專利名稱：具儲存效應的開關裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明有關于一種開關裝置，更具體而言，是一種具有儲存功能的開關裝置，其中儲存/開關裝置可經(jīng)存取，且開關狀態(tài)可由外部所施加的電場來反轉(zhuǎn)。
背景技術：
眾所周知，各類以電性存取的儲存器裝置是用于計算機的資料儲存。其中，大多數(shù)該類裝置將數(shù)據(jù)位作為電荷儲存在電容器內(nèi)。電荷的狀態(tài)可被讀出，且其輸出信號輸送至計算機之中央處理器內(nèi)以用于控制程序。多數(shù)該類裝置要求復雜的硅化處理步驟，且根據(jù)儲存類型而需設計專用的裝置構(gòu)造。
各個儲存裝置的不同在于其速度及資料保留特性。動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)是易失儲存器，其特征在于其能進行破壞性地讀取。此表示，必須一直要供電壓給儲存器的位(bit)，否則資料會消失。而且，每一儲存裝置具有與的相關的晶體管。靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)將資料儲存在雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器內(nèi)，且一般包含交叉相連的反相器。的所以稱“靜態(tài)”，是因為只要得電的情況下，其一直保留著值。而稱的為“易失”的原因是，當失電的情況下，資料內(nèi)容會丟失，這正好與ROM相反。通常，SRAM速度更快于DRAM，但每一位需要幾個晶體管(大約6個)，使得與DRAM相比較而言，在同等的面積上SRAM所占用的位數(shù)要少得多。
可擦寫只讀存儲器(EPROM)是屬于儲存裝置類的，其資料的存取是由儲存在絕緣(浮點，“floating”)MOS電晶體柵極上的電荷所確定的。絕緣足夠好的話，在失電的情況下，幾乎可無限期地保留電荷?？刹翆懼蛔x存儲器(EPROM)通過射入電荷至浮點柵極的方式來進行編程，所使用的技術乃基于溝道(tunnel)效應。這需比正常操作(通常12V-25V)時的電壓要高。浮點柵極可通過紫外線照射或電的作用而失電(EEPROM)。通常，在系統(tǒng)運行中，可個別地檫除及改寫位或字節(jié)(bytes or words)。EEPROM比RAM更昂貴，但其集成度卻比RAM小。故EEPROM適合儲存少量且無需經(jīng)常更動的資料。另一所知的非易失儲存裝置是磁鐵式的RAM(Fe-RAM)，其中，各個儲存單元并不需要專用的電晶體。
因而，有必要提供一用于資料儲存及資料處理的裝置，其具有易生產(chǎn)、成本低，且可達到預計的儲存和/或開關效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種新的開關裝置，其包含第一及第二電極；置于第一及第二電極間的活性區(qū)域，且該活性區(qū)域包括一分子系統(tǒng)；及一用以控制施加在活性區(qū)域上的電場的控制極。其中，離子復合物(ioniccomplexes)可分布在該分子系統(tǒng)中。
本發(fā)明的一實施例中，經(jīng)控制電場以使活性區(qū)域在高阻抗狀態(tài)(斷開狀態(tài))與低阻抗狀態(tài)(接通狀態(tài))之間作切換。于斷開狀態(tài)與接通狀態(tài)間可作反復的切換，是通過在預定時間內(nèi)施加極性及強度均預先給定的電場來實現(xiàn)的。
具體來說，當在控制極與第一及第二電極之間施加第一極性的電壓時，可將活性區(qū)域從斷開狀態(tài)(高阻抗狀態(tài))切換至接通狀態(tài)(低阻抗狀態(tài))。因此，在第一及第二電極之間形成有導電信道。而當在控制極與第一及第二電極之間施加與第一極性相反的第二極性的電壓時，可將活性區(qū)域切換回斷開狀態(tài)。
離子復合物在外加電場的作用下分解，因而改變了裝置的導電能力。分子矩陣可為聚合共軛化合物、芳香族與雜環(huán)分子、如酞菁(phthalocyanines)和卟啉(porphyrins)的準一維合成物，及如NbSe3的各向異性無機物質(zhì)(anisotropic inorganic material)。每一離子復合物可包括，如鈉及氯離子，或銫及氯離子。
本發(fā)明的一實施例中，活性區(qū)域可提供穩(wěn)態(tài)與亞穩(wěn)態(tài)的操作模式。在穩(wěn)態(tài)的操作模式中，開關裝置于接通狀態(tài)與斷開狀態(tài)間作切換所需的電場強度高于在亞穩(wěn)態(tài)操作模式的電場強度。在穩(wěn)態(tài)模式中活性區(qū)域的接通阻值低于亞穩(wěn)態(tài)模式，而穩(wěn)態(tài)模式中的資料儲存時間及開關時間要長于亞穩(wěn)態(tài)模式。
本發(fā)明的一實施例中，開關裝置的第一及第二電極可形成在絕緣基板上。活性區(qū)域也可形成在基板上，使得與第一及第二電極電性接觸?？刂茦O可形成于覆蓋在活性區(qū)域的絕緣層上。
本發(fā)明的另一實施例中，并非要有絕緣基板。活性區(qū)域可夾置于第一電極與第二電極之間?？刂茦O可形成于覆蓋在第一電極的絕緣層上。
本發(fā)明的另一實施例中，提供一儲存開關，其具有一柵極端；至少兩信號端；及一活性組件，該活性組件包括一分子系統(tǒng)及分布在分子系統(tǒng)內(nèi)的離子復合物?；钚越M件，電性連接在兩信號端間，以回應施加在柵極端上的信號，而使其在接通狀態(tài)與斷開狀態(tài)作切換。
當同時參見隨附的圖式時，本發(fā)明之前述和其它特征、觀點清楚地指明于下述的詳細說明。


以下的圖式示例性地描述本發(fā)明的某些實施例。所描述的實施例應理解成用以闡釋本發(fā)明的本質(zhì)，并未加以限制。
圖1a-1d為于不同操作狀態(tài)下由分子合成的儲存單元的簡化結(jié)構(gòu)圖。
圖2為本發(fā)明的一實施例中開關裝置處于斷開狀態(tài)的示意圖。
圖3為圖2中的開關裝置處于接通狀態(tài)時的示意圖。
圖4為本發(fā)明的另一實施例中開關裝置處于接通狀態(tài)下的示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明所提出及解決的問題即提供一種新的開關裝置，其可具備儲存功能。本發(fā)明克服了上述的問題，且多半是通過引入活性區(qū)域的方式來實現(xiàn)，此活性區(qū)域即電性連接在一對信號端之間。當在預定時間內(nèi)于控制端與信號極之間施加一量值及極性均預先給定的電壓時，此活性區(qū)域即成導電狀態(tài)并電性連接兩信號端。
活性區(qū)域表現(xiàn)出可作反復開關及儲存的效能，使其應用于人眼可見的裝置中。該活性區(qū)域是由分子系統(tǒng)制成，且在整個分子系統(tǒng)中分布有離子復合物。這些分布于分子系統(tǒng)中的離子復合物在施加電場作用下分離。
在一維空間中，活性區(qū)域分子狀態(tài)的合成物表現(xiàn)出結(jié)構(gòu)及電方面的不穩(wěn)定，并能靜態(tài)及動態(tài)地控制分子系統(tǒng)的傳導性能。儲存及開關的機理似乎與一維分子系統(tǒng)在結(jié)構(gòu)及電方面的不穩(wěn)定有關，并也與在外部電場的作用下分子分離和/或原子移位有關。
分子電子學的發(fā)展激發(fā)人們更詳細地研究分子薄膜的電物理特性，分子薄膜的電物理特性提供了新的物理效應，并為電開關及儲存應用帶來了新的技術。雖然此在19世紀60年代已進行首次報導，但至今仍未有大眾所普遍認同的解釋。這大部分要歸因于所得到的結(jié)果并不具有反復性，即便是使用了同樣的化合物也是如此。
大量不同的物質(zhì)可作為分子的合成物。以下即說明此些典型的物質(zhì)，其討論于Yu H.Krieger的文章中，標題為“Structural Instability ofOne-Dimensional Systems As A Physical Principle Underlying TheFunctioning of Molecular Electronic Devices”，Journal of StructuralChemistry，Vol.40，NO.4，1999(Yu H.Krieger)，可一并加以參考。
許多分子儲存器開關可包括一維導電分子系統(tǒng)，此些導電分子系統(tǒng)表現(xiàn)出結(jié)構(gòu)上的不穩(wěn)定(佩爾斯脅強應力，Peierls-effect)。且這些分子儲存器開關往往具有S狀(凹角形，reentrant)電壓—電流特性并帶有儲存功能。此些儲存器開關的電阻值可在幾十歐姆至幾百歐姆之間，阻值大小與開關狀態(tài)有關。
而此種分子系統(tǒng)的組織結(jié)構(gòu)具有兩種突出之類型。第一類為柱狀線型共軛聚合物(strands of linear conjugated polymers)，此結(jié)構(gòu)相互之間連結(jié)弱，且其共有部分的排列組織得也差。第二類為晶體結(jié)構(gòu)，其中，個體分子形成一維柱狀(one-dimensional columns)，且同一柱狀分子間的相互作用要比不同柱狀分子間的相互作用來得更活躍。近來，此兩類分子系統(tǒng)已被綜合。
聚合共軛系統(tǒng)(Ployconjugated systems)主要包括聚乙烯(polyvinylene)，也就是，具有非環(huán)狀共軛系統(tǒng)的聚合物，其中，結(jié)構(gòu)的一維特征是由線型巨分子共軛機制予以標示出來。聚乙炔(polyacetylene)是此類聚合物的典型代表。其電子構(gòu)造是許多其它共軛聚合物的模型。
另一大類的分子化合物是由芳香族與雜環(huán)分子形成，此類分子化合物因分子間的π鍵結(jié)而具有高導電性。這樣的分子系統(tǒng)則稱為π復合物或電荷轉(zhuǎn)移復合物，其結(jié)構(gòu)包含絕緣一維柱狀物或具有聲稱利于開關儲存應用的電物理特性的條狀物。分子電荷轉(zhuǎn)移復合物是由兩個分子形成的施體-受體系統(tǒng)；一個具有施體特性，而另一個則具有受體特性。在已確切定義且具有一維結(jié)構(gòu)的復合物中，四-氰基-基-二甲烷(tetra-cyano-quino-dimethane，TCNQ)是具未飽和鍵結(jié)的平面分子，安置于晶體內(nèi)作為平行堆迭而形成準一維系統(tǒng)。
在另一類一維系統(tǒng)中，陽離子是動態(tài)無規(guī)則的。其包含具通用公式(TMTSF)2X的分子化合物。K2Pt(CN)4Br0.3×3H2O(KCP)類中的過渡金屬鹽也是具混合價準一維復合物中的典型代表，其如同酞菁和卟啉。而且，純無機化合物，如NbSe3，也是很好例子來說明具準一維結(jié)構(gòu)的化合物。
如圖1a-1d所示為本發(fā)明的一實施例形成部分簡化分子儲存單元(MC)的分子合成物。分子合成物包括準一維(或至少結(jié)構(gòu)上及電性上是各向異性的)的分子矩陣(matrix)，其中，離子復合物分布在矩陣內(nèi)。在上述的實施例所述的準一維系統(tǒng)，如聚苯乙炔(ployphenylacetylene)的聚合物共軛化合物，可用作具各向異性的分子矩陣。離子復合物可為鹽，如氯化鈉(NaCl)、氯化銫(CsCl)，或其它任何在施加電場的作用下可分離的物質(zhì)。如圖1a-1d所示，在本實施例中，具各向異性的分子矩陣是由類似鏈狀的分子以朝與電極表面相垂直的方向排列而成。然而，這些分子或各向異性的“信道”也可有其它的朝向，其只要如圖1a-1d所示能夠使電荷分離即可。
然而不受限于理論，以下即可確切說明分子合成物傳導率變化的機理。如圖1a-1d所示，分子薄膜內(nèi)的電子開關，其特征在于，其存在兩個穩(wěn)定的狀態(tài)，即一高阻抗狀態(tài)(斷開狀態(tài))和一低阻抗狀態(tài)(接通狀態(tài))。在斷開狀態(tài)下的阻抗通常要高于幾十MΩ。當所施加的電場強度超過一初始值時，便將開關從斷開狀態(tài)切換至接通狀態(tài)。而在開通狀態(tài)下的阻抗要低于幾百Ω。當所施加的電場極性反轉(zhuǎn)后，即將開關從接通狀態(tài)切換回斷開狀態(tài)。
可識別兩種儲存單元的操作模式亞穩(wěn)態(tài)模式(圖1b)和穩(wěn)態(tài)模式(圖1c)。操作儲存單元的穩(wěn)態(tài)模式，其特征可為在斷開狀態(tài)與接通狀態(tài)之間作切換所用的初始電壓量高(在約3-10V之間的范圍內(nèi))，處于接通狀態(tài)下的阻抗低(低于100Ω)，開關時間長(1ms以上)及儲存時間長(兩個月以上)。一些儲存單元在儲存六年后仍表現(xiàn)出實質(zhì)未有變化的電特性。
相反，儲存單元的亞穩(wěn)態(tài)模式，其特征在于，在斷開狀態(tài)與接通狀態(tài)之間作切換所用的初始電壓量低(在約0.1-0.5V之間的范圍內(nèi))，處于接通狀態(tài)下的阻抗高(所涵蓋范圍廣，約1kΩ～1MΩ)，開關時間短(小于1μs)及儲存時間短(在約10s至幾小時之間)。
圖1a即說明其斷開狀態(tài)，其中，假設各向異性分子矩陣本身為一良好的絕緣體，則其導電率實質(zhì)上為0。如圖1b所示，當施加一外電場E時，鈉鹽(sodium salt)則分解成鈉離子及氯離子，且離子會移出其在各向異性分子矩陣內(nèi)的最初位置，使得在接通狀態(tài)下的導電率增至亞穩(wěn)定狀態(tài)。再增加所施加的電場，離子變得愈發(fā)激烈地分離開來(圖1c)，同時接通狀態(tài)下的導電率還會進一步增長，并達至以上所說的穩(wěn)定狀態(tài)。而若在長時間內(nèi)施加一非常大電場，則陰離子與陽離子會在電極端聚集起來(圖1d)，使得在接通狀態(tài)下的導電率因缺乏移動電荷(在斷開狀態(tài)下)而急劇下降。
就目前所知，在上述例子中，產(chǎn)生導電的電荷并非是鈉離子及氯離子(離子導電)，而是物質(zhì)中存有電子和/或電洞。電子和/或電洞可通過稱為“變射程跳躍式導電”(variable range hopping conduction)過程而在物質(zhì)移動?？雌饋硐笫氢c離子及氯離子在影響著電位勢(potentialbarrier)，以至增大了載子的移動率。然而，理論上未被理解之處，并非用以限制本說明書所要求保護的范圍。
如圖2和3所示，在本發(fā)明的實施例中，門控(gate-controlled)開關裝置即采用了如圖1中所得到的觀察。請參考圖2，在本發(fā)明的一實施例中，可存取的開關裝置20包括絕緣基板21，如玻璃基板或青玉(sapphire)基板，及在基板21上形成的電極22，24，電極22，24即類似于場效應電晶體中的(FET)源極和漏極。而在電極22，24上沉積一活性層28，此活性層28即由如圖1a-1d所述的那種合成物制成。在上述合成物構(gòu)成的層28上沉積一類似于場效應電晶體(FET)中柵極氧化層的絕緣層27，之后便在絕緣層27上形成柵極26，該柵極26可由如鋁制成。若各自在柵極26與電極22，24之間所施加的電壓低于初始值時，請結(jié)合圖1a-1d所示，此初始值即為將活性區(qū)域28從斷開狀態(tài)切換至接通狀態(tài)所需的電壓量，則合成物層28處于絕緣狀態(tài)，且在電極22，24之間沒有電流流過。
如圖3所示，當在柵極26與電極22，24間施加所施加的柵極正電壓VG高于初始值時，離子態(tài)的氯化鈉復合物分解成鈉離子與氯離子，且?guī)ж撾姾傻穆入x子更加集中到柵極附近，而帶正電荷的鈉離子則更多集中到合成物層28與絕緣基板21間的交接面處。例如，要將裝置26切換到導電狀態(tài)(即接通狀態(tài))，可在柵極26上施加0V電壓，在電極22上施加-5V，而在電極24上可施加10V電壓。
換句話說，電場引起了化合物中的正電荷朝絕緣基板附近集聚。由上所述，這些正電荷好比促使化合物的導電，因而在活性層28上形成了導電信道，電荷可通過此導電信道而在電極22與電極24之間流通。因此，當電場施加于柵極時，裝置20便切換到導電狀態(tài)?；钚詫?8的高導電狀態(tài)可持續(xù)幾秒，甚至幾個月或幾年不等，其與化合物是否處于亞穩(wěn)態(tài)模式或穩(wěn)態(tài)模式有關。
裝置20可回到并儲存(restore)無導電狀態(tài)(即斷開狀態(tài))，其可通過在柵極26與電極22，24之間施加一反向電壓(或負電壓)的方式實現(xiàn)。例如，要將裝置20切換到斷開狀態(tài)時，可在柵極上施加-20V的電壓，而在電極22，24上各自施加-5V和-10V的電壓。
因此，上述的布置方式產(chǎn)生了一具有儲存功能的開關或一儲存器開關，其可用作一儲存裝置或一開關裝置。當裝置20用作儲存裝置時，其寫入即可通過在柵極26與電極22之間施加電壓的方式來實現(xiàn)，而讀取即通過檢測電極22，24之間的導電率來實現(xiàn)。
請參考圖4，本發(fā)明的另一實施例中，開關裝置40是在圖2，3所示的裝置20做了些修改，使得由圖1a-1d所示的合成物制成的活性層48直接設置在底端電極42與頂端電極44之間，而可省去使用基板。電極42可為一儲存裝置或開關裝置的一行電極，而電極44為裝置的一列電極。柵極46可形成于電極44的頂部，一絕緣層47設置于其間，以在柵極46與電極44間提供絕緣之用。
同樣，如同圖2中所示的實施例，當在柵極46與電極42之間所施加的正電壓VG使其在電極44上的正電勢相對于電極42上來的多時，離子態(tài)的氯化鈉合成物便分解成鈉離子與氯離子。帶負電荷的氯離子更加集中到頂端電極44附近，而帶正電荷的鈉離子則更多集中到底端電極42附近。因此，合成物層42的導電率增加，使得電流能在電極42與電極44之間流通。此一狀態(tài)即為裝置40的接通狀態(tài)。
裝置40可回到并儲存(restore)其無導電狀態(tài)(即斷開狀態(tài))，其通過在柵極46與電極42之間施加一反向電壓(或負電壓)的方式實現(xiàn)。裝置40可為三接點儲存裝置，其中，寫入周期內(nèi)即在柵極46與電極42之間施加電壓。裝置40也可讀取，其通過在電極42和電極44之間檢測導電率的方式實現(xiàn)。
本發(fā)明已結(jié)合上述的較佳實施例來加以揭露，任何熟習此項技藝的人士均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發(fā)明的權利保護范圍，應如后述的申請專利范圍所列。
權利要求
1.一種開關裝置，其包含一第一及第二電極；一設置在第一及第二電極間的活性區(qū)域，且該活性區(qū)域包括一分子系統(tǒng)；以及一用以控制施加在活性區(qū)域上電場的控制極。
2.如權利要求1所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域進一步包含一分布在分子系統(tǒng)上的離子復合物。
3.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域具有一接通狀態(tài)和一斷開狀態(tài)。
4.如權利要求3所述的開關裝置，其中，控制該電場被控制，以使活性區(qū)域在接通狀態(tài)與斷開狀態(tài)之間作切換。
5.如權利要求3所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域是用來當在控制極與第一及第二電極間施加一具第一極性的電壓時，將開關裝置從斷開狀態(tài)切換至接通狀態(tài)。
6.如權利要求5所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域是用來當在控制極與第一及第二電極間施加一具與第一極性相反的第二極性的電壓時，將開關裝置從接通狀態(tài)切換至斷開狀態(tài)。
7.如權利要求3所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域用來在接通狀態(tài)下于第一及第二電極間提供一傳導信道。
8.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域具有一低阻抗狀態(tài)和一高阻抗狀態(tài)。
9.如權利要求8所述的開關裝置，其中，控制該電場被控制，以使活性區(qū)域在低阻抗狀態(tài)與高阻抗狀態(tài)之間切換。
10.如權利要求8所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域是用來當在控制極與第一及第二電極間施加一具第一極性的電壓時，將開關裝置從高阻抗狀態(tài)切換至低阻抗狀態(tài)。
11.如權利要求10所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域是用來當在控制極與第一及第二電極間施加一具與第一極性相反的第二極性的電壓時，將開關裝置從低阻抗狀態(tài)切換至高阻抗狀態(tài)。
12.如權利要求4所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域用來提供第一操作模式與第二操作模式。
13.如權利要求12所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域在第一操作模式下處于接通狀態(tài)的阻值小于在第二操作模式下的阻值。
14.如權利要求12所述的開關裝置，其中，在第一操作模式下接通狀態(tài)與斷開狀態(tài)間的切換時間大于在第二操作模式下的時間。
15.如權利要求12所述的開關裝置，其中，第一模式下切換活性區(qū)域所需的電場強度高于在第二操作模式下的電場強度。
16.如權利要求2所述的開關裝置，其中，每一離子復合物包括鈉離子和氯離子。
17.如權利要求2所述的開關裝置，其中，每一離子復合物包括銫離子和氯離子。
18.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該分子系統(tǒng)包括一準一維分子矩陣。
19.如權利要求2項所述的開關裝置，其中，該分子系統(tǒng)包括一結(jié)構(gòu)及電性各向異性的分子矩陣。
20.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該分子系統(tǒng)包括一聚合物共軛化合物。
21.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該分子系統(tǒng)包括一芳香族分子。
22.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該分子系統(tǒng)包括一雜環(huán)分子。
23.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該分子系統(tǒng)包括卟啉。
24.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該分子系統(tǒng)包括酞菁。
25.如權利要求2所述的開關裝置，其中，該分子系統(tǒng)包括各向異性無機物質(zhì)。
26.如權利要求2所述的開關裝置，其中，進一步包含一絕緣層，其鄰近控制極。
27.如權利要求26所述的開關裝置，其中，該絕緣層夾置于控制極與活性區(qū)域之間。
28.如權利要求27所述的開關裝置，其中，進一步包含一基板。
29.如權利要求28所述的開關裝置，其中，第一及第二電極設置在基板上。
30.如權利要求29所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域設置在基板上，且電接觸第一及第二電極。
31.如權利要求26所述的開關裝置，其中，該絕緣層夾置于控制極與第一電極之間。
32.如權利要求31所述的開關裝置，其中，該活性區(qū)域夾置于第一電極與第二電極之間。
33.一儲存器開關，其包含一柵極端，至少兩信號端，以及一活性組件，其電性連接在兩信號端之間，并回應施加在柵極端上的信號，使其在接通狀態(tài)與斷開狀態(tài)間作切換，且活性組件包括一分子系統(tǒng)和分布于分子系統(tǒng)內(nèi)的離子復合物。
34.如權利要求33所述的儲存器開關，其中，該活性組件在接通狀態(tài)下的阻值低于在斷開狀態(tài)下的阻值。
35.如權利要求33所述的儲存器開關，其中，該活性組件用來當施加在活性組件上的電場強度超過一初始值時，使其在接通狀態(tài)與斷開狀態(tài)間作切換。
36.如權利要求35所述的儲存器開關，其中，該活性組件用來當所施加的電場具有第一極性時，將其從斷開狀態(tài)切換至接通狀態(tài)。
37.如權利要求36所述的儲存器開關，其中，該活性組件用來當所施加的電場具有與第一極性相反的第二極性時，將其從接通狀態(tài)切換至斷開狀態(tài)。
38.如權利要求33所述的儲存器開關，其中，于活性組件上施加電場以用以儲存器開關的存取。
39.如權利要求33所述的儲存器開關，其中，進一步包含一絕緣基板。
40.如權利要求39所述的儲存器開關，其中，該兩信號端設置在基板上。
41.如權利要求40所述的儲存器開關，其中，該活性組件設置在基板上兩信號端間。
42.如權利要求41所述的儲存器開關，其中，進一步包含設置于柵極端與活性組件間的絕緣層。
43.如權利要求33所述的儲存器開關，其中，進一步包含一絕緣層設置于柵極端與其中之一的信號端之間。
44.如權利要求43所述的儲存器開關，其中，該活性組件設置于兩信號端之間。
45.如權利要求33所述的儲存器開關，其中，包含第一與第二切換模式。
46.如權利要求45所述的儲存器開關，其中，在第一切換模式下施加在活性組件上用以切換儲存器開關的電場強度高于在第二模式下的電場強度。
47.如權利要求46所述的儲存器開關，其中，在第一模式下的切換時間高于在第二模式下的切換時間。
48.如權利要求46所述的儲存器開關，其中，在第一模式下的資料儲存時間高于在第二模式下的儲存時間。
49.如權利要求33所述的儲存器開關，其中，每一離子復合物包括鈉離子和氯離子。
50.一種用于切換裝置的方法，該裝置具有一控制端、一對信號端及一電性連接在該對信號端之間的活性組件，且該活性組件包括一分子系統(tǒng)，該方法包含以下步驟將一具第一極性的信號沿信號端施加至該控制端，以使該裝置從斷開狀態(tài)切換至接通狀態(tài)，且該活性組件在該接通狀態(tài)下的阻值低于在該斷開狀態(tài)下的阻值。
51.如權利要求50所述的切換方法，其中，該活性組件進一步包含離子復合物，其分布在該分子系統(tǒng)內(nèi)。
52.如權利要求50所述的切換方法，其中，進一步包含將具第二極性的信號沿信號端施加至該控制端，以使該裝置從接通狀態(tài)切換至斷開狀態(tài)，且該第二極性與該第一極性相反。
全文摘要
本發(fā)明提供一種新的開關裝置，該開關裝置具有置于第一和第二電極之間的活性區(qū)域，該活性區(qū)域包括一分子系統(tǒng)和分布于該系統(tǒng)中的離子復合物。設有控制電極用來控制應用于該活性區(qū)域的電場，當應用具有預定極性和強度的電場經(jīng)預定時間后，該活性區(qū)域切換于高阻抗狀態(tài)和低阻抗狀態(tài)之間。
文檔編號G11C13/00GK1515039SQ02811743
公開日2004年7月21日 申請日期2002年5月7日 優(yōu)先權日2001年5月7日
發(fā)明者V·布爾維奇, A·曼德利, A·佩爾曼, V 布爾維奇, 呂 申請人:先進微裝置公司