專利名稱：磁頭組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在磁盤裝置中的磁頭組件，且具體地涉及一種抑制振動(dòng)的磁頭組件。
背景技術(shù)：
磁盤裝置使得由鐵磁材料制成的磁盤旋轉(zhuǎn)，并通過(guò)在磁盤上面掃描磁頭而記錄和再生信息；這種裝置被廣泛地用作計(jì)算機(jī)中的輔助存儲(chǔ)裝置。
近年來(lái)，隨著磁盤裝置容量的增大，對(duì)更高記錄密度的需求越來(lái)越多。提高記錄密度的方法包括沿著磁道方向增加線性記錄密度的方法、以及通過(guò)減少磁道寬度和磁道間距而沿磁盤徑向方向提高記錄密度的方法。尤其為了通過(guò)后一方法提高記錄密度，期望磁頭組件提供高可靠性和精確定位。然而，在磁盤裝置中，磁盤的高速旋轉(zhuǎn)致使空氣流動(dòng)，從而其上安裝有磁頭的磁頭組件發(fā)生振動(dòng)。在其中需要亞微米定位的磁盤裝置中，空氣流動(dòng)和振動(dòng)的影響使得精確定位困難，從而造成脫軌。如果脫軌頻繁發(fā)生，則增加了數(shù)據(jù)記錄/重放錯(cuò)誤的發(fā)生頻率，從而使數(shù)據(jù)傳輸率降低。
圖1表示傳統(tǒng)磁頭組件的結(jié)構(gòu)。該磁頭1在記錄和重放過(guò)程中在保持納米級(jí)間隙的同時(shí)飛速運(yùn)動(dòng)(fly)以掃描磁盤。磁頭1通過(guò)居間設(shè)置的撓性件2而安裝在磁頭組件上，從而對(duì)著磁盤。該撓性件2形成為低剛度，以提高磁頭1相對(duì)于磁盤的尋軌能力，并且撓性件2包括用于傳輸由磁頭接收和讀取的信息以及用于磁頭寫入的信息的線路。撓性件2由極薄的片簧構(gòu)成，通過(guò)激光焊接或其它方式固定在負(fù)載梁3上。負(fù)載梁3的一端通過(guò)凹窩支撐磁頭；另一端通過(guò)基板4而與致動(dòng)臂連接?；?是一用于在致動(dòng)臂上安裝磁頭組件的元件。負(fù)載梁3是產(chǎn)生一負(fù)載以平衡磁頭1飛速運(yùn)動(dòng)的彈簧元件；平衡環(huán)部分5是支撐磁頭1的彈簧元件，并且其通過(guò)在不與盤表面平行的平面上的彈性變形而吸收盤偏轉(zhuǎn)和傾斜，而不會(huì)降低尋軌性能。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，磁頭1能夠在旋轉(zhuǎn)的盤的指定磁道上在保持穩(wěn)定狀態(tài)的同時(shí)運(yùn)動(dòng)。
圖2為一磁頭附近的放大圖。磁頭1利用撓性件2上的粘性平衡環(huán)部分5而連接。撓性件2的平衡環(huán)部分5通過(guò)負(fù)載梁3的凹窩6而被支撐在單一點(diǎn)處。
圖3表示撓性件和負(fù)載梁的連接部分。撓性件2和負(fù)載梁3通過(guò)激光焊接而連接?；?和負(fù)載梁3、以及基板4、負(fù)載梁3和撓性件2同樣通過(guò)激光焊接而連接。
圖4表示在磁頭組件中采用了阻尼材料的結(jié)構(gòu)，以抑制負(fù)載梁扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)。在從撓性件2和負(fù)載梁3的激光焊接部分40的基板4側(cè)上，阻尼材料8固定在負(fù)載梁3上。通過(guò)這種方式，能夠抑制以Y＝0平面為對(duì)稱中心沿著X軸方向的負(fù)載梁3中的振動(dòng)。在日本專利特開平No.5-325459中描述了通過(guò)在負(fù)載梁3上施加阻尼材料來(lái)抑制振動(dòng)。
然而，盡管通過(guò)固定這種阻尼材料可以略微抑制磁頭組件的負(fù)載梁3中的扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)，但是卻不能期望抑制其它的振動(dòng)形式。
而且，隨意在磁頭組件中固定阻尼材料會(huì)導(dǎo)致制造成本增加，而這是不希望的。此外，進(jìn)行了通過(guò)例如在基板上穿孔而設(shè)置孔以降低在定位過(guò)程中相對(duì)于致動(dòng)臂的轉(zhuǎn)動(dòng)的慣性矩的工作，以實(shí)現(xiàn)磁頭組件的快速定位。隨意固定阻尼材料會(huì)導(dǎo)致以磁頭組件的致動(dòng)器為中心的轉(zhuǎn)動(dòng)慣量增加，而這是也是不希望的。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種抑制磁頭組件振動(dòng)的方法，這種振動(dòng)是由于在磁盤裝置中磁盤的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流的效果而引起的。本發(fā)明的另一目的在于提供一種方法，該方法在抑制這種振動(dòng)的同時(shí)，使得磁頭組件的質(zhì)量和制造成本的增加最小。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，一種磁頭組件具有磁頭；撓性件，其支撐磁頭，并且具有用于傳輸由磁頭接收和讀取的信息以及由磁頭寫入的信息的線路；以及負(fù)載梁，其支撐所述撓性件，并且產(chǎn)生一平衡所述磁頭的負(fù)載，該磁頭組件的特征在于，其從所述撓性件側(cè)在所述負(fù)載梁和撓性件上固定有阻尼材料。
本發(fā)明的上述第一方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，至少一部分阻尼材料從所述撓性件和負(fù)載梁的焊接位置定位在磁頭部分側(cè)。
本發(fā)明的上述第一方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，在所述撓性件中設(shè)置有錐部，從而使得與所述負(fù)載梁的邊界平滑；并且所述阻尼材料從所述撓性件側(cè)固定于負(fù)載梁和撓性件上。
本發(fā)明的上述第一方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，在阻尼材料中設(shè)有折疊部分，該折疊部分緩沖了在所述負(fù)載梁和撓性件之間的臺(tái)階；并且所述阻尼材料從所述撓性件側(cè)固定于所述負(fù)載梁和撓性件上。
本發(fā)明的上述第一方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述阻尼材料的約束層為聚酰亞胺，而彈性層為VEM。
本發(fā)明的上述第一方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述阻尼材料的約束層為不銹鋼，而彈性層為VEM。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，一種磁頭組件具有磁頭；撓性件，其支撐所述磁頭，并且具有用于傳輸由磁頭接收和讀取的信息以及用于磁頭寫入的信息的線路；以及負(fù)載梁，其支撐所述撓性件，并且產(chǎn)生一平衡所述磁頭的負(fù)載，該磁頭組件的特征在于，其從所述負(fù)載梁側(cè)在該負(fù)載梁和所述撓性件上固定有阻尼材料。
本發(fā)明的上述第二方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，至少一部分阻尼材料從所述撓性件和負(fù)載梁的焊接位置定位在磁頭部分側(cè)。
本發(fā)明的上述第二方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，在所述阻尼材料中設(shè)有折疊部分，該折疊部分緩沖了在所述負(fù)載梁和撓性件之間的臺(tái)階；并且所述阻尼材料從所述負(fù)載梁側(cè)固定于該負(fù)載梁和撓性件上。
本發(fā)明的上述第二方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，在所述撓性件中設(shè)有錐部，從而使得與所述負(fù)載梁的邊界平滑；并且所述阻尼材料從所述負(fù)載梁側(cè)固定于該負(fù)載梁和所述撓性件上。
本發(fā)明的上述第二方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述阻尼材料的約束層為聚酰亞胺，而彈性層為VEM。
本發(fā)明的上述第二方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述阻尼材料的約束層為不銹鋼，而彈性層為VEM。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，一種磁頭組件具有磁頭；撓性件，其支撐所述磁頭，并且具有用于傳輸由磁頭接收和讀取的信息和用于磁頭寫入的信息的線路；負(fù)載梁，其支撐所述撓性件，并且產(chǎn)生一平衡所述磁頭的負(fù)載；以及基板，其將撓性件安裝在致動(dòng)臂上，該磁頭組件的特征在于，在所述基板上固定有阻尼材料。
本發(fā)明的上述第三方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述基板具有貫穿孔，并且所述阻尼材料固定于該貫穿孔附近。
本發(fā)明的上述第三方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述負(fù)載梁和基板具有相互重疊部分；在所述負(fù)載梁中設(shè)有錐部從而與該基座的邊界平滑；并且所述阻尼材料從所述負(fù)載梁的重疊部分側(cè)固定于該負(fù)載梁和基板上。
本發(fā)明的上述第三方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述負(fù)載梁和基板具有相互重疊部分；在所述阻尼材料中設(shè)有折疊部分，該折疊部分緩沖了在該負(fù)載梁和基板之間的臺(tái)階；以及所述阻尼材料從所述負(fù)載梁的重疊部分側(cè)固定于該負(fù)載梁和基板上。
本發(fā)明的上述第三方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述阻尼材料的約束層為聚酰亞胺，而彈性層為VEM。
本發(fā)明的上述第三方面的優(yōu)選實(shí)施例的特征在于，所述阻尼材料的約束層為不銹鋼，而彈性層為VEM。
本發(fā)明能夠抑制在其上安裝有磁頭的磁頭組件中的振動(dòng)，這種振動(dòng)是由于磁盤裝置中磁盤的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流效果而引起的。


圖1表示傳統(tǒng)磁頭組件的結(jié)構(gòu)；圖2為磁頭附近的放大圖；
圖3表示撓性件和負(fù)載梁的連接部分；圖4表示一結(jié)構(gòu)，其中在磁頭組件上施加有阻尼材料，以抑制在負(fù)載梁中的扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)；圖5表示撓性件的扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)；圖6表示在本發(fā)明的第一方面中的磁頭組件的結(jié)構(gòu)；圖7表示撓性件扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)頻譜；圖8表示當(dāng)該撓性件設(shè)有一錐部時(shí)平衡環(huán)支撐部分的剖視圖；圖9為當(dāng)該阻尼材料設(shè)有折疊部分時(shí)平衡環(huán)支撐部分的剖視圖；圖10表示在本發(fā)明的第二方面中的磁頭組件的結(jié)構(gòu)；圖11表示當(dāng)該撓性件設(shè)有折疊部分時(shí)平衡環(huán)支撐部分的剖視圖；圖12為當(dāng)該負(fù)載梁設(shè)有錐部時(shí)平衡環(huán)支撐部分的剖視圖；圖13表示在本發(fā)明第三方面中的磁頭組件的結(jié)構(gòu)；圖14表示在傳統(tǒng)磁頭組件中的振動(dòng)頻譜，在該磁頭組件中，基板上未固定有阻尼材料；圖15表示實(shí)施本發(fā)明的磁頭組件的振動(dòng)頻譜，在該磁頭組件中，基板上固定有阻尼材料；圖16為在該基板中使用的阻尼材料設(shè)置有折疊部分的情況下的剖視圖；以及圖17為當(dāng)該負(fù)載梁設(shè)有錐部時(shí)在該基板附近的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參考附圖來(lái)描述本發(fā)明的各方面。然而，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限于這些方面，而是延及在權(quán)利要求的范圍內(nèi)所描述的發(fā)明以及與其等同的發(fā)明。
圖5表示在撓性件中的扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)。如圖5所示，在磁盤裝置操作期間，磁頭1和撓性件2的平衡環(huán)支撐部分11沿著X軸方向以相反相位振動(dòng)，從而構(gòu)成了扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)。
圖6表示在本發(fā)明的第一方面中的磁頭組件的結(jié)構(gòu)。阻尼材料8接近磁頭1安裝在平衡環(huán)支撐部分11處，該阻尼材料被固定以使得撓性件2被封閉在該阻尼材料和具有相當(dāng)高剛性的負(fù)載梁3之間。通過(guò)在比激光焊接部分40更接近磁頭的位置處固定阻尼材料8，這獲得了抑制撓性件2的扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)的效果。
圖7表示撓性件的扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)頻譜。這里，虛線表示傳統(tǒng)磁頭組件的振動(dòng)頻譜，而實(shí)線是實(shí)施本發(fā)明的第一方面的磁頭組件的振動(dòng)頻譜。采用如圖6所示的阻尼材料8的結(jié)果是，存在于10kHz附近的振動(dòng)峰值消失了。
此處使用的阻尼材料8采用聚酰亞胺作為約束層以及VEM(粘彈性材料)作為彈性層。約束層和彈性層的厚度大約都為50μm。聚酰亞胺具有高達(dá)500℃的耐熱性，通常具有3.2到3.4的低的介電常數(shù)，具有優(yōu)良的延展性，并且還具有優(yōu)良的熱膨脹系數(shù)、優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度和抗化學(xué)試劑的性能。VEM為聚合體組合物，其顯示兼?zhèn)湔承院蛷椥缘臋C(jī)械性能。VEM固定于振動(dòng)元件的表面，并且在其頂面固定有約束層；因此，VEM承受變形并產(chǎn)生內(nèi)部阻力，并且將其轉(zhuǎn)化成熱能，以削弱振動(dòng)。因?yàn)檎駝?dòng)被吸收并且轉(zhuǎn)化為熱能，所以振動(dòng)和固態(tài)聲音消失，從而防止振動(dòng)和聲音的共振。而且，VEM具有優(yōu)良的粘著特性，并具有非常良好的機(jī)械加工性能、耐熱性和抗風(fēng)化性能，并且甚至在高溫下也不熔化。
在上述實(shí)施例中，描述了其中使用聚酰亞胺作為阻尼材料的示例，但是，該阻尼材料并不限于聚酰亞胺，而是可以采用不銹鋼作為約束層。另外，甚至在使用不銹鋼作為約束層時(shí)，也可以采用VEM作為彈性層。
圖8為當(dāng)撓性件設(shè)有錐部時(shí)的平衡環(huán)支撐部分的剖視圖。阻尼材料8固定成壓靠設(shè)有錐部10的撓性件2。通過(guò)這種方式，消除了負(fù)載梁3和阻尼材料8之間的間隙，緩沖了所述元件之間的臺(tái)階，并且可進(jìn)行可靠地固定。還具有的優(yōu)點(diǎn)是，在清潔或其它時(shí)候不容易發(fā)生剝落。
圖9為當(dāng)阻尼材料設(shè)有折疊部分時(shí)的平衡環(huán)支撐部分的剖視圖。通過(guò)在阻尼材料8中設(shè)置折疊部分9，可以在消除撓性件2和負(fù)載梁3之間的臺(tái)階的情況下進(jìn)行固定。通過(guò)這種方式，能夠緩沖所述元件之間的臺(tái)階，并且可進(jìn)行可靠的固定。
因此，能夠通過(guò)在磁頭組件的撓性件2上固定阻尼材料8來(lái)抑制裝配有磁頭的磁頭組件中的振動(dòng)，這種振動(dòng)是由于磁盤裝置中磁盤的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流而引起的。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)具有高記錄密度的磁盤裝置，其可靠性得以提高，并可精確定位，而且在保持高數(shù)據(jù)傳輸率的同時(shí)能夠?qū)?shù)據(jù)記錄和重放期間錯(cuò)誤發(fā)生的頻率保持很低。
圖10表示在本發(fā)明第二方面中的磁頭組件的結(jié)構(gòu)。將用于撓性件2的扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)的阻尼材料和用于負(fù)載梁3的扭轉(zhuǎn)形式振動(dòng)的阻尼材料相結(jié)合。通過(guò)將用于本發(fā)明的撓性件2的振動(dòng)的阻尼材料與一般固定于負(fù)載梁3上的阻尼材料結(jié)合在一起，能夠?qū)⒐潭ㄗ枘岵牧?的過(guò)程合并為一個(gè)單一過(guò)程，從而降低成本。此外，可以比固定少量阻尼材料時(shí)更容易地進(jìn)行固定，從而能夠獲得穩(wěn)定的固定質(zhì)量。
圖11為當(dāng)撓性件設(shè)有折疊部分時(shí)的平衡環(huán)支撐部分的剖視圖。通過(guò)使撓性件2設(shè)有折疊部分9，消除了負(fù)載梁3和撓性件2之間的臺(tái)階，從而可將阻尼材料8固定于該處。為了緩沖所述元件之間的臺(tái)階，將撓性件2的平衡環(huán)支撐部分11折疊，并且可靠地固定阻尼材料8，從而使阻尼材料8更有效地發(fā)揮作用，并避免阻尼材料8的剝離或類似情況發(fā)生。通過(guò)這種方式，便于阻尼材料8的固定。而且當(dāng)裝配該磁頭組件時(shí)，具有在清潔或類似過(guò)程中不容易發(fā)生剝落的優(yōu)點(diǎn)。
圖12為當(dāng)負(fù)載梁設(shè)有錐部時(shí)的平衡環(huán)支撐部分的剖視圖。通過(guò)使負(fù)載梁3設(shè)置錐部10，能夠消除撓性件2和阻尼材料8之間的間隙，并且能夠使得撓性件2和負(fù)載梁3之間的邊界表面平滑。結(jié)果，更加便于固定阻尼材料8。還具有的優(yōu)點(diǎn)是，在清潔或類似過(guò)程中，不容易發(fā)生剝落。
因此，通過(guò)在磁頭組件上固定阻尼材料8，能夠抑制裝配有磁頭1的磁頭組件中的振動(dòng)，這種振動(dòng)是由于在磁盤裝置中磁盤的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流而引起的。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)這樣一種磁盤裝置，其具有較高的記錄密度，能夠以高可靠性、在數(shù)據(jù)記錄和重放期間保持低的錯(cuò)誤發(fā)生頻率和保持高的數(shù)據(jù)傳輸率的同時(shí)進(jìn)行精確定位。
圖13表示在本發(fā)明第三方面中的磁頭組件的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，阻尼材料8被固定于基板4上。圖14表示在其中未在基板上固定有阻尼材料的傳統(tǒng)磁頭組件中的振動(dòng)頻譜。而圖15表示實(shí)施本發(fā)明的磁頭組件中的振動(dòng)頻譜，在該磁頭組件中，阻尼材料固定在基板上。與圖14中的頻譜相比，在圖15中，3到4kHz的振動(dòng)峰值耳峰部分較小。這里，也采用聚酰亞胺作為阻尼材料8的約束層，并且采用VEM作為彈性層。約束層和彈性層的厚度大約都為50μm。VEM用于在基板4上粘結(jié)聚酰亞胺的目的。
圖16為在基板中所采用的阻尼材料設(shè)有折疊部分的情況下的剖視圖。通過(guò)使阻尼材料8設(shè)置折疊部分9，能夠在消除基板4和負(fù)載梁3之間的臺(tái)階的情況下進(jìn)行固定。通過(guò)這種方式，能夠緩沖所述元件之間的臺(tái)階，從而能夠可靠地進(jìn)行固定。
圖17為當(dāng)負(fù)載梁設(shè)有錐部時(shí)的基板附近的剖視圖。通過(guò)使負(fù)載梁3設(shè)置錐部10，能夠消除基板4和阻尼材料8之間的間隙，從而能夠使得基板4和負(fù)載梁3之間的邊界表面平滑。通過(guò)這種方式，能夠使得阻尼材料8的固定更容易進(jìn)行。還具有在清潔或類似過(guò)程中不易發(fā)生剝落的優(yōu)點(diǎn)。
因此，通過(guò)在磁頭組件的基板4上固定阻尼材料8，能夠抑制在裝配有磁頭1的磁頭組件中的振動(dòng)，這種振動(dòng)是由于在磁盤裝置中磁盤的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流效果而引起的。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)這樣一種磁盤裝置，其具有較高的記錄密度，能夠以高可靠性、在數(shù)據(jù)記錄和重放期間保持低的錯(cuò)誤發(fā)生頻率和保持高的數(shù)據(jù)傳輸率的同時(shí)進(jìn)行精確定位。
在上述實(shí)施例中，描述了其中使用聚酰亞胺作為阻尼材料的示例；但是，阻尼材料并不限于此，也能夠使用不銹鋼作為約束層，以及使用VEM作為彈性層。
通過(guò)本發(fā)明，能夠抑制磁盤裝置的磁頭組件中的振動(dòng)。因此，能夠在讀取和寫入的過(guò)程中以更高的精度進(jìn)行磁頭定位，同時(shí)具有減少脫軌并且使得磁盤裝置中的記錄密度更高的優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種磁頭組件，其包括磁頭；撓性件，其支撐所述磁頭，且具有用于傳輸由所述磁頭接收和讀取的信息以及用于由所述磁頭寫入的信息的線路；以及負(fù)載梁，其支撐所述撓性件，并且產(chǎn)生一平衡所述磁頭的負(fù)載，該磁頭組件還包括阻尼材料，其從所述撓性件側(cè)固定于所述負(fù)載梁和所述撓性件上。
2.一種磁頭組件，其包括磁頭；撓性件，其支撐所述磁頭，且具有用于傳輸由所述磁頭接收和讀取的信息以及用于由所述磁頭寫入的信息的線路；以及負(fù)載梁，其支撐所述撓性件，并且產(chǎn)生一平衡所述磁頭的負(fù)載，該磁頭組件還包括阻尼材料，其從所述負(fù)載梁側(cè)固定于所述負(fù)載梁和所述撓性件上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁頭組件，其特征在于，至少部分所述阻尼材料從所述撓性件和所述負(fù)載梁的焊接位置定位在所述磁頭部分側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁頭組件，其特征在于，所述撓性件設(shè)有一錐部，從而使得與所述負(fù)載梁的邊界平滑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁頭組件，其特征在于，所述阻尼材料設(shè)有一折疊部分，該折疊部分緩沖在所述負(fù)載梁和所述撓性件之間的臺(tái)階。
6.一種磁頭組件，其包括磁頭；撓性件，其支撐所述磁頭，且具有用于傳輸由所述磁頭接收和讀取的信息以及用于由所述磁頭寫入的信息的線路；負(fù)載梁，其支撐所述撓性件，并且產(chǎn)生一平衡所述磁頭的負(fù)載；基板，用于在致動(dòng)臂上安裝所述磁頭、所述負(fù)載梁以及所述撓性件；以及阻尼材料，其固定于所述基板上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁頭組件，其特征在于，所述基板具有貫穿孔，并且所述阻尼材料固定在所述貫穿孔的附近。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁頭組件，其特征在于，所述負(fù)載梁和所述基板具有相互重疊部分，所述負(fù)載梁設(shè)有一錐部，從而使得與所述基板的邊界平滑，并且所述阻尼材料從所述負(fù)載梁的所述重疊部分側(cè)固定于所述負(fù)載梁和所述基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁頭組件，其特征在于，所述負(fù)載梁和所述基板具有相互重疊部分，所述阻尼材料設(shè)有一折疊部分，該折疊部分緩沖在所述負(fù)載梁和所述基板之間的臺(tái)階，并且所述阻尼材料從所述負(fù)載梁的所述重疊部分側(cè)固定于所述負(fù)載梁和所述基板上。
全文摘要
通過(guò)在磁頭組件上固定阻尼材料能夠抑制在裝配有磁頭的磁頭組件中的振動(dòng)，該振動(dòng)是由于磁盤的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流效果而引起的。結(jié)果，可高可靠性地進(jìn)行精確定位，能抑止在數(shù)據(jù)記錄和重放過(guò)程中的錯(cuò)誤發(fā)生頻率，能夠保持高的數(shù)據(jù)傳輸率，并且能夠?qū)崿F(xiàn)用于磁盤裝置的高的記錄密度。
文檔編號(hào)G11B5/60GK1819029SQ200510077690
公開日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2005年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月9日
發(fā)明者木土拓磨, 須賀川智夫, 有賀敬治 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社