專利名稱：相變型光記錄介質(zhì)、光記錄方法和光記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可在寬的記錄線速度范圍內(nèi)對相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄的光記錄方法，在該光記錄方法中使用的相變型光記錄介質(zhì)和光記錄裝置。
背景技術(shù)：
相變型光記錄介質(zhì)(以下有時(shí)稱為“相變型光信息記錄介質(zhì)”、“光記錄介質(zhì)”、“光信息記錄介質(zhì)”、“信息記錄介質(zhì)”)被應(yīng)用在CD、DVD、甚至利用了波長400nm的LD(激光二極管)的容量大于等于20GB的高密度、大容量光記錄介質(zhì)中。特別是CD、DVD作為改寫型光記錄介質(zhì)，要求更高速地進(jìn)行記錄的技術(shù)。在CD系列中高速化已經(jīng)得到相當(dāng)?shù)耐七M(jìn)，現(xiàn)在對于改寫型DVD系列，該要求變得強(qiáng)烈。在其中，作為改寫型DVD系列之一的DVD+RW介質(zhì)已經(jīng)實(shí)際采用了2.4倍速，但情況是要求4倍速，進(jìn)而其目的是要求8倍速以上的記錄線速度。
這時(shí)，即使相變型光記錄介質(zhì)有對于高速記錄的實(shí)用可能性，但問題是投放到市場的光記錄介質(zhì)可對應(yīng)高速化到何種程度。為了進(jìn)行高速記錄，用于使光記錄裝置中的光記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的軸電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速日益提高，還可以達(dá)到一萬轉(zhuǎn)(rpm)以上。因此，需要進(jìn)行更穩(wěn)定的旋轉(zhuǎn)控制，對應(yīng)光記錄介質(zhì)使面模糊、偏心以及彎曲更小。而且，需要提高用于一邊穩(wěn)定地聚焦在要記錄的溝內(nèi)一邊尋跡的拾取頭的伺服控制等。
但是，現(xiàn)狀是對于這些性能存在限制，特別是相變型光記錄介質(zhì)內(nèi)周側(cè)的轉(zhuǎn)速不能提高到用于高速記錄所需要的轉(zhuǎn)速以上。因此，在進(jìn)行高速記錄的情況下，不得不采用通過一定的角速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使外周側(cè)以最高記錄線速度進(jìn)行記錄的所謂CAV(Constant Angular Velocity轉(zhuǎn)速一定)記錄方式。在該CAV記錄方式中，由于記錄線速度因同一光記錄介質(zhì)中的記錄位置而變化，所以需要良好的記錄特性而且可以均勻地記錄。
如果記錄線速度超過10倍速而成為16倍速那樣的更高速，則連續(xù)地增加線速度的CAV記錄變得困難。雖然對于高速的任意的線速度都可以找到相變型光記錄介質(zhì)的最佳記錄條件，但是使該最佳記錄條件連續(xù)變化進(jìn)行記錄，光記錄裝置中的激光控制電路的脈沖控制越來越困難。因此，在高速記錄中，以前以一定線速度進(jìn)行記錄的CLV(Constant Linear Velocity線速度一定)記錄的可靠性變高。但是，如果采用CLV記錄，則作為光記錄裝置，在假設(shè)要記錄某個(gè)地址的信息時(shí)，由于位置而使轉(zhuǎn)速變化的負(fù)擔(dān)增加。因此，在達(dá)到超高速時(shí)，既不是CAV記錄也不是CLV記錄，而是考慮使用對相變型光記錄介質(zhì)的幾個(gè)區(qū)域的每一個(gè)設(shè)為一定線速度的ZCLV方式。不論采用哪一個(gè)，都需要在各記錄線速度下保持良好的記錄特性，均勻地進(jìn)行記錄。
另一方面，為了可以高速記錄，還需要相變型光記錄介質(zhì)側(cè)的最佳化。為了對應(yīng)上述那樣的寬記錄線速度，作為相變記錄層材料，需要使用在高記錄線速度和低記錄線速度的任何一個(gè)中都容易形成標(biāo)記，而且，為了改善覆寫特性需要使用消除比良好的材料。但是，在調(diào)整了相變記錄層以在最高記錄線速度下具有特性的情況下，為了不重復(fù)進(jìn)行而損壞覆寫特性，必須使用消除即在快的記錄線速度下結(jié)晶化速度高的材料、組成的相變記錄層。
而且，在以最低記錄線速度形成標(biāo)記的情況下，為了使施加記錄功率的光脈沖的寬度更窄，需要高記錄功率。而且，由于在最高記錄速度下結(jié)晶化速度快，相變記錄層的溫度上升困難，所以也需要照射高記錄功率而形成標(biāo)記。
為了解決這樣的課題，例如在專利文獻(xiàn)1中公開了以下記錄方法在以一定的角速度使光記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)，從內(nèi)周向外周記錄線速度增加的CAV記錄方法中，用與加熱脈沖、冷卻脈沖相當(dāng)?shù)拿}沖和消除脈沖三個(gè)值控制照射到光記錄介質(zhì)的激光，并且使加熱脈沖和冷卻脈沖構(gòu)成的脈沖串中的加熱脈沖的寬度和冷卻脈沖的最終脈沖部的占空比根據(jù)記錄線速度而變化。而且，通過使記錄功率(Pw)和消除功率(Pe)的比Pe/Pw以規(guī)定間隔變化進(jìn)行記錄，從內(nèi)周到外周均勻地得到良好的特性。
而且，在專利文獻(xiàn)2中提出了以下記錄方法從光記錄介質(zhì)的內(nèi)周向外周記錄線速度加速的CAV記錄中，在某個(gè)半徑區(qū)域的每一個(gè)中分為多個(gè)區(qū)域的ZCAV法中，對于每一個(gè)區(qū)域，使照射光的脈沖串的記錄功率照射時(shí)間、偏置功率照射時(shí)間和記錄功率、消除功率和記錄功率的比、以及偏置功率可變，至少使記錄功率照射時(shí)間從內(nèi)周向外周單調(diào)地減少。
而且，在非專利文獻(xiàn)1中，采用CAV/CLV記錄方法，在CAV記錄方法中，在1.65x-4x、1x-2.4x的各記錄線速度范圍中，對于增加最小記錄線速度、最大記錄線速度、它們一半的中間記錄線速度的三個(gè)線速度，分別賦予最佳記錄條件(光脈沖控制參數(shù)和Pe/Pw比)。
但是，現(xiàn)狀是在前述專利文獻(xiàn)1、2和非專利文獻(xiàn)1的任意一個(gè)中，都沒有對與進(jìn)行高速記錄時(shí)的特異記錄線速度有關(guān)的知識及其解決手段進(jìn)行公開或啟示，希望進(jìn)一步的改良、開發(fā)。
專利文獻(xiàn)1特開2001-118245號公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2003-019868號公報(bào)非專利文獻(xiàn)1“DVD+RW 4.7GB Basic Format Specifications version 1.2”(1x-4x DVD+RW規(guī)格書)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于相關(guān)的現(xiàn)狀而完成的，課題是解決以往的前述各問題，并達(dá)到以下目的。即，本發(fā)明的目的是提供一種光記錄方法、在該光記錄方法中使用的相變型記錄介質(zhì)以及光記錄裝置。該光記錄方法通過研究對相變型光記錄介質(zhì)，特別是對應(yīng)高速的改寫型DVD介質(zhì)進(jìn)行CAV記錄時(shí)的記錄方法，實(shí)現(xiàn)記錄特性的提高和均勻性的提高。
而且，本發(fā)明的目的是即使在使用能夠?qū)σ愿偷挠涗浌β蔬M(jìn)行記錄的對應(yīng)低記錄線速度的光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄的光記錄裝置的情況下，也可以對對應(yīng)高速的相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄，即可進(jìn)行下位驅(qū)動(dòng)互換。而且，在對最高記錄線速度中的特性優(yōu)先設(shè)計(jì)的光記錄介質(zhì)中，低記錄線速度中的靈敏度變差而不能實(shí)用。因此，本發(fā)明的目的是提供一種記錄方法，作為相變記錄層材料，通過從最低記錄線速度到中間記錄線速度(最高記錄線速度和最低記錄線速度的和的1/2)的范圍內(nèi)選擇消除比高的材料，可以從低速到高速靈敏度良好地進(jìn)行記錄。
而且，作為相變記錄層材料，最好是在熔點(diǎn)附近或其以上加熱一次相變記錄層，在一旦熔化到再結(jié)晶時(shí)可高速地結(jié)晶的材料。但是，這時(shí)隨著接近最高記錄線速度，如果消除功率仍以原有高功率進(jìn)行光照射，則優(yōu)先形成標(biāo)記而難以消除。在該范圍內(nèi)，需要降低消除功率，使相變記錄層從未成為充分熔化狀態(tài)的狀態(tài)開始結(jié)晶。因此，在從中間記錄線速度附近到最高記錄線速度的范圍內(nèi)，在由于消除功率的值而存在兩個(gè)結(jié)晶模式的記錄線速度的附近(后述的特異記錄線速度的附近)，觀察到特性急劇惡化的現(xiàn)象(參照圖6)。
因此，在本發(fā)明中，目的是提供一種光記錄方法和光記錄裝置，在對應(yīng)高速的相變型光記錄介質(zhì)的CAV記錄中，可以靈敏度良好地、而且利用下位驅(qū)動(dòng)進(jìn)行記錄時(shí)在特異記錄線速度附近記錄特性沒有大幅度惡化地、不依賴記錄位置均勻地進(jìn)行記錄。
本發(fā)明基于本發(fā)明人的前述認(rèn)識，作為用于解決前述課題的手段如下所示。即，<1>一種相變型光記錄介質(zhì)的光記錄方法，在對基板上至少具有相變記錄層的相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄時(shí)，對該相變型光記錄介質(zhì)照射的光由加熱脈沖和冷卻脈沖的脈沖串和用于消除的光構(gòu)成，用作為該加熱脈沖的照射功率的峰功率(Pp)、作為冷卻脈沖的照射功率的底功率(Pb)以及用于消除記錄標(biāo)記的消除脈沖(Pe)三個(gè)值控制照射功率，并在前述相變型光記錄介質(zhì)中的最低記錄線速度和最高記錄線速度的范圍內(nèi)，使Pe/Pp、Pp、Pb以及Pe的至少一個(gè)可變，進(jìn)而使各脈沖照射時(shí)間與對應(yīng)于記錄線速度的時(shí)鐘T成比例變化地進(jìn)行記錄的相變型光記錄介質(zhì)的記錄方法中，其特征在于，將抖動(dòng)急劇惡化而表示極大值的記錄線速度作為特異記錄線速度，從比該特異記錄線速度慢的特定記錄線速度開始，至少使所述Pe/Pp變化來進(jìn)行記錄。
<2>、如<1>所述的光記錄方法，特定記錄線速度是比特異記錄線速度慢0.5m/s以上的記錄線速度。
<3>、如<1>或<2>所述的光記錄方法，通過相變記錄層中的非晶質(zhì)相和結(jié)晶相的可逆的相變，進(jìn)行信息的記錄、再現(xiàn)、消除和改寫的至少一個(gè)。
<4>、如<1>至<3>的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，對相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行的記錄是CAV記錄方式。
<5>、如<1>至4>的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，還使Pe變化而進(jìn)行記錄。
<6>、如<1>至<5>的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，特定記錄線速度中的Pe/Pp以及Pe中的某一個(gè)大于等于最高記錄線速度中的Pe/Pp和Pe的某一個(gè)。
<7>、如<1>至<6>的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，使被賦予不同的Pe/Pp和Pe中的一個(gè)的兩個(gè)記錄線速度間的Pe/Pp和Pe中的一個(gè)，以一定的比例和一定的間隔中的一個(gè)變化。
<8>、一種相變型光記錄介質(zhì)，被用于<1>至<7>的任意一個(gè)所述的光記錄方法中。
<9>、如<8>所述的相變型光記錄介質(zhì)，作為信息，預(yù)先存儲(chǔ)從最低記錄線速度、中間記錄線速度、最高記錄線速度、特定記錄線速度和它們的組合中選擇的記錄線速度中的Pe/Pp、Pe和記錄條件的至少一個(gè)。
<10>、如<8>或<9>所述的相變型光記錄介質(zhì)，將基板、在該基板上至少第一保護(hù)層、相變記錄層、第二保護(hù)層和反射層按照該順序和反順序的至少其中一種來具有，從第一保護(hù)層側(cè)照射激光而進(jìn)行信息的記錄、再現(xiàn)、消除和改寫的至少其中一種。
<11>、如<10>所述的相變型光記錄介質(zhì)，相變記錄層包含從Ag、Ge、Sn、Sb、Ga、Mn、Zn、Te和In選擇的至少一種。
<12>、一種光記錄裝置，被用于<1>至<7>的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，在3～56m/s的記錄線速度范圍內(nèi)進(jìn)行記錄。
<13>、如<12>所述的光記錄裝置，對作為信息預(yù)先記錄作為抖動(dòng)急劇惡化而顯示極大值的記錄線速度的特異線速度，以及該特異記錄線速度中的最佳記錄條件的相變型光記錄介質(zhì)，具有檢測該信息，在用戶使用的數(shù)據(jù)區(qū)域更內(nèi)側(cè)和更外側(cè)的其中一個(gè)中具有預(yù)先設(shè)定的測試區(qū)域，在該測試區(qū)域中，對于所述特異記錄線速度，在最大±2m/s的線速度范圍內(nèi)進(jìn)行測試記錄。


圖1是表示在CD-RW、DVD+RW等中使用的光記錄方法的一例。
圖2是表示實(shí)施例1的記錄線速度和ε(＝Pe/Pp)的關(guān)系的圖。
圖3是表示比較例1的記錄線速度和ε(＝Pe/Pp)的關(guān)系的圖。
圖4是表示實(shí)施例3的記錄線速度和ε(＝Pe/Pp)的關(guān)系的圖。
圖5是表示比較例2的記錄線速度和ε(＝Pe/Pp)的關(guān)系的圖。
圖6是表示在實(shí)施例1中制作的相變型光記錄介質(zhì)的記錄線速度和抖動(dòng)的關(guān)系(特異記錄線速度)的圖。
圖7是用于對比特異記錄線速度慢的特定記錄線速度進(jìn)行說明的圖。
圖8是表示本發(fā)明中使用的光記錄裝置的一例的概略圖。
圖9是表示本發(fā)明的相變型光記錄介質(zhì)的一例的概略截面圖。
具體實(shí)施例方式
(光記錄方法)本發(fā)明的光記錄方法在對相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄時(shí)，對該相變型光記錄介質(zhì)照射的光由加熱脈沖和冷卻脈沖的脈沖串和用于消除的光構(gòu)成，用作為該加熱脈沖的照射功率的峰功率(Pp)、作為冷卻脈沖的照射功率的底功率(Pb)以及用于消除記錄標(biāo)記的消除脈沖(Pe)三個(gè)值控制照射功率，并在前述相變型光記錄介質(zhì)中的最低記錄線速度和最高記錄線速度的范圍內(nèi)，使Pe/Pp、Pp、Pb以及Pe的至少一個(gè)可變，進(jìn)而使各脈沖照射時(shí)間與對應(yīng)于記錄線速度的時(shí)鐘T成比例變化地進(jìn)行記錄，將抖動(dòng)急劇惡化而表示極大值的記錄線速度作為特異記錄線速度，從比該特異記錄線速度慢的特定記錄線速度開始，至少使所述Pe/Pp變化來進(jìn)行記錄，而且還根據(jù)需要包含其它的步驟。
這里，作為前述相變型光記錄介質(zhì)，從CD-RW、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM到利用波長400nm的LD進(jìn)行記錄再現(xiàn)的下一代大容量記錄介質(zhì)成為改寫型光盤的主流。利用了有機(jī)色素的CD-R和CD-RW已經(jīng)使2.4倍速以上的高速記錄介質(zhì)實(shí)用化，最近形成大的市場的改寫型DVD中也已經(jīng)開始更高速的研究。作為其中之一的DVD+RW介質(zhì)，已經(jīng)達(dá)到2.4倍速而且被實(shí)用。而且，4倍速～8倍速也開始了可見的研究。
現(xiàn)在，如圖1所示，在CD-RW、DVD+RW等中使用的記錄方法，對光記錄介質(zhì)照射的光由加熱脈沖和冷卻脈沖的脈沖串和用于消除的光構(gòu)成，用作為該加熱脈沖的照射功率的峰功率(Pp)、作為冷卻脈沖的照射功率的底功率(Pb)以及用于消除記錄標(biāo)記的消除脈沖(Pe)三個(gè)值控制照射功率從而進(jìn)行記錄。而且，加熱脈沖部和冷卻脈沖部的數(shù)量根據(jù)記錄標(biāo)記的長度決定。
例如，在DVD中，對于基準(zhǔn)時(shí)鐘(以下，有時(shí)也稱為窗寬度)T，短標(biāo)記長度為3T(這里，T為標(biāo)記長度0.4μm)、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T和14T的十種標(biāo)記被記錄。在將各標(biāo)記長度設(shè)為nT(n表示自然數(shù))時(shí)，加熱脈沖的數(shù)量m(這里，m表示自然數(shù))為m＝n-1或者n-2個(gè)。加熱脈沖部還在開頭部和中間部獨(dú)立地控制脈沖寬度。而且，最后的冷卻脈沖部與其之前的冷卻脈沖獨(dú)立地控制寬度。
即，將開頭部加熱脈沖寬度OP1、在其之后的加熱脈沖寬度(OPi，i＝2～n-1)、開頭冷卻脈沖寬度(FP1)、中間冷卻脈沖寬度(FPj，除了3T的情況)、最后的冷卻脈沖寬度(FPm)、峰功率(Pp)、消除功率(Pe)、底功率(Pb)的各條件最佳化。作為原則，將中間部的加熱脈沖和冷卻脈沖的寬度的和設(shè)為T。
在4倍速，即記錄線速度14m/s以上時(shí)，激光的最高輸出功率低，脈沖的上升時(shí)間、下降時(shí)間慢的情況下，采用為了修正記錄靈敏度不足，取更長的脈沖時(shí)間，減少這部分脈沖數(shù)量，或者對每個(gè)標(biāo)記調(diào)整脈沖數(shù)量、脈沖寬度等的方法。
為了對應(yīng)CAV記錄，在由與對各記錄線速度的每一個(gè)設(shè)定的窗寬度T成比例的部分和被固定的部分構(gòu)成的時(shí)間內(nèi)調(diào)整加熱脈沖的寬度。也使冷卻脈沖寬度與窗寬度T成比例地進(jìn)行控制。消除脈沖由其與峰功率的比Pe/Pp決定。
以往，對最低記錄線速度、最高記錄線速度和中間記錄線速度的每一個(gè)改變Pe/Pp，但也可以使該值全部相同。
在被設(shè)置了引導(dǎo)溝的基板上，至少對順序?qū)臃e了第一保護(hù)層、相變記錄層、第二保護(hù)層以及反射層的光記錄介質(zhì)，如果一邊連續(xù)地照射大于等于光記錄介質(zhì)的最佳消除功率的消除功率一邊改變記錄線速度，則從某記錄線速度開始介質(zhì)的反射信號(反射率)開始下降，在其以上部分隨著記錄線速度的增加進(jìn)一步下降。消除功率的上限為記錄裝置輸出的最大記錄功率的50％左右，連續(xù)地照射該范圍的消除功率。
一邊照射11mW的功率的光，一邊使記錄線速度在3.5～14m/s的范圍內(nèi)緩慢增加，并監(jiān)視光記錄介質(zhì)的反射率時(shí)，在記錄線速度10.5m/s下反射率減少，或者從溝的中心部開始形成非晶質(zhì)相，反射率降低的部分和不降低的部分混合并成為反射信號具有寬度的狀態(tài)。而且，由此將記錄線速度加速時(shí)，反射率顯著降低。將該反射信號為開始減少的狀態(tài)時(shí)的記錄線速度稱為轉(zhuǎn)移記錄線速度。
在對可在DVD的1倍速～4倍速(3.5m/s～14m/s)的寬范圍內(nèi)進(jìn)行記錄的光記錄介質(zhì)進(jìn)行CAV記錄時(shí)，區(qū)分為最內(nèi)周為1倍速(3.5m/s)、最外周為2.4倍速(8.4m/s)的情況和最內(nèi)周為1.65倍速(5.8m/s)、最外周為4倍速(14m/s)的情況進(jìn)行記錄。這里，最內(nèi)周指半徑位置24mm，最外周指58mm。
特別是對于1倍速～2.4倍速，在與最適合于以往的2.4倍速的光記錄介質(zhì)相同，用上限記錄功率進(jìn)行記錄的情況下，要求以15mW～16mW記錄盤面。
另一方面，4倍速上限記錄功率為22mW。在用到22mW為止的記錄功率記錄1倍速～4倍速時(shí)，成為轉(zhuǎn)移記錄線速度比最高記錄線速度慢1～2m/s的線速度的光記錄介質(zhì)。這時(shí)，將轉(zhuǎn)移記錄線速度設(shè)為12～13m/s。
與對應(yīng)2.4倍速記錄的以往的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行下位互換的DVD+RW4倍速光記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)移記錄線速度最好設(shè)在10m/s～11.0m/s左右的范圍內(nèi)。從最低記錄線速度(這里為5.8m/s)到中間記錄線速度的范圍中，對應(yīng)將消除功率照射到相變記錄層被熔化的水平時(shí)的最佳峰功率的Pe/Pp為0.3～0.6的范圍，最好為0.40～0.55。特別是在該記錄線速度范圍內(nèi)，為了即使增加覆寫次數(shù)也能得到與一次記錄時(shí)相同的記錄特性，如果利用使溫度上升直到相變記錄層的熔點(diǎn)附近結(jié)晶成長速度最快的狀態(tài)，則可以得到?jīng)]有消耗的良好的特性。
另一方面，在最高記錄線速度的4倍速或其以上的記錄線速度中，Pe/Pp為0.2～0.4較好，0.25～0.35更好。
在將中間記錄線速度(這里為9.9m/s)的Pe/Pp設(shè)為0.5(Pp19mW、Pe8.5mW)、以及將最高記錄線速度的Pe/Pp設(shè)為0.3(Pp19.0mW、Pe5.7mW)時(shí)，使該記錄線速度間的Pe/Pp單調(diào)地減少而進(jìn)行CAV記錄時(shí)，在記錄線速度12.9m/s附近，產(chǎn)生作為記錄特性之一的抖動(dòng)急劇惡化的現(xiàn)象(參照圖6)。
在本發(fā)明中，將該惡化現(xiàn)象引起的抖動(dòng)表現(xiàn)極大值的記錄線速度稱為特異記錄線速度。在該特異記錄線速度附近最差的情況下，即使進(jìn)行錯(cuò)誤校正數(shù)據(jù)也不能再現(xiàn)。
這里，前述抖動(dòng)是用激光掃描記錄標(biāo)記和標(biāo)記之間并再現(xiàn)時(shí)，通過將記錄標(biāo)記和標(biāo)記之間的各反射信號用某限制電平二值化，將再現(xiàn)信號變化為“1”、“0”的數(shù)字信號。這時(shí)，意思是檢測記錄標(biāo)記的開頭和后端部的從“1”到“0”以及從“0”到“1”變化的邊界的時(shí)間并設(shè)為邊界信號時(shí)，該邊界信號和再現(xiàn)信號的基準(zhǔn)時(shí)鐘T的時(shí)間的偏差。具體來說，中心時(shí)間為T/2，將該基準(zhǔn)偏差σ(時(shí)間)除以基準(zhǔn)時(shí)鐘T的值乘以100倍的值(即，抖動(dòng)(％)≡σ×100/T)。
而且，在DVD的情況下，在記錄速度3.49m/s(1倍速)下，基準(zhǔn)時(shí)鐘T為38.12nsec)(納秒)。
本發(fā)明的光記錄方法，在DVD的情況下，利用LD波長650nm、物鏡的數(shù)值孔徑NA為0.6～0.65的光拾取頭。記錄線密度以0.267μm/bit，用〔8-16〕調(diào)制方法進(jìn)行記錄。標(biāo)記的記錄、消除是將對光記錄介質(zhì)照射的激光用于照射記錄所需要的峰功率Pp，并加熱介質(zhì)的加熱脈沖部分和為了形成標(biāo)記而照射更低功率的底功率的冷卻脈沖部分交替組合，控制各脈沖的時(shí)間寬度。
相變型光記錄介質(zhì)的用戶使用的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的最內(nèi)周的半徑位置為24mm，這里的記錄線速度為5.8m/s，最外周的半徑位置為58mm，這里的記錄線速度為14m/s，最內(nèi)周和最外周之間的記錄區(qū)域中記錄線速度連續(xù)增加時(shí)的記錄如以下那樣進(jìn)行。
用與對應(yīng)于記錄線速度的時(shí)鐘T成比例的時(shí)間控制一至多個(gè)加熱脈沖寬度，或者用與時(shí)鐘T成比例的時(shí)間和固定時(shí)間的和的時(shí)間來控制。而且，獨(dú)立地控制加熱脈沖部的開頭部和其之后的脈沖部，以控制成為規(guī)定的標(biāo)記長度。而且，對于冷卻脈沖部也同樣進(jìn)行控制，但分別控制開頭部、中間部和最后部脈沖，從而更精密地控制脈沖長度。在進(jìn)行覆寫時(shí)，通過使這些脈沖時(shí)間、峰功率、底功率以及消除功率的大小最佳化，可以確保更好的特性。
以與對應(yīng)于記錄線速度的時(shí)鐘T成比例的時(shí)間控制脈沖寬度時(shí)的精度，依賴于安裝在光記錄裝置中的激光器及其驅(qū)動(dòng)電路的性能，但將脈沖時(shí)間的比例部分，即脈沖時(shí)間分辨能力設(shè)為a時(shí)，如k×T/a(k是大于等于0的整數(shù))那樣進(jìn)行控制。例如，在記錄線速度為14m/s的情況下，a＝16，T＝9.6nsec，k＝8的脈沖寬度為4.8nsec。在對其附加一定的時(shí)間b來控制時(shí)，成為k×T/a+b。特別是附加一定時(shí)間時(shí)，最低記錄線速度和最高記錄線速度的最佳脈沖寬度的差大時(shí)，與用k×T/a表示的方法相比，得到良好的記錄特性。但是，在記錄線速度最大為35m/s(DVD的10倍)那樣成為更高速時(shí)，不限于對各標(biāo)記長度用共同的條件控制脈沖。還包括脈沖寬度用k×T/a控制，并通過激光器的輸出功率能力不能將相變記錄層加熱至熔點(diǎn)附近時(shí)，對每個(gè)標(biāo)記長度改變加熱脈沖的數(shù)量，對每個(gè)標(biāo)記獨(dú)立地控制各脈沖時(shí)間的情況。
在CAV記錄中，除了這些脈沖的控制以外，更重要的是對消除功率(Pe)的記錄線速度的控制方法。在更高的記錄線速度中要確保高重復(fù)覆寫次數(shù)時(shí)，相變記錄層材料具有的結(jié)晶化速度變得重要。在最高的記錄線速度下，在可以高速結(jié)晶的記錄材料中存在界限。而且，作為光記錄介質(zhì)的另一個(gè)重要的要素的確保記錄數(shù)據(jù)在較長期間內(nèi)不惡化的高保存性，對于相變型光記錄介質(zhì)成為大的課題。因此，為了可高速記錄并且覆蓋寬的記錄線速度，如前所述那樣，需要最佳化以使光記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)移記錄線速度處于最高記錄線速度和最低記錄線速度之間。但是，如前所述，在從轉(zhuǎn)移記錄線速度到最高記錄線速度之間的某記錄線速度范圍(特異記錄線速度附近)內(nèi)出現(xiàn)抖動(dòng)超過基準(zhǔn)值的現(xiàn)象。因此，在比特異記錄線速度慢的特定記錄線速度中，決定即使在特異記錄線速度附近抖動(dòng)也不惡化或者成為基準(zhǔn)值以下的最佳Pe/Pp、Pe或其它的最佳記錄條件。
這里，所謂前述“比特異記錄線速度慢的特定記錄線速度”是比特異記錄線速度慢0.5m/s以上的記錄線速度，更好的是選擇慢1m/s以上的記錄線速度。如果通過圖7說明這一點(diǎn)，則相對于前述圖6所示的記錄條件下的抖動(dòng)(圖7的凡例a)，圖7的凡例b是對各記錄線速度，將記錄功率提高1mW進(jìn)行記錄時(shí)的抖動(dòng)的值。在最佳記錄功率附近進(jìn)行記錄時(shí)，如果使用比特異記錄線速度慢0.5m/s的線速度下的Pe/Pp，則抖動(dòng)小于等于9％，但在記錄功率提高1mW時(shí)，在比特異記錄線速度慢0.5m/s處，抖動(dòng)超過9％，因此，最好慢1m/s以上。
在從最高線速度到中間記錄線速度附近之間的線速度下，在照射了消除功率時(shí)，在暫時(shí)形成的非晶標(biāo)記，或者重復(fù)覆寫時(shí)的前面的記錄標(biāo)記中，存在再結(jié)晶化模式改變的區(qū)域。在該模式改變的區(qū)域中，溝中心部再結(jié)晶化進(jìn)展較快，但隨著進(jìn)入溝邊界區(qū)域，再結(jié)晶化速度變慢，所以在進(jìn)行了覆寫時(shí)，前面的標(biāo)記為只能消除標(biāo)記中央部的狀態(tài)，惡化特別嚴(yán)重。作為改善它的方法，最好在比特異記錄線速度還低1m/s的線速度附近降低消除功率。前面敘述的光記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)移記錄線速度可應(yīng)用在比要在該光記錄介質(zhì)中記錄的最快的線速度慢的情況下。
相變記錄材料如果為了以高線速度進(jìn)行記錄而進(jìn)一步提高結(jié)晶化速度，則在高溫環(huán)境下長期保管時(shí)容易引起記錄標(biāo)記的消失、惡化或者作為未記錄狀態(tài)的結(jié)晶相的變化導(dǎo)致的覆寫記錄特性的惡化。例如，在超過8倍速達(dá)到12倍速以上時(shí)，不能使轉(zhuǎn)移記錄線速度比最高記錄線速度高。即，如果記錄線速度變快，為了形成標(biāo)記，將相變記錄層加熱到熔點(diǎn)附近，需要高記錄功率。而且，如果沒有在熔化后急劇冷卻而且形成足夠長的標(biāo)記，則由于再結(jié)晶化速度快，所以難以將標(biāo)記控制為規(guī)定的長度。而且，覆蓋直至低線速度的寬線速度范圍的結(jié)果，用低線速度進(jìn)行記錄的情況下，由于低線速度，此次不能達(dá)到冷卻速度，所以縮短記錄功率(峰功率Pp)的照射脈沖時(shí)間(圖1的記號OP)，從而加長該部分冷卻脈沖時(shí)間(圖1的記號FP)。結(jié)果，必須在照射脈沖時(shí)間變短的部分提高記錄功率。因此，在將轉(zhuǎn)移記錄線速度設(shè)計(jì)得比記錄線速度高時(shí)，越來越需要高記錄功率，需要用于急劇冷卻相變記錄層的光記錄介質(zhì)的熱設(shè)計(jì)，所以僅用記錄方法難以得到充分的特性。
在CLV記錄的情況下，不限于僅以光記錄介質(zhì)的可記錄的最高線速度進(jìn)行記錄。而且，最高線速度越高，在光記錄介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)記錄裝置的軸電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速越高，所以有時(shí)應(yīng)用稱為在內(nèi)周側(cè)以比較慢的線速度進(jìn)行CLV記錄，并在外周側(cè)以最快的線速度進(jìn)行CLV記錄的ZCLV記錄。既然在任何一種情況下，都存在具有抖動(dòng)惡化的特異記錄線速度的光記錄介質(zhì)，所以需要改善該現(xiàn)象。這時(shí)，最好基本上控制并改善消除功率。
在直至4倍速的改寫型DVD+RW的以往的規(guī)格中，將對于最低記錄線速度、中間記錄線速度以及最高記錄線速度三個(gè)線速度的Pe/Pp以及其他的記錄條件預(yù)先賦予光記錄介質(zhì)。具體來說，在用戶記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域(24.0mm到58.0mm)的更內(nèi)側(cè)，以ADIP(Addressin pre-groove)的約818kHz周期的正弦波狀使溝全面擺動(dòng)，將通過該正弦波的相位反轉(zhuǎn)180°，取得預(yù)先記錄這些信息的方法。記錄裝置讀取該信息，在半徑位置23.9mm附近的控制數(shù)據(jù)區(qū)域(地址號碼02F200)記錄這些條件。
也可以使這些各記錄線速度的條件全部相同。在三個(gè)線速度間條件不同的情況下，在各記錄線速度間使條件線性地減少或者增加。但是，由于不對被指定的三個(gè)線速度以外的記錄線速度賦予最佳條件，所以實(shí)際上在記錄裝置中難以看到最佳條件。因此，在三個(gè)線速度中，在中間記錄線速度和最高記錄線速度中看到抖動(dòng)的惡化時(shí)，考慮賦予最佳條件，以便在中間記錄線速度中不引起惡化。
具體來說，已看出最好設(shè)為中間記錄線速度的Pe/Pp＝最高記錄線速度的Pe/Pp，或者中間記錄線速度時(shí)的Pe/Pp≥最高記錄線速度時(shí)的Pe/Pp。即，設(shè)Pe/Pp≡ε，將中間記錄線速度時(shí)的Pe/Pp設(shè)為ε1，將最高記錄線速度時(shí)的Pe/Pp設(shè)為ε2時(shí)，最好ε1≥ε2。而且，最好ε1＜0.5，1≤(ε1/ε2)＜2。最佳記錄功率(Pp)不依賴于記錄線速度而基本上一定，在與Pe/Pp相比，以前Pe的大小本身重要的情況下，有時(shí)將Pe的大小作為信息賦予相變型光記錄介質(zhì)。
在本發(fā)明中，作為賦予包含Pe/Pp或者Pe的最佳記錄條件的方法的例子，舉出以下的(1)和(2)。
(1)由最低記錄線速度、中間記錄線速度、比特異記錄線速度慢的記錄線速度并且比中間記錄線速度快的特定記錄線速度、最高記錄線速度的各記錄線速度構(gòu)成的情況(2)由最低記錄線速度、準(zhǔn)中間記錄線速度〔是比特異記錄線速度慢的特定記錄線速度，不限于單純的中間記錄線速度(最高記錄線速度和最低記錄線速度的一半)〕，最高記錄線速度的各記錄線速度構(gòu)成的情況前述(1)在前述(2)中確定的條件中中間記錄線速度的記錄特性超過基準(zhǔn)值的情況下有效。而且，為了提高記錄位置產(chǎn)生的記錄特性的均勻性，也可以進(jìn)一步在上述各記錄線速度間追加設(shè)定記錄條件。
而且，作為(3)，還有在前述(1)和(2)以外將特異記錄線速度的信息預(yù)先記錄在光記錄介質(zhì)中，光記錄裝置讀取該信息，以便對于該線速度，在±0.5m/s到±1.0m/s的線速度范圍內(nèi)不進(jìn)行記錄的方法。而且，該方法在進(jìn)行ZCLV記錄時(shí)也有效。對于從內(nèi)周向外周預(yù)先分為幾個(gè)區(qū)域而決定的各區(qū)域的線速度，特異記錄線速度被包含在這些線速度中的情況下，將某個(gè)區(qū)域的線速度可以在記錄裝置側(cè)進(jìn)行應(yīng)對，以便以特異記錄線速度±1.0m/s的線速度進(jìn)行記錄。而且，也可以應(yīng)用ZCLV記錄。
上述的說明是以結(jié)晶相為未記錄狀態(tài)、非晶質(zhì)相為記錄狀態(tài)的情況為中心進(jìn)行的，但本發(fā)明對結(jié)晶相為記錄狀態(tài)、非晶質(zhì)相為未記錄狀態(tài)的情況也同樣可以應(yīng)用。但是，在對光記錄介質(zhì)進(jìn)行的記錄為CAV記錄的情況下，狀況相反，所以最好特定記錄線速度下的Pe/Pp與最高記錄線速度時(shí)的Pe/Pp相同或者比其小。
(相變型光記錄介質(zhì))本發(fā)明的相變型光記錄介質(zhì)將基板、在該基板上至少第一保護(hù)層、相變記錄層、第二保護(hù)層和反射層按照該順序和反順序的至少其中一種來具有，而且根據(jù)需要具有此外的其他層。這時(shí)，前述相變型光記錄介質(zhì)從第一保護(hù)層側(cè)照射激光，從而進(jìn)行信息的記錄、再現(xiàn)、消除和改寫的至少其中一種。
前述相變型光記錄介質(zhì)最好將從最低記錄線速度、中間記錄線速度、最高記錄線速度、特定記錄線速度以及它們的組合中選擇的線速度中的Pe/Pp、Pe以及記錄條件的至少一種預(yù)先作為信息記錄。
這里，圖9是表示本發(fā)明的相變型光記錄介質(zhì)的一例的概略截面圖，由基板1、以及在該基板1上將第1保護(hù)層2、相變記錄層3、第2保護(hù)層4、第3保護(hù)層5和反射層6按照該順序?qū)臃e構(gòu)成。而且，雖然省略圖示，但也可以在相變記錄層3和第1保護(hù)層2之間具有界面層。而且，也可以在反射層上通過旋轉(zhuǎn)覆蓋形成紫外線(UV)固化樹脂構(gòu)成的保護(hù)層，為了進(jìn)一步增強(qiáng)或保護(hù)該相變型光記錄介質(zhì)，也可以根據(jù)需要，在該保護(hù)層上粘貼其他的基板。
-基板-作為前述基板1的材料，通常使用玻璃、陶瓷、樹脂等，但從成形性、成本的觀點(diǎn)考慮，樹脂制基板較好。作為該樹脂，例如舉出聚碳酸酯樹脂、丙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚合物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂等。即使在它們當(dāng)中，從成形性、光學(xué)特性、成本的角度考慮，聚碳酸酯樹脂、丙烯樹脂特別好。
前述基板1的厚度沒有特別限制，通常由使用的激光的波長和拾取透鏡的聚光特性決定。在波長780nm的CD系列中使用1.2mm的基板厚度，在波長650～665nm的DVD系列中使用0.6mm板厚的基板。
作為前述基板，例如為在表面具有尋跡用的引導(dǎo)溝，直徑12cm，厚度0.6mm的盤狀，在加工性、光學(xué)特性方面優(yōu)良的聚碳酸酯樹脂基板較好。在基板表面，深度15～45nm，寬度0.2～0.4μm，中心間距離0.74μm的引導(dǎo)溝被螺旋狀地設(shè)置。進(jìn)而，使溝部以820kHz以上的頻率蛇行，通過使該蛇行溝的頻率的相位進(jìn)行調(diào)制來記錄地址信息、記錄條件。信息再現(xiàn)通過檢測該相位變化部分，并變換為二值化信號來進(jìn)行。該蛇行部的振幅為10～50nm的范圍。
而且，用于粘貼寫入信息信號的基板1和粘貼用基板的粘接層由在基膜的兩側(cè)涂布粘著劑的兩面粘著性的薄片、熱固化性樹脂或者紫外線固化樹脂來形成。前述粘接層的膜厚通常為50μm左右。
前述粘貼用基板(偽基板)在作為粘接層使用粘著性的薄片或者熱固化性樹脂的情況下，不需要透明，但在該粘接層中使用紫外線固化樹脂的情況下，最好使用透過紫外線的透明基板。前述粘貼用基板的厚度通常為與寫入信息信號的透明基板1相同的0.6mm較好。
-第1保護(hù)層-前述第1保護(hù)層2最好具有良好的基板和相變記錄層的密封性，耐熱性高。而且，由于還具有可使相變記錄層進(jìn)行有效的光吸收的光干涉層的作用，所以更好的是具有適合高線速度下的重復(fù)記錄的光學(xué)特性。
作為前述第1保護(hù)層的材料，例如可以舉出SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2等金屬氧化物；Si3N4、AlN、TiN、BN、ZrN等氮化物；ZnS、In2S3、TaS4等硫化物；SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrC等碳化物和金剛石狀碳或者它們的混合物。在它們中間，ZnS和SiO2的混合物較好。這時(shí)，ZnS和SiO2的摩爾比設(shè)為50∶50～90∶10，特別是80∶20較好。
作為前述第1保護(hù)層2的形成方法，可以舉出各種氣相生長法，例如，真空蒸著法、濺射法、等離子CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸著法等。在它們中，濺射法在量產(chǎn)性、膜質(zhì)等方面優(yōu)良。前述濺射條件例如作為成膜氣體使用Ar氣體，投入功率1kW，Ar氣體壓力(成膜室氣壓)2×10-3Torr較好。
前述第1保護(hù)層的膜厚沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，50～90nm較好。
-相變記錄層-前述相變記錄層3只要是可以高速記錄并且重復(fù)覆寫特性優(yōu)良就沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如，包含從Ag、Ge、Sn、Sb、Ga、Mn、Zn、Te和In中選擇的至少一種較好。具體來說，可舉出Ag-In-Sb-Te、Ge-Ag-In-Sb-Te、Ge-In-Sb-Te、Ge-Ga-Sb-Te、Ge-Mn-Sb-Te、Ge-Ga-In-Sb-Te、Ge-Ga-Mn-Sb-Te、Ga-Sb-Te、Ga-Sb-Zn、Ga-Ge-Sb、Ga-Sb-Sn、Ga-Sn-Sb-Te、Ge-Sn-Sb-Te、Ga-Mn-Sb、In-Sb-Te、Ga-Ge-Sn-Sb、Zn-Sn-Sb、Ge-In-Sb等。
在DVD4倍速記錄中，具有包含從Ag、In、Sb、Te和Ge中選擇的至少一種的記錄材料較好，例如，具有0＜Ag＜3、0＜In＜7、60＜Sb＜80、15＜Te＜30、0＜Ge＜10的組成范圍(原子％)的材料特別好。
在DVD4倍速以上16倍速記錄中，Ge-Sn-Sb系列材料、Ga-Sn-Sb系列材料、Ga-Ge-Sn-Sb系列材料或者In-Sb-Ge系列材料較好，而且，也可以以10原子％以下的比例添加從Ag、Zn、Te、In、Mn和稀土類元素中選擇的至少一種。例如，5≤Ge＜20、0＜Ga＜15、55＜Sb＜90、5＜Sn＜25的組成范圍(原子％)的材料較好。
前述相變記錄層的膜厚為5～30nm較好，10～20nm更好。如果前述相變記錄層的膜厚薄，則有時(shí)光吸收能力降低而失去作為相變記錄層的功能，如果過厚，則有時(shí)記錄靈敏度變差。
作為前述相變記錄層的形成方法，可以舉出各種氣相生長法，例如，真空蒸著法、濺射法、等離子CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸著法等。在它們中，濺射法在量產(chǎn)性、膜質(zhì)等方面優(yōu)良。濺射條件例如作為成膜氣體使用Ar氣體，投入功率3kW，Ar氣體壓力(成膜室氣壓)2×10-3Torr較好。
-第2保護(hù)層-前述第2保護(hù)層4最好具有良好的相變記錄層和反射層的密封性，耐熱性高。而且，由于還具有可使相變記錄層進(jìn)行有效的光吸收的光干涉層的作用，所以具有適合高線速度下的重復(fù)記錄的光學(xué)特性較好。
作為前述第2保護(hù)層的材料，例如可以舉出SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2等金屬氧化物；Si3N4、AlN、TiN、BN、ZrN等氮化物；ZnS、In2S3、TaS4等硫化物；SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrC等碳化物和金剛石狀碳或者它們的混合物。在它們中間，ZnS和SiO2的混合物較好。
作為前述第2保護(hù)層4的形成方法，可以舉出各種氣相生長法，例如，真空蒸著法、濺射法、等離子CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸著法等。在它們中，濺射法在量產(chǎn)性、膜質(zhì)等方面優(yōu)良。濺射條件例如作為成膜氣體使用Ar氣體，投入功率3kW，Ar氣體壓力(成膜室氣壓)2×10-3Torr較好。
前述第1保護(hù)層的膜厚沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，6～20nm較好。如果前述第2保護(hù)層的膜厚變薄，則有時(shí)記錄靈敏度惡化，如果過厚，則有時(shí)過熱。
-反射層-前述反射層具有作為光反射層的作用，另一方面，還具有使記錄時(shí)由于激光照射而對相變記錄層施加的熱量散發(fā)的散熱層的功能。非晶質(zhì)標(biāo)記的形成通過散熱的冷卻速度而左右其大小，所以反射層的選擇在對應(yīng)高線速度的相變型光記錄介質(zhì)中很重要。
前述反射層6例如可以使用Al、Au、Ag、Cu、Ta等金屬材料或者它們的合金。而且，作為對這些金屬材料的添加元素，可以使用Cr、Ti、Si、Cu、Ag、Pd、Ta等。在它們中間，最好包含有Ag或Ag的合金，作為Ag合金，可最佳舉出Ag-Cu、Ag-Pd、Ag-Pd-Cu、Ag-Nd-Cu、Ag-Bi等。這是由于通常從調(diào)制記錄時(shí)產(chǎn)生的熱量的冷卻速度的觀點(diǎn)，以及利用干涉效果來改善再現(xiàn)信號的對比度的光學(xué)的觀點(diǎn)，構(gòu)成前述相變型光記錄介質(zhì)的反射層希望為高熱傳導(dǎo)率/高反射率的金屬，純Ag或者Ag合金，Ag的熱傳導(dǎo)率高達(dá)427W/m·K，可實(shí)現(xiàn)適合在記錄時(shí)相變記錄層在達(dá)到高溫后，馬上形成非晶標(biāo)記的急速冷卻結(jié)構(gòu)。
而且，雖然這樣考慮高熱傳導(dǎo)率時(shí)純銀最好，但也可以考慮耐蝕性而添加Cu。這時(shí)，為了不損害Ag的特性，銅的添加量范圍為0.1～10原子％左右較好，特別是0.5～3原子％最好。過多添加銅有時(shí)使Ag的高熱傳導(dǎo)率降低。
前述反射層6可以通過各種氣相生長法，例如，真空蒸著法、濺射法、等離子CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸著法等形成。在它們中，濺射法在量產(chǎn)性、膜質(zhì)等方面優(yōu)良。濺射條件例如作為成膜氣體使用Ar氣體，投入功率5kW，Ar氣體壓力(成膜室氣壓)2×10-3Torr較好。
前述反射層的散熱能力基本上與層的厚度成比例，但反射層的膜厚只要大于等于60nm就可以得到良好的盤特性。這時(shí)，不特別存在厚度的邊界值，從盤的制作成本的觀點(diǎn)，只要為被允許的范圍內(nèi)的膜厚就可以，但約為300nm以下較好。
而且，在前述反射層上，可以進(jìn)一步根據(jù)需要設(shè)置樹脂保護(hù)層。該樹脂保護(hù)層在工藝內(nèi)和成為產(chǎn)品時(shí)具有保護(hù)相變記錄層的作用效果，通常通過紫外線固化性的樹脂形成。前述樹脂保護(hù)層的膜厚為2～5μm較好。
-第3保護(hù)層-在前述第2保護(hù)層4和前述反射層6之間設(shè)置第3保護(hù)層5較好。
作為第3保護(hù)層5的材料，例如可以舉出Si、SiC、SiN、SiO2、TiC、TiO2、TiC-TiO2、NbC、NbO2、NbV-NbO2、Ta2O5、Al2O3、ITO、GeN、ZrO2等，在它們中間，TiC-TiO2、Si或SiC由于阻擋層(barrier)性高而特別好。
如果在反射層中使用純Ag或Ag合金，則在使用了ZnS和SiO2的混合物那樣的包含硫的保護(hù)層的情況下，硫擴(kuò)散到Ag并產(chǎn)生盤缺陷等不良情況(Ag的硫化反應(yīng))。因此，作為防止這樣的反應(yīng)的第3保護(hù)層，希望從以下觀點(diǎn)，即(1)防止Ag的硫化反應(yīng)，具有阻擋層能力、(2)對激光光學(xué)性透明、(3)為了形成非晶標(biāo)記，熱傳導(dǎo)率低、(4)保護(hù)層和反射層的密封性好、(5)容易形成等，選擇適當(dāng)?shù)牟牧?，將滿足上述要點(diǎn)的TiC-TiO2、Si或SiC為主要成分的材料作為第3保護(hù)層的構(gòu)成材料較好。
前述第3保護(hù)層的膜厚為2～20nm較好，2～10nm更好。如果前述膜厚小于2nm，則有時(shí)不能作為阻擋層起作用，如果超過20nm，則有時(shí)導(dǎo)致調(diào)制度的降低。
-界面層-在前述第1保護(hù)層2和相變記錄層3之間，或者相變記錄層和第2保護(hù)層之間設(shè)置界面層較好。
作為前述界面層的材料，氧化物、復(fù)合氧化物、氮化物由于透過性好而較好。在其中，可以舉出ZrO2、TiO2、Y2O3和它們的復(fù)合氧化物、Al2O3等。
該界面層的厚度為1～10nm較好。由此，在以高功率進(jìn)行了記錄時(shí)，可以減少基板受到的損害，所以高功率記錄下的重復(fù)記錄特性良好，可以擴(kuò)大記錄功率裕度。
(光記錄裝置)本發(fā)明的光記錄裝置在本發(fā)明的前述光記錄方法中使用，裝載本發(fā)明的前述光記錄介質(zhì)，而且根據(jù)需要具有其它部件。
前述光記錄裝置在3～56m/s的記錄線速度范圍內(nèi)進(jìn)行記錄，該記錄線速度范圍為5.5～42m/s更好。
前述光記錄裝置沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但例如具有作為發(fā)射激光的半導(dǎo)體激光器等光源的激光光源、將從激光光源發(fā)送的激光聚光在軸上安裝的光記錄介質(zhì)上的聚光透鏡、將從激光光源射出的激光導(dǎo)入到聚光透鏡和激光光檢測器的光學(xué)元件以及檢測激光的反射光的激光光檢測器，還可以根據(jù)需要具有其它部件。
這時(shí)，前述光記錄裝置最好具有對作為抖動(dòng)急劇惡化而顯示極大值的記錄線速度的特異線速度，以及作為信息預(yù)先記錄該特異記錄線速度中的最佳記錄條件的相變型光記錄介質(zhì)，檢測該信息，在用戶使用的數(shù)據(jù)區(qū)域的更內(nèi)側(cè)和更外側(cè)的其中一個(gè)中具有預(yù)先設(shè)定的測試區(qū)域，在該測試區(qū)域中，對于所述特異記錄線速度，在最大±2m/s的線速度范圍內(nèi)進(jìn)行測試記錄。
前述光記錄裝置將從激光光源射出的激光透過光學(xué)元件導(dǎo)入聚光透鏡，通過該聚光透鏡將基板激光照射在相變型信息記錄介質(zhì)上，從而對光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄。這時(shí)，光記錄裝置將激光的反射光導(dǎo)入到激光光檢測器，根據(jù)激光光檢測器的激光的檢測量控制激光光源的光量。
前述激光光檢測器將檢測到的激光的檢測量變換為電壓或電流并作為檢測量信號輸出。
作為前述其它的部件，舉出控制部件等。作為前述控制部件，不特別限制為僅可控制前述各部件的工作，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以舉出用于照射和掃描強(qiáng)度調(diào)制后的激光的序列發(fā)生器、計(jì)算機(jī)等設(shè)備。
這里，參照圖8說明本發(fā)明的光記錄裝置的一例。
該光記錄裝置具有以下部件用于對相變型光記錄介質(zhì)11記錄再現(xiàn)信息的LD(激光二極管)、物鏡、偏振束分光鏡、λ/4波長板以及PD(光電探測器)等構(gòu)成的光學(xué)系統(tǒng)；為了對光記錄介質(zhì)的規(guī)定的記錄位置(地址位置)進(jìn)行聚焦、尋跡而使光學(xué)系統(tǒng)移動(dòng)的調(diào)節(jié)器構(gòu)成的拾取部12；以及用于使光記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的軸電動(dòng)機(jī)13，可以以CLV記錄方式或者CAV記錄方式以規(guī)定的記錄線速度在規(guī)定的地址位置對信息進(jìn)行記錄再現(xiàn)。圖8中的14是解碼器、15是編碼器、16是LD驅(qū)動(dòng)電路、17是時(shí)鐘發(fā)生電路、18是聚焦伺服裝置、19是尋跡伺服裝置。
地址在相變型光記錄介質(zhì)的基板上形成預(yù)先加入了擺動(dòng)(Wobble)的溝，通過相位的調(diào)制輸入地址信息。設(shè)置有用于將該地址解碼(decorde)的解碼器(decorder)14，以及用于除了地址等信息以外，從以一定周期進(jìn)行調(diào)制的擺動(dòng)部生成基準(zhǔn)時(shí)鐘的時(shí)鐘發(fā)生電路17。
從計(jì)算機(jī)(未圖示)送來的信息通過編碼器(encorder)15以(8-17)調(diào)制方式等改變?yōu)楸徽{(diào)制的信號，從LD驅(qū)動(dòng)電路16輸出用于記錄該信號的發(fā)光脈沖而記錄在光記錄介質(zhì)11上。軸電動(dòng)機(jī)13具有10000rpm的能力，但以最外周(半徑58mm)最大35m/s進(jìn)行記錄時(shí)，如果將最內(nèi)周(半徑24mm)的記錄線速度設(shè)為相同，則轉(zhuǎn)速超過能力，所以設(shè)為CAV記錄方式。這時(shí)，最內(nèi)周設(shè)為約14m/s的記錄線速度，轉(zhuǎn)速約為6000rpm。
按照本發(fā)明的光記錄裝置，即使對相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄線速度從內(nèi)周部向外周部連續(xù)增加的CAV記錄，也可以得到不依賴于記錄半徑位置的均勻良好的記錄特性。
以下，通過實(shí)施例詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于下述實(shí)施例的任何一種。
(實(shí)施例1)準(zhǔn)備軌道間隔0.74μm，溝深27nm，直徑12cm，厚度0.6mm的聚碳酸酯樹脂制基板。
首先，在基板上用濺射法將ZnS∶SiO2＝80∶20(摩爾％)構(gòu)成的膜厚55nm的第1保護(hù)層成膜。
接著，在第1保護(hù)層上用濺射法將Ge3.8Ag0.3In3.5Sb72Te20.4構(gòu)成的膜厚12nm的相變記錄層成膜。
接著，在相變記錄層上用濺射法將〔ZrO2·TiO2(3摩爾％)〕∶TiO＝80∶20(摩爾％)〕構(gòu)成的膜厚3nm的界面層成膜。
接著，在界面層上，用濺射法將〔ZnS∶SiO2＝80∶20(摩爾％)〕構(gòu)成的膜厚11nm的第2保護(hù)層成膜。
接著，在第2保護(hù)層上用濺射法將SiC構(gòu)成的膜厚4nm的硫化防止層成膜。
接著，在硫化防止層上用濺射法將Ag構(gòu)成的膜厚140nm的反射層成膜。
接著，在反射層上，將用于提高耐環(huán)境性的紫外線固化樹脂(大日本油墨化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制，SD318)構(gòu)成的膜厚5μm的耐環(huán)境保護(hù)膜成膜。
最后，用厚度40μm的紫外線固化樹脂(日本化藥株式會(huì)社制，DVD003)粘貼與前述基板相同(沒有膜)的再一片的基板而得到光記錄介質(zhì)。
接著，對得到的光記錄介質(zhì)通過初始化工序使相變記錄層結(jié)晶。
對得到的光記錄介質(zhì)用波長660nm、數(shù)值孔徑NA0.65的LD(激光二極管)以表1所示的記錄條件進(jìn)行記錄。各標(biāo)記長的脈沖的數(shù)量為(n-1)個(gè)，n＝3～14，記錄線速度為5.8m/s(DVD1.65倍速)～14m/s(DVD4倍速)的范圍。
表1中的記號和圖1的記號的關(guān)系為OP1≡Ttop，OPi≡Tmp。除了最后的脈沖串的中間部脈沖串設(shè)為OPi+FPj＝T。最后部冷卻脈沖FPm以從圖1的B位置開始的時(shí)間Δ2和最后部加熱脈沖OPi來控制。
以FPm+OPi+Δ2＝T的關(guān)系進(jìn)行控制的情況下，為FPm＝T-(OPi+Δ2)，將Δ2的符號設(shè)為(+)。
在FPm+OPi＞T的情況下，在FPm＝T-(OPi+Δ2)中，Δ2的符號成為(-)。這意味著Δ2與B位置相比位于更后方，最后部冷卻脈沖變長。
而且，將開頭加熱脈沖開始部從A位置延遲T的時(shí)間作為基準(zhǔn)來控制，并將該時(shí)間設(shè)為Δ1。在比基準(zhǔn)位置更快開始的情況下，將Δ1的符號設(shè)為(+)，在慢開始的情況下設(shè)為(-)。這里，表1的dTtop、dTera為dTtop≡Δ1，dTera≡Δ2。
〔表1〕

對于得到的實(shí)施例1的光記錄介質(zhì)，以各記錄線速度記錄，特別調(diào)查特性惡化變得顯著的抖動(dòng)。
一邊以盤面功率11mW連續(xù)地照射軌道1周，一邊使記錄線速度變化時(shí)，在光記錄介質(zhì)的反射率中看到局部地降低的記錄線速度是10.5m/s。該記錄線速度比中間記錄線速度(5.8+14)/2＝9.9m/s快。
在表2中表示結(jié)果。而且，對于5.8～9.9m/s的范圍，以線速度5.8m/s，記錄功率17.5mW，ε(＝Pe/Pp)＝0.50的條件記錄的情況下的抖動(dòng)為7.2％，到9.9m/s為止，固定為ε(＝Pe/Pp)＝0.50，但抖動(dòng)為小于等于9％。
該光記錄介質(zhì)的特異記錄線速度如圖6所示那樣為12.9m/s，但如圖2所示，從比特異記錄線速度慢2.4m/s的10.5m/s的記錄線速度開始改變了ε(＝Pe/Pp)。從10.5m/s到12.9m/s之間，單調(diào)減少地變化。從最低記錄線速度(5.8m/s)到中間記錄線速度(9.9m/s)的ε(＝Pe/Pp)固定在0.5。覆寫10次后的抖動(dòng)在全部記錄線速度下小于等于基準(zhǔn)值9％。
而且，抖動(dòng)利用時(shí)間間隔分析器(橫河電機(jī)株式會(huì)社制)來測量。而且，記錄再現(xiàn)用光盤評價(jià)系統(tǒng)(DDU-1000，パルステツク公司制)來進(jìn)行。
〔表2〕

(比較例1)對于與實(shí)施例1相同的光記錄介質(zhì)，除了將ε(＝Pe/Pp)如圖3所示那樣，從中間記錄線速度(9.9m/s)到最高記錄線速度(14m/s)單調(diào)減少并記錄以外，與實(shí)施例1同樣，測試抖動(dòng)的變化。將結(jié)果表示在表3中。
〔表3〕

根據(jù)表3的結(jié)果，在特異記錄線速度(12.9m/s)中，覆寫10次后的抖動(dòng)惡化到9.8％為止。
(實(shí)施例2)對于與實(shí)施例1相同的光記錄介質(zhì)，不是ε，而是將消除功率(Pe)分別指定變化為最低記錄線速度(5.8m/s)，中間記錄線速度(9.9m/s)，特定記錄線速度(10.5m/s)，最高記錄線速度(14.0m/s)而如表4所示，此外與實(shí)施例1相同，測量抖動(dòng)的變化。將結(jié)果表示在表4中。
〔表4〕

根據(jù)表4的結(jié)果，在各記錄線速度下的最佳記錄功率(Pp)為18mW、18mW、18mW、19.5mW。
(實(shí)施例3)作為用于以最內(nèi)周11.5m/s，最外周27.9m/s(8倍速)的記錄線速度記錄的相變型光記錄介質(zhì)，除了將相變記錄層材料改變?yōu)镚a10Sn2Sb88以外，其它與實(shí)施例1一樣，制作實(shí)施例3的光記錄介質(zhì)。
對于得到的相變型光記錄介質(zhì)，一邊連續(xù)照射15mW大小的消除脈沖，一邊使記錄線速度變化時(shí)，開始表現(xiàn)反射率的局部降低的記錄線速度，即轉(zhuǎn)移記錄線速度為19.5m/s。
將最高記錄線速度的記錄條件表示在表5中。
這里，雖然使用與圖1相同的記錄參數(shù)，但不是OPi+FPj＝T的關(guān)系，不使用稱為Δ2的參數(shù)。從開頭順序表示各脈沖(OP、FP)的脈沖寬度。
在最高記錄線速度27.9m/s下，時(shí)鐘T為4.8nsec.。最低記錄線速度對于最高記錄線速度，各脈沖寬度設(shè)為0.9倍，該期間的記錄線速度在該期間最佳化。這時(shí)，ε(＝Pe/Pp)為圖4所示的記錄線速度依賴性。
該光記錄介質(zhì)的特異記錄線速度為23m/s。因此，在將ε(＝Pe/Pp)從中間記錄線速度降低到0.22時(shí)，如表6所示，覆寫10次后的抖動(dòng)在全部記錄線速度下為小于等于9％。
〔表5〕

單位T
〔表6〕

(比較例2)對于與實(shí)施例3相同的光記錄介質(zhì)，如表7所示那樣，除了根據(jù)由最高記錄線速度(27.9m/s)和最低記錄線速度(11.5m/s)決定的ε(＝Pe/Pp)，使兩個(gè)線速度間的ε(＝Pe/Pp)變?yōu)榫€性以外，與實(shí)施例1相同，測量抖動(dòng)的變化。將結(jié)果表示在表7中。
〔表7〕

根據(jù)表7的結(jié)果，在最佳記錄線速度和最高記錄線速度之間的記錄線速度(23.0m/s)中，認(rèn)識到覆寫10次后的抖動(dòng)超過10％。
(實(shí)施例4)為了利用實(shí)施例3中使用的光記錄介質(zhì)和記錄條件來對應(yīng)CAV記錄，在與預(yù)先輸入光記錄介質(zhì)的基板的記錄條件有關(guān)的信息中，有用于在光記錄裝置中決定最低記錄線速度(11.5m/s)、比特異記錄線速度慢的特定記錄線速度(19.9m/s)、最高記錄線速度(27.9m/s)以及對各記錄線速度的記錄條件(加熱、冷卻脈沖照射時(shí)間、最佳峰功率(Pp)、Pe/Pp、底功率(Pb)、最佳記錄功率)所需要的參數(shù)，所以決定這些參數(shù)。
將各數(shù)值形成在比用戶使用區(qū)域(半徑24mm～58mm)更內(nèi)側(cè)的比半徑位置22mm更外側(cè)的規(guī)定的地址范圍的溝部，以一定周期調(diào)制蛇行的擺動(dòng)部的相位，進(jìn)行ADIP(Addressin pre-groove)記錄。
蛇行溝按正弦波狀溝寬度變化，在通過光刻法形成溝時(shí)同時(shí)形成。將擺動(dòng)的1周期設(shè)為818kHz，將相位偏差180°的部分設(shè)為調(diào)制部分。而且，通過該相位調(diào)制部分的擺動(dòng)振幅向(+)、(-)的哪一側(cè)變化，區(qū)分?jǐn)[動(dòng)的種類。通過決定這些(+)、(-)的擺動(dòng)的數(shù)量來定義“0”、“1”。例如，在一定的連續(xù)范圍中，將依次向(-)側(cè)變化的部分為1個(gè)，向(+)側(cè)變化的部分為5個(gè)，向(-)側(cè)變化的部分為2個(gè)的組合的情況設(shè)為“0”那樣進(jìn)行定義。
這樣，通過對每個(gè)光記錄介質(zhì)預(yù)先輸入記錄條件，即使在每個(gè)光記錄介質(zhì)中存在固有的特異記錄線速度，也可以不依賴光記錄裝置而進(jìn)行良好的記錄。
(實(shí)施例5)在實(shí)施例1中，不依賴記錄線速度而將從最低記錄線速度(5.8m/s)到中間記錄線速度(9.9m/s)之間的ε(＝Pe/Pp)設(shè)為一定，從中間記錄線速度到特定記錄線速度(10.5m/s)之間，記錄線速度每增加0.1m/s，就使ε(＝Pe/Pp)臺(tái)階狀地減少0.03，在從特異記錄線速度(12.9m/s)到最高記錄線速度(14m/s)之間，記錄線速度每增加0.9m/s，就使ε(＝Pe/Pp)臺(tái)階狀地減少0.01。
而且，從記錄線速度為10.5m/s的地址到最接近0.1m/s記錄線速度改變的半徑位置的地址之間，以由一定的ε(＝Pe/Pp)決定的峰功率(Pp)、消除功率(Pe)發(fā)光。
進(jìn)而，為了0.1m/s記錄線速度增加的記錄區(qū)域也可以同樣用最佳的記錄條件進(jìn)行記錄，使用了控制激光驅(qū)動(dòng)器的光記錄裝置，以便根據(jù)地址對光記錄介質(zhì)照射最佳的功率。由此，即使進(jìn)行CAV記錄，也可以不依賴記錄線速度而進(jìn)行良好的記錄。
(實(shí)施例6)對于與實(shí)施例1相同的相變型光記錄介質(zhì)，將12.5m/s設(shè)為特異記錄線速度，預(yù)先對光記錄介質(zhì)的ADIP(Addressin pre-groove)輸入了信息。最低記錄線速度為5.8m/s，最高記錄線速度為14m/s。而且，除了這些信息以外，記錄了與各記錄線速度下的最佳記錄條件有關(guān)的信息。而且，特異記錄線速度的記錄條件輸入表1和表2的12.6m/s的條件。
首先，讀取信息，將這些信息記錄在控制區(qū)域內(nèi)。
接著，在位于相變型光記錄介質(zhì)的半徑23.4mm附近的驅(qū)動(dòng)用測試區(qū)域中，以比12.5m/s還低0.5m/s的記錄速度進(jìn)行1000扇區(qū)記錄，并測試了該區(qū)域的錯(cuò)誤后，在DVD-ROM中規(guī)定的錯(cuò)誤數(shù)超過了280個(gè)。
而且，在記錄線速度為比12.5m/s還低1m/s的11.5m/s下同樣進(jìn)行了記錄后，錯(cuò)誤數(shù)小于等于280個(gè)。
其結(jié)果，將控制區(qū)域的特異記錄線速度中的信息改寫為該11.5m/s。
對于光記錄介質(zhì)制造者預(yù)先決定的信息，峰功率(Pp)、消除功率(Pe)以及發(fā)光脈沖的時(shí)間由于光記錄裝置而具有離散。因此，在特異記錄線速度附近，有時(shí)不一定與光記錄介質(zhì)制造者決定的條件一致。但是，在實(shí)施例6中，通過在光記錄裝置中求最佳記錄線速度，使可靠性提高。
本發(fā)明在產(chǎn)業(yè)上的可利用性在于，本發(fā)明的相變型光記錄介質(zhì)可以進(jìn)行可靠性高的記錄，通過研究對對應(yīng)高速的改寫型DVD光記錄介質(zhì)進(jìn)行CAV記錄時(shí)的記錄方法，可以實(shí)現(xiàn)記錄特性的提高以及均勻性的提高，在各種相變型光記錄介質(zhì)，特別是DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等DVD系列光記錄介質(zhì)中被廣泛應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種相變型光記錄介質(zhì)的光記錄方法，在對基板上至少具有相變記錄層的相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄時(shí)，對該相變型光記錄介質(zhì)照射的光由加熱脈沖和冷卻脈沖的脈沖串和用于消除的光構(gòu)成，用作為該加熱脈沖的照射功率的峰功率(Pp)、作為冷卻脈沖的照射功率的底功率(Pb)以及用于消除記錄標(biāo)記的消除脈沖(Pe)三個(gè)值控制照射功率，并在前述相變型光記錄介質(zhì)中的最低記錄線速度和最高記錄線速度的范圍內(nèi)，使Pe/Pp、Pp、Pb以及Pe的至少一個(gè)可變，進(jìn)而使各脈沖照射時(shí)間與對應(yīng)于記錄線速度的時(shí)鐘T成比例變化地進(jìn)行記錄的相變型光記錄介質(zhì)的記錄方法中，其特征在于，將抖動(dòng)急劇惡化而表示極大值的記錄線速度作為特異記錄線速度，從比該特異記錄線速度慢的特定記錄線速度開始，至少使所述Pe/Pp變化來進(jìn)行記錄。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄方法，特定記錄線速度是比特異記錄線速度慢0.5m/s以上的記錄線速度。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光記錄方法，通過相變記錄層中的非晶質(zhì)相和結(jié)晶相的可逆的相變，進(jìn)行信息的記錄、再現(xiàn)、消除和改寫的至少一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1至3的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，對相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行的記錄是CAV記錄方式。
5.如權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，還使Pe變化而進(jìn)行記錄。
6.如權(quán)利要求1至5的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，特定記錄線速度中的Pe/Pp以及Pe中的某一個(gè)大于等于最高記錄線速度中的Pe/Pp和Pe的某一個(gè)。
7.如權(quán)利要求1至6的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，使被賦予不同的Pe/Pp和Pe中的一個(gè)的兩個(gè)記錄線速度間的Pe/Pp和Pe中的一個(gè)，以一定的比例和一定的間隔中的一個(gè)變化。
8.一種相變型光記錄介質(zhì)，被用于權(quán)利要求1至權(quán)利要求7的任意一個(gè)所述的光記錄方法中。
9.如權(quán)利要求8所述的相變型光記錄介質(zhì)，作為信息，預(yù)先存儲(chǔ)從最低記錄線速度、中間記錄線速度、最高記錄線速度、特定記錄線速度和它們的組合中選擇的記錄線速度中的Pe/Pp、Pe和記錄條件的至少一個(gè)。
10.如權(quán)利要求8或9所述的相變型光記錄介質(zhì)，將基板、在該基板上至少第一保護(hù)層、相變記錄層、第二保護(hù)層和反射層按照該順序和反順序的至少其中一種來具有，從第一保護(hù)層側(cè)照射激光而進(jìn)行信息的記錄、再現(xiàn)、消除和改寫的至少其中一種。
11.如權(quán)利要求10所述的相變型光記錄介質(zhì)，相變記錄層包含從Ag、Ge、Sn、Sb、Ga、Mn、Zn、Te和In選擇的至少一種。
12.一種光記錄裝置，被用于權(quán)利要求1至7的任意一項(xiàng)所述的光記錄方法，在3～56m/s的記錄線速度范圍內(nèi)進(jìn)行記錄。
13.如權(quán)利要求12所述的光記錄裝置，對作為信息預(yù)先記錄作為抖動(dòng)急劇惡化而顯示極大值的記錄線速度的特記錄異線速度，以及該特異記錄線速度中的最佳記錄條件的相變型光記錄介質(zhì)，具有檢測該信息，在用戶使用的數(shù)據(jù)區(qū)域的更內(nèi)側(cè)和更外側(cè)的其中一個(gè)中具有預(yù)先設(shè)定的測試區(qū)域，在該測試區(qū)域中，對于所述特異記錄線速度，在最大±2m/s的線速度范圍內(nèi)進(jìn)行測試記錄的部件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光記錄方法，在該光記錄方法中使用的光記錄介質(zhì)及光記錄裝置，該光記錄方法在對相變型光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄時(shí)，記錄光由加熱脈沖和冷卻脈沖的脈沖串和用于消除的光構(gòu)成，用峰功率(Pp)、底功率(Pb)以及消除脈沖(Pe)三個(gè)值控制照射功率，并在光記錄介質(zhì)中的可能的最低記錄線速度和最高記錄線速度的范圍內(nèi)，使Pe/Pp、Pp、Pb以及Pe的至少一個(gè)可變，進(jìn)而使各脈沖照射時(shí)間與對應(yīng)于記錄線速度的時(shí)鐘T成比例地變化的記錄方法中，將抖動(dòng)急劇惡化而表示極大值的記錄線速度作為特異記錄線速度，從比該特異記錄線速度慢的特定記錄線速度開始，至少使所述Pe/Pp變化來進(jìn)行記錄。
文檔編號G11B7/006GK1836274SQ20048002348
公開日2006年9月20日 申請日期2004年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月27日
發(fā)明者讓原肇, 出口浩司, 山田勝幸, 鳴海慎也, 安部美樹子, 日比野榮子, 三浦裕司 申請人:株式會(huì)社理光