專利名稱：含有多個(gè)糾錯(cuò)碼率的全息只讀存儲(chǔ)光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種全息只讀存儲(chǔ)(ROM)光盤；尤其是涉及一種含有多個(gè)糾錯(cuò)碼率的無(wú)外殼型(bare type)全息ROM光盤。
背景技術(shù)：
由于對(duì)可存儲(chǔ)例如電影膠片等大容量數(shù)據(jù)的光學(xué)存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求增大，最近已經(jīng)研制出一種全息只讀存儲(chǔ)(ROM)系統(tǒng)，例如內(nèi)含全息ROM光盤的全息數(shù)字化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，用于實(shí)現(xiàn)高密度的光學(xué)存儲(chǔ)容量。
在全息ROM系統(tǒng)中，干涉圖記錄在不帶盤盒的無(wú)外殼型全息ROM光盤上。具體地，參考光束和用數(shù)據(jù)調(diào)制的調(diào)制信號(hào)光束照射在全息ROM光盤上，使兩者的干涉圖記錄在全息ROM光盤上。然后，用波長(zhǎng)等于參考光束波長(zhǎng)的再現(xiàn)參考光束照射在全息ROM光盤內(nèi)的干涉圖上，從而再現(xiàn)其中記錄的數(shù)據(jù)。
可是，當(dāng)使用者在全息ROM系統(tǒng)上安裝無(wú)外殼型全息ROM光盤或者觸摸無(wú)外殼型全息ROM光盤時(shí)，無(wú)外殼型全息ROM光盤很可能容易被某些東西所沾污，例如使用者的指紋。特別是，徑向外部表面比徑向內(nèi)部表面更容易被例如使用者的指紋等污染物所沾污。
為了防止數(shù)據(jù)再現(xiàn)可靠性降低，在全息ROM系統(tǒng)上使用糾錯(cuò)碼(ECC)來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
參照

圖1，將描述常規(guī)的ECC結(jié)構(gòu)。
一般地，在一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)符中添加一個(gè)或多個(gè)奇偶校驗(yàn)符，使得由數(shù)據(jù)符和奇偶校驗(yàn)符組成的代碼字(codeword)符可以用于調(diào)制信號(hào)光束，并作為調(diào)制信號(hào)光束存儲(chǔ)在全息ROM光盤上。經(jīng)過(guò)對(duì)調(diào)制信號(hào)光束的再現(xiàn)處理，從全息ROM光盤上恢復(fù)具有數(shù)據(jù)符和奇偶校驗(yàn)符的代碼字符，然后，通過(guò)處理奇偶校驗(yàn)符可校正數(shù)據(jù)符中的任何錯(cuò)誤。
一般用里德-索羅蒙(RS)碼作為常規(guī)的糾錯(cuò)碼。如圖1所示，n個(gè)代碼字符包括k個(gè)數(shù)據(jù)符和T個(gè)奇偶校驗(yàn)符。代碼比率k/n定義為數(shù)據(jù)符的位數(shù)與代碼字符的位數(shù)之比k/n，而糾錯(cuò)能力定義如下t=T2=n-k2]]>其中，通常每個(gè)符號(hào)為8位。
例如，當(dāng)利用由含有223個(gè)數(shù)據(jù)符的255個(gè)代碼字符組成的RS(255，223)碼時(shí)，計(jì)算出糾錯(cuò)能力為16個(gè)符號(hào)，即16個(gè)字節(jié)。
可是，不管是對(duì)于徑向內(nèi)部表面還是徑向外部表面，上述常規(guī)糾錯(cuò)碼的結(jié)構(gòu)相同。
盡管徑向外部表面的沾污程度與徑向內(nèi)部表面的沾污程度不同，例如徑向外部表面的沾污程度大于徑向內(nèi)部表面的沾污程度，但在常規(guī)全息ROM光盤中，在徑向內(nèi)部表面和徑向外部表面兩者上采用相同的糾錯(cuò)碼。因此，由于徑向外部表面與使用者手指接觸的頻率大于徑向內(nèi)部表面，使得徑向外部表面上糾錯(cuò)能力超過(guò)預(yù)定程度，所以數(shù)據(jù)再現(xiàn)的可靠性迅速降低，并且，此外，已存儲(chǔ)數(shù)據(jù)有可能無(wú)法再現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種全息ROM光盤，其具有根據(jù)沾污程度的多個(gè)糾錯(cuò)碼率，從而提高數(shù)據(jù)再現(xiàn)效率。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，提供的全息ROM光盤包括根據(jù)其沾污程度劃分而成的N塊存儲(chǔ)部分，N是大于1的正整數(shù)，其中N塊存儲(chǔ)部分中每一塊的糾錯(cuò)能力取決于其沾污程度。
附圖簡(jiǎn)述通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行的描述，本發(fā)明的上述和其他特征、目的將變得更加清楚，其中圖1示出無(wú)外殼型全息ROM光盤的常規(guī)糾錯(cuò)碼結(jié)構(gòu)；
圖2表示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的無(wú)外殼型全息ROM光盤的結(jié)構(gòu)頂視圖；和圖3表示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的糾錯(cuò)碼結(jié)構(gòu)。
發(fā)明詳述下面將參考附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，其中附圖中相同附圖標(biāo)記代表相同部件。
如圖2所示，假定將無(wú)外殼型全息ROM光盤分成兩塊，即靠近光盤中心的徑向內(nèi)部表面A和遠(yuǎn)離光盤中心的徑向外部表面B。一般說(shuō)來(lái)，由于徑向外部表面B更容易接觸諸如指紋等污染物，所以光盤上的沾污程度可能與到光盤中心的距離成正比增加。由于很少被指紋沾污，因此徑向內(nèi)部表面A具有相對(duì)較低的沾污程度，所以可以采用具有較大碼率和較小奇偶校驗(yàn)的第一糾錯(cuò)碼在徑向內(nèi)部表面A上記錄數(shù)據(jù)。相反，由于被指紋沾污的更多，徑向外部表面B具有相對(duì)較高的沾污程度，所以采用具有較小碼率和較大奇偶校驗(yàn)的第二糾錯(cuò)碼在徑向外部表面B上記錄數(shù)據(jù)，因此提高數(shù)據(jù)的再現(xiàn)效率。
參考圖3，示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的糾錯(cuò)碼結(jié)構(gòu)。在徑向外部表面B上使用具有n個(gè)代碼字符的第二糾錯(cuò)碼的情況下，代碼字符中有k2個(gè)數(shù)據(jù)符和T2個(gè)奇偶校驗(yàn)符，將T2個(gè)奇偶校驗(yàn)符增多則k2個(gè)數(shù)據(jù)符減少，以使碼率k2/n降低而糾錯(cuò)能力 提高。
相反，在徑向內(nèi)部表面A上使用具有n個(gè)代碼字符的第一糾錯(cuò)碼的情況下，代碼字符中有k1個(gè)數(shù)據(jù)符和T1個(gè)奇偶校驗(yàn)符，T1個(gè)奇偶校驗(yàn)符減少則k1個(gè)數(shù)據(jù)符增多，所以碼率k1/n提高而糾錯(cuò)能力 降低。
簡(jiǎn)言之，用于徑向外部表面B的T2個(gè)奇偶校驗(yàn)符的位數(shù)大于用于徑向內(nèi)部表面A的T1個(gè)奇偶校驗(yàn)符的位數(shù)，但是用于徑向外部表面B的k2個(gè)數(shù)據(jù)符位數(shù)小于用于徑向內(nèi)部表面A的k1個(gè)數(shù)據(jù)符的位數(shù)。在無(wú)外殼型全息ROM光盤上采用具有多個(gè)糾錯(cuò)碼率的糾錯(cuò)碼，以使在徑向內(nèi)部表面A，即沾污較少的表面，以及在徑向外部表面B，即沾污較多的表面，一并得到較高的數(shù)據(jù)再現(xiàn)可靠性。
通常地，可根據(jù)被沾污的沾污程度將全息ROM光盤的存儲(chǔ)表面劃分成N塊存儲(chǔ)部分。在N塊存儲(chǔ)部分中具有最高沾污程度的部分采用具有最小碼率和最大奇偶校驗(yàn)位數(shù)的糾錯(cuò)碼來(lái)記錄。隨著沾污程度降低，可以采用另一個(gè)糾錯(cuò)碼，其中碼率以預(yù)定差值增大而奇偶校驗(yàn)位數(shù)以預(yù)定差值減小。
這里，將里德-索羅蒙碼作為糾錯(cuò)碼，但是任何糾錯(cuò)碼都可應(yīng)用于本發(fā)明中。
盡管在優(yōu)選實(shí)施例中，應(yīng)用于徑向內(nèi)部表面A的代碼字符位數(shù)與應(yīng)用于徑向外部表面B的代碼字符位數(shù)是相等的，但這并不局限于此。應(yīng)用于徑向內(nèi)部表面A的代碼字符位數(shù)與應(yīng)用于徑向外部表面B的代碼字符位數(shù)可以不相等。在這種情況下，全息ROM光盤的存儲(chǔ)表面中奇偶校驗(yàn)符與數(shù)據(jù)符的比率取決于該存儲(chǔ)表面的沾污程度。換句話說(shuō)，為了提高數(shù)據(jù)再現(xiàn)效率，存儲(chǔ)表面沾污越多，使用的奇偶校驗(yàn)符與數(shù)據(jù)符的比率越高。
盡管已經(jīng)通過(guò)優(yōu)選實(shí)施例對(duì)發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明和描述，但是應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離如所附權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明的精神和范圍下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種全息ROM光盤，包括根據(jù)其沾污程度而劃分成N塊的存儲(chǔ)部分，N是大于1的正整數(shù)，其中所述N塊存儲(chǔ)部分中每一塊的糾錯(cuò)能力取決于其受沾污程度。
2.如權(quán)利要求1所述的全息ROM光盤，其中所述糾錯(cuò)能力與所述N塊存儲(chǔ)部分中每一塊的沾污程度基本上成正比。
3.如權(quán)利要求2所述的全息ROM光盤，其中徑向外部存儲(chǔ)部分的沾污程度大于徑向內(nèi)部存儲(chǔ)部分的沾污程度，所以徑向外部存儲(chǔ)部分的糾錯(cuò)能力大于徑向內(nèi)部存儲(chǔ)部分的糾錯(cuò)能力。
4.如權(quán)利要求3所述的全息ROM光盤，其中N為2。
5.如權(quán)利要求4所述的全息ROM光盤，其中將里德-索羅蒙碼用作具有糾錯(cuò)能力的糾錯(cuò)碼。
全文摘要
一種無(wú)外殼型全息ROM光盤很容易被使用者的指紋所沾污。具體地，光盤的徑向外部表面比徑向內(nèi)部表面具有更高的沾污程度，受到的沾污更多。通過(guò)在徑向外部表面上采用具有較強(qiáng)奇偶校驗(yàn)的糾錯(cuò)碼，可以提高徑向外部表面上的糾錯(cuò)能力。
文檔編號(hào)G11B7/0065GK1609972SQ200410061919
公開(kāi)日2005年4月27日 申請(qǐng)日期2004年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月22日
發(fā)明者樸柱研 申請(qǐng)人:株式會(huì)社大宇電子