專利名稱：磁頭滑塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過抑制振動傳輸?shù)酱蓬^元件來防止磁頭元件經(jīng)長期使用而劣化的一種磁頭滑塊。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)地，磁盤裝置被用作在諸如計算機、個人計算機和服務(wù)器之類的各種系統(tǒng)中重復(fù)讀取和寫入信息的存儲器件。在磁盤裝置中被用來從磁盤讀取信息的磁頭滑塊通常具有磁頭元件，該磁頭元件由GMR(巨磁阻)元件構(gòu)成并利用巨磁阻效應(yīng)，或者由隧穿磁阻(TMR)元件構(gòu)成并利用鐵磁隧穿效應(yīng)。
這樣的傳統(tǒng)磁頭滑塊將在下文參考圖14作簡要說明。圖14是磁盤DK和磁頭滑塊9之間位置關(guān)系的示意圖。如圖14所示，磁頭滑塊9的滑塊主體11由懸掛體12支撐。磁頭元件13被定位在滑塊主體11的遠(yuǎn)端(圖14中的右側(cè))，以記錄和再現(xiàn)記錄在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤DK上的數(shù)據(jù)。
在具有上述構(gòu)造的磁頭滑塊9中，當(dāng)磁頭元件13經(jīng)過長期使用時，構(gòu)成磁頭元件13的GMR元件或TMR元件劣化，其輸出由于劣化而逐漸減小，進而導(dǎo)致數(shù)據(jù)讀取錯誤。
如圖14所示，磁頭滑塊9從磁盤DK稍微懸浮?？墒牵鼇泶蓬^滑塊9(磁頭元件13)和磁盤DK的表面之間的間隙t正逐漸減小，以增加記錄密度。
具體地，近來磁盤記錄密度很高，而磁頭的懸浮量約為10納米。雖然，磁盤理想地是平坦的，但是其表面實際上是細(xì)微的波狀。當(dāng)懸浮量減小到約10納米時，在從磁盤讀取數(shù)據(jù)的時候，由于磁盤上的細(xì)微波形而使磁盤和磁頭相互接觸，于是前者受到來自后者的沖擊。所以，即使由于磁頭和磁盤之間的接觸所導(dǎo)致的沖擊強度是微小的，但磁頭元件的壽命(劣化)受到由于接觸而產(chǎn)生的振動的影響。
本發(fā)明者已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)在承受振動的環(huán)境下使用配備有諸如GMR元件的這樣磁頭元件的磁頭滑塊時，來自磁頭元件的輸出在磁頭滑塊的長期使用之后會逐漸減小。發(fā)明者已經(jīng)公開了基于對磁頭元件壽命的預(yù)測的定量評價方法(參見日本專利申請說明書No.2005-041032)。
根據(jù)該評價方法，檢測由于磁頭元件和記錄介質(zhì)(磁盤DK)之間的接觸所引起的沖擊強度，并基于檢測到的沖擊強度預(yù)測磁頭的壽命。因此，即使當(dāng)磁頭和記錄介質(zhì)由于磁頭懸浮量的減小而常常接觸時，也可以正確地預(yù)測磁頭的壽命。
日本專利申請早期公開No.2000-322713公開了一種關(guān)于薄膜磁頭元件的劣化的傳統(tǒng)技術(shù)。根據(jù)這種技術(shù)，與GMR元件相對的面覆蓋有由防護層制成的防結(jié)晶膜，以由此防止磁頭元件的劣化。
在如日本專利申請說明書No.2005-041032中所述的磁頭壽命預(yù)測方法中，可以正確地預(yù)測磁頭元件的壽命，但是實際上，當(dāng)磁頭元件被長期使用時，必需避免或減小由于與磁盤DK接觸(由于振動引起劣化)引起的缺點。
在日本專利申請早期公開No.2000-322713中所述的利用由防護層制成的防結(jié)晶膜覆蓋與GMR元件相對的應(yīng)對方法中，當(dāng)磁盤DK和磁頭滑塊實際上相互接觸時，不能有效防止由于接觸引起的振動傳播到磁頭元件。因此，不能防止經(jīng)長期使用后磁頭元件的劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于至少解決傳統(tǒng)技術(shù)中的這些問題。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，包括滑塊主體；磁頭元件，其從所述磁盤讀取和再現(xiàn)數(shù)據(jù)；以及振動吸收單元，其吸收由于所述滑塊主體的任何部分與所述磁盤的所述表面之間的接觸所產(chǎn)生的振動，并且其被設(shè)置在所述滑塊主體上的預(yù)定位置處。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，包括滑塊主體；磁頭元件，其從所述磁盤讀取和再現(xiàn)數(shù)據(jù)；以及吸收材料，其吸收由于所述滑塊主體的任何部分和所述磁盤的所述表面之間的接觸所產(chǎn)生的振動，并且其被設(shè)置在布置所述磁頭元件的部分附近。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，包括滑塊主體；磁頭元件，其從所述磁盤讀取和再現(xiàn)數(shù)據(jù)；以及至少一個螺柱構(gòu)件，其被設(shè)置在所述滑塊主體的預(yù)定位置處，所述螺柱構(gòu)件的近端嵌入到所述滑塊主體中，并且所述螺柱構(gòu)件的遠(yuǎn)端向著所述磁盤的所述表面突出預(yù)定量，其中吸收振動的吸收材料被插入到所述近端和所述滑塊主體之間。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，包括滑塊主體；磁頭元件，其從所述磁盤讀取或再現(xiàn)數(shù)據(jù)；以及硬接觸墊片，其通過振動阻尼構(gòu)件與所述滑塊主體隔離，并且其被設(shè)置在所述滑塊主體的底面上，其中所述接觸墊片的布置位置是使得所述接觸墊片和所述磁盤的所述表面之間的間隙小于所述磁頭元件和所述磁盤的所述表面之間的間隙的位置、以及使所述接觸墊片與所述磁盤接觸而所述磁頭元件和所述磁盤沒有直接接觸的位置中的任何一個。
通過結(jié)合附圖閱讀本發(fā)明當(dāng)前優(yōu)選實施例的詳細(xì)描述將更好地理解本發(fā)明的以上和其他目的、特征、優(yōu)點以及技術(shù)和工業(yè)重要性。


圖1是根據(jù)第一實施例的磁頭滑塊的側(cè)視圖；圖2是圖1所示的磁頭滑塊的平面圖；圖3是根據(jù)第二實施例的磁頭滑塊的側(cè)視圖；圖4是圖3所示的磁頭滑塊的平面圖；圖5是根據(jù)第三實施例的磁頭滑塊的側(cè)視圖；圖6是圖5所示的磁頭滑塊的平面圖；圖7是圖5所示的相關(guān)部件的放大視圖；圖8是根據(jù)第四實施例的磁頭滑塊的側(cè)視圖；圖9是圖8所示的磁頭滑塊構(gòu)造的平面圖；圖10是根據(jù)第五實施例的磁頭滑塊的側(cè)視圖；
圖11是圖10所示的磁頭滑塊的平面圖；圖12是根據(jù)第六實施例的磁頭滑塊的側(cè)視圖；圖13是圖12所示的磁頭滑塊的平面圖；以及圖14是傳統(tǒng)磁頭滑塊與磁盤之間位置關(guān)系的示意圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實施例。下面將說明根據(jù)第一實施例的磁頭滑塊構(gòu)造的概要和特征，隨后，將說明從磁頭滑塊的構(gòu)造得出的功能的細(xì)節(jié)。
根據(jù)第一實施例的磁頭滑塊，即使構(gòu)成磁頭滑塊10的滑塊主體30的任何部分與磁盤DK的表面進行接觸，也抑制由于與磁盤DK的接觸引起的振動傳播到磁頭元件60。因此，在第一實施例中，構(gòu)成磁頭滑塊10的滑塊主體30設(shè)有減振器(dynamic absorber)20(權(quán)利要求中所述的“振動吸收單元”)，該減振器20具有吸收由于與磁盤DK的表面接觸而產(chǎn)生的振動。
具體地，在第一實施例中，通過在滑塊主體30中設(shè)置減振器20，可以抑制由于滑塊主體30和磁盤DK的表面之間的接觸所產(chǎn)生的振動傳播到磁頭元件60。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的磁頭滑塊的構(gòu)造和功能的細(xì)節(jié)將參考圖1和圖2進行說明。圖1是磁頭滑塊10的構(gòu)造的側(cè)視圖，圖2是其平面圖。
如圖1和圖2所示，磁頭滑塊10包括減振器20(振動吸收構(gòu)件)、滑塊主體30、絕緣層40以及保護層50，保護層50比絕緣層40厚。當(dāng)磁盤DK的表面和滑塊主體30(圖1)因任何原因而相互接觸時，減振器20吸收由于接觸所產(chǎn)生的振動能量。在第一實施例中，如圖1和圖2所示，設(shè)置了總共三個減振器20，一個位于滑塊主體30的后端上，并且其左右側(cè)面上各有一個。
例如，減振器20可以是包括阻尼設(shè)備和平衡塊并利用共振作用的動態(tài)阻尼器。減振器20可以被構(gòu)造成按滑塊主體30固有的具體特征頻率選擇性地起作用。在這種情況下，可以根據(jù)滑塊主體30的固有具體特征頻率而有效地吸收振動能量。
由GMR元件構(gòu)造成的磁頭元件60位于保護層50的下端位置處。磁頭元件60包括具有磁阻效應(yīng)的GMR膜、用于記錄的薄膜磁頭、記錄端子以及再現(xiàn)端子，并具有利用GMR膜再現(xiàn)數(shù)據(jù)以及利用記錄用薄膜磁頭記錄數(shù)據(jù)的功能。ABS(空氣軸承表面)70是一個懸浮表面，用于懸浮磁頭滑塊10的滑塊主體30。
例如，在具有上述構(gòu)造的磁頭滑塊10中，當(dāng)磁頭滑塊10的一部分和磁盤DK的表面進行相互接觸時，由于接觸引起的振動可以被減振器20吸收。因此，產(chǎn)生的振動能量可以被有效地吸收，使得振動不傳播到磁頭元件60。
如上所述，根據(jù)第一實施例，吸收振動的減振器20被設(shè)置在磁頭滑塊10中。因此，當(dāng)磁頭滑塊10的一部分和磁盤DK的表面進行相互接觸時，由于接觸引起的振動可以被減振器20吸收，使得可以長期防止設(shè)置在磁頭滑塊10中的磁頭元件60的劣化和輸出減小。
接著將參考圖3和圖4說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的磁頭滑塊。圖3是磁頭滑塊10a的構(gòu)造的側(cè)視圖，而圖4是其平面圖。在第二實施例的磁頭滑塊10a中，布置在磁頭元件60附近的材料吸收滑塊主體30中產(chǎn)生的振動。具體地，吸收由于與磁盤DK表面接觸所產(chǎn)生振動的這種材料被定位于布置磁頭元件60的部分附近。
如圖3和圖4所示，磁頭滑塊10a包括由陶瓷和樹脂的復(fù)合材料制成的滑塊主體30、由阻尼構(gòu)件制成的絕緣層40、以及保護層50，其中保護層50形成為比絕緣層40厚并像絕緣層一樣由阻尼構(gòu)件制成。
例如，用于形成滑塊主體30的材料具有比Al2O3-TiC更高的機械阻尼系數(shù)。隔離滑塊主體30與磁頭元件60的膜材料具有比氧化鋁材料更高的機械阻尼系數(shù)。因此，可以通過使用與構(gòu)成材料、或者隔離滑塊主體30和磁頭元件60的膜材料一樣具有高機械阻尼效應(yīng)的材料而提高磁頭元件60的振動阻尼效應(yīng)。
磁頭元件60位于保護層50的下端位置處。此外，兩者都由阻尼構(gòu)件制成的保護層50和絕緣層40以及由復(fù)合材料制成的滑塊主體30被布置在布置磁頭元件60的部分附近。因此，當(dāng)磁頭滑塊10a的一部分和磁盤DK的表面相互接觸時，由于接觸引起的振動不會傳播到磁頭元件60。
因此，可以防止設(shè)置在磁頭滑塊10a中的磁頭元件60長期使用的劣化。例如，用于磁頭元件60的外涂層膜材料可以是具有比氧化鋁材料更高的機械阻尼系數(shù)的材料。在這種情況下，類似于前一個實施例，磁頭元件60的振動阻尼效應(yīng)可以被進一步提高。
如上所述，根據(jù)第二實施例的磁頭滑塊10a，諸如復(fù)合材料之類的材料或阻尼構(gòu)件被用來吸收定位在布置磁頭元件60的部分附近的滑塊主體30、絕緣層40以及保護層50中的振動。因此，即使磁頭滑塊10a的一部分與磁盤DK的表面相互接觸，由于接觸引起的振動不會傳播到磁頭元件60，使得可以防止磁頭滑塊10a長期使用的劣化。
接著將參考圖5、圖6和圖7說明根據(jù)本發(fā)明第三實施例的磁頭滑塊。圖5是磁頭滑塊10b的構(gòu)造的側(cè)視圖，圖6是其平面圖，圖7是定位于布置圖5所示磁頭元件60的部分附近的相關(guān)部件的放大視圖。
在第三實施例中，除構(gòu)成磁頭滑塊10b的磁頭元件60之外的部分(螺柱構(gòu)件80)與磁盤DK進行接觸，以防止磁頭元件60與磁盤DK直接接觸，并阻礙在螺柱構(gòu)件80處產(chǎn)生的振動傳播到滑塊主體30。
具體地，如圖5和圖6所示，螺柱構(gòu)件80被設(shè)置在滑塊主體30的預(yù)定位置(在本實施例中，鄰近磁頭元件60的位置)處，其中螺柱構(gòu)件80的近端(圖5和圖7中的上側(cè))被嵌入到滑塊主體30中，并且其遠(yuǎn)端(圖5和圖7中的下側(cè))向著磁盤DK的表面突出一預(yù)定量。在這種情況下，在滑塊主體30的一部分和磁盤DK之間接觸時，螺柱構(gòu)件80的遠(yuǎn)端在磁頭元件60之前與磁盤DK的表面進行接觸。因此，可靠地防止了磁頭元件60與磁盤DK進行接觸。
如圖7所示，如果磁盤DK的表面和螺柱構(gòu)件80的遠(yuǎn)端之間的距離表示為t1，而磁盤DK的表面與磁頭元件60的讀取/再現(xiàn)面之間的距離表示為t2，則將螺柱構(gòu)件80的突出量設(shè)定為使得距離t1和t2之間的關(guān)系始終滿足t1＜t2。所以，螺柱構(gòu)件80在磁頭元件60之前與磁盤DK的表面進行接觸。
構(gòu)成螺柱構(gòu)件80的一部分(至少一個表面)可以由主要包括硬材料(例如碳)的膜構(gòu)件制成。用于阻尼振動的阻尼構(gòu)件85被設(shè)置在接觸螺柱80的近端位置處，以阻尼由于螺柱構(gòu)件80與磁盤DK的表面之間的接觸所產(chǎn)生的振動能量。所以，可以可靠地防止振動傳播到磁頭元件60。
如上所述，根據(jù)第三實施例，螺柱構(gòu)件80被設(shè)置在滑塊主體30上的預(yù)定位置處，其中螺柱構(gòu)件80的一側(cè)(近端)被嵌入到滑塊主體30中，而另一側(cè)(遠(yuǎn)端)向著磁盤DK的表面突出一預(yù)定量。因此，在與磁盤DK接觸時，螺柱構(gòu)件80的遠(yuǎn)端在磁頭元件60之前與磁盤DK的表面進行接觸。因此，可以可靠地防止磁頭元件60與磁盤DK直接接觸。
在螺柱構(gòu)件80與磁盤DK的表面之間接觸時產(chǎn)生的振動能量可以被圍繞螺柱構(gòu)件80的阻尼構(gòu)件85所阻尼，使得可以可靠地防止振動傳播到布置于螺柱構(gòu)件80附近的磁頭元件60。
雖然以上對第一到第三實施例中的每一個說明了根據(jù)本發(fā)明的磁頭滑塊的功能和構(gòu)造的細(xì)節(jié)，但第一到第三實施例中各個的特征部分可以相互結(jié)合。具體地，在具有由復(fù)合材料或阻尼構(gòu)件構(gòu)成的滑塊主體30、絕緣層40和保護層50的磁頭滑塊中，可以設(shè)置減振器20來阻尼振動?；蛘?，用于接觸的螺柱構(gòu)件80可以被設(shè)置在具有減振器20的磁頭滑塊中。通過如此結(jié)合第一到第三實施例，阻礙振動傳播到磁頭元件60的功能和效果可以被進一步提高。
接著參考圖8和圖9說明根據(jù)本發(fā)明第四實施例的磁頭滑塊10c。第一到第三實施例包括非接觸式(近接觸式)的磁頭滑塊，其中，滑塊主體30與磁盤DK不進行接觸。在第四到第六實施例中，將說明接觸式的磁頭滑塊的構(gòu)造，其中滑塊主體30和磁盤DK進行相互接觸。
在第一到第三實施例中，在流出側(cè)的懸浮量可以被進一步減小，以建立其中滑塊主體30和磁盤DK相互基本接觸的狀態(tài)。因此，使用名稱“近接觸”和“接觸”僅是為了說明的方便，并不限制權(quán)利要求的范圍。圖8是根據(jù)第四實施例的接觸式磁頭滑塊10c的側(cè)視圖，而圖9是其平面圖。
如圖8和圖9所示，磁頭滑塊10c設(shè)有位于滑塊主體30的底面35的前側(cè)處的一對接觸墊片90和位于該底面35的后側(cè)上的近似中央處的一個接觸墊片90、以及支撐這三個接觸墊片90的墊片支撐部分95。接觸墊片90和磁盤DK的表面始終相互輕微接觸。
如圖8和9所示，接觸墊片90的布置位置比磁頭元件60的位置更接近于磁盤DK的表面，或者在與磁盤DK輕微接觸的位置處。另一方面，磁頭元件60的布置位置使得磁頭元件60與磁盤DK的表面不直接接觸。
接觸墊片90由具有比用于磁頭元件60的磁極材料更高的硬度的硬材料制成。因為接觸墊片90由主要包括碳材料的膜構(gòu)件制成，所以接觸墊片90的硬度可以被進一步提高。
接觸式的磁頭滑塊10c還包括吸收振動的減振器20，這是第一實施例的特征。具體地，總共有三個振蕩器20，包括如圖8所示，一個位于滑塊主體30的后端處；如圖9所示，各有一個位于其左右兩側(cè)面上。如上所述，在接觸式的磁頭滑塊10c中，可以防止設(shè)置在磁頭滑塊10c中的磁頭元件60長期使用后的劣化和輸出減小。
如上所述，在根據(jù)第四實施例的接觸式磁頭滑塊10c中，吸收由于滑塊主體30和磁盤DK之間的接觸所產(chǎn)生的振動能量的減振器20，被設(shè)置在滑塊主體30的預(yù)定位置處。因此，振動能量可以被減振器20阻尼。于是，可以防止設(shè)置在接觸式磁頭滑塊10c中的磁頭元件60長期使用后的劣化和輸出減小。
接著將參考圖10和圖11說明根據(jù)本發(fā)明第五實施例的磁頭滑塊。圖10是根據(jù)第五實施例的接觸式磁頭滑塊10d的側(cè)視圖，而圖11是其平面圖。如圖10和11所示，磁頭滑塊10d包括位于滑塊主體30的底面35的兩側(cè)位置處的一對接觸墊片90和位于該底面35后側(cè)位置上近似中央處的一個接觸墊片90、以及支撐這三個接觸墊片90的墊片支撐部分95。接觸墊片90和磁盤DK的表面始終相互輕微接觸。
在接觸式的磁頭滑塊10d中，可以適當(dāng)?shù)剡x擇陶瓷或樹脂的復(fù)合材料、各種用于吸收振動的阻尼構(gòu)件、或者具有高機械阻尼系數(shù)的材料，并用作位于布置磁頭元件60的部分附近的滑塊主體30、絕緣層40以及保護層50的材料，像作為第二實施例特征的構(gòu)成材料一樣。
如上所述，根據(jù)第五實施例的接觸式磁頭滑塊10d，選擇復(fù)合材料或吸收振動的阻尼構(gòu)件作為位于布置磁頭元件60的部分附近的各種構(gòu)成材料(滑塊主體30、絕緣層40以及保護層50)。因此，即使發(fā)生由于與磁盤DK的表面接觸引起的振動，也可以通過構(gòu)成滑塊主體30、絕緣層40以及保護層50的振動吸收構(gòu)件的特性來阻礙振動傳播到磁頭元件60。所以，可以防止設(shè)置在接觸式磁頭滑塊10d中的磁頭元件60長期使用后的劣化和輸出減小。
接著將參考圖12和圖13說明根據(jù)本發(fā)明第六實施例的磁頭滑塊。圖12是根據(jù)第六實施例的接觸式磁頭滑塊10e的側(cè)視圖，而圖13是其平面圖。如圖12和圖13所示，根據(jù)第六實施例，硬的接觸墊片90和支撐接觸墊片90的墊片支撐部分95被設(shè)置在構(gòu)成磁頭滑塊10e的滑塊主體30的底面35上，并且用于阻尼振動的振動阻尼構(gòu)件96被設(shè)置在接觸墊片90周圍。
于是，滑塊主體30和接觸墊片90被構(gòu)造成使得由于滑塊主體30和磁盤DK的表面等之間的接觸所產(chǎn)生的振動被振動阻尼構(gòu)件96所隔離。
在接觸式的磁頭滑塊10e中，通過在滑塊主體30的底面35上布置三個接觸墊片90(圖13)以及在接觸墊片90周圍設(shè)置振動阻尼構(gòu)件96，來阻礙由于滑塊主體30的一部分和磁盤DK的表面之間的接觸所產(chǎn)生的振動傳播到磁頭元件60。
如圖12和圖13所示，接觸墊片90被設(shè)置在比磁頭元件60更接近于磁盤DK的表面的位置處，或者設(shè)置在其中接觸墊片90與磁盤DK接觸而磁頭元件60與磁盤DK不直接接觸的位置處。因此，滑塊主體30和磁盤DK表面之間的接觸可以被限制為磁盤DK和接觸墊片90而非和磁頭元件60之間的接觸。
振動阻尼構(gòu)件96由具有比接觸墊片90更大的機械阻尼系數(shù)的材料制成，其中接觸墊片90選擇硬的材料。例如，柔性材料可以用于振動阻尼構(gòu)件96。
如上所述，根據(jù)第六實施例的接觸式磁頭滑塊10e，振動阻尼構(gòu)件96被設(shè)置在接觸墊片90的周圍，其中接觸墊片90被設(shè)置在滑塊主體30的底面35上。因此，在磁頭滑塊10e的一部分與磁盤DK之間接觸時產(chǎn)生的振動被振動阻尼構(gòu)件96阻尼。因此，可以可靠地防止由于滑塊主體30的一部分和磁盤DK的表面之間的接觸所引起的振動傳播到磁頭元件60。
根據(jù)本發(fā)明，由于磁頭滑塊主體的任何部分與磁盤的表面之間的接觸而產(chǎn)生的振動被吸收，由此防止了磁頭滑塊中磁頭元件長期使用后的劣化和輸出減小。
雖然已經(jīng)為完全清楚地公開而就具體實施例描述了本發(fā)明，但是所附的權(quán)利要求并不受限于此，而應(yīng)被解釋為實施本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到的、確定地落入這里所提出的基本教導(dǎo)中的所有修改和替代構(gòu)造。
權(quán)利要求
1.一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，包括滑塊主體；磁頭元件，所述磁頭元件從所述磁盤讀取和再現(xiàn)數(shù)據(jù)；以及振動吸收單元，所述振動吸收單元吸收由于所述滑塊主體的任何部分與所述磁盤的所述表面之間的接觸所產(chǎn)生的振動，并且所述振動吸收單元被設(shè)置在所述滑塊主體上的預(yù)定位置處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其中所述振動吸收單元有選擇地按所述滑塊主體固有的具體特征頻率起作用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其中所述振動吸收單元是動態(tài)阻尼器。
4.一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，包括滑塊主體；磁頭元件，所述磁頭元件從所述磁盤讀取和再現(xiàn)數(shù)據(jù)；以及吸收材料，所述吸收材料吸收由于所述滑塊主體的任何部分和所述磁盤的所述表面之間的接觸所產(chǎn)生的振動，并且所述吸收材料被設(shè)置在布置所述磁頭元件的部分附近。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭滑塊，其中所述滑塊主體由具有比Al2O3-TiC更高的機械阻尼系數(shù)的材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭滑塊，其中所述滑塊主體由陶瓷和樹脂的復(fù)合材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭滑塊，還包括膜材料，所述膜材料隔離所述滑塊主體和所述磁頭元件，并且所述膜材料具有比氧化鋁材料更高的機械阻尼系數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭滑塊，其中所述磁頭元件設(shè)置有由具有比氧化鋁材料更高的機械阻尼系數(shù)的膜材料制成的外涂層。
9.一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，包括滑塊主體；磁頭元件，所述磁頭元件從所述磁盤讀取和再現(xiàn)數(shù)據(jù)；以及至少一個螺柱構(gòu)件，所述至少一個螺柱構(gòu)件被設(shè)置在所述滑塊主體的預(yù)定位置處，所述螺柱構(gòu)件的近端嵌入到所述滑塊主體中，并且所述螺柱構(gòu)件的遠(yuǎn)端向著所述磁盤的所述表面突出預(yù)定量，其中吸收振動的吸收材料被插入到所述近端和所述滑塊主體之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭滑塊，其中所述螺柱構(gòu)件突出的所述預(yù)定量被設(shè)定成使得所述螺柱構(gòu)件的所述遠(yuǎn)端和所述磁盤的所述表面之間的間隙比所述磁頭元件的讀取/再現(xiàn)面和所述磁盤的所述表面之間的間隙小。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭滑塊，其中所述螺柱構(gòu)件突出的所述預(yù)定量被設(shè)定成使得所述螺柱構(gòu)件的所述遠(yuǎn)端和所述磁盤的所述表面相互輕微接觸，以及設(shè)定所述磁頭元件的讀取/再現(xiàn)面與所述磁盤的所述表面之間的間隙，以防止所述讀取/再現(xiàn)面和所述磁盤的所述表面之間的直接接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭滑塊，其中具有大阻尼系數(shù)的柔性材料被插入到所述螺柱構(gòu)件和所述滑塊主體之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭滑塊，其中所述螺柱構(gòu)件的至少一個表面由比用于所述磁頭元件的磁極材料更硬的材料制成。
14.一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，包括滑塊主體；磁頭元件，所述磁頭元件從所述磁盤讀取或再現(xiàn)數(shù)據(jù)；以及硬接觸墊片，所述硬接觸墊片通過振動阻尼構(gòu)件與所述滑塊主體隔離，并且所述硬接觸墊片被設(shè)置在所述滑塊主體的底面上，其中所述接觸墊片的布置位置是使得所述接觸墊片和所述磁盤的所述表面之間的間隙小于所述磁頭元件和所述磁盤的所述表面之間的間隙的位置、以及使得所述接觸墊片與所述磁盤接觸而所述磁頭元件和所述磁盤不直接接觸的位置中的任何一個。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁頭滑塊，其中所述振動阻尼構(gòu)件由具有比所述接觸墊片的機械阻尼系數(shù)更大的機械阻尼系數(shù)的材料制成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁頭滑塊，其中所述振動阻尼構(gòu)件是柔性材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁頭滑塊，其中所述接觸墊片由比所述磁頭元件的磁極材料更硬的材料制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁頭滑塊，其中所述接觸墊片包括主要由碳材料制成的膜構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種與磁盤的表面相對布置的磁頭滑塊，其包括滑塊主體、從所述磁盤讀取和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的磁頭元件、以及振動吸收單元，其中所述振動吸收單元吸收由于所述滑塊主體的任何部分與所述磁盤的表面之間的接觸所產(chǎn)生的振動，并且所述振動吸收單元被設(shè)置在所述滑塊主體上的預(yù)定位置處。
文檔編號G11B5/40GK1841506SQ200510087398
公開日2006年10月4日 申請日期2005年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者今村孝浩, 山本憲郎 申請人:富士通株式會社