專利名稱：磁盤驅(qū)動器組合的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一磁盤驅(qū)動器組合，特別是關(guān)于含有頭盤元件及驅(qū)動器電子器件的磁盤驅(qū)動器組合。
背景技術(shù)：
在磁介質(zhì)信息存儲領(lǐng)域中，在不改變某一設(shè)備結(jié)構(gòu)的前提下，通常會通過提高單位面積上的存儲密度來在所述設(shè)備中獲得最大的存儲量。如美國專利第5,596,458號所述，所述專利揭示了一種具可變區(qū)域讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁盤驅(qū)動器，被測量到的讀/寫性能數(shù)據(jù)用于建立每一區(qū)域的邊界及所述區(qū)域的讀/寫頻率，所述讀/寫轉(zhuǎn)換器適用的頻率范圍通過測量所述轉(zhuǎn)換器的讀/寫性能數(shù)據(jù)來確定。在此磁盤驅(qū)動器結(jié)構(gòu)中，驅(qū)動伺服信息寫入磁道后，即可根據(jù)所要達(dá)到的讀/寫轉(zhuǎn)換器磁道寬度來確定數(shù)據(jù)磁道間距。
此外，考慮到讀/寫轉(zhuǎn)換器的讀/寫特性以及區(qū)域布局，讀/寫轉(zhuǎn)換器磁道寬度記錄特性的測量數(shù)據(jù)可用來增大單位存儲密度。采用較小磁道寬度的記錄頭可以使數(shù)據(jù)磁道間配合更緊密，從而增大單位面積上的存儲密度，但存儲表面需由測量到的讀/寫轉(zhuǎn)換器寫入信號的磁道寬度來決定。如美國專利申請第08/966,591號所述，所述專利揭示了一種測量讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度，并利用所得到的結(jié)果來建立存儲介質(zhì)上的磁道間距的技術(shù)。利用測量到的磁道寬度建立磁道間距后，將伺服信息寫入磁道。采用上述技術(shù)后，每一存儲表面上的磁道間距將使單位面積上的存儲密度最大化，但每一讀/寫轉(zhuǎn)換器將僅具有唯一不變的磁道間距。因此，在每一區(qū)域上伺服磁道的寫入都需要一固定的間距。
雖然前述兩種技術(shù)各有其優(yōu)點(diǎn)，但在產(chǎn)品制作中，我們?nèi)韵Ｍ懿捎猛ǔ５乃欧诺篱g距，而無需建立一特殊的磁道間距來改變磁道寬度以獲得最大的存儲量。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種磁盤驅(qū)動器組合。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一磁盤驅(qū)動器組合中每個(gè)驅(qū)動器由一套為頭盤元件及驅(qū)動器電子器件預(yù)置的零件裝配而成。所述頭盤元件包括一第一磁面以及與所述第一磁面配合在一起的一第一讀/寫轉(zhuǎn)換器。在所述磁盤驅(qū)動器組合第一驅(qū)動器中所述第一磁面包括多個(gè)數(shù)據(jù)磁道和多個(gè)伺服域磁道，且在所述磁盤驅(qū)動器組合第一驅(qū)動器中所述數(shù)據(jù)磁道和所述伺服域磁道含有一第一伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。在所述磁盤驅(qū)動器組合第二驅(qū)動器中所述第一磁面的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系不同于所述磁盤驅(qū)動器組合第一驅(qū)動器的第一伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。
每個(gè)頭盤元件還包括一第二磁面，以及與所述第二磁面相配合的一第二讀/寫轉(zhuǎn)換器。在所述磁盤驅(qū)動器組合第一驅(qū)動器中所述第二磁面包括多個(gè)含有一磁道間距的伺服域磁道及多個(gè)含有一不同于所述伺服域間距的磁道間距的數(shù)據(jù)磁道，因此定義了一伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。所述第二磁面的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系不同于所述第一磁面的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。
本發(fā)明磁盤驅(qū)動器的優(yōu)點(diǎn)在于所述組合的磁盤驅(qū)動器可以用相同的預(yù)先生產(chǎn)的成套的頭盤元件和驅(qū)動器電子器件制造，所述組合的每個(gè)驅(qū)動器顯示了一些共有的特征。用通用的元件生產(chǎn)這一組合的磁盤驅(qū)動器時(shí)，每個(gè)磁盤表面的伺服磁道都可在相同磁道間距下寫入。

下面參照附圖配合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
圖1是本發(fā)明磁盤驅(qū)動器組合應(yīng)用步驟的一流程圖；圖2顯示了本發(fā)明磁盤驅(qū)動器組合中跟隨正常位置信號的一解調(diào)信號及從一伺服域磁道讀取的一積分位置信號；圖3是本發(fā)明磁盤驅(qū)動器組合一動態(tài)轉(zhuǎn)換器加載磁盤驅(qū)動器的俯視圖；圖4是本發(fā)明磁盤驅(qū)動器組合頭盤元件示意圖；圖5，6，7和8分別顯示應(yīng)用本發(fā)明磁盤驅(qū)動器組合的步驟的流程圖。
具體實(shí)施方式請參閱圖1，所述流程圖顯示了用來為讀/寫轉(zhuǎn)換器-存儲器配合定位數(shù)據(jù)磁道的過程。含有多個(gè)讀/寫轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)對配合的磁盤驅(qū)動器需要在每一配合中重復(fù)圖1所示的步驟。
圖2顯示了與標(biāo)準(zhǔn)位置信號成對的位于圖2上部的一常規(guī)位置信號8及位于圖2下部的積分位置信號9。所述伺服磁道用垂直實(shí)線來表示，除了在數(shù)據(jù)磁道1與伺服磁道1相重合，其余的數(shù)據(jù)磁道都用垂直虛線來表示。參照圖2，除了數(shù)據(jù)磁道1，其余數(shù)據(jù)磁道都偏離所述伺服磁道。圖2所示為關(guān)于一相配合磁面的一讀/寫轉(zhuǎn)換器的假定性能的范例，所述伺服信息已經(jīng)在一大于所述讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道間距上被記錄。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，所述伺服信息在測量過程之前即被記錄來決定相配合的讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度性能。所述伺服信息在一磁道間距上被寫入，所述磁道間距大于所述磁盤驅(qū)動器中的讀/寫轉(zhuǎn)換器期望可用磁道間距。所述范例中，所述比例是1.2，結(jié)果是所述數(shù)據(jù)磁道2在伺服磁道位置為2.2。在類似的方式中，數(shù)據(jù)磁道3在伺服磁道3和4之間，且它的位置是伺服磁道3.4，由數(shù)據(jù)磁道2的位置加上1.2到2.2產(chǎn)生。如圖1所示，一數(shù)據(jù)磁道的磁道位置公式在讀/寫轉(zhuǎn)換器相配合的介質(zhì)性能基礎(chǔ)上被定義，且所述磁道公式數(shù)據(jù)被存儲在所述磁盤驅(qū)動器的存儲器中來允許在伺服磁道位置的基礎(chǔ)上定位所述需要的數(shù)據(jù)磁道。
現(xiàn)有技術(shù)中，可以使用一個(gè)與理想的數(shù)據(jù)磁道間距相等或稍大的間距記錄伺服磁道。盡管伺服磁道間距比最后的數(shù)據(jù)磁道間距大，但可以通過以一個(gè)比預(yù)期的數(shù)據(jù)磁道間距稍微小的間距來記錄伺服磁道，使數(shù)據(jù)磁道比伺服磁道更緊密。最好的效果可以在當(dāng)預(yù)期最小轉(zhuǎn)換器磁道寬度尺度比伺服磁道空間多60％時(shí)獲得。
在圖2中，常規(guī)位置信號和積分位置信號的V1、V2、V3、V4、V5指示常規(guī)位置信號8和積分位置信號9上用于建立數(shù)據(jù)磁道1、2、3、4、5的數(shù)據(jù)磁道位置的位置，并標(biāo)記這些位置上信號的斜率。如果所述斜率和截止電壓已知，磁道伺服位置信號的斜率被預(yù)設(shè)為能被伺服系統(tǒng)用來控制磁道位置。斜率決定伺服極性，截止電壓決定預(yù)期的磁道無效位置。實(shí)際上，一個(gè)AGC或其它標(biāo)準(zhǔn)化過程校準(zhǔn)這兩個(gè)伺服信號的量級，這樣截止電壓基于磁道位置的偏移量可以被預(yù)測。而且斜率可從已知的預(yù)期伺服位置圖樣預(yù)知，同時(shí)已知兩個(gè)伺服信號中哪一個(gè)在數(shù)據(jù)磁道位置上是線性的。例如，在圖2中數(shù)據(jù)磁道3上，只有積分位置信號9是線性的。因此，所述信號被用于定位數(shù)據(jù)磁道3。在數(shù)據(jù)磁道2時(shí)，常規(guī)位置信號8和積分位置信號9都是線性的，因此兩個(gè)信號都能被用來搜尋和跟隨數(shù)據(jù)磁道2。
常規(guī)位置信號8被數(shù)據(jù)磁道1標(biāo)記，截止電壓V1為零，因?yàn)閿?shù)據(jù)磁道位置與伺服磁道位置的中心線一致。其它數(shù)據(jù)磁道位置的截止電壓混和了正電壓和負(fù)電壓，這在上面已經(jīng)提到，在所用到的位置信號基礎(chǔ)上被選擇使用，所述位置信號在被搜尋的數(shù)據(jù)磁道位置上具有一個(gè)線性斜率。通過選擇合適的預(yù)期數(shù)據(jù)磁道的截止電壓，任何磁道位置能用一個(gè)或其它常規(guī)位置信號8和積分位置信號9合成。
請參照圖1，如流程表的步驟2中所示，在磁道上寫入伺服信息后，下一步是測量讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度。磁道寬度的測量有多種方法，以下描述了三種。為數(shù)據(jù)磁道建立一個(gè)磁道間距的目的在于使之有一個(gè)盡可能高的磁道間距，但是也不能高到讀/寫記錄性能低于制造的水平。
一種測量讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度的方法包括用所述讀/寫轉(zhuǎn)換器寫一個(gè)測試圖樣到相關(guān)磁介質(zhì)表面，讀取所述測試圖樣并測量所述信號的一個(gè)振幅，然后擦除測試圖樣的一部分并讀取此信號的振幅，然后對測試圖樣擦除前后的信號振幅進(jìn)行比較。
另一種方式，我們可以使用一種測試程序決定不同磁道間距的誤差率來建立數(shù)據(jù)磁道間距，此方法的一實(shí)施例可以參照747測試程序，熟悉此技術(shù)的技術(shù)人員都了解。
測量讀/寫轉(zhuǎn)換器磁道寬度的第三種方法包括寫入一第一測試圖樣，緊接著讀出第一測試圖樣和測量信號的誤差率。下一步，將一第二和第三測試圖樣寫在第一測試圖樣的相反面。讀/寫轉(zhuǎn)換器返回到包含有第一測試圖樣的磁道，測量出信號的誤差率。在寫入第二和第三測試圖樣之后，讀出的誤差率將得到一最小磁道寬度，所述最小磁道寬度將用來為讀/寫轉(zhuǎn)換器提供一適合的誤差率。完成上述的測試后將得到磁道到磁道間可允許讀寫操作的最小距離。
參照圖3，磁盤驅(qū)動器25包括一依靠旋轉(zhuǎn)電動機(jī)(圖未示)旋轉(zhuǎn)的主軸27所支撐的磁盤26。磁盤26被磁盤夾28固定在相對于主軸27的某一位置。主軸中心C26是圓周計(jì)算相應(yīng)的磁盤中心，外邊緣36指磁盤26的外邊緣。
磁盤26及其相關(guān)的旋轉(zhuǎn)電動機(jī)、旋轉(zhuǎn)制動器(圖未示)和電子設(shè)備安裝在殼體29中。磁盤驅(qū)動器25使用一具有負(fù)載梁30的旋轉(zhuǎn)制動器，其主體部31能圍繞樞軸32旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)制動器包括一繞組33，所述繞組33和磁通盤裝置(圖未示)以及磁鐵34相連接，其作用是將讀/寫轉(zhuǎn)換器35移動到磁盤26表面的任一位置。讀/寫轉(zhuǎn)換器35可以是現(xiàn)有的磁性阻抗式或者電感式轉(zhuǎn)換器。
磁盤驅(qū)動器25的旋轉(zhuǎn)制動器使用一動態(tài)轉(zhuǎn)換器裝載機(jī)構(gòu)，所述機(jī)構(gòu)包括一和凸輪部件39的凸輪面38相配合的舉升桿37來實(shí)現(xiàn)讀/寫轉(zhuǎn)換器35的動態(tài)載入和卸載。集成電路42包含了磁盤驅(qū)動器25的工作電路。距離40是旋轉(zhuǎn)制動器的樞軸32到磁盤26的旋轉(zhuǎn)中心C26的距離，如圖3中Dam所示。距離41是從樞軸32至讀/寫轉(zhuǎn)換器35縫隙的距離，如圖3中用Dag所示。
旋轉(zhuǎn)制動器安裝在磁盤26的內(nèi)邊緣(圖未示)和磁盤26的外邊緣36之間。為便于解釋，圖3中的旋轉(zhuǎn)傳動器安裝在可計(jì)算出其邊界的區(qū)域N的內(nèi)緣。距離40與距離41之間的角度ΘN，即表示磁道N的角度。因?yàn)榇疟P驅(qū)動器25為一動態(tài)轉(zhuǎn)換器裝載磁盤驅(qū)動器，則其外圓周可由舉升桿37舉升讀/寫轉(zhuǎn)換器35離開磁盤26表面的位置決定。與此相似，內(nèi)圓周可以由位于磁通盤裝置34頂面下部的內(nèi)部碰撞制動器(圖未示)決定。
參照圖4，本發(fā)明磁盤驅(qū)動器組合中每個(gè)驅(qū)動器由一套為頭盤元件及驅(qū)動器電子器件預(yù)置的零件裝配而成，所述頭盤元件包括一磁盤100，所述磁盤含有一第一磁面10以及與其相配合的一第一讀/寫轉(zhuǎn)換器12，所述磁盤驅(qū)動器組合中第一驅(qū)動器第一磁面10包括多個(gè)含有一磁道間距的伺服磁道(圖未示)，以及多個(gè)含有一不同于所述伺服磁道間距的磁道間距的數(shù)據(jù)磁道(圖未示)，因此定義了一伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系；其中所述磁盤驅(qū)動器組合中第二驅(qū)動器第一磁面(圖未示)包括含有一磁道間距的多個(gè)伺服磁道(圖未示)和多個(gè)數(shù)據(jù)磁道(圖未示)，所述伺服磁道和所述數(shù)據(jù)磁道的磁道間距不同，因此定義了一伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系，其中所述第二驅(qū)動器第一磁面的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系不同于所述磁盤驅(qū)動器組合第一驅(qū)動器第一磁面伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。
圖5至圖8用流程圖的形式說明了和上述的圖1至圖4所描述的磁盤驅(qū)動器可變磁道寬度技術(shù)相關(guān)的構(gòu)造技術(shù)。使用本發(fā)明制造磁盤驅(qū)動器，首先根據(jù)圖1中的流程為每個(gè)讀/寫轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)表面配合建立磁道位置公式。假如磁盤驅(qū)動器包含了多個(gè)讀/寫轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)表面配合，應(yīng)所述分別為每個(gè)配合建立公式。當(dāng)磁道位置公式被存儲到存儲器中后(步驟6)，制造的過程是連續(xù)的，要按照以下的幾個(gè)過程。例如，參照圖5，在磁道公式關(guān)系建立后的磁盤驅(qū)動器裝配過程中，制造轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)換器/磁盤裝配到電路板的步驟1203。接著，在步驟2401中，所述磁面上數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的邊界基于讀/寫轉(zhuǎn)換器的建立并用于磁盤驅(qū)動器的制造。因?yàn)樗械挠脕砩a(chǎn)磁盤驅(qū)動器的讀/寫轉(zhuǎn)換器是購買的，所以數(shù)據(jù)區(qū)域的排放依照的不是測量讀/寫轉(zhuǎn)換器的頻率特性而是假定頻率特性落于某一范圍。接著，在步驟1208中，最優(yōu)化每個(gè)區(qū)域的讀信道濾波器，緊接著在步驟1209中確定驅(qū)動和剩下的錯誤，最后在步驟1210中完成最終的驅(qū)動測試。在上述制造流程過程中，需要注意的是讀/寫轉(zhuǎn)換器的讀/寫特性頻率是假定為一額定值，而且沒有考慮含有介質(zhì)表面的轉(zhuǎn)換器測量讀/寫頻率能力的特性優(yōu)勢。
請參閱圖6，在完成了圖1中的步驟6后，頭盤元件將像在步驟1203中所示的那樣裝配到電路板上。接著，測量出內(nèi)部碰撞制動器的位置(步驟1204)，隨后測量外部碰撞制動器(步驟1205)。下一步，測量出每個(gè)轉(zhuǎn)換器的密度容量和調(diào)整讀/寫頻率使磁盤密度最大化。這在圖6中的步驟1206中進(jìn)行了說明。在確定了轉(zhuǎn)換器容量和調(diào)整了讀/寫頻率之后，按照步驟1207所示排放數(shù)據(jù)區(qū)域。在步驟1207中仔細(xì)的描述了排放外部數(shù)據(jù)區(qū)域的過程。再下一步是最優(yōu)化每個(gè)區(qū)域的讀信道濾波器(步驟1208)，接下來的一步確定驅(qū)動器和少量的錯誤(步驟1209)，最后一步程序是驅(qū)動測試(步驟1210)。
根據(jù)本發(fā)明制造磁盤驅(qū)動器的另一種方法是，每一個(gè)讀/寫轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)表面的磁道位置公式由圖1所描述的方法決定，接下來是圖7中的步驟。對比圖6和圖7，其中包含了很多共同的步驟，這些步驟由共同的參數(shù)所表示。在流程圖中所提出的磁盤驅(qū)動器的制造配合了圖1和圖7，圖7中所示的制造過程共享了圖6所示的過程的優(yōu)點(diǎn)。
參照圖8，其中和圖1相關(guān)的步驟應(yīng)用到了特定的步驟中，例如，圖6。根據(jù)圖8的實(shí)例的制造過程，磁盤上磁道寫入的圓周數(shù)假定為一額定值，與圖6相反的是，沒有確定內(nèi)部和外部碰撞制動器。圖8中的制造過程遵循了圖6中所描述的過程，在圖6和圖8所表明的一些共同的步驟中使用了通用的參數(shù)。
本發(fā)明磁盤驅(qū)動器組合的磁盤驅(qū)動器可以由相同的一套為頭盤元件及驅(qū)動器電子器件預(yù)置的零件裝配而成。所述磁盤驅(qū)動器組合的每個(gè)驅(qū)動器顯示了一些共有的特征，例如存儲容量，甚至是一些元件，例如轉(zhuǎn)換器或者介質(zhì)，所述驅(qū)動器不適用一些最小的性能標(biāo)準(zhǔn)。用通用的元件生產(chǎn)這一組合的磁盤驅(qū)動器時(shí)，每個(gè)磁盤的表面都可在相同磁道間距下寫入伺服磁道，接下來當(dāng)最大化相同區(qū)域的存儲密度時(shí)，為每個(gè)讀/寫轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)表面配合建立數(shù)據(jù)磁道間距提供可接受的讀/寫性能。使用這種技術(shù)，增加的讀/寫轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)表面配合的存儲容量可以來補(bǔ)償執(zhí)行較少的讀/寫轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)表面配合來生產(chǎn)符合預(yù)設(shè)性能標(biāo)準(zhǔn)的磁盤驅(qū)動器，例如，存儲容量。每個(gè)讀/寫轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)表面配合有一不同的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。這種不同的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系可以存在于驅(qū)動器與驅(qū)動器之間，也可以存在于同一個(gè)磁盤驅(qū)動器的每個(gè)磁面與讀/寫轉(zhuǎn)換器配合之間。除了考慮數(shù)據(jù)磁道間距外，也要考慮記錄密度容量參數(shù)，這樣轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)配合將比依靠使用高性能轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)配合的記錄容量來克服低性能轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)配合的記錄容量的方法更有效。由于在所述區(qū)域中使用的區(qū)域邊界布局和記錄頻率是建立在性能參數(shù)和轉(zhuǎn)換器-介質(zhì)配合的基礎(chǔ)上的，因此所述磁盤驅(qū)動器組合中驅(qū)動器與驅(qū)動器之間的區(qū)域邊界模式有所不同。
權(quán)利要求
1.一磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述磁盤驅(qū)動器組合中每個(gè)驅(qū)動器由一套為頭盤元件及驅(qū)動器電子器件預(yù)置的零件裝配而成，所述頭盤元件包括一磁盤，所述磁盤含有一第一磁面以及與其相配合的一第一讀/寫轉(zhuǎn)換器，其中所述磁盤驅(qū)動器組合中第一驅(qū)動器第一磁面包括多個(gè)含有一磁道間距的伺服磁道，以及多個(gè)含有一不同于所述伺服磁道間距的磁道間距的數(shù)據(jù)磁道，因此定義了一伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系；其中所述磁盤驅(qū)動器組合中第二驅(qū)動器第一磁面包括含有一磁道間距的多個(gè)伺服磁道和數(shù)據(jù)磁道，所述伺服磁道和所述數(shù)據(jù)磁道的磁道間距不同，因此定義了一伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系，其中所述第二驅(qū)動器第一磁面的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系不同于所述磁盤驅(qū)動器組合第一驅(qū)動器第一磁面伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述第一驅(qū)動器和第二驅(qū)動器的伺服磁道間距相同。
3.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述頭盤元件包括一第二磁面以及與所述第二磁面相配合的一第二讀/寫轉(zhuǎn)換器，其中所述磁盤驅(qū)動器組合中第一驅(qū)動器第二磁面包括含有一磁道間距的多個(gè)伺服磁道和多個(gè)數(shù)據(jù)磁道，所述伺服磁道和所述數(shù)據(jù)磁道的磁道間距不同，因此定義了一伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系，其中所述第二磁面的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系不同于所述第一磁面的伺服域-數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。
4.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述第一驅(qū)動器第一磁面上數(shù)據(jù)磁道的數(shù)量不同于所述第二驅(qū)動器第一磁面上數(shù)據(jù)磁道的數(shù)量。
5.如權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述磁盤驅(qū)動器組合中第一驅(qū)動器第一磁面還包括了多個(gè)記錄區(qū)域，所述記錄區(qū)域含有定義為第一邊界模式的圓周邊界；所述磁盤驅(qū)動器組合中第二驅(qū)動器第一磁面還包括了多個(gè)記錄區(qū)域，所述記錄區(qū)域含定義為不同于第一邊界模式的第二邊界模式的圓周邊界。
6.如權(quán)利要求5所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述磁盤驅(qū)動器組合中第一驅(qū)動器第二磁面還包括了多個(gè)記錄區(qū)域，所述記錄區(qū)域含有定義為不同于所述第一邊界模式的一第三邊界模式的圓周邊界。
7.如權(quán)利要求6所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述磁盤驅(qū)動器組合第二驅(qū)動器第二磁面里包括含有定義為第四邊界模式的圓周邊界的多個(gè)記錄區(qū)域，其中所述第四邊界模式不同于所述第一邊界模式、所述第二邊界模式及所述第三邊界模式。
8.如權(quán)利要求5所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述磁盤驅(qū)動器組合第一及第二驅(qū)動器含有一相同的數(shù)據(jù)存儲容量，且所述第一驅(qū)動器的第一磁面上的數(shù)據(jù)磁道數(shù)量不同于所述第二驅(qū)動器的第一磁面上的數(shù)據(jù)磁道數(shù)量。
9.如權(quán)利要求5所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述第一驅(qū)動器的第一磁面含有一第一數(shù)據(jù)存儲容量，所述第一驅(qū)動器的第二面含有一第二數(shù)據(jù)存儲容量，其中所述第一數(shù)據(jù)存儲容量不同于所述第二數(shù)據(jù)存儲容量。
10.如權(quán)利要求6所述的磁盤驅(qū)動器組合，其特征在于所述第一及第二驅(qū)動器的每個(gè)面含有一數(shù)據(jù)存儲容量，其中所述第一驅(qū)動器的總的數(shù)據(jù)存儲容量與所述第二驅(qū)動器的總的數(shù)據(jù)存儲容量相同，且所述第一驅(qū)動器其中一磁面的數(shù)據(jù)存儲容量至少于所述第二驅(qū)動器中一磁面的數(shù)據(jù)存儲容量不同。
全文摘要
一磁盤驅(qū)動器組合，其中每個(gè)驅(qū)動器由一套為頭盤元件及驅(qū)動器電子器件預(yù)置的零件裝配而成。所述頭盤元件包括一第一磁面以及與所述第一磁面配合在一起的一第一讀/寫轉(zhuǎn)換器。在所述磁盤驅(qū)動器組合一第一驅(qū)動器中所述第一磁面包括多個(gè)數(shù)據(jù)磁道和多個(gè)伺服域磁道，且在所述磁盤驅(qū)動器組合第一驅(qū)動器中所述數(shù)據(jù)磁道和所述伺服域磁道含有一第一伺服域－數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。所述頭盤元件還包括一第二磁面，以及與所述第二磁面相配合的一第二讀/寫轉(zhuǎn)換器。在所述第一驅(qū)動器中所述第二磁面包括多個(gè)含有一磁道間距的伺服域磁道及多個(gè)含有一不同于所述伺服域間距的磁道間距的數(shù)據(jù)磁道，因此定義了一伺服域－數(shù)據(jù)磁道間距關(guān)系。
文檔編號G11B20/10GK1553436SQ03126750
公開日2004年12月8日 申請日期2003年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月30日
發(fā)明者布魯斯·伊莫, 布萊恩·威爾遜, 威爾遜, 布魯斯 伊莫 申請人:深圳易拓科技有限公司