專利名稱：具有樹脂基材的記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有樹脂基材的記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
為了增加光盤的記錄密度，人們已經(jīng)就增加物鏡的數(shù)值孔徑(NA)和縮短所用激光的波長(zhǎng)進(jìn)行了研究。在目前所使用的3.5英寸磁光盤驅(qū)動(dòng)器中，物鏡的數(shù)值孔徑為0.55。通過(guò)將物鏡的數(shù)值孔徑增加到0.70，能將射束點(diǎn)的大小從常規(guī)尺寸約1.0μm減小到0.78μm。通過(guò)縮短所要使用的激光波長(zhǎng)能取得類似效果。通過(guò)將目前所用激光的波長(zhǎng)從650nm改變成波長(zhǎng)405nm的藍(lán)紫激光，就能將常規(guī)射束點(diǎn)的尺寸由約1.0μm降低到0.65μm。結(jié)果，能縮短光盤上的刻痕，而且能使磁道間距變窄，從而允許高密度記錄。
在現(xiàn)有技術(shù)中，樹脂基材的熱變形并不特別成問(wèn)題，但是已經(jīng)知道，在采用這些手段以獲得高密度記錄的情況下，樹脂基材熱變形所引起的翹曲的容限降低了。這是由于，即使單層樹脂基材翹曲的水平相同，由于數(shù)值孔徑增加或波長(zhǎng)縮短，也可能出現(xiàn)光學(xué)象差，于是引起射束點(diǎn)形狀擾動(dòng)，從而嚴(yán)重影響記錄和復(fù)制的穩(wěn)定性。另外，關(guān)于數(shù)值孔徑增加引起的光學(xué)象差的問(wèn)題，光學(xué)象差對(duì)于厚度為1.2mm的常規(guī)樹脂基材的厚度變化是敏感的，樹脂基材的厚度偏差會(huì)引起極大的光學(xué)象差。
因此，在使用高數(shù)值孔徑物鏡的情況下，減少基材厚度是必要的。但是，當(dāng)基材厚度減少時(shí)，熱變形導(dǎo)致的翹曲趨于變得更大，以至于翹曲所致的光學(xué)象差有可能發(fā)生。在常規(guī)3.5英寸磁光盤中，在透明樹脂基材的第一表面上沿基材半徑方向距離其中心18-42mm的范圍內(nèi)形成記錄層。此記錄層和樹脂基材的第二表面，即作為激光束的入射表面，被涂覆了有機(jī)保護(hù)膜。
日本公開特許公報(bào)平11一16211公開了一種方法，即在與第一表面上形成的記錄層相同徑向范圍內(nèi)，在樹脂基材第二表面上形成熱膨脹系數(shù)小于樹脂基材熱膨脹系數(shù)的熱變形抑制膜，從而抑制樹脂基材翹曲。然而，在將此方法用于被光盤廣泛使用的聚碳酸酯基材上時(shí)，聚碳酸酯基材會(huì)從沒有形成記錄層和熱變形抑制膜的位置吸收濕氣。
濕氣一旦被吸收到聚碳酸酯基材中，由于介質(zhì)構(gòu)造，它就很難排出到大氣中，這種介質(zhì)構(gòu)造是，該基材被充當(dāng)阻濕材料的記錄層和熱變形抑制層封閉。因此，當(dāng)發(fā)生溫度突然上升時(shí)，濕氣被排出到聚碳酸酯基材和記錄層之間的分界處。結(jié)果記錄層有可能遭到腐蝕。特別是對(duì)于由聚碳酸酯或低雙折射和低吸濕飽和度的無(wú)定形聚烯烴樹脂所形成的基材，當(dāng)它們用于高密度記錄光盤時(shí)，此問(wèn)題是顯著的。由于環(huán)境溫度突然上升，在記錄層和樹酯基材之間的分界處以及熱變形抑制膜和樹脂基材之間的分界處，這種樹脂會(huì)發(fā)生吸濕或含有氣體。結(jié)果，受到所產(chǎn)生濕氣或氣體的壓力，該記錄層和熱變形抑制膜會(huì)從該樹脂基材上剝離，使基材上產(chǎn)生半球形膨脹，從而導(dǎo)致記錄和復(fù)制錯(cuò)誤。這種現(xiàn)象是由于以下事實(shí)，具有低飽和吸濕率的樹脂所吸的濕氣難于遷移到內(nèi)部，以致濕氣或氣體傾向于排向最靠近的分界處。
另一個(gè)問(wèn)題是光學(xué)特性的喪失，即，盡管熱變形抑制膜是透明的，但是由于該熱變形抑制膜是在激光束的入射表面上形成的，所以存在反射和吸收所致的激光束功率損耗。激光束功率損耗會(huì)引起靠光盤高速旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行高速記錄和復(fù)制的容限降低。為了應(yīng)對(duì)記錄層腐蝕和光學(xué)特性損耗的問(wèn)題，日本公開特許公報(bào)平1-292639公開了一種介質(zhì)構(gòu)造，其中在樹脂基材第二表面上，在從基材的最內(nèi)圓周沿徑向到相應(yīng)于基材第一表面上形成的記錄層記錄區(qū)的內(nèi)周邊的徑向范圍內(nèi)形成熱變形抑制膜，形成的方式是，熱變形抑制膜不與記錄區(qū)交疊。
現(xiàn)在參考圖1更具體描述現(xiàn)有技術(shù)中的這種介質(zhì)構(gòu)造。標(biāo)號(hào)2一般代表記錄介質(zhì)。記錄介質(zhì)2包括具有彼此相對(duì)的第一和第二表面的透明樹脂基材4。在樹脂基材4的第一表面上形成記錄層6。該記錄基材4具有中心孔5。在樹脂基材4的第二表面上，在由中心孔5到記錄層6的記錄區(qū)的內(nèi)周邊的對(duì)應(yīng)位置的徑向范圍內(nèi)，形成熱變形抑制膜8。因此，熱變形抑制膜8沒有與記錄層6的記錄區(qū)交疊。利用這種在記錄區(qū)內(nèi)側(cè)沿徑向形成熱變形抑制膜8的構(gòu)造，在記錄區(qū)處，記錄層6和熱變形抑制膜8并未將樹脂基材4完全包圍，從而避免了記錄層6的腐蝕。此外，由于在激光束入射區(qū)之外形成了熱變形抑制膜8，所以沒有光學(xué)損耗的問(wèn)題。
但是，從中心孔5到記錄層6的記錄區(qū)內(nèi)周邊的徑向范圍內(nèi)形成熱變形抑制膜8，在這種構(gòu)造中，如箭頭14所示，熱變形抑制膜8與光盤驅(qū)動(dòng)器主軸12的參考面相接觸，從而導(dǎo)致熱變形抑制膜8從基材4上剝離。結(jié)果，易于產(chǎn)生灰塵，并且損失記錄介質(zhì)2和主軸12的參考面之間的接觸部分的平直度，導(dǎo)致難于穩(wěn)定地記錄和復(fù)制。可通過(guò)涂覆一種有機(jī)保護(hù)膜來(lái)覆蓋熱變形抑制膜8，從而解決熱變形抑制膜8剝離的問(wèn)題。
但是，熱變形抑制膜8與主軸12的參考面之間的接觸部分是基材最靠里的圓周處的環(huán)形區(qū)域，致使在使用旋轉(zhuǎn)涂覆器涂覆有機(jī)保護(hù)膜時(shí)，基材的圓周速度不高，從而難于涂覆均勻厚度的有機(jī)保護(hù)膜。此外，在沒有涂覆有機(jī)保護(hù)膜的情況下，存在熱變形抑制膜耐用性問(wèn)題。例如，由用戶用含醇清潔劑和抹布或許多情況下用軟紙對(duì)光盤的入射表面進(jìn)行的每日清潔。
如果熱變形抑制膜對(duì)樹脂基材的粘著性低，擦去清潔劑時(shí)，容易剝離熱變形抑制膜。為了驗(yàn)證這個(gè)事實(shí)，通過(guò)擦拭試驗(yàn)來(lái)評(píng)價(jià)熱變形抑制膜的粘著性。更具體地，在聚碳酸酯基材上通過(guò)濺射形成厚度為165nm的、作為熱變形抑制膜的SiN膜，以便通過(guò)擦拭試驗(yàn)評(píng)價(jià)SiN膜的粘著性。擦拭試驗(yàn)如下進(jìn)行用浸透乙醇的擦拭裝置擦拭SiN膜，直到SiN膜剝離掉。在此擦拭試驗(yàn)中，向擦拭裝置施加100克的載荷，并將擦拭速度設(shè)定為500mm/min。這樣，重復(fù)上述的盤片清潔工作。此擦拭試驗(yàn)的結(jié)果是，經(jīng)過(guò)擦拭裝置5個(gè)來(lái)回擦拭，SiN膜被剝離掉。此結(jié)果表明，需要給熱變形抑制膜加上有機(jī)保護(hù)膜。
涂覆有機(jī)保護(hù)膜存在另外一個(gè)問(wèn)題。在形成熱變形抑制膜時(shí)，在該熱變形抑制膜之內(nèi)或之上不可避免地會(huì)沉積突起的雜質(zhì)。在一種涂覆有機(jī)保護(hù)膜的常規(guī)涂層方法中，在有機(jī)保護(hù)膜上出現(xiàn)突起所造成的線狀缺陷。該線狀缺陷從突起的雜質(zhì)向該有機(jī)保護(hù)膜的外周界擴(kuò)展。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供具有樹脂基材的記錄介質(zhì)，所述樹脂基材能夠抑制因環(huán)境溫度改變而造成的樹脂基材翹曲。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，其提供一種記錄介質(zhì)，該介質(zhì)包括樹脂基材，該基材具有第一熱膨脹系數(shù)、中心孔、第一表面以及與該第一表面相對(duì)的第二表面；記錄層，該記錄層在該樹脂基材的第一表面上形成，該記錄層具有記錄區(qū)、在該記錄區(qū)內(nèi)周邊內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、和在該記錄區(qū)外周邊外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)；保護(hù)層，該保護(hù)層在該樹脂基材的第一表面上形成，以至于覆蓋該記錄層；和熱變形抑制層，該抑制層在該樹脂基材的第二表面上形成，形成該抑制層的區(qū)域?yàn)槌司嚯x該中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、該記錄區(qū)和該外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，該熱變形抑制層具有小于該第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。
優(yōu)選地，該樹脂基材是圓形的，而且該記錄層是可光學(xué)記錄的。該記錄層具有小于該第一熱膨脹系數(shù)的第三熱膨脹系數(shù)。優(yōu)選，該第二熱膨脹系數(shù)小于該第三熱膨脹系數(shù)。該熱變形抑制層由例如SiN形成。優(yōu)選，該熱變形抑制層在沿著該樹脂基材的半徑方向距離其中心13.5-22mm的范圍，更優(yōu)選在沿著該樹脂基材的半徑方向距離其中心17-22mm的范圍內(nèi)形成。優(yōu)選，第二保護(hù)層在該樹脂基材的第二表面上形成，以至于覆蓋該熱變形抑制層。該熱變形抑制層粘合到該樹脂基材上，或者通過(guò)濺射、蒸發(fā)或印刷方法形成。
按照本發(fā)明的另一方面，提供一種記錄介質(zhì)，所述記錄介質(zhì)包括樹脂基材，該基材具有第一熱膨脹系數(shù)、第一中心孔、第一表面、以及與該第一表面相對(duì)的第二表面；記錄層，該記錄層在該樹脂基材的該第一表面上形成，該記錄層具有記錄區(qū)、在該記錄區(qū)的內(nèi)周邊的內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、以及在該記錄區(qū)的外周邊的外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)；熱變形抑制層，該抑制層在該樹脂基材的第二表面上形成，形成該抑制層的區(qū)域?yàn)槌司嚯x該第一中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、該記錄區(qū)和該外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，該熱變形抑制層具有小于該第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)；和模襯(dummy)樹脂基材，該基材粘合到該樹脂基材的該第一表面上，該模襯樹脂基材具有與該第一中心孔對(duì)準(zhǔn)的第二中心孔。
按照本發(fā)明的再一方面，提供一種記錄介質(zhì)，所述記錄介質(zhì)包括樹脂基材，該基材具有第一熱膨脹系數(shù)、第一中心孔和第一表面；記錄層，該記錄層在該樹脂基材的該第一表面上形成，該記錄層具有記錄區(qū)、在該記錄區(qū)的內(nèi)周邊的內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)非記錄區(qū)、以及在該記錄區(qū)的外周邊的外側(cè)形成的外非記錄區(qū)；模襯樹脂基材，該模襯樹脂基材粘合到該樹脂基材的第一表面上，該模襯樹脂基材具有與該樹脂基材的第一表面相對(duì)的表面和與該第一中心孔對(duì)準(zhǔn)的第二中心孔；和熱變形抑制層，該熱變形抑制層在該模襯樹脂基材的相對(duì)表面上形成，熱變形抑制層的形成區(qū)域?yàn)槌司嚯x該第二中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、相應(yīng)于該記錄區(qū)的區(qū)域，和相應(yīng)于該外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，該熱變形抑制層具有小于該第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。
按照本發(fā)明再進(jìn)一步的方面，提供一種能至少讀取記錄在光記錄介質(zhì)上的信息的光存儲(chǔ)設(shè)備，該存儲(chǔ)設(shè)備包括發(fā)射光束的光源；光學(xué)頭，其將該光束聚焦在該光記錄介質(zhì)上；和光電探測(cè)器，其用于根據(jù)該光束在該光記錄介質(zhì)上反射的光產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)；所述光記錄介質(zhì)，其包括樹脂基材，該基材具有第一熱膨脹系數(shù)、中心孔、第一表面以及與該第一表面相對(duì)的第二表面；記錄層，該記錄層在該樹脂基材的第一表面上形成，該記錄層具有記錄區(qū)、在該記錄區(qū)內(nèi)周邊內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、和在該記錄區(qū)外周邊外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)；保護(hù)層，該保護(hù)層在該樹脂基材的第一表面上形成，以至于覆蓋該記錄層；和熱變形抑制層，該抑制層在該樹脂基材的第二表面上形成，形成該抑制層的區(qū)域?yàn)槌司嚯x該第一中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、該記錄區(qū)和該外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，該熱變形抑制層具有小于該第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。
通過(guò)參考顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的附圖，研究以下描述和權(quán)利要求書，本發(fā)明的以上及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)它們的方式將變得更加明顯，并且將會(huì)對(duì)本發(fā)明本身得到最好的理解。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)記錄介質(zhì)的斷面視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)的斷面視圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)的熱變形量對(duì)熱變形抑制膜厚度依賴關(guān)系的曲線圖；圖4是表示現(xiàn)有技術(shù)中記錄介質(zhì)的熱變形量對(duì)熱變形抑制膜厚度依賴關(guān)系的曲線圖；圖5A是說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)操作的示意圖；圖5B是說(shuō)明本發(fā)明操作的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)的斷面視圖；圖7是曲線圖，表示用擦拭試驗(yàn)評(píng)價(jià)熱變形抑制膜耐久性的評(píng)價(jià)結(jié)果；圖8是根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)的斷面分解圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)的斷面分解圖；圖10是磁光盤驅(qū)動(dòng)器的側(cè)視示意圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考這些附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方案。在以下每個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的描述中，用相同附圖標(biāo)號(hào)代表與圖1所示現(xiàn)有技術(shù)部件相同的那些部件，并因此略去其說(shuō)明。參考圖2，它表示了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)2A的斷面視圖。記錄介質(zhì)2A例如是一種光盤或磁光盤。本發(fā)明書中，以3.5英寸磁光盤為例。3.5英寸長(zhǎng)度等于3.5×2.54≈8.89≈約9cm。
附圖標(biāo)記4代表由例如聚碳酸酯形成的透明樹脂基材。樹脂基材4有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面。在樹脂基材4的第一表面上形成記錄層6。樹脂基材4具有直徑D1＝15mm的中心孔5，而且具有第一熱膨脹系數(shù)。記錄層6包括由例如TbFeCo形成的磁膜。記錄層6具有記錄區(qū)6a、在記錄區(qū)6a的徑向內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)6b、和在記錄區(qū)6a的徑向外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)6c。光學(xué)頭在記錄區(qū)6a內(nèi)移動(dòng)，使記錄層6記錄數(shù)據(jù)和/或從記錄層6復(fù)制數(shù)據(jù)。
在從碟形記錄介質(zhì)2A的中心沿半徑方向18到42mm的范圍內(nèi)形成記錄層6。樹脂基材4的厚度為0.6mm，而且其熱變形相對(duì)較大。在樹脂基材4除了內(nèi)圓周區(qū)域15之外的第二表面上形成熱變形抑制膜或?qū)?，該內(nèi)圓周區(qū)域距離中心孔5、記錄區(qū)6a和外側(cè)非記錄區(qū)6c有預(yù)定的徑向范圍。熱變形抑制膜8具有小于樹脂基材4第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。熱變形抑制膜8由例如SiN經(jīng)濺射或蒸發(fā)等方法形成。在樹脂基材4的第一表面上形成有機(jī)保護(hù)膜10，使其完全覆蓋記錄層6。
在距離樹脂基材4的中心17-22mm的徑向范圍內(nèi)形成樹脂熱變形抑制膜8。圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中，在距離樹脂基材4的中心7.5-22mm的徑向范圍內(nèi)形成熱變形抑制膜8。通過(guò)使用帶如上布置的熱變形抑制膜8的記錄介質(zhì)2A和2，測(cè)量每種記錄介質(zhì)的熱變形量對(duì)每種膜8厚度的依賴關(guān)系，測(cè)量的條件為各種膜的厚度在0-300nm范圍改變，每種記錄介質(zhì)的溫度由25℃升高到55℃。各種膜8的上述徑向范圍是與3.5英寸記錄介質(zhì)的徑向范圍相應(yīng)的。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)2A的熱變形量對(duì)介質(zhì)2A的熱變形抑制膜8厚度的依賴關(guān)系。記錄介質(zhì)2A的熱變形抑制膜8的徑向范圍是17-22mm。圖4顯示圖1所示現(xiàn)有技術(shù)記錄介質(zhì)2的熱變形量對(duì)介質(zhì)2的熱變形抑制膜8厚度的依賴關(guān)系。記錄介質(zhì)2的熱變形抑制膜8的徑向范圍是7.5-22mm。在圖4所示的現(xiàn)有技術(shù)中，能將介質(zhì)2的熱變形量抑制到0的熱變形抑制膜8的厚度為內(nèi)圓周處(r25mm)200nm和外圓周處(r40mm)240nm。因此，內(nèi)和外圓周處用相同厚度的熱變形抑制膜8不能將熱變形量抑制到0。
相反，如圖3所示，按照熱變形抑制膜8徑向范圍為17-22mm的本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施方案，內(nèi)圓周處(r25mm)的介質(zhì)2A的熱變形量在熱變形抑制膜8的厚度在160-300nm保持為0。此外，如圖3所示，外圓周處(r40mm)的介質(zhì)2A的熱變形量在熱變形抑制膜8的厚度為230nm時(shí)為0。因此，通過(guò)將熱變形抑制膜8的厚度設(shè)定為230nm，內(nèi)和外圓周處的熱變形量均能抑制為0。按照本發(fā)明，優(yōu)選在徑向距離樹脂基材4的中心13.5-22mm的范圍形成熱變形抑制膜8，更優(yōu)選如上述優(yōu)選實(shí)施方案所述，在徑向距離樹脂基材4的中心17-22mm的范圍形成該熱變形抑制膜8。
圖1所示主軸12的半徑為11.5mm。因此，盡管熱變形抑制膜8的徑向范圍設(shè)定在13.5-22mm，但是，熱變形抑制膜8未干擾主軸12?，F(xiàn)在還不十分清楚為什么與圖1中的現(xiàn)有技術(shù)相比，優(yōu)選在圖2所示具有預(yù)定徑向范圍的內(nèi)圓周區(qū)域15以外形成熱變形抑制膜8。然而，據(jù)估計(jì)，在本發(fā)明中，記錄層6抵消基材變形現(xiàn)象的條件更寬，而本發(fā)明的特征在于，在內(nèi)圓周區(qū)域15中沒有形成熱變形抑制膜8。
現(xiàn)在將參考附圖5A和5B對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述。圖5A說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)操作的示意圖，而圖5B是說(shuō)明本發(fā)明操作的示意圖。如圖5A所示，在樹脂基材18上僅形成記錄層20，而且在樹脂基材22上僅形成熱變形抑制膜24。如圖5B所示，在樹脂基材18上僅形成記錄層20，而且在樹脂基材22上僅形成熱變形抑制膜24’。在圖5A和圖5B中，箭頭代表基材18和20中因溫度變化而產(chǎn)生的力。如果在每種情形下，通過(guò)提供熱變形抑制膜24或24’使基材22中由內(nèi)圓周向其外圓周產(chǎn)生的力等于基材18中由內(nèi)圓周向其外圓周產(chǎn)生的力，則基材18不應(yīng)當(dāng)變形。
然而，在圖5A所示的現(xiàn)有技術(shù)中，不能以如下方式在基材18的整個(gè)區(qū)域抑制其變形而達(dá)到很好的平衡，即，當(dāng)在基材22的內(nèi)圓周處和中間圓周處產(chǎn)生的力，等于在基材18相應(yīng)區(qū)域產(chǎn)生的力時(shí)，則在基材22的外圓周處產(chǎn)生的力不等于在基材18相應(yīng)區(qū)域產(chǎn)生的力。相反，按照?qǐng)D5B所示的本發(fā)明，通過(guò)在最佳位置上提供熱變形抑制膜24’，增加了設(shè)計(jì)的自由度，使得能設(shè)定抵消基材變形現(xiàn)象的條件，以至于能對(duì)基材22施加與在基材18整個(gè)區(qū)域產(chǎn)生的基本上相同的力。
也認(rèn)為由于以下操作抑制了記錄介質(zhì)2A的翹曲。在記錄介質(zhì)2A被加熱到足以引起熱變形的情形下，介質(zhì)2A在作為作用點(diǎn)的圖1所示主軸12的基準(zhǔn)面的外圓周處朝著第一表面一側(cè)翹曲，而且還在作為作用點(diǎn)的熱變形抑制膜8的外圓周處朝著第二表面一側(cè)翹曲。這些翹曲行為在兩個(gè)不同方向上相互抵消，從而抑制了記錄介質(zhì)2A的熱變形。
盡管在此優(yōu)選實(shí)施方案中熱變形抑制膜8是SiN膜，但熱變形抑制膜8的材料不限于SiN，而是可以用熱膨脹系數(shù)小于樹脂基材4熱膨脹系數(shù)的任何材料作為膜8。此外，熱變形抑制膜8的結(jié)構(gòu)可為單層結(jié)構(gòu)或由不同材料組成的多層結(jié)構(gòu)。此外，熱變形抑制膜8可被粘合或印刷到樹脂基材4上。在以SiN作為熱變形抑制膜8的材料的情況下，熱變形抑制膜8的熱膨脹系數(shù)小于記錄層6的熱膨脹系數(shù)。
圖6是按照本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)2B的斷面視圖。在此優(yōu)選實(shí)施方案中，將一種有機(jī)保護(hù)膜26涂覆在樹脂基材4的第二表面上，使得熱變形抑制膜8被完全覆蓋。此優(yōu)選實(shí)施方案的另一構(gòu)造與第一優(yōu)選實(shí)施方案的類似。現(xiàn)在將檢驗(yàn)熱變形抑制膜8的耐久性。在使用SiN薄膜等作為熱變形抑制膜8的情形下，熱變形抑制膜8存在耐久性問(wèn)題，而且因此需要如圖6所示的第二優(yōu)選實(shí)施方案中那樣，用有機(jī)保護(hù)膜26涂覆該熱變形抑制膜8。現(xiàn)在將描述有機(jī)保護(hù)膜26的效果。
圖7表示用擦拭試驗(yàn)評(píng)價(jià)熱變形抑制膜8的耐久性的評(píng)價(jià)結(jié)果。更具體地，在聚碳酸酯基材上通過(guò)濺射形成厚度165nm作為熱變形抑制膜8的SiN膜，用擦拭試驗(yàn)評(píng)價(jià)該SiN膜的粘著性。擦拭試驗(yàn)如下進(jìn)行，用浸有乙醇的擦拭裝置擦拭，直到SiN膜剝離。在此擦拭試驗(yàn)中，對(duì)擦拭裝置施加100克的載荷，并且設(shè)定擦拭速度為500mm/min。在沒有涂覆有機(jī)保護(hù)膜26的條件下，SiN膜在擦拭裝置5次往復(fù)行程后剝離。相反，在如圖6所示第二優(yōu)選實(shí)施方案那樣，在涂覆有機(jī)保護(hù)膜26的情形下，通過(guò)把SiN膜的厚度設(shè)定為1μm或更多，獲得了足夠的耐久性。
參考附圖8，其中顯示根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)2C的斷面分解視圖。盡管先前每一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中樹脂基材4是單層基材，但是通過(guò)使用如圖8所示的多層或疊層基材，能獲得類似的效果。即，將厚度為0.1mm的模襯樹脂基材28粘合到厚度為1.1mm的樹脂基材4’上。在樹脂基材4’的第一表面上形成記錄層6，并如第一優(yōu)選實(shí)施方案中那樣在樹脂基材4’的第二表面上形成熱變形抑制膜8。模襯樹脂基材28具有中心孔29，該孔與樹脂基材4’的中心孔5直徑相同。而且記錄介質(zhì)2C也具有這樣的多層結(jié)構(gòu)，能夠抑制溫度上升引起的翹曲。
參考圖9，其中顯示根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施方案的記錄介質(zhì)2D的斷面分解視圖。在此優(yōu)選實(shí)施方案中，將厚度為0.6mm的模襯樹脂基材30粘合到厚度為0.6mm的樹脂基材4上。在樹脂基材4的第一表面上形成記錄層6。在與樹脂基材4第一表面相對(duì)的模襯樹脂基材30的一側(cè)表面上形成熱變形抑制膜8。模襯樹脂基材30具有中心孔31，該孔與樹脂基材4的中心孔5直徑相同。在發(fā)生溫度上升的情形下，樹脂基材4朝向其上形成記錄層6的第一表面一側(cè)翹曲。為了抵消樹脂基材4的這一翹曲，在將與樹脂基材4的第一表面粘合的模襯樹脂基材30那個(gè)表面上，形成熱變形抑制膜8。
參考圖10，其中顯示磁光盤驅(qū)動(dòng)器的側(cè)視示意圖，按照本發(fā)明的磁光盤可應(yīng)用該驅(qū)動(dòng)器中。標(biāo)號(hào)40代表磁光盤驅(qū)動(dòng)器的外殼。在外殼40中安裝有主軸電機(jī)42。當(dāng)磁光(MO)盒式磁盤46經(jīng)過(guò)艙門44放入光盤驅(qū)動(dòng)器中時(shí)，在MO盒式磁盤46中的磁光盤片(MO盤片)48被卡到主軸電機(jī)42的主軸套上，從而裝載上MO盤片48。
音圈電機(jī)(VCM)移動(dòng)滑架50橫過(guò)該介質(zhì)的磁道，該滑架布置在所裝載的MO盤片48的下方。物鏡52及光束折起棱鏡54安裝在滑架50上。從固定光學(xué)組件56所提供的激光二極管58發(fā)射出的激光束被光束折起棱鏡54反射進(jìn)入物鏡52，從而向MO盤片48的記錄表面上聚焦射束點(diǎn)。
聚焦調(diào)節(jié)裝置可將物鏡52沿著其光軸移動(dòng)，而且還可通過(guò)磁道傳動(dòng)裝置按給定范圍橫過(guò)MO盤片48的磁道，例如橫跨過(guò)數(shù)十個(gè)磁道。此外，在MO盤片48上方提供用于對(duì)裝入的MO盤片48施加外部磁場(chǎng)的電磁鐵60。
按照如上述的本發(fā)明，有可能抑制使用樹脂基材的記錄介質(zhì)的翹曲，該翹曲是環(huán)境溫度等的改變所致。結(jié)果，能采用薄樹脂基材并獲得高質(zhì)量、高密度的記錄介質(zhì)。此外，本發(fā)明的技術(shù)涉及熱變形抑制膜和保護(hù)該熱變形抑制膜的有機(jī)保護(hù)膜，該技術(shù)通過(guò)調(diào)節(jié)成膜區(qū)及熱變形抑制膜的厚度，以及調(diào)整有機(jī)保護(hù)膜的涂覆位置，對(duì)具有希望用于例如光盤的記錄介質(zhì)中的任何外徑和/或任何厚度的樹脂基材是有效的。
此外，按照本發(fā)明，不僅可以消除記錄介質(zhì)的翹曲，而且考慮到與處理記錄介質(zhì)的光存儲(chǔ)設(shè)備的相容性，本發(fā)明還能防止記錄膜的腐蝕、光學(xué)特性的損耗、記錄/復(fù)制的錯(cuò)誤等等。因此，改善了光存儲(chǔ)設(shè)備對(duì)高速訪問(wèn)記錄介質(zhì)的容限，從而獲得可以高密度記錄的記錄介質(zhì)。
本發(fā)明不限于上述優(yōu)選實(shí)施方案的細(xì)節(jié)。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求確定，且因此，本發(fā)明將包括落入這些權(quán)利要求等價(jià)范圍的所有改變和修改。
權(quán)利要求
1.記錄介質(zhì)，其包括樹脂基材，該樹脂基材具有第一熱膨脹系數(shù)、中心孔、第一表面以及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；記錄層，該記錄層在所述樹脂基材的所述第一表面上形成，所述記錄層具有記錄區(qū)、在所述記錄區(qū)內(nèi)周邊內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、和在所述記錄區(qū)外周邊外側(cè)形成的外測(cè)非記錄區(qū)；保護(hù)層，該保護(hù)層在所述樹脂基材的所述第一表面上形成，以至于覆蓋所述記錄層；和熱變形抑制層，所述熱變形抑制層在所述樹脂基材的第二表面上形成，形成所述熱變形抑制層的區(qū)域?yàn)槌司嚯x所述第一中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、所述記錄區(qū)和所述外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，所述熱變形抑制層具有小于所述第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的記錄介質(zhì)，其中所述樹脂基材是圓形的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的記錄介質(zhì)，其中所述記錄層是可光學(xué)記錄的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的記錄介質(zhì)，其中所述記錄層具有小于所述第一熱膨脹系數(shù)的第三熱膨脹系數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的記錄介質(zhì)，其中所述第二熱膨脹系數(shù)小于所述第三熱膨脹系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的記錄介質(zhì)，其中所述熱變形抑制層由SiN形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的記錄介質(zhì)，其中所述熱變形抑制層在沿著所述樹脂基材的半徑方向距離其中心13.5-22mm的范圍內(nèi)形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的記錄介質(zhì)，其中所述熱變形抑制層在沿著所述樹脂基材的半徑方向距離其中心17-22mm的范圍內(nèi)形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括第二保護(hù)層，該保護(hù)層在所述樹脂基材的所述第二表面上形成，以至于覆蓋所述熱變形抑制層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的記錄介質(zhì)，其中所述熱變形抑制層粘合到所述樹脂基材上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的記錄介質(zhì)，其中通過(guò)濺射、蒸發(fā)和印刷中任一方法形成所述熱變形抑制層。
12.記錄介質(zhì)，其包括樹脂基材，該樹脂基材具有第一熱膨脹系數(shù)、第一中心孔、第一表面、以及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；記錄層，該記錄層在所述樹脂基材的所述第一表面上形成，所述記錄層具有記錄區(qū)、在所述記錄區(qū)的內(nèi)周邊的內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、以及在所述記錄區(qū)的外周邊的外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)；熱變形抑制層，所述熱變形抑制層在所述樹脂基材的第二表面上形成，形成所述熱變形抑制層的區(qū)域?yàn)槌司嚯x所述第一中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、所述記錄區(qū)和所述外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，所述熱變形抑制層具有小于所述第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)；和模襯樹脂基材，該模襯樹脂基材粘合到所述樹脂基材的所述第一表面上，所述模襯樹脂基材具有與所述第一中心孔對(duì)準(zhǔn)的第二中心孔。
13.記錄介質(zhì)，其包括樹脂基材，該樹脂基材具有第一熱膨脹系數(shù)、第一中心孔和第一表面；記錄層，該記錄層在所述樹脂基材的所述第一表面上形成，所述記錄層具有記錄區(qū)、在所述記錄區(qū)的內(nèi)周邊的內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、以及在所述記錄區(qū)的外周邊的外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)；模襯樹脂基材，該模襯樹脂基材粘合到所述樹脂基材的所述第一表面上，所述模襯樹脂基材具有與所述樹脂基材的所述第一表面相對(duì)的表面和與所述第一中心孔對(duì)準(zhǔn)的第二中心孔；和熱變形抑制層，該熱變形抑制層在所述模襯樹脂基材的相對(duì)表面上形成，熱變形抑制層的形成區(qū)域?yàn)槌司嚯x該第二中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、相應(yīng)于該記錄區(qū)的區(qū)域，和相應(yīng)于該外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，所述熱變形抑制層具有小于所述第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。
14.能至少讀取記錄在光記錄介質(zhì)上的信息的光存儲(chǔ)設(shè)備，該設(shè)備包括發(fā)射光束的光源；光學(xué)頭，其將所述光束聚焦在所述光記錄介質(zhì)上；和光電探測(cè)器，其用于根據(jù)所述光束在所述光記錄介質(zhì)上反射的光產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)；所述光記錄介質(zhì)包括樹脂基材，該樹脂基材具有第一熱膨脹系數(shù)、中心孔、第一表面以及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；記錄層，該記錄層在所述樹脂基材的所述第一表面上形成，所述記錄層具有記錄區(qū)、在所述記錄區(qū)內(nèi)周邊內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、和在所述記錄區(qū)外周邊外側(cè)形成的外非側(cè)記錄區(qū)；保護(hù)層，該保護(hù)層在所述樹脂基材的所述第一表面上形成，以至于覆蓋所述記錄層；和熱變形抑制層，所述熱變形抑制層在所述樹脂基材的第二表面上形成，形成所述熱變形抑制層的區(qū)域?yàn)槌司嚯x所述中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、所述記錄區(qū)和所述外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，所述熱變形抑制層具有小于所述第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。
15.能至少讀取記錄在光記錄介質(zhì)上的信息的光存儲(chǔ)設(shè)備，該設(shè)備包括發(fā)射光束的光源；光學(xué)頭，其將所述光束聚焦在所述光記錄介質(zhì)上；和光電探測(cè)器，其用于根據(jù)所述光束在所述光記錄介質(zhì)上反射的光產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)；所述光記錄介質(zhì)包括樹脂基材，該基材具有第一熱膨脹系數(shù)、第一中心孔、第一表面、以及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；記錄層，該記錄層在所述樹脂基材的所述第一表面上形成，所述記錄層具有記錄區(qū)、在所述記錄區(qū)的內(nèi)周邊的內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、以及在所述記錄區(qū)的外周邊的外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)；熱變形抑制層，所述熱變形抑制層在所述樹脂基材的第二表面上形成，形成所述熱變形抑制層的區(qū)域?yàn)槌司嚯x所述第一中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、所述記錄區(qū)和所述外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，所述熱變形抑制層具有小于所述第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)；和模襯樹脂基材，該模襯樹脂基材粘合到所述樹脂基材的所述第一表面上，所述模襯樹脂基材具有與所述第一中心孔對(duì)準(zhǔn)的第二中心孔。
16.能至少讀取記錄在光記錄介質(zhì)上的信息的光存儲(chǔ)設(shè)備，該設(shè)備包括發(fā)射光束的光源；光學(xué)頭，其將所述光束聚焦在所述光記錄介質(zhì)上；和光電探測(cè)器，其用于根據(jù)所述光束在所述光記錄介質(zhì)上反射的光產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)；所述光記錄介質(zhì)包括樹脂基材，該基材具有第一熱膨脹系數(shù)、第一中心孔和第一表面；記錄層，該記錄層在所述樹脂基材的所述第一表面上形成，所述記錄層具有記錄區(qū)、在所述記錄區(qū)的內(nèi)周邊的內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、以及在所述記錄區(qū)的外周邊的外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)；模襯樹脂基材，該基材粘合到所述樹脂基材的所述第一表面上，所述模襯樹脂基材具有與所述樹脂基材的所述第一表面相對(duì)的表面和與所述第一中心孔對(duì)準(zhǔn)的第二中心孔；和熱變形抑制層，該熱變形抑制層在所述模襯樹脂基材的相對(duì)表面上形成，熱變形抑制層的形成區(qū)域?yàn)槌司嚯x該第二中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、相應(yīng)于該記錄區(qū)的區(qū)域，和相應(yīng)于該外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域，所述熱變形抑制層具有小于所述第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。
全文摘要
一種記錄介質(zhì)，其包括樹脂基材，該基材具有第一熱膨脹系數(shù)、中心孔、第一表面以及與該第一表面相對(duì)的第二表面；記錄層，該記錄層在該樹脂基材的該第一表面上形成，并具有記錄區(qū)、在該記錄區(qū)內(nèi)周邊內(nèi)側(cè)形成的內(nèi)側(cè)非記錄區(qū)、和在該記錄區(qū)外周邊外側(cè)形成的外側(cè)非記錄區(qū)；和熱變形抑制層，該熱變形抑制層在該樹脂基材的第二表面上形成，形成該熱變形抑制層的區(qū)域?yàn)槌司嚯x該中心孔預(yù)定范圍的內(nèi)周區(qū)域、該記錄區(qū)和該外側(cè)非記錄區(qū)的區(qū)域。該熱變形抑制層具有小于該第一熱膨脹系數(shù)的第二熱膨脹系數(shù)。
文檔編號(hào)G11B7/24GK1474391SQ03104710
公開日2004年2月11日 申請(qǐng)日期2003年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月8日
發(fā)明者高橋秀明, 細(xì)川哲夫, 夫 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社