專利名稱：存儲元件及自動修復此存儲元件中的缺陷存儲單元的方法及存取此存儲元件的方法
技術領域：
本發(fā)明一般是有關于數字存儲系統(tǒng)，且更特別是有關于存儲元件、自動修復缺陷存儲單元(cell)的方法、以及存取存儲元件的方法。
傳統(tǒng)存儲元件的不足的一點為如果第一陣列中的損壞的工作單元的數目大于相同陣列中的冗余單元的數目，則不能替換所有的損壞的工作單元。因此，整個存儲元件已損壞，而必須替換。此外，即使第二陣列具有未使用的冗余單元，但是第一陣列不能使用來自第二陣列的未使用冗余單元來替換第一陣列中的損壞的工作單元。因此，第二陣列中的未使用冗余單元可能沒有使用。
存儲元件通常是在制造場所中修復，例如，在冗余單元用來替換損壞的工作單元的情況中，會以例如雷射來燒斷保險絲，以致于冗余單元會致能(activate)或損壞的工作單元會除能(deactivate)。然而，在實地(field)中，如果工作單元損壞(例如，在使用存儲元件的時候)，則不能替換損壞的工作單元，而必須替換整個存儲元件。
因此，有鑒于此，需要一種自動修復損壞的存儲元件的技術，其可在制造場所或實地中修復存儲單元。
根據本發(fā)明的一特征，提供一種可自動修復本身的存儲元件。此存儲元件包括工作單元陣列、冗余單元陣列、控制邏輯、以及查詢表。工作單元陣列包括數個工作存儲單元。冗余單元陣列包括數個冗余存儲單元。控制邏輯系用以控制將數據讀取及寫入至工作單元陣列及冗余單元陣列。查詢表用以儲存冗余單元陣列中所儲存的數據的地址。
在一具體實施例中，存儲元件包括電源關閉偵測器，用以偵測電源關閉電壓。存儲元件也可包括低電壓偵測器，用以偵測電源開啟電壓。在一具體實施例中，控制邏輯包括至少一個控制緩存器，而查詢表包括至少一個栓鎖緩存器。
在一具體實施例中，冗余單元陣列分布于至少二個扇區(qū)(sector)中。在另一具體實施例中，冗余單元陣列包含于一單一扇區(qū)中。在一具體實施例中，冗余單元陣列包括每個扇區(qū)有一個數據字節(jié)及每個扇區(qū)有三個地址字節(jié)。在一具體實施例中，冗余單元陣列包括第一扇區(qū)中的數據部分及第二扇區(qū)中的地址部分。在另一具體實施例中，冗余單元陣列包括第三扇區(qū)中的狀態(tài)部分。
根據本發(fā)明的另一特征，提出一種自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法。在此方法中，會將數據寫入至工作存儲單元。然后，會讀取寫入至工作存儲單元的數據。會比較寫入至工作存儲單元的數據與從工作存儲單元中所讀取的數據。如果寫入至工作存儲單元的數據與從工作存儲單元中所讀取的數據不相等(亦即，相同)，則會將數據寫入至冗余存儲單元，并且在查詢表中，會更新冗余存儲單元的地址與工作存儲單元的地址。
在一具體實施例中，會從冗余存儲單元中讀取數據。在此具體實施例中，會比較寫入至冗余存儲單元的數據與從冗余存儲單元中所讀取的數據。如果寫入至冗余存儲單元的數據與從冗余存儲單元中所讀取的數據不相等，則會將數據寫入至另一個冗余存儲單元。
在一具體實施例中，此方法還包括偵測存儲元件中的電源關閉條件及儲存查詢表。在一具體實施例中，查詢表儲存于包含冗余存儲單元的冗余單元陣列中。
在一具體實施例中，此方法還包括偵測存儲元件中的電源開啟條件及激活查詢表。在此具體實施例中，激活查詢表的運作包括從包含冗余存儲單元的冗余單元陣列中讀取查詢表。
根據本發(fā)明的又另一特征，提出一種存取存儲元件的方法。在此方法中，會接收數據的地址。然后，會判斷地址是否包含于查詢表中。如果地址未包含于查詢表中，則會存取工作存儲單元中的數據。如果地址包含于查詢表中，會在對應于查詢表中的地址的地址處，存取冗余存儲單元中的數據。
本發(fā)明有助于使存儲元件中的損壞的工作存儲單元能在任何時間(例如，在制造場所中或在實地中)自動修復。這明顯地改善存儲元件的可靠度。這樣改善的可靠度可降低在制造過程的期間，必須丟棄存儲元件的數目，并且可降低在用于實地中后，必須替換存儲元件的數目，借此可降低關于制造及存儲元件的銷售的成本。
本發(fā)明的其它特征及優(yōu)點將從以下的詳細說明(結合通過本發(fā)明的原理的例子所繪的附圖)而變成顯然可知。


圖1根據本發(fā)明的一具體實施例的可自動修復本身的存儲元件的方塊圖；圖2繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成存取(例如，讀取)存儲元件的方法運作的流程圖；圖3繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成電源開啟過程的期間的存儲元件的方法運作的流程圖；圖4A繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成電源關閉過程的期間的存儲元件的方法運作的流程圖；圖4B施加于存儲元件的電壓對時間的圖形；圖5A繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成自動修復缺陷存儲單元的方法運作的流程圖；圖5B繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成執(zhí)行讀取存取的方法運作的流程圖；以及圖5C繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成抹除存儲單元的方法運作的流程圖。標號說明100自動修復存儲元件11工作單元(cell)陣列12冗余單元陣列 13控制邏輯14查詢表 15低電壓偵測器16電源關閉偵測器 20控制緩存器22栓鎖緩存器200、300、400、500、520、550方法運作201-203、301-303、401-404、501-514、521-524、551-557本發(fā)明的施行步驟存儲元件制造商會處于降低制造成本及增加內存可靠度的壓力之下。因為修復損壞(failed)的工作單元會降低制造成本及增加可靠度，所以希望修復損壞的工作單元。如果存儲元件包括損壞的工作單元，則整個存儲元件必須廢棄，除非可修復損壞的工作單元。因此，修復損壞的工作單元會因為降低廢棄的存儲元件而增加生產良率。增加的生產良率也會因為除了已廢棄外的存儲元件而使存儲元件的銷售增加。當存儲元件用于實地(field)時，存儲元件中的工作單元也可能損壞。當這種情況發(fā)生時，使用者必須將損壞的存儲元件送回存儲元件制造商，以使存儲元件工作。因為其不只會增加成本，而且也會不利地影響到存儲元件制造商的品質信譽，所以這種情況是不希望的。
圖1根據本發(fā)明的一具體實施例的自動修復存儲元件100的方塊圖。如圖1中所顯示，自動修復存儲元件100包括工作單元陣列11、冗余單元陣列12、控制邏輯13、查詢表14、低電壓偵測器15、以及電源關閉偵測器16。
工作單元陣列11可包括許多扇區(qū)(sector)，并且每個扇區(qū)可包括大量的工作存儲單元。冗余單元陣列12可包括希望數目的冗余存儲單元。冗余存儲單元的結構可變化，以適合特定應用的需求。通過例子，冗余存儲單元可全部位于一個扇區(qū)中或可分布于二個或多個扇區(qū)之間。在另一例中，冗余存儲單元可包括每個扇區(qū)有一個數據字節(jié)及每個扇區(qū)有三個地址字節(jié)。在又另一例中，冗余存儲單元的數據部分可位于一個扇區(qū)中且冗余存儲單元的地址部分可位于第二扇區(qū)中。如果希望的話，在第三扇區(qū)中，可提供冗余存儲單元的狀態(tài)部分。冗余存儲單元可包括存儲體型式的組合。通過例子，冗余存儲單元可為快閃存儲單元。冗余存儲單元的數據部分可為快閃型式存儲單元，而冗余存儲單元的地址及狀態(tài)部分可為冗余可程序邏輯陣列(redundancy programmable logic array，簡稱RPLA)。
控制邏輯13控制將數據讀取及寫入至存儲元件100?？刂七壿?3也會控制電源開啟/關閉程序，以及查詢表14的狀態(tài)。控制邏輯13可包括控制緩存器20。在一具體實施例中，控制緩存器20包括8個位(例如，位0-7)。對于熟悉此技術者而言，將會顯然可知的是，控制緩存器20中的位數可與圖1中所顯示的位數不同。
在一具體實施例中，查詢表14的狀態(tài)包括F、M、P、以及ARF狀態(tài)。「F」狀態(tài)表示查詢表14是滿的?！窶」狀態(tài)表示需要較多的冗余存儲單元?！窤RF」狀態(tài)表示致能(enable)自動修復功能?！窹」狀態(tài)表示存儲元件100處于優(yōu)先權(privilege)模式。在優(yōu)先權模式中，如讀取，寫入等的運作會用于冗余單元陣列12。在一具體實施例中，查詢表14包括栓鎖緩存器22，其會儲存冗余單元陣列12及工作單元陣列11中的數據的對應地址。在一具體實施例中，查詢表14的地址部分包括三個字節(jié)(亦即，24個位)。查詢表14也可以是RPLA。
電源關閉偵測器16會偵測施加至存儲元件100的電源。當電源正減弱(例如，正移除存儲元件100的電源)時，會儲存查詢表14。在一具體實施例中，查詢表14會儲存于冗余單元陣列12中。低電壓偵測器15會偵測存儲元件100的電壓。當電壓到達最低工作電壓時(例如，當如電源開啟過程的期間，施加于存儲元件100的電壓)，控制邏輯13會重置且儲存于冗余單元陣列12中的數據的地址會復制到查詢表14。
圖2繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成存取(例如，讀取)存儲元件的方法運作200的流程圖。此方法開始于判斷運作201，其中會檢查所讀取的數據的地址，以判斷地址是否落于查詢表14中(見圖1)。如果地址未落于查詢表14中，則此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作203，其中會讀取來自于工作單元陣列11的數據。如果地址落于查詢表14中，則此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作202，其中會讀取來自于冗余單元陣列12(見圖1)的數據。在一具體實施例中，如果由地址所識別的工作存儲單元已早先識別為損壞的工作存儲單元，因此冗余存儲單元已分配用來取代損壞的工作存儲單元，地址將會落于查詢表14中。查詢表14會記錄對應于損壞的工作存儲單元的冗余存儲單元的分配。一旦在運作202或運作203中，已讀取數據，此方法會完成。
圖3繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成電源開啟過程的期間的圖1中所顯示的存儲元件100的方法運作300的流程圖。如圖3中所顯示，此方法開始于判斷運作301，其中會監(jiān)測供應至工作單元陣列11(見圖1)的電壓，以判斷何時電壓會到達低工作點。低工作點電壓可以是存儲元件100可運作的任何最小電壓。如果電壓未到達低工作點電壓，則運作301會重復，亦即，會進一步監(jiān)測施加的電壓。當電壓到達低工作點時，此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作302，其中控制邏輯13及查詢表14會重置。通過例子，控制邏輯13可通過將控制緩存器20中的全部位設定為0而重置。查詢表14可通過將來自于查詢表14的全部內容清除而重置。
一旦控制邏輯13及查詢表14已重置，此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作303，其中會將指定為查詢表14的數據讀取及寫入至查詢表14。在一具體實施例中，指定為查詢表14的數據會儲存于冗余單元陣列12中。在判斷運作304中，會監(jiān)測將數據讀取/寫入至查詢表14且會做出關于數據的讀取/寫入是否完成的判斷。如果數據的讀取/寫入未完成，則此方法會返回到運作303。一旦完成數據的讀取/寫入，則此方法會達成(亦即，完成電源開啟過程)，并且存儲元件100可用于正常的運作(如讀取、寫入、抹除等)。
圖4A繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成電源關閉過程的期間的圖1中所顯示的存儲元件100的方法運作的流程圖。如圖4A中所顯示，此方法開始于判斷運作401，其中會監(jiān)測施加至存儲元件100的電壓，以判斷電源是否減弱(例如，已移除或其它方式的中斷)。如果電源未減弱，則運作401會重復。當電源移除時，電壓在一段時間的期間會下降且可偵測出低于正常工作電壓的微小電壓降。在一具體實施例中，在電壓降低到低于低工作電壓之前，寫入運作會除能(disable)。當電源下降時，此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作402，其中會做出關于是否已抹除冗余單元陣列12中的數據的判斷。如果已抹除數據，則在運作403中，會將查詢表14復制到冗余單元陣列12。接著，在判斷運作404中，會判斷查詢表14是否完全復制到冗余單元陣列12。如果查詢表14未完全復制到冗余單元陣列12，則此方法會返回到運作403。當查詢表14完全復制到冗余單元陣列12時，電源關閉過程會結束且此方法會完成。在另一種具體實施例中，查詢表14可儲存于存儲元件100內之任何其它的內存位置，或者是代替或除了冗余單元陣列12之外的內存位置的組合。存儲元件100也可包括專用的查詢表內存，用以儲存查詢表14。
圖4B施加于圖1中所顯示的存儲元件100的電壓對時間的圖形450。在電源開啟周期的期間(亦即，從時間T0到時間T2)，電壓會從0伏特(或接近0伏特)變化到正常工作電壓。在時間T1，因為電壓會朝向正常工作電壓而以斜波上升，所以電壓會符合低工作電壓。當電壓符合低工作電壓時，低電壓偵測器15會激活電源開啟程序，如以上的圖3中所敘述。當正常工作電壓施加于存儲元件100(亦即，從時間T2到時間T3)時，存儲元件100會正常運作。在時間T3(會稍微在時間T3之前)，如圖形450所顯示，電壓會下降到低于正常工作電壓準位。當電壓下降到低于低工作電壓時，電源關閉程序(例如，如參考以上的圖4A所敘述)然后會激活且在時間T4之前會完成。
圖5A繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成自動修復存儲元件(例如，圖1所顯示的存儲元件100)中的缺陷存儲單元的方法運作500的流程圖。如圖5A中所顯示，在判斷運作501中，會存取地址且會詢問查詢表14，以判斷工作存儲單元的地址與冗余存儲單元的對應地址是否位于查詢表14中。如果兩者的地址皆位于查詢表14中，則此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作502，其中會將數據寫入至冗余存儲單元。如果工作存儲單元已早先識別為損壞的工作存儲單元且冗余存儲單元已分配用來替換損壞的工作存儲單元，工作存儲單元與冗余存儲單元的兩者的地址將會位于查詢表14中。在運作502之后，此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作512，其敘述于底下。如果工作存儲單元的地址不位于查詢表14中(亦即，工作存儲單元未早先判斷為已損壞)，則此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作503，其中會將數據寫入至工作存儲單元。在判斷運作504中，會監(jiān)測將數據寫入至工作存儲單元，并且會判斷將數據寫入至工作存儲單元是否完成。如果將數據寫入至工作存儲單元未完成，則運作503會重復。另一方面，如果已完成將數據寫入至工作存儲單元，則此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作505。
在運作505中，數據會從具有相同地址的工作存儲單元中讀取。接著，在判斷運作506中，運作505中所讀取數據會與運作503中所寫入的數據做比較。如果判斷出所讀取的數據與所寫入的數據相等(亦即，相同)，則此方法會完成。另一方面，如果判斷出所讀取的數據與所寫入的數據不相等，則在判斷運作507中，會檢查查詢表14，以判斷查詢表14是否是滿的。在一具體實施例中，因為全部的冗余單元已分配用來取代對應的損壞的工作存儲單元，所以查詢表14會是滿的。如果查詢表14是滿的，則在運作508中，查詢表14的狀態(tài)會設定為M或F。如以上所提及的，F狀態(tài)系表示查詢表14是滿的，而M狀態(tài)系表示需要較多的冗余存儲單元。如果查詢表14是滿的，則查詢表14的狀態(tài)會設定為F。如果查詢表14是滿的且需要額外的冗余存儲單元，則查詢表14的狀態(tài)會設定為M。例如，當最先填滿查詢表14時，查詢表14的狀態(tài)將會設定為F。當其后的工作存儲單元損壞且冗余存儲單元不再可分配用來取代其后的損壞的工作存儲單元時，則查詢表14的狀態(tài)會設定為M。
如果在判斷運作507中，判斷出查詢表14不是滿的，則在運作509中，會將數據寫入至選擇的冗余存儲單元。接著，在運作510中，查詢表14會更新，以致于損壞的工作存儲單元的地址與選擇的冗余存儲單元的地址相關。在判斷運作511中，會監(jiān)測查詢表14的更新運作，以判斷更新運作是否完成。如果查詢表14的更新未完成，則運作510會重復。另一方面，如果查詢表14的更新已完成，則過程會繼續(xù)執(zhí)行運作512。
在運作512中，數據會從使用相同地址的冗余存儲單元中讀取，以確認選擇的冗余存儲單元是可運作的且適合記錄數據。在判斷運作513中，運作512中所讀取數據會與運作509中所寫入的數據做比較。如果判斷出所讀取的數據與所寫入的數據相等，則此方法會完成。另一方面，如果判斷出所讀取的數據與所寫入的數據不相等，則在運作514中，會將數據寫入至第二冗余存儲單元。一旦已將數據寫入至第二冗余存儲單元，此方法會完成。
如上所述，當存取損壞的工作存儲單元(例如，存取損壞的工作存儲單元的地址)時，查詢表14將會間接存取對應的冗余存儲單元。圖5B繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成執(zhí)行讀取存取的方法運作520的流程圖。在運作521中，會檢查讀取存取的地址，以判斷地址是否位于查詢表14中。如果地址未位于查詢表14中，則在運作522中，會存取通過地址所識別的工作存儲單元。另一方面，如果在運作521中，判斷出地址位于查詢表14中，則在運作524中，會存取對應的冗余存儲單元(亦即，數據會從對應的冗余存儲單元中讀取)。在這些存取運作之后，存儲元件100會待命準備運作523中的下個運作。
圖5C繪示根據本發(fā)明的一具體實施例的達成抹除存儲單元的方法運作550的流程圖。此方法開始于運作551，其中在存儲元件(例如，圖1中所顯示的存儲元件100)中，會接收到用來抹除選擇地址處的存儲單元的抹除命令。如圖5C中所顯示，在判斷運作552中，會監(jiān)測抹除運作且會做出關于抹除運作是否完成的判斷。如果抹除運作未完成，則此方法會繼續(xù)監(jiān)測抹除運作。當判斷出抹除運作完成時，此方法會在判斷運作553中繼續(xù)下去。
在判斷運作553中，會檢查查詢表14，以決定選擇地址是否位于查詢表14中。如果選擇地址未位于查詢表14中，此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作556，其敘述于底下。另一方面，如果選擇地址位于查詢表14中，則在運作554中，會抹除對應的冗余存儲單元中的數據。接著，在判斷運作555中，會監(jiān)測抹除運作且會做出關于抹除運作是否完成的判斷。如果抹除運作未完成，則此方法會繼續(xù)監(jiān)測抹除運作。當判斷出抹除運作完成時，此方法會繼續(xù)執(zhí)行運作556，其中雙態(tài)組件位(toggle bit)/數據輪詢(datapolling)會停止。一旦雙態(tài)組件位/數據輪詢停止，此方法會完成且存儲元件會待命準備運作557中的下個運作。
如以上結合圖1的說明所提及的，控制邏輯13可包括控制緩存器20。在一具體實施例中，控制緩存器20包括8個位(例如，位0-7)。位0為查詢表14的F狀態(tài)位。位0中的「0」系表示查詢表14的狀態(tài)為「不是滿的」。位0中的「1」表示查詢表14的狀態(tài)為「滿的」(例如，查詢表14中的全部入口(entry)都是滿的)。位1為查詢表14的M狀態(tài)位。位1中的「0」表示查詢表14的狀態(tài)為「不需要額外的冗余存儲單元」。位1中的「1」表示查詢表14的狀態(tài)為「需要額外的冗余存儲單元」。位2為查詢表14的優(yōu)先權「P」模式狀態(tài)位。位2中的「0」表示查詢表14的狀態(tài)為「不處于優(yōu)先權模式」。位2中的「1」表示查詢表14的狀態(tài)為「處于優(yōu)先權模式」。當查詢表14的狀態(tài)為處于優(yōu)先權模式時，所有的存取(例如，讀取、寫入、抹除等)會指向冗余存儲單元。位3為自動修復功能(autorepair function，簡稱ARF)致能狀態(tài)位。位3中的「0」表示自動修復功能為除能。位3中的「1」表示自動修復功能為致能。在一具體實施例中，會檢查控制緩存器20，以判斷一種運作。例如，如果控制邏輯13接收到寫入命令，并且位2設定為「1」(亦即，存儲元件處于優(yōu)先權模式)，則寫入命令會指向冗余存儲單元。
要了解到的是，通過圖2-5C中所顯示的運作而表示的命令不需要以繪示的順序來達成，并且通過這些運作所表示的全部過程可不需要實施各種不同的方法。此外，對于熟悉此技藝者而言，將會顯然可知的是，圖2-5C中所顯示的方法也可以儲存于一個或多個存儲元件中的軟件來實施。
總而言之，本發(fā)明提供了可自動修復本身的存儲元件，自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法。本發(fā)明在此已在許多范例的具體實施例方面做說明。熟悉此技術者將會從本說明書的考慮及本發(fā)明的實施中而顯然可知本發(fā)明的其它具體實施例。上述的具體實施例及較佳的特征應該視為范例，包含通過權利要求書及其等效所定義的本發(fā)明的范圍。
權利要求
1.一種存儲元件，其特征在于，包括一工作單元陣列，包括復數個工作存儲單元；一冗余單元陣列，包括復數個冗余存儲單元；一控制邏輯，用以控制將一數據讀取及寫入至該工作單元陣列及該冗余單元陣列；以及一查詢表，用以儲存該冗余單元陣列中所儲存的該數據的地址。
2.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，還包括一電源關閉偵測器，用以偵測該存儲元件的一電源關閉電壓。
3.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，還包括一低電壓偵測器，用以偵測該存儲元件的一電源開啟電壓。
4.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，該控制邏輯包括至少一個控制緩存器。
5.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，該查詢表包括至少一個栓鎖緩存器。
6.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，該冗余單元陣列包含于一單一扇區(qū)中。
7.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，該冗余單元陣列分布于至少二個扇區(qū)中。
8.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，該冗余單元陣列包括每個扇區(qū)有一個數據字節(jié)及每個扇區(qū)有三個地址字節(jié)。
9.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，該冗余單元陣列包括一第一扇區(qū)中的一數據部分。
10.如權利要求9所述的存儲元件，其特征在于，該冗余單元陣列包括一第二扇區(qū)中的一地址部分。
11.如權利要求9所述的存儲元件，其特征在于，該冗余單元陣列包括一第三扇區(qū)中的一狀態(tài)部分。
12.一種自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法，其特征在于，包括將一數據寫入至一工作存儲單元；讀取寫入至該工作存儲單元的該數據；比較寫入至該工作存儲單元的該數據與從該工作存儲單元中所讀取的該數據；以及如果寫入至該工作存儲單元的該數據與從該工作存儲單元中所讀取的該數據不相等，則將該數據寫入至一冗余存儲單元；以及在一查詢表中，更新該冗余存儲單元的一地址與該工作存儲單元的一地址。
13.如權利要求12所述的自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法，其特征在于，還包括讀取寫入至該冗余存儲單元的該數據。
14.如權利要求13所述的自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法，其特征在于，該冗余存儲單元為一第一冗余存儲單元，并且該方法包括下列運作比較寫入至該第一冗余存儲單元的該數據與從該第一冗余存儲單元中所讀取的該數據；以及如果寫入至該第一冗余存儲單元的該數據與從該第一冗余存儲單元中所讀取的該數據不相等，則將該數據寫入至一第二冗余存儲單元。
15.如權利要求12所述的自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法，其特征在于，還包括偵測該存儲元件中的一電源關閉條件；以及儲存該查詢表。
16.如權利要求15所述的自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法，其特征在于，儲存該查詢表之運作包括將該查詢表儲存于包含該冗余存儲單元的一冗余單元陣列中。
17.如權利要求12所述的自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法，其特征在于，還包括偵測該存儲元件中的一電源開啟條件；以及激活該查詢表。
18.如權利要求17所述的自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法，其特征在于，激活該查詢表的運作包括從包含該冗余存儲單元的一冗余單元陣列中讀取該查詢表。
19.如權利要求12所述的自動修復存儲元件中的缺陷存儲單元的方法，其特征在于，還包括接收一存取地址，其包括該工作存儲單元的一地址；以及如果在該查詢表中，該工作存儲單元與該冗余存儲單元相關，會存取該冗余存儲單元。
20.一種存取存儲元件的方法，其特征在于，包括接收一數據的一地址；判斷該地址是否包含于一查詢表中；如果該地址未包含于該查詢表中，會存取一工作存儲單元中的該數據；以及如果該地址包含于該查詢表中，會在對應于該查詢表中的該地址的一地址處，存取一冗余存儲單元中的該數據。
全文摘要
一種可自動修復本身的存儲元件，包括工作單元陣列、冗余單元陣列、控制邏輯、以及查詢表。工作單元陣列包括數個工作存儲單元，而冗余單元陣列包括數個冗余存儲單元。控制邏輯用以控制將數據讀取及寫入至工作單元陣列及冗余單元陣列。查詢表用以儲存冗余單元陣列中所儲存的數據的地址。在自動修復缺陷存儲單元的方法中，當判斷出工作存儲單元為缺陷時，會將數據寫入至冗余存儲單元，并且在查詢表中，會更新冗余存儲單元的地址與工作存儲單元的地址。也敘述一種存取存儲元件的方法。
文檔編號G11C29/00GK1469381SQ0314823
公開日2004年1月21日 申請日期2003年7月3日 優(yōu)先權日2002年7月3日
發(fā)明者李民甫, 劉康懋, 嚴敏男 申請人:旺宏電子股份有限公司