專利名稱：光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光盤。在本說(shuō)明書中所稱的“光盤”表示通過(guò)使用光學(xué)裝置從而可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄及/或再現(xiàn)的光盤，并且，是一種廣義的概念，除CD-ROM等讀取專用的狹義的光盤之外，還包括可以利用光磁記錄方式、相變式(phase change)或有機(jī)光致變色方式等來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入的類型的光盤。
背景技術(shù)：
對(duì)于光盤，正在發(fā)展高密度化，如果要例舉一個(gè)光磁盤的例子，作為所述光磁盤的規(guī)格，例如有AS-MO(先進(jìn)存儲(chǔ)磁光盤)。該規(guī)格的光磁盤是直徑為120mm的單面，并具有6GB左右的存儲(chǔ)容量。所述光磁盤如圖7所示，通過(guò)在半徑的方向(箭頭Ra方向)上交替形成凹槽G(Groove)和凸區(qū)L(Land)，從而構(gòu)成磁道。在各磁道上，設(shè)置有用于在光磁盤的圓周方向上以恒定間隔形成多個(gè)精確時(shí)間標(biāo)記70的區(qū)域，從而各磁道被各個(gè)區(qū)域分割為多個(gè)段。作為這些多個(gè)段，存在地址段8和數(shù)據(jù)段9，并且一個(gè)幀包括一個(gè)地址段8和三十八個(gè)數(shù)據(jù)段9。數(shù)據(jù)段9是用戶以光磁記錄方式記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域，與此相對(duì)，地址段8是記錄磁道地址等地址數(shù)據(jù)的區(qū)域。
如圖8所示，光磁盤的記錄區(qū)域被區(qū)分為多個(gè)帶B(環(huán)帶)，并且，在各帶B內(nèi)，在半徑方向及圓周方向上排列有多個(gè)幀。在圓周方向上，如圖9所示，排列有幀1到幀n，并且繞一周后，又是幀1。在各帶B內(nèi)，在半徑方向上排列的多個(gè)幀的編號(hào)(幀地址)相同。作為記錄在圖7所示的地址段8上的地址數(shù)據(jù)，有幀地址、帶地址以及磁道地址。
對(duì)地址段8的地址數(shù)據(jù)記錄方式采用在凹槽G的一個(gè)側(cè)壁上設(shè)置擺動(dòng)部80，即所謂的擺動(dòng)方式(Wobble)。此外，在圖中，示意性地示出了擺動(dòng)部80的形狀。這與后述的圖1～圖6的其他附圖中相同。在地址數(shù)據(jù)中，例如，關(guān)于凹槽G的磁道N、(N+1)、或者(N+2)等磁道地址，為了能進(jìn)行正確的讀取，在一個(gè)地址段8上沿盤的圓周方向設(shè)置有兩個(gè)擺動(dòng)部80a、80b。所述兩個(gè)擺動(dòng)部80a、80b分開設(shè)置在凹槽G的一對(duì)側(cè)壁的每一個(gè)上，即交錯(cuò)方式。若采用所述交錯(cuò)方式，當(dāng)光磁盤傾斜時(shí)，即使難以檢測(cè)出兩個(gè)擺動(dòng)部80a、80b中的某一個(gè)，也由于還可以檢測(cè)另一個(gè)，所以可以謀求地址數(shù)據(jù)的讀取可靠性。
在上述地址數(shù)據(jù)的讀取中使用推挽法。簡(jiǎn)單地說(shuō)明所述推挽法，首先如圖10所示，由物鏡60聚光的激光照射在形成了凸區(qū)L及凹槽G的凹凸面上，并且若反射該光，則產(chǎn)生正的及負(fù)的反射衍射光R1。其結(jié)果是，除了直接反射光R0之外，那些反射衍射光R1也入射到物鏡60上。所述返回光由具有兩個(gè)光接收區(qū)域61a、61b的分光檢測(cè)器61接收，并且取從所述檢測(cè)器61輸出的、與兩個(gè)光接收區(qū)域61a、61b上的光接收量對(duì)應(yīng)的信號(hào)SG1、SG2的差。所述信號(hào)是推挽信號(hào)，基于所述信號(hào)，可以判斷擺動(dòng)部中激光照射部分的擺動(dòng)量。
上述具有地址段8及數(shù)據(jù)段9的光磁盤的圖案是如下形成的一邊使涂布有光阻材料的圓盤基板旋轉(zhuǎn)，一邊使由物鏡會(huì)聚的激光束沿半徑方向移動(dòng)，由此進(jìn)行曝光，并且進(jìn)行它的顯影。在所述曝光時(shí)，當(dāng)一個(gè)激光束被分成了兩束，并對(duì)與擺動(dòng)部80對(duì)應(yīng)的部分進(jìn)行曝光時(shí)，進(jìn)行控制從而僅使這兩束中一束擺動(dòng)。如上所述，一個(gè)側(cè)壁被進(jìn)行了擺動(dòng)加工，并且與其相對(duì)的側(cè)壁可以形成非擺動(dòng)狀態(tài)的凹槽G。
但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，存在如下所述的問(wèn)題點(diǎn)。
第一，在AS-MO規(guī)格的光磁盤中，磁道間隔是0.6μm，如果是這樣程度的間隔，則通過(guò)使用上述兩個(gè)激光束的方法，可以在凹槽G的一個(gè)側(cè)壁上適當(dāng)?shù)匦纬蓴[動(dòng)部80。但是，作為要進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)記錄密度的目的，例如在將磁道間隔縮小為0.3μm左右時(shí)，在上述使用兩個(gè)激光束的方法中難以適當(dāng)?shù)匦纬砂疾跥的擺動(dòng)部80。這是由于，如果減少這些射束點(diǎn)的中心間隔，則它們的重疊程度加大，從而實(shí)質(zhì)上與一個(gè)射束點(diǎn)的情況相同。
第二，在AS-MO規(guī)格的光磁盤中，使用波長(zhǎng)是650nm左右的紅色激光。與此相對(duì)，為了謀求光磁盤的進(jìn)一步高密度化，希望使用波長(zhǎng)比紅色激光短的青色激光(例如波長(zhǎng)為405nm左右)，從而謀求射束點(diǎn)的微小化。但是，若使用青色激光，與使用紅色激光的情況相比，檢測(cè)器的靈敏度下降，由此存在對(duì)擺動(dòng)部80的檢測(cè)不正確的問(wèn)題。特別是在光磁盤裝置的光檢測(cè)系統(tǒng)中，由于光檢測(cè)器分為用于光磁信號(hào)檢測(cè)和用于伺服信號(hào)檢測(cè)，所以用于擺動(dòng)部80的檢測(cè)的光量減少，從而容易出現(xiàn)所述檢測(cè)不正確。進(jìn)而，為了提高光磁信號(hào)的S/N，需要減少用于伺服的光量，并且增加用于光磁信號(hào)檢測(cè)的光量，由此，這種傾向就更加強(qiáng)了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以消除或減輕上述問(wèn)題的光盤。
由本發(fā)明提供的光盤在盤的半徑方向上交替設(shè)置多個(gè)凹槽和多個(gè)凸區(qū)，并且在所述多個(gè)凹槽上通過(guò)擺動(dòng)形成有地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，其特征在于，所述地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域具有在所述凹槽的兩個(gè)側(cè)壁上形成有同相位的一對(duì)擺動(dòng)部的結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選所述多個(gè)凹槽的結(jié)構(gòu)是每個(gè)在盤半徑方向上相鄰的凹槽上都形成有同相位的一對(duì)擺動(dòng)部，并且在所述各凸區(qū)上設(shè)置有由所述一對(duì)擺動(dòng)部夾著的部分。
優(yōu)選作為設(shè)置在所述多個(gè)凹槽中的地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，有表示所述各凹槽的各自地址的第一記錄區(qū)域和表示與所述各凹槽鄰接的其他凹槽的地址的第二記錄區(qū)域，所述多個(gè)凹槽具有以下結(jié)構(gòu)一個(gè)凹槽的第一記錄區(qū)域和與其鄰接的另一個(gè)凹槽的第二記錄區(qū)域夾著所述凸區(qū)而相對(duì)，并且它們的擺動(dòng)部同相位。
優(yōu)選所述多個(gè)凹槽的第一及第二記錄區(qū)域被設(shè)置為在沿盤半徑方向鄰接的凹槽之間在盤的圓周方向上位置錯(cuò)開的排列，并且所述第一及第二記錄區(qū)域之間夾著所述凸區(qū)而相對(duì)的部分被構(gòu)成為在盤半徑方向上不相鄰。
優(yōu)選所述多個(gè)凹槽是以下結(jié)構(gòu)第一到第三凹槽在盤半徑方向上反復(fù)排列，并且具有回避了磁道地址的數(shù)據(jù)記錄的非磁道地址區(qū)域，所述第一凹槽具有在盤圓周方向上按照下述順序形成表示所述第一凹槽的磁道地址的區(qū)域、上述非磁道地址區(qū)域、以及表示與所述第一凹槽鄰接的第三凹槽的磁道地址的區(qū)域的結(jié)構(gòu)；所述第二凹槽具有在盤圓周方向上按照下述順序形成表示鄰接的第一凹槽的磁道地址的區(qū)域、表示所述第二凹槽的磁道地址的區(qū)域、以及所述非磁道地址的區(qū)域的結(jié)構(gòu)；所述第三凹槽具有在盤圓周方向上按照下述順序形成上述非磁道地址的區(qū)域、表示鄰接的第二凹槽的磁道地址的區(qū)域、以及表示所述第三凹槽的磁道地址的區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選在所述各非磁道地址區(qū)域上形成有表示與磁道地址不同的數(shù)據(jù)的追加的擺動(dòng)部。
優(yōu)選所述追加的擺動(dòng)部所示的信息是在相鄰的凹槽上所共用的信息。
優(yōu)選所述追加的擺動(dòng)部分別設(shè)置在沿盤半徑方向上相鄰的凹槽中，并且所述一對(duì)追加的擺動(dòng)部夾著凸區(qū)而相對(duì)，并且是同相位。
優(yōu)選在所述第一到第三凹槽中記錄有指示數(shù)據(jù)，所述指示數(shù)據(jù)示出在從所述凹槽讀取的磁道地址數(shù)據(jù)中，哪一個(gè)磁道地址是所述凹槽的磁道地址的數(shù)據(jù)。
優(yōu)選所述指示數(shù)據(jù)的記錄通過(guò)同相位設(shè)置在所述各凹槽的兩個(gè)側(cè)壁上的一對(duì)擺動(dòng)部來(lái)實(shí)現(xiàn)。
優(yōu)選在包括各個(gè)所述第一到第三凹槽而構(gòu)成的一個(gè)幀區(qū)域的開頭部分中，記錄有所述指示數(shù)據(jù)。
優(yōu)選所述多個(gè)凹槽及凸區(qū)包含多個(gè)區(qū)段，所述多個(gè)區(qū)段通過(guò)在至少同一個(gè)磁道上沿盤圓周方向以恒定間隔設(shè)置的多個(gè)時(shí)間標(biāo)記的形成區(qū)域來(lái)劃分。
優(yōu)選作為上述多個(gè)區(qū)段，有地址段和成為用戶使用區(qū)域的多個(gè)數(shù)據(jù)段，并且所述多個(gè)地址段中形成有由所述擺動(dòng)形成的地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域。
優(yōu)選在所述多個(gè)地址段的一部分中設(shè)置有未形成所述地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的地方，所述地方是作為用戶使用區(qū)域的一部分而可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入的結(jié)構(gòu)。
關(guān)于本發(fā)明其他的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，將通過(guò)下面發(fā)明的實(shí)施方式的說(shuō)明來(lái)進(jìn)一步明確。


圖1A是示意性地表示本發(fā)明的光盤的記錄面圖案的一個(gè)例子的要部平面圖，圖1B是在向所述光盤的凸區(qū)照射射束點(diǎn)時(shí)所得到的信號(hào)的一個(gè)例子的示意說(shuō)明圖；圖2是示意性地表示本發(fā)明的光盤的記錄面圖案的其他例子的要部平面圖；圖3是示意性地表示本發(fā)明的光盤的記錄面圖案的其他例子的要部平面圖；圖4是示意性地表示本發(fā)明的光盤的記錄面圖案的其他例子的要部平面圖；圖5是示意性地表示本發(fā)明的光盤的記錄面圖案的其他例子的要部平面圖；圖6A是表示凹槽及凸區(qū)圖案的其他例子的要部平面圖，圖6B是由圖6A所示圖案所得到的信號(hào)的一個(gè)例子的示意說(shuō)明圖；圖7是表示現(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)例子的要部平面圖；圖8光磁盤的帶的說(shuō)明圖；圖9是多個(gè)幀的排列的示意圖；圖10是推挽法的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖具體說(shuō)明本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。
圖1A示出了可應(yīng)用本發(fā)明的光磁盤的記錄面圖案。本實(shí)施方式的光磁盤D采用所謂的凸區(qū)·凹槽記錄方式，即，將在其半徑方向(箭頭Ra方向)上排列的多個(gè)凹槽G及凸區(qū)L作為用于記錄的磁道的方式。當(dāng)然，也可以是與本實(shí)施方式不同的下述結(jié)構(gòu)，即僅將凹槽G和凸區(qū)L中的一個(gè)作為用于記錄的磁道。
作為在凹槽G的磁道上形成的區(qū)段，有第一到第三的地址段10A～10C和多個(gè)數(shù)據(jù)段11，它們之間夾著精確時(shí)間標(biāo)記20的形成區(qū)域，并且在盤的圓周方向上排列。本實(shí)施方式的光磁盤D在關(guān)于第一到第三的地址段10A～10C的結(jié)構(gòu)上具有特點(diǎn)，除此之外的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有已知的光磁盤相同。因此，以下重點(diǎn)說(shuō)明第一到第三的地址段10A～10C的結(jié)構(gòu)。
在所述光磁盤D中，在第一到第三的地址段10A～10C上設(shè)置有所謂的通過(guò)雙擺動(dòng)形成的地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域。
更具體地說(shuō)，在第N個(gè)凹槽G中，在其第一地址段10A的兩個(gè)側(cè)壁上形成有擺動(dòng)部31a、31b。所述擺動(dòng)部31a、31b形成為擺動(dòng)的方向完全一致的同相位，從而擺動(dòng)部31a、31b分別表示的地址數(shù)據(jù)彼此相同。所述地址數(shù)據(jù)是使用適當(dāng)?shù)姆绞秸{(diào)制后的數(shù)據(jù)。作為所述地址數(shù)據(jù)，有幀地址、帶地址以及磁道地址。擺動(dòng)部31a、31b所示的磁道地址是N。所述磁道地址N被反復(fù)兩次記錄到一個(gè)地址段10A上。對(duì)于幀地址及帶地址來(lái)說(shuō)，若是同一幀及同一帶的磁道則是通用的數(shù)據(jù)，所以可以減少讀取的錯(cuò)誤，而與此相對(duì)，對(duì)于磁道地址來(lái)說(shuō)，為了回避誤檢測(cè)而重復(fù)兩次。關(guān)于這一點(diǎn)，設(shè)置在第一到第三的地址段10A～10C上的其他擺動(dòng)部也是一樣的。
第N個(gè)凹槽G上的第三地址段10C的兩個(gè)側(cè)壁上形成有擺動(dòng)部33a’、33b’。所述擺動(dòng)部33a’、33b’也是相互同相位擺動(dòng)，并且它們所示出的磁道地址是設(shè)置有其的第N個(gè)凹槽G的前一個(gè)地址(N-1)。
如上所述，在第N個(gè)凹槽G中，擺動(dòng)部31a、31b示出了所述凹槽G本來(lái)的磁道地址，并且與此相對(duì)，擺動(dòng)部33a’、33b’示出了鄰接的凹槽G的磁道地址。所述凹槽G的第二地址段10B是沒有記錄地址數(shù)據(jù)的區(qū)域。
在第(N+1)個(gè)凹槽G上，在第一及第二地址段10A、10B的兩個(gè)側(cè)壁上形成有擺動(dòng)部31a’、31b’、32a、32b。擺動(dòng)部31a’、31b’是與上述第N個(gè)凹槽G的擺動(dòng)部31a、31b同相位的擺動(dòng)，從而其所示磁道地址是N。擺動(dòng)部32a、32b相互同相位擺動(dòng)，其所示的磁道地址是(N+1)。所述凹槽G的第三地址段10C是沒有記錄地址數(shù)據(jù)的區(qū)域。
在第(N+2)個(gè)凹槽G上，在第二及第三地址段10B、10C的兩個(gè)側(cè)壁上形成有擺動(dòng)部32a’、32b’、33a、33b。擺動(dòng)部32a’、32b’與擺動(dòng)部32a、32b同相位地?cái)[動(dòng)，從而其所示磁道地址是(N+1)。擺動(dòng)部33a、33b也是相互同相位地?cái)[動(dòng)，其所示的磁道地址是(N+2)。所述凹槽G的第一地址段10A是沒有記錄地址數(shù)據(jù)的區(qū)域。
第(N+3)個(gè)以后的凹槽G的地址段的結(jié)構(gòu)基本上是與上述第N個(gè)、(N+1)個(gè)及(N+2)個(gè)這三個(gè)凹槽G的地址段相同的結(jié)構(gòu)的重復(fù)。即，在第(N+3)個(gè)凹槽G的第一地址段10A的兩個(gè)側(cè)壁上形成有表示地址數(shù)據(jù)是(N+3)的同相位的擺動(dòng)部31c、31d，并且，在所述凹槽G的第三地址段10C的兩個(gè)側(cè)壁上形成有與第(N+2)個(gè)凹槽G的擺動(dòng)部33a、33b同相位的擺動(dòng)部33a’、33b’。在第(N+4)個(gè)凹槽G的第一地址段10A的兩個(gè)側(cè)壁上形成有與表示地址數(shù)據(jù)是(N+3)的擺動(dòng)部31c、31d同相位的擺動(dòng)部31c’、31d’，并且，在所述凹槽G的第二地址段10B的兩個(gè)側(cè)壁上形成有表示地址數(shù)據(jù)是(N+4)的擺動(dòng)部32c、32d。
下面說(shuō)明光磁盤D的作用。
首先，當(dāng)射束點(diǎn)照射凹槽G從而讀取地址數(shù)據(jù)時(shí)，可以讀取兩個(gè)磁道數(shù)據(jù)。更具體地說(shuō)，例如關(guān)于第N個(gè)凹槽G，從擺動(dòng)部31a、31b讀出磁道地址是N，并同時(shí)從擺動(dòng)部33a’、33b’讀出磁道地址是(N-1)。關(guān)于凹槽G的地址數(shù)據(jù)的讀取，要事先設(shè)定光磁盤裝置的控制電路，使得數(shù)值大的磁道地址被選擇作為該凹槽G本來(lái)的磁道地址。由此，例如就第N個(gè)凹槽G來(lái)說(shuō)，從N及(N-1)中正確地選擇出數(shù)值大的N的磁道地址。就第N個(gè)以外的凹槽G來(lái)說(shuō)也與此相同，可以正確地讀取這些磁道地址。
此外，例如在射束點(diǎn)照射第N個(gè)凹槽G的第一地址段10A從而讀取地址數(shù)據(jù)時(shí)，可以得到來(lái)自兩個(gè)擺動(dòng)部31a、31b的反射光。由于所述兩個(gè)擺動(dòng)部31a、31b彼此同相位擺動(dòng)，所以與例如僅形成所述兩個(gè)中的一個(gè)的情況相比，總體的擺動(dòng)量為兩倍。因此，在參照?qǐng)D10說(shuō)明的推挽法中所檢測(cè)出的擺動(dòng)的檢測(cè)信號(hào)(推挽信號(hào))具有大約兩倍的振幅，從而提高了擺動(dòng)的檢測(cè)精度，即地址數(shù)據(jù)的讀取精度。在所述光磁盤D中，表示地址數(shù)據(jù)的地址段是每一個(gè)都設(shè)置有同相位的兩個(gè)擺動(dòng)部的結(jié)構(gòu)，所以在讀取每一個(gè)凹槽G的地址時(shí)，都可以獲得和上述相同的作用。
如果可以根據(jù)上述原理來(lái)提高地址數(shù)據(jù)的檢測(cè)精度，則在光磁盤裝置的光檢測(cè)系統(tǒng)中，不必使伺服用的光量過(guò)多。因此，可以提高相應(yīng)數(shù)量的用于從數(shù)據(jù)段11進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取的光磁信號(hào)檢測(cè)用的光量，并且也可以提高光磁信號(hào)的S/N。此外，如上所述，作為用于數(shù)據(jù)讀寫的激光，若使用青色激光來(lái)代替紅色激光，則存在光檢測(cè)器的靈敏度下降的傾向，但由于如上所述，本實(shí)施方式的光磁盤D可以提高地址數(shù)據(jù)的檢測(cè)靈敏度，所以也適用于使用青色激光的第二代光磁盤裝置。
在制造所述光磁盤D時(shí)，需要在一個(gè)地址段的兩個(gè)側(cè)壁上設(shè)置兩個(gè)擺動(dòng)部，但由于所述兩個(gè)擺動(dòng)部是同相位，所以也可以通過(guò)使用一個(gè)激光束的方法來(lái)形成。因此，可以使磁道間隔微小，并且提高數(shù)據(jù)記錄密度。
在所述光磁盤D中，如下所述，也可以適當(dāng)?shù)刈x出各個(gè)凸區(qū)L的地址數(shù)據(jù)。
若使圖1A所示的射束點(diǎn)Bs沿凸區(qū)L向箭頭Na方向移動(dòng)，則依次讀取形成在夾著所述凸區(qū)L的兩個(gè)凹槽G上的擺動(dòng)部31b’、32b、32a’、33a。此時(shí)，正確表示凸區(qū)L的磁道地址的擺動(dòng)部32b、32a’是同相位，并且同時(shí)被讀取，所以其檢測(cè)信號(hào)如圖1B的符號(hào)Sb所示，是大的振幅。與此相對(duì)，擺動(dòng)部31b’、33a分別僅存在與凸區(qū)L的一側(cè)，而在夾著凸區(qū)L并與其相對(duì)的部分上并沒有形成擺動(dòng)部。因此，所述檢測(cè)信號(hào)如圖1B的符號(hào)Sa、Sc所示，為符號(hào)Sb所示的信號(hào)的一半的小的振幅。由于所述情況，在處理這些符號(hào)Sa～Sc所示的檢測(cè)信號(hào)時(shí)，若使用用于截止符號(hào)Sa、Sc的信號(hào)的閾值來(lái)進(jìn)行信號(hào)檢測(cè)處理，則可以僅適當(dāng)?shù)厝〕龇?hào)Sb所示的信號(hào)，從而基于此來(lái)適當(dāng)?shù)刈x取凸區(qū)L的磁道地址的數(shù)據(jù)。在所述光磁盤D上，多個(gè)凸區(qū)L的每一個(gè)都設(shè)置有由正確表示凸區(qū)L的地址的兩個(gè)同相位的擺動(dòng)部所夾著的部分。因此，每一個(gè)凸區(qū)L都可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行地址的讀取。
圖2～圖5示出了本發(fā)明的其他例子。在這些圖中，與上述實(shí)施方式相同或類似的要素使用與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。
圖2所示的每?jī)蓚€(gè)地址段10A、10B對(duì)應(yīng)圖1A所示的第(N+1)個(gè)及第(N+2)個(gè)凹槽G上的第一及第二地址段10A、10B。其中，圖1A所示的第(N+2)個(gè)凹槽G上的第一地址段10A上完全沒有設(shè)置擺動(dòng)部，與此相反，在對(duì)應(yīng)其的本實(shí)施方式的地址段10A(10A’)的兩個(gè)側(cè)壁上形成有擺動(dòng)部310a’、310b’和擺動(dòng)部311a’、311b’，在這一點(diǎn)上是不同的。
在第(N+1)個(gè)凹槽G上的第一地址段10A的兩個(gè)擺動(dòng)部31a’、31b’上包括擺動(dòng)部310a、310b，所述擺動(dòng)部310a、310b表示前導(dǎo)信號(hào)(preamble)、同步(sync)、幀地址以及帶地址的各數(shù)據(jù)。進(jìn)而，在擺動(dòng)部31a’、31b’上還包括表示再次的前導(dǎo)信號(hào)和重同步(resync)的擺動(dòng)部311a、311b。在擺動(dòng)部31a’、31b’中，除上述以外的部分是表示用于進(jìn)行磁道地址和數(shù)據(jù)誤差檢測(cè)的CRC數(shù)據(jù)的部分。擺動(dòng)部310a’、310b’表示與擺動(dòng)部310a、310b相同內(nèi)容的數(shù)據(jù)，并且與這些擺動(dòng)部310a、310b同相位。此外，擺動(dòng)部311a’、311b’表示與擺動(dòng)部311a、311b相同內(nèi)容的數(shù)據(jù)，并且與這些擺動(dòng)部311a、311b同相位。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于在第(N+2)個(gè)凹槽G上的第一地址段10A(10A’)上也添加了前導(dǎo)信號(hào)等數(shù)據(jù)，所以與圖1A所示實(shí)施方式的情況相比，幀的開頭位置更加明確。如上所述，在本發(fā)明中可以在不必記錄磁道地址的地址段上記錄磁道地址或CRC以外的數(shù)據(jù)。在圖1A所示的結(jié)構(gòu)中，也存在沒有設(shè)置擺動(dòng)部的第二及第三地址段10B、10C，當(dāng)然對(duì)這些地址段也可以設(shè)置表示磁道地址或CRC以外的通用的數(shù)據(jù)的擺動(dòng)部。
在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，作為凹槽G的地址段，僅設(shè)置有第一及第二地址段10A、10B。在此結(jié)構(gòu)中，沒有設(shè)置與圖1A所示實(shí)施方式的第三地址段10C相當(dāng)?shù)膮^(qū)段。第一地址段10A分為同一圖中靠左的區(qū)域s1和靠右的區(qū)域s2，并且，在所述兩個(gè)區(qū)域s1、s2的雙方或一方中適當(dāng)?shù)卦O(shè)置包含N、(N+1)、(N+2)或(N+3)等磁道地址的地址數(shù)據(jù)的擺動(dòng)部30。與此相對(duì)，在第二地址段10B中僅將同一圖上的靠左的區(qū)域s3作為表示地址數(shù)據(jù)的區(qū)域，從而適當(dāng)?shù)卦O(shè)置擺動(dòng)部30。此外，各擺動(dòng)部30任何一個(gè)都不重復(fù)兩次相同的磁道地址，而是僅一次，在這一點(diǎn)結(jié)構(gòu)上也與圖1A所示實(shí)施方式不同。
當(dāng)向光磁盤照射激光從而讀取數(shù)據(jù)時(shí)存在下述兩種方式，即，通過(guò)使激光照射光磁盤的透明基板從而使透過(guò)所述透明基板的光到達(dá)記錄面上的方式，以及從位于透明基板相反一側(cè)的薄透明保護(hù)膜一側(cè)向記錄面照射激光的方式。根據(jù)本發(fā)明的所謂雙擺動(dòng)方式，與現(xiàn)有技術(shù)的所謂單擺動(dòng)方式相比較，難以受到傾斜的影響，但若采用上述后者的方式，則更加難以受到數(shù)據(jù)讀出時(shí)的光磁盤傾斜的影響。因此，即使不重復(fù)兩次存儲(chǔ)磁道地址，也可以適當(dāng)?shù)刈x取磁道地址。圖3所示的結(jié)構(gòu)在采用上述方式的情況下最佳。
在圖3所示的實(shí)施方式中，通過(guò)不在同一磁道上重復(fù)兩次同一磁道地址，以及僅將第一及第二地址段10A、10B作為地址段從而其總數(shù)減少，可以謀求地址數(shù)據(jù)區(qū)域的縮小。因此，可以謀求用戶用的數(shù)據(jù)區(qū)域的擴(kuò)大。特別是就第二地址段10B的靠右區(qū)域s4來(lái)說(shuō)，與數(shù)據(jù)段11相同，可以作為磁記錄數(shù)據(jù)區(qū)域來(lái)使用。因此，有利于提高格式效率以及謀求數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的增加。
在圖3中，例如用符號(hào)n1表示的第一地址段10A的靠右區(qū)域s2和用符號(hào)n2表示的第二地址段10B的靠左區(qū)域s3是其中沒有形成擺動(dòng)部的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，與參照?qǐng)D2說(shuō)明的內(nèi)容相同，在所述部分上可以形成表示前導(dǎo)信號(hào)或其他數(shù)據(jù)的擺動(dòng)部。更具體地來(lái)說(shuō)，例如如圖4所示，作為與上述地址段對(duì)應(yīng)的部分，在符號(hào)n1’、n2’所表示的地址段10A、10B上形成有擺動(dòng)部300a’、300b’。擺動(dòng)部300a’與表示再次的前導(dǎo)信號(hào)及重同步的數(shù)據(jù)的擺動(dòng)部300a同步，所述擺動(dòng)部300a包括在使用符號(hào)n3表示的鄰接地址段10A的擺動(dòng)部30中。此外，擺動(dòng)部300b’與表示前導(dǎo)信號(hào)、同步、幀地址以及帶地址的數(shù)據(jù)的擺動(dòng)部300b同步，所述擺動(dòng)部300b包括在使用符號(hào)n4表示的鄰接地址段10B的擺動(dòng)部30中。所述結(jié)構(gòu)中也和圖2所示的情況相同，在數(shù)據(jù)的讀取時(shí)容易識(shí)別幀的開頭。
在圖5所示的結(jié)構(gòu)中，在第一地址段10A的靠右區(qū)域s6和第二地址段10B的靠左及靠左區(qū)域s7、s8中通過(guò)恒定的排列而形成擺動(dòng)部30。對(duì)于這些擺動(dòng)部30，相對(duì)的擺動(dòng)部之間為同相位的關(guān)系這方面與前面的實(shí)施方式相同。在第一地址段10A的靠左區(qū)域s5(開頭區(qū)域)上形成有圖6A所示的平面上看的圖案。根據(jù)該圖所示的圖案，通過(guò)射束點(diǎn)透過(guò)第N、(N+1)及(N+2)個(gè)各自的凸區(qū)L(N)、L(N+1)、L(N+2)所得到的推挽信號(hào)為如圖6B的(a)～(c)所述的波形。這是因?yàn)閳D6A所示部分中，在同相位地?cái)[動(dòng)的部分中，推挽信號(hào)的振幅比其他部分大的原因。此處，若在圖6B(a)～(c)所示的推挽信號(hào)中，使振幅大的部分為“1”，并且振幅小的部分為“0”，則在凸區(qū)L(N)可得到(1，0)信號(hào)，在凸區(qū)L(N+1)可得到(0，1)信號(hào)，在凸區(qū)L(N+2)可得到(0，0)信號(hào)。根據(jù)這些信號(hào)可以區(qū)分三種凸區(qū)L(N)、L(N+1)、L(N+2)。因此，根據(jù)所述數(shù)據(jù)，可以判斷采用在凸區(qū)L上讀取的磁道地址中的哪一個(gè)地址。
具體地說(shuō)，在圖5所示的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)使射束點(diǎn)通過(guò)凸區(qū)L(N)的部分時(shí)，N、(N+1)及(N-1)這三個(gè)磁道地址被按所述順序讀出，但當(dāng)檢測(cè)出所述信號(hào)時(shí)，先預(yù)定采用第一個(gè)被讀取的磁道地址。如上所述，則第二個(gè)、第三個(gè)被讀取的(N+1)、(N-1)的地址錯(cuò)誤從而不被采用。同樣，基于上述信號(hào)，可以使關(guān)于凸區(qū)L(N+1)第二個(gè)被讀取的地址，以及關(guān)于凸區(qū)L(N+2)第三個(gè)被讀取的地址被采用。如上所述，在僅在凸區(qū)L的單側(cè)設(shè)置擺動(dòng)部的部分上，由于推挽信號(hào)的振幅變小，所以可以防止由于錯(cuò)誤而將其作為適當(dāng)?shù)拇诺赖刂窓z測(cè)出來(lái)，如果在其上采用上述方法，則可以進(jìn)一步可靠地防止錯(cuò)誤檢測(cè)出磁道地址的問(wèn)題。
本發(fā)明并不限定在上述實(shí)施方式的內(nèi)容。本發(fā)明中的光盤的各個(gè)部分的具體結(jié)構(gòu)可以進(jìn)行各種設(shè)計(jì)上的自由變更。
在本發(fā)明中，設(shè)置在一個(gè)磁道或幀上的地址段的具體數(shù)量并不限于兩個(gè)或者三個(gè)。例如，可以僅設(shè)置一個(gè)地址段，并且在這一個(gè)地址段上形成表示N、(N+1)或(N+2)等多種類的磁道地址的擺動(dòng)部，使它們沿盤的圓周方向排列。
本發(fā)明的光盤如在開頭定義中所理解的那樣，并不僅限定于光磁盤。本發(fā)明可應(yīng)用于只要是在地址數(shù)據(jù)記錄方面使用擺動(dòng)的各種光盤。
權(quán)利要求
1.一種光盤，在盤的半徑方向上交替設(shè)置多個(gè)凹槽和多個(gè)凸區(qū)，并且在所述多個(gè)凹槽上通過(guò)擺動(dòng)形成有地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，其特征在于，所述地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域具有在所述凹槽的兩個(gè)側(cè)壁上形成同相位的一對(duì)擺動(dòng)部的結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的光盤，其中，所述多個(gè)凹槽的結(jié)構(gòu)是每個(gè)在盤半徑方向上相鄰的凹槽上都形成有同相位的一對(duì)擺動(dòng)部，并且在所述各凸區(qū)上設(shè)置有由所述一對(duì)擺動(dòng)部夾著的部分。
3.如權(quán)利要求2所述的光盤，其中，作為設(shè)置在所述多個(gè)凹槽中的地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，有表示所述各凹槽的各自地址的第一記錄區(qū)域和表示與所述各凹槽鄰接的其他凹槽的地址的第二記錄區(qū)域，所述多個(gè)凹槽具有以下結(jié)構(gòu)一個(gè)凹槽的第一記錄區(qū)域和與其鄰接的另一個(gè)凹槽的第二記錄區(qū)域夾著所述凸區(qū)而相對(duì)，并且它們的擺動(dòng)部同相位。
4.如權(quán)利要求3所述的光盤，其中，所述多個(gè)凹槽的第一及第二記錄區(qū)域被設(shè)置為在沿盤半徑方向鄰接的凹槽之間在盤的圓周方向上位置錯(cuò)開的排列，并且所述第一及第二記錄區(qū)域之間夾著所述凸區(qū)而相對(duì)的部分被構(gòu)成為在盤半徑方向上不相鄰。
5.如權(quán)利要求4所述的光盤，其中，所述多個(gè)凹槽是以下結(jié)構(gòu)第一到第三凹槽在盤半徑方向上反復(fù)排列，并且具有回避了磁道地址的數(shù)據(jù)記錄的非磁道地址區(qū)域，所述第一凹槽具有在盤圓周方向上按照下述順序形成表示所述第一凹槽的磁道地址的區(qū)域、上述非磁道地址區(qū)域、以及表示與所述第一凹槽鄰接的第三凹槽的磁道地址的區(qū)域的結(jié)構(gòu)；所述第二凹槽具有在盤圓周方向上按照下述順序形成表示鄰接的第一凹槽的磁道地址的區(qū)域、表示所述第二凹槽的磁道地址的區(qū)域、以及所述非磁道地址的區(qū)域的結(jié)構(gòu)；所述第三凹槽具有在盤圓周方向上按照下述順序形成上述非磁道地址的區(qū)域、表示鄰接的第二凹槽的磁道地址的區(qū)域、以及表示所述第三凹槽的磁道地址的區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的光盤，其中，在所述各非磁道地址區(qū)域上形成有表示與磁道地址不同的數(shù)據(jù)的追加的擺動(dòng)部。
7.如權(quán)利要求6所述的光盤，其中，所述追加的擺動(dòng)部所示的信息是在相鄰的凹槽上所共用的信息。
8.如權(quán)利要求7所述的光盤，其中，所述追加的擺動(dòng)部分別設(shè)置在沿盤半徑方向上相鄰的凹槽中，并且所述一對(duì)追加的擺動(dòng)部夾著凸區(qū)而相對(duì)，并且是同相位。
9.如權(quán)利要求5所述的光盤，其中，在所述第一到第三凹槽中記錄有指示數(shù)據(jù)，所述指示數(shù)據(jù)示出在從所述凹槽讀取的磁道地址數(shù)據(jù)中，哪一個(gè)磁道地址是所述凹槽的磁道地址的數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求9所述的光盤，其中，所述指示數(shù)據(jù)的記錄通過(guò)同相位設(shè)置在所述各凹槽的兩個(gè)側(cè)壁上的一對(duì)擺動(dòng)部來(lái)實(shí)現(xiàn)。
11.如權(quán)利要求10所述的光盤，其中，在包括各個(gè)所述第一到第三凹槽而構(gòu)成的一個(gè)幀區(qū)域的開頭部分中，記錄有所述指示數(shù)據(jù)。
12.如權(quán)利要求1所述的光盤，其中，所述多個(gè)凹槽及凸區(qū)包含多個(gè)區(qū)段，所述多個(gè)區(qū)段通過(guò)在至少同一個(gè)磁道上沿盤圓周方向以恒定間隔設(shè)置的多個(gè)時(shí)間標(biāo)記的形成區(qū)域來(lái)劃分。
13.如權(quán)利要求12所述的光盤，其中，作為上述多個(gè)區(qū)段，有地址段和成為用戶使用區(qū)域的多個(gè)數(shù)據(jù)段，并且所述多個(gè)地址段中形成有由所述擺動(dòng)形成的地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域。
14.如權(quán)利要求13所述的光盤，其中，在所述多個(gè)地址段的一部分中設(shè)置有未形成所述地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的地方，所述地方是作為用戶使用區(qū)域的一部分而可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種交替設(shè)置有多個(gè)凹槽(G)和多個(gè)凸區(qū)(L)的光盤(D)，其中，地址數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的結(jié)構(gòu)是在凹槽(G)的兩個(gè)側(cè)壁上形成有同相位的一對(duì)擺動(dòng)部(31a、31b)。由此，可以得到振幅大的推挽信號(hào)，有利于提高數(shù)據(jù)記錄密度。
文檔編號(hào)G11B7/24082GK1689089SQ03823869
公開日2005年10月26日 申請(qǐng)日期2003年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月24日
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