專利名稱：計(jì)算磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中磁盤(pán)移位量的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其執(zhí)行將磁頭移到通過(guò)主軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)上的目標(biāo)位置的尋道控制，以及將磁頭穩(wěn)定于目標(biāo)位置的目標(biāo)范圍內(nèi)的軌道跟蹤控制。特別地，本發(fā)明涉及一種計(jì)算磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中磁盤(pán)移位量的裝置和方法，該裝置和方法適合于計(jì)算當(dāng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器非活動(dòng)時(shí)由外部沖擊引起的磁盤(pán)移位的量。
背景技術(shù)：
硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器使用磁盤(pán)作為記錄媒介是眾所周知的。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器一般地包括執(zhí)行將磁頭定位于磁盤(pán)上目標(biāo)位置的控制的磁頭定位控制系統(tǒng)(伺服系統(tǒng))。該控制系統(tǒng)控制著磁頭裝配于其上作為待控制目標(biāo)(即對(duì)象)的傳動(dòng)裝置。傳動(dòng)裝置支撐著磁頭，使得磁頭可在磁盤(pán)的徑向上移動(dòng)?？刂葡到y(tǒng)基于寫(xiě)入(嵌入)磁盤(pán)中的伺服信息來(lái)控制傳動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)?？刂葡到y(tǒng)執(zhí)行將磁頭移到目標(biāo)軌道的尋道操作的尋道控制，以及將移到目標(biāo)軌道的磁頭穩(wěn)定于目標(biāo)軌道的目標(biāo)范圍內(nèi)的軌道跟蹤操作(跟蹤操作)的軌道跟蹤控制。
磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)可能發(fā)生的磁盤(pán)偏移已知是使硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的軌道跟蹤性能降低的因素。磁盤(pán)偏移可能由，例如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的裝配誤差引起。在本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)“裝配誤差”指的是，在制造硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的過(guò)程中，當(dāng)磁盤(pán)旋擰上主軸馬達(dá)的中軸時(shí)可能發(fā)生的誤差。由于軌道跟蹤控制，磁盤(pán)偏移表現(xiàn)為軌道的偏移。因此，磁頭必須可以跟蹤偏移。磁盤(pán)偏移的分量(偏移分量)包含于當(dāng)磁頭允許跟蹤目標(biāo)軌道時(shí)可能發(fā)生的位置誤差中。因此，日本專利申請(qǐng)公開(kāi)發(fā)行號(hào)No.11-39814(文檔1)公開(kāi)了一種技術(shù)，其檢測(cè)可能與磁盤(pán)的旋轉(zhuǎn)同步發(fā)生的磁盤(pán)偏移的偏移分量，以從位置誤差中消除偏移分量。文檔1中所描述的技術(shù)能夠抑制與磁盤(pán)的旋轉(zhuǎn)同步的軌道偏移分量，以減小在磁頭跟蹤時(shí)可能發(fā)生的跟蹤誤差。
偏移分量通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)來(lái)檢測(cè)。需要一個(gè)初始值以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行自適應(yīng)學(xué)習(xí)。因此，日本專利申請(qǐng)公開(kāi)發(fā)行號(hào)No.2002-230928(文檔2)公開(kāi)了在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造過(guò)程中磁盤(pán)上每個(gè)預(yù)先指定的徑向位置的偏移分量的學(xué)習(xí)。文檔2還公開(kāi)一種技術(shù)，其使用在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造過(guò)程中通過(guò)學(xué)習(xí)獲得的磁盤(pán)上每個(gè)預(yù)先指定的徑向位置的偏移分量(該偏移分量稱作學(xué)習(xí)值)作為自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值。自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值保存于非易失性存儲(chǔ)器中。文檔2考慮了每個(gè)徑向位置的偏移分量的時(shí)間變化。因此，文檔2提出，用作自適應(yīng)學(xué)習(xí)初始值的每個(gè)徑向位置的偏移分量的學(xué)習(xí)值當(dāng)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器激活時(shí)被修正。在該情況下，磁盤(pán)的特定徑向位置的偏移分量被再學(xué)習(xí)。然后，磁盤(pán)的每個(gè)徑向位置的偏移分量的學(xué)習(xí)值(初始值)使用從原始學(xué)習(xí)值到再學(xué)習(xí)值的改變率(或原始學(xué)習(xí)值與再學(xué)習(xí)值之間的差)來(lái)修正。使用文檔2中所公開(kāi)的技術(shù)(現(xiàn)有技術(shù))，可以使磁頭精確地跟蹤目標(biāo)軌道，而不受與磁盤(pán)的旋轉(zhuǎn)同步的軌道偏移或偏移分量的時(shí)間變化所影響。
當(dāng)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器受到過(guò)分的外部沖擊時(shí)，磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中磁盤(pán)的中心可能移離主軸馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)軸，也就是，所謂的磁盤(pán)移位可能發(fā)生。在該情況下，在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的激活過(guò)程中進(jìn)行的偏移分量學(xué)習(xí)的收斂需要非常長(zhǎng)的時(shí)間。換句話說(shuō)，激活磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器所需的時(shí)間增加。但是，上述現(xiàn)有技術(shù)不能確定激活時(shí)間的增加是由磁盤(pán)移位還是由其他因素引起。例如，現(xiàn)有技術(shù)不能確定激活時(shí)間的增加是否由硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器非活動(dòng)時(shí)發(fā)生的沖擊(例如，當(dāng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器掉落時(shí)發(fā)生的沖擊)導(dǎo)致的磁盤(pán)移位所引起，其中沖擊超過(guò)產(chǎn)品所規(guī)定的值。上面所提到的因素包括從外部施加到磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的振動(dòng)或支撐著磁頭使得磁頭可移動(dòng)的傳動(dòng)裝置的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于允許磁盤(pán)移位量的計(jì)算，其可以用來(lái)判斷磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已受到過(guò)分沖擊。
根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案，提供了一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其執(zhí)行將磁頭移到通過(guò)主軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)上的目標(biāo)位置的尋道控制，以及將磁頭穩(wěn)定于目標(biāo)位置的目標(biāo)范圍內(nèi)的軌道跟蹤控制。磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包括位置誤差檢測(cè)器，其配置來(lái)檢測(cè)磁頭的位置和目標(biāo)位置之間的位置誤差；自適應(yīng)學(xué)習(xí)裝置，其配置來(lái)通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)獲得當(dāng)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)可能發(fā)生的磁盤(pán)偏移的偏移分量，其中偏移分量包含于所檢測(cè)到的位置誤差中；非易失性存儲(chǔ)裝置，在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造過(guò)程中自適應(yīng)學(xué)習(xí)裝置通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)所獲得的偏移分量的學(xué)習(xí)值預(yù)先保存于其中；主控制器，其控制通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)裝置的偏移分量的再學(xué)習(xí)，以在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的激活過(guò)程中獲得偏移分量的再學(xué)習(xí)值，其中保存于非易失性存儲(chǔ)裝置的偏移分量的學(xué)習(xí)值在偏移分量的再學(xué)習(xí)過(guò)程中用作自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值；以及計(jì)算裝置，其配置來(lái)基于再學(xué)習(xí)值和對(duì)應(yīng)于再學(xué)習(xí)值的原始學(xué)習(xí)值來(lái)計(jì)算磁盤(pán)移位量，其中磁盤(pán)移位量表示磁盤(pán)中心離主軸馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)中心以及離磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器制造過(guò)程中所設(shè)置的磁盤(pán)中心的移位。


包含于本說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成其一部分的

本發(fā)明的實(shí)施方案，并且與上面給出的一般描述以及下面給出的實(shí)施方案的詳細(xì)描述一起，用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理。
圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的配置的框圖；圖2是說(shuō)明由CPU10通過(guò)執(zhí)行控制過(guò)程而實(shí)現(xiàn)的伺服系統(tǒng)的概念的框圖，其中CPU10在圖1中出現(xiàn)；圖3是顯示分配給圖1中出現(xiàn)的每個(gè)磁盤(pán)1-i(i＝0，1)的每個(gè)記錄面的區(qū)的實(shí)例的圖；圖4是顯示圖1中出現(xiàn)的FROM11(RAM12)的初始值區(qū)112(121)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的實(shí)例的圖；圖5是顯示修正自適應(yīng)學(xué)習(xí)初始值的過(guò)程的步驟的流程圖，該過(guò)程在圖1中的HDD的激活過(guò)程中執(zhí)行；圖6是顯示與磁盤(pán)移位量ds0，ds1和d相關(guān)聯(lián)的磁盤(pán)移位的概念的圖；以及圖7是顯示沖擊級(jí)與磁盤(pán)移位量之間的對(duì)應(yīng)性的曲線。
具體實(shí)施例方式
參考附圖，本發(fā)明已應(yīng)用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的實(shí)施方案的描述將在下面給出。圖1中所示的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)包括，例如數(shù)據(jù)磁性地記錄于其上的兩個(gè)磁盤(pán)(磁性盤(pán))1-0和1-1。每個(gè)磁盤(pán)1-i(i＝0，1)具有兩個(gè)磁盤(pán)面頂和底表面。每個(gè)磁盤(pán)1-i的兩個(gè)磁盤(pán)面的至少一個(gè)，例如兩個(gè)磁盤(pán)面，用作數(shù)據(jù)記錄于其上的記錄面。磁頭(磁性頭)2-00和2-01與磁盤(pán)1-0的各個(gè)記錄面相聯(lián)系地配置。同樣地，磁頭2-10和2-11與磁盤(pán)1-1的各個(gè)記錄面相聯(lián)系地配置。每個(gè)磁頭2-ij(i＝0，1，j＝0，1)用來(lái)從磁盤(pán)1-i中讀出數(shù)據(jù)以及將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到那里。在圖1中，假設(shè)兩個(gè)磁盤(pán)1-0和1-1層疊在HDD中。但是，HDD可以包括三個(gè)或更多磁盤(pán)或者單個(gè)磁盤(pán)。
許多同心軌道(沒(méi)有顯示)排列在每個(gè)磁盤(pán)1-i的記錄面上。在每個(gè)軌道中，伺服信息記錄于其中的伺服區(qū)以有規(guī)律的間隔離散地排列。換句話說(shuō)，在本實(shí)施方案中，扇區(qū)伺服型格式應(yīng)用于每個(gè)磁盤(pán)1-i。伺服信息包含執(zhí)行將磁頭2-ij定位于目標(biāo)軌道的控制所需的位置信息。位置信息包含柱面碼和突發(fā)數(shù)據(jù)。柱面碼指示著相應(yīng)伺服信息寫(xiě)入其中的磁盤(pán)1-i上的柱面(軌道)的位置。突發(fā)數(shù)據(jù)是指示相應(yīng)伺服信息寫(xiě)入其中的柱面中磁頭的相對(duì)位置(位置誤差)的位置信息。
主軸馬達(dá)(SPM)3以高速旋轉(zhuǎn)每個(gè)磁盤(pán)1-i。傳動(dòng)裝置4支撐著每個(gè)磁頭2-ij，使得磁頭可在磁盤(pán)1-i的徑向上移動(dòng)。傳動(dòng)裝置4包括用作傳動(dòng)裝置4的驅(qū)動(dòng)源的音圈馬達(dá)(VCM)5。SPM3用SPM驅(qū)動(dòng)器6A所供給的驅(qū)動(dòng)電流(SPM電流)來(lái)驅(qū)動(dòng)。VCM5用VCM驅(qū)動(dòng)器6B所供給的驅(qū)動(dòng)電流(VCM電流)來(lái)驅(qū)動(dòng)。在本實(shí)施方案，SPM驅(qū)動(dòng)器6A和VCM驅(qū)動(dòng)器6B通過(guò)由單芯片構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)器IC6來(lái)實(shí)現(xiàn)。
每個(gè)磁頭2-ij連接到磁頭IC(磁頭放大器電路)7。磁頭IC7包括將磁頭2-ij所讀出的讀出信號(hào)放大的讀出放大器以及將寫(xiě)入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成寫(xiě)入電流的寫(xiě)入放大器。磁頭IC7連接到讀出/寫(xiě)入IC(讀出/寫(xiě)入通道)8。讀出/寫(xiě)入IC8是用于執(zhí)行各種信號(hào)處理，例如讀出信號(hào)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換、寫(xiě)入數(shù)據(jù)的編碼、讀出數(shù)據(jù)的解碼等的信號(hào)處理裝置。讀出/寫(xiě)入IC8也從伺服信息中提取柱面碼和突發(fā)數(shù)據(jù)。然后，讀出/寫(xiě)入IC8將所提取的柱面碼和分組數(shù)據(jù)發(fā)送到CPU10。
讀出/寫(xiě)入IC8連接到磁盤(pán)控制器(HDC)9和CPU10。HDC9連接到主機(jī)(主機(jī)系統(tǒng))和CPU10。主機(jī)是使用圖1中所示HDD的數(shù)字裝置，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)。HDC9具有用于控制指令(讀出/寫(xiě)入指令等)的接收，以及主機(jī)與HDC9之間的數(shù)據(jù)傳送的接口控制功能。HDC9也具有用于控制磁盤(pán)1-i和HDC9之間的數(shù)據(jù)傳送的磁盤(pán)控制功能。
CPU10是圖1中所示HDD中的主控制器。CPU10連接到閃速只讀存儲(chǔ)器(FROM)11和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)12。FROM11是非易失性存儲(chǔ)器，由CPU10執(zhí)行的控制程序111預(yù)先存儲(chǔ)于其中。控制程序111包括伺服系統(tǒng)的控制過(guò)程。由CPU10通過(guò)執(zhí)行控制過(guò)程而實(shí)現(xiàn)的控制包括基于讀出/寫(xiě)入通道8所傳送的柱面碼將磁頭2移到目標(biāo)軌道的尋道操作的尋道控制。由CPU10通過(guò)執(zhí)行控制過(guò)程而實(shí)現(xiàn)的控制也包括基于讀出/寫(xiě)入通道8所傳送的突發(fā)數(shù)據(jù)將磁頭2-ij定位于目標(biāo)軌道的目標(biāo)范圍內(nèi)的軌道跟蹤操作的軌道跟蹤控制。FROM11中的存儲(chǔ)區(qū)一部分用作初始值區(qū)112。偏移分量的學(xué)習(xí)值預(yù)先保存于初始值區(qū)112中，作為自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值。偏移分量的學(xué)習(xí)值在圖1中所示HDD的制造過(guò)程中，為每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面上每個(gè)預(yù)先指定的區(qū)而獲得。RAM12中的存儲(chǔ)區(qū)一部分用作當(dāng)圖1中所示HDD激活時(shí)，F(xiàn)ROM11的初始值區(qū)112的內(nèi)容復(fù)制到其上的初始值區(qū)121。初始值區(qū)121的內(nèi)容在HDD的激活過(guò)程中被改變(修正)。保存于初始值區(qū)112和121中的偏移分量學(xué)習(xí)值的描述將隨后給出。
圖2是說(shuō)明由CPU10通過(guò)執(zhí)行控制過(guò)程而實(shí)現(xiàn)的伺服系統(tǒng)的概念的框圖，其中CPU10在圖1中出現(xiàn)。圖2中所示的伺服系統(tǒng)是用于將磁頭2-ij定位于磁盤(pán)1-i上的目標(biāo)位置的磁頭定位控制系統(tǒng)。伺服系統(tǒng)包括反饋控制系統(tǒng)21和學(xué)習(xí)型前饋控制系統(tǒng)22。反饋控制系統(tǒng)21執(zhí)行用于驅(qū)動(dòng)對(duì)象23(在該情況下，傳動(dòng)裝置或VCM5)的控制。反饋控制系統(tǒng)21包括反饋控制器(Fb)211、位置誤差檢測(cè)器212，以及加法器213。前饋控制系統(tǒng)22抑制(壓縮)可能與磁盤(pán)1-i的旋轉(zhuǎn)同步發(fā)生的軌道偏移分量。前饋控制系統(tǒng)22包括偏移檢測(cè)器(Ft)221和前饋控制器(Fw)222。
在反饋控制系統(tǒng)21中，位置誤差檢測(cè)器212檢測(cè)磁盤(pán)1-i上的目標(biāo)位置“r”與磁頭2的位置(磁頭位置)“y”之間的位置誤差“e”。在尋道控制中，目標(biāo)位置“r”是目標(biāo)軌道。在軌道跟蹤控制中，目標(biāo)位置是，例如目標(biāo)軌道的中心線。在軌道跟蹤控制中，目標(biāo)位置“r”和磁頭位置“y”之間的位置誤差“e”由讀出/寫(xiě)入通道8所提取的突發(fā)數(shù)據(jù)(突發(fā)信號(hào))的振幅的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換值來(lái)指示?；谖恢谜`差檢測(cè)器212所檢測(cè)到的位置誤差“e”，反饋控制器211計(jì)算抑制位置誤差“e”所需的第一控制量(反饋值)Ub。
相反地，在前饋控制系統(tǒng)22中，偏移檢測(cè)器221執(zhí)行數(shù)字傅立葉變換(DFT)計(jì)算，以檢測(cè)(計(jì)算)包含于位置誤差“e”中的偏移分量(與磁盤(pán)1-j的旋轉(zhuǎn)同步的偏移分量)。在根據(jù)本實(shí)施方案的HDD中，扇區(qū)伺服型格式應(yīng)用于磁盤(pán)1-i。因此，伺服信息被離散地檢測(cè)。從而，位置誤差“e”在伺服信息被檢測(cè)到時(shí)的每個(gè)采樣時(shí)間處檢測(cè)。這樣，每當(dāng)位置誤差檢測(cè)器212檢測(cè)到位置誤差“e”時(shí)，偏移檢測(cè)器221基于位置誤差“e”和偏移檢測(cè)器221在一次采樣前獲得的檢測(cè)結(jié)果(學(xué)習(xí)值)，來(lái)檢測(cè)(計(jì)算)包含于位置誤差“e”中的偏移分量。換句話說(shuō)，偏移檢測(cè)器221是通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)來(lái)確定包含于位置誤差“e”中的偏移分量的自適應(yīng)學(xué)習(xí)裝置。在該情況下，當(dāng)被確定時(shí)，偏移分量分離成正弦分量和余弦分量。偏移分量的學(xué)習(xí)值的初始值是保存于RAM12的初始值區(qū)121中的學(xué)習(xí)值的一個(gè)，其對(duì)應(yīng)于目標(biāo)位置“r”所屬于的記錄面和區(qū)。
由偏移檢測(cè)器221通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)而檢測(cè)到(計(jì)算)的偏移分量輸出到前饋控制器222。此外，在尋道控制過(guò)程中，偏移檢測(cè)器221停用自適應(yīng)學(xué)習(xí)功能，并且實(shí)際上將偏移分量的初始值(自適應(yīng)學(xué)習(xí)值)輸出到前饋控制器222?；谄茩z測(cè)器221所檢測(cè)到的偏移分量，前饋控制器222計(jì)算抑制偏移分量(也就是，消除包含于位置誤差“e”中的偏移分量)所需的第二控制量(前饋值)Uf。反饋控制系統(tǒng)21的加法器213將前饋控制器222所計(jì)算的控制量Uf加上反饋控制器211所計(jì)算的控制量Ub。反饋控制系統(tǒng)21使用加法器213的加法結(jié)果(Uf+Ub)作為控制對(duì)象23所需的第三控制量。特別地，加法器213用作產(chǎn)生第三控制量(Uf+Ub)的裝置。
如先前所描述的，偏移分量的學(xué)習(xí)值預(yù)先保存于FROM11的初始值區(qū)112上，與在圖1中所示HDD的制造過(guò)程中所獲得的每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面的每個(gè)區(qū)相關(guān)聯(lián)。相反地，在HDD的激活過(guò)程中，F(xiàn)ROM11的初始值區(qū)112的內(nèi)容被復(fù)制到RAM12的初始值區(qū)121上。圖3顯示分配給每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面的區(qū)的實(shí)例。在該情況下，每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面劃分成四個(gè)同心區(qū)Z0到Z3來(lái)管理。圖4顯示初始值區(qū)112(121)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在圖4中所示的實(shí)例中，偏移分量的學(xué)習(xí)值以表格形式保存于初始值區(qū)112(121)中。在圖4中，磁頭號(hào)指示著標(biāo)識(shí)磁盤(pán)1-i的記錄面的標(biāo)識(shí)號(hào)。磁頭號(hào)0，1，2和3分別標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)于磁頭2-00，2-01，2-10和2-11的記錄面。區(qū)號(hào)0，1，2和3分別標(biāo)識(shí)區(qū)Z0，Z1，Z2和Z3。
現(xiàn)在，將給出在圖1中所示HDD的制造過(guò)程中進(jìn)行的偏移分量的學(xué)習(xí)的簡(jiǎn)單描述。在HDD的制造過(guò)程中，HDD響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)的指令而設(shè)置于學(xué)習(xí)偏移分量的模式。然后，CPU10執(zhí)行控制程序111中的控制過(guò)程，以開(kāi)始學(xué)習(xí)偏移分量。特別地，CPU10使用圖2中所示的系統(tǒng)來(lái)開(kāi)始學(xué)習(xí)偏移分量。在該學(xué)習(xí)中，對(duì)于每個(gè)記錄面的每個(gè)區(qū)，CPU10指定區(qū)中的一條幾乎中心的軌道作為目標(biāo)軌道。然后，CPU10使用圖2中所示的系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行將磁頭2-ij移到目標(biāo)軌道的尋道控制，以及將移到目標(biāo)軌道的磁頭2-ij穩(wěn)定于目標(biāo)軌道的目標(biāo)范圍內(nèi)的軌道跟蹤控制。在軌道跟蹤控制中，每當(dāng)位置誤差檢測(cè)器212檢測(cè)到位置誤差“e”，偏移檢測(cè)器221確定包含于位置誤差“e”中的偏移分量。在該情況下，數(shù)字傅立葉變換計(jì)算用來(lái)基于位置誤差“e”和偏移檢測(cè)器221在一次采樣前所獲得的檢測(cè)結(jié)果(學(xué)習(xí)值)，通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)來(lái)檢測(cè)(計(jì)算)偏移分量。更特別地，當(dāng)被確定時(shí)，從第一到第n階(n是大于1的整數(shù))的每階偏移分量被分離成正弦分量和余弦分量。例如，零用作偏移檢測(cè)器221的自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值。然后，在磁頭2-ij穩(wěn)定于目標(biāo)軌道的目標(biāo)范圍內(nèi)時(shí)檢測(cè)到的偏移分量被確定為相應(yīng)記錄面的相應(yīng)區(qū)的偏移分量的學(xué)習(xí)值。如上所述確定的每個(gè)記錄面的每個(gè)區(qū)的學(xué)習(xí)值保存到FROM11的初始值區(qū)112上作為自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值，如圖4中所示。
現(xiàn)在，參考圖5中的流程圖，將給出修正自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值的過(guò)程的描述，該過(guò)程在圖1中所示HDD的激活過(guò)程中執(zhí)行。該過(guò)程其特征在于包括基于自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值的改變來(lái)計(jì)算磁盤(pán)移位量的步驟。首先，在圖1中所示HDD的激活過(guò)程中，CPU10將保存于FROM11的初始值區(qū)112的學(xué)習(xí)值(初始值)復(fù)制到RAM 12的初始值區(qū)121上(步驟S1)。然后，CPU10使用圖2中所示的系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行再學(xué)習(xí)偏移分量的控制(步驟S2)。這里，由特定磁頭號(hào)(例如，磁頭號(hào)0)指定的記錄面上的特定區(qū)Zk(例如，區(qū)Z2)的偏移分量被再學(xué)習(xí)。步驟S2中所執(zhí)行的控制的細(xì)節(jié)如下。
首先，CPU10執(zhí)行將磁頭2-ij移到作為目標(biāo)軌道的特定軌道TRs的尋道操作的控制(尋道控制)(步驟S2a)。特別地，為了再學(xué)習(xí)軌道TRs的偏移分量，CPU10執(zhí)行將磁頭2-ij(在該情況下，磁頭2-00)移到軌道TRs的尋道控制。軌道TRs屬于由特定磁頭號(hào)指定的記錄面上的區(qū)Zk。軌道TRs優(yōu)選地在HDD的制造過(guò)程中用來(lái)學(xué)習(xí)特定磁頭號(hào)所指定的記錄面上的區(qū)Zk的偏移分量。
當(dāng)磁頭2-ij移到軌道TRs時(shí)，CPU10使用圖2中所示的系統(tǒng)來(lái)開(kāi)始將磁頭2-ij穩(wěn)定于軌道TRs的預(yù)選確定范圍內(nèi)的軌道跟蹤控制(步驟S2b)。在軌道跟蹤控制中，位置誤差檢測(cè)器212在每個(gè)采樣時(shí)間處檢測(cè)位置誤差“e”。每當(dāng)位置誤差檢測(cè)器212檢測(cè)到位置誤差“e”，偏移檢測(cè)器221通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)來(lái)檢測(cè)包含于位置誤差“e”中的偏移分量。特別地，偏移檢測(cè)器221基于位置誤差“e”和偏移檢測(cè)器221在一次采樣前獲得的檢測(cè)結(jié)果(學(xué)習(xí)值)來(lái)檢測(cè)包含于位置誤差“e”中的偏移分量。在該情況下，自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值是保存于(復(fù)制到)RAM12的初始值區(qū)121中的學(xué)習(xí)值的一個(gè)，其對(duì)應(yīng)于特定記錄面上的區(qū)Zk。特定記錄面由特定磁頭號(hào)來(lái)指定。
基于偏移檢測(cè)器221所檢測(cè)到的偏移分量，前饋控制器222計(jì)算抑制偏移分量所需的控制量Uf。相反地，基于位置誤差檢測(cè)器212所檢測(cè)到的位置誤差“e”，反饋控制器211計(jì)算抑制位置誤差“e”所需的控制量Ub。加法器213將控制量Uf和Ub加起來(lái)。加法器213的加法結(jié)果(Uf+Ub)用作控制對(duì)象23所需的控制量(第三控制量)。在該情況下，CPU10為驅(qū)動(dòng)器IC6的VCM驅(qū)動(dòng)器6B提供控制量，即加法器213的加法結(jié)果。VCM驅(qū)動(dòng)器6B通過(guò)為VCM5供給對(duì)應(yīng)于CPU10所提供的控制量的VCM電流來(lái)驅(qū)動(dòng)VCM5。這樣，軌道跟蹤控制(步驟S2b)被執(zhí)行，以將磁頭2-ij穩(wěn)定于軌道TRs的目標(biāo)范圍內(nèi)。
CPU10通過(guò)軌道跟蹤控制來(lái)確定位置誤差“e”是否已收斂于指定范圍內(nèi)(步驟S2c)。如果位置誤差“e”不處于指定范圍內(nèi)，CPU10繼續(xù)軌道跟蹤控制(步驟S2b)。相反地，如果位置誤差“e”處于指定范圍內(nèi)，CPU10確定磁頭2-ij已穩(wěn)定于軌道TRs的目標(biāo)范圍內(nèi)。在該情況下，CPU10確定偏移分量已完全被再學(xué)習(xí)。CPU10也把偏移檢測(cè)器221當(dāng)前所檢測(cè)到偏移分量確定為偏移分量的再學(xué)習(xí)值(步驟S2d)。
在本實(shí)施方案中，偏移檢測(cè)器221執(zhí)行數(shù)字傅立葉變換轉(zhuǎn)換，以確定從第一到第n階的每階的偏移分量(學(xué)習(xí)值)。更特別地，當(dāng)被確定時(shí)，每階的偏移分量分離成正弦分量和余弦分量。一般地，磁盤(pán)移位出現(xiàn)在第一階分量中。相反地，偏移檢測(cè)器221所檢測(cè)到的偏移分量(也就是，自適應(yīng)學(xué)習(xí)的學(xué)習(xí)值)對(duì)應(yīng)于不顧反饋控制器211所執(zhí)行的反饋控制而仍然存在的位置誤差。反饋控制被執(zhí)行，以抑制目標(biāo)位置“r”與磁頭位置“y”之間的位置誤差“e”。因此，當(dāng)偏移分量的再學(xué)習(xí)值在步驟S2d中被確定時(shí)，再學(xué)習(xí)值(也就是，剩余位置誤差)可以用來(lái)估計(jì)實(shí)際目標(biāo)位置的軌道。特別地，實(shí)際目標(biāo)位置的軌道可以通過(guò)將再學(xué)習(xí)值乘以當(dāng)位置誤差通過(guò)反饋控制器211所執(zhí)行的反饋控制來(lái)抑制時(shí)使用的抑制率的倒數(shù)來(lái)估計(jì)。軌道表示磁盤(pán)1-i的偏移本身。因此，CPU10可以通過(guò)檢測(cè)軌道的改變來(lái)確定磁盤(pán)移位量已經(jīng)改變。
磁盤(pán)1-i的中心O1離SPM3的旋轉(zhuǎn)中心(旋轉(zhuǎn)軸)O的當(dāng)前移位稱作磁盤(pán)移位量ds1。SPM3的旋轉(zhuǎn)中心O是如果磁盤(pán)1-i的中心O1的移位被考慮時(shí)所使用的絕對(duì)中心。磁盤(pán)移位量ds1可以基于步驟S2d中所確定的偏移分量的再學(xué)習(xí)值的第一階分量(第一階正弦和余弦分量)來(lái)計(jì)算。特別地，磁盤(pán)移位量ds1可以根據(jù)下面所示的方程來(lái)計(jì)算，假設(shè)再學(xué)習(xí)值的第一階正弦和余弦分量分別由ksin1和kcos1來(lái)表示。
ds1＝α{(ksin1)2+(kcos1)2}1/2(1)在該情況下，α表示反映抑制率的比例系數(shù)。
接著，磁盤(pán)1-i的中心O0離SPM3的旋轉(zhuǎn)中心O的移位，該移位可能在HDD的制造過(guò)程中發(fā)生，被稱作磁盤(pán)移位量ds0。磁盤(pán)移位量ds0可以基于在HDD的制造過(guò)程中獲得的并對(duì)應(yīng)于再學(xué)習(xí)值的學(xué)習(xí)值(原始學(xué)習(xí)值)的第一階分量(第一階正弦和余弦分量)來(lái)計(jì)算。在HDD的制造過(guò)程中獲得的學(xué)習(xí)值保存到FROM11的初始值區(qū)112上。特別地，磁盤(pán)移位量ds0可以根據(jù)下面所示的方程來(lái)計(jì)算，假設(shè)在HDD的制造過(guò)程中獲得的學(xué)習(xí)值的第一階正弦和余弦分量分別由ksin0和kcos0來(lái)表示。
ds0＝α{(ksin0)2+(kcos0)2}1/2(2)HDD的產(chǎn)品規(guī)格包括抗沖擊性。HDD的抗沖擊性的規(guī)定值(允許級(jí)別)Gs一般地設(shè)置為大約幾百伽。這里，假設(shè)HDD受到基本上超過(guò)允許級(jí)Gs的沖擊，例如當(dāng)?shù)袈鋾r(shí)。在這種情況下，旋擰上SPM3的中軸的每個(gè)磁盤(pán)1-i的一部分可能變松。因此，磁盤(pán)1-i的中心可能移離SPM3的旋轉(zhuǎn)中心。CPU10可以通過(guò)將磁盤(pán)移位量ds1和ds0彼此比較來(lái)確定移位的程度。也就是，通過(guò)將磁盤(pán)移位量ds1和ds0彼此比較，CPU10可以確定磁盤(pán)偏移的狀態(tài)已因在HDD的制造之后從外部產(chǎn)生的過(guò)分沖擊而改變。
因此，CPU10計(jì)算從HDD的制造過(guò)程中所設(shè)置的磁盤(pán)1-i的中心O0到磁盤(pán)1-i的當(dāng)前中心O1的移位，也就是，從HDD制造時(shí)到現(xiàn)時(shí)的磁盤(pán)移位量d(步驟S3)。磁盤(pán)移位量d可以基于再學(xué)習(xí)值ksin1和kcos1以及在HDD的制造過(guò)程中獲得的學(xué)習(xí)值ksin0和kcos0來(lái)計(jì)算。這里，磁盤(pán)移位量d如下計(jì)算d＝α{(ksin1-ksin0)2+(ksin1-kcos0)2}1/2(3)在方程(3)中，d可以通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)摩林祦?lái)轉(zhuǎn)換成實(shí)際距離(μm)。
圖6顯示與磁盤(pán)移位量ds0，ds1和d相關(guān)聯(lián)的上述磁盤(pán)移位的概念。在磁盤(pán)移位量和施加于HDD上的外部沖擊的級(jí)別(沖擊級(jí))之間存在修正。通過(guò)在大量HDD中預(yù)先測(cè)量這種修正，有可能獲得沖擊級(jí)-磁盤(pán)移位量特性曲線，例如圖7中所示的曲線。該特性曲線可以用來(lái)從磁盤(pán)移位量估計(jì)施加于HDD上的沖擊的幅度。因此，在本實(shí)施方案中，F(xiàn)ROM11的存儲(chǔ)區(qū)的一部分用作磁盤(pán)-移位特性區(qū)113(參見(jiàn)圖1)。磁盤(pán)移位特性信息預(yù)先保存于區(qū)113上。磁盤(pán)移位特性信息表示圖7中所示的沖擊級(jí)和磁盤(pán)移位量之間的關(guān)系。在該情況下，磁盤(pán)移位量的上限是磁盤(pán)1-i的內(nèi)徑和中軸的外徑之間的差。
假設(shè)CPU10已根據(jù)方程(3)來(lái)計(jì)算磁盤(pán)移位量d(步驟S3)。然后，CPU10估計(jì)已造成磁盤(pán)移位量d的磁盤(pán)移位的沖擊的級(jí)別(沖擊級(jí))G(步驟S4)。沖擊級(jí)G基于保存于FROM11的磁盤(pán)-移位特性區(qū)113上的磁盤(pán)移位特性信息所指示的磁盤(pán)移位特性曲線以及在步驟S3中計(jì)算的磁盤(pán)移位量d來(lái)估計(jì)。CPU10將所估計(jì)的沖擊級(jí)G與抗沖擊性的允許級(jí)Gs相比較。因此，CPU10確定HDD是否在非活動(dòng)時(shí)已受到超過(guò)值Gs的沖擊(步驟S5)。當(dāng)HDD受到級(jí)別Gs的沖擊時(shí)所獲得的磁盤(pán)移位量定義為dds。那么，磁盤(pán)移位量dds可以從圖7中所示的特性曲線來(lái)預(yù)測(cè)。因此，有可能將指示磁盤(pán)移位量dds的信息保存于例如FROM11中，并且檢查在步驟S3中計(jì)算的磁盤(pán)移位量d是否大于信息所指示的磁盤(pán)移位dds。這使得如果d＞dds，可以確定(估計(jì))HDD已受到超過(guò)允許級(jí)別Gs的沖擊。
如果HDD被估計(jì)已受到超過(guò)抗沖擊性的允許級(jí)別Gs的過(guò)分沖擊，那么HDD的可靠性不能保證。在該情況下，CPU10通過(guò)主機(jī)向主機(jī)的用戶(維護(hù)人員)報(bào)告HDD已受到過(guò)分沖擊(步驟S6)。這樣，用戶可以通過(guò)，例如執(zhí)行把保存于HDD的數(shù)據(jù)備份的操作來(lái)處理事態(tài)。此外，即使基本上超過(guò)值dds的磁盤(pán)移位顯著地增加激活HDD所需的時(shí)間，用戶可以立即確定異常狀態(tài)的原因。同樣地，即使基本上超過(guò)值dds的磁盤(pán)移位導(dǎo)致數(shù)據(jù)不能正常地從HDD讀出或備份的異常狀態(tài)，用戶可以立即確定異常狀態(tài)的原因。如果HDD在運(yùn)行時(shí)受到外部沖擊，那么例如，沖擊傳感器可以檢測(cè)到該沖擊。
然后，基于在步驟S2d中確定的偏移分量的再學(xué)習(xí)值和再學(xué)習(xí)之前所使用的原始學(xué)習(xí)值(也就是，在HDD的制造過(guò)程中獲得的學(xué)習(xí)值)，CPU10修正在HDD的制造過(guò)程中獲得的并保存于(復(fù)制到)RAM12的初始值區(qū)121的所有學(xué)習(xí)值(步驟S7)。該修正可以通過(guò)，例如將再學(xué)習(xí)值與原始值之間的差加上在HDD的制造過(guò)程中獲得的每個(gè)學(xué)習(xí)值來(lái)實(shí)現(xiàn)。可選地，在HDD的制造過(guò)程中獲得的每個(gè)學(xué)習(xí)值可以通過(guò)確定從原始學(xué)習(xí)值到再學(xué)習(xí)值的改變率并將在HDD的制造過(guò)程中獲得的每個(gè)學(xué)習(xí)值乘以該改變率來(lái)修正。
上面實(shí)施方案應(yīng)用其中偏移分量的再學(xué)習(xí)為特定磁盤(pán)的特定記錄面而設(shè)計(jì)的配置。但是，偏移分量可以為每個(gè)磁盤(pán)1-i(或每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面)而再學(xué)習(xí)。在該情況下，在HDD的制造過(guò)程中獲得的每個(gè)學(xué)習(xí)值可以使用相應(yīng)的再學(xué)習(xí)值為每個(gè)磁盤(pán)1-i(或每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面)而修正。這使得總是可能將用作自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值的偏移分量的學(xué)習(xí)值修正成最優(yōu)值，即使偏移分量的時(shí)間變化在每個(gè)磁盤(pán)1-i(或每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面)中不同。在該情況下，磁盤(pán)移位量d可以為每個(gè)磁盤(pán)1-i(或每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面)而計(jì)算。因此，可以使用所計(jì)算的磁盤(pán)移位量中具有最大值的一個(gè)，來(lái)確定HDD是否已受到超過(guò)級(jí)別Gs的沖擊。從而，即使磁盤(pán)移位量在每個(gè)磁盤(pán)1-i(或每個(gè)磁盤(pán)1-i的每個(gè)記錄面)中不同，假若磁盤(pán)移位量的至少一個(gè)超過(guò)值dds，可以向用戶給予警報(bào)。CPU10也可以在下面情況下向用戶給予警報(bào)CPU10為所計(jì)算的每個(gè)磁盤(pán)移位量d確定HDD是否已受到超過(guò)級(jí)別Gs的沖擊，以及HDD已受到超過(guò)級(jí)別Gs的沖擊的磁盤(pán)移位量的個(gè)數(shù)是否大于預(yù)先指定的值。此外，在上面實(shí)施方案中，本發(fā)明應(yīng)用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)。但是，本發(fā)明可應(yīng)用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器以外的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，例如磁光磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，只要磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行尋道控制和軌道跟蹤控制。
另外的優(yōu)點(diǎn)和修改將容易被本領(lǐng)域技術(shù)人員想到。因此，本發(fā)明在其更廣泛方面并不局限于在這里所顯示和描述的特定細(xì)節(jié)和典型實(shí)施方案。因此，可以不背離由權(quán)利要求書(shū)及其等價(jià)物定義的一般發(fā)明概念的本質(zhì)或范圍而做各種修改。
權(quán)利要求
1.一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，用于執(zhí)行將磁頭移到通過(guò)主軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)上的目標(biāo)位置的尋道控制、以及將磁頭穩(wěn)定于目標(biāo)位置的目標(biāo)范圍內(nèi)的軌道跟蹤控制，該磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的特征在于包括位置誤差檢測(cè)器，其配置來(lái)檢測(cè)磁頭的位置和目標(biāo)位置之間的位置誤差；自適應(yīng)學(xué)習(xí)裝置，其配置來(lái)通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)獲得當(dāng)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)可能發(fā)生的磁盤(pán)偏移的偏移分量，其中偏移分量包含于所檢測(cè)到的位置誤差中；非易失性存儲(chǔ)裝置，在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造過(guò)程中由自適應(yīng)學(xué)習(xí)裝置通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)獲得的移位分量的學(xué)習(xí)值預(yù)先保存于其中；主控制器，其控制通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)裝置的偏移分量的再學(xué)習(xí)，以在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的激活過(guò)程中獲得偏移分量的再學(xué)習(xí)值，其中保存于非易失性存儲(chǔ)裝置上的偏移分量的學(xué)習(xí)值在偏移分量的再學(xué)習(xí)過(guò)程中用作自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值；以及計(jì)算裝置，其配置來(lái)基于再學(xué)習(xí)值和對(duì)應(yīng)于再學(xué)習(xí)值的原始學(xué)習(xí)值來(lái)計(jì)算磁盤(pán)移位量，其中磁盤(pán)移位量表示磁盤(pán)的中心離主軸馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)中心以及離磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器制造過(guò)程中所設(shè)置的磁盤(pán)中心的移位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于還包括沖擊估計(jì)裝置，其配置來(lái)基于計(jì)算裝置所計(jì)算的磁盤(pán)移位量，估計(jì)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器是否已受到超過(guò)在抗沖擊性的產(chǎn)品規(guī)格中定義的允許級(jí)別的沖擊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于指示施加到磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上的沖擊的級(jí)別與磁盤(pán)移位量之間的關(guān)系的特性信息預(yù)先保存于非易失性存儲(chǔ)裝置上；以及沖擊估計(jì)裝置包括沖擊級(jí)估計(jì)裝置，其配置來(lái)基于計(jì)算裝置所計(jì)算的磁盤(pán)移位量和特性信息，來(lái)估計(jì)引起所計(jì)算磁盤(pán)移位量的磁盤(pán)移位的沖擊級(jí)；以及確定裝置，其配置來(lái)確定沖擊級(jí)估計(jì)裝置所估計(jì)的沖擊級(jí)是否超過(guò)允許級(jí)別。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于指示著為磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器受到等于允許級(jí)別的沖擊的情況而預(yù)測(cè)的磁盤(pán)移位量的信息被預(yù)先保存于非易失性存儲(chǔ)裝置上；以及基于計(jì)算裝置所計(jì)算的磁盤(pán)移位量和保存于非易失性存儲(chǔ)裝置上并指示磁盤(pán)移位量的信息，沖擊估計(jì)裝置估計(jì)引起所計(jì)算磁盤(pán)移位量的磁盤(pán)移位的沖擊級(jí)是否超過(guò)允許級(jí)別。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于還包括報(bào)告裝置，其配置來(lái)向使用磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的主機(jī)報(bào)告沖擊估計(jì)裝置已估計(jì)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已受到超過(guò)允許級(jí)別的沖擊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于學(xué)習(xí)值包含分離成正弦分量和余弦分量的偏移分量的第一階分量；以及假設(shè)再學(xué)習(xí)值的第一階正弦分量和余弦分量分別由ksin1和kcos1來(lái)定義，以及原始學(xué)習(xí)值的第一階正弦分量和余弦分量分別由ksin0和kcos0來(lái)定義，并且α是比例系數(shù)，計(jì)算裝置根據(jù)下面方程來(lái)計(jì)算磁盤(pán)移位量d＝α((ksin1-ksin0)2+(kcos1-kcos0)2)1/2
7.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于還包括反饋控制器，其配置來(lái)計(jì)算抑制位置誤差所需的第一控制量；前饋控制器，其配置來(lái)計(jì)算抑制自適應(yīng)學(xué)習(xí)裝置所獲得的移位分量所需的第二控制量；以及產(chǎn)生裝置，其配置來(lái)基于第一和第二控制量產(chǎn)生使磁頭穩(wěn)定于目標(biāo)位置的目標(biāo)范圍內(nèi)所需的第三控制量。
8.一種供磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器使用用于計(jì)算磁盤(pán)移位量的方法，其中磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行將磁頭移到通過(guò)主軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)上的目標(biāo)位置的尋道控制、以及將磁頭穩(wěn)定于目標(biāo)位置的目標(biāo)范圍內(nèi)的軌道跟蹤控制，該方法的特征在于包括在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的激活過(guò)程中將磁頭移到磁盤(pán)上的預(yù)先指定的目標(biāo)位置；以有規(guī)律的采樣間隔執(zhí)行將移到目標(biāo)位置的磁頭穩(wěn)定于目標(biāo)位置的目標(biāo)范圍內(nèi)的軌道跟蹤控制；在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的激活過(guò)程中所執(zhí)行的軌道跟蹤控制的時(shí)間里，在每個(gè)采樣時(shí)間處，通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)，來(lái)獲得當(dāng)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)可能發(fā)生的磁盤(pán)移位的移位分量，其中移位分量包含于在每次采樣時(shí)間處檢測(cè)到的磁頭位置和目標(biāo)位置之間的位置誤差中，自適應(yīng)學(xué)習(xí)的初始值是在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造過(guò)程中通過(guò)自適應(yīng)學(xué)習(xí)獲得的并預(yù)先保存于非易失性存儲(chǔ)裝置上的偏移分量的學(xué)習(xí)值；如果在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的激活過(guò)程中所執(zhí)行的軌道跟蹤控制中，位置誤差收斂于預(yù)先指定的范圍內(nèi)，那么將當(dāng)前所獲得的偏移分量確定為再學(xué)習(xí)值；以及基于再學(xué)習(xí)值和對(duì)應(yīng)于再學(xué)習(xí)值的原始學(xué)習(xí)值，來(lái)計(jì)算表示磁盤(pán)的中心離主軸馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)中心和離磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造過(guò)程中所設(shè)置的磁盤(pán)中心的位移的磁盤(pán)移位量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于還包括，基于所計(jì)算的磁盤(pán)移位量，來(lái)估計(jì)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器是否已受到超過(guò)在抗沖擊性的產(chǎn)品規(guī)格中所定義的允許級(jí)別的沖擊。
全文摘要
主控制器，例如CPU(10)，使移位檢測(cè)器(221)把磁盤(pán)(1－0，1－1)旋轉(zhuǎn)時(shí)可能發(fā)生的磁盤(pán)移位的移位分量的學(xué)習(xí)值用作初始值，來(lái)再學(xué)習(xí)移位分量(S2)，其中學(xué)習(xí)值在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造過(guò)程中獲得。用作初始值的偏移分量的學(xué)習(xí)值保存于非易失性存儲(chǔ)裝置(11)上。主控制器基于通過(guò)再學(xué)習(xí)獲得的移位分量(也就是，再學(xué)習(xí)值)和在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制造過(guò)程中獲得的并用作初始值的學(xué)習(xí)值來(lái)計(jì)算磁盤(pán)移位分量(S3)。
文檔編號(hào)G11B21/10GK1629969SQ20041008210
公開(kāi)日2005年6月22日 申請(qǐng)日期2004年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月15日
發(fā)明者柴田聰 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝