專(zhuān)利名稱(chēng)：熔絲電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，特別是有關(guān)于一種可燒錄熔絲及熔絲電路。
背景技術(shù)：
熔線元件(fuse element)被廣泛地運(yùn)用在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中。最具代表性的裝置為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。一般的熔線元件具有一熔絲(fuse)，其可被選擇性的打開(kāi)(open)或是切斷(sever)，用以選擇性地隔離某些電路。這種打開(kāi)或是切斷熔絲的程序，有時(shí)可稱(chēng)為燒斷熔絲(blowing a fuse)。
目前有兩種基本的方法可燒斷熔絲，第一種是利用發(fā)射源照射熔絲，直到該熔絲被打開(kāi)；其中，該發(fā)射源可為激光。第二種是利用一電流，用以產(chǎn)生足夠的溫度將熔絲打開(kāi)，其中，該電流可為過(guò)電流(overcurrent)。打開(kāi)熔線元件的熔絲的程序經(jīng)常被稱(chēng)為燒錄(programming)熔線元件。不同于激光方式，當(dāng)元件被封裝后，仍可利用過(guò)電流方式燒錄熔線元件。接下來(lái)將以過(guò)電流方式燒斷熔絲的燒錄技術(shù)稱(chēng)為“電性的燒錄(electrically programming)”或是只稱(chēng)為“燒錄”。而被燒錄的熔線元件稱(chēng)為“可燒錄熔線元件(programmable fu8eelement)”、“電熔絲(electrical fuse)”或是簡(jiǎn)稱(chēng)“熔絲”。習(xí)知的電熔絲只可以被燒錄一次，而且當(dāng)電熔絲被燒斷后，是無(wú)法復(fù)原的。由于電熔絲僅能被燒錄一次，因此也稱(chēng)為單次可燒錄(one time programmable；以下簡(jiǎn)稱(chēng)OTP)熔絲。相較于OTP熔絲，在不同的運(yùn)用中，多次可燒錄(multiple timeprogrammable；以下簡(jiǎn)稱(chēng)MTP)熔絲是必需的。舉例而言，非易失性元件的浮動(dòng)?xùn)艠O可以被多次的燒錄。浮動(dòng)?xùn)艠O通過(guò)網(wǎng)羅電荷以區(qū)分邏輯狀態(tài)。而電荷可多次地被注入或是移除。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種熔絲電路，提供可預(yù)期的總阻抗，用以多次循環(huán)地?zé)?，該熔絲電路包括多個(gè)熔絲階，以串聯(lián)方式排列，每一熔絲階包括一第一及第二連接節(jié)點(diǎn)；一熔絲，耦接于該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間；一第一電阻，其第一端耦接該第一節(jié)點(diǎn)；以及一第二電阻，其第一端耦接該第二節(jié)點(diǎn)；其中，該第一及第二電阻的第二端分別耦接一第三及第四連接節(jié)點(diǎn)，該第三及第四連接節(jié)點(diǎn)分別為下一個(gè)熔絲階的第一及第二連接節(jié)點(diǎn)。
本發(fā)明所述的熔絲電路，該熔絲為一單次可燒錄熔絲。
本發(fā)明所述的熔絲電路，該熔絲為一可復(fù)式熔絲。
本發(fā)明所述的熔絲電路，當(dāng)每一熔絲階中的熔絲被燒錄時(shí)，一原始熔絲階中的二連接節(jié)點(diǎn)的總阻抗的增加是可預(yù)期的。
本發(fā)明所述的熔絲電路，該第一及第二電阻為N型或是P型擴(kuò)散熔絲。
本發(fā)明還提供一種熔絲電路，提供可預(yù)期的總阻抗，用以多次循環(huán)地?zé)?，該熔絲電路包括多個(gè)熔絲階，以串聯(lián)方式排列，每一熔絲階包括一第一及第二連接節(jié)點(diǎn)；一單次可燒錄熔絲，耦接于該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間；一第一電阻，其第一端耦接該第一節(jié)點(diǎn)；以及一第二電阻，其第一端耦接該第二節(jié)點(diǎn)；其中，該第一及第二電阻的第二端分別耦接一第三及第四連接節(jié)點(diǎn)，該第三及第四連接節(jié)點(diǎn)分別為該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)的下一個(gè)熔絲階；其中，在每次循環(huán)燒錄后，在該熔絲階中的一起始的熔絲階的該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間所測(cè)量到一總阻抗值是可預(yù)期的。
本發(fā)明所述的熔絲電路，該單次可燒錄熔絲為一可復(fù)式熔絲。
本發(fā)明還提供一種熔絲陣列，利用單次可燒錄熔絲，用以多次循環(huán)地?zé)洠撊劢z陣列包括一熔絲單元，具有多個(gè)位元，其可有效的被燒錄；一標(biāo)幟位元集合，利用至少一單次可燒錄熔絲；其中，在該標(biāo)幟位元集合中的每一標(biāo)幟位元對(duì)應(yīng)于該熔絲單元中的一位元， 當(dāng)該標(biāo)幟位元集合中的一標(biāo)幟位元為一燒錄狀態(tài)時(shí)，則相對(duì)應(yīng)的位元會(huì)在一循環(huán)燒錄中被燒錄。
本發(fā)明還提供一種熔絲陣列，利用單次可燒錄熔絲，用以多次循環(huán)地?zé)洠撊劢z陣列包括一第一數(shù)量的熔絲區(qū)段，每一區(qū)段具有一位元總數(shù)，用以有效地?zé)泦未慰蔁浫劢z；一標(biāo)幟位元集合，利用一第二數(shù)量的單次可燒錄熔絲；其中，在該標(biāo)幟位元集合中的每一標(biāo)幟位元對(duì)應(yīng)每個(gè)熔絲區(qū)段相結(jié)合，并且當(dāng)該標(biāo)幟位元集合中的一標(biāo)幟位元為一燒錄狀態(tài)時(shí)，則在一預(yù)定的循環(huán)燒錄下，燒錄相對(duì)應(yīng)的區(qū)段。
本發(fā)明還提供一種熔絲電路，提供可預(yù)期的總阻抗，用以多次循環(huán)地?zé)洠撊劢z電路包括至少一熔絲階，每一熔絲階包括；一第一及第二連接節(jié)點(diǎn)；一熔絲，耦接于該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間；一第一電阻，其第一端耦接該第一節(jié)點(diǎn)；一第二電阻，其第一端耦接該第二節(jié)點(diǎn)；以及一第三及第四連接節(jié)點(diǎn)，分別耦接該第一及第二電阻的第二端；以及一終端熔絲，耦接于最后一個(gè)熔絲階的第三及第四連接節(jié)點(diǎn)之間；其中，當(dāng)該熔絲電路具有多個(gè)熔絲階時(shí)，該熔絲階以串聯(lián)方式排列，每一熔絲階的第三及第四節(jié)點(diǎn)分別為下一個(gè)熔絲階的第一及第二連接節(jié)點(diǎn)。
本發(fā)明提供的熔絲電路，能夠提供可預(yù)期的總阻抗，用以多次循環(huán)燒錄。


圖1顯示本發(fā)明迭縮熔絲電路的一實(shí)施例。
圖2顯示圖1的迭縮熔絲電路的熔絲燒錄。
圖3顯示本發(fā)明的利用OTP熔絲作為MTP熔絲的熔絲陣列的一實(shí)施例。
圖4顯示本發(fā)明的使用單一位元單元熔絲陣列以達(dá)到多次燒錄的另一實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下本發(fā)明提供一種新的阻抗電路，其在某些連接節(jié)點(diǎn)或是接觸點(diǎn)上，維持一決定性的阻抗值，并利用OTP熔絲以允許多次燒錄。在半導(dǎo)體裝置中，電熔絲可以被燒錄成高阻抗?fàn)顟B(tài)，并且可能為一可復(fù)式熔絲(poly fuse)、MOS電容、反熔絲(anti-fuse)、擴(kuò)散熔絲(diffusion fuse)、或是接觸反熔絲(contact anti-fuse)。舉例而言，電熔絲可被使用在一集成電路中，用以表示晶片的身份標(biāo)識(shí)代號(hào)(chip ID)或是序號(hào)(serialnumber)。許多熔絲只被燒錄一次，利用高阻抗或低阻抗?fàn)顟B(tài)以代表0或1狀態(tài)。
圖1顯示阻抗電路。阻抗電路100提供一預(yù)期的阻抗，用以多次循環(huán)地?zé)涬娙劢z，并且也可以被稱(chēng)為迭縮阻抗網(wǎng)電路(telescoped resistance network circuit)。當(dāng)阻抗電路100多次循環(huán)燒錄時(shí)，可被稱(chēng)為熔絲電路，其能夠在多次循環(huán)燒錄時(shí)，提供可預(yù)期的阻抗值作為每次循環(huán)時(shí)的總阻抗值。如圖所示，阻抗電路100具有多階(stage)102、104、及106。每一階作為一燒錄循環(huán)，并且具有相同連接模型，其由三個(gè)有阻抗能力的裝置、或是由耦接在電阻Y之間的電阻X所組成。若在連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0、A1及B1、或是A2及B2的左側(cè)電路不存在時(shí)，便可在連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0、A1及B1、或是A2及B2測(cè)量出總阻抗，例如數(shù)值Z。如圖所示，每一階具有四個(gè)連接節(jié)點(diǎn)。舉例而言，連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0在第一階的一邊，可將其稱(chēng)為開(kāi)始節(jié)點(diǎn)，而連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A1及B1在第一階的另一邊，并可稱(chēng)為結(jié)束節(jié)點(diǎn)。每一階以串聯(lián)方式連接，某一階的結(jié)束節(jié)點(diǎn)為下一階的開(kāi)始節(jié)點(diǎn)。OTP熔絲可被運(yùn)用在電阻X。X、Y、Z分別代表電阻的阻抗值。在燒錄時(shí)，電流會(huì)直接地?zé)龜嗳劢zX。由于電阻X并聯(lián)電阻Y及Z，故可得到下式X//(2Y+Z)＝Z若電阻X作為基本單元時(shí)，則在數(shù)學(xué)上可視為1，而電阻Y及Z可視為X的阻抗的Y及Z倍，便可得到下式(2Y+Z)/(2Y+Z+1)＝Z將上式化簡(jiǎn)后，可得到(2Y+Z)Z＝2Y只要將電阻Y及Z的值調(diào)整成與電阻X有關(guān)時(shí)，利用每一階中的熔絲X及Y，便可使得阻抗電路100可多次燒錄狀態(tài)。
舉例而言，除了在任一連接節(jié)點(diǎn)對(duì)之間的熔絲X之外，所有電阻的總阻抗，也就是(2Y+Z)，被設(shè)定成X的兩倍時(shí)，便可得到Z＝Y(jié)＝2/3。換句話(huà)說(shuō)，在任一階中，若熔絲X的阻抗為R時(shí)，則在熔絲X的右邊的其余部份電路的總阻抗維持在2R。因此，在任一連接節(jié)點(diǎn)對(duì)可維持在一固定的阻抗。
當(dāng)預(yù)設(shè)電壓加在連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0之間時(shí)，由于阻抗的不同，兩倍多的電流將會(huì)經(jīng)過(guò)熔絲X，使得在連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0之間的熔絲X被燒斷(blowing)。同樣的，在連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A1及B1之間的熔絲X會(huì)在下一個(gè)燒錄循環(huán)時(shí)，而被燒斷。只要在每一連接節(jié)點(diǎn)對(duì)之間的阻抗保持固定，可使用其它比例關(guān)系的X、Y、Z。
除了在任一連接節(jié)點(diǎn)對(duì)之間的熔絲X之外，所有電阻的總阻抗，也就是(2Y+Z)，被設(shè)定成X的三倍時(shí)，便可得到Z＝3/4而Y＝9/8。換句話(huà)說(shuō)，在任一階中，若熔絲X的阻抗為R時(shí)，則在熔絲X的右邊的其余部份電路的總阻抗維持在3R。因此，在任一連接節(jié)點(diǎn)對(duì)可維持在一固定的阻抗。
圖2顯示當(dāng)?shù)谝蝗劢zX被燒錄或是燒斷時(shí)的阻抗電路的電流流向。當(dāng)電壓加在連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0時(shí)，由于其為開(kāi)路狀態(tài)，故沒(méi)有電流由節(jié)點(diǎn)A0流向B0。假設(shè)，流經(jīng)節(jié)點(diǎn)A1及B1的電流為I，而流經(jīng)節(jié)點(diǎn)A2及B2的電流為I/2。只有在連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A1及B1之間的熔絲X會(huì)被燒錄。反復(fù)此步驟，從一端到另一端(例如從左邊到右邊)的熔絲會(huì)相繼地被燒斷，因此形成多次可燒錄的熔絲電路。由于在連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0的左邊并沒(méi)分支的電阻或是熔絲，故連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0被稱(chēng)為原始階的第一連接節(jié)點(diǎn)對(duì)。每一燒錄循環(huán)后的總阻抗的計(jì)算是很復(fù)雜的，但是可預(yù)期的。在節(jié)點(diǎn)Ai及Bi(i＝0、1、2、…)之間的熔絲可由可復(fù)式熔絲所構(gòu)成。在阻抗電路100中的其它電阻可由熔絲的其它型態(tài)所構(gòu)成，例如，N+、P+擴(kuò)散、或是柵極擊穿熔絲，其均可抵抗燒錄。
在多次燒錄中，由于電阻Y的阻抗為已知，故在原始連接節(jié)點(diǎn)對(duì)A0及B0之間的總阻抗是可預(yù)期的。舉例而言，假設(shè)，熔絲X為R，Y＝2R/3、在任一連接節(jié)點(diǎn)對(duì)之間的阻抗為2/3，則在圖2中的阻抗電路200顯示總原始阻抗值2R/3(即R并聯(lián)2R)。在第一次燒錄循環(huán)后，總阻抗為2R(即(2R/3)×2+2R/3＝2R)，在第二次燒錄循環(huán)后，總阻抗為10R/3(即(2R/3)×4+2R/3＝10R/3)。如上所述，阻抗每次會(huì)增加4R/3?？傊诿看螣浹h(huán)后的總阻抗為(2R/3)×(1+2P)；其中P為燒錄循環(huán)的次數(shù)。只要是在電阻左邊的階，便可利用如此的計(jì)算方式。上述情況假設(shè)燒斷的熔絲的阻抗遠(yuǎn)大于未被燒斷的熔絲的阻抗。
在兩連貫的燒錄循環(huán)中的阻抗值之間，利用具有合適的參考阻抗設(shè)定的偵測(cè)電路時(shí)，便可準(zhǔn)確地判斷熔絲是否已被燒錄。偵測(cè)的結(jié)果用以產(chǎn)生二進(jìn)制數(shù)(binary number)，以反映熔絲的邏輯狀態(tài)。
圖3顯示本發(fā)明的利用OTP熔絲作為MTP熔絲的另一實(shí)施例。圖3顯示一OPT熔絲陣列，在每個(gè)單元(cell)中具有m個(gè)位元(bit)，以及一個(gè)標(biāo)幟(Tag)位元集合，其具有至少m個(gè)位元，因此，該陣列為使用OTP熔絲的m次MTP。每一標(biāo)幟位元對(duì)應(yīng)于每一單元中的一預(yù)設(shè)位元。在某一標(biāo)幟位元的燒錄狀態(tài)下，其所對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)位元會(huì)在一預(yù)設(shè)循環(huán)燒錄下被燒錄。舉例而言，假設(shè)每一單元具有2個(gè)位元，而熔絲陣列包含許多具有2位元的單元，以及一標(biāo)幟位元。當(dāng)該標(biāo)幟位元未被燒錄時(shí)，在所有單元中的某一位元會(huì)被使用(例如，燒錄或是讀取)，當(dāng)該標(biāo)幟位元被燒錄時(shí)，在所有單元中的另一位元會(huì)被使用。因此，當(dāng)每一單元具有m位元，則需要m-1標(biāo)幟位元。當(dāng)某一標(biāo)幟位元被燒錄時(shí)，則其所對(duì)應(yīng)的單元中的位元便可被燒錄。在一實(shí)施例中，若所有標(biāo)幟位元均未被燒錄時(shí)，則在n位元中的第一位元將會(huì)被使用。若第一標(biāo)幟位元被燒錄，而其它標(biāo)幟位元未被燒錄時(shí)，則在n位元中的第二位元將會(huì)被使用。同樣地，若第一、第二標(biāo)幟位元被燒錄，而其它標(biāo)幟位元未被燒錄時(shí)，則在n位元中的第三位元將會(huì)被使用。這些m-1標(biāo)幟位元可以單獨(dú)地被作用，或是形成一熔絲陣列。m-1標(biāo)幟位元可以設(shè)置在熔絲陣列的最后一個(gè)位元。當(dāng)m-1標(biāo)幟位元被讀取時(shí)，則決定n位元中的某一位元將被使用。
圖4顯示本發(fā)明的使用單一位元單元熔絲陣列作為多次燒錄的一可能實(shí)施例。每一單元只有一個(gè)位元，而熔絲陣列具有多個(gè)區(qū)段(sector)，每一區(qū)段具有多個(gè)位元。每一區(qū)段具有至少一標(biāo)幟位元。舉例而言，當(dāng)某一標(biāo)幟位元被燒錄時(shí)，則上半部的區(qū)段或是左半部的區(qū)段會(huì)被燒錄。事實(shí)上，多個(gè)標(biāo)幟位元可被用以直接地?zé)浫劢z陣列中的不同區(qū)段。舉例而言，若熔絲陣列中的每一列視為一區(qū)段時(shí)，則n列的熔絲陣列便具有n位元的標(biāo)幟位元。當(dāng)某一標(biāo)幟位元被燒錄時(shí)，某一區(qū)段、或是熔絲陣列中的某一列會(huì)被燒錄。熔絲陣列可被分割成不同的區(qū)段，每一區(qū)段具有預(yù)設(shè)的位元總數(shù)，以及一對(duì)應(yīng)的標(biāo)幟位元；其中，標(biāo)幟位元用以控制所對(duì)應(yīng)的區(qū)段的燒錄。另外，標(biāo)幟位元可以與區(qū)段位于同一陣列中、或是與區(qū)段位于不同的陣列中。在本實(shí)施例中，若所有標(biāo)幟位元均未被燒錄時(shí)，第一區(qū)段將會(huì)被使用；若第一標(biāo)幟位元被燒錄，而其它標(biāo)幟位元未被燒錄時(shí)，則第二區(qū)段會(huì)被使用。同樣地，若第一、第二標(biāo)幟位元被燒錄，而其它標(biāo)幟位元未被燒錄時(shí)，則第三區(qū)段會(huì)被使用；其余依此類(lèi)推。m-1標(biāo)幟位元可以單獨(dú)地設(shè)置在熔絲單元，或是在熔絲陣列的某一部份。m-1標(biāo)幟位元可設(shè)置在熔絲陣列的最后m-1位元，根據(jù)標(biāo)幟位元的燒錄狀況，可決定哪一區(qū)段將被使用。
雖然本發(fā)明已詳細(xì)揭露如上，但并非用以限制本發(fā)明。舉例而言，熔絲包含許多不同的種類(lèi)，例如，N+可復(fù)式熔絲(N+poly fuse)、P+可復(fù)式熔絲(P+ poly fuse)、常數(shù)反熔絲(constant anti-fuse)、金屬熔絲(metal fuse)、PN結(jié)熔絲(PN junction fuse)、MOS電容反熔絲(MOSCAP anti-fuse)、反相偏壓N+/P+可復(fù)式熔絲(reverse biased N+/P+polyfuse)、以及本質(zhì)(intrinsic)的或接近本質(zhì)的可復(fù)式熔絲。所有的熔絲陣列不是包含一次元(one dimensional)的熔絲，就是多次元的熔絲陣列。
雖然本發(fā)明已通過(guò)較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各種更改和補(bǔ)充，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下100、200阻抗電路A0、B0連接節(jié)點(diǎn)102、104、106階 A1、B1連接節(jié)點(diǎn)X、Y、Z電阻 A2、B2連接節(jié)點(diǎn)
權(quán)利要求
1.一種熔絲電路，其特征在于提供可預(yù)期的總阻抗，用以多次循環(huán)地?zé)洠撊劢z電路包括多個(gè)熔絲階，以串聯(lián)方式排列，每一熔絲階包括一第一及第二連接節(jié)點(diǎn)；一熔絲，耦接于該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間；一第一電阻，其第一端耦接該第一節(jié)點(diǎn)；以及一第二電阻，其第一端耦接該第二節(jié)點(diǎn)；其中，該第一及第二電阻的第二端分別耦接一第三及第四連接節(jié)點(diǎn)，該第三及第四連接節(jié)點(diǎn)分別為下一個(gè)熔絲階的第一及第二連接節(jié)點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，其特征在于該熔絲為一單次可燒錄熔絲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，其特征在于該熔絲為一可復(fù)式熔絲。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，其特征在于當(dāng)每一熔絲階中的熔絲被燒錄時(shí)，一原始熔絲階中的二連接節(jié)點(diǎn)的總阻抗的增加是可預(yù)期的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲電路，其特征在于該第一及第二電阻為N型或是P型擴(kuò)散熔絲。
6.一種熔絲電路，其特征在于提供可預(yù)期的總阻抗，用以多次循環(huán)地?zé)?，該熔絲電路包括多個(gè)熔絲階，以串聯(lián)方式排列，每一熔絲階包括一第一及第二連接節(jié)點(diǎn)；一單次可燒錄熔絲，耦接于該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間；一第一電阻，其第一端耦接該第一節(jié)點(diǎn)；以及一第二電阻，其第一端耦接該第二節(jié)點(diǎn)；其中，該第一及第二電阻的第二端分別耦接一第三及第四連接節(jié)點(diǎn)，該第三及第四連接節(jié)點(diǎn)分別為該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)的下一個(gè)熔絲階；其中，在每次循環(huán)燒錄后，在該熔絲階中的一起始的熔絲階的該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間所測(cè)量到一總阻抗值是可預(yù)期的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熔絲電路，其特征在于該單次可燒錄熔絲為一可復(fù)式熔絲。
8.一種熔絲陣列，其特征在于利用單次可燒錄熔絲，用以多次循環(huán)地?zé)?，該熔絲陣列包括一熔絲單元，具有多個(gè)位元，其可有效的被燒錄；一標(biāo)幟位元集合，利用至少一單次可燒錄熔絲；其中，在該標(biāo)幟位元集合中的每一標(biāo)幟位元對(duì)應(yīng)于該熔絲單元中的一位元， 當(dāng)該標(biāo)幟位元集合中的一標(biāo)幟位元為一燒錄狀態(tài)時(shí)，則相對(duì)應(yīng)的位元會(huì)在一循環(huán)燒錄中被燒錄。
9.一種熔絲陣列，其特征在于利用單次可燒錄熔絲，用以多次循環(huán)地?zé)?，該熔絲陣列包括一第一數(shù)量的熔絲區(qū)段，每一區(qū)段具有一位元總數(shù)，用以有效地?zé)泦未慰蔁浫劢z；一標(biāo)幟位元集合，利用一第二數(shù)量的單次可燒錄熔絲；其中，在該標(biāo)幟位元集合中的每一標(biāo)幟位元對(duì)應(yīng)每個(gè)熔絲區(qū)段相結(jié)合，并且當(dāng)該標(biāo)幟位元集合中的一標(biāo)幟位元為一燒錄狀態(tài)時(shí)，則在一預(yù)定的循環(huán)燒錄下，燒錄相對(duì)應(yīng)的區(qū)段。
10.一種熔絲電路，其特征在于提供可預(yù)期的總阻抗，用以多次循環(huán)地?zé)洠撊劢z電路包括至少一熔絲階，每一熔絲階包括；一第一及第二連接節(jié)點(diǎn)；一熔絲，耦接于該第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間；一第一電阻，其第一端耦接該第一節(jié)點(diǎn)；一第二電阻，其第一端耦接該第二節(jié)點(diǎn)；以及一第三及第四連接節(jié)點(diǎn)，分別耦接該第一及第二電阻的第二端；以及一終端熔絲，耦接于最后一個(gè)熔絲階的第三及第四連接節(jié)點(diǎn)之間；其中，當(dāng)該熔絲電路具有多個(gè)熔絲階時(shí)，該熔絲階以串聯(lián)方式排列，每一熔絲階的第三及第四節(jié)點(diǎn)分別為下一個(gè)熔絲階的第一及第二連接節(jié)點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種熔絲電路，提供可預(yù)期的總阻抗，用以多次循環(huán)地?zé)?，該熔絲電路包括多個(gè)熔絲階，以串聯(lián)方式排列。每一熔絲階包括，一第一及第二連接節(jié)點(diǎn)、一熔絲、一第一、第二電阻。熔絲耦接于第一及第二連接節(jié)點(diǎn)之間。第一電阻的第一端耦接第一節(jié)點(diǎn)。第二電阻的第一端耦接第二節(jié)點(diǎn)。第一及第二電阻的第二端分別耦接一第三及第四連接節(jié)點(diǎn)。第三及第四連接節(jié)點(diǎn)分別為下一個(gè)熔絲階的第一及第二連接節(jié)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G11C17/06GK1694174SQ20051006800
公開(kāi)日2005年11月9日 申請(qǐng)日期2005年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月5日
發(fā)明者莊建祥 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司