專(zhuān)利名稱(chēng)：具有多個(gè)鐵磁耦合下層的反鐵磁耦合層的磁記錄盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及一種在磁記錄硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中使用的磁記錄盤(pán)，更具體的，涉及一種具有反鐵磁耦合(AFC，antiferromagnetically-coupled)的磁層的磁記錄盤(pán)。
本申請(qǐng)與2004年2月27日申請(qǐng)的題為“具有多下層的反鐵磁耦合的磁層的磁記錄盤(pán)”的序列號(hào)為＿＿＿＿＿＿＿的待審理申請(qǐng)相關(guān)。
背景技術(shù)：
隨著磁記錄硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量的增加，剩磁-厚度積(Mrt，magnetization-remanence-thickness product)相應(yīng)減小，并且磁記錄層的矯頑磁性(coercivity)Hc相應(yīng)增加。Mrt是記錄層厚度t和記錄層的剩余(零外加磁場(chǎng))磁化Mr(其中Mr是以鐵磁材料的每單位體積的磁矩為單位測(cè)量的)。Hc相關(guān)于盤(pán)驅(qū)動(dòng)寫(xiě)頭在記錄層上寫(xiě)數(shù)據(jù)所需的短時(shí)切換場(chǎng)(short-timeswitching field)或者內(nèi)矯頑磁性(H0)。這種Mrt和Hc的趨勢(shì)導(dǎo)致Mrt/Hc比減小。
為了得到Mrt的減小，可減小磁層的厚度t，但是只能有限的減小，因?yàn)閷又写鎯?chǔ)的磁信息更可能衰減。這種磁化的衰減已經(jīng)影響小磁粒(magneticgrain)的熱激發(fā)(超順磁性效應(yīng))。磁粒的熱穩(wěn)定性在很大程度上取決于KUV，其中KU是層的磁各向異性常數(shù)，V是磁粒的體積。隨著層厚度減小，V減小。如果層的厚度太薄，KUV變得太小，并且所存儲(chǔ)的磁信息在正常的磁驅(qū)動(dòng)操作條件下將不穩(wěn)定。
一種解決這種問(wèn)題的方法是移動(dòng)到較高的各向異性的材料(較高的KU)。然而，Ku的增加受到點(diǎn)的限制，即近似等于Ku/Ms(Ms＝飽和磁化)的Hc變得太大而不能由常規(guī)的記錄頭來(lái)寫(xiě)。相似的解決方法是磁層厚度固定而減小磁層的Ms，因?yàn)镸r相關(guān)于Ms，所以將減小Mr，但是這也受限于可寫(xiě)的矯頑磁性。
美國(guó)專(zhuān)利第6280813號(hào)，授權(quán)給與本申請(qǐng)相同的受讓人，說(shuō)明了一種磁記錄介質(zhì)，其中磁記錄層為至少兩個(gè)鐵磁層跨過(guò)非鐵磁間隔層而反鐵磁耦合在一起。在這種類(lèi)型的磁介質(zhì)中，指AFC介質(zhì)，兩個(gè)反鐵磁耦合的層的磁矩剩磁取向平行，結(jié)果是磁層的凈Mrt或合成(composite)Mrt是上下鐵磁層的Mrt之間的差。上鐵磁層通常具有比下鐵磁層更高的Mrt，使得合成Mrt由MrtUL-MrtLL得到。這種Mrt的減小不需要減小體積V。因此，記錄介質(zhì)的熱穩(wěn)定性不會(huì)減小。
AFC介質(zhì)因此極大的提高了磁記錄盤(pán)的性能。低合成Mrt意味著PW50的低值，其是低記錄密度下測(cè)量的記錄信號(hào)的分立回讀脈沖(isolated read-back impulse)的半幅脈寬。PW50值決定了可獲得的線性密度，而且優(yōu)選采用PW50的低值。因此，由于Mrtcompostie＝(MrtUL-MrtLL)，AFC介質(zhì)的可擴(kuò)展性主要取決于該結(jié)構(gòu)多大程度可用于減小PW50，并且取決于在下鐵磁層中可獲得多大的Mrt值。
然而，現(xiàn)有AFC介質(zhì)，可在下鐵磁層中使用最大的Mrt值。在這個(gè)最大的Mrt上，介質(zhì)的內(nèi)信噪比(S0NR，在特定記錄密度下分立信號(hào)脈沖與噪聲的比值)將惡化，即使PW50仍然降低并且合成Mrt仍然下降。例如，AFC結(jié)構(gòu)可由更厚的下鐵磁層(將下層的Mrt增加最大值上的0.05memu/cm2)制得，以獲得PW50值從使用最大下層Mrt的參考AFC結(jié)構(gòu)減小3.5％。然而，這使得S0NR降低大約3.5db，這是不可接受的。如圖1所示。
當(dāng)下層變得過(guò)厚，有兩種可能的解釋AFC介質(zhì)的S0NR降低的原因。第一，如果下鐵磁層做的較厚，其各向異性體積乘積(KuV)增加。這個(gè)KuV決定了層對(duì)熱波動(dòng)的易感性，KuV越高，層的易感性越低。已確定的是熱激發(fā)反轉(zhuǎn)(thermal-activated reversal)允許在AFC介質(zhì)中的小的層間交換場(chǎng)(interlayer exchange field)以反轉(zhuǎn)下層的磁化并因而產(chǎn)生希望的反向平行(antiparallel)剩磁結(jié)構(gòu)。因此，下層的KuV越大(下層Mrt越大)，相對(duì)小的交換場(chǎng)越難以完成下層的磁化反轉(zhuǎn)。第二，交換場(chǎng)的大小是和下層Mrt成反比的，也使得當(dāng)它變得更厚時(shí)，反轉(zhuǎn)下層的磁化的反鐵磁交互作用更難。因此，隨著下層Mrt增加，發(fā)生兩個(gè)效果，更難反轉(zhuǎn)下層磁化以形成反向平行剩磁結(jié)構(gòu)。這些因素可使得一些下層粒無(wú)法與他們各自的上層粒相反向平行，可在記錄信號(hào)中增加額外的噪聲使得被測(cè)的S0NR減小。通過(guò)在Ru層旁增加高矩層(high moment layer)來(lái)增加交換場(chǎng)是一種解決這個(gè)問(wèn)題的可能途徑，但是增加高矩層降低了S0NR，使得實(shí)際難于在不降低S0NR的情況下極大的改變交換場(chǎng)。因此，不能在AFC介質(zhì)中增加下鐵磁層厚度高于某最大值的問(wèn)題是這種結(jié)構(gòu)的普遍的問(wèn)題.
所需要的是具有AFC結(jié)構(gòu)的磁記錄盤(pán)，其可利用合成Mrt和PW50的減小，而不會(huì)引起S0NR減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種具有AFC結(jié)構(gòu)的磁記錄盤(pán)，該結(jié)構(gòu)有一上鐵磁層(UL)和一下鐵磁層結(jié)構(gòu)，該下鐵磁層結(jié)構(gòu)由兩個(gè)鐵磁耦合的下層(LL1、LL2)形成。UL跨過(guò)一反鐵磁耦合層，與下層結(jié)構(gòu)反鐵磁耦合在一起。LL1和LL2，跨過(guò)一鐵磁耦合層而鐵磁耦合，使得LL1和LL2的磁化在每個(gè)剩磁狀態(tài)保持平行，但是與UL的磁化在每個(gè)狀態(tài)反向平行。UL具有大于LL1和LL2的Mrt值之和的Mrt。此AFC結(jié)構(gòu)的合成Mrt小于常規(guī)AFC結(jié)構(gòu)的合成Mrt。此AFC結(jié)構(gòu)能夠獲得合成Mrt的減少，而不用將這里兩個(gè)下層中任一層的Mrt增加到常規(guī)AFC結(jié)構(gòu)中的單個(gè)下層的最大Mrt之上，因而避免了由于在下層中過(guò)大的Mrt而導(dǎo)致的S0NR降級(jí)。
為了大致理解本發(fā)明的原理和優(yōu)勢(shì)，將結(jié)合附圖參考以下細(xì)節(jié)描述。


圖1是常規(guī)AFC結(jié)構(gòu)以及增加下層Mrt的AFC結(jié)構(gòu)的S0NR對(duì)記錄密度(每英寸千通量變化)的圖表。
圖2是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的AFC磁記錄盤(pán)的截面示意圖。
圖3是依據(jù)本發(fā)明的AFC磁記錄盤(pán)的截面示意圖。
圖4是展現(xiàn)了本發(fā)明AFC結(jié)構(gòu)的合成Mrt，用作下層Mrt。
具體實(shí)施例方式
圖2展現(xiàn)了依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的磁盤(pán)結(jié)構(gòu)的橫截面，該磁盤(pán)帶有一反鐵磁耦合(AFC)磁層20。該磁盤(pán)基片是任何適合的材料，例如玻璃，SiC/Si，陶瓷，石英或覆有NiP表層的AlMg合金。該種子層(seed layer)12是一可選層，該層可用于提高底層13的生長(zhǎng)。種子層12通常是在基片11為非金屬例如玻璃時(shí)使用。種子層12的厚度在大約1到50nm的范圍內(nèi)并且是這些材料中之一，例如Ta，CrTi，NiAl或RuAl，它們作為種子材料有助于提高在某些優(yōu)選結(jié)晶取向的隨后的沉積層的生長(zhǎng)。一預(yù)種子層(pre-seed layer)(未示出)也可被用在玻璃基片11和種子層12之間。底層13被沉積到種子層上，如果有種子層的話，或者直接地沉積到基片11上，并且底層13是一非磁性材料，例如鉻或者鉻合金，如CrV，CrTi或CrMo。底層13的厚度在5到100nm的范圍內(nèi)，并且通常值大約是10nm。一保護(hù)覆層(未示出)，例如無(wú)定形碳，作為頂層形成在AFC層20上。
該AFC磁層20由一下鐵磁層(LL)22和一上鐵磁層(UL)24組成，該下鐵磁層(LL)22和上鐵磁層(UL)24被作為反鐵磁耦合層的非鐵磁間隔層23隔開(kāi)。選擇該非鐵磁間隔層23的厚度和復(fù)合，使得鄰近層22、24的磁矩32、34，分別地，通過(guò)非鐵磁間隔層23而反鐵磁耦合，并且它們?cè)诹阃饧訄?chǎng)(即剩磁狀態(tài))中反向平行。層20的這兩個(gè)反鐵磁耦合層22、24有反向平行的磁矩，并且上層24的磁矩較大。因而MrtUL大于MrtLL，并且AFC層20的合成Mrt是(MrtUL-MrtLL)。
鐵磁層通過(guò)一非鐵磁過(guò)渡金屬隔離層(例如圖2中層20的AFC結(jié)構(gòu))的反鐵磁耦合已經(jīng)在文獻(xiàn)中被廣泛地研究和描述了。通常，交換耦合從鐵磁體到非鐵磁體振動(dòng)而隔離層厚度增加。選定材料復(fù)合物的這種振動(dòng)的耦合關(guān)系由Parkin等人在“交換耦合中的振動(dòng)以及金屬超晶格結(jié)構(gòu)(Co/Ru、Co/Cr和Fe/Cr)中的磁致電阻”，Phys.Rev.Lett.，Vol.64，p.2034(1990)一文中描述。該材料復(fù)合物包括鐵磁層(由Co，F(xiàn)e，Ni和其合金，例如Ni-Fe，Ni-Co，和Fe-Co制成)和非鐵磁隔離層(例如Ru、鉻(Cr)、銠(Rh)、銥(Ir)、銅(Cu)以及其合金)。對(duì)于每一種這樣的材料復(fù)合物，振動(dòng)交換耦合關(guān)系是確定的，如果不是已知，使得非鐵磁隔離層的厚度被選定為確保兩鐵磁層之間的反鐵磁耦合。振動(dòng)的周期取決于非鐵磁隔離材料，但振動(dòng)耦合的強(qiáng)度和相位也取決于鐵磁材料和界面的質(zhì)量。
對(duì)于該AFC20結(jié)構(gòu)，相鄰鐵磁層22、24的磁矩32、34的取向分別反向平行對(duì)齊并且因此疊加相抵消。因?yàn)樵贏FC結(jié)構(gòu)中的這兩個(gè)鐵磁層對(duì)于記錄起著不同的作用，所以它們的材料特性大致不同。上層24通常具有幾乎沒(méi)有晶粒間交換耦合的小磁粒，并且有高的內(nèi)矯頑磁性(H0～8kOe)。上層24的這些特性被調(diào)整以獲得最好的S0NR。上層22通常地是CoPtCrB合金，例如Co68Pt13Cr19B10。下層22通常地是具有大量晶粒間交換耦合和低內(nèi)矯頑磁性(H0～1kOe)的材料。這些特性便于PW50的減小并且該材料通常是CoCr合金，具有低Cr含量(Cr＜15原子百分比)，例如Co89Cr11。對(duì)高性能介質(zhì)，下層所用的材料不能用于上層。非鐵磁隔離層23通常是釕(Ru)。
圖2用于展現(xiàn)一AFC磁層20，該磁層20有一兩層結(jié)構(gòu)和一單隔離層。有兩層以上鐵磁層和額外的反鐵磁耦合隔離層的AFC介質(zhì)是優(yōu)選的，但是該材料不能同時(shí)降低合成Mrt和S0NR。
本發(fā)明是一AFC介質(zhì)，該AFC介質(zhì)克服了當(dāng)前AFC介質(zhì)的限制，并且使得可獲得更低Mrt和PW50，而不會(huì)損失S0NR。該結(jié)構(gòu)如圖3所示，并且包括一形成在一常規(guī)底層113上的AFC層120和在基片111上的種子層112。
AFC層120包括一下層結(jié)構(gòu)121，一上鐵磁層(UL)140，以及一反鐵磁耦合層127。鐵磁層140被稱(chēng)為上鐵磁層，因?yàn)樗茿FC結(jié)構(gòu)120中最高的層。下層結(jié)構(gòu)121包括兩個(gè)鐵磁層(LL1、LL2)(分別是122和126)，它們跨過(guò)一鐵磁耦合層125而鐵磁耦合。AFC層120有兩個(gè)剩磁狀態(tài)(零外加磁場(chǎng))。在這些狀態(tài)之一的每個(gè)層的磁化方向如箭頭132、136、142所示。在另一狀態(tài)，這些箭頭的方向?qū)⑹窍喾吹摹?br> 鐵磁耦合層125是任一材料，該材料具有由層122、126的鐵磁交換耦合而導(dǎo)致的復(fù)合和厚度。優(yōu)選的是，層125應(yīng)當(dāng)有一六邊形封閉包(hcp)的水晶結(jié)構(gòu)，用于提高h(yuǎn)cp的Co合金鐵磁層126的生長(zhǎng)。鐵磁耦合層125的材料優(yōu)選地是CoRu合金，并且Ru大于大約40個(gè)原子百分比(at.％)且少于大約70at.％。其它能夠加入CoRu合金中的元素包括B(少于大約20at.％)和Cr(少于大約20at.％)。其他用于鐵磁耦合層125的材料包括一CoCr合金(Cr大于大于27at.％，小于大約45at.％)和Pt以及Pd。這些鐵磁耦合層的厚度應(yīng)當(dāng)在大約0.5到5nm之間。表征跨過(guò)鐵磁耦合層而耦合的交換常數(shù)(exchange constant)J應(yīng)當(dāng)大于大約0.02ergs/cm2，但小于大約0.40ergs/cm2。例如Ru和Cr這樣的材料，它們伴隨著厚度變化展現(xiàn)出振動(dòng)耦合的行為，可潛在地用作鐵磁耦合層，如果當(dāng)它們的厚度被調(diào)整到鐵磁狀態(tài)(regime)時(shí)，J的值大于0.02ergs/cm2。
UL有一大于LL1和LL2的Mrt值之和的Mrt。這些相關(guān)的Mrt值通過(guò)箭頭132、136、142的相對(duì)長(zhǎng)度來(lái)表示。AFC結(jié)構(gòu)120的合成Mrt為
MrtCOMPOSITE＝MrtUL-(MrtLL1+MrtLL2) (等式1)下層LL1、LL2中的每一個(gè)能有一等于常規(guī)AFC結(jié)構(gòu)中單下層的最大Mrt值的Mrt。因?yàn)楂@得該合成Mrt的減小而不用將任一下層Mrt增加到常規(guī)AFC結(jié)構(gòu)中單下層的最大Mrt之上，所以這里不會(huì)有由下層Mrt過(guò)大引起的S0NR降級(jí)。本發(fā)明的AFC結(jié)構(gòu)能夠被制得而不需改變常規(guī)AFC結(jié)構(gòu)中單下層的復(fù)合或增加下層的厚度。既然UL140與下層結(jié)構(gòu)121反鐵磁耦合，并且底部鐵磁層LL1 122和LL2 126是由具有低內(nèi)矯頑磁性H0的薄合金制成，類(lèi)似常規(guī)AFC結(jié)構(gòu)中使用的合金，那么記錄到上鐵磁層UL中的磁化模式將決定下鐵磁層LL1、LL2的磁化取向。
圖4展示了只改變MrtLL1(假設(shè)MrtLL1＝MrtLL2)得到的一系列這些結(jié)構(gòu)的合成Mrt。MrtLL1越大，合成Mrt越小。通過(guò)增加MrtLL1到大約0.13memu/cm2，合成Mrt可減少到低于參考AFC結(jié)構(gòu)0.13memu/cm2(0.22memu/cm2，與0.35memu/cm2相比)。本發(fā)明的AFC結(jié)構(gòu)從而獲得了給定UL厚度的PW50的減小，而無(wú)需犧牲S0NR，并且克服了常規(guī)AFC介質(zhì)的基本限制之一。
用于UL的優(yōu)選的材料是CoPtCrB合金，并且Cr在大約16到22個(gè)原子百分點(diǎn)(at.％)之間，Pt在大約12到20at.％之間，以及B大約在7到20at.％之間。其他元素，例如Ta，能被加到CoCrPtB合金中。對(duì)于每個(gè)下層LL1、LL2，優(yōu)選的材料是CoCr合金，并且Cr在大約5到24at.％之間。其他元素能被加入到該CoCr合金中，例如B(少于6at.％)，Ta(少于5at.％)和Pt(少于10at.％)。Ta對(duì)于CoCr合金中Cr的分離(segregation)特別有益，并且便于隨后沉積層的外延生長(zhǎng)。UL也可為兩個(gè)或更多在每一個(gè)頂部疊在一起且相互直接交換耦合的CoPtCrB合金的復(fù)合UL。這里引用的UL的復(fù)合范圍表示如果UL是一復(fù)合UL時(shí)的多合金的平均復(fù)合。
上述AFC結(jié)構(gòu)不局限于僅僅兩個(gè)下層的實(shí)現(xiàn)方式。例如，該下層結(jié)構(gòu)可包括一或更多額外的下層以及相應(yīng)的鐵磁耦合層。參考圖3，如果在下層結(jié)構(gòu)121中有三個(gè)下層，那么第二鐵磁耦合層將位于LL2 126上，并且第三下層LL3將位于第二鐵磁耦合和反鐵磁耦合層127之間。在這個(gè)例子中，該AFC結(jié)構(gòu)的合成Mrt表示為MrtCOMPOSITE＝MrtUL-(MrtLL1+MrtLL2+MrtLL3) (等式2)在此AFC結(jié)構(gòu)中UL的Mrt大于LL1、LL2和LL3的Mrt值之和。在此例中，如果三個(gè)下層中的每一個(gè)的Mrt是大約0.13memu/cm2(大約是圖2中參考的AFC結(jié)構(gòu)的單下層的最大Mrt)，那么合成Mrt將比參考的AFC結(jié)構(gòu)減少0.26memu/cm2(0.09memu/cm2，與0.35memu/cm2相比)當(dāng)本發(fā)明參考優(yōu)選的實(shí)施例被特別展現(xiàn)和描述時(shí)，技術(shù)人員將會(huì)明白形式上和細(xì)節(jié)上的改變不會(huì)偏離本發(fā)明的精神和范圍。因而，本公開(kāi)的發(fā)明僅考慮所附權(quán)利要求里列出的說(shuō)明和范圍限制。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄盤(pán)，包括一基片；一在該基片上的第一下鐵磁層，具有剩磁Mr，厚度t和剩磁-厚度積Mrt；一在該第一下鐵磁層上的鐵磁耦合層；一在該鐵磁耦合層上的第二下鐵磁層，有一Mrt；一在該第二下鐵磁層上的反鐵磁耦合層；和一在該反鐵磁耦合層上的上鐵磁層，并且其具有一大于該第一和第二下鐵磁層Mrt之和的Mrt。
2.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述下鐵磁層由大致相同的材料形成。
3.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述下鐵磁層有大致相同的Mrt。
4.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層是一包括Co和Ru的合金，其中Ru在此合金中含量大于大約40原子百分比且小于大約70原子百分比。
5.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層是一包括Co和Cr的合金，其中Cr在此合金中含量大于大約27原子百分比且小于大約45原子百分比。
6.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層主要由Pt或Pd組成。
7.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層厚度在大約0.5到5nm之間。
8.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層主要由Ru或Cr組成，其交換常數(shù)大于大約0.02ergs/cm2。
9.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層是一第一鐵磁耦合層，并且進(jìn)一步包括一第二鐵磁耦合層，其在所述第二下鐵磁上；和一第三下鐵磁層，其在該第二鐵磁耦合層上；并且其中，所述反鐵磁耦合層直接形成在該第三下鐵磁層上，并且所述上鐵磁層有一Mrt，其大于該第一、第二和第三下鐵磁層Mrt之和。
10.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述上鐵磁層是一包括Co、Pt、Cr和B的合金，并且其中每個(gè)所述下鐵磁層是一包括Co和Cr的合金。
11.如權(quán)利要求10中所述的磁記錄盤(pán)，其中，每個(gè)所述下鐵磁層是一還包括Ta的合金。
12.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述反鐵磁耦合層是一從包括釕(Ru)、鉻(Cr)、銠(Rh)、銥(Ir)、銅(Cu)和其合金的組中選出的材料。
13.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中還包括一位于所述基片上并且在所述基片和所述第一下鐵磁層之間的底層。
14.如權(quán)利要求1中所述的磁記錄盤(pán)，其中還包括一形成在所述上鐵磁層上的保護(hù)覆層。
15.一種磁記錄盤(pán)，包括一基片；和一在該基片上的反鐵磁耦合結(jié)構(gòu)，并且其在沒(méi)有外加磁場(chǎng)時(shí)有兩個(gè)剩磁狀態(tài)，該結(jié)構(gòu)包括(a)一第一下鐵磁層，其具有一剩磁Mr，厚度t和剩磁-厚度積Mrt；(b)一鐵磁耦合層，其在該第一下鐵磁層上；(c)一第二下鐵磁層，其在該鐵磁耦合層上，并有一Mrt；(d)一反鐵磁耦合層，其在該第二下鐵磁層上；和(e)一上鐵磁層，其在該反鐵磁耦合層上并有一Mrt，其大于該第一和第二下鐵磁層的Mrt之和；其中，在每個(gè)剩磁狀態(tài)，該第一和第二下鐵磁層的磁化方向相互大致平行，并與該上鐵磁層的磁化方向反向平行，并且在一剩磁狀態(tài)中，該上鐵磁層的磁化方向與其在另一剩磁狀態(tài)中的磁化方向大致反向平行；
16.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述下鐵磁層由大致相同的材料形成。
17.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述下鐵磁層有大致相同的Mrt。
18.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層是一包括Co和Ru的合金，其中Ru在此合金中含量大于大約40原子百分比且小于大約70原子百分比。
19.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層是一包括Co和Cr的合金，其中Cr在此合金中含量大于大約27原子百分比且小于大約45原子百分比。
20.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層主要由Pt或Pd組成。
21.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層厚度在大約0.5到5nm之間。
22.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述鐵磁耦合層主要由Ru或Cr組成，并有一交換常數(shù)，大于大約0.02ergs/cm2。
23.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述上鐵磁層是一包括Co、Pt、Cr和B的合金，并且其中，每個(gè)所述下鐵磁層是一包括Co和Cr的合金。
24.如權(quán)利要求23中所述的磁記錄盤(pán)，其中，每個(gè)所述下鐵磁層是一還包括Ta的合金。
25.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中，所述反鐵磁耦合層是從包括釕(Ru)、鉻(Cr)、銠(Rh)、銥(Ir)、銅(Cu)和其合金的組中選出的一材料。
26.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中還包括一位于所述基片上并且在所述基片和所述第一下鐵磁層之間的底層。
27.如權(quán)利要求15中所述的磁記錄盤(pán)，其中還包括一形成在所述上鐵磁層上的保護(hù)覆層。
全文摘要
一種磁記錄盤(pán)，其具有一反鐵磁耦合(AFC)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)有一上鐵磁層(UL)，和一由兩個(gè)鐵磁耦合下層(LL1、LL2)形成的下鐵磁層結(jié)構(gòu)。UL與下層結(jié)構(gòu)跨過(guò)一反鐵磁耦合層而反鐵磁耦合。LL1和LL2跨過(guò)一鐵磁耦合層而鐵磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每個(gè)剩磁狀態(tài)保持平行，但與UL的磁化在每個(gè)剩磁狀態(tài)反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
文檔編號(hào)G11B5/64GK1674098SQ20041010004
公開(kāi)日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2004年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月23日
發(fā)明者霍亞·V·多, 埃里克·E·富勒頓, 戴維·馬古利斯, 安德烈亞斯·莫澤 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司