專利名稱：信息存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可記錄的信息存儲介質(zhì)，更具體地講，涉及這樣一種信息存儲介質(zhì)，其將在OPC區(qū)域中執(zhí)行的最優(yōu)功率控制(OPC)處理對其它信息存儲層的影響最小化，所述的OPC區(qū)域被包括在該信息存儲介質(zhì)的信息存儲層的每個中。
背景技術(shù)：
一般的信息存儲介質(zhì)被廣泛地用作用于以非接觸方式記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的光學(xué)拾取設(shè)備的信息記錄介質(zhì)。光盤被用作信息存儲介質(zhì)并根據(jù)它們的信息存儲容量分為壓縮盤(CD)或數(shù)字多功能盤(DVD)?？捎涗?、可擦除和可再現(xiàn)的光盤的例子是650MB的CD-R、CD-RW、4.7GB的DVD+RW等。此外，具有25GB或更大的記錄容量的高密度DVD(HD-DVD)正在研究之中。
如上所述，信息存儲介質(zhì)已經(jīng)發(fā)展以具有較大的記錄容量?？梢砸詢煞N代表性的方法來增加信息存儲介質(zhì)的記錄容量，這兩種方法為1)降低從光源射出的記錄光束的波長；和2)增加物鏡的數(shù)值孔徑。此外，還有形成多個信息存儲層的方法。
圖1A和1B示意性地示出具有第一和第二信息存儲層L0和L1的雙層信息存儲介質(zhì)。第一和第二信息存儲層L0和L1分別包括分別用于獲得最優(yōu)寫功率的第一和第二最優(yōu)功率控制(OPC)區(qū)域111和121、以及第一和第二缺陷管理區(qū)域(DMA)115和125。第一和第二OPC區(qū)域111和121彼此面對(即，相對于信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)邊界以共同半徑而設(shè)置)。
使用各種級別的寫功率將數(shù)據(jù)記錄在第一和第二OPC區(qū)域111和121中以查找最優(yōu)寫功率。于是，可以采用比最優(yōu)寫功率的級別要高的功率來記錄數(shù)據(jù)。表1示出當(dāng)采用不同級別的寫功率將數(shù)據(jù)記錄在OPC區(qū)域111和121中時的第一和第二信息存儲層L0和L1中的每個的抖動特性的變化。
表1

根據(jù)表1，如果采用正常寫功率記錄數(shù)據(jù)，則第一和第二信息存儲層L0或L1的抖動特性保持恒定。另一方面，如果采用比正常寫功率大20％的寫功率記錄數(shù)據(jù)，則數(shù)據(jù)已經(jīng)被記錄其中的第一或第二信息存儲層L0或L1的OPC區(qū)域的抖動特性被降低。如果采用比正常寫功率大20％的寫功率將數(shù)據(jù)記錄在第一和第二信息存儲層之一上，則可以期待其它信息存儲層的抖動特性還可被進(jìn)一步降低。
于是，如果第一和第二信息存儲層L0和L1的第一和第二OPC區(qū)域111和121存在于如圖1A和1B示出的相同半徑內(nèi)，則它們之一可不被使用。
第一和第二OPC區(qū)域111和121之一的記錄狀態(tài)可以影響其它OPC區(qū)域的記錄特性。例如，如圖1B所示，如果數(shù)據(jù)已經(jīng)被記錄在第一OPC區(qū)域111的部分111a上并且沒有數(shù)據(jù)已經(jīng)記錄在第一OPC區(qū)域111的部分111b上，則與第一OPC區(qū)域111的已用部分111a相應(yīng)的第二OPC區(qū)域121的一部分的記錄性能與相應(yīng)于第一OPC區(qū)域111的未用部分111b的第二OPC區(qū)域121的一部分的記錄性能不同。換言之，由于激光對第一OPC區(qū)域111的已用部分111a的透射率與激光對第一OPC區(qū)域111的未用部分111b的透射率不同，所以第二OPC區(qū)域121的記錄性能在該區(qū)域上是不規(guī)則的。
如上所述，如果第一和第二OPC區(qū)域位于相同半徑內(nèi)，則它們可能不正確地工作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種信息存儲介質(zhì)，其將在OPC區(qū)域中執(zhí)行的最優(yōu)功率控制(OPC)處理對其它信息存儲層的影響最小化，所述的OPC區(qū)域被包括在信息存儲層的每個中；一種將信息存儲介質(zhì)的OPC區(qū)域之間的干擾最小化的方法；以及一種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，用于將信息存儲介質(zhì)的OPC區(qū)域之間的干擾最小化。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，其中的每個包括獲得最優(yōu)記錄條件的最優(yōu)功率控制區(qū)域，其中，在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最優(yōu)功率控制區(qū)域被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的不同半徑內(nèi)，保留區(qū)域與最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰而置。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，其中的每個包括獲得最優(yōu)記錄條件的最優(yōu)功率控制區(qū)域，其中，在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最優(yōu)功率控制區(qū)域被重疊設(shè)置，從而每個最優(yōu)功率控制區(qū)域彼此部分重疊。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，其中的每個包括獲得最優(yōu)記錄條件的最優(yōu)功率控制區(qū)域，其中，從光入射在信息存儲介質(zhì)上的方向觀看的在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最優(yōu)功率控制區(qū)域被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)，并且奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域被使用的方向是相反的。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種將信息存儲介質(zhì)的第一信息存儲層中的第一最優(yōu)功率控制區(qū)域與第二信息存儲層的第二最優(yōu)功率控制區(qū)域之間的干擾最小化的方法，包括設(shè)置第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域使得每個最優(yōu)功率控制區(qū)域與另一個最優(yōu)功率控制區(qū)域部分重疊；以及以相反的方向記錄第一最優(yōu)功率控制區(qū)域和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域以最小化干擾。
在該方法中，第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的記錄包括將第一最優(yōu)功率控制區(qū)域記錄在與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的第一未用部分相應(yīng)的第一部分；以及將第二最優(yōu)功率控制區(qū)域記錄在與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的第二未用部分相應(yīng)的第二部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，包括光學(xué)拾取器，其以光學(xué)功率將數(shù)據(jù)記錄在信息存儲介質(zhì)的表面上或從信息存儲介質(zhì)的表面讀取數(shù)據(jù)；以及控制器，其控制光學(xué)拾取器以記錄和/或再現(xiàn)在信息存儲介質(zhì)的表面上的數(shù)據(jù)以及在記錄期間確定用于設(shè)置光學(xué)功率的最優(yōu)記錄功率，其中，所述的信息存儲介質(zhì)包括第一信息存儲層和第二信息存儲層，所述的第一信息存儲層包括第一最優(yōu)功率控制區(qū)域和第一限制使用區(qū)域，所述的第二信息存儲層包括第二最優(yōu)功率控制區(qū)域和第二限制使用區(qū)域，以上所述的第一和第二信息存儲層以這樣方式被布置，即第一最優(yōu)功率控制區(qū)域與第二限制使用區(qū)域和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域部分重疊，第二最優(yōu)功率控制區(qū)域與第一限制使用區(qū)域和第一最優(yōu)功率控制區(qū)域部分重疊，控制器根據(jù)由光學(xué)拾取器記錄和/或再現(xiàn)的數(shù)據(jù)在與第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域中的一個的未用部分相應(yīng)的第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域中的另一個的一部分中確定最優(yōu)記錄功率。
在該設(shè)備中，第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域可以相反方向由控制器記錄。
將在接下來的描述中部分闡述本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點，還有一部分通過描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過本發(fā)明的實施而得知。


通過以下對照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，本發(fā)明的以上和/或其它方面和優(yōu)點將會變得更加清楚，其中圖1A和1B是示出在傳統(tǒng)雙層信息存儲介質(zhì)中OPC區(qū)域?qū)Ψ窃揙PC區(qū)域的區(qū)域的影響的視圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明實施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域的布局；圖3A和3B示出一種情況，在該情況下，數(shù)據(jù)以相同方向被記錄在圖2的信息存儲介質(zhì)的第一和第二信息存儲層中；圖4A和4B示出一種情況，在該情況下，數(shù)據(jù)以不同方向被記錄在圖2的信息存儲介質(zhì)的第一和第二信息存儲層中；圖5A和5B示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域的布局；圖6示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域的布局；圖7示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域的布局；圖8示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域的布局；圖9示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域的布局；圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于將信息記錄到信息存儲介質(zhì)或從信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息的設(shè)備的框圖；以及圖11是圖10的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的更加詳細(xì)的框圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施例，其例子顯示在附圖中，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的部件。以下，通過對照附圖來描述實施例以解釋本發(fā)明。
對照圖2，根據(jù)本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)包括至少兩個信息存儲層L0和L1，該信息存儲層L0和L1中的每個包括用于獲得最優(yōu)功率的最優(yōu)功率控制(OPC)區(qū)域。信息存儲層的OPC區(qū)域211和223被設(shè)置在不同半徑內(nèi)，從而OPC區(qū)域211和223不彼此面對。信息存儲層L0和L1中的每個可包括保留區(qū)域213和221、以及缺陷管理區(qū)域(DMA)215和225。盡管沒有示出，信息存儲層中的每個可包括與OPC區(qū)域相鄰的映射區(qū)域。
圖2示出的信息存儲介質(zhì)包括第一和第二信息存儲層L0和L1。第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)域211、第一保留區(qū)域213和第一缺陷管理區(qū)域(DMA)215，第二信息存儲層L1包括第二保留區(qū)域221、第二OPC區(qū)域223和第二DMA225。
在信息存儲層L0和L1中的第一和第二OPC區(qū)域211和223布置在信息存儲介質(zhì)的不同半徑內(nèi)，從而避免彼此接觸。更具體地講，第二保留區(qū)域221位于與第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)域211相對的第二信息存儲層L1的區(qū)域內(nèi)，第一保留區(qū)域213位于與第二信息存儲層L1的第二OPC區(qū)域223相對的第一信息存儲層L0的區(qū)域內(nèi)。
第一和第二信息存儲層L0和L1的第一和第二DMA 215和225分別最好被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)。
在如圖2所示的結(jié)構(gòu)中，在信息存儲層L0和L1中的每個中的OPC區(qū)域211和223的使用部分的地址被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)域的預(yù)定位置。
圖3A和3B示出一種情況，在該情況中，數(shù)據(jù)以相同方向被記錄在圖2的信息存儲介質(zhì)的第一和第二信息存儲層L0和L1中，即，第一和第二OPC區(qū)域211和223以相同順序被訪問。在圖3A中，從圖2的信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界以相同方向?qū)?shù)據(jù)記錄在第一和第二信息存儲層L0和L1中，而不管信息存儲介質(zhì)的軌道螺旋方向。于是，從圖2的信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界以相同方向?qū)?shù)據(jù)記錄在信息存儲層L0和L1的OPC區(qū)域211和223中。
在圖3B中，從圖2的信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界以相同方向?qū)?shù)據(jù)記錄在第一和第二信息存儲層L0和L1中，而不管信息存儲介質(zhì)的軌道螺旋方向。于是，從圖2的信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界以相同方向?qū)?shù)據(jù)記錄在信息存儲層L0和L1的OPC區(qū)域211和223中。
在圖3A和3B中，應(yīng)該明白OPC區(qū)域211和223以及布置在第一和第二信息存儲層L0和L1中的每個中的保留區(qū)域的次序可被反置。
圖4A和4B示出一種情況，在該情況中，以不同的方向?qū)?shù)據(jù)記錄在圖2的信息存儲介質(zhì)的信息存儲層L0和L1中，即，以不同的順序訪問OPC區(qū)域211和223的情況。在圖4A中，不管圖2的信息存儲介質(zhì)的軌道螺旋方向，從圖2的信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第一信息存儲層L0，從信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第二信息存儲層L1中。于是，從圖2的信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第一信息存儲層L0的OPC區(qū)域211中，從圖2的信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第二信息存儲層L1的第二OPC區(qū)域223中。
在圖4B中，不管圖2的信息存儲介質(zhì)的軌道螺旋方向，從圖2的信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第一信息存儲層L0，從信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第二信息存儲層L1中。于是，從圖2的信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第一信息存儲層L0的OPC區(qū)域211中，從圖2的信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第二信息存儲層L1的第二OPC區(qū)域223中。
在圖4A和4B中，應(yīng)該明白OPC區(qū)域以及布置在第一和第二信息存儲層L0和L1中的每個中的保留區(qū)域的次序可被反置。
圖5A和5B示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的信息存儲介質(zhì)，其中，在一個信息存儲層中的OPC區(qū)域的位置與在另一個信息存儲層中的OPC區(qū)域的位置部分重疊。在信息存儲介質(zhì)的這個方面中，具有低使用可能性的保留區(qū)域513、531、521和543的尺寸最好但不必須小于OPC區(qū)域511、533、523和541的尺寸。當(dāng)在不同信息存儲層L0和L1中的OPC區(qū)域533、541的位置彼此重疊時，第一和第二信息存儲層L0和L1中的每個中的OPC區(qū)域511a、533a、523a、541a的使用部分的地址被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)域等以防止在不同信息存儲層中具有相同半徑的OPC區(qū)域一起被用于記錄數(shù)據(jù)。OPC區(qū)域地址可被以各種形式記錄，例如，以位圖的形式。
在圖5A中，從信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第一信息存儲層L0中，從信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第二信息存儲層L1中。第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)域511、第一保留區(qū)域513、和第一DMA515，第二信息存儲層L1包括第二OPC區(qū)域523、第二保留區(qū)域521、和第二DMA 525。
第一和第二信息存儲層L0和L1的第一和第二OPC區(qū)域511和523分別被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的不同半徑內(nèi)以彼此重疊。更具體地講，第二信息存儲層L1的第二OPC區(qū)域523的第二部分523a和第二保留區(qū)域521與第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)域511相對而置，第一信息存儲層L0的第一保留區(qū)域513和第一OPC區(qū)域511的第一部分511a與第二信息存儲層L1的OPC區(qū)域523相對而置。
在圖5B中，從信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第一信息存儲層L0中，從信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界將數(shù)據(jù)記錄在第二信息存儲層L1中。第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)域533、第一保留區(qū)域531、和第一DMA 535，第二信息存儲層L1包括第二OPC區(qū)域541、第二保留區(qū)域543、和第二DMA 545。
第一和第二信息存儲層L0和L1的第一和第二OPC區(qū)域533和541分別被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的不同半徑內(nèi)以彼此重疊。更具體地講，第二OPC區(qū)域541的第二部分541a和第二保留區(qū)域543與第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)域533相對而置，第一保留區(qū)域531和第一OPC區(qū)域533的第一部分533a與第二信息存儲層L1的第二OPC區(qū)域541相對而置。
在如圖5A和5B所示的結(jié)構(gòu)中，在每個信息存儲層L0和L1中的OPC區(qū)域511、523、533和541的使用部分的地址被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)域的預(yù)定位置例如盤信息區(qū)域。
如圖5A和5B所示的信息存儲介質(zhì)的每個不同信息存儲層L0和L1中的OPC區(qū)域511、523、533和541的可用部分的尺寸根據(jù)信息存儲層L0和L1中的每個的使用的頻率和關(guān)于OPC區(qū)域511、523、533和541的使用部分的地址的信息而變化。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的信息存儲介質(zhì)。在圖6的第一和第二信息存儲層L0和L1中，用于記錄OPC區(qū)域的使用部分的地址的映射區(qū)域612和622與OPC區(qū)域611和623相鄰而置。當(dāng)在如上所述的每個信息存儲層中這樣的映射區(qū)域與OPC區(qū)域相鄰而置時，在在每個信息存儲層中執(zhí)行OPC之前，OPC區(qū)域的可用部分可被快速地識別。因此，可以縮短執(zhí)行OPC所需的時間。
在圖6中，第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)域611、第一映射區(qū)域612、第一保留區(qū)域613和第一DMA 615，第二信息存儲層L1包括第二保留區(qū)域621、第二映射區(qū)域622、第二OPC區(qū)域623和第二DMA 625。第一和第二映射區(qū)域612和622被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)，同樣，第一和第二DMA 615和625被設(shè)置在相同半徑上。
在圖6的信息存儲介質(zhì)中，數(shù)據(jù)被記錄在信息存儲層L0和L1的OPC區(qū)域611和623中的方向或者與如圖3A和3B所示的方向相同，或者與如圖4A和4B所示的方向不同。
圖7示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的信息存儲介質(zhì)。在圖7中，第一和第二信息存儲層L0和L1的第一和第二OPC區(qū)域711和721被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)，數(shù)據(jù)被記錄在第一和第二信息存儲層L0和L1中的方向被設(shè)置不同。第一和第二信息存儲層L0和L1還分別包括第一和第二DMA715和725。在圖7中，將數(shù)據(jù)記錄在第一和第二信息存儲層L0和L1中的方向分別是從信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界或者從外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界。然而，將數(shù)據(jù)記錄在第一和第二信息存儲層L0和L1中的方向可以分別是從信息存儲介質(zhì)的外例邊界到內(nèi)側(cè)邊界或者從內(nèi)側(cè)邊界到外例邊界。
當(dāng)在信息存儲層L0和L1中的OPC區(qū)域711和721被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)時，信息存儲層L0和L1中的OPC區(qū)域711和721的使用部分的地址被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)域等區(qū)域中以防止當(dāng)數(shù)據(jù)記錄時一起被使用。因此，如果數(shù)據(jù)被記錄在第一和第二OPC區(qū)域711和721中的方向被設(shè)置不同，即使第一和第二OPC區(qū)域711和721被設(shè)置在圖7的信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)，則直到地址′a′的OPC區(qū)域711和721中的每個的一部分當(dāng)數(shù)據(jù)記錄時可被使用。地址′a′表示這樣的地址，即在該地址處，在第一OPC區(qū)域711中的數(shù)據(jù)記錄與在第二OPC區(qū)域721中的數(shù)據(jù)記錄相符合。
如圖7所示的信息存儲介質(zhì)的每個信息存儲層L和L1中的OPC區(qū)域711和721的實際可用部分的尺寸根據(jù)信息存儲層L0和L1中的每個的使用的頻率和關(guān)于OPC區(qū)域711和721的使用部分的地址的信息而變化。這種結(jié)構(gòu)可被應(yīng)用到記錄大容量數(shù)據(jù)的小的移動信息存儲介質(zhì)。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的信息存儲介質(zhì)?？紤]到數(shù)據(jù)記錄在信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)邊界的特征可能不同的事實，OPC區(qū)域被設(shè)置在圖8的信息存儲介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)域和導(dǎo)出區(qū)域810和830中的至少一個中，所述的導(dǎo)入?yún)^(qū)域和導(dǎo)出區(qū)域810和830被設(shè)置在數(shù)據(jù)區(qū)域820的兩側(cè)。在圖8的第一和第二信息存儲層L0和L1中，導(dǎo)入?yún)^(qū)域810的第一和第二OPC區(qū)域811和817和導(dǎo)出區(qū)域830的第三和第四OPC區(qū)域831和837可以使用圖2到圖6所示的布置之一合并第一信息存儲層L0的第一和第三保留區(qū)域813和833和數(shù)據(jù)區(qū)域821以及第二信息存儲層L1的第二和第三保留區(qū)域817和835而被設(shè)置。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的信息存儲介質(zhì)。如圖7所示，數(shù)據(jù)以相反方向被記錄的第一和第二OPC區(qū)域911和913被布置在導(dǎo)入?yún)^(qū)域91中，所述的導(dǎo)入?yún)^(qū)域910在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)，數(shù)據(jù)以相反方向被記錄的第三和第四OPC區(qū)域931和933被設(shè)置在導(dǎo)出區(qū)域930中，所述的導(dǎo)出區(qū)域930在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)。導(dǎo)入?yún)^(qū)域910和導(dǎo)出區(qū)域930被設(shè)置在數(shù)據(jù)區(qū)域920的相對側(cè)，所述的數(shù)據(jù)區(qū)域920分別包括第一和第二信息存儲層L和L1的第一和第二數(shù)據(jù)區(qū)域921和923。
圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的框圖。參考圖10，該記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備包括寫/讀單元1000和控制單元1002。寫/讀單元1000根據(jù)來自控制單元1002的命令從信息存儲介質(zhì)130讀取或?qū)懙叫畔⒋鎯橘|(zhì)130。這里，信息存儲介質(zhì)130包括圖2到圖9所示的幾個實施例，控制單元1002控制寫/讀單元1000的數(shù)據(jù)寫/讀操作，從而將在信息存儲介質(zhì)130的第一信息存儲層中的第一最優(yōu)功率控制區(qū)域與第二信息存儲層中的第二最優(yōu)功率控制區(qū)域之間的干擾最小化。
參考圖10，根據(jù)控制單元1002的控制，寫/讀單元1000將數(shù)據(jù)記錄在作為根據(jù)本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的盤130上，讀出數(shù)據(jù)以再現(xiàn)記錄的數(shù)據(jù)?？刂茊卧?002控制寫/讀單元1000從而寫/讀單元1000將數(shù)據(jù)記錄在預(yù)定的記錄單元塊中，或者處理由寫/讀單元1000讀取的數(shù)據(jù)并且獲得有效數(shù)據(jù)。再現(xiàn)是指通過最讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯來獲得有效數(shù)據(jù)，并且以預(yù)定單元來被執(zhí)行。用于執(zhí)行再現(xiàn)的單元被稱作再現(xiàn)單元塊。再現(xiàn)單元塊相應(yīng)于至少一個記錄單元塊。
圖11是圖10的光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的更加詳細(xì)的框圖。參考圖11，信息存儲介質(zhì)130被設(shè)置在寫/讀單元1000中。該記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備還包括從信息存儲介質(zhì)130讀取和寫到信息存儲介質(zhì)130的光學(xué)拾取器1100?？刂茊卧?002包括PC I/F 111、DSP 1102、RF AMP 1103、伺服機(jī)構(gòu)1104和系統(tǒng)控制器1105，所有這些組成了圖1的控制單元1002。
在數(shù)據(jù)記錄操作中，PC I/F 1101從主機(jī)接收命令和將被記錄的數(shù)據(jù)。DSP1102為了從PC I/F 1101接收的數(shù)據(jù)的糾錯加入附加數(shù)據(jù)如奇偶校驗，執(zhí)行糾錯和檢查(ECC)編碼以產(chǎn)生作為糾錯塊的ECC塊，并且根據(jù)預(yù)定方法來調(diào)制ECC塊。RF AMP 1103將從DSP 1102輸出的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成RF信號。拾取器1100將從RFAMP 1103輸出的RF信號記錄在盤130上。伺服機(jī)構(gòu)1104從系統(tǒng)控制器1105接收伺服控制所需的命令，并且伺服控制拾取器1000。
在數(shù)據(jù)的再現(xiàn)操作中，PC I/F 1101從主機(jī)(未示出)接收再現(xiàn)命令。系統(tǒng)控制器1105執(zhí)行再現(xiàn)所需的初始化。拾取器1000將激光束發(fā)射到盤130上，通過從盤130接收反射光束獲得光信號，并且輸出該光信號。RF AMP 1103將從拾取器1000輸出的光信號轉(zhuǎn)換成RF信號并將從RF信號獲得的調(diào)制的數(shù)據(jù)提供到DSP 1102，同時將從RF信號獲得的用于拾取器的控制的伺服信號提供到伺服機(jī)構(gòu)1104。DSP 1102解調(diào)該調(diào)制的數(shù)據(jù)，執(zhí)行糾錯并輸出該結(jié)果數(shù)據(jù)。
同時，伺服機(jī)構(gòu)1104通過使用從RF AMP 1103接收的伺服信號和從系統(tǒng)控制器1105接收的用于伺服控制所需的命令來執(zhí)行拾取器1000的伺服控制。PC I/F 1101將從DSP 1102接收的數(shù)據(jù)傳遞到主機(jī)。
上述的OPC區(qū)域布置可應(yīng)用到所有信息存儲介質(zhì)，而不管每個信息存儲層的軌道是否從內(nèi)側(cè)邊界到外側(cè)邊界或從外側(cè)邊界到內(nèi)側(cè)邊界是螺旋的。上述的OPC區(qū)域布置還可應(yīng)用到所有的具有多個信息存儲層的多層信息存儲介質(zhì)，而不管將被首先再現(xiàn)的信息存儲層是與拾取器最遠(yuǎn)的信息存儲層還是與拾取器最近的信息存儲層。例如，上述的本發(fā)明的多個方面可應(yīng)用到CD-R、CD-RW、DVD+R、HD-DVD、藍(lán)光以及先進(jìn)光盤(AOD)型信息存儲介質(zhì)。
盡管已經(jīng)參照具有兩個信息存儲層的雙層信息存儲介質(zhì)描述了OPC區(qū)域布置，但是它們可被用于到具有至少三個彼此堆疊的信息存儲層的信息存儲介質(zhì)。
如上所述，在具有多個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)中，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一個信息存儲層的OPC區(qū)域可被設(shè)置在另一個信息存儲層的OPC區(qū)域之上，如不彼此面對地設(shè)置。因此，當(dāng)一個信息存儲層的OPC區(qū)域執(zhí)行OPC時，這個OPC不影響另一個信息存儲層。
或者，一個信息存儲層的OPC區(qū)域可被設(shè)置在另一個信息存儲層的OPC區(qū)域以彼此部分重疊，根據(jù)本發(fā)明的一方面，OPC區(qū)域的使用的方向被設(shè)置不同。因此，當(dāng)一個信息存儲層的OPC區(qū)域執(zhí)行OPC時，這個OPC不影響另一個信息存儲層。
或者，一個信息存儲層的OPC區(qū)域可被設(shè)置在另一個信息存儲層的OPC區(qū)域以彼此面對，根據(jù)本發(fā)明的一方面，OPC區(qū)域的使用的方向被設(shè)置不同。因此，當(dāng)一個信息存儲層的OPC區(qū)域執(zhí)行OPC時，這個OPC不影響另一個信息存儲層。
盡管顯示和描述本發(fā)明某些實施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的原則、精神的情況下可以在這些實施例中做出改變，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求和其等同物所限定。
權(quán)利要求
1.一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，其中的每個包括獲得最優(yōu)記錄條件的最優(yōu)功率控制區(qū)域，其中，在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最優(yōu)功率控制區(qū)域被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的不同半徑內(nèi)，保留區(qū)域與最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰而置。
2.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，其中，存儲關(guān)于信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域的信息的映射區(qū)域與最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰而置，從而相鄰信息存儲層的映射區(qū)域被形成在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，還包括關(guān)于記錄在記錄盤有關(guān)信息的導(dǎo)入?yún)^(qū)域中的信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域的信息。
4.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域被用來存儲數(shù)據(jù)的方向是相同的。
5.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，其中，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域被用來存儲數(shù)據(jù)的方向是相反的。
6.如權(quán)利要求4所述的信息存儲介質(zhì)，其中，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域被使用的方向中的每個是信息存儲層中的每個的軌道螺旋方向和與信息存儲層中的每個的軌道螺旋方向相反的方向中的一個。
7.如權(quán)利要求5所述的信息存儲介質(zhì)，其中，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域被使用的方向中的每個是信息存儲層中的每個的軌道螺旋方向和與軌道螺旋方向相反的方向中的一個。
8.如權(quán)利要求4所述的信息存儲介質(zhì)，其中，最優(yōu)功率控制區(qū)域形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)域和導(dǎo)出區(qū)域的至少一個中。
9.如權(quán)利要求5所述的信息存儲介質(zhì)，其中，最優(yōu)功率控制區(qū)域形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)域和導(dǎo)出區(qū)域的至少一個中。
10.一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，其中的每個包括獲得最優(yōu)記錄條件的最優(yōu)功率控制區(qū)域，其中，在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最優(yōu)功率控制區(qū)域被重疊設(shè)置以彼此部分重疊。
11.如權(quán)利要求10所述的信息存儲介質(zhì)，還包括與最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰而置的保留區(qū)域。
12.如權(quán)利要求11所述的信息存儲介質(zhì)，其中，最優(yōu)功率控制區(qū)域的尺寸大于保留區(qū)域的尺寸。
13.如權(quán)利要求10所述的信息存儲介質(zhì)，還包括存儲關(guān)于與最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰而置的信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域的信息的映射區(qū)域，映射區(qū)域的每個在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)。
14.如權(quán)利要求10所述的信息存儲介質(zhì)，還包括關(guān)于記錄在記錄盤有關(guān)信息的導(dǎo)入?yún)^(qū)域的一部分中的信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域的信息。
15.如權(quán)利要求10所述的信息存儲介質(zhì)，其中，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的OPC區(qū)域被用來存儲數(shù)據(jù)的方向是相反的。
16.如權(quán)利要求10所述的信息存儲介質(zhì)，其中，在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域的每個中的可用區(qū)域的尺寸是可變的。
17.如權(quán)利要求10所述的信息存儲介質(zhì)，其中，最優(yōu)功率控制OPC區(qū)域存在于導(dǎo)入?yún)^(qū)域和導(dǎo)出區(qū)域的至少一個中。
18.一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，其中的每個包括獲得最優(yōu)記錄條件的最優(yōu)功率控制區(qū)域，其中，在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最優(yōu)功率控制區(qū)域被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域被使用的方向是相反的。
19.如權(quán)利要求18所述的信息存儲介質(zhì)，其中，在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域的每個中的可用區(qū)域的尺寸是可變的。
20.如權(quán)利要求18所述的信息存儲介質(zhì)，其中，關(guān)于信息存儲層的最優(yōu)功率控制區(qū)域的信息被記錄在記錄盤有關(guān)信息的導(dǎo)入?yún)^(qū)域中。
21.如權(quán)利要求18所述的信息存儲介質(zhì)，其中，最優(yōu)功率控制區(qū)域存在于導(dǎo)入?yún)^(qū)域和導(dǎo)出區(qū)域的至少一個中。
22.一種多層信息存儲介質(zhì)，包括第一信息存儲層，包括第一最優(yōu)功率控制區(qū)域和與第一最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰的第一保留區(qū)域；和第二信息存儲層，與第一信息存儲層相鄰，所述的第二信息存儲層包括第二最優(yōu)功率控制區(qū)域和與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰的第二保留區(qū)域，其中，第一最優(yōu)功率控制區(qū)域在徑向方向上與第二保留區(qū)域和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域部分重疊，第二最優(yōu)功率控制區(qū)域在徑向方向上與第一保留區(qū)域和第一最優(yōu)功率控制區(qū)域部分重疊。
23.如權(quán)利要求22所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域大于第一和第二保留區(qū)域。
24.如權(quán)利要求22所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域以相反方向被記錄。
25.如權(quán)利要求22所述的信息存儲介質(zhì)，其中，與第一最優(yōu)功率控制區(qū)域的記錄部分相應(yīng)的第一地址被存儲在信息存儲介質(zhì)上，與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的記錄部分相應(yīng)的第二地址被存儲在信息存儲介質(zhì)上。
26.如權(quán)利要求25所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一最優(yōu)功率控制區(qū)域和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的部分重疊部分被指定用于防止在最優(yōu)功率記錄確定過程中所述局部重疊部分被記錄。
27.如權(quán)利要求25所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一地址和第二地址被存儲在信息存儲介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)域中。
28.如權(quán)利要求27所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一和第二地址被記錄為位圖。
29.如權(quán)利要求25所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一地址和第二地址被存儲在信息存儲介質(zhì)的導(dǎo)出區(qū)域中。
30.如權(quán)利要求25所述的信息存儲介質(zhì)，還包括第一缺陷管理區(qū)域，在第一信息存儲層中；和第二缺陷管理區(qū)域，在第二信息存儲層中，其中，第一缺陷管理區(qū)域和第二缺陷管理區(qū)域沿著信息存儲介質(zhì)的共有半徑而設(shè)置，第二缺陷管理區(qū)域與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰。
31.如權(quán)利要求30所述的信息存儲介質(zhì)，還包括第一映射區(qū)域，其存儲記錄數(shù)據(jù)的第一最優(yōu)功率控制區(qū)域的扇區(qū)的地址，所述的第一映射區(qū)域位于第一信息存儲層中的第一最優(yōu)功率控制區(qū)域和第一保留區(qū)域之間；以及第二映射區(qū)域，其存儲記錄數(shù)據(jù)的第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的扇區(qū)的地址，所述的第二映射區(qū)域位于第二信息存儲層中的第二最優(yōu)功率控制區(qū)域和第二保留區(qū)域之間，從而第一映射區(qū)域和第二映射區(qū)域?qū)R。
32.如權(quán)利要求31所述的信息存儲介質(zhì)，還包括在第一信息存儲層中的第三最優(yōu)功率控制區(qū)域和與第三最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰的第三保留區(qū)域；以及第四最優(yōu)功率控制區(qū)域和與第四最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰第四保留區(qū)域，其中，第三最優(yōu)功率控制區(qū)域部分地與第四最優(yōu)功率控制區(qū)域和第四保留區(qū)域重疊，第四最優(yōu)功率控制區(qū)域部分地與第三最優(yōu)功率控制區(qū)域和第三保留區(qū)域重疊。
33.如權(quán)利要求32所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域和第一和第二保留區(qū)域被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)域中，第三和第四最優(yōu)功率控制區(qū)域和第三和第四保留區(qū)域被設(shè)置在信息存儲介質(zhì)的導(dǎo)出區(qū)域中。
34.如權(quán)利要求33所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一和第三最優(yōu)功率控制區(qū)域與第二和第四最優(yōu)功率控制區(qū)域相對而被記錄。
35.一種多層信息存儲介質(zhì)，包括第一信息存儲層，包括第一最優(yōu)功率控制區(qū)域和與第一最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰的第一缺陷管理區(qū)域；以及第二信息存儲層，與第一信息存儲層相鄰，所述的第二信息存儲層包括第二最優(yōu)功率控制區(qū)域和與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域相鄰的第二缺陷管理區(qū)域，其中，第一最優(yōu)功率控制區(qū)域與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域?qū)R，第一缺陷管理區(qū)域與第二缺陷管理區(qū)域?qū)R，與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的未用部分相應(yīng)的第一最優(yōu)功率控制區(qū)域的第一部分是可記錄的，與第一最優(yōu)功率控制區(qū)域的未用部分相應(yīng)的第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的第二部分是可記錄的。
36.如權(quán)利要求35所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一最優(yōu)功率控制區(qū)域和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域以相反的方向被記錄。
37.如權(quán)利要求36所述的信息存儲介質(zhì)，其中，可變點，相應(yīng)的在第一最優(yōu)功率控制區(qū)域中的第一地址和在第二最優(yōu)功率控制區(qū)域中的第二地址標(biāo)記第一部分的結(jié)束和第二部分的結(jié)束，第一地址和第二地址沿著信息存儲介質(zhì)的徑向方向?qū)R。
38.如權(quán)利要求37所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一部分和第二部分的尺寸根據(jù)第一信息存儲層和第二信息存儲層的使用的頻率而變化。
39.如權(quán)利要求35所述的信息存儲介質(zhì)，還包括第三最優(yōu)功率控制區(qū)域，在第一信息存儲層中；和第四最優(yōu)功率控制區(qū)域，其中，第三最優(yōu)功率控制區(qū)域與第四最優(yōu)功率控制區(qū)域?qū)R，與第四最優(yōu)功率控制區(qū)域的未用部分相應(yīng)的第三最優(yōu)功率控制區(qū)域的第一部分是可記錄的，與第三最優(yōu)功率控制區(qū)域的未用部分相應(yīng)的第四最優(yōu)功率控制區(qū)域的第二部分是可記錄的。
40.一種將第一信息存儲層中的第一最優(yōu)功率控制區(qū)域與第二信息存儲層中的第二最優(yōu)功率控制區(qū)域之間的干擾最小化的方法，該方法包括設(shè)置第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域，從而每個與其它信息存儲層局部重疊；以及以相反的方向記錄第一最優(yōu)控制區(qū)域和第二最優(yōu)控制區(qū)域以最小化干擾。
41.如權(quán)利要求40所述的方法，其中，第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的記錄包括將第一最優(yōu)功率控制區(qū)域記錄在與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的第一未用部分相應(yīng)的第一部分中，以及將第二最優(yōu)功率控制區(qū)域記錄在與第二最優(yōu)功率控制區(qū)域的第二未用部分相應(yīng)的第二部分中。
42.一種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，包括光學(xué)拾取器，其以光學(xué)功率將數(shù)據(jù)記錄在信息存儲介質(zhì)的表面上或從信息存儲介質(zhì)的表面讀取數(shù)據(jù)；以及控制器，其控制光學(xué)拾取器以記錄和/或再現(xiàn)在信息存儲介質(zhì)的表面上的數(shù)據(jù)以及在記錄期間確定用于設(shè)置光學(xué)功率的最優(yōu)記錄功率，其中，所述的信息存儲介質(zhì)包括第一信息存儲層和第二信息存儲層，所述的第一信息存儲層包括第一最優(yōu)功率控制區(qū)域和第一限制使用區(qū)域，所述的第二信息存儲層包括第二最優(yōu)功率控制區(qū)域和第二限制使用區(qū)域，以上所述的第一和第二信息存儲層以這樣方式被布置，即第一最優(yōu)功率控制區(qū)域與第二限制使用區(qū)域和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域部分重疊，第二最優(yōu)功率控制區(qū)域與第一限制使用區(qū)域和第一最優(yōu)功率控制區(qū)域部分重疊，控制器根據(jù)由光學(xué)拾取器記錄和/或再現(xiàn)的數(shù)據(jù)在與第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域中的一個的未用部分相應(yīng)的第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域中的另一個的一部分中確定最優(yōu)記錄功率。
43.如權(quán)利要求42所述的設(shè)備，其中，第一和第二最優(yōu)功率控制區(qū)域可以相反方向由控制器記錄。
全文摘要
一種信息存儲介質(zhì)，具有多個信息存儲層，其中的每個包括用于獲得最優(yōu)記錄條件的最優(yōu)功率控制(OPC)區(qū)域，其中，在奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的OPC區(qū)域被彼此設(shè)置不相對并且彼此不接觸，或者彼此部分重疊并且不使用重疊部分。因此，當(dāng)一個信息存儲層的OPC區(qū)域執(zhí)行OPC時，該OPC不影響另一個信息存儲層。
文檔編號G11B7/125GK1745419SQ200480003268
公開日2006年3月8日 申請日期2004年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月28日
發(fā)明者李坰根 申請人:三星電子株式會社