專利名稱：光學(xué)存儲裝置以及光學(xué)存儲介質(zhì)的讀取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過光頭對光學(xué)記錄介質(zhì)進行光學(xué)記錄和再生的光學(xué)存儲裝置以及光學(xué)存儲介質(zhì)的讀取方法，更具體地，涉及使用具有基于相位凹坑(phase pit)的ROM(Read Only Memory)和基于記錄層的RAM(Random Access Memory)兩個功能的光學(xué)記錄介質(zhì)來再生ROM和RAM的光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法。
背景技術(shù)：
信息記錄領(lǐng)域的技術(shù)進步非常顯著，對于使用光的光學(xué)存儲器(例如磁光盤存儲器)的高密度記錄/再生和高速存取的研究和開發(fā)正在積極地開展。提升光盤存儲器的這些特性的研究和開發(fā)正在進行，例如，在日本特開平6-202820號公報中，公開了一種可以同時進行ROM(ReadOnly Memory)和RAM(Random Access Memory)的再生的并發(fā)ROM-RAM光盤(以下稱作光信息記錄介質(zhì))。
這種可以同時進行ROM和RAM再生的光信息記錄介質(zhì)能夠提供兩倍于普通光盤存儲器的存儲容量，并且，對于磁盤來說不可能進行的ROM-RAM同時再生，在這種光信息記錄介質(zhì)中成為可能。
例如，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，使用了一種在形成有螺旋或同心圓狀相位凹坑的光學(xué)透明基板上形成了磁光記錄膜的光信息記錄介質(zhì)。從光拾取頭將光幾乎會聚到衍射極限，然后照射在光信息記錄介質(zhì)上。來自該光信息記錄介質(zhì)的、經(jīng)過相位凹坑調(diào)制的返回光的光強度被再生為ROM信號，而磁光記錄膜對返回光調(diào)制后的偏振方向分量的差分幅值被再生為RAM信號。
另外，在光拾取頭中還安裝有磁頭，用于向光信息記錄介質(zhì)施加磁場，通過改變來自光拾取頭的會聚光和磁場中的至少一方，在磁光記錄膜上記錄RAM信號。
在這種在同一記錄表面上具有ROM信息和RAM信息的光信息記錄介質(zhì)中，為了同時再生由相位凹坑PP構(gòu)成的ROM信息和由磁光記錄OMM構(gòu)成的RAM信息，還存在多個需要改進的地方。
作為穩(wěn)定地再生RAM信息和ROM信息的障礙，讀取ROM信息時生成的光強度調(diào)制成為再生RAM信息時產(chǎn)生噪聲的一個原因。為此，本申請人在國際申請PCT/JP02/00159(國際申請日2002年1月11日)中提出，將伴隨ROM信息讀取的光強度調(diào)制信號負反饋到讀取驅(qū)動用的激光器中。
通過這種方法，可以降低光強度調(diào)制噪聲，并且可以減少相位凹坑信號向磁光信號中的泄漏。然而，向激光發(fā)射元件供應(yīng)驅(qū)動電流時會升溫，即使供應(yīng)相同的驅(qū)動電流值，發(fā)光功率也會隨溫度而改變。因此，根據(jù)上面的建議，將光強度調(diào)制信號負反饋到激光發(fā)射元件來抑制相位凹坑信號時，抑制增益隨溫度變化而發(fā)生變化，從而改變了相位凹坑串?dāng)_量。結(jié)果，磁光信號的質(zhì)量劣化，僅此還不能實現(xiàn)很好的降噪效果。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，用以防止由于激光器溫度變化而導(dǎo)致的相位凹坑信號抑制增益的波動，并防止RAM再生信號的質(zhì)量劣化。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，用以自動調(diào)整相位凹坑信號的負反饋增益，以防止由于激光器溫度變化而導(dǎo)致的RAM再生信號的劣化。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種光學(xué)存儲裝置和光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，其通過簡單的結(jié)構(gòu)而自動調(diào)整相位凹坑信號的負反饋增益，以防止由于激光器溫度變化而導(dǎo)致的RAM再生信號的劣化。
為了解決以上問題，本發(fā)明的光學(xué)存儲裝置具有光拾取頭，用來從激光元件向在形成有相位凹坑的基板上形成有記錄膜的ROM-RAM光學(xué)記錄介質(zhì)上照射光，并檢測來自所述光學(xué)記錄介質(zhì)的返回光；信號檢測部，用來從所述返回光中檢測由所述相位凹坑調(diào)制的光強度作為ROM信號，并且檢測返回光被所述記錄膜調(diào)制了的RAM信號；減少裝置，用于將所述ROM信號反饋到所述激光元件的激光器驅(qū)動電流中，以減少所述記錄膜的RAM信號的相位凹坑的串?dāng)_；以及調(diào)整裝置，用于調(diào)整所述減少裝置，以實現(xiàn)與所述激光元件的溫度變化無關(guān)的恒定串?dāng)_抑制效果。
根據(jù)本發(fā)明，對用于減少相位凹坑的串?dāng)_的反饋系統(tǒng)進行調(diào)整，以使得MO信號的質(zhì)量不會因為激光器溫度的變化而劣化，從而可以改善MO再生信號的特性。
在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，用于實現(xiàn)與所述激光元件的溫度變化無關(guān)的恒定串?dāng)_抑制效果的調(diào)整裝置還具有改變裝置，用于根據(jù)激光元件的激光器溫度來改變所述相位凹坑信息的反饋增益。因此，可以設(shè)置RF反饋增益，使得MO信號的質(zhì)量不會因為激光器溫度的變化而劣化。因此，可以進一步改善MO再生信號的特性。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述調(diào)整裝置還具有改變裝置，用于比較待施加的APC基準(zhǔn)電壓和用來執(zhí)行激光元件的APC控制的驅(qū)動電壓，并改變所述反饋增益。因此，可以根據(jù)激光元件的溫度來容易地設(shè)置所述相位凹坑反饋增益。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述調(diào)整裝置還具有改變裝置，用于執(zhí)行所述激光元件的APC控制的驅(qū)動電壓的A/D轉(zhuǎn)換，并將A/D轉(zhuǎn)換值輸入主控制器中，在該主控制器中計算基準(zhǔn)電壓和驅(qū)動電壓之間的差值，并改變反饋增益。因此，可以根據(jù)激光元件的溫度來容易地設(shè)置相位凹坑反饋增益。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述調(diào)整裝置還具有溫度傳感器，用于檢測所述激光元件的溫度；以及改變裝置，用于計算檢測溫度和基準(zhǔn)溫度之間的差值，并改變反饋增益。因此，可以容易地檢測激光元件的溫度，并且可以容易地設(shè)置相位凹坑反饋增益。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述ROM-RAM光存儲介質(zhì)的記錄層由磁光記錄層構(gòu)成，并且所述信號檢測電路檢測所述返回光的偏振分量的差分幅值作為RAM信號，從而可以利用具有簡單結(jié)構(gòu)的光存儲介質(zhì)來實施本實施例。
另外，優(yōu)選的是，本發(fā)明還具有APC控制裝置，用來檢測所述激光元件的發(fā)射光，并將所述激光元件的光輸出控制為恒定，并且通過將所述減少裝置的輸出添加到所述APC控制電路的輸出中來驅(qū)動所述激光元件，從而可以穩(wěn)定地減少相位凹坑串?dāng)_噪聲。
另外，優(yōu)選的是，本發(fā)明還具有反饋控制開關(guān)，用于對是否將所述串?dāng)_減少裝置的輸出施加到所述APC控制電路中進行控制，從而可以容易地對反饋開/關(guān)進行控制。


圖1是示出了作為用于本發(fā)明一個實施例的光信息記錄介質(zhì)的一個示例的磁光盤的斷面圖。
圖2是圖1所示ROM-RAM磁光盤存儲器的斷面結(jié)構(gòu)圖。
圖3是說明具有圖2所示結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)中ROM信息和RAM信息的記錄狀態(tài)的平面圖。
圖4是說明具有圖2所示結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)中ROM信息和RAM信息的記錄狀態(tài)的立體圖。
圖5是本發(fā)明的光學(xué)存儲裝置的一個實施例的整體結(jié)構(gòu)框圖。
圖6是圖5所示光拾取頭的光學(xué)系統(tǒng)的詳圖。
圖7是圖5的一部分的詳細框圖。
圖8是圖6和圖7的光學(xué)檢測器的配置圖。
圖9是說明圖8所示光學(xué)檢測器的輸出、基于該輸出的聚焦誤差(FES)檢測、尋道誤差(TES)檢測、MO信號以及LD反饋信號之間的關(guān)系的圖。
圖10表示圖5和圖7的主控制器中的再生和記錄模式中的ROM和RAM檢測的組合。
圖11是圖5和圖7的LD驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)圖。
圖12是RF反饋關(guān)閉時的動作說明圖。
圖13是RF反饋打開時的動作說明圖。
圖14是光學(xué)輸出對半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電流的關(guān)系圖。
圖15是圖11所示溫度控制電路的第一實施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖16是圖11所示溫度控制電路的第二實施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖17是圖11所示溫度控制電路的第三實施例的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式
下面將按照如下順序來說明
具體實施例方式ROM-RAM光盤、光盤驅(qū)動器、LD驅(qū)動器，以及其他實施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的ROM-RAM光學(xué)記錄介質(zhì)的平面圖，圖2是其截面圖，圖3是其用戶區(qū)域的正視圖，而圖4是其ROM信號與RAM信號之間的關(guān)系圖。
在圖1或后面的描述中，將描述ROM-RAM磁光盤(MO)作為ROM-RAM光學(xué)記錄介質(zhì)的一個示例。如圖1所示，ISO標(biāo)準(zhǔn)的磁光盤4為盤狀，其中最靠內(nèi)的圓周中設(shè)有讀入?yún)^(qū)域1，最靠外的圓周中設(shè)有讀出區(qū)域2，而它們之間設(shè)有用戶區(qū)域3。
讀入?yún)^(qū)域1和讀出區(qū)域2是由相位凹坑(由聚碳酸酯基板上的凹凸形成)構(gòu)成的ROM信息區(qū)域，其中記錄有諸如盤片規(guī)格的信息。通過讀取這些信息來控制記錄/再生的條件。對作為這種ROM信息的相位凹坑的光學(xué)深度(凹坑深度)進行設(shè)置，使得再生期間的光強度調(diào)制達到最大。通常將調(diào)制程度(相位凹坑區(qū)域中的光強度相對于平坦區(qū)域中的光強度的變化率)設(shè)為70％或更大。
在讀入?yún)^(qū)域1和讀出區(qū)域2之間設(shè)有用戶區(qū)域3，其中通過濺射裝置形成有磁光記錄膜。用戶可以在該用戶區(qū)域3中隨意記錄/再生信息。
為了使用戶區(qū)域3具有ROM和RAM功能，如圖2所示，磁光盤4通常由形成有相位凹坑的聚碳酸酯基板4A上的以下部分構(gòu)成由諸如氮化硅和氧化鉭的材料制成的第一電介質(zhì)層4B；由諸如TbFeCo的稀土金屬和過渡金屬的無定形合金制成的磁光記錄層4C；由與第一電介質(zhì)層4B相同的材料構(gòu)成的第二電介質(zhì)層4D；由諸如AlTi和Au的金屬制成的反射層4E；以及使用紫外硬化樹脂的保護涂層4F。
如圖2和圖3所示，由盤4上的凹凸所形成的相位凹坑PP來提供ROM功能，而通過磁光記錄層4C來提供RAM功能。為了在磁光記錄層4C上記錄數(shù)據(jù)，用激光束照射磁光記錄層4C，以輔助磁化反轉(zhuǎn)，對應(yīng)于信號磁場反轉(zhuǎn)磁化方向，從而記錄磁光信號OMM。這樣，就可以記錄RAM信息。
用弱激光束照射記錄層4C以讀取記錄在磁光記錄層4C上的信息，通過極向克爾效應(yīng)(polar Kerr effect)，激光束的偏振面對應(yīng)于記錄層4C的磁化方向而改變，通過此時反射光中的偏光成分的強弱來判斷有無信號。這樣，可以讀取RAM信息。在讀取過程中，反射光被構(gòu)成ROM的相位凹坑PP調(diào)制，所以可以同時讀取ROM信息。
在具有這種結(jié)構(gòu)的光學(xué)信息介質(zhì)中，如圖3和圖4所示，ROM信息由相位凹坑PP(形成在平面基板上的凹凸)進行固定記錄，而RAM信息作為MO信號OMM記錄在相位凹坑PP線上的磁光記錄層上。圖3中徑向的A-B線方向上的截面與圖2一致。
換言之，可以通過一個光拾取頭同時再生ROM和RAM。如果使用磁場調(diào)制方式的磁光記錄，則可以同時進行RAM的寫入和ROM的再生。
現(xiàn)將描述根據(jù)本發(fā)明的光盤驅(qū)動器。圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光盤驅(qū)動器的整體框圖，圖6是圖5所示驅(qū)動器的光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖，圖7是圖5所示驅(qū)動器的信號處理系統(tǒng)的框圖，圖8是圖6和圖7中的檢測器的配置圖，圖9是檢測器的輸出與生成信號的關(guān)系圖，而圖10是光盤驅(qū)動器的各種模式的說明圖。
如圖5所示，馬達18旋轉(zhuǎn)光信息記錄介質(zhì)(MO盤)4。通常MO盤4是可移動介質(zhì)并從驅(qū)動器的插口(未示出)插入。光拾取頭5具有磁頭35和光頭7，它們被布置為夾住光信息記錄介質(zhì)4。
可由滾珠絲杠進給機構(gòu)等的尋道致動器6來移動光拾取頭5，以在徑向上訪問光信息記錄介質(zhì)4上的任意位置。另外，還設(shè)有用于驅(qū)動光頭7的激光二極管LD的LD(激光二極管)驅(qū)動器31，以及用于驅(qū)動光拾取頭5的磁頭35的磁頭驅(qū)動器34。訪問用伺服控制器15-2根據(jù)來自光頭7的輸出，對尋道致動器6、馬達18和光頭7的聚焦致動器19進行伺服控制?？刂破?5-1對LD驅(qū)動器31、磁頭驅(qū)動器34以及訪問用伺服控制器15-2進行操作，以進行信息記錄/再生。
現(xiàn)將參照圖6詳細說明光頭7。來自激光二極管LD的發(fā)散光經(jīng)由三光束尋道用衍射光柵10和分束器11被準(zhǔn)直透鏡39變?yōu)槠叫泄?，該平行光被反射鏡40反射，然后被物鏡16以近乎衍射極限的方式會聚在光信息記錄介質(zhì)4上。
進入分束器11的光的一部分被分束器11反射，經(jīng)由會聚透鏡12會聚在APC(自動功率控制)檢測器1 3上。
由光信息記錄介質(zhì)4反射的光再次經(jīng)由物鏡16被反射鏡40反射，通過準(zhǔn)直透鏡39變?yōu)闀酃?，然后再次進入分束器11。再次進入分束器11的光的一部分返回激光二極管LD側(cè)，而剩余部分的光被分束器11反射，然后經(jīng)由三光束Wollaston棱鏡26和柱面透鏡21會聚在反射光檢測器25上。
現(xiàn)將說明反射光檢測器25的形狀和配置。由于入射光是三束，所以該反射光檢測器25由四分檢測器22-1、位于其上下的MO信號檢測器20、位于其左右的尋道誤差檢測用檢測器22-2和22-3構(gòu)成，如圖8所示。
現(xiàn)將參照圖7和圖9說明再生信號。如圖7所示，F(xiàn)ES(Focus ErrorSignal)再生電路23使用經(jīng)過光電轉(zhuǎn)換的四分光電檢測器22的輸出A、B、C和D，通過圖9所示的像散法來檢測聚焦誤差(FES)。換言之，F(xiàn)ES＝{(A+B)-(C+D)}/(A+B+C+D)或FES＝{(A+C)-(B+D)}/(A+B+C+D)此時，使用圖9所示的算式，根據(jù)推/挽法，由TES生成電路24從尋道誤差檢測用檢測器22-2和22-3的輸出E和F中檢測出尋道誤差(TES)。
TES＝(E-F)/(E+F)
由這些計算求得的聚焦誤差信號(FES)和尋道誤差信號(TES)被作為聚焦方向和軌道方向的位置誤差輸入主控制器15(在圖5中是訪問用伺服控制器15-2)。在圖7中，將訪問用伺服控制器15-2和控制器15-1集成在主控制器15中。
另一方面，在記錄信息檢測系統(tǒng)中，根據(jù)光信息記錄介質(zhì)4上的磁光記錄的磁化方向而變化的反射激光的偏振特性被轉(zhuǎn)換為光強度。換言之，在三光束Wollaston棱鏡26中，通過檢偏將輸入光束分為偏振方向相互垂直的兩束，這兩個光束通過柱面透鏡21進入二分光檢測器20，分別進行光電轉(zhuǎn)換。
經(jīng)過二分光檢測器20的光電轉(zhuǎn)換的兩個電信號G和H由加法放大器29根據(jù)圖9中的算式進行相加，從而變成第一ROM信號(ROM1＝G+H)，同時由減法放大器30進行相減，從而變成RAM讀出(MO)信號(RAM＝G-H)，然后分別輸入主控制器15中。
在圖7中，進入到APC用光檢測器13中的半導(dǎo)體激光二極管LD的反射光被光電轉(zhuǎn)換，并通過放大器14作為第二ROM信號(ROM2)進入主控制器15。
另外，如上所述，將第一ROM信號(ROM1)(加法放大器29的輸出)、RAM信號(RAM)(差動放大器30的輸出)、來自FES生成電路23的聚焦誤差信號(FES)、以及來自TES生成電路24的尋道誤差信號(TES)輸入到主控制器15中。
另外，通過與數(shù)據(jù)源32之間的接口電路33對主控制器15進行記錄數(shù)據(jù)和讀出數(shù)據(jù)的輸入/輸出。
根據(jù)各個模式，即ROM和RAM同時再生、僅再生ROM、以及磁場調(diào)制和光調(diào)制RAM記錄(WRITE)，來檢測和使用待輸入至主控制器15的第一ROM信號(ROM1＝G+H)、第二ROM信號(ROM2＝I)以及RAM信號(RAM＝G-H)。
圖10是示出各模式中ROM1(＝G+H)、ROM2(＝I)和RAM(G-H)的組合的表。主控制器15根據(jù)各模式生成LD驅(qū)動器31的命令信號。根據(jù)該命令信號，LD驅(qū)動器31在ROM和RAM再生時根據(jù)第一ROM信號(ROM1＝G+H)和第二ROM信號(ROM2＝I)來執(zhí)行半導(dǎo)體激光二極管LD的發(fā)光功率的負反饋控制，在ROM再生和RAM記錄時根據(jù)第二ROM信號(ROM2＝I)來執(zhí)行半導(dǎo)體激光二極管LD的發(fā)光功率的負反饋控制。
在磁光(RAM)記錄中，經(jīng)由接口33將來自數(shù)據(jù)源32的數(shù)據(jù)輸入至主控制器15(參見圖7)。如果使用磁場調(diào)制記錄方式，則主控制器15向磁頭驅(qū)動器34提供這些輸入數(shù)據(jù)。磁頭驅(qū)動器34驅(qū)動磁頭35并根據(jù)記錄數(shù)據(jù)來調(diào)制磁場。此時，在主控制器15中，一個表示記錄中的信號被發(fā)送至LD驅(qū)動器31，LD驅(qū)動器31根據(jù)第二ROM信號(ROM2＝I)，對半導(dǎo)體激光二極管LD的發(fā)光進行負反饋控制，以得到最適于記錄的激光功率。
如果使用光調(diào)制記錄方式，則這些輸入數(shù)據(jù)被發(fā)送至LD驅(qū)動器31并對激光二極管LD進行光調(diào)制驅(qū)動。此時，在主控制器15中，一個表示記錄進行中的信號被發(fā)送至LD驅(qū)動器31，LD驅(qū)動器31根據(jù)第二ROM信號(ROM2＝I)，對半導(dǎo)體激光二極管LD的發(fā)光進行負反饋控制，以得到最適于記錄的激光功率。
在以上的示例中，使用像散法來檢測聚焦誤差信號，使用三光束法來檢測尋道誤差信號，而由偏光成分的差分檢測信號檢測MO信號，但是上述光學(xué)系統(tǒng)僅用于本實施例，并且，可以毫無問題地將例如刀口法以及光斑尺寸位置檢測法用作聚焦誤差檢測方法。另外，對于尋道誤差檢測方法，可以毫無問題地使用諸如推/挽法和相位差法。
主控制器15(圖5中是伺服控制器15-2)根據(jù)所檢測到的聚焦誤差信號FES來驅(qū)動聚焦致動器19，以執(zhí)行光束的聚焦控制。主控制器15(圖5中是伺服控制器15-2)還根據(jù)所檢測到的尋道誤差信號TES來驅(qū)動尋道致動器6，以執(zhí)行光束的尋道和軌道跟隨控制。
在此，使用檢測器25的信號G+H或者檢測器13的信號I來進行激光功率調(diào)整。如圖10所示，如果同時再生ROM信號和RAM信號，則對激光器功率進行控制，使得信號G+H恒定，從而RAM讀出信號(＝G-H)不會受到來自光信息記錄介質(zhì)4的相位凹坑信號的串?dāng)_。在光調(diào)制記錄的過程中不檢測ROM。
下面說明在上述基本ROM-RAM同時讀取裝置中安裝有負反饋裝置的LD驅(qū)動器。
圖11是圖5和圖7中的LD驅(qū)動器的詳細結(jié)構(gòu)圖。在圖11中，用相同的標(biāo)號來表示與圖5和圖7中相同的構(gòu)成元件。在圖11中，光學(xué)系統(tǒng)是NA＝0.55，t＝1.20mm，λ＝785nm的光學(xué)系統(tǒng)。來自盤4的反射光經(jīng)由三光束Wollaston棱鏡26和會聚透鏡21進入檢測器20，然后被I-V(電流-電壓)轉(zhuǎn)換電路60和62轉(zhuǎn)換為電壓信號G和H。
加法放大器29確定電壓信號G和H的和，以得到RFSUM信號(第一ROM信號)。減法放大器30確定電壓信號G和H之間的差值，以得到MO信號(RAM信號)。
作為驅(qū)動激光器的方法，下面將說明通常使用的APC(自動功率控制)機制。用來監(jiān)視出射光的APC檢測器13的輸出被I-V(電流-電壓)轉(zhuǎn)換電路14轉(zhuǎn)換為檢測電壓，然后在比較器53中與從主控制器15輸出的基準(zhǔn)電壓REF進行比較，然后利用差值，通過增益放大器54和驅(qū)動電路55來驅(qū)動激光二極管LD。這樣，就總能從激光二極管LD獲得預(yù)定的發(fā)光量。
另一方面，為了執(zhí)行RF(相位凹坑抑制)反饋，在LD驅(qū)動器31中，由AGC放大器50使RFSUM信號具有預(yù)定的幅值，通過RF反饋開關(guān)SW，經(jīng)由濾波器51和增益調(diào)整電路52，將其輸入到APC的驅(qū)動器電路。當(dāng)根據(jù)主控制器15的控制，RF反饋開關(guān)SW為打開時，RFSUM信號與APC計算輸出(差值)相加，然后輸入驅(qū)動器電路55以驅(qū)動激光二極管LD。該增益調(diào)整電路52被構(gòu)建為增益可根據(jù)激光二極管溫度信息而變化，如稍后所述。
如圖12所示，當(dāng)RF反饋為關(guān)閉時，通過APC將LD驅(qū)動電路控制為恒定。另一方面，由相位凹坑信息RFSUM(G+H)來調(diào)制MO信號(G-H)，其中生成了相位凹坑串?dāng)_。如果RF反饋為打開，如圖13所示，則對應(yīng)于相位凹坑的RFSUM信號的輸出被添加到APC驅(qū)動電流中，LD驅(qū)動電流按照RFSUM信號的相反相位進行變化，從而在MO信號中不再有相位凹坑信號，因此，可以減少相位凹坑串?dāng)_。
如圖14所示，在半導(dǎo)體激光器LD的發(fā)射特性中，半導(dǎo)體激光器LD的光輸出隨溫度Tc而變化。例如，即使驅(qū)動電流值相同，溫度Tc＝25℃時光輸出較高，而溫度Tc＝60℃時光輸出較低。隨著向半導(dǎo)體激光器提供驅(qū)動電流，半導(dǎo)體激光器LD的溫度發(fā)生變化。
因此，當(dāng)RF反饋的增益固定不變時，如果溫度低，則光輸出如圖13中的虛線所示地變化，而如果溫度高，則光輸出如圖13中的實線所示地變化。因此，由RF反饋產(chǎn)生的相位凹坑串?dāng)_減少效果隨激光元件的溫度而變化。所以即使執(zhí)行了RE反饋，MO信號的特性也會劣化。例如，在圖13的情況中，溫度較低時MO信號受相位凹坑信號的影響，如虛線所示，這與圖12中的RF反饋關(guān)閉時的情況類似。這個示例表示的是使用高溫情形作為參照，固定RF反饋增益時的情況。
圖15是圖11中的激光器溫度檢測電路的第一實施例的結(jié)構(gòu)圖，并且用相同的標(biāo)號來表示與圖11中相同的構(gòu)成元件。作為檢測激光器溫度的方法，對激光器驅(qū)動電流和基準(zhǔn)電壓進行比較。溫度檢測電路包括放大器70，用于對基準(zhǔn)電壓REF施加預(yù)定的增益和偏移；以及減法放大器72，用于從比較器53的APC差分信號LDC中減去放大器70的輸出。
即使激光器的溫度發(fā)生變化，也會因為APC而使得檢測信號FWD SUM成為恒定電流，但是APC差分信號LDC的電壓隨激光器的溫度而變化。通過調(diào)整，以使在基準(zhǔn)溫度下LDC＝A*REF+B，并且通過由減法放大器72從APC差分信號LDC中減去基準(zhǔn)電壓REF，可以得到輸出DIFLDC，其中隨激光器驅(qū)動電流增大，溫度正向升高，而隨激光器驅(qū)動電流減小，溫度負向降低。
通過該DIFLDC對增益放大器52的增益進行控制。換言之，根據(jù)DIFLDC，使RF反饋的源信號RFSUM的增益為可變。在圖13和圖14中的示例的情況下，通過輸出DIFLDC，如果溫度低就控制增益為低，如果溫度高就控制增益為高。
這樣就可以設(shè)定RF反饋增益，利用該RF反饋增益，MO信號的質(zhì)量不會隨激光器溫度的變化而劣化。因此，可以進一步改善MO再生信號的特性。
圖16是示出圖11中的激光器溫度檢測電路的第二實施例的結(jié)構(gòu)圖，并且用相同的標(biāo)號來表示與圖11中相同的構(gòu)成元件。在該示例中，作為檢測激光器溫度的方法，對激光器驅(qū)動電流和基準(zhǔn)電壓進行比較。由主控制器15的程序來實現(xiàn)該溫度檢測電路。該程序?qū)Ρ容^器53的APC差分信號LDC執(zhí)行數(shù)字轉(zhuǎn)換，從LCD中減去(a*REF+b)，然后確定增益。增益放大器52具有多(4)組用于調(diào)整放大器的反饋電阻的電阻以及開關(guān)56a至56d，以使得主控制器15中的數(shù)字操作變得更容易。
同樣，在該示例中，即使激光器溫度發(fā)生變化，也會因為APC而使得檢測信號FWD SUM成為恒定的電流，但是APC差分信號LDC的電壓隨激光器的溫度而變化。通過調(diào)整，以使在基準(zhǔn)溫度下LDC＝A*REF+B，并且通過由主控制器15從APC差分信號LCD中減去(a*基準(zhǔn)電壓REF+b)，可以得到輸出DIFLDC，其中隨激光器驅(qū)動電流增大，溫度正向升高，而隨激光器驅(qū)動電流減小，溫度負向降低。
通過該DIFLD來確定增益放大器52的增益，并對增益放大器52的反饋電阻56a至56d的開關(guān)進行控制。換言之，根據(jù)DIF_LDC，使RF反饋的源信號RFSUM的增益為可變。在圖13和圖14中的示例的情況下，通過輸出DIFLDC，如果溫度低就控制增益為低，如果溫度高就控制增益為高。
這樣就可以設(shè)定RF反饋增益，利用該RF反饋增益，MO信號的質(zhì)量不會隨激光器溫度的變化而劣化。因此，可以進一步改善MO再生信號的特性。該示例中，在主控制器15的微計算機中，激光器驅(qū)動電流控制電壓LDC連接至A/D通道，并以預(yù)定時間間隔抽樣，然后計算出激光器驅(qū)動電流控制電壓LDC與基準(zhǔn)電壓REF之間的差值，隨后根據(jù)該結(jié)果來確定增益，從而通過反饋電阻的開關(guān)的打開/關(guān)閉使得RF反饋增益可變。
圖17是示出圖11中的激光器溫度檢測電路的第三實施例的結(jié)構(gòu)圖，并且用相同的標(biāo)號來表示與圖11中相同的構(gòu)成元件。作為檢測激光器溫度的方法，在安裝有激光二極管LD的輻射板上安裝了溫度傳感器74。
主控制器15的程序?qū)囟葌鞲衅?4所檢測到的溫度TH執(zhí)行數(shù)字轉(zhuǎn)換，從TH中減去基準(zhǔn)溫度，然后確定增益。增益放大器52具有多(4)組用于調(diào)整放大器的反饋電阻的電阻和開關(guān)56a至56d，以使得主控制器15中的數(shù)字操作變得更容易。
主控制器15從檢測溫度TH中減去基準(zhǔn)溫度，從而可以得到輸出T，其中當(dāng)T為正時溫度升高，而當(dāng)T為負時溫度降低。
通過T來確定增益放大器52的增益，并對增益放大器52的反饋電阻56a至56d的開關(guān)進行控制。換言之，根據(jù)溫度差，使RF反饋的源信號RFSUM的增益為可變。在圖13和圖14中的示例的情況下，如果溫度低就控制增益為低，如果溫度高就控制增益為高。
這樣就可以設(shè)定RF反饋增益，利用該RF反饋增益，MO信號的質(zhì)量不會隨激光器溫度的變化而劣化。因此，可以進一步改善MO再生信號的特性。
以上利用幾個實施例對本發(fā)明進行了說明，但是在本發(fā)明的實質(zhì)特征的范圍內(nèi)可以對本發(fā)明進行多種修改，并且這些修改不應(yīng)該從本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)排除。例如，相位凹坑的大小并不限于以上數(shù)值，而可以是其他值。另外，對于磁光記錄膜，也可以使用其他磁光記錄材料。另外，磁光記錄介質(zhì)不限于盤狀，而可以是卡狀和其他形狀。另外，本發(fā)明可以應(yīng)用于僅再生RAM的情況。
工業(yè)應(yīng)用性在具有相位凹坑和記錄層、能夠同時再生ROM和RAM的光學(xué)存儲介質(zhì)中，相位凹坑調(diào)制信號的反饋增益隨激光器溫度變化而變化，因此可以設(shè)定使MO信號不會因激光器溫度變化而劣化的RF反饋增益。因此，可以通過相位凹坑調(diào)制信號的反饋增益來改善MO再生信號的特性。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)存儲裝置，包括光拾取頭，用于從激光元件向ROM-RAM光學(xué)記錄介質(zhì)上照射光，并檢測來自所述光學(xué)記錄介質(zhì)的返回光，其中在所述ROM-RAM光學(xué)記錄介質(zhì)中，在形成有相位凹坑的基板上形成有記錄膜；信號檢測部，用于從所述返回光中檢測由所述相位凹坑調(diào)制的光強度作為ROM信號，并且檢測所述返回光被所述記錄膜調(diào)制的RAM信號；減少裝置，用于將所述ROM信號反饋到所述激光元件的激光器驅(qū)動電流中，以減少所述記錄膜的RAM信號的所述相位凹坑的串?dāng)_；以及調(diào)整裝置，用于調(diào)整所述減少裝置，以實現(xiàn)與所述激光元件的溫度變化無關(guān)的恒定串?dāng)_抑制效果。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其中所述的實現(xiàn)與所述激光元件的溫度變化無關(guān)的恒定串?dāng)_抑制效果的調(diào)整裝置還包括用于根據(jù)所述激光元件的激光器溫度來改變所述相位凹坑信號的反饋增益的裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)存儲裝置，其中所述調(diào)整裝置還包括用于比較待施加的APC基準(zhǔn)電壓和對所述激光元件執(zhí)行APC控制的驅(qū)動電壓、并改變反饋增益的裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)存儲裝置，其中所述調(diào)整裝置還包括用于執(zhí)行所述激光元件的APC控制的驅(qū)動電壓的A/D轉(zhuǎn)換、將經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換的驅(qū)動電壓輸入主控制器中、使該主控制器計算基準(zhǔn)電壓和驅(qū)動電壓之間的差值、并改變反饋增益的裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)存儲裝置，其中所述調(diào)整裝置還包括溫度傳感器，用于檢測所述激光元件的溫度；以及用于計算檢測溫度和基準(zhǔn)溫度之間的差值、并改變反饋增益的裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其中所述ROM-RAM光學(xué)存儲介質(zhì)的記錄層由磁光記錄層構(gòu)成，并且所述信號檢測電路檢測所述返回光的偏振分量的差分幅值作為RAM信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)存儲裝置，其中還包括APC控制裝置，用于檢測所述激光元件的發(fā)射光，并將所述激光元件的光輸出控制為恒定，并且通過將所述串?dāng)_減少裝置的輸出加到所述APC控制電路的輸出中，來驅(qū)動所述激光元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)存儲裝置，其中還包括反饋控制開關(guān)，用于對是否將所述串?dāng)_減少裝置的輸出加到所述APC控制電路中進行控制。
9.一種光學(xué)存儲介質(zhì)的讀取方法，包括以下步驟通過光拾取頭，從激光元件向在形成有相位凹坑的基板上形成有記錄膜的ROM-RAM光學(xué)記錄介質(zhì)上照射光，并檢測來自所述光學(xué)記錄介質(zhì)的返回光；從所述返回光中，檢測由所述相位凹坑調(diào)制的光強度作為ROM信號，并且檢測所述返回光被所述記錄膜調(diào)制的RAM信號；將所述ROM信號反饋到所述激光元件的激光器驅(qū)動電流中，以減少所述記錄膜的RAM信號的所述相位凹坑的串?dāng)_；以及調(diào)整所述減少裝置，以實現(xiàn)與所述激光元件的溫度變化無關(guān)的恒定串?dāng)_抑制效果。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，其中所述的進行調(diào)整以實現(xiàn)與所述激光元件的溫度變化無關(guān)的恒定串?dāng)_抑制效果的步驟包括以下步驟根據(jù)所述激光元件的激光器溫度來改變所述相位凹坑信號的反饋增益。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，其中所述調(diào)整步驟包括以下步驟比較待施加的APC基準(zhǔn)電壓和用于執(zhí)行所述激光元件的APC控制的驅(qū)動電壓，并改變反饋增益。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，其中所述調(diào)整步驟還包括以下步驟對所述激光元件的APC控制的驅(qū)動電壓進行A/D轉(zhuǎn)換，并將其輸入到主控制器中，由主控制器計算基準(zhǔn)電壓和驅(qū)動電壓之間的差值，并改變反饋增益。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，其中所述調(diào)整步驟還包括以下步驟計算由用于檢測所述激光元件的溫度的溫度傳感器檢測到的溫度與驅(qū)動電壓之間的差值，并改變反饋增益。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，其中所述ROM-RAM存儲介質(zhì)的記錄層由磁光記錄層構(gòu)成，并且所述信號檢測電路檢測所述返回光的偏振分量的差分幅值作為RAM信號。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，其中還包括以下步驟將所述串?dāng)_減少裝置的輸出加到用于檢測所述激光元件的發(fā)射光并將所述激光元件的光輸出控制為恒定的APC控制的輸出中，以驅(qū)動所述激光元件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)存儲介質(zhì)讀取方法，其中還包括反饋控制開關(guān)，用于對是否將所述串?dāng)_減少裝置的輸出施加給所述APC控制電路進行控制。
全文摘要
一種光學(xué)存儲裝置具有信號檢測部(29，30)，其從光學(xué)存儲介質(zhì)的返回光中檢測由相位凹坑調(diào)制的光強度作為ROM信號，并檢測所述返回光被所述記錄膜調(diào)制的RAM信號，其中所述光學(xué)存儲介質(zhì)具有相位凹坑和記錄層，可以同時再生ROM和RAM；反饋電路(31)，其將所述ROM信號反饋到所述激光元件的激光器驅(qū)動電流中，以減少所述記錄膜的RAM信號的所述相位凹坑的串?dāng)_；調(diào)整電路(52)，其進行調(diào)整，以實現(xiàn)與所述激光元件的溫度變化無關(guān)的預(yù)定串?dāng)_抑制效果。由于根據(jù)激光器溫度變化而改變用于減小相位凹坑串?dāng)_的反饋增益，所以可以設(shè)定使得MO信號不會隨激光器溫度變化而劣化的RF反饋增益。
文檔編號G11B7/005GK1650355SQ02829499
公開日2005年8月3日 申請日期2002年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月30日
發(fā)明者山下哲 申請人:富士通株式會社