專利名稱：磁盤基板和光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁盤基板和光盤，特別是信息信號(hào)部和透光層被依次設(shè)置在磁盤基板上，通過從設(shè)置有透光層一側(cè)照射激光，適用于進(jìn)行信息信號(hào)的記錄以及/或再生的光盤。
背景技術(shù)：
近年來，使存儲(chǔ)介質(zhì)(Recording media)的存儲(chǔ)容量進(jìn)一步大容量化被盼望已久。因此，以下的研究非常盛行，即現(xiàn)在最為廣泛普及的存儲(chǔ)介質(zhì)之一的光盤通過使記錄密度進(jìn)行高密度化、使記錄容量進(jìn)一步大容量化。
例如，即作為實(shí)現(xiàn)使記錄密度高密度化的方法之一提出有以下方法，即通過使用于信息信號(hào)的記錄以及/或再生的激光短波長化的同時(shí)、加大物鏡的數(shù)值孔徑NA(Numerical Aperture)來縮小電子束光點(diǎn)直徑。
例如，在CD(Compact Disc)的光學(xué)系統(tǒng)中，具有輸出波長為780nm或830nm的激光的半導(dǎo)體激光和NA為0.45的物鏡，相反，在近年來廣泛普及的DVD(Digital Versatile Disc)的光學(xué)系統(tǒng)中，具有輸出波長為660nm的激光的半導(dǎo)體激光和NA為0.6的物鏡。通過具有這樣的光學(xué)系統(tǒng)，DVD可以達(dá)到CD的大約8倍的記錄容量。
但是，隨著推進(jìn)這樣的物鏡的高NA化，產(chǎn)生了以下問題，即由于磁盤的斜度產(chǎn)生的光的像差增大，磁盤面的斜度(傾斜)對于拾波器的光軸的容許量減小。為了解決該問題，提出了將透過激光的基板的厚度變薄的方案。例如，與在CD上使用1.2mm厚度的基板相反，在DVD上使用0.6mm厚度的基板。
今后，對于光盤，考慮到存儲(chǔ)HD(High Definition)等的畫面，DVD程度的存儲(chǔ)容量是不夠的。因此，要求將用于信息信號(hào)的記錄以及/或再生的激光進(jìn)一步短波長化、物鏡更加高NA化以及基板更加薄型化。
在此，提出有以下方案，即在形成在基板上的信息信號(hào)部上形成具有0.1mm厚度的透光層，通過具有0.85NA的物鏡、從該透光層側(cè)向信息信號(hào)部照射波長為405nm的激光來進(jìn)行信息信號(hào)的記錄以及/或再生的下一代光盤。這樣，由于下一代光盤具有不是從基板側(cè)而是從透光層側(cè)入射激光的構(gòu)成，因此盡管是0.85這樣高的NA，也可以充分增加傾斜的容許量。
在制造該下一代光盤時(shí)，要求將彎曲和偏心抑制到比現(xiàn)有的光盤更小。因此，在制造下一代光盤時(shí)，為了保證最終產(chǎn)品的機(jī)械特性，重要的是在制造工序中的早期階段對于剛成型的透明基板進(jìn)行機(jī)械特性的測定，進(jìn)行早期反饋。
作為現(xiàn)有的測定光盤的斜度或偏心等的機(jī)械特性的方法，提出有光學(xué)測頭法等的測定方法(例如，參照特開平3-120640號(hào)公報(bào))。
在使用光學(xué)測頭法進(jìn)行機(jī)械特性測定的裝置中，需要具備拾波器，該拾波器對應(yīng)測定機(jī)械特性的光盤的格式即基板或透光層的厚度以及磁道間距的大小。這是由于使用光學(xué)測頭法測定光盤的機(jī)械特性的情況下，需要將利用拾波器聚光的光與凹槽隨動(dòng)。
以下方法被提出，即利用機(jī)械特性測定裝置測定用于下一代光盤的磁盤基板的機(jī)械特性，該機(jī)械特性測定裝置使用該光學(xué)測頭法。在該方法中，在磁盤基板上至少形成反射膜和厚度為0.1mm的透光層，通過從該透光層側(cè)照射激光來測定磁盤基板的機(jī)械特性。這樣，通過在磁盤基板上至少形成反射膜和厚度為0.1mm的透光層，可以測定磁盤基板的機(jī)械特性。
但是，為了這樣測定磁盤基板的機(jī)械特性，必須形成0.1mm的透光層，在剛成型的透明基板的狀態(tài)下，不能測定磁盤基板的機(jī)械特性。因此，制造上的反饋遲緩，其結(jié)果導(dǎo)致光盤的生產(chǎn)效率降低。
在此，提出有以下方法，即，在沒有形成0.1mm的透光層的狀態(tài)下，在形成在磁盤基板上的凹槽上設(shè)置可以使激光聚光的拾波器，用于機(jī)械特性測定裝置。但是，只是出于測定透明基板的機(jī)械特性的目的設(shè)計(jì)這樣的拾波器、用于機(jī)械特性測定裝置的做法會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)設(shè)備的費(fèi)用提高。
在此，提出有以下方法，即，使用光盤的機(jī)械特性測定裝置對用于下一代的光盤的機(jī)械特性進(jìn)行測定，該光盤的機(jī)械特性測定裝置利用現(xiàn)有的廣泛普及的光學(xué)測頭法。該機(jī)械特性測定裝置用于測定1.2mm的磁盤基板的偏心量，具有拾波器，該拾波器具有輸出波長為680nm的激光的半導(dǎo)體激光和NA為0.55的物鏡。在上述的下一代的光盤中，由于使用了具有1.1mm左右厚度的基板，因此，通過磁盤基板將激光進(jìn)行聚光，用該現(xiàn)有的機(jī)械特性裝置也可以測定砂輪端面的擺動(dòng)量或磁盤的斜度等。
但是，在上述下一代的光盤的格式中，由于磁道間距在小于等于0.6μm，因此，現(xiàn)有的機(jī)械特性裝置的光學(xué)系統(tǒng)不能得到足夠大的跟蹤誤差信號(hào)。即，現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置不能測定偏心量。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的課題是提供以下磁盤基板和光盤，即在數(shù)據(jù)區(qū)域的凹槽的間隔為小于等于0.6μm的光盤上，可以在剛成型的透明基板的狀態(tài)下容易地進(jìn)行偏心量的測定。
本發(fā)明者為了解決現(xiàn)有的技術(shù)具有的上述課題，進(jìn)行了銳意研究。以下就其概要進(jìn)行說明。
根據(jù)本發(fā)明者的見解，利用現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置不能測定磁道間距為小于等于0.6μm的光盤基板的偏心量是由于該格式的磁盤基板不能得到足夠大的跟蹤誤差信號(hào)。
在此，本發(fā)明者為了解決上述課題，就在磁道間距為小于等于0.6μm的磁盤基板上，用現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置可以得到足夠大的跟蹤誤差信號(hào)的方法進(jìn)行了銳意研究。其結(jié)果，想到了以下方法，即設(shè)置用于測定偏心的偏心測定區(qū)域、只在該偏心區(qū)域內(nèi)擴(kuò)大凹槽的間隔。
但是，本發(fā)明者就該方法進(jìn)行了進(jìn)一步研究，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)該方法有以下問題。
一般來說，數(shù)據(jù)區(qū)域的凹槽間隔形成為小于等于0.6μm的細(xì)凹槽的情況下，與此相對應(yīng)，控制時(shí)的曝光激光的波長也必須縮短，例如，使用波長為266nm的激光。
但是，使用這樣的短波長的激光的情況下，在上述偏心測定區(qū)域上，如果擴(kuò)大磁道間距，則凹槽寬度相對磁道間距過于狹窄，不能得到足夠的推挽信號(hào)，進(jìn)而具有信號(hào)波形歪斜的問題。
作為多次進(jìn)行上述研究的結(jié)果，本發(fā)明者想到在磁盤基板上設(shè)置偏心測定區(qū)域，該偏心測定區(qū)域由形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和與該凹槽區(qū)域鄰接的平面狀的反射鏡區(qū)域構(gòu)成。
本發(fā)明根據(jù)以上的研究而形成。
因此，為了解決上述課題，本發(fā)明的第一發(fā)明是一種磁盤基板，其特征在于，具有偏心測定區(qū)域，該偏心測定區(qū)域是形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和平面狀的反射鏡區(qū)域在空間上被相互交錯(cuò)設(shè)置。
本發(fā)明的第二發(fā)明是一種光盤，其特征在于，具有磁盤基板、信息信號(hào)部和保護(hù)層，磁盤基板具有偏心測定區(qū)域，該偏心測定區(qū)域是形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和平面狀的反射鏡區(qū)域在空間上被相互交錯(cuò)設(shè)置；信息信號(hào)部形成在磁盤基板的一個(gè)主面上；保護(hù)層保護(hù)信息信號(hào)部。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于磁盤基板具有形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和平面狀的反射鏡區(qū)域在空間上被相互交錯(cuò)設(shè)置的偏心測定區(qū)域，因此，現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置可以將形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域識(shí)別成一條凹槽。


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光盤結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板構(gòu)成剖視圖。
圖3是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板薄片構(gòu)成剖視圖。
圖4是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁盤基板的立體圖。
圖5是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的設(shè)置在磁盤基板上的偏心測定區(qū)域的俯視圖。
圖6是表示波節(jié)上的推挽信號(hào)的簡略波形線圖。
圖7是在偏心測定區(qū)域上，在相鄰的凹槽區(qū)域移動(dòng)拾波器時(shí)產(chǎn)生的推挽信號(hào)的簡略波形線圖。
圖8是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光盤的數(shù)據(jù)再生時(shí)的圖象的剖視圖。
圖9是表示測定本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁盤基板的機(jī)械特性時(shí)的圖象的剖視圖。
圖10是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的變型例的設(shè)置在磁盤基板上的偏心測定區(qū)域的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
以下一面參照附圖一面就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在以下實(shí)施方式的所有的附圖中，相同或者對應(yīng)的部分使用相同的符號(hào)。
圖1是表示一例本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光盤結(jié)構(gòu)。圖2是表示一例本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板構(gòu)成。圖3是表示一例本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的薄片的構(gòu)成。
如圖1所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光盤主要由在中央部具有中心孔1b的圓環(huán)形的基板1和在中央部具有貫通孔2c的平面圓環(huán)形的透光層2構(gòu)成。本實(shí)施方式的光盤的構(gòu)成是通過從設(shè)置有薄的透光層2側(cè)向基板1照射激光，進(jìn)行信息信號(hào)的記錄以及/或再生。另外，透光層2是通過向圖2所示的形成基板1的信息信號(hào)部1c側(cè)的一個(gè)主面粘貼圖3所示的薄片4而形成。
另外，如圖1所示，在光盤的中心孔1b的附近設(shè)定有用于將光盤安裝在主軸電動(dòng)機(jī)上的夾緊區(qū)域3。該夾緊區(qū)域3的內(nèi)周徑從22mm～24mm中選擇，例如選擇23mm。夾緊區(qū)域3的外周徑從32mm～34mm中選擇，例如選擇33mm。
如圖2所示，基板1在中央部形成中心孔1b的同時(shí)，由磁盤基板1a和信息信號(hào)部1c構(gòu)成，磁盤基板1a是在一個(gè)主面上形成平面和凹槽；信息信號(hào)部1c被形成在該磁盤基板1a的一個(gè)主面上。在形成平面和凹槽的區(qū)域上設(shè)定有數(shù)據(jù)區(qū)域和偏心測定區(qū)域。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在磁盤基板1a的一個(gè)主面上將靠近入射光的稱為凹槽，將在該凹槽與凹槽之間形成的部分稱為平面。
圖4是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁盤基板1a的立體圖。如圖4所示，在該磁盤基板1a上，非數(shù)據(jù)區(qū)域11、數(shù)據(jù)區(qū)域12和非數(shù)據(jù)區(qū)域13被從內(nèi)周側(cè)向著外周側(cè)依次設(shè)置，非數(shù)據(jù)區(qū)域11用于將磁盤基板1a安裝在主軸電動(dòng)機(jī)上；數(shù)據(jù)區(qū)域12用于形成信息信號(hào)部1c；非數(shù)據(jù)區(qū)域13具有用于測定磁盤基板1a偏心的偏心測定區(qū)域14。在此以在外周側(cè)上的非數(shù)據(jù)區(qū)域13上設(shè)置偏心測定區(qū)域14為例，也可以在內(nèi)周側(cè)上的非數(shù)據(jù)區(qū)域11上設(shè)置偏心測定區(qū)域。
磁盤基板1a的厚度從0.6mm～1.2mm中選擇，例如選擇1.1mm。磁盤基板1a的直徑(外徑)例如是120mm，中心孔1b的開口徑(內(nèi)口徑)例如是15mm。在數(shù)據(jù)區(qū)域12上，數(shù)據(jù)被記錄在凹槽上或平面上的任何一方或雙方上。以下所示的是選擇記錄在凹槽上的方式。形成在數(shù)據(jù)區(qū)域12上的凹槽間的距離(磁道間距)例如被設(shè)定為0.32μm。至于形成在數(shù)據(jù)區(qū)域12上的凹槽的寬度，根據(jù)信號(hào)特性進(jìn)行選擇，例如選擇0.22μm(半值寬度)。
另外，磁盤基板1a至少由例如可以透過用于測定基板1a的機(jī)械特性的激光的材料構(gòu)成。作為構(gòu)成該磁盤基板1a的材料，可以使用例如聚碳酸酯(PC)或環(huán)烯聚合物(例如ゼオネツクスZEONEX(注冊商標(biāo)))等低吸水性的樹脂。
信息信號(hào)部1c通過被設(shè)置反射膜、光磁性材料形成的膜、相變化材料形成的膜或者有機(jī)色素膜等而構(gòu)成。具體是，作為最終產(chǎn)品的光盤是再生專用型(ROM(Read Only Memory))光盤的情況下，信息信號(hào)部1c被設(shè)置至少具有例如Al、Al合金或者Ag合金等形成的單層膜或?qū)臃e膜而構(gòu)成。另外，作為最終產(chǎn)品的光盤是可涂改型光盤的情況下，信息信號(hào)部1c被設(shè)置有至少具有以下的單層膜或?qū)臃e膜而構(gòu)成，即TbFeCo類合金、TbFeCoSi類合金或TbFeCoCr類合金等光磁性材料形成的膜或者GeSbTe合金、GeInSbTe類合金或AgInSbTe合金等相變化材料形成的膜。另外，作為最終產(chǎn)品的光盤是在追加記錄型光盤的情況下，信息信號(hào)部1c由以下的單層膜或?qū)臃e膜構(gòu)成，即至少具有由GeTe類材料等的相變化材料形成的膜或者由花青染料色素或酞箐染料色素等有機(jī)色素材料形成的膜。
偏心測定區(qū)域14是用于測定光盤的偏心量的區(qū)域，具體是利用現(xiàn)有的光盤的機(jī)械特性測定裝置、測定光盤的偏心量的區(qū)域。另外，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，作為一例，現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置是測定基板厚度為1.2mm的光盤(例如小型磁盤)的機(jī)械特性的機(jī)械特性測定裝置，具體是表示具有以下光學(xué)系統(tǒng)的機(jī)械特性測定裝置，即具有輸出波長680nm激光的半導(dǎo)體激光和NA為0.55的物鏡的光學(xué)系統(tǒng)。
圖5是表示形成在磁盤基板1a的一個(gè)主面上的偏心測定區(qū)域14的俯視圖。如圖5所示，該偏心測定區(qū)域14是凹槽區(qū)域和平面上的反射鏡區(qū)域在空間相互交錯(cuò)地設(shè)置構(gòu)成，凹槽區(qū)域形成有螺旋狀的凹槽。該偏心測定區(qū)域14的寬度選擇為大于等于磁盤基板1a的制造工序中產(chǎn)生的偏心量的最大值。由于在現(xiàn)有的磁盤基板1a的制造工序中產(chǎn)生的偏心量的最大值為30μm左右，因此，作為該偏心測定區(qū)域14的寬度至少需要大于等于30μm。至于上限，從偏心測定來看沒有特別限制。但是，由于如果增加該偏心測定區(qū)域14的寬度，則數(shù)據(jù)區(qū)域12的寬度減少，因此偏心測定區(qū)域14的寬度最好設(shè)定在小于3mm。通過上述，偏心測定區(qū)域14在30μm～3mm的范圍選擇，例如選為100μm。
在凹槽區(qū)域上，螺旋狀的凹槽被以中心孔1b為中心形成。這樣，通過形成凹槽，現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置可以得到足夠大的跟蹤誤差信號(hào)(推挽信號(hào))。即，現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置可以進(jìn)行跟蹤動(dòng)作。
凹槽區(qū)域或反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔d3根據(jù)機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行選擇。即，重復(fù)間隔d3被選擇為機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)可以象跟蹤一條凹槽一樣跟蹤凹槽區(qū)域。使用上述現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置的情況下，凹槽區(qū)域與反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔d3從0.7μm～2.5μm的范圍選擇，例如選為1.6μm。如果重復(fù)間隔d3大于等于0.7μm，則具有上述光學(xué)系統(tǒng)的機(jī)械特性測定裝置可以得到足夠大的跟蹤誤差信號(hào)(推挽信號(hào))。即，可以進(jìn)行穩(wěn)定的跟蹤動(dòng)作。另外，如果重復(fù)間隔d3小于等于2.5μm，則具有上述光學(xué)系統(tǒng)的機(jī)械特性測定裝置可以得到走形小的跟蹤誤差信號(hào)(推挽信號(hào))。
凹槽區(qū)域的寬度可以根據(jù)測定光盤的機(jī)械特性的機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行選擇。即，被選擇為機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)可以象跟蹤一條凹槽一樣跟蹤凹槽區(qū)域。
使用上述現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置測定光盤的機(jī)械特性時(shí)，如果可以得到充分的大小并且沒有走形的推挽信號(hào)，則凹槽的寬度可以選擇成任何寬度。一般來說，通過在上述凹槽區(qū)域的重復(fù)間隔d3的0.2～0.8倍的范圍內(nèi)選擇凹槽區(qū)域的寬度，可以滿足上述特性。特別是通過將凹槽區(qū)域的寬度選擇為上述凹槽區(qū)域的重復(fù)間隔d3的大約一半左右，可以得到以最大的振幅、并且抑制走形的推挽信號(hào)。例如，凹槽區(qū)域的重復(fù)間隔d3選擇為1.6μm的情況下，凹槽區(qū)域的寬度選擇為例如0.8μm。
與凹槽區(qū)域鄰接形成的反射鏡區(qū)域是沒有形成凹槽的平面狀的區(qū)域。該反射鏡區(qū)域的寬度根據(jù)對光盤的機(jī)械特性進(jìn)行測定的機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行選擇。即，被選擇為機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)可以象跟蹤一條凹槽一樣跟蹤凹槽區(qū)域。
使用上述現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置測定光盤的機(jī)械特性時(shí)，如果可以得到充分的大小并且沒有走形的推挽信號(hào)，則反光鏡區(qū)域可以選擇成任何寬度。一般來說，通過在上述凹槽區(qū)域的重復(fù)間隔d3的0.2～0.8倍的范圍內(nèi)選擇凹槽區(qū)域的寬度，可以滿足上述特性。特別是通過將反射鏡區(qū)域的寬度選擇成上述凹槽區(qū)域的重復(fù)間隔d3的大約一半左右，可以得到以最大的振幅、并且抑制走形的推挽信號(hào)。例如，凹槽區(qū)域的重復(fù)間隔d3選擇為1.6μm的情況下，反射鏡區(qū)域的寬度選擇為例如0.8μm。
一般來說，最好不螺旋狀地間斷地形成凹槽區(qū)域上的凹槽。如果螺旋狀地間斷地形成凹槽，則在其連接點(diǎn)上再生光的中心容易從凹槽的中心偏移。因此，推挽信號(hào)紊亂、不能進(jìn)行穩(wěn)定的跟蹤動(dòng)作。在此，連接點(diǎn)表示在凹槽區(qū)域上形成螺旋狀的凹槽的一端以及另一端。
本實(shí)施方式的光盤以及磁盤基板1a通過適當(dāng)?shù)剡x擇凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1，降低在連接點(diǎn)上的推挽信號(hào)的紊亂、實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的跟蹤動(dòng)作。
凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1，根據(jù)用于磁盤基板1a的偏心測定的機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)和連接點(diǎn)上的推挽信號(hào)的紊亂來決定。如果考慮這些，則凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1在測定磁盤基板1a的偏心的機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)的繞射限度以下，并且，選擇為凹槽區(qū)域或反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔d3的0.01～0.25倍，最好是0.01～0.15倍。
例如，使用上述現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置的情況下，凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1為小于等于0.6μm，并且是凹槽區(qū)域或反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔選擇為0.01～0.25倍，最好是0.01～0.15倍。
上述現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置上的光學(xué)系統(tǒng)的繞射限度作為空間上的周期相當(dāng)于0.6μm。因此，通過使凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔為小于等于0.6μm，用現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置凹槽區(qū)域的各凹槽不被識(shí)別，形成在凹槽區(qū)域上的數(shù)條凹槽被識(shí)別成一條凹槽。
在此，利用圖6和圖7，就考慮到連接點(diǎn)上的推挽信號(hào)紊亂的情況下的凹槽的間隔d1進(jìn)行說明。
圖6是表示連接點(diǎn)上的推挽信號(hào)的波形。如圖6所示，在連接點(diǎn)推挽信號(hào)產(chǎn)生紊亂。以下將此時(shí)偏移的量稱為偏移量B。
圖7是表示在鄰接的凹槽區(qū)域上移動(dòng)拾波器時(shí)產(chǎn)生的推挽信號(hào)的波形。如圖7所示，在鄰接的凹槽區(qū)域上移動(dòng)拾波器時(shí)的推挽信號(hào)的波形是S形。以下將此時(shí)的振幅稱為振幅A。
在凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1的上限值選擇為偏移量B小于等于振幅A。在以下情況下偏移量B和振幅A成為相等，即在連接點(diǎn)上的脫離磁道量(detrack amount)是凹槽區(qū)域?qū)挾鹊拇蠹s0.25倍。因此，為了在連接點(diǎn)上跟蹤不偏離，需要選擇將連接點(diǎn)上的脫離磁道量，即，使凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1成為小于等于凹槽區(qū)域之間的間隔的0.25倍。
為了不受干擾的影響、實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的跟蹤動(dòng)作，最好選擇比偏移量B更小的值，例如選擇連接點(diǎn)上的脫離磁道量，使偏移量B小于等于振幅A的0.8倍。偏移量B成為振幅A的0.8倍的情況，是在連接點(diǎn)上的脫離磁道量、即形成在凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1選擇成凹槽區(qū)域的間隔的大約0.15倍的情況。
另外，形成在凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1的下限值沒有被特別限定，但是考慮到生產(chǎn)效率，最好大于等于凹槽區(qū)域的重復(fù)間隔d3的0.01倍。通過這樣選擇凹槽的間隔d1，可以避免在原盤的切削上花費(fèi)時(shí)間、導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低。
如圖3所示，用于本實(shí)施方式中的形成透光層2的薄片4由透光性薄片2a和被涂抹在該透光性片2a的一面上的壓敏性粘結(jié)劑(PSAPressure Sensitive Adhesion)形成的粘接層2b構(gòu)成。該薄片4與在基板1上的相同、具有打造成平面圓環(huán)狀的結(jié)構(gòu)，在中央部形成貫通孔2c。薄片4的直徑(外徑)與基板1的直徑大致相同，或選擇為小于該直徑、例如120mm。一方面，貫通孔2c的直徑(內(nèi)孔直徑)從大于中心孔1b的開口直徑、并且小于平面區(qū)域3的最內(nèi)周直徑(例如23mm直徑)的范圍選擇，例如23mm。另外，薄片4的厚度例如為100μm。
在這樣的薄片4上的透光性片2a由具有透光性的熱可塑性樹脂形成，該透光性是滿足至少可以透過用于記錄以及/或者再生的激光的光學(xué)特性。該熱可塑性樹脂從耐熱尺寸穩(wěn)定性、熱膨脹率或者吸濕膨脹率等的物性值與磁盤基板1a相近的材料中選擇，具體是從聚碳酸酯(PC)或聚甲烯酸甲酯(甲基丙酸甲酯)等的甲基丙烯樹脂中選擇。另外，透光性片2a的厚度最好從60μm～100μm的范圍中選擇，最好從70μm～100μm的范圍中選擇。在本實(shí)施方式中，如果考慮透光性片2a通過由壓敏性粘結(jié)劑(PSA)構(gòu)成的粘接層2b被粘貼在基板1的一個(gè)主面上的情況，則透光性片2a的厚度例如選擇為70μm。另外，該透光性片2a的厚度根據(jù)用于信息信號(hào)的記錄以及/或再生的激光的波長或所希望的透光層2的膜厚來決定。
另外，構(gòu)成粘接層2b的PSA是諸如甲基丙烯樹脂等。該粘接層2b的厚度例如為30μm，但是粘接層2b的厚度或作為壓敏性粘結(jié)劑而使用的材料根據(jù)所希望的透光層2的膜厚或用于信息信號(hào)的記錄以及/或再生的激光的波長來決定。
圖8是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光盤的再生時(shí)的圖象的剖視圖。如圖8所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光盤中，通過從設(shè)置有薄的透光層2側(cè)向基板1的信息信號(hào)部1c照射激光，來進(jìn)行信息信號(hào)的記錄以及/或再生。
圖9是表示測定本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁盤基板1a的機(jī)械特性時(shí)的圖象的剖視圖。如圖9所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁盤基板1a中，通過向與形成凹凸側(cè)的一個(gè)主面的相反側(cè)照射激光，來進(jìn)行磁盤基板1a的機(jī)械特性的測定。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以得到以下的效果。
在磁盤基板1a上具有形成有螺旋狀的凹槽的數(shù)據(jù)區(qū)域12和偏心測定區(qū)域，該偏心測定區(qū)域上相互交錯(cuò)地設(shè)置有形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和平面狀的反射鏡區(qū)域。凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1在用于測定磁盤基板的偏心的現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)的繞射限度以下，并且，選擇為凹槽區(qū)域的重復(fù)間隔d3的0.01～0.25倍，最好是0.01～0.15倍。因此，現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置可以象跟蹤一條凹槽一樣對凹槽區(qū)域進(jìn)行穩(wěn)定的跟蹤。因此，利用現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置、可以測定具有螺旋狀凹槽的狹窄的跟蹤距離的光盤的偏心量。
另外，在沒有形成透光層2的狀態(tài)，由于可以測定磁盤基板1a的偏心量，因此，可以通過有效率的生產(chǎn)體系制造光盤。
以上就本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了具體說明，本發(fā)明不局限于上述的一個(gè)實(shí)施方式，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)理念進(jìn)行各種變型。
例如，在上述的一個(gè)實(shí)施方式中列舉的數(shù)值不過是一例，可以根據(jù)需要使用與此不同的數(shù)值。
在上述的實(shí)施方式中，以形成在偏心測定區(qū)域14上的凹槽之間的距離d1和形成在數(shù)據(jù)區(qū)域12上的凹槽之間的距離不同為例進(jìn)行了說明，但是也可以使形成在偏心測定區(qū)域14上的凹槽之間的距離d1和形成在數(shù)據(jù)區(qū)域12上的凹槽之間的距離相同。
另外，在上述的實(shí)施方式中，在形成有螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域上，以間歇凹槽的結(jié)束位置(外周側(cè)的凹槽的一端位置)和間歇凹槽的開始位置(內(nèi)周側(cè)的凹槽的一端的位置)從磁盤基板1a的中心起在同一方向上的情況為例進(jìn)行說明，但是，間歇凹槽的結(jié)束位置和間歇凹槽的開始位置不限于該例。
例如，如圖10所示，從磁盤基板1a的中心向著間歇凹槽的開始位置的方向與從磁盤基板1a的中心向著間歇凹槽的結(jié)束位置的方向可以相差180度。這種情況下，雖然凹槽區(qū)域的寬度根據(jù)地點(diǎn)不同而不同，但是，具有以下優(yōu)點(diǎn)，即連接點(diǎn)上的凹槽區(qū)域的中心的偏心量是凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔d1的一半。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于磁盤基板具有偏心測定區(qū)域，該偏心測定區(qū)域是形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和平面狀的反射鏡區(qū)域空間上被相互交錯(cuò)地設(shè)置，因此，現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置可以象識(shí)別一條凹槽一樣識(shí)別形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域。因此，在剛成型后的狀態(tài)下，可以容易地測定磁盤基板的偏心量。
權(quán)利要求
1.一種磁盤基板，其特征在于，具有偏心測定區(qū)域，該偏心測定區(qū)域是形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和平面狀的反射鏡區(qū)域在空間上被相互交錯(cuò)設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤基板，其特征在于，上述凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔，根據(jù)用于偏心量測定的機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)和螺旋狀地形成在上述凹槽區(qū)域上的上述凹槽的一端和另一端上的推挽信號(hào)的紊亂進(jìn)行選擇。
3.如權(quán)利要求2所述的磁盤基板，其特征在于，上述凹槽區(qū)域的寬度和上述反射鏡區(qū)域的寬度根據(jù)用于偏心量測定的上述機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行選擇。
4.如權(quán)利要求2所述的磁盤基板，其特征在于，上述凹槽的間隔選擇為大于等于上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔的0.01倍、小于等于0.25倍。
5.如權(quán)利要求2所述的磁盤基板，其特征在于，上述凹槽的間隔選擇為大于等于上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔的0.01倍、小于等于0.15倍。
6.如權(quán)利要求4所述的磁盤基板，其特征在于，上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔大于等于0.7μm小于等于2.5μm。
7.如權(quán)利要求4所述的磁盤基板，其特征在于，上述凹槽區(qū)域的寬度選擇為大于等于上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔的0.2倍、小于等于0.8倍。
8.如權(quán)利要求4所述的磁盤基板，其特征在于，上述凹槽區(qū)域的寬度為上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔的大約一半。
9.如權(quán)利要求4所述的磁盤基板，其特征在于，上述偏心測定區(qū)域的寬度大于等于30μm小于等于3mm。
10.如權(quán)利要求1所述的磁盤基板，其特征在于，在磁盤基板的中心孔附近，設(shè)定有用于將光盤安裝在主軸電動(dòng)機(jī)上的夾緊區(qū)域，該夾緊區(qū)域的內(nèi)周徑從22mm～24mm中選擇，夾緊區(qū)域的外周徑從32mm～34mm中選擇。
11.如權(quán)利要求1所述的磁盤基板，其特征在于，依次設(shè)置用于將磁盤基板安裝在主軸電動(dòng)機(jī)上的非數(shù)據(jù)區(qū)域、用于形成信息信號(hào)部的數(shù)據(jù)區(qū)域、具有用于測定磁盤基板偏心的偏心測定區(qū)域的非數(shù)據(jù)區(qū)域。
12.如權(quán)利要求1所述的磁盤基板，其特征在于，磁盤基板的厚度從0.6mm～1.2mm中選擇，磁盤基板的直徑(外徑)為80～120mm，中心孔的開口直徑(內(nèi)口徑)為15mm。
13.如權(quán)利要求1所述的磁盤基板，其特征在于，在向凹槽上進(jìn)行記錄的方式中，形成在數(shù)據(jù)區(qū)域上的凹槽間的距離(磁道間距)為0.3μm，形成在數(shù)據(jù)區(qū)域上的凹槽的寬度為0.22μm(半值寬度)。
14.一種光盤，具有磁盤基板、信息信號(hào)部和保護(hù)層，該磁盤基板具有偏心測定區(qū)域，該偏心測定區(qū)域是形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和平面狀的反射鏡區(qū)域在空間上被相互交錯(cuò)設(shè)置；該信息信號(hào)部形成在磁盤基板的一個(gè)主面上；該保護(hù)層保護(hù)信息信號(hào)部。
15.如權(quán)利要求14所述的光盤，其特征在于，上述保護(hù)層具有透光性，通過從設(shè)置有上述保護(hù)層一側(cè)照射激光，來進(jìn)行信息信號(hào)的記錄和/或再生。
16.如權(quán)利要求14所述的光盤，其特征在于，上述凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔，根據(jù)用于偏心量測定的機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)和螺旋狀地形成在上述凹槽區(qū)域上的上述凹槽的一端和另一端上的推挽信號(hào)的紊亂進(jìn)行選擇。
17.如權(quán)利要求16所述的光盤，其特征在于，上述凹槽區(qū)域的寬度和上述反射鏡區(qū)域的寬度根據(jù)用于偏心量測定的上述機(jī)械特性測定裝置的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行選擇。
18.如權(quán)利要求16所述的光盤，其特征在于，上述凹槽的間隔選擇為大于等于上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔的0.01倍、小于等于0.25倍。
19.如權(quán)利要求16所述的光盤，其特征在于，上述凹槽的間隔選擇為大于等于上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔的0.01倍、小于等于0.15倍。
20.如權(quán)利要求18所述的光盤，其特征在于，上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔大于等于0.7μm小于等于2.5μm。
21.如權(quán)利要求18所述的光盤，其特征在于，上述凹槽區(qū)域的寬度選擇為大于等于上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔的0.2倍、小于等于0.8倍。
22.如權(quán)利要求18所述的光盤，其特征在于，上述凹槽區(qū)域的寬度為上述凹槽區(qū)域或上述反射鏡區(qū)域的重復(fù)間隔的大約一半。
23.如權(quán)利要求18所述的光盤，其特征在于，上述偏心測定區(qū)域的寬度大于等于30μm小于等于3mm。
24.如權(quán)利要求14所述的光盤，其特征在于，上述保護(hù)層由透光層構(gòu)成，通過將薄片粘貼在基板的形成信息信號(hào)部側(cè)的一個(gè)主面上而形成。
25.如權(quán)利要求14所述的光盤，其特征在于，在磁盤基板的中心孔附近，設(shè)定有用于將光盤安裝在主軸電動(dòng)機(jī)上的夾緊區(qū)域，該夾緊區(qū)域的內(nèi)周徑從22mm～24mm中選擇，夾緊區(qū)域的外周徑從32mm～34mm中選擇。
26.如權(quán)利要求14所述的光盤，其特征在于，依次設(shè)置用于將磁盤基板安裝在主軸電動(dòng)機(jī)上的非數(shù)據(jù)區(qū)域、用于形成信息信號(hào)部的數(shù)據(jù)區(qū)域、具有用于測定磁盤基板偏心的偏心測定區(qū)域的非數(shù)據(jù)區(qū)域。
27.如權(quán)利要求14所述的光盤，其特征在于，磁盤基板的厚度從0.6mm～1.2mm中選擇，磁盤基板的直徑(外徑)為80～120mm，中心孔的開口直徑(內(nèi)口徑)為15mm。
28.如權(quán)利要求14所述的光盤，其特征在于，在向凹槽上進(jìn)行記錄的方式中，形成在數(shù)據(jù)區(qū)域上的凹槽間的距離(磁道間距)為0.32μm，形成在數(shù)據(jù)區(qū)域上的凹槽的寬度為0.22μm(半值寬度)。
29.如權(quán)利要求14所述的光盤，其特征在于，用于上述透光層形成的薄片由透光性片和粘接層形成，該粘接層由粘接在該透光性片的一面上的壓敏性粘接劑(PSAPressure Sensitive Adhesion)構(gòu)成。
全文摘要
在磁盤基板上具有數(shù)據(jù)區(qū)域和偏心測定區(qū)域(14)，數(shù)據(jù)區(qū)域是用于記錄以及/或再生數(shù)據(jù)；偏心測定區(qū)域是形成螺旋狀凹槽的凹槽區(qū)域和平面狀的反射鏡區(qū)域在空間上被相互交錯(cuò)設(shè)置。形成在該偏心測定區(qū)域上的凹槽區(qū)域的寬度、反射鏡區(qū)域的寬度以及凹槽區(qū)域上的凹槽的間隔被選擇成為現(xiàn)有的機(jī)械特性測定裝置可以將形成在凹槽區(qū)域上的多條凹槽作為一條凹槽進(jìn)行跟蹤。
文檔編號(hào)G11B7/26GK1732524SQ200380107950
公開日2006年2月8日 申請日期2003年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月19日
發(fā)明者福島義仁, 中野淳, 增原慎, 越田晃生 申請人:索尼株式會(huì)社