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多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)及其應(yīng)用的制作方法

文檔序號:6752996閱讀:286來源:國知局
專利名稱:多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種利用聚焦輻射束進行記錄的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),該聚焦輻射束的波長為λ并且在記錄過程中通過該介質(zhì)的入射面入射,包括-第一基底,在其一側(cè)上具有-第一記錄疊層,記作L0,其包括可記錄型L0記錄層并且形成在第一L0引導(dǎo)槽中,該L0記錄層在槽中的厚度為dL0G,與該槽相鄰的厚度為dL0L,第一反射層位于該L0記錄層與第一基底之間,-第二基底,在其一側(cè)上具有-第二記錄疊層,記作L1,其包括可記錄型L1記錄層,該L1記錄層在槽中的厚度為dL1G,與該槽相鄰的厚度為dL1L,所述第二記錄疊層的位置比L0記錄疊層更靠近入射面,并且形成在第二L1引導(dǎo)槽中,-夾在記錄疊層之間的透明隔離層,所述透明隔離層的厚度基本上大于聚焦輻射束的焦深。
本發(fā)明還涉及這種介質(zhì)的應(yīng)用。
如開篇段落中所述的光學(xué)記錄介質(zhì)的實施例可以從歐洲專利申請EP1067535A2中獲知。該介質(zhì)的最常見的實施例是圓盤。
就光學(xué)記錄的市場而言,很清楚目前最重要且最成功的格式是一次性寫入格式的可記錄壓縮盤(CD-R)。盡管早已預(yù)測可重寫壓縮盤(CD-RW)將取代其重要性,但是CD-R介質(zhì)的實際市場規(guī)模仍然比CD-RW至少大一個數(shù)量級。而且,驅(qū)動器的最重要參數(shù)是R-介質(zhì)的最大寫入速度,而不是RW介質(zhì)的最大寫入速度。當然,市場仍然可能向CD-RW轉(zhuǎn)移,這是因為例如CD-RW的Mount Rainier標準化。然而,R格式由于其與只讀壓縮盤(CD)的100%兼容性而已經(jīng)證明非常具有吸引力。
當前,數(shù)字通用盤(DVD)作為一種數(shù)據(jù)存儲量比CD高得多的介質(zhì),已經(jīng)獲得了一定的市場份額。目前,這種格式可用的類型有只讀(ROM)和可重寫(RW)類型。在可重寫DVD(DVD+RW)標準之后,開發(fā)了一種新的可記錄(R)、即一次性寫入的DVD+R標準。新的DVD+R標準作為對DVD+RW的重要支持得到了越來越多的關(guān)注??赡艿那闆r是終端消費者已經(jīng)過于熟悉光學(xué)一次性寫入格式,因而與可重寫格式相比他們可能更容易接受光學(xué)一次性寫入格式。
R和RW格式都存在的問題是有限的容量以及記錄時間,這是因為僅存在單疊層介質(zhì)。注意,對于ROM盤的DVD視頻來講,雙層介質(zhì)已經(jīng)獲得了相當大的市場份額。雙層、即雙疊層DVD+RW盤或許是切實可行的。然而,已經(jīng)更加清楚的是,完全兼容的盤,即在雙層DVD-ROM的反射和調(diào)制技術(shù)要求內(nèi)的盤是非常難以實現(xiàn)的,并且至少要求非晶/晶體相變材料性質(zhì)的重要突破,該材料用作諸如DVD+RW介質(zhì)中的記錄層。如果沒有完全兼容性,雙層DVD+RW在市場中能否成功就會受到置疑。
為了獲得與雙層DVD-ROM標準相兼容的雙層DVD+R介質(zhì),上層L1和下層L0的有效反射率至少應(yīng)為18%。有效表示當存在兩個疊層L0和L1并且分別聚焦到L0和L1上時,測得的從該介質(zhì)返回的有效光部分的反射率。這意味著疊層L0因此需要高得多的反射水平,例如大于50%,優(yōu)選大于60%,這是因為疊層L1吸收了大部分入射和出射光。應(yīng)當注意,常用的L0和L1符號規(guī)則中,符號L0是“最近的”疊層,即最接近輻射束入射面,而在本文獻中,該符號規(guī)則已經(jīng)改變了現(xiàn)在L0是最深的疊層,L1……Ln是更接近輻射束入射面的疊層。在EP1067535A2中,使用了以下定義dG1(對應(yīng)于本文獻中的dL1G)是染料層在第一或頂部信息記錄/再現(xiàn)單元的槽中的厚度,該單元對應(yīng)于L1,dG2(對應(yīng)于本文獻中的dL0G)是染料層在第二信息記錄/再現(xiàn)單元的槽中的厚度,該單元對應(yīng)于L0。dL1(對應(yīng)于本文獻中的dL1L)是染料層在對應(yīng)于L1的脊上的厚度,dL2(對應(yīng)于本文獻中的dL0L)是染料層在對應(yīng)于L0的脊上的厚度。對應(yīng)于L1的槽的深度是d1,而對應(yīng)于L0的槽的深度d2的定義不同。d2是在涂敷了染料層之后在染料表面上測得的脊與槽的高度差。dG2、d2和dL2設(shè)為約174、140和120nm。計算表明這對應(yīng)于與L0相對應(yīng)的基底中的槽深度g,約為194nm。申請人的測量已經(jīng)表示了槽深度為194nm的已知介質(zhì)的反向L0疊層的反射率僅為空白區(qū)域(即沒有槽的區(qū)域)反射率的15%-50%。這意味著不可能達到期望的60%的反射水平,因為為了獲得與雙層DVD-ROM標準相兼容的雙層DVD+R介質(zhì),聚焦到下層L0的數(shù)據(jù)軌道上的光束反射率應(yīng)足夠高(典型地>60%,這取決于上層L1的透射率)。從生產(chǎn)雙疊層DVD+R的角度來看,反向L0層結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的,這意味著L0疊層的記錄層出現(xiàn)在反射層的除了在基底上具有槽結(jié)構(gòu)一側(cè)之外的一側(cè)。在EP1067535A2中,提出了dG1基本上等于dG2,dL1基本上等于dL2。而且dG1應(yīng)大于dL1,而dG2應(yīng)大于dL2。
本發(fā)明的目的是提供一種開篇段落中所述類型的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其L0疊層的反射水平以及L0記錄疊層記錄層中記錄標記的調(diào)制水平與雙層DVD-ROM技術(shù)要求相兼容。
根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)存儲介質(zhì)已經(jīng)實現(xiàn)了這個目的,其特征在于第一L0引導(dǎo)槽的深度小于0.15λ,dL0L基本上等于或大于dL1G。為了實現(xiàn)L0疊層的高反射率值,提出了淺槽。根據(jù)計算,深度大于0.3λ的槽也可以實現(xiàn)高反射率,但是從母版制作和注模的角度考慮其更難于制造。對于0.15λ以上反射率降低的解釋是覆蓋了金屬的槽起到輻射束波導(dǎo)的作用,從而由于光學(xué)效應(yīng)降低了有效反射率。當深度>0.3λ時,這些效應(yīng)會再次導(dǎo)致反射率增加。因為在脊(即在通常形成為螺旋形的L0引導(dǎo)槽之間)上記錄L0疊層,所以要求厚度dL0L至少基本上等于厚度dL1G。這是因為申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了為記錄具有足夠調(diào)制的標記需要一個最小染料厚度。調(diào)制的定義是未記錄與已記錄標記的反射率值之差除以最大反射率值。在記錄過程中,由于溫度升高,記錄層(例如染料)的光學(xué)特性變化。只有染料折射率(Δndye)的變化乘以染料厚度(即Δndye×dL0L)足夠大,才可以獲得足夠的調(diào)制。如果dL1G的選擇使得記錄層L1中獲得DVD-ROM技術(shù)要求所需的至少60%的調(diào)制,則實驗表明只有dL0L至少等于或大于dL1G,才可以在記錄層L0中達到至少60%調(diào)制。通常,利用旋涂技術(shù)沉積記錄層(例如染料),因此當使dL0G基本上等于dL1G時,dL0L將小于dL1G,這是因為L0的脊所具有的記錄層比L0的相鄰槽淺。當dL0L基本上等于或大于dL1G時,補償了這種效應(yīng),并且在L0記錄層中獲得了足夠的標記調(diào)制水平以及較高的最大反射水平。輻射束的波長λ基本上為655nm(DVD)或者更小(對于未來的格式)。
在實施例中,dL0G基本上等于或大于2dL1L。當利用深度約為L1引導(dǎo)槽深度的1/5的L0引導(dǎo)槽時,L0疊層獲得了較高的反射率值。在脊上記錄L0疊層(與槽內(nèi)相反),以便獲得適當?shù)恼{(diào)制符號(高到低記錄)。這具有另一個優(yōu)點,即推挽式引導(dǎo)槽跟蹤信號具有適當?shù)姆?“脊上”)。參數(shù)L的定義為L=(dG-dL)/G,其中式dG是槽中的記錄層厚度,dL是脊上的記錄層厚度,G是槽的深度。這個參數(shù)是在將記錄層沉積到槽結(jié)構(gòu)上之后使其平整化的量度標準。通常,當具有較深的(100nm或更深)引導(dǎo)槽并且通過旋涂沉積記錄層時,典型的平整化約為0.2~0.5。L=0表示dG=dL,L=1表示在染料沉積到引導(dǎo)槽結(jié)構(gòu)上之后其上表面完全是平的。但是當利用較淺的L0引導(dǎo)槽時,可以采用L=1的平整化因子或者與其接近的值。在這種情況下,當dL0G基本上等于或大于2dL1L時,獲得了較好的記錄結(jié)果。
在另一實施例中,可記錄型L0和L1記錄層包括有機染料。在優(yōu)選實施例中,dL1G大于dL1L。當利用旋涂來沉積L1記錄層的染料時,該槽具有比相鄰脊更厚的記錄層。這有利于L1記錄層的記錄特性,這是因為在基于有機染料的記錄中,當染料體積限制在基底表面上出現(xiàn)的引導(dǎo)槽內(nèi)時,記錄過程是最佳的,其中在染料中記錄數(shù)據(jù),即標記。
在實施例中,介電層可以出現(xiàn)在L0記錄層中與存在第一反射層的一側(cè)相反的一側(cè)上。這樣的優(yōu)點在于具有更好的調(diào)制。介電層的厚度優(yōu)選為5nm-120nm。
在又一實施例中,包含金屬的第二反射層出現(xiàn)在L0記錄層與存在第一反射層的一側(cè)相反的一側(cè)上。優(yōu)選的是,第二反射層的厚度為5nm-15nm。第二反射層優(yōu)選主要包括從Ag、Au和Cu的組中選出的金屬。第二反射層的優(yōu)點在于L0疊層的反射率更高??赡苄枰B層設(shè)計的微小變化以達到良好的記錄性能。
在反向L0疊層中使用淺槽的其它優(yōu)點在于在輻射束反射過程中更不易察覺引導(dǎo)槽的抖動。抖動用于調(diào)制引導(dǎo)槽中的其它信息,例如地址或時間信號。當例如使用深度GL0為160nm的引導(dǎo)槽時,在與抖動具有相同周期的信號中可以看到15%的變化。當槽深GL0為35nm時,這種變化基本不出現(xiàn)。
參照附圖更加詳細地闡述本發(fā)明,其中

圖1表示了反向L0DVD+R疊層的空白區(qū)域(鏡面)和槽區(qū)域的反射率。槽深為126nm。槽區(qū)域的反射率僅僅約為空白區(qū)域的反射率的15%,圖2表示了反向L0DVD+R疊層的空白區(qū)域(鏡面)和槽區(qū)域的反射率。槽深為35nm。槽區(qū)域的反射率約為空白區(qū)域的反射率的85%,圖3示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明反向L0疊層實施例的橫截面圖,圖4a和4b表示了根據(jù)本發(fā)明的疊層設(shè)計模擬研究的計算結(jié)果,圖5a和5b表示了根據(jù)本發(fā)明的另一疊層設(shè)計模擬研究的計算結(jié)果,圖6表示了為參考盤計算的反射和調(diào)制,該基準盤為單層DVD+R。
在圖1中,表示了在使用槽深度GL0為126nm的基底時(不是根據(jù)本發(fā)明的),對反向L0DVD+R疊層的實驗結(jié)果。槽區(qū)域的反射率約為空白區(qū)域(鏡面)的反射率的15%。這個值是不可接收的。
在圖2中,表示了對反向L0DVD+R疊層的實驗結(jié)果。使用了根據(jù)本發(fā)明的槽深度約為35nm的DVD+RW基底。槽區(qū)域的反射率約為空白區(qū)域的反射率的85%,其顯著地高于更深的槽的反射率。該盤仍然表現(xiàn)出足夠的推挽信號,因此可以進行跟蹤。實驗還表明可以寫入數(shù)據(jù),盡管調(diào)制似乎較低(10%、11T載波噪聲比CNR~30dB),但是了利用圖5和圖6的疊層設(shè)計,可以獲得高調(diào)制。
L0基底31a具有35nm的深槽,其FWHM寬度WL0為300nm、反射層39為100nm的Ag,和80nm的偶氮染料記錄層35以及保護層。能夠使用的典型染料是(酞)花青型、偶氮型、squarylium型、pyrromethene型或具有需要特性的其它有機染料材料。
在圖3中,表示了用于記錄的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)30。在記錄過程中,聚焦輻射束,即655nm激光束40入射通過介質(zhì)30的入射表面41。該介質(zhì)包括第一基底31a,在該基底一側(cè)上具有第一記錄疊層33(記作L0),其包括可記錄型L0記錄層35,即偶氮染料。L0記錄層形成在位于第一基底31a中的第一L0引導(dǎo)槽38中,第一反射層39位于L0記錄層35與第一基底31a之間。第二基底31b在其一側(cè)上具有第二記錄疊層32(記作L1),其包括可記錄偶氮染料型L1記錄層34。第二L1記錄疊層32的位置比L0記錄疊層33更接近入射表面,并且其形成在第二L1引導(dǎo)槽37中。透明隔離層36夾在記錄疊層32、33之間并且厚度約為40μm。第一L0引導(dǎo)槽38深度為35nm。具有L0的第一基底31a附著于具有L1的基底,二者之間具有透明隔離層36,其起到粘結(jié)層的作用。包括例如Cu或Ag的半透明反射層42鄰接L1記錄層34。被稱為疊層1和疊層2的特別適合的L0疊層設(shè)計方案將在本文獻其它位置參照圖5和圖6的說明進行討論。對于這兩種盤類型的優(yōu)選隔離層厚度是40μm到70μm。一種特別的實施例是L1dL1G=80nm,dL1L=30nmm染料/12nm Ag/UV可固化樹脂(保護層),L1引導(dǎo)槽深度為160nm;L0100nm(ZnS)80(SiO2)20/dL0L=120nm,dL0G=150nm染料/100nmAg,L0引導(dǎo)槽深度為30nm;并且隔離層厚度為50μm。L1的有效反射率約為19%,L0的有效反射率(通過L1測得的)約為19%。
可記錄雙疊層DVD盤的上部L1疊層應(yīng)具有高透明度,以便對下部的L0疊層進行尋址。同時,L1優(yōu)選應(yīng)具有至少18%的反射率,以便達到雙層DVD-ROM的技術(shù)要求。此處提出的疊層不限于用于DVD+R-DL,并且也能夠用于任意(多疊層)的基于有機染料的光學(xué)記錄介質(zhì)。
在圖4a和4b中,示出了具有以下設(shè)計的疊層的模擬結(jié)果疊層1-基底31a中的引導(dǎo)槽深30到40nm,-100nm的光學(xué)閉合Ag第一反射層39。也可以使用其它金屬,例如Au、Cu或Al,-偶氮染料層,脊上厚度為130nm,該染料對于波長為655nm的輻射束的折射率為2.24-0.02i,其對應(yīng)于典型的DVD-R染料,-80到120nm(ZnS)80(SiO2)20,其它的n~2.1的電介質(zhì)產(chǎn)生相同的結(jié)果。
對于淺槽的情況,這種設(shè)計方案將反向L0記錄疊層的高反射率和高調(diào)制相組合。應(yīng)在(與槽內(nèi)相反)脊上記錄該疊層,以便獲得適當?shù)恼{(diào)制符號(高到低記錄)。這樣的另一個優(yōu)點是推挽信號具有適當?shù)姆?“脊上”)。早先描述了參數(shù)L的定義。
在圖4a中,表示了作為脊上染料厚度dL的函數(shù)的脊上反射率的計算結(jié)果。
在圖4b中,表示了作為槽脊上染料厚度dL的函數(shù)的脊上調(diào)制的計算結(jié)果。水平虛線表示了所需的最小水平。可以注意到,當染料厚度范圍約為100-130nm時達到該所需的水平。
利用這個疊層1獲得的實驗結(jié)果是75%的高調(diào)制和61%的高反射水平。調(diào)制通常定義為(Rmark-Rno-mark)/Rmax,其中式Rmark和Rno-mark分別是出現(xiàn)寫入標記和未出現(xiàn)標記時讀取激光束的反射水平,Rmax是最大反射率。寫入L0層所需的激光束功率僅為7mW,考慮到存在L1疊層,該功率值是有利的,這是因為L1疊層會吸收較大部分功率。
在圖5中所表示具有以下設(shè)計的疊層的模擬結(jié)果疊層2-基底31a中的引導(dǎo)槽深30到40nm,-100nm的光學(xué)閉合Ag反射層39。也可以使用其它金屬,例如Au、Cu或Al,-偶氮染料層,脊上厚度為100到130nm,該染料對于波長為655nm的輻射束的折射率為2.24-0.02i,其對應(yīng)于典型的DVD-R染料,-5到15nm的Ag的第二反射層,也可以使用其它金屬,例如Au或Cu。
利用這個疊層2獲得的實驗結(jié)果是75%的高調(diào)制和64%的高反射水平。寫入L0層所需的激光束功率僅為7mW,考慮到存在L1疊層,該功率值是有利的,這是因為L1疊層會吸收較大部分功率。
附圖中沒有表示的第三疊層設(shè)計也是可能的,描述如下疊層3-基底1a的引導(dǎo)槽深30到40nm,-100nm的光學(xué)閉合Ag反射層39。也可以使用其它金屬,例如Au、Cu或Al,-偶氮染料層35,脊上厚度為90到160nm,該染料對于波長為655nm的輻射束的折射率為2.24-0.02i,其對應(yīng)于典型的DVD-R染料,-5到50nm的SiO2層,也可以使用其它電介質(zhì)。
這種第三疊層設(shè)計方案的優(yōu)點在于其與第二疊層設(shè)計方案相比更易于制造。
在圖6中,作為實例表示了常規(guī)單疊層DVD+R盤的結(jié)果。染料的折射率取2.24-0.02i(這對應(yīng)于典型染料)。根據(jù)計算,染料厚度約為80到90nm時,槽上反射率曲線72和槽上調(diào)制曲線71都為最佳值。算得的反射率和調(diào)制程度與實驗獲得的值相當吻合。為了實現(xiàn)L0層良好的信號質(zhì)量,試圖獲得結(jié)合高反射率與高調(diào)制(均>60%)的疊層設(shè)計方案。結(jié)論是對于直接三層疊層設(shè)計,大多數(shù)情況下槽內(nèi)記錄信號具有錯誤的極性(低到高記錄,未示出)。因此,對于淺槽的情況來講,可以考慮脊上記錄,或者更復(fù)雜的疊層設(shè)計方案。
根據(jù)本發(fā)明的圖4和圖5的疊層設(shè)計方案都具有較高的記錄標記調(diào)制值和有效L0疊層反射值,即達到了雙層DVD的技術(shù)要求。注意,此處提出的疊層對于較淺的槽(即大約35nm)是最佳的,但是其它槽的深度也是可以的,例如<80nm。最佳槽的深度與輻射束波長λ成比例。
應(yīng)當理解,上述實施例是說明而非限定本發(fā)明,并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠在不背離所附權(quán)利要求范圍的情況下設(shè)計出許多可選實施例。在權(quán)利要求書中,任何置于括號中的附圖標記不應(yīng)構(gòu)成對權(quán)利要求的限定。詞語“包含”不排除不同于權(quán)利要求中列出的元件或步驟的出現(xiàn)。元件前的詞語“一個”不排除多個這種元件的出現(xiàn)?;厩闆r是彼此不同的權(quán)利要求中引述的某種方法不表示這些方法的組合不能加以利用。
根據(jù)本發(fā)明,描述了一種多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其用于利用聚焦輻射束進行記錄,該輻射束波長為λ并且通過介質(zhì)的入射表面入射。該介質(zhì)具有第一基底,在該基底一側(cè)上具有第一記錄疊層L0,第一記錄疊層L0包括可記錄型L0記錄層并且形成在第一L0引導(dǎo)槽中。L0記錄層在槽中的厚度為dL0G,與槽相鄰的厚度為dL0L,并且在L0記錄層和第一基底之間存在第一反射層。第二基底,在其一側(cè)上具有第二記錄疊層,記作L1,包括可記錄型L1記錄層。L1記錄層在槽中的厚度為dL1G,與槽相鄰的厚度為dL1L。第二記錄疊層的位置比L0記錄疊層更接近入射表面,并且其形成在第二L1引導(dǎo)槽中。第一L0引導(dǎo)槽的深度小于0.15λ,且dL0L基本上等于或大于dL1G,由此實現(xiàn)了記錄標記的反射水平和調(diào)制水平與雙層DVD-ROM技術(shù)要求相兼容的L0疊層。
權(quán)利要求
1.一種利用聚焦輻射束進行記錄的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),該聚焦輻射束的波長為λ并且在記錄過程中通過該介質(zhì)的入射面入射,包括-第一基底,在其一側(cè)上具有-第一記錄疊層,記作L0,其包括可記錄型L0記錄層并且形成在第一L0引導(dǎo)槽中,該L0記錄層在槽中的厚度為dL0G,與該槽相鄰的厚度為dL0L,第一反射層位于該L0記錄層與第一基底之間,-第二基底,在其一側(cè)上具有-第二記錄疊層,記作L1,其包括可記錄型L1記錄層,該L1記錄層在槽中的厚度為dL1G,與該槽相鄰的厚度為dL1L,所述第二記錄疊層的位置比L0記錄疊層更靠近入射面,并且形成在第二L1引導(dǎo)槽中,-夾在記錄疊層之間的透明隔離層,所述透明隔離層的厚度基本上大于聚焦輻射束的焦深,其特征在于第一L0引導(dǎo)槽的深度小于0.15λ,且dL0L基本上等于或大于dL1G。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其中dL0G基本上等于或大于2dL1L。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其中可記錄型L0和L1記錄層包含有機染料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其中dL1G大于dL1L。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其中在L0記錄層的與存在第一反射層的一側(cè)相反的一側(cè)上有介電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其中該介電層的厚度為5nm-120nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其中在L0記錄層的與存在第一反射層的一側(cè)相反的一側(cè)上有包含金屬的第二反射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其中該第二反射層的厚度為5nm-15nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),其中第二反射層主要包括從包含Ag、Au和Cu的組中選出的金屬。
10.根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項所述的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)在多疊層記錄中的應(yīng)用,其中第一記錄疊層L0的反射率水平大于50%,L0記錄層中記錄標記的調(diào)制大于60%。
全文摘要
描述了一種利用聚焦輻射束(40)進行記錄的多疊層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(30),該聚焦輻射束的波長為λ并且通過該介質(zhì)(30)的入射面(41)入射。該介質(zhì)包括第一基底(31a),在其一側(cè)上具有第一記錄疊層(33),記作L
文檔編號G11B7/258GK1679096SQ03820610
公開日2005年10月5日 申請日期2003年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月29日
發(fā)明者R·J·A·范登奧特拉亞爾, H·C·F·馬坦斯 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司
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