向?yàn)檎Ｍㄟ^改變?chǔ)?，?duì)基板150A和150B及臂144的翹曲量、上下接觸壓力以及這些接觸壓力之間的差進(jìn)行研究，并且其結(jié)果被概括在圖14A和14B中。
從圖14A中可知，臂144在-17°≤θ≤5°在范圍內(nèi)具有大致恒定的翹曲量，但是由于θ優(yōu)選地等于或小于0，因此-17°≤θ≤0°是優(yōu)選的。但是，在θ≤-12°的范圍內(nèi)，上下基板的翹曲量以及下上接觸壓力之間的差明顯地變化，因此，-12°≤θ≤0°是更加優(yōu)選的。
另外，當(dāng)在基板150和臂144之間的穩(wěn)定的接觸壓力被定義為200N時(shí)，在θ≤-12°的范圍內(nèi)，上接觸壓力變?yōu)?00N或更小，因此-12°≤θ是優(yōu)選的。
示例4該示例類似于圖13所示的示例3，但是差別在于如圖15所示，表面具有最小的內(nèi)徑，并且具有最小內(nèi)徑的區(qū)域更廣。該示例在可以存在受力點(diǎn)P2′和P4′的基板150A和150B上具有多個(gè)具有最小內(nèi)徑的點(diǎn)。甚至在本示例中，通過改變?chǔ)取?，?duì)基板150A和150B以及臂144的翹曲量、上下接觸壓力，以及這些接觸壓力之間的差進(jìn)行研究，并且其結(jié)果被概括在圖16A和16B中。角度θ′具有與角度θ相同的正和負(fù)方向。
從圖16A可知，臂144在-10°≤θ′≤10°范圍內(nèi)具有大致恒定的翹曲量，但是由于θ′優(yōu)選地等于或小于0，因此-10°≤θ′≤0°是優(yōu)選的。但是，在θ′≤-5°和5°≤θ′的范圍內(nèi)，上下基板的翹曲量以及下上接觸壓力之間的差明顯地變化，因此，-5°≤θ′≤5°是更加優(yōu)選的。但是由于θ′優(yōu)選地等于或小于0，因此-5°≤θ′≤0°是最優(yōu)選的。
另外，當(dāng)在基板150和臂144之間的穩(wěn)定的接觸壓力被定義為200N時(shí)，在θ′≤-5°的范圍內(nèi)，上接觸壓力變?yōu)?00N或更小，因此-5°≤θ′是優(yōu)選的。
示例5在圖10B所示的結(jié)構(gòu)中，厚度T2和厚度T1與厚度T2之比變化，并且對(duì)基板150C和150D以及臂144的翹曲量進(jìn)行研究。其結(jié)果被概括在圖17A和17B中。上基板150C的翹曲量和下基板150D的翹曲量是基板的翹曲量和臂的翹曲量之和。當(dāng)厚度T2增大時(shí)，翹曲量由于基板本身的翹曲量下降而減小。但是，當(dāng)厚度T2增大時(shí)，臂144的翹曲量增大。因此，基板150的總翹曲量最終具有極限點(diǎn)。參考圖17A，當(dāng)厚度T2為0.1mm(厚度T1的50％)時(shí)，總翹曲量變?yōu)樽钚　膱D17A和17B，0.07mm≤T2≤0.12mm是優(yōu)選的，但是當(dāng)考慮制造誤差時(shí)，0.08mm≤T2≤0.12mm更加優(yōu)選。35％≤T2/T1≤60％是優(yōu)選的，但是當(dāng)考慮制造誤差時(shí)，40％≤T2/T1≤60％更加優(yōu)選。
與日本專利申請(qǐng)公布No.7-192420不同，本示例在穿孔145中布置薄壁部分，而不是在臂144上布置薄壁部分。當(dāng)如日本專利申請(qǐng)公布No.7-192420那樣在臂144上布置薄壁部分時(shí)，薄壁部分的剛性下降，并且下基板150B向下過度變形，尤其在填縫(calking)時(shí)刻。因此，本示例在穿孔145中布置具有厚度T2的薄壁部分，保持了下基板150B的平坦度，并且防止了在鍛接期間基板變形對(duì)懸掛體130的影響。
在鍛接之前和之后，在穿孔145中突出部的厚度T2不會(huì)有很大改變。因此，如果在鍛接之后的T2和T2/T1滿足上述條件，該配置就可以被認(rèn)為表現(xiàn)出本實(shí)施方式的制造方法的操作。
示例6比較示例在鍛接之前使用圖12A和12B所示的配置，而該示例使用一對(duì)不同形狀的基板，其中與比較示例的筘齒相比，上基板具有更淺的筘齒，而下基板具有更深的筘齒。本示例對(duì)應(yīng)于圖8，其中L11變得更大，而L22變得更小。與示例1類似，如圖19所示的形狀是通過鍛接上下基板，利用FEM仿真而獲得的。
如圖19所示，在本示例中，上接觸壓力為244N，而下接觸壓力為284N，而在比較示例中，上接觸壓力為220N，而下接觸壓力為266N。雖然本示例和比較示例之間的接觸壓力差沒有很大不同，但是本示例保持上基板的鍛接位置(對(duì)應(yīng)于圖8中的P11)遠(yuǎn)離中間平面IS，并且使下基板的鍛接位置(對(duì)應(yīng)于圖8中的P22)靠近中間平面IS。因此，如以下表2所示，臂的翹曲量減小70％。當(dāng)然，接觸壓力也可以變化，到中間平面IS的距離可以與其一起或可以不變化。如上所述，例如可以通過使下基板的穿孔145內(nèi)的最小直徑小于上基板的穿孔145內(nèi)的最小直徑，或者通過在P3′、P4′和中間平面之間形成具有相同位置關(guān)系的突出部形狀來調(diào)整接觸壓力。
表2

示例7下面將詳細(xì)研究基板150和臂144之間的表面接觸。圖20示出了在鍛接后基板的伸出部分和臂144的狀態(tài)。假設(shè)，F(xiàn)指代在鍛接期間產(chǎn)生的接觸壓力，F(xiàn)11指代上游(或上)基板的接觸壓力，而F22指代沿著球50的移動(dòng)方向的下游(或下)基板的接觸壓力。基板150在從α到β的范圍內(nèi)與球50接觸。明顯鍛接位置被定義為球和突出部之間的接觸表面的中間值(或者鍛接位置L＝(α+β)/2)。L11指代上游(或上)基板的鍛接位置，而L22指代下游(或下)基板的鍛接位置。在圖20中，滿足L11＝L22。接觸壓力滿足F11＜F22。在這種情況下，由L×F給出的力矩M滿足M11＜M22。由于該力矩的不平衡，因此臂傾斜，并且基板的翹曲量增大。理論上，當(dāng)該現(xiàn)象被嚴(yán)格考慮時(shí)，接觸壓力在接觸平面上不平均，并且應(yīng)該通過在接觸區(qū)域內(nèi)求積分來計(jì)算施加到臂的力矩。然而，使用上述方法來簡(jiǎn)單地認(rèn)為接觸壓力恒定以及估算力矩差是可以允許的。通過改善力矩的不平衡，可以減小臂和基板的翹曲量。
圖21示出了通過在上游和下游基板中改變鍛接位置L而形成的翹曲量改善效果。在圖21中，橫坐標(biāo)軸指的是力矩差M22-M11，并且估算了與力矩差相關(guān)的臂和基板的翹曲量。在圖21中力矩差為10N·mm的位置上L11＝L22。如上所述，由于F11＜F22，因此下力矩增大，并且臂具有翹曲量。另一方面，當(dāng)L11＜L22時(shí)，力矩差增大，并且臂和上下基板的翹曲量增大。
當(dāng)L11＞L22時(shí)，力矩差減小，并且臂和上下基板的翹曲量減小。很明顯，M11＝M22提供了最好的解決方案。當(dāng)滿足M11＝M22時(shí)，L22/L11是F22/F11的倒數(shù)。其中L11opt和L22opt指的是L的最好組合，在L11＞L22的鍛接結(jié)構(gòu)中，滿足0＜L11＜Lmax以及0＜L22＜Lmax。滿足F11/F22×0.8≤L22/L11≤F11/F22×1.2的L11和L22的組合是優(yōu)選的。可替換地，L11opt-0.02mm≤L11≤L11opt+0.02mm以及L22opt-0.02mm≤L22≤L22opt+0.02mm是優(yōu)選的，或者L11opt×0.8≤L11≤L11opt×1.2和L22opt×0.8≤L22≤L22opt×1.2是優(yōu)選的。
參考圖22，接觸壓力可以被增大，以便改善力矩平衡。鍛接余量(swaging margin)由δ1＝Φ1-Φb和δ2＝Φ2-Φb表示，其中Φ1和Φ2指代基板的伸出部分的最小內(nèi)徑，而Φb指代球的直徑。當(dāng)鍛接余量變大時(shí)，接觸壓力也相應(yīng)地增大。另外，V1和V2被定義為基板150在鍛接球50的直徑Φb內(nèi)的體積。鍛接力通過增大這些體積來增大。
圖23是橫坐標(biāo)軸為力矩差M22-M11的圖，并且估算當(dāng)Φ1與Φ2變化時(shí)，與力矩差相關(guān)的基板150和臂144的翹曲量。即使在鍛接余量恒定時(shí)，由于上下基板之間的鍛接差，接觸壓力也滿足F11＜F22。因此，下基板的力矩較大，并且臂144具有翹曲量。當(dāng)Φ1＜Φ2時(shí)，力矩差擴(kuò)大，并且臂144以及上下基板的翹曲量增大。當(dāng)Φ1＞Φ2時(shí)，力矩差減小，并且臂144以及上下基板的翹曲量減小。當(dāng)力矩平衡時(shí)，臂的變形變?yōu)樽钚　＜僭O(shè)給出F11＝F22的δ的最好組合是δlopt和δ2opt。通過使V1＞V2，可以獲得與改變接觸壓力類似的效果。通過組合L11＞L22，可以獲得類似的效果。
總之，Φ1＞Φ2是優(yōu)選的。更優(yōu)選地，滿足δ1opt-0.02mm＜δ1＜δ1opt+0.02mm以及δ2opt-0.02mm＜δ2＜δ2opt+0.02mm，或者δ1opt×0.8＜δ1＜δ1opt×1.2和δ2opt×0.8＜δ2＜δ2opt×1.2。
可替換地，V1＞V2是優(yōu)選的。更優(yōu)選地，滿足V1opt×0.2＜V1＜V1opt×1.2以及V2opt×0.2＜V2＜V2opt×1.2。以下組合也是優(yōu)選的δ1＞δ2和L1＞L2、V1＞V2和L1＞L2、δ1＞δ2和V1＞V2、以及δ1＞δ2、L1＞L2和V1＞V2。
現(xiàn)在參考圖24，將描述圖3A中從上數(shù)的第四臂144和基板150之間的連接。圖3A中從上數(shù)的第四臂144具有單頭結(jié)構(gòu)，其中一個(gè)基板150被附接到臂144的一側(cè)。這里，圖24是用于說明在臂144和基板150之間的連接的流程圖。
首先，如圖5A和5B所示，生產(chǎn)基板150(步驟1102)。與步驟1002類似，步驟1102通過沖壓加工在基板150的板部分151中形成筘齒154，如圖7所示。筘齒154的深度或突出部155的位置從中間平面IS和鍛接位置之間的關(guān)系中被設(shè)置，下面將對(duì)此進(jìn)行描述。
接下來，與步驟1004類似，如圖4A和4B所示，基板150的焊接部分152與懸掛體130激光焊接在一起(步驟1104)。磁頭部件120在步驟1104之前或之后被附接到懸掛體130。
接下來，如圖25所示，基板150被布置在臂144的一側(cè)，以使基板150的筘齒154被插入到臂144的穿孔145中(步驟1106)。這里，圖25示出了被插入到臂144的一側(cè)的基板150。本實(shí)施方式設(shè)置筘齒154的深度，以使基板150的鍛接位置與中間平面IS大致相符。
接下來，進(jìn)行鍛接(步驟1108)。如圖25所示，鍛接使其直徑稍大于開口157的直徑的鍛接球50在由箭頭所示的方向上穿過穿孔145。結(jié)果，基板150的突出部155擠壓，并如圖25中的水平箭頭所示塑性變形，從而使基板150與臂144相連。
發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由于基板的變形不僅受到由于球50的塑性變形力引起的基板150自身變形的影響，還受到臂144的變形的影響，因此傳統(tǒng)的基板向下翹曲。
圖26A放大了傳統(tǒng)基板30的形狀。更具體而言，圖26A是在鍛接之前，傳統(tǒng)基板30和臂144之間的布置的部分放大截面視圖。球50首先接觸上基板30A的位置或受力點(diǎn)P2位于基板30A接觸臂144的位置或支點(diǎn)P1的上方，即，支點(diǎn)P1比受力點(diǎn)P2更靠近中間平面IS。這是因?yàn)楫?dāng)受力點(diǎn)P2比支點(diǎn)P1更靠近中間平面IS時(shí)，當(dāng)球50穿過時(shí)，上伸出部分32A很可能在逆時(shí)針箭頭的方向上發(fā)生變形，而不是逆著臂144的方向變形。當(dāng)由球50施加的變形力由于伸出部分32A的向下變形和水平變形減小而耗損時(shí)，由突出部31A施加給臂144的連接力或接觸壓力被不合人意地減弱，并且基板30A很可能從臂144分離。
如圖26B所簡(jiǎn)單示出的，當(dāng)突出部31接收來自球50的垂直向下的力F1時(shí)，突出部31在向下和水平方向上都會(huì)變形。另外，接觸壓力F3從突出部31施加到臂144。這里，圖26B是示出了由于鍛接而被施加到基板30的力以及從基板30到臂144的接觸壓力的量的部分放大截面視圖。
從圍繞中間平面IS的接觸壓力F3，臂144接收到圖26B中的逆時(shí)針力矩，并且向下變形，如圖26C所示。基板30跟隨臂44并且向下變形。這種基板30的變形是由臂144導(dǎo)致的。基板30本身由于由力F1導(dǎo)致的其伸出部分32而變形。結(jié)果，基板30的變形是其自身變形和由臂144導(dǎo)致的變形的疊加。這里，圖26C是示出了鍛接后基板30和臂14的變形的部分放大截面視圖。
為了減小由于臂144的變形所引起的基板30的變形，發(fā)明人研究出這樣一種結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)使圍繞中間平面IS施加到臂144的力矩最小化。換句話說，在圖25中，本實(shí)施方式將L11設(shè)置為大致等于0，并且使圍繞中間平面IS從基板150的突出部155施加到臂144的力矩M1＝F11×L11為0，其中F11是從基板150的突出部155施加到臂144的接觸壓力，并且L11是對(duì)其施加接觸壓力F11的鍛接點(diǎn)P11和中間平面IS之間的距離。從而，被施加到臂144的力矩變?yōu)?，并且臂144的變形變小。
但是，如圖27所示，基板150可以通過其表面而與臂144鍛接在一起。這里，圖27是相對(duì)于包括了臂144的穿孔145的中心軸線的截面、與臂144鍛接在一起的基板150的部分放大截面視圖。鍛接位置P11是基板150和臂144之間的接觸位置之中、沿著鍛接方向C(或鍛接球50的移動(dòng)方向)的最上游位置α和最下游位置β之間的中間位置。
圖28示出了離中間平面的鍛接位置和翹曲量之間的關(guān)系。從圖28，當(dāng)鍛接位置與中間平面相符時(shí)，臂144和基板150的翹曲量變?yōu)樽钚?。如圖27所示，在本實(shí)施方式中，突出部155和臂144之間的接觸表面通過位置α和位置β而跨過中間平面IS。在本實(shí)施方式中，臂在圖27中具有厚度0.048mm。從圖28，當(dāng)鍛接位置被設(shè)置在離中間平面IS為±0.05mm的范圍內(nèi)時(shí)，翹曲量被保持在大約±0.01mm準(zhǔn)許范圍內(nèi)?！?.05mm的范圍對(duì)應(yīng)于臂的厚度的大約10％(±0.048mm)的范圍。但是，當(dāng)考慮基板150的制造誤差時(shí)，鍛接位置優(yōu)選地被設(shè)置在臂的厚度的大約5％(±0.024mm)的范圍內(nèi)。
雖然以上實(shí)施方式描述了在圖3A中從上數(shù)第四臂144中的單頭結(jié)構(gòu)，但是以上描述對(duì)于圖3A中的最上端臂144也適用。
圖18示出了HDD 100中的控制系統(tǒng)160的控制框圖?？刂葡到y(tǒng)160是控制圖解，其中磁頭122具有感應(yīng)頭和MR頭。可以作為HDD 100中的控制板應(yīng)用的控制系統(tǒng)160包括控制器161、接口162、硬盤控制器(在下文中被稱為“HDC”)163、寫調(diào)制器164、讀解調(diào)器165、感應(yīng)電流控制器166和磁頭IC 167。當(dāng)然，它們不一定被集成到一個(gè)單元中；例如，只有磁頭IC 167連接到托架140。
控制器161包含任意處理器(例如CPU和MPU)，而不管它的名稱是怎樣的，并且控制器161控制控制系統(tǒng)160中的每個(gè)部件。接口162將HDD 100連接到外部裝置，例如作為主機(jī)的個(gè)人計(jì)算機(jī)(在下文中的“PC”)。HDC 163向控制器161發(fā)送已被讀解調(diào)器165解調(diào)出的數(shù)據(jù)，向?qū)懻{(diào)制器發(fā)送數(shù)據(jù)，并且向感應(yīng)電流控制器166發(fā)送由控制器161設(shè)置的電流值。雖然圖18示出控制器161對(duì)主軸馬達(dá)106和托架140(中的馬達(dá))提供伺服控制，HDC 163可以用于這種伺服控制。
寫調(diào)制器164調(diào)制數(shù)據(jù)，并向磁頭IC 162提供數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)例如是已經(jīng)通過接口162從主機(jī)提供的將由感應(yīng)頭寫入到磁盤104上的數(shù)據(jù)。讀解調(diào)器165通過利用MR頭器件對(duì)從磁盤104中讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣而將數(shù)據(jù)解調(diào)成原始信號(hào)。寫調(diào)制器164和讀解調(diào)器165可以被看作集成信號(hào)處理部件。磁頭IC 167充當(dāng)預(yù)放大器。每個(gè)部件都可以應(yīng)用本領(lǐng)域公知的任意結(jié)構(gòu)，并且將省略其詳細(xì)描述。
在HDD 100的操作中，控制器161驅(qū)動(dòng)主軸馬達(dá)106，并使磁盤104旋轉(zhuǎn)。與磁盤104的旋轉(zhuǎn)相關(guān)的氣流被引入到磁盤104和滑塊121之間，從而形成微小空氣膜，并因此產(chǎn)生使滑塊121能夠漂浮在磁盤表面上方的浮力。懸掛體130在與滑塊121的浮力相反的方向上向滑塊121施加彈性壓力。浮力和彈力之間的平衡使磁頭部件120與磁盤104之間間隔一段恒定的距離。如上所述，基架150的翹曲量受到抑制，并且從懸掛體130施加的彈性壓力以及滑塊121的方向、飛行高度和振動(dòng)公差等接近設(shè)計(jì)值。從而，在防止擠壓的同時(shí)，可獲得磁頭122的高度精確定位。
然后，控制器161控制托架140，并使托架140圍繞支撐軸142旋轉(zhuǎn)，以用于磁頭122在磁盤104上尋找目標(biāo)磁道。雖然本實(shí)施方式使用滑塊121圍繞支撐軸142畫出弧形軌跡的擺動(dòng)臂類型，但是本發(fā)明也可應(yīng)用于滑塊121畫出直線軌跡的直線類型。
在寫入過程中，控制器161通過接口162接收來自諸如PC的主機(jī)(未示出)的數(shù)據(jù)，選擇感應(yīng)頭器件，并且通過HDC 163向?qū)懻{(diào)制器164發(fā)送數(shù)據(jù)。作為響應(yīng)，寫調(diào)制器164調(diào)制數(shù)據(jù)，并將調(diào)制后的數(shù)據(jù)發(fā)送到磁頭IC 167。磁頭IC 167放大調(diào)制后的數(shù)據(jù)，然后將數(shù)據(jù)作為寫電流提供到感應(yīng)頭器件。從而，感應(yīng)頭器件在目標(biāo)磁道上寫下數(shù)據(jù)。
在讀取過程中，控制器161選擇MR頭器件，并且將預(yù)定的感應(yīng)電流通過HDC 163發(fā)送到感應(yīng)電流控制器166。作為響應(yīng)，感應(yīng)電流控制器166將感應(yīng)電流通過磁頭IC 167提供到MR頭器件。從而，MR頭器件從磁盤104上的所需磁道讀取所需信息。
數(shù)據(jù)基于隨信號(hào)磁場(chǎng)變化的MR頭器件的電阻而被磁頭IC 167所放大，然后被提供到讀解調(diào)器165以解調(diào)成原始信號(hào)。解調(diào)后的信號(hào)通過HDC 163、控制器161和接口162被發(fā)送到主機(jī)(未示出)。
因此，以上實(shí)施方式可以提供HSA、其制造方法以及具有HSA的磁盤，該實(shí)施方式有效地抑制了臂的變形，并且/或者有效地抑制了由于鍛接所引起的基板本身的變形。
此外，本發(fā)明并不局限于這些優(yōu)選實(shí)施方式例，并且在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行各種修改和變化。例如，雖然以上實(shí)施方式論述了HDD，但是本發(fā)明可應(yīng)用于其他類型的磁盤驅(qū)動(dòng)器，例如光磁盤驅(qū)動(dòng)器。
本發(fā)明主張2005年3月30日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)Nos.2005-100198、2005-100199、2005-100200以及2005-100201的優(yōu)先權(quán)，這里通過引用而引入其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種用于制造磁頭堆疊組件的方法，所述磁頭堆疊組件包括一對(duì)懸掛體、臂和一對(duì)基板，其中每個(gè)懸掛體都支撐磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，并且所述一對(duì)基板將所述一對(duì)懸掛體附接到具有穿孔的所述臂的兩側(cè)，所述一對(duì)基板中的每個(gè)基板都具有帶有開口的突出部，所述方法包括以下步驟在所述一對(duì)基板在所述穿孔兩側(cè)被插入到所述穿孔中時(shí)，通過使大于所述開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過所述穿孔而將所述一對(duì)基板與所述臂鍛接在一起，其中，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度并且垂直于包括了所述穿孔的中心軸線的截面的平面，第一位置被定義為具有所述基板的最小內(nèi)徑的位置，并且第二位置被定義為所述基板和所述臂的接觸位置之中最靠近所述中間平面的位置時(shí)，在所述鍛接步驟之前，所述中間平面和所述第一位置之間的距離等于或小于所述中間平面和所述第二位置之間的距離。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中當(dāng)具有所述基板的最小內(nèi)徑的多個(gè)位置構(gòu)成一個(gè)平面時(shí)，所述第一位置被定義為所述具有最小內(nèi)徑的多個(gè)位置之中，距離所述中間平面最遠(yuǎn)的位置和距離所述中間平面最近的位置之間的中間位置。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中θ滿足以下等式-17°≤θ≤0°其中θ是在離開所述中間平面的方向?yàn)檎慕孛嫔洗┻^所述第二位置并且平行于所述中間平面的直線與將所述第一和第二位置彼此連接的直線之間的夾角。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中θ滿足以下等式-12°≤θ≤0°其中θ是在離開所述中間平面的方向?yàn)檎慕孛嫔洗┻^所述第二位置并且平行于所述中間平面的直線與將所述第一和第二位置彼此連接的直線之間的夾角。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述鍛接步驟期間，所述一對(duì)基板中位于沿著所述一個(gè)方向的下游處的那塊基板在沿著所述一個(gè)方向的上游方向上變形。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一對(duì)基板在所述鍛接步驟之前具有相同的形狀。
7.一種磁頭堆疊組件，包括一對(duì)懸掛體，其中每個(gè)懸掛體都支撐磁頭；臂，其驅(qū)動(dòng)所述磁頭并且具有穿孔；以及與所述臂的所述穿孔的兩側(cè)鍛接的一對(duì)基板，這對(duì)基板將所述一對(duì)懸掛體附接到所述臂的兩側(cè)，其中，所述一對(duì)基板到平分所述臂的厚度的中間平面的最近點(diǎn)與在所述基板和所述臂之間的接觸位置之中距離所述中間平面最近的位置之間的較大距離是較小距離的130％或更小。
8.如權(quán)利要求7所述的磁頭堆疊組件，其中所述較大距離是所述較小距離的115％或更小。
9.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括用如權(quán)利要求1所述的方法制造出的磁頭堆疊組件。
10.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括權(quán)利要求7所述的磁頭堆疊組件。
11.一種用于制造磁頭堆疊組件的方法，所述磁頭堆疊組件包括懸掛體、臂和基板，所述懸掛體支撐磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，而所述基板具有帶有開口的突出部并且將所述懸掛體附接到具有穿孔的所述臂，所述方法包括以下步驟在所述基板被插入到所述穿孔中時(shí)，通過使大于所述開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過所述穿孔和所述基板而將所述基板與所述臂鍛接在一起，其中在所述鍛接步驟之前，在包括了所述穿孔的中心軸線的截面中，所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述一個(gè)方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外部的厚度的60％或更小。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述一個(gè)方向的最小厚度是所述基板在所述穿孔外部的厚度的35％或更大。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述一個(gè)方向的最小厚度是所述基板在所述穿孔外部的厚度的40％或更大。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述突出部在所述穿孔內(nèi)的最小厚度大約是所述基板在所述穿孔外部的厚度的50％或更大。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度并且垂直于所述截面的平面，第一位置被定義為具有所述基板的最小內(nèi)徑并且距離所述中間平面最遠(yuǎn)的位置，并且第二位置被定義為所述基板和所述臂的接觸位置之中離所述中間平面最近的位置時(shí)，在所述鍛接步驟之前，所述中間平面和所述第一位置之間的距離小于所述中間平面和所述第二位置之間的距離。
16.一種磁頭堆疊組件，包括支撐磁頭的懸掛體；驅(qū)動(dòng)所述磁頭并具有穿孔的臂；以及鍛接在所述臂的穿孔上的基板，該基板具有帶有開口的突出部并且將所述懸掛體附接到所述臂，其中在包括了所述穿孔的中心軸線的截面中，所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述中心軸線的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外的厚度的60％或更小。
17.如權(quán)利要求16所述的磁頭堆疊組件，其中所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述中心軸線的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外的厚度的35％或更大。
18.如權(quán)利要求16所述的磁頭堆疊組件，其中所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述中心軸線的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外的厚度的40％或更大。
19.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括用如權(quán)利要求11所述的方法制造出的磁頭堆疊組件。
20.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括如權(quán)利要求16所述的磁頭堆疊組件。
21.一種用于制造磁頭堆疊組件的方法，所述磁頭堆疊組件包括一對(duì)懸掛體、臂和一對(duì)基板，所述一對(duì)懸掛體中的每個(gè)懸掛體都支撐磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，并且所述一對(duì)基板將所述一對(duì)懸掛體附接到具有穿孔的所述臂的兩側(cè)，所述一對(duì)基板中的每個(gè)基板都具有帶有開口的突出部，所述方法包括以下步驟在所述一對(duì)基板在所述穿孔兩側(cè)被插入到所述穿孔中時(shí)，通過使大于所述開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過所述穿孔而將所述一對(duì)基板與所述臂鍛接在一起，其中，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度的平面時(shí)，在所述鍛接步驟之后，從所述一對(duì)基板施加到所述臂的圍繞所述中間平面的力矩小于從如下結(jié)構(gòu)施加到所述臂的圍繞所述中間平面的力矩所述結(jié)構(gòu)已經(jīng)布置了沿著所述一個(gè)方向關(guān)于所述中間平面對(duì)稱的所述一對(duì)基板中的上游基板，而沒有布置下游基板，并且已經(jīng)利用所述處理構(gòu)件而被鍛接。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在所述鍛接步驟之前，所述一對(duì)基板中的上游基板的最小內(nèi)徑小于所述下游基板的最小內(nèi)徑。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在所述鍛接步驟之前，在包括了所述穿孔的中心軸線的截面中，當(dāng)?shù)谝晃恢帽欢x為所述基板上首先接觸所述處理構(gòu)件的位置，并且第二位置被定義為所述基板和所述臂之間的接觸位置之一時(shí)，在所述上游基板上，所述第二位置比所述第一位置更靠近所述中間平面，而在所述下游基板上，所述第一位置比所述第二位置更靠近所述中間平面。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在所述鍛接步驟之前，所述中間平面和所述臂與所述一對(duì)基板中的上游基板之間的接觸點(diǎn)之間的距離大于所述中間平面和所述下游基板與所述臂之間的接觸點(diǎn)之間的距離。
25.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在所述鍛接步驟之前，在包括了所述穿孔的中心軸線的截面中，所述突出部在所述穿孔內(nèi)垂直于所述中心軸線的方向上的最小厚度是所述基板在所述穿孔外的厚度的60％或更小。
26.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括用如權(quán)利要求21所述的方法制造出的磁頭堆疊組件。
27.一種用于制造磁頭堆疊組件的方法，所述磁頭堆疊組件包括懸掛體、臂和基板，所述懸掛體支撐磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，并且所述基板具有帶有開口的突出部并且將所述懸掛體附接到具有穿孔的所述臂，所述方法包括以下步驟在所述基板被插入到所述穿孔中時(shí)，通過使大于所述開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過所述穿孔和所述基板而將所述基板與所述臂鍛接在一起，其中，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度的平面時(shí)，鍛接位置位于距離所述中間平面所述臂的厚度的±10％的范圍內(nèi)，所述鍛接位置被定義為沿著所述一個(gè)方向，在所述基板與所述臂之間的接觸位置之中，作為最上游位置的第一位置和作為最下游位置的第二位置之間的中間位置。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述鍛接位置位于離所述中間平面所述臂的厚度的±5％的范圍內(nèi)。
29.一種磁頭堆疊組件，包括支撐磁頭的懸掛體；驅(qū)動(dòng)所述磁頭并具有穿孔的臂；以及基板，該基板將所述懸掛體附接到所述臂，并且具有與所述臂的穿孔鍛接在一起的突出部，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度的平面時(shí)，所述突出部被布置為穿過所述中間平面。
30.如權(quán)利要求29所述的磁頭堆疊組件，其中當(dāng)鍛接位置位于距離所述中間平面所述臂的厚度的±10％的范圍內(nèi)時(shí)，所述鍛接位置是沿著鍛接處理構(gòu)件的移動(dòng)方向，在所述基板和所述臂之間的接觸位置之中，作為最上游位置的第一位置和作為最下游位置的第二位置之間的中間位置。
31.如權(quán)利要求30所述的磁頭堆疊組件，其中所述鍛接位置位于距離所述中間平面所述臂的厚度的±5％的范圍內(nèi)。
32.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括用如權(quán)利要求27所述的方法制造出的磁頭堆疊組件。
33.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包括如權(quán)利要求29所述的磁頭堆疊組件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于制造磁頭堆疊組件的方法，所述磁頭堆疊組件包括一對(duì)懸掛體、一個(gè)臂和一對(duì)基板，其中每個(gè)懸掛體都支撐一個(gè)磁頭，所述臂驅(qū)動(dòng)所述磁頭，并且所述一對(duì)基板將所述一對(duì)懸掛體附接到具有穿孔的臂的兩側(cè)，所述一對(duì)基板中的每個(gè)基板都具有帶有開口的突出部，該方法包括以下步驟在所述一對(duì)基板從穿孔兩側(cè)被插入到穿孔中時(shí)，通過使大于開口的處理構(gòu)件在一個(gè)方向上穿過穿孔而將所述一對(duì)基板與所述臂鍛接在一起，其中，當(dāng)中間平面被定義為平分所述臂的厚度并且垂直于包括了所述穿孔的中心軸線的截面的平面，第一位置被定義為具有所述基板的最小內(nèi)徑的位置，并且第二位置被定義為所述基板和所述臂的接觸位置之中最靠近所述中間平面的位置時(shí)，在所述鍛接步驟之前，所述中間平面和所述第一位置之間的距離等于或小于所述中間平面和所述第二位置之間的距離。
文檔編號(hào)G11B21/20GK1841508SQ200510102719
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2005年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者青木健一郎, 中田敏幸, 有賀敬治, 長(zhǎng)澤芳明, 廣野信行, 浜田康広, 坂入慎 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社